WO2014021424A1 - 異方性導電フィルムの製造方法、異方性導電フィルム、及び接続構造体 - Google Patents

異方性導電フィルムの製造方法、異方性導電フィルム、及び接続構造体 Download PDF

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WO2014021424A1
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    • H01L2224/29324—Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29357—Cobalt [Co] as principal constituent
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    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936—Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29371—Chromium [Cr] as principal constituent
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    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
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    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
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    • H01L2224/29399—Coating material
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Definitions

  • the present invention relates to a method for producing an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive film, and a connection structure, and in particular, excellent dispersibility of conductive particles and particle trapping properties.
  • the present invention relates to a method for producing an anisotropic conductive film capable of maintaining the property, an anisotropic conductive film, and a connection structure.
  • This application includes Japanese Patent Application No. 2012-171331 filed on August 1, 2012 in Japan, and Japanese Patent Application No. 2013-160116 filed on August 1, 2013 in Japan. No. 2013-160117 and Japanese Patent Application No. 2013-160118, and claims priority, and these applications are incorporated herein by reference.
  • An anisotropic conductive film is formed by dispersing conductive particles in an insulating binder resin that functions as an adhesive.
  • a normal anisotropic conductive film is formed in a sheet shape by applying a binder resin composition in which conductive particles are dispersed on a base film.
  • a binder resin composition in which conductive particles are dispersed on a base film.
  • the conductive particles are kept dispersed in the binder resin and kept in an electrically insulated state, so that electrical conduction is achieved only in the portion where the bump is present.
  • the thickness of the anisotropic conductive film is set to be equal to or higher than the height of the bump of the electronic component or the electrode of the wiring board, and an excess adhesive component is cast around the electrode by pressing of the heating and pressing head. .
  • the blending amount of the conductive particles is often 5 to 15% by volume based on the volume of the adhesive component. This is because when the blending amount of the conductive particles is less than 5% by volume, the amount of conductive particles existing between the bump and the electrode terminal (this is generally referred to as “particle trapping rate”) decreases, and the conduction reliability is reduced. This is because, if the blending amount exceeds 15% by volume, the conductive particles exist in a continuous state between adjacent electrode terminals, which may cause a short circuit.
  • an adhesive layer is provided on a biaxially stretchable film to form a laminate, and after the conductive particles are densely packed, the conductive particle-adhered film has an average interval between the conductive particles.
  • a method for producing an anisotropic conductive film that is biaxially stretched and held so as to be 1 to 5 times the particle diameter and 20 ⁇ m or less, and transferred to an insulating adhesive sheet.
  • Patent Document 2 describes an anisotropic conductive film in which conductive particles are unevenly distributed according to a pattern of a connection object.
  • Patent Document 1 it is difficult to densely pack conductive particles in the process before biaxial stretching, and there is a defect that a sparse part that is not filled with particles is easily formed. If biaxial stretching is performed in this state, a large space is formed in which no conductive particles are present, and the particle trapping property between the bumps of the electronic component and the electrode terminals of the wiring board is lowered, which may cause poor conduction. . In addition, it was difficult to stretch uniformly and accurately with two axes.
  • the present invention provides a method for producing an anisotropic conductive film that is excellent in dispersibility and particle trapping properties of conductive particles and can maintain conduction reliability even between terminals with a narrow pitch, and anisotropic conductive film.
  • An object is to provide a film and a connection structure.
  • an aspect of the present invention provides a method for producing an anisotropic conductive film containing conductive particles, in the groove of the sheet in which a plurality of grooves continuous in the same direction are formed.
  • the resin layer of the film is laminated, the conductive particles are transferred to the resin layer of the first resin film, and the first resin film is transferred to the resin layer.
  • the resin layer of the first resin film which is uniaxially stretched in a direction excluding the direction orthogonal to the arrangement direction of the conductive particles and further has the conductive particles disposed thereon, is light or thermosetting on the base film. Second with resin layer formed Laminating the resin film.
  • Another aspect of the present invention is an anisotropic conductive film comprising at least two layers, a first resin layer constituting one layer and a second laminated on the first resin layer. And a plurality of conductive particles in contact with at least the first resin layer among the first resin layer and the second resin layer, wherein the conductive particles include the first resin layer A plurality of particle rows regularly arranged in the first direction in the resin layer are provided in parallel in a second direction different from the first direction, and the first resin layer is The portion between the conductive particles in the first direction is formed thinner than the portion between the conductive particles in the second direction.
  • Another aspect of the present invention is a connection structure using the above anisotropic conductive film for connecting electronic components.
  • the first resin film to which the conductive particles are transferred is uniaxially stretched so that the conductive particles are aligned. Can be dispersed. Therefore, the conductive particles to be contained in the anisotropic conductive film are sufficient in the minimum amount necessary for uniformly dispersing the entire surface of the film, and do not need to be contained excessively. Further, the anisotropic conductive film does not cause a short circuit between terminals due to excessive conductive particles. In addition, since the conductive particles are uniformly dispersed in the anisotropic conductive film, conduction can be ensured even in the electrode terminals with a narrow pitch.
  • the position of the uniformly dispersed conductive particles can be reliably controlled. Conduction can be reliably achieved.
  • connection structure Furthermore, according to another aspect of the present invention, it is possible to ensure good connectivity between the substrate of the connection structure and the electronic component, and to improve connection reliability over a long period of time.
  • FIG. 1A and 1B are side views showing an example in which conductive particles are filled and arranged in a groove of a sheet.
  • 2A to 2D are cross-sectional views showing a manufacturing process of an anisotropic conductive film to which the present invention is applied.
  • 3A to 3D are perspective views showing various groove patterns of the sheet.
  • 4A to 4J are cross-sectional views showing various groove shapes of the sheet.
  • FIG. 5 is a plan view showing a stretching process of the first resin film.
  • FIG. 6 is a plan view showing a stretching process of the first resin film.
  • FIG. 7 is a partial perspective view of the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention.
  • 8A is a sectional view taken along the line PP of FIG. 7, and FIG.
  • FIG. 8B is a sectional view taken along the line QQ of FIG.
  • FIG. 9 is a plan view showing an arrangement state of conductive particles of the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a connection structure to which the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention is applied.
  • 11A and 11B are schematic configuration diagrams of a guide body used in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12: is sectional drawing which shows schematic structure of the sheet
  • FIG. 13 is sectional drawing explaining the operation
  • FIG. 14 is a top view which shows the arrangement
  • FIGS. 15A to 15C are cross-sectional views illustrating a process of filling conductive particles applied in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a top view which shows the arrangement
  • FIG. 17 is a top view which shows the arrangement
  • the sheet 2 formed with a plurality of continuous grooves in the same direction is, for example, a resin sheet in which predetermined grooves 10 are formed.
  • a groove pattern is formed in a state where pellets are melted. It can be formed by a method of transferring the predetermined groove 10 by pouring into a mold, cooling and solidifying.
  • seat 2 can be formed by the method of transferring by heating the metal mold
  • any material that can be melted by heat and transfer the shape of the mold on which the pattern of the grooves 10 is formed can be used.
  • seat 2 has solvent resistance, heat resistance, and mold release property.
  • a resin sheet include polypropylene, polyethylene, polyester, PET, nylon, ionomer, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, polyacrylonitrile, ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene vinyl alcohol copolymer, and ethylene methacrylate copolymer.
  • a thermoplastic resin film such as a polymer can be exemplified. Or the prism sheet
  • the pattern of the grooves 10 formed in the sheet 2 includes a plurality of grooves that are continuous in the same direction and are adjacent to each other in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the grooves.
  • the groove 10 may be continued along the longitudinal direction of the sheet 2 as shown in FIG. 3A, or may be continued along the direction oblique to the longitudinal direction of the sheet 2 as shown in FIG. 3B. Also good. Further, the groove 10 may meander along the longitudinal direction of the sheet 2 as shown in FIG. 3C, or may continue in a rectangular wave shape along the longitudinal direction of the sheet 2 as shown in FIG. 3D. .
  • the groove 10 can be formed in any pattern such as a zigzag shape or a lattice shape.
  • the shape of the groove 10 can take various shapes as illustrated in FIGS. 4A to 4J.
  • each dimension of the groove 10 is determined in consideration of ease of filling of the conductive particles 3 and ease of transfer of the filled conductive particles 3 to the first resin film 4. If the groove 10 is too large with respect to the particle diameter of the conductive particles 3, it becomes difficult to hold the conductive particles in the groove 10, resulting in insufficient filling, and the groove 10 is too small with respect to the particle diameter of the conductive particles 3. In addition, the conductive particles 3 do not enter and the filling becomes insufficient, and the conductive particles 3 fit into the groove 10 and cannot be transferred to the first resin film 4.
  • the groove 10 has a width W of 1 to less than 2.5 times the particle diameter of the conductive particles 3 and a depth D of 0.5 to 2 times the particle diameter of the conductive particles 3. It is formed.
  • the groove 10 has a width W of 1 to less than 2 times the particle diameter of the conductive particles 3 and a depth D of 0.5 to 1.5 times the particle diameter of the conductive particles 3. Is preferred.
  • any well-known electroconductive particle currently used in the anisotropic conductive film can be mentioned.
  • the conductive particles 3 include particles of various metals and metal alloys such as nickel, iron, copper, aluminum, tin, lead, chromium, cobalt, silver, and gold, metal oxide, carbon, graphite, glass, ceramic, Examples thereof include those in which the surface of particles such as plastic is coated with metal, or those in which the surface of these particles is further coated with an insulating thin film.
  • examples of the resin particle include an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, an acrylonitrile / styrene (AS) resin, a benzoguanamine resin, a divinylbenzene resin, a styrene resin, and the like. Can be mentioned.
  • Such conductive particles 3 are arranged along the grooves 10 by filling the grooves 10 of the sheet 2.
  • the conductive particles 3 are filled in the groove 10 by a squeegee 12 that is in close contact with the surface of the sheet 2 as shown in FIG. 1A.
  • the sheet 2 is disposed on the inclined surface 13 and is conveyed downward as indicated by an arrow D in FIG. 1A.
  • the conductive particles 3 are supplied upstream of the squeegee 12 in the conveyance direction of the sheet 2 and are filled and arranged in the grooves 10 as the sheet 2 is conveyed.
  • the conductive particles 3 are supplied upstream of the squeegee 12 of the sheet 2 conveyed above the inclined surface 13 indicated by the arrow U, and the grooves are formed along with the conveyance of the sheet 2.
  • 10 may be filled and arranged.
  • the conductive particles 3 are sprinkled on the surface of the sheet 2 on which the groove 10 is formed, and then ultrasonic vibration, wind power, static electricity, the back surface of the sheet 2.
  • the grooves 10 may be filled and arranged by applying one or more external forces such as a magnetic force from the side.
  • the conductive particles 3 may be filled in the grooves 10 and arranged in a wet state (wet type) or may be treated in a dry state (dry type).
  • the first resin film 4 laminated on the sheet 2 in which the conductive particles 3 are filled and arranged in the grooves 10 is a thermosetting in which a light or thermosetting resin layer 5 is formed on a stretchable base film 6. Or UV curable adhesive film.
  • the conductive particles 3 arranged in the pattern of the grooves 10 are transferred to form the anisotropic conductive film 1.
  • the first resin film 4 is formed by applying a normal binder resin (adhesive) containing, for example, a film-forming resin, a thermosetting resin, a latent curing agent, a silane coupling agent or the like on the base film 6.
  • a normal binder resin adheresive
  • the resin layer 5 is formed and molded into a film shape.
  • the stretchable base film 6 is formed, for example, by applying a release agent such as silicone to PET (Poly Ethylene Terephthalate), OPP (Oriented Polypropylene), PMP (Poly-4-methlpentene-1), PTFE (Polytetrafluoroethylene) or the like.
  • a release agent such as silicone to PET (Poly Ethylene Terephthalate), OPP (Oriented Polypropylene), PMP (Poly-4-methlpentene-1), PTFE (Polytetrafluoroethylene) or the like.
  • the film forming resin constituting the resin layer 5 is preferably a resin having an average molecular weight of about 10,000 to 80,000.
  • the film forming resin include various resins such as an epoxy resin, a modified epoxy resin, a urethane resin, and a phenoxy resin. Among these, phenoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of film formation state, connection reliability, and the like.
  • thermosetting resin is not particularly limited, and examples thereof include commercially available epoxy resins and acrylic resins.
  • the epoxy resin is not particularly limited.
  • naphthalene type epoxy resin biphenyl type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin.
  • an acrylic compound, liquid acrylate, etc. can be selected suitably.
  • what made acrylate the methacrylate can also be selected from methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropy
  • the latent curing agent is not particularly limited, and examples thereof include various curing agents such as a heat curing type and a UV curing type.
  • the latent curing agent does not normally react, but is activated by various triggers selected according to applications such as heat, light, and pressure, and starts the reaction.
  • the activation method of the thermal activation type latent curing agent includes a method of generating active species (cation, anion, radical) by a dissociation reaction by heating, etc., and it is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, and epoxy at high temperature
  • active species cation, anion, radical
  • Thermally active latent curing agents include imidazole, hydrazide, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amine imides, polyamine salts, dicyandiamide, etc., and modified products thereof. The above mixture may be sufficient. Among these, a microcapsule type imidazole-based latent curing agent is preferable.
  • the silane coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy type, an amino type, a mercapto sulfide type, and a ureido type. By adding the silane coupling agent, the adhesion at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.
  • the 1st resin film 4 is good also as a structure which provides a cover film in the surface opposite to the surface where the base film 6 of the resin layer 5 was laminated
  • the shape of the 1st resin film 4 is although it does not specifically limit, It can cut and use only predetermined length by setting it as the elongate sheet shape which can be wound around a winding reel.
  • the second resin film 7 laminated on the first resin film 4 to which the conductive particles 3 are transferred is also light or thermosetting on the base film 9 in the same manner as the first resin film 4. It is a thermosetting or ultraviolet curable adhesive film on which the resin layer 8 is formed.
  • the resin layer 8 of the second resin film 7 can be the same as the resin layer 5 of the first resin film 4, and the base film 9 can be the same as the base film 6 of the first resin film 4. Can be used.
  • the second resin film 7 constitutes the anisotropic conductive film 1 together with the first resin film 4 by being laminated on the first resin film 4 to which the conductive particles 3 are transferred.
  • an anisotropic conductive film 1 is sandwiched between, for example, a bump of an electronic component and an electrode terminal of a wiring board, and is heated by a heating press head (not shown).
  • the conductive particles 3 are fluidized by heating and pressurization and are crushed between the bumps and the electrode terminals, and are cured in a state where the conductive particles 3 are crushed by heating or ultraviolet irradiation.
  • the anisotropic conductive film 1 electrically and mechanically connects the electronic component and the wiring board.
  • the conductive particles 3 are filled and arranged in the grooves 10 of the sheet 2 in which the grooves 10 are formed in a predetermined pattern (see FIGS. 1A and 1B).
  • a method using a squeegee a method of applying one or more external forces such as ultrasonic vibration, wind force, static electricity, magnetic force from the back side of the sheet 2, or the like is used. be able to.
  • the resin layer 5 of the first resin film 4 is laminated on the surface of the sheet 2 on the side where the conductive particles 3 are arranged (see FIG. 2A).
  • Laminating is performed by placing the resin layer 5 on the surface of the sheet 2 and then pressing it at a low pressure with a heating and pressing head, and by appropriately applying heat for a short time at a temperature at which the binder resin exhibits tackiness but does not start thermosetting. Do.
  • the conductive particles 3 are transferred to the first resin film 4 by peeling the sheet 2 and the first resin film 4 (see FIG. 2B). ).
  • the conductive particles 3 are arranged on the surface of the resin layer 5 in a pattern corresponding to the pattern of the grooves 10.
  • the first resin film 4 is uniaxially stretched in a direction excluding a direction orthogonal to the arrangement direction of the conductive particles 3 (see FIG. 2C).
  • the conductive particles 3 are dispersed.
  • the direction orthogonal to the arrangement direction of the conductive particles 3 is excluded from the stretching direction because the conductive particles 3 are already separated by arranging the direction according to the pattern of the grooves 10.
  • the 1st resin film 4 can isolate
  • FIG. 5 it is preferable to extend in the direction of arrow A in the figure, and not in the direction of arrow Z.
  • FIG. 6 it is preferable to extend
  • the stretching of the first resin film 4 can be performed by, for example, stretching 200% in a uniaxial direction in an oven at 130 ° C. using a pantograph type stretching machine. Further, by uniaxially stretching the first resin film 4 in the longitudinal direction, it can be stretched accurately and easily.
  • the resin layer 8 of the second resin film 7 is laminated on the resin layer 5 of the first resin film 4 on which the conductive particles 3 are arranged (see FIG. 2D).
  • the resin layer 8 is disposed on the surface of the resin layer 5 of the first resin film 4, and then pressed at a low pressure by a heating press head, and the binder resin appropriately exhibits tackiness. It is performed by applying heat and pressure in a short time at a temperature at which thermosetting does not start.
  • the anisotropic conductive film 1 is manufactured. According to the anisotropic conductive film 1, since the conductive particles 3 are arranged in advance according to the pattern of the groove 10 of the sheet 2, the first resin film 4 to which this is transferred is uniaxially stretched. Thus, the conductive particles 3 can be uniformly dispersed. Therefore, the conductive particles 3 to be contained in the anisotropic conductive film 1 are sufficient in the minimum amount necessary for uniformly dispersing the entire surface of the film, and do not need to be contained excessively. Further, the anisotropic conductive film 1 does not cause a short circuit between terminals due to excessive conductive particles 3. Further, since the conductive particles 3 are uniformly dispersed in the anisotropic conductive film 1, conduction can be reliably achieved even at electrode terminals with a narrow pitch.
  • the stretch ratio is not particularly limited. That is, when the first resin film 4 including the first resin layer 5 to which the conductive particles 3 are transferred is uniaxially stretched in a direction excluding the direction orthogonal to the arrangement direction of the conductive particles 3, 150% It is also possible to produce the anisotropic conductive film 1 by stretching it uniaxially for a longer time. In the present embodiment, as described in the examples described later, when the first resin film 4 is uniaxially stretched, it has been confirmed that the stretch ratio can be applied up to 700%. Moreover, the manufacturing method of the anisotropic conductive film 1 which concerns on the 1st Embodiment of this invention is not limited to 700% or less.
  • the short-circuit occurrence rate in the anisotropic conductive film 1 can be reduced by uniaxially stretching longer than 150% of the original length of the first resin film 4.
  • the anisotropic conductive film manufacturing method according to the present embodiment is also applied when manufacturing an anisotropic conductive film used in a connection structure or the like in which the distance between electrode terminals is a certain size or more.
