WO2014012732A1 - Elektrisches bauelement umfassend ein anschlusselement mit einem kunststoffkörper - Google Patents

Elektrisches bauelement umfassend ein anschlusselement mit einem kunststoffkörper Download PDF

Info

Publication number
WO2014012732A1
WO2014012732A1 PCT/EP2013/062780 EP2013062780W WO2014012732A1 WO 2014012732 A1 WO2014012732 A1 WO 2014012732A1 EP 2013062780 W EP2013062780 W EP 2013062780W WO 2014012732 A1 WO2014012732 A1 WO 2014012732A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
component according
metal layer
plastic body
component body
Prior art date
Application number
PCT/EP2013/062780
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Günter Engel
Michael Schossmann
Markus Koini
Jürgen KONRAD
Stefan OBERMAIR
Original Assignee
Epcos Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos Ag filed Critical Epcos Ag
Priority to EP13733238.3A priority Critical patent/EP2875514B1/de
Priority to KR20157004008A priority patent/KR20150036644A/ko
Priority to US14/415,548 priority patent/US9865394B2/en
Priority to JP2015522014A priority patent/JP6329141B2/ja
Priority to CN201380038020.1A priority patent/CN104471659B/zh
Publication of WO2014012732A1 publication Critical patent/WO2014012732A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates

