WO2013186918A1 - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンスデバイス Download PDF

Info

Publication number
WO2013186918A1
WO2013186918A1 PCT/JP2012/065372 JP2012065372W WO2013186918A1 WO 2013186918 A1 WO2013186918 A1 WO 2013186918A1 JP 2012065372 W JP2012065372 W JP 2012065372W WO 2013186918 A1 WO2013186918 A1 WO 2013186918A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
layer
light
translucent
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/065372
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
黒田 和男
秀雄 工藤
浩 大畑
敏治 内田
Original Assignee
パイオニア株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パイオニア株式会社 filed Critical パイオニア株式会社
Priority to PCT/JP2012/065372 priority Critical patent/WO2013186918A1/ja
Publication of WO2013186918A1 publication Critical patent/WO2013186918A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80516Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as an organic EL device) including at least one organic electroluminescence element.
  • An organic electroluminescent element is configured by, for example, sequentially laminating an anode, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode on a transparent glass substrate, and electroluminescence (hereinafter referred to as EL) by current injection from the anode and the cathode to the organic layer.
  • EL electroluminescence
  • Light-emitting element that expresses The emitted light from the light emitting layer is taken out through the transparent electrode and the substrate by making the electrode on the substrate side transparent. However, since a part of the emitted light from the light emitting layer is trapped and extinguished by total reflection between the transparent electrode-glass interface and between the glass-air interface, about 20% of the light emitted from the light emitting layer is about 20%. Only light can be taken out.
  • the organic EL light emitting segment is made to correspond to the liquid crystal cell
  • the non-light emitting portion is made to correspond to the non-display portion between the liquid crystal cells
  • the reflection plate is made to correspond to the non-light emitting portion of the non-display portion.
  • Patent Document 2 discloses a display device using a light-emitting element in which a structure that changes the angle of light from an organic light-emitting layer is formed in a glass substrate to increase the emission efficiency of light emission.
  • Patent Document 3 discloses a technique in which a reflecting surface is provided on the bank slope on the light extraction side and the light extraction efficiency is improved by changing the angle of light from the light emitting layer side.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device having a translucent substrate and at least one organic EL element carried on the translucent substrate,
  • the organic EL element includes an organic layer including at least one insulating bank disposed on the light-transmitting substrate, a light-transmitting electrode in contact with the bank, and a light-emitting layer formed on the light-transmitting electrode. And a reflective electrode formed on the organic layer, A diffuse reflection layer is provided between the bank and the translucent substrate.
  • FIG. 1 is a plan view of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line CC in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing a laminated structure of the light emitting portion of the organic EL device shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a part of the organic EL device of FIG.
  • FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view showing a part of a diffuse reflection layer of an organic EL device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a partially enlarged sectional view showing a bank portion of an organic EL device according to one modification.
  • FIG. 1 is a plan view of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line CC in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing a laminated structure of the light emitting portion of the
  • FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view showing a bank portion of an organic EL device according to another modification.
  • FIG. 8 is a partially enlarged sectional view showing a bank portion of an organic EL device according to another modification.
  • FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view showing a bank portion of an organic EL device according to another modification.
  • FIG. 10 is a partially enlarged cross-sectional view showing a bank portion of an organic EL device according to another modification.
  • an organic EL device OELD includes a plurality of organic EL elements separated by a plurality of banks BK on a light-transmitting flat substrate 1 such as glass or resin, that is, a rectangular light emitting portion extending in the y direction.
  • the plurality of organic EL elements are juxtaposed in parallel, and include, for example, organic EL elements having different emission colors of red light emission R, green light emission G, and blue light emission B.
  • the organic EL elements of RGB emission colors are arranged as a set in the x direction for each set.
  • each of the organic EL elements of the organic EL device includes a translucent electrode 2, a metal bus line MBL, an organic layer 3 including a light emitting layer, and a reflective electrode 4 on a substrate 1 between banks BK.
