WO2013045207A1 - Siebdruckschablone und verfahren zum beschichten von siebdruckschablonen - Google Patents

Siebdruckschablone und verfahren zum beschichten von siebdruckschablonen Download PDF

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WO2013045207A1
WO2013045207A1 PCT/EP2012/067104 EP2012067104W WO2013045207A1 WO 2013045207 A1 WO2013045207 A1 WO 2013045207A1 EP 2012067104 W EP2012067104 W EP 2012067104W WO 2013045207 A1 WO2013045207 A1 WO 2013045207A1
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coating
screen printing
screen
plasma
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PCT/EP2012/067104
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Florian Eder
Heinrich Zeininger
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Siemens Aktiengesellschaft
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    • B41M1/125—Stencil printing; Silk-screen printing using a field of force, e.g. an electrostatic field, or an electric current
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
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    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
    • H05K3/1225—Screens or stencils; Holders therefor

Definitions

  • the present invention relates to a screen printing stencil and method for coating screen printing stencils, in particular with non-stick coatings for solder pastes.
  • Circuit board surface mounting involves a series of complex manufacturing processes involving, among other things, applying various substances to the circuit board. Due to the progressive miniaturization increasingly high viscous and viscous-sticky substances such as solder pastes are used, which ensures the required dimensional stability in pasty state on the circuit board.
  • solder pastes For surface mount technology (SMT), screen printing techniques are often used to apply printed or soldered paste or adhesive to printed circuit boards at specific locations using a screen printing stencil according to a predetermined print pattern. In this case, the solder paste or the adhesive paste is applied with a squeegee through the pressure structure corresponding recesses of a metallic stencil body through to the respective circuit board. The resulting paste areas form pads, onto which electronic components, for example, with a pick and place machine ("Pick
  • Screen printing stencils can essentially consist of a dimensionally stable frame on which a fine metal wire fabric is glued under pretension. In a central region of this metal wire fabric, a thin pattern metal template is attached to the print pattern from the recesses.
  • the screen printing stencils have to be downsized in accordance with the miniaturization of the electronic components. In this case, there is the risk that soldering or adhesive spots or paste depots adhere to the opening edges or walls of the metal used as the stencil material, as determined by the respective printing pattern, so that the corresponding recesses can grow successively. This, in turn, often results in the outer edges of the pads applied to the printed circuit board tearing or tearing when the printing stencil is lifted off.
  • the document DE 10 2005 045 350 A1 discloses a process for the wet-chemical coating of printing stencils with non-stick coatings of metal alkoxide coating materials, for example in sol-gel processes.
  • Document DE 102 31 698 A1 discloses a method for coating printing stencils with an anti-adhesion coating of siloxane- or hydrocarbon-based layers in a low-pressure plasma process.
  • the document DE 10 2007 010 936 A1 discloses a screen printing stencil with a nanocrystalline non-stick coating.
  • One example is therefore a screen printing stencil with a stencil body, wherein the stencil body has a surface coating hydrocarbon-based, organic precursor molecules (also called precursor molecules) has.
  • hydrocarbon-based, organic precursor molecules also called precursor molecules
  • An essential idea of the invention is to provide an anti-stick coating for screen printing stencils, which at the same time offers good non-stick properties over pasty printing materials and at the same time can be applied by an easy-to-implement and cost-effective process.
  • the surface coating in a cleaning process which is very compatible with the application process, can be removed again without residue, whereby the reusability of the screen printing stencil can be significantly improved while at the same time retaining high quality printing properties.
  • the precursor molecules may comprise ethane, acetylene, methane, cycloaromatics, partially fluorinated hydrocarbons and / or mixtures of these molecules.
  • the surface coating can develop an anti-adhesion effect against pasty printing materials, such as, for example, solder pastes or adhesive pastes.
  • the surface coating can advantageously be removed again from the screen printing stencil in a plasma cleaning process, so that a new coating of the screen printing stencil remains possible in a simple manner.
  • the stencil body may have a multiplicity of recesses which are designed to guide a printing material in a predetermined printing structure through the screen-printing stencil onto a printed-circuit board to be printed.
  • the surface coating is particularly suitable because the surface coating can be applied to the stencil body in a plasma process, whereby edges and
  • Structural pattern of the screen stencil can be uniformly coated, which in turn improves the process reliability of the screen printing process.
