WO2013179959A1 - 色変換基板および液晶表示装置 - Google Patents

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WO2013179959A1
WO2013179959A1 PCT/JP2013/064155 JP2013064155W WO2013179959A1 WO 2013179959 A1 WO2013179959 A1 WO 2013179959A1 JP 2013064155 W JP2013064155 W JP 2013064155W WO 2013179959 A1 WO2013179959 A1 WO 2013179959A1
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phosphor
light
main surface
layer
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PCT/JP2013/064155
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真也 門脇
龍三 結城
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シャープ株式会社
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
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    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • G—PHYSICS
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side

Definitions

  • the present invention relates to a color conversion substrate and a liquid crystal display device.
  • the display device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-66437 includes a front plate, an optical shutter, and a light source.
  • the front plate includes a plurality of light scatterers that generate diffused light and a planarization film that is formed so as to cover the light diffusing body.
  • the light scatterer includes a red phosphor that converts blue light into red, a green phosphor that converts blue light into green, and a blue light scatterer that scatters blue collimated light.
  • the phosphor When light having a predetermined frequency is incident on the phosphor, the phosphor is excited and emits light radially. At this time, in the liquid crystal display device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-66437, the reflection film is formed in an inclined surface shape.
  • the present invention has been made in view of the problems as described above, and its object is to provide a color conversion substrate and a liquid crystal display in which a large deviation in the intensity distribution of light emitted from the emission surface is suppressed. Is to provide a device.
  • a color conversion substrate includes a transparent substrate having a main surface, a phosphor layer including a plurality of phosphors and provided on the main surface, and a plurality of first reflecting portions formed on the plurality of phosphors.
  • the phosphor includes a first exit surface facing the transparent substrate, a first entrance surface facing the first exit surface, and a first circumferential surface located between the first exit surface and the first entrance surface.
  • the first reflecting portion is formed on the first circumferential surface.
  • the first incident surface is formed in a flat surface shape, and the first peripheral surface includes a first part and a second part located on the main surface side of the first part. The intersection angle between the tangent line of the second part and the main surface is larger than the intersection angle between the tangent line of the first part and the main surface.
  • the cross-sectional shape of the first peripheral surface is a curved surface.
  • the curvature of the first peripheral surface is not less than 0.50 / d and not more than 0.83 / d.
  • the contact angle between the first peripheral surface and the main surface is not less than 60 degrees and not more than 80 degrees.
  • the phosphor layer includes a light diffuser disposed at a distance from the phosphor and a second reflecting portion formed on the light diffuser.
  • the light diffusing body includes a second exit surface facing the main surface, a second entrance surface facing the second exit surface, and a second peripheral surface located between the second entrance surface and the second exit surface. including.
  • a liquid crystal display device includes the color conversion substrate.
  • the liquid crystal display device includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate, a counter substrate disposed at a distance from the TFT substrate and including a color conversion substrate, and a liquid crystal layer disposed between the TFT substrate and the counter substrate.
  • the counter substrate is disposed on the TFT substrate side with respect to the polarizing layer disposed on the TFT substrate side with respect to the color conversion substrate, the transparent conductive film disposed on the TFT substrate side with respect to the polarizing layer, and the transparent conductive film. And an alignment film.
  • a planarizing film is formed between the color conversion substrate and the polarizing layer.
  • the portion where the polarizing layer is formed is a flat surface.
  • the refractive index of the planarizing film is smaller than the refractive index of the phosphor layer.
  • the color conversion substrate and the liquid crystal display device of the present invention it is possible to suppress the occurrence of a large bias in the light intensity distribution from the exit surface side.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a display device 1 according to a first embodiment. It is a top view which shows the color conversion board
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a first step of a manufacturing process of the color conversion substrate 4.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a step after the manufacturing step shown in FIG. 16. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing a step after the manufacturing step shown in FIG. 19. It is sectional drawing which shows the process after the manufacturing process shown in FIG. It is sectional drawing which shows the process of manufacturing the counter substrate.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a first modification of display device 1 according to the first embodiment. 5 is a cross-sectional view of a display device 1 according to Embodiment 2.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the modification of the display apparatus 1 which concerns on this Embodiment 2.
  • FIG. It is a schematic diagram which shows typically the 1st modification which concerns on this Embodiment 1,2. It is a schematic diagram which shows a 2nd modification typically. It is sectional drawing which shows a 3rd modification.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the display device 1 according to the first embodiment.
  • the display device 1 includes a light source module 2 and a liquid crystal module 3.
  • the light source module 2 includes, for example, a light guide plate 2b and a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) 2a provided on the side surfaces of the light guide plate 2b.
  • the light source module 2 is a surface light emitting unit that emits blue light BL toward the liquid crystal module 3.
  • the light source module 2 is not limited to the side edge type backlight as described above.
  • a direct type backlight including a plurality of LEDs 2a arranged in an array may be used.
  • the wavelength region of the blue light BL is, for example, not less than 390 nm and not more than 510 nm.
  • the wavelength when the intensity of the blue light BL is highest is, for example, about 450 nm.
  • ultraviolet light may be employed as light emitted from the light source module 2. An example of employing ultraviolet rays will be described later.
  • the liquid crystal module 3 includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 5 disposed on the light source module 2 side, a counter substrate 6 disposed on the opposite side of the light source module 2 with respect to the TFT substrate 5, the TFT substrate 5, and the counter substrate 6 includes a liquid crystal layer 7 sealed between 6 and a seal member 8 for sealing the liquid crystal layer 7.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the TFT substrate 5 includes a transparent substrate 10 such as a glass substrate, a polarizing plate 11 formed on the main surface of the transparent substrate 10 facing the light source module 2, and a polarizing plate of the main surface of the transparent substrate 10.
  • a pixel electrode 15 and an alignment film 16 formed so as to cover the pixel electrode 15 are included.
  • the polarizing plate 11 is formed, for example, by staining and stretching iodine or a dichroic dye in polyvinyl alcohol (PVA).
  • the TFT transistor 13 includes a gate electrode GE formed on the main surface of the transparent substrate 10, a gate insulating film 12 formed so as to cover the gate electrode GE, and a semiconductor layer formed on the gate insulating film 12. 17 and a source electrode SE and a drain electrode DE formed on the semiconductor layer 17 at a distance from each other.
  • the gate insulating film 12 is a transparent insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the interlayer insulating film 14 is a transparent insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the pixel electrode 15 is formed of a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film or an IZO (Indium Zinc Oxide) film.
  • the pixel electrode 15 is connected to the drain electrode DE by a contact (not shown). For this reason, when the TFT transistor 13 is turned on, a predetermined voltage is applied to the pixel electrode 15.
  • TFT transistors 13 are provided.
  • TFT transistors 13R, 13G, and 13B are provided.
  • the TFT transistors 13R, 13G, and 13B are connected to the pixel electrodes 15R, 15G, and 15B, respectively.
  • the counter substrate 6 includes a color conversion substrate 4, a polarizing plate 33 formed on the lower surface of the color conversion substrate 4, a transparent insulating film 30 formed on the lower surface of the polarizing plate 33, and a lower surface of the transparent insulating film 30.
  • the counter electrode 31 formed and an alignment film 32 formed to cover the counter electrode 31 are included.
  • the polarizing plate 33 is formed of, for example, a wire grid made of a conductive material such as aluminum, or one or more dichroic dyes (for example, TCF manufactured by OPTVA).
  • the color conversion substrate 4 is incorporated in the counter substrate 6, and one transparent substrate 40 is used as a substrate, and the transparent substrate 40 includes components of the color conversion substrate, a polarizing plate, a counter electrode, etc.
  • the constituent members of the counter substrate are stacked.
  • one transparent substrate such as a glass substrate can be omitted as compared with a case where a counter substrate having a glass substrate and a color conversion substrate having a glass substrate are laminated.
  • the liquid crystal module 3 can also be thinned.
  • the color conversion substrate 4 includes a main plate 39, a phosphor layer 42 formed on the main surface of the main plate 39 facing the liquid crystal module 3, a reflecting member 46 formed on the phosphor layer 42, and a fluorescent light.
  • the main plate 39 includes a transparent substrate 40 and a low refractive index layer 41 formed on the main surface of the transparent substrate 40.
  • the transparent substrate 40 is a glass substrate, for example.
  • the refractive index of the low refractive index layer 41 is, for example, 1.20 or more and 1.40 or less.
  • the thickness of the low refractive index layer 41 is 0.5 ⁇ m to 3.0 ⁇ m. Preferably, it is 1.0 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less.
  • the phosphor layer 42 includes a plurality of light scatterers 44 and a plurality of phosphors 45.
  • the phosphor 45 includes a red phosphor 45R and a green phosphor 45G.
  • the red phosphor 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44 are arranged with a space therebetween.
  • the refractive index of the red phosphor 45R and the green phosphor 45G is about 1.49 or more and 1.59 or less.
  • the thicknesses of the red phosphor 45R and the green phosphor 45G are 2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Preferably, they are 5 micrometers or more and 8 micrometers or less.
  • the red phosphor 45R and the green phosphor 45G are formed of an organic fluorescent material or a nano fluorescent material. Examples of organic fluorescent materials include rhodamine dyes such as rhodamine B as red fluorescent dyes, and coumarin dyes such as coumarin 6 as green fluorescent dyes.
  • the nano fluorescent material includes a binder and a plurality of phosphors diffused in the binder.
  • the binder is made of, for example, a transparent silicone-based, epoxy-based, or acrylic resin.
  • a nanoparticle phosphor such as CdSe or ZnS can be used.
  • the green phosphor 45G can transmit green light, and the light emitted by excitation of the green phosphor 45G can pass through the green phosphor 45G itself, and the green phosphor 45G.
  • the utilization efficiency of light from the can be improved.
  • the light scatterer 44 is a layer that diffuses light incident on the inside and emits the light to the outside.
