WO2013058011A1 - 光モジュールの製造方法 - Google Patents

光モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013058011A1
WO2013058011A1 PCT/JP2012/070961 JP2012070961W WO2013058011A1 WO 2013058011 A1 WO2013058011 A1 WO 2013058011A1 JP 2012070961 W JP2012070961 W JP 2012070961W WO 2013058011 A1 WO2013058011 A1 WO 2013058011A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pipe
manufacturing
optical fiber
box
heating
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/070961
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
康 原野
Original Assignee
株式会社フジクラ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社フジクラ filed Critical 株式会社フジクラ
Priority to CN201280047309.5A priority Critical patent/CN103827717B/zh
Priority to EP12840921.6A priority patent/EP2770356B1/en
Publication of WO2013058011A1 publication Critical patent/WO2013058011A1/ja
Priority to US14/254,185 priority patent/US9586280B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/002—Soldering by means of induction heating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall

Definitions

  • the present invention relates to an optical module manufacturing method capable of manufacturing a highly reliable optical module.
  • An optical module that inputs laser light output from a semiconductor laser element into an optical fiber core is known.
  • a laser submount and a fiber submount are generally arranged on a base in a housing.
  • the semiconductor laser element is fixed on the laser submount and the one end side of the optical fiber is fixed on the fiber submount in a state where the relative positions of the semiconductor laser element and the end of the optical fiber are accurately aligned.
  • the other end of the optical fiber is passed through a pipe projecting to the outer peripheral side of the housing and led out of the housing, and the space between the inner peripheral surface of the pipe and the outer peripheral surface of the optical fiber is sealed without a gap.
  • This pipe is sometimes called a sleeve.
  • the solder is melted by resistance heating, induction heating, laser heating, etc., and then solidified after filling the pipe. There is a technique.
  • a part of the housing may be cooled in the manufacturing process of the optical module. In this case, a temperature gradient is likely to occur in the pipe in the housing.
  • an object of the present invention is to provide an optical module manufacturing method capable of manufacturing a highly reliable optical module.
  • an optical module manufacturing method includes a preparation step of preparing an optical fiber in which a clad at one end is exposed, and a box whose one end is connected to a box portion in which an optical element is to be accommodated.
  • An arrangement step of arranging the optical fiber through a pipe portion extending outside the portion so that at least a tip of an exposed portion of the clad is located in the box portion, and a part of the box portion in which the optical element is accommodated Soldering that heats at least a part of the wall region of the box portion interposed between the heat drawn portion and the pipe portion in a state where the heat drawn portion and the optical fiber are soldered.
  • the difference in peak temperature between the tip part of the pipe part and the part connected to the box part can be reduced, and the connection part and the tip The time difference until the part reaches the melting point of the solder can be greatly reduced.
  • a part of the housing is heat-treated, it is possible to spread the solder in a short time from the tip of the pipe part to the connection part with the box part with good solder wettability. Become.
  • a decrease in solder wettability due to the temperature gradient is suppressed, and a highly reliable optical module can be manufactured.
  • the soldering step it is preferable that heating is performed across a pair of ends of the wall region in the width direction of the wall to which the pipe portion is connected. Or in the said soldering process, it is preferable to heat along the boundary of the wall and the said pipe part to which the said pipe part is connected among the said wall area
  • heat is conducted from the pipe portion to the heat extraction portion so as to wrap around the heating portion in the wall region as compared with the case where a part of the wall region is heated. Can be avoided. Therefore, even if a part of the casing is heated, the temperature gradient in the air in the pipe part can be further suppressed until it reaches the vicinity of the boundary between the pipe part and the box part.
  • induction heating is performed by lines of magnetic force generated in the magnetic core around which the coil is wound.
  • an optical module manufacturing method it is possible to heat both the inside and the outside of the wall region as compared with heating by a laser or a soldering iron, and a part of the housing is heated. Even if it is pulled, it is possible to further suppress the temperature gradient in the air inside the pipe part until it reaches the vicinity of the boundary between the pipe part and the box part.
  • the wall to which the pipe part is connected has a higher magnetic permeability than the pipe part.
  • the amount of induction heating per unit space of the wall is larger than that of the pipe part, so even if a part of the housing is heated, the boundary between the pipe part and the box part The temperature gradient in the air in the pipe portion can be further suppressed to the vicinity.
  • the wettability of the solder inside the pipe portion can be improved up to the vicinity of the boundary between the pipe portion and the box portion without deteriorating the characteristics of the optical element, and the reliability is improved.
  • a highly efficient optical module can be manufactured.
  • FIG. 1 is a schematic view of an optical module according to an embodiment of the present invention viewed from the side.
  • the optical module 1 includes a housing 30, a laser submount 41, a fiber submount 42, a semiconductor laser element 20, and an optical fiber 10 as main components.
  • the casing 30 is shown in cross section, and the shapes of the laser submount 41, the fiber submount 42, and the semiconductor laser element 20 are simplified as a rectangular parallelepiped.
  • the housing 30 includes a box portion 31 and a pipe portion 35, which are integrally molded.
  • the box portion 31 has a top wall 31A and a bottom wall 31B, and a side wall 31C sandwiched between the top wall 31A and the bottom wall 31B, and forms a space closed by these walls.
  • the shape of the box part 31 is a hollow substantially rectangular parallelepiped.
  • a through hole H is formed in the side wall 31 ⁇ / b> C of the box portion 31.
  • the pipe part 35 is a pipe that extends straight to the outside of the box part 31, and communicates the space inside the box part and the space outside the box part through the through hole H.
  • the thickness of the pipe part 35 is different between a part close to the box part 31 with the intermediate position as a boundary and a part away from the box part 31 with the intermediate position as a boundary, and the close part moves away as a thick part 36.
  • the portion is formed as a thin portion 37. Therefore, in this pipe part 35, the area of the vertical cross section of the thick part 36 close to the box part 31 with the intermediate position as a boundary is smaller than the area of the vertical cross section of the thin part 37 moving away from the intermediate position. Yes.
  • an opening Hv penetrating from the outer peripheral surface to the inner peripheral surface of the pipe portion 35 is formed perpendicular to the longitudinal direction of the pipe portion 35.
  • the housing 30 may be formed by separately forming the box portion 31 and the pipe portion 35 and then connecting one end of the pipe portion 35 to the side wall 31 ⁇ / b> C of the box portion 31.
  • the box part 31 and the pipe part 35 may be shape
  • the laser submount 41 is a table for adjusting the height of the semiconductor laser element 20, and is fixed to a predetermined position on the inner wall of the box portion 31 by, for example, soldering.
  • the material constituting the laser submount 41 is not particularly limited, and examples thereof include ceramics such as AlN and Al 2 O 3. Among them, AlN is preferable from the viewpoint of excellent thermal conductivity.
  • the laser submount 41 may be molded integrally with the box portion 31.
  • the fiber submount 42 is a table for adjusting the height of the optical fiber 10 and is fixed to a predetermined position on the inner wall of the box portion 31 by soldering or the like.
  • the material constituting the fiber submount 42 is not particularly limited.
  • the same material as the material constituting the laser submount 41 can be used, and among them, AlN is preferable from the viewpoint of excellent thermal conductivity.
  • the fiber submount 42 may be molded integrally with the box portion 31.
  • FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional structure perpendicular to the longitudinal direction of the optical fiber 10.
  • the optical fiber 10 includes a core 11, a clad 12 that surrounds the outer peripheral surface of the core 11, and a coating layer 13 that covers the outer peripheral surface of the clad 12.
  • the core 11 is made of, for example, quartz to which a dopant for increasing the refractive index such as germanium is added.
  • the clad 12 is made of, for example, pure quartz to which no dopant is added, and has a refractive index lower than that of the core 11.
  • the coating layer 13 is, for example, a single layer or two or more resin layers formed from an ultraviolet curable resin or the like.
  • FIG. 3 is a view showing a state of one end side of the optical fiber 10. As shown in FIG. 3, in the optical fiber 10, the coating layer 13 on one end side is peeled off, and the cladding 12 is exposed. The outer peripheral surface of the portion where the cladding 12 is exposed is covered with a metallized layer 16 at a predetermined interval from the tip.
  • the metallized layer 16 is a metal layer, and is a material to which solder can be fixed. As will be described later, since soldering is performed without flux, the surface of the metallized layer 16 is preferably Au in order to improve solder wettability. Furthermore, it is preferable to provide a Ni layer as a base layer in order to improve adhesion between the clad of the optical fiber 10 and Au.
  • the metallized layer 16 is composed of a laminate of a Ni layer and an Au layer, the Ni layer covers the outer peripheral surface of the cladding 12, and the Au layer covers the outer peripheral surface of the Ni layer.
  • the thicknesses of the Ni layer and the Au layer are not particularly limited. For example, the Ni layer is 2 ⁇ m to 3 ⁇ m, and the Au layer is 0.1 ⁇ m to 0.2 ⁇ m. This Ni layer absorbs part of the leaked light.
  • the metallized layer 16 is located in the inner space of the thick portion 36 and is fixed to the thick portion 36 by solder 51.
  • the solder 51 fills the entire inner space of the thick portion 36 in the pipe portion 35 and fills the entire opening Hv, thereby sealing without gaps. As a result, the box portion 31 is hermetically sealed. It has become.
