WO2014038506A1 - Led素子搭載用基板、led光源およびledディスプレイ - Google Patents

Led素子搭載用基板、led光源およびledディスプレイ Download PDF

Info

Publication number
WO2014038506A1
WO2014038506A1 PCT/JP2013/073529 JP2013073529W WO2014038506A1 WO 2014038506 A1 WO2014038506 A1 WO 2014038506A1 JP 2013073529 W JP2013073529 W JP 2013073529W WO 2014038506 A1 WO2014038506 A1 WO 2014038506A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
led
led element
sealed container
light
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/073529
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
前田 忠己
野田 直樹
Original Assignee
株式会社ノリタケカンパニーリミテド
ノリタケ伊勢電子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ノリタケカンパニーリミテド, ノリタケ伊勢電子株式会社 filed Critical 株式会社ノリタケカンパニーリミテド
Priority to US14/425,553 priority Critical patent/US9443831B2/en
Priority to KR1020157008360A priority patent/KR102102011B1/ko
Priority to CN201380046015.5A priority patent/CN104603964B/zh
Priority to JP2014534344A priority patent/JP6086547B2/ja
Publication of WO2014038506A1 publication Critical patent/WO2014038506A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]

Definitions

  • the present invention relates to an LED element mounting substrate, an LED light source using the substrate, and an LED display.
  • Light sources equipped with small LED elements with low power consumption are widely used in fields such as illumination for improving display visibility and display of operating conditions of home appliances and industrial products. Since such a light source supplies power to the LED element, a power supply circuit is formed by printing and sintering a wiring using a silver paste on a ceramic substrate. However, there is a problem that the reflectance of light differs depending on the hue and wiring width of the silver wiring layer forming the power feeding circuit. Further, when a surface mount chip LED or the like is mounted on a ceramic substrate, a reflector is required for the chip LED itself. Furthermore, in order to obtain a light source that is excellent in uniformity of light emission state and positional accuracy, advanced mounting technology is required.
  • the LED is housed on a substrate made of an inorganic material, and a phosphor layer is applied to the inner surface of the airtight container, and the inside is in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.
  • Patent Document 1 a light-emitting device that is an airtight container
  • the conventional LED element needs to form an envelope with a resin or the like like a bullet-type LED element, and its outer dimensions and LED emission intervals It was difficult to increase the resolution.
  • the present invention has been made to cope with such a problem, and since the light emitting axis of the chip LED does not vary, the LED element mounting substrate capable of obtaining a stable light emitting surface, and the LED light source using the substrate And to provide an LED display.
  • substrate for LED element mounting of this invention is equipped with the board
  • the wiring layer for supplying power to the LED element is formed in a mirror surface on the entire surface of the substrate on which the LED element is mounted, leaving an insulating gap that can insulate between the terminals of the LED element.
  • the wiring layer is provided with a light-transmitting gap through which light can be transmitted from the periphery of the LED element together with the insulating gap.
  • the LED element mounting substrate of the present invention is characterized in that the substrate is a mirror glass substrate, and the wiring layer is a power supply circuit formed on the mirror surface of the mirror glass substrate.
  • the wiring layer forming this power supply circuit is a metal thin film formed on a mirror glass substrate. In particular, the metal thin film is an aluminum thin film.
  • the LED light source of the present invention is a light source in which an LED element is disposed in a sealed container formed of a sealed container substrate, a face glass, and a spacer glass, and the sealed container substrate is for mounting the LED element of the present invention. It is a substrate.
  • the LED display of the present invention is an LED display in which LED elements are disposed in a sealed container formed of a sealed container substrate, a face glass, and a spacer glass
  • the front face glass of the LED display is an LED element mounting substrate in which the LED elements are arranged on the inner surface side of the sealed container.
  • the LED element mounting substrate is insulated from the surroundings of the LED element and an insulating gap that can insulate between the terminals of the LED element.
  • the transparent container substrate is provided with a light-transmitting gap through which the light can be transmitted, and the sealed container substrate has a light reflecting surface capable of reflecting light toward the inner surface of the sealed container.
  • the LED element mounting substrate serving as the face glass has a light shielding layer formed on the periphery of the light transmitting gap
  • the sealed container substrate has a substrate light shielding layer formed below the light shielding layer region.