  • the thickness of the light scatterer 44 is not less than 3 ⁇ m and not more than 15 ⁇ m. Preferably, they are 5 micrometers or more and 10 micrometers or less.
  • the light scatterer 44 includes, for example, a transparent resin as a binder and a plurality of scattering particles (fillers) scattered in the resin.
  • the transparent resin as a binder passes the blue light BL, and the improvement of the utilization efficiency of light is aimed at.
  • the scattering particles include Mie-scattering filler materials such as TiO2.
  • the planarizing film 43 is made of a material having a refractive index lower than that of the light scatterer 44, the red phosphor 45R, and the green phosphor 45G.
  • the reflecting member 46 is adjacent to a reflecting portion 47R covering the peripheral surface of the red phosphor 45R, a reflecting portion 47G covering the peripheral surface of the green phosphor 45G, and a reflecting portion 47B covering the peripheral surface of the light scatterer 44.
  • Part 47R, 47G, 47B and the connection part 48 which connects 47B are included.
  • the connecting portion 48 is formed in the low refractive index layer 41 located between the adjacent phosphors and between the phosphor and the light scatterer 44.
  • the reflecting member 46 is made of a material having a high reflectance in the visible light range, such as aluminum, silver, and an alloy thereof.
  • a material having a high reflectance in the visible light range such as aluminum, silver, and an alloy thereof.
  • the thickness of the reflecting member 46 is, for example, not less than 100 nm and not more than 500 nm. Preferably, it is 200 nm or more and 300 nm or less.
  • the sealing member 8 is formed in an annular shape along the outer peripheral edge of the TFT substrate 5 and the counter substrate 6, and seals the liquid crystal layer 7 between the counter substrate 6 and the TFT substrate 5.
  • FIG. 2 is a plan view showing the color conversion substrate 4 shown in FIG.
  • FIG. 2 is a plan view when the color conversion substrate 4 is viewed from the light source module 2 side.
  • a plurality of red phosphors 45R are arranged at intervals in the arrangement direction D1, and similarly, a plurality of green phosphors 45G are arranged in the arrangement direction D1.
  • the light scatterers 44 are also arranged at intervals in the arrangement direction D1.
  • the red phosphor 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44 are sequentially arranged at intervals in the arrangement direction D2.
  • the length LL shown in the drawing is, for example, 30 ⁇ m or more and 900 ⁇ m or less.
  • the lengths LB, LR, LG are, for example, about 30 ⁇ m to 300 ⁇ m. Note that the lengths LB, LR, and LG need not be equal.
  • the plurality of red phosphors 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44 are arranged in an array, and so as to cover the plurality of red phosphors 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44, A reflection member 46 is formed. In the reflection member 46, an opening 49 is formed for each phosphor and each diffuser.
  • the reflection member 46 covers the peripheral surface of the red phosphor 45R, and the reflection part 47R formed in an annular shape, and the reflection part 47G formed in an annular shape while covering the peripheral surface of the green phosphor 45G.
  • an annular reflection part 47B and a connection part 48 formed to connect the plurality of reflection parts 47R, 47G, 47B are included.
  • the opening part 49 is formed of the reflection parts 47R, 47G, and 47B formed in an annular shape.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the red phosphor 45R and its surroundings.
  • the red phosphor 45 ⁇ / b> R has an exit surface 21 that faces the main surface of the transparent substrate 40, an entrance surface 20 that faces the exit surface 21, and receives light from the light source module 2.
  • a peripheral surface 22 provided between the surface 21 and the incident surface 20.
  • the entrance surface 20 and the exit surface 21 are flat surfaces, and the peripheral surface 22 is a curved surface.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the peripheral surface 22 of the red phosphor 45R and its surroundings.
  • the first part P ⁇ b> 1 is an arbitrary part on the peripheral surface 22.
  • the second part P2 is a part closer to the main surface 51 of the transparent substrate 40 than the first part P1.
  • the upper end portion P3 is a portion of the peripheral surface 22 that is closest to the main surface 51.
  • the tangent line of the first part P1 is defined as a tangent line L1
  • the tangent line of the second part P2 is defined as a tangent line L2.
  • a tangent at the upper end portion P3 is defined as a tangent L3.
  • intersection angle ⁇ 1 The intersection angle between the tangent line L1 and the main surface 51 is defined as an intersection angle ⁇ 1
  • intersection angle ⁇ 2 An intersection angle between the tangent line L3 and the main surface 51 is defined as an intersection angle ⁇ 3.
  • intersection angle ⁇ 2 is larger than the intersection angle ⁇ 1.
  • intersection angle ⁇ 3 is larger than the intersection angle ⁇ 2.
  • intersection angle ⁇ 1 means a smaller angle (an angle smaller than 90 degrees) among the angles at which the tangent line L1 and the main surface of the transparent substrate 40 intersect.
  • the main surface 51 As it approaches the main surface 51, it is formed in a curved surface shape so that the intersection angle between the tangent and the main surface 51 increases. Note that the center of curvature O ⁇ b> 1 of the peripheral surface 22 is located in a region opposite to the region outside the peripheral surface 22.
  • the thickness of the red phosphor 45R is defined as a thickness d.
  • the curvatures of the peripheral surface 22 and the reflection portion 47R may be larger than zero.
  • the curvature of the inner surface of the peripheral surface 22 and the reflection part 47R shall be 050 / d or more and 0.83 / d or less. More preferably, the curvature is 0.66 / d.
  • the intersection angle ⁇ 3 is not less than 60 degrees and not more than 80 degrees.
  • the curvature of the internal peripheral surface of the surrounding surface 22 and the reflection part 47R may not be constant.
  • blue light BL from the light source module 2 enters the liquid crystal module 3.
  • the liquid crystal module 3 selectively causes the blue light BL to enter the color conversion substrate 4 provided in the liquid crystal module 3. Specifically, when the selected TFT transistor 13 is turned on, only the blue light BL that passes through the pixel electrode 15 connected to the selected TFT transistor 13 passes through the polarizing plate 33 and enters the color conversion substrate 4. Incident.
  • FIG 3 shows a state in which, for example, blue light BL has entered the red phosphor 45R.
  • the red phosphor 45R is excited and emits red light RL radially.
  • the red light RL1 travels toward the low refractive index layer 41.
  • the incident angle of the red light RL1 is smaller than the critical angle of the interface between the red phosphor 45R and the low refractive index layer 41, the red light RL1 enters the low refractive index layer 41 and the emission surface of the transparent substrate 40 To the outside.
  • the red light RL3 when the incident angle to the interface between the low refractive index layer 41 and the red phosphor 45R is larger than the critical angle between the red phosphor 45R and the low refractive index layer 41, Reflected at the interface.
  • the red light RL3 reflected at the interface between the low refractive index layer 41 and the red phosphor 45R is then reflected by the reflecting portion 47R and travels again toward the low refractive index layer 41.
  • the red light RL3 When the incident angle of the red light RL3 is smaller than the critical angle when entering the interface between the low refractive index layer 41 and the red phosphor 45R, the red light RL3 enters the low refractive index layer 41, and the transparent substrate 40 The light is emitted from the light exit surface to the outside.
  • the red light RL4 is red light traveling toward the incident surface 20 among the emitted red light RL.
  • the refractive index of the planarizing film 43 is smaller than the refractive index of the red phosphor 45R. Therefore, when the incident angle of the red light RL4 to the interface between the flattening film 43 and the red phosphor 45R is larger than the critical angle between the flattening film 43 and the red phosphor 45R, the red light RL4 Reflected by.
  • the red light RL4 reflected at the interface between the planarizing film 43 and the red phosphor 45R is then reflected by the reflecting portion 47R.
  • the red light RL4 reflected by the reflector 47R is reflected toward the low refractive index layer 41.
  • the incident angle of the red light RL4 at this time is smaller than the critical angle of the interface between the low refractive index layer 41 and the red phosphor 45R, the red light RL4 passes through the low refractive index layer 41 and passes through the transparent substrate 40. The light is emitted from the emission surface to the outside.
  • the red light RL2 toward the peripheral surface 22 is also reflected by the reflecting portion 47R.
  • the red light RL2 reflected by the reflecting portion 47R is incident toward the interface between the low refractive index layer 41 and the red phosphor 45R.
  • the incident angle at this time is smaller than the critical angle of the interface between the low refractive index layer 41 and the red phosphor 45R, the red light RL2 passes through the low refractive index layer 41 and is emitted to the outside from the emission surface of the transparent substrate 40. .
  • the emitted red light RL is reflected by the reflecting portion 47R.
  • the reflecting portion 47R is formed in a curved surface as described above. For this reason, the reflection angle of the red light RL changes depending on the position where the red light RL enters the reflecting portion 47R. In connection with this, it is suppressed that red light RL is reflected in a specific direction.
  • FIG. 5 is a graph showing the intensity distribution of the red light RL shown in FIG.
  • the horizontal axis represents the emission angle ⁇ (°) of the red light RL.
  • a direction perpendicular to the emission surface of the transparent substrate 40 is defined as a reference direction V.
  • the emission angle ⁇ (°) indicates an angle formed by the reference direction V and the emission direction of the red light RL.
  • the vertical axis shown in FIG. 5 indicates the intensity of the red light RL.
  • the alignment characteristic of the red light RL of the display device 1 according to the present embodiment has a characteristic that approximates a Lambertian characteristic. As a result, the intensity change due to the viewing angle is reduced, and the display quality is improved.
  • the orientation characteristics as described above are caused by the reflection part 47R and the peripheral surface 22 shown in FIG. 4 being formed in a curved surface shape.
  • the red phosphor 45R has been described, but the green phosphor 45G also has the same orientation characteristics as the red phosphor 45R because the reflecting portion 47G is similarly formed in a curved surface. As a result, the brightness of the displayed image is substantially constant regardless of the viewing angle of the observer.
  • the configuration of the display device 1 according to the comparative example and the light orientation characteristics of the display device 1 will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a part of a display device according to a comparative example.