  • the material of the solder 51 include gold-tin eutectic solder, and examples of the ratio of Au to tin (Sn) include Au 80% -Sn 20% and Au 10% -Sn 90%. .
  • the solder 51 is Au 80% -Sn 20% will be described. In this case, the melting point of the solder is about 280 degrees.
  • the end portion of the coating layer 13 where the cladding 12 is exposed in the optical fiber 10 is located, and the end portion is It is fixed to the thin portion 37 by a fixing resin 53.
  • the fixing resin 53 is filled in the entire inner space of the thin portion 37 so that the outer peripheral surface includes a boundary between a portion where the cladding 12 of the optical fiber 10 is covered with the coating layer 13 and a portion exposed from the coating layer 13. As a result, the boundary portion is protected.
  • the material of the fixing resin 53 is not particularly limited, and examples thereof include an ultraviolet curable resin.
  • the end of the optical fiber 10 where the cladding 12 is exposed is directed to the emission surface of the semiconductor laser element 20, and the laser light output from the semiconductor laser element 20 is directed to the core 11 of the optical fiber 10.
  • the optical fiber 10 and the semiconductor laser element 20 are optically coupled so as to input.
  • the semiconductor laser element 20 is excited by power supplied from a power source (not shown), and laser light is emitted.
  • This laser light is input to the core 11 of the optical fiber 10, propagates through the core 11, and is emitted to the outside of the optical module 1.
  • the leaked light mainly propagates through the clad 12 and reaches a portion where the optical fiber 10 is covered with the metallized layer 16, and at least a part of the leaked light is absorbed by the metalized layer 16 and is heated. Converted. At this time, the heat generated in the metallized layer is conducted to the pipe 35 of the housing 30 through the solder 51 and released to the outside.
  • FIG. 4 is a flowchart showing the steps of the first manufacturing method.
  • the manufacturing method of the optical module 1 mainly includes a preparation process P1, an arrangement process P2, a fiber coupling process P3, a soldering process P4, and a filling process P5.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a state of the optical module in the middle of manufacturing.
  • FIG. 6 is a diagram showing a state of soldering of the pipe portion by laser heating. 6A shows a state seen from the side, and FIG. 6B shows a state seen from the longitudinal direction of the optical fiber 10.
  • ⁇ Preparation process P1> In this preparation process P1, as shown in FIG. 5, the optical fiber 10 in which the metallized layer 16 is provided on a part of the outer peripheral surface of the clad 12 is prepared. That is, the coating layer 13 is peeled off at one end side of the optical fiber 10 and the cladding 12 is exposed. And the metallization layer 16 is provided in the area
  • the region where soldering is planned is specifically the thick portion 36 when the end portion of the optical fiber 10 is inserted into the pipe portion 35 and accommodated in the box portion 31 through the through hole H. It is the clad outer peripheral surface of the optical fiber 10 located in the position.
  • the metallized layer 16 is a laminate of a Ni layer and an Au layer, for example, it is preferably provided by a plating method. This is because according to the plating method, the metallized layer 16 can be provided with a more uniform thickness on the outer peripheral surface of the clad 12 whose outer shape is a cylindrical side surface.
  • optical fiber 10 having the metallized layer 16 provided on a part of the outer peripheral surface of the clad 12 is prepared.
  • a housing 30 to which the optical fiber 10 provided with the metallized layer 16 is to be attached is prepared. That is, first, the housing 30 in which the internal space of the box portion 31 is exposed is prepared. Specifically, in this step, a housing 30 is prepared in which the top wall 31A of the box portion 31 is omitted.
  • the laser submount 41, the fiber submount 42, and the semiconductor laser element 20 are respectively disposed at predetermined positions of the box portion 31 and fixed by, for example, soldering.
  • the housing 30 to which the optical fiber 10 provided with the metallized layer 16 is to be attached is prepared.
  • the optical fiber 10 prepared in the preparation step P1 is arranged on the housing 30 prepared in the preparation step P1. Specifically, the optical fiber 10 is inserted into the pipe portion 35 from the peeling side of the coating layer 13 and pushed in until the metallized layer 16 is positioned at the thick portion 36.
  • the arrangement position of the optical fiber 10 is finely adjusted using a jig (not shown) so that the central axis of the optical fiber 10 is aligned with the optical axis of the laser light emitted from the semiconductor laser element 20.
  • a jig not shown
  • ⁇ Fiber coupling process P3> In the fiber coupling step P3, a part of the optical fiber 10 on the fiber submount 42 is coupled and fixed to the fiber submount 42 using a coupling member 52 such as a resin.
  • soldering process P4 a part of the optical fiber 10 including the metallized layer 16 is soldered in a state in which the bottom wall 31B of the box portion 31 is thermally drawn by the heat sink 60. That is, first, the solder 51 is disposed in the opening Hv of the pipe portion 35. In addition, you may perform arrangement
  • the temperature of the bottom wall 31B when the solder 51 is heated is preferably, for example, 150 degrees or less. Therefore, it is preferable to heat the casing 30 so that the temperature of the casing 30 is lower than 150 degrees.
  • the outer wall of the lower region BAR on the side wall 31 ⁇ / b> C of the box portion 31 is irradiated with a laser beam L emitted from a laser device (not shown) that is a heating unit.
  • the lower region BAR is a region interposed between the pipe portion 35 and the bottom wall 31B of the box portion 31 in the side wall 31C of the box portion 31.
  • FIG. 7 shows the temperature transition of the thick portion 36 when the lower region BAR is the heating target and when the thick portion 36 itself of the pipe portion 35 is the heating target.
  • FIG. 7A schematically shows positions A to C shown in the graphs of FIGS. 7B and 7C.
  • FIG. 7B is a graph showing a temperature transition in the thick portion 36 when the heating target is the lower region BAR
  • FIG. 7C is a case where the heating target is the thick portion 36. It is a graph which shows the temperature transition in the thick part 36 in.
  • the connecting portion (position B) of the thick portion 36 with the box portion 31 reaches the melting point of the solder 51 as shown in FIGS. 7 (A) and (C).
  • the timing is significantly delayed compared to the tip portion (C position) in the thick portion 36.
  • positioned at the through-hole Hv of the thick part 36 flows out to a front-end
  • connection part (B position) thermally connected to the heat sink 60 via the box part 31 is significantly lower than the peak temperature of the tip part (C position). For this reason, when a long heating period is provided, the temperature gradient at the connecting portion (B position) and the tip portion (C position) increases. Therefore, even if the solder 51 reaches the connecting portion (position B), the wettability is deteriorated.
  • both the connecting portion (B position) and the tip portion (C position) of the thick portion 36 have the melting point of the solder 51.
  • the period from the time when the temperature is exceeded to the time when the bottom wall 31B (A position) to be heated exceeds the allowable temperature of the semiconductor laser element 20 is longer than when the thick portion 36 itself is the heating target. For this reason, control in the soldering process is also facilitated.
  • the irradiation target of the laser light L is between the side wall 31C of the box portion 31 and the outer peripheral surface of the pipe portion 35.
  • the boundary portion it is preferable to be in the vicinity of the position closest to the bottom wall 31B of the box portion 31.
  • the fixing resin 53 is filled into the inner space of the thin portion 37 in the pipe portion 35.
  • the fixing resin 53 is an ultraviolet curable resin
  • an uncured ultraviolet curable resin that is a precursor of the ultraviolet curable resin is filled from the side opposite to the box portion 31 side of the through hole H, and the uncured state Ultraviolet rays are irradiated to the ultraviolet curable resin.
  • the outer peripheral surface including the boundary between the portion where the cladding 12 of the optical fiber 10 is covered with the coating layer 13 and the portion exposed from the coating layer 13 is covered with the fixing resin 53 and fixed to the thin portion 37. Is done.
  • laser heating is performed on the solder 51 in a state where the bottom wall 31 ⁇ / b> B of the box portion 31 is thermally drawn by the heat sink 60.
  • the heat generated by this is given through the casing side wall 31C and the inner thickness portion 36. For this reason, the temperature rise of the semiconductor laser element 20 itself due to laser heating is greatly reduced.
  • the object of laser heating is the lower region BAR in the side wall 31C of the box part 31.
  • both the connecting portion and the tip portion of the pipe portion 35 are present on the side opposite to the side where the heat sink 60 is present with the laser irradiation position serving as a heat source as a boundary.
  • the difference in peak temperature between the tip part of the thick part 36 and the connection part with the box part 31 is reduced, and The time difference until the connecting portion and the tip portion reach the melting point of the solder 51 is greatly reduced.
  • solder 51 in a short time from the tip of the thick portion 36 to the connecting portion with the box portion 31 with good solder 51 wettability. In this way, the maliciousness of the wettability of the solder 51 due to the temperature gradient between heating and heat pulling is prevented.
  • FIG. 8 is a view of the state of soldering of the pipe portion by resistance heating as seen from the side and the longitudinal direction of the optical fiber.
  • the soldering step P4 in the second manufacturing method is different from the soldering step P4 in the first manufacturing method soldered by laser heating in that it is soldered by resistance heating.
  • a soldering iron 70 having a tip that can contact at least a part of the lower region BAR in the side wall 31C is used as a heating means. . Specifically, in this step, the tip of the soldering iron 70 is brought into contact with the lower region BAR across a pair of ends in the width direction.
