WO2013103259A1 - 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법 - Google Patents

시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a double-sided transparent conductive film and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a double-sided transparent conductive film and a method of manufacturing the same, which can simplify the touch panel structure and process simplification, as well as excellent visibility characteristics. will be.
  • the transparent electrode film is one of the most important parts in manufacturing a touch panel.
  • the transparent electrode film the most widely used to date is an indium tin oxide (ITO) film having a total light transmittance of 85% or more and a surface resistance of 400 ⁇ / square or less.
  • ITO indium tin oxide
  • the transparent electrode film has a primer coating treatment in order to provide surface flatness and heat resistance to the transparent polymer film, and then uses a hard coating treatment as a base film.
  • the undercoat layer was formed by wet coating or sputtering, and then a transparent conductive layer such as ITO was formed by sputtering.
  • the projected capacitive touch panel is disposed in a position where the transparent conductive layers serving as upper and lower electrodes of the display panel and the transparent conductive layer of the transparent conductive film attached to the upper or lower portion of the display panel are very close to each other. In this regard, it may cause a signal interference with each other, causing a cross talk (cross talk).
  • OCA Optical Clear Adhesive
  • Korean Patent Publication No. 10-2011-0072854 (published on June 29, 2011), which discloses a transparent electrode film and a method of manufacturing the same, and does not disclose a double-sided transparent conductive film.
  • An object of the present invention is to form a bonding structure in which two transparent conductive films are symmetrical to each other based on the transparent substrate layer while using one transparent substrate layer, thereby simplifying the structure and improving optical properties when applied to a touch panel. It is to provide a double-sided transparent conductive film that can have.
  • Another object of the present invention is to provide a method for producing a double-sided transparent conductive film which can reduce the manufacturing cost through the process simplification by continuously forming the undercoat layer and the transparent conductive layer by a sputtering deposition method.
  • the double-sided transparent conductive film excellent visibility according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a transparent base layer; First and second hard coating layers formed on both surfaces of the transparent substrate layer, respectively; First and second undercoat layers sequentially stacked on the first hard coating layer; Third and fourth undercoat layers sequentially stacked on the second hard coating layer; And first and second transparent conductive layers formed on the second and fourth undercoating layers, respectively.
  • a method of manufacturing a double-sided transparent conductive film having excellent visibility including: (a) forming first and second hard coating layers on both sides of a transparent base layer; (b) sequentially forming first and second undercoat layers on the first hard coat layer; (c) depositing a first transparent conductive material by sputtering on the second undercoat layer to form a first transparent conductive layer; (d) sequentially forming third and fourth undercoat layers on the second hard coat layer; And (e) depositing a second transparent conductive material on the fourth undercoat layer by sputtering to form a second transparent conductive layer.
  • the double-sided transparent conductive film according to the present invention may have a bonding structure in which two transparent conductive films are mutually symmetrical without using an optical clear adhesive (OCA) based on a transparent substrate layer while using one transparent substrate layer.
  • OCA optical clear adhesive
  • the present invention is a double-sided through the process simplification by the continuous coating of the under coating layers and the transparent conductive layers by sputtering deposition method using silicon (Si), niobium (Nb), ITO (Indium Tin Oxide), etc.
  • Si silicon
  • Nb niobium
  • ITO Indium Tin Oxide
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a double-sided transparent conductive film excellent visibility according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a process flowchart showing a method for manufacturing a double-sided transparent conductive film having excellent visibility according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a double-sided transparent conductive film excellent visibility according to an embodiment of the present invention.
  • a double-sided transparent conductive film 100 having excellent visibility may be a transparent base layer 110, first and second hard coating layers 120 and 122, and first and second underscores.
  • the coating layers 130 and 140, the third and fourth under coating layers 132 and 142, and the first and second transparent conductive layers 150 and 152 are included.
  • the transparent substrate layer 110 a film having excellent transparency and strength may be used.
  • the material of the transparent base layer 110 may be polyethylene terephthalate (PET), polyethylenenaphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), poly propylene (PP), norbornene-based resin, and the like. These may be individual or mixed 2 or more types.
  • the transparent substrate layer 110 may be applied in the form of a single film or the form of a laminated film.
  • the first and second hard coating layers 120 and 122 may use one or more selected from acrylic, urethane, epoxy, and siloxane polymer materials.
  • the first and second hard coat layers 120 and 122 may further include a silica-based filler as an additive to improve strength.
  • Each of the first and second hard coat layers 120 and 122 may be formed to a thickness of 1.5 to 7 ⁇ m.
  • the thickness of each of the first and second hard coat layers 120 and 122 is less than 1.5 ⁇ m, it may be difficult to properly exhibit the above effects.
  • the thickness of each of the first and second hard coat layers 120 and 122 exceeds 7 ⁇ m, there is a problem in that the production cost is greater than the effect increase.
  • the first and second undercoat layers 130 and 140 are sequentially stacked on the first hard coat layer 120.
  • the first and second undercoat layers 130 and 140 are disposed between the transparent base layer 110 and the first transparent conductive layer 150 to be described later, and the transparent base layer 110 and the first transparent conductive layer ( 150) It electrically insulates each other and improves transmittance.
  • the third and fourth undercoat layers 132 and 142 are sequentially stacked on the second hard coat layer 122.
  • the third and fourth undercoat layers 132 and 142 are disposed between the transparent base layer 110 and the second transparent conductive layer 152 to be described later, and the transparent base layer 110 and the second transparent conductive layer ( 152) Insulate each other and improve the transmittance.
  • the first and second transparent conductive layers 150 and 152 are formed on the second and fourth undercoat layers 140 and 142, respectively.
  • each of the first and second transparent conductive layers 150 and 152 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or fluorine doped tin oxide (STO 2 : F). It may be formed of one selected from the like.
  • the first transparent conductive layer 150 may be a first electrode formed along the X axis, and the second transparent conductive layer 152 may be a second electrode formed along the Y axis.
  • the first transparent conductive layer 150 may be a first electrode, and the second transparent conductive layer 152 may be a second electrode.