Definitions

  • the invention relates to a component, in particular a capacitive component with a substantially ceramic component body.
  • Capacitive components can be used in many ways, for example in the field of power semiconductors.
  • MOSFET metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
  • connection should have sufficient mechanical stability to the component tight (with the rest of the electronic circuit ⁇ arrangement (for example, a DCB-substrate substrate of direct copper coating, English "direct copper At the same time, such a connection is subject to mechanical stresses caused by
  • Temperature changes can be induced by ambient conditions or by self-heating of the component
  • Another temperature input can arise in the context of production by soldering or sintering processes, which, although occurring only once, but is greater than the maximum allowable working temperature in terms of the temperature reached thereby.
  • Metals with good electrical conductivity for example copper or silver, are well suited to ensure the electrical requirements and the temperature stability, but the different expansion coefficients of ceramic and metal, that mechanical stresses at the transition of ceramic component body and
  • Possibility provides the stress relief by using suitable geometries (for example in meander shape), which are in contradiction to the optimization of the inductance and also require a certain effort in the production. Furthermore, the problem of temperature resistance of the connection remains in operation. This can be avoided in the case of a solder joint with lead-containing Hochtemperaturlot, which due to the material (RoHs) and the
  • Component comprising a component body and at least one connection element with a plastic body which is connected via a metal layer to the component body.
  • the connection need not be made directly, but it can be provided in the connection between the plastic body and the actual component body more layers.
  • the mechanical requirements are essentially fulfilled by the plastic body of the connection element, which due to its flexibility is insensitive to the thermal and associated mechanical stresses.
  • the metal layer which is provided between the plastic body and the component body, is optimized in terms of their electrical properties. It comprises or consists of, for example, silver or other metals with good electrical properties, in particular good
  • the plastic body which essentially makes up the shape of the connecting element, is formed as an angle, that is to say it has a first part which is arranged adjacent to the component body, and a second part which extends at an angle to the first part.
  • the first part enables a large-area and secure contacting of the component body.
  • the second part is used for contacting the device and can
  • Plastic body is substantially 90 °, the device can be positioned in a stable position, since the device can be safely placed on the second part and mounted in this position.
  • the angle is between the
  • the plastic body has a
  • This metallization is a thin, conductive layer whose thickness is less than that of the metal layer, which covers the device body and the
  • Connecting element connects.
  • the thickness is for example 75 to 150 ⁇ , preferably 100 to 125 ⁇ .
  • Metallization may include, for example, copper or copper.
  • a copper layer thickness 75 to 150 ⁇ , preferably 100 to 125 ⁇
  • a thin layer of silver whose thickness is 2 to 6 ⁇ , preferably 3 to 5 ⁇ .
  • this metallization extends to and / or below the metal layer, so that an electrical contacting of the component body over the metal layer and along the plastic body is made possible.
  • the entire plastic body is metallized, which is accompanied by a simplified production and good current conductivity.
  • the metallization on the plastic body allows the supply of current and voltage along the plastic body to the metal layer, and via this to the
  • connection surface is provided on the second part of the plastic body, which is electrically conductively connected to the metal layer.
  • Pad can be applied for example as a sintered layer on the metallization.
  • This pad can be connected, for example, by soldering to a printed circuit board or a substrate during assembly of the component.
  • the sintered layer is applied to a nickel-gold-palladium layer, wherein the nickel-gold-palladium layer and the entire plastic body can coat.
  • the nickel-gold-palladium layer with good electrical properties can be applied by thin-film technology.
  • the plastic body comprises a
  • Material from the group polyester-ether-ketone (PEEK) or poly-imide which have good mechanical properties.
  • the material for the plastic body is temperature resistant and flexible to the mechanical loads during operation
  • the metal layer comprises sintered silver.
  • Sintering is a process for the production of materials. Here are fine-grained, ceramic or
  • Such a metal layer may be sintered at temperatures of about 250 ° C or below. It is heat-resistant and does not melt later during soldering or during operation. Alternatively, others can
  • the pad can be made of the same material during the same manufacturing step as the metal layer.
  • the connection between the sintered layer on the connection element to the component body can be done by soldering.
  • the metal layer has a
  • the shape and size can be substantially to
  • the metal layer is arranged between a sputtering or a burn-in layer on the component body and the metallization on the plastic body.
  • the sputtering or burn-in layer is connected to internal electrodes in the interior of the component body.
  • a component body is a capacitor body with ceramic dielectric layers and internal electrodes.
  • the dielectric layers may include, for example
  • antiferroelectric perovskite The use of this material, for example, with copper inner electrodes solves the problem of high leakage currents in barium titanate (BaTi03) - based systems at high temperatures, which are common in power electronics.
  • barium titanate (BaTi03) - based systems at high temperatures, which are common in power electronics.
  • the component body is cuboid with two angular connection elements on opposite sides of the component body. This is a compact but stable arrangement. This design allows a small size, which comes with the good resistance of the ceramic and the secure connection of the connecting elements even at high temperatures of the integrability of the device in a semiconductor module to good.
  • Figure 1 shows an embodiment of a capacitive
  • Figure 2 shows a cross section through an embodiment
  • Figure 3 shows a cross section through another
  • Figure 4 is a detail view of the connection between the
  • FIG. 1 shows a capacitive component with a
  • the ceramic used may, for example, be an antiferroelectric lead-lanthanum-zirconium-titanate (PLZT) ceramic.
  • PZT antiferroelectric lead-lanthanum-zirconium-titanate
  • connecting elements 2 On opposite sides of the component body 1 connecting elements 2 are provided, which are formed as an angle with a first and a second part 21, 22.
  • End elements 2 each have a plastic body 23 whose shape corresponds to the shape of the connection elements 2.
  • the connection elements 2 hold the component body 1 and
  • the first parts 21 are adjacent to
  • the second parts 22 extend substantially at right angles to the first parts 21 and allow a
  • connection element 2 Contacting of the component, for example by SMD contacting.
  • the dimensions of the connection element 2 are based on those of the component body 1. Based on the above examples, the width is 7 to 7.5 mm. The height is 2.5 to 3.5 mm.
  • FIG. 2 shows a cross section through an exemplary embodiment of the component body 1 of the component.
  • the component body 1 is constructed in multilayer construction and can be sputtered, for example. He includes
  • the stacking direction extends in the direction of the height of the component body 1.
  • Internal electrodes 7 extend to an outer side and are electrically connected there by a sputtering or burn-in layer 11 serving as a pad.
  • the second internal electrodes 8 extend to the opposite outside and are there by a sputtering or
  • the component body 1 can be monolithically removed or consist of several, cascaded, single ceramics. In operation, a voltage is applied between the pads, which is supplied via the connection elements 2.
  • Figure 3 shows a cross section through another
  • Embodiment of the component body 1 of the device differs from the previous embodiment in terms of the internal electrode arrangement.
  • First internal electrodes 7 extend to one
  • Second internal electrodes 8 extend to the opposite outside and are there by a
  • first and second internal electrodes Adjacent first and second internal electrodes are spaced apart in a same plane from each other. Between these levels, third, so-called buried internal electrodes 6 are arranged, which are not connected to the pads.
  • Internal electrode arrangement corresponds to an inner
  • FIG. 4 shows a detailed view of the connection point between the ceramic component body 1 and the
  • connection element 2 has a plastic body 23 which determines the shape of the connection element 2.
  • the material for the plastic body 23 is a heat-resistant flexible
  • Plastic, or colloquially plastic in particular a heat-resistant flexible polymer and may comprise, for example, polyester-ether-ketone (PEEK) or poly-imide.
  • PEEK polyester-ether-ketone
  • the plastic body 23 is so flexible that the mechanical stresses during operation do not lead to material fracture.
  • the connecting element 2 further comprises a coating applied to the plastic body 23 ⁇ metallization 24, for example from Copper and silver, up.
  • This metallization 24 can be
  • the metal layer 3 is provided.
  • This can be for example a sintered silver layer.
  • the silver layer may either have been sintered onto the component body 1 or the connection element 2 and subsequently connected to other parts of the component, for example by soldering. Alternatively, the connection can also be made by the sintering process.
  • the silver layer has a good low conductivity current conductivity. In addition, it is temperature-resistant and does not melt during soldering or during operational temperature fluctuations.
  • the metal layer 3 has such a current carrying capacity that its contribution to the overall electrical series resistance is smaller than that of the ceramic component body 1.
  • it has a cross section which is larger than the total cross section of the internal electrodes, which is about 1 mm ⁇ .
  • the total cross section of the internal electrodes is the cross-sectional area of either the first or the second internal electrodes 7, 8 at one
  • the metal layer 3 has a flat band-shaped and
  • the thickness is the extent of the metal layer 3 between the metallization 24 and the sputtering layer 11.
  • the width is determined along the longitudinal extent of the connection element 2, that is, running into the drawings.
  • the contacting or external termination of the component body 1 by the described multilayer connection combines mechanical strength and electrical
  • a provided for this purpose pad 4 may be, for example, thin-layer applied nickel-gold-palladium layer on the a sintered one
  • a pad 4 of nickel-gold-palladium is also solderable.
  • the contacting can be done for example by means of solder in an SMD assembly process.
  • VDCmax 560 V.
  • the capacity can be between 0.5 and 1 yF at the optimum operating voltage.
  • the current is 3 A_rms at 200 kHz and a temperature rise of 40 ° C.
  • the life may be more than 100,000 hours at 105 ° C / Vop or more than 20000 hours at 125 ° C / Vop.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

Ein Bauelement umfasst einen Bauelementkörper (1) und zumindest ein Anschlusselement (2) mit einem Kunststoffkörper (23), das über eine Metallschicht (3) mit dem Bauelementkörper (1) verbunden ist.