  • an anisotropic conductive film that ensures conduction between terminals can be manufactured. That is, the method for producing an anisotropic conductive film according to the present embodiment can be applied to a method for producing an anisotropic conductive film other than the fine pitch correspondence method.
  • FIG. 7 is a partial perspective view of the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 8A is a sectional view taken along the line PP of FIG. 7
  • FIG. 9 is a Q sectional view
  • FIG. 9 is a plan view showing an arrangement state of conductive particles of the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention.
  • the anisotropic conductive film 1 of this embodiment is composed of two or more film layers including a first resin film 4 and a second resin film 7, as shown in FIG.
  • the first resin film 4 is a resin film formed into a film shape while a resin layer (first resin layer) 5 is formed by applying a binder resin (adhesive) on the base film 6. is there.
  • the second resin film 7 is a thermosetting or ultraviolet curable adhesive film in which a light or thermosetting resin layer (second resin layer) 8 is formed on a base film 9, and has a plurality of conductive properties. It is a resin film laminated on the first resin film 4 including the first resin layer 5 to which the particles 3 are transferred.
  • the anisotropic conductive film 1 of the present embodiment is formed by laminating the second resin film 7 on the first resin film 4 and between the first resin layer 5 and the second resin layer 8. In this configuration, a plurality of conductive particles 3 are held.
  • the anisotropic conductive film 1 includes a first resin film 4 composed of the first resin layer 5 and the base film 6, and a second resin layer 8 composed of the second resin layer 8 and the base film 9. Although it is composed of two layers of the resin film 7, the anisotropic conductive film 1 only needs to be composed of at least two layers. For example, another resin layer such as a third resin layer is laminated.
  • the anisotropic conductive film 1 which concerns on one Embodiment of this invention is applicable also to the anisotropic conductive film of a structure.
  • the conductive particles 3 are formed in the first resin layer 5 so as to be regularly arranged in the X direction (first direction). Moreover, these particle
  • the first resin layer 5 is a convex portion 14 formed in a ridge shape so that the rows of the particle rows 5a extend in the X direction. ing. That is, in the first resin layer 5, convex portions 14 extending in the X direction are formed at predetermined intervals in the Y direction.
  • groove-shaped concave portions 15 extending in the X direction are formed between the convex portions 14, and the conductive particles 3 are formed in the concave portions 15.
  • the directivity between the X direction (first direction) and the Y direction (second direction) may appear as an optical difference. This is because the first resin layer 5 is stretched in the X direction, so that there are not a few gaps in the shape of grooves between the conductive particles 3. This gap is a clearance 16 described later. Such voids are generated when the conductive particles 3 are stretched in a linear array.
  • At least one substantially linear shape in the vicinity of the conductive particles 3 at the time of stretching is not provided with or close to the first resin layer 5, and this is the movement of the conductive particles 3 during compression bonding. Affects sex. This is also related to the concave portion 15 and the convex portion 14 described later.
  • the clearance 16 is a void generated when the first resin film 4 is stretched, the thickness of the first resin layer 5 in the stretching direction near the conductive particles 3 is like a steep cliff.
  • a new state will occur. As described above, since this state occurs in the extending direction of the first resin film 4, between the conductive particles 3 in the first direction, as shown in FIG.
  • the cliffs 5c and 5d are in a state where the conductive particles 3 are held. Thereby, the direction in which the electroconductive particle 3 moves at the time of joining will depend.
  • the X direction indicates the longitudinal direction of the anisotropic conductive film 1
  • the Y direction (second direction) indicates the width direction of the anisotropic conductive film 1. It shall be shown.
  • the first resin layer 5 is formed with the plurality of convex portions 14 and the concave portions 15 in parallel so as to extend in the X direction. Since the plurality of conductive particles 3 are regularly arranged in each recess 15, a clearance 16 is formed between the conductive particles 3 constituting the particle row 3 a in the recess 15. As shown in FIG. 8B, the second resin layer 8 has entered the clearance 16. In this way, the conductive particles 3 are dispersed and held between the first resin layer 5 and the second resin layer 8. In the present embodiment, the conductive particles 3 are dispersed and held between the first resin layer 5 and the second resin layer 8, but the conductive particles 3 are transferred when transferred.
  • the anisotropic conductive film 1 of the present embodiment has a configuration in which the conductive particles 3 are in contact with at least only the first resin layer 5 out of the first resin layer 5 and the second resin layer 8. Including. Even in this case, the first resin layer 5 in the vicinity of the conductive particles 3 is in a state where there are two identical cliff portions 5c and 5d in a substantially straight line shape. This is for the reason described above.
  • the anisotropic conductive film 1 since the position control of the uniformly dispersed conductive particles 3 can be reliably performed in the anisotropic conductive film 1 corresponding to the narrow pitch, conduction between the narrow pitch terminals is performed. Can be achieved reliably.
  • the anisotropic conductive film 1 in order to maintain the connection reliability of the anisotropic conductive film 1, has an interval between the conductive particles 3 in the X direction and a distance between the conductive particles 3 in the Y direction. For example, it is desirable to have a configuration that is approximately half the diameter of the conductive particles 3.
  • FIG. 2 in the process of manufacturing the anisotropic conductive film 1, when the first resin film 4 is uniaxially stretched in a direction excluding the direction orthogonal to the arrangement direction of the conductive particles 3, FIG. As shown in FIG. 2, a groove-shaped recess 15 extending in the X direction is formed in the first resin layer 5 to which the conductive particles 3 are transferred. Then, along with the formation of the concave portion 15, the convex portion 14 extending in the X direction is formed in the first resin layer 5.
  • the first resin layer 5 of the anisotropic conductive film 1 is such that the portion 5a between the conductive particles 3 in the X direction is the conductive particles 3 in the Y direction.
  • the structure is thinner than the intermediate portion 5b.
  • the 2nd resin layer 8 has penetrate
  • the first resin film 4 is stretched twice the original length, that is, 200% stretch.
  • the anisotropic conductive film 1 has the first resin film 4 in which the conductive particles 3 are transferred to the first resin layer 5 orthogonal to the arrangement direction of the conductive particles 3. It is formed by laminating the second resin film 7 including the second resin layer 8 after uniaxially stretching in a direction excluding the direction at least 150% of the original length. For this reason, as shown in FIG. 9, the conductive particles 3 are regularly arranged in a substantially straight line so as to extend in the first direction (X direction) in the recess 15, and the first resin It is held between the layer 5 and the second resin layer 8. These may be arranged at predetermined intervals.
  • the position control of the uniformly dispersed conductive particles 3 can be performed reliably, and conduction between the narrow pitch terminals can be ensured.
  • the “arranged substantially linearly” described above is arranged in a state where the displacement of the arrangement of the conductive particles 3 in the width direction (Y direction) of the recess 15 falls within a range of 1/3 or less of the particle diameter. That means.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a connection structure to which the anisotropic conductive film according to the first embodiment of the present invention is applied.
  • a connection structure 50 according to the first embodiment of the present invention includes, for example, an electronic component 52 such as an IC chip via a flexible wiring board or a liquid crystal via the anisotropic conductive film 1 described above, as shown in FIG. Electrically and mechanically connected and fixed on a substrate 54 such as a panel. Bumps 56 are formed on the electronic component 52 as connection terminals. On the other hand, an electrode 58 is formed on the upper surface of the substrate 54 at a position facing the bump 56.
  • the anisotropic conductive film 1 serving as an adhesive is provided. Intervene. In the part where the bump 56 and the electrode 58 face each other, the conductive particles 3 contained in the anisotropic conductive film 1 are crushed to achieve electrical conduction. At the same time, mechanical bonding between the electronic component 52 and the substrate 54 is also achieved by the adhesive component constituting the anisotropic conductive film 1.
  • connection structure 50 is provided with the substrate 54 on which the electrode 58 is formed and the bump 56 by the anisotropic conductive film 1 that obtains high adhesive strength in a state where stress is relaxed.
  • the electronic component 52 is connected. That is, the anisotropic conductive film 1 according to the present embodiment is used to connect the electronic component 52 of the connection structure 50 and the substrate 54.
  • the convex portions 14 and the concave portions 15 are formed in the first resin layer 5, and the conductive particles 3 are regularly formed in the concave portions 15.
  • the arrayed material is laminated with the second resin layer 8 and held by both resin layers 5 and 8. This regularity may be arranged at predetermined intervals. For this reason, each electroconductive particle 3 becomes difficult to move to the horizontal direction in FIG. For this reason, the movement of the conductive particles 3 at the time of joining depends on the space between the conductive particles 3, that is, the clearance 16, and the elements governed by the shape are large.
  • connection structure 50 with high conduction reliability can be manufactured.
  • Specific examples of the connection structure 50 according to the present embodiment include a semiconductor device, a liquid crystal display device, and an LED lighting device.
  • FIG. 11A and 11B are schematic configuration diagrams of a guide body used in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 12 shows the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a groove
  • FIG. 11A schematically shows the contact surface side with the conductive particles, which is a characteristic part of the guide body used in the second embodiment of the present invention
  • FIG. FIG. 13 schematically shows a cross-section of a guide body used in the second embodiment
  • FIG. 13 shows a cross-sectional view of an operation state in which conductive particles are embedded and arranged in a groove of a sheet.
  • the guide body 112 used in the present embodiment has a plurality of protrusions 112b that can be guided to the groove 110 (see FIG. 12) of the sheet 102 on the contact surface 112a with the conductive particles 103. 112 in the width direction, that is, the E direction shown in FIG. 11A. Further, as shown in FIG. 11A, these protrusions 112b are provided at predetermined intervals so as to extend in the length direction of the contact surface 112a of the guide body 112, that is, in the F direction shown in FIG. 11A. .
  • the manufacturing method of the guide body 112 may be substantially the same as that of the sheet 102, and the material of the guide body 112 may be the same as that of the sheet 102.
  • the shape of the protrusions 112b is arranged on the installed contact surface side as shown in FIG. 11B in order to facilitate the distribution of the flowing conductive particles 103. It has a substantially triangular pyramid shape that tapers from the proximal end 112b1 to the distal end 112b2.
  • the guide body 112 is moved in the length direction (F direction) by forming the protrusion 112b to be tapered from the base end portion 112b1 to the tip end portion 112b2.
  • the shape of the protrusion 112b is not limited to a substantially triangular pyramid shape as long as the shape is tapered from the base end portion 112b1 to the tip end portion 112b2.
  • other shapes such as a conical shape and a truncated cone shape are also applicable. It is.
  • the shape of the protrusion 112b is not limited to a straight line, and the curve may be partially or entirely included.
  • a side wall 112c that is substantially the same as or slightly lower than the height of the protrusion 112b is provided on the edge side of the contact surface 112a of the guide body 112.
  • the protrusions 112b are provided at predetermined intervals in the width direction (E direction) of the guide body 112, and a clearance 112d is formed between the protrusions 112b.
  • the interval between the protrusions 112b in the width direction of the guide body 112 is the interval between the base end portions 112b1 of the protrusions 112, that is, the width W1 of the base end portion 112d1 of the clearance portion 112d.
  • the width W is substantially the same as 110 (see FIG. 12).
  • the guide body 112 has a configuration in which the distance between the leading end portions 112b2 of the protruding portions 112b, that is, the width W2 of the leading end portion 112d2 of the clearance portion 112d is larger than the width W of the groove 110 of the sheet 102.
  • the conductive particles 103 introduced between the protrusions 112b when the guide body 112 is used to fill the grooves 110 of the sheet 102 with the conductive particles 103 are used. Is distributed by the slope 112c of the protrusion 112b of the guide body 112. Then, after the distributed conductive particles 103 are guided to the clearance 112d between the protrusions 112b, the conductive particles 103 flow in the length direction (F direction) of the contact surface 112a of the guide body 112, and the groove 110 of the sheet 102 Will be guided to.
  • the conductive particles 103 are embedded and arranged in the grooves 110 of the sheet 102, the conductive particles 103 are easily guided into the grooves 110 of the sheet 102, so that the filling efficiency of the grooves 102 of the sheet 102 is improved. .
  • a sheet 102 in which the depth D of the groove 110 is formed smaller than the diameter of the conductive particles 103 is used.
  • a groove 110 having a depth D that is about 1/3 to 1/2 of the conductive particle diameter 103 is formed in the sheet 102.
  • the width W of the groove 110 is substantially the same as the diameter of the conductive particles 103 and is somewhat larger.
  • the sheet 102 is used in which the depth D of the groove 110 is smaller than the diameter of the conductive particles 103 and the width W of the grooves 110 is substantially the same as the diameter of the conductive particles 103 and is somewhat larger. Accordingly, when the conductive particles 103 are transferred to the resin layer 105 (see FIG.
  • the contact area with the resin layer 105 is increased, so that transfer efficiency is improved.
  • the groove 110 of the sheet 102 is shallow, when the conductive particles 103 are transferred to the resin layer 105, no excessive stress is applied to the conductive particles 103, so that the conductive particles 103 are hardly damaged. .
  • a guide body 112 is used in which a plurality of protrusions 112b that can be guided to the grooves 110 of the sheet 102 are provided at predetermined intervals on the contact surface 112a with the particles 103.
  • the leading end 112 b 2 of the protrusion 112 b of the guide body 112 is interposed between the grooves 110 of the sheet 102 as shown in FIG. It is made to contact
  • the conductive particles 103 are arranged in the grooves 110 of the sheet 102 while using the guide body 112 having the protrusions 112b formed on the contact surface 112a to arrange the conductive particles 103 in the grooves 110. Fill. At this time, the excess conductive particles 103 filled in the grooves 110 of the sheet 102 are removed by the protrusions 112b of the guide body 112. Therefore, even if the sheet 102 having a shallow groove 110 is used, the necessary amount of conductive particles 103 is obtained.
  • the conductive particles 103 can be arranged in the grooves 110.
  • the conductive particle 103 is damaged by using the sheet 102 of the groove 110 having a depth D smaller than the diameter of the conductive particle 103 and the guide body 112 having the protrusion 112b on the contact surface 112a.
  • the transfer efficiency of the conductive particles 103 to the resin layer 105 can be increased. For this reason, it is possible to improve the quality of the anisotropic conductive film 101 while improving the production efficiency of the anisotropic conductive film 101.
  • the conductive particles 103 when the conductive particles 103 are transferred to the resin layer 105 of the first resin film 104, the sheet 102 of the shallow groove 110 is used, so that the conductive particles 103 are firmly in the groove 110. It is transferred to the resin layer 105 without being fixed. Therefore, as shown in FIG. 14, the particle row 103 a extends in the first direction (A direction shown in FIG. 14) which is the length direction of the anisotropic conductive film 101 in the resin layer 105.
  • the conductive particles 103 are arranged so as to be shifted in the width direction (B direction) of the concave portions 115 formed in the resin layer 105. Specifically, as shown in FIG. 14, the conductive particles 103 are randomly arranged in the width direction so that the displacement of the conductive particles 103 is within a range of 1.5 times the particle diameter.
  • FIGS. 15A to 15C are cross-sectional views showing a filling step of conductive particles applied in the method for manufacturing an anisotropic conductive film according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 16 shows the third embodiment of the present invention. It is a top view which shows the arrangement
  • the electrodes 220 provided on the sheet 202 at predetermined intervals so as to extend in the length direction of the sheet 202 (A direction shown in FIG. 16).
  • This gap is used as a groove 210 into which conductive particles 203 are filled, and a magnetic force is generated in each electrode 220.
  • electrodes 220 extending in the length direction (A direction) of the sheet 202 are arranged at predetermined intervals in the width direction of the sheet 202 (B direction shown in FIG. 16). A plurality are provided.
  • a magnetic force is generated by energizing each electrode 220.
  • the conductive particles 203 are attracted to the electrodes 220, and the conductive particles 203 can be provided substantially linearly in the grooves 210 between the electrodes.
  • the transfer of the conductive particles 203 can be appropriately controlled by adjusting the strength of the magnetic force generated in the electrode 220.
  • the magnetic force by the electrode 220 for example, by providing the conductive particles 203 between the arrangement of the electrodes 220 with a constant magnetic force, by applying a stronger magnetic force to the opposite surface of the transfer body at the time of transfer.
  • a measure for appropriately adjusting the magnetic force acting on the conductive particles 203 may be used.
  • a squeegee 212 for filling the grooves 210 with the conductive particles 203 is provided.
  • the squeegee 212 moves in the length direction of the electrode 220 (A direction shown in FIG. 16) while abutting each electrode 220, thereby removing excess conductive particles 203 attached on the electrode 220, The conductive particles 203 are filled into the grooves 210.
  • a squeegee 212 made of a conductive metal or the like is used in order to maintain the magnetic force generated in each electrode 210.
  • the material of the squeegee 212 is not particularly limited as long as it is made of a material such as metal to which chargeability is imparted.
  • the electrode 210 when the electrode 210 is provided on the sheet 203 to fill the groove 210 of the sheet 202 with the conductive particles 203, first, the length direction of the electrode 210 is between the electrodes 210. Magnetic force is generated in the C direction (see FIG. 15A) which is perpendicular to the width direction (B direction) (A direction shown in FIG. 16) and the width direction (B direction).
  • the conductive particles 203 can be reliably attached to the electrodes 220 without applying excessive stress to the conductive particles 203. And the electroconductive particle 203 adhering to these electrodes 220 comes to be filled into the groove
  • the conductive particles 203 are attached to the electrode 220 by generating a magnetic force in the electrode 220, the conductive particles 203 filled in the groove 210 are formed in the groove 110 as shown in FIG. 15A. It adheres to either of the side walls 120a and 120b of the electrode 120 that constitutes the side wall. For this reason, even after extending
  • the excess conductive particles 203 on the electrode 220 are then removed with the squeegee 212 as shown in FIG. 15B.
  • the surface of the conductive particles 203 may be slightly damaged, but the anisotropic conductive film 201 after completion may be damaged. It is not a damage to the extent that it interferes with performance such as conduction reliability.
  • the unnecessary conductive particles 203 are removed by the squeegee 212 to arrange the necessary conductive particles 203, the filling of the conductive particles 203 into the grooves 210 of the sheet 202 is completed as shown in FIG. 15C.
  • the conductive particles are generated without applying extra stress after the magnetic force is generated in the electrodes 220 by energization or the like.
  • the magnetic force generated by 203 is attracted to the electrode 220.
  • the conductive particles 203 are filled into the grooves 210 while removing the excessive conductive particles 203 with the conductive squeegee 212.
  • the conductive particles 203 filled in the grooves 210 of the sheet 202 are transferred to the first resin film 204 (see FIG. 17).
  • the conductive particles 203 can be efficiently and reliably filled into the grooves 210 of the sheet 202.
  • the filling efficiency of the grooves 202 of the sheet 202 used when the conductive particles 203 are transferred can be increased.
