WO2013080721A1 - アニール処理方法およびアニール処理装置 - Google Patents

アニール処理方法およびアニール処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013080721A1
WO2013080721A1 PCT/JP2012/077841 JP2012077841W WO2013080721A1 WO 2013080721 A1 WO2013080721 A1 WO 2013080721A1 JP 2012077841 W JP2012077841 W JP 2012077841W WO 2013080721 A1 WO2013080721 A1 WO 2013080721A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin film
annealing
crystalline resin
transport
temperature
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/077841
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
石井　敦
収一 岩永
義成 康井
隆司 岩崎
Original Assignee
株式会社康井精機
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社康井精機 filed Critical 株式会社康井精機
Publication of WO2013080721A1 publication Critical patent/WO2013080721A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
    • B29C71/02—Thermal after-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
    • B29C71/02—Thermal after-treatment
    • B29C2071/022—Annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to an annealing method and an annealing apparatus, and more particularly to an annealing method and an annealing apparatus suitable for annealing a crystalline resin film.
  • a crystalline resin film is characterized by, for example, a molecular chain regularly arranged, a glass transition temperature and a melting point, and being hard and excellent in rigidity as compared with an amorphous resin film.
  • Crystalline resin films having such characteristics include, for example, film materials for sealing power generation elements of solar cells, liquid crystal panel back films, electronic material films, window glass films, general consumer films, and the like. Widely used in industrial fields.
  • the resin film is conveyed in the resin flow direction (MD) by a conveyance conveyor having a plurality of rollers arranged in parallel in the horizontal direction, and is heated by the heating means to be above the softening point of the resin and annealed.
  • MD resin flow direction
  • the conventional annealing process has the following disadvantages.
  • the resin film is placed on a roller and transported horizontally, and does not positively apply a developing tension or bending stress to the resin film, so there is less irritation to resin crystallization. The distortion cannot be removed efficiently.
  • the present invention has been made in view of these points, and an annealing method and an annealing process capable of performing an annealing process capable of efficiently crystallizing a crystalline resin film and efficiently removing strain.
  • An object is to provide an apparatus.
  • the present inventors have conducted intensive research and found that the strain can be efficiently removed by applying an annealing treatment to the crystalline resin film while stimulating the crystallization of the resin, thereby completing the present invention. I let you.
  • Examples of stimulation for crystallization of the resin include providing a temperature difference in the transport direction while transporting the crystalline resin film in the vertical direction, and applying internal stress to the crystalline resin film.
  • the annealing method of the first aspect of the present invention is the annealing method in which the crystalline resin film is annealed by heating to a temperature not lower than the softening point and not higher than the melting point.
  • the resin film is transported with the resin flow direction directed in the vertical direction, and heated with a temperature difference in the transport direction.
  • the annealing method of the second aspect of the present invention is characterized in that the transport direction of the crystalline resin film is changed at least once in the vertical direction upward and downward.
  • the annealing treatment method of the third aspect of the present invention is characterized in that a bending stress is applied to the crystalline resin film while applying a tensile force in the transport direction.
  • the annealing method of the fourth aspect of the present invention is characterized in that the crystalline resin film is heated from one surface side in the thickness direction.
  • the annealing apparatus includes an annealing chamber in which a crystalline resin film is heated to a temperature not lower than a softening point and not higher than a melting point, and annealing is performed. It comprises transport means for transporting the resin film with the resin flow direction in the vertical direction, and heating means for heating the crystalline resin film with a temperature difference in the transport direction.
  • the annealing apparatus of the second aspect of the present invention is characterized in that the transport means includes a transport path that changes the transport direction of the crystalline resin film at least once in the vertical direction upward and downward.
  • the annealing treatment apparatus is such that the transport means imparts bending stress and imparts bending stress to the crystalline resin film transported in the vertical direction in the transport direction. It is provided with a roll.
  • the annealing apparatus of the fourth aspect of the present invention is characterized in that the heating means is formed so as to heat the crystalline resin film from one surface side in the thickness direction. .
  • the crystalline resin film is subjected to annealing treatment while stimulating the crystallization of the resin.