Description

Beschreibung
ELEKTRISCHES BAUELEMENT UMFASSEND EIN ANSCHLUSSELEMENT MIT EINEM
KUNSTSTOFFKÖRPER
Die Erfindung betrifft ein Bauelement, insbesondere ein kapazitives Bauelement mit einem im Wesentlichen keramischen Bauelementkörper .
Kapazitive Bauelemente können vielfältig eingesetzt werden, beispielsweise im Bereich der Leistungshalbleiter.
Halbleiterschalter, wie beispielsweise ein IGBT
(Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, englisch "insulated-gate bipolar transistor") oder ein MOSFET (Metall- Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, englisch "metal-oxide- semiconductor field-effect transistor"), erfordern eine
Beschaltung mit externen kapazitiven Bauelementen, um hohen Strom- und Spannungsanforderungen zu genügen. Um eine hohe Effizienz dieser Schalter zu erhalten, ist es erforderlich, dass die externen kapazitiven Bauelemente mit möglichst niedriger Induktivität an die Halbleiterschalter angebunden werden; das heißt, dass sie eine kleine Eigeninduktivität haben und nahe an die Halbleiter angebunden werden können. Zudem treten hohe Temperaturen auf, welche einerseits
gewünscht sind, da hohe Temperaturen an den aktiven
Halbleiterzonen des Bauelements die Effizienz erhöhen, anderseits jedoch die Verbindungstechnik erschweren.
Wesentliche Anforderung an das Bauelement ist somit eine hohe Kapazitätsdichte und eine gute Isolationsfähigkeit bei hohen Temperaturen. Folienkondensatoren und Aluminium-Elektrolyt- Kondensatoren scheiden unter diesen Bedingungen auf Grund ihrer technologiebedingten Temperaturbegrenzung aus. Jedoch können auch bekannte Kondensatoren auf Barium-Titanat-Basis diese Anforderungen bisher nicht erfüllen. Der Grund liegt zum Einen im Erfordernis einer hochtemperaturwechselbestän- digen Außenkontaktierung und zum Zweiten in den ungünstigen Materialeigenschaften der schlechter werdenden Isolation bei höheren Temperaturen.
Die Außenkontaktierung eines keramischen Kondensator- Bauelements soll mehrere Aufgaben erfüllen: Zum einen soll die Verbindung genügend mechanische Stabilität aufweisen, um das Bauteil fest mit der übrigen elektronischen Schaltungs¬ anordnung (beispielsweise mit einem DCB-Substrat (Substrat mit direkter Kupferbeschichtung, englisch "direct copper bonded board") zu verbinden. Gleichzeitig ist eine solche Anbindung mechanischen Spannungen ausgesetzt, die von
elektrostriktiven Kräften im Betrieb und Temperaturwechseln induziert werden können. Temperaturwechsel können umgebungs- induziert oder durch Eigenerwärmung des Bauteiles bei
Stromdurchfluss während der Halbleiter-Schaltvorgänge
entstehen. Ein weiterer Temperatureintrag kann im Rahmen der Herstellung durch Löt- oder Sinterprozesse entstehen, welcher zwar nur einmalig auftritt, jedoch hinsichtlich der dabei erreichten Temperatur größer ist als die maximal zulässige Arbeitstemperatur .
Metalle mit guter elektrischer Leitfähigkeit, beispielsweise Kupfer oder Silber, eignen sich gut, um die elektrischen Anforderungen und die Temperaturstabilität zu gewährleisten, jedoch bedingen die unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Keramik und Metall, dass mechanische Spannungen am Übergang von keramischen Bauelementkörper und
Außenkontaktierung die Lebensdauer solcher Anbindungen negativ beeinflussen. Bisherige Designkompromisse verwenden beispielsweise Metalle mit niedrigeren Ausdehnungskoeffi¬ zienten, welche allerdings mit einer schlechteren elektrischen Leitfähigkeit einher gehen. Eine weitere
Möglichkeit bietet die Spannungsentlastung durch Verwenden geeigneter Geometrien (beispielsweise in Mäanderform) , die jedoch im Widerspruch zur Optimierung der Induktivität stehen und auch einen gewissen Aufwand in der Herstellung bedürfen. Des Weiteren bleibt das Problem der Temperaturbeständigkeit der Verbindung im Betrieb bestehen. Dies kann im Falle einer Lötverbindung mit bleihaltigem Hochtemperaturlot umgangen werden, was auf Grund des Materials (RoHs) und der
Zuverlässigkeit immer wieder Gegenstand kontroverser
Diskussionen ist.
Es stellt sich die Aufgabe, ein Bauelement mit verbesserter Außenkontaktierung bereitzustellen, das insbesondere
unempfindlich gegenüber Temperaturwechseln ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst, der gerichtet ist auf ein
Bauelement umfassend einen Bauelementkörper und zumindest ein Anschlusselement mit einem Kunststoffkörper, das über eine Metallschicht mit dem Bauelementkörper verbunden ist. Die Verbindung muss nicht direkt erfolgen, sondern es können weitere Schichten bei der Verbindung zwischen Kunststoffkörper und dem eigentlichen Bauelementkörper vorgesehen sein.
Die Grundidee ist, die mechanischen und elektrischen
Anforderungen an die Außenkontaktierung voneinander zu entkoppeln, um die jeweiligen Vorteile der Materialien, die entweder auf die elektrische oder die mechanische Kopplung von Bauelementskörper und Anschlusselement gerichtet sind, auszunutzen und durch deren Kombinationen eine zuverlässige Kontaktierung zu erhalten, die einerseits den thermischen Belastungen und den damit verbundenen Spannungen im Kontaktbereich als auch den elektrischen Anforderungen - geringe Induktivität und hohe Stromtragfähigkeit durch niedrigen Serienwiderstand - genügt.