  • the anisotropic conductive film is elongated as compared with the first and second embodiments. Can also be applied to the efficient production.
  • the conductive particles 203 filled in the grooves 210 of the sheet 202 are attached to either of the side walls 220a and 220b of the electrode 220 and held between the electrodes as shown in FIG. It becomes like this. Therefore, when the conductive particles 203 filled in the grooves 210 of the sheet 202 are transferred to the resin layer 205 of the first resin film 204 and then uniaxially stretched in the length direction (A direction), FIG. As shown, the conductive particles 203 are arranged along any one of the side edges 215 a and 215 b of the recess 215 formed in the resin layer 205.
  • each particle row 203a is disposed along any one of the side edges 215a and 215b of the recess 215 in which the conductive particles 203 are formed in the resin layer 205. It becomes the composition to be done.
  • column 203a is influenced by the width W of the groove
  • the conductive particles 203 rub against the electrode 220 and the squeegee 212 strongly, sliding traces may occur.
  • a part of the surface of the conductive particles 203 is peeled off or turned up.
  • metal particles are used as the conductive particles 203, some of the conductive particles 203 may be deformed.
  • Such a sliding contact mark is generated in 5% or more of the surface area of the conductive particles 203, so that the flow of the conductive particles 203 during the transfer of the binder resin 205 or the heat pressurization of the anisotropic conductive film 201 is performed. It is suppressed.
  • the conductive particles 203 where the sliding contact marks are generated are within 50% of the whole, there is no influence on the conduction performance of the anisotropic conductive film 201. Within 25% of the number, more preferably less than 15%.
  • Examples common to the first to third embodiments of the present invention a plurality of sheets 2 having different shapes and dimensions of the grooves 10 are prepared, and the conductive particles 3 are filled and arranged in each sample, and then the conductive particles 3 are transferred to the first resin film 4.
  • a sample of the anisotropic conductive film 1 was manufactured by laminating the second resin film 7 after uniaxial stretching.
  • a polypropylene film having a thickness of 50 ⁇ m (manufactured by Toray Industries, Inc .: Trefan 2500H) was used.
  • the sheet 2 was subjected to hot pressing at 180 ° C. for 30 minutes to a mold on which a predetermined groove pattern was formed to form the groove 10.
  • the conductive particles 3 filled and arranged in the grooves 10 of the sheet 2 are obtained by applying Au plating to resin core particles (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .: AUL703).
  • the conductive particles 3 were sprinkled on the surface of the sheet 2 where the grooves 10 were formed, and the grooves 10 were uniformly filled and arranged with a Teflon (registered trademark) squeegee.
  • a microcapsule type amine hardening agent Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd .: NovaCure HX3941HP 50 parts, Liquid epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd .: EP828) 14 parts, Phenoxy resin (Nippon Steel Chemical Co., Ltd .: YP50) 35 parts, Silane cup A binder resin composition in which 1 part of a ring agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KBE403) was mixed and dispersed was formed.
  • the binder resin composition is applied to an unstretched polypropylene film (manufactured by Toray Industries, Inc .: Trefan NO3701J) to a thickness of 5 ⁇ m.
  • the binder resin composition is applied.
  • the binder resin composition is applied to an unstretched polypropylene film (Toray Industries, Inc .: Trefan NO3701J) so as to have a thickness of 15 ⁇ m, and thereby a sheet-like thermosetting resin having a resin layer 5 or 8 formed on one surface.
  • a film was created.
  • stretching used the thing of about 20 * 30cm and A4 size, and created the sample of the anisotropic conductive film 1.
  • the conductive particles 3 are transferred to the resin layer 5 of the first resin film 4 by bonding the first resin film 4 to the sheet 2 in which the conductive particles 3 are filled and arranged in the grooves 10. It was.
  • the first resin film 4 was stretched by stretching 200% in a uniaxial direction in a 130 ° C. oven using a pantograph stretching machine.
  • the second resin film 7 was bonded to the resin layer 5 side where the conductive particles 3 of the first resin film 4 were transferred, to prepare a sample of the anisotropic conductive film 1.
  • the particle density is created with 20000 particles / mm 2 as a guide, but the particle density compares the influence of the shape of the sheet 2 serving as a transfer mold and the directionality of stretching. In order to clarify the effects and features of the present invention, they are set. Therefore, the optimum value of the stretching ratio differs depending on the object to which the anisotropic conductive film 1 is used, and the optimum value of the particle density is also different.
  • the sample of each anisotropic conductive film 1 was measured for particle density, two connected particle ratio, and particle density variation ⁇ .
  • the connection structure body sample which connected the bump of IC chip and the electrode terminal of the wiring board was manufactured using the sample of each anisotropic conductive film 1, and the short circuit incidence rate between adjacent electrode terminals was measured.
  • Example 1 conductive particles 3 having a particle diameter of 3 ⁇ m were used. Further, the groove 10 formed in the sheet 2 has a pattern continuous in the longitudinal direction of the sheet 2 (see FIG. 3A), has a rectangular cross section (see FIG. 4A), a width W of 3.0 ⁇ m, and a depth. The thickness D is 3.0 ⁇ m, and the groove interval S is 5.0 ⁇ m.
  • Example 2 the conditions were the same as in Example 1 except that the width W of the groove 10 was 5.9 ⁇ m.
  • Example 3 the conditions were the same as in Example 1 except that the width W of the groove 10 was 3.5 ⁇ m and the depth D was 1.5 ⁇ m.
  • Example 4 the conditions were the same as in Example 3 except that the depth D of the groove 10 was 4.5 ⁇ m.
  • Example 5 the conditions were the same as in Example 1 except that the width W of the groove 10 was 6.5 ⁇ m.
  • Example 6 the conditions were the same as in Example 3 except that the depth of the groove 10 was 6.0 ⁇ m.
  • Example 7 conductive particles 3 having a particle diameter of 4.0 ⁇ m (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .: AUL704) were used.
  • the groove 10 formed in the sheet 2 was under the same conditions as in Example 1 except that the width W was 4.0 ⁇ m and the depth D was 4.0 ⁇ m.
  • Example 8 the groove 10 formed in the sheet 2 has a triangular cross section (see FIG. 4J), the width W is 3.0 ⁇ m, the depth D is 3.0 ⁇ m, and the groove interval S is 5.0 ⁇ m. is there.
  • the conditions of the pattern of the conductive particles 3 and the grooves 10 were the same as those in Example 1.
  • an anisotropic conductive film was prepared by a conventional manufacturing method. That is, 5 parts by mass of conductive particles 3 (Sekisui Chemical Co., Ltd .: AUL703) having a particle diameter of 3 ⁇ m obtained by applying Au plating to the resin core particles are dispersed in the binder resin composition according to the above-described example. It was applied to a stretched polypropylene film (manufactured by Toray Industries, Inc .: Trefan NO3701J) so as to have a thickness of 20 ⁇ m, and a sheet-like thermosetting resin film having a resin layer formed on one surface was prepared.
  • the IC chip connected through the anisotropic conductive film according to the example and the comparative example has dimensions of 1.4 mm ⁇ 20.0 mm, a thickness of 0.2 mm, a gold bump size of 17 ⁇ m ⁇ 100 ⁇ m, and a bump height. Is 12 ⁇ m and the bump space is 11 ⁇ m.
  • the wiring board on which this IC chip is mounted is a glass substrate (Corning Corp .: 1737F) on which an aluminum wiring pattern corresponding to the IC chip pattern is formed.
  • the dimensions are 50 mm ⁇ 30 mm and the thickness is 0.5 mm. is there.
  • connection conditions between the IC chip and the glass substrate through the anisotropic conductive film according to the example and the comparative example are 170 ° C., 80 MPa, and 10 seconds.
  • the number of the conductive particles 3 in 1 mm 2 was measured for the particle density of the anisotropic conductive film according to the example and the comparative example using a microscope.
  • connection structure sample The occurrence rate of short circuit between adjacent electrode terminals in the connection structure sample was measured.
  • Table 1 shows a summary of the measurement results of the anisotropic conductive films in Examples 1 to 8 and Comparative Example described above.
  • the conductive particles 3 are arranged in a predetermined pattern on the sheet 2 in advance, the first resin film 4 to which the conductive particles 3 are transferred is uniaxially stretched. Thus, the conductive particles 3 can be reliably dispersed. Therefore, in the anisotropic conductive films according to Examples 1 to 8, the ratio of two linked particles was 9% or less. Further, in the anisotropic conductive films according to Examples 1 to 8, the density of the conductive particles 3 is less than 20000 particles / mm 2 , and the variation ( ⁇ ) in the particle density is as small as 2 or less, and the film is manufactured using these. The short-circuit occurrence rate between adjacent electrode terminals of the connected structure sample thus obtained was 0%.
  • the width W of the groove 10 of the sheet 2 is 1 to less than 2 times the particle diameter of the conductive particles 3, and the depth D of the grooves 10 is equal to that of the conductive particles 3. Since the particle diameter was 0.5 to 1.5 times, the particle density was low, and the connected particle ratio was 5% or less.
  • Comparative Example 1 using a conventional anisotropic conductive film, the particle density was 20000 particles / mm 2 and the two-particle particle ratio increased to 12%. Moreover, the particle density variation ( ⁇ ) of the anisotropic conductive film according to Comparative Example 1 was as high as 10.2, and the short-circuit occurrence rate between adjacent electrode terminals was 2%.
  • Example 1 when the influence of the width W of the groove 10 of the sheet 2 is seen, as in Example 1, if the width W of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is equal, two connected particles However, as in Example 2 and Example 5, as the width W of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is increased from slightly less than 2 times to 2 times, two connected particles The rate has increased. The increase of the two connected particle ratio is considered to be caused by the dispersion of the stress applied to the conductive particles 3 when the width W of the groove 10 of the sheet 2 is increased. From this, it can be seen that the width W of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is preferably less than twice.
  • the depth D of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particle 3 is 0. It can be seen that the particle density and the ratio of two connected particles show an increasing tendency as they become larger by .5 times, 1.5 times, and 2 times. In particular, from Example 3 and Example 4, when the depth D of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is 0.5 to 1.5 times, the connected particle ratio is 5% or less. It turns out that it is preferable in order to maintain the conduction
  • Example according to the first embodiment of the present invention the particle density when the stretching ratio when uniaxially stretching the first resin film 4 in Examples 11 to 19 below is changed to 150%, 200%, 300%, 450%, 700%, The two-connected particle ratio, the particle density variation, and the short-circuit occurrence rate were measured under the same conditions as in Examples 1 to 8 described above.
  • Example 11 to 13 the influence of the width W of the groove 10 of the sheet 2 was examined.
  • Examples 14 to 16 the influence of the depth D of the groove 10 of the sheet 2 was examined, and Examples 17 to 19 were examined. Then, the influence of the space
  • Example 11 conductive particles 3 having a particle diameter of 3 ⁇ m were used as in Example 1 described above. Further, the groove 10 formed in the sheet 2 has a pattern continuous in the longitudinal direction of the sheet 2 (see FIG. 3A), has a rectangular cross section (see FIG. 4A), a width W of 3.0 ⁇ m, and a depth. The thickness D is 3.0 ⁇ m, and the groove interval S is 5.0 ⁇ m.
  • Example 12 was the same as Example 1 except that the width W of the groove 10 was 5.9 ⁇ m, as in Example 2 described above.
  • Example 13 as in Example 5 described above, the conditions were the same as in Example 1 except that the width W of the groove 10 was 6.5 ⁇ m.
  • Example 14 was the same as Example 1 except that the width W of the groove 10 was 3.5 ⁇ m and the depth D was 1.5 ⁇ m, as in Example 3 described above.
  • Example 15 was the same as Example 3 except that the depth D of the groove 10 was 4.5 ⁇ m as in Example 4 described above.
  • Example 16 was the same as Example 3 except that the depth D of the groove 10 was 6.0 ⁇ m, as in Example 6 above.
  • Example 17 the conditions were the same as in Example 1 except that the distance S between the particle rows was set to 3.0 ⁇ m.
  • Example 18 the conditions were the same as in Example 1 except that the distance S between the particle rows was 6.0 ⁇ m.
  • Example 19 the conditions were the same as in Example 1 except that the distance S between the particle rows was 10.5 ⁇ m.
  • Particle density when two stretches of the first resin film 4 in Examples 11 to 19 are changed to 150%, 200%, 300%, 450%, and 700% when uniaxially stretched.
  • Table 2 summarizes the measurement results of the particle ratio, particle density variation, and short-circuit occurrence rate.
  • the short-circuit occurrence rate slightly occurs in any of the examples when the stretch rate is 150%, but short-circuit occurs in any of the examples when the stretch rate is 200% or more. It was confirmed that the rate was not 0%. This is considered to be due to the fact that the contact probability of the conductive particles 3 is increased because a sufficient distance between the conductive particles cannot be secured with 150% stretching. Therefore, when the first resin film 4 to which the conductive particles 3 are transferred is uniaxially stretched, it is preferable that the stretch ratio is at least larger than 150%, that is, longer than 150% of the original length. I understand that.
  • the width W of the groove 10 of the sheet 2 when the influence of the width W of the groove 10 of the sheet 2 is seen, as in the case of Example 11, as compared with the case where the width W of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is equal to that of the example.
  • the width W of the groove 10 when the width W of the groove 10 increases, the particle density decreases and the two-connected particle ratio increases. If the width W of the groove 10 is increased, the conductive particles 3 are easily transferred to the first resin layer 5 and the transfer rate of the conductive particles 3 is improved. And the relative difference between the thirteenth embodiment and the thirteenth embodiment is reduced. Further, if the width W of the groove 10 is increased, the disorder of the arrangement of the conductive particles 3 is increased, and therefore, the number of connected conductive particles 3 is increased, so that the two-connected particle ratio is increased.
  • Example 12 looking at the influence of the depth D of the groove 10 of the sheet 2, as in Example 11, compared to the case where the depth D of the groove 10 of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is equal, As in Example 12 and Example 13, when the depth D of the groove 10 is increased, the transfer rate is improved by the resin of the first resin layer 5 entering the depth of the groove 10, thereby increasing the particle density. I understand. It can also be seen that when the depth D of the groove 10 is increased, the ratio of two connected particles increases in proportion to the particle density. Further, looking at the short-circuit occurrence rate when the stretch rate is 150%, it can be seen from Example 14 that if the groove 10 of the sheet 2 is shallow, the connection of the particles becomes stronger, so that the short-circuit occurrence rate increases.
  • Example 17 compared to the case where the distance S between the particle rows of the sheet 2 with respect to the particle diameter of the conductive particles 3 is equal to that in the example.
  • Example 18 and Example 19 it can be seen that the particle density decreases as the inter-particle row distance S increases. Further, as the inter-particle row distance S of the sheet 2 from Example 17 and Example 18 increases, the two connected particle ratio increases, but the inter-particle row distance S of the sheet 2 from Example 19 exceeds a predetermined value. When it becomes, it turns out that a connection particle
  • Example according to the second embodiment of the present invention the stretching ratio when the first resin film 104 in the following Examples 21 to 26 and Comparative Examples 21 to 23 is uniaxially stretched is changed to 150%, 200%, 300%, 450%, and 700%.
  • the particle density, the connected particle ratio, the particle density variation, and the short-circuit occurrence rate were measured under the same conditions as in Examples 1 to 8 described above.
  • the first resin film 104 in Examples 21 to 26 and Comparative Examples 21 to 23 is manufactured by the method for manufacturing the anisotropic conductive film 101 according to the second embodiment of the present invention. In Examples 21 to 26 and Comparative Examples 21 to 23, conductive particles 103 having a particle diameter of 3 ⁇ m were used.
  • Examples 21 to 23 the influence of the depth D of the groove 110 of the sheet 102 was examined, and in Examples 24 to 26, the influence of the shape and the like of the protrusion 112b of the guide body 112 was examined. Further, in Comparative Examples 21 to 23, even when the guide body 112 according to another embodiment of the present invention is used for the sheet 102 in which the depth D of the groove 110 is the same as the particle diameter of the conductive particles 103, the conductive particles It was verified that the filling efficiency of 103 was not improved.
  • Example 21 a guide body in which the height of the protrusion 112b is 2 ⁇ m, the distance between the protrusions is 3.5 ⁇ m, the width W1 of the proximal end of the squeegee side clearance 112d is 3.5 ⁇ m, and the width W2 of the distal end is 4.5 ⁇ m.
  • 112 and a sheet 102 having a groove 110 with a width W of 3.5 ⁇ m, a depth D of 1.0 ⁇ m, and a groove interval S of 3.0 ⁇ m was used.
  • Example 22 the conditions were the same as in Example 21 except that the depth D of the groove 110 was 1.5 ⁇ m.
  • Example 23 the conditions were the same as in Example 21 except that the depth D of the groove 110 was set to 2.0 ⁇ m.
  • the height of the protrusion 112b is 1.5 ⁇ m, the distance between the protrusions is 3.5 ⁇ m, the width W1 of the proximal end 112d1 of the clearance 112d of the guide body 112 is 3.5 ⁇ m, and the width W2 of the distal end 112d2 is A guide body 112 having 4.5 ⁇ m, a sheet 102 having a width 110 of the groove 110 of 3.5 ⁇ m, a depth D of 1.5 ⁇ m, and a groove interval S of 3.0 ⁇ m was used.
  • the “height” of the protruding portion 112b refers to the distance from the proximal end portion 112b1 to the distal end portion 112b2 of the protruding portion 112b.
  • Example 25 the conditions were the same as in Example 24 except that the height of the protrusion 112b was set to 2.0 ⁇ m.
  • Example 26 the conditions were the same as in Example 24 except that the height of the protrusion 112b was 2.5 ⁇ m.
  • the height of the protrusion 112b is 2.0 ⁇ m
  • the distance between the protrusions is 3.0 ⁇ m
  • the width W1 of the proximal end 112d1 of the clearance 112d is 3.0 ⁇ m
  • the width W2 of the distal end 112d2 is 4.0 ⁇ m.
  • the guide body 112 and the sheet 102 having a width W of the groove 110 of 3.0 ⁇ m, a depth D of 3.0 ⁇ m, and an interval S between the grooves 110 of 3.0 ⁇ m were used.
  • the height of the protrusion 112b is 2.0 ⁇ m
  • the distance between the protrusions is 3.5 ⁇ m
  • the width W1 of the proximal end 112d1 of the clearance 112d is 3.5 ⁇ m
  • the width W2 of the distal end 112d2 is 4.5 ⁇ m.
  • a guide body 112 and a sheet 102 having a width W of the groove 110 of 3.5 ⁇ m, a depth D of 3.0 ⁇ m, and an interval S between the grooves 110 of 3.0 ⁇ m were used.