  • the solder 51 is soldered with respect to the solder 51 in a state where the bottom wall 31B of the box portion 31 is heated by the heat sink 60.
  • the heat generated by the resistance heating of 70 is applied through the housing side wall 31C and the inner thickness portion 36.
  • the temperature rise of the semiconductor laser element 20 itself due to the resistance heating of the soldering iron 70 is greatly reduced. As a result, deterioration of the characteristics of the semiconductor laser element 20 due to resistance heating of the soldering iron 70 is suppressed.
  • the object of resistance heating is the lower region BAR in the side wall 31C of the box portion 31.
  • the connecting portion in the thick portion 36 and the tip portion of the box portion 31 are on the opposite side to the side where the heat sink 60 is located, with the resistance heating position serving as a heat source as a boundary. Will exist.
  • the difference in peak temperature between the tip portion of the thick portion 36 and the connecting portion is smaller than when the thick portion 36 itself is subjected to resistance heating, The time difference until the connecting portion and the tip portion reach the melting point of the solder 51 is greatly reduced.
  • solder 51 in a short time from the tip of the thick portion 36 to the connecting portion with the box portion 31 with good solder 51 wettability. In this way, the maliciousness of the wettability of the solder 51 due to the temperature gradient between heating and heat pulling is prevented.
  • a portion of the lower region BAR that extends between the pair of ends in the width direction is targeted for resistance heating. For this reason, compared with the laser heating in the first manufacturing method, compared with the case where a part of the lower region BAR is subjected to resistance heating, the pipe portion is led to the heat drawing portion via the tip. It is possible to avoid heat conduction. Therefore, the temperature gradient between the tip portion and the connecting portion in the thick portion 36 is further suppressed.
  • FIG. 9 is a perspective view showing the induction heating tool
  • FIG. 10 is a view of the state of soldering of the pipe portion by induction heating as seen from the side and directly above.
  • the soldering step P4 in the third manufacturing method is different from the soldering step P4 in the first manufacturing method soldered by laser heating in that it is soldered by induction heating.
  • an induction heating tool 80 is used as a heating means as shown in FIG.
  • the induction heating tool 80 includes a magnetic core CR and a coil CL as main components.
  • the magnetic core CR includes a bar block CR1, a bar block CR2 connected to one end of the bar block CR1 and extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the bar block CR1, and a bar block connected to the other end of the bar block CR1. It consists of a bar block CR3 extending in parallel with CR2 and formed in a U-shape as a whole.
  • rod blocks CR1 to CR3 are each made of a magnetic material having a high magnetic permeability such as a ferrite or a dust core, and have a rectangular cross section, for example.
  • a coil CL is wound on the outer periphery of the bar block CR1.
  • the rod block CR2 or CR3 may be applied as a winding target of the coil CL. In short, it is only necessary that the coil CL is wound on the outer periphery of at least a part of the rod blocks CR1 to CR3.
  • the width of the rod block CR2 and the rod block CR3 is larger than the outer peripheral width (outer diameter) of the pipe portion 35.
  • a flat inclined surface IF that is inclined from the end side to which the bar block CR1 is coupled toward the open end side is formed.
  • the magnetic core CR is cut with a plane passing obliquely from one side surface to the other side surface from the end side to which the bar block CR1 is connected to the open end side, and the plane is The inclined surface IF is used.
  • the inclined surface IF is a surface that is in contact with the lower region BAR in the side wall 31C of the box portion 31, and specifically, an optical fiber is inserted into the inner space of the magnetic core CR. In the state, it is in contact with the outer wall of the lower region BAR.
  • the induction heating is performed on the solder 51 in a state where the bottom wall 31 ⁇ / b> B of the box portion 31 is heated by the heat sink 60.
  • Heat generated by induction heating of the tool 80 is applied to the thick portion 36 from the side wall 31C.
  • the temperature rise of the semiconductor laser element 20 itself due to the induction heating of the induction heating tool 80 is greatly reduced. As a result, the deterioration of the characteristics of the semiconductor laser element 20 due to the induction heating of the induction heating tool 80 is suppressed.
  • the target of induction heating is the lower region BAR in the side wall 31C of the box part 31.
  • both the connecting portion in the thick portion 36 and the tip portion of the box portion 31 are opposite to the side where the heat sink 60 is located with the induction heating position serving as a heat source as a boundary. Will exist.
  • the difference in peak temperature between the tip portion of the thick portion 36 and the connecting portion is smaller than when the thick portion 36 itself is the target of induction heating, The time difference until the connecting portion and the tip portion reach the melting point of the solder 51 is greatly reduced.
  • solder 51 in a short time from the tip of the thick portion 36 to the connecting portion with the box portion 31 with good solder 51 wettability. In this way, the maliciousness of the wettability of the solder 51 due to the temperature gradient between heating and heat pulling is prevented.
  • an induction heating tool 80 including a U-shaped magnetic core CR and a coil CL wound on the outer periphery of the magnetic core CR is used as the one that performs induction heating. Since the magnetic core CR of the induction heating tool 80 is formed in a U shape, the lines of magnetic force generated from the open end of the magnetic core CR are, for example, compared to the case where the magnetic core CR is formed in a U shape. , Spread farther away. Therefore, when the open end of the magnetic core CR is in contact with the lower region BAR in the side wall 31C, both the inner wall and the outer wall of the lower region BAR can be heated, and the pipe portion It is possible to preferentially heat the side wall 31C while heating 35. For this reason, it becomes possible to suppress the temperature gradient of the front-end
  • the open end of the magnetic core CR of the present embodiment is formed as a flat inclined surface IF that is inclined from the opposite side of the open end to the open end side, no light enters the interior of the magnetic core CR. It is possible to contact the outer wall of the lower region BAR with the fiber inserted.
  • the permeability of at least the side wall 31C to which the pipe portion 35 is connected is higher than the permeability of the pipe portion 35.
  • the material of the pipe part 35 is made of Kovar (registered trademark) (relative magnetic permeability 800), and the material of the side wall 31C is made of soft iron (relative magnetic permeability 2000). This can be realized by making the material different from that of 31C. In this way, the magnetic flux is more concentrated on the side wall 31C than on the pipe part 35, so that the induction heating amount per unit space of the side wall 31C of the box part 31 is larger than the thick part 36 of the pipe part 35. Become. Therefore, it becomes possible to further suppress the temperature gradient between the tip portion and the connecting portion of the thick portion 36.
  • the irradiation position of the laser beam L is one, but it may be a plurality of positions.
  • the lower region BAR when irradiation positions are provided at predetermined intervals along the boundary between the side wall 31C to which the pipe part 35 is connected and the pipe part 35, the lower side of the boundary is surrounded. The side wall 31C is heated. For this reason, it is avoided that heat is conducted from the pipe part 35 to the heat sink 60 that becomes the heat sinking part, and the temperature gradient in the vicinity of the boundary between the pipe part 35 and the side wall 31C is reliably suppressed.
  • an irradiation position is provided at a predetermined interval between a pair of ends in the width direction. In addition, it is possible to suppress the conduction of heat so as to go from the pipe portion 35 to the heat sink 60.
  • the portion of the lower region BAR that crosses between the pair of ends in the width direction is targeted for resistance heating.
  • the portion surrounding the lower side of the boundary between the side wall 31 ⁇ / b> C to which the pipe portion 35 is connected and the pipe portion 35 may be the target of resistance heating. In this way, as described above, it is avoided that heat is conducted so as to go around from the pipe part 35 to the heat sink 60, and the temperature gradient in the vicinity of the boundary between the pipe part 35 and the side wall 31C is surely suppressed. .
  • the magnetic core CR of the induction heating tool 80 used in the third manufacturing method is formed in a U-shape, it may be formed in a U-shape or other shapes may be applied.
  • the cross section of the magnetic core CR is not limited to a rectangle, and various shapes such as a circle or an ellipse can be applied.
  • a hollow rectangular parallelepiped shape is applied as the shape of the box portion 31, but it may be a hollow cylindrical shape, and various shapes other than these may be applied.
  • the pipe portion 35 has a circular cross section, but may have a rectangular cross section, or may have a cross sectional shape other than these. Moreover, although the thickness of the pipe part 35 differed for every site
  • the optical module 1 using the semiconductor laser element 20 is taken as an example of the optical element.
  • the optical module 1 is not limited thereto.
  • an optical communication LiNbO3 modulator using a dielectric crystal is used.
  • An optical module using other optical elements can be applied.