Die mechanischen Anforderungen werden im Wesentlichen durch den Kunststoffkörper des Anschlusselements erfüllt, welcher auf Grund seiner Flexibilität den thermischen und damit einhergehenden mechanischen Beanspruchungen unempfindlich ist. Die Metallschicht, die zwischen dem Kunststoffkörper und dem Bauelementkörper vorgesehen ist, ist hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften optimiert. Sie umfasst oder besteht aus beispielsweise Silber oder anderen Metallen mit guten elektrischen Eigenschaften, insbesondere guter
Leitfähigkeit .
In einer ersten Ausgestaltung ist der Kunststoffkörper, welcher die Form des Anschlusselements im Wesentlichen ausmacht, als ein Winkel geformt, das heißt er hat einen ersten Teil, der benachbart zum Bauelementkörper angeordnet ist, und einen zweiten Teil, der sich winkelig zum ersten Teil erstreckt. Der erste Teil ermöglicht eine großflächige und sichere Kontaktierung des Bauelementkörpers. Der zweite Teil dient zur Kontaktierung des Bauelements und kann
beispielsweise mit einem Substrat verbunden werden. Wenn der Winkel zwischen dem ersten und dem zweiten Teil des
Kunststoffkörpers im Wesentlichen 90° beträgt, lässt sich das Bauelement in stabiler Lage positionieren, da das Bauelement sicher auf dem zweiten Teil aufgesetzt und in dieser Position montiert werden kann. Der Winkel wird zwischen den
Schnittpunkten der Richtungen bestimmt, in denen sich der Querschnitt des ersten und des zweiten Teils erstrecken. In einer Ausgestaltung weist der Kunststoffkörper eine
Metallisierung auf zumindest Teilbereichen seiner Außenseite, das heißt seines Äußeren, auf. Diese Metallisierung ist eine dünne, leitende Schicht, deren Dicke geringer ist als die der Metallschicht, welche den Bauelementkörper und das
Anschlusselement verbindet. Die Dicke beträgt beispielsweise 75 bis 150 μιτι, bevorzugt 100 bis 125 μιη. Eine solche
Metallisierung kann beispielsweise Kupfer umfassen oder aus Kupfer bestehen. Auf einer solchen Kupferschicht (Dicke 75 bis 150 μιη, bevorzugt 100 bis 125 μιη) ist vorteilhafterweise eine dünne Silberschicht aufgebracht, deren Dicke 2 bis 6 μιτι, bevorzugt 3 bis 5 μιη beträgt. Vorteilhafterweise verläuft diese Metallisierung zu und/oder unterhalb der Metallschicht, sodass eine elektrische Kontaktierung des Bauelementkörpers über die Metallschicht und entlang des Kunststoffköpers ermöglicht wird. Es ist natürlich auch denkbar, dass der gesamte Kunststoffkörper metallisiert ist, was mit einer vereinfachten Herstellung und guten Stromleitfähigkeit einhergeht. Die Metallisierung auf dem Kunststoffkörper erlaubt die Zuführung von Strom und Spannung entlang des Kunststoffkörpers zur Metallschicht, und über diese zum
Bauelementkörper .
In einer Ausgestaltung ist eine Anschlussfläche auf dem zweiten Teil des Kunststoffkörpers vorgesehen, die elektrisch leitend mit der Metallschicht verbunden ist. Diese
Anschlussfläche kann zum Beispiel als Sinterschicht auf der Metallisierung aufgebracht sein. Diese Anschlussfläche kann beispielsweise durch Löten mit einer Leiterplatte oder einem Substrat bei der Montage des Bauteils verbunden werden. In einer Ausführung ist die Sinterschicht auf einer Nickel-Gold- Palladium-Schicht aufgebracht, wobei die Nickel-Gold- Palladium-Schicht auch den gesamten Kunststoffkörper beschichten kann. Die Nickel-Gold-Palladium-Schicht mit guten elektrischen Eigenschaften kann in Dünnschichttechnik aufgebracht sein.
In einer Ausgestaltung umfasst der Kunststoffkörper ein
Material aus der Gruppe Polyester-Ether-Keton (PEEK) oder Poly-Imid, welche gute mechanische Eigenschaften haben. Das Material für den Kunststoffkörper ist temperaturbeständig und flexibel, um die mechanischen Belastungen im Betrieb
aufzufangen und auszuhalten.
In einer Ausgestaltung umfasst die Metallschicht gesintertes Silber. Sintern ist ein Verfahren zur Herstellung von Werk- Stoffen. Dabei werden feinkörnige, keramische oder
metallische Stoffe - meist unter erhöhtem Druck - auf
Temperaturen unterhalb deren Schmelztemperaturen erhitzt. Eine derartige Metallschicht kann bei Temperaturen von ungefähr 250 °C oder darunter gesintert werden. Sie ist hitzebeständig und schmilzt später weder beim Löten noch während des Betriebs. Alternativ können auch andere
Materialien durch einen Sinterprozess aufgebracht werden. Die Anschlussfläche kann aus demselben Material während desselben Herstellungsschritts gefertigt werden wie die Metallschicht. Die Verbindung zwischen der Sinterschicht am Anschlusselement mit dem Bauelementkörper kann durch Löten erfolgen.
In einer Ausgestaltung hat die Metallschicht eine
bandförmige, langgestreckte Geometrie mit einem Breite-zu- Dicke-Verhältnis größer als 6, insbesondere größer als 30. Die Form und Größe kann im Wesentlichen der zu
kontaktierenden Seite des Bauelementkörpers entsprechen.