  • the height of the protrusion 112b is 2.0 ⁇ m
  • the distance between the protrusions is 4.5 ⁇ m
  • the width W1 of the base end 112d1 of the clearance 112d is 4.5 ⁇ m
  • the width W2 of the tip 112d2 is 5.5 ⁇ m.
  • a guide body 112 and a sheet 102 having a width W of 4.5 ⁇ m, a depth D of 3.0 ⁇ m, and an interval S between the grooves 110 of 3.0 ⁇ m were used.
  • the short-circuit occurrence rate slightly occurs in any example when the stretch rate is 150%, but short-circuit occurs in any example when the stretch rate is 200% or more. It was confirmed that the rate was not 0%. This is considered to be due to the fact that the contact probability of the conductive particles 103 is increased because a sufficient distance between the conductive particles cannot be secured with 150% stretching. For this reason, when the first resin film 104 to which the conductive particles 103 are transferred is uniaxially stretched, it is preferable that the stretch ratio is at least larger than 150%, that is, longer than 150% of the original length. I understand that.
  • Example 21 when the influence of the depth D of the groove 110 of the sheet 102 is seen, as compared with the case where the depth D of the groove 110 of the sheet 102 with respect to the particle diameter of the conductive particles 103 is 1/3 times as in Example 21.
  • Example 22 and Example 23 as the depth D of the groove 110 increases, the particle density decreases. This is considered to be due to the fact that as the depth D of the groove 110 increases, the degree of freedom of movement of the conductive particles 103 during the transfer from the filling of the conductive particles 103 decreases.
  • the depth D of the groove 110 is smaller than the particle diameter of the conductive particles 103, even if the depth D of the groove 110 is increased, the two-particle connected particle ratio and particle density are increased. Does not significantly affect the fluctuation of ⁇ and fluctuation of short-circuit occurrence rate.
  • the height of the protrusion 112b of the guide body 112 is preferably about 2/3 of the diameter of the conductive particles 103 as shown in Example 25.
  • Comparative Examples 21 to 23 using conventional anisotropic conductive films manufactured using a sheet having the same depth D of the grooves 110 as the particle diameter of the conductive particles 103 the particle density is somewhat reduced. Even when stretched by 200% or more, generation of two connected particles and shorts were observed. This is because the groove 110 is deep even if the guide body 112 according to the second embodiment of the present invention is used for the sheet 102 having the same depth D of the groove 110 as that of the conductive particles 103. The reason is considered that since the conductive particles 103 cannot be removed by the body 112, the efficiency of filling the grooves 110 of the sheet 102 is not improved.
  • Example according to the third embodiment of the present invention the particle density when the stretching ratio when uniaxially stretching the first resin film 204 in Examples 31 to 39 below is changed to 150%, 200%, 300%, 450%, 700%, The two-connected particle ratio, the particle density variation, and the short-circuit occurrence rate were measured under the same conditions as in Examples 1 to 8 described above.
  • the first resin film 204 in Examples 31 to 39 is manufactured after filling the sheet 202 provided with the electrode 220 with the conductive particles 203.
  • conductive particles 203 having a particle diameter of 3 ⁇ m were used.
  • Examples 31 to 33 the influence of the size of the electrode 220 constituting the groove 210 of the sheet 202, that is, the width W of the groove 210 was examined.
  • Examples 34 to 36 the width of the electrode 220, that is, the particle array 203a.
  • Examples 37 to 39 the influence of the thickness of the electrode 220, that is, the depth D of the groove 210 was examined.
  • Example 31 when the cross section of the electrode 220 is a square having a side of 3.0 ⁇ m, that is, the sheet 202 having the width W and depth D of the groove 210 of 3.0 ⁇ m and the interval S of the groove 210 of 3.0 ⁇ m is used. did.
  • Example 32 when the cross section of the electrode 220 is a square having a side of 3.5 ⁇ m, that is, the sheet 202 having a width W and a depth D of the groove 210 of 3.5 ⁇ m and an interval S between the grooves 210 of 3.5 ⁇ m is used. did.
  • Example 33 when the cross section of the electrode 220 is a square having a side of 4.5 ⁇ m, that is, the sheet 202 having a width W and a depth D of the groove 210 of 4.5 ⁇ m and an interval S between the grooves 210 of 4.5 ⁇ m is used. did.
  • Example 34 a sheet 202 in which the cross section of the groove 210 was a square having a side of 3.5 ⁇ m and the interval S between the grooves 210 was 3.0 ⁇ m was used.
  • Example 35 a sheet 202 in which the cross section of the groove 210 was a square having a side of 3.5 ⁇ m and the interval S between the grooves 210 was 3.2 ⁇ m was used.
  • Example 36 a sheet 202 in which the cross section of the groove 210 is a square having a side of 3.5 ⁇ m and the interval S between the grooves 210 is 4.5 ⁇ m was used.
  • Example 37 a sheet 202 having a width 210 of the groove 210 of 3.5 ⁇ m, a depth D of 3.0 ⁇ m, and an interval S between the grooves 210 of 3.5 ⁇ m was used.
  • Example 38 a sheet 202 having a width 210 of the groove 210 of 3.5 ⁇ m, a depth D of 3.2 ⁇ m, and an interval S between the grooves 210 of 3.5 ⁇ m was used.
  • Example 39 a sheet 202 having a width 210 of the groove 210 of 3.5 ⁇ m, a depth D of 4.5 ⁇ m, and an interval S between the grooves 210 of 3.5 ⁇ m was used.
  • Particle density and two connected when the stretch ratio when the first resin film 204 in Examples 31 to 39 is uniaxially stretched is changed to 150%, 200%, 300%, 450%, and 700%.
  • Table 4 summarizes the measurement results of the particle ratio, particle density variation, and short-circuit occurrence rate.
  • the short-circuit occurrence rate slightly occurs in any of the examples when the stretch rate is 150%, but the short-circuit occurrence rate in any of the examples when the stretch rate is 200% or more. It was confirmed that 0% was not generated. This is considered to be due to the fact that the contact probability of the conductive particles 203 is increased because a sufficient distance between the conductive particles cannot be secured with 150% stretching. For this reason, when the first resin film 204 to which the conductive particles 203 are transferred is uniaxially stretched, it is preferable that the stretch ratio is at least larger than 150%, that is, longer than 150% of the original length. I understand that.
  • the stretch ratio is at least larger than 150%, that is, longer than 150% of the original length.
  • the particle density is higher than the others, but this is the case where the interval S between the grooves 210 is the same as that of the conductive particles 203. The reason is considered that the possibility of contact of the conductive particles 203 still remains.
  • the width W of the groove 210 is preferably at least larger than the diameter of the conductive particles 203.
  • the inter-row distance S of the particle row 203a is preferably at least larger than the diameter of the conductive particles 203.
  • the depth D of the groove 210 is approximately the same as the diameter of the conductive particle 203, when the conductive particle 203 is removed by the squeegee 212 after filling the groove 210, Since the degree of damage to the surface increases, it can be seen that the depth D of the groove 210 is preferably at least larger than the diameter of the conductive particles 203.

Abstract

　異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の分散性、粒子捕捉性に優れ、狭ピッチ化された端子同士においても導通信頼性を維持することを目的とする。導電性粒子（３）を含有する異方性導電フィルム（１）の製造方法において、同方向に連続した複数の溝（１０）が形成されたシート（２）の溝（１０）に、導電性粒子（３）を埋め込み、導電性粒子（３）を配列し、溝（１０）が形成された側のシート（２）表面に、延伸可能なベースフィルム（６）上に熱硬化性樹脂層（５）が形成された第１の樹脂フィルム（４）をラミネートして導電性粒子（３）を転着させ、第１の樹脂フィルム（４）を、導電性粒子（３）の配列方向と直交する方向を除く方向に１軸延伸し、第２の樹脂フィルム（７）をラミネートする。

Description

異方性導電フィルムの製造方法、異方性導電フィルム、及び接続構造体
　本発明は、異方性導電フィルムの製造方法、異方性導電フィルム、及び接続構造体に関し、特に導電性粒子の分散性、粒子捕捉性に優れ、狭ピッチ化された端子同士においても導通信頼性を維持することができる異方性導電フィルムの製造方法、異方性導電フィルム、及び接続構造体に関する。本出願は、日本国において２０１２年８月１日に出願された日本特許出願番号特願２０１２－１７１３３１、及び日本国において２０１３年８月１日に出願された日本特許出願番号特願２０１３－１６０１１６、特願２０１３－１６０１１７、特願２０１３－１６０１１８を基礎として優先権を主張するものであり、これらの出願を参照することにより、本出願に援用される。
　異方性導電フィルム（ＡＣＦ：anisotropic conductive film）は、接着剤として機能する絶縁性のバインダー樹脂中に導電性粒子を分散してなるものである。通常の異方性導電フィルムは、導電性粒子が分散されたバインダー樹脂組成物がベースフィルム上に塗布されることによりシート状に形成されている。異方性導電フィルムの使用に際しては、例えば電子部品のバンプと配線板の電極端子との間にこれを挟み込み、加熱押圧ヘッドにより加熱及び加圧することで導電性粒子がバンプと電極端子とに押し潰され、この状態でバインダー樹脂が硬化することにより電気的、機械的な接続が図られる。バンプが無い部分では、導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散した状態が維持され、電気的に絶縁された状態が保たれるので、バンプがある部分でのみ電気的導通が図られることになる。また、異方性導電フィルムの厚さは、電子部品のバンプや配線板の電極の高さ以上に設定されており、加熱押圧ヘッドの押圧により余剰の接着剤成分が電極周辺に流延される。
　異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の配合量は、接着剤成分の体積に対して５～１５体積％とされることが多い。これは、導電性粒子の配合量が５体積％未満であると、バンプ－電極端子間に存在する導電性粒子の量（これを一般に「粒子捕捉率」という。）が少なくなり、導通信頼性が低下する可能性があり、逆に配合量が１５体積％を越えると、隣接する電極端子間において導電性粒子が連なった状態で存在し、ショートの原因となる可能性があるからである。
　しかし、導電性粒子を分散した異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の配合量を最適化しただけでは、圧着時に大部分の導電性粒子が流失し、導通に寄与しない導電性粒子が多量に存在する。また、流失した導電性粒子が隣接する電極端子間に導電性粒子の粒子溜まりを形成することにより、ショートの危険がある。これは、電極端子間のピッチが狭小化されるほど危険性が高まり、高密度実装化等に十分に対応することができないという問題が生じてしまう。
　このような状況から、異方性導電フィルム中の導電性粒子をランダムに分散するのではなく、バインダー樹脂層中に均一に分散させる試みがなされている（例えば特許文献１、特許文献２を参照）。
ＷＯ２００５／０５４３８８ 特開２０１０－２５１３３７号公報
　特許文献１には、２軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けて積層体を形成し、導電性粒子を密集充填させた後、当該導電性粒子付着フィルムを、導電性粒子の間隔が平均粒子径の１～５倍かつ２０μm以下になるよう２軸延伸させて保持し、絶縁性接着シートに転着する異方性導電膜の製造方法が記載されている。
　また、特許文献２には、接続対象物のパターンに応じて導電性粒子が偏在された異方性導電膜が記載されている。
　しかし、特許文献１に記載の発明においては、２軸延伸前の工程で導電性粒子を密集充填させる事が難しく、粒子が充填されない疎の部分ができやすい欠点がある。その状態で２軸延伸をおこなうと導電性粒子が存在しない大きな空間ができてしまい、電子部品のバンプと配線板の電極端子との間の粒子捕捉性が低下し、導通不良を引き起こすおそれがある。また、２軸で精度よく均一に延伸させることが困難であった。
