WO2014045787A1 - 配線基板 - Google Patents

配線基板 Download PDF

Info

Publication number
WO2014045787A1
WO2014045787A1 PCT/JP2013/072265 JP2013072265W WO2014045787A1 WO 2014045787 A1 WO2014045787 A1 WO 2014045787A1 JP 2013072265 W JP2013072265 W JP 2013072265W WO 2014045787 A1 WO2014045787 A1 WO 2014045787A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
general formula
atom
carbon atoms
substituent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/072265
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
泰明 松下
季彦 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to CN201380048687.XA priority Critical patent/CN104663005B/zh
Priority to KR1020157006871A priority patent/KR101668968B1/ko
Publication of WO2014045787A1 publication Critical patent/WO2014045787A1/ja
Priority to US14/661,665 priority patent/US9609747B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/247—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0753—Insulation
    • H05K2201/0769—Anti metal-migration, e.g. avoiding tin whisker growth

Definitions

  • the present invention relates to a wiring board, and more particularly to a wiring board having a wiring layer in which a migration inhibitor is unevenly distributed in the vicinity of an exposed surface.
  • Patent Document 1 a method of introducing a predetermined migration inhibitor into metal wiring has been proposed.
  • An object of the present invention is to provide a wiring board which is excellent in the conductive characteristic of a wiring layer, and the ion migration control function in view of the above-mentioned situation.
  • the present inventors have found that the above problems can be solved by controlling the distribution of the migration inhibitor in the wiring layer. That is, the present inventors have found that the above problem can be solved by the following configuration.
  • the thin wire-like first metal layer whose side surface is exposed is disposed on the insulating substrate, and the second metal layer is disposed to cover the surface not in contact with the insulating substrate including the side surface of the first metal layer.
  • a wiring board with an insulating layer comprising: the wiring board according to any one of (1) to (5); and an insulating layer disposed on the wiring layer of the wiring board.
  • the present invention it is possible to provide a wiring board which is excellent in the conductive characteristics of the wiring layer and the ion migration suppressing function.
  • the migration suppressing agent is more localized near the exposed surface (the surface not in contact with the insulating base material) of the wiring layer, whereby the conductive characteristics and the ion migration suppressing function of the wiring layer which are in a tradeoff relationship And both at a higher level. More specifically, by causing a large number of migration inhibitors to be localized near the outer exposed surface of the wiring layer, it is possible to efficiently suppress the diffusion of metal ions deposited on the outer surface from the vicinity of the exposed surface of the wiring layer.
  • the amount of impurities other than metal can be reduced inside the wiring layer, and as a result, a conduction path is formed inside the wiring layer, which is excellent. Conductive characteristics can be achieved.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a first embodiment of a wiring board
  • the wiring board 10 includes an insulating substrate 12 and a wiring layer 14 disposed over the entire surface of the insulating substrate 12.
  • the wiring layer 14 has a first metal layer 14 a and a second metal layer 14 b.
  • the type of the insulating substrate 12 is not particularly limited as long as it is insulating and can support the wiring layer.
  • an organic substrate, a ceramic substrate, a glass substrate or the like can be used.
  • the insulating substrate 12 may have a structure in which at least two substrates selected from the group consisting of an organic substrate, a ceramic substrate, and a glass substrate are stacked.
  • the material of the organic substrate may be a resin, and for example, it is preferable to use a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a resin obtained by mixing them.
  • a thermosetting resin for example, phenol resin, urea resin, melamine resin, alkyd resin, acrylic resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, epoxy resin, silicone resin, furan resin, ketone resin, xylene resin, benzocyclo Butene resin etc. are mentioned.
  • a thermoplastic resin a polyimide resin, polyphenylene oxide resin, polyphenylene sulfide resin, an aramid resin, a liquid crystal polymer etc. are mentioned, for example.
  • glass woven fabric glass nonwoven fabric, aramid woven fabric, aramid nonwoven fabric, aromatic polyamide woven fabric, materials obtained by impregnating these with the above-mentioned resin can be used.
  • the wiring layer 14 is a layer disposed on the insulating substrate 12 and functions as a conductor portion.
  • the wiring layer 14 (in other words, the first metal layer 14a or the second metal layer 14b) is mainly made of metal.
  • the type of metal is not particularly limited, and an optimum metal is appropriately selected according to the application. Among them, silver, copper, gold, aluminum, nickel, or alloys of these, etc. may be mentioned from the viewpoint of the function as a wiring.
  • the wiring layer 14 has a first metal layer 14a and a second metal layer 14b disposed on the first metal layer 14a.
  • the second metal layer 14 b covers the surface of the first metal layer 14 a not in contact with the insulating substrate 12.
  • the thickness T1 of the second metal layer 14b corresponds to 1/10 of the total thickness T2 of the wiring layer 14.
  • the second metal layer 14 b in the wiring layer 14 corresponds to a region from the exposed surface of the wiring layer 14 to a depth position equivalent to 1/10 of the entire thickness of the wiring layer 14.
  • the vertical cross section of the wiring layer 14 in the direction perpendicular to the surface of the insulating substrate 12 is observed with an electron microscope (SEM or TEM).
  • SEM or TEM The region from the outer surface (the surface not in contact with the insulating substrate 12) to the depth position corresponding to 1/10 of the entire thickness of the wiring layer 14 is referred to as a second metal layer 14b.
  • the whole thickness of the wiring layer 14 measures the whole thickness of the wiring layer 14 of five or more arbitrary points, and carries out the arithmetic mean of them.
  • the wiring layer 14 contains a migration inhibitor described later, and the mass Y of the migration inhibitor contained in the second metal layer 14 b is larger than the mass X of the migration inhibitor contained in the first metal layer 14 a. That is, the relation of mass Y> mass X (the relation of mass X / mass Y less than 1) is satisfied. If the above relationship is satisfied, ion migration from the wiring layer 14 is suppressed, and the conductive characteristics of the wiring layer 14 are also excellent. Among them, the mass X of the migration inhibitor contained in the first metal layer 14a and the mass Y of the migration inhibitor contained in the second metal layer 14b in that the balance between the ion migration suppressing function and the conductive property is more excellent.
  • ratio of (X / Y) is preferably less than 0.30, more preferably 0.25 or less, and still more preferably 0.20 or less. Moreover, when using the fluorine atom containing migration inhibitor mentioned later, ratio (X / Y) has most preferable 0.1 or less. The lower limit is not particularly limited, but is most preferably 0, and may be 0.001 or more in practice.
  • the method of measuring the ratio (X / Y) is not particularly limited. For example, the vertical cross section of the wiring layer 14 in the direction perpendicular to the surface of the insulating substrate 12 is observed with an electron microscope (SEM or TEM).
  • Elemental analysis of the components contained in the region corresponding to the first metal layer 14a and the region corresponding to the second metal layer 14b is performed to compare the amount of the element derived from the migration inhibitor to obtain the ratio (X / Y) be able to.
  • the type of migration inhibitor used will be described in detail later.
  • the content of the migration inhibitor contained in the entire wiring layer 14 is not particularly limited, it is preferably 0.01 to 10% by mass with respect to the total mass of the wiring layer 14 from the viewpoint of the conductive characteristics of the wiring layer 14. 1 to 5% by mass is more preferable.
  • the content of the migration inhibitor contained in the second metal layer 14b is not particularly limited as long as the ratio (X / Y) described above is satisfied, but from the viewpoint of the conductive characteristics of the wiring layer 14, The amount is preferably 0.1 to 10% by mass, and more preferably 0.3 to 5.0% by mass.
  • the thickness T2 of the wiring layer 14 is preferably 0.001 to 100 ⁇ m, more preferably 0.01 to 30 ⁇ m, and still more preferably 0.01 to 20 ⁇ m, from the viewpoint of high integration of the wiring board.
  • the wiring layer 14 may contain components other than the metal and the migration inhibitor as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • a binder resin epoxy resin, acrylic resin, polyvinyl pyrrolidone, etc.
  • acrylic resin acrylic resin
  • polyvinyl pyrrolidone etc.
  • the method of forming the wiring layer 14 is not particularly limited and will be described in detail later, but a method of forming the wiring layer 14 using a composition (conductive paste) containing metal fine particles and / or a migration inhibitor is preferable.
  • the wiring layer 14 is provided only on one side of the insulating substrate 12 in FIG. 1, the wiring layer 14 may be provided on both sides. That is, the wiring substrate 10 may be a single-sided substrate or a double-sided substrate. In the case where the wiring layer 14 is provided on both sides of the insulating substrate 12, the wiring layer 14 on both sides may be conducted by filling the through hole with a metal (for example, silver or a silver alloy). .
  • a metal for example, silver or a silver alloy.
  • the migration inhibitor is a compound that suppresses migration of metal ions deposited from the wiring layer 14 and is included in the above-described wiring layer 14.
  • the type of migration inhibitor is not particularly limited, and known compounds can be used. Among them, inorganic ion adsorbents, organic antioxidants, organic ion adsorbents and the like are preferable in that the effect of the present invention is more excellent. Below, each compound is explained in full detail.
  • the inorganic ion adsorbent is an inorganic compound that adsorbs a metal ion, and a bismuth compound, a zirconium compound, an antimony oxide compound, a magnesium compound, etc. are suitably mentioned.
  • the bismuth compound include bismuth oxide, bismuth titanate, bismuth nitrate, bismuth salicylate, bismuth carbonate and the like. Among these, bismuth oxide is particularly preferred.
  • zirconium compounds include zirconium phosphate, zirconium tungstate, zirconium molybdate, zirconium selenate, and zirconium tellurate. Among these, zirconium phosphate is particularly preferable.
  • antimony oxide compound examples include antimony pentoxide, antimony trioxide, phosphomonic acid, zirconium antimonate, titanium antimonate and the like. Among these, antimony pentoxide is particularly preferable.
  • magnesium compounds include magnesium phosphate, magnesium carbonate and magnesium oxide.
  • Two types of compounds may be used in combination as the inorganic ion adsorbent, and among them, it is preferable to use a bismuth compound and at least one of a zirconium compound and an antimony oxide compound in combination.
  • the mass ratio (A: B) of the bismuth compound (A) to at least one of the zirconium compound and the antimony oxide compound (A: B) is preferably 1: 0.2 to 1: 5, and 1: 0.5 to 1: 2 is more preferred.
  • the organic antioxidant is an organic compound that prevents metal oxidation, and the type thereof is not particularly limited, but in particular, the redox potential is 0.5 V or more and 2.0 V or less (preferably 0.6 V or more). It is preferable that it is a compound of 5 V or less.
  • Preferred embodiments of the organic antioxidant include at least one compound selected from the group of compounds represented by General Formula (1A), General Formula (2A) and General Formula (3A).
  • R 1a to R 5a each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an aliphatic hydrocarbon group which may have an oxygen atom, or an aromatic carbon which may have an oxygen atom. It represents a hydrogen group or a combination of these. Among them, a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, or a group obtained by combining these is preferable in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • the number of carbon atoms contained in the aliphatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group or a combination thereof is not particularly limited, but is preferably 1 to 40, more preferably 4 to 20 in that the ion migration suppressing function is more excellent. More preferable.
  • Rz represents an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
  • Z is preferably a hydrogen atom in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • the total number of carbon atoms contained in each group of R 1a to R 5a is 4 or more. That is, at least one of R 1a to R 5a is a group containing a carbon atom (such as the above-mentioned aliphatic hydrocarbon group, the above-mentioned aromatic hydrocarbon group, or a combination thereof).
  • a carbon atom such as the above-mentioned aliphatic hydrocarbon group, the above-mentioned aromatic hydrocarbon group, or a combination thereof.
  • the total number is preferably 8 or more, and more preferably 10 or more, in that the effect is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, but the total number is preferably 50 or less, more preferably 40 or less, from the viewpoint that synthesis is easier and the dispersibility in the wiring layer is more excellent.
  • the number of carbon atoms in the group is It should be 4 or more.
  • the total number of carbon atoms contained in each group is 4 It is sufficient if it is the above.
  • R 1a and R 2a are alkyl groups and R 3a to R 5a are hydrogen atoms
  • the number of carbon atoms contained in the alkyl group of R 1a and the number of carbon atoms contained in the alkyl group of R 2a The total number of and may be 4 or more.
  • R 1a to R 5a may be bonded to each other to form a ring.
  • the type of ring to be formed is not particularly limited, and, for example, a 5- to 6-membered ring structure can be mentioned.
  • R 1a to R 5a may further contain known substituents.
  • a substituent for example, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a cyano group, a hydroxyl group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a silyloxy group, a heterocyclic oxy group, an acyloxy group, a carbamoyl Oxy, alkoxycarbonyloxy, aryloxycarbonyloxy, amino, acylamino, aminocarbonylamino, alkoxycarbonylamino, aryloxycarbonylamino, sulfamoylamino, alkyl or arylsulfonylamino, mercapto Group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl or ary
  • R 6a to R 8a each independently represent an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a group obtained by combining these.
  • the number of carbon atoms contained in the aliphatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group or a combination thereof is not particularly limited, but is preferably 1 to 40, more preferably 2 to 20 in that the ion migration suppressing function is more excellent. More preferable.
  • the total number of carbon atoms contained in each group of R 6a to R 8a is 6 or more. If the total number of carbon atoms is in the above range, metal ion migration is further suppressed.
  • the total number is preferably 8 or more, and more preferably 10 or more, in that the effect is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, but the total number is preferably 50 or less, more preferably 40 or less, from the viewpoint that synthesis is easier and the dispersibility in the wiring layer is more excellent.
  • R 6a to R 8a are all alkyl groups, the number of carbon atoms contained in the alkyl group of R 6a and the number of carbon atoms contained in the alkyl group of R 7a And the total number of carbon atoms contained in the alkyl group of R 8a is 6 or more.
  • R 6a to R 8a may further contain known substituents, as necessary. Examples of the substituent are the same as the substituents substituted on R 1a to R 5a described above.
  • R 6a to R 8a may be bonded to each other to form a ring.
  • R 9a to R 12a each independently represent an alkyl group which may contain a hetero atom, an aryl group which may contain a hetero atom, or a group obtained by combining these.
  • the number of carbon atoms contained in the alkyl group or the aryl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40, and more preferably 2 to 20 in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • the alkyl group or the aryl group may contain a hetero atom.
  • the type of hetero atom to be contained is not particularly limited, and examples include a halogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a selenium atom, and a tellurium atom.
  • Each of X 1 to X 4 is independently selected from the group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, and a tellurium atom. Among them, oxygen atom and sulfur atom are preferable from the viewpoint of easier handling.
  • R a , R b and R c are each independently selected from a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • n represents an integer of 1 to 3;
  • the total number of carbon atoms contained in each group of R 9a to R 12a is 6 or more. If the total number of carbon atoms is in the above range, metal ion migration is further suppressed.
  • the total number is preferably 8 or more, and more preferably 10 or more, in that the effect is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, but the total number is preferably 50 or less, more preferably 40 or less, from the viewpoint that synthesis is easier and the dispersibility in the wiring layer is more excellent.
  • R 9a to R 12a are all alkyl groups
  • the number of carbon atoms contained in the alkyl group of R 9a and the number of carbon atoms contained in the alkyl group of R 10a , the number of carbon atoms contained in the alkyl group R 11a, the total number of the number of carbon atoms contained in the alkyl group R 12a can fall within six or more.
  • R 9a to R 12a may be bonded to each other to form a ring.
  • the compounds represented by the general formulas (1A) to (3A) described above are preferable in that the ion migration suppressing function is more excellent. Can be mentioned.
  • R 14a and R 15a each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an aliphatic hydrocarbon group which may contain an oxygen atom, or an aromatic hydrocarbon group which may contain an oxygen atom.
  • an alkyl group containing a tertiary carbon atom or a quaternary carbon atom is preferable in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • the number of carbon atoms contained in the aliphatic hydrocarbon group or the aromatic hydrocarbon group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40, and more preferably 2 to 20.
  • R 14a is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • R 15a is an alkyl group having 10 to 20 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms contained in at least one of R 1a , R 2a , R 14a and R 15a is preferably 1 to 40.
  • the number of carbon atoms is preferably 8 to 40, and more preferably 10 to 30.
  • the total number of carbon atoms contained in each group of R 1a , R 2a , R 14a and R 15a is preferably 4 or more. If the total number of carbon atoms is in the above range, metal ion migration is further suppressed.
  • the total number is preferably 8 or more, and more preferably 10 or more, in that the effect is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, but the total number is preferably 50 or less, more preferably 40 or less, from the viewpoint that synthesis is easier and the dispersibility in the wiring layer is more excellent.
  • L is a divalent or trivalent aliphatic hydrocarbon group which may have an oxygen atom, a divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group which may have an oxygen atom, -S-, or And the group which combined these.
  • the number of carbon atoms contained in the aliphatic hydrocarbon group or the aromatic hydrocarbon group is not particularly limited, but the aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 to 40, more preferably 2 to 20, and the aromatic hydrocarbon group is 6 to 40 is preferable, and 6 to 20 is more preferable.
  • the aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic. n represents an integer of 2 or 3.
  • the organic ion adsorbent is an organic compound that adsorbs a metal ion, and its structure is not particularly limited, and known organic compounds can be used. Among them, a structure selected from the group consisting of tetrazole structure, triazole structure, thiadiazole structure and benzimidazole structure (hereinafter also referred to as heterocyclic structure), a mercapto group and a hydrocarbon group which may contain a hetero atom A compound having one or more and the total number of carbon atoms in the hydrocarbon group (note that if there is a plurality of hydrocarbon groups, the total number of carbon atoms in each hydrocarbon group) is 5 or more (Hereinafter also referred to as a SH group-containing compound) is preferred.
  • the SH group-containing compound includes a structure selected from the group consisting of tetrazole structure, triazole structure, thiadiazole structure and benzimidazole structure. Among them, a triazole structure and a thiadiazole structure are preferable in that the ion migration suppression function is more excellent.
  • the structures can be more specifically exemplified by the following general formulas (X) to (W).
  • the SH group-containing compounds include mercapto groups (HS-).
  • Mercapto groups are highly reactive to form covalent bonds with metals.
  • the mercapto group is bonded to a heterocyclic structure such as the above triazole structure.
  • the amount of mercapto group in the SH group-containing compound is not particularly limited, but the ratio of the total amount of atomic weight of mercapto group to the total molecular weight of the compound is preferably 50% or less, particularly preferably 40% or less.
  • the mercapto group may be contained not only in one but in plural.
  • the SH group-containing compound has one or more hydrocarbon groups which may contain hetero atoms (hereinafter also referred to simply as hydrocarbon groups), and the total number of carbon atoms in the hydrocarbon group (more than one) When a hydrocarbon group is present, the total number of carbon atoms in each hydrocarbon group is 5 or more. By containing the hydrocarbon group in the compound, the effect of suppressing metal ion migration is further enhanced.
  • the hydrocarbon group is a group containing a carbon atom and a hydrogen atom.
  • the hydrocarbon group is usually bonded to a heterocyclic structure such as the above triazole structure.
  • a hydrocarbon group an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or the group that combined these is mentioned more specifically.
  • the number of carbon atoms in each hydrocarbon group is not particularly limited, and is not particularly limited as long as the total number of carbon atoms described later is 5 or more, but 4 or more is preferable and 6 or more is more preferable in that the ion migration suppressing function is more excellent. , 8 or more is particularly preferred.
  • the upper limit is not particularly limited, but the number of carbon atoms is preferably 30 or less, more preferably 24 or less, in that the ion migration suppression function is more excellent.
  • the aliphatic hydrocarbon group preferably has 4 or more carbon atoms, and more preferably 6 or more carbon atoms.
  • the upper limit is not particularly limited, but is preferably 40 or less in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • the aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic, and carbon of the linear aliphatic hydrocarbon portion in that the dispersibility of the compound in the wiring layer is more excellent. It is preferable that it is branched having 18 or less atoms, or a tertiary or quaternary carbon atom.
  • the aromatic hydrocarbon group preferably has 6 or more carbon atoms, and more preferably a disubstituted or more aromatic hydrocarbon group.
  • the total number of carbon atoms in all the hydrocarbon groups bonded to the above heterocyclic structure is 5 or more. If the total number of carbon atoms is in the above range, ion migration is further suppressed.
  • the total number is preferably 6 or more, and more preferably 8 or more, in that the effect is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, but the total number is preferably 36 or less, more preferably 24 or less, from the viewpoint that synthesis is easier and the dispersibility in the wiring layer is more excellent.
  • the number of hydrocarbon groups when the number of hydrocarbon groups is one, the number of carbon atoms in the hydrocarbon group may be 5 or more.
  • the total number of carbon atoms contained in each hydrocarbon group may be 5 or more. More specifically, when two hydrocarbon groups (hydrocarbon group A, hydrocarbon group B) are contained in the compound, the number of carbon atoms in hydrocarbon group A and the number of carbon atoms in hydrocarbon group B The total number may be 5 or more.
  • the total number of said carbon atoms can also be represented by the following general formula (A). That is, the compound of the general formula (A) Total number of carbons T C expressed by the can fall within 5 or more.
  • Ci represents the number of carbons in the i-th hydrocarbon group contained in the compound, and i represents an integer of 1 to n.
  • the hydrocarbon group may contain a hetero atom.
  • the type of hetero atom to be contained is not particularly limited, and examples include a halogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a selenium atom, and a tellurium atom.
  • Each of X 1 to X 4 is independently selected from the group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, and a tellurium atom. Among them, oxygen atom and sulfur atom are preferable from the viewpoint of easier handling.
  • the above R a , R b and R c are each independently selected from a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. n represents an integer of 1 to 3;
  • a hetero atom When a hetero atom is contained in a hydrocarbon group, it may be contained in a form such as a mercapto group (—SH).
  • the molecular weight of the SH group-containing compound is not particularly limited, but is preferably 50 to 1000, and more preferably 100 to 600, from the viewpoint of more excellent dispersibility in the wiring layer.
  • Preferred embodiments of the SH group-containing compound include compounds represented by the following general formula (6A) to general formula (8A). With this compound, the ion migration suppressing function is more excellent. In particular, the compound represented by General Formula (6A) or General Formula (7A) is preferable in that the effect of the present invention is more excellent.
  • R 21a and R 22a each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may contain a hetero atom, and at least one of R 21a and R 22a contains a hetero atom R 21a represents a hydrocarbon group which may be substituted, and the total number of carbon atoms contained in each of R 21a and R 22a is 5 or more.
  • a halogen atom eg, an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a combination thereof
  • the suitable aspect of a hydrocarbon group is as above-mentioned, and the kind of hetero atom is also as above-mentioned.
  • the total number of carbon atoms contained in each group of R 21a and R 22a is 5 or more.
  • the total number (total carbon number) of the number of carbon atoms in R 21a and the number of carbon atoms in R 22a may be 5 or more.
  • the preferable aspect of a total number is as above-mentioned.
  • R 23a represents a hydrocarbon group which may contain a hetero atom, and the number of carbon atoms contained in R 23a is 5 or more.
  • the definition of the hydrocarbon group is as described above.
  • each of R 24a to R 27a independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group which may contain a hetero atom, and at least one of R 24a to R 27a is Represents a hydrocarbon group, and the total number of carbon atoms contained in each of R 24a to R 27a is 5 or more.
  • the definition of the hydrocarbon group is as described above.
  • a hydrocarbon group e.g., an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon And a hydrogen group, or a combination thereof, and a group represented by the following general formula (9A) is more preferable.
  • L 1 represents a single bond, -O-, -NR 31a- , -CO-, -C (R 32a ) (R 33a ) -or a combination thereof.
  • R 31a to R 33a independently represents a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group.
  • R 30a represents an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a combination thereof. Preferred embodiments of the aliphatic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group are as described above.
  • * represents a bonding position.
  • R 24a to R 27a represents a hydrocarbon group which may contain a hetero atom.
  • R 24a to R 27a be the hydrocarbon group, and more preferably one, in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • the total number of carbon atoms contained in each group of R 24a to R 27a is 5 or more.
  • the total number of the number of carbon atoms in R 24a , the number of carbon atoms in R 25a , the number of carbon atoms in R 26a , and the number of carbon atoms in R 27a (total carbon number) Should be 5 or more.
  • the preferable aspect of a total number is as above-mentioned.
  • the migration inhibitor migration inhibitor
  • compounds represented by general formulas (1) to (5) described later compounds represented by general formula (22), and compounds represented by general formula (23)
  • the compound represented is a compound having a group represented by the general formula (24) and a group represented by the general formula (25).
  • These compounds contain a fluorine atom, and by including them in the one-component wiring layer forming composition as described later, the wiring layer including the desired distribution of the migration inhibitor can be easily manufactured. can do.
  • the migration inhibitor containing the fluorine atom described above (compounds represented by the general formulas (1) to (5), a compound represented by the general formula (22), a compound represented by the general formula (23),
  • the fluorine content of the compound having the group represented by the general formula (24) and the group represented by the general formula (25) is more excellent in the ion migration suppressing function of the wiring layer to be formed, From the viewpoint of being more excellent, it is preferably 20% by mass or more and less than 65% by mass, more preferably 25 to 60% by mass, and still more preferably 30 to 55% by mass.
  • the ratio (content rate) of the mass which the fluorine atom occupies in the total molecular weight of a migration prevention agent is represented.
  • Each compound is described in detail below.
  • R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a group that can be substituted on a nitrogen atom.
  • the group which can be substituted on the nitrogen atom is not particularly limited as long as it can substitute on the nitrogen atom, and examples thereof include an alkyl group (including a cycloalkyl group), an alkenyl group (including a cycloalkenyl group and a bicycloalkenyl group), and an alkynyl group.
  • alkyl group [a linear, branched, cyclic substituted or unsubstituted alkyl group. They are preferably alkyl groups (preferably alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, n-octyl, eicosyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-ethylhexyl A cycloalkyl group (preferably, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, for example, cyclohexyl, cyclopentyl, 4-n-dodecylcyclohexyl), a bicycloalkyl group (preferably, 5 to 30 carbon atoms).
  • alkyl groups preferably alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl
  • a substituted or unsubstituted bicycloalkyl group that is, a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a bicycloalkane having 5 to 30 carbon atoms, for example, bicyclo [1.2.2] heptane-2-yl, Bicyclo [2.2.2] octan-3-yl), and tricyclo structures having more ring structures It is intended to encompass such.
  • the alkyl group (for example, the alkyl group of the alkylthio group) in the substituents described below also represents an alkyl group having such a concept.
  • alkenyl groups [a linear, branched, cyclic substituted or unsubstituted alkenyl group is represented.
  • alkenyl groups preferably substituted or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 30 carbon atoms, such as vinyl, allyl, prenyl, geranyl, oleyl
  • cycloalkenyl groups preferably, substitution of 3 to 30 carbon atoms or An unsubstituted cycloalkenyl group, that is, a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom of a cycloalkene having 3 to 30 carbon atoms, such as 2-cyclopenten-1-yl, 2-cyclohexen-1-yl
  • Bicycloalkenyl group substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group, preferably a substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group having 5 to 30 carbon atoms, that is, a monovalent compound from which one hydrogen atom of a bicycloalkene having one double bond is removed
  • alkynyl group preferably, a substituted or unsubstituted alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, such as ethynyl, propargyl, trimethylsilylethynyl group
  • an aryl group preferably, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms
  • Groups such as phenyl, p-tolyl, naphthyl, m-chlorophenyl, o-hexadecanoylaminophenyl
  • heterocyclic groups preferably 5- or 6-membered substituted or unsubstituted, aromatic or non-aromatic heterocycles It is a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from the compound, more preferably a 5- or 6-membered aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms, for example, 2-furanyl, 2-thienyl
  • the alkyl group represented by R 2 and R 3 in the general formula (1) represents a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkenyl group, preferably having 1 to 50 carbon atoms, more preferably 1 carbon atoms. It is preferably 30 to 30, particularly preferably 1 to 20 carbon atoms.
  • Preferred examples include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, cyclopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, sec-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, t-pentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, cyclopentyl, octyl, Examples include 2-ethylhexyl, nonyl, decyl, dodecyl, tetradecyl, hexadecyl, octadecyl, eicosyl, docosyl, triacontyl and the like.
  • the alkyl group may contain a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S—, or a combination of these.
  • a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S—, or a combination of these.
  • the said connection group when the said connection group is contained in an alkyl group, the position in particular is not restrict
  • the alkyl group represented by R 2 and R 3 may further have a substituent.
  • a substituent a halogen atom, an alkyl group (including a cycloalkyl group), an alkenyl group (including a cycloalkenyl group and a bicycloalkenyl group), an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, a cyano group, a hydroxyl group and a nitro group , Carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (including anilino group), acylamino group, aminocarbonyl Amino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsul
  • a halogen atom for example, chlorine atom, bromine atom, iodine atom
  • an alkyl group [(linear, branched, cyclic substituted or unsubstituted alkyl group is represented. They are an alkyl group.
  • alkyl group having 1 to 30 carbon atoms for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, n-octyl, eicosyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-ethylhexyl), cycloalkyl group (Preferably, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, such as cyclohexyl, cyclopentyl, 4-n-dodecylcyclohexyl), a bicycloalkyl group (preferably, substituted or unsubstituted substituents having 5 to 30 carbon atoms) Bicycloalkyl group, that is, a hydrogen source from a bicycloalkane having 5 to 30 carbon atoms It is a monovalent group obtained by removing one member, for example, bicyclo [1.2.2] h