Diese flache Geometrie der Leiterbahn wirkt sich bei der Kontaktierung besonders vorteilhaft auf das induktive
Verhalten des Bauelements aus.
In einer Ausgestaltung ist die Metallschicht zwischen einer Sputter- oder einer Einbrandschicht auf dem Bauelementkörper und der Metallisierung auf dem Kunststoffkörper angeordnet. Die Sputter- oder Einbrandschicht ist mit Innenelektroden im Inneren des Bauelementkörpers verbunden. Vorteilhafterweise ist ein solcher Bauelementkörper ein Kondensatorkörper mit keramischen dielektrischen Schichten und Innenelektroden. Die dielektrischen Schichten können beispielsweise ein
antiferroelektrisches Perovskit umfassen. Die Verwendung dieses Materials beispielsweise mit Kupferinnenelektroden löst das Problem hoher Leckströme in Bariumtitanat (BaTi03 ) - basierten Systemen bei hohen Temperaturen, wie sie in der Leistungselektronik üblich sind.
Bei einer Ausgestaltung ist der Bauelementkörper quaderförmig mit zwei winkelförmigen Anschlusselementen an gegenüberliegenden Seiten des Bauelementkörpers. Dies ist eine kompakte und doch stabile Anordnung. Diese Ausführung erlaubt eine geringe Baugröße, die mit der guten Widerstandsfähigkeit der Keramik und der sicheren Anbindung der Anschlusselemente auch bei hohen Temperaturen der Integrierbarkeit des Bauelements in einem Halbleitermodul zu Gute kommt.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den untergeordneten Patentansprüchen angegeben.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die
Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen erklärt. Es zeigen:
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel eines kapazitiven
Bauelements ,
Figur 2 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel
eines Bauelementkörpers des Bauelements,
Figur 3 einen Querschnitt durch ein weiteres
Ausführungsbeispiel des Bauelementkörpers des
Bauelements und
Figur 4 eine Detailansicht der Verbindung zwischen dem
Anschlusselement und dem Bauelementkörper des
Bauelements .
Figur 1 zeigt ein kapazitives Bauelement mit einem
quaderförmigen keramischen Bauelementkörper 1. Dessen
Abmessungen können beispielsweise 7 x 7 x 2,5 mm betragen. Auch 7,5 x 7,5 x 3,5 mm sind denkbare Abmessungen. Die verwendete Keramik kann beispielsweise eine antiferro- elektrische Blei-Lanthan-Zirkonium-Titanat (PLZT) -Keramik sein .
An gegenüberliegenden Seiten des Bauelementkörpers 1 sind Anschlusselemente 2 vorgesehen, die als Winkel mit einem ersten und einem zweiten Teil 21, 22 geformt sind. Die
Abschlusselemente 2 haben jeweils einen Kunststoffkörper 23, dessen Form der Form der Anschlusselemente 2 entspricht. Die Anschlusselemente 2 halten den Bauelementkörper 1 und
erlauben das Anlegen der Betriebspannungen und -ströme an das Bauelement. Die ersten Teile 21 sind benachbart zu
Seitenflächen des Bauelementkörpers 1 angeordnet und mit diesen Seitenflächen über eine Metallschicht 3 verbunden. Die zweiten Teile 22 erstrecken sich im Wesentlichen im rechten Winkel zu den ersten Teilen 21 und erlauben eine
Kontaktierung des Bauelements, beispielsweise durch SMD- Kontaktierung . Die Maße des Anschlusselements 2 orientieren sich an denen des Bauelementkörpers 1. Basierend auf obigen Beispielen beträgt die Breite 7 bis 7,5 mm. Die Höhe beträgt 2,5 bis 3,5 mm.
Figur 2 zeigt einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel des Bauelementkörpers 1 des Bauelements.
Der Bauelementkörper 1 ist in Vielschichtbauweise aufgebaut und kann beispielsweise gesputtert sein. Er umfasst
keramische dielektrische Schichten 9, zwischen denen erste und zweite Innenelektroden 7, 8, beispielsweise aus Kupfer, alternierend angeordnet sind. Die Stapelrichtung verläuft in Richtung der Höhe des Bauelementkörpers 1. Die ersten
Innenelektroden 7 erstrecken sich bis zu einer Außenseite und sind dort durch eine Sputter- oder Einbrandschicht 11, die als Anschlussfläche dient, elektrisch verbunden. Die zweiten Innenelektroden 8 erstrecken sich bis zur gegenüberliegenden Außenseite und sind dort durch eine Sputter- oder
Einbrandschicht 11, die als Anschlussfläche dient, elektrisch verbunden. Der Bauelementkörper 1 kann monolithisch ausgebaut oder aus mehreren, kaskadierten, Einzelkeramiken bestehen. Im Betrieb wird eine Spannung zwischen den Anschlussflächen angelegt, welche über die Anschlusselemente 2 zugeführt wird.
Figur 3 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres
Ausführungsbeispiel des Bauelementkörpers 1 des Bauelements. Der Bauelementkörper 1 unterscheidet sich hinsichtlich der Innenelektrodenanordnung vom vorherigen Ausführungsbeispiel. Erste Innenelektroden 7 erstrecken sich bis zu einer
Außenseite und sind dort durch eine Sputter- oder
Einbrandschicht 11, die als Anschlussfläche dient, elektrisch verbunden. Zweite Innenelektroden 8 erstrecken sich bis zur gegenüberliegenden Außenseite und sind dort durch eine