  • This organic EL device is a so-called bottom emission type organic EL panel that takes out light generated in the organic layer 3 from the surface of the substrate 1 by applying a voltage between the translucent electrode 2 and the reflective electrode 4.
  • the organic EL element has a diffuse reflection layer DRS between the bank BK and the translucent substrate 1. The diffuse reflection layer DRS can reduce the ingress of reflected light from the substrate 1 to the bank BK.
  • the plurality of translucent electrodes 2 constituting the anode each have a band shape, extend along the y direction on the substrate 1, and are juxtaposed in parallel with each other at a constant interval in the x direction.
  • a bus line MBL for supplying a power supply voltage to the translucent electrode 2 is formed extending along the y direction.
  • a bank BK is formed extending along the y direction so as to cover them.
  • the bank BK is made of a dielectric material such as optical glass or optical resin.
  • rectangular openings each extending in the y direction are formed.
  • An organic layer 3 is disposed in each of the openings. The organic layer 3 is juxtaposed in a state of being separated from each other by the bank BK, and partitions a plurality of light emitting regions separated by the bank BK.
  • the bank BK is covered with at least a part of the reflective electrode 4.
  • the diffusive reflection layer DRS between the bank BK and the translucent substrate 1 is formed so as to be opposed to each bank BK as viewed from the translucent substrate 1 and extend in a band shape along the y direction.
  • a hole injection layer 3a, a hole transport layer 3b, a light emitting layer 3c, an electron transport layer 3d, and an electron is laminated in order.
  • the organic layer 3 sandwiched between the translucent electrode 2 and the reflective electrode 4 is a light emitting laminated body, and is not limited to these laminated structures.
  • a hole blocking layer between the light emitting layer 3c and the electron transporting layer 3d (
  • a layered structure including at least a light emitting layer or a charge transport layer that can also be used may be used.
  • the organic layer 3 may be configured by omitting the hole transport layer 3b, the hole injection layer 3a, or the hole injection layer 3a and the electron transport layer 3d from the stacked structure. May be.
  • any known light emitting material such as a fluorescent material or a phosphorescent material can be applied.
  • Examples of fluorescent materials that emit blue light include naphthalene, perylene, and pyrene.
  • fluorescent materials that give green light emission include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Alq3 (tris (8-hydroxy-quinoline) aluminum).
  • Examples of fluorescent materials that give yellow light include rubrene derivatives.
  • Examples of fluorescent materials that give red light emission include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, and the like.
  • Examples of the phosphorescent material include iridium, platinum, ruthenium, rhodium, and palladium complex compounds. Specific examples of the phosphorescent material include tris (2-phenylpyridine) iridium (so-called Ir (ppy) 3), tris (2-phenylpyridine) ruthenium, and the like.
  • the organic layers 3 that emit red, green, and blue emission colors are repeatedly arranged in parallel, and red, green, and blue light are arbitrarily emitted from the surface of the substrate 1 that serves as a light extraction surface. Light that is mixed in proportion and recognized as a single emission color is emitted.
  • Known methods for forming the organic layer 3 include dry coating methods such as sputtering and vacuum deposition, and wet coating methods such as screen printing, spraying, ink jetting, spin coating, gravure printing, and roll coater. ing.
  • dry coating methods such as sputtering and vacuum deposition
  • wet coating methods such as screen printing, spraying, ink jetting, spin coating, gravure printing, and roll coater.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are uniformly formed by a wet coating method
  • the electron transport layer and the electron injection layer are sequentially formed uniformly by a dry coating method.
  • a film may be formed.
  • all the functional layers may be sequentially formed in a uniform film thickness by a wet coating method.
  • the anode translucent electrode 2 for supplying holes to the functional layers up to the light emitting layer 3c includes ITO (Indium-tin-oxide), ZnO, ZnO—Al 2 O 3 (so-called AZO), In 2 O 3 ⁇ . It may be composed of ZnO (so-called IZO), SnO 2 —Sb 2 O 3 (so-called ATO), RuO 2 or the like. Furthermore, for the translucent electrode 2, it is preferable to select a material having a transmittance of at least 10% at the emission wavelength obtained from the light emitting layer.