  • alkenyl group [a linear, branched, cyclic substituted or unsubstituted alkenyl group is represented. They are alkenyl groups (preferably substituted or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 30 carbon atoms, such as vinyl, allyl, prenyl, geranyl, oleyl), cycloalkenyl groups (preferably, substitution of 3 to 30 carbon atoms or An unsubstituted cycloalkenyl group, that is, a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom of a cycloalkene having 3 to 30 carbon atoms, such as 2-cyclopenten-1-yl, 2-cyclohexen-1-yl), Bicycloalkenyl group (substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group, preferably a substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group having 5 to 30 carbon atoms, that is, a monovalent compound from which one hydrogen
  • alkynyl group preferably, a substituted or unsubstituted alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, such as ethynyl, propargyl and trimethylsilylethynyl group
  • An aryl group (preferably a substituted or unsubstituted aryl group having a carbon number of 6 to 30, such as phenyl, p-tolyl, naphthyl, m-chlorophenyl, o-hexadecanoylaminophenyl), a heterocyclic group (preferably 5 or 6)
  • Group heterocyclic group for example, 2-furanyl, 2-thienyl, 2-pyrimidinyl, 2-benzothiazolinyl),
  • amino group preferably, an amino group, a substituted or unsubstituted alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted anilino group having 6 to 30 carbon atoms, for example, amino, methylamino, dimethylamino, anilino, N-methyl-anilino, diphenylamino
  • acylamino group preferably, formylamino group, substituted or unsubstituted alkylcarbonylamino group having 1 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylcarbonylamino having 6 to 30 carbon atoms Groups, for example, formylamino, acetylamino, pivaloylamino, lauroylamino, benzoylamino, 3,4,5-tri-n-octyloxyphenylcarbonylamino), aminocarbonylamino group (preferably having a carbon number of 1 to 30) Or unsubsti
  • alkylthio group preferably, substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, for example, methylthio, ethylthio, n-hexadecylthio
  • arylthio group preferably, having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted Arylthio, for example, phenylthio, p-chlorophenylthio, m-methoxyphenylthio
  • heterocyclic thio group preferably having a carbon number of 2 to 30, substituted or unsubstituted heterocyclic thio group, for example, 2-benzothiazolylthio, 1-phenyltetrazol-5-ylthio
  • a sulfamoyl group preferably a substituted or unsubstituted sulfamoyl group having a carbon number of 0 to 30, for example, N-ethylsulfamoyl group
  • Alkyl and arylsulfonyl groups preferably, substituted or unsubstituted alkylsulfonyl groups having 1 to 30 carbon atoms, 6 to 30 substituted or unsubstituted arylsulfonyl groups, for example, methylsulfonyl, ethylsulfonyl, phenylsulfonyl, p- Methylphenylsulfonyl), an acyl group (preferably a formyl group, a substituted or unsubstituted alkylcarbonyl group having 2 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylcarbonyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substitution of 4 to 30 carbon atoms Or a heterocyclic carbonyl group bonded to a carbonyl group at a non-substituted carbon atom, for example, acetyl, pivaloyl, 2-chloroacety
  • a carbamoyl group (preferably, a substituted or unsubstituted carbamoyl having 1 to 30 carbon atoms, for example, carbamoyl, N-methylcarbamoyl, N, N-dimethylcarbamoyl, N, N-di-n-octylcarbamoyl, N- (methyl) (Sulfonyl) carbamoyl), aryl and heterocyclic azo groups (preferably substituted or unsubstituted arylazo groups having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic azo groups having 3 to 30 carbon atoms, eg, phenylazo, p- Chlorophenylazo, 5-ethylthio-1,3,4-thiadiazol-2-ylazo), imide group (preferably, N-succinimide, N-phthalimide), phosphino group (preferably, having 2 to 30 carbon atoms, substituted or non-substi
  • a substituted or unsubstituted phosphinylamino group eg, dimethoxyphosphinylamino, dimethylaminophosphinylamino
  • a silyl group preferably, a substituted or unsubstituted silyl group having 3 to 30 carbon atoms, eg, Trimethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, phenyldimethylsilyl Representing the.
  • those having a hydrogen atom may be removed and further substituted with the above group.
  • Examples of such functional groups include alkylcarbonylaminosulfonyl group, arylcarbonylaminosulfonyl group, alkylsulfonylaminocarbonyl group, arylsulfonylaminocarbonyl group and the like. Examples thereof include methylsulfonylaminocarbonyl, p-methylphenylsulfonylaminocarbonyl, acetylaminosulfonyl, benzoylaminosulfonyl and the like.
  • the alkenyl group represented by R 2 and R 3 represents a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkenyl group, preferably having 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms, and particularly preferably It has 2 to 20 carbon atoms.
  • Preferred examples include vinyl, allyl, prenyl, geranyl, oleyl, 2-cyclopenten-1-yl, 2-cyclohexen-1-yl, bicyclo [2.2.1] hept-2-en-1-yl, bicyclo [2.2.2] oct-2-en-4-yl) and the like.
  • the alkenyl group represented by R 2 and R 3 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • the alkenyl group may contain a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S— or a combination thereof as in the above alkyl group.
  • the alkynyl group represented by R 2 and R 3 represents a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkynyl group, preferably having 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms, and particularly preferably It has 2 to 20 carbon atoms. Preferred examples include ethynyl, propargyl and the like.
  • the alkynyl group represented by R 2 and R 3 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • the alkynyl group may contain a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S— or a combination thereof as in the above alkyl group.
  • the aryl group represented by R 2 and R 3 represents a substituted or unsubstituted aryl group, preferably having 6 to 50 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 20 carbon atoms .
  • Preferred examples include phenyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2-ethylphenyl, 4-ethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 2,4, 6-trimethylphenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 2-chlorophenyl, 3-chlorophenyl, 4-chlorophenyl, 2-methoxyphenyl, 3-methoxyphenyl, 4-methoxyphenyl, 2-benzylphenyl, 4-benzylphenyl, 2-methylcarbonylphenyl, 4-methylcarbonylphenyl and the like can be mentioned.
  • phenyl, 2-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2-ethylphenyl, 4-ethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 2,4,6-trimethylphenyl, 1 And 2-naphthylphenyl, 2-chlorophenyl, 4-chlorophenyl, 2-methoxyphenyl, 3-methoxyphenyl, 4-methoxyphenyl, 2-benzylphenyl, 4-benzylphenyl and the like can be mentioned, with particular preference given to Phenyl, 2-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 2,4,6-trimethylphenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 2-chlorophenyl, 4-chlorophenyl , 2-methoxyphenyl, 4-methoxyphenyl, 2-benzyl Enir
  • R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 4 and R 5 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group and an aryl group Or a group obtained by combining these, and preferred examples of each may include the aforementioned examples of R 2 and R 3 .
  • the groups represented by R 4 and R 5 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • R 1 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 1 and R 6 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group and an aryl group Or a group obtained by combining these, and preferred examples of each may include the aforementioned examples of R 2 and R 3 .
  • the groups represented by R 1 and R 6 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • n represents an integer of 0 to 5; However, when n is 0, both P and Q will not both be OH, and neither will CHR 4 R 5 .
  • the compound represented by the general formula (1) may be linear or cyclic, and in the case of cyclic, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 At least two of the represented groups may be bonded to each other to form a ring. In addition, when two groups couple
  • a fluorine atom is contained in at least one group of R 1 to R 6 .
  • a fluorine atom is contained so that a fluorine content may become the range mentioned above.
  • the fluorine atom may be substituted at any carbon atom of the compound represented by the general formula (1).
  • a part or all of the hydrogen atoms in at least one group of R 1 to R 6 are substituted by a fluorine atom Is preferred.
  • a fluorine atom, a fluoroalkyl group (hereinafter, also referred to as the R f group) or is preferably contained as been substituted with the R f group. That is, it is preferable that a fluoroalkyl group is contained in at least one group of R 1 to R 6 .
  • R f group is a C 2 -C 14 straight-chain or branched perfluoroalkyl group, or a C 1 -C 14 straight-chain or branched perfluoroalkyl group substituted by 2 to C carbon atoms It is preferable that it is 20 substituents.
  • linear or branched perfluoroalkyl groups having 1 to 14 carbon atoms include CF 3- , C 2 F 5- , C 3 F 7- , C 4 F 9- , C 5 F 11- , ( CF 3) 2 -CF- (CF 2 ) 2 -, C 6 F 13 -, C 7 F 15 -, (CF 3) 2 -CF- (CF 2) 4 -, C 8 F 17 -, C 9 F 19- , C 10 F 21- , C 12 F 25 -and C 14 F 29- can be mentioned.
  • the compound represented by the general formula (1) is preferably at least one selected from the group consisting of the compounds represented by the general formulas (6) to (21).
  • the compounds represented by the general formulas (6) to (21) preferably contain a fluorine atom satisfying the above-mentioned fluorine content.
  • V 6 represents a substituent. a is an integer of 1 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1). Note that at least one of V 6 contains a fluorine atom. That is, when V 6 is one, the substituent includes a fluorine atom, and when V 6 is two or more, at least one V 6 may contain a fluorine atom.
  • the fluorine atom is introduced by substituting a part or all of the hydrogen atoms (preferably, a part or all of the hydrogen atoms bonded to a carbon atom) in at least one group represented by V 6 Is preferred.
  • V 6 preferably contains the above-mentioned R f group.
  • the substituents represented by V 6, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be the same or different, and may be combined with each other to form a ring.
  • the specific example of a compound represented by General formula (6) is shown. However, the present invention is not limited to these.
  • the percentage display described simultaneously with the structural formula of a compound below shows the mass content rate (fluorine content rate) of a fluorine atom.
  • V 7 represents a substituent. a is an integer of 1 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1). Note that at least one of V 7 contains a fluorine atom. That is, when V 7 is one, the substituent includes a fluorine atom, and when V 7 is two or more, at least one V 7 may contain a fluorine atom.
  • the fluorine atom is introduced by substituting a part or all of the hydrogen atoms (preferably a part or all of the hydrogen atoms bonded to a carbon atom) in at least one group represented by V 7 Is preferred.
  • V 7 contains the above-mentioned R f group.
  • the substituent represented by V 7 it can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • the specific example of a compound represented by General formula (7) is shown. However, the present invention is not limited to these.
  • V 8 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 8 can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • Each of R 81 and R 82 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 8 , R 81 and R 82 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms
  • V 8 , R 81 and R 82 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • V 8 , R 81 and R 82 contains the above-mentioned R f group.
  • at least one group of the plurality of V 8, R 81 and R 82 include fluorine atom.
  • V 9 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 9, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different and may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 91 and R 92 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 9 , R 91 and R 92 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 9 , R 91 and R 92 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • V 9 , R 91 and R 92 contains the above-mentioned R f group.
  • at least one group of the plurality of V 9, R 91 and R 92 include fluorine atom.
  • V 10 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituent represented by V 10 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • R 101 and R 102 independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 101 and R 102 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or It is an aryl group, and the examples of R 2 and R 3 described above can be mentioned as preferable examples of each.
  • R 101 and R 102 represent a substituent, these groups may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 10 , R 101 and R 102 contains a fluorine atom. Among them, some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 10 , R 101 and R 102 are substituted with fluorine atoms Is preferred. Among them, at least one of V 10 , R 101 and R 102 preferably contains the R f group described above. In the case where V 10 there are a plurality, at least one group of the plurality of V 10, R 101 and R 102, it includes fluorine atom.
  • V 11 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 11, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • R 111 and R 112 independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 111 and R 112 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or It is an aryl group, and the examples of R 2 and R 3 described above can be mentioned as preferable examples of each.
  • R 111 or R 112 represents a substituent, these groups may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 11 , R 111 and R 112 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of V 11 , R 111 and R 112 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one of V 11 , R 111 and R 112 contains the above-mentioned R f group.
  • V 11 there are a plurality at least one group of the plurality of V 11, R 111 and R 112, it includes fluorine atom.
  • V 12 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 12 can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 121 , R 122 , R 123 and R 124 independently represents a hydrogen atom or a group which can be substituted on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 12 , R 121 , R 122 , R 123 and R 124 contains a fluorine atom.
  • some or all of hydrogen atoms in at least one group of V 12 , R 121 , R 122 , R 123 and R 124 (preferably, some or all of hydrogen atoms bonded to carbon atoms) Is preferably substituted by a fluorine atom.
  • at least one of V 12 , R 121 , R 122 , R 123 and R 124 contains the above-mentioned R f group.
  • V 12 there are a plurality, at least one group of the plurality of V 12, R 121, R 122 , R 123 and R 124, it includes fluorine atom.
  • V 13 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 13, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • R 131 , R 132 , R 133 and R 134 each independently represent a hydrogen atom or a group which can be substituted on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 13 , R 131 , R 132 , R 133 and R 134 contains a fluorine atom. Among them, some or all of hydrogen atoms in at least one group of V 13 , R 131 , R 132 , R 133 and R 134 (preferably, some or all of hydrogen atoms bonded to carbon atoms) Is preferably substituted by a fluorine atom. Furthermore, it is more preferable that at least one of V 13 , R 131 , R 132 , R 133 and R 134 contains the above-mentioned R f group. In the case where V 13 there are a plurality, at least one group of the plurality of V 13, R 131, R 132 , R 133 and R 134, it includes fluorine atom.
  • V 14 represents a substituent.
  • c represents an integer of 1 to 2 (preferably 11). Note that at least one of V 14 contains a fluorine atom. That is, in the case where V 14 is one, the substituent includes a fluorine atom, and in the case where V 14 is two or more, at least one V 14 may include a fluorine atom.
  • the fluorine atom is introduced by substituting a part or all of the hydrogen atoms (preferably, a part or all of the hydrogen atoms bonded to a carbon atom) in at least one group represented by V 14 Is preferred. Among them, it is more preferable that the aforementioned R f group is contained in V 14 .
  • the substituents represented by V 14, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above. When a plurality of V 14 are present in the general formula (14), each group may be the same or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • V 15 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 15, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different, and may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 151 and R 152 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 15 , R 151 and R 152 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of V 15 , R 151 and R 152 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one of V 15 , R 151 and R 152 contains the above-mentioned R f group.
  • V 15 there are a plurality at least one group of the plurality of V 15, R 151 and R 152, it includes fluorine atom.
  • V 16 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 16 can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different, and may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 161 and R 162 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 16 , R 161 and R 162 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of V 16 , R 161 and R 162 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one of V 16 , R 161 and R 162 contains the above-mentioned R f group.
  • V 16 there are a plurality at least one group of the plurality of V 16, R 161 and R 162, it includes fluorine atom.
  • V 17 represents a substituent.
  • d represents 0 or 1;
  • the substituents represented by V 17, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different and may be combined with each other to form a ring.
  • R 171 , R 172 and R 173 each independently represent a hydrogen atom or a group that can be substituted on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 17 , R 171 , R 172 and R 173 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 17 , R 171 , R 172 and R 173 are fluorine
  • it is substituted by an atom.
  • at least one of V 17 , R 171 , R 172 and R 173 contains the above-mentioned R f group.
  • V 17 there are a plurality at least one group of the plurality of V 17, R 171, R 172 and R 173, it includes fluorine atom.
  • V 18 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 18, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • R 181 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 181 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group. And the preferred examples of each are the examples of R 2 and R 3 described above.
  • R 181 represents a substituent, it may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 18 and R 181 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 18 and R 181 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one group of the plurality of V 18 and R 181 include fluorine atom.
  • V 19 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 19, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different and may be combined with each other to form a ring.
  • R 191 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 191 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group. And the preferred examples of each are the examples of R 2 and R 3 described above.
  • R 191 represents a substituent, it may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 19 and R 191 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 19 and R 191 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one group of the plurality of V 19 and R 191 include fluorine atom.
  • the compound represented by the general formula (20) is an example of the case where P and Q are each NR 2 R 3 and n is 0 in the general formula (1).
  • R 201 , R 202 , R 203 and R 204 each independently represent a hydrogen atom or a group which can be substituted by a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of R 201 , R 202 , R 203 and R 204 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 201 , R 202 , R 203 and R 204 are fluorine Preferably it is substituted by an atom. More preferably, at least one of R 201 , R 202 , R 203 and R 204 contains the R f group described above.
  • R 211 and R 212 each independently represent a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of R 211 and R 212 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 211 and R 212 are substituted with fluorine atoms Is preferred. More preferably, at least one of R 211 and R 212 includes the R f group described above.
  • Each of R x1 and R x2 independently represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 5 in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • Preferred specific examples of the alkyl group include, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, isobutyl, 2,2-dimethylpropyl, hexyl, cyclohexyl and the like.
  • A represents an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms.
  • X 11 represents an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may contain a hydroxyl group.
  • Y 11 represents a linear perfluoroalkyl group having 4 to 12 carbon atoms.
  • Examples of preferred perfluoroalkyl groups include C 4 F 9- , C 5 F 11- , C 6 F 13- , C 7 F 15- , C 8 F 17- , C 9 F 19- , C 10 F 21 -, C 12 F 25 - and the like. If carbon number is in the said range, an ion migration suppression function will be more excellent.
  • the R x1 , R x2 , A, and X 11 may have the above-described substituents.
  • R 7 represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or a group obtained by combining these groups.
  • R 7 represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group
  • preferred examples of each may include the aforementioned examples of R 2 and R 3 .
  • R 7 represents a heterocyclic group, it is preferably a 5- or 6-membered substituted or unsubstituted, aromatic or non-aromatic heterocyclic compound having one hydrogen atom removed, more preferably a monovalent group.
  • Preferred examples are 2-furanyl, 2-thienyl, 2-pyrimidinyl, 2-benzothiazolyl, 2-benzoxazolyl, 2-imidazolyl, 4-imidazolyl, triazolyl, benzotriazolyl, thiadiazolyl, pyrrolidinyl, piperidinyl, imidazolidinyl , Pyrazolidinyl, morpholinyl, tetrahydrofuranyl, tetrahydrothienyl and the like.
  • R 7 is more preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group, and particularly preferably an alkyl group or an aryl group.
  • the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or heterocyclic group represented by R 7 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • a part or all of the hydrogen atoms (preferably, a part or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in the group represented by R 7 are substituted with a fluorine atom.
  • R 7 preferably contains the above-mentioned R f group.
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (2).
  • the group represented by R 7 may contain a hydroxyl group or a group represented by -COO-.
  • the groups represented by R 8 , R 9 and R 10 are each independently an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group or a combination of these groups Represents a group.
  • Preferred examples of the alkyl group, the alkenyl group, the alkynyl group, the aryl group and the heterocyclic group include the examples of R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • the groups represented by R 8 , R 9 and R 10 may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • Some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of R 8 to R 10 are substituted with fluorine atoms.
  • the above-mentioned R f group is preferably contained in at least one group of R 8 to R 10 .
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (3).
  • R 11 and R 12 each independently represent an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or a group obtained by combining these groups.
  • Preferred examples of the alkyl group, the alkenyl group, the alkynyl group, the aryl group and the heterocyclic group include the examples of R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • the groups represented by R 11 and R 12 may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • Some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of R 11 to R 12 are substituted with fluorine atoms.
  • the above-mentioned R f group is preferably contained in at least one group of R 11 to R 12 .
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (4).
  • Z-SH General formula (5)
  • Z represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or a group obtained by combining these groups.
  • Preferred examples of the alkyl group, the alkenyl group, the alkynyl group, the aryl group and the heterocyclic group include the examples of R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • the group represented by Z may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • Some or all of the hydrogen atoms in the group represented by Z are substituted by fluorine atoms.
  • Z preferably contains the above-mentioned R f group.
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (5).
  • the compound represented by General Formula (5) is preferably a compound represented by General Formula (51) to General Formula (54).
  • R 511 represents a substituent containing a fluorine atom.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > in above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • the group represented by R 511 may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • R 511 contains a fluorine atom. Among them, it is preferable that some or all of the hydrogen atoms in R 511 (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) be substituted with a fluorine atom. Further, R 511 more preferably includes the R f group described above.
  • R 521 and R 522 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • R 523 represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > in above-mentioned General formula (1) can be mentioned as a substituent.
  • R 521 , R 522 and R 523 may be the same or different, and may combine with each other to form a ring.
  • a fluorine atom is contained in at least one group of R 521 , R 522 and R 523 .
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 521 , R 522 and R 523 are fluorine atoms Is preferably substituted.
  • the above-described R f group is contained in at least one group among R 521 , R 522 , and R 523 .
  • R 531 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • R 532 represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > in above-mentioned General formula (1) can be mentioned as a substituent.
  • R 531 and R 532 may be the same or different, and may combine with each other to form a ring. In at least one group of R 531 and R 532 , a fluorine atom is included.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 531 and R 532 are substituted with fluorine atoms. Is preferred. Further, it is more preferable that the above-described R f group is included in at least one group of R 531 and R 532 .
  • R 541 represents a group which can be substituted on the nitrogen atom containing a fluorine atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • R 541 contains a fluorine atom. Among them, it is preferable that some or all of the hydrogen atoms in R 541 (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) be substituted with a fluorine atom. Further, R 541 more preferably includes the R f group described above.
  • R y1 and R y2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.
  • n1 represents 1 or 2, preferably 2.
  • the structures of the units represented by multiple CR y1 R y2 may be the same or different.
  • R y1 and R y2 represent an alkyl group, they preferably have 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, particularly preferably 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl and t -Butyl, n-octyl, eicosyl, chloromethyl, hydroxymethyl, aminoethyl, N, N-dimethylaminomethyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-hydroxyethyl, 2- (N, N-dimethylamino) ethyl And 2-ethylhexyl are preferably mentioned.
  • the structure represented by (CR y1 R y2 ) n1 is preferably —CH 2 —, —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3 ) —, more preferably —CH 2 CH 2 — And —CH 2 CH (CH 3 ) —, particularly preferably —CH 2 CH 2 —.
  • R y3 and R y4 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • m1 represents an integer of 1 to 6; When m1 is 2 or more, the structures of the units represented by multiple CR y3 R y4 may be the same or different. R y3 and R y4 may be bonded to each other to form a ring.
  • the definition of a substituent is as above-mentioned.
  • m 1 As a structure represented by (CR y3 R y4 ) m 1 , preferably, -CH 2- , -CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 )-, -CH 2 CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (OH) CH 2- , -CH 2 CH (CH 2 OH)-, more preferably -CH 2- , -CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (OH) CH 2 -,- CH 2 CH 2 CH 2- , particularly preferably -CH 2- , -CH 2 CH 2- .
  • L1 represents an integer of 1 to 6; Among them, from the viewpoint of being excellent in compatibility with the fluorine-based resin, 2 to 5 is preferable, and 3 to 4 is more preferable.
  • Q1 represents 0 or 1
  • p1 represents 2 or 3
  • p1 + q1 represents 3.
  • R y5 represents a C 1-14 perfluoroalkyl group.
  • the perfluoroalkyl group may be linear or branched.
  • Examples of linear or branched perfluoroalkyl groups having 1 to 14 carbon atoms include CF 3- , C 2 F 5- , C 3 F 7- , C 4 F 9- , and C 5 F 11 -, C 6 F 13- , C 7 F 15- , C 8 F 17- , C 9 F 19- , C 10 F 21- , C 12 F 25- , C 14 F 29- and the like.
  • Rf 1 represents a fluoroalkyl group having 22 or less carbon atoms in which at least one hydrogen atom which may have an etheric oxygen atom is substituted by a fluorine atom, or a fluorine atom.
  • the hydrogen atom in the said fluoroalkyl group may be substituted by other halogen atoms other than a fluorine atom.
  • a chlorine atom is preferable.
  • an etheric oxygen atom (—O—) may be present on the carbon-carbon bond ring of the fluoroalkyl group, or may be present at the end of the fluoroalkyl group.
  • R f 1 is preferably a perfluoroalkyl group or a perfluoroalkyl group containing one hydrogen atom, and particularly preferably a perfluoroalkyl group (including those having an etheric oxygen atom).
  • Rf 1 a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms or a perfluoroalkyl group having 4 to 9 carbon atoms having an etheric oxygen atom is preferable. Examples of Rf 1 include the following.
  • X 1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Among them, a fluorine atom and a trifluoromethyl group are preferable.
  • L 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. An alkylene group of 1 to 2 carbon atoms is preferred.
  • L 2 represents a single bond, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted by a hydroxyl group or a fluorine atom. Among them, an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is preferable.
  • L 3 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Among them, a single bond or an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is preferable.
  • R 222 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Among them, -CO 2- , -O-, -S-, -SO 2 NR 222- or -CONR 222 -is preferable.
  • R 221 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having a carbon number of 1 to 8, or Rf 1 -CFX 1 -L 1 -Y 1 -L 2 -Z 1 -L 3- .
  • L 2 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted by a fluorine atom.
  • R 231 and R 232 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.
  • R 231 and R 232 represent an alkyl group, they preferably have 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, particularly preferably 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl and t -Butyl, n-octyl, eicosyl, chloromethyl, hydroxymethyl, aminoethyl, N, N-dimethylaminomethyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-hydroxyethyl, 2- (N, N-dimethylamino) ethyl And 2-ethylhexyl are preferably mentioned.
  • n is preferably -CH 2- , -CH 2 CH 2- , or -CH 2 CH (CH 3 )-, and more preferably -CH 2 CH 2- And —CH 2 CH (CH 3 ) —, particularly preferably —CH 2 CH 2 —.
  • R 233 and R 234 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • As a structure represented by (CR 233 R 234 ) m preferably —CH 2 —, —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3 ) —, —CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (OH) CH 2- , -CH 2 CH (CH 2 OH)-, more preferably -CH 2- , -CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (OH) CH 2 -,- CH 2 CH 2 CH 2- , particularly preferably -CH 2- , -CH 2 CH 2- .
  • Y 2 represents a single bond, -CO-, or -COO-.
  • n represents 0 and m represents an integer of 0 to 6.
  • m is preferably 0 to 4, and more preferably 1 to 2.
  • n represents 1 or 2, preferably 2.
  • m represents an integer of 1 to 6, preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 2.
  • Rf 2 represents a linear or branched perfluoroalkylene group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear or branched perfluoroether group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the carbon number of the perfluoroalkylene group is 1 to 20, preferably 2 to 15, and more preferably 3 to 12.
  • Specific examples of the perfluoroalkylene group for example, -C 4 F 8 -, - C 5 F 10 -, - C 6 F 12 -, - C 7 F 14 -, - C 8 F 16 -, - C 9 F 18- , -C 10 F 20- , -C 12 F 24- and the like can be mentioned.
  • the perfluoroether group means a group in which an etheric oxygen atom (-O-) is inserted at one or more carbon-carbon atoms in the above perfluoroalkylene group, or at the coupling end of the perfluoroalkylene group. .
  • the carbon number of the perfluoroalkylene group is 1 to 20, preferably 2 to 15, and more preferably 3 to 12.
  • P represents an integer of 2 to 3
  • l represents an integer of 0 to 1
  • the compound X preferably contains a fluorine atom satisfying the above-described fluorine content.
  • R 241 , R 242 , R 243 and R 244 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above. Among them, an alkyl group is preferable as the substituent, and it is particularly preferable that R 242 and R 243 be an alkyl group (particularly, a tert-butyl group).
  • R 241 and R 244 are preferably hydrogen atoms. * Indicates a bonding position.
  • X represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Among them, a fluorine atom or a trifluoromethyl group is preferable.
  • Rf represents a fluoroalkyl group having 20 or less carbon atoms in which at least one hydrogen atom optionally having an etheric oxygen atom is substituted by a fluorine atom, or a fluorine atom. The definition of Rf is the same as Rf 1 except that the number of carbon atoms is different, and preferred embodiments are also the same. * Indicates a bonding position.
  • a preferred embodiment of the compound X includes a polymer A having a repeating unit represented by the following general formula (26) and a repeating unit represented by the general formula (27).
  • each of R 261 and R 262 independently represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • Z 2 represents a single bond, an ester group, an amido group or an ether group.
  • L 4 represents a single bond or a divalent organic group.
  • the organic group represented by L 4 is one of the preferred embodiments as a linear, branched or cyclic alkylene group, an aromatic group, or a combination thereof.
  • the group obtained by combining the alkylene group and the aromatic group may further intervene in an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a urea group.
  • the total carbon number in L 4 is preferably 1 to 15.
  • the total number of carbon atoms means, for example, the total number of carbon atoms contained in a substituted or unsubstituted divalent organic group represented by L 4 .
  • L 5 represents a single bond or a divalent organic group having 1 to 6 carbon atoms and having no fluorine.
  • an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms is preferable.
  • the definitions of R 241 to R 244 , X and Rf in the general formula (26) and the general formula (27) are as described above.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (26) in the polymer A is not particularly limited, but it is 5 to 90% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (27) in the polymer A is not particularly limited, but it is 10 to 95% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent.
  • 30 to 90 mol% is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the polymer A is not particularly limited, but is preferably 3,000 to 500,000, and more preferably 5,000 to 100,000, in that the ion migration suppressing ability is more excellent.
  • R 281 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 282 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent. Among them, a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above. q represents an integer of 1 to 210.
  • Preferred embodiments of the group represented by the general formula (28) include groups represented by the following general formula (28-1). *-(R 283 O) k (R 284 O) j R 282 General formula (28-1)
  • R 283 represents an ethylene group.
  • R 284 represents an alkylene group of 3 to 4 carbon atoms.
  • k represents an integer of 0 to 100. Among them, 1 to 50 is preferable, and 2 to 23 is more preferable.