　特許文献２に記載の発明においては、予め電極パターンに応じて導電性粒子が偏在されているため、異方性導電フィルムを接続対象物に貼り付ける際にアライメント作業が必要となり、狭ピッチ化された電極端子との接続においては工程が煩雑となるおそれがある。また、接続対象物の電極パターンに応じて導電性粒子の偏在パターンを変えなければならず量産化に不向きであった。
　そこで、本発明は、導電性粒子の分散性、粒子捕捉性に優れ、狭ピッチ化された端子同士においても導通信頼性を維持することができる異方性導電フィルムの製造方法、異方性導電フィルム、及び接続構造体を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決するために、本発明の一態様は、導電性粒子を含有する異方性導電フィルムの製造方法において、同方向に連続した複数の溝が形成されたシートの上記溝に、導電性粒子を埋め込み、上記導電性粒子を配列し、上記溝が形成された側の上記シート表面に、延伸可能なベースフィルム上に光又は熱硬化性の樹脂層が形成された第１の樹脂フィルムの上記樹脂層をラミネートし、上記第１の樹脂フィルムの上記樹脂層に上記導電性粒子を転着させ、上記導電性粒子が上記樹脂層に転着した上記第１の樹脂フィルムを、上記導電性粒子の配列方向と直交する方向を除く方向に１軸延伸し、更に上記導電性粒子が配置された上記第１の樹脂フィルムの上記樹脂層に、ベースフィルム上に光又は熱硬化性の樹脂層が形成された第２の樹脂フィルムをラミネートする。
　また、本発明の他の態様は、少なくとも２層構成よりなる異方導電性フィルムであって、一の層を構成する第１の樹脂層と、上記第１の樹脂層にラミネートされた第２の樹脂層と、上記第１の樹脂層と上記第２の樹脂層のうち、少なくとも上記第１の樹脂層に接した複数の導電性粒子とを備え、上記導電性粒子は、上記第１の樹脂層において第１の方向に規則的に配列して形成した粒子列が上記第１の方向と異なる第２の方向に規則的に複数並列して設けられ、上記第１の樹脂層は、上記第１の方向における上記導電性粒子の間の部位を上記第２の方向における上記導電性粒子の間の部位よりも薄く形成されていることを特徴とする。
　さらに、本発明の他の別の態様は、電子部品の接続に、上記の異方導電性フィルムを用いた接続構造体である。
　本発明の一態様によれば、予めシートの溝パターンに応じて導電性粒子が配列されているため、これを転着した第１の樹脂フィルムを１軸延伸させることで、導電性粒子を一様に分散することができる。したがって、異方性導電フィルムに含有させる導電性粒子を、フィルム全面に一様に分散させるのに必要最小限の量で足り、過剰に含有させる必要がない。また、異方性導電フィルムは、余剰の導電性粒子による端子間ショートを引き起こすおそれもない。また、異方性導電フィルムは、導電性粒子が一様に分散されているため、狭ピッチ化された電極端子においても確実に導通を図ることができる。
　また、本発明の他の態様によれば、狭ピッチ化対応の異方性導電フィルムにおいて、一様に分散させた導電性粒子の位置制御が確実に行えるので、狭ピッチ化された端子同士における導通を確実に図ることができる。
　さらに、本発明の他の別の態様によれば、接続構造体の基板と電子部品との良好な接続性を確保して、長期間にわたる接続信頼性を高めることができる。
図１Ａ及びＢはシートの溝に導電性粒子を充填、配列させる一例を示す側面図である。 図２Ａ乃至Ｄは本発明が適用された異方性導電フィルムの製造工程を示す断面図である。 図３Ａ乃至Ｄはシートの各種溝パターンを示す斜視図である。 図４Ａ乃至Ｊはシートの各種溝形状を示す断面図である。 図５は第１の樹脂フィルムの延伸工程を示す平面図である。 図６は第１の樹脂フィルムの延伸工程を示す平面図である。 図７は本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルムの部分斜視図である。 図８Ａは図７のＰ－Ｐ断面図であり、図８Ｂは図７のＱ－Ｑ断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルムの導電性粒子の配列状態を示す平面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルムを適用した接続構造体の構成を示す概略断面図である。 図１１Ａ及びＢは、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で使用されるガイド体の概略構成図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で使用されるシートの概略構成を示す断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法におけるシートの溝に導電性粒子を埋め込んで配列する動作を説明する断面図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で製造された異方性導電フィルムの導電性粒子の配列状態を示す平面図である。 図１５Ａ乃至Ｃは、本発明の第３の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で適用される導電性粒子の充填工程を示す断面図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法における充填工程の終了後のシートへの導電性粒子の配列状態を示す平面図である。 図１７は、本発明の第３の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で製造された異方性導電フィルムの導電性粒子の配列状態を示す平面図である。
　以下、本発明が適用された異方性導電フィルムの製造方法の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
（第１の実施形態）
　本発明が適用された異方性導電フィルム１の製造方法の第１の実施形態では、図１及び図２に示すように、（１）同方向に連続した複数の溝が形成されたシート２の上記溝に、導電性粒子３を埋め込み、導電性粒子３を配列し（図１Ａ、図１Ｂ）、（２）上記溝が形成された側のシート２表面に、延伸可能なベースフィルム６上に光又は熱硬化性の樹脂層５が形成された第１の樹脂フィルム４の樹脂層５をラミネートし（図２Ａ）、（３）第１の樹脂フィルム４の樹脂層５に導電性粒子３を転着させ（図２Ｂ）、（４）導電性粒子３が樹脂層５に転着した第１の樹脂フィルム４を、導電性粒子３の配列方向と直交する方向を除く図２Ｃ中矢印Ａ方向に１軸延伸し（図２Ｃ）、（５）更に導電性粒子３が配置された第１の樹脂フィルム４の樹脂層５に、ベースフィルム９上に光又は熱硬化性の樹脂層８が形成された第２の樹脂フィルム７をラミネートする工程を有する（図２Ｄ）。
　［シート］
　同方向に連続した複数の溝が形成されたシート２は、図３に示すように、例えば所定の溝１０が形成された樹脂シートであり、例えばペレットを溶融させた状態で溝パターンが形成された金型に流し込み、冷やして固めることで所定の溝１０を転写させる方法により形成することができる。あるいは、シート２は、溝パターンが形成された金型を樹脂シートの軟化点以上の温度に加熱し、当該金型に樹脂シートを押し付けることで転写する方法により形成することができる。
　シート２を構成する材料としては、熱溶融し、溝１０のパターンが形成された金型の形状を転写できるいずれの材料も使用することができる。また、シート２の材料は、耐溶剤性、耐熱性、離型性を有することが好ましい。このような樹脂シートとしては、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ＰＥＴ、ナイロン、アイオノマー、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンビニルアルコール共重合体、エチレンメタクリル酸共重合体などの熱可塑性樹脂フィルムが例示できる。あるいは、いわゆる微細な凹凸パターンが形成されたプリズムシートが例示できる。
　シート２に形成される溝１０のパターンは、図３に示すように、同方向に連続する複数の溝が、当該溝の長手方向と直交する方向に隣接して形成される。溝１０は、図３Ａに示すように、シート２の長手方向に沿って連続させてもよく、図３Ｂに示すように、シート２の長手方向に対して斜行する方向に沿って連続させてもよい。また、溝１０は、図３Ｃに示すように、シート２の長手方向に沿って蛇行させてもよく、図３Ｄに示すように、シート２の長手方向に沿って矩形波状に連続させてもよい。その他、溝１０は、ジグザグ状、格子状等、あらゆるパターンで形成することができる。
　また、溝１０の形状は、図４Ａ～Ｊに例示するように、種々の形状を採り得る。このとき、溝１０は、導電性粒子３の充填しやすさ、及び充填された導電性粒子３の第１の樹脂フィルム４への転着のしやすさを考慮して各寸法が決められる。溝１０が導電性粒子３の粒子径に対して大きすぎると、溝１０の導電性粒子の保持が困難となって充填不足になり、溝１０が導電性粒子３の粒子径に対して小さすぎると導電性粒子３が入らず、充填不足となる他、溝１０内に嵌り、第１の樹脂フィルム４へ転写不能となる。したがって、例えば、溝１０は、幅Ｗが、導電性粒子３の粒子径の１倍～２．５倍未満、且つ深さＤが、導電性粒子３の粒子径の０．５～２倍に形成される。また、溝１０は、幅Ｗが、導電性粒子３の粒子径の１倍～２倍未満、且つ深さＤが、導電性粒子３の粒子径の０．５～１．５倍とすることが好ましい。
　［導電性粒子］
　導電性粒子３としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子３としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
　このような導電性粒子３は、シート２の溝１０に充填されることにより、溝１０に沿って配列される。例えば、導電性粒子３は、図１Ａに示すように、シート２の表面に密接するスキージ１２によって溝１０内に充填される。シート２は、傾斜面１３に配置されるとともに、図１Ａ中矢印Ｄで示す下方に搬送される。導電性粒子３は、スキージ１２よりシート２の搬送方向上流側に供給され、シート２の搬送に伴って溝１０内に充填、配列されていく。
　なお、導電性粒子３は、図１Ｂに示すように、矢印Ｕで示す傾斜面１３の上方に搬送されるシート２のスキージ１２より搬送方向上流側に供給され、シート２の搬送に伴って溝１０内に充填、配列されるようにしてもよい。また、導電性粒子３は、スキージ１２を用いる方法の他にも、シート２の溝１０が形成された面に導電性粒子３を振り掛けた後、超音波振動、風力、静電気、シート２の背面側から磁力などの一又は複数の外力を作用させて溝１０に充填、配列するようにしてもよい。さらに、導電性粒子３は、溝１０への充填、配列をウェット状態で処理をおこなってもよく（湿式）、あるいはドライ状態で処理してもよい（乾式）。
　［第１の樹脂フィルム／樹脂層／延伸性ベースフィルム］
　溝１０に導電性粒子３が充填、配列されたシート２にラミネートされる第１の樹脂フィルム４は、延伸可能なベースフィルム６上に光又は熱硬化性の樹脂層５が形成された熱硬化型あるいは紫外線硬化型の接着フィルムである。第１の樹脂フィルム４は、シート２にラミネートされることにより、溝１０のパターンに配列された導電性粒子３が転着され、異方性導電フィルム１を構成する。
　第１の樹脂フィルム４は、例えば膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー樹脂（接着剤）がベースフィルム６上に塗布されることにより樹脂層５が形成されるとともに、フィルム状に成型されたものである。
　延伸可能なベースフィルム６は、例えば、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＭＰ（Poly-4-methlpentene-1）、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなる。
　樹脂層５を構成する膜形成樹脂としては、平均分子量が１００００～８００００程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
　熱硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、市販のエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
　エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
　アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２－ヒドロキシ－１，３－ジアクリロキシプロパン、２，２－ビス[４－（アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２－ビス[４－（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　潜在性硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、加熱硬化型、ＵＶ硬化型等の各種硬化剤が挙げられる。潜在性硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型潜在性硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種（カチオンやアニオン、ラジカル）を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素－アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、２種以上の混合体であってもよい。中でも、マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤が好適である。
　シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
　なお、第１の樹脂フィルム４は、取り扱いの容易さ、保存安定性等の見地から、樹脂層５のベースフィルム６が積層された面とは反対の面側にカバーフィルムを設ける構成としてもよい。また、第１の樹脂フィルム４の形状は、特に限定されないが、巻取リールに巻回可能な長尺シート形状とすることにより、所定の長さだけカットして使用することができる。
　［第２の樹脂フィルム］
　また、導電性粒子３が転着された第１の樹脂フィルム４にラミネートされる第２の樹脂フィルム７も、第１の樹脂フィルム４と同様に、ベースフィルム９上に光又は熱硬化性の樹脂層８が形成された熱硬化型あるいは紫外線硬化型の接着フィルムである。第２の樹脂フィルム７の樹脂層８は第１の樹脂フィルム４の樹脂層５と同一のものを用いることができ、ベースフィルム９は第１の樹脂フィルム４のベースフィルム６と同一のものを用いることができる。第２の樹脂フィルム７は、導電性粒子３が転着された第１の樹脂フィルム４にラミネートされることにより、第１の樹脂フィルム４とともに異方性導電フィルム１を構成する。
　このような異方性導電フィルム１は、ベースフィルム６，９が剥離された後、例えば電子部品のバンプと配線板の電極端子との間にこれを挟み込み、加熱押圧ヘッド（図示せず）により加熱及び加圧することで流動化して導電性粒子３がバンプと電極端子との間で押し潰され、加熱あるいは紫外線照射により、導電性粒子３が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム１は、電子部品と配線板とを電気的、機械的に接続する。
　［異方性導電フィルムの製造方法］
　次いで、異方性導電フィルム１の製造工程について説明する。
　先ず、溝１０が所定のパターンで形成されたシート２の上記溝１０に導電性粒子３を充填、配列する（図１Ａ、図１Ｂ参照）。溝１０への導電性粒子３の充填、配列は、スキージを用いた方法や、超音波振動、風力、静電気、シート２の背面側から磁力などの一又は複数の外力を作用させる方法等を用いることができる。
　次いで、導電性粒子３が配列された側のシート２表面に、第１の樹脂フィルム４の樹脂層５をラミネートする（図２Ａ参照）。ラミネートは、樹脂層５をシート２表面に配置した後、加熱押圧ヘッドによって低圧で押圧するとともに、適宜、バインダー樹脂がタック性を示すが熱硬化を開始しない温度で短時間、熱加圧することによって行う。
　第１の樹脂フィルム４をラミネートし、冷却した後、シート２と第１の樹脂フィルム４とを剥離することにより、導電性粒子３が第１の樹脂フィルム４へ転着される（図２Ｂ参照）。第１の樹脂フィルム４は、樹脂層５の表面に導電性粒子３が溝１０のパターンに応じたパターンで配列されている。
　次いで、第１の樹脂フィルム４を、導電性粒子３の配列方向と直交する方向を除く方向に１軸延伸する（図２Ｃ参照）。これにより図５、図６に示すように、導電性粒子３が分散される。ここで、延伸方向から導電性粒子３の配列方向と直交する方向を除くのは、当該方向は既に溝１０のパターンに応じて配列されることにより導電性粒子３が分離されているからである。そして、第１の樹脂フィルム４は、当該方向を除く方向に１軸延伸されることにより、配列方向に密着していた導電性粒子３を分離させることができる。
　したがって、図５では、同図中矢印Ａ方向に延伸させることが好ましく、矢印Ｚ方向へは延伸させない。また、図６では、同図中矢印Ｚ方向を除く任意の１方向、例えば第１の樹脂フィルム４の長手方向である同図中矢印Ａ方向に延伸させることが好ましい。
　第１の樹脂フィルム４の延伸は、例えばパンタグラフ方式の延伸機を用いて、１３０℃のオーブン中で１軸方向に２００％引き延ばすことにより行うことができる。また、第１の樹脂フィルム４の長手方向に１軸延伸することにより、精度よく且つ容易に延伸させることができる。
　次いで、導電性粒子３が配置された第１の樹脂フィルム４の樹脂層５に、第２の樹脂フィルム７の樹脂層８をラミネートする（図２Ｄ参照）。第２の樹脂フィルム７のラミネートは、樹脂層８を第１の樹脂フィルム４の樹脂層５表面に配置した後、加熱押圧ヘッドによって低圧で押圧するとともに、適宜、バインダー樹脂がタック性を示すが熱硬化を開始しない温度で、短時間で熱加圧することによって行う。
　以上により、異方性導電フィルム１が製造される。かかる異方性導電フィルム１によれば、予めシート２の溝１０のパターンに応じて導電性粒子３が配列されているため、これを転着した第１の樹脂フィルム４を１軸延伸させることで、導電性粒子３を一様に分散することができる。したがって、異方性導電フィルム１に含有させる導電性粒子３を、フィルム全面に一様に分散させるのに必要最小限の量で足り、過剰に含有させる必要がない。また、異方性導電フィルム１は、余剰の導電性粒子３による端子間ショートを引き起こすおそれもない。また、異方性導電フィルム１は、導電性粒子３が一様に分散されているため、狭ピッチ化された電極端子においても確実に導通を図ることができる。
　なお、上述したように、本発明の一実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法では、１軸延伸する際に２００％、換言すると、当該第１の樹脂フィルム４の元の長さの１５０％より長く引き延ばしているが、延伸率は特に限定されない。すなわち、導電性粒子３が転着された第１の樹脂層５を含む第１の樹脂フィルム４を導電性粒子３の配列方向と直交する方向を除く方向に１軸延伸する際に、１５０％より長く１軸延伸して、異方性導電フィルム１を製造することも可能である。なお、本実施形態では、後述の実施例に記載のように、第１の樹脂フィルム４を１軸延伸する際に、延伸率が７００％までは、適用可能である旨が確認されている。また、本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルム１の製造方法は、７００％以下に限定されるものではない。
　このように、第１の樹脂フィルム４の元の長さの１５０％より長く１軸延伸することによって、異方性導電フィルム１におけるショート発生率の低減を図れる。また、電極端子の間隔がある程度以上の大きさを有する接続構造体等に使用される異方性導電フィルムを製造する際にも、本実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法を適用して、端子間の導通を確実にする異方性導電フィルムを製造できるようになる。すなわち、本実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法は、ファインピッチ対応以外の異方性導電フィルムの製法にも適用できる。
　［異方性導電フィルム］
　次に、本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルムの構成について、図面を使用しながら説明する。図７は、本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルムの部分斜視図であり、図８Ａは、図７のＰ－Ｐ断面図であり、図８Ｂは、図７のＱ－Ｑ断面図であり、図９は、本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルムの導電性粒子の配列状態を示す平面図である。
　本実施形態の異方性導電フィルム１は、図７に示すように、第１の樹脂フィルム４と第２の樹脂フィルム７とを含む２層以上のフィルム層から構成されている。第１の樹脂フィルム４は、バインダー樹脂（接着剤）がベースフィルム６上に塗布されることによって樹脂層（第１の樹脂層）５が形成されると共に、フィルム状に成型された樹脂フィルムである。第２の樹脂フィルム７は、ベースフィルム９上に光又は熱硬化性の樹脂層（第２の樹脂層）８が形成された熱硬化型あるいは紫外線硬化型の接着フィルムであり、複数の導電性粒子３が転着された第１の樹脂層５を含む第１の樹脂フィルム４にラミネートされた樹脂フィルムである。
　このように、本実施形態の異方性導電フィルム１は、第１の樹脂フィルム４に第２の樹脂フィルム７をラミネートさせて、第１の樹脂層５と第２の樹脂層８との間に複数の導電性粒子３を保持した構成となっている。なお、本実施形態では、異方性導電フィルム１は、第１の樹脂層５とベースフィルム６からなる第１の樹脂フィルム４と、第２の樹脂層８とベースフィルム９からなる第２の樹脂フィルム７の２層から構成されているが、異方性導電フィルム１は、少なくとも２層構成よりなるものであればよいので、例えば、第３の樹脂層等の別の樹脂層をラミネートさせた構成の異方性導電フィルムにも、本発明の一実施形態に係る異方性導電フィルム１を適用できる。