  • the peripheral surface 22 of the red phosphor 45R is an inclined surface
  • the reflecting portion 47R is also formed in an inclined surface shape.
  • the angle formed between the tangent line and the main surface of the transparent substrate 40 is constant regardless of the tangent line of any part of the reflection portion 47R.
  • the graph shown in FIG. 7 is a graph which shows the orientation characteristic of the red fluorescent substance 45R simulated based on the following conditions in the comparative example shown in FIG.
  • the ratio of the thickness of the red phosphor 45R layer to the opening width is 1: 9.
  • the angle formed by the transparent substrate 40 and the upper end of the peripheral surface of the red phosphor 45R is 70 degrees, and the refractive index of the low refractive index layer 41 is 1.21. It is assumed that the reflectance of the reflection portion 47 is 90%.
  • the normal direction of the transparent substrate 40 is set to 0 degree.
  • the alignment characteristic of the red phosphor 45R according to the comparative example has a remarkable peak when the emission angle ⁇ (°) is around 0 ° as shown in FIG.
  • the intensity changes sharply toward the value.
  • the state greatly deviates from the Lambertian characteristic. That is, when the observer views the screen from a specific angle, the screen looks very bright, and when viewed from another angle, the screen looks dark.
  • the Lambertian characteristic can be obtained as shown in FIG. 5 by making the inclination angle of the reflecting portion 47R different depending on the position.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a part of a display device according to Comparative Example 2.
  • the emission surface 21 of the red phosphor 45R is formed as a flat surface, and the other part is formed as a hemisphere.
  • a part of the surface of the red phosphor 45R is formed so as to cover the reflection part 47R, and a part exposed from the reflection part 47R is the incident surface 20.
  • the incident surface 20 is formed in a curved surface shape.
  • the red light RL5 shown in FIG. 8 is emitted from the light emitting point at the same angle as the red light RL4 shown in FIG.
  • the comparative example shown in FIG. 8 since the incident surface 20 is formed to be a curved surface, the incident light in which the red light RL5 is incident on the interface between the planarizing film 43 and the red phosphor 45R. The angle is smaller than the incident angle at which the red light RL4 shown in FIG. 3 is incident on the interface between the red phosphor 45R and the planarizing film 43. As a result, the red light RL5 shown in FIG.
  • the incident surface 20 is formed in a flat surface shape, the light emitted from the red phosphor 45R is prevented from entering the flattening film 43.
  • the light utilization efficiency can be improved. Note that not only the red phosphor 45R but also the green phosphor 45G and the light scatterer 44 have a flat incident surface, so that the green light emitted from the green phosphor 45G or the light scatterer 44 is emitted.
  • the blue light scattered inside can be prevented from entering the planarizing film 43.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the light scatterer 44 and its surroundings.
  • the light scatterer 44 is positioned between the exit surface 26 facing the main surface of the transparent substrate 40, the entrance surface 25 facing the exit surface 26, and between the exit surface 26 and the entrance surface 25. And a peripheral surface 27.
  • the blue light BL is incident on the light scatterer 44, the blue light BL is scattered in the light scatterer 44, enters the main plate 39 from the emission surface 26, and is emitted to the outside.
  • the incident angle incident on the interface between the low refractive index layer 41 and the light scatterer 44 is low.
  • Blue light BL larger than the critical angle between the index layer 41 and the light scatterer 44 is reflected at the interface. Only the blue light BL having an incident angle that is incident on the interface between the low refractive index layer 41 and the light scatterer 44 is smaller than the critical angle enters the low refractive index layer 41 and is emitted to the outside.
  • the refractive index of the planarizing film 43 is smaller than the refractive index of the light scatterer 44, the blue light BL scattered in the light scatterer 44 is suppressed from entering the planarizing film 43. For this reason, the blue light BL scattered in the light scatterer 44 is prevented from entering the planarizing film 43. For this reason, the utilization efficiency of the blue light BL can be improved.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the peripheral surface 27 of the light scatterer 44 and its surroundings.
  • the fourth part P4 is a part on the peripheral surface 27.
  • the fifth part P5 is a part located closer to the main surface side of the transparent substrate 40 than the fourth part P4.
  • the upper end portion P6 is the upper end portion of the peripheral surface 27.
  • a tangent line passing through the fourth part P4 is referred to as a tangent line L4, and a tangent line passing through the fifth part P5 is referred to as a tangent line L5.
  • the tangent of the peripheral surface 27 at the upper end portion P6 is defined as a tangent L6.
  • An intersection angle between the tangent L4 and the main surface of the transparent substrate 40 is defined as an intersection angle ⁇ 4, and an intersection angle between the tangent L5 and the main surface of the transparent substrate 40 is defined as an intersection angle ⁇ 5.
  • the intersection angle between the tangent L6 and the main surface of the transparent substrate 40 is defined as an intersection angle ⁇ 6.
  • the peripheral surface 27 is formed in a curved surface shape so that the intersection angle ⁇ 5 is larger than the intersection angle ⁇ 4.
  • the intersection angle ⁇ 6 is larger than the intersection angle ⁇ 5.
  • the reflection part 47B is formed on the circumferential surface 27 formed in a curved surface, and the inner circumferential surface of the reflection part 47B is also a curved surface similar to the circumferential surface 27.
  • the liquid crystal module 3 and the light source module 2 are assembled.
  • the liquid crystal module 3 can be manufactured by sticking the separately manufactured TFT substrate 5 and the counter substrate 6 and sealing the liquid crystal layer 7 with the seal member 8.
  • the counter substrate 6 can be manufactured by sequentially forming the polarizing plate 33, the transparent insulating film 30, the counter electrode 31, and the alignment film 32 on the color conversion substrate 4.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a first step of the manufacturing process of the color conversion substrate 4. As shown in FIG. 11, a transparent substrate 50 having a main surface 52 is prepared.
  • the low refractive index layer 41 is formed on the main surface 52 of the transparent substrate 50 using a spin coater, a slit coater or the like on the main surface 52.
  • a scattering layer 55 is applied on the low refractive index layer 41.
  • the scattering layer 55 is irradiated with ultraviolet rays UR through a mask 58.
  • the mask 58 has a desired light shielding pattern formed on the lower surface of the transparent substrate.
  • the ultraviolet UR is generated using, for example, a high-pressure mercury lamp.
  • the scattering layer 55 irradiated with ultraviolet UR is developed.
  • the non-exposed portion of the scattering layer 55 is dissolved by an inorganic or organic alkali. Thereby, the light scatterer 44 is formed.
  • a red phosphor layer 57 is formed on the main surface of the transparent substrate 50 so as to cover the light scatterer 44 and the green phosphor 45G.
  • the red phosphor layer 57 is irradiated with ultraviolet rays through the mask 61.
  • a metal film such as aluminum or silver is formed so as to cover the surfaces of the light scatterer 44, the green phosphor 45G, and the red phosphor 45R by sputtering or vapor deposition.
  • the curvatures of the peripheral surfaces of the light scatterer 44, the green phosphor 45G, and the red phosphor 45R are formed such that the curvature is 0.50 / d or more and 0.83 / d or less. For this reason, the metal film is satisfactorily formed on the peripheral surfaces of the respective phosphors and light scatterers.
  • the intersection angle ⁇ 3 shown in FIG. 4 and the intersection angle ⁇ 6 shown in FIG. 10 are 60 degrees or more and 80 degrees or less.
  • the curvature is larger than 0.83 / d, the inclination angle of the upper end portions of the peripheral surface 22 and the peripheral surface 27 of the red phosphor 45R and the light scatterer 44 is close to 90 degrees with respect to the transparent substrate 40. Become.
  • the metal film is formed on the peripheral surfaces of the red phosphor 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44 by sputtering, there may be a portion where the metal film is not satisfactorily formed.
  • the peripheral surface 22 of the red phosphor 45R becomes a gently curved surface.
  • the ratio of the peripheral surface 22 when the red phosphor 45R is viewed in plan increases.
  • a reflection portion 47R is formed on the peripheral surface 22, and as a result, the proportion of light entering the red phosphor 45R and the like out of the light from the light source module 2 is reduced. As a result, the aperture ratio is reduced.
  • the curvature is set to 0.50 / d or more and 0.83 / d or less, and more preferably 0.66 / d.
  • D is the thickness d of the light scatterer 44, the green phosphor 45G, and the red phosphor 45R.
  • a resist is formed on the upper surface of the metal film.
  • the resist is patterned, and the metal film is patterned using the patterned resist. Thereby, the reflection member 46 is formed.
  • a resin layer is deposited so as to cover the light scattering body 44, the green phosphor 45G, the red phosphor 45R, and the reflecting portion 47. Thereby, the planarizing film 43 is formed. In this manner, the color conversion substrate 4 mounted on the display device 1 according to the present embodiment can be manufactured.
  • the planarizing film 43 is formed of a thermosetting or ultraviolet curable transparent acrylic resin or the like.
  • a polarizing plate 33 is formed on the planarizing film 43.
  • the transparent insulating film 30 is formed by, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • a transparent conductive film such as an ITO film or an IZO film is formed.
  • this transparent conductive film is patterned to form the counter electrode 31.
  • an alignment film 32 is formed so as to cover the counter electrode 31.
  • the counter substrate 6 in which the color conversion substrate 4 is integrated is manufactured and the case where the color conversion substrate 4 and a general counter substrate are individually manufactured, one glass substrate is provided. It becomes unnecessary, and the manufacturing process can be reduced.
  • the display device 1 can be applied to any of the liquid crystal drive type TN method, VA method, ECB method, and IPS method.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a first modification of display device 1 according to the first embodiment.
  • a blue phosphor 45B is employed instead of the light scatterer 44.
  • the light source module 2 irradiates the liquid crystal module 3 with ultraviolet UR.