  • the first transparent conductive layer 150 may be a first electrode formed along the X axis or the Y axis, and the second transparent conductive layer 152 may be a ground wire for noise shielding.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 1.
  • each of the first and third undercoat layers 130 and 140 may be formed of two or more layers having different refractive indices.
  • each of the first and third undercoat layers 130 and 132 may have a first layer 130a and 132a having a refractive index of 1.40 to 1.45 and 1.8 to 2.0 on the first layer 130a and 132a. It may include a second layer (130b, 132b) having a second refractive index.
  • the first and second layers 130a and 132a of the first and third undercoat layers 130 and 132 may be formed. If the difference in refractive index between the second layers 130b and 132b is too large or too small, the increase in reflectance may cause a problem that the total light transmittance is sharply lowered, so that the first and third undercoat layers 130 and 132
  • the difference in refractive index between the first layers 130a and 132a and the second layers 130b and 132b is preferably limited to a maximum of 0.5 to 0.6.
  • first layers 130a and 132a of the first and third undercoat layers 130 and 132 may be formed to be adjacent to the first transparent substrate layer 110 as compared with the second layers 130b and 132b. .
  • the first and the third undercoat layers 130 and 132 are formed of one of the first layers 130a and 132a selected from SiOx, SiON, etc., and thus the refractive index is adjustable between 1.40 and 1.45.
  • the refractive index was adjustable between 1.8 and 2.0. Through this, it was confirmed that the overall visibility and total light transmittance of the double-sided transparent conductive film 100 according to the present invention is improved.
  • the total thickness of each of the first layer 130a and 132a and the second layer 130b and 132b of each of the first and third undercoat layers 130 and 132 may be 20 to 100 nm. If the total thickness is formed so thin that less than 20nm, it may be difficult to properly exhibit the effect of improving the transmittance and visibility. On the contrary, when the total thickness exceeds 100 nm, the film stress is severe and may cause defects such as cracks.
  • each of the second and fourth undercoat layers 140 and 142 may reduce the difference in reflectance between the second layers 130b and 132b of the first and third undercoat layers 130 and 132 and the transparent base layer 110.
  • the total light transmittance increases the visibility.
  • the second and fourth undercoat layers 140 and 142 may include the second layers 130b and 132b of the first and third undercoat layers 130 and 132 and the first and second transparent substrate layers 150 to be described later. 152) is disposed between each other to block the permeation of moisture and oligomers.
  • Each of the second and fourth undercoat layers 140 and 142 may have a refractive index of 1.40 to 1.45, similar to the first layers 130a and 132a of the first and third undercoat layers 130 and 132.
  • each of the second and fourth undercoat layers 140 and 142 is preferably formed of SiOx, SiON, or the like.
  • the thickness of each of the second and fourth undercoat layers 140 and 142 is preferably 10 to 60 nm.
  • the thickness of each of the second and fourth undercoat layers 140 and 142 is less than 10 nm, it may be difficult to properly exhibit visibility improvement effects.
  • the thickness of each of the second and fourth undercoat layers 140 and 142 exceeds 60 nm, only the process cost may be increased without any increase in visibility or the like.
  • the double-sided transparent conductive film 100 having excellent visibility includes first and second undercoat layers 130 and 140 and third and fourth under formed on both surfaces of the transparent base layer 110, respectively.
  • first and second electrodes of the projected capacitive touch panel are used on the second and fourth under coating layers 140 and 142.
  • the first and second transparent conductive layers 150 and 152 are formed, respectively.
  • the double-sided transparent conductive film 100 uses one transparent substrate layer 110, without using an optical clear adhesive (OCA) based on the transparent substrate layer 110.
  • the two transparent conductive films may have a bonding structure in which the two transparent conductive films are symmetric with each other.
  • the first transparent conductive layer 150 is used as a first electrode formed along the X axis
  • the second transparent The conductive layer 152 may be used as a second electrode formed along the Y axis or vice versa.
  • the amount of OCA is used as compared with the structure of attaching the transparent conductive film to the upper and lower surfaces of the touch panel, respectively. Can be cut in half.
  • the overall thickness of the touch panel can be significantly reduced, which is advantageous in implementing a slim touch panel.
  • the OCA is laminated to a structure having a separate transparent conductive layer, so that the first transparent conductive layer 150 is used as an electrode formed along the X axis or the Y axis, and the second transparent conductive layer 152 uses noise shielding. Can be used as ground wiring for In this case, the overall thickness and manufacturing process of the touch panel can be reduced while having the noise shield structure.
  • FIG. 3 is a process flowchart showing a method for manufacturing a double-sided transparent conductive film having excellent visibility according to an embodiment of the present invention.
  • the first and second hard coat layer forming steps (S210), the first and second undercoat layer forming steps (S220), and the first transparent conductive layer may be performed.
  • a layer forming step S230, a third and fourth undercoat layer forming step S240, and a second transparent conductive layer forming step S250 are included.
  • first and second hard coating layers are formed on one side and the other side of the transparent base layer, respectively.
  • the material of the transparent substrate layer may be polyethylene terephthalate (PET), polyethylenenaphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), polypropylene (PP), norbornene-based resins, and the like. Or two or more kinds thereof.
  • first and second hard coating layers may be one or more selected from acrylic, urethane, epoxy, and siloxane polymer materials.
  • each of the first and second hard coat layers is preferably formed to a thickness of 1.5 ⁇ 7 ⁇ m.
  • the first and second undercoat layers are sequentially stacked on the first hard coating layer.
  • the first and second undercoat layers are preferably formed by a wet coating method or a sputtering deposition method.
  • the first undercoat layer may be formed of two or more layers having different refractive indices.
  • the first undercoat layer may include a first layer having a refractive index of 1.40 to 1.45 and a second layer having a refractive index of 1.8 to 2.0 on the first layer.
  • the first layer of the first undercoat layer is silicon oxide (SiOx) or silicon having a first refractive index of 1.40 to 1.45 by using a sputtering method using oxygen or nitrogen as a reaction gas while using a Si target on a transparent film. It can be formed by depositing nitride (SiON).