  • the LED element mounting substrate of the present invention since the entire surface of the substrate on which the LED element is mounted is formed on the mirror surface leaving an insulating portion with a slight gap, the LED element can be used to emit light entirely.
  • the LED element since the LED element is disposed in a sealed container formed of the LED element mounting substrate, the face glass, and the spacer glass, the light source of the present invention is resistant to deterioration such as moisture resistance, heat resistance, and fading. Environmental characteristics can be greatly improved.
  • an LED element mounting substrate with a light-transmitting gap as a face glass, an LED array or a character display such as a 5 ⁇ 7 dot configuration or a 16 ⁇ 16 dot configuration can be obtained.
  • FIG. 2A It is a figure which shows an example of a sealed type LED light source. It is an example of sectional drawing of an LED display. It is the C section expanded sectional view of Drawing 4A.
  • a glass substrate, a ceramic substrate, a plastic substrate, or the like can be used as long as it can form a mirror surface and can form a part of a sealed container when forming a light source.
  • a glass substrate is preferable because it has excellent sealing properties and a mirror surface.
  • the mirror surface is a surface having a smooth surface so that light can be reflected uniformly without irregular reflection.
  • the glass plate currently used as the glass plate for fluorescent display tubes and the glass plate for liquid crystal display devices can be used. Examples of such a glass substrate include soda lime glass, white crown glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, and synthetic silica glass.
  • a wiring layer is formed on the entire surface of the substrate leaving an insulating gap described later or an insulating gap and a light-transmitting gap.
  • the wiring layer can be used as long as it has electrical conductivity and the surface is a mirror surface.
  • a metal thin film is preferable. This metal thin film can be formed on a glass substrate by sputtering, vapor deposition or the like. Examples of the material for the metal thin film include aluminum, gold, silver, copper and the like. Aluminum is preferable because it is industrially easy to use and can be easily formed into a thin film on a glass substrate.
  • a highly heat conductive layer can be provided between a glass substrate and an aluminum thin film in order to improve the heat dissipation of a LED element.
  • the high thermal conductivity layer include a molybdenum oxide thin film, a titanium thin film, a titanium oxide thin film, and a magnesium oxide thin film.
  • a heat sink can be attached to the outside of the glass substrate of the sealed container.
  • FIG. 1A shows a plan view of the wiring layer pattern
  • FIG. 1B shows an enlarged plan view of part A of FIG. 1A
  • the LED element mounting substrate 1 has a wiring layer 2 formed on the mirror surface on the entire surface of the substrate 1a on which the LED element can be mounted, and the wiring layer 2 has a space 3 on which the LED element is placed, An insulating gap 4 that can insulate between the terminals of the LED elements is formed. Lead portions 6 serving as power supply terminals are formed at the ends of the wiring layer 2.
  • the widths t 1 and t 2 of the insulating gap 4 are preferably made narrow so that the terminals of the LED elements to be fed do not short-circuit each other. For example, it is preferably 5 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the entire surface of the substrate becomes a mirror surface visually. That is, when the substrate is viewed with the naked human eye, the entire substrate becomes a mirror surface. Further, by providing the insulating gap 4, for example, the wiring layer 2a and the wiring layer 2b are electrically insulated.
  • the space 3 on which the LED element is placed can be set according to the type of LED element, the size and shape seen from the plan view, and the like within a range that does not impair the mirror surface of the entire surface of the substrate. As shown in FIG. 1B, by setting the space 3 to be equal to or larger than the size of the LED element 7 to be mounted as seen in a plan view, the periphery of the LED element 7 to be mounted becomes a light transmission gap 5.
  • the wiring layer pattern can be formed by using a known photolithography method.
  • LED elements examples include light-emitting diode chips (flip chips and bare chips) that are commercially available as light-emitting diodes, packaged surface-mount type light-emitting diodes (chip LEDs), and semiconductor laser chips.
  • As a method for mounting on a substrate there are a method by wire bonding, a method of directly soldering terminals provided on the bottom surface of the chip, and the like.
  • the LED element arrangement method can be implemented by arranging it in a planar shape or an array shape in accordance with the shape of the substrate. Further, the arrangement may be a regular arrangement or an irregular arrangement.
  • FIG. 2A is a plan view showing a state where the LED element is mounted on the LED element mounting substrate 1 shown in FIG. 1A
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 2A.