  • the ultraviolet ray UR is incident on the selected red phosphor 45R, green phosphor 45G, and blue phosphor 45B.
  • the red phosphor 45R is excited by the incidence of ultraviolet UR and emits red light.
  • the green phosphor 45G also emits light when the ultraviolet ray UR is incident, and the blue phosphor 45B also emits blue light when the ultraviolet ray UR is incident.
  • the peripheral surfaces of the green phosphor 45G, the red phosphor 45R, and the blue phosphor 45B are formed into curved surfaces as shown in FIGS.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of the display device 1 according to the second embodiment.
  • the display device 1 includes a light source module 2, a liquid crystal module 3 provided on the light source module 2, and a color conversion substrate 4 provided on the liquid crystal module 3.
  • the liquid crystal module 3 and the color conversion board 4 are separate components, and the color conversion board 4 is mounted on the liquid crystal module 3.
  • the counter substrate 6 is formed so as to cover the counter substrate 31 and the counter electrode 31 formed on the main surface of the transparent substrate 37 facing the TFT substrate 5 among the main surfaces of the transparent substrate 37.
  • An alignment film 32 Further, the counter substrate 6 includes a polarizing plate 33 formed on the main surface opposite to the main surface on which the counter electrode 31 is formed, of the main surface of the transparent substrate 37.
  • the color conversion substrate 4 is formed so as to cover the main plate 39, the phosphor layer 42 formed on the main plate 39, the reflection member 46 formed on the phosphor layer 42, and the reflection member 46 and the phosphor layer 42.
  • a planarizing film 43 In the second embodiment, the planarization film 43 has adhesiveness, and thereby the counter substrate 6 and the color conversion substrate 4 are bonded.
  • the main plate 39 includes an emission surface and a main surface located on the opposite side of the emission surface, and the phosphor layer 42 is provided on the main surface located on the opposite side of the emission surface.
  • the main plate 39 includes a transparent substrate 40 and a low refractive index layer 41 formed on the lower surface of the transparent substrate 40.
  • the phosphor layer 42 includes a red phosphor 45R, a green phosphor 45G, and a light scatterer 44.
  • peripheral surfaces of the red phosphor 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44 are formed in a curved surface like the phosphor layer 42 according to the first embodiment.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing a modification of the display device 1 according to the second embodiment.
  • the display device 1 includes a support member 59 provided between the color conversion substrate 4 and the counter substrate 6 and disposed in the vicinity of the outer peripheral edge of each substrate. Thereby, an air layer 68 is formed between the color conversion substrate 4 and the counter substrate 6.
  • the refractive index of the air layer 68 is smaller than the refractive indexes of the red phosphor 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44. Therefore, also in the example shown in FIG. 25, it is possible to suppress the light emitted from the red phosphor 45R and the green phosphor 45G from moving toward the counter substrate 6, and the light scattered by the light scatterer 44 is opposed to the counter phosphor. Moving toward the substrate 6 can be suppressed.
  • the color conversion substrate 4 according to the present invention is applied to a liquid crystal display device having a side-edge type backlight.
  • the color conversion substrate 4 is applicable to various display devices. can do.
  • FIG. 26 is a schematic diagram schematically showing a first modification according to the first and second embodiments.
  • a direct type light source module 2 in which a plurality of LEDs 2a are arranged in an array is employed.
  • a cold cathode tube may be used instead of the plurality of LEDs.
  • FIG. 27 is a schematic diagram schematically showing a second modification.
  • the light source module 2 is an organic EL panel or an inorganic EL panel, and is a dimming light source capable of adjusting the light amount.
  • the light source module 2 and the color conversion substrate 4 are bonded with an adhesive or the like.
  • an optical shutter device such as a liquid crystal panel.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view showing a third modification, and the display device 1 shown in FIG. 28 includes a light source module 2, an optical shutter 67, and a color conversion substrate 4.
  • the optical shutter 67 includes a transparent substrate 63 and a plurality of shutter elements 62 formed on the main surface of the transparent substrate 63.
  • the shutter element 62 is provided at a position facing the red phosphor 45R, the green phosphor 45G, and the light scatterer 44.
  • the shutter element 62 includes a light shielding wall 64 in which an opening 66 is formed and a gap is formed therein, and a shutter 65 provided to be movable in the light shielding wall 64. As the shutter 65 moves, the amount of light traveling from the opening 66 toward the color conversion substrate 4 is adjusted. In this way, the optical shutter 67 employing MEMS can be employed.