  • j represents an integer of 0 to 100. Among these, 0 to 50 are preferable, and 0 to 23 are more preferable.
  • k + j satisfies 2 ⁇ k + j ⁇ 100.
  • a polymer having a repeating unit represented by the above general formula (26), a repeating unit represented by the above general formula (27), and a repeating unit represented by the general formula (29) B is mentioned.
  • the description of the general formula (26) and the general formula (27) is as described above.
  • R 263 represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • L 6 is a single bond or a divalent organic group having no fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms.
  • L 6 is the above-mentioned organic group, it is preferably an oxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms having a linear structure, a branched structure, a ring structure, or a structure having a partial ring.
  • oxyalkylene group (wherein, C 6 H 10 is a cyclohexylene group.) CH 2 CH 10 CH 2 O, CH 2 O, CH 2 CH 2 O, CH 2 CH (CH 3 ) O, CH (CH 3 ) O, CH 2 CH 2 CH 2 O, C (CH 3 ) 2 O, CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 O, CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 O, CH (CH 2 CH 2 CH 3) O, CH 2 (CH 2) 3 CH 2 O, CH (CH 2 CH (CH 3) 2) O , and the like.
  • an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms is preferable.
  • the definitions of R 281 , R 282 and q are as described above.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (26) in the polymer B is not particularly limited, but it is 5 to 80% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent. Preferably, 10 to 60 mol% is more preferable. Although the content of the repeating unit represented by the general formula (27) in the polymer B is not particularly limited, it is 10 to 85% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent. Preferably, 20 to 70 mol% is more preferable.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (29) in the polymer B is not particularly limited, but it is 10 to 85% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent. Preferably, 20 to 70 mol% is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the polymer B is not particularly limited, but is preferably 3,000 to 500,000, and more preferably 5,000 to 100,000, in that the ion migration suppressing ability is more excellent.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of a second embodiment of the wiring board, and the wiring board 100 includes an insulating substrate 12 and two wiring layers 114 disposed on the insulating substrate 12.
  • the wiring layer 114 has a thin wire-like first metal layer 114 a and a second metal layer 114 b.
  • the wiring substrate 100 shown in FIG. 2 has the same configuration as the wiring substrate 10 shown in FIG. 1 except that the shape of the wiring layer 114 is different. Therefore, the same reference numerals are given to the same components. The description will be omitted, and the wiring layer 114 will be mainly described.
  • the wiring layer 114 has a thin wire-shaped first metal layer 114 a and a second metal layer 114 b covering the surface of the first metal layer 114 a not in contact with the insulating substrate 12.
  • the wiring layer 114 has a similar configuration corresponding to the wiring layer 14 in the wiring substrate 10 shown in FIG. 1, and only the shape is different. That is, the first metal layer 114a corresponds to the first metal layer 14a in the wiring substrate 10 shown in FIG. 1, and the second metal layer 114b corresponds to the first metal layer 14b in the wiring substrate 10 shown in FIG. More specifically, the preferred embodiment of the type of metal constituting the wiring layer 114 is the same as that of the first embodiment described above.
  • the thickness T1 of the second metal layer 114b corresponds to 1/10 of the total thickness T2 of the wiring layer 114, as in the case of the first embodiment described above.
  • the mass Y of the migration inhibitor contained in the second metal layer 114b is larger than the mass X of the migration inhibitor contained in the first metal layer 114a, and the preferred embodiment is also suitable. It is the same.
  • the preferred range of the mass of the migration inhibitor included in the entire wiring layer 114 and the preferred range of the mass of the migration inhibitor included in the second metal layer 114b are the same as in the first embodiment described above. is there.
  • the first metal layer 114 a has a fine line shape
  • the second metal layer 114 b is present to cover the first metal layer 114 a (to cover the upper surface 16 and the two side surfaces 18 of the first metal layer 114 a).
  • the wiring layer 114 is a layer having a rectangular vertical cross section, but the shape is not particularly limited and may be any shape.
  • the width W of the wiring layer 114 is preferably 0.1 to 10000 ⁇ m, more preferably 0.1 to 300 ⁇ m, still more preferably 0.1 to 100 ⁇ m, and still more preferably 0.2 to 50 ⁇ m, from the viewpoint of high integration of the wiring board. Particularly preferred.
  • the distance D between the wiring layers 114 is preferably 0.1 to 1000 ⁇ m, more preferably 0.1 to 300 ⁇ m, further preferably 0.1 to 100 ⁇ m, from the viewpoint of high integration of the wiring substrate. Is particularly preferred.
  • the thickness T2 of the wiring layer 114 is preferably 0.001 to 100 ⁇ m, more preferably 0.01 to 30 ⁇ m, and still more preferably 0.01 to 20 ⁇ m, from the viewpoint of high integration of the wiring board.
  • the wiring board of the present invention can be used for various applications and structures.
  • a printed wiring board, a panel board for plasma display panels, a board for solar cell electrodes, a membrane wiring board, a board for touch panel electrodes, etc. may be mentioned.
  • the wiring substrate is preferably included in the electronic device.
  • Electronic devices include touch panels or membrane switches, TVs equipped with them, mobile communication devices, personal computers, game devices, in-vehicle display devices, network communication devices, LEDs for lighting and display, electronic wiring devices for solar cell control, RFID, etc.
  • an insulating layer may be further provided on the wiring layer side of the wiring substrate of the present invention.
  • the insulating layer 20 is further provided to cover the wiring layer 114 as necessary, and the wiring substrate 200 with the insulating layer is formed. You may form.
  • a well-known insulating material can be used as a material of the insulating layer 20.
  • epoxy resin epoxy resin, aramid resin, crystalline polyolefin resin, amorphous polyolefin resin, fluorine-containing resin (polytetrafluoroethylene, fully fluorinated polyimide, fully fluorinated amorphous resin, etc.), polyimide resin, polyether sulfone resin, polyphenylene Sulfide resin, polyether ether ketone resin, acrylate resin etc.
  • a so-called transparent adhesive sheet for optics OCA
  • the OCA may be a commercially available product, and examples thereof include the 8171CL series and the 8146 series manufactured by 3M Corporation.
  • solder resist layer As the insulating layer 20, a so-called solder resist layer may be used.
  • a commercially available product may be used as the solder resist, and examples thereof include PFR800 manufactured by Solar Ink Mfg. Co., Ltd., PSR4000 (trade name), SR7200G manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., and the like.
  • the method of manufacturing the wiring substrate is not particularly limited as long as the above-mentioned wiring layer can be formed, and a known method can be adopted.
  • a method of producing a wiring layer by applying a composition (conductive paste) containing metal fine particles on an insulating substrate and performing heat treatment as necessary preferable As one of the preferable embodiments of the method of manufacturing a wiring substrate, a method of producing a wiring layer by applying a composition (conductive paste) containing metal fine particles on an insulating substrate and performing heat treatment as necessary preferable.
  • a composition containing at least metal fine particles corresponding to a conductive paste, hereinafter also referred to as composition X
  • a composition containing at least a migration inhibitor hereinafter, the method of using at least two kinds of compositions with composition Y may be mentioned.
  • a method (hereinafter also referred to as the first method) of applying composition X and composition Y on an insulating substrate as a coating composition independent of each other, composition X and composition Y, and And the like (hereinafter, also referred to as a second method) of applying a mixed composition obtained by mixing a mixture of
  • the method for applying the composition on the insulating substrate is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method, a screen printing method, a gravure printing method, a gravure offset printing method, an offset printing method, and a flexographic printing method.
  • the first method and the second method using the inkjet method will be described in detail below.
  • composition Y used in the first method and the second method contains a migration inhibitor, but the composition X contains a migration inhibitor. I do not.
  • the details of the conductive paste used in the method of manufacturing a wiring board will be described later.
  • the first method is a method of simultaneously applying and mixing on the insulating substrate while adjusting the ratio of the application amount of both the composition X and the composition Y. That is, the control step of determining the ratio of the amount of composition X to the amount of composition Y applied onto the insulating substrate, and the composition X and / or composition Y on the insulating substrate according to the determined ratio And forming a plurality of layers on the insulating substrate by repeating the forming step to form one layer, and forming a plurality of layers on the insulating substrate to obtain the above-mentioned wiring layer.
  • the ratio is determined so that the ratio of the composition X increases and the ratio of the composition Y decreases in the direction from the layer closer to the insulating substrate in the direction.
  • the insulating substrate 12 is placed on the stage 22.
  • the stage 22 generally has a width that is greater than that of the insulating substrate 12 and is configured to be freely movable in the horizontal direction by a movement mechanism (not shown).
  • a movement mechanism As a moving mechanism, a rack and pinion mechanism, a ball screw mechanism, etc. are mentioned.
  • the stage 22 can be moved to a desired position by controlling the moving mechanism by a stage control unit (not shown).
  • the first layer 30 is formed by laminating one or more layers of the composition X from the ink jet head 24 which discharges the composition X toward the insulating substrate 12. As shown in FIG.
  • the layer X of composition X discharges the composition X from the ink jet head 24 while moving the stage 22 by the moving mechanism (moving in the left direction in the figure).
  • the composition Y is not discharged from the ink jet head 26 which discharges the composition Y toward the insulating substrate 12.
  • a step of heating the first layer 30 may be performed as necessary.
  • the solvent can be removed and the metal fine particles can be fused to each other.
  • the mixed layer 32 of the composition X and the composition Y is formed on the first layer 30.
  • the mixed layer 32 is formed by discharging the composition X from the ink jet head 24 while moving the stage 22 and simultaneously discharging the composition Y from the ink jet head 26.
  • the discharge amount of the composition X and the discharge amount of the composition Y are adjusted to a desired ratio.
  • the discharge amount of each nozzle is adjusted and discharged so that the discharge amount of the composition X is 25% and the discharge amount of the composition Y is 75%.
  • the adjustment of the discharge amount from each nozzle may be adjusted by the dot pitch density of drawing.
  • the ratio of the ejection amounts It is also possible to make adjustments for
  • the mixed layer 32 is laminated by diffusion mixing of the composition X and the composition Y which are discharged at respective discharge amounts. .
  • a step of heating the mixed layer 32 may be performed as necessary.
  • the solvent can be removed and the metal fine particles can be fused to each other.
  • the mixed layer 32 formed by the above method contains the migration inhibitor contained in the composition Y, and as a result, the mixed layer 32 located on the outer side in the wiring layer 34 composed of the first layer 30 and the mixed layer 32.
  • Migration inhibitors can be localized. That is, by adjusting the concentration of the migration inhibitor in the composition X and the composition Y and adjusting the ratio of the applied amount (discharge amount) to laminate a plurality of layers, the above-described migration inhibitor can be obtained. An unevenly distributed wiring layer can be formed.
  • the number of layers to be laminated is not particularly limited, and if the above-described wiring layer is formed, how many layers are laminated You may also, the first layer 30 and the mixed layer 32 correspond to the first metal layer 14a (or the first metal layer 114a) and the second metal layer 14b (or the second metal layer 114b) described above, respectively.
  • the wiring layer 34 may be formed by adjusting the mixing ratio of the composition X and the composition Y. Moreover, although the aspect which does not contain a migration inhibitor in the composition X was demonstrated above, the migration inhibitor and metal microparticles may be contained in both the composition X and the composition Y.
  • the selected mixed composition is selected from the preparation step of preparing a plurality of mixed compositions having different mixing ratios of composition X and composition Y, and the mixed composition having a high ratio of composition X in order. It is a method comprising a forming step of applying one layer on an insulating substrate to form one layer, and a laminating step of repeating the forming step and laminating a plurality of layers on the insulating substrate to obtain the above-mentioned wiring layer. By carrying out such a method, more migration inhibitors can be localized near the outer surface of the wiring layer.
  • the second method is carried out by the inkjet method
  • the insulating substrate 12 is placed on the stage 22.
  • the first layer 30 is formed by laminating one or more layers of the composition X from the ink jet head 24 which discharges the composition X toward the insulating substrate 12.
  • the lamination of the composition X discharges the composition X from the ink jet head 24 while moving the stage 22 by the moving mechanism (moving in the left direction in FIG. 5A) as in the first method.
  • a step of heating the first layer 30 may be performed as necessary.
  • the solvent can be removed and the metal fine particles can be fused to each other.
  • the mixed composition (a mixed composition in which the mixing ratio of the composition X and the composition Y is 25:75) is discharged from the ink jet head 28 onto the first layer 30 to form the mixed layer 32.
  • the mixed composition is discharged from the inkjet head 28 while moving the stage 22 by the moving mechanism (moving in the left direction in FIG. 5B) as in the first method.
  • a step of heating the mixed layer 32 may be performed as necessary.
  • the heat treatment the solvent can be removed and the metal fine particles can be fused to each other. For example, it is preferable to maintain the temperature at 25 to 250 ° C.
  • the mixed layer 32 formed by the above method contains the migration inhibitor contained in the composition Y, and as a result, the mixed layer 32 located on the outer side in the wiring layer 34 composed of the first layer 30 and the mixed layer 32. Migration inhibitors can be localized.
  • FIG. 5 the case of two-layer lamination of the first layer 30 and the mixed layer 32 has been described, but the number of layers to be laminated is not particularly limited. May be Moreover, although the aspect which does not contain a migration inhibitor in the composition X was demonstrated above, the migration inhibitor and metal microparticles may be contained in both the composition X and the composition Y.
  • a mixed composition in which the composition X and the composition Y are mixed is used, but a plurality of compositions in which the mixing ratio of the metal fine particles and the migration inhibitor is changed are prepared in the same manner. May be performed to manufacture a wiring board.
  • the wiring layer may be produced by the procedure.
  • the composition for forming the wiring layer used in the first method and the second method described above (hereinafter also referred to as a conductive paste) usually contains metal fine particles. Such a composition is applied on an insulating substrate, and heat treatment is performed if necessary, whereby the metal fine particles are fused to form grains, and further, the grains are adhered and fused to form a wiring layer. (In other words, the first metal layer and the second metal layer) are formed.
  • the type of metal constituting the metal fine particles is not particularly limited, and an optimum type of metal is appropriately selected according to the application. Among them, gold, silver, copper, aluminum, nickel or alloys of these, etc. may be mentioned from the viewpoint of a wiring circuit such as a printed wiring board.
  • the average particle diameter of the metal particles is not particularly limited, and in the conductive paste, metal particles having an average particle diameter of micro order (hereinafter also referred to as metal microparticles) or an average particle diameter of nano order are mainly Two types of metal fine particles (hereinafter also referred to as metal nanoparticles) are used.
  • the average particle size of the metal microparticle is not particularly limited, and is preferably 0.5 to 10 ⁇ m, and more preferably 1 to 5 ⁇ m in that the conductive property of the wiring layer is more excellent.
  • the average particle size of the metal nanoparticles is not particularly limited, and is preferably 5 to 100 nm, and more preferably 10 to 20 nm, in that the conductive properties of the wiring layer are more excellent.
  • the average particle diameter of the metal particles is obtained by observing the metal particles with an electron microscope (SEM or TEM), measuring the primary particle diameter (diameter) of 20 or more metal particles, and arithmetically averaging them. Average value.
  • the surface of the metal fine particles may be coated with a protective agent, if necessary. Covering with a protective agent improves the storage stability of the metal fine particles in the conductive paste.
  • the type of protective agent used is not particularly limited, and known polymers (for example, polymers having a functional group having a free electron in a side chain such as polyvinyl pyrrolidone), known surfactants, and the like can be mentioned.
  • the surface is preferably covered with a protective agent, and in particular, the protective agent having a weight reduction rate of 30% or more when heated to 160 ° C. in thermogravimetric measurement (TGA) It is preferred to use With such a protective agent, when heat treatment is performed to form a wiring layer, the protective agent is unlikely to remain in the wiring layer, and a wiring layer having excellent conductive characteristics can be obtained.
  • the conductive paste may contain the migration inhibitor described above.
  • the conductive paste may also contain other components in addition to the metal fine particles and the migration inhibitor, as necessary.
  • the conductive paste may contain a resin binder.
  • the inclusion of the resin binder further improves the adhesion between the insulating substrate and the wiring layer.
  • the kind in particular of the resin binder used is not restrict
  • the conductive paste may also contain a solvent.
  • the type of solvent used is not particularly limited and includes water or an organic solvent.
  • an organic solvent to be used for example, alcohol solvents (eg, methanol, ethanol, isopropanol, sec-butanol, carbitol, 2-heptanol, octanol, 2-ethylhexanol, ⁇ -terpineol, diethylene glycol monoethyl ether) ), Ketone solvents (eg, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone), hydrocarbon solvents (eg, heptane, octane, dodecane) aromatic hydrocarbon solvents (eg, toluene, xylene), amides Solvents (for example, formamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylpropyleneurea),
  • a wiring layer is formed using a conductive paste (composition for forming a wiring layer) containing at least one selected migration inhibitor (hereinafter, these compounds are collectively referred to as “fluorine atom-containing migration inhibitor”) and metal fine particles.
  • fluorine atom-containing migration inhibitor contains a fluorine atom.
  • the fluorine atom-containing migration inhibitor moves to the vicinity of the surface of the wiring layer due to the low surface energy of the fluorine atom-containing migration inhibitor, and the predetermined migration described above A wiring layer having a concentration distribution of the inhibitor is formed. That is, a desired wiring layer can be manufactured only by applying the above-mentioned conductive paste on an insulating substrate and performing a curing process as needed.
  • the content of the fluorine atom-containing migration inhibitor in the conductive paste is not particularly limited, but it is 0.05 to 5 with respect to the total mass of the metal fine particles from the balance between the conductive characteristics of the formed wiring layer and the ion migration suppression function. % By mass is preferable, and 0.1 to 3% by mass is more preferable.
  • the definition of the metal fine particles contained in the conductive paste is as described above.
  • the conductive paste may contain the above-described solvent, resin binder, and the like.
  • the application method of the conductive paste on the insulating substrate is not particularly limited, and the application method described in the above-described method for manufacturing a wiring substrate (part 1) may be mentioned. Further, the method for curing the coating obtained by applying the conductive paste is also not particularly limited, and the heat treatment described in the above-described method for producing a wiring board (part 1) may be mentioned.
  • Synthesis Example 1 Synthesis of Conductive Paste A-1 Containing No Migration Inhibitor 2.04 g (20.0 mmol) of N, N-dimethyl-1,3-diaminopropane (Tokyo Kasei, special grade), 1.94 g (15.0 mmol) of n-octylamine (Kao, purity 98%), n Mixed with 0.93 g (5.0 mmol) of dodecylamine (Kanto Chemical, special grade), and mixed with silver oxalate (silver nitrate (Kanto Chemical, first grade) and ammonium oxalate monohydrate or oxalic acid di-water to this mixed solution Synthesized from a hydrate (Kanto Chemical, special grade)] 6.08 g (20.0 mmol) was added and stirred for 3 minutes to prepare an oxalate ion-alkylamine-alkyldiamine-silver complex compound.
  • Tokyo Kasei, special grade 1.94
  • This solid substance is dispersed in 6.93 g of a mixed solvent (4/1: v / v) of n-butanol (Kanto Chemical, special grade) and n-octane (Kanto chemical, special grade), and it is a conductive agent containing no migration inhibitor Sex paste A-1 was obtained.
  • Synthesis Example 2 Synthesis of Conductive Paste B-1 Containing Migration Inhibitor To conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1, 0.3 g of DL- ⁇ tocopherol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and the mixture was stirred to obtain a conductive composition containing a migration inhibitor. Paste B-1 was obtained.
  • Synthesis Example 3 Synthesis of Conductive Paste B-2 Containing Migration Inhibitor
  • a conductive paste B-2 containing 0.15 g of IRGANOX 245 (manufactured by BASF AG) was added to the conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1 and the mixture was stirred to contain a migration inhibitor. I got
  • Synthesis Example 4 Synthesis of Conductive Paste B-3 Containing Migration Inhibitor To conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1, 0.15 g of IRGANOX 1135 (manufactured by BASF Corporation) is added and stirred, and a conductive paste B-3 containing a migration inhibitor I got
  • Synthesis Example 5 Synthesis of Conductive Paste B-4 Containing Migration Inhibitor To conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1 was added 0.15 g of 5-Mercapto-1-phenyl-1H-tetrazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred to be a migration inhibitor. A conductive paste B-4 containing
  • a polymer type conductive paste LS-450-7H (manufactured by Asahi Chemical Laboratory Co., Ltd.) was used as the conductive paste A-2 containing no migration inhibitor.
  • Synthesis Example 6 Synthesis of Conductive Paste B-5 Containing Migration Inhibitor> To the above-mentioned conductive paste A-2 (10 g), 0.8 g of DL- ⁇ tocopherol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added and stirred to obtain a conductive paste B-5 containing a migration inhibitor .
  • Synthesis Example 7 Synthesis of Conductive Paste B-6 Containing Migration Inhibitor 0.4 g of IRGANOX 245 (manufactured by BASF AG) was added to the above-mentioned conductive paste A-2 (10 g) and stirred to obtain a conductive paste B-6 containing a migration inhibitor.
  • Synthesis Example 8 Synthesis of Conductive Paste B-7 Containing Migration Inhibitor 0.4 g of IXEPLAS B1 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) was added to the above-mentioned conductive paste A-2 (10 g), and the mixture was stirred to obtain a conductive paste B-7 containing a migration inhibitor.
  • Nanopaste NPS manufactured by Harima Chemicals, Inc. was used as a conductive paste A-3 containing no migration inhibitor.
  • Synthesis Example 9 Synthesis of Conductive Paste B-8 Containing Migration Inhibitor 0.4 g of DL- ⁇ tocopherol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added to the above-mentioned conductive paste A-3 (10 g) and stirred to obtain a conductive paste B-8 containing a migration inhibitor .
  • the reaction solution was added with 200 mL of hexane and cooled in an ice bath to obtain 16 g of crude crystals.
  • the 1 H-NMR spectrum of the obtained compound M-2 is as follows.
  • compound M-4 was synthesized according to the following scheme, using compound M-4A obtained.
  • the NMR spectrum of the obtained compound M-4 of the present invention is as follows.
  • 1 H-NMR solvent: heavy chloroform, standard: tetramethylsilane
  • 4.43 (2H, t) 3.60 (2H, t), 2.95 (2H, t), 2.49 (2H, t) m
  • the compound was identified as Compound M-4 because the peak of each proton was observed at a characteristic position in the 1 H-NMR data.
  • Synthesis Example 14 Compound M-5 In a 300 mL three-necked flask, 27.3 g of 4-methyl-2-pentanone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was placed, and heated to 80 ° C. under a nitrogen stream. There, 37.6 g of acrylic acid 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluoro-octyl, glycidyl methacrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 1.42 g, V-601 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.92 g, 4-methyl-2-pentanone (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 63.8 g solution was dropped over 4 hours did.
  • a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value measured by GPC (gel permeation chromatography) method.
  • the measurement of the weight-average molecular weight by GPC is carried out by dissolving the polymer in tetrahydrofuran and using high-speed GPC (HLC-8220GPC) manufactured by Tosoh Corp. as a column TSKgel Super HZ 4000 (manufactured by TOSOH, 4.6 mm ID x 15 cm) And using THF (tetrahydrofuran) as the eluent.
  • the compound M-5 corresponds to a compound having a group represented by the general formula (24) and a group represented by the general formula (25).
  • Synthesis Example 15 Compound M-6 In a 300 mL three-necked flask, 14.3 g of 1-methoxy-2-propanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was placed, and heated to 80 ° C. under a nitrogen stream.
  • acrylic acid 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluoro-octyl 4.81 g, glycidyl methacrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 1.56 g, Brenmer AE-400 (manufactured by NOF Corporation), 14.09 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.46 g, 1-methoxy-2-propanol (Wako Pure Chemical Industries, Ltd. ) 33.4 g solution was added dropwise over 4 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 2 hours, heated to 90 ° C., and further stirred for 2 hours.
  • a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value measured by GPC (gel permeation chromatography) method.
  • the measurement of the weight-average molecular weight by GPC is carried out by dissolving the polymer in tetrahydrofuran and using high-speed GPC (HLC-8220GPC) manufactured by Tosoh Corp. as a column TSKgel Super HZ 4000 (manufactured by TOSOH, 4.6 mm ID x 15 cm) And using THF (tetrahydrofuran) as the eluent.
  • the compound M-6 corresponds to a compound having a group represented by the general formula (24), a group represented by the general formula (25), and a group represented by the general formula (28).
  • Synthesis Example 16 Synthesis of Conductive Paste B-9 Containing Migration Inhibitor Compound M-1 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 10 is added to conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1 and stirred to contain a migration inhibitor A conductive paste B-9 was obtained.
  • Synthesis Example 17 Synthesis of Conductive Paste B-10 Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-2 (0.12 g) obtained in the above Synthesis Example 11 is added to the conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1, and the mixture is stirred to contain a migration inhibitor.
  • Conductive paste B-10 was obtained.
  • Synthesis Example 18 Synthesis of Conductive Paste B-11 Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-3 (0.12 g) obtained in the above Synthesis Example 12 is added to the conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1, and the mixture is stirred to contain a migration inhibitor.
  • Conductive paste B-11 was obtained.
  • Synthesis Example 19 Synthesis of Conductive Paste B-12 Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-4 (0.12 g) obtained in the above Synthesis Example 13 is added to the conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1, and the mixture is stirred to contain a migration inhibitor.
  • Conductive paste B-12 was obtained.
  • Synthesis Example 20 Synthesis of Conductive Paste B-13 Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-5 (polymer type) (0.12 g) obtained in the above Synthesis Example 14 is added to the conductive paste A-1 (11.55 g) obtained in Synthesis Example 1 and stirred.
  • a conductive paste B-13 containing a migration inhibitor was obtained.
  • Synthesis Example 21 Synthesis of Conductive Paste B-14 Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-6 (polymer type) (0.12 g) obtained in Synthesis Example 15 was added to Flow Metal SW-1020 (manufactured by Band Chemical Co., Ltd .: conductive paste A-4, 11.55 g), The mixture was stirred to obtain a conductive paste B-14 containing a migration inhibitor.
  • Synthesis Example 22 Synthesis of Conductive Paste B-15 Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-1 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 10 was added to the above-mentioned conductive paste A-2 (10 g), and the mixture was stirred to prepare a conductive paste B-15 containing a migration inhibitor. Obtained.
  • Synthesis Example 23 Synthesis of Conductive Paste B-16 Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-3 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 12 is added to the above-mentioned conductive paste A-2 (10 g), and the mixture is stirred to prepare a conductive paste B-16 containing a migration inhibitor. Obtained.
  • Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 2 Wiring Formation by Ink Jet Using conductive material DMP-2831 (manufactured by FUJIFILM Dimatix), under the conditions of discharge amount: 10 pL, discharge interval: 50 ⁇ m, conductive paste A containing no migration inhibitor on the glass substrate is L / S 75/75 ⁇ m Drawing was performed in a comb shape, and three layers of this were overlapped for drawing. Next, a conductive paste B containing a migration inhibitor at the same position was drawn for one layer in the same pattern. After that, baking was performed at 230 ° C. for 1 hour in an oven to prepare a test wiring board.
  • ⁇ Test method for wiring film thickness The manufactured test wiring substrate was embedded with epoxy resin, and after cross-sectioning by polishing, the cross section was observed using S-3000N (SEM made by HITACHI), and the layer thickness of the wiring layer was measured. The results are summarized in Table 1 below.
  • the area from the exposed surface of the wiring layer in each test wiring board to a depth position corresponding to 1/10 of the total thickness of the wiring layer is a second metal layer, and the remaining portion is a first metal layer. .
  • ⁇ Conductive evaluation method> The conductivity evaluation of the obtained test wiring board was performed using a resistivity meter Loresta EP MCP-T360 (manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.). As an evaluation method, the resistance measurement value of the produced test wiring board is R1, and a comparative wiring board produced only with the conductive paste A containing no migration inhibitor (the part using the conductive paste B is substituted with the conductive paste A The resistance measurement value of the measurement result) was R2, and the change ratio R1 / R2 was calculated. Evaluation was made according to the following criteria. The results are summarized in Table 1 below. In practice, C or more can be used, and B or more is preferable.
  • Example 9 and Comparative Example 5 in which the conductive paste A-3 was used as the conductive paste A the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-3.
  • Comparative Example 2 the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-1.
  • Comparative Example 4 the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-2.
  • Comparative Example 6 the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-3.
  • ⁇ Insulation reliability evaluation method> Using the obtained test wiring substrate, life measurement (using apparatus: EHS-221MD manufactured by ESPEC Corp.) was performed under the conditions of humidity 85%, temperature 85 ° C., pressure 1.0 atm, voltage 80V. As an evaluation method, first, a high transparency adhesive transfer tape 8146-2 (manufactured by 3M company) is laminated on the manufactured test wiring substrate, and a glass substrate is laminated on the opposite side. The lifetime was measured using the substrate under the above conditions, and the time T1 until the resistance between the wiring layers became 1 ⁇ 10 5 ⁇ was measured.
  • a substrate for insulation reliability test is prepared in the same manner using a comparative wiring board (one in which the portion using the conductive paste B is replaced with A) prepared only with the conductive paste A containing no migration inhibitor. It manufactured and lifetime was measured on the above-mentioned conditions, and time T2 until resistance value between wiring layers will be set to 1 ⁇ 10 5 ⁇ was measured. Using the obtained time T1 and time T2, the life improvement effect (T1 / T2) was calculated. Evaluation was made according to the following criteria. The results are summarized in Table 1 below. In practice, C or more can be used, and B or more is preferable.
  • Example 9 and Comparative Example 5 in which the conductive paste A-3 was used as the conductive paste A the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-3.
  • Comparative Example 2 the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-1.
  • Comparative Example 4 the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-2.
  • Comparative Example 6 the above evaluation was performed using the comparative wiring board manufactured only with the conductive paste A-3.
  • Examples 10 to 15 and Comparative Examples 7 to 8 Wiring Formation by Ink Jet Using conductive material printer DMP-2831 (manufactured by FUJIFILM Dimatix), draw conductive paste A or B on a glass substrate in a comb shape of L / S 75/75 ⁇ m under the conditions of discharge amount: 10 pL, discharge interval: 50 ⁇ m And two layers of this were drawn and drawn. After that, baking was performed at 230 ° C. for 1 hour in an oven to prepare a test wiring board. As the conductive paste A and the conductive paste B in each of the examples and the comparative examples, the conductive paste described in Table 2 described later was used. This method is described as "IJ3" in the "wiring formation method" column of Table 2.
  • a DP-320 type screen printer manufactured by Neurong Precision Industries Ltd.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