  • the translucent electrode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
  • the cathode reflective electrode 4 that supplies electrons to the functional layers up to the light emitting layer 3c is not limited, and for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
  • the material of the reflective electrode 4 preferably includes a metal having a low work function in order to efficiently inject electrons.
  • a suitable metal such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof may be used. Used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
  • the silver thin film with a thickness of 20 nm of the reflective electrode 4 has a transmittance of 50%.
  • An Al film having a thickness of 10 nm as the metal thin film has a transmittance of 50%.
  • the 20 nm-thick MgAg alloy film as the metal thin film has a transmittance of 50%.
  • electroconductivity can be ensured if the lower limit of the film thickness is 5 nm.
  • the reflective electrode 4 can be formed as a single layer film or a multilayer film on the organic layer 3 by sputtering or vacuum deposition.
  • the refractive index of the organic layer 3 is the translucent electrode. It is assumed that the refractive index is equal to or less than the refractive index of 2.
  • Light of 41.8 or higher is totally reflected, and light of less than ⁇ 41.8 degrees is emitted from the glass substrate 1.
  • the totally reflected light L1 returns to each interface at the same angle, but also returns to the bank BK where no light is emitted around the light emitting portion of the organic EL device.
  • a diffuse reflection layer DRS that diffusely reflects the light L1 entering the bank BK in various directions is provided. Yes.
  • the light extraction efficiency can be improved, and the light L1 is diffusely reflected in the adjacent light emitting area, so that the non-light emitting portion between the colors can be made inconspicuous. That is, in the present embodiment, the diffuse reflection layer DRS is provided so that the light totally reflected at the interface between the light extraction side translucent substrate 1 and the outside air layer is not easily absorbed by the bank BK of the non-light emitting portion. ing.
  • the diffuse reflection layer DRS is formed by processing the translucent substrate 1. For example, when forming on the flat surface of the translucent substrate 1, a scattering agent such as barium titanate or zinc oxide is vapor-deposited through the mask opening using a mask having an array of a plurality of minute through openings. A diffuse reflection layer DRS composed of discontinuous minute irregularities can be formed. Any material can be selected as the material of the diffuse reflection layer DRS as long as it diffuses light regardless of whether it is inorganic or organic, and a transparent resin layer in which fine particles are dispersed can also be used.
  • a scattering agent such as barium titanate or zinc oxide
  • the diffuse reflection layer DRS can be formed on the interface with the translucent electrode 2 as the rough surface of the translucent substrate 1. Further, a metal film may be provided on the rough surface.
  • [Modification] 6 to 10 show banks of organic EL devices according to modified examples.
  • symbol as the said Example is the same as that of the organic EL device of the said Example, those description is abbreviate
  • the diffuse reflection layer DRS has conductivity, for example, a case where a transparent resin layer in which metal fine particles are dispersed is used as the diffuse reflection layer DRS will be described.
  • FIG. 6 shows an organic EL device in which the diffuse reflection layer DRS is disposed on the glass substrate 1 and divided into two along the extension direction by the slits.
  • the slit is provided to prevent a short circuit between adjacent light emitting units, that is, a short circuit between the translucent electrodes 2 via the diffuse reflection layer DRS.
  • FIG. 7 shows an organic EL device in which the diffuse reflection layer DRS is disposed on the glass substrate 1 and is formed across the width of the bank BK between the adjacent translucent electrodes 2.
  • An insulating film is provided between one of the translucent electrodes 2. The insulating film is provided in order to prevent a short circuit through the diffuse reflection layer DRS between the adjacent translucent electrodes 2.
  • the organic EL device shown in FIGS. 8 and 9 is an organic EL device having the same configuration as that in FIGS. 6 and 7 except that the diffuse reflection layer DRS is formed in the recess on the glass substrate 1 side.