  • the surface coating may cover the inner walls of the recesses with a homogeneous layer thickness. This offers the advantage that a particularly contour-sharp screen printing is possible with the screen printing stencil.
  • the present invention in one aspect, provides a method of coating a screen printing stencil comprising the step of depositing a layer of hydrocarbon based organic precursor molecules on the surface of a stencil body of the stencil sheet using a plasma coating equipment, particularly an atmospheric pressure plasma coating equipment.
  • a plasma coating equipment particularly an atmospheric pressure plasma coating equipment.
  • This process is distinguished from wet-chemical processes in that the problem of wetting is reduced. The process ensures good layer properties, for example a low susceptibility to mechanical stress, a good hydrolysis resistance and a high resistance to solvents.
  • the step of cleaning the stencil body may be the step
  • Screen stencil of printed matter residues and / or organic contaminants using a plasma plasma coating system can be performed. This offers the advantage that re-coating and preceding cleaning of the screen printing stencil can be carried out in a single plasma system, resulting in considerable time and cost savings.
  • the step of cleaning may be performed using oxygen, compressed air or forming gas as a process gas. This not only removes organic contaminants, but also inorganic particles through the process gas flow and in the plasma occurring neutralization of surface particle charges are blown off in a simple and effective manner.
  • a surface coating already present on the stencil body can be removed. This ensures that a fresh surface coating can be applied to each cleaning, which can significantly improve the reliability of the screen printing stencil during printing and thus the process reliability.
  • the stencil body is kept at a temperature of less than 10 ° C. in the step of deposition. On the one hand, this can increase the deposition rates and, on the other hand, the structural chemical properties of the deposited layer can be improved.
  • the step of depositing may be performed using forming gas or other hydrogen-argon mixture as the ionization gas.
  • the step of depositing may be performed under atmospheric pressure. This is particularly expedient, since a plasma coating under atmospheric pressure is particularly efficient and inexpensive to perform.
  • the present invention provides a stencil cleaning apparatus which is adapted to provide a method of coating a stencil sheet according to the present invention
  • FIG. 1 is a schematic representation of a Siebdruckschab- lone according to one aspect of the invention
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a section of a screen printing stencil according to a further aspect of the invention
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a method for coating a screen printing stencil according to a further aspect of the invention.
  • the described embodiments and developments can, if appropriate, combine with one another as desired. Further possible refinements, developments and implementations of the invention also include combinations of the features of the invention which have not been explicitly mentioned above or described below with regard to the exemplary embodiments.
  • the screen printing stencil 2 has a stencil body 2 a, which may be made of a steel such as, in particular, a stainless steel, for example a CrNi steel, or of Ni or another Ni alloy ,
  • the thickness D of the template body 2a may, for example, be between 100 and 5000 ⁇ m.
  • recesses 3 or other apertures or apertures can be incorporated into the template body 2 a by means of laser technology or electroforming methods.
  • the maximum dimension a of these recesses 3 can, for example, be between 200 ⁇ and 500 ⁇ , for example, at about 300 ⁇ .
  • the maximum dimension a depends on the desired size of the pad or contact surface to be applied to an underlying printed circuit board 5, made of a printing material, in particular a solder paste or adhesive paste.
  • the shape of the recesses 3 can be dependent on a printed pattern to be applied to the printed circuit board 5.
  • the print pattern can be designed to be one
  • the screen printing stencil 2 is for the printing process on the
  • Printed circuit board 5 From the open side of the recesses 3, a soldering or adhesive paste is then introduced by means of a doctor blade sweeping over the free surface of the screen printing stencil 2.
  • the stencil body 2a In order for the soldering or adhesive paste to be able to detach well from the screen printing stencil 2, in particular from the inner walls 7 of its recesses 3 after this printing process during subsequent lifting of the screen printing stencil 2, the stencil body 2a is provided completely or at least partially with a surface coating 6 as shown schematically in Fig. 2 for a in Fig. 1 denoted by II section.
  • the surface coating 6 is anti-adhesive to a solder paste or adhesive paste, that is, the tear-off behavior on the inner walls 7 of the recesses 3 of the screen printing stencil 2 is reduced or suppressed by the surface coating 6.
  • the surface coating 6 may consist of hydrocarbon-based, organic precursor molecules. be built. Such precursor molecules may include, for example, ethane, acetylene, methane, cycloaromatics, ethylbenzene partially fluorinated hydrocarbons and / or mixtures of these molecules.