  • the wiring layer 2 formed on the substrate 1a on which the LED element can be mounted is electrically insulated through the insulating gap 4 between the wiring layer 2a and the wiring layer 2b, for example.
  • the LED elements 7 a, 7 b, 7 c, 7 d, and 7 e connected to the wiring layer 2 by the wire bonding 8 are electrically arranged in series and are simultaneously fed by the lead portion 6.
  • the LED element mounting substrate 1 on which the LED elements 7 are mounted can serve as a light source in this state.
  • the wiring layer 2 is mirror-finished on the entire surface and the LED element 7 is mounted on a smooth substrate, the optical axis is uniform, and the wiring layer 2 disposed on the entire surface of the substrate forms a heat dissipation layer.
  • a surface-emitting light source that uniformly emits light can be obtained.
  • the LED light source 9 includes an LED element mounting substrate 1 on which the LED elements 7 are disposed as a sealed container substrate, a spacer glass 11 disposed around the sealed container substrate, and a face glass 10 serving as a light irradiation surface.
  • a box-shaped closed container is formed.
  • the LED element 7 disposed in the box-type airtight container irradiates light upward as shown in the drawing as emitted light 12 indicated by an arrow, thereby becoming an LED light source for illumination.
  • the formation of the box-type sealed container can be obtained by sealing the LED element mounting substrate 1, the face glass 10, and the spacer glass 11 to each other by bonding with an adhesive or low melting point glass. It is preferable to remove oxygen gas and moisture from the inside of the sealed container. By removing oxygen gas and moisture, the LED element 7 is prevented from being deteriorated over time, and the life of the LED light source is improved. Sealing with the low melting point glass is performed at 430 ° C. to 580 ° C., and the pressure inside the sealed container can be atmospheric pressure. Alternatively, the air and gas in the container can be exhausted and decompressed by a vacuum pump during sealing to form a vacuum container.
  • Power supply to the hermetically sealed LED light source is performed by pulling out the lead portion 6 and the like from the glass end face and forming an electrical connection with an external circuit when forming a box-shaped hermetic container.
  • electrical connection can be achieved by connecting the anisotropic conductive film and the FPC by pressure bonding.
  • an aluminum radiator plate (not shown) can be mounted on the back surface of the LED element mounting substrate 1.
  • FIG. 4A is an example of a cross-sectional view of the LED display
  • FIG. 4B is an enlarged cross-sectional view of part C of FIG. 4A.
  • the arranged LED elements 7 are arranged on the inner surface side of the sealed container to form the front face glass 1a, and the light 18 emitted from one LED element 7 is the light of the sealed container substrate 1b. Since the light is reflected by the reflecting surface 2c and emitted from the light-transmitting gap 5, it can be visually recognized as one dot on the front face glass 1a.
  • the LED elements 7 in a 5 ⁇ 7 dot configuration, a 16 ⁇ 16 dot configuration, or the like, an LED array or a character display can be obtained.
  • the substrate 1 a on which the LED element 4 shown in FIG. 1 is mounted becomes a face glass, and a sealed container substrate 1 b having a light reflecting surface and the spacer glass 11 form a sealed container.
  • the substrate 1a on which the LED element can be mounted is manufactured by a known method in which a heat dissipation layer 14 such as molybdenum oxide and a wiring layer 2 such as an aluminum thin film are sequentially formed on a glass substrate by a sputtering method, a vapor deposition method, etc., and patterned by photolithography. it can.
  • a heat dissipation layer 14 such as molybdenum oxide
  • a wiring layer 2 such as an aluminum thin film
  • the sealed container substrate 1 b is preferably provided with a light reflecting layer 2 c such as an aluminum thin film on the entire surface of the glass substrate, and a light shielding layer 15 a at a position facing the light shielding layer 15.
  • a light reflecting layer 2 c such as an aluminum thin film on the entire surface of the glass substrate
  • a light shielding layer 15 a at a position facing the light shielding layer 15.
  • the light emitted from the LED element 7 is emitted as the emitted light 16 from the light-transmitting gap 5 provided in the wiring layer 2.
  • the partial light 18 is absorbed by the light shielding layer 15a.
  • Reference numeral 17 denotes external light traveling toward the LED display 13.
  • the LED light source using the substrate for mounting the LED element of the present invention is a light source having high efficiency, low power consumption, and a uniform and stable optical axis, it can be used for mobile phones, home appliances, industrial equipment, control systems, computer peripherals. It can be used as lighting.
  • the LED display can be used as an LED array and a character display with excellent visibility.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