  • the strain can be efficiently removed by crystallization appropriately.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of an annealing apparatus according to the present invention.
  • the longitudinal cross-sectional view which shows other embodiment of the annealing treatment apparatus which concerns on this invention
  • FIG. 1 shows an embodiment of an annealing apparatus of the present invention.
  • the annealing apparatus 1 includes an annealing chamber 3 in which the crystalline resin film 2 is heated to a temperature not lower than the softening point and not higher than the melting point to perform the annealing process.
  • the annealing chamber 3 is provided with an opening 4 through which the crystalline resin film 2 enters and exits.
  • a conveying means 5 is provided at the central portion in the annealing treatment chamber 3 to convey the crystalline resin film 2 with the resin flow direction in the vertical direction.
  • the conveying means 5 is formed by arranging two sets of conveying rolls 6 that are rotatable around a horizontal axis in parallel in the vertical direction and two sets in parallel in the left-right direction. In this embodiment, in FIG.
  • the crystalline resin film 2 enters the opening 4 from the lower right side, and then is hung upward in the vertical direction from the lower right conveying roll 6 to the upper right conveying roll 6.
  • the transfer roll 6 is moved to the upper left transfer roll 6, and then is hung downward in the vertical direction from the upper left transfer roll 6 to the lower left transfer roll 6, and finally transferred so as to exit the opening 4 from the lower left side. Is done.
  • the transport means 5 of the present embodiment includes a transport path 7 that changes the transport direction of the crystalline resin film 2 at least once in the vertical direction upward and downward.
  • An upper heater 8 and a lower heater 9 are used as heating means for heating the crystalline resin film 2 with a temperature difference in the conveying direction between the two right and left conveying rolls 6 and the side wall of the annealing chamber 3. And are installed respectively.
  • the lower heater 9 sends hot air having a temperature T1 higher than the softening point of the crystalline resin film 2 by a predetermined temperature toward the crystalline resin film 2, and the upper heater 8 has a predetermined temperature higher than the warm air temperature T1 of the lower heater 9. (For example, about 20 degreeC) It forms so that the warm air of high temperature T2 may be sent out toward the crystalline resin film 2.
  • Hot air is supplied to each heater 8, 9 from a hot air source (not shown), and the heaters 8 and 9 are formed to heat only from one surface side in the thickness direction of the crystalline resin film 2.
  • a temperature sensor (not shown) may be installed at a necessary location in the annealing chamber 3.
  • crystalline resin film 2 a known crystalline resin film 2 can be used.
  • PA, POM, PET, PBT, PPS, PEEK, PTFE or the like may be used according to the purpose.
  • warm air having a temperature T1 higher than the softening point of the crystalline resin film 2 by a predetermined temperature is sent from the lower heater 9 toward the crystalline resin film 2, and the warm air temperature T1 of the lower heater 9 is sent from the upper heater 8.
  • a warm air having a temperature T2 higher by a predetermined temperature is sent toward the crystalline resin film 2.
  • the crystalline resin film 2 is conveyed in the vertical direction without meandering even if there is uneven thickness in the width direction of the crystalline resin film 2 because the resin flow direction is conveyed in the vertical direction. This improves the efficiency of the annealing process.
  • the crystalline resin film 2 is transported when being transported in the transport path 7 in the vertical direction. Heating is performed with a temperature difference in the direction, and the crystallization proceeds appropriately under strong stimulation for crystallization. Furthermore, since both the heaters 8 and 9 heat the crystal resin film 2 only from one side in the thickness direction, the crystal resin film 2 is crystallized by being heated from one direction also in the thickness direction. In response to strong stimulation, crystallization proceeds properly.
  • the crystalline resin film 2 is subjected to a bending stress as it travels while winding the transport roll 6 while receiving a developing tension due to its own weight and a developing tension due to the transport force by transporting the transport path 7 in the vertical direction.
  • the length in the vertical direction of the transport path 7 is preferably set to a length sufficient for the tensile tension due to its own weight to act on the crystalline resin film 2.
  • the crystalline resin film 2 is changed at least once in the vertical direction upward and downward by two sets of six left and right conveyance rolls 6, and thus strong in crystallization. In response to stimulation, crystallization proceeds appropriately.