  • the diffuse reflection layer DRS is disposed on the glass substrate 1
  • the bus line MBL is disposed across the width of the bank BK on the translucent electrode 2 common to the adjacent light emitting units, and the reflection electrode 4 is adjacent.
  • the organic EL device is divided along the light emitting portion extension direction by slits in the light emitting portion.
  • the slit of the reflective electrode 4 is provided to prevent a short circuit between adjacent light emitting portions.
  • a quartz or glass plate, a metal plate or metal foil, a bent resin substrate, a plastic film, a sheet, or the like is used as the translucent substrate 1.
  • a glass plate or a transparent plate made of a synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable.
  • a synthetic resin substrate it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic EL device may be deteriorated by outside air that has passed through the substrate, which is not preferable.
  • a method of securing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.
  • a material having a catalytic action it may be suppressed using nanoparticles.
  • a light extraction film (not shown) may be attached to the outer surface of the substrate 1 so as to cover the light emitting portion.
  • the organic layer is a light emitting laminate, but the light emitting laminate can also be configured by laminating inorganic material films.
  • a slit is provided in the translucent electrode, but a slit may be provided in the reflective electrode as a cathode without providing the slit in the translucent electrode.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

 有機ELデバイスは、透光性基板上に配置された少なくとも1つの絶縁性のバンクと、バンクに接する透光性電極と、透光性電極上に形成された有機層と、有機層上に形成された反射電極と、を含む。バンクと透光性基板との間に拡散反射層を有する。

Description

有機エレクトロルミネッセンスデバイス
 本発明は、少なくとも1つの有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス(以下、有機ELデバイスと称する)に関する。
 有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、透明ガラス基板上に陽極、発光層を含む有機層及び陰極を順次積層して構成され、陽極及び陰極から有機層への電流注入により、エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称する)を発現する発光素子である。発光層からの発光光は基板側の電極を透明とすることによりこの透明電極と基板を介して取り出される。ところが、発光層からの発光光の一部は透明電極-ガラス界面間及びガラス-空気界面間での全反射により閉じ込められて消衰する故に、発光層からの発光光のうち約20%程度の光しか外部に取り出すことができない。
 特許文献1は、有機EL発光セグメントを液晶セルに対応させ、非発光部分を液晶セルの間の非表示部に対応させ、さらに、非表示部の非発光部分に反射板を対応させて発光効率を改善させた液晶用バックライトを開示している。
 特許文献2は、有機発光層からの光の角度を変える構造物をガラス基板中に形成して発光の放射効率を高めた発光素子を用いた表示装置を開示している。
 特許文献3は、光取り出し側のバンク斜面に反射面を設け、発光層側からの光の角度を変えて光取り出し効率を高めた技術を開示している。
特開2003-107473号公報 特開平10-189251号公報 特開2004-199952号公報
 上記の特許文献に記載の技術において、いずれもガラス基板内のガラス-空気界面などの間で全反射により閉じ込められる発光層からの光の取り出しについては考慮されておらず、閉じ込められた光が基板内で減衰してしまうという問題があった。