Sputter- oder Einbrandschicht 11, die als Anschlussfläche dient, elektrisch verbunden. Benachbarte erste und zweite Innenelektroden sind in einer selben Ebene von einander beabstandet angeordnet. Zwischen diesen Ebenen sind dritte, so genannte vergrabene Innenelektroden 6 angeordnet, welche nicht mit den Anschlussflächen verbunden sind. Ein
elektrisches Feld oder ein Stromfluss bildet sich im
Wesentlichen in Stapelrichtung. Das Design dieser
Innenelektrodenanordnung entspricht einer inneren
Serienschaltung .
Figur 4 zeigt eine Detailansicht der Verbindungsstelle zwischen dem keramischen Bauelementkörper 1 und dem
Anschlusselement 2.
Das Anschlusselement 2 hat einen Kunststoffkörper 23, der die Form des Anschlusselements 2 bestimmt. Das Material für den Kunststoffkörper 23 ist ein hitzebeständiger flexibler
Kunststoff, oder umgangssprachlich Plastik, insbesondere ein hitzebeständiges flexibles Polymer und kann beispielsweise Polyester-Ether-Keton (PEEK) oder Poly-Imid umfassen. Der Kunststoffkörper 23 ist so flexibel, dass die mechanischen Belastungen im Betrieb nicht zum Materialbruch führen.
Das Anschlusselement 2 weist ferner eine auf den Kunststoff¬ körper 23 aufgebrachte Metallisierung 24, beispielsweise aus Kupfer und Silber, auf. Diese Metallisierung 24 kann
strukturiert, beispielsweise leiterbahnförmig, oder
(groß- ) flächig, beispielsweise von der Unterseite zur dem Bauelementkörper 1 zugewandten Seite des Kunststoffkörpers 23 verlaufend, oder ganzflächig das Äußere des Kunststoffkörpers 23 bedeckend sein. Insbesondere in Bereichen jenseits der Metallschicht 3, beispielsweise auf der vom Bauelementkörper 1 abgewandten Seite des Anschlusselements 2, ist das Vorsehen der Metallisierung 24 optional.
Zwischen der Metallisierung 24 und der Einbrand- oder
Sputterschicht 11 ist die Metallschicht 3 vorgesehen. Dies kann beispielsweise eine gesinterte Silberschicht sein. Die Silberschicht kann entweder auf den Bauelementköper 1 oder das Anschlusselement 2 gesintert worden sein und anschließend mit anderen Teilen des Bauelements, beispielsweise durch Löten, verbunden werden. Alternativ kann die Verbindung auch durch den Sinterprozess erfolgen. Die Silberschicht hat eine gute Stromleitfähigkeit mit geringem Widerstand. Zudem ist sie temperaturbeständig und schmilzt weder während des Lötens noch bei betriebsbedingten Temperaturschwankungen.
Die Metallschicht 3 weist eine derartige Stromtragfähigkeit auf, dass deren Beitrag zum elektrischen Gesamtserienwider- stand kleiner als derjenige des keramischen Bauelementkörpers 1 ist. Vorzugsweise hat sie daher einen Querschnitt, der größer ist als der Gesamtquerschnitt der Innenelektroden, welcher ungefähr 1 mm^ beträgt. Der Gesamtquerschnitt der Innenelektroden ist die Querschnittsfläche entweder der ersten oder der zweiten Innenelektroden 7, 8 bei einem
Schnitt parallel zur Sputter- oder Einbrandschicht 11. Die Metallschicht 3 hat eine flache bandförmige und
langgestreckte Geometrie, deren Verhältnis von Breite zu Dicke größer als 6 und besonders vorteilhafterweise größer als 30 ist. Die Dicke ist die Ausdehnung der Metallschicht 3 zwischen Metallisierung 24 und Sputterschicht 11. Die Breite wird entlang der Längsausdehnung des Anschlusselements 2, das heißt in die Zeichnungen hinein laufend, bestimmt.
Die Kontaktierung oder Außenterminierung des Bauelementkörpers 1 durch die geschilderte mehrschichtige Anbindung kombiniert mechanische Festigkeit und elektrische
Stromtragfähigkeit durch Verwendung verschiedener
Materialien, die jeweils auf einen dieser Aspekte gerichtet sind. Dadurch werden die Vorteile der Materialien mit
mechanischer Compliance, das heißt mechanischer
Nachgiebigkeit, und elektrisch favorisierten Eigenschaften miteinander kombiniert.
Die Kontaktierung des gesamten Bauelements 2 auf einem DCB- Substrat oder einem anderen Leistungsmodulsubstrat erfolgt an der Unterseite des zweiten Teils 22 des Anschlusselements 2. Eine zu diesem Zweck vorgesehene Anschlussfläche 4 kann beispielsweise in Dünnschichttechnik aufgebrachte Nickel- Gold-Palladium-Schicht sein, auf die einer gesinterten
Silberschicht an der Unterseite des zweiten Teils 22
aufgebracht sein kann. Eine Anschlussfläche 4 aus Nickel- Gold-Palladium ist auch lötbar.
Die Kontaktierung kann beispielsweise mittels Lot in einem SMD-Montageprozess erfolgen.
Denkbare Kenndaten eines kapazitiven Bauelements sind eine optimale und maximale Betriebspannung Vop = 380 V
beziehungsweise VDCmax = 560 V. Die Kapazität kann bei der optimalen Betriebsspannung zwischen 0,5 bis 1 yF betragen. Der Strom beträgt 3 A_rms bei 200 kHz und einem Temperaturanstieg von 40 °C. Die Lebensdauer kann mehr als 100000 Stunden bei 105 °C/Vop oder mehr als 20000 Stunden bei 125 °C/Vop betragen.
Es sei bemerkt, dass Ausführungsbeispiele denkbar sind, die andere Kombinationen der beschriebenen Merkmale aufweisen.
Bezugs zeichenliste
1 Bauelementkörper
11 Einbrand- oder Sinterschicht
2 Anschlusselement
21 erster Teil
22 zweiter Teil
23 Kunststoffkörper
24 Metallisierung
4 Anschlussfläche
5 Substrat
6 Innenelektroden
7 Innenelektroden
8 Innenelektroden
9 dielektrische Schicht