配線基板
　本発明は、配線基板に係り、特に、マイグレーション抑制剤が露出表面付近に偏在している配線層を有する配線基板に関する。
　従来より、絶縁基板表面上に金属配線が配置された配線基板が、電子部材や半導体素子などに広く用いられている。金属配線を構成する金属としては導電性が高い銀、銅がよく用いられるが、これら金属はイオンマイグレーションが発生しやすいという問題がある。
　このような金属のイオンマイグレーションを防止する方法として、金属配線中に所定のマイグレーション抑制剤を導入する方法が提案されている（特許文献１）。
特開２０１２－９９２３６号公報
　近年、半導体集積回路やチップ部品等の小型化により、金属配線の微細化が進んでいる。そのため、配線基板中の金属配線の幅および間隔はより狭小化しており、イオンマイグレーションによる回路の断線または導通がさらに生じやすくなっている。このような状況の下、配線基板中の金属配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。
　また、各種回路や部品の性能向上の点からは、金属配線の導電特性のより一層の向上も要求されている。
　特許文献１に挙げられるような、所定のマイグレーション抑制剤を含む組成物を用いて金属配線を作製した場合に、マイグレーション抑制剤が金属細線中に均一に分散しており、金属配線間の絶縁信頼性を向上させようとして金属配線中に多くのマイグレーション抑制剤を含有させると、金属配線内においてマイグレーション抑制剤のドメインが数多く形成され、結果として金属配線の導電特性が低下する。
　一方、金属配線の導電特性を考慮して、金属配線内におけるマイグレーション抑制剤の含有量を減らすと、導電特性は向上するものの金属配線間の絶縁信頼性が低下する。
　このように、従来技術においては、配線層の導電特性とイオンマイグレーション抑制機能（言い換えると、配線層間の絶縁信頼性）はトレードオフの関係にあることが多く、両者をより高いレベルで達成する技術が求められていた。
　本発明は、上記実情に鑑みて、配線層の導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる配線基板を提供することを目的とする。
　本発明者らは、鋭意検討を行ったところ、配線層中におけるマイグレーション抑制剤の分布を制御することにより、上記課題を解決できることを見出した。
　つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１）　絶縁基板と、絶縁基板上に配置された第１金属層、および、第１金属層の絶縁基板と接触していない表面を覆うように配置された第２金属層からなる配線層とを有し、第２金属層の厚みが配線層の全体厚みの１／１０の厚みであり、配線層がマイグレーション抑制剤を含み、第２金属層に含まれるマイグレーション抑制剤との質量Ｙが、第１金属層に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘより大きい、配線基板。
（２）　マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（１Ａ）～（３Ａ）で表される化合物、後述する一般式（６Ａ）～（８Ａ）で表される化合物、ビスマス化合物、ジルコニウム化合物、マグネシウム化合物、酸化アンチモン、後述する一般式（１）～一般式（５）で表される化合物、後述する一般式（２２）で表される化合物、後述する一般式（２３）で表される化合物、および、後述する一般式（２４）で表される基と後述する一般式（２５）で表される基とを有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む、（１）に記載の配線基板。
（３）　一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（６）～一般式（２１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、（２）に記載の配線基板。
（４）　配線層中の金属が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選択される（１）～（３）のいずれか１つに記載の配線基板。
（５）　絶縁基板上に側面が露出する細線状の第１金属層が配置され、第１金属層の側面を含む絶縁基板と接触していない表面を覆うように第２金属層が配置されている、（１）～（４）のいずれか１つに記載の配線基板。
（６）　（１）～（５）のいずれか１つに記載の配線基板と、配線基板の配線層上に配置された絶縁層とを有する、絶縁層付き配線基板。
（７）　プリント配線基板に用いられる、（１）～（５）のいずれか１つに記載の配線基板。
　本発明によれば、配線層の導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる配線基板を提供することができる。
本発明の配線基板の第１の実施態様を示す模式的断面図である。 本発明の配線基板の第２の実施態様を示す模式的断面図である。 本発明の絶縁層付き配線基板の実施態様を示す模式的断面図である。 第１の方法による配線層の形成を説明するための図である。 第２の方法による配線層の形成を説明するための図である。
　以下に、本発明の配線基板の好適態様について説明する。
　まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
　本発明においては、配線層の露出表面（絶縁基材と接触していない表面）付近にマイグレーション抑制剤をより偏在させることにより、通常トレードオフの関係にある配線層の導電特性とイオンマイグレーション抑制機能との両者をより高いレベルで両立することができる。より具体的には、配線層の外側露出表面付近に多くのマイグレーション抑制剤を偏在させることにより、配線層の露出表面付近から外側に析出する金属イオンの拡散を効率よく抑制することができる。また、配線層の外側表面付近に多くのマイグレーション抑制剤を偏在させることにより、配線層内部において金属以外の不純物の量を低減させることができ、結果として配線層内部に導通路が形成され、優れた導電特性を達成することができる。
　次に、本発明の配線基板の第１の実施態様について、図面を参照して詳述する。
　図１は、配線基板の第１の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板１０は、絶縁基板１２と、絶縁基板１２上の全面に渡って配置された配線層１４とを備える。配線層１４は、第１金属層１４ａと第２金属層１４ｂとを有する。
　以下に、各部材（絶縁基板１２、配線層１４）について詳述する。
［絶縁基板］
　絶縁基板１２は、絶縁性であり、配線層を支持できるものであれば、その種類は特に制限されない。例えば、有機基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができる。
　また、絶縁基板１２は、有機基板、セラミック基板、およびガラス基板からなる群から選ばれる少なくとも２つの基板が積層した構造であってもよい。
　有機基板の材料としては樹脂が挙げられ、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらを混合した樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。
　なお、有機基板の材料としては、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、芳香族ポリアミド織布や、これらに上記樹脂を含浸させた材料なども使用できる。
［配線層］
　配線層１４は、絶縁基板１２上に配置される層で、導体部として機能する。
　配線層１４（言い換えると、第１金属層１４ａまたは第２金属層１４ｂ）は、主に金属で構成されている。金属の種類は特に制限されず、用途に応じて適宜最適な金属が選択される。なかでも、配線としての機能の点から、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケルまたはこれらの合金などが挙げられる。
　図１において、配線層１４は、第１金属層１４ａと、第１金属層１４ａ上に配置された第２金属層１４ｂとを有する。第２金属層１４ｂは、第１金属層１４ａの絶縁基板１２と接していない表面を覆っている。
　第２金属層１４ｂの厚みＴ１は、配線層１４の全体厚みＴ２の１／１０の厚みに相当する。言い換えると、配線層１４中における第２金属層１４ｂは、配線層１４の露出表面から配線層１４の全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの領域に該当する。
　配線層１４中における第２金属層１４ｂ部分の特定方法としては、絶縁基板１２表面に対して垂直な方向の配線層１４の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、配線層１４の外側表面（絶縁基板１２と接触していない表面）から配線層１４の全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの領域を第２金属層１４ｂとする。
　なお、配線層１４の全体厚みは、５箇所以上の任意点の配線層１４の全体厚みを測定して、それらを算術平均したものである。
　配線層１４には後述するマイグレーション抑制剤が含まれ、第２金属層１４ｂに含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｙは、第１金属層１４ａに含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘよりも大きい。つまり、質量Ｙ＞質量Ｘの関係（質量Ｘ／質量Ｙが１未満の関係）を満たす。上記関係を満たしていれば、配線層１４からのイオンマイグレーションが抑制されると共に、配線層１４の導電特性も優れる。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能と導電特性とのバランスがより優れる点で、第１金属層１４ａに含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘと、第２金属層１４ｂに含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）は０．３０未満が好ましく、０．２５以下がより好ましく、０．２０以下がさらに好ましい。また、後述するフッ素原子含有マイグレーション抑制剤を使用する場合、比（Ｘ／Ｙ）は０．１以下が最も好ましい。
　下限は特に制限されないが、０が最も好ましく、実用上は０．００１以上であってもよい。
　なお、比（Ｘ／Ｙ）の測定方法は特に制限されず、例えば、絶縁基板１２表面に対して垂直な方向の配線層１４の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、第１金属層１４ａに相当する領域と第２金属層１４ｂに相当する領域とに含まれる成分の元素分析を行い、マイグレーション抑制剤由来の元素の量を比較して、比（Ｘ／Ｙ）を求めることができる。
　使用されるマイグレーション抑制剤の種類に関しては、後段で詳述する。
　配線層１４全体に含まれるマイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、配線層１４の導電特性の観点から、配線層１４全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．１～５質量％がより好ましい。
　第２金属層１４ｂに含まれるマイグレーション抑制剤の含有量は上述した比（Ｘ／Ｙ）を満たしていれば特に制限されないが、配線層１４の導電特性の観点から、配線層１４全質量に対して、０．１～１０質量％が好ましく、０．３～５．０質量％がより好ましい。
　配線層１４の厚みＴ２は、配線基板の高集積化の点から、０．００１～１００μｍが好ましく、０．０１～３０μｍがより好ましく、０．０１～２０μｍがさらに好ましい。
　配線層１４には、本発明の効果を損なわない範囲で、金属とマイグレーション抑制剤以外の成分が含まれていてもよい。例えば、バインダー樹脂（エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドンなど）が含まれていてもよい。
　配線層１４の形成方法は特に制限されず後段において詳述するが、金属微粒子および／またはマイグレーション抑制剤を含有する組成物（導電ペースト）を用いて配線層１４を形成する方法が好ましい。
　図１においては、配線層１４は、絶縁基板１２の片面だけに設けられているが、両面に設けられていてもよい。つまり、配線基板１０は、片面基板であっても、両面基板であってもよい。なお、絶縁基板１２の両面に配線層１４が設けられる場合は、該スルーホール内に金属（例えば、銀または銀合金）が充填されることにより、両面の配線層１４が導通されていてもよい。
（マイグレーション抑制剤）
　マイグレーション抑制剤（マイグレーション防止剤）は、配線層１４から析出する金属イオンのマイグレーションを抑制する化合物であり、上述した配線層１４中に含まれる。
　マイグレーション抑制剤の種類は特に制限されず、公知の化合物を使用することができる。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、無機イオン吸着剤、有機酸化防止剤、有機イオン吸着剤などが好ましい。以下に、それぞれの化合物について詳述する。
　無機イオン吸着剤とは金属イオンを吸着する無機化合物であり、ビスマス化合物、ジルコニウム化合物、酸化アンチモン化合物、または、マグネシウム化合物などが好適に挙げられる。
　ビスマス化合物としては、例えば、酸化ビスマス、チタン酸ビスマス、硝酸ビスマス、サリチル酸ビスマス、炭酸ビスマスなどが挙げられる。これらの中でも、酸化ビスマスが特に好ましい。
　ジルコニウム化合物としては、例えば、リン酸ジルコニウム、タングステン酸ジルコニウム、モリブデン酸ジルコニウム、セレン酸ジルコニウム、テルル酸ジルコニウムなどが挙げられる。これらの中でも、リン酸ジルコニウムが特に好ましい。
　酸化アンチモン化合物としては、例えば、五酸化アンチモン、三酸化アンチモン、リンアンチモン酸、アンチモン酸ジルコニウム、アンチモン酸チタンなどが挙げられる。これらの中でも、五酸化アンチモンが特に好ましい。
　マグネシウム化合物としては、リン酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウムなどが挙げられる。
　無機イオン吸着剤としては２種の化合物を併用してもよく、なかでも、ビスマス化合物と、ジルコニウム化合物および酸化アンチモン化合物の少なくともいずれかとを併用することが好ましい。
　なお、ビスマス化合物（Ａ）と、ジルコニウム化合物および酸化アンチモン化合物の少なくともいずれか（Ｂ）との質量比（Ａ：Ｂ）は１：０．２～１：５が好ましく、１：０．５～１：２がより好ましい。
　有機酸化防止剤とは金属の酸化を防止する有機化合物であり、その種類は特に制限されないが、なかでも、酸化還元電位が０．５Ｖ以上２．０Ｖ以下（好ましくは、０．６Ｖ以上１．５Ｖ以下）の化合物であることが好ましい。
　有機酸化防止剤の好適態様としては、一般式（１Ａ）、一般式（２Ａ）および一般式（３Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　一般式（１Ａ）中、Ｒ1a～Ｒ5aは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、酸素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基、酸素原子を有していてもよい芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、またはこれらを組み合わせた基が好ましい。
　脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基またはこれらを組み合わせた基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、１～４０が好ましく、４～２０がより好ましい。
　一般式（１Ａ）中、Ｚは、水素原子、アシル基、またはＲzＯＣ(＝Ｏ)基を表す。Ｒzは、脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基を表す。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、Ｚは水素原子が好ましい。
　アシル基またはＲzＯＣ(＝Ｏ)基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、２～１２が好ましく、２～８がより好ましい。
　なお、一般式（１Ａ）中、Ｒ1a～Ｒ5aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は４以上である。つまり、Ｒ1a～Ｒ5aの少なくとも一つは、炭素原子を含む基（上記脂肪族炭化水素基、上記芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基など）である。
　炭素原子の合計数が該範囲であれば、金属のイオンマイグレーションがより抑制され、配線層間の絶縁信頼性がより向上する。なお、該効果がより優れる点で、合計数は８以上が好ましく、１０以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、合成がより容易であり、配線層中での分散性がより優れる点から、合計数は５０以下が好ましく、４０以下がより好ましい。
　なお、化合物中において、Ｒ1a～Ｒ5aの一つのみが炭素原子を含む基（例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基など）の場合は、該基中の炭素原子の数が４以上であればよい。
　また、化合物中において、Ｒ1a～Ｒ5aのうち複数の基が炭素原子を含む基（例えば、アルキル基、アルコキシ基など）の場合は、各基中に含まれる炭素原子の数の合計が４以上であればよい。例えば、Ｒ1aおよびＲ2aがアルキル基で、Ｒ3a～Ｒ5aが水素原子の場合、Ｒ1aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数とＲ2aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数との合計数が４以上であればよい。
　また、Ｒ1a～Ｒ5aは互いに結合して環を形成してもよい。形成される環の種類は特に制限されないが、例えば、５～６員環構造を挙げることができる。
　Ｒ1a～Ｒ5aには、必要に応じて、公知の置換基がさらに含まれていてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が挙げられる。
　一般式（２Ａ）中、Ｒ6a～Ｒ8aは、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。
　脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基またはこれらを組み合わせた基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、１～４０が好ましく、２～２０がより好ましい。
　一般式（２Ａ）中、Ｒ6a～Ｒ8aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は６以上である。炭素原子の合計数が該範囲であれば、金属のイオンマイグレーションがより抑制される。なお、該効果がより優れる点で、合計数は８以上が好ましく、１０以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、合成がより容易であり、配線層中での分散性がより優れる点から、合計数は５０以下が好ましく、４０以下がより好ましい。
　なお、上記合計とは、例えば、Ｒ6a～Ｒ8aがすべてアルキル基の場合、Ｒ6aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数と、Ｒ7aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数と、Ｒ8aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数との合計数が６以上であればよい。
　なお、Ｒ6a～Ｒ8aには、必要に応じて、公知の置換基がさらに含まれていてもよい。置換基の例としては、上述したＲ1a～Ｒ5aに置換される置換基と同義である。
　なお、Ｒ6a～Ｒ8aは互いに結合して環を形成してもよい。
　一般式（３Ａ）中、Ｒ9a～Ｒ12aは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでもよいアリール基、または、これらを組み合わせた基を表す。
　アルキル基またはアリール基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、１～４０が好ましく、２～２０がより好ましい。
　なお、アルキル基またはアリール基には、ヘテロ原子が含まれていてもよい。含有されるヘテロ原子の種類は特に制限されないが、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子などが挙げられる。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能が優れる点で、－Ｘ1－、－Ｎ(Ｒa)－、－Ｃ(＝Ｘ2)－、－ＣＯＮ(Ｒb)－、－Ｃ(＝Ｘ3)Ｘ4－、－ＳＯn－、－ＳＯ2Ｎ(Ｒc)－、ハロゲン原子、またはこれらを組み合わせた基の態様で含まれることが好ましい。
　Ｘ1～Ｘ4は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、およびテルル原子からなる群から選択される。なかでも、取り扱いがより簡便である点から、酸素原子、硫黄原子が好ましい。
　上記Ｒa、Ｒb、Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１～２０の炭化水素基から選択される。
　ｎは１～３の整数を表す。
　一般式（３Ａ）中、Ｒ9a～Ｒ12aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は６以上である。炭素原子の合計数が該範囲であれば、金属のイオンマイグレーションがより抑制される。なお、該効果がより優れる点で、合計数は８以上が好ましく、１０以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、合成がより容易であり、配線層中での分散性がより優れる点から、合計数は５０以下が好ましく、４０以下がより好ましい。
　なお、上記合計とは、例えば、Ｒ9a～Ｒ12aがすべてアルキル基の場合、Ｒ9aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数と、Ｒ10aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数と、Ｒ11aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数と、Ｒ12aのアルキル基中に含まれる炭素原子の数との合計数が６以上であればよい。
　なお、Ｒ9a～Ｒ12aは互いに結合して環を形成してもよい。
（好適態様）
　上述した一般式（１Ａ）～（３Ａ）で表される化合物のなかでも、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、一般式（４Ａ）、（５Ａ）または（１０Ａ）で表される化合物が好適に挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　一般式（４Ａ）中、Ｚ、Ｒ1a、Ｒ2a、Ｒ3aの定義は、一般式（１Ａ）中の各基の定義と同義である。
　一般式（４Ａ）中、Ｒ14aおよびＲ15aは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、酸素原子を含んでもよい脂肪族炭化水素基、酸素原子を含んでもよい芳香族炭化水素基を表す。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、３級炭素原子あるいは４級炭素原子を含むアルキル基であることが好ましい。
　脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、１～４０が好ましく、２～２０がより好ましい。特に、Ｒ14aが炭素原子数１～５個のアルキル基で、Ｒ15aが炭素原子数１０～２０個のアルキル基であることが好ましい。
　Ｒ1a、Ｒ2a、Ｒ14aおよびＲ15aのうち少なくとも一つに含まれる炭素原子の数が１～４０であることが好ましい。炭素原子の数が上記範囲内であれば、配線層中での分散性が向上し、結果としてイオンマイグレーション抑制機能が向上する。なかでも、炭素原子の数は８～４０が好ましく、１０～３０がより好ましい。
　また、Ｒ1a、Ｒ2a、Ｒ14aおよびＲ15aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は４以上であることが好ましい。炭素原子の合計数が該範囲であれば、金属のイオンマイグレーションがより抑制される。なお、該効果がより優れる点で、合計数は８以上が好ましく、１０以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、合成がより容易であり、配線層中での分散性がより優れる点から、合計数は５０以下が好ましく、４０以下がより好ましい。
　一般式（５Ａ）中、Ｚ、Ｒ1a、Ｒ3a、Ｒ4a、Ｒ5aの定義は、一般式（１Ａ）中の各基の定義と同義である。
　一般式（１０Ａ）中、Ｚ、Ｒ1a、Ｒ2a、Ｒ3a、Ｒ5aの定義は、一般式（１Ａ）中の各基の定義と同義である。
　Ｌは、酸素原子を有していてもよい２価若しくは３価の脂肪族炭化水素基、酸素原子を有していてもよい２価若しくは３価の芳香族炭化水素基、－Ｓ－、または、これらを組み合わせた基を表す。
　脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、脂肪族炭化水素基は１～４０が好ましく、２～２０がより好ましい、また芳香族炭化水素基は６～４０が好ましく、６～２０がより好ましい。
　また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐状、または、環状のいずれであってもよい。
　ｎは、２または３の整数を表す。
　有機イオン吸着剤とは金属イオンを吸着する有機化合物であり、その構造は特に制限されず、公知の有機化合物を使用できる。なかでも、テトラゾール構造、トリアゾール構造、チアジアゾール構造およびベンズイミダゾール構造からなる群から選ばれる構造（以後、複素環構造とも称する）と、メルカプト基と、ヘテロ原子を含有していてもよい炭化水素基を一つ以上とを有し、炭化水素基中の炭素原子の合計数（なお、複数の炭化水素基がある場合、各炭化水素基中の炭素原子の数の合計数）が５以上である化合物（以後、ＳＨ基含有化合物とも称する）が好ましい。
　ＳＨ基含有化合物は、テトラゾール構造、トリアゾール構造、チアジアゾール構造およびベンズイミダゾール構造からなる群から選ばれる構造を含む。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、トリアゾール構造、チアジアゾール構造が好ましい。
　なお、該構造をより具体的に例示すると、それぞれ以下の一般式（Ｘ）～（Ｗ）で表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　ＳＨ基含有化合物には、メルカプト基（ＨＳ－）が含まれる。メルカプト基は金属と共有結合を生成する反応性に富む。該メルカプト基は、上記トリアゾール構造などの複素環構造に結合する。
　ＳＨ基含有化合物中におけるメルカプト基の量は特に制限されないが、化合物の全分子量中に対してメルカプト基の原子量総量が占める割合が５０％以下であることが好ましく、特に４０％以下が好ましい。
　なお、メルカプト基は、一つだけなく、複数含まれていてもよい。
　ＳＨ基含有化合物は、ヘテロ原子を含有していてもよい炭化水素基（以後、単に炭化水素基とも称する）を一つ以上有し、炭化水素基中の炭素原子の合計数（なお、複数の炭化水素基がある場合、各炭化水素基中の炭素原子の数を合計したものを意味する）が５以上である。該炭化水素基が化合物中に含まれることにより、金属のイオンマイグレーションを抑制する効果もより高まる。
　炭化水素基は、炭素原子と水素原子を含む基である。該炭化水素基は、通常、上記トリアゾール構造などの複素環構造に結合する。炭化水素基としては、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。
　各炭化水素基中の炭素数は特に制限されず、後述する合計炭素数が５以上を示せば特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、４以上が好ましく、６以上がより好ましく、８以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、炭素数３０以下が好ましく、２４以下がより好ましい。
　脂肪族炭化水素基としては、炭素数４以上が好ましく、炭素数６以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で４０以下が好ましい。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、化合物の配線層中における分散性がより優れる点で、直鎖状の脂肪族炭化水素部分の炭素原子数が１８以下、または、第３級または第４級の炭素原子を含む分岐鎖状であることが好ましい。
　芳香族炭化水素基としては、炭素数６以上が好ましく、２置換以上の芳香族炭化水素基がより好ましい。
　上記複素環構造に結合する全ての炭化水素基中の炭素原子の合計数は、５以上を示す。炭素原子の合計数が該範囲であれば、イオンマイグレーションがより抑制される。なお、該効果がより優れる点で、合計数は６以上が好ましく、８以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、合成がより容易であり、配線層中での分散性がより優れる点から、合計数は３６以下が好ましく、２４以下がより好ましい。
　なお、化合物中において、炭化水素基の数が１つの場合は、炭化水素基中の炭素原子の数が５以上であればよい。
　また、化合物中において、複数の炭化水素基が含まれる場合は、各炭化水素基中に含まれる炭素原子の数の合計が５以上であればよい。より具体的には、２つの炭化水素基（炭化水素基Ａ、炭化水素基Ｂ）が化合物中に含まれる場合、炭化水素基Ａ中の炭素原子の数と炭化水素基Ｂ中の炭素原子の数の合計が５以上であればよい。
　なお、上記の炭素原子の合計数は、以下の一般式（Ａ）で表すこともできる。
　つまり、該化合物は、一般式（Ａ）で表される合計炭素数ＴCが５以上であればよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
　一般式（Ａ）中、Ｃｉは化合物中に含まれるｉ番目の炭化水素基中の炭素数を表し、ｉは１～ｎの整数を表す。
　炭化水素基には、ヘテロ原子が含まれていてもよい。含有されるヘテロ原子の種類は特に制限されないが、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子などが挙げられる。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能が優れる点で、－Ｘ1－、－Ｎ(Ｒa)－、－Ｃ(＝Ｘ2)－、－ＣＯＮ(Ｒb)－、－Ｃ(＝Ｘ3)Ｘ4－、－ＳＯn－、－ＳＯ2Ｎ(Ｒc)－、ハロゲン原子、またはこれらを組み合わせた基の態様で含まれることが好ましい。
　Ｘ1～Ｘ4は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、およびテルル原子からなる群から選択される。なかでも、取り扱いがより簡便である点から、酸素原子、硫黄原子が好ましい。
　上記Ｒa、Ｒb、Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１～２０の炭化水素基から選択される。
　ｎは１～３の整数を表す。
　なお、ヘテロ原子が炭化水素基中に含まれる場合、メルカプト基（－ＳＨ）など態様で含まれていてもよい。
　ＳＨ基含有化合物の分子量は特に制限さないが、配線層中での分散性がより優れる点から、５０～１０００が好ましく、１００～６００がより好ましい。
（好適態様）
　ＳＨ基含有化合物の好適態様としては、以下の一般式（６Ａ）～一般式（８Ａ）で表される化合物が挙げられる。該化合物であれば、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる。特に、本発明の効果がより優れる点で、一般式（６Ａ）または一般式（７Ａ）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　一般式（６Ａ）中、Ｒ21aおよびＲ22aは、それぞれ独立に、水素原子、または、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表し、Ｒ21aおよびＲ22aの少なくとも一方はヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表し、Ｒ21aおよびＲ22aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は５以上である。
　Ｒ21aおよびＲ22aの好適態様としては、－Ｘ1－、－Ｎ(Ｒa)－、－Ｃ(＝Ｘ2)－、－ＣＯＮ(Ｒb)－、－Ｃ(＝Ｘ3)Ｘ4－、－ＳＯn－、－ＳＯ2Ｎ(Ｒc)－、またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭化水素基（例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはそれらの組み合わせ）が挙げられる。Ｘ1～Ｘ4、Ｒa～Ｒc、ｎの定義は上述の通りである。なかでも、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、アリール基、または、－Ｘ1－、－Ｎ(Ｒa)－、－Ｃ(＝Ｘ2)－、－ＣＯＮ(Ｒb)－、または－Ｃ(＝Ｘ3)Ｘ4－を含んでいてもよい炭化水素基が挙げられ、Ｒ1aおよびＲ2aのうち少なくともどちらか一方が脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。
　なお、炭化水素基（脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基）の好適態様は、上述の通りであり、ヘテロ原子の種類も上述の通りである。
　一般式（６Ａ）において、Ｒ21aおよびＲ22aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は５以上である。言い換えると、Ｒ21a中の炭素原子の数と、Ｒ22a中の炭素原子の数との合計数（合計炭素数）が５以上であればよい。なお、合計数の好適態様は、上述の通りである。
　一般式（７Ａ）中、Ｒ23aは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表し、Ｒ23a中に含まれる炭素原子の数は５以上である。
　該炭化水素基の定義は上述の通りである。なお、一般式（７Ａ）中において、該炭化水素基の好適態様としては、－Ｘ1－、－Ｎ(Ｒa)－、－Ｃ(＝Ｘ2)－、－ＣＯＮ(Ｒb)－、－Ｃ(＝Ｘ3)Ｘ4－、－ＳＯn－、－ＳＯ2Ｎ(Ｒc)－、またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭化水素基（例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはそれらの組み合わせ）が挙げられ、－Ｘ1－を有する炭化水素基（特に、脂肪族炭化水素基）がより好ましい。
　一般式（８Ａ）中、Ｒ24a～Ｒ27aは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表し、Ｒ24a～Ｒ27aの少なくとも一つは炭化水素基を表し、Ｒ24a～Ｒ27aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は５以上である。
　該炭化水素基の定義は上述の通りである。なお、一般式（８Ａ）中における、該炭化水素基の好適態様としては、－Ｘ1－、－Ｎ(Ｒa)－、－Ｃ(＝Ｘ2)－、－ＣＯＮ(Ｒb)－、－Ｃ(＝Ｘ3)Ｘ4－、－ＳＯn－、－ＳＯ2Ｎ(Ｒc)－、またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭化水素基（例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはそれらの組み合わせ）が挙げられ、以下の一般式（９Ａ）で表される基がより好ましい。該基であれば、ＳＨ基含有化合物の配線層中における分散性がより優れ、イオンマイグレーション抑制機能がより向上する。
　＊－Ｌ1－Ｒ30a　　一般式（９Ａ）
　一般式（９Ａ）中、Ｌ1は、単結合、－Ｏ－、－ＮＲ31a－、－ＣＯ－、－Ｃ(Ｒ32a)(Ｒ33a)－またはこれらを組み合わせた基を表す。Ｒ31a～Ｒ33aは、それぞれ独立に、水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。
　Ｒ30aは、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基の好適態様は、上述の通りである。
　なお、一般式（９Ａ）中、＊は結合位置を表す。
　一般式（８Ａ）において、Ｒ24a～Ｒ27aの少なくとも一つは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、Ｒ24a～Ｒ27aのうち１～２個が該炭化水素基であることが好ましく、１個であることがより好ましい。
　また、Ｒ24a～Ｒ27aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は５以上である。言い換えると、Ｒ24a中の炭素原子の数と、Ｒ25a中の炭素原子の数と、Ｒ26a中の炭素原子の数と、Ｒ27a中の炭素原子の数との合計数（合計炭素数）が５以上であればよい。なお、合計数の好適態様は、上述の通りである。
　マイグレーション抑制剤（マイグレーション防止剤）の他の好適態様としては、後述する一般式（１）～（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物が挙げられる。これらの化合物にはフッ素原子が含まれており、後述するように１液型の配線層形成用組成物中に含有させることにより、所望のマイグレーション抑制剤の分布状態を含む配線層を容易に製造することができる。
　なお、上述したフッ素原子が含まれるマイグレーション防止剤（一般式（１）～（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物）のフッ素含有率は、形成される配線層のイオンマイグレーション抑制機能がより優れると共に、面状特性にもより優れる点で、２０質量％以上６５質量％未満であることが好ましく、２５～６０質量％がより好ましく、３０～５５質量％がさらに好ましい。
　なお、フッ素含有率とは、マイグレーション防止剤の全分子量中におけるフッ素原子の占める質量の割合（含有率）を表したものである。
　以下、それぞれの化合物について詳述する。
（一般式（１）で表される化合物）
　まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。
　Ｐ－（ＣＲ1＝Ｙ）n－Ｑ　　　　　一般式（１）
　一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ2Ｒ3またはＣＨＲ4Ｒ5を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ4Ｒ5であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。Ｙは、ＣＲ6または窒素原子を表す。
　一般式（１）中、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
　窒素原子に置換可能な基としては窒素原子に置換できる基であれば特に制限されないが、例えば、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
　さらに詳しくは、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４－ｎ－ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン－２－イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン－３－イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－１－イル、ビシクロ［２．２．２］オクト－２－エン－４－イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ－トリル、ナフチル、ｍ－クロロフェニル、ｏ－ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２－フラニル、２－チエニル、２－ピリミジニル、２－ベンゾチアゾリニル）、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ－メチルフェニルスルフィニル）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ－メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２－クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ－ｎ－オクチルオキシフェニルカルボニル、２－ピリジルカルボニル、２－フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ－クロロフェノキシカルボニル、ｍ－ニトロフェノキシカルボニル、ｐ－ｔ－ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ－ブトキシカルボニル、ｎ－オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ－メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジ－ｎ－オクチルカルバモイル、Ｎ－（メチルスルホニル）カルバモイル）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）を好ましい例として挙げることができる。
　上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに置換されていてもよい。
　一般式（１）におけるＲ2およびＲ3で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数１～５０、さらに好ましくは炭素数１～３０、特に好ましくは炭素数１～２０である。
　好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ－ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２－エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｔ－ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２－エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ－ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２－エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。
　なお、アルキル基には、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。なお、アルキル基中に上記連結基が含まれる場合、その位置は特に制限されず、末端であってもよい。例えば、－Ｓ－Ｒx（Ｒx：アルキル基）であってもよい。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルキル基は、さらに置換基を有していてもよい。
　置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
　さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４－ｎ－ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン－２－イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン－３－イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－１－イル、ビシクロ［２．２．２］オクト－２－エン－４－イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ－トリル、ナフチル、ｍ－クロロフェニル、ｏ－ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２－フラニル、２－チエニル、２－ピリミジニル、２－ベンゾチアゾリニル）、
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ－ブトキシ、ｎ－オクチルオキシ、２－メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２－メチルフェノキシ、４－ｔ－ブチルフェノキシ、３－ニトロフェノキシ、２－テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ－ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１－フェニルテトラゾール－５－オキシ、２－テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ－メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ－ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ－ジ－ｎ－オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ－ｎ－オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ－ブトキシカルボニルオキシ、ｎ－オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ－メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ－ｎ－ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ－メチル－アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５－トリ－ｎ－オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ－ブトキシカルボニルアミノ、ｎ－オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ－メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ－クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ－ｎ－オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ－ｎ－オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５－トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ－メチルフェニルスルホニルアミノ）、
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ－ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ－クロロフェニルチオ、ｍ－メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２－ベンゾチアゾリルチオ、１－フェニルテトラゾール－５－イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ－エチルスルファモイル、Ｎ－（３－ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ－ジメチルスルファモイル、Ｎ－アセチルスルファモイル、Ｎ－ベンゾイルスルファモイル、Ｎ－（Ｎ‘－フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ－メチルフェニルスルフィニル）、
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ－メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２－クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ－ｎ－オクチルオキシフェニルカルボニル、２－ピリジルカルボニル、２－フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ－クロロフェノキシカルボニル、ｍ－ニトロフェノキシカルボニル、ｐ－ｔ－ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ－ブトキシカルボニル、ｎ－オクタデシルオキシカルボニル）、
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ－メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジ－ｎ－オクチルカルバモイル、Ｎ－（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ－クロロフェニルアゾ、５－エチルチオ－１，３，４－チアジアゾール－２－イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ－スクシンイミド、Ｎ－フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ－ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
　上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ－メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数２～５０、さらに好ましくは炭素数２～３０、特に好ましくは炭素数２～２０である。好ましい例としては、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－１－イル、ビシクロ［２．２．２］オクト－２－エン－４－イル）などを挙げることができる。さらに好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イル、であり、特に好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イルである。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　なお、アルケニル基には、上記アルキル基と同様に、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルキニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキニル基を表し、好ましくは炭素数２～５０、さらに好ましくは炭素数２～３０、特に好ましくは炭素数２～２０である。好ましい例としては、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルキニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　なお、アルキニル基には、上記アルキル基と同様に、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアリール基は、置換または無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６～５０、さらに好ましくは炭素数６～３０、特に好ましくは炭素数６～２０である。好ましい例としては、フェニル、２－メチルフェニル、３－メチルフェニル、４－メチルフェニル、２－エチルフェニル、４－エチルフェニル、２，４－ジメチルフェニル、２，６－ジメチルフェニル、２，４，６－トリメチルフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、２－クロロフェニル、３－クロロフェニル、４－クロロフェニル、２－メトキシフェニル、３－メトキシフェニル、４－メトキシフェニル、２－ベンジルフェニル、４－ベンジルフェニル、２－メチルカルボニルフェニル、４－メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。