 チップLEDの発光軸がばらつかないため、安定した発光面が得られるLED素子搭載用基板、ならびにこの基板を用いた光源およびLEDディスプレイを提供する。LED素子搭載用基板1は、LED素子を搭載できる基板1aと、LED素子7に給電するための配線層2とを備えている。LED素子7に給電するための配線層2は、LED素子の端子間を絶縁できる絶縁隙間4を残して、LED素子が搭載される基板全面に鏡面に形成されている。

Description

LED素子搭載用基板、LED光源およびLEDディスプレイ
 本発明はLED素子搭載用基板およびこの基板を用いたLED光源、およびLEDディスプレイに関する。
 小型で低消費電力のLED素子を搭載した光源は、表示の視認性を向上させるための照明や家電・工業製品の動作状況の表示などの分野で多用されている。
 このような光源は、LED素子に給電するため、セラミック基板に銀ペーストを用いて配線を印刷して焼結することにより給電回路を形成している。
 しかし、給電回路を形成する銀配線層の色相や配線幅で光の反射率が異なるという問題がある。また、セラミック基板にサーフェスマウントチップLEDなどを実装する場合、チップLED自体にリフレクターが必要になる。
 さらに、発光状態の均一性、位置精度に優れている光源とするためには、高度な実装技術が必要になる。
 従来、気密容器内にLED素子を内蔵した発光装置として、無機材料からなる基板上にLEDを収納し、かつ、気密容器内面に蛍光体層が塗布され、内部が真空雰囲気または不活性ガス雰囲気になっている気密容器とした発光装置が知られている(特許文献1)。
 しかしながら、チップLEDをセラミック基板に搭載する場合、セラミック基板の平坦度、取り付けられるリフレクターの角度、サーフェスマウントの平坦度を調整することが困難である。そのため、チップLEDの発光軸がばらつくため安定した発光面を得ることが困難であった。
 また、1つのLED素子を1つの画素としてLEDディスプレイを構成する場合、従来のLED素子は砲弾型LED素子のように樹脂等による外囲器形成が必要であり、その外形寸法、LEDの発光間隔を高精細化することは困難であった。
特開2004-119634号公報
 本発明は、このような問題に対処するためになされたもので、チップLEDの発光軸がばらつかないため、安定した発光面が得られるLED素子搭載用基板、ならびにこの基板を用いたLED光源およびLEDディスプレイの提供を目的とする。
 本発明のLED素子搭載用基板は、LED素子を搭載できる基板と、上記LED素子に給電するための配線層とを備えている。LED素子に給電するための配線層は、上記LED素子の端子間を絶縁できる絶縁隙間を残して、上記LED素子が搭載される基板全面に鏡面に形成されていることを特徴とする。
 また、上記絶縁隙間とともに、LED素子周囲より光が透過できる透光隙間を上記配線層に設けたことを特徴とする。
 本発明のLED素子搭載用基板は、上記基板が鏡面ガラス基板であり、上記配線層が鏡面ガラス基板の鏡面上に形成された給電回路であることを特徴とする。
 この給電回路を形成する配線層が鏡面ガラス基板上に形成された金属薄膜であることを特徴とする。特に該金属薄膜がアルミニウム薄膜であることを特徴とする。
 本発明のLED光源は、密閉容器基板とフェースガラスとスペーサガラスとで形成される密閉容器内にLED素子が配設されてなる光源であって、密閉容器基板が上記本発明のLED素子搭載用基板であることを特徴とする。
 本発明のLEDディスプレイは、密閉容器基板とフェースガラスとスペーサガラスとで形成される密閉容器内にLED素子が配設されてなるLEDディスプレイであって、
 LEDディスプレイの前面フェースガラスは、LED素子が密閉容器内面側に配置されるLED素子搭載用基板であり、このLED素子搭載用基板はLED素子の端子間を絶縁できる絶縁隙間とLED素子周囲より光が透過できる透光隙間を配線層に設けた基板であり、上記密閉容器基板は密閉容器内面方向に光を反射できる光反射面を有していることを特徴とする。
 また、上記フェースガラスとなるLED素子搭載用基板は、上記透光隙間周縁を残して遮光層が形成され、上記密閉容器基板は、上記遮光層領域下部に基板遮光層が形成されていることを特徴とする。
 本発明のLED素子搭載用基板は、LED素子を搭載する基板全面が僅かな隙間の絶縁部を残して鏡面に形成されているので、LED素子を用いて全面発光させることができる。