  • the second layer of the second undercoat layer may be formed of niobium oxide, silicon oxide having a refractive index of 1.8 to 2.0 using a sputtering method using oxygen or nitrogen as a reaction gas while using a Si or Nb target on the first layer. It can be formed by depositing any one of silicon nitride.
  • the total thickness of the first layer and the second layer of the first undercoat layer is preferably formed to 20 ⁇ 100nm.
  • the second undercoat layer may be made of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiON) having a refractive index of 1.40 to 1.45 by the same method as the first layer of the first undercoat layer. At this time, the second undercoat layer is preferably formed to a thickness of 10 ⁇ 60nm.
  • the first transparent conductive material is deposited by sputtering on the second undercoat layer to form a first transparent conductive layer.
  • the first transparent conductive material may be formed of one selected from indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and fluorine doped tin oxide (STO 2 : F). Do.
  • the third and fourth undercoat layers are sequentially stacked on the second hard coat layer.
  • the third and fourth undercoat layers are preferably formed by sputtering deposition.
  • the third and fourth undercoat layers may be formed in the same structure on the other surface of the transparent substrate layer opposite to one surface thereof by the same method as the first and second undercoat layers, and thus the detailed description thereof will be omitted.
  • a second transparent conductive layer is formed on the fourth undercoat layer by sputtering to form a second transparent conductive layer.
  • the second transparent conductive material is the same as the first transparent conductive material, Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), FTO (fluorine doped tin oxide, SnO 2 : F) It is preferable to form one selected from) and the like.
  • the method for manufacturing a double-sided transparent conductive film having excellent visibility according to an embodiment of the present invention may be finished.
  • the double-sided transparent conductive film manufactured by the above process uses two transparent substrate layers, but does not use two optical clear adhesives (OCA) based on the transparent substrate layer.
  • the transparent conductive film may have a bonding structure in which mutually symmetrical bars are applied, and when applied to a touch panel, the transparent conductive film may have a structure simplification and an optical property improvement effect.
  • the present invention is a double-sided through the process simplification by the continuous coating of the under coating layers and the transparent conductive layers by sputtering deposition method using silicon (Si), niobium (Nb), ITO (Indium Tin Oxide), etc.
  • Si silicon
  • Nb niobium
  • ITO Indium Tin Oxide
  • SiO 2 was formed at 50 nm by a reactive sputtering method using silicon as a target to form a second undercoat layer, and then ITO was formed at 20 nm by a reactive sputtering method to form a first transparent conductive layer having a refractive index of 1.95.
  • SiO 2 was deposited to 15 nm by reactive sputtering using silicon (Si) as a target, and NbO 2 was deposited to 10 nm by reactive sputtering using niobium (Nb) as a target, having a refractive index of 1.43 and 1.9.
  • a third undercoating layer of layer structure was formed.
  • SiO 2 was formed to 50 nm by using a reactive sputtering method using silicon (Si) as a target to form a fourth undercoating layer, and then a second transparent conductive layer having a refractive index of 1.95 was formed by forming ITO at 20 nm by using a reactive sputtering method. Formed.
  • SiO 2 was formed at 20 nm, NbO 2 was formed at 12 nm to form a first undercoat having a two-layer structure having a refractive index of 1.43 and 1.86.
  • SiO 2 was formed at 20 nm, and NbO 2 was formed at 12 nm to form 1.43 and 1.86.
  • a double-sided transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the third undercoating layer having a phosphorus two-layer structure was formed.
  • SiO 2 was formed at 5 nm
  • NbO 2 was formed at 20 nm to form a first undercoating layer having a two-layer structure having a refractive index of 1.38 and 1.76
  • SiO 2 was formed at 5 nm
  • NbO 2 was formed at 20 nm to form a refractive index of 1.38
  • a double-sided transparent conductive film was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a third undercoating layer having a two-layer structure of 1.76 was formed.
  • a double-sided transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the steps of forming the second and fourth undercoat layers were omitted.
  • An acrylic hard coating solution was applied to one surface of a 125 ⁇ m-thick PET film with a thickness of 5 ⁇ m and cured to form a hard coating layer.
  • SiO 2 was 15 nm in a reactive sputtering method using silicon (Si) as a target on the hard coating layer.
  • NbO 2 was deposited at 10 nm by a reactive sputtering method using niobium (Nb) as a target to form a first undercoating layer having a two-layer structure having a refractive index of 1.43 and 1.9.
  • SiO 2 is formed to 50 nm by reactive sputtering using silicon as a target to form a second undercoating layer on the first undercoating layer, and then ITO on the second undercoating layer to 20nm by reactive sputtering. It was formed into a film to form a transparent conductive layer having a refractive index of 1.95.
  • two same transparent conductive films are laminated using a transparent adhesive (OCA) having a thickness of 50 um. In the laminated structure, the transparent conductive layers are positioned opposite to each other.
  • OCA transparent adhesive
  • Table 1 shows the optical property evaluation results and thicknesses for the films according to Examples 1 to 3 and Comparative Example 1.
  • Transmittance and color Transmittance and b * value based on D65 light source were obtained by spectrophotometer measurement according to ASTM D1003 method.
  • Example 1 91.2 1.0 ⁇ 130
  • Example 2 89.9 0.7 ⁇ 130
  • Example 3 89.9 1.1 ⁇ 130
  • Example 4 88.7 1.7 ⁇ 130
  • Comparative Example 1 88.2 2.2 ⁇ 130
  • Comparative Example 2 91.1 0.9 ⁇ 310

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Description

시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법
본 발명은 양면 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 터치 패널 구조의 단순화 및 공정 단순화를 도모할 수 있을 뿐만 아니라, 우수한 시인성 특성을 갖는 양면 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
투명전극 필름은 터치패널의 제조 시 가장 중요한 부품 중 하나이다. 이러한 투명전극 필름으로 현재까지 가장 널리 사용되는 것은 전광선 투과율이 85% 이상이고, 표면 저항이 400Ω/square 이하인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO) 필름이다.
일반적인 투명전극 필름은 투명한 고분자 필름에 표면 평탄성과 내열성을 구비하기 위해 프라이머 코팅(primer coating) 처리를 한 후 하드코팅 처리한 것을 기재 필름(base film)으로 사용한다.