  • 1 display device 2 light source module, 2a LED, 2b light guide plate, 3 liquid crystal module, 4 color conversion substrate, 5 TFT substrate, 6 counter substrate, 7 liquid crystal layer, 8 seal member, 10, 40, 63 transparent substrate, 11, 33 polarizing plate, 12 gate insulating film, 13, 13R, 13G, 13B transistor, 14 interlayer insulating film, 15, 15R, 15G, 15B pixel electrode, 16, 32 alignment film, 17 semiconductor layer, 20, 25 incident surface, 21 , 26 Outgoing surface, 22, 27 peripheral surface, 30 transparent insulating film, 31 counter electrode, 39 main plate, 41 low refractive index layer, 42 phosphor layer, 43 resin layer, 44 light scatterer, 45 phosphor, 45B blue fluorescence Body, 45G green phosphor, 45R red phosphor, 46 reflecting member, 47, 47B reflecting portion, 48 connecting portion, 49, 6 Opening, 50 transparent substrate, 51, 52 main surface, 55 scattering layer, 56 green phosphor layer, 57 red phosphor layer, 58, 60, 61 mask, 59,

Landscapes

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Abstract

　出射面から出射される光の強度の分布に大きな偏りが生じることが抑制された色変換基板および液晶表示装置を提供する。　色変換基板は、主表面を有する透明基板と、複数の蛍光体（４５Ｒ）を含み主表面に設けられた蛍光体層と、複数の蛍光体（４５Ｒ）に形成された複数の第１反射部（４７Ｒ）とを備え、蛍光体（４５Ｒ）は、透明基板と対向する第１出射面と、第１出射面と対向する第１入射面（２０）と、第１出射面と第１入射面（２０）との間に位置する第１周面（２２）とを含み、第１反射部（４７Ｒ）は、第１周面（２２）に形成され、第１入射面（２０）は、平坦面状に形成され、第１周面（２２）は、第１部位（Ｐ１）と、第１部位（Ｐ１）よりも主表面側に位置する第２部位（Ｐ２）とを含み、第２部位（Ｐ２）の接線Ｌ２と主表面との交差角度α２は、第１部位（Ｐ１）の接線Ｌ１と主表面との交差角度α１よりも大きい。

Description

色変換基板および液晶表示装置
　本発明は、色変換基板および液晶表示装置に関する。
　従来から蛍光体基板を備えた画像表示装置について各種提案されている。たとえば、特開２０００－１３１６８３号公報や特開２００３－５１８２号公報に記載された表示装置は、液晶表示素子と、液晶表示素子を背面から照明する光源と、波長変換部とを備える。波長変換部は、液晶表示素子の光出射側の各画素に対応して配置され、光源光を赤色または緑色に変換する一種以上の波長変換用蛍光体を含む。
　また、特開２０１０－６６４３７号公報に記載された表示装置は、前面板と、光シャッタと、光源とを備える。前面板は、拡散光を発生する複数の光散乱体と、この光拡散体を覆うように形成された平坦化膜とを含む。
　光散乱体は、青色の光を赤色に変換する赤色蛍光体と、青色の光を緑色に変換する緑色蛍光体と、青色のコリメート光を散乱する青色光散乱体とを含む。
　そして、赤色蛍光体の下面を開放すると共に、赤色蛍光体の周面を覆うように反射膜が形成されている。
特開２０００－１３１６８３号公報 特開２００３－５１８２号公報 特開２０１０－６６４３７号公報
　蛍光体に所定の周波数の光が入射すると、蛍光体が励起して、放射状に光を出射する。この際、特開２０１０－６６４３７号公報に記載された液晶表示装置においては、反射膜は、傾斜面状に形成されている。
　蛍光体で発光した光の一部は、反射膜で反射されて出射面に向けて進む。この際、反射面が傾斜面であるため、出射面側の強度分布に偏りが生じる。その結果、観察者が特定の方向からみたときに、画像がうす暗く見えたり、また別の方向からみたときに非常に明るく画像が見えたりする。
　本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、出射面から出射される光の強度の分布に大きな偏りが生じることが抑制された色変換基板および液晶表示装置を提供することである。
　本発明に係る色変換基板は、主表面を有する透明基板と、複数の蛍光体を含み主表面に設けられた蛍光体層と、複数の蛍光体に形成された複数の第１反射部とを備える。上記蛍光体は、透明基板と対向する第１出射面と、第１出射面と対向する第１入射面と、第１出射面と第１入射面との間に位置する第１周面とを含む。上記第１反射部は、第１周面に形成される。上記第１入射面は、平坦面状に形成され、第１周面は、第１部位と、第１部位よりも主表面側に位置する第２部位とを含む。上記第２部位の接線と主表面との交差角度は、第１部位の接線と主表面との交差角度よりも大きい。
　好ましくは、上記第１周面の断面形状は湾曲面である。好ましくは、上記蛍光体の厚さを厚さｄとすると、第１周面の曲率は、０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下である。好ましくは、上記第１周面と主表面との接触角度は、６０度以上８０度以下である。好ましくは、上記蛍光体層は、蛍光体から間隔をあけて配置された光拡散体と、光拡散体に形成された第２反射部とを含む。上記光拡散体は、主表面と対向する第２出射面と、第２出射面と対向する第２入射面と、第２入射面と第２出射面との間に位置する第２周面とを含む。上記第２反射部は、第２周面に形成される。上記第２入射面は、平坦面状に形成され、第２周面は、第３部位と、第３部位よりも主表面側に位置する第４部位とを含む。上記第４部位の接線と主表面との交差角度は、第３部位の接線と主表面との交差角度よりも大きい。
　好ましくは、上記蛍光体層と透明基板の主表面との間に形成された低屈折率層をさらに備える。上記低屈折率層の屈折率は蛍光体の屈折率より小さい。
　本発明に係る液晶表示装置は、上記色変換基板を備える。液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、ＴＦＴ基板と間隔をあけて配置され、色変換基板を含む対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に配置された液晶層とを含む。上記対向基板は、色変換基板よりもＴＦＴ基板側に配置された偏光層と、偏光層よりもＴＦＴ基板側に配置された透明導電膜と、透明導電膜よりも、ＴＦＴ基板側に配置された配向膜とを含む。
　好ましくは、上記色変換基板と偏光層との間には、平坦化膜が形成される。上記平坦化膜のうち、偏光層が形成された部分は平坦面とされる。上記平坦化膜の屈折率は、蛍光体層の屈折率よりも小さい。
　本発明に係る色変換基板および液晶表示装置によれば、出射面側からの光の強度分布に大きな偏りが生じることを抑制することができる。
本実施の形態１に係る表示装置１を示す断面図である。 図１に示す色変換基板４を示す平面図である。 赤色蛍光体４５Ｒおよびその周囲の構成を示す断面図である。 赤色蛍光体４５Ｒの周面２２およびその周囲の構成を示す断面図である。 図３に示す赤色光ＲＬの強度分布を示すグラフである。 比較例に係る表示装置の一部を示す断面図である。 比較例の赤色蛍光体の配向特性を示すグラフである。 比較例２に係る表示装置の一部を示す断面図である。 光散乱体４４およびその周囲の構成を示す断面図である。 光散乱体４４の周面２７およびその周囲の構成を示す断面図である。 色変換基板４の製造工程の第１工程を示す断面図である。 図１１に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１２に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１３に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１４に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１５に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１６に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１７に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１８に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図１９に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 図２０に示す製造工程後の工程を示す断面図である。 対向基板６を製造する工程を示す断面図である。 本実施の形態１に係る表示装置１の第１変形例を示す断面図である。 実施の形態２に係る表示装置１の断面図である。 本実施の形態２に係る表示装置１の変形例を示す断面図である。 本実施の形態１，２に係る第１変形例を模式的に示す模式図である。 第２変形例を模式的に示す模式図である。 第３変形例を示す断面図である。
　（実施の形態１）
　図１から図２３を用いて、本実施の形態に係る表示装置１について説明する。
　図１は、本実施の形態１に係る表示装置１を示す断面図である。この図１に示すように、表示装置１は、光源モジュール２および液晶モジュール３を含む。
　光源モジュール２は、たとえば、導光板２ｂと、この導光板２ｂの側面に設けられた複数のＬＥＤ（Light　Emitting　Diode）２ａなどを備える。なお、光源モジュール２は、液晶モジュール３に向けて青色光ＢＬを照射する面発光ユニットである。光源モジュール２としては、上記のようなサイドエッジ型のバックライトに限られない。たとえば、アレイ状に配置された複数のＬＥＤ２ａを備えた直下型のバックライトであってもよい。この青色光ＢＬの波長領域は、たとえば、３９０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下である。この青色光ＢＬの強度が最も高くなるときの波長は、たとえば、４５０ｎｍ程度である。なお、本実施の形態においては、青色光を利用した例について説明するが、光源モジュール２から出射される光として紫外線を採用する場合もある。紫外線を採用した例については、後述する。
　液晶モジュール３は、光源モジュール２側に配置されたＴＦＴ（Thin　Film　Transistor）基板５と、ＴＦＴ基板５に対して光源モジュール２と反対側に配置された対向基板６と、ＴＦＴ基板５および対向基板６の間に封入された液晶層７と、液晶層７を封止するシール部材８とを含む。
　ＴＦＴ基板５は、ガラス基板などの透明基板１０と、透明基板１０の主表面のうち光源モジュール２と対向する主表面に形成された偏光板１１と、透明基板１０の主表面のうち、偏光板１１が形成された主表面と反対側の主表面に形成された複数のＴＦＴトランジスタ１３と、このＴＦＴトランジスタ１３を覆うように形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上に形成された画素電極１５と、この画素電極１５を覆うように形成された配向膜１６とを含む。
　偏光板１１は、たとえば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素や２色性色素を染色、延伸させることで形成されている。ＴＦＴトランジスタ１３は、透明基板１０の主表面上に形成されたゲート電極ＧＥと、このゲート電極ＧＥを覆うように形成されたゲート絶縁膜１２と、このゲート絶縁膜１２上に形成された半導体層１７と、この半導体層１７上に互いに間隔をあけて形成されたソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥとを含む。ゲート絶縁膜１２は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのように透明絶縁膜である。