  • a possible mixture for the surface coating 6 may comprise, for example, a mixture of acetylene and methane.
  • the layer thickness d of the surface coating 6 may be, for example, between 50 nm and 1000 nm. It is advantageous if the layer thickness d, in particular in the region of the inner walls 7 of the recesses 3 and their edges and corners is homogeneously applied to the stencil body 2a, that is, a conformal surface coating 6 is applied to the stencil body 2a. As a result, the contour sharpness of the printing process increases with the screen printing stencil 2.
  • the method 10 can be, for example, a plasma coating method which can be carried out in a plasma coating plant under atmospheric pressure.
  • the method 10 may be performed in an atmospheric pressure plasma system (Plasmatreat AS400) at a plasma frequency of less than 22 kHz, with a plasma cycle time of less than 30% and the use of compressed air, forming gas, or a hydrogen-argon mixture as the process gas.
  • a cleaning of the stencil body of the screen printing stencil of printed material residues and / or organic impurities such as flux residues can first be carried out with the aid of a plasma of the plasma coating installation.
  • all organic and inorganic impurities can be removed.
  • oxygen, compressed air, forming gas or a hydrogen-argon mixture can be used, so that in the strong air flow the corresponding solid particles are simply blown away.
  • the cleaning of a screen printing stencil which is coated with a surface coating can be carried out much easier and faster than the cleaning of an uncoated screen printing stencil.
  • the surface coating can also be removed at the same time in step 11, so that after step 11 there is again a screen printing stencil freed from all molecules.
  • a layer of hydrocarbon-based, organic precursor molecules is then deposited on the surface of the optionally cleaned scraper body of the screen printing stencil with the aid of the same plasma coating system which has optionally been used to clean the screen printing stencil. This offers increased efficiency in the process chain since the screen printing stencils do not have to be converted into another system.
  • the plasma nozzle which may for example be provided with a built-in potential grid, can be switched over to coating operation, that is to say, when precursor molecules are added to the plasma, they become polymeric
  • Anti-stick coating deposited on the surface of the template body This deposition therefore offers the advantage of uniform deposition even on inner walls, edges and corners of the recesses in the screen printing stencil.
  • the step 12 of deposition may also be performed, for example, when a screen-printing stencil has just been adapted due to layout changes of the printing pattern and therefore has to be recoated.
  • the surface coating of the screen printing stencil may occur when using
  • Ethyl benzene Reasseormolekülen example have a contact angle of about 105 ° and a hysteresis of 8 °.
  • the deposition step 12 may be performed, for example, with forming gas or other hydrogen-argon mixture as the ionization gas.
  • forming gas or other hydrogen-argon mixture as the ionization gas.
  • Varigon® Lide
  • the screen printing stencil can be cooled during deposition to a temperature below 50 ° C, especially below 10 ° C. Process values which ensure a low energy input into the plasma flame in order not to burn the precursor molecules can preferably be selected as process parameters.
  • the invention relates to a screen printing stencil with a stencil body, wherein the stencil body has a surface coating of hydrocarbon-based organic precursor molecules. Furthermore, the invention relates to a plasma coating method for coating a screen printing stencil, wherein a layer of hydrocarbon-based, organic precursor molecules is deposited on the surface of the stencil body of the screen printing stencil.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Siebdruckschablone (2), mit einem Schablonenkörper (2a), wobei der Schablonenkörper (2a) eine Oberflächenbeschichtung (6) aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Plasmabeschichtungsverfahren zum Beschichten einer Siebdruckschablone (2), wobei eine Schicht (6) aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen auf der Oberfläche des Schablonenkörpers (2a) der Siebdruckschablone (2) abgeschieden wird.