이러한 기재 필름 상에, 언더코팅층을 습식 코팅(wet coating)이나 스퍼터링 방식으로 형성한 후, ITO와 같은 투명 도전층을 스퍼터링 방식으로 형성하였다.
최근, 대면적 터치패널의 사용이 증가되면서 응답 속도를 빠르게 하기 위해 표면 저항 200Ω/square 미만의 저저항 구현과 투명 도전층의 시인성 개선이 요구되고 있다.
한편, 투사형 정전용량 터치패널은 표시패널의 상부 전극 및 하부 전극의 역할을 하는 투명 도전층들과, 상기 표시패널의 상부 또는 하부에 각각 부착되는 투명 도전성 필름의 투명 도전층이 매우 가까운 위치에 배치되는 관계로, 상호 간에 신호 간섭을 일으켜 크로스 토크(cross talk)를 유발하는 문제를 야기할 수 있다.
따라서, 최근에는 투명 전도성 필름 또는 투명 전도성 유리를 적어도 2장 사용하고, 필요에 따라 노이즈 차폐를 위한 투명 전도성 필름을 추가하여 사용하고자 하는 노력이 진행 중에 있다.
그러나, 이와 같이 투명 전도성 필름 또는 투명 전도성 유리를 적층하는 구조로 제작하기 위해서는 OCA(optical clear adhesive)를 여러 층 사용하여 부착하게 되는 데, 이는 결국 복잡한 구조에 의한 작업 효율성의 감소와 제조 비용 상승을 야기한다.
또한, 다수의 OCA의 사용은 결국 2차 공정 불량의 발생율을 증가시키며, 광학적 물성의 저하를 야기할 뿐만 아니라, 터치패널의 전체 두께를 증가시켜 박형화의 추세를 역행하는 문제를 초래한다.
관련 선행문헌으로는 대한민국 공개특허 제10-2011-0072854(2011.06.29 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 투명 전극 필름 및 이의 제조 방법이 개시되어 있을 뿐, 양면 투명 전도성 필름에 대하여 개시하는 바가 없다.
본 발명의 목적은 하나의 투명 기재층을 이용하면서도, 투명 기재층을 기준으로 2개의 투명 전도성 필름이 상호 대칭되는 합착 구조를 갖도록 형성함으로써, 터치 패널에 적용할 경우 구조 단순화 및 광학적 물성 향상 효과를 가질 수 있는 양면 투명 전도성 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 언더 코팅층과 투명 도전층을 스퍼터링 증착 방법으로 연속 성막함으로써, 공정 단순화를 통해 제조 비용을 절감할 수 있는 양면 투명 전도성 필름의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름은 투명 기재층; 상기 투명 기재층의 양면에 각각 형성된 제1 및 제2 하드 코팅층; 상기 제1 하드 코팅층 상에 차례로 적층 형성된 제1 및 제2 언더 코팅층; 상기 제2 하드 코팅층 상에 차례로 적층 형성된 제3 및 제4 언더 코팅층; 및 상기 제2 및 제4 언더 코팅층 상에 각각 형성된 제1 및 제2 투명 도전층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 제조 방법은 (a) 투명 기재층의 양면에 제1 및 제2 하드 코팅층을 각각 형성하는 단계; (b) 상기 제1 하드 코팅층 상에 제1 및 제2 언더 코팅층을 차례로 형성하는 단계; (c) 상기 제2 언더 코팅층 상에 제1 투명 도전성 물질을 스퍼터링으로 증착하여 제1 투명 도전층을 형성하는 단계; (d) 상기 제2 하드 코팅층 상에 제3 및 제4 언더 코팅층을 차례로 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제4 언더 코팅층 상에 제2 투명 도전성 물질을 스퍼터링으로 증착하여 제2 투명 도전층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 양면 투명 전도성 필름은 하나의 투명 기재층을 이용하면서도, 투명 기재층을 기준으로 OCA(optical clear adhesive)를 사용하는 것 없이 2개의 투명 전도성 필름이 상호 대칭되는 합착 구조를 가질 수 있는바, 터치 패널에 적용할 경우 구조 단순화 및 광학적 물성 향상 효과를 가질 수 있다.
또한, 본 발명은 언더 코팅층들과 투명 도전층들을 원재료 확보가 용이한 실리콘(Si), 니오븀(Nb), ITO(Indium Tin Oxide) 등을 이용한 스퍼터링 증착 방법으로 연속 성막함으로써, 공정 단순화를 통해 양면 투명 전도성 필름의 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름을 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름(100)은 투명 기재층(110), 제1 및 제2 하드 코팅층(120, 122), 제1 및 제2 언더 코팅층(130, 140), 제3 및 제4 언더 코팅층(132, 142)과 제1 및 제2 투명 도전층(150, 152)을 포함한다.
투명 기재층(110)은 투명성과 강도가 우수한 필름이 이용될 수 있다. 이러한 투명 기재층(110)의 재질로는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone), PC(Poly carbonate), PP(poly propylene), 노보르넨계 수지 등이 제시될 수 있으며, 이들이 단독 또는 2종 이상으로 혼합되어 있을 수 있다. 또한, 투명 기재층(110)은 단일 필름의 형태 또는 적층 필름의 형태가 적용될 수 있다.
제1 및 제2 하드 코팅층(120, 122)은 아크릴계, 우레탄계, 에폭시계, 실록산계 폴리머 재질 등에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 하드 코팅층(120, 122)은 강도 향상을 위하여 첨가제로 실리카(silica)계의 필러를 더 포함할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 하드 코팅층(120, 122) 각각은 1.5 ~ 7㎛의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 제1 및 제2 하드 코팅층(120, 122) 각각의 두께가 1.5㎛ 미만일 경우에는 상기의 효과를 제대로 발휘하는 데 어려움이 따를 수 있다. 반대로, 제1 및 제2 하드 코팅층(120, 122) 각각의 두께가 7㎛를 초과할 경우에는 효과 상승 대비 생산 비용이 더 큰 문제가 있다.