 そこで、本発明では、基板内で閉じ込められた光の取り出し効率を高めることができる有機ELデバイスを提供することが課題の一例としてあげられる。
 本発明の有機ELデバイスは、透光性基板と前記透光性基板上に担持された少なくとも1つの有機EL素子とを有する有機ELデバイスであって、
 前記有機EL素子は、前記透光性基板上に配置された少なくとも1つの絶縁性のバンクと、前記バンクに接する透光性電極と、前記透光性電極上に形成され発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成された反射電極と、を含み、
 前記バンクと前記透光性基板との間に拡散反射層を有することを特徴とする。
図1は本発明の実施例の有機ELデバイスの平面図である。 図2は図1中のC-C線に沿った断面図である。 図3は図1に示す有機ELデバイスの発光部の積層構成を模式的に示す概略断面図である。 図4は図1の有機ELデバイスの一部の拡大断面図である。 図5は本発明の他の実施例の有機ELデバイスの拡散反射層の部分を示す部分拡大断面図である。 図6は1つの変形例の有機ELデバイスのバンクの部分を示す部分拡大断面図である。 図7は他の変形例の有機ELデバイスのバンクの部分を示す部分拡大断面図である。 図8は他の変形例の有機ELデバイスのバンクの部分を示す部分拡大断面図である。 図9は他の変形例の有機ELデバイスのバンクの部分を示す部分拡大断面図である。 図10は他の変形例の有機ELデバイスのバンクの部分を示す部分拡大断面図である。
 以下に本発明による実施例を図面を参照しつつ説明する。
 図1において、有機ELデバイスOELDは、ガラスや樹脂などの光透過性平板の基板1上に複数のバンクBKによって区切られた複数の有機EL素子、すなわち、y方向に伸長する長方形の発光部を含んでいる。複数の有機EL素子は平行に並置され、例えば、赤色発光R、緑色発光G及び青色発光Bの互いに異なる発光色の有機EL素子を含んでいる。RGB発光色の有機EL素子を一組としてx方向に組毎に並べられている。
 図2に示すように、有機ELデバイスの有機EL素子の各々は、バンクBK間の基板1上に、透光性電極2、金属のバスラインMBL、発光層を含む有機層3、反射電極4が積層されて構成される。この有機ELデバイスは、透光性電極2と反射電極4との間に電圧を印加することにより有機層3において生成される光を基板1の表面から取り出す所謂ボトムエミッション型の有機ELパネルである。さらに、有機EL素子は、バンクBKと透光性基板1との間に拡散反射層DRSを有する。拡散反射層DRSにより基板1からバンクBKへの反射光の進入を軽減することができる。
 陽極を構成する複数の透光性電極2は、それぞれ帯状をなしており、基板1上においてy方向に沿って伸長し、互いに一定間隔おいてx方向に平行に並置されている。
 透光性電極2の各々の端側上には、透光性電極2に電源電圧を供給する為のバスラインMBLがy方向に沿って伸長して形成されている。
 基板1及び透光性電極2のバスラインMBL上にはこれらを覆うようにバンクBKがy方向に沿って伸長して形成されている。バンクBKは例えば光学ガラスや光学樹脂などの誘電体材料から形成される。バンクBKには、各々がy方向に伸張する長方形の開口部が形成されている。開口部の各々に有機層3が配置されている。有機層3は、バンクBKによって互いに隔てられた状態で並置されて、バンクBKによって隔てられた複数の発光領域を区画している。バンクBKは反射電極4の少なくとも一部分により覆われている。
 バンクBKと透光性基板1との間の拡散反射層DRSは、透光性基板1から見てバンクBK毎にこれのみに対向しy方向に沿って帯状に伸長して形成されている。
 バンクBKの各開口部内における透光性電極2上には、図3に示すように、有機層3として、正孔注入層3a、正孔輸送層3b、発光層3c、電子輸送層3d及び電子注入層3eが順に積層されている。透光性電極2と反射電極4の間に挟持有機層3は発光積層体であり、これら積層構成に限定されることなく、例えば発光層3cと電子輸送層3dの間に正孔阻止層(図示せず)を追加するなど、少なくとも発光層を含み、或いは兼用できる電荷輸送層を含む積層構成であってもよい。有機層3は、上記積層構造から正孔輸送層3bを省いて構成しても、正孔注入層3aを省いて構成しても、正孔注入層3aと電子輸送層3dを省いて構成してもよい。
 例えば、発光層3cの発光材料としては、例えば、蛍光材料や燐光材料など、任意の公知の発光材料が適用可能である。
 青色発光を与える蛍光材料としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレンなどが挙げられる。緑色発光を与える蛍光材料としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Alq3(tris (8-hydroxy-quinoline) aluminum) などのアルミニウム錯体などが挙げられる。黄色発光を与える蛍光材料としては、例えば、ルブレン誘導体などが挙げられる。赤色発光を与える蛍光材料としては、例えば、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体などが挙げられる。燐光材料としては、例えば、イリジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウムの錯体化合物などが挙げられる。燐光材料として、具体的には、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム(所謂、Ir(ppy)3)、トリス(2-フェニルピリジン)ルテニウムなどが挙げられる。
 このように、赤、緑、青の発光色をそれぞれ発する有機層3は、平行に繰り返し配置されており、光取り出し面となる基板1の表面からは、赤、緑、青の光が任意の割合で混色されて単一の発光色として認識される光が放出される。