  • an optical module manufacturing method capable of manufacturing a highly reliable optical module, which can be used for manufacturing a pumping light source, an optical communication LiNbO3 modulator, and the like. It is.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

　信頼性の高い光モジュールを製造することができる光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。　光モジュール１の製造方法は、一方の端部のクラッド１２が露出された光ファイバ１０を準備する準備工程と、光素子２０を収容すべき箱部３１に一端が連結されその箱部３１の外側に延在するするパイプ部３５を介して、クラッド１２の露出部分の少なくとも先端が箱部内に位置するよう光ファイバ１０を配置する配置工程と、光素子２０が収容された箱部３１の壁の一部が熱引きされた状態において、その熱引き部分とパイプ部３５とに介在する壁領域ＢＡＲの少なくとも一部を加熱して、パイプ部３５の内壁と光ファイバ１０とをはんだ付けするはんだ付け工程とを有する。

Description

光モジュールの製造方法
　本発明は、信頼性の高い光モジュールを製造することができる光モジュールの製造方法に関する。
　半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を光ファイバのコアに入力する光モジュールが知られている。この光モジュールでは、一般に、筐体内の基台上にレーザサブマウント及びファイバサブマウントが配置されている。そして、半導体レーザ素子と光ファイバの端部の相対的位置が正確に合わされた状態で、レーザサブマウント上に半導体レーザ素子が固定され、ファイバサブマウント上に光ファイバの一端側が固定されている。
　光ファイバの他端側は、筺体の外周側へ突出するパイプに通され、筐体の外部に導出されており、そのパイプの内周面と光ファイバの外周面との空間は隙間なく封止されている。なお、このパイプは、スリーブなどと呼ばれる場合もある。
　パイプの内周面と光ファイバの外周面とを封止する手法として、下記特許文献１のように、抵抗加熱、誘導加熱、レーザ加熱等によりはんだを溶融してパイプ内に充填した後に固化する手法がある。
特開２００２－３５０６８９号
　ところで、はんだの加熱等に起因する筺体内の温度上昇などを抑えるため、光モジュールの製造過程において筺体の一部を冷却する場合がある。この場合、筺体におけるパイプでは温度勾配が生じ易くなる。
　この温度勾配が生じると、パイプにおいて比較的に温度が低くなる場所では、はんだの濡れ性が悪くなる。この結果、光ファイバのファイバサブマウント上での位置精度が落ちる、あるいは、パイプと光ファイバとの封止が不十分となる等といったように、光モジュールの信頼性が低下するという問題がある。
　そこで、本発明は、信頼性の高い光モジュールを製造することができる光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため本発明の光モジュールの製造方法は、一方の端部のクラッドが露出された光ファイバを準備する準備工程と、光素子を収容すべき箱部に一端が連結されその箱部の外側に延在するパイプ部を介して、前記クラッドの露出部分の少なくとも先端が箱部内に位置するよう前記光ファイバを配置する配置工程と、前記光素子が収容された箱部の一部が熱引きされた状態において、その熱引き部分と前記パイプ部とに介在する箱部の壁領域の少なくとも一部を加熱して、前記パイプ部の内壁と前記光ファイバとをはんだ付けするはんだ付け工程とを有する。
　このような光モジュールの製造方法によれば、箱部の一部が熱引きされた状態ではんだ付けされているため、そのはんだ付けで生じる加熱に起因する光素子の温度上昇が大幅に低減され、光素子の特質の劣化が未然に防止される。また、熱引き部分とパイプ部とに介在する壁領域を加熱の対象としているため、パイプ部自体を加熱の対象とする場合に比べて、箱部の熱引き部分以外の壁を介して、パイプ部から熱引き部分へ熱が伝導することを抑制することができる。したがって、パイプ部自体を加熱の対象とする場合に比べて、パイプ部における先端部分と、箱部に連結されている部分とのピーク温度の差を小さくすることができるとともに、当該連結部分及び先端部分がはんだの融点に達するまでの時間の差を大幅に小さくすることができる。この結果、筺体の一部が熱引きされていても、はんだの濡れ性を良好なものとして、パイプ部の先端から箱部との連結部分に至るまではんだを短時間で行き渡らせることが可能となる。こうして、温度勾配に起因するはんだの濡れ性の低下が抑止され、信頼性の高い光モジュールの製造が可能となる。
　また、前記はんだ付け工程において、前記壁領域のうち、前記パイプ部が連結される壁の幅方向に有する１対の端の間をわたって加熱することが好ましい。或いは、前記はんだ付け工程において、前記壁領域のうち、前記パイプ部が連結される壁と前記パイプ部との境界に沿って加熱することが好ましい。
　このような光モジュールの製造方法によれば、壁領域の一部を加熱する場合に比べて、その壁領域において加熱部分を回り込むようにしてパイプ部から熱引き部分へ熱が伝導することを未然に回避することができる。したがって、筺体の一部が熱引きされても、パイプ部と箱部との境界付近に至るまでパイプ部内空での温度勾配をより一段と抑制することができる。
　また、前記はんだ付け工程において、コイルが巻回された磁性コアに生じる磁力線により誘導加熱することが好ましい。
　このような光モジュールの製造方法によれば、レーザによる加熱やはんだこてによる加熱に比べて、壁領域の内側と外側との双方を加熱対象とすることが可能となり、筺体の一部が熱引きされても、パイプ部と箱部との境界付近に至るまでパイプ部内空での温度勾配をより一段と抑制することができる。
　また、前記パイプ部が連結される壁は、前記パイプ部よりも透磁率が高いものとされることが好ましい。
　このような光モジュールの製造方法によれば、壁の単位空間当たりの誘導加熱量がパイプ部に比べて大きくなるため、筺体の一部が熱引きされても、パイプ部と箱部との境界付近に至るまでパイプ部内空での温度勾配をより一段と抑制することができる。
　以上のように、本発明によれば、光素子の特質を劣化させることなく、パイプ部と箱部との境界付近に至るまでパイプ部内空でのはんだの濡れ性を向上させることができ、信頼性の高い光モジュールの製造が可能となる。
本発明の実施形態に係る光モジュールを真横から見た概略図である。 光ファイバの長手方向に垂直となる断面を示す図である。 光ファイバの一方の端部側の様子を示す図である。 光モジュールの製造方法の工程を示すフローチャートである。 製造中途段階にある光モジュールの様子を示す図である。 レーザ加熱によるパイプ部のはんだ付けの様子を、真横及び光ファイバの長手方向から見た図である。 加熱部位が異なる場合のパイプ部での温度推移の説明に供する図である。 抵抗加熱によるパイプ部のはんだ付けの様子を、真横及び光ファイバの長手方向から見た図である。 誘導加熱用具を示す図である。 誘導加熱によるパイプ部のはんだ付けの様子を、真横及び光ファイバの長手方向から見た図である。
　以下、本発明に係る光モジュールの製造方法の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
　図１は、本発明の実施形態に係る光モジュールを真横から見た概略図である。図１に示すように光モジュール１は、筺体３０、レーザサブマウント４１、ファイバサブマウント４２、半導体レーザ素子２０及び光ファイバ１０を主な構成要素として備える。なお、理解の容易のため、筐体３０だけはその断面を示すとともに、レーザサブマウント４１、ファイバサブマウント４２及び半導体レーザ素子２０の形状は直方体として簡略している。
　筺体３０は、箱部３１と、パイプ部３５とで成り、これらが一体に成型されている。箱部３１は、天壁３１Ａ及び底壁３１Ｂと、その天壁３１Ａと底壁３１Ｂとに挟まれる側壁３１Ｃとを有し、これら壁によって閉じられた空間を形成している。この実施形態では、箱部３１の形状は、中空の略直方体とされる。箱部３１の側壁３１Ｃには貫通孔Ｈが形成されている。
　パイプ部３５は、箱部３１の外側へ真っ直ぐ伸展する管であり、貫通孔Ｈを介して、箱部内の空間と箱部外の空間とを連通している。このパイプ部３５の厚みは、中間位置を境として箱部３１に近い部分と、中間位置を境として箱部３１から遠ざかる部分とで相違しており、その近い部分は肉厚部３６として、遠ざかる部分は肉薄部３７として形成されている。したがって、このパイプ部３５では、中間位置を境として箱部３１に近い肉厚部３６の鉛直断面の面積が、その中間位置から遠ざかる肉薄部３７の鉛直断面の面積に比べて小さい状態となっている。
　肉厚部３６には、パイプ部３５の外周面から内周面まで貫通する開口Ｈｖが、パイプ部３５の長手方向に対して垂直に形成されている。
　なお、筺体３０は、箱部３１とパイプ部３５とを別体として成型した後、そのパイプ部３５の一端を箱部３１の側壁３１Ｃに連結するようにしても良い。また、箱部３１とパイプ部３５とは、互いに異なる材料を用いて成型されていても良い。
　レーザサブマウント４１は、半導体レーザ素子２０の高さを調整するための台であり、箱部３１の内壁における所定位置に例えばはんだ付け等により固定されている。このレーザサブマウント４１を構成する材料としては、特に制限されないが、例えば、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３等のセラミックを挙げることができ、中でも、熱伝導性に優れる観点からＡｌＮが好ましい。なお、レーザサブマウント４１は、箱部３１と一体に成型されても良い。