Claims

Patentansprüche
1. Bauelement umfassend einen Bauelementkörper (1) und
zumindest ein Anschlusselement (2) mit einem
Kunststoffkörper (23) , das über eine Metallschicht (3) mit dem Bauelementkörper (1) verbunden ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1,
wobei der Kunststoffkörper (23) einen ersten Teil (21), der benachbart zum Bauelementkörper (1) angeordnet ist, und einen zweiten Teil (22), der sich winkelig zum ersten Teil (21) erstreckt, hat.
3. Bauelement nach Anspruch 2,
wobei der Winkel zwischen dem ersten und dem zweiten Teil (21, 22) im Wesentlichen 90° beträgt.
4. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Kunststoffkörper (23) eine Metallisierung (24) auf zumindest Teilbereichen seiner Außenseite aufweist.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 4,
wobei eine Anschlussfläche (4) auf dem zweiten Teil (22) vorgesehen ist, die elektrisch leitend mit der
Metallschicht (3) verbunden ist.
6. Bauelement nach Anspruch 5,
wobei die Anschlussfläche (4) eine Nickel-Gold- Palladium-Beschichtung umfasst.
7. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Kunststoffkörper (23) ein Material aus der Gruppe Polyether-Ester-Keton und Poly-Imid umfasst.
8. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Metallschicht (3) gesintertes Silber umfasst.
9. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Metallschicht (3) eine bandförmige Geometrie mit einem Breite-zu-Dicke-Verhältnis größer als 6, insbesondere größer als 30, hat.
10. Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 9,
wobei die Metallschicht (3) zwischen einer
Sputterschicht oder einer Einbrandschicht (11) auf dem Bauelementkörper (1) und der Metallisierung (24) angeordnet ist.
11. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Bauelementkörper (1) einen Kondensatorkörper mit einem Stapel von keramischen dielektrischen
Schichten (9) und Innenelektroden (7, 8) umfasst.
12. Bauelement nach Anspruch 11,
wobei die dielektrischen Schichten (9) ein
antiferroelektrisches Perowskit umfassen.
13. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dessen Bauelementkörper (1) quaderförmig ist mit zwei winkelförmigen Anschlusselementen (2) an gegenüberliegenden Seiten des Bauelementkörpers (1).
PCT/EP2013/062780 2012-07-17 2013-06-19 Elektrisches bauelement umfassend ein anschlusselement mit einem kunststoffkörper WO2014012732A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13733238.3A EP2875514B1 (de) 2012-07-17 2013-06-19 Elektrisches bauelement umfassend ein anschlusselement mit einem kunststoffkörper
KR20157004008A KR20150036644A (ko) 2012-07-17 2013-06-19 플라스틱 몸체를 갖는 연결 부재를 포함하는 전기 소자
US14/415,548 US9865394B2 (en) 2012-07-17 2013-06-19 Electrical component comprising a connection element having a plastic body
JP2015522014A JP6329141B2 (ja) 2012-07-17 2013-06-19 プラスチック体を含む接続要素を備える電気素子
CN201380038020.1A CN104471659B (zh) 2012-07-17 2013-06-19 包括具有塑料体的连接部件的电子器件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012106425.3 2012-07-17
DE102012106425.3A DE102012106425A1 (de) 2012-07-17 2012-07-17 Bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014012732A1 true WO2014012732A1 (de) 2014-01-23

Family

ID=48745897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/062780 WO2014012732A1 (de) 2012-07-17 2013-06-19 Elektrisches bauelement umfassend ein anschlusselement mit einem kunststoffkörper

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9865394B2 (de)
EP (1) EP2875514B1 (de)
JP (1) JP6329141B2 (de)
KR (1) KR20150036644A (de)
CN (1) CN104471659B (de)
DE (1) DE102012106425A1 (de)
WO (1) WO2014012732A1 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015006400A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 United Technologies Corporation Plated polymeric wind turbine components
KR102214642B1 (ko) * 2015-01-20 2021-02-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
DE102016204308A1 (de) * 2016-03-16 2017-09-21 Continental Automotive Gmbh Piezoelektrisches Aktuatorbauelement und Herstellungsverfahren zum Herstellen eines piezoelektrischen Aktuatorbauelementes
DE102016110742A1 (de) * 2016-06-10 2017-12-14 Epcos Ag Filterbauelement zur Filterung eines Störsignals

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151579A (en) * 1977-09-09 1979-04-24 Avx Corporation Chip capacitor device
US4158218A (en) * 1977-09-19 1979-06-12 Union Carbide Corporation Ceramic capacitor device
GB2337854A (en) * 1998-05-28 1999-12-01 Murata Manufacturing Co Stress-alleviating external terminals for electronic components
US20110090665A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Avx Corporation Thin film surface mount components