　導電性粒子３は、図７に示すように、第１の樹脂層５において、Ｘ方向（第１の方向）に規則的に配列して形成される。また、粒子列３ａがＸ方向と異なるＹ方向（第２の方向）に規則的に複数並列することによって、これらの導電性粒子３は、分散された状態となる。また、導電性粒子３は、所定の間隔で配列されてもよい。本実施形態では、第１の樹脂層５は、図７及び図８Ａに示すように、粒子列５ａの各列間がＸ方向に延在するように尾根状に形成された凸部１４となっている。すなわち、第１の樹脂層５では、Ｘ方向に延在した凸部１４がＹ方向に所定の間隔ごとに形成されている。
　そして、図７に示すように、第１の樹脂層５では、これら凸部１４の間にＸ方向に延在する溝形状の凹部１５が形成され、導電性粒子３は、これらの凹部１５内に規則的に配置される。なお、このＸ方向（第１の方向）とＹ方向（第２の方向）の方向性は、光学的な違いとして現れる場合もある。これは、Ｘ方向に第１の樹脂層５が延伸されることで、導電性粒子３の間に溝形状となる空隙が少なからず生じることによる。この空隙が後述するクリアランス１６である。このような空隙は、導電性粒子３が直線状に配列した状態で延伸されたことにより生じる。すなわち、延伸時の導電性粒子３近傍の少なくとも１つの略直線状には、第１の樹脂層５が備わらないか、それに近い状態が生じ、このことが導電性粒子３の圧着時の移動性に影響を及ぼす。このことは、後述する凹部１５および凸部１４とも関連する。
　なお、当該クリアランス１６は、第１の樹脂フィルム４を延伸させた際に生じた空隙であるため、導電性粒子３近傍の延伸方向における第１の樹脂層５の厚みは、急峻な断崖のような状態が生じることになる。前述したように、第１の樹脂フィルム４の延伸方向に当該状態が生じるため、第１の方向における導電性粒子３の間には、図８Ｂに示すように、略直線状に２箇所の同一の断崖部５ｃ、５ｄが導電性粒子３を保持した状態になる。これにより、接合時に導電性粒子３が移動する場合の方向が依存されることになる。また、本実施形態では、Ｘ方向（第１の方向）とは、異方性導電フィルム１の長手方向を示し、Ｙ方向（第２の方向）とは、異方性導電フィルム１の幅方向を示すものとする。
　上述したように、第１の樹脂層５には、Ｘ方向に延在するように、複数の凸部１４と凹部１５がそれぞれ並列するように形成されている。そして、各凹部１５には、複数の導電性粒子３が規則的に配列されているので、当該凹部１５において、粒子列３ａを構成する導電性粒子３の間は、クリアランス１６となり、図７及び図８Ｂに示すように、当該クリアランス１６に第２の樹脂層８が浸入している。このようにして、導電性粒子３が第１の樹脂層５と第２の樹脂層８との間に分散保持されるようになる。なお、本実施形態では、導電性粒子３が第１の樹脂層５と第２の樹脂層８との間に分散保持された構成となっているが、導電性粒子３は、転写した際における外力等によって第１の樹脂層５に埋没され、延伸された場合には、第１の樹脂層５内にのみ存在する。本発明の一実施形態では、導電性粒子３が第１の樹脂層５に埋没されてから延伸された構成も含むものとする。すなわち、本実施形態の異方性導電フィルム１は、導電性粒子３が第１の樹脂層５と第２の樹脂層８のうち、少なくとも第１の樹脂層５のみに接している構成のものも含む。この場合においても、導電性粒子３近傍の第１の樹脂層５は、略直線状に２箇所の同一の断崖部５ｃ、５ｄがある状態となる。これは上述の理由による。
　このように、本実施形態では、狭ピッチ化対応の異方性導電フィルム１において、一様に分散させた導電性粒子３の位置制御を確実に行えるので、狭ピッチ化された端子同士における導通を確実に図ることができるようになる。なお、本実施形態では、異方性導電フィルム１の接続信頼性を保持するために、異方性導電フィルム１は、Ｘ方向における導電性粒子３の間隔がＹ方向における導電性粒子３の間隔よりも幾分大きい構成となっており、例えば、導電性粒子３の径の半分程度大きい構成とすることが望ましい。
　また、本実施形態では、異方性導電フィルム１の製造する過程において、第１の樹脂フィルム４を導電性粒子３の配列方向と直交する方向を除く方向に１軸延伸した際に、図７に示すように、導電性粒子３を転着した第１の樹脂層５にＸ方向に延在した溝形状の凹部１５が形成される。そして、当該凹部１５の形成に伴って、第１の樹脂層５において、Ｘ方向に延在した凸部１４が形成される。
　すなわち、図７に示すように、本実施形態に係る異方性導電フィルム１の第１の樹脂層５は、Ｘ方向における導電性粒子３の間の部位５ａがＹ方向における導電性粒子３の間の部位５ｂよりも薄い構成となっている。この部位５ａの位置にクリアランス１６がある。そして、凹部１５に配列された導電性粒子３の間に設けられるクリアランス１６に第２の樹脂層８が浸入している（図８Ｂ参照）。なお、第１の樹脂フィルム４を１軸延伸する際に、導電性粒子３が直列連結していた場合には、第１の樹脂フィルム４を元の長さの２倍延伸、つまり２００％延伸した場合には、大半の導電性粒子３は、略同一径で直線状に密に並んでいることから、導電性粒子３の１個分のスペースが空くようになる。この導電性粒子３の１個分のスペースの空いた部分が第１の樹脂層５における空隙となるクリアランス１６に相当することになる。
　このように、本実施形態では、異方性導電フィルム１は、導電性粒子３が第１の樹脂層５に転着された第１の樹脂フィルム４を導電性粒子３の配列方向と直交する方向を除く方向に、少なくとも元の長さの１５０％より長く１軸延伸してから、第２の樹脂層８を含む第２の樹脂フィルム７をラミネートさせて形成される。このため、導電性粒子３は、図９に示すように、凹部１５内で第１の方向（Ｘ方向）に延在するように、規則的に略直線状に配置されて、第１の樹脂層５と第２の樹脂層８との間に保持されるようになる。これは所定の間隔で配置されていてもよい。従って、狭ピッチ化対応の異方性導電フィルム１において、一様に分散させた導電性粒子３の位置制御を確実に行え、狭ピッチ化された端子同士における導通を確実に図ることができる。なお、上述の「略直線状に配置」とは、凹部１５の幅方向（Ｙ方向）における各導電性粒子３の配列のずれが粒子径の１／３以下の範囲内に収まる状態で配列されることをいう。
　［接続構造体］
　次に、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体の構成について、図面を使用しながら説明する。図１０は、本発明の第１の実施形態に係る異方性導電フィルムを適用した接続構造体の構成を示す概略断面図である。本発明の第１の実施形態に係る接続構造体５０は、例えば、図１０に示すように、前述した異方性導電フィルム１を介して、ＩＣチップ等の電子部品５２をフレキシブル配線基板や液晶パネル等の基板５４上に電気的及び機械的に接続固定したものである。電子部品５２には、接続端子としてバンプ５６が形成されている。一方、基板５４の上面には、バンプ５６と対向する位置に電極５８が形成されている。
　そして、電子部品５２のバンプ５６と基板５４上に形成された電極５８の間、及び電子部品５２と配線基板５６の間には、接着剤となる本実施形態に係る異方性導電フィルム１が介在している。バンプ５６と電極５８との対向する部分では、異方性導電フィルム１に含まれる導電性粒子３が押し潰されて、電気的な導通が図られている。また、それと同時に、異方性導電フィルム１を構成する接着剤成分によって、電子部品５２と基板５４との機械的な接合も図られている。
　このように、本実施形態に係る接続構造体５０は、応力を緩和させた状態で、高い接着強度を得る異方性導電フィルム１によって、電極５８が形成された基板５４と、バンプ５６が設けられた電子部品５２とを接続して構成されている。すなわち、接続構造体５０の電子部品５２と基板５４の接続に、本実施形態に係る異方導電性フィルム１が使用されている。
　前述したように、本発明の一実施形態にかかる異方性導電フィルム１は、第１の樹脂層５に凸部１４と凹部１５が形成され、当該凹部１５に導電性粒子３が規則的に配列されたものを第２の樹脂層８でラミネートして、双方の樹脂層５、８に保持されている。この規則性は所定の間隔で配置されていてもよい。このため、各導電性粒子３が凸部１４により確実に図１０における水平方向に移動しにくくなり、分散保持される。このため、接合時における導電性粒子３の移動は、導電性粒子３間における空隙つまりクリアランス１６に依存することになり、その形状に支配される要素が大きい。
　従って、接続構造体５０における基板５４と電子部品５２との良好な接続性を確保でき、長期間にわたり電気的及び機械的に接続の信頼性を高めることができる。すなわち、本実施形態の異方性導電フィルム１を用いることで、導通信頼性の高い接続構造体５０を製造することが可能となる。なお、本実施形態に係る接続構造体５０の具体例として、半導体装置、液晶表示装置、ＬＥＤ照明装置等が挙げられる。
（第２の実施形態）
　本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法では、シートの溝に導電性粒子を埋め込んで配列する際に、導電性粒子を傷めずに、樹脂層への導電性粒子の転着効率を高めるために、溝の深さが導電性粒子の径より小さく形成された型となるシートと、導電性粒子との接触面において当該溝に誘導可能な複数の突起部が所定間隔で設けられたガイド体を使用する。
　本発明の第２の実施形態の異方性導電フィルムの製造方法について、図面を使用しながら説明する。図１１Ａ、Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で使用されるガイド体の概略構成図であり、図１２は、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で使用されるシートの概略構成を示す断面図であり、図１３は、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法におけるシートの溝に導電性粒子を埋め込んで配列する動作を説明するための断面図である。なお、図１１Ａは、本発明の第２の実施形態で使用するガイド体の特徴部である導電性粒子との接触面側を模式的に示したものであり、図１１Ｂは、本発明の第２の実施形態で使用するガイド体の断面を模式的に示したものであり、図１３は、シートの溝に導電性粒子を埋め込んで配列する動作状態を断面図で示したものである。
　図１１Ａに示すように、本実施形態で使用するガイド体１１２は、導電性粒子１０３との接触面１１２ａにシート１０２の溝１１０（図１２参照）に誘導可能な複数の突起部１１２ｂがガイド体１１２の幅方向、すなわち、図１１Ａに示すＥ方向に所定間隔で設けられている。また、これらの突起部１１２ｂは、図１１Ａに示すように、ガイド体１１２の接触面１１２ａの長さ方向、すなわち、図１１Ａに示すＦ方向に延在するように、所定間隔で設けられている。なお、ガイド体１１２の製法は、シート１０２と略同一でよく、また、ガイド体１１２の材料もシート１０２と同一のものが使用できる。
　導電性粒子１０３をシート１０２の溝１１０に充填する際に、流動する導電性粒子１０３を振り分け易くするために、突起部１１２ｂの形状は、図１１Ｂに示すように、設置された接触面側に有する基端部１１２ｂ１から先端部１１２ｂ２にかけて先細りする略三角錐形状となっている。突起部１１２ｂを基端部１１２ｂ１から先端部１１２ｂ２にかけて先細りする形状とすることによって、導電性粒子１０３をシート１０２の溝１１０に充填する際に、ガイド体１１２を長さ方向（Ｆ方向）に移動させると、接触面１１２ａに流動する導電性粒子１０３が突起部１１２ｂの斜面１１２ｂ３で振り分けられる。このため、突起部１１２ｂを設けたガイド体１１２を使用することによって、導電性粒子１０３を溝１１０に誘導し易くなる。なお、突起部１１２ｂの形状は、基端部１１２ｂ１から先端部１１２ｂ２にかけて先細りする形状であれば、略三角錐形状に限定されず、例えば、円錐形状や円錐台形状等の他の形状でも適用可能である。また、突起部１１２ｂの形状は。直線のみで形成される形状に限定されることはなく、曲線を一部または全てに含んでも構わない。
　また、ガイド体１１２の接触面１１２ａの縁部側には、図１１Ｂに示すように、突起部１１２ｂより高さと略同一か幾分低い側壁部１１２ｃが設けられている。このように、ガイド体１１２の接触面１１２ａの縁部側に側壁部１１２ｃを設けることによって、ガイド体１１２を用いて導電性粒子１０３を充填する際に、導電性粒子１０３がガイド体１１２の接触面１１２ａの外側に漏れるのを防止できるので、導電性粒子１０３の充填効率が向上する。
　さらに、前述したように、突起部１１２ｂは、ガイド体１１２の幅方向（Ｅ方向）に所定間隔で設けられ、当該突起部１１２ｂの間がクリアランス部１１２ｄとなっている。ガイド体１１２の幅方向における突起部１１２ｂの間隔は、図１１Ｂに示すように、突起部１１２の基端部１１２ｂ１の間隔、すなわち、クリアランス部１１２ｄの基端部１１２ｄ１の幅Ｗ１がシート１０２の溝１１０の幅Ｗ（図１２参照）と略同一である。このことから、ガイド体１１２は、突起部１１２ｂの先端部１１２ｂ２の間隔、すなわち、クリアランス部１１２ｄの先端部１１２ｄ２の幅Ｗ２がシート１０２の溝１１０の幅Ｗよりも大きい構成となる。
　ガイド体１１２を上述したような構成とすることにより、ガイド体１１２を使用してシート１０２の溝１１０に導電性粒子１０３を充填させる際に、突起部１１２ｂの間に導入された導電性粒子１０３がガイド体１１２の突起部１１２ｂの斜面部１１２ｃで振り分けられる。そして、振り分けられた導電性粒子１０３が突起部１１２ｂの間に有するクリアランス部１１２ｄに誘導されてから、ガイド体１１２の接触面１１２ａの長さ方向（Ｆ方向）に流れて、シート１０２の溝１１０に誘導されるようになる。このため、シート１０２の溝１１０に導電性粒子１０３を埋め込んで配列する際に、シート１０２の溝１１０に導電性粒子１０３を誘導し易くなるので、シート１０２の溝１１０への充填効率が向上する。
　また、本実施形態では、図１２に示すように、溝１１０の深さＤが導電性粒子１０３の径より小さく形成されているシート１０２を使用する。具体的には、シート１０２には、導電性粒子径１０３の１／３～１／２程度の深さＤの溝１１０が形成されている。また、溝１１０の幅Ｗは、導電性粒子１０３の径と略同一から幾分大きい幅を有する。このように、溝１１０の深さＤが導電性粒子１０３の径より小さく形成され、溝１１０の幅Ｗが導電性粒子１０３の径と略同一から幾分大きい幅Ｗを有するシート１０２を使用することにより、導電性粒子１０３を第１の樹脂フィルム１０４に含まれる樹脂層１０５（図１４参照）に転着させる際に、樹脂層１０５への接触面積が増えるので、転着効率が向上する。また、シート１０２の溝１１０を浅い構成とすることにより、導電性粒子１０３を樹脂層１０５に転着させる際に、導電性粒子１０３に余分な応力がかからないので、導電性粒子１０３を傷めにくくなる。
　このように、本実施形態では、シート１０２の溝１１０に導電性粒子１０３を埋め込んで配列する際に、溝１１０の深さＤが導電性粒子の径より小さく形成されたシート１０２と、導電性粒子１０３との接触面１１２ａにシート１０２の溝１１０に誘導可能な複数の突起部１１２ｂが所定間隔で設けられるガイド体１１２を使用する。具体的には、シート１０２の溝１１０に導電性粒子１０３を埋め込んで配列する際に、図１３に示すように、ガイド体１１２の突起部１１２ｂの先端部１１２ｂ２をシート１０２の溝１１０の間に有する隙間部１０２ａに当接させる。そして、ガイド体１１２をシート１０２の長さ方向（図２に示すＡ方向）に移動させながら、溝１１０に導電性粒子１０３を充填させる。
　すなわち、本実施形態では、接触面１１２ａに突起部１１２ｂが形成されたガイド体１１２を使用して、溝１１０における導電性粒子１０３の配列を整えながら、シート１０２の溝１１０に導電性粒子１０３を充填させる。その際に、シート１０２の溝１１０に充填された余分な導電性粒子１０３は、ガイド体１１２の突起部１１２ｂによって取り除かれるので、溝１１０が浅いシート１０２を使用しても、必要な分の導電性粒子１０３を溝１１０に配列することができる。
　また、本実施形態では、導電性粒子１０３の径より深さＤが小さい溝１１０のシート１０２と、接触面１１２ａに突起部１１２ｂを有するガイド体１１２を使用することによって、導電性粒子１０３を傷めずに、樹脂層１０５への導電性粒子１０３の転着効率を高めることができる。このため、異方性導電フィルム１０１の生産効率が向上させながら、異方性導電フィルム１０１の高品質化が図れるようになる。
　なお、本実施形態では、導電性粒子１０３を第１の樹脂フィルム１０４の樹脂層１０５に転着させる際に、浅い溝１１０のシート１０２を使用するので、導電性粒子１０３が溝１１０内でしっかり固定されない状態で樹脂層１０５に転着される。このため、図１４に示すように、粒子列１０３ａは、樹脂層１０５において、異方性導電フィルム１０１の長さ方向となる第１の方向（図１４に示すＡ方向）に延在するように導電性粒子１０３が互いに樹脂層１０５に形成された凹部１１５の幅方向（Ｂ方向）にずれて配置される。具体的には、図１４に示すように、各導電性粒子１０３の配列のずれが粒子径の１．５倍の範囲内に収まるように、当該幅方向でランダムに配列されている。
（第３の実施形態）
　本発明の第３の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法では、シートの溝に導電性粒子を埋め込んで配列する際に、シートの溝への充填効率を高めるために、溝を電極間の隙間とするシートと、導電性を有するスキージを使用する。
　本発明の第３の実施形態の異方性導電フィルムの製造方法について、図面を使用しながら説明する。図１５Ａ乃至Ｃは、本発明の第３の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法で適用される導電性粒子の充填工程を示す断面図であり、図１６は、本発明の第３の実施形態に係る異方性導電フィルムの製造方法における充填工程の終了後のシートへの導電性粒子の配列状態を示す平面図である。
　本実施形態では、シート２０２の溝２１０への充填効率を上げるために、シート２０２の長さ方向（図１６に示すＡ方向）に延在するように所定間隔でシート２０２上に設けた電極２２０の隙間を導電性粒子２０３の充填先の溝２１０として、かつ、各電極２２０に磁力を発生させることを特徴とする。基板からなるシート２０２には、図１５に示すように、シート２０２の長さ方向（Ａ方向）に延在する電極２２０がシート２０２の幅方向（図１６に示すＢ方向）に所定の間隔で複数設けられている。
　そして、各電極２２０に通電等により磁力を発生させる。これにより、導電性粒子２０３が電極２２０に引き寄せられて、電極間に有する溝２１０に導電性粒子２０３を略直線状に備えることができる。また、本実施形態では、電極２２０に発生させる磁力の強度を調整することにより、導電性粒子２０３の転写を適宜制御することができる。また、電極２２０により磁力を適宜調整する以外に、例えば、一定の磁力で電極２２０の配列間に導電性粒子２０３を備えさせてから、転写時に転写体の反対の面により強い磁力を与えることによって、導電性粒子２０３に働く磁力を適宜調整する方策であってもよい。
　また、本実施形態では、導電性粒子２０３の溝２１０への充填するためのスキージ２１２が設けられている。スキージ２１２は、各電極２２０に当接しながら、電極２２０の長さ方向（図１６に示すＡ方向）に移動することによって、電極２２０の上に付着した余分な導電性粒子２０３を除去しながら、各溝２１０内へ導電性粒子２０３を充填する。また、本実施形態では、各電極２１０に発生させた磁力を維持するために、導電性を有する金属等の材質で形成されているスキージ２１２を使用することを特徴とする。なお、スキージ２１２は、帯電性が付与される金属等の材質のであれば、その材質は特に限定されない。
　このように、本実施形態では、シート２０３上に電極２１０を設けることにより、導電性粒子２０３をシート２０２の溝２１０に充填させる際に、まず、電極２１０の間に当該電極２１０の長さ方向（図１６に示すＡ方向）及び幅方向（Ｂ方向）に対して鉛直な方向となるＣ方向（図１５Ａ参照）に磁力を発生させる。
　本実施形態では、各電極２２０に磁力を発生させているので、導電性粒子２０３に余分な応力をかけることなく、確実に導電性粒子２０３を電極２２０に付着させられる。そして、これら電極２２０に付着した導電性粒子２０３は、図１５Ａに示すように、電極２２０の間に有する溝２１０に充填されるようになる。また、本実施形態では、電極２２０に磁力を発生させることによって、導電性粒子２０３を電極２２０に付着させるので、溝２１０に充填された導電性粒子２０３は、図１５Ａに示すように、溝１１０の側壁を構成する電極１２０の側壁１２０ａ、１２０ｂの何れかに付着するようになる。このため、第１の樹脂フィルム１０４を延伸後においても、その幅を形成するどちらか片側に寄ることになる。
　各電極２１０に導電性粒子２０３を付着させてから、次に、図１５Ｂに示すように、電極２２０の上にある余分な導電性粒子２０３をスキージ２１２で除去することになる。本実施形態では、スキージ２１２で余分な導電性粒子２０３を除去する際に、導電性粒子２０３の表面のメッキ等に多少の損傷を与えることがあるが、完成後の異方性導電フィルム２０１の導通信頼性等の性能に支障をきたす程度の損傷ではない。スキージ２１２で余分な導電性粒子２０３を除去して、必要な導電性粒子２０３の配列を整えると、図１５Ｃに示すように、シート２０２の溝２１０への導電性粒子２０３の充填が完了する。
　このように、本実施形態では、電極２２０間の隙間を溝２１０とするシート２０２を使用することによって、電極２２０に通電等により磁力を発生させてから、余分な応力をかけずに導電性粒子２０３が発生した磁力によって電極２２０に引き付けられる。そして、導電性を有するスキージ２１２で余分な導電性粒子２０３を除去しながら、導電性粒子２０３を溝２１０内へ充填する。そして、シート２０２の溝２１０に充填させた導電性粒子２０３を第１の樹脂フィルム２０４（図１７参照）に転着させる。このため、導電性粒子２０３を第１の樹脂フィルム２０４に転着する前に、当該導電性粒子２０３をシート２０２の溝２１０に効率よく確実に充填できる。すなわち、所望のシート２０２に電極２２０を設けてから磁力を発生させることによって、導電性粒子２０３を転着する際に使用するシート２０２の溝２１０への充填効率を高めることができる。特に、本実施形態では、効率よく確実にシート２０２の溝２１０への導電性粒子２０３の充填が行われるので、第１及び第２の実施形態と比べて、長尺化した異方性導電フィルムを効率よく製造する際にも適用可能となる。