　ファイバサブマウント４２は、光ファイバ１０の高さを調整するための台であり、箱部３１の内壁における所定位置に例えばはんだ付け等により固定されている。このファイバサブマウント４２を構成する材料としては、特に制限されないが、例えば、レーザサブマウント４１を構成する材料と同様の材料を挙げることができ、中でも、熱伝導性に優れる観点からＡｌＮが好ましい。なお、ファイバサブマウント４２は、箱部３１と一体に成型されても良い。
　図２は、光ファイバ１０の長手方向に垂直となる断面の構造を示す図である。図２に示すように、光ファイバ１０は、コア１１と、コア１１の外周面を囲むクラッド１２とクラッド１２の外周面を被覆する被覆層１３とから構成されている。コア１１は、例えば、ゲルマニウム等の屈折率を上げるドーパントが添加された石英から形成される。クラッド１２は、例えば、何らドーパントが添加されない純粋な石英から形成され、コア１１の屈折率よりも低い屈折率とされる。被覆層１３は、例えば、紫外線硬化樹脂等から形成される１層又は２層以上の樹脂層とされる。
　図３は、光ファイバ１０の一方の端部側の様子を示す図である。図３に示すように、光ファイバ１０は、一方の端部側の被覆層１３が剥離されて、クラッド１２が露出している。クラッド１２が露出している部分の外周面は、先端から所定の間隔をあけて、メタライズ層１６により覆われている。
　メタライズ層１６は、それぞれ金属の層であり、はんだが固定可能な材料とされる。後述するようにはんだ付けは、フラックス無しで行うため、メタライズ層１６の表面は、はんだ濡れ性を高めるためＡｕであることが好ましい。さらに光ファイバ１０のクラッドと、Ａｕの密着性を高めるために下地層としてＮｉ層を設けることが好ましい。本実施形態では、メタライズ層１６は、Ｎｉ層とＡｕ層の積層体から成り、Ｎｉ層がクラッド１２の外周面を被覆しており、Ａｕ層がＮｉ層の外周面を被覆している。また、Ｎｉ層、Ａｕ層の厚さは、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ層が２μｍ～３μｍであり、Ａｕ層が０．１μｍ～０．２μｍとされる。このＮｉ層が漏れ光の一部を吸収する。
　図１に示すように、このメタライズ層１６は、肉厚部３６の内空に位置し、はんだ５１により肉厚部３６に固定されている。
　はんだ５１は、パイプ部３５における肉厚部３６の内空全体に充填されると共に、開口Ｈｖ全体にまで充填されることで、隙間なく封止しており、この結果、箱部３１が気密となっている。このはんだ５１の材料は、例えば、金錫系の共晶はんだを挙げることができ、Ａｕと錫（Ｓｎ）の比としては、Ａｕ８０％－Ｓｎ２０％や、Ａｕ１０％－Ｓｎ９０％を挙げることができる。本実施形態では、はんだ５１がＡｕ８０％－Ｓｎ２０％である場合について説明する。この場合、はんだの融点は約２８０度である。
　また、図１に示すように、パイプ部３５における肉薄部３７の内空には、光ファイバ１０においてクラッド１２が露出されるほうの被覆層１３の端部が位置しており、その端部は、固定樹脂５３により肉薄部３７に固定されている。
　固定樹脂５３は、肉薄部３７の内空全体に充填されることで、光ファイバ１０のクラッド１２が被覆層１３により覆われる部分と、その被覆層１３から露出する部分との境界を含む外周面を覆っており、この結果、当該境界部分が保護されている。固定樹脂５３の材料としては、特に限定されないが、例えば、紫外線硬化樹脂を挙げることができる。
　なお、光ファイバ１０のうち、クラッド１２が露出されるほうの端部は、半導体レーザ素子２０の出射面に向けられており、半導体レーザ素子２０から出力されるレーザ光が光ファイバ１０のコア１１に入力するよう、光ファイバ１０と半導体レーザ素子２０とが光学的に結合されている。
　このような光モジュール１では、図示しない電力源から供給される電力により半導体レーザ素子２０が励起され、レーザ光が出射される。このレーザ光は、光ファイバ１０のコア１１に入力して、コア１１を伝播して、光モジュール１の外部に出射される。
　なお、レーザ光が光ファイバ１０に入射するとき、光ファイバ１０の端面における屈折や、光ファイバ１０と半導体レーザ素子２０との光軸のずれ等により、レーザ光の一部がクラッド１２に漏れ光として入射する場合がある。この場合、漏れ光は、主にクラッド１２を伝播して、光ファイバ１０がメタライズ層１６で被覆されている部分に到達して、漏れ光の少なくとも一部がメタライズ層１６に吸収され、熱に変換される。このときメタライズ層で生じる熱は、はんだ５１を介して筐体３０のパイプ３５に伝導し、外部に放出される。
　次に、光モジュール１の製造方法に関し、第１～第３の製造方法を個々に説明する。
（第１の製造方法）
　図４は、第１の製造方法の工程を示すフローチャートである。図４に示すように、光モジュール１の製造方法は、主として、準備工程Ｐ１、配置工程Ｐ２、ファイバ結合工程Ｐ３、はんだ付け工程Ｐ４及び充填工程Ｐ５を有する。
　以下、これら工程Ｐ１～Ｐ５を、図５及び図６を適宜用いて詳細に説明する。図５は、製造中途段階にある光モジュールの様子を示す図である。図６は、レーザ加熱によるパイプ部のはんだ付けの様子を示す図である。なお、図６の（Ａ）は、真横から見た様子を示すものであり、図６の（Ｂ）は、光ファイバ１０の長手方向から見た様子を示すものである。
＜準備工程Ｐ１＞
　この準備工程Ｐ１では、図５に示すように、クラッド１２の外周面の一部にメタライズ層１６を設けた光ファイバ１０が準備される。すなわち、光ファイバ１０の一方の端部側において被覆層１３が剥離され、クラッド１２が露出される。そして、クラッド１２の外周面のうち、はんだ付けが予定される領域にメタライズ層１６が設けられる。
　なお、はんだ付けが予定される領域は、具体的には、光ファイバ１０の端部がパイプ部３５に挿入され、貫通孔Ｈを介して箱部３１に収容された場合に、肉厚部３６に位置する光ファイバ１０のクラッド外周面である。
　メタライズ層１６は、上述のように、例えば、Ｎｉ層とＡｕ層との積層体であるため、めっき法により設けられることが好ましい。めっき法によれば、外形が円柱の側面状であるクラッド１２の外周面に対して、より均一な厚さでメタライズ層１６を設けることができるためである。
　こうして、クラッド１２の外周面の一部にメタライズ層１６を設けた光ファイバ１０が準備される。
　また、この準備工程Ｐ１では、図５に示すように、メタライズ層１６が設けられた光ファイバ１０を取り付けるべき筺体３０が準備される。すなわち、まず、箱部３１の内部空間が露出している筺体３０が用意される。具体的に本工程では、箱部３１の天壁３１Ａが省略された筺体３０が用意される
　続いて、箱部３１の所定位置に、レーザサブマウント４１、ファイバサブマウント４２及び半導体レーザ素子２０がそれぞれ配置され、例えばはんだ付け等により固定される。
　こうして、メタライズ層１６が設けられた光ファイバ１０を取り付けるべき筺体３０が準備される。
＜配置工程Ｐ２＞
　この配置工程Ｐ２では、図５に示すように、レーザサブマウント４１及びファイバサブマウント４２が固定されている箱部３１の底壁３１Ｂがヒートシンク６０に対向する状態で、準備工程Ｐ１で準備された筺体３０がヒートシンク６０に配置される。
　また、この配置工程Ｐ２では、準備工程Ｐ１で準備された光ファイバ１０が、準備工程Ｐ１で準備された筺体３０に配置される。具体的には、光ファイバ１０が、被覆層１３の剥離側からパイプ部３５に挿入され、メタライズ層１６が肉厚部３６に位置するまで、押し入れられる。
　また、この配置工程Ｐ２では、半導体レーザ素子２０から出射されるレーザ光の光軸に光ファイバ１０の中心軸が合うよう、図示しない治具を用いて、光ファイバ１０の配置位置が微調整される。この結果、半導体レーザ素子２０と光ファイバ１０とが光学的に結合される。
＜ファイバ結合工程Ｐ３＞
　このファイバ結合工程Ｐ３では、ファイバサブマウント４２上にある光ファイバ１０の一部が、例えば樹脂等の結合部材５２を用いて、ファイバサブマウント４２に結合され固定される。
＜はんだ付け工程Ｐ４＞
　このはんだ付け工程Ｐ４では、箱部３１の底壁３１Ｂがヒートシンク６０により熱引きされている状態で、メタライズ層１６を含む光ファイバ１０の一部がはんだ付けされる。すなわち、まず、はんだ５１がパイプ部３５の開口Ｈｖに配置される。なお、はんだ５１の配置は、上述の配置工程Ｐ２において行っても良い。また、はんだ５１の組成としてフラックスが非含有であることが、光ファイバ１０の端面又は半導体レーザ素子２０の出射面に対するフラックスの付着を回避する観点や、はんだの腐食（酸化や硫化）を防止する観点では好ましい。
　なお、半導体レーザ素子２０への熱影響を抑制するため、はんだ５１の加熱時における底壁３１Ｂの温度として例えば１５０度以下であると良い。したがって、筐体３０の温度が１５０度よりも低い温度となるよう熱引きされると良い。
　続いて、図６に示すように、箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲの外壁に対して、加熱手段である図示しないレーザ装置から照射されるレーザ光Ｌが照射される。この下側領域ＢＡＲは、具体的には、箱部３１の側壁３１Ｃのうち、パイプ部３５と箱部３１の底壁３１Ｂとに介在する領域である。
　このように下側領域ＢＡＲの内壁にレーザ光Ｌが照射された場合、その照射位置での加熱により生じる熱が、パイプ部３５の肉厚部３６を介してはんだ５１に伝導することにより、はんだ５１が溶融する。この結果、はんだ５１は、肉厚部３６に広がる。
　続いて、レーザ光Ｌを照射し始めてから所定の照射期間が経過した場合、レーザ光Ｌの照射が停止される。これによりはんだ５１が直ちに固化し、図１に示すように、パイプ部３５における肉厚部３６に光ファイバ１０が固定されるともに、肉厚部３６の内空が隙間なく封止される。
　ここで、下側領域ＢＡＲを加熱対象とした場合と、パイプ部３５の肉厚部３６自体を加熱対象とした場合における肉厚部３６の温度推移を図７に示す。図７（Ａ）は、図７（Ｂ）及び（Ｃ）のグラフに示されるＡ～Ｃの位置を概略的に示す図である。また、図７（Ｂ）は、加熱対象を下部領域ＢＡＲとした場合における肉厚部３６での温度推移を示すグラフであり、図７（Ｃ）は、加熱対象を肉厚部３６とした場合における肉厚部３６での温度推移を示すグラフである。