 有機層3を成膜する手法として、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式塗布法や、スクリーン印刷、スプレー法、インクジェット法、スピンコート法、グラビア印刷、ロールコータ法などの湿式塗布法が知られている。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層を湿式塗布法で膜厚を均一に成膜して、電子輸送層及び電子注入層を、それぞれ乾式塗布法で膜厚を均一に順次成膜してもよい。また、すべての機能層を湿式塗布法で膜厚を均一に順次成膜してもよい。
 発光層3cまでの機能層に正孔を供給する陽極の透光性電極2は、ITO(Indium-tin-oxide)やZnO、ZnO-Al(所謂、AZO)、In-ZnO(所謂、IZO)、SnO-Sb(所謂、ATO)、RuOなどにより構成され得る。さらに、透光性電極2は、発光層から得られる発光波長において少なくとも10%以上の透過率を持つ材料を選択することが好ましい。
 透光性電極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
 発光層3cまでの機能層に電子を供給する陰極の反射電極4には、限定されないが、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金などの金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
 反射電極4の材料としては、効率良く電子注入を行う為に仕事関数の低い金属が含まれること好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀などの適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、アルミニウム-リチウム合金などの低仕事関数合金電極が挙げられる。反射電極4の膜厚20nmの銀薄膜は透過率50%を有する。同金属薄膜としての膜厚10nmのAl膜は透過率50%を有する。同金属薄膜としての膜厚20nmのMgAg合金膜は透過率50%を有する。なお、金属薄膜で反射電極4を構成する場合、その膜厚の下限値は5nmあれば導電性を確保することができる。
 反射電極4はスパッタ法や真空蒸着法などにより有機層3上に、単層膜、又は多層膜として形成され得る。
 この有機ELデバイスにおいては、有機層3は透光性電極2及び反射電極4の間に接して挟持されている故に、透光性電極2と反射電極4とを介して有機層3に駆動電圧が印加されることにより、有機層3内の発光層3cにおいて生成された光は透光性電極2を通過して、さらに反射電極4で反射した後に透光性電極2を通過して透光性基板1の表面から取り出される。
 [有機ELデバイスの動作]
 次に、図4を用いて、上記の有機ELデバイスの動作を説明する。
 図4に示す有機ELデバイスにおいて、ガラス基板1の屈折率をn1=1.5とし、透光性電極2の屈折率をn2=1.8とし、有機層3の屈折率は透光性電極2の屈折率に同等以下であるものとして説明する。
 図4に示すように、発光層3cから出た光は透光性電極2(n2=1.8)を通過する。透光性電極2とガラス基板1(n1=1.5)との屈折率の差がある故に、ここでは第1臨界角がθc=arcsin(1.5/1.8)であるので入射角±56.44度以上の光は全反射し、±56.44度未満の光はガラス基板1へ入る。
 ガラス基板1から外部の空気層(屈折率n=1.0)においても全反射が生じ、ここでは第2臨界角がθc=arcsin(1.0/1.5)であるので、入射角±41.8以上の光は全反射し、±41.8度未満の光はガラス基板1から放射される。
 したがって、ガラス基板1の空気層界面では、入射角±41.8度以上の光L1はガラス基板1と反射電極間に閉じこめられる。
 全反射した光L1は同じ角度で各界面に戻るが、有機ELデバイスの発光部周りの発光しない場所のバンクBKにも戻る。従来では反射した光L1がバンクBKに入ると多くが吸収されるため光の取り出し効率が落ちるが、本実施例ではバンクBKに入る光L1を様々な方向に乱反射させる拡散反射層DRSを設けている。これにより、光の取り出し効率を向上させるとともに、隣の発光エリアにも光L1を乱反射させるので各色間の発光していない部分を目立たないようにすることができる。すなわち、本実施例では、光取り出し側透光性基板1とその外部の空気層との界面で全反射した光を非発光部分のバンクBKで吸収され難くなるように、拡散反射層DRSを設けている。
 拡散反射層DRSは透光性基板1を加工して形成される。例えば、透光性基板1の平坦面上に形成する場合は、複数の微小貫通開口のアレイを有するマスクを用いて、例えばチタン酸バリウムや酸化亜鉛など散乱剤を、マスク開口を通して蒸着することで、不連続な微小凹凸からなる拡散反射層DRSが形成され得る。拡散反射層DRSの材質は無機又は有機を問わす光を乱反射させるものであれば、いずれも選択でき、微粒子を分散させた透明樹脂層でも構成できる。
 また、透光性基板1の平坦面を加工し基板内に形成する場合は、例えば、基板所定部上に複数の微小凹凸をエッチングやサンドプラストなどで形成することで、図5に示すように、透光性基板1の粗面として透光性電極2との界面に拡散反射層DRSが形成され得る。また、該粗面上に金属膜を設けても良い。
 [変形例]
 図6~図10に変形例の有機ELデバイスのバンクを示す。なお、上記実施例と同一符号で示した構成部分は、上記実施例の有機ELデバイスと同様であるので、それらの説明は省略する。ここでは、拡散反射層DRSが導電性を有する場合、例えば金属微粒子を分散させた透明樹脂層を拡散反射層DRSとした場合を説明する。
 図6は、拡散反射層DRSがガラス基板1上に配置され、スリットにより伸長方向に沿って2分割されている有機ELデバイスに示す。スリットは隣接する発光部の短絡、すなわち拡散反射層DRSを介した透光性電極2間の短絡を防止するために設けられている。