  • the crystalline resin film 2 can be annealed while stimulating the resin crystallization, and strain can be efficiently removed.
  • the degree of distortion of the crystalline resin film 2 in the flow direction (MD) and the width direction (TD) of the resin is the same, the flatness accuracy of the crystalline resin film is extremely improved, and in various industrial fields. It can be used satisfactorily.
  • two heaters (not shown) corresponding to both heaters 8 and 9 are shown in FIG. It may also be installed inside the resin film 2 and heated from both sides of the crystalline resin film 2.
  • FIG. 2 shows another embodiment of the annealing apparatus of the present invention.
  • the annealing apparatus 1a of the present embodiment effectively corrects meandering in the transport direction caused by uneven thickness in the width direction of the crystalline resin film 2 during transport of the crystalline resin film 2 transported in the vertical direction.
  • one further conveying roll 6 is added to the intermediate position in the height direction of the conveying rolls 6 at the upper and lower ends.
  • the conveyance direction of the crystalline resin film 2 with respect to the conveyance roll 6 provided in the intermediate position may be a chain line path in FIG.
  • the other configuration is the same as that of the embodiment of FIG.
  • the width of the crystalline resin film 2 in the transport path 7 of the crystalline resin film 2 is the same as that of the above-described embodiment, and the transport roll 6 is added to the intermediate position in the height direction.
  • the meandering can be surely prevented, and the flow of the resin to the crystalline resin film 2 that is transported by winding the transport roll 6.
  • the direction (MD) extension tension and bending stress can be added and loaded.
  • the crystalline resin film 2 can be further stimulated with respect to the crystallization of the resin, can be subjected to a more efficient annealing treatment, and the distortion can be removed extremely well.
  • a material PET, a thickness: 50 ⁇ m, and a width: 1300 mm were annealed under the following processing conditions using the embodiment of FIG.
  • Lower heater 9 temperature T1 180 ° C.
  • Upper heater 8 temperature T2 200 ° C.
  • the length of the conveyance path 7 may be set by adjusting the number of the annealing apparatuses 1 shown in FIG. 1 connected in series.
  • the heat shrinkage rate of the crystalline resin film 2 is based on JIS C-2318
  • the heat heat shrinkage rate in the MD direction is 0.13% in a state of 150 ° C. ⁇ 30 minutes
  • the heat heat shrinkage rate in the TD direction. 0.01% and it was found that an excellent annealing treatment was performed. More specifically, the difference between the heat shrinkage rate in the MD direction and the heat shrinkage rate in the TD direction before the annealing treatment of the crystalline resin film 2 is in the range of 0.5% is based on the present invention.
  • the crystalline resin film 2 after the annealing treatment was It can be seen that the flatness is kept extremely high and the distortion is kept very low even after various processing. Therefore, it was found that the obtained crystalline resin film 2 has very high flatness and distortion resistance.
  • this invention is not limited to the said embodiment and an Example, It can change as needed.