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065701B2 (ja) * 1984-10-24 1994-01-19 日立東部セミコンダクタ株式会社 リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
US4740657A (en) * 1986-02-14 1988-04-26 Hitachi, Chemical Company, Ltd Anisotropic-electroconductive adhesive composition, method for connecting circuits using the same, and connected circuit structure thus obtained
JPH06101493B2 (ja) * 1986-03-28 1994-12-12 松下電器産業株式会社 プラスチツクチツプキヤリア
US5348574A (en) * 1993-07-02 1994-09-20 Monsanto Company Metal-coated polyimide
US6544820B2 (en) * 1997-06-19 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication
US5879965A (en) * 1997-06-19 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication
JP2000003829A (ja) * 1998-06-12 2000-01-07 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法
JP2000223354A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Hitachi Aic Inc セラミック電子部品及びその製造方法
JP2004183027A (ja) 2002-12-02 2004-07-02 Murata Mfg Co Ltd ニッケル粉末の製造方法、ニッケル粉末、導電性ペースト、及び積層セラミック電子部品
EP1560227B1 (de) * 2003-08-08 2007-06-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Leitfähige paste
US7696611B2 (en) * 2004-01-13 2010-04-13 Halliburton Energy Services, Inc. Conductive material compositions, apparatus, systems, and methods
CN100583328C (zh) * 2004-04-23 2010-01-20 株式会社村田制作所 电子元件及其制造方法
EP1780813A4 (de) 2004-06-24 2010-07-07 Kyocera Corp Mehrschichtige elektronische komponente und injektionssystem damit
DE102006054085A1 (de) * 2006-11-16 2008-05-29 Epcos Ag Bauelement-Anordnung
US7781358B2 (en) * 2008-02-15 2010-08-24 Trs Technologies, Inc. Antiferroelectric multilayer ceramic capacitor
TWI393275B (zh) * 2009-02-04 2013-04-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝體及其製造方法
JP5902627B2 (ja) * 2009-12-21 2016-04-13 エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ 温度依存的なコンデンサ、およびコンデンサモジュール
JP5126266B2 (ja) * 2010-03-24 2013-01-23 Ｔｄｋ株式会社 金属端子付き電子部品及びその実装方法、並びにその製造方法
JP5711472B2 (ja) 2010-06-09 2015-04-30 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法並びに半導体装置
JP2012033659A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Tdk Corp セラミックコンデンサ
JP2012033660A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Tdk Corp セラミックコンデンサ
US20130107419A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Kemet Electronics Corporation Multilayered ceramic capacitor with improved lead frame attachment
US8988857B2 (en) * 2011-12-13 2015-03-24 Kemet Electronics Corporation High aspect ratio stacked MLCC design

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151579A (en) * 1977-09-09 1979-04-24 Avx Corporation Chip capacitor device
US4158218A (en) * 1977-09-19 1979-06-12 Union Carbide Corporation Ceramic capacitor device
GB2337854A (en) * 1998-05-28 1999-12-01 Murata Manufacturing Co Stress-alleviating external terminals for electronic components
US20110090665A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Avx Corporation Thin film surface mount components

Also Published As

Publication number Publication date
JP6329141B2 (ja) 2018-05-23
EP2875514A1 (de) 2015-05-27
CN104471659B (zh) 2018-04-27
CN104471659A (zh) 2015-03-25
KR20150036644A (ko) 2015-04-07
US20150194264A1 (en) 2015-07-09
JP2015527735A (ja) 2015-09-17
EP2875514B1 (de) 2019-02-27
DE102012106425A1 (de) 2014-01-23
US9865394B2 (en) 2018-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1713124B1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Verbindungsbahnen und mit Anschlusselementen, die mit den Verbindungsbahnen verbunden sind
DE102005047106B4 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung
DE102005047567B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10306643B4 (de) Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
EP1841299A2 (de) Verbindungseinrichtung für elektronishche Bauelemente
EP2875514B1 (de) Elektrisches bauelement umfassend ein anschlusselement mit einem kunststoffkörper
DE102017212739A1 (de) Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013200526B4 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE4132947C2 (de) Elektronische Schaltungsanordnung
DE102005030247B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit Verbindungselementen hoher Stromtragfähigkeit
DE102005050534B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102014209690B4 (de) Kommutierungszelle
EP3245672B1 (de) Kontaktanordnung und leistungsmodul
DE102011078806B4 (de) Herstellungsverfahren für ein leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung
EP2704194B1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102008026347B4 (de) Leistungselektronische Anordnung mit einem Substrat und einem Grundkörper
DE102016224631B4 (de) Elektrisch leitende Verbindung zwischen mindestens zwei elektrischen Komponenten an einem mit elektronischen und/oder elektrischen Bauelementen bestücktem Träger, die mit einem Bonddraht ausgebildet ist
EP3054480B1 (de) Kontaktanordnung und leistungsmodul
DE102012210306B4 (de) Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Substrats für mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement
DE102004041417B4 (de) Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung
DE102014101926A1 (de) Leistungshalbleitermodul
WO2012076259A1 (de) Halbleiterbauelement mit erhöhter stabilität gegenüber thermomechanischen einflüssen sowie verfahren zur kontaktierung eines halbleiters
DE102015115611A1 (de) Verfahren zum Herstellen von elektronischen Modulen

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13733238

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013733238

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015522014

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14415548

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157004008

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A