　また、本実施形態では、シート２０２の溝２１０に充填された導電性粒子２０３は、図１６に示すように、電極２２０の側壁２２０ａ、２２０ｂの何れかに付着して、電極間に保持されるようになる。このため、シート２０２の溝２１０に充填された導電性粒子２０３を第１の樹脂フィルム２０４の樹脂層２０５に転着してから、長さ方向（Ａ方向）に１軸延伸すると、図１７に示すように、導電性粒子２０３は、それぞれが樹脂層２０５に形成された凹部２１５の側縁部２１５ａ、２１５ｂの何れかに沿って配置されるようになる。すなわち、本実施形態における異方性導電フィルム２０１では、各粒子列２０３ａは、導電性粒子２０３のそれぞれが樹脂層２０５に形成された凹部２１５の側縁部２１５ａ、２１５ｂの何れかに沿って配置される構成となる。なお、各粒子列２０３ａにおける異方性導電フィルム２０１の幅方向（Ｂ方向）における導電性粒子２０３のずれは、溝２１０の幅Ｗに影響されるので、例えば、導電性粒子２０３の粒子径を３．０μｍ、溝幅を３．５～４．０μｍ程度とした場合では、そのずれが粒子径の１／３程度となる。
　以上の場合において、導電性粒子２０３は、電極２２０及びスキージ２１２と強く摩擦してしまうため、摺接痕が発生する場合がある。例えば、導電性粒子２０３としてめっき粒子を用いた場合には、導電性粒子２０３の表面の一部が剥離するか、又はめくれる。また、導電性粒子２０３として金属粒子を用いた場合には、導電性粒子２０３の一部に変形が生じる場合もある。このような摺接痕は、導電性粒子２０３の表面積の５％以上に生じることにより、バインダー樹脂２０５の転写時や異方性導電フィルム２０１の熱加圧時等において導電性粒子２０３の流動が抑制される。また、摺接痕が発生した導電性粒子２０３が全体の５０％以内であれば、異方性導電フィルム２０１の導通性能に影響はないが、当該摺接痕の発生率は、全導電性粒子数の２５％以内、より好ましくは１５％未満とすることが好ましい。
＜本発明の第１乃至第３の実施形態に共通の実施例＞
　次いで、本発明の実施例について説明する。本実施例では、溝１０の形状、寸法の異なる複数のシート２を用意し、各サンプルに導電性粒子３を充填、配列させた後、第１の樹脂フィルム４に導電性粒子３を転写し、１軸延伸後に第２の樹脂フィルム７をラミネートして異方性導電フィルム１のサンプルを製造した。
　各実施例に係るシート２には、厚さ５０μｍのポリプロピレンフィルム（東レ株式会社製：トレファン２５００Ｈ）を用いた。このシート２に、所定の溝パターンが形成された金型へ１８０℃、３０分の熱プレスを行い、溝１０を形成した。シート２の溝１０に充填、配列される導電性粒子３は、樹脂コア粒子にＡｕメッキを施したものである（積水化学株式会社製：ＡＵＬ７０３）。この導電性粒子３をシート２の溝１０の形成面に振り掛け、テフロン（登録商標）製のスキージで溝１０に均一に充填、配列させた。
　また、導電性粒子３が配列されたシート２にラミネートされる第１の樹脂フィルム４、及び第１の樹脂フィルム４にラミネートされる第２の樹脂フィルム７として、マイクロカプセル型アミン系硬化剤（旭化成イーマテリアルズ株式会社製：ノバキュアＨＸ３９４１ＨＰ）を５０部、液状エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ＥＰ８２８）を１４部、フェノキシ樹脂（新日鐵化学株式会社製：ＹＰ５０）を３５部、シランカップリング剤（信越化学株式会社製：ＫＢＥ４０３）を１部、を混合分散させたバインダー樹脂組成物を形成した。そして、第１の樹脂フィルム４では、当該バインダー樹脂組成物を無延伸ポリプロピレンフィルム（東レ株式会社製、：トレファンＮＯ３７０１Ｊ）に厚み５μｍになるように塗布し、第２の樹脂フィルム７では、当該バインダー樹脂組成物を無延伸ポリプロピレンフィルム（東レ株式会社製、：トレファンＮＯ３７０１Ｊ）に厚み１５μｍになるように塗布し、これにより一面に樹脂層５又は８が形成されたシート状の熱硬化性樹脂フィルムを作成した。また、延伸前の転写までの第１の樹脂フィルム４のサイズは、２０×３０ｃｍとＡ４サイズ程度のものを使用して、異方性導電フィルム１のサンプルを作成した。
　そして、溝１０に導電性粒子３が充填、配列されたシート２に、第１の樹脂フィルム４を貼り合わせることで、導電性粒子３を第１の樹脂フィルム４の樹脂層５に転着させた。次いで、第１の樹脂フィルム４を、パンタグラフ方式の延伸機を用いて１３０℃のオーブン中で１軸方向に２００％引き延ばすことにより延伸させた。延伸後、第２の樹脂フィルム７を第１の樹脂フィルム４の導電性粒子３が転着された樹脂層５側に貼り合わせて異方性導電フィルム１のサンプルを作成した。なお、各実施例では、粒子密度は、２００００個／ｍｍ２を一つの目安として作成しているが、当該粒子密度は、転写型となるシート２の形状や延伸の方向性等の影響を比較し、本発明の効果および特徴を明確にするために設定されたものである。従って、異方性導電フィルム１を使用する対象によって、延伸率の最適値は、異なるものであり、同様に粒子密度の最適値も異なる。
　そして、各異方性導電フィルム１のサンプルについて、粒子密度、２個連結粒子率、及び粒子密度のバラツキσを測定した。また、各異方性導電フィルム１のサンプルを用いて、ＩＣチップのバンプと配線板の電極端子とを接続した接続構造体サンプルを製造し、隣接する電極端子間におけるショート発生率を測定した。
　実施例１では、粒子径が３μｍの導電性粒子３を用いた。また、シート２に形成される溝１０は、シート２の長手方向に連続するパターンを有し（図３Ａ参照）、断面が矩形状であり（図４Ａ参照）、幅Ｗが３．０μｍ、深さＤが３．０μｍ、溝の間隔Ｓが５．０μｍである。
　実施例２では、溝１０の幅Ｗを５．９μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例３では、溝１０の幅Ｗを３．５μｍ、深さＤを１．５μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例４では、溝１０の深さＤを４．５μｍとした他は、実施例３と同条件とした。
　実施例５では、溝１０の幅Ｗを６．５μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例６では、溝１０の深さを６．０μｍとした他は、実施例３と同条件とした。
　実施例７では、粒子径が４．０μｍの導電性粒子３（積水化学株式会社製：ＡＵＬ７０４）を用いた。また、シート２に形成される溝１０は、幅Ｗを４．０μｍ、深さＤを４．０μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例８では、シート２に形成される溝１０は、断面三角形状であり（図４Ｊ参照）、幅Ｗが３．０μｍ、深さＤが３．０μｍ、溝の間隔Ｓが５．０μｍである。その他、導電性粒子３や溝１０のパターンの条件は実施例１と同条件とした。
　比較例１では、従来の製法によって異方性導電フィルムを作成した。すなわち、上記実施例に係るバインダー樹脂組成物に、樹脂コア粒子にＡｕメッキを施した粒子径が３μｍの導電性粒子３（積水化学株式会社製：ＡＵＬ７０３）を５質量部分散させ、これを無延伸ポリプロピレンフィルム（東レ株式会社製、：トレファンＮＯ３７０１Ｊ）に厚み２０μｍになるように塗布し、一面に樹脂層が形成されたシート状の熱硬化性樹脂フィルムを作成した。
　実施例及び比較例に係る異方性導電フィルムを介して接続されるＩＣチップは、寸法が１．４ｍｍ×２０．０ｍｍ、厚さが０．２ｍｍ、金バンプサイズが１７μｍ×１００μｍ、バンプ高さが１２μｍ、バンプスペースが１１μｍである。
　このＩＣチップが実装される配線板は、ＩＣチップのパターンに対応したアルミ配線パターンが形成されたガラス基板（コーニング社製：１７３７Ｆ）であり、寸法が５０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さが０．５ｍｍである。
　実施例及び比較例に係る異方性導電フィルムを介したＩＣチップとガラス基板の接続条件は、１７０℃、８０ＭＰａ、１０秒である。
　実施例及び比較例に係る異方性導電フィルムの粒子密度は、顕微鏡を用いて、１ｍｍ２中における導電性粒子３の数を測定した。２個連結粒子率は、顕微鏡を用いて、２００μｍ×２００μｍ＝４００００μｍ２の面積中に２個以上連結している導電性粒子３の数をカウントし、平均の連結数を算出した。更に５０μｍ×５０μｍ＝２５００μｍ２の面積中の粒子密度のバラつきσを算出した。
　また、接続構造体サンプルにおける隣接する電極端子間におけるショート発生率を測定した。
　前述した実施例１乃至８、及び比較例における異方性導電フィルムの各測定結果をまとめたものを表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、実施例１～８によれば、予めシート２に導電性粒子３が所定パターンで配列されているため、これを転着した第１の樹脂フィルム４を１軸延伸させることで、導電性粒子３を確実に分散することができる。したがって、実施例１～８に係る異方性導電フィルムでは、２個連結粒子率が９％以下となった。また、実施例１～８に係る異方性導電フィルムでは、導電性粒子３の密度が２００００個／ｍｍ ２未満であり、粒子密度のバラツキ（σ）も２以下と小さく、これらを用いて製造された接続構造体サンプルの隣接する電極端子間におけるショート発生率は０％であった。
　なかでも実施例１～４では、シート２の溝１０の幅Ｗが、導電性粒子３の粒子径の１倍～２倍未満であり、且つ溝１０の深さＤが、導電性粒子３の粒子径の０．５～１．５倍とされているため、粒子密度も低く、２個連結粒子率も５％以下となった。
　一方、従来の異方性導電フィルムを用いた比較例１では、粒子密度が２００００個／ｍｍ２であり、２個連結粒子率も１２％と増えた。また、比較例１に係る異方性導電フィルムの粒子密度バラツキ（σ）は１０．２と高く、隣接する電極端子間におけるショート発生率は２％となった。
　また、シート２の溝１０の幅Ｗの影響を見ると、実施例１のように、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の溝１０の幅Ｗが等倍であれば、２個連結粒子が見られなかったが、実施例２及び実施例５のように、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の溝１０の幅Ｗが２倍弱から２倍強になるに従って、２個連結粒子率が増加した。当該２個連結粒子率の増加は、シート２の溝１０の幅Ｗが広くなると、導電性粒子３の充填にかかる応力が分散することに起因すると考えられる。このことから、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の溝１０の幅Ｗが２倍未満であることが好ましいことが分かる。
　さらに、シート２の溝１０の深さＤの影響を見ると、実施例３、実施例４、及び実施例６から、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の溝１０の深さＤが０．５倍、１．５倍、２倍と大きくなるに従って、粒子密度及び２個連結粒子率も増加傾向を示すことが分かる。特に、実施例３、実施例４より、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の溝１０の深さＤが０．５～１．５倍の場合に２個連結粒子率が５％以下となることから、異方性導電フィルムの導通信頼性を維持するために好ましいことが分かる。
＜本発明の第１の実施形態に係る実施例＞
　次に、下記の実施例１１乃至１９における第１の樹脂フィルム４を１軸延伸する際の延伸率を１５０％、２００％、３００％、４５０％、７００％と変化させた場合の粒子密度、２個連結粒子率、粒子密度のバラツキ、及びショート発生率について、前述した実施例１乃至８と同様の条件で測定した。なお、実施例１１乃至１３では、シート２の溝１０の幅Ｗの影響について検討し、実施例１４乃至１６では、シート２の溝１０の深さＤの影響について検討し、実施例１７乃至１９では、シート２の溝１０の間隔、すなわち粒子列間距離Ｓの影響について検討した。
　実施例１１では、前述の実施例１と同様に、粒子径が３μｍの導電性粒子３を用いた。また、シート２に形成される溝１０は、シート２の長手方向に連続するパターンを有し（図３Ａ参照）、断面が矩形状であり（図４Ａ参照）、幅Ｗが３．０μｍ、深さＤが３．０μｍ、溝の間隔Ｓが５．０μｍである。
　実施例１２では、前述の実施例２と同様に、溝１０の幅Ｗを５．９μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例１３では、前述の実施例５と同様に、溝１０の幅Ｗを６．５μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例１４では、前述の実施例３と同様に、溝１０の幅Ｗを３．５μｍ、深さＤを１．５μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例１５では、前述の実施例４と同様に、溝１０の深さＤを４．５μｍとした他は、実施例３と同条件とした。
　実施例１６では、前述の実施例６と同様に、溝１０の深さＤを６．０μｍとした他は、実施例３と同条件とした。
　実施例１７では、粒子列間距離Ｓを３．０μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例１８では、粒子列間距離Ｓを６．０μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　実施例１９では、粒子列間距離Ｓを１０．５μｍとした他は、実施例１と同条件とした。
　前述した実施例１１乃至１９における第１の樹脂フィルム４を１軸延伸する際の延伸率を１５０％、２００％、３００％、４５０％、７００％と変化させた場合の粒子密度、２個連結粒子率、粒子密度のバラツキ、及びショート発生率の測定結果についてまとめたものを表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、実施例１１乃至１９によれば、粒子密度及び２個連結粒子率は、延伸の度合い（延伸率）に比例して低くなることが確認できた。これは、予めシート２に導電性粒子３が所定パターンで配列されているため、当該導電性粒子３を転着した第１の樹脂フィルム４を１軸延伸させることで、導電性粒子３が確実に分散されることに起因するものと考えられる。一方、実施例１１乃至１９によれば、粒子密度のバラツキ（σ）は、延伸率によらず２以下と小さい値が得られることが確認できた。
　また、実施例１１乃至１９によれば、ショート発生率は、延伸率が１５０％では、何れの実施例とも若干発生するものの、延伸率が２００％以上の場合では、何れの実施例ともショート発生率が０％と発生しないことが確認できた。これは、１５０％延伸では、十分な導電性粒子間の距離を確保できないことから、導電性粒子３の接触確率が高まることに起因するものと考えられる。このことから、導電性粒子３を転着した第１の樹脂フィルム４を１軸延伸させる際には、少なくとも１５０％より大きい延伸率、すなわち元の長さの１５０％より長く延伸することが好ましいことが分かる。
　さらに、実施例１１乃至１９によれば、粒子密度は、シート２の溝１０の型の形状によらず、延伸率に比例して低くなることが分かる。これらの結果から、導電性粒子３の粒子間の空隙が延伸によって生じ、一方向に依存していることも分かる。
　また、シート２の溝１０の幅Ｗの影響を見ると、実施例１１のように、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の溝１０の幅Ｗが等倍の場合と比べて、実施例１２及び実施例１３のように、溝１０の幅Ｗが広がると、粒子密度は減少し、２個連結粒子率は増加する。なお、溝１０の幅Ｗが広くなれば、導電性粒子３が第１の樹脂層５に転着し易くなり、導電性粒子３の転写率そのものがよくなるため、粒子密度に関しては、実施例１２と実施例１３との相対的な差は縮まる。また、溝１０の幅Ｗが広くなれば、導電性粒子３の配列の乱れが大きくなることから、導電性粒子３の連結そのものが増えるため、２個連結粒子率が増加する。
　さらに、シート２の溝１０の深さＤの影響を見ると、実施例１１のように、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の溝１０の深さＤが等倍の場合と比べて、実施例１２及び実施例１３のように、溝１０の深さＤが大きくなると、溝１０の奥まで第１の樹脂層５の樹脂が入り込むことによって、転写率がよくなることから、粒子密度が上がるのが分かる。また、溝１０の深さＤが大きくなると、粒子密度に比例して２個連結粒子率が増加することが分かる。さらに、延伸率が１５０％におけるショート発生率を見ると、実施例１４からシート２の溝１０が浅いと粒子の連結が強くなることから、ショート発生率が大きくなることが分かる。
　また、シート２の粒子列間距離Ｓの影響を見ると、実施例１７のように、導電性粒子３の粒子径に対するシート２の粒子列間距離Ｓが等倍の場合と比べて、実施例１８及び実施例１９のように、粒子列間距離Ｓが大きくなると、粒子密度が下がることが分かる。また、実施例１７と実施例１８からシート２の粒子列間距離Ｓが大きくなるにつれて、２個連結粒子率が増加するものの、実施例１９からシート２の粒子列間距離Ｓが所定の値以上になると、２００％以上の延伸率では、連結粒子が見られなくなることが分かる。
＜本発明の第２の実施形態に係る実施例＞
　次に、下記の実施例２１乃至２６及び比較例２１乃至２３における第１の樹脂フィルム１０４を１軸延伸する際の延伸率を１５０％、２００％、３００％、４５０％、７００％と変化させた場合の粒子密度、２個連結粒子率、粒子密度のバラツキ、及びショート発生率について、前述した実施例１乃至８と同様の条件で測定した。これら実施例２１乃至２６及び比較例２１乃至２３における第１の樹脂フィルム１０４は、本発明の第２の実施形態に係る異方性導電フィルム１０１の製造方法によって製造したものである。また、これら実施例２１乃至２６及び比較例２１乃至２３では、何れも粒子径が３μｍの導電性粒子１０３を用いた。なお、実施例２１乃至２３では、シート１０２の溝１１０の深さＤの影響について検討し、実施例２４乃至２６では、ガイド体１１２の突起部１１２ｂの形状等の影響について検討した。また、比較例２１乃至２３では、溝１１０の深さＤが導電性粒子１０３の粒径と同一のシート１０２に本発明の他の実施形態に係るガイド体１１２を使用しても、導電性粒子１０３の充填効率が改善されない旨を検証した。
　実施例２１では、突起部１１２ｂの高さが２μｍ、突起間隔が３．５μｍ、スキージ側クリアランス部１１２ｄの基端部の幅Ｗ１が３．５μｍ、先端部の幅Ｗ２が４．５μｍのガイド体１１２と、溝１１０の幅Ｗが３．５μｍ、深さＤが１．０μｍ、溝の間隔Ｓが３．０μｍのシート１０２を使用した。
　実施例２２では、溝１１０の深さＤを１．５μｍとした他は、実施例２１と同条件とした。
　実施例２３では、溝１１０の深さＤを２．０μｍとした他は、実施例２１と同条件とした。
　実施例２４では、突起部１１２ｂの高さが１．５μｍ、突起間隔が３．５μｍ、ガイド体１１２のクリアランス部１１２ｄの基端部１１２ｄ１の幅Ｗ１が３．５μｍ、先端部１１２ｄ２の幅Ｗ２が４．５μｍのガイド体１１２と、溝１１０の幅Ｗが３．５μｍ、深さＤが１．５μｍ、溝の間隔Ｓが３．０μｍのシート１０２を使用した。なお、突起部１１２ｂの「高さ」とは、突起部１１２ｂの基端部１１２ｂ１から先端部１１２ｂ２までの距離をいう。
　実施例２５では、突起部１１２ｂの高さを２．０μｍとした他は、実施例２４と同条件とした。
　実施例２６では、突起部１１２ｂの高さを２．５μｍとした他は、実施例２４と同条件とした。
　比較例２１では、突起部１１２ｂの高さが２．０μｍ、突起間隔が３．０μｍ、クリアランス部１１２ｄの基端部１１２ｄ１の幅Ｗ１が３．０μｍ、先端部１１２ｄ２の幅Ｗ２が４．０μｍのガイド体１１２と、溝１１０の幅Ｗが３．０μｍ、深さＤが３．０μｍ、溝１１０の間隔Ｓが３．０μｍのシート１０２を使用した。
　比較例２２では、突起部１１２ｂの高さが２．０μｍ、突起間隔が３．５μｍ、クリアランス部１１２ｄの基端部１１２ｄ１の幅Ｗ１が３．５μｍ、先端部１１２ｄ２の幅Ｗ２が４．５μｍのガイド体１１２と、溝１１０の幅Ｗが３．５μｍ、深さＤが３．０μｍ、溝１１０の間隔Ｓが３．０μｍのシート１０２を使用した。
　比較例２３では、突起部１１２ｂの高さが２．０μｍ、突起間隔が４．５μｍ、クリアランス部１１２ｄの基端部１１２ｄ１の幅Ｗ１が４．５μｍ、先端部１１２ｄ２の幅Ｗ２が５．５μｍのガイド体１１２と、溝１１０の幅Ｗが４．５μｍ、深さＤが３．０μｍ、溝１１０の間隔Ｓが３．０μｍのシート１０２を使用した。
　前述した実施例２１乃至２６及び比較例２１乃至２３における第１の樹脂フィルム１０４を１軸延伸する際の延伸率を１５０％、２００％、３００％、４５０％、７００％と変化させた場合の粒子密度、２個連結粒子率、粒子密度のバラツキ、及びショート発生率の測定結果についてまとめたものを表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すように、実施例２１乃至２６によれば、粒子密度及び２個連結粒子率は、延伸の度合い（延伸率）に比例して低くなることが確認できた。これは、予めシート１０２に導電性粒子１０３が所定パターンで配列されているため、当該導電性粒子１０３を転着した第１の樹脂フィルム１０４を１軸延伸させることで、導電性粒子１０３が確実に分散されることに起因するものと考えられる。一方、実施例２１乃至２６によれば、粒子密度のバラツキ（σ）は、延伸率によらず２以下と小さい値が得られることが確認できた。
　また、実施例２１乃至２６によれば、ショート発生率は、延伸率が１５０％では、何れの実施例とも若干発生するものの、延伸率が２００％以上の場合では、何れの実施例ともショート発生率が０％と発生しないことが確認できた。これは、１５０％延伸では、十分な導電性粒子間の距離を確保できないことから、導電性粒子１０３の接触確率が高まることに起因するものと考えられる。このことから、導電性粒子１０３を転着した第１の樹脂フィルム１０４を１軸延伸させる際には、少なくとも１５０％より大きい延伸率、すなわち元の長さの１５０％より長く延伸することが好ましいことが分かる。
　さらに、実施例２１乃至２６によれば、シート１０２の溝１１０の型の形状によらず、延伸率に比例して低くなることが分かる。これらの結果から、導電性粒子１０３の粒子間の空隙が延伸によって生じ、一方向に依存していることも分かる。