  • the present invention can be satisfactorily applied to a film in which a coating agent is previously coated and dried on one or both surfaces of the crystalline resin film. Can do.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

結晶性樹脂フィルムに対して適正に結晶化させて効率よく歪を除去することのできるアニール処理を施すことができるアニール処理方法およびアニール処理装置を提供することを課題とする。 結晶性樹脂フィルム２を軟化点以上かつ融点以下の温度に加温してアニール処理を施すアニール処理方法において、結晶性樹脂フィルム２を樹脂の流れ方向を鉛直方向に向けて搬送するとともに、搬送方向に温度差をもって加温することを特徴とする。

Description

アニール処理方法およびアニール処理装置
　本発明は、アニール処理方法およびアニール処理装置に係り、特に結晶性樹脂フィルムのアニール処理に好適なアニール処理方法およびアニール処理装置に関する。
　一般に、結晶性樹脂フィルムは非晶性樹脂フィルムに比較して、例えば分子鎖が規則正しく配列しており、ガラス転移温度および融点が存在し、硬く剛性が優れている等の特徴がある。このような特徴を備えた結晶性樹脂フィルムは、例えば、太陽電池の発電素子を封止するフィルム材、液晶パネルのバックフィルム、電子材料フィルム、窓ガラス用フィルム、一般の民生用フィルム等の各種の産業分野に広く利用されている。
　また、結晶性樹脂フィルムにおいては、インフレーション成形やＴダイ成形によって成形された後に固化しても、成形時の応力により歪が残るので、この歪を除去する必要がある。
　そこで、従来においては、前記太陽電池の封止用の樹脂フィルムに対してアニール処理を施して歪を除去することが提案されている（特許文献１、図１参照）。
　この特許文献１においては、水平方向に並列された複数のローラを有する搬送コンベアによって樹脂フィルムを樹脂の流れ方向（ＭＤ）に搬送しながら加温手段によって樹脂の軟化点以上に加温してアニール処理を行っていた。
特開２０００－０８４９９６号公報
　しかしながら、前記従来のアニール処理には次のような不都合があった。
　第１に、樹脂フィルムをローラの上に載せて水平に搬送するものであるために、樹脂フィルムの樹脂の幅方向（ＴＤ）に偏肉が存在すると、樹脂フィルムが蛇行して搬送されてしまうために、樹脂が結晶化しても歪の除去を効率的に行うことができない。
　第２に、樹脂フィルムをローラの上に載せて水平に搬送するものであり、樹脂フィルムに対して積極的に展張力や曲げ応力を付与するものではないので、樹脂の結晶化に対する刺激が少なく、歪の除去を効率的に行うことができない。
　第３に、樹脂フィルムをその搬送方向の全体に亘って均一の温度をもって樹脂の軟化点以上に加温するものであるために、樹脂の結晶化に対する刺激が少なく、歪の除去を効率的に行うことができない。
　第４に、樹脂フィルムの樹脂の流れ方向（ＭＤ）および幅方向（ＴＤ）の歪み度合い（加熱熱収縮率）が相違するために、樹脂フィルムの平面性の精度が悪く、各種の産業分野において良好に用いることができない。
　本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、結晶性樹脂フィルムに対して適正に結晶化させて効率よく歪を除去することのできるアニール処理を施すことができるアニール処理方法およびアニール処理装置を提供することを目的とする。
　本発明者等は鋭意研究し、結晶性樹脂フィルムに対して樹脂の結晶化に対して刺激を付与しながらアニール処理を施すことにより効率的に歪を除去することを発見して本発明を完成させた。前記樹脂の結晶化に対する刺激としては、結晶性樹脂フィルムを鉛直方向に搬送させながら搬送方向に温度差を設けたり、結晶性樹脂フィルムに内部応力を付与することが挙げられる。
　前述した目的を達成するため本発明の第１の態様のアニール処理方法は、結晶性樹脂フィルムを軟化点以上かつ融点以下の温度に加温してアニール処理を施すアニール処理方法において、前記結晶性樹脂フィルムを樹脂の流れ方向を鉛直方向に向けて搬送するとともに、搬送方向に温度差をもって加温することを特徴とする。
　また、本発明の第２の態様のアニール処理方法は、前記結晶性樹脂フィルムの搬送方向を鉛直方向の上向きおよび下向きに少なくとも１回変更させることを特徴とする。
　また、本発明の第３の態様のアニール処理方法は、前記結晶性樹脂フィルムに対して、搬送方向に展張力を付与するとともに曲げ応力を付与することを特徴とする。
　また、本発明の第４の態様のアニール処理方法は、結晶性樹脂フィルムに対して、厚さ方向の一面側から加温することを特徴とする。
　また、本発明の第１の態様のアニール処理装置は、結晶性樹脂フィルムを軟化点以上かつ融点以下の温度に加温してアニール処理を施すアニール処理室と、前記アニール処理室内において前記結晶性樹脂フィルムを樹脂の流れ方向を鉛直方向に向けて搬送する搬送手段と、前記結晶性樹脂フィルムをその搬送方向に温度差をもって加温する加温手段とを有することを特徴とする。
　また、本発明の第２の態様のアニール処理装置は、前記搬送手段が、前記結晶性樹脂フィルムの搬送方向を鉛直方向の上向きおよび下向きに少なくとも１回変更させる搬送路を備えていることを特徴とする。
　また、本発明の第３の態様のアニール処理装置は、前記搬送手段が、鉛直方向に搬送される前記結晶性樹脂フィルムに対して、搬送方向に展張力を付与するとともに曲げ応力を付与する搬送ロールを備えていることを特徴とする。
また、本発明の第４の態様のアニール処理装置は、前記加温手段が前記結晶性樹脂フィルムに対して、厚さ方向の一面側から加温するように形成されていることを特徴とする。
　本発明のアニール処理方法に従って本発明のアニール処理装置を運転することにより、結晶性樹脂フィルムに対して樹脂の結晶化に対して刺激を付与しながらアニール処理を施すこととなり、結晶性樹脂フィルムに対して適正に結晶化させて効率よく歪を除去することができるという優れた効果を奏する。
本発明に係るアニール処理装置の一実施形態を示す縦断面図 本発明に係るアニール処理装置の他の実施形態を示す縦断面図
　以下、図１および図２を用いて本発明のアニール処理装置の実施形態について説明する。
　図１は本発明のアニール処理装置の１実施形態を示す。
　本実施形態のアニール処理装置１は、図１に示すように、結晶性樹脂フィルム２を軟化点以上かつ融点以下の温度に加温してアニール処理を施すアニール処理室３を備えている。このアニール処理室３は下方に結晶性樹脂フィルム２を出入させる開口４が設けられている。また、アニール処理室３内の中央部分には、結晶性樹脂フィルム２を樹脂の流れ方向を鉛直方向に向けて搬送する搬送手段５を設けている。この搬送手段５は、水平軸回りに回転自在な搬送ロール６を鉛直方向に２本を平行に配設した組を左右方向に２組平行に配設して形成されている。本実施形態においては、図１において、結晶性樹脂フィルム２は開口４を右下側から入り、続いて右下の搬送ロール６から右上の搬送ロール６まで鉛直方向の上向きに掛けまわされ、右上の搬送ロール６から左上の搬送ロール６に移り、続いて左上の搬送ロール６から左下の搬送ロール６まで鉛直方向の下向きに掛けまわされ、最後に左下側から開口４を出て行くように搬送される。本実施形態の搬送手段５においては、結晶性樹脂フィルム２の搬送方向を鉛直方向の上向きおよび下向きに少なくとも１回変更させる搬送路７を備えていることとなる。左右の各２本の搬送ロール６とアニール処理室３の側壁との間には、結晶性樹脂フィルム２をその搬送方向に温度差をもって加温する加温手段としての上部ヒータ８および下部ヒータ９とがそれぞれ設置されている。下部ヒータ９は結晶性樹脂フィルム２の軟化点より所定温度だけ高い温度Ｔ１の温風を結晶性樹脂フィルム２に向けて送出し、上部ヒータ８は下部ヒータ９の温風の温度Ｔ１より所定温度（例えば、２０℃程度）高い温度Ｔ２の温風を結晶性樹脂フィルム２に向けて送出するように形成されている。各ヒータ８、９には図示しない温風源より温風が供給されるようになっているとともに、結晶性樹脂フィルム２の厚さ方向の一面側のみから加温するように形成されている。また、温度管理するために、アニール処理室３内の必要個所に図示しない温度センサを設置するとよい。
　次に、本実施形態のアニール処理装置１を用いて本発明のアニール処理方法を施す場合を説明する。
　＜準備工程＞
　最初に成形されて固化している結晶性樹脂フィルム２をアニール処理装置１のアニール処理室３内に図１に示すように掛けまわす。
　この結晶性樹脂フィルム２としては、公知の結晶性樹脂フィルム２を用いることができる。例えば、ＰＡ、ＰＯＭ、ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＰＳ、ＰＥＥＫ、ＰＴＦＥ等を目的に応じて用いるとよい。
　次に、下部ヒータ９から結晶性樹脂フィルム２の軟化点より所定温度だけ高い温度Ｔ１の温風を結晶性樹脂フィルム２に向けて送出させ、上部ヒータ８から下部ヒータ９の温風の温度Ｔ１より所定温度（例えば、２０℃程度）高い温度Ｔ２の温風を結晶性樹脂フィルム２に向けて送出させる。
　＜アニール処理工程＞
　次に、結晶性樹脂フィルム２を所定速度で搬送路７に沿って搬送させる。
　これにより結晶性樹脂フィルム２は樹脂の流れ方向を鉛直方向に向けて搬送されるので、結晶性樹脂フィルム２の幅方向に偏肉が存在しても蛇行することなく鉛直方向に搬送される。これによりアニール処理の効率が向上する。
　更に、上部ヒータ８から送風される温風の温度Ｔ２が下部ヒータ９から送風される温風の温度Ｔ１より高いので、結晶性樹脂フィルム２は搬送路７を鉛直方向に搬送される際に搬送方向に温度差をもって加温されることとなり、結晶化する強い刺激を受けて、結晶化が適正に進行される。更に、両ヒータ８、９によって結晶性樹脂フィルム２の厚さ方向の一面側のみから加温するので、結晶性樹脂フィルム２はその厚さ方向においても一方向からの加温を受けて結晶化する強い刺激を受けて、結晶化が適正に進行される。
　更に、結晶性樹脂フィルム２は、搬送路７を鉛直方向に搬送させることにより自重による展張力と搬送力による展張力を受けるとともに、搬送ロール６を巻回しつつ進行する際に曲げ応力を受けることとなり、結晶化する強い刺激を受けて、結晶化が適正に進行される。ここで、搬送路７の鉛直方向の長さは、結晶性樹脂フィルム２に対して自重による展張力が作用するために十分な長さとするとよい。
　更に、本実施形態においては、左右の各６本の搬送ロール６の２組により、結晶性樹脂フィルム２が搬送方向を鉛直方向の上向きおよび下向きに少なくとも１回変更させられので、結晶化する強い刺激を受けて、結晶化が適正に進行される。
　このように本実施形態においては、結晶性樹脂フィルム２に対して樹脂の結晶化に対して刺激を付与しながらアニール処理を施すことができ、効率的に歪を除去することができる。特に、結晶性樹脂フィルム２の樹脂の流れ方向（ＭＤ）および幅方向（ＴＤ）の歪み度合いが同一となるために、結晶性樹脂フィルムの平面性の精度が極めて良くなり、各種の産業分野において良好に用いることができる。
　また、結晶性樹脂フィルム２の厚さ、搬送速度、温度上昇速度等との関係により、必要に応じて、両ヒータ８、９に相当する２つのヒータ（図示せず）を図１において結晶性樹脂フィルム２の内側にも設置して結晶性樹脂フィルム２の両面側から加温するようにしてもよい。
　図２は本発明のアニール処理装置の他の実施形態を示す。
　本実施形態のアニール処理装置１ａは、鉛直方向に搬送される結晶性樹脂フィルム２の搬送時における結晶性樹脂フィルム２の幅方向の偏肉が原因とされる搬送方向の蛇行を有効に補正して蛇行を確実に抑えるために、上下端の搬送ロール６の高さ方向の中間位置に更に１本の搬送ロール６を追加したものである。中間位置に設けた搬送ロール６に対する結晶性樹脂フィルム２の搬送方向は、図２の鎖線の経路としてもよい。その他の構成は図１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
　本実施形態によれば、前記実施形態の作用と同様に作用するとともに、高さ方向の中間位置に追加した搬送ロール６によって、結晶性樹脂フィルム２の搬送路７における結晶性樹脂フィルム２の幅方向の偏肉が原因とされる搬送方向の蛇行を有効に補正して蛇行を確実に防止することができ、更に当該搬送ロール６を巻回して搬送される結晶性樹脂フィルム２に樹脂の流れ方向（ＭＤ）の展張力と曲げ応力とを追加して負荷することができる。これにより結晶性樹脂フィルム２に対して更に樹脂の結晶化に対する刺激を付与することができ、より一層効率的なアニール処理を施すことができ、極めて良好に歪を除去することができる。
　結晶性樹脂フィルム２として、材質：ＰＥＴ、厚さ：５０μｍ、幅：１３００ｍｍに対して、図１の実施形態を用いて次の処理条件でアニール処理を施した。
　下部ヒータ９の温度Ｔ１：１８０℃
　上部ヒータ８の温度Ｔ２：２００℃
　フィルムの搬送速度：８０ｍ／分
　搬送路７の長さ：３５ｍ
　　搬送路７の長さは、図１に示すアニール処理装置１を直列接続する個数を調整して設定するとよい。
　これにより、結晶性樹脂フィルム２の加熱熱収縮率は、ＪＩＳ　Ｃ－２３１８に基づき、１５０℃×３０分の状態でＭＤ方向の加熱熱収縮率＝０．１３％、ＴＤ方向の加熱熱収縮率＝０．０１％となり、非常に優れたアニール処理が施されたことがわかった。更に説明すると、結晶性樹脂フィルム２のアニール処理を施す前のＭＤ方向の加熱熱収縮率とＴＤ方向の加熱熱収縮率との差が０．５％台であったものが、本発明に基づくアニール処理を施すことによりＭＤ方向の加熱熱収縮率とＴＤ方向の加熱熱収縮率との差が０．１％近傍に低減させられたので、当該アニール処理後の結晶性樹脂フィルム２は、その後に各種の加工を受けてもその平面性が極めて高く維持され、歪み性も極めて低く維持されことがわかる。従って、得られた結晶樹脂フィルム２の平面性および耐歪み性が非常に高いものであることがわかった。
　なお、本発明は前記実施形態、実施例に限定されるものではなく、必要に応じて変更することができるものである。
　例えば、アニール処理の対象となる結晶性樹脂フィルムとしては、結晶性樹脂フィルムの表面の一面若しくは両面に塗工剤を予めコーティングして乾燥させたものに対しても本発明を良好に適用することができる。
　１、１ａ　アニール処理装置
　２　結晶性樹脂フィルム
　３　アニール処理室
　５　搬送手段
　６　搬送ロール
　７　搬送路
　８　上部ヒータ
　９　下部ヒータ

Claims (8)

  1. 　結晶性樹脂フィルムを軟化点以上かつ融点以下の温度に加温してアニール処理を施すアニール処理方法において、
    　前記結晶性樹脂フィルムを樹脂の流れ方向を鉛直方向に向けて搬送するとともに、搬送方向に温度差をもって加温する
    　ことを特徴とするアニール処理方法。
  2. 　前記結晶性樹脂フィルムの搬送方向を鉛直方向の上向きおよび下向きに少なくとも１回変更させることを特徴とする請求項１に記載のアニール処理方法。
  3. 　前記結晶性樹脂フィルムに対して、搬送方向に展張力を付与するとともに曲げ応力を付与することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアニール処理方法。
  4. 　前記結晶性樹脂フィルムに対して、厚さ方向の一面側から加温することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のアニール処理方法。
  5. 　結晶性樹脂フィルムを軟化点以上かつ融点以下の温度に加温してアニール処理を施すアニール処理室と、
    　前記アニール処理室内において前記結晶性樹脂フィルムを樹脂の流れ方向を鉛直方向に向けて搬送する搬送手段と、
    　前記結晶性樹脂フィルムをその搬送方向に温度差をもって加温する加温手段とを有する　ことを特徴とするアニール処理装置。
  6. 　前記搬送手段は、前記結晶性樹脂フィルムの搬送方向を鉛直方向の上向きおよび下向きに少なくとも１回変更させる搬送路を備えていることを特徴とする請求項５に記載のアニール処理装置。
  7. 　前記搬送手段は、鉛直方向に搬送される前記結晶性樹脂フィルムに対して、搬送方向に展張力を付与するとともに曲げ応力を付与する搬送ロールを備えていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のアニール処理装置。
  8. 　前記加温手段は、前記結晶性樹脂フィルムに対して、厚さ方向の一面側から加温するように形成されていることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載のアニール処理装置。
PCT/JP2012/077841 2011-12-01 2012-10-29 アニール処理方法およびアニール処理装置 WO2013080721A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011263533A JP5198649B1 (ja) 2011-12-01 2011-12-01 アニール処理方法およびアニール処理装置
JP2011-263533 2011-12-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013080721A1 true WO2013080721A1 (ja) 2013-06-06

Family

ID=48534039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/077841 WO2013080721A1 (ja) 2011-12-01 2012-10-29 アニール処理方法およびアニール処理装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5198649B1 (ja)
WO (1) WO2013080721A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01198638A (ja) * 1987-08-21 1989-08-10 Ube Ind Ltd ポリイミドフィルムの製造法
JPH06114848A (ja) * 1992-10-05 1994-04-26 Arumetsukusu:Kk フィルム材の連続乾燥装置
JPH08142182A (ja) * 1994-11-16 1996-06-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 二軸延伸フィルムの熱処理方法及びその装置
JP2001030362A (ja) * 1999-07-23 2001-02-06 Idemitsu Petrochem Co Ltd 結晶性熱可塑性樹脂シートの製造方法およびポリプロピレン樹脂シート
JP2009073109A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 延伸フィルムの製造方法
JP2010137517A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Bridgestone Corp ウレタンフォームの加熱方法および加熱炉