 また、本発明の光源は、上記LED素子搭載用基板とフェースガラスとスペーサガラスとで形成される密閉容器内にLED素子が配設されているので、耐湿、耐熱、退色等の劣化が少なく耐環境特性を大幅に向上させることができる。また、透光隙間を設けたLED素子搭載用基板をフェースガラスに用いることで、5×7ドット構成、16×16ドット構成などのLEDアレイ、文字表示ディスプレイとすることができる。
LED素子搭載用基板上の配線層パターンを示す平面図である。 図1AのA部拡大平面図である。 LED素子搭載用基板上にLED素子が実装された状態を示す平面図である。 図2AのB-B断面図である。 密閉型のLED光源の一例を示す図である。 LEDディスプレイの断面図の一例である。 図4AのC部拡大断面図である。
 本発明に使用できる基板としては、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板など、表面を鏡面にすることができ、また、光源を形成するときの密閉容器の一部を形成できる基板であれば使用できる。特にガラス基板が密閉性に優れ、表面が鏡面となるので好ましい。鏡面とは光が乱反射することなく、光が均一に反射できるように表面が平滑な面をいう。
 ガラス基板としては、蛍光表示管用のガラス板、液晶表示装置用のガラス板として使用されているガラス板を使用することができる。そのようなガラス基板としては、例えば、ソーダライムガラス、ホワイトクラウンガラス、アルミノけい酸ガラス、ホウけい酸ガラス、合成シリカガラス等が挙げられる。
 ガラス基板上には、後述する絶縁隙間、または絶縁隙間および透光隙間を残して基板全面に配線層が形成されている。
 配線層は、電気伝導性を有し、表面が鏡面となる材料であれば使用できる。好ましくは金属薄膜である。この金属薄膜はガラス基板上にスパッタリング法、蒸着法等で形成することができる。金属薄膜の材料としては、アルミニウム、金、銀、銅等が挙げられ、アルミニウムが工業的に利用しやすく、またガラス基板上に薄膜化しやすいので好ましい。
 密閉容器内で本発明の基板を使用する場合、LED素子の放熱性を向上させる目的でガラス基板とアルミニウム薄膜との間に高熱伝導性の層を設けることができる。高熱伝導性の層としては、酸化モリブデン薄膜、チタン薄膜、酸化チタン薄膜、酸化マグネシウム薄膜等を挙げることができる。
 また、密閉容器のガラス基板外側に放熱板を取り付けることができる。
 配線層パターンの平面図を図1Aに、図1AのA部拡大平面図を図1Bにそれぞれ示す。
 LED素子搭載用基板1は、LED素子を搭載できる基板1aの全面に鏡面に配線層2が形成されており、この配線層2にはLED素子を載置する空間3が形成されているとともに、LED素子の端子間を絶縁できる絶縁隙間4が形成されている。この配線層2の端部には給電端子となるリード部6が形成されている。
 絶縁隙間4の幅t1、t2は、給電されるLED素子の端子間が相互に短絡しない範囲で狭くすることが好ましい。例えば、5μm~300μmであることが好ましい。絶縁隙間4の幅を狭くすることにより目視で基板全面が鏡面となる。すなわち、人間の裸眼で基板をみた場合、基板全体が鏡面となる。
 また、絶縁隙間4を設けることにより、例えば配線層2aと配線層2bとは電気的に絶縁されることになる。
 LED素子を載置する空間3は、基板全面の鏡面化を損なわない範囲で、LED素子の種類、平面図でみた大きさおよび形状等により設定することができる。
 図1Bに示すように、平面図でみた搭載されるLED素子7の大きさ以上の空間3とすることにより、搭載されるLED素子7の周囲が透光隙間5となる。
 なお、配線層パターンは公知のフォトリソグラフィ法を用いることにより形成できる。
 本発明で使用できるLED素子は、発光ダイオードとして市販されている発光ダイオードチップ(フリップチップ、ベアチップ)、パッケージされた表面実装タイプの発光ダイオード(チップLED)、半導体レーザチップ等が挙げられる。
 また基板への実装方法として、ワイヤボンディングによる方法、チップ底面に設けられた端子を直接半田付けする方法等がある。
 LED素子の配列方法は、基板の形状に合わせて面状およびアレイ状などに配列して実装できる。また、配列は規則的な整列であってもよいし不規則な配列であってもよい。
 図2Aは図1Aに示すLED素子搭載用基板1上にLED素子が実装された状態を示す平面図であり、図2Bは図2AのB-B断面図である。