Description

Beschreibung
Siebdruckschablone und Verfahren zum Beschichten von Siebdruckschablonen
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Siebdruckschablone und Verfahren zum Beschichten von Siebdruckschablonen, insbesondere mit Anti-Haft-Beschichtungen für Lotpasten. Stand der Technik
Oberflächenbestückung von Leiterplatten umfasst eine Abfolge komplexer Fertigungsprozesse, bei denen unter anderem verschiedene Substanzen auf der Leiterplatte aufgebracht werden. Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung kommen verstärkt hochviskose und zäh-klebrige Substanzen wie beispielsweise Lotpasten zum Einsatz, die im pastösen Zustand auf der Leiterplatte die nötige Formstabilität gewährleistet. Zur Aufbringung in der Oberflächenbestückung (SMT, "surface mounting technology" ) werden häufig Siebdruckverfahren verwendet, mithilfe derer Leiterplatten mittels einer Siebdruckschablone gemäß einer vorgegebenen Druckstruktur an bestimmten Stellen mit einer Druck- oder Lotpaste oder mit einem Kleber versehen werden. Dabei wird die Lotpaste bzw. die Kleberpaste mit einem Rakel durch der Druckstruktur entsprechende Ausnehmungen eines metallischen Schablonenkörpers hindurch auf die jeweilige Leiterplatte aufgebracht. Die so entstehenden Pastenbereiche bilden Pads, auf welche elektronische Kom- ponenten beispielsweise mit einer Bestückungsmaschine ("Pick
& Place " -Automat ) aufgebracht und fixiert werden.
Siebdruckschablonen können dabei im Wesentlichen aus einem formsteifen Rahmen bestehend, auf den ein feines Metalldraht- gewebe unter Vorspannung aufgeklebt ist. In einem mittleren Bereich dieses Metalldrahtgewebes ist eine das Druckmuster aus den Ausnehmungen aufweisende, dünnwandige Metallschablone befestigt . Die Siebdruckschablonen müssen dabei entsprechend der Miniaturisierung der elektronischen Komponenten verkleinert werden. Hierbei ergibt sich die Gefahr, dass Löt- oder Klebe- punkte oder Pastendepots an den durch das jeweilige Druckmuster bestimmten Öffnungsrändern oder -wänden des als Schablonenmaterial verwendeten Metalls anhaften, so dass die entsprechenden Ausnehmungen sukzessive zuwachsen können. Dies wiederum hat häufig ein Aus- oder Einreißen der Außenränder der auf die Leiterplatte aufgebrachten Pads beim Abheben der Druckschablone zur Folge. Die Anforderungen hinsichtlich eines gewünschten konturenscharfen Druckbildes auf der Leiterplatte können dann unter Umständen nicht mehr erfüllt werden. Die Druckschrift DE 10 2005 045 350 AI offenbart ein Verfahren zur nasschemischen Beschichtung von Druckschablonen mit Anti-Haft-Beschichtungen aus metallalkoxidischen Beschich- tungsmaterialien, beispielsweise in Sol-Gel-Prozessen . Die Druckschrift DE 102 31 698 AI offenbart ein Verfahren zur Beschichtung von Druckschablonen mit einer Anti-Haft- Beschichtung aus siloxan- oder kohlenwasserstoffbasierten Schichten in einem Niederdruckplasmaprozess . Die Druckschrift DE 10 2007 010 936 AI offenbart eine Siebdruckschablone mit einer nanokristallinen Anti-Haft- Beschichtung .
Es besteht ein Bedarf an chemisch und mechanisch stabilen, häufig wiederverwendbaren und leicht zu reinigenden Siebdruckschablonen und entsprechenden Fertigungsverfahren für derartige Siebdruckschablonen.
Zusammenfassung der Erfindung
Ein Beispiel besteht daher in einer Siebdruckschablone, mit einem Schablonenkörper, wobei der Schablonenkörper eine Ober- flächenbeschichtung aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen (auch Precursor-Moleküle genannt) aufweist.
Eine wesentliche Idee der Erfindung besteht darin, eine Anti- Haft-Beschichtung für Siebdruckschablonen zu schaffen, welche zugleich gute Anti-Haft-Eigenschaften gegenüber pastösen Druckmaterialien bietet und gleichzeitig durch einen einfach zu implementierenden und kostengünstigen Prozess aufzubringen ist. Darüber hinaus bietet sich der zusätzliche Vorteil, dass sich die Oberflächenbeschichtung in einem mit dem Aufbrin- gungsprozess sehr gut kompatiblen Reinigungsprozess wieder rückstandsfrei ablösen lässt, wodurch sich die Wiederverwendbarkeit der Siebdruckschablone bei gleichzeitig qualitativ auf hohem Niveau bleibenden Druckeigenschaften erheblich ver- bessern lässt.