제1 및 제2 언더 코팅층(130, 140)은 제1 하드 코팅층(120) 상에 차례로 적층 형성된다. 이러한 제1 및 제2 언더 코팅층(130, 140)은 투명 기재층(110)과 후술할 제1 투명 도전층(150) 사이에 배치되어, 상기 투명 기재층(110)과 제1 투명 도전층(150) 상호 간을 전기적으로 절연시킴과 더불어 투과도를 향상시키는 역할을 한다.
제3 및 제4 언더 코팅층(132, 142)은 제2 하드 코팅층(122) 상에 차례로 적층 형성된다. 이러한 제3 및 제4 언더 코팅층(132, 142)은 투명 기재층(110)과 후술할 제2 투명 도전층(152) 사이에 배치되어, 상기 투명 기재층(110)과 제2 투명 도전층(152) 상호 간을 전기적으로 절연시킴과 더불어 투과도를 향상시키는 역할을 한다.
제1 및 제2 투명 도전층(150, 152)은 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 상에 각각 형성된다. 이때, 제1 및 제2 투명 도전층(150, 152) 각각은 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), FTO(fluorine doped tin oxide, SnO2 : F) 등에서 선택된 하나로 형성될 수 있다.
이때, 제1 투명 도전층(150)은 X축을 따라 형성되는 제1 전극일 수 있고, 제2 투명 도전층(152)은 Y축을 따라 형성되는 제2 전극일 수 있다. 이와 반대로, 제1 투명 도전층(150)은 제1 전극일 수 있고, 제2 투명 도전층(152)은 제2 전극일 수 있다. 이와 또 다르게, 제1 투명 도전층(150)은 X축 또는 Y축을 따라 형성되는 제1 전극일 수 있고, 제2 투명 도전층(152)은 노이즈 차폐를 위한 그라운드 배선일 수 있다.
한편, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 140) 각각은 굴절률이 상이한 2개 이상의 층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132) 각각은 1.40 ~ 1.45의 굴절률을 갖는 제1층(130a, 132a)과, 상기 제1층(130a, 132a) 상에 1.8 ~ 2.0의 제2 굴절률을 갖는 제2층(130b, 132b)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 및 제2 투명 도전층(150, 152) 각각의 굴절률이 대략 1.9 ~ 2.0이라고 할 때, 상기 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제1층(130a, 132a)과 제2층(130b, 132b) 간의 굴절률 차이가 너무 크거나 너무 작을 경우 반사율의 상승으로 전광선 투과율이 급격히 저하되는 문제를 야기할 수 있는바, 상기 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제1층(130a, 132a)과 제2층(130b, 132b) 간의 굴절률 차이는 최대 0.5 ~ 0.6으로 제한하는 것이 바람직하다.
이때, 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제1층(130a, 132a)은 제2층(130b, 132b)에 비하여 제1 투명 기재층(110)에 인접하도록 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제1층(130a, 132a)으로 SiOx, SiON 등에서 선택된 하나로 형성한 결과, 굴절률이 1.40 ~ 1.45 사이로 조절 가능하였다. 그리고, 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제2층(130b, 132b)으로 NbOx, SiOx, SiON 등에서 선택된 하나로 형성한 결과, 굴절률이 1.8 ~ 2.0 사이로 조절 가능하였다. 이를 통해, 본 발명에 따른 양면 투명 전도성 필름(100)의 전체적인 시인성 및 전광선 투과율이 향상되는 것을 확인하였다.
이때, 상기 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132) 각각의 제1층(130a, 132a) 및 제2층(130b, 132b)의 합산 두께는 20 ~ 100nm로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 합산 두께가 20nm 미만으로 너무 얇게 형성될 경우에는 투과율 및 시인성 향상 효과를 제대로 발휘하는 데 어려움이 따를 수 있다. 반대로, 상기 합산 두께가 100nm를 초과할 경우에는 막 응력이 심해져 크랙(crack) 등의 불량을 야기할 수 있다.
한편, 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 각각은 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제2층(130b, 132b)과 투명 기재층(110)의 반사율 차이를 감소시키고 전광선 투과율을 높여 시인성을 보다 향상시키는 역할을 한다. 또한, 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142)은 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제2층(130b, 132b)과 후술할 제1 및 제2 투명 기재층(150, 152) 사이에 각각 배치되어 수분과 올리고머 등이 투과되는 것을 차단하는 역할을 한다.
이러한 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 각각은 제1 및 제3 언더 코팅층(130, 132)의 제1층(130a, 132a)과 마찬가지로 1.40 ~ 1.45의 굴절률을 가질 수 있다. 이를 위해, 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 각각은 SiOx, SiON 등으로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 각각의 두께는 10 ~ 60nm로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 각각의 두께가 10nm 미만일 경우에는 시인성 향상 효과를 제대로 발휘하는 데 어려움이 따를 수 있다. 반대로, 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 각각의 두께가 60nm를 초과할 경우에는 더 이상의 시인성 등의 상승 효과 없이 공정 비용만을 상승시킬 수 있다.
전술한 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름(100)은 투명 기재층(110)의 양면에 각각 형성된 제1 및 제2 언더 코팅층(130, 140)과 제3 및 제4 언더 코팅층(132, 142)을 통하여 우수한 광학적 물성을 확보할 수 있음과 더불어, 제2 및 제4 언더 코팅층(140, 142) 상에 투사형 정전용량 방식 터치 패널의 제1 전극과 제2 전극으로 활용되는 제1 및 제2 투명 도전층(150, 152)이 각각 형성되는 구조를 갖는다.
이 경우, 본 발명의 실시예에 따른 양면 투명 전도성 필름(100)은 하나의 투명 기재층(110)을 이용하면서도, 투명 기재층(110)을 기준으로 OCA(optical clear adhesive)를 사용하는 것 없이 2개의 투명 전도성 필름이 상호 대칭되는 합착 구조를 가질 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 양면 투명 전도성 필름(100)을 투사형 정전용량 방식의 터치 패널에 적용할 때, 제1 투명 도전층(150)은 X축을 따라 형성되는 제1 전극으로 이용하고, 제2 투명 도전층(152)은 Y축을 따라 형성되는 제2 전극으로 이용하거나, 또는 그 역으로 활용할 수 있다. 이 경우, 터치 패널의 상면 또는 하면에 대하여 양면 투명 전도성 필름(100)을 부착시키면 되기 때문에, 종래와 같이 터치 패널의 상면 및 하면에 각각 투명 전도성 필름을 부착하는 구조와 비교해 볼 때, OCA의 사용량을 절반으로 줄일 수 있다. 또한, 하나의 투명 기재층(110)만이 사용되므로 터치 패널의 전체 두께를 대폭적으로 줄일 수 있는바, 슬림한 터치 패널을 구현하는 데 유리한 효과를 갖는다.