　また、シート１０２の溝１１０の深さＤの影響を見ると、実施例２１のように、導電性粒子１０３の粒子径に対するシート１０２の溝１１０の深さＤが１／３倍の場合と比べて、実施例２２及び実施例２３のように、溝１１０の深さＤが大きくなると、粒子密度が減少する。これは、溝１１０の深さＤが大きくなれば、導電性粒子１０３の充填から転写時における導電性粒子１０３の移動する自由度が小さくなることが一因と考えられる。なお、実施例２１乃至２３は、何れも溝１１０の深さＤが導電性粒子１０３の粒径よりも小さいので、溝１１０の深さＤが大きくなっても、２個連結粒子率や粒子密度のバラツキσ、及びショート発生率の変動に大きな影響を及ぼしていない。
　さらに、ガイド体１１２の突起部１１２ｂの形状等の影響を見ると、実施例２４乃至２６より、突起部１１２ｂの高さが大きくなるにつれて、粒子密度が増加し、２個連結粒子率が減少する。これは、ガイド体１１２の突起部１１２ｂの高さが大きいと、導電性粒子１０３に余分な応力がかかることがその理由として考えられる。このため、ガイド体１１２の突起部１１２ｂの高さは、実施例２５に示すように、導電性粒子１０３の径の２／３程度とすることが好ましいと考えられる。
　一方、溝１１０の深さＤが導電性粒子１０３の粒子径と同一のシートを用いて製造した従来の異方性導電フィルムを用いた比較例２１乃至２３では、粒子密度が幾分減少するものの、２００％以上の延伸をしても、２個連結粒子やショートの発生が見られた。これは、溝１１０の深さＤが導電性粒子１０３の粒径と同一のシート１０２に本発明の第２の実施形態に係るガイド体１１２を使用しても、溝１１０が深いことから、ガイド体１１２によって、余分な導電性粒子１０３を除去することができないので、シート１０２の溝１１０への充填効率の改善につながらないことがその理由として考えられる。
＜本発明の第３の実施形態に係る実施例＞
　次に、下記の実施例３１乃至３９における第１の樹脂フィルム２０４を１軸延伸する際の延伸率を１５０％、２００％、３００％、４５０％、７００％と変化させた場合の粒子密度、２個連結粒子率、粒子密度のバラツキ、及びショート発生率について、前述した実施例１乃至８と同様の条件で測定した。これら実施例３１乃至３９における第１の樹脂フィルム２０４は、電極２２０を設けたシート２０２に導電性粒子２０３を充填してから製造したものである。また、これら実施例３１乃至３９では、何れも粒子径が３μｍの導電性粒子２０３を用いた。なお、実施例３１乃至３３では、シート２０２の溝２１０を構成する電極２２０の大きさ、すなわち溝２１０の幅Ｗの影響について検討し、実施例３４乃至３６では、電極２２０の幅すなわち粒子列２０３ａの列間距離Ｓの影響について検討し、実施例３７乃至３９では、電極２２０の厚さ、すなわち溝２１０の深さＤの影響について検討した。
　実施例３１では、電極２２０の断面が一辺３．０μｍの正方形とした場合、すなわち、溝２１０の幅Ｗ及び深さＤが３．０μｍ、溝２１０の間隔Ｓが３．０μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３２では、電極２２０の断面が一辺３．５μｍの正方形とした場合、すなわち、溝２１０の幅Ｗ及び深さＤが３．５μｍ、溝２１０の間隔Ｓが３．５μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３３では、電極２２０の断面が一辺４．５μｍの正方形とした場合、すなわち、溝２１０の幅Ｗ及び深さＤが４．５μｍ、溝２１０の間隔Ｓが４．５μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３４では、溝２１０の断面が一辺３．５μｍの正方形として、溝２１０の間隔Ｓが３．０μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３５では、溝２１０の断面が一辺３．５μｍの正方形として、溝２１０の間隔Ｓが３．２μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３６では、溝２１０の断面が一辺３．５μｍの正方形として、溝２１０の間隔Ｓが４．５μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３７では、溝２１０の幅Ｗが３．５μｍ、深さＤが３．０μｍ、溝２１０の間隔Ｓが３．５μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３８では、溝２１０の幅Ｗが３．５μｍ、深さＤが３．２μｍ、溝２１０の間隔Ｓが３．５μｍのシート２０２を使用した。
　実施例３９では、溝２１０の幅Ｗが３．５μｍ、深さＤが４．５μｍ、溝２１０の間隔Ｓが３．５μｍのシート２０２を使用した。
　前述した実施例３１乃至３９における第１の樹脂フィルム２０４を１軸延伸する際の延伸率を１５０％、２００％、３００％、４５０％、７００％と変化させた場合の粒子密度、２個連結粒子率、粒子密度のバラツキ、及びショート発生率の測定結果についてまとめたものを表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４に示すように、実施例３１乃至３９によれば、粒子密度及び２個連結粒子率は、延伸の度合い（延伸率）に比例して低くなることが確認できた。これは、予めシート２０２に導電性粒子２０３が所定パターンで配列されているため、当該導電性粒子２０３を転着した第１の樹脂フィルム２０４を１軸延伸させることで、導電性粒子２０３が確実に分散されることに起因するものと考えられる。また、実施例３１乃至３９では、導電性粒子２０３のシート２０２の溝２１０への充填時に磁力による充填が行われることより、導電性粒子２０３に余分な応力がかからないことも、２個連結粒子の発生の減少の理由として考えられる。一方、実施例３１乃至３９によれば、粒子密度のバラツキ（σ）は、延伸率によらず２以下と小さい値が得られることが確認できた。
　また、実施例３１乃至３９によれば、ショート発生率は、延伸率が１５０％では、何れの実施例とも若干発生するものの、延伸率が２００％以上では、何れの実施例ともショート発生率が０％と発生しないことが確認できた。これは、１５０％延伸では、十分な導電性粒子間の距離を確保できないことから、導電性粒子２０３の接触確率が高まることに起因するものと考えられる。このことから、導電性粒子２０３を転着した第１の樹脂フィルム２０４を１軸延伸させる際には、少なくとも１５０％より大きい延伸率、すなわち元の長さの１５０％より長く延伸することが好ましいことが分かる。
　さらに、実施例３１乃至３９によれば、粒子密度は、シート２０２の溝２１０の型の形状によらず、延伸率に比例して低くなることが分かる。これらの結果から、導電性粒子２０３の粒子間の空隙が延伸によって生じ、一方向に依存していることも分かる。
　このことから、導電性粒子２０３を転着した第１の樹脂フィルム２０４を１軸延伸させる際には、少なくとも１５０％より大きい延伸率、すなわち元の長さの１５０％より長く延伸することが好ましいことが分かる。なお、実施例３１と実施例３４の２００％延伸の場合では、粒子密度は、それ以外と比較して高くなるが、これは、溝２１０の間隔Ｓが導電性粒子２０３と同一の場合では、導電性粒子２０３の接触の可能性が依然として残ることがその理由として考えられる。
　また、電極２２０の大きさ、すなわち溝２１０の幅Ｗの影響を見ると、電極２２０の断面が大きくなるに従って、粒子密度が減少することが分かる。また、実施例３１より、２００％延伸しても、２個連結粒子の発生が見られた。これは、電極２２０の断面が導電性粒子２０３と同一の場合では、転写に影響していることが考えられる。このことから、溝２１０の幅Ｗは、少なくとも導電性粒子２０３の径よりも大きいことが好ましいことが分かる。
　さらに、電極２２０の幅すなわち粒子列２０３ａの列間距離Ｓの影響を見ると、実施例３２、及び実施例３４乃至３６より、粒子列２０３ａの列間距離Ｓが大きくなるにつれて、粒子密度、２個連結粒子率の共に減少することが分かる。このことから、粒子列２０３ａの列間距離Ｓは、少なくとも導電性粒子２０３の径よりも大きいことが好ましいことが分かる。
　また、電極２２０の厚さ、すなわち溝２１０の深さＤの影響を見ると、実施例３２、及び実施例３７乃至３９より、電極２２０の厚さすなわち溝２１０の深さＤが大きくなるに従って、粒子密度が増加することが分かる。これは、溝２１０が深くなると、溝２１０の奥まで第１の樹脂層２０５の樹脂が入り込むので、転写率がよくなることがその理由として考えられる。また、前述したように、溝２１０の深さＤが導電性粒子２０３の径と同等程度の場合では、導電性粒子２０３を溝２１０に充填後にスキージ２１２で除去する際に、導電性粒子２０３の表面を損傷する度合いが大きくなるので、溝２１０の深さＤは、少なくとも導電性粒子２０３の径よりも大きいことが好ましいことが分かる。
１、　１０１、２０１　異方性導電フィルム、２、１０２、２０２　シート、
３、１０３、２０３　導電性粒子、３ａ、１０３ａ、２０３ａ　粒子列、
４、１０４、２０４　第１の樹脂フィルム、５、１０５、２０５　第１の樹脂層、
５ａ、５ｂ　部位、５ｃ、５ｄ　断崖部、６　ベースフィルム、７　第２の樹脂フィルム、
８　第２の樹脂層、９　ベースフィルム、１０　溝、１２、２１２　スキージ、
１３　傾斜面、１４、１１４、２１４　凸部、１５、１１５、２１５　凹部、
１６　クリアランス、５０　接続構造体、５２　電子部品、５４　基板、５６　バンプ、
５８　電極、１０２ａ　隙間部、１１２　ガイド体、１１２ａ　接触面、
１１２ｂ　突起部、１１２ｂ１　基端部、１１２ｂ２　先端部、１１２ｂ３　斜面部、
１１２ｃ　側壁部、１１２ｄ　クリアランス部、１１２ｄ１　基端部、
１１２ｄ２　先端部、２２０　電極、

Claims (15)

  1. 　導電性粒子を含有する異方性導電フィルムの製造方法において、
    　同方向に連続した複数の溝が形成されたシートの上記溝に、導電性粒子を埋め込み、上記導電性粒子を配列し、
    　上記溝が形成された側の上記シート表面に、延伸可能なベースフィルム上に光又は熱硬化性の樹脂層が形成された第１の樹脂フィルムの上記樹脂層をラミネートし、
    　上記第１の樹脂フィルムの上記樹脂層に上記導電性粒子を転着させ、
    　上記導電性粒子が上記樹脂層に転着した上記第１の樹脂フィルムを、上記導電性粒子の配列方向と直交する方向を除く方向に１軸延伸し、
    　更に上記導電性粒子が配置された上記第１の樹脂フィルムの上記樹脂層に、ベースフィルム上に光又は熱硬化性の樹脂層が形成された第２の樹脂フィルムをラミネートする異方性導電フィルムの製造方法。
  2. 　上記第１及び第２の樹脂フィルムの上記樹脂層は、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂を主成分とする請求項１に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
  3. 　上記溝の幅が、上記導電性粒子の粒子径の１倍～２．５倍未満であり、
    　上記溝の深さが、上記導電性粒子の粒子径の０．５～２倍である請求項１又は請求項２に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
  4. 　上記溝の幅が、上記導電性粒子の粒子径の１倍～２倍未満であり、
    　上記溝の深さが、上記導電性粒子の粒子径の０．５～１．５倍である請求項１又は請求項２に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
  5. 　上記第１の樹脂フィルムを上記導電性粒子の配列方向と直交する方向を除く方向に１軸延伸する際に、少なくとも上記第１の樹脂フィルムの元の長さの１．５倍より長く１軸延伸する請求項１に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
  6. 　上記溝に上記導電性粒子を埋め込んで配列する際に、上記溝の深さが上記導電性粒子の径より小さく形成されたシートと、上記導電性粒子との接触面に上記溝に誘導可能な複数の突起部が所定間隔で設けられるガイド体を使用し、
    　上記ガイド体を使用する際に、上記突起部の先端部を上記シートにおける上記溝の間に有する隙間部に当接させて、上記ガイド体を上記シートの長さ方向に移動させながら、上記溝に上記導電性粒子を充填させる請求項１に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
  7. 　上記溝は、上記シートの長さ方向に延在するように上記シートに所定の間隔で設けられた複数の電極の間の隙間であり、
    　上記溝に上記導電性粒子を埋め込んで配列する際に、上記電極に磁力を発生させた後に、上記溝に上記導電性粒子を充填してから、導電性を有するスキージを上記電極に当接させながら上記長さ方向に移動させて、上記溝における上記導電性粒子の配列を整える請求項１に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
  8. 　少なくとも２層構成よりなる異方導電性フィルムであって、
    　一の層を構成する第１の樹脂層と、
    　上記第１の樹脂層にラミネートされた第２の樹脂層と、
    　上記第１の樹脂層と上記第２の樹脂層のうち、少なくとも上記第１の樹脂層に接した複数の導電性粒子とを備え、
    　上記導電性粒子は、上記第１の樹脂層において第１の方向に規則的に配列して形成した粒子列が上記第１の方向と異なる第２の方向に規則的に複数並列して設けられ、
    　上記第１の樹脂層は、上記第１の方向における上記導電性粒子の間の部位を上記第２の方向における上記導電性粒子の間の部位よりも薄く形成されている異方性導電フィルム。
  9. 　上記第１の樹脂層は、上記第１の方向における上記導電性粒子の間にクリアランスが設けられる請求項８に記載の異方性導電フィルム。
  10. 　上記第１の樹脂層は、上記粒子列の各列間が上記第１の方向に延在した凸部となっている請求項９に記載の異方性導電フィルム。
  11. 　上記導電性粒子は、上記第１の樹脂層の上記第１の方向に延在するように形成された凹部内に配置される請求項１０に記載の異方性導電フィルム。
  12. 　上記導電性粒子は、上記凹部内で上記第１の方向に延在するように略直線状に配置される請求項１１に記載の異方性導電フィルム。
  13. 　上記粒子列は、上記第１の樹脂層において、上記第１の方向に延在するように上記導電性粒子が互いに上記凹部の幅方向に上記導電性粒子の粒子径の１．５倍の範囲内でずれて配置される請求項１１に記載の異方性導電フィルム。
  14. 　上記導電性粒子は、それぞれが上記凹部の側縁部の何れかに沿って配置される請求項１１に記載の異方性導電フィルム。
  15. 　電子部品の接続に、請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の異方導電性フィルムを用いた接続構造体。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015025104A (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 デクセリアルズ株式会社 導電性接着フィルムの製造方法、導電性接着フィルム、接続体の製造方法
JP2016119306A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 デクセリアルズ株式会社 異方導電性フィルム及び接続構造体
JP2017147224A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体
TWI739287B (zh) * 2014-10-28 2021-09-11 日商迪睿合股份有限公司 異向性導電膜、其製造方法及連接構造體
WO2022168972A1 (ja) * 2021-02-08 2022-08-11 デクセリアルズ株式会社 接続体の製造方法，接続体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007080522A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性フィルムおよび電子・電機機器
JP2007217503A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP2010033793A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Tokai Rubber Ind Ltd 粒子転写膜の製造方法
JP2010251337A (ja) * 2010-08-05 2010-11-04 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びその製造方法並びに接続構造体
WO2011152421A1 (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電膜及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5498262A (en) * 1992-12-31 1996-03-12 Bryan; Donald W. Spinal fixation apparatus and method
JPH10104650A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Denso Corp 液晶表示素子及びその異方性導電部材
KR101011923B1 (ko) * 2003-03-31 2011-02-01 스미토모덴키고교가부시키가이샤 이방성 도전막 및 그 제조방법
WO2005054388A1 (ja) 2003-12-04 2005-06-16 Asahi Kasei Emd Corporation 異方導電性接着シート及び接続構造体
JP4880533B2 (ja) * 2007-07-03 2012-02-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007080522A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性フィルムおよび電子・電機機器
JP2007217503A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP2010033793A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Tokai Rubber Ind Ltd 粒子転写膜の製造方法
WO2011152421A1 (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電膜及びその製造方法
JP2010251337A (ja) * 2010-08-05 2010-11-04 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びその製造方法並びに接続構造体

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11248148B2 (en) 2013-07-29 2022-02-15 Dexerials Corporation Method for manufacturing electrically conductive adhesive film, electrically conductive adhesive film, and method for manufacturing connector
WO2015016169A1 (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 デクセリアルズ株式会社 導電性接着フィルムの製造方法、導電性接着フィルム、接続体の製造方法
US20160280969A1 (en) * 2013-07-29 2016-09-29 Dexerials Corporation Method for manufacturing electrically conductive adhesive film, electrically conductive adhesive film, and method for manufacturing connector
JP2015025104A (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 デクセリアルズ株式会社 導電性接着フィルムの製造方法、導電性接着フィルム、接続体の製造方法
TWI739287B (zh) * 2014-10-28 2021-09-11 日商迪睿合股份有限公司 異向性導電膜、其製造方法及連接構造體
JP2016119306A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 デクセリアルズ株式会社 異方導電性フィルム及び接続構造体
JP7176550B2 (ja) 2014-12-22 2022-11-22 デクセリアルズ株式会社 異方導電性フィルム及び接続構造体
US9991614B2 (en) 2014-12-22 2018-06-05 Dexerials Corporation Anisotropic electrically conductive film and connection structure
JP2020177916A (ja) * 2014-12-22 2020-10-29 デクセリアルズ株式会社 異方導電性フィルム及び接続構造体
CN108475558A (zh) * 2016-02-15 2018-08-31 迪睿合株式会社 各向异性导电膜、其制造方法和连接结构体
CN108475558B (zh) * 2016-02-15 2021-11-09 迪睿合株式会社 各向异性导电膜、其制造方法和连接结构体
JP7114857B2 (ja) 2016-02-15 2022-08-09 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体
JP2017147224A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体
WO2022168972A1 (ja) * 2021-02-08 2022-08-11 デクセリアルズ株式会社 接続体の製造方法，接続体

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