 LED素子を搭載できる基板1a上に形成された配線層2は、例えば配線層2aと配線層2bとで絶縁隙間4を介して電気的に絶縁されている。このため、図2Bに示すように、ワイヤボンディング8により配線層2に接続されるLED素子7a、7b、7c、7d、7eは電気的に直列配列となり、リード部6により同時に給電される。
 LED素子7が搭載されたLED素子搭載用基板1は、この状態で光源となり得る。配線層2が全面鏡面となり、かつLED素子7が表面平滑な基板上に搭載されるので光軸が均一となり、さらに基板全面に配設された配線層2が放熱層を形成するので、持続的に一様に発光する面発光光源が得られる。
 LED素子搭載用基板1を用いることで、密閉型のLED光源、およびLEDディスプレイを容易に製造できる。
 密閉型のLED光源の一例を図3に示す。LED光源9は、LED素子7が配設されたLED素子搭載用基板1を密閉容器基板とし、この密閉容器基板の周囲に配されるスペーサガラス11と、光照射面となるフェースガラス10とで箱型の密閉容器を形成する。この箱型密閉容器内に配設されたLED素子7が、矢印で示す出射光12として、図面上方に光を照射することで、照明用LED光源となる。
 箱型密閉容器の形成は、接着剤による接着、または低融点ガラスなどにより、LED素子搭載用基板1、フェースガラス10およびスペーサガラス11を相互に封着することで得られる。密閉容器の内部は酸素ガスおよび水分を除くことが好ましい。酸素ガスおよび水分を除去することで、LED素子7の経時的劣化を防ぎ、LED光源の寿命が向上する。
 低融点ガラスによる封着は430℃~580℃で行ない、密閉容器内部の圧力は大気圧とすることができる。または、封着時に真空ポンプにより、容器内の空気、ガスを排気減圧し、真空容器とすることができる。
 密閉型のLED光源への給電は、箱型密閉容器を形成するときに、ガラス端面からリード部6等を引き出し、外部回路との電気的接続を形成することでなされる。または、異方導電性フィルムとFPCの圧着接合による接続することで電気的接続ができる。
 また、LED素子搭載用基板1の裏面に図示を省略したアルミニウム放熱板を装着することができる。
 図4AはLEDディスプレイの断面図の一例であり、図4Bは図4AのC部拡大断面図である。
 LEDディスプレイ13は、配置されているLED素子7が密閉容器内面側に配置されて前面フェースガラス1aを形成しており、1つのLED素子7より放射される光18は、密閉容器基板1bの光反射面2cで反射されて透光隙間5より放射されるので、前面フェースガラス1aで1つのドットとして視認できる。LED素子7を5×7ドット構成、16×16ドット構成などと配置することで、LEDアレイ、文字表示ディスプレイとできる。
 LEDディスプレイ13においては、図1に示すLED素子4が搭載された基板1aがフェースガラスとなり、光反射面を有する密閉容器基板1bと、スペーサガラス11とで密閉容器が形成される。
 LED素子を搭載できる基板1aは、酸化モリブデンなどの放熱層14、アルミニウム薄膜などの配線層2を順にスパッタリング法、蒸着法等でガラス基板上に形成し、フォトリソグラフィによりパターニングする公知の方法で製造できる。また、配線層2の上であって、1つのドットを形成する領域以外の領域に光遮蔽層15を形成することが好ましい。
 密閉容器基板1bはガラス基板全面にアルミニウム薄膜などの光反射層2c、上記光遮蔽層15に対向する位置に光遮蔽層15aを設けることが好ましい。
 上記構成のLEDディスプレイ13において、LED素子7より発光して出射される光は、配線層2に設けられた透光隙間5より出射光16として出射する。また、一部光18が光遮蔽層15aに吸収される。なお17はLEDディスプレイ13に向かう外光を表す。
 本発明のLED素子搭載用基板を用いたLED光源は、高効率、低消費電力および光軸が均一で安定した光源であるので、携帯電話、家電製品、工業用機器、制御システム、コンピュータ周辺機器などの照明として利用できる。また、LEDディスプレイは視認性に優れたLEDアレイ、文字表示ディスプレイとして利用できる。
 1 LED素子搭載用基板
 2 配線層
 3 LED素子を載置する空間
 4 絶縁隙間
 5 透光隙間
 6 リード部
 7 LED素子
 8 ワイヤボンディング
 9 LED光源
10 フェースガラス
11 スペーサガラス
12 出射光
13 LEDディスプレイ
14 放熱層
15 光遮蔽層
16 出射光
17 LEDディスプレイに向かう外光
18 LED素子より放射される光