　さらに好ましくは、フェニル、２－メチルフェニル、４－メチルフェニル、２－エチルフェニル、４－エチルフェニル、２，４－ジメチルフェニル、２，６－ジメチルフェニル、２，４，６－トリメチルフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、２－クロロフェニル、４－クロロフェニル、２－メトキシフェニル、３－メトキシフェニル、４－メトキシフェニル、２－ベンジルフェニル、４－ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニル、２－メチルフェニル、４－メチルフェニル、２，４－ジメチルフェニル、２，６－ジメチルフェニル、２，４，６－トリメチルフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、２－クロロフェニル、４－クロロフェニル、２－メトキシフェニル、４－メトキシフェニル、２－ベンジルフェニル、４－ベンジルフェニルなどを挙げることができる。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ4およびＲ5で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ4およびＲ5で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ1およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ1およびＲ6で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ1およびＲ6で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　ｎは０～５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両者が共にＯＨであることはなく、ＣＨＲ4Ｒ5であることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ1＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
　一般式（１）で表される化合物は、鎖状であっても環状であってもよく、環状である場合は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、またはＲ6で表される基のうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
　なお、二つの基が結合する際には、単結合、二重結合および三重結合のいずれかの結合形式が含まれていてもよい。
　なお、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なお、フッ素原子は、フッ素含有率が上述した範囲となるように含有されることが好ましい。フッ素原子は、一般式（１）で表される化合物の任意の炭素原子に置換してもよい。
　なお、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、フッ素原子は、フルオロアルキル基（以下、Ｒf基もいう）またはＲf基で置換された基として含まれることが好ましい。つまり、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フルオロアルキル基が含まれることが好ましい。
　Ｒf基は、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基、または、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基で置換された、炭素原子数２ないし２０の置換基であることが好ましい。
　炭素原子数１ないし１４の直鎖または分岐鎖パーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ3－、Ｃ2Ｆ5－、Ｃ3Ｆ7－、Ｃ4Ｆ9－、Ｃ5Ｆ11－、（ＣＦ3）2－ＣＦ－（ＣＦ2）2－、Ｃ6Ｆ13－、Ｃ7Ｆ15－、（ＣＦ3）2－ＣＦ－（ＣＦ2）4－、Ｃ8Ｆ17－、Ｃ9Ｆ19－、Ｃ10Ｆ21－、Ｃ12Ｆ25－およびＣ14Ｆ29－を挙げることができる。
　炭素原子数１ないし１４のパーフルオロアルキル基により置換された炭素原子数２ないし２０の置換基の例としては、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2－、Ｃ9Ｆ19ＣＨ2－、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣ＝ＯＣＨ2－、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2ＯＣ＝ＯＣＨ2－、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ2）2－、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ2）2－、（ＣＦ3）2ＣＦＯＣ2Ｆ4－、ＣＦ3ＣＦ2 ＣＦ2Ｏ〔ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ〕4－ＣＦ（ＣＦ3）－、などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　Ｒf基は分子中に１ないし４個含まれることが好ましい。
　なお、上述した一般式（１）で表される化合物は、２種以上使用してもよい。
　一般式（１）で表される化合物は、一般式（６）～一般式（２１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　なお、一般式（６）～一般式（２１）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　上記一般式（６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の化合物である。
　一般式（６）において、Ｖ6は置換基を表す。ａは、１～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。なお、Ｖ6のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ6が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ6が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ6にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ6で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ6中に上述したＲf基が含まれることが好ましい。
　Ｖ6で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（６）に複数のＶ6が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　以下に、一般式（６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　上記一般式（７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（７）において、Ｖ7は置換基を表す。ａは、１～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。なお、Ｖ7のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ7が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ7が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ7にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ7で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ7中に上述したＲf基が含まれることが好ましい。
　Ｖ7で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（７）に複数のＶ7が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　以下に、一般式（７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　上記一般式（８）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
　一般式（８）において、Ｖ8は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ8で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（８）に複数のＶ8が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ81およびＲ82は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ8、Ｒ81およびＲ82の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ8が複数ある場合、複数のＶ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　一般式（９）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（９）において、Ｖ9は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ9で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（９）に複数のＶ9が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ91およびＲ92は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ9、Ｒ91およびＲ92の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ9が複数ある場合、複数のＶ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　一般式（１０）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ4Ｒ5であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１０）において、Ｖ10は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ10で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１０）に複数のＶ10が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ101およびＲ102は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ101およびＲ102で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ101およびＲ102が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ10、Ｒ101およびＲ102の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、Ｖ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることが好ましい。
　なお、Ｖ10が複数ある場合、複数のＶ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　一般式（１１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ4Ｒ5であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１１）において、Ｖ11は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ11で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１１）に複数のＶ11が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ111およびＲ112は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ111およびＲ112で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ111またはＲ112が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ11、Ｒ111およびＲ112の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ11が複数ある場合、複数のＶ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　一般式（１２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１２）において、Ｖ12は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ12で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１２）に複数のＶ12が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ12が複数ある場合、複数のＶ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　一般式（１３）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１３）において、Ｖ13は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ13で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１３）に複数のＶ13が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ13が複数ある場合、複数のＶ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　一般式（１４）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１４）において、Ｖ14は置換基を表す。ｃは、１～２の整数（好ましくは１１）を表す。なお、Ｖ14のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ14が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ14が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ14にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ14で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ14中に上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　Ｖ14で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１４）に複数のＶ14が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　以下に、一般式（１４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　一般式（１５）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１５）において、Ｖ15は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ15で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１５）に複数のＶ15が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ151およびＲ152は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ15、Ｒ151およびＲ152の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ15が複数ある場合、複数のＶ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　一般式（１６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０であり、Ｒ2およびＲ3が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１６）において、Ｖ16は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ16で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１６）に複数のＶ16が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ161およびＲ162は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ16、Ｒ161およびＲ162の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ16が複数ある場合、複数のＶ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　一般式（１７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０であり、Ｒ2およびＲ3が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１７）において、Ｖ17は置換基を表す。ｄは、０または１を表す。Ｖ17で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１７）に複数のＶ17が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ171、Ｒ172およびＲ173は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ17が複数ある場合、複数のＶ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　一般式（１８）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6および窒素原子であり、ｎが３であり、Ｒ1およびＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１８）において、Ｖ18は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ18で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１８）に複数のＶ18が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ181は、水素原子または置換基を表す。Ｒ181で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ181が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ18およびＲ181のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ18およびＲ181の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ18およびＲ181のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ18が複数ある場合、複数のＶ18およびＲ181のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　一般式（１９）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6および窒素原子であり、ｎが２であり、Ｒ1およびＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１９）において、Ｖ19は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ19で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１９）に複数のＶ19が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ191は、水素原子または置換基を表す。Ｒ191で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ191が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ19およびＲ191のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ19およびＲ191の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ19およびＲ191のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ19が複数ある場合、複数のＶ19およびＲ191のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　一般式（２０）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０である場合の一例である。
　一般式（２０）において、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（２０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　一般式（２１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＱがＯＨであり、ｎが０である場合の一例である。
　一般式（２１）において、Ｒ211およびＲ212は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｒ211およびＲ212のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ211およびＲ212の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ211およびＲ212のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（２１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　また、一般式（１）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　Ｒx1およびＲx2は、それぞれ独立に、炭素数１～１２のアルキル基を表す。アルキル基中の炭素数は、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、好ましくは１～８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～５である。アルキル基の好適な具体例としては、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、イソブチル、２，２－ジメチルプロピル、ヘキシル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
　Ａは、炭素数１～２のアルキレン基を表す。Ａとして好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、であり、より好ましくは、－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｘ11は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１～３のアルキレン基を表す。Ｘ11として好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）－であり、さらに好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－であり、特に好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｙ11は、炭素数４～１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。好ましいパーフルオロアルキル基の例としては、Ｃ4Ｆ9－、Ｃ5Ｆ11－、Ｃ6Ｆ13－、Ｃ7Ｆ15－、Ｃ8Ｆ17－、Ｃ9Ｆ19－、Ｃ10Ｆ21－、Ｃ12Ｆ25－が挙げられる。炭素数が上記範囲内であれば、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる。
　上記Ｒx1、Ｒx2、Ａ、およびＸ11は、さらに上述した置換基を有していてもよい。
（一般式（２）で表される化合物）
　次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
　Ｒ7－Ｃ（＝Ｏ）－Ｈ　　　　　　一般式（２）
　本発明において一般式（２）で表される化合物には、アルデヒド体とヘミアセタール体との間に平衡が存在することにより還元性を示す化合物（アルドースなど）や、ロブリー・ドブリュイン－ファン　エッケンシュタイン転位反応によるアルドース－ケトース間の異性化によりアルデヒド体を形成しうる化合物（フルクトースなど）も含有する。
　一般式（２）中、Ｒ7はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。
　Ｒ7がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基を表すとき、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ7が複素環基を表すとき、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族または、非芳香族の複素環基である。好ましい例としては、２－フラニル、２－チエニル、２－ピリミジニル、２－ベンゾチアゾリル、２－ベンゾオキサゾリル、２－イミダゾリル、４－イミダゾリル、トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、チアジアゾリル、ピロリジニル、ピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニルなどを挙げることができる。
　Ｒ7としてさらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基である。
　Ｒ7で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ7で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ7中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（２）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　また、Ｒ7で表される基中には、ヒドロキシル基、または、－ＣＯＯ－で表される基が含まれていてもよい。
　以下に、一般式（２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
（一般式（３）で表される化合物）
　次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　一般式（３）中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10で表される基は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ8、Ｒ9およびＲ10で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ8～Ｒ10の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ8～Ｒ10の少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（３）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　以下に、一般式（３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
（一般式（４）で表される化合物）
　次に、一般式（４）で表される化合物について説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　一般式（４）中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ11およびＲ12で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ11～Ｒ12の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ11～Ｒ12の少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（４）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　以下に、一般式（４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
（一般式（５）で表される化合物）
　次に、一般式（５）で表される化合物について説明する。
　Ｚ－ＳＨ　　　　　　一般式（５）
　一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｚで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｚ中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（５）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　一般式（５）で表される化合物は、一般式（５１）ないし一般式（５４）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
　一般式（５１）において、Ｒ511は、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
　置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ511で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　なお、Ｒ511には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ511中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ511には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
　一般式（５２）において、Ｒ521およびＲ522は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ523は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ521、Ｒ522およびＲ523は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
　一般式（５３）において、Ｒ531は、水素原子または置換基を表す。Ｒ532は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ531およびＲ532は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　一般式（５４）において、Ｒ541はフッ素原子が含まれる窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｒ541には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ541中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ541には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　また、一般式（５）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｙ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　一般式（Ｙ）中、Ｒy1およびＲy2は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。ｎ１は１または２を表し、好ましくは２を表す。ｎ１が２であるとき、複数のＣＲy1Ｒy2で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒy1およびＲy2がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１～３０、さらに好ましくは炭素数１～１５、特に好ましくは１～６であり、例えばメチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノメチル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－ヒドロキシエチル、２－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）エチル、２－エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
　（ＣＲy1Ｒy2）n1で表される構造として、好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、であり、さらに好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、であり、特に好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｒy3およびＲy4は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｍ１は１～６の整数を表す。ｍ１が２以上であるとき、複数のＣＲy3Ｒy4で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒy3およびＲy4は、互いに結合して環を形成していてもよい。なお、置換基の定義は、上述の通りである。
　（ＣＲy3Ｒy4）m1で表される構造として、好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）－であり、さらに好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、であり、特に好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、である。
　ｌ１は、１～６の整数を表す。なかでも、フッ素系樹脂との相溶性により優れる点で、２～５が好ましく、３～４がより好ましい。
　ｑ１は０または１を表し、ｐ１は２または３を表し、ｐ１＋ｑ１は３を表す。なかでも、フッ素系樹脂との相溶性により優れる点で、ｑ１が１で、ｐ１が２であることが好ましい。
　Ｒy5は、炭素数１～１４のパーフルオロアルキル基を表す。パーフルオロアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
　炭素原子数１～１４の直鎖状または分岐鎖状のパーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ3－、Ｃ2Ｆ5－、Ｃ3Ｆ7－、Ｃ4Ｆ9－、Ｃ5Ｆ11－、Ｃ6Ｆ13－、Ｃ7Ｆ15－、Ｃ8Ｆ17－、Ｃ9Ｆ19－、Ｃ10Ｆ21－、Ｃ12Ｆ25－、Ｃ14Ｆ29－などが挙げられる。
（一般式（２２）で表される化合物）
　次に、一般式（２２）で表される化合物について説明する。なお、一般式（２２）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　一般式（２２）中、Ｒｆ1は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも一つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。
　上記フルオロアルキル基中の水素原子はフッ素原子以外の他のハロゲン原子に置換されていてもよい。他のハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。また、エーテル性酸素原子（－Ｏ－）は、フルオロアルキル基の炭素－炭素結合環に存在してもよく、フルオロアルキル基の末端に存在してもよい。また、フルオロアルキル基の構造は、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環を有する構造が挙げられ、直鎖構造が好ましい。
　Ｒｆ1としては、ペルフルオロアルキル基または水素原子１個を含むペルフルオロアルキル基であることが好ましく、ペルフルオロアルキル基が特に好ましい（ただし、エーテル性酸素原子を有するものを含む。）。
　Ｒｆ1としては、炭素原子数が４～６のペルフルオロアルキル基、または、エーテル性酸素原子を有する炭素原子数が４～９のペルフルオロアルキル基が好ましい。
　Ｒｆ1の具体例としては、以下が挙げられる。
　－ＣＦ3、－ＣＦ2ＣＦ3、－ＣＦ2ＣＨＦ2、－（ＣＦ2）2ＣＦ3、－（ＣＦ2）3ＣＦ3、－（ＣＦ2）4ＣＦ3、－（ＣＦ2）5ＣＦ3、－（ＣＦ2）6ＣＦ3、－（ＣＦ2）7ＣＦ3、－（ＣＦ2）8ＣＦ3、－（ＣＦ2）9ＣＦ3、－（ＣＦ2）11ＣＦ3、－（ＣＦ2）15ＣＦ3、－ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2）5ＣＦ3、－ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ3（ｐは１～８の整数）、－ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ）qＣ6Ｆ13（ｑは１～４の整数）、－ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ）rＣ3Ｆ7（ｒは１～５の整数）。
　Ｒｆ1としては、特に－（ＣＦ2）ＣＦ3または－（ＣＦ2）5ＣＦ3が好ましい。
　Ｘ1は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。
　なかでも、フッ素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
　Ｌ1は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。炭素数１～２のアルキレン基が好ましい。
　Ｌ2は、単結合、または、水酸基若しくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１～２のアルキレン基が好ましい。
　Ｌ3は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。なかでも、単結合または炭素数１～２のアルキレン基が好ましい。
　Ｙ1およびＺ1は、単結合、－ＣＯ2－、－ＣＯ－、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＳＯ3－、－ＣＯＮＲ222－、－ＮＨＣＯＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2ＮＲ222－、または、－ＮＲ222－を表す。Ｒ222は、水素原子または炭素数１～５のアルキル基を表す。
　なかでも、－ＣＯ2－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2ＮＲ222－、または、－ＣＯＮＲ222－が好ましい。
　Ｒ221は、水素原子、炭素数１～８に直鎖若しくは分岐のアルキル基、またはＲｆ1－ＣＦＸ1－Ｌ1－Ｙ1―Ｌ2－Ｚ1－Ｌ3－を表す。
　ただし、Ｙ1およびＺ1がいずれも単結合以外の場合、Ｌ2はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。
　以下に、一般式（２２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
（一般式（２３）で表される化合物）
　次に、一般式（２３）で表される化合物について説明する。なお、一般式（２３）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
　一般式（２３）中、Ｒ231およびＲ232は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ231およびＲ232がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１～３０、さらに好ましくは炭素数１～１５、特に好ましくは１～６であり、例えばメチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノメチル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－ヒドロキシエチル、２－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）エチル、２－エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
　（ＣＲ231Ｒ232）ｎで表される構造として、好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、であり、さらに好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、であり、特に好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｒ233およびＲ234は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　（ＣＲ233Ｒ234）mで表される構造として、好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）－であり、さらに好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、であり、特に好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、である。
　Ｙ2は、単結合、－ＣＯ－、または－ＣＯＯ－を表す。
　Ｙ2が単結合または－ＣＯ－のとき、ｎは０を表し、ｍは０～６の整数を表す。なかでも、ｍは０～４が好ましく、１～２がより好ましい。
　Ｙ2が－ＣＯＯ－のとき、ｎは１または２を表し、好ましくは２を表す。ｍは１～６の整数を表し、１～４が好ましく、１～２がより好ましい。
　Ｒｆ2は、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロエーテル基を表す。
　パーフルオロアルキレン基の炭素数は１～２０であるが、２～１５が好ましく、３～１２がより好ましい。パーフルオロアルキレン基の具体例としては、例えば、－Ｃ4Ｆ8－、－Ｃ5Ｆ10－、－Ｃ6Ｆ12－、－Ｃ7Ｆ14－、－Ｃ8Ｆ16－、－Ｃ9Ｆ18－、－Ｃ10Ｆ20－、－Ｃ12Ｆ24－などが挙げられる。
　パーフルオロエーテル基とは、上記パーフルオロアルキレン基中の１箇所以上の炭素－炭素原子間、またはパーフルオロアルキレン基の結合末端にエーテル性酸素原子（－Ｏ－）が挿入された基を意味する。パーフルオロアルキレン基の炭素数は１～２０であるが、２～１５が好ましく、３～１２がより好ましい。パーフルオロエーテル基の具体例としては、－（ＣgＦ2gＯ）h－（式中、ｇはそれぞれ独立に１～２０の整数であり、ｈは１以上の整数であり、ｇ×ｈ≦２０以下の関係を満たす。）で表されるパーフルオロエーテル基が挙げられる。
　ｐは２～３の整数を表し、ｌは０～１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。なかでも、ｐが３で、ｌが０であることが好ましい。
　以下に、一般式（２３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
（一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物）
　次に、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物（以後、化合物Ｘとも称する）について説明する。なお、化合物Ｘには、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
　一般式（２４）中、Ｒ241、Ｒ242、Ｒ243、およびＲ244は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。なかでも、置換基としてはアルキル基が好ましく、特に、Ｒ242およびＲ243がアルキル基（特に、tert－ブチル基）であることが好ましい。Ｒ241およびＲ244は、水素原子であることが好ましい。
　＊は、結合位置を示す。
　一般式（２５）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。なかでも、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基が好ましい。
　Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｒｆの定義は、炭素原子数が異なる点を除いて上記Ｒｆ1と同義であり、好適態様も同義である。
　＊は、結合位置を示す。
　化合物Ｘの好適態様としては、以下の一般式（２６）で表される繰り返し単位および一般式（２７）で表される繰り返し単位を有するポリマーＡが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　一般式（２６）および一般式（２７）中、Ｒ261およびＲ262は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭素数１～４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
　Ｚ2は、単結合、エステル基、アミド基、またはエーテル基を表す。
　Ｌ4は、単結合または２価の有機基を表す。Ｌ4で表される有機基としては、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい態様の１つである。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、さらに、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を介していてもよい。なかでも、Ｌ4中の総炭素数が１～１５であることが好ましい。なお、ここで、総炭素数とは、例えば、Ｌ4で表される置換若しくは無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、および、これらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、更には、これらを組み合わせた基が挙げられる。
　Ｌ5は、単結合、または、炭素数１～６のフッ素を有さない２価の有機基を表す。なかでも、炭素数２～４のアルキレン基であることが好ましい。
　なお、一般式（２６）および一般式（２７）中のＲ241～Ｒ244、ＸおよびＲｆの定義は、上述の通りである。
　ポリマーＡ中における一般式（２６）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～９０モル％が好ましく、１０～７０モル％がより好ましい。
　ポリマーＡ中における一般式（２７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０～９５モル％が好ましく、３０～９０モル％がより好ましい。
　ポリマーＡの重量平均分子量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、３，０００～５００，０００が好ましく、５，０００～１００，０００がより好ましい。
　化合物Ｘの他の好適態様としては、以下の一般式（２８）で表される基がさらに含まれることが好ましい。＊は、結合位置を示す。
　＊－（Ｒ281Ｏ）qＲ282　　　一般式（２８）
　Ｒ281は、炭素数１～４のアルキレン基を表す。
　Ｒ282は、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基を表す。なかでも、水素原子または炭素数１～４のアルキル基が好ましい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　ｑは、１～２１０の整数を表す。
　一般式（２８）で表される基の好適態様としては、以下の一般式（２８－１）で表される基が挙げられる。
　＊－（Ｒ283Ｏ）k（Ｒ284Ｏ）jＲ282　　　一般式（２８－１）
　Ｒ283は、エチレン基を表す。Ｒ284は、炭素数３～４のアルキレン基を表す。
　ｋは、０～１００の整数を表す。なかでも、１～５０が好ましく、２～２３がより好ましい。
　ｊは、０～１００の整数を表す。なかでも、０～５０が好ましく、０～２３がより好ましい。
　なお、ｋ＋ｊは２≦ｋ＋ｊ≦１００を満たす。
　化合物Ｘの好適態様としては、上記一般式（２６）で表される繰り返し単位、上記一般式（２７）で表される繰り返し単位、および、一般式（２９）で表される繰り返し単位を有するポリマーＢが挙げられる。
　一般式（２６）および一般式（２７）の説明は、上述の通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　一般式（２９）中、Ｒ263は、水素原子、または、炭素数１～４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
　Ｌ6は、単結合または炭素数１～１０のフッ素原子を有しない２価の有機基である。Ｌ6が上記有機基である場合、直鎖構造、分岐構造、環構造、部分的に環を有する構造の炭素数１～１０のオキシアルキレン基であることが好ましい。オキシアルキレン基として具体的には、ＣＨ2ＣＨ10ＣＨ2Ｏ（式中、Ｃ6Ｈ10は、シクロヘキシレン基である。）、ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、Ｃ（ＣＨ3）2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ2（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2）Ｏなどが挙げられる。なかでも、炭素数２～４のオキシアルキレン基であることが好ましい。
　なお、一般式（２９）中、Ｒ281、Ｒ282、ｑの定義は、上述の通りである。
　ポリマーＢ中における一般式（２６）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～８０モル％が好ましく、１０～６０モル％がより好ましい。
　ポリマーＢ中における一般式（２７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０～８５モル％が好ましく、２０～７０モル％がより好ましい。
　ポリマーＢ中における一般式（２９）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０～８５モル％が好ましく、２０～７０モル％がより好ましい。
　ポリマーＢの重量平均分子量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、３，０００～５００，０００が好ましく、５，０００～１００，０００がより好ましい。