　層間絶縁膜１４は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのように透明絶縁膜である。画素電極１５は、たとえば、ＩＴＯ（Indium　Tin　Oxide）膜やＩＺＯ（Indium　Zinc　Oxide）膜などのように透明導電膜によって形成されている。画素電極１５は、図示されないコンタクトによってドレイン電極ＤＥに接続されている。このため、ＴＦＴトランジスタ１３がＯＮ状態となると、画素電極１５には所定の電圧が印加される。
　ＴＦＴトランジスタ１３は、複数設けられており、この図１に示す例においては、ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが設けられている。なお、各ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、いずれも、複数設けられている。
　そして、ＴＦＴトランジスタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂは、それぞれ、画素電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに接続されている。
　配向膜１６は、ポリイミド膜などから形成されており、液晶分子の配向方向を制御可能なように表面にラビング処理が施されている。液晶層７は、複数の液晶分子を含む。
　対向基板６は、色変換基板４と、色変換基板４の下面に形成された偏光板３３と、この偏光板３３の下面に形成された透明絶縁膜３０と、この透明絶縁膜３０の下面に形成された対向電極３１と、この対向電極３１を覆うように形成された配向膜３２とを含む。偏光板３３は、たとえば、アルミニウムなどの導電材料で形成されたワイヤーグリッドや１種類以上の二色性染料（たとえば、OPTVA社製TCF)などによって形成されている。
　本実施の形態においては、対向基板６内に色変換基板４が組み込まれており、１つの透明基板４０を基板として、当該透明基板４０に色変換基板の構成部材と、偏光板や対向電極などの対向基板の構成部材を積層している。
　このため、たとえば、ガラス基板を有する対向基板と、ガラス基板を有する色変換基板とを積層させた場合と比較して、ガラス基板などの透明基板を１枚省略することができる。このため、液晶モジュール３としても薄型化を図ることができる。
　色変換基板４は、主板３９と、主板３９の主表面のうち、液晶モジュール３と対向する主表面に形成された蛍光体層４２と、蛍光体層４２に形成された反射部材４６と、蛍光体層４２と偏光板３３との間に形成された平坦化膜４３とを含む。主板３９は、透明基板４０と、この透明基板４０の主表面に形成された低屈折率層４１とを含む。透明基板４０は、たとえば、ガラス基板などである。低屈折率層４１の屈折率は、たとえば、１．２０以上１．４０以下である。低屈折率層４１の厚さは、０．５μｍ～３．０μｍである。このましくは、１．０μｍ以上１．５μｍ以下である。
　蛍光体層４２は、複数の光散乱体４４と、複数の蛍光体４５とを含む。蛍光体４５は、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇとがある。赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４とは、互いに間隔をあけて配置されている。
　赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの屈折率は１．４９以上１．５９以下程度である。赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下である。好ましくは、５μｍ以上８μｍ以下である。赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇは、有機蛍光材料またはナノ蛍光材料などから形成されている。有機蛍光材料としては、赤色蛍光色素としてローダミンＢ等のローダミン系色素、緑色蛍光色素としてクマリン６等のクマリン系色素などが挙げられる。ナノ蛍光材料は、バインダと、バインダ内に拡散した複数の蛍光体とを含む。バインダは、たとえば、透明なシリコーン系またはエポキシ系またはアクリル系などの樹脂から形成されている。蛍光体は、たとえば、CdSeやZnS等のナノ粒子蛍光体を使うこともできる。上記のような材料で赤色蛍光体４５Ｒを形成することで、赤色蛍光体４５Ｒは赤色光（波長域が５３０ｎｍ以上６９０ｎｍ以下の光）を透過させることができる。これにより、赤色蛍光体４５Ｒが励起することで発光した光が、赤色蛍光体４５Ｒ自身を透過することができ、赤色蛍光体４５Ｒからの光の利用効率の向上を図ることができる。
　なお、同様に、緑色蛍光体４５Ｇは、緑色光を透過することができ、緑色蛍光体４５Ｇが励起することで発光した光が、緑色蛍光体４５Ｇ自身を透過することができ、緑色蛍光体４５Ｇからの光の利用効率の向上を図ることができる。
　光散乱体４４は、内部に入射された光を拡散して、外部に出射する層である。光散乱体４４の厚さは、３μｍ以上１５μｍ以下である。好ましくは、５μｍ以上１０μｍ以下である。光散乱体４４は、たとえば、バインダーとしての透明樹脂と、樹脂内に散乱する複数の散乱粒子（フィラー）とを含む。なお、バインダーとしての透明樹脂は、青色光ＢＬを通し、光の利用効率の向上が図られている。散乱粒子としては、TiO2等のミー散乱するフィラー材料などが挙げられる。
　平坦化膜４３は、光散乱体４４、赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇの屈折率よりも低い屈折率の材料によって形成されている。
　反射部材４６は、赤色蛍光体４５Ｒの周面を覆う反射部４７Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇの周面を覆う反射部４７Ｇと、光散乱体４４の周面を覆う反射部４７Ｂと、隣り合う反射部４７Ｒ，４７Ｇ，４７Ｂ同士を接続する接続部４８とを含む。接続部４８は、隣接する蛍光体の間と、蛍光体と光散乱体４４との間とに位置する低屈折率層４１に形成されている。
　反射部材４６は、可視光範囲で高い反射率の例えばアルミニウムや銀及びその合金などの材料などによって形成されている。たとえば、反射部材４６を形成する金属材料として、アルミニウム（Ａｌ）を採用した場合には、反射部材４６の膜厚は、たとえば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。好ましくは、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。
　シール部材８は、ＴＦＴ基板５と対向基板６との外周縁部に沿って環状に形成されており、液晶層７を対向基板６とＴＦＴ基板５との間に封止している。
　図２は、図１に示す色変換基板４を示す平面図である。この図２においては、色変換基板４を光源モジュール２側から見たときの平面図である。
　この図２に示すように、複数の赤色蛍光体４５Ｒが配列方向Ｄ１に間隔をあけて配列し、同様に、複数の緑色蛍光体４５Ｇが配列方向Ｄ１に配列する。また光散乱体４４も配列方向Ｄ１に間隔をあけて配列する。
　赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４は、配列方向Ｄ２に間隔をあけて順次配列する。なお、図中に示す長さＬＬは、たとえば、３０μｍ以上９００μｍ以下である。長さＬＢ、ＬＲ，ＬＧは、たとえば、３０μｍ以上３００μｍ以下程度である。なお、長さＬＢ，ＬＲ，LＧは、等しい必要はない。
　このように、複数の赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４は、アレイ状に配置され、この複数の赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４を覆うように、反射部材４６が形成されている。反射部材４６には、蛍光体ごとおよび拡散体ごとに開口部４９が形成されている。
　換言すれば、反射部材４６は、赤色蛍光体４５Ｒの周面を覆うと共に、環状に形成された反射部４７Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇの周面を覆うと共に、環状に形成された反射部４７Ｇと、光散乱体４４の周面を覆うと共に、環状に形成された反射部４７Ｂと、上記の複数の反射部４７Ｒ，４７Ｇ，４７Ｂを接続するように形成された接続部４８とを含む。そして、環状に形成された反射部４７Ｒ，４７Ｇ，４７Ｂによって、開口部４９が形成されている。
　図３は、赤色蛍光体４５Ｒおよびその周囲の構成を示す断面図である。この図３に示すように、赤色蛍光体４５Ｒは、透明基板４０の主表面と対向する出射面２１と、出射面２１と対向し、光源モジュール２からの光が入射する入射面２０と、出射面２１および入射面２０との間に設けられた周面２２とを含む。入射面２０および出射面２１は、平坦面であり、周面２２は、湾曲面である。
　図４は、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２およびその周囲の構成を示す断面図である。この図４において、第１部位Ｐ１は、周面２２上の任意の部位である。第２部位Ｐ２は、第１部位Ｐ１よりも透明基板４０の主表面５１に近い位置の部位である。上端部Ｐ３は、周面２２のうち、最も主表面５１に近い部位である。
　また、第１部位Ｐ１の接線を接線Ｌ１とし、第２部位Ｐ２の接線を接線Ｌ２とする。上端部Ｐ３における接線を接線Ｌ３とする。
　接線Ｌ１と主表面５１との交差角度を交差角度α１とし、接線Ｌ２と主表面５１との交差角度を交差角度α２とする。接線Ｌ３と主表面５１との交差角度を交差角度α３とする。そして、図４からも明らかなように、交差角度α２は交差角度α１よりも大きい。そして、交差角度α３は、交差角度α２よりも大きい。なお、交差角度α１とは、接線Ｌ１と透明基板４０の主表面とが交わる角度のうち、小さい方の角度（９０度よりも小さい方の角度）を意味する。
　このように、主表面５１に近づくにつれて、接線と主表面５１との交差角度が大きくなるように湾曲面状に形成されている。なお、周面２２の曲率中心Ｏ１は、周面２２の外側の領域と反対側の領域に位置する。
　ここで、赤色蛍光体４５Ｒの厚さを厚さｄとする。周面２２および反射部４７Ｒの曲率は、０より大きければよい。好ましくは、周面２２および反射部４７Ｒの内表面の曲率は、０５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下とする。さらに好ましくは、当該曲率は、０．６６／ｄとする。このときの交差角度α３は、６０度以上８０度以下となる。なお、周面２２および反射部４７Ｒの内周面の曲率は、一定でなくてもよい。
　このように構成された表示装置１の動作について説明する。図１において、光源モジュール２から青色光ＢＬは、液晶モジュール３に入射する。液晶モジュール３は、液晶モジュール３に設けられた色変換基板４に選択的に青色光ＢＬを入射させる。具体的には、選択されたＴＦＴトランジスタ１３がＯＮとなると、当該選択されたＴＦＴトランジスタ１３に接続された画素電極１５を通る青色光ＢＬのみが偏光板３３を通過して、色変換基板４に入射する。
　図３において、たとえば、青色光ＢＬが赤色蛍光体４５Ｒ内に入り込んだ状態を示す。青色光ＢＬが赤色蛍光体４５Ｒ内に入り込むと、赤色蛍光体４５Ｒが励起して、放射状に赤色光ＲＬを出射する。たとえば、赤色光ＲＬ１は、低屈折率層４１に向けて進む。赤色蛍光体４５Ｒと低屈折率層４１との界面の臨界角度よりも、赤色光ＲＬ１の入射角度が小さい場合には、赤色光ＲＬ１は低屈折率層４１内に入り込み、透明基板４０の出射面から外部に出射される。
　その一方で、赤色光ＲＬ３に示すように、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面への入射角度が、赤色蛍光体４５Ｒと低屈折率層４１との臨界角度よりも大きいときには、当該界面で反射される。このように低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面で反射された赤色光ＲＬ３は、その後、反射部４７Ｒで反射され、再度、低屈折率層４１に向けて進む。そして、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に入射するときに赤色光ＲＬ３の入射角度が臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ３が低屈折率層４１内に入り込み、透明基板４０の出射面から外部に出射される。