또한, 별도의 투명 도전층이 있는 구조에 OCA로 합지되어, 제1 투명 도전층(150)은 X축 또는 Y축을 따라 형성되는 전극으로 이용하고, 제2 투명 도전층(152)은 노이즈 차폐를 위한 그라운드 배선으로 이용할 수 있다. 이 경우, 노이즈 차폐 구조를 가지면서도 상술한 바와 같은 이유로 터치 패널의 전체 두께와 제작 공정을 줄일 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 양면 투명 전도성 필름 제조 방법은 제1 및 제2 하드 코팅층 형성 단계(S210), 제1 및 제2 언더 코팅층 형성 단계(S220), 제1 투명 도전층 형성 단계(S230), 제3 및 제4 언더 코팅층 형성 단계(S240)와 제2 투명 도전층 형성 단계(S250)를 포함한다.
제1 및 제2 하드 코팅층 형성 단계(S210)에서는 투명 기재층의 일면 및 타면에 제1 및 제2 하드 코팅층을 각각 형성한다.
이때, 투명 기재층의 재질로는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone), PC(Poly carbonate), PP(poly propylene), 노보르넨계 수지 등이 제시될 수 있으며, 이들이 단독 또는 2종 이상으로 혼합되어 있을 수 있다.
또한, 제1 및 제2 하드 코팅층은 아크릴계, 우레탄계, 에폭시계, 실록산계 폴리머 재질 등에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 하드 코팅층 각각은 1.5 ~ 7㎛의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
제1 및 제2 언더 코팅층 형성 단계(S220)에서는 제1 하드 코팅층 상에 제1 및 제2 언더 코팅층을 차례로 적층 형성한다. 이때, 상기 제1 및 제2 언더 코팅층은 습식 코팅 방식 또는 스퍼터링 증착 방식으로 형성하는 것이 바람직하다.
구체적으로 설명하면, 제1 언더 코팅층은 굴절률이 상이한 2개 이상의 층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 언더 코팅층은 1.40 ~ 1.45의 굴절률을 갖는 제1층과, 상기 제1층 상에 1.8 ~ 2.0의 굴절률을 갖는 제2층을 포함할 수 있다.
이때, 제1 언더 코팅층의 제1층은 투명 필름 상에 Si 타겟을 이용하면서 반응가스로 산소 또는 질소를 이용한 스퍼터링법을 이용하여 1.40 ~ 1.45 사이의 제1 굴절률을 갖는 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiON)을 증착하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 그리고, 제2 언더 코팅층의 제2층은 제1층 상에 Si 또는 Nb 타겟을 이용하면서 반응가스로 산소 또는 질소를 이용한 스퍼터링법을 이용하여 1.8 ~ 2.0 사이의 굴절률을 갖는 니오븀 산화물, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 어느 하나를 증착하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 언더 코팅층의 제1층 및 제2층의 합산 두께는 20 ~ 100nm로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 제2 언더 코팅층은 제1 언더 코팅층의 제1층과 동일한 방법에 의하여, 1.40 ~ 1.45 사이의 굴절률을 갖는 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiON)로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 언더 코팅층은 10 ~ 60nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
제1 도전층 형성 단계(S230)에서는 제2 언더 코팅층 상에 제1 투명 도전성 물질을 스퍼터링으로 증착하여 제1 투명 도전층을 형성한다. 이때, 제1 투명 도전성 물질로는 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), FTO(fluorine doped tin oxide, SnO2 : F) 등에서 선택된 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
제3 및 제4 언더 코팅층 형성 단계(S240)에서는 제2 하드 코팅층 상에 제3 및 제4 언더 코팅층을 차례로 적층 형성한다. 이때, 상기 제3 및 제4 언더 코팅층은 스퍼터링 증착 방식으로 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 제3 및 제4 언더 코팅층은 투명 기재층의 일면에 반대되는 타면에 제1 및 제2 언더 코팅층과 동일한 방법에 의하여 동일한 구조로 형성될 수 있는바, 그 상세한 설명은 생략하도록 한다.
제2 투명 도전층 형성 단계(S250)에서는 제4 언더 코팅층 상에 제2 투명 도전성 물질을 스퍼터링으로 증착하여 제2 투명 도전층을 형성한다. 이때, 제2 투명 도전성 물질로는 제1 투명 도전성 물질과 동일하게 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), FTO(fluorine doped tin oxide, SnO2 : F) 등에서 선택된 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
이상으로, 본 발명의 실시예에 따른 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 제조 방법이 종료될 수 있다.
지금까지 살펴본 바와 같이, 상기의 과정(S210 ~ S250)으로 제조된 양면 투명 전도성 필름은 하나의 투명 기재층을 이용하면서도, 투명 기재층을 기준으로 OCA(optical clear adhesive)를 사용하는 것 없이 2개의 투명 전도성 필름이 상호 대칭되는 합착 구조를 가질 수 있는바, 터치 패널에 적용할 경우 구조 단순화 및 광학적 물성 향상 효과를 가질 수 있다.