　以下に、化合物Ｘの具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　次に、本発明の配線基板の第２の実施態様について、図面を参照して詳述する。
　図２は、配線基板の第２の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板１００は、絶縁基板１２と、絶縁基板１２上に配置された２つの配線層１１４とを備える。配線層１１４は、細線状の第１金属層１１４ａと第２金属層１１４ｂとを有する。
　図２に示す配線基板１００は、配線層１１４の形状が異なる点を除いて、図１に示す配線基板１０と同様の構成を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、主として配線層１１４について説明する。
　配線層１１４は、細線状の第１金属層１１４ａと第１金属層１１４ａの絶縁基板１２と接していない表面を覆う第２金属層１１４ｂとを有する。
　配線層１１４は、図１に示す配線基板１０中の配線層１４に相当して同様の構成を有し、その形状のみが異なる。つまり、第１金属層１１４ａは図１に示す配線基板１０中の第１金属層１４ａに相当し、第２金属層１１４ｂは図１に示す配線基板１０中の第１金属層１４ｂに相当する。
　より具体的には、配線層１１４を構成する金属の種類の好適態様は、上述した第１の実施形態の場合と同じである。
　また、第２金属層１１４ｂの厚みＴ１は、上述した第１の実施形態の場合と同様に、配線層１１４の全体厚みＴ２の１／１０の厚みに相当する。
　また、第２金属層１１４ｂに含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｙは、第１の実施形態の場合と同様に、第１金属層１１４ａに含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘより大きく、その好適態様も同じである。
　さらに、配線層１１４全体に含まれるマイグレーション抑制剤の質量の好適範囲、および、第２金属層１１４ｂに含まれるマイグレーション抑制剤の質量の好適範囲は、上述した第１の実施形態の場合と同じである。
　図２において、第１金属層１１４ａは細線状であり、第１金属層１１４ａを覆うように（第１金属層１１４ａの上面１６と２つの側面１８を覆うように）第２金属層１１４ｂが存在する。
　なお、図２においては、配線層１１４は垂直断面が矩形状の層であるが、特にその形状は制限されず任意の形状であってもよい。
　図２において、２つ配線層１１４がストライプ状に配置されているが、その数および配置パターンは特に制限されない。
　配線層１１４の幅Ｗは、配線基板の高集積化の点から、０．１～１００００μｍが好ましく、０．１～３００μｍがより好ましく、０．１～１００μｍがさらに好ましく、０．２～５０μｍが特に好ましい。
　配線層１１４間の間隔Ｄは、配線基板の高集積化の点から、０．１～１０００μｍが好ましく、０．１～３００μｍがより好ましく、０．１～１００μｍがさらに好ましく、０．２～５０μｍが特に好ましい。
　配線層１１４の厚みＴ２は、配線基板の高集積化の点から、０．００１～１００μｍが好ましく、０．０１～３０μｍがより好ましく、０．０１～２０μｍがさらに好ましい。
　本発明の配線基板は、種々の用途および構造に対して使用することができる。例えば、プリント配線基板、プラズマディスプレイパネル用パネル基板、太陽電池電極用基板、メンブレン配線板、タッチパネル電極用基板などが挙げられる。
　また、配線基板は、電子機器に含まれることが好ましい。電子機器とは、タッチパネルもしくはメンブレンスイッチやそれらを搭載したテレビ・モバイル通信機器・パーソナルコンピューター・ゲーム機器・車載表示機器・ネット通信機器、照明・表示用ＬＥＤ、太陽電池制御に関する電子配線機器、ＲＦＩＤなどの無線通信デバイス、あるいは半導体配線基板や有機ＴＦＴ配線基板で駆動制御された機器類を指す。
　本発明の配線基板の配線層側上には、必要に応じて、さらに絶縁層を設けてもよい。
　例えば、図３に示すように、上述した配線基板１００の配線層１１４側上には、必要に応じて、さらに配線層１１４を覆うように絶縁層２０を設けて、絶縁層付き配線基板２００を形成してもよい。絶縁層２０を設けることにより、配線層１１４間の絶縁特性がより向上する。
　絶縁層２０の材料としては、公知の絶縁性の材料を使用することができる。例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アクリレート樹脂など挙げられる。
　また、絶縁層２０として、いわゆる光学用透明粘着シート（ＯＣＡ）を使用してもよい。ＯＣＡは市販品を用いてもよく、例えば、３Ｍ（株）製８１７１ＣＬシリーズ、８１４６シリーズなどが挙げられる。
　また、絶縁層２０として、いわゆるソルダーレジスト層を使用してもよい。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製 ＳＲ７２００Ｇなどが挙げられる。
［配線基板の製造方法（その１）］
　配線基板の製造方法は上述した配線層を形成することができれば特に制限されず、公知の方法を採用できる。
　配線基板の製造方法の好適態様の一つとしては、金属微粒子を含む組成物（導電性ペースト）を絶縁基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を行い、配線層を作製する方法が好ましい。
　なかでも、配線基板の製造方法の好適態様の一つとしては、少なくとも金属微粒子を含む組成物（導電性ペーストに相当。以後、組成物Ｘとも称する）と、少なくともマイグレーション抑制剤を含む組成物（以後、組成物Ｙとも称する）との少なくとも２種の組成物を使用する方法が挙げられる。より具体的には、組成物Ｘと組成物Ｙとをそれぞれ独立したコーティング用組成物として絶縁基板上に塗布する方法（以後、第１の方法とも称する）と、組成物Ｘと組成物Ｙとを混合してなる混合組成物を絶縁基板上に塗布する方法（以後、第２の方法とも称する）が挙げられる。
　なお、組成物を絶縁基板上に塗布する方法は特に制限されず、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法などが挙げられる。
　以下に、インクジェット法を用いた第１の方法および第２の方法について詳述する。
　なお、後述する説明を容易にするために、第１の方法および第２の方法で使用される組成物Ｙにはマイグレーション抑制剤は含まれるが、組成物Ｘにはマイグレーション抑制剤は含まれていないとする。また、配線基板の製造方法で使用される導電ペーストの詳細については、後述する。
　第１の方法は、組成物Ｘと組成物Ｙとの両者の塗布量の比率を調節しながら、同時に塗布して絶縁基板上で混合させる方法である。つまり、絶縁基板上に塗布される組成物Ｘの量と組成物Ｙの量との比率を決定する制御工程と、決定された比率に従って、組成物Ｘおよび／または組成物Ｙを絶縁基板上に塗布して１つの層を形成する形成工程と、形成工程を繰り返して絶縁基板上に上記層を複数層積層して上述した配線層を得る積層工程とを備え、制御工程において、複数層の厚み方向において絶縁基板に近い層から遠い層に向かって、組成物Ｘの比率が大きくなり、かつ、組成物Ｙの比率が小さくなるように比率を決定する方法である。このような方法を実施することにより、配線層の外側表面近辺（絶縁基板から遠い側の表面近辺）においてマイグレーション抑制剤をより多く偏在させることができる。
　上記第１の方法をインクジェット法により実施した態様を、図４を用いて説明する。
　まず、ステージ２２上に絶縁基板１２を載置する。ステージ２２は、通常、絶縁基板１２よりも広い幅寸法を有しており、図示しない移動機構により水平方向に自在に移動可能に構成されている。移動機構としては、ラックアンドピニオン機構、ボールネジ機構などが挙げられる。また、図示しないステージ制御部により移動機構を制御して、ステージ２２を所望の位置に移動させることができる。
　次に、絶縁基板１２に向かって組成物Ｘを吐出するインクジェットヘッド２４から組成物Ｘを１層または数層分積層して第１層３０を形成する。この組成物Ｘの積層は、図４（Ａ）に示すように、移動機構によりステージ２２を移動させながら（図では左方向に移動）、インクジェットヘッド２４から組成物Ｘを吐出する。ここでは、絶縁基板１２に向かって組成物Ｙを吐出するインクジェットヘッド２６からは、組成物Ｙの吐出は行わない。
　吐出終了後、必要に応じて、第１層３０を加熱する工程を実施してもよい。加熱処理を施すことにより、溶媒を除去できると共に、金属微粒子同士を融着させることができる。例えば、組成物Ｘ吐出終了後、２５～２５０℃（より好ましくは、８０～２３０℃）の環境温度に一定時間保持することが好ましい。
　次に、第１層３０上に、組成物Ｘと組成物Ｙとの混合層３２を形成する。この混合層３２の形成は、図４（Ｂ）に示すように、ステージ２２を移動させながら、インクジェットヘッド２４から組成物Ｘを吐出し、同時にインクジェットヘッド２６から組成物Ｙを吐出して行う。このとき、組成物Ｘの吐出量と組成物Ｙの吐出量を、所望の比率に調整する。ここでは、組成物Ｘの吐出量が２５％、組成物Ｙの吐出量が７５％となるように、各ノズルの吐出量を調整して吐出している。
　なお、各ノズルからの吐出量の調整は、描画のドットピッチ密度によって調整してもよい。例えば、インクジェットヘッド２４とインクジェットヘッド２６の各ノズルの吐出量を一定としたまま、インクジェットヘッド２４の数とインクジェットヘッド２６の数とを２５：７５となるように制御することにより、吐出量の比率の調整を行うことも可能である。
　組成物Ｘおよび組成物Ｙの吐出後、図４（Ｃ）に示すように、それぞれの吐出量で吐出された組成物Ｘおよび組成物Ｙが拡散混合することにより、混合層３２が積層される。
　吐出終了後、必要に応じて、混合層３２を加熱する工程を実施してもよい。加熱処理を施すことにより、溶媒を除去できると共に、金属微粒子同士を融着させることができる。例えば、吐出終了後、２５～２５０℃（より好ましくは、８０～２３０℃）の環境温度に一定時間保持することが好ましい。
　上記方法で形成された混合層３２では組成物Ｙに含まれていたマイグレーション抑制剤が含有され、結果として第１層３０と混合層３２とからなる配線層３４中の外側に位置する混合層３２にマイグレーション抑制剤を偏在させることができる。つまり、組成物Ｘおよび組成物Ｙ中のマイグレーション抑制剤の濃度を調整すると共に、その塗布量（吐出量）の比率を調整して、複数の層を積層することにより、上述したマイグレーション抑制剤が偏在した配線層を形成することができる。
　なお、図４においては、第１層３０と混合層３２の２層積層の場合について説明したが、積層させる層の数は特に制限されず、上述した配線層が形成されれば、何層積層してもよい。また、第１層３０と混合層３２とが、それぞれ上述した第１金属層１４ａ（または第１金属層１１４ａ）と第２金属層１４ｂ（または第２金属層１１４ｂ）とに相当するように、組成物Ｘおよび組成物Ｙの混合比率を調整して、配線層３４を形成してもよい。
　また、上記では、組成物Ｘにマイグレーション抑制剤が含まれない態様について説明したが、組成物Ｘと組成物Ｙの両方にマイグレーション抑制剤および金属微粒子が含まれていてもよい。
　第２の方法は、予め組成物Ｘと組成物Ｙとを混合させた混合組成物で両者の比率が異なるものを複数種類調製したものを用意して、その比率の異なる混合組成物を順次塗布する方法である。つまり、組成物Ｘと組成物Ｙとの混合比率の異なる複数の混合組成物を用意する調製工程と、組成物Ｘの比率の高い混合組成物から順に選択して、選択された混合組成物を絶縁基板上に塗布して１つの層を形成する形成工程と、形成工程を繰り返して絶縁基板上に上記層を複数層積層して上述した配線層を得る積層工程とを備える方法である。このような方法を実施することにより、配線層の外側表面近辺においてマイグレーション抑制剤をより多く偏在させることができる。
　上記第２の方法をインクジェット法により実施した場合を、図５を用いて説明する。
　まず、ステージ２２上に絶縁基板１２を載置する。
　次に、絶縁基板１２に向かって組成物Ｘを吐出するインクジェットヘッド２４から組成物Ｘを１層または数層分積層して第１層３０を形成する。組成物Ｘの積層は、第１の方法と同様に、移動機構によりステージ２２を移動させながら（図５（Ａ）では左方向に移動）、インクジェットヘッド２４から組成物Ｘを吐出する。
　吐出終了後、必要に応じて、第１層３０を加熱する工程を実施してもよい。加熱処理を施すことにより、溶媒を除去できると共に、金属微粒子同士を融着させることができる。例えば、組成物Ｘ吐出終了後、２５～２５０℃（より好ましくは、８０～２３０℃）の環境温度に一定時間保持することが好ましい。
　次に、インクジェットヘッド２８から、混合組成物（組成物Ｘと組成物Ｙとの混合比率が２５：７５の混合組成物）を第１層３０上に吐出して、混合層３２を形成する。混合組成物の積層は、第１の方法と同様に、移動機構によりステージ２２を移動させながら（図５（Ｂ）では左方向に移動）、インクジェットヘッド２８から混合組成物を吐出する。
　吐出終了後、必要に応じて、混合層３２を加熱する工程を実施してもよい。加熱処理を施すことにより、溶媒を除去できると共に、金属微粒子同士を融着させることができる。例えば、吐出終了後、２５～２５０℃（より好ましくは、８０～２３０℃）の環境温度に一定時間保持することが好ましい。
　上記方法で形成された混合層３２では組成物Ｙに含まれていたマイグレーション抑制剤が含有され、結果として第１層３０と混合層３２とからなる配線層３４中の外側に位置する混合層３２にマイグレーション抑制剤を偏在させることができる。
　なお、図５においては、第１層３０と混合層３２の２層積層の場合について説明したが、積層させる層の数は特に制限されず、上述した配線層が形成されれば何層積層してもよい。
　また、上記では、組成物Ｘにマイグレーション抑制剤が含まれない態様について説明したが、組成物Ｘと組成物Ｙの両方にマイグレーション抑制剤および金属微粒子が含まれていてもよい。
　上記第２の方法では、組成物Ｘと組成物Ｙとを混合した混合組成物を使用したが、金属微粒子とマイグレーション抑制剤との混合比率を変えた組成物を複数用意して、同様の手順を実施して、配線基板を製造してもよい。
　上記第１の方法および第２の方法に関してはインクジェット法を使用した態様について詳述したが、インクジェット法の代わりに他の方法（例えば、スクリーン印刷法、ディスペンサー法など）を使用して、同様の手順で配線層を作製してもよい。
　上述した第１の方法や第２の方法などで使用される配線層を形成するための組成物（以後、導電ペーストとも称する）には、通常、金属微粒子が含まれる。このような組成物を絶縁基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施すことにより、金属微粒子同士が融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して配線層（言い換えれば、第１金属層および第２金属層）が形成される。
　金属微粒子を構成する金属の種類は特に制限されず、用途に応じて適宜最適な金属の種類が選択される。なかでも、プリント配線基板などの配線回路としての点から、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルまたはこれらの合金などが挙げられる。
　金属微粒子の平均粒径は特に制限されず、導電ペースト中では、主に、マイクロオーダーの平均粒径を有する金属微粒子（以後、金属マイクロ粒子とも称する）、または、ナノオーダーの平均粒径を有する金属微粒子（以後、金属ナノ粒子とも称する）の２種が使用される。
　金属マイクロ粒子の平均粒径は特に制限されず、配線層の導電特性がより優れる点で、０．５～１０μｍが好ましく、１～５μｍがより好ましい。
　金属ナノ粒子の平均粒径は特に制限されず、配線層の導電特性がより優れる点で、５～１００ｎｍが好ましく、１０～２０ｎｍがより好ましい。
　なお、金属微粒子の平均粒径は、金属微粒子を電子顕微鏡（ＳＥＭ若しくはＴＥＭ）により観察して、２０個以上の金属微粒子の一次粒径（直径）を測定して、それらを算術平均して得られる平均値である。
　なお、必要に応じて、金属微粒子の表面は保護剤により被覆されていてもよい。保護剤により被覆されることにより、導電ペースト中での金属微粒子の保存安定性が向上する。
　使用される保護剤の種類は特に制限されず、公知のポリマー（例えば、ポリビニルピロリドンなど側鎖に自由電子を有する官能基を有するポリマー）や、公知の界面活性剤などが挙げられる。
　なかでも、金属ナノ粒子の場合、その表面が保護剤で覆われていることが好ましく、特に、熱重量測定（ＴＧＡ）において１６０℃まで加熱した際の重量減少率が３０％以上である保護剤を使用することが好ましい。このような保護剤であれば、加熱処理を施して配線層を形成した際に、保護剤が配線層中に残存しにくく、導電特性に優れた配線層が得られる。
　導電ペーストには、上述したマイグレーション抑制剤が含まれていてもよい。
　また、導電ペーストには、必要に応じて、金属微粒子およびマイグレーション抑制剤以外に他の成分が含まれていてもよい。
　例えば、導電ペーストには、樹脂バインダーが含まれていてもよい。樹脂バインダーが含まれることにより、絶縁基板と配線層との密着性がより向上する。使用される樹脂バインダーの種類は特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドン、またはシランカップリング剤の反応物などが挙げられる。
　また、導電ペーストには、溶媒が含まれていてもよい。使用される溶媒の種類は特に制限されず、水または有機溶媒が挙げられる。
　なお、使用される有機溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、sec-ブタノール、カルビトール、２－ヘプタノール、オクタノール、２－エチルヘキサノール、α―テルピネオール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン）、炭化水素系溶媒（例えば、ヘプタン、オクタン、ドデカン）芳香族炭化水素溶媒（例えば、トルエン、キシレン）、アミド系溶媒（例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルプロピレンウレア）、ニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル）、エステル系溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル）、カーボネート系溶媒（例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート）、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒を、２種以上混合して使用してもよい。
［配線基板の製造方法（その２）］
　上記配線基板の製造方法（その１）以外の他の配線基板の製造方法の好適態様の一つとしては、上述した一般式（１）～一般式（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、および、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つのマイグレーション抑制剤（以後、これら化合物をまとめて「フッ素原子含有マイグレーション抑制剤」とも称する）と、金属微粒子とを含む導電ペースト（配線層形成用組成物）を用いて、配線層を製造する方法が挙げられる。
　上記フッ素原子含有マイグレーション抑制剤にはフッ素原子が含まれる。そのため、上記導電ペーストを用いて配線層を形成すると、フッ素原子含有マイグレーション抑制剤の表面エネルギーが低さのため、フッ素原子含有マイグレーション抑制剤が配線層の表面近傍に移動し、上述した所定のマイグレーション抑制剤の濃度分布を有する配線層が形成される。つまり、上記導電ペーストを絶縁基板上に塗布して、必要に応じて硬化処理を施すだけで、所望の配線層を製造することができる。
　導電ペースト中におけるフッ素原子含有マイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、形成される配線層の導電特性とイオンマイグレーション抑制機能とのバランスより、金属微粒子全質量に対して、０．０５～５質量％が好ましく、０．１～３質量％がより好ましい。
　導電ペースト中に含まれる金属微粒子の定義は、上述の通りである。
　また、導電ペーストには、上述した溶媒や樹脂バインダーなどが含まれていてもよい。
　絶縁基板上への導電ペーストの塗布方法は特に制限されず、上述した配線基板の製造方法（その１）で述べた塗布方法などが挙げられる。
　また、導電ペーストを塗布して得られる塗膜に対する硬化処理の方法も特に制限されず、上述した配線基板の製造方法（その１）で述べた加熱処理などが挙げられる。
　以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜合成例１：マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡ－１の合成＞
　Ｎ，Ｎ－ジメチル－１，３－ジアミノプロパン（東京化成、特級）２．０４ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）と、ｎ－オクチルアミン（花王、純度９８％）１．９４ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）と、ｎ－ドデシルアミン（関東化学、特級）０．９３ｇ（５．０ｍｍｏｌ）とを混合し、この混合溶液にシュウ酸銀〔硝酸銀（関東化学、一級）とシュウ酸アンモニウム一水和物またはシュウ酸二水和物（関東化学、特級）から合成したもの〕６．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え、３分間撹拌し、シュウ酸イオン・アルキルアミン・アルキルジアミン・銀錯化合物を調製した。これを９５℃で２０～３０分加熱撹拌すると、二酸化炭素の発泡を伴う反応が完結し、青色光沢を呈する懸濁液へと変化した。これにメタノール（関東化学、一級）１０ｍＬを加え、遠心分離により得られた沈殿物を自然乾燥すると、青色光沢の被覆銀超微粒子の固体物４．６２ｇ（銀基準収率９７．０％）が得られた。この固体物をｎ－ブタノール（関東化学、特級）とｎ－オクタン（関東化学、特級）の混合溶媒（４／１：ｖ／ｖ）に６．９３ｇに分散し、マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡ－１を得た。
＜合成例２：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、ＤＬ―αトコフェロール（東京化成社製）０．３ｇを添加して、攪拌し、マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１を得た。
＜合成例３：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－２の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、ＩＲＧＡＮＯＸ２４５（ＢＡＳＦ社製）０．１５ｇを添加して、攪拌し、マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－２を得た。
＜合成例４：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－３の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、ＩＲＧＡＮＯＸ１１３５（ＢＡＳＦ社製）０．１５ｇを添加して、攪拌し、マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－３を得た。
＜合成例５：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－４の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、５－Ｍｅｒｃａｐｔｏ－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｔｅｔｒａｚｏｌｅ（東京化成社製）０．１５ｇを添加、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－４を得た。
＜マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡ－２＞
　マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡ－２として、ポリマー型導電性ペーストＬＳ－４５０－７Ｈ（アサヒ化学研究所製）を用いた。
＜合成例６：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－５の合成＞
　前述の導電性ペーストＡ－２（１０ｇ）に対し、ＤＬ―αトコフェロール（東京化成社製）０．８ｇを添加して、攪拌し、マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－５を得た。
＜合成例７：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－６の合成＞
　前述の導電性ペーストＡ－２（１０ｇ）に対し、ＩＲＧＡＮＯＸ２４５（ＢＡＳＦ社製）０．４ｇを添加して、攪拌し、マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－６を得た。
＜合成例８：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－７の合成＞
　前述の導電性ペーストＡ－２（１０ｇ）に対し、ＩＸＥＰＬＡＳ　Ｂ１（東亞合成社製）０．４ｇを添加して、攪拌し、マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－７を得た。
＜マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡ－３＞
　マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡ－３として、ナノペーストＮＰＳ（ハリマ化成社製）を用いた。
＜合成例９：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－８の合成＞
　前述の導電性ペーストＡ－３（１０ｇ）に対し、ＤＬ―αトコフェロール（東京化成社製）０．４ｇを添加して、攪拌し、マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－８を得た。
（合成例１０：化合物Ｍ－１）
　反応容器に、３－（３，５－ジ－tert－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（３．５ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ノナデカフルオロデカン－１－オール（６．３ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．４ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、４－ジメチルアミノピリジン（０．０５ｇ，０．４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
　反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、白色の粗結晶を得た。メタノールで再結晶を行い、化合物Ｍ－１を６．０ｇ得た（収率６３％）。
　得られた化合物Ｍ－１の1Ｈ－ＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
　1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）
６．９８（２Ｈ，ｓ）、５．０９（１Ｈ，ｓ）、４．５９（２Ｈ，ｔ）、２．９０（２Ｈ，ｔ）、２．７１（２Ｈ，ｔ）、１．４３（９Ｈ，ｓ）
　1Ｈ－ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ－１であると同定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
（合成例１１：化合物Ｍ－２）
　反応容器に、１，３，４－チアジアゾール－２，５－ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。その後、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，８，８，８－ドデカフルオロ－７－（トリフルオロメチル）オクチル（１２．５ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。反応溶液を６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、反応溶液を減圧濃縮した。反応溶液にヘキサン２００ｍＬを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１６ｇを得た。粗結晶のうち８ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１～１／１）にて精製し、本発明の化合物Ｍ－２を６ｇ得た（収率７２％）。
　得られた化合物Ｍ－２の1Ｈ－ＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）
１１．１（１Ｈ，ｂｒ）、４．４４（２Ｈ，ｔ）、３．４０（２Ｈ，ｔ）、２．８５（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｍ）
　1Ｈ－ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ－２であると同定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
（合成例１２：化合物Ｍ－３）
　反応容器に、１Ｈ－ベンゾトリアゾール－５－カルボン酸（１．５ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２７ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（３ｍｌ）、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－オクタノール（３．３５ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１．７６ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、４－ジメチルアミノピリジン（０．１１ｇ，０．９１ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。７０℃で２４時間攪拌した後、水５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合物Ｍ－３を３．１ｇ得た（収率６６％）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
（合成例１３：化合物Ｍ－４）
　下記スキームに従って、化合物Ｍ－４Ａを合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
　反応容器に、１，３，４－チアジアゾール－２，５－ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロオクチル（１１．１３ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間掛けて滴下した。６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、溶液を減圧濃縮した。反応混合物にヘキサン２００ｍＬを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１５ｇを得た。粗結晶のうち７．５ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１～１／１）にて精製し、化合物Ｍ－４Ａを６ｇ得た（収率７９％）。
　次に、得られた化合物Ｍ－４Ａを用いて、下記スキームに従って、化合物Ｍ－４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
　反応容器に、化合物Ｍ－４Ａ（３．０ｇ，５．２８ｍｍｏｌ）、酢酸エチル（２０ｍｌ）を加えて完溶させた。ヨウ化ナトリウム（７９．１ｍｇ，０．５２８ｍｍｏｌ）と３０％過酸化水素（２２．１１ｍｍｏｌ，２．３９ｇ）をこの順で加えて、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を１００ｍｌの水で洗浄し、得られた粗結晶２．７ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１～１／１）にて精製し、化合物Ｍ－４を２．４ｇ得た（収率８０％）。
　得られた本発明の化合物Ｍ－４のＮＭＲスペクトルは以下の通りであった。
1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）：４．４３（２Ｈ，ｔ）、３．６０（２Ｈ，ｔ）、２．９５（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｍ）
　1Ｈ－ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ－４であると同定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
（合成例１４：化合物Ｍ－５）
　３００ｍＬの三口フラスコに、４－メチル－２－ペンタノン（和光純薬工業（株）製）２７．３ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７,８，８，８－トリデカフルオロ－オクチル３７．６ｇ、グリシジルメタクリレート（東京化成工業（株）製）１．４２ｇ、Ｖ－６０１（和光純薬工業（株）製）０．９２ｇ、４－メチル－２－ペンタノン（和光純薬工業（株）製）６３．８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、２時間撹拌後、９０℃に昇温し、さらに２時間攪拌した。上記の反応溶液に、３－（３，５－ジ－tert－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３．３４ｇ、ジメチルドデシルアミン（和光純薬工業（株）製）０．２１ｇを加え、１２０℃に加熱し２４時間反応させた。反応終了後、ヘキサン５００ｍｌ、酢酸エチル５００ｍｌを加え、有機層を５％クエン酸水溶液３００ｍｌで洗浄後、５％アンモニア水溶液３００ｍｌで洗浄した。さらに５％クエン酸水溶液３００ｍｌで洗浄後、水３００ｍｌで洗浄した。有機層を減圧濃縮後、ヘキサンで再沈を行い、減圧化で乾燥し、化合物Ｍ－５（Ｍｗ＝７，０００）を３０ｇ得た。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
　化合物Ｍ－５は、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物に該当する。
（合成例１５：化合物Ｍ－６）
　３００ｍＬの三口フラスコに、１－メトキシ－２－プロパノール（和光純薬工業（株）製）１４．３ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－オクチル４．８１ｇ、グリシジルメタクリレート（東京化成工業（株）製）１．５６ｇ、ブレンマーＡＥ－４００(日本油脂社製)１４．０９ｇ、Ｖ－６０１（和光純薬工業（株）製）０．４６ｇ、１－メトキシ－２－プロパノール（和光純薬工業（株）製）３３．４ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、２時間撹拌後、９０℃に昇温し、さらに２時間攪拌した。上記の反応溶液に、３－（３，５－ジ－tert－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３．６７ｇ、ジメチルドデシルアミン（和光純薬工業（株）製）０．２３ｇ、を加え、１２０℃に加熱し２４時間反応させた。反応終了後、減圧濃縮後し水２００ｇで希釈した。反応液をフィルターろ過した後、６０℃に加熱し、分離したポリマー溶液を取り出し、化合物Ｍ－６（Ｍｗ＝８，０００）の３５ｗ％水溶液４５ｇ得た。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
　化合物Ｍ－６は、一般式（２４）で表される基と、一般式（２５）で表される基と、一般式（２８）で表される基とを有する化合物に該当する。
＜合成例１６：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－９の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、合成例１０で得られた化合物Ｍ－１（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－９を得た。
＜合成例１７：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１０の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、上記合成例１１で得られた化合物Ｍ－２（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１０を得た。
＜合成例１８：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１１の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、上記合成例１２で得られた化合物Ｍ－３（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１１を得た。
＜合成例１９：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１２の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、前記合成例１３で得られた化合物Ｍ－４（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１２を得た。
＜合成例２０：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１３の合成＞
　合成例１で得られた導電性ペーストＡ－１（１１．５５ｇ）に対し、前記合成例１４で得られた化合物Ｍ－５（高分子型）（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１３を得た。
＜合成例２１：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１４の合成＞
　フローメタルＳＷ－１０２０（バンドー化学社製：導電性ペーストＡ－４、１１．５５ｇ）に対し、合成例１５で得られた化合物Ｍ－６（高分子型）（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１４を得た。
＜合成例２２：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１５の合成＞
　前述の導電性ペーストＡ－２（１０ｇ）に対し、合成例１０で得られた化合物Ｍ－１（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１５を得た。
＜合成例２３：マイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１６の合成＞
　前述の導電性ペーストＡ－２（１０ｇ）に対し、合成例１２で得られた化合物Ｍ－３（０．１２ｇ）を添加し、撹拌してマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１６を得た。
＜実施例１～４および比較例１～２：インクジェットによる配線形成＞
　マテリアルプリンターＤＭＰ－２８３１（ＦＵＪＩＦＩＬＭ　Ｄｉｍａｔｉｘ社製）を用い、吐出量：１０ｐＬ、吐出間隔：５０μｍの条件で、ガラス基板上へマイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡをＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に描画を行い、これを３層分重ねて描画を行った。次に、その同位置にマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢを同パターンで１層分の描画を行った。その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。
　なお、各実施例および比較例において導電性ペーストＡおよび導電性ペーストＢとしては、後述する表１に記載の上記導電ペーストをそれぞれ使用した。また、本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「ＩＪ」と表記する。
＜実施例５：インクジェットによる配線形成２＞
　マテリアルプリンターＤＭＰ－２８３１（ＦＵＪＩＦＩＬＭ　Ｄｉｍａｔｉｘ社製）を用い、吐出量：１０ｐＬ、吐出間隔：５０μｍの条件で、ガラス基板上へマイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡ－１をＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に描画を行い、これを３層分重ねて描画を行った。次に、吐出間隔を１００μｍに変更し、更に１層分導電性ペーストＡ－１の描画を行い、その同位置にマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢ－１を同パターン、吐出間隔：１００μｍの条件で１層分の描画を行った。その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。
　また、本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「ＩＪ２」と表記する。
＜実施例６～９および比較例３～６：スクリーン印刷による配線形成＞
　ＤＰ―３２０型スクリーン印刷機（ニューロング精密工業株式会社製）を用いて、ガラス基板上へマイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡをＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に印刷を行い（３００メッシュスクリーンを使用）、その同位置にマイグレーション抑制剤を含有する導電性ペーストＢを同パターンで印刷を行った（５００メッシュスクリーンを使用）。その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。
　なお、各実施例および比較例において導電性ペーストＡおよび導電性ペーストＢは、後述する表１に記載の種類をそれぞれ使用した。また、本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「スクリーン」と表記する。
＜試験用配線膜厚測定方法＞
　作製した試験用配線基板をエポキシ樹脂で包埋し、研磨による断面出しを行った後、Ｓ－３０００Ｎ（ＨＩＴＡＣＨＩ社製ＳＥＭ）を用いて断面を観察、配線層の層厚の測定を行った。結果を表１にまとめて示す。
　なお、各試験用配線基板中の配線層の露出表面から配線層の全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの領域を第２金属層として、残りの部分を第１金属層とした。
＜第１金属層に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘと、第２金属層に含まれるマイグレーション抑制剤との質量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）の測定方法＞
　前述のＳＥＭ写真と、ＩＮＣＡ　ＰｅｎｔａＦＥＴｘ３（ＯＸＦＯＲＤ社製ＥＤＸ）を用い、マイグレーション抑制剤の存在部の検出を行い、第１金属層と第２金属層における検出強度、面積比より質量Ｘと質量Ｙの比（Ｘ／Ｙ）を求めた。結果を表１にまとめて示す。
＜導電性評価方法＞
　得られた試験用配線基板の導電性評価を抵抗率計ロレスタＥＰ　ＭＣＰ－Ｔ３６０（三菱化学アナリテック社製）を用いて行った。
　評価方法として、作製した試験用配線基板の抵抗測定値をＲ１、マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡのみで作製した比較用配線基板（導電性ペーストＢを用いる部分を導電性ペーストＡで代替したもの）の抵抗測定値をＲ２とし、その変化割合Ｒ１／Ｒ２を計算した。以下の基準に従って、評価した。結果を表１にまとめて示す。尚、実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：Ｒ１／Ｒ２≦１．１の場合
「Ｂ」：１．１＜Ｒ１／Ｒ２≦１．２５の場合
「Ｃ」：１．２５＜Ｒ１／Ｒ２≦２．０の場合
「Ｄ」：２．０＜Ｒ１／Ｒ２の場合
　なお、導電性ペーストＡとして導電性ペーストＡ－１を使用した実施例１～５および比較例１では、導電性ペーストＡ－１のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、導電性ペーストＡとして導電性ペーストＡ－２を使用した実施例６～８および比較例３では、導電性ペーストＡ－２のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、導電性ペーストＡとして導電性ペーストＡ－３を使用した実施例９および比較例５では、導電性ペーストＡ－３のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　なお、比較例２においては、導電性ペーストＡ－１のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、比較例４においては、導電性ペーストＡ－２のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　さらに、比較例６においては、導電性ペーストＡ－３のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
＜絶縁信頼性評価方法＞
　得られた試験用配線基板を用いて、湿度８５％、温度８５度、圧力１．０ａｔｍ、電圧８０Ｖの条件で寿命測定（使用装置：エスペック（株）社製、ＥＨＳ－２２１ＭＤ）を行った。
　評価方法としては、まず、作製した試験用配線基板上に高透明性接着剤転写テープ８１４６－２（３Ｍ社製）貼り合せて、逆側にガラス基板を張り合わせて作製された絶縁信頼性試験用基板を用いて上記条件で寿命測定を行い、配線層間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間Ｔ１を測定した。
　次に、マイグレーション抑制剤を含まない導電性ペーストＡのみで作製した比較用配線基板（導電性ペーストＢを用いる部分をＡで代替したもの）を用いて同様の方法で絶縁信頼性試験用基板を作製し、上記条件で寿命測定を行い、配線層間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間Ｔ２を測定した。
　得られた時間Ｔ１および時間Ｔ２を用いて寿命の改善効果（Ｔ１／Ｔ２）を計算した。以下の基準に従って、評価した。結果を表１にまとめて示す。尚、実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：Ｔ１／Ｔ２≧５の場合
「Ｂ」：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２の場合
「Ｃ」：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１の場合
「Ｄ」：１≧Ｔ１／Ｔ２の場合
　なお、導電性ペーストＡとして導電性ペーストＡ－１を使用した実施例１～５および比較例１では、導電性ペーストＡ－１のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、導電性ペーストＡとして導電性ペーストＡ－２を使用した実施例６～８および比較例３では、導電性ペーストＡ－２のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、導電性ペーストＡとして導電性ペーストＡ－３を使用した実施例９および比較例５では、導電性ペーストＡ－３のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　なお、比較例２においては、導電性ペーストＡ－１のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、比較例４においては、導電性ペーストＡ－２のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　さらに、比較例６においては、導電性ペーストＡ－３のみで作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000058
　上記表１に示すように、第２金属層に含まれるマイグレーション抑制剤との質量Ｙが、第１金属層に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘがよりも大きい、実施例１～９においては、導電性に優れると共に、イオンマイグレーション抑制能も優れていた。なお、実施例１～９の比較より、Ｘ／Ｙが０．３０未満であれば、導電性評価および絶縁信頼性評価において「Ｃ」がなく、両者のバランスがより優れることが確認された。
　一方、マイグレーション抑制剤を使用していない比較例１，３および５では、導電性は優れるものの、絶縁信頼性に劣っていた。
　また、第２金属層に含まれるマイグレーション抑制剤との質量Ｙが、第１金属層に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘより小さい、比較例２，４および６では、絶縁信頼性には優れるものの、導電性に劣っていた。
＜実施例１０～１５および比較例７～８：インクジェットによる配線形成＞
　マテリアルプリンターＤＭＰ－２８３１（ＦＵＪＩＦＩＬＭ　Ｄｉｍａｔｉｘ社製）を用い、吐出量：１０ｐＬ、吐出間隔：５０μｍの条件で、ガラス基板上へ導電性ペーストＡまたはＢをＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に描画を行い、これを２層分重ねて描画を行った。その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。
　なお、各実施例および比較例において導電性ペーストＡおよび導電性ペーストＢとしては、後述する表２に記載の上記導電ペーストをそれぞれ使用した。本方法は、表２の「配線形成方法」欄において「ＩＪ３」と表記する。
＜実施例１６～１７および比較例９：スクリーン印刷による配線形成＞
　ＤＰ―３２０型スクリーン印刷機（ニューロング精密工業株式会社製）を用いて、ガラス基板上へ導電性ペーストＡまたはＢをＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に印刷を行い（３００メッシュスクリーンを使用）、その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。
　なお、各実施例および比較例において導電性ペーストＡおよび導電性ペーストＢとしては、後述する表２に記載の上記導電ペーストをそれぞれ使用した。本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「スクリーン２」と表記する。
　上記実施例１０～１７、比較例７～９で得られた試験用配線基板に対して、上述した＜導電性評価方法＞および＜絶縁信頼性評価方法＞を実施した。
　なお、＜導電性評価方法＞および＜絶縁信頼性評価方法＞で使用される比較用配線基板としては、実施例１０～１４では導電性ペーストＡ－１を使用して上記と同様の手順（ＩＪ３）で作製した比較用配線基板を用いた。
　実施例１５では、導電性ペーストＡ－４を使用して上記と同様の手順（ＩＪ３）で作製した比較用配線基板を用いた。
　実施例１６および１７では、導電性ペーストＡ－２を使用して上記と同様の手順（スクリーン２）で作製した比較用配線基板を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000060
　表２に示すように、フッ素原子含有マイグレーション抑制剤を使用した実施例１０～１７においては、配線層中においてフッ素原子含有マイグレーション抑制剤が表面側に偏在していることが確認され、配線層が導電性に優れると共に、イオンマイグレーション抑制能も優れていた。
　一方、比較例７～９に示すように、フッ素原子含有マイグレーション抑制剤が含まれない場合は、導電性は優れるものの、絶縁信頼性に劣っていた。
　１０，１００　配線基板
　１２　絶縁基板
　１４，３４，１１４　配線層
　１４ａ，１１４ａ　第１金属層
　１４ｂ，１１４ｂ　第２金属層
　１６　上面
　１８　側面
　２０　絶縁層
　２２　ステージ
　２４，２６，２８　インクジェットヘッド
　３０　第１層
　３２　混合層
　２００　絶縁層付き配線基板