　赤色光ＲＬ４は、発光した赤色光ＲＬのうち、入射面２０に向かう赤色光である。ここで、平坦化膜４３の屈折率は、赤色蛍光体４５Ｒの屈折率よりも小さい。このため、平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面への赤色光ＲＬ４の入射角度が平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの臨界角度よりも大きい場合には、赤色光ＲＬ４は当該界面で反射される。
　平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面で反射された赤色光ＲＬ４は、その後、反射部４７Ｒで反射される。
　反射部４７Ｒで反射された赤色光ＲＬ４は、低屈折率層４１に向けて反射される。そして、このときの赤色光ＲＬ４の入射角度が、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面の臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ４は、低屈折率層４１をとおり透明基板４０の出射面から外部に出射される。
　なお、赤色光ＲＬのうち、周面２２に向かう赤色光ＲＬ２も、反射部４７Ｒによって反射される。反射部４７Ｒで反射された赤色光ＲＬ２は、低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に向けて入射する。このときの入射角度が低屈折率層４１と赤色蛍光体４５Ｒとの界面の臨界角度よりも小さいときには、赤色光ＲＬ２は低屈折率層４１を通り透明基板４０の出射面から外部に出射される。
　このように、発光した赤色光ＲＬは、反射部４７Ｒによって反射される。この際、反射部４７Ｒは上述のように湾曲面状に形成されている。このため、赤色光ＲＬが反射部４７Ｒに入射する位置によって赤色光ＲＬの反射角度は変化する。これに伴い、赤色光ＲＬが特定の方向に反射されることが抑制される。
　図５は、図３に示す赤色光ＲＬの強度分布を示すグラフである。この図５において、横軸は、赤色光ＲＬの出射角度θ（°）を示す。ここで、図３において、透明基板４０の出射面に対して垂直な方向を基準方向Ｖとする。出射角度θ（°）は、基準方向Ｖと赤色光ＲＬの出射方向のなす角度を示す。図５に示す縦軸は、赤色光ＲＬの強度を示す。
　そして、図５のグラフは、本実施の形態に係る表示装置１において、次に示す条件に基づいて、配向特性をシミュレーションした結果を示す。赤色蛍光体４５Ｒの厚みと入射面２０の開口幅の比率を1：9とする。基板と蛍光体層の接する角度α＝７０度とし、低屈折率層の屈折率＝１．２１とする。そして、基板の法線方向を０度とする。
　上記の条件の下において、本実施の形態に係る表示装置１の赤色光ＲＬの配向特性は、ランバーシアン（Ｌａｍｂｅｒｔｉａｎ）特性に近似する特性を有することが分かる。これにより、視認角度による強度変化が小さくなり表示品位が向上する。
　ここで、上記のような配向特性は、図４に示す反射部４７Ｒおよび周面２２が湾曲面状に形成されていることに起因する。
　なお、赤色蛍光体４５Ｒについて説明したが、緑色蛍光体４５Ｇにおいても同様に反射部４７Ｇが湾曲面状に形成されているため、赤色蛍光体４５Ｒと同様の配向特性を有する。これにより、表示された画像の明るさは、観察者の視る角度にかかわらず略一定となる。次に、図６および図７を用いて、比較例に係る表示装置１の構成と、表示装置１の光の配向特性について説明する。
　図６は、比較例に係る表示装置の一部を示す断面図である。この図６に示す例においては、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２は、傾斜面であり、反射部４７Ｒも傾斜面状に形成されている。すなわち、反射部４７Ｒのどの部位の接線であっても、当該接線と透明基板４０の主表面とのなす角度は、一定である。そして、図７に示すグラフは、図６に示す比較例において、次の条件に基づいてシミュレーションした赤色蛍光体４５Ｒの配向特性を示すグラフである。赤色蛍光体４５Ｒ層の厚みと開口幅の比率を1：9とする。透明基板４０と赤色蛍光体４５Ｒの周面の上端部との為す角度を７０度とし、低屈折率層４１の屈折率＝１．２１とする。反射部４７の反射率=90%とする。透明基板４０の法線方向を０度とする。
　上記の条件のもと、比較例に係る赤色蛍光体４５Ｒの配向特性は、図７に示すように、出射角度θ（°）が０°付近で際立ったピークが生じ、±３０度方向の極小値に向かって強度が急峻に変化する。このため、ランバーシアン特性から大きくずれた状態となる。すなわち、観察者が特定の角度から画面を見ると画面が非常に明るく見え、他の角度から見ると画面が暗く見えることになる。
　このように、本実施の形態に係る表示装置１においては、反射部４７Ｒの傾斜角度を位置によって異ならせることで、図５に示すように、ランバーシアン特性を得ることができる。
　図８は、比較例２に係る表示装置の一部を示す断面図である。この図８に示す例においては、赤色蛍光体４５Ｒは、出射面２１は平坦面状に形成されており、他の部分は半球体状に形成されている。赤色蛍光体４５Ｒの表面の一部を反射部４７Ｒが覆うように形成され、反射部４７Ｒから露出する部分が入射面２０とされている。このため、この図８に示す例においては、入射面２０は湾曲面状に形成されている。
　赤色蛍光体４５Ｒに青色光ＢＬが入射すると、放射状の赤色光が出射する。ここで、図８に示す赤色光ＲＬ５は、図３に示す赤色光ＲＬ４と同じ角度で発光点から出射される。その一方で、図８に示す比較例においては、入射面２０が湾曲面状となるように形成されているため、平坦化膜４３と赤色蛍光体４５Ｒとの界面に赤色光ＲＬ５が入射する入射角度は、図３に示す赤色光ＲＬ４が赤色蛍光体４５Ｒと平坦化膜４３との界面に入射する入射角度よりも小さくなる。この結果、図８に示す赤色光ＲＬ５は、平坦化膜４３内に入り込む。
　このように、本実施の形態に係る表示装置１によれば、入射面２０が平坦面状に形成されているため、赤色蛍光体４５Ｒで発光した光が平坦化膜４３内に入り込むことを抑制することができ、光の利用効率の向上が図られている。なお、赤色蛍光体４５Ｒのみならず、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４においても、入射面が平坦面状に形成されているため、緑色蛍光体４５Ｇで発光した緑色光や、光散乱体４４内で散乱した青色光が、平坦化膜４３内に入り込むことを抑制することができる。
　図９は、光散乱体４４およびその周囲の構成を示す断面図である。この図９に示すように、光散乱体４４は、透明基板４０の主表面と対向する出射面２６と、出射面２６と対向する入射面２５と、出射面２６および入射面２５の間に位置する周面２７とを含む。光散乱体４４内に青色光ＢＬが入射すると、光散乱体４４内で青色光ＢＬが散乱して、出射面２６から主板３９内に入り込み、外部に出射される。
　この際、透明基板４０と光散乱体４４との間には、低屈折率層４１が形成されているため、低屈折率層４１と光散乱体４４との界面に入射する入射角度が低屈折率層４１と光散乱体４４との臨界角度よりも大きい青色光ＢＬは当該界面で反射される。そして、低屈折率層４１と光散乱体４４との界面に入射する入射角度が臨界角度よりも小さい青色光ＢＬのみが低屈折率層４１内に入り込み、外部に出射される。
　また、平坦化膜４３の屈折率は、光散乱体４４に屈折率よりも小さいため、光散乱体４４内で散乱した青色光ＢＬが平坦化膜４３内に入り込むことが抑制されている。このため、光散乱体４４内で散乱した青色光ＢＬが平坦化膜４３内に入り込むことが抑制されている。このため、青色光ＢＬの利用効率の向上を図ることができる。
　図１０は、光散乱体４４の周面２７およびその周囲の構成を示す断面図である。この図１０において、第４部位Ｐ４は、周面２７上の部位である。第５部位Ｐ５は、第４部位Ｐ４よりも透明基板４０の主表面側に位置する部位である。上端部Ｐ６は、周面２７の上端部である。
　そして、第４部位Ｐ４を通る接線を接線Ｌ４とし、第５部位Ｐ５を通る接線を接線Ｌ５とする。同様に、上端部Ｐ６における周面２７の接線を接線Ｌ６とする。接線Ｌ４と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α４とし、接線Ｌ５と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α５とする。接線Ｌ６と透明基板４０の主表面との交差角度を交差角度α６とする。
　そして、周面２７は、図１０からも明らかなように、交差角度α４よりも交差角度α５が大きくなるように湾曲面状に形成されている。なお、交差角度α６は、交差角度α５よりも大きい。このように湾曲面状に形成された周面２７上に反射部４７Ｂが形成されており、反射部４７Ｂの内周面も、周面２７と同様の湾曲面である。
　図１に示す表示装置１の製造方法について説明する。表示装置１を製造する際には、液晶モジュール３と光源モジュール２とを組み付けることで製作される。液晶モジュール３は、別個に製造されたＴＦＴ基板５と対向基板６とを張り合せると共に、液晶層７をシール部材８で封止することで製作することができる。対向基板６は、色変換基板４に、偏光板３３と、透明絶縁膜３０と、対向電極３１と、配向膜３２とを順次形成することで製造することができる。
　そこで、色変換基板４の製造方法について詳細に説明する。図１１は、色変換基板４の製造工程の第１工程を示す断面図である。この図１１に示すように、主表面５２を有する透明基板５０を準備する。
　次に図１２に示すように、主表面５２上にスピンコータやスリットコータなどを用いて、透明基板５０の主表面５２に低屈折率層４１を形成する。
　次に図１３に示すように、散乱層５５を低屈折率層４１上に塗布する。次に、図１４に示すように、散乱層５５に対してマスク５８を通して、紫外線ＵＲを照射する。マスク５８は、透明基板の下面に所望のパターンの遮光パターンが形成されている。紫外線ＵＲは、たとえば、高圧水銀ランプなどを利用して生成される。
　次に図１５に示すように、紫外線ＵＲが照射された散乱層５５を現像する。たとえば、無機または有機のアルカリによって散乱層５５のうち、露光されなかった部分を溶解する。これにより、光散乱体４４が形成される。
　次に図１６に示すように、光散乱体４４を覆うように、透明基板５０の主表面上に緑色蛍光体層５６を塗布する。そして、マスク６０を通して、緑色蛍光体層５６に紫外線を照射する。
　次に、図１７に示すように、無機または有機のアルカリによって緑色蛍光体層５６のうち、露光されなかった部分を溶解する。これにより、緑色蛍光体４５Ｇが形成される。
　次に、図１８に示すように、光散乱体４４および緑色蛍光体４５Ｇを覆うように、赤色蛍光体層５７を透明基板５０の主表面に形成する。次に、マスク６１を通して、赤色蛍光体層５７に紫外線を照射する。
　次に、図１９に示すように、赤色蛍光体層５７のうち、露光されなかった部分を溶解することで、赤色蛍光体４５Ｒを形成する。
　次に、図２０に示すように、スパッタリングや蒸着法によって、アルミニウムや銀などの金属膜を光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇおよび赤色蛍光体４５Ｒの表面を覆うように形成する。
　この際、光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇおよび赤色蛍光体４５Ｒの周面の曲率は、曲率は０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下となるように形成されている。このため、金属膜が各蛍光体や光散乱体の周面にも良好に形成される。
　曲率が０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下のときには、図４に示す交差角度α３と、図１０に示す交差角度α６とは、６０度以上８０度以下となる。そして、曲率を０．８３／ｄよりも大きくすると、赤色蛍光体４５Ｒや光散乱体４４の周面２２や周面２７の上端部の傾斜角度が透明基板４０に対して９０度に近い角度となる。この結果、スパッタリングで金属膜を赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４の周面に形成する際に、金属膜が良好に成膜されない部分が生じるおそれがある。