　肉厚部３６自体が加熱対象とされた場合、図７（Ａ）及び（Ｃ）に示すように、肉厚部３６における箱部３１との連結部分（Ｂ位置）がはんだ５１の融点に達する時期は、肉厚部３６における先端部分（Ｃ位置）に比べて大幅に遅くなる。このため、肉厚部３６の貫通孔Ｈｖに配置されるはんだ５１は、連結部分（Ｂ位置）よりも優先して先端部分（Ｃ位置）に流れ出す。したがって、はんだ５１が連結部分（Ｂ位置）に至ることなく、ある一定の加熱期間を経過する傾向が高くなってしまう。また、箱部３１を介してヒートシンク６０に熱的に接続された連結部分（Ｂ位置）のピーク温度は、先端部分（Ｃ位置）のピーク温度に比べて大幅に下回る。このため、長い加熱期間を設けた場合には、連結部分（Ｂ位置）と先端部分（Ｃ位置）とでの温度勾配が大きくなる。したがって、たとえ、はんだ５１が連結部分（Ｂ位置）に至ったとしても濡れ性が悪くなってしまう。
　これに対し、下部領域ＢＡＲが加熱対象とされた場合、図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、連結部分（Ｂ位置）の温度は、先端部分（Ｃ位置）より高くなり、はんだ５１の融点に達する時期は、先端部分（Ｃ位置）に比べて大幅に速くなる。このため、肉厚部３６の貫通孔Ｈｖに配置されるはんだ５１は、先端部分（Ｃ位置）よりも優先して連結部分（Ｂ位置）に流れ出す。したがって、はんだ５１が連結部分（Ｂ位置）に至ることなく、ある一定の加熱期間を経過する傾向が大幅に低くなる。一方、図７（Ｂ）と（Ｃ）との比較から分かるように、下部領域ＢＡＲが加熱対象とされた場合、肉厚部３６自体が加熱対象とされた場合に比べて、連結部分（Ｂ位置）と先端部分（Ｃ位置）との温度の差が小さくなる。このため、加熱時に発生する連結部分（Ｂ位置）と先端部分（Ｃ位置）との温度勾配が、肉厚部３６自体が加熱対象とされた場合に比べて大幅に低減される。また、連結部分（Ｂ位置）がはんだ５１の融点に達するまでの時間と、先端部分（Ｃ位置）がはんだ５１の融点に達するまでの時間との差は大幅に小さくなる。このため、長い加熱期間を設けなくても、肉厚部３６の先端から箱部３１との連結部分に至るまではんだ５１を行き渡らせることが可能となる。
　このように、本工程では、箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲがレーザ加熱の対象とされているため、はんだ５１の濡れ性を良好なものとして、肉厚部３６の先端から箱部３１との連結部分に至るまではんだ５１を短時間で行き渡らせることが可能となる。
　また、本工程では、ヒートシンク６０により箱部３１の底壁３１Ｂが熱引きされている状態にあるため、側壁３１Ｃの下側領域ＢＡＲの加熱に起因する半導体レーザ素子２０自体の温度上昇が大幅に低減される。この結果、箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲの加熱に起因する、半導体レーザ素子２０の特質の劣化が抑制される。
　更に、本工程では、図７（Ｂ）と（Ｃ）との比較から分かるように、肉厚部３６における連結部分（Ｂ位置）と先端部分（Ｃ位置）との双方がはんだ５１の融点を超える時点から、熱引きされる底壁３１Ｂ（Ａ位置）が半導体レーザ素子２０の許容温度を超える時点までの期間が、肉厚部３６自体が加熱対象とされた場合に比べて長くなる。このため、はんだ付け工程での制御が容易にもなる。
　なお、加熱と熱引きとの温度勾配に起因するはんだ５１の濡れ性の悪質化を防止する観点では、レーザ光Ｌの照射対象が、箱部３１の側壁３１Ｃとパイプ部３５の外周面との境界部分のうち、最も箱部３１の底壁３１Ｂ寄りとなる位置の近傍とすることが好ましい。
＜充填工程Ｐ５＞
　この充填工程Ｐ５では、パイプ部３５における肉薄部３７の内空に固定樹脂５３が充填される。例えば固定樹脂５３が紫外線硬化樹脂である場合、貫通孔Ｈの箱部３１側と反対側から、紫外線硬化樹脂の前駆体である未硬化状態の紫外線硬化性樹脂が充填され、その未硬化状態の紫外線硬化性樹脂に対して紫外線が照射される。これにより光ファイバ１０のクラッド１２が被覆層１３により覆われる部分と、その被覆層１３から露出する部分との境界を含む外周面が、固定樹脂５３に覆われた状態で、肉薄部３７に固定される。
　最後に、筐体３０における箱部３１の天壁３１Ａが取り付けられ、図１に示す光モジュール１が得られる。
　以上説明したように、本実施形態における光モジュール１の第１の製造方法によれば、ヒートシンク６０により箱部３１の底壁３１Ｂが熱引きされている状態で、はんだ５１に対して、レーザ加熱により生じる熱が筐体側壁３１Ｃと内厚部３６を通して与えられる。このため、レーザ加熱に起因する半導体レーザ素子２０自体の温度上昇が大幅に低減される。
　また、レーザ加熱の対象は、箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲとされている。この場合、パイプ部３５における連結部分及び先端部分は、ともに、熱源となるレーザ照射位置を境界としてヒートシンク６０がある側とは逆側に存在することになる。このため、パイプ部３５における肉厚部３６自体をレーザ加熱の対象とする場合に比べて、肉厚部３６の先端部分及び箱部３１との連結部分のピーク温度の差が小さくなるとともに、当該連結部分及び先端部分がはんだ５１の融点に達するまでの時間の差は大幅に小さくなる。したがって、はんだ５１の濡れ性を良好なものとして、肉厚部３６の先端から箱部３１との連結部分に至るまではんだ５１を短時間で行き渡らせることが可能となる。こうして、加熱と熱引きとの温度勾配に起因するはんだ５１の濡れ性の悪質化が未然に防止される。
（第２の製造方法）
　第２の製造方法では、上述の第１の製造方法の各工程Ｐ１～Ｐ５のうち、はんだ付け工程Ｐ４のみが第１の製造方法と異なっているため、そのはんだ付け工程Ｐ４についてのみ図８を用いて説明する。図８は、抵抗加熱によるパイプ部のはんだ付けの様子を、真横及び光ファイバの長手方向から見た図である。
　第２の製造方法におけるはんだ付け工程Ｐ４は、抵抗加熱によりはんだ付けされる点で、レーザ加熱によりはんだ付けされた第１の製造方法におけるはんだ付け工程Ｐ４と異なっている。
　図８に示すように、第２の製造方法におけるはんだ付け工程Ｐ４では、加熱手段として、側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲの少なくとも一部に当接可能なこて先を有するはんだこて７０が用いられる。具体的に本工程では、はんだこて７０のこて先が、下側領域ＢＡＲのうち、その幅方向に有する１対の端の間をわたって当接される。
　このように下側領域ＢＡＲにこて先が当接された場合、そのこて先の抵抗加熱により生じる熱が、パイプ部３５の肉厚部３６を介してはんだ５１に伝導することにより、はんだ５１が溶融する。この結果、はんだ５１は、肉厚部３６に広がる。
　以上説明したように、本実施形態における光モジュール１の第２の製造方法によれば、ヒートシンク６０により箱部３１の底壁３１Ｂが熱引きされている状態で、はんだ５１に対して、はんだこて７０の抵抗加熱により生じる熱が筐体側壁３１Ｃと内厚部３６を通して与えられる。このため、第１の製造方法と同様に、はんだこて７０の抵抗加熱に起因する半導体レーザ素子２０自体の温度上昇が大幅に低減される。この結果、はんだこて７０の抵抗加熱に起因する半導体レーザ素子２０の特質の劣化が抑制される。
　また、本製造方法によれば、抵抗加熱の対象が、箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲとされている。この場合、第１の製造方法と同様に、肉厚部３６における連結部分及び箱部３１との先端部分は、ともに、熱源となる抵抗加熱位置を境界としてヒートシンク６０がある側とは逆側に存在することになる。このため、第１の製造方法と同様に、肉厚部３６自体を抵抗加熱の対象とする場合に比べて、肉厚部３６の先端部分と連結部分とのピーク温度の差が小さくなるとともに、連結部分と先端部分がはんだ５１の融点に達するまでの時間の差は大幅に小さくなる。したがって、はんだ５１の濡れ性を良好なものとして、肉厚部３６の先端から箱部３１との連結部分に至るまではんだ５１を短時間で行き渡らせることが可能となる。こうして、加熱と熱引きとの温度勾配に起因するはんだ５１の濡れ性の悪質化が未然に防止される。
　さらに、本製造方法によれば、下側領域ＢＡＲのうち、その幅方向に有する１対の端の間をわたる部分が抵抗加熱の対象とされている。このため、第１の製造方法におけるレーザ加熱に比べて、下側領域ＢＡＲの一部を抵抗加熱の対象とする場合に比べて、こて先を介してパイプ部から熱引き部分へ回り込むように熱が伝導することを未然に回避することができる。したがって、肉厚部３６における先端部分と連結部分との温度勾配がより一段と抑制される。
（第３の製造方法）
　第３の製造方法では、上述の第１の製造方法の各工程Ｐ１～Ｐ５のうち、はんだ付け工程Ｐ４のみが第１の製造方法と異なっているため、そのはんだ付け工程Ｐ４についてのみ図９及び図１０を用いて説明する。図９は、誘導加熱用具を示す斜視図であり、図１０は、誘導加熱によるパイプ部のはんだ付けの様子を、真横及び真上から見た図である。
　第３の製造方法におけるはんだ付け工程Ｐ４は、誘導加熱によりはんだ付けされる点で、レーザ加熱によりはんだ付けされた第１の製造方法におけるはんだ付け工程Ｐ４と異なっている。
　第３の製造方法におけるはんだ付け工程Ｐ４では、加熱手段として、図９に示すように、誘導加熱用具８０が用いられる。この誘導加熱用具８０は、磁性コアＣＲと、コイルＣＬとを主な構成として備えている。磁性コアＣＲは、棒ブロックＣＲ１と、棒ブロックＣＲ１の一端に連結されその棒ブロックＣＲ１の長手方向に垂直となる方向に延在する棒ブロックＣＲ２と、棒ブロックＣＲ１の他端に連結され棒ブロックＣＲ２と平行に延在する棒ブロックＣＲ３とから成り、全体としてコ字状に形成されている。
　これら棒ブロックＣＲ１～ＣＲ３は、それぞれ、フェライトやダストコアなどの透磁率の高い磁性材料で成り、例えば断面が矩形とされる。棒ブロックＣＲ１の外周上には、コイルＣＬが巻回される。なお、コイルＣＬの巻回対象として、棒ブロックＣＲ１に代えて、あるいは、棒ブロックＣＲ１に加えて、棒ブロックＣＲ２又はＣＲ３が適用されても良い。要するに、棒ブロックＣＲ１～ＣＲ３の少なくとも一部の外周上にコイルＣＬが巻回されていれば良い。