Claims (7)

  1. 　絶縁基板と、
    　前記絶縁基板上に配置された第１金属層、および、前記第１金属層の前記絶縁基板と接触していない表面を覆うように配置された第２金属層からなる配線層とを有し、
    　前記第２金属層の厚みが前記配線層の全体厚みの１／１０の厚みであり、
    　前記配線層がマイグレーション抑制剤を含み、
    　前記第２金属層に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｙが、前記第１金属層に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘよりも大きい、配線基板。
  2. 　前記マイグレーション抑制剤が、一般式（１Ａ）～（３Ａ）で表される化合物、一般式（６Ａ）～（８Ａ）で表される化合物、ビスマス化合物、ジルコニウム化合物、マグネシウム化合物、酸化アンチモン、一般式（１）～一般式（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、および、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む、請求項１に記載の配線基板。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    （一般式（１Ａ）中、Ｒ1a～Ｒ5aは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、酸素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基、酸素原子を有していてもよい芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。Ｚは、水素原子、アシル基、またはＲzＯＣ(＝Ｏ)基を表す。Ｒzは、脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基を表す。ただし、Ｒ1a～Ｒ5aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は４以上である。なお、Ｒ1a～Ｒ5aは互いに結合して環を形成してもよい。
    　一般式（２Ａ）中、Ｒ6a～Ｒ8aは、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。ただし、Ｒ6a～Ｒ8aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は６以上である。
    　一般式（３Ａ）中、Ｒ9a～Ｒ12aは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでもよいアリール基、または、これらを組み合わせた基を表す。ただし、Ｒ9a～Ｒ12aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は６以上である。
    　一般式（６Ａ）中、Ｒ21aおよびＲ22aは、それぞれ独立に、水素原子、または、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表し、Ｒ21aおよびＲ22aの少なくとも一方は前記炭化水素基を表し、Ｒ21aおよびＲ22aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は５以上である。
    　一般式（７Ａ）中、Ｒ23aは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表し、Ｒ23a中に含まれる炭素原子の数は５以上である。
    　一般式（８Ａ）中、Ｒ24a～Ｒ27aは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表し、Ｒ24a～Ｒ27aの少なくとも一つは前記炭化水素基を表し、Ｒ24a～Ｒ27aの各基中に含まれる炭素原子の数の合計は５以上である。）
    　Ｐ－（ＣＲ1＝Ｙ）n－Ｑ　　　　　一般式（１）
    （一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ2Ｒ3またはＣＨＲ4Ｒ5を表す。Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ6または窒素原子を表す。Ｒ1およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
    　Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、またはＲ6で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０～５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ4Ｒ5であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ1＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
    　なお、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。）
    　Ｒ7－Ｃ（＝Ｏ）－Ｈ　　　　　　一般式（２）
    （一般式（２）中、Ｒ7は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ7で表される基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。また、Ｒ7で表される基中には、ヒドロキシル基、または、－ＣＯＯ－で表される基が含まれていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    （一般式（３）中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ8～Ｒ10の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    （一般式（４）中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ11～Ｒ12の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。）
    　Ｚ－ＳＨ　　　　　　一般式（５）
    （一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。また、Ｚで表される基には、置換基が含まれていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    （一般式（２２）中、Ｒｆ1は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも一つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｘ1は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ1は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。Ｌ2は、単結合、または、水酸基若しくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。Ｌ3は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。Ｙ1およびＺ1は、単結合、－ＣＯ2－、－ＣＯ－、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＳＯ3－、－ＣＯＮＲ222－、－ＮＨＣＯＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2ＮＲ222－、または、－ＮＲ222－を表す。Ｒ222は、水素原子または炭素数１～５のアルキル基を表す。Ｒ221は、水素原子、炭素数１～８に直鎖若しくは分岐のアルキル基、またはＲｆ1－ＣＦＸ1－Ｌ1－Ｙ1―Ｌ2－Ｚ1－Ｌ3－を表す。
    　ただし、Ｙ1およびＺ1がいずれも単結合以外の場合、Ｌ2はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    （一般式（２３）中、Ｒ231およびＲ232は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ233およびＲ234は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ2は、単結合、－ＣＯ－、または－ＣＯＯ－を表す。Ｒｆ2は、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロエーテル基を表す。Ｙ2が単結合または－ＣＯ－のとき、ｎは０を表し、ｍは０～６の整数を表す。Ｙ2が－ＣＯＯ－のとき、ｎは１または２を表し、ｍは１から６の整数を表す。ｐは２～３の整数を表し、ｌは０～１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    （一般式（２４）中、Ｒ241、Ｒ242、Ｒ243、およびＲ244は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を示す。
    　一般式（２５）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。＊は、結合位置を示す。）
  3. 　前記一般式（１）で表される化合物が、一般式（６）～一般式（２１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項２に記載の配線基板。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    （一般式（６）中、Ｖ6は置換基を表す。ａは、１～４の整数を表す。なお、Ｖ6のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。
    　一般式（７）中、Ｖ７は置換基を表す。ａは、１～４の整数を表す。なお、Ｖ7のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。
    　一般式（８）中、Ｖ8は置換基を表す。Ｒ81およびＲ82は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（９）中、Ｖ9は置換基を表す。Ｒ91およびＲ92は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１０）中、Ｖ10は置換基を表す。Ｒ101およびＲ102は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１１）中、Ｖ11は置換基を表す。Ｒ111およびＲ112は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１２）中、Ｖ12は置換基を表す。Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１３）中、Ｖ13は置換基を表す。Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１４）中、Ｖ14は置換基を表す。ｃは、１～２の整数を表す。なお、Ｖ14のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。
    　一般式（１５）中、Ｖ15は置換基を表す。Ｒ151およびＲ152は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１６）中、Ｖ16は置換基を表す。Ｒ161およびＲ162は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１７）中、Ｖ17は置換基を表す。Ｒ171、Ｒ172およびＲ173は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｄは、０または１を表す。なお、Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１８）中、Ｖ18は置換基を表す。Ｒ181は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ18およびＲ181のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（１９）中、Ｖ19は置換基を表す。Ｒ191は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０～４の整数を表す。なお、Ｖ19およびＲ191のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（２０）中、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。
    　一般式（２１）中、Ｒ211およびＲ212は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。なお、Ｒ211およびＲ212のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。）
  4. 　前記配線層中の金属が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選択される請求項１～３のいずれか１項に記載の配線基板。
  5. 　前記絶縁基板上に側面が露出する細線状の第１金属層が配置され、
    　前記第１金属層の前記側面を含む前記絶縁基板と接触していない表面を覆うように第２金属層が配置されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の配線基板。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の配線基板と、前記配線基板の前記配線層上に配置された絶縁層とを有する、絶縁層付き配線基板。
  7. 　プリント配線基板に用いられる、請求項１～５のいずれか１項に記載の配線基板。
PCT/JP2013/072265 2012-09-19 2013-08-21 配線基板 Ceased WO2014045787A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380048687.XA CN104663005B (zh) 2012-09-19 2013-08-21 配线基板以及带有绝缘层的配线基板
KR1020157006871A KR101668968B1 (ko) 2012-09-19 2013-08-21 배선 기판
US14/661,665 US9609747B2 (en) 2012-09-19 2015-03-18 Wiring board