또한, 본 발명은 언더 코팅층들과 투명 도전층들을 원재료 확보가 용이한 실리콘(Si), 니오븀(Nb), ITO(Indium Tin Oxide) 등을 이용한 스퍼터링 증착 방법으로 연속 성막함으로써, 공정 단순화를 통해 양면 투명 전도성 필름의 제조 비용을 절감할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
1. 필름 제조
실시예 1
125㎛ 두께의 PET 필름 양면에 아크릴계 하드 코팅액을 5㎛의 두께로 각각 도포하고 경화하여 제1 및 제2 하드 코팅층을 형성한 후, 일면에 실리콘(Si)을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 SiO2를 15nm로 성막한 후, 니오븀(Nb)을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 NbO2를 10nm로 성막하여 굴절률 1.43과 1.9인 2층 구조의 제1 언더 코팅층을 형성하였다. 다음으로, 실리콘을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 SiO2를 50nm로 성막하여 제2 언더 코팅층을 형성한 후, ITO를 반응성 스퍼터링 방식으로 20nm로 성막하여 굴절률 1.95인 제1 투명 도전층을 형성하였다.
이후, 타면에 실리콘(Si)을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 SiO2를 15nm로 성막한 후, 니오븀(Nb)을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 NbO2를 10nm로 성막하여 굴절률 1.43과 1.9인 2층 구조의 제3 언더 코팅층을 형성하였다. 다음으로, 실리콘(Si)을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 SiO2를 50nm로 성막하여 제4 언더 코팅층을 형성한 후, ITO를 반응성 스퍼터링 방식으로 20nm로 성막하여 굴절률 1.95인 제2 투명 도전층을 형성하였다.
실시예 2
SiO2를 20nm로 성막하고, NbO2를 12nm로 성막하여 굴절률 1.43과 1.86인 2층 구조의 제1 언더 코팅층을 형성하고, SiO2를 20nm로 성막하고, NbO2를 12nm로 성막하여 1.43과 1.86인 2층 구조의 제3 언더 코팅층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 양면 투명 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 3
SION을 15nm로 성막하고, NbO2를 10nm로 성막하여 굴절률 1.41과 1.86인 2층 구조의 제1 언더 코팅층을 형성하고, SiON을 15nm로 성막하고, NbO2를 10nm로 성막하여 굴절률 1.41과 1.86인 2층 구조의 제3 언더 코팅층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 양면 투명 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 4
SiO2를 5nm로 성막하고, NbO2를 20nm로 성막하여 굴절률 1.38과 1.76인 2층 구조의 제1 언더 코팅층을 형성하고, SiO2를 5nm로 성막하고, NbO2를 20nm로 성막하여 굴절률 1.38과 1.76인 2층 구조의 제3 언더 코팅층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 양면 투명 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 1
제2 및 제4 언더 코팅층을 형성하는 공정을 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 양면 투명 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 2
125㎛ 두께의 PET 필름 일면에 아크릴계 하드 코팅액을 5㎛의 두께로 각각 도포하고 경화하여 하드 코팅층을 형성한 후, 상기 하드 코팅층 상부에 실리콘(Si)을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 SiO2를 15nm로 성막한 후, 니오븀(Nb)을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 NbO2를 10nm로 성막하여 굴절률 1.43과 1.9인 2층 구조의 제1 언더 코팅층을 형성하였다. 다음으로, 실리콘을 타겟으로 이용한 반응성 스퍼터링 방식으로 SiO2를 50nm로 성막하여 제2 언더 코팅층을 상기 제1 언더 코팅층 상부에 형성한 후, 상기 제2 언더 코팅층 상부에 ITO를 반응성 스퍼터링 방식으로 20nm로 성막하여 굴절률 1.95인 투명 도전층을 형성하였다. 다음으로, 두께 50 um인 투명 점착제(OCA)를 사용하여 동일한 두 투명 도전성 필름을 적층시킨다. 적층시킨 구조에서 투명 도전성 층이 서로 반대편에 위치하도록 한다.
2. 물성 평가
표 1은 실시예 1 ~ 3 및 비교예 1 에 따른 필름들에 대한 광학적 물성 평가 결과와 두께를 나타낸 것이다.
(1) 투과율 및 색상 : ASTM D1003 방법에 의거하여 Spectrophotometer로 측정하여 D65 광원 기준의 투과율과 b* 수치를 얻었다.
(2) 시인성 : 양쪽의 투명 도전층을 일부 식각하여 패턴을 형성하고 육안으로 관찰하여, 패턴 시인성을 평가하였다.
O : 투명 도전층 패턴이 관찰되지 않음
△ : 투명 도전층 패턴이 약간 관찰됨
X : 투명 도전층 패턴이 뚜렷이 관찰됨
(3) 두께: 디지털 두께 게이지를 이용하여 각 투명 도전성 필름 혹은 적층 구조의 측정하였다.
표 1
구분 투과율(%) b* 시인성 평가 두께(um)
실시예1 91.2 1.0 ○ 130
실시예2 89.9 0.7 ○ 130
실시예3 89.9 1.1 ○ 130
실시예4 88.7 1.7 △ 130
비교예1 88.2 2.2 × 130
비교예 2 91.1 0.9 ○ 310
표 1을 참조하면, 실시예 1 ~ 4에서 모두 우수한 광학적 물성을 얻을 수 있고, 특히, 실시예 1 ~ 3에 따른 필름들의 경우, 목표값에 해당하는 투과율 : 89 % 이상 및 색상 b* 1.5 미만으로 우수한 광학적 물성을 갖는 것을 확인할 수 있었으며, 이는 비교예 2의 싱글 타입의 투명 전도성 필름 수준의 광학적 물성을 얻을 수 있음을 의미한다. 또한, 실시예 1 ~ 3에 따른 필름들의 경우 시인성 평가 결과에서 알 수 있듯이 육안으로 패턴이 전혀 확인되지 않았다.
반면, 비교예 1에 따른 필름의 경우, 투과율 및 색상 수치가 모두 불만족스러운 결과를 나타냄을 알 수 있다. 또한, 비교예 1 에 따른 필름의 경우 시인성 평가 결과에서 알 수 있듯이 패턴이 육안으로 확인되는 수준으로 패턴 시인성이 좋지 못했고, 비교예 2에 따른 필름의 경우 실시예와 동등한 수준의 광학 특성을 가지더라도 싱글 타입 투명 전도성 필름 두 장을 적층한 결과로 두께가 310 um에 달했다. 위의 실험 결과를 토대로, 실시예 1 ~ 4에 따른 필름들은 양면 코팅 타입의 투명 전도성 필름이면서도 광학성 물성이 우수하고, 얇은 두께를 유지할 수 있음을 확인하였다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 이하에 기재되는 특허청구범위에 의해서 판단되어야 할 것이다.