 図7は、拡散反射層DRSがガラス基板1上に配置され、隣接する透光性電極2間にバンクBKの幅に亘って形成されている有機ELデバイスに示す。透光性電極2の一方との間に絶縁膜が設けられている。絶縁膜は隣接する透光性電極2間の拡散反射層DRSを介した短絡を防止するために設けられている。
 図8及び図9に示す有機ELデバイスは、拡散反射層DRSがガラス基板1側の凹部に作り込まれた以外、それぞれ図6及び図7と同一の構成の有機ELデバイスである。
 図10は、拡散反射層DRSがガラス基板1上に配置され、バスラインMBLが隣接する発光部で共通する透光性電極2上にバンクBKの幅に亘って配置され、反射電極4が隣接する発光部においてスリットにより発光部伸長方向に沿って分割されている有機ELデバイスに示す。反射電極4のスリットは隣接する発光部の短絡を防止するために設けられている。
 なお、上記の何れの実施例では、透光性基板1として、石英やガラスの板、金属板や金属箔、曲げられる樹脂基板、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの合成樹脂の透明板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機ELデバイスが劣化することがあるので好ましくない。よって、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などを設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。また触媒作用がある材料の場合ナノパーティクルを用いて抑えてもよい。
 なお、有機ELデバイスの帯状に並置された発光部とその周りのバンクを覆いこれらを封止する封止缶(図示せず)を設けてもよい。さらに、出力光の取り出し効率を上げるために、基板1の外部面に、発光部を覆うように、これを超える面積で光取り出しフィルム(図示せず)を取り付けてもよい。
 さらに、上記の何れの実施例では有機層を発光積層体としているが、無機材料膜の積層によっても発光積層体を構成できる。
 なお金属微粒子を用いた例で示したのでスリットや絶縁層を設けたが、拡散散乱層が絶縁特性を有している場合、各スリット及び絶縁層は不要である。
 また実施例での説明は透光性電極にスリットを設けたが、透光性電極にはスリットを設けず陰極である反射電極にスリットを設けても良い。
 1 基板
 2 透光性電極
 3 有機層
 3a 正孔注入層
 3b 正孔輸送層
 3c 発光層
 3d 電子輸送層
 3e 電子注入層
 4 反射電極
 BK バンク
 DRS 拡散反射層
 MBL バスライン

Claims (5)

  1.  透光性基板と前記透光性基板上に担持された少なくとも1つの有機EL素子とを有する有機ELデバイスであって、
     前記有機EL素子は、少なくとも1つの絶縁性のバンクと、前記バンクに接する透光性電極と、前記透光性電極上に形成され発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成された反射電極と、を含み、
     前記バンクと前記透光性基板との間に拡散反射層を有することを特徴とする有機ELデバイス。
  2.  前記拡散反射層は前記透光性電極の屈折率と同等以上の高い屈折率を有する複数の微粒子の集合からなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELデバイス。
  3.  前記拡散反射層は前記透光性電極及び前記透光性基板の界面に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の有機ELデバイス。
  4.  前記拡散反射層は前記透光性電極から電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1に記載の有機ELデバイス。
  5.  前記拡散反射層は前記透光性電極及び前記透光性基板の界面に設けられた粗面であることを特徴とする請求項1に記載の有機ELデバイス。
PCT/JP2012/065372 2012-06-15 2012-06-15 有機エレクトロルミネッセンスデバイス WO2013186918A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/065372 WO2013186918A1 (ja) 2012-06-15 2012-06-15 有機エレクトロルミネッセンスデバイス

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/065372 WO2013186918A1 (ja) 2012-06-15 2012-06-15 有機エレクトロルミネッセンスデバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013186918A1 true WO2013186918A1 (ja) 2013-12-19

Family

ID=49757779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/065372 WO2013186918A1 (ja) 2012-06-15 2012-06-15 有機エレクトロルミネッセンスデバイス

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2013186918A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106654046A (zh) * 2016-12-20 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349244A (ja) * 2003-04-30 2004-12-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 自発光装置およびその製造方法