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012206271 2012-09-19
JP2012-206271 2012-09-19
JP2013-073980 2013-03-29
JP2013073980A JP5897495B2 (ja) 2012-09-19 2013-03-29 配線基板

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/661,665 Continuation US9609747B2 (en) 2012-09-19 2015-03-18 Wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014045787A1 true WO2014045787A1 (ja) 2014-03-27

Family

ID=50341111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/072265 Ceased WO2014045787A1 (ja) 2012-09-19 2013-08-21 配線基板

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9609747B2 (ja)
JP (1) JP5897495B2 (ja)
KR (1) KR101668968B1 (ja)
CN (1) CN104663005B (ja)
TW (1) TWI611429B (ja)
WO (1) WO2014045787A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2980080A4 (en) * 2013-03-29 2016-02-03 Fujifilm Corp DISULFID CONNECTION TO FLUORATOM

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5968213B2 (ja) * 2012-12-13 2016-08-10 富士フイルム株式会社 フッ素原子含有メルカプト化合物
TWI574284B (zh) * 2014-06-25 2017-03-11 柯尼卡美能達股份有限公司 附導電性圖案基材之製造方法
WO2017003820A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 3M Innovative Properties Company Patterned overcoat layer
CN111937090B (zh) * 2018-03-26 2022-03-11 富士胶片株式会社 导电性膜、触控面板传感器、触控面板
WO2019188206A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 富士フイルム株式会社 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、タッチパネル
KR102539382B1 (ko) * 2020-03-25 2023-06-05 엘에스엠앤엠 주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
CN111341223B (zh) * 2020-04-09 2024-07-26 大连集思特科技有限公司 一种多层柔性透明显示电路、显示屏及其制作方法
JP7461505B2 (ja) * 2020-11-27 2024-04-03 京セラ株式会社 配線基板
JP2024077918A (ja) * 2022-11-29 2024-06-10 富士フイルム株式会社 タッチセンサ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009188360A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Fujifilm Corp 電子回路およびその製造方法
JP2010087148A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 電子回路基板の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3219852B2 (ja) * 1992-06-02 2001-10-15 東芝ケミカル株式会社 導電性ペースト
US5846598A (en) * 1995-11-30 1998-12-08 International Business Machines Corporation Electroless plating of metallic features on nonmetallic or semiconductor layer without extraneous plating
US6880946B2 (en) * 2002-01-15 2005-04-19 Reflexite Corporation Grooved optical microstructure light collimating films
JP4351129B2 (ja) * 2004-09-01 2009-10-28 日東電工株式会社 配線回路基板
JP2011091030A (ja) * 2009-09-25 2011-05-06 Nitto Denko Corp 配線回路基板および燃料電池
JP5527163B2 (ja) 2010-10-29 2014-06-18 Ｄｉｃ株式会社 導電性ペースト及びそれを用いた配線基板
JP5891771B2 (ja) * 2011-01-18 2016-03-23 富士通株式会社 表面被覆方法、並びに半導体装置、及び実装回路基板
JP5667927B2 (ja) * 2011-05-20 2015-02-12 富士フイルム株式会社 マイグレーション抑制層形成用処理液、および、マイグレーション抑制層を有する積層体の製造方法
JP2013101861A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Toppan Printing Co Ltd 感光性導電ペースト、導電回路パターン、タッチパネルセンサーおよび表示装置
JP2013140687A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Asahi Glass Co Ltd 導電ペースト、導電膜付き基材およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009188360A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Fujifilm Corp 電子回路およびその製造方法
JP2010087148A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 電子回路基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2980080A4 (en) * 2013-03-29 2016-02-03 Fujifilm Corp DISULFID CONNECTION TO FLUORATOM
US9359343B2 (en) 2013-03-29 2016-06-07 Fujifilm Corporation Fluorine atom-containing disulfide compound

Also Published As

Publication number Publication date
CN104663005A (zh) 2015-05-27
KR20150044944A (ko) 2015-04-27
TW201413741A (zh) 2014-04-01
KR101668968B1 (ko) 2016-10-24
TWI611429B (zh) 2018-01-11
CN104663005B (zh) 2017-10-27
US20150195908A1 (en) 2015-07-09
US9609747B2 (en) 2017-03-28
JP2014078681A (ja) 2014-05-01
JP5897495B2 (ja) 2016-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5897495B2 (ja) 配線基板
JP5993779B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、配線基板
JP6000892B2 (ja) 封止用樹脂組成物、封止用フィルム、配線基板
JP6295339B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板
WO2014196482A1 (ja) ゲート絶縁膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス
US9221980B2 (en) Conductive paste and printed wiring board
JP6100924B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス、配線板
WO2014189116A1 (ja) 有機半導体組成物および有機薄膜トランジスタならびに電子ペーパーおよびディスプレイデバイス
JP6915096B2 (ja) 組成物、硬化性組成物および化合物
WO2015114966A1 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板
JP2015109402A (ja) 有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス
JP6224472B2 (ja) 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板
WO2015046523A1 (ja) 有機半導体組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス
JP6259527B2 (ja) 有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイス

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13838278

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157006871

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13838278

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1