Gemäß einer Ausführungsform können die Präkursormoleküle Ethan, Acetylen, Methan, Cycloaromaten, teilfluorierte Kohlenwasserstoffe und/oder Mischungen dieser Moleküle umfassen. Dadurch kann die Oberflächenbeschichtung eine Anti-Haft- Wirkung gegenüber pastösen Druckmaterialien, wie beispielsweise Lotpasten oder Klebepasten entfalten. Zugleich kann die Oberflächenbeschichtung vorteilhafterweise in einem Plasma- reinigungsprozess wieder von der Siebdruckschablone abgelöst werden, so dass eine Neubeschichtung der Siebdruckschablone in einfacher Weise möglich bleibt.
Gemäß einer Ausführungsform kann der Schablonenkörper eine Vielzahl von Ausnehmungen aufweisen, welche dazu ausgelegt sind, ein Druckmaterial in einer vorbestimmten Druckstruktur durch die Siebdruckschablone auf eine zu bedruckende Leiterplatte zu führen. Für derartige Siebdruckschablonen ist die Oberflächenbeschichtung besonders geeignet, da die Oberflächenbeschichtung in einem Plasmaprozess auf den Schablonen- körper aufgebracht werden kann, wodurch auch Kanten und
Strukturmuster der Siebdruckschablone gleichmäßig beschichtet werden können, was wiederum die Prozesssicherheit des Siebdruckprozesses verbessert. Gemäß einer Ausführungsform kann die Oberflächenbeschichtung die Innenwände der Ausnehmungen mit einer homogenen Schichtdicke bedecken. Dies bietet den Vorteil, dass ein besonders konturenscharfer Siebdruck mit der Siebdruckschablone möglich wird .
Die vorliegende Erfindung schafft gemäß einem Aspekt ein Verfahren zum Beschichten einer Siebdruckschablone, mit dem Schritt des Abscheidens einer Schicht aus kohlenwasserstoff- basierten, organischen Präkursormolekülen auf der Oberfläche eines Schablonenkörpers der Siebdruckschablone mithilfe einer Plasmabeschichtungsanlage , insbesondere einer Atmosphä- rendruckplasmabeschichtungsanlage . Dieses Verfahren zeichnet gegenüber nasschemischen Prozessen dadurch aus, dass die Be- netzungsproblematik reduziert wird. Das Verfahren gewährleistet gute Schichteigenschaften, beispielsweise eine geringe Anfälligkeit gegenüber mechanischem Stress, eine gute Hydrolysebeständigkeit und eine hohe Beständigkeit gegenüber Lö- sungsmitteln . Schließlich kann vorteilhafterweise auf den
Einsatz von Lösemitteln oder Tensiden sowie auf eine thermische Härtung der Präkursormolekülschicht verzichtet werden.
Gemäß einer Ausführungsform kann vor dem Schritt des Abschei- dens der Schritt des Reinigens des Schablonenkörpers der
Siebdruckschablone von Druckmaterialresten und/oder organischen Verunreinigungen mithilfe eines Plasmas der Plasmabeschichtungsanlage durchgeführt werden. Dies bietet den Vorteil, dass Neubeschichtung und vorangehende Reinigung der Siebdruckschablone in einer einzigen Plasmaanlage durchgeführt werden können, was zu erheblicher Zeit- und Kostenersparnis führt.
Gemäß einer Ausführungsform kann der Schritt des Reinigens unter Verwendung von Sauerstoff, Druckluft oder Formiergas als Prozessgas durchgeführt wird. Dadurch können nicht nur organische Verunreinigungen entfernt, sondern auch anorganische Partikel durch den Prozessgasstrom und die im Plasma auftretende Neutralisierung der Oberflächenpartialladungen in einfacher und effektiver Weise abgeblasen werden.
Gemäß einer Ausführungsform kann im Schritt des Reinigens ei- ne bereits auf dem Schablonenkörper vorhandene Oberflächenbe- schichtung entfernt werden. Dadurch kann sichergestellt werden, dass bei jeder Reinigung eine frische Oberflächenbe- schichtung aufgetragen werden kann, was die Verlässlichkeit der Siebdruckschablone beim Drucken und damit die Prozesssi- cherheit erheblich verbessern kann.
Erfindungsgemäß wird der Schablonenkörper im Schritt des Ab- scheidens auf einer Temperatur von unter 10 °C gehalten. Einerseits können dadurch die Abscheideraten erhöht, und ande- rerseits die strukturellen chemischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht verbessert werden.
Gemäß einer Ausführungsform kann der Schritt des Abscheidens unter Verwendung von Formiergas oder einer anderen Wasser- stoff-Argon-Mischung als Ionisationsgas durchgeführt werden.
Gemäß einer Ausführungsform kann der Schritt des Abscheidens unter Atmosphärendruck durchgeführt werden. Dies ist besonders zweckmäßig, da eine Plasmabeschichtung unter Atmosphä- rendruck besonders effizient und kostengünstig durchzuführen ist .
Die vorliegende Erfindung schafft gemäß einem weiteren Aspekt eine Druckschablonenreinigungsanlage, welche dazu ausgelegt ist, ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Beschichten einer
Siebdruckschablone durchzuführen .
Weitere Modifikationen und Variationen ergeben sich aus den Merkmalen der abhängigen Ansprüche.
Kurze Beschreibung der Figuren
Verschiedene Ausführungsformen und Ausgestaltungen der vor- liegenden Erfindung werden nun in Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen genauer beschrieben, in denen
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Siebdruckschab- lone gemäß einem Aspekt der Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Ausschnitts einer Siebdruckschablone gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ; und
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zum Beschichten einer Siebdruckschablone gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung zeigt. Die beschriebenen Ausgestaltungen und Weiterbildungen lassen sich, sofern sinnvoll, beliebig miteinander kombinieren. Weitere mögliche Ausgestaltungen, Weiterbildungen und Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Aus- führungsbeispiele beschriebenen Merkmale der Erfindung.
Die beiliegenden Zeichnungen sollen ein weiteres Verständnis der Ausführungsformen der Erfindung vermitteln. Sie veranschaulichen Ausführungsformen und dienen im Zusammenhang mit der Beschreibung der Erklärung von Prinzipien und Konzepten der Erfindung. Andere Ausführungsformen und viele der genannten Vorteile ergeben sich im Hinblick auf die Zeichnungen. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu zueinander gezeigt. Gleiche Bezugszeichen be- zeichnen dabei gleiche oder ähnlich wirkende Komponenten.
Ausführliche Beschreibung der Erfindung
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Siebdruck- Schablone 2. Die Siebdruckschablone 2 weist einen Schablonenkörper 2a auf, welcher beispielsweise aus einem Stahl wie insbesondere einem Edelstahl, zum Beispiel einem CrNi-Stahl, oder aus Ni oder einer anderen Ni-Legierung bestehen kann. Die Dicke D des Schablonenkörpers 2a kann beispielsweise zwischen 100 und 5000 μπι liegen.
In den Schablonenkörper 2a können zum Beispiel mittels Laser- technologie oder galvanoplastischer Verfahren Ausnehmungen 3 oder sonstige Durchbrüche bzw. Aperturen eingearbeitet sein. Die maximale Abmessung a dieser Ausnehmungen 3 kann beispielsweise zwischen 200 μπι und 500 μπι, beispielsweise bei etwa 300 μπι liegen. Die maximale Abmessung a hängt von der gewünschten Größe des auf einer darunter liegenden Leiterplatte 5 aufzubringenden Pads bzw. Kontaktierungsfläche aus einem Druckmaterial wie insbesondere einer Lot- oder Klebepaste ab. Die Form der Ausnehmungen 3 kann dabei von einem auf die Leiterplatte 5 aufzubringenden Druckmuster abhängig sein. Das Druckmuster kann dabei dazu ausgelegt sein, ein
Druckmaterial in einer vorbestimmten Struktur durch die Siebdruckschablone 2 auf die zu bedruckende Leiterplatte 5 zu führen . Die Siebdruckschablone 2 wird für den Druckprozess auf die
Leiterplatte 5 aufgedrückt. Von der offenen Seite der Ausnehmungen 3 her wird dann eine Lot- oder Klebepaste mittels einer über die freie Oberfläche der Siebdruckschablone 2 hinweg streichenden Rakels eingebracht. Damit sich nach diesem Druckprozess beim anschließenden Abheben der Siebdruckschablone 2 von der Leiterplatte 5 die Lot- oder Klebepaste gut von der Siebdruckschablone 2 , insbesondere von den Innenwänden 7 ihrer Ausnehmungen 3 lösen kann, ist der Schablonenkörper 2a vollständig oder zumindest bereichsweise mit einer Oberflächenbeschichtung 6 versehen, wie in Fig. 2 schematisch für einen in Fig. 1 mit II bezeichneten Ausschnitt gezeigt.