　棒ブロックＣＲ２と、棒ブロックＣＲ３との幅は、パイプ部３５の外周幅（外径）よりも大きい幅とされる。また、棒ブロックＣＲ２と、棒ブロックＣＲ３の開放端には、棒ブロックＣＲ１が連結される端部側から開放端側に向かって斜めとなる平らな傾斜面ＩＦが形成されている。具体的には、棒ブロックＣＲ１が連結される端部側から開放端側に向かって、一方の側面から他方の側面に斜めに通る平面を切断面として、磁性コアＣＲが切断され、その平面が傾斜面ＩＦとされている。
　この傾斜面ＩＦは、図１０に示すように、箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲに当接される面とされ、具体的には磁性コアＣＲの内空に光ファイバを挿入させた状態で、下側領域ＢＡＲの外壁に当接される。
　このように下側領域ＢＡＲの外壁に傾斜面ＩＦが当接された状態で、誘導加熱用具８０のコイルＣＬに交流信号が印加された場合、そのコイルＣＬの磁力線が磁性コアＣＲに収束される。そして、磁性コアＣＲの間隙に生じる磁力線によって箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲに熱が誘導される。この熱は、箱部３１の側壁３１Ｃを介してはんだ５１に伝導することにより、はんだ５１が溶融する。この結果、はんだ５１は、肉厚部３６に広がる。
　以上説明したように、本実施形態における光モジュール１の第３の製造方法によれば、ヒートシンク６０により箱部３１の底壁３１Ｂが熱引きされている状態で、はんだ５１に対して、誘導加熱用具８０の誘導加熱により生じた熱が側壁３１Ｃから肉厚部３６に与えられる。このため、第１の製造方法と同様に、誘導加熱用具８０の誘導加熱に起因する半導体レーザ素子２０自体の温度上昇が大幅に低減される。この結果、誘導加熱用具８０の誘導加熱に起因する半導体レーザ素子２０の特質の劣化が抑制される。
　誘導加熱の対象が、箱部３１の側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲとされている。この場合、第１の製造方法と同様に、肉厚部３６における連結部分及び箱部３１との先端部分は、ともに、熱源となる誘導加熱位置を境界としてヒートシンク６０がある側とは逆側に存在することになる。このため、第１の製造方法と同様に、肉厚部３６自体を誘導加熱の対象とする場合に比べて、肉厚部３６の先端部分と連結部分とのピーク温度の差が小さくなるとともに、連結部分と先端部分がはんだ５１の融点に達するまでの時間の差は大幅に小さくなる。したがって、はんだ５１の濡れ性を良好なものとして、肉厚部３６の先端から箱部３１との連結部分に至るまではんだ５１を短時間で行き渡らせることが可能となる。こうして、加熱と熱引きとの温度勾配に起因するはんだ５１の濡れ性の悪質化が未然に防止される。
　本実施形態では、誘導加熱するものとして、コ字状の磁性コアＣＲと、その磁性コアＣＲの外周上に巻回されるコイルＣＬとを備える誘導加熱用具８０が用いられている。この誘導加熱用具８０の磁性コアＣＲがコ字状に形成されていることにより、その磁性コアＣＲの開放端から生じる磁力線は、例えば磁性コアＣＲがＵ字状に形成されている場合に比べて、より遠方に広がる。したがって、磁性コアＣＲの開放端が側壁３１Ｃにおける下側領域ＢＡＲに当接された場合には、下側領域ＢＡＲの内壁と外壁との双方を加熱対象とすることが可能となるとともに、パイプ部３５を加熱しつつも側壁３１Ｃを優先して加熱することが可能となる。このため、第１の製造方法におけるレーザ加熱や第２の製造方法における抵抗加熱よりも、肉厚部３６の先端部分と連結部分との温度勾配をより一段と抑制することが可能となる。
　また、本実施形態の磁性コアＣＲの開放端は、その開放端の逆側から開放端側に向かって斜めとなる平らな傾斜面ＩＦとして形成されているため、磁性コアＣＲの内空に光ファイバを挿入させた状態で、下側領域ＢＡＲの外壁に当接することが可能となる。
　なお、パイプ部３５の透磁率に比べて、少なくともそのパイプ部３５が連結されている側壁３１Ｃの透磁率が高い関係にあることが好ましい。具体的には、例えば、パイプ部３５の材料をコバール（登録商標）（比透磁率８００）とし、側壁３１Ｃの材料を軟鉄（比透磁率２０００）とする等といったように、パイプ部３５と側壁３１Ｃとの材料を相違させることで実現可能である。このようにすれば、パイプ部３５よりも側壁３１Ｃに磁束がより一段と集中するため、パイプ部３５の肉厚部３６に比べて、箱部３１の側壁３１Ｃの単位空間当たりの誘導加熱量が大きくなる。したがって、肉厚部３６の先端部分と連結部分との温度勾配をより一段と抑制することが可能となる。
　以上、本発明について上記実施形態を例に説明したが、本発明はこれに限らない。
　上記第１の製造方法における第２はんだ付け工程では、レーザ光Ｌの照射位置が１箇所とされたが、複数箇所とされても良い。なお、下側領域ＢＡＲのうち、パイプ部３５が連結される側壁３１Ｃとパイプ部３５との境界に沿って、所定間隔ごとに、照射位置が設けられた場合、当該境界の下側を囲むように側壁３１Ｃが加熱されることになる。このため、パイプ部３５から熱引き部分となるヒートシンク６０へ回り込むように熱が伝導することが回避され、パイプ部３５と側壁３１Ｃとの境界付近での温度勾配が確実に抑制される。同様に、下側領域ＢＡＲのうち、パイプ部３５が連結される側壁３１Ｃの幅方向に沿って、その幅方向に有する１対の端の間を所定間隔ごとに、照射位置が設けられた場合も、パイプ部３５からヒートシンク６０へ回り込むように熱が伝導することを抑制できる。
　上記第２の製造方法における第２はんだ付け工程では、下側領域ＢＡＲのうち、その幅方向に有する１対の端の間をわたる部分が抵抗加熱の対象とされたが、下側領域ＢＡＲのうち、パイプ部３５が連結される側壁３１Ｃとパイプ部３５との境界の下側を囲む部分が抵抗加熱の対象とされても良い。このようにすれば、上述したように、パイプ部３５からヒートシンク６０へ回り込むように熱が伝導することが回避され、パイプ部３５と側壁３１Ｃとの境界付近での温度勾配が確実に抑制される。
　上記第３の製造方法で用いられる誘導加熱用具８０の磁性コアＣＲが、コ字状に形成されたが、Ｕ字状に形成されても良く、それ以外の形状が適用されても良い。また、磁性コアＣＲの断面も、矩形に限らず、円又は楕円等、様々な形状を適用することができる。
　上記実施形態では、箱部３１の形状として、中空の直方体状が適用されたが、中空の円柱状であっても良く、これら以外の様々な形状が適用されてもよい。
　上記実施形態では、パイプ部３５として、断面が円となるものが適用されたが、断面が矩形となるものであっても良く、これら以外の断面形状のものが適用されも良い。また、パイプ部３５の厚みは部位ごとに相違されたが、同じとされていても良い。
　上記実施形態では、光素子として、半導体レーザ素子２０を用いた光モジュール１が例にされたが、これに限らず、例えば、誘電体結晶を用いた光通信用ＬｉＮｂＯ３変調器などのように、他の光素子を用いた光モジュールが適用できる。
　以上説明したように、本発明によれば信頼性の高い光モジュールを製造することができる光モジュールの製造方法を提供され、励起光源の製造や、光通信用ＬｉＮｂＯ３変調器の製造等に活用可能である。
　１・・・光モジュール
　１０・・・光ファイバ
　１１・・・コア
　１２・・・クラッド
　１３・・・被覆層
　１６・・・メタライズ層
　２０・・・半導体レーザ素子
　３０・・・筐体
　３１・・・箱部
　３５・・・パイプ
　３６・・・肉厚部
　３７・・・肉薄部
　４１・・・レーザサブマウント
　４２・・・ファイバサブマウント
　５１・・・はんだ
　５２・・・結合部材
　６０・・・ヒートシンク
　７０・・・はんだこて
　８０・・・誘導加熱用具
　ＢＡＲ・・・下側領域
　ＣＲ・・・磁性コア
　ＣＬ・・・コイル
　Ｈ・・・貫通孔
　Ｈｖ・・・開口
　ＩＦ・・・傾斜面
　Ｌ・・・レーザ光
　Ｐ１・・・準備工程
　Ｐ２・・・配置工程
　Ｐ３・・・ファイバ結合工程
　Ｐ４・・・はんだ付け工程
　Ｐ５・・・充填工程

Claims (5)

  1. 　一方の端部のクラッドが露出された光ファイバを準備する準備工程と、
    　光素子を収容すべき箱部に一端が連結されその箱部の外側に延在するパイプ部を介して、前記クラッドの露出部分の少なくとも先端が箱部内に位置するよう前記光ファイバを配置する配置工程と、
    　前記光素子が収容された箱部の一部が熱引きされた状態において、その熱引き部分と前記パイプ部とに介在する箱部の壁領域の少なくとも一部を加熱して、前記パイプ部の内壁と前記光ファイバとをはんだ付けするはんだ付け工程と、
    を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。
  2. 　前記はんだ付け工程において、前記壁領域のうち、前記パイプ部が連結される壁の幅方向に有する１対の端の間をわたって加熱する
    ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュールの製造方法。
  3. 　前記はんだ付け工程において、前記壁領域のうち、前記パイプ部が連結される壁と前記パイプとの境界に沿って加熱する
    ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュールの製造方法。
  4. 　前記はんだ付け工程において、コイルが巻回された磁性コアに生じる磁力線により誘導加熱する
    ことを特徴とする請求項２又は３に記載の光モジュールの製造方法。
  5. 　前記パイプ部が連結される壁は、前記パイプ部よりも透磁率が高いものとされる
    ことを特徴とする請求項４に記載の光モジュールの製造方法。
PCT/JP2012/070961 2011-10-18 2012-08-20 光モジュールの製造方法 WO2013058011A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280047309.5A CN103827717B (zh) 2011-10-18 2012-08-20 光模块的制造方法