Claims (10)

  1.  LED素子を搭載できる基板と、前記LED素子に給電するための配線層とを備えてなるLED素子搭載用基板であって、
     前記配線層は、前記LED素子の端子間を絶縁できる絶縁隙間を残して、前記LED素子が搭載される基板全面に鏡面に形成されていることを特徴とするLED素子搭載用基板。
  2.  前記絶縁隙間とともに、前記LED素子周囲より光が透過できる透光隙間を前記配線層に設けたことを特徴とする請求項1記載のLED素子搭載用基板。
  3.  前記基板が鏡面ガラス基板であり、前記配線層が前記鏡面ガラス基板の鏡面上に形成された給電回路であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のLED素子搭載用基板。
  4.  前記給電回路が前記鏡面ガラス基板上に形成された金属薄膜配線層であることを特徴とする請求項3記載のLED素子搭載用基板。
  5.  前記金属薄膜配線層がアルミニウム薄膜配線層であることを特徴とする請求項4記載のLED素子搭載用基板。
  6.  密閉容器基板とフェースガラスとスペーサガラスとで形成される密閉容器内にLED素子が配設されてなる光源であって、
     前記密閉容器基板が請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のLED素子搭載用基板であることを特徴とするLED光源。
  7.  前記密閉容器内の雰囲気が酸素および水分を含まないことを特徴とする請求項6記載のLED光源。
  8.  前記密閉容器内の雰囲気が真空であることを特徴とする請求項6記載のLED光源。
  9.  密閉容器基板とフェースガラスとスペーサガラスとで形成される密閉容器内にLED素子が配設されてなるLEDディスプレイであって、
     LEDディスプレイの前面フェースガラスは、前記LED素子が密閉容器内面側に配置される請求項2記載のLED素子搭載用基板であり、
     前記密閉容器基板は前記密閉容器内面方向に光を反射できる光反射面を有していることを特徴とするLEDディスプレイ。
  10.  前記フェースガラスとなるLED素子搭載用基板は、前記透光隙間周縁を残して遮光層が形成され、
     前記密閉容器基板は、前記遮光層領域下部に基板遮光層が形成されていることを特徴とする請求項9記載のLEDディスプレイ。
PCT/JP2013/073529 2012-09-04 2013-09-02 Led素子搭載用基板、led光源およびledディスプレイ WO2014038506A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/425,553 US9443831B2 (en) 2012-09-04 2013-09-02 Substrate for mounting LED element, LED light source and LED display
KR1020157008360A KR102102011B1 (ko) 2012-09-04 2013-09-02 Led 소자 탑재용 기판, led 광원 및 led 디스플레이
CN201380046015.5A CN104603964B (zh) 2012-09-04 2013-09-02 Led显示器
JP2014534344A JP6086547B2 (ja) 2012-09-04 2013-09-02 Ledディスプレイ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012194253 2012-09-04
JP2012-194253 2012-09-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014038506A1 true WO2014038506A1 (ja) 2014-03-13