　また、曲率が０．５０／ｄよりも小さくなると、赤色蛍光体４５Ｒの周面２２が緩やかな湾曲面となる。その結果、赤色蛍光体４５Ｒを平面視したときに周面２２が占める割合が大きくなる。周面２２には、反射部４７Ｒが形成されており、結果として、光源モジュール２からの光のうち、赤色蛍光体４５Ｒなどに入り込む光の割合が少なくなる。この結果、開口率の低下につながる。
　そこで、本実施の形態においては、曲率を０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下とすると共に、さらに好ましい値として、０．６６/ｄとする。なお、「ｄ」とは、光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇおよび赤色蛍光体４５Ｒの厚さｄである。
　次に、この金属膜の上面上にレジストを形成する。このレジストにパターニングを施して、このパターニングが施されたレジストを用いて、金属膜をパターニングする。これにより、反射部材４６が形成される。
　次に、図２１に示すように、樹脂層を光散乱体４４、緑色蛍光体４５Ｇ、赤色蛍光体４５Ｒおよび反射部４７を覆うように堆積する。これにより平坦化膜４３が形成される。このようにして、本実施の形態に係る表示装置１に搭載された色変換基板４を製作することができる。
　当該色変換基板４から図１に示す対向基板６を製作する際には、図２２に示すように、熱硬化型もしくは紫外線硬化型の透明なアクリル系樹脂などにより平坦化膜４３を形成する。次に、平坦化膜４３上に偏光板３３を形成する。その後、たとえば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などにより透明絶縁膜３０を形成する。次に、ＩＴＯ膜またはＩＺＯ膜などの透明導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングして、対向電極３１を形成する。次に、対向電極３１を覆うように、配向膜３２を形成する。
　このように、色変換基板４が一体化された対向基板６を製作する場合と、色変換基板４と、一般的な対向基板とを個別に製作する場合とを比較すると、ガラス基板が１枚不要となると共に、製造工程の削減を図ることができる。
　なお、本実施の形態に係る表示装置１は、液晶駆動方式のＴＮ方式、ＶＡ方式、ＥＣＢ方式およびＩＰＳ方式のいずれのタイプにも適用することができる。
　図２３は、本実施の形態１に係る表示装置１の第１変形例を示す断面図である。この図２３に示す例においては、光散乱体４４に替えて青色蛍光体４５Ｂが採用されている。光源モジュール２は、液晶モジュール３に向けて紫外線ＵＲを照射する。
　そして、選択された赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび青色蛍光体４５Ｂに紫外線ＵＲが入射する。この図２３に示す例では、赤色蛍光体４５Ｒは、紫外線ＵＲが入射することで励起して、赤色光を発光する。緑色蛍光体４５Ｇも紫外線ＵＲが入射することで発光し、青色蛍光体４５Ｂも紫外線ＵＲが入射することで、青色光を発光する。
　この図２３に示す例においても、緑色蛍光体４５Ｇ、赤色蛍光体４５Ｒおよび青色蛍光体４５Ｂの周面は、図３および図４に示すように湾曲面状に形成されている。
　（実施の形態２）
　図２４および図２５を用いて、本実施の形態２に係る表示装置１について説明する。なお、図２４および図２５に示す構成のうち、図１から図２３に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
　図２４は、実施の形態２に係る表示装置１の断面図である。表示装置１は、光源モジュール２と、光源モジュール２上に設けられた液晶モジュール３と、液晶モジュール３上に設けられた色変換基板４とを備える。本実施の形態２においては、液晶モジュール３と色変換基板４とは、別の構成部材であって、色変換基板４は、液晶モジュール３上に実装されている。
　このため、対向基板６は、透明基板３７と、透明基板３７の主表面のうち、ＴＦＴ基板５と対向する主表面に形成された対向電極３１と、この対向電極３１を覆うように形成された配向膜３２とを含む。さらに、対向基板６は、透明基板３７の主表面のうち、対向電極３１が形成された主表面と反対側の主表面に形成された偏光板３３とを含む。色変換基板４は、主板３９と、主板３９に形成された蛍光体層４２と、蛍光体層４２に形成された反射部材４６と、反射部材４６および蛍光体層４２を覆うように形成された平坦化膜４３とを含む。本実施の形態２において、平坦化膜４３は接着性を有し、これにより対向基板６と色変換基板４が接着されている。
　なお、主板３９は、出射面と、この出射面と反対側に位置する主表面とを含み、蛍光体層４２は、出射面と反対側に位置する主表面に設けられている。
　主板３９は、透明基板４０と、透明基板４０の下面に形成された低屈折率層４１とを含む。蛍光体層４２は、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４とを含む。
　ここで、赤色蛍光体４５Ｒと、緑色蛍光体４５Ｇと、光散乱体４４の周面は、上記実施の形態１に係る蛍光体層４２と同様に湾曲面状に形成されている。
　このため、本実施の形態２に係る表示装置１においても、ランバーシアン特性またはランバーシアン特性に近似した光配向特性を得ることができる。
　図２５は、本実施の形態２に係る表示装置１の変形例を示す断面図である。この図２５に示す例においては、表示装置１は、色変換基板４と対向基板６との間に設けられると共に、各基板の外周縁部の近傍に配置された支持部材５９を備える。これにより、色変換基板４と対向基板６との間には、空気層６８が形成されている。
　なお、空気層６８の屈折率は、赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４の屈折率よりも小さい。このため、図２５に示す例においても、赤色蛍光体４５Ｒおよび緑色蛍光体４５Ｇで発光した光が対向基板６側に向かうことを抑制することができると共に、光散乱体４４で散乱した光が対向基板６に向かうことを抑制することができる。
　上記実施の形態１，２は、サイドエッジ型のバックライトを備えた液晶表示装置に本願発明に係る色変換基板４を適用した例について説明したが、色変換基板４は各種の表示装置に適用することができる。
　図２６は、本実施の形態１，２に係る第１変形例を模式的に示す模式図である。この図２６に示す例においては、複数のＬＥＤ２ａがアレイ状に配置された直下型の光源モジュール２が採用されている。なお、複数のＬＥＤにかえて、冷陰極管を採用してもよい。
　図２７は、第２変形例を模式的に示す模式図である。この図２７に示す例においては、光源モジュール２は、有機ＥＬパネルや無機ＥＬパネルであり、光量を調整可能な調光光源である。光源モジュール２と色変換基板４とは、接着剤などで接着されている。この図２７に示す例では、液晶パネルなどの光シャッター装置を用いる必要がない。
　図２８は、第３変形例を示す断面図であり、この図２８に示す表示装置１は、光源モジュール２と、光シャッター６７と、色変換基板４とを備える。光シャッター６７は、透明基板６３と、透明基板６３の主表面上に形成された複数のシャッター素子６２とを含む。シャッター素子６２は、赤色蛍光体４５Ｒ、緑色蛍光体４５Ｇおよび光散乱体４４と対向する位置に設けられている。
　このシャッター素子６２は、開口部６６が形成され、内部に空隙が形成された遮光壁６４と、この遮光壁６４内を移動可能に設けられたシャッター６５とを含む。シャッター６５が移動することで、開口部６６から色変換基板４に向かう光の量が調整される。このように、ＭＥＭＳが採用された光シャッター６７を採用することができる。
　以上、本発明に基づいた各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１　表示装置、２　光源モジュール、２ａ　ＬＥＤ、２ｂ　導光板、３　液晶モジュール、４　色変換基板、５　ＴＦＴ基板、６　対向基板、７　液晶層、８　シール部材、１０，４０，６３　透明基板、１１，３３　偏光板、１２　ゲート絶縁膜、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ　トランジスタ、１４　層間絶縁膜、１５，１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ　画素電極、１６，３２　配向膜、１７　半導体層、２０，２５　入射面、２１，２６　出射面、２２，２７　周面、３０　透明絶縁膜、３１　対向電極、３９　主板、４１　低屈折率層、４２　蛍光体層、４３　樹脂層、４４　光散乱体、４５　蛍光体、４５Ｂ　青色蛍光体、４５Ｇ　緑色蛍光体、４５Ｒ　赤色蛍光体、４６　反射部材、４７，４７Ｂ　反射部、４８　接続部、４９，６６　開口部、５０　透明基板、５１，５２　主表面、５５　散乱層、５６　緑色蛍光体層、５７　赤色蛍光体層、５８，６０，６１　マスク、５９，ＵＲ　紫外線、６２　シャッター素子、６４　遮光壁、６５　シャッター、６７　光シャッター、ＢＬ　青色光、Ｄ１，Ｄ２　配列方向、ＤＥ　ドレイン電極、ＥＬ　有機、ＧＥ　ゲート電極、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６　接線、ＬＢ，ＬＲ，LＧ，ＬＬ　長さ、Ｏ１　曲率中心、Ｐ１　第１部位、Ｐ２　第２部位、Ｐ３，Ｐ６　上端部、Ｐ４　第４部位、Ｐ５　第５部位、ＲＬ　赤色光、ＳＥ　ソース電極、Ｖ　基準方向。

Claims (8)

  1. 　主表面を有する透明基板と、
    　複数の蛍光体を含み、前記主表面に設けられた蛍光体層と、
    　複数の前記蛍光体に形成された複数の第１反射部と
    　を備え、
    　前記蛍光体は、前記透明基板と対向する第１出射面と、前記第１出射面と対向する第１入射面と、前記第１出射面と前記第１入射面との間に位置する第１周面とを含み、
    　前記第１反射部は、前記第１周面に形成され、
    　前記第１入射面は、平坦面状に形成され、前記第１周面は、第１部位と、前記第１部位よりも前記主表面側に位置する第２部位とを含み、
    　前記第２部位の接線と前記主表面との交差角度は、前記第１部位の接線と前記主表面との交差角度よりも大きい、色変換基板。
  2. 　前記第１周面の断面形状は湾曲面である、請求項１に記載の色変換基板。
  3. 　前記蛍光体の厚さを厚さｄとすると、前記第１周面の曲率は、０．５０／ｄ以上０．８３／ｄ以下である、請求項２に記載の色変換基板。
  4. 　前記第１周面のうち、前記主表面側に位置する端部と前記主表面とのなす角度は、６０度以上８０度以下である、請求項１から請求項３のいずれかに記載の色変換基板。
  5. 　前記蛍光体層は、前記蛍光体から間隔をあけて配置された複数の光拡散体と、前記光拡散体に形成された複数の第２反射部とを含み、
    　前記光拡散体は、前記主表面と対向する第２出射面と、前記第２出射面と対向する第２入射面と、前記第２入射面と前記第２出射面との間に位置する第２周面とを含み、
    　前記第２反射部は、前記第２周面に形成され、
    　前記第２入射面は、平坦面状に形成され、前記第２周面は、第３部位と、前記第３部位よりも前記主表面側に位置する第４部位とを含み、
    　前記第４部位の接線と前記主表面との交差角度は、前記第３部位の接線と前記主表面との交差角度よりも大きい、請求項１から請求項４のいずれかに記載の色変換基板。
  6. 　前記蛍光体層と前記透明基板の主表面との間に形成された低屈折率層をさらに備え、
    　前記低屈折率層の屈折率は前記蛍光体の屈折率より小さい、請求項１から請求項５のいずれかに記載の色変換基板。
  7. 　請求項１から請求項６のいずれかに記載の色変換基板を備えた液晶表示装置であって、
    　前記液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、前記ＴＦＴ基板と間隔をあけて配置され、前記色変換基板を含む対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層とを含み、
    　前記対向基板は、前記色変換基板よりも前記ＴＦＴ基板側に配置された偏光層と、前記偏光層よりも前記ＴＦＴ基板側に配置された透明導電膜と、前記透明導電膜よりも、前記ＴＦＴ基板側に配置された配向膜とを含む、液晶表示装置。
  8. 　前記色変換基板と前記偏光層との間には、平坦化層が形成され、
    　前記平坦化層のうち、前記偏光層が形成された部分は平坦面とされ、
    　前記平坦化層の屈折率は、前記蛍光体の屈折率よりも小さい、請求項７に記載の液晶表示装置。
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