JP2006107744A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2006140146A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Lg Electron Inc 有機電界発光表示素子及びその製造方法
JP2007513479A (ja) * 2003-12-03 2007-05-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 反射性絶縁分離層を備えるディスプレイ
JP2009152148A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Rohm Co Ltd 有機発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349244A (ja) * 2003-04-30 2004-12-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 自発光装置およびその製造方法
JP2007513479A (ja) * 2003-12-03 2007-05-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 反射性絶縁分離層を備えるディスプレイ
JP2006107744A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2006140146A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Lg Electron Inc 有機電界発光表示素子及びその製造方法
JP2009152148A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Rohm Co Ltd 有機発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106654046A (zh) * 2016-12-20 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6074423B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2017054601A (ja) 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法
US20120080668A1 (en) Organic el lighting device and method of manufacturing the same
JP2007311046A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
KR20130033259A (ko) 유기 발광 소자와 그 제조 방법, 유기 표시 패널, 유기 표시 장치
US6541910B2 (en) Organic el display
CN109671751B (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
CN102208432B (zh) 透射式彩色有机el显示装置
CN103563483A (zh) 有机电致发光元件及其制造方法
US9123682B2 (en) Light-emitting device
US9082736B2 (en) Organic EL panel and method of manufacturing the same
WO2013186919A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013186918A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
KR101707991B1 (ko) 유기 발광 장치 및 이를 이용한 조명 장치
WO2013186916A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2013186917A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2019215577A (ja) 光学装置
WO2017029889A1 (ja) 有機elパネル、照明装置、並びに、有機elパネルの製造方法
US9373810B2 (en) Organic EL element and light-emitting apparatus including the same
WO2016017072A1 (ja) 有機el素子及び有機el素子の製造方法
WO2013190621A1 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP2008210819A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
WO2014162448A1 (ja) 発光装置
WO2014013567A1 (ja) 発光素子
WO2014010060A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12878876

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12878876

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP