JP6278241B2 - 膜付きガラス基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第一の実施形態に係る製造装置の概略側面図である。製造装置10は、矩形状のガラス基板G上に結晶性の膜を形成する装置である。これにより、図2に示すような、ガラス基板G及び膜Fを備える膜付きガラス基板Sを得ることができる。具体的には、製造装置10は、ガラス基板G上に非晶質層を形成する非晶質層形成工程と、加熱することにより非晶質層に結晶を析出させる加熱工程を行うことにより、ガラス基板Gに結晶性の膜Fを形成し、膜付きガラス基板Sを得るための装置である。製造装置10は、ガラス基板Gの片面(本実施形態では上面)に非晶質層を形成する非晶質層形成工程を行うための非晶質層形成部1と、ガラス基板Gを引張ることでガラス基板Gに張力を付与する張力付与部材2と、ガラス基板G及び張力付与部材2を搬送するコンベア3と、加熱工程を行うためのヒーター4を備える。
ガラス基板Gに張力を付与した状態でガラス基板Gの上面に非晶質層を形成することにより、ガラス基板G上に非晶質層を形成する際に熱が加えられたとしても、ガラス基板Gが反ることを抑制できる。
例えば、ガラス基板Gに導電機能を付与する場合、膜Fとして、スズドープ酸化インジウム、フッ素ドープ酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズなどの酸化物が挙げられる。
図3は、第二の実施形態に係る製造装置の概略側面図である。なお、第一の実施形態に係る製造装置10と共通する点については説明を省略する。
なお、接触時に帯状ガラスHが損傷することを抑制するため、加熱体14の表面は、突起部を有さないことが好ましい。
まず、帯状ガラスHを、帯状ガラス供給ロール11aに巻き付けるとともに、その一端を巻き取りロール11bに2〜3回転ほど巻き付ける。その際、図3に示すように、帯状ガラスHは、非晶質層形成部1の内部を経由し、かつ、加熱体14の上部に接触するように配置される。
例えば、帯状ガラスHとしては、長さ0.5〜10000m、幅5〜200cmの帯状の形状のガラスが挙げられる。帯状ガラスHは、帯状ガラス供給ロール11aに巻き取り可能な程度の可撓性を有する必要がある。可撓性を有する帯状ガラスHとしては、厚みが10〜500μmのガラスが挙げられる。帯状ガラスHは、巻き取り性を考慮に入れると、厚みが10〜250μmであることが好ましく、10〜100μmであることがより好ましい。
図4は、第三の実施形態に係る製造装置の概略側面図である。なお、第二の実施形態に係る製造装置20と共通する点については説明を省略する。
まず、帯状ガラスHを、帯状ガラス供給ロール11aに巻き付けるとともに、その一端を巻き取りロール11bに2〜3回転ほど巻き付ける。その際、図4に示すように、帯状ガラスHは、非晶質層形成部1の内部を経由し、かつ、加熱ローラー24a及び接圧ローラー24bの間を通過するように配置される。
第四の実施形態に係る製造装置は、第三の実施形態に係る製造装置30の第一ローラー及び第二ローラーを加熱体(加熱ローラー)とした構成を有する。すなわち、2つの加熱ローラーを具備する。そのため、帯状ガラスHの表裏両面を同時に加熱することができる。帯状ガラスHの両面から加熱されるため、帯状ガラスHの温度差による反りの発生が抑制される。また、2つの加熱ローラーは、帯状ガラスHの両面を押圧するため、反りの発生が確実に抑制される。
図5は、第五の実施形態に係る製造装置の概略側面図である。なお、第二の実施形態に係る製造装置20と共通する点については説明を省略する。
まず、帯状ガラスHを、帯状ガラス供給ロール11aに巻き付けるとともに、その一端を巻き取りロール11bに2〜3回転ほど巻き付ける。その際、図5に示すように、帯状ガラスHは、非晶質層形成部1の内部を経由し、かつ、加熱体34の上面に接するように配置される。
2 張力付与部材
4 ヒーター
14、24、34 加熱体
G ガラス基板
H 帯状ガラス
F 膜
S 膜付きガラス基板
T 帯状膜付きガラス
Claims (6)
- ガラス基板に結晶性の膜が形成された膜付きガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板に非晶質層を形成する非晶質層形成工程と、
加熱することにより前記非晶質層に結晶を析出させる加熱工程と、を含み、
前記加熱工程において、前記ガラス基板に張力を付与することを特徴とする膜付きガラス基板の製造方法。 - 前記加熱工程において、250℃以上の温度で加熱することを特徴とする請求項1に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
- 前記加熱工程において、加熱された加熱体に前記ガラス基板または前記非晶質層を接触させて前記非晶質層を加熱することを特徴とする請求項1または2に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
- 前記ガラス基板は、厚みが10〜500μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
- 前記膜は、透明導電膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
- 前記非晶質層形成工程は、真空蒸着、プラズマCVD、スパッタリング、スプレーコーティング、スピンコートコーティング、またはスクリーン印刷により行われることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の膜付きガラス基板の製造方法。
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