[부호의 설명]
100 : 양면 투명 전도성 필름
110 : 투명 기재층
120, 122 : 제1 및 제2 하드 코팅층
130, 140 : 제1 및 제2 언더 코팅층
132, 142 : 제3 및 제4 언더 코팅층
150, 152 : 제1 및 제2 투명 도전층
S210 : 제1 및 제2 하드 코팅층 형성 단계
S220 : 제1 및 제2 언더 코팅층 형성 단계
S230 : 제1 투명 도전층 형성 단계
S240 : 제3 및 제4 언더 코팅층 형성 단계
S250 : 제2 투명 도전층 형성 단계

Claims (12)

  1. 투명 기재층;
    상기 투명 기재층의 양면에 각각 형성된 제1 및 제2 하드 코팅층;
    상기 제1 하드 코팅층 상에 차례로 적층 형성된 제1 및 제2 언더 코팅층;
    상기 제2 하드 코팅층 상에 차례로 적층 형성된 제3 및 제4 언더 코팅층; 및
    상기 제2 및 제4 언더 코팅층 상에 각각 형성된 제1 및 제2 투명 도전층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 기재층은
    PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone), PC(Poly carbonate), PP(poly propylene) 및 노보르넨계 수지 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 하드 코팅층은
    아크릴계, 우레탄계, 에폭시계 및 실록산계 폴리머 재질 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 언더 코팅층 각각은
    1.40 ~ 1.45의 굴절율을 갖는 제1층과, 상기 제1층 상에 1.8 ~ 2.0의 굴절율을 갖는 제2층을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 및 제4 언더 코팅층 각각은
    1.40 ~ 1.45의 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 언더 코팅층 각각의 상기 제1층과 제2층의 합산 두께는 20 ~ 100nm인 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 언더 코팅층 각각은
    상기 제1층이 SiOx 또는 SiON으로 형성되고,
    상기 제2층이 NbOx, SiOx 및 SiON 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제2 및 제4 언더 코팅층 각각은
    SiOx 또는 SiON으로 형성된 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 투명 도전층 각각은
    인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO) 및 FTO(fluorine doped tin oxide, SnO2 : F) 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름.
  10. (a) 투명 기재층의 양면에 제1 및 제2 하드 코팅층을 각각 형성하는 단계;
    (b) 상기 제1 하드 코팅층 상에 제1 및 제2 언더 코팅층을 차례로 형성하는 단계;
    (c) 상기 제2 언더 코팅층 상에 제1 투명 도전성 물질을 스퍼터링으로 증착하여 제1 투명 도전층을 형성하는 단계;
    (d) 상기 제2 하드 코팅층 상에 제3 및 제4 언더 코팅층을 차례로 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 제4 언더 코팅층 상에 제2 투명 도전성 물질을 스퍼터링으로 증착하여 제2 투명 도전층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서,
    상기 제1 및 제2 언더 코팅층은 습식 코팅 방식 또는 스퍼터링 증착 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 (d) 단계에서,
    상기 제3 및 제4 언더 코팅층은 스퍼터링 증착 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 투명 전도성 필름 제조 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150016748A (ko) * 2013-08-05 2015-02-13 (주)엘지하우시스 투명 도전성 필름 및 이의 제조방법
CN105446511B (zh) * 2014-07-24 2019-03-05 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控显示设备
CN104240800A (zh) * 2014-09-30 2014-12-24 南京汇金锦元光电材料有限公司 玻璃强化柔性透明导电薄膜及触摸屏
KR20180044618A (ko) 2016-10-24 2018-05-03 현대자동차주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
GB2565041B (en) * 2017-06-19 2021-12-29 Liddle Richard Transparent structure with electrically conductive elements
KR102186514B1 (ko) * 2019-06-04 2020-12-03 에스제이나노텍 주식회사 비전도성 저반사 판

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004902A (ja) * 2001-06-14 2003-01-08 Applied Vacuum Coating Technologies Co Ltd 最外層が透明導電膜である抗反射導電多層薄膜
KR100961253B1 (ko) * 2008-12-16 2010-06-03 강석주 투명성이 향상된 도전성 필름 및 이를 이용한 터치패널
JP2011065937A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性薄膜及びその製造方法
KR20110089491A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 (주)리지스 터치패널의 적층 구조
KR20110120120A (ko) * 2010-04-28 2011-11-03 강석주 양면 투명도전 필름기재의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2509215B2 (ja) * 1987-04-24 1996-06-19 ホ−ヤ株式会社 反射防止能を有する透明導電性フイルム
US6686031B2 (en) * 2000-02-23 2004-02-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Hard coat film and display device having same
JP2003215309A (ja) * 2001-04-17 2003-07-30 Sony Corp 反射防止フィルム及び反射防止層付きプラスチック基板
CN1389346A (zh) * 2001-06-04 2003-01-08 冠华科技股份有限公司 抗反射光学多层薄膜
JP2003080624A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Nof Corp 透明導電材料およびタッチパネル
JP5099893B2 (ja) * 2007-10-22 2012-12-19 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
JP5160325B2 (ja) * 2008-07-16 2013-03-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
CN101465172A (zh) * 2008-12-31 2009-06-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 复合结构透明导电膜及其制备方法
JP5413304B2 (ja) * 2010-05-20 2014-02-12 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するための積層体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004902A (ja) * 2001-06-14 2003-01-08 Applied Vacuum Coating Technologies Co Ltd 最外層が透明導電膜である抗反射導電多層薄膜
KR100961253B1 (ko) * 2008-12-16 2010-06-03 강석주 투명성이 향상된 도전성 필름 및 이를 이용한 터치패널
JP2011065937A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性薄膜及びその製造方法
KR20110089491A (ko) * 2010-02-01 2011-08-09 (주)리지스 터치패널의 적층 구조
KR20110120120A (ko) * 2010-04-28 2011-11-03 강석주 양면 투명도전 필름기재의 제조방법

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