JP2010274430A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Systec Co Ltd 二軸延伸ポリエステルフィルムの熱処理方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01198638A (ja) * 1987-08-21 1989-08-10 Ube Ind Ltd ポリイミドフィルムの製造法
JPH06114848A (ja) * 1992-10-05 1994-04-26 Arumetsukusu:Kk フィルム材の連続乾燥装置
JPH08142182A (ja) * 1994-11-16 1996-06-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 二軸延伸フィルムの熱処理方法及びその装置
JP2001030362A (ja) * 1999-07-23 2001-02-06 Idemitsu Petrochem Co Ltd 結晶性熱可塑性樹脂シートの製造方法およびポリプロピレン樹脂シート
JP2009073109A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 延伸フィルムの製造方法
JP2010137517A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Bridgestone Corp ウレタンフォームの加熱方法および加熱炉
JP2010274430A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Systec Co Ltd 二軸延伸ポリエステルフィルムの熱処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013111970A (ja) 2013-06-10
JP5198649B1 (ja) 2013-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9276139B2 (en) Polyimide film production method, polyimide film production apparatus, and polyimide film
US20130047673A1 (en) Glass Tempering Method And Apparatus
JP2011194585A (ja) 機能性フィルムの製造方法
JP2012071502A (ja) 太陽電池封止材用エチレン−酢酸ビニル共重合体（ｅｖａ）シートの製造方法
JP2017081164A5 (ja)
TW201502178A (zh) 薄膜之製造方法及製造裝置
JP2009196356A (ja) ポリマフィルムの延伸方法
JP5198649B1 (ja) アニール処理方法およびアニール処理装置
JP2010089413A (ja) 長尺樹脂フィルムの処理方法と長尺樹脂フィルムの処理装置
CN115464864A (zh) 光学膜的制造方法
KR20130089650A (ko) 광기전성 고분자 밀봉 필름의 어닐링 방법 및 광기전 모듈의 제조 방법
KR20190020724A (ko) 막 형성장치 및 막 형성방법
US9841235B2 (en) Substrate treatment process
TWI474989B (zh) 玻璃的輻射處理
CN102839420A (zh) 结晶装置、结晶方法以及热处理系统
JP2015150688A (ja) 太陽電池用封止材シートの成形方法
JPS61233523A (ja) 二軸延伸ポリエステルフイルムの製造方法
JP6278241B2 (ja) 膜付きガラス基板の製造方法
TW201834985A (zh) 玻璃膜之製造方法
JPH08207153A (ja) 帯状物の平面性回復方法及びその装置
KR20110072500A (ko) 직하형 어닐링장치
JP2015206097A (ja) 脱ガス装置
JP4979104B2 (ja) ポリエチレンテレフタレートフィルムの製造方法
CN111201458B (zh) 光学层叠体的制造方法
KR20130107788A (ko) 감지전극필름 및 그 제조 방법 그리고 감지전극필름의 제조에 이용되는 어닐링 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12854326

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12854326

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1