EP12840921.6A EP2770356B1 (en) 2011-10-18 2012-08-20 Method for manufacturing optical module
US14/254,185 US9586280B2 (en) 2011-10-18 2014-04-16 Method for manufacturing optical module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011229197A JP5159939B1 (ja) 2011-10-18 2011-10-18 光モジュールの製造方法
JP2011-229197 2011-10-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/254,185 Continuation US9586280B2 (en) 2011-10-18 2014-04-16 Method for manufacturing optical module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013058011A1 true WO2013058011A1 (ja) 2013-04-25

Family

ID=48013555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/070961 WO2013058011A1 (ja) 2011-10-18 2012-08-20 光モジュールの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9586280B2 (ja)
EP (1) EP2770356B1 (ja)
JP (1) JP5159939B1 (ja)
CN (1) CN103827717B (ja)
WO (1) WO2013058011A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2901188B1 (en) * 2012-09-27 2022-09-21 Dow Global Technologies LLC Metallized optical fiber
CN104070282B (zh) * 2014-06-30 2016-05-04 北京航天时代光电科技有限公司 一种光电探测器尾纤耦合焊接装置及方法
JP6540745B2 (ja) * 2017-03-31 2019-07-10 住友大阪セメント株式会社 光学素子モジュール
CN107511579B (zh) * 2017-10-16 2019-08-16 武汉光迅科技股份有限公司 一种非接触式光纤金属管焊接装置及其使用方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0212114A (ja) * 1988-06-29 1990-01-17 Fujitsu Ltd ファイバ導入型パッケージとその気密封止方法
JPH09166727A (ja) * 1995-10-25 1997-06-24 Boeing Co:The 光電子パッケージ
JP2002350689A (ja) 2001-05-22 2002-12-04 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体レーザモジュールのパッケージネック部の封止構造及び封止方法
JP2005301180A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光モジュール、光モジュール気密封止方法および光モジュール用金属フェルール付光ファイバ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3801938A1 (de) * 1988-01-23 1989-08-03 Standard Elektrik Lorenz Ag Optoelektrische koppelanordnung und verfahren zu deren herstellung
JPH07287130A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Oki Electric Ind Co Ltd 光ファイバモジュール
JP3592406B2 (ja) * 1995-07-10 2004-11-24 富士通株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
JP3420406B2 (ja) * 1995-09-29 2003-06-23 京セラ株式会社 光通信用モジュール
JPH09161962A (ja) * 1995-12-07 1997-06-20 Tokuden Co Ltd 誘導発熱装置
KR100265066B1 (ko) * 1997-08-28 2000-09-01 윤종용 비접촉 납땜을 이용한 광부품의 고정장치 및그 방법
US8215850B2 (en) * 2009-12-29 2012-07-10 Prasad Yalamanchili Optical module with fiber feedthrough
JP5534902B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-02 株式会社フジクラ 発光素子モジュール
JP5394989B2 (ja) * 2010-06-03 2014-01-22 株式会社フジクラ 光モジュールの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0212114A (ja) * 1988-06-29 1990-01-17 Fujitsu Ltd ファイバ導入型パッケージとその気密封止方法
JPH09166727A (ja) * 1995-10-25 1997-06-24 Boeing Co:The 光電子パッケージ
JP2002350689A (ja) 2001-05-22 2002-12-04 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体レーザモジュールのパッケージネック部の封止構造及び封止方法
JP2005301180A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光モジュール、光モジュール気密封止方法および光モジュール用金属フェルール付光ファイバ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2770356A4

Also Published As

Publication number Publication date
US9586280B2 (en) 2017-03-07
JP5159939B1 (ja) 2013-03-13
JP2013088630A (ja) 2013-05-13
EP2770356B1 (en) 2016-02-24
US20140224787A1 (en) 2014-08-14
EP2770356A1 (en) 2014-08-27
EP2770356A4 (en) 2015-03-11
CN103827717B (zh) 2015-12-02
CN103827717A (zh) 2014-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5159939B1 (ja) 光モジュールの製造方法
EP2800214B1 (en) Laser module and method for manufacturing same
CN104570236A (zh) 高速蝶形封装光发射器组件
JP2015509668A (ja) 小型化された固体レーザ発振装置、システム、及び方法
WO2013128728A1 (ja) 光モジュール及びその製造方法
JP2015102786A (ja) 光学素子モジュール
US9008146B2 (en) Semiconductor laser excitation solid-state laser
JP2011253091A (ja) 光モジュールの製造方法
US9335489B2 (en) Manufacturing method for optical module
JP2007271674A (ja) 光デバイス
JP5102380B2 (ja) ファイバマウント装置、及び、それを用いた光モジュール、及び、光モジュールの製造方法
JP2013089466A (ja) 誘導加熱用具及びそれを用いた光モジュールの製造方法
JP2013050484A (ja) 光モジュールの製造方法
JP5111644B2 (ja) 光ファイバ固定方法、及びレーザモジュールの製造方法
JP5508249B2 (ja) 光モジュールの製造方法
WO2013046823A1 (ja) 光モジュールの製造方法
WO2024062787A1 (ja) Ｃａｎパッケージ型レーザ光源装置
KR101352133B1 (ko) 고출력 레이저 모듈 패키징용 6면체 구조의 메탈 페룰
WO2013018426A1 (ja) レーザモジュールの製造方法、及び、それに用いる光ファイバ用ハンド
WO2012101815A1 (ja) 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
JP2014098926A (ja) 光モジュールの製造方法
JP2007133260A (ja) 光導波路基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12840921

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012840921

Country of ref document: EP