Family

ID=50237115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/073529 WO2014038506A1 (ja) 2012-09-04 2013-09-02 Led素子搭載用基板、led光源およびledディスプレイ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9443831B2 (ja)
JP (1) JP6086547B2 (ja)
KR (1) KR102102011B1 (ja)
CN (1) CN104603964B (ja)
TW (1) TW201424054A (ja)
WO (1) WO2014038506A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104064659A (zh) * 2014-07-18 2014-09-24 中山市奥科特照明电器有限公司 一种led封装方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101698918B1 (ko) * 2015-06-19 2017-01-23 (주)포인트엔지니어링 슬릿을 포함하는 기판
WO2018021859A1 (ko) * 2016-07-27 2018-02-01 현상우 투명 디스플레이장치 및 이의 제조방법
CN107507531A (zh) * 2017-10-15 2017-12-22 张四清 一种新型的智能led显示屏
CN108417700B (zh) * 2018-03-05 2019-10-25 深圳市两岸光电科技有限公司 一种双面出光的led封装结构
CN109994041B (zh) * 2018-04-18 2021-08-17 友达光电股份有限公司 线路基板、显示面板及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007226083A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置
JP2008218610A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2008263083A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Toyoda Gosei Co Ltd 面光源及び液晶表示装置
JP2009231785A (ja) * 2007-04-16 2009-10-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び発光体
JP2010204441A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Noritake Co Ltd 表示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119634A (ja) 2002-09-25 2004-04-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
CN102593311A (zh) * 2011-01-17 2012-07-18 亚世达科技股份有限公司 光源封装结构及其制作方法及液晶显示器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007226083A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置
JP2008218610A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2008263083A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Toyoda Gosei Co Ltd 面光源及び液晶表示装置
JP2009231785A (ja) * 2007-04-16 2009-10-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び発光体
JP2010204441A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Noritake Co Ltd 表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104064659A (zh) * 2014-07-18 2014-09-24 中山市奥科特照明电器有限公司 一种led封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2014038506A1 (ja) 2016-08-08
KR102102011B1 (ko) 2020-04-17
US9443831B2 (en) 2016-09-13
TW201424054A (zh) 2014-06-16
JP6086547B2 (ja) 2017-03-01
CN104603964B (zh) 2018-01-02
CN104603964A (zh) 2015-05-06
US20150255436A1 (en) 2015-09-10
KR20150052198A (ko) 2015-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6086547B2 (ja) Ledディスプレイ
JP6616065B2 (ja) 発光モジュール及びそれに関する照明装置
TWI656300B (zh) 發光裝置
JP5043832B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP5749709B2 (ja) 発光装置
JP2006005290A (ja) 発光ダイオード
KR20080060409A (ko) 반도체 발광소자 패키지
KR101622399B1 (ko) Led 장치
US20070246726A1 (en) Package structure of light emitting device
US10680140B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR101173398B1 (ko) 발광다이오드 수납용 패키지 및 그 제조방법
CN100527455C (zh) 发光体封装装置
JP2008160032A (ja) 発光装置
US20100102339A1 (en) Light emitting diode and led chip thereof
JP3186004U (ja) チップ未封止led照明
JP2004327564A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2016162860A (ja) Led発光装置
JP2014029947A (ja) 発光装置
JP6028443B2 (ja) 発光装置
JP2011044608A (ja) 発光デバイス
US20120051026A1 (en) Method for cooling a light emitting diode with liquid and light emitting diode package using the same
KR101197779B1 (ko) 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법
TWI553384B (zh) 背光模組
KR20120060084A (ko) 광원 모듈
JP2009054891A (ja) 発光素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13835992

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014534344

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14425553

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157008360

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13835992

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1