Die Oberflächenbeschichtung 6 wirkt gegenüber einer Lot- oder Klebepaste anti-haftend, das heißt, das Abreißverhalten an den Innenwänden 7 der Ausnehmungen 3 der Siebdruckschablone 2 wird durch die Oberflächenbeschichtung 6 verringert bzw. unterdrückt . Dabei kann die Oberflächenbeschichtung 6 aus koh- lenwasserstoffbasierten , organischen Präkursormolekülen auf- gebaut sein. Derartige Präkursormoleküle können beispielsweise Ethan, Acetylen, Methan, Cycloaromaten, Ethylbenzol teilfluorierte Kohlenwasserstoffe und/oder Mischungen dieser Moleküle umfassen. Eine mögliche Mischung für die Oberflächen- beschichtung 6 kann beispielsweise eine Mischung aus Acetylen und Methan umfassen.
Die Schichtdicke d der Oberflächenbeschichtung 6 kann beispielsweise zwischen 50 nm und 1000 nm betragen. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Schichtdicke d insbesondere im Bereich der Innenwände 7 der Ausnehmungen 3 sowie deren Kanten und Ecken homogen auf dem Schablonenkörper 2a aufgebracht ist, das heißt, eine konforme Oberflächenbeschichtung 6 auf dem Schablonenkörper 2a aufgebracht ist. Dadurch erhöht sich die Konturenschärfe des Druckprozesses mit der Siebdruckschablone 2.
Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung eines Verfahrens 10 zum Beschichten einer Siebdruckschablone, insbesondere ei- ner Siebdruckschablone 2 der Fig. 1 und 2. Das Verfahren 10 kann beispielsweise ein Plasmabeschichtungsverfahren sein, welches in einer Plasmabeschichtungsanlage unter Atmosphärendruck durchgeführt werden kann. Beispielsweise kann das Verfahren 10 in einer Atmosphärendruckplasmaanlage (Plasmatreat AS400) bei einer Plasmafrequenz von unter 22 kHz, mit einer Plasmazykluszeit von unter 30% und der Verwendung von Druckluft, Formiergas oder einer Wasserstoff-Argon-Mischung als Prozessgas durchgeführt werden. In einem optionalen Schritt 11 kann zunächst ein Reinigen des Schablonenkörpers der Siebdruckschablone von Druckmaterialresten und/oder organischen Verunreinigungen wie Flussmittelresten mithilfe eines Plasmas der Plasmabeschichtungsanlage durchgeführt werden. Beispielsweise können mit dem Reini- gungsschritt 11 alle organischen und anorganischen Verunreinigungen entfernt werden. Dazu kann beispielsweise Sauerstoff, Druckluft, Formiergas oder eine Wasserstoff-Argon- Mischung verwendet werden, so dass in dem starken Luftstrom die entsprechenden Feststoffpartikel einfach weggeblasen werden. Das Reinigen einer Siebdruckschablone, welche mit einer Oberflächenbeschichtung beschichtet ist, kann dabei erheblich einfacher und schneller durchgeführt werden, als das Reinigen einer unbeschichteten Siebdruckschablone.
Je nach Einstellung der Plasmaflamme kann im Schritt 11 gleichzeitig auch die Oberflächenbeschichtung mit entfernt werden, so dass nach dem Schritt 11 wieder eine von allen Mo- lekülen befreite Siebdruckschablone vorliegt.
In einem Schritt 12 erfolgt dann ein Abscheiden einer Schicht aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen auf der Oberfläche des gegebenenfalls gereinigten Schab- lonenkörpers der Siebdruckschablone mithilfe der gleichen Plasmabeschichtungsanlage , die gegebenenfalls zum Reinigen der Siebdruckschablone eingesetzt worden ist. Dies bietet eine erhöhte Effizienz in der Prozesskette, da die Siebdruckschablonen nicht in eine andere Anlage umgesetzt werden müs- sen.
Die Plasmadüse, die beispielsweise mit einem eingebauten Potentialgitter versehen sein kann, kann dazu auf Beschich- tungsbetrieb umgestellt werden, das heißt, bei Zugabe von Präkursormolekülen in das Plasma werden diese als polymere
Anti-Haft-Beschichtung auf der Oberfläche des Schablonenkörpers abgeschieden. Diese Abscheidung bietet daher den Vorteil einer gleichmäßigen Abscheidung auch an Innenwänden, Kanten und Ecken der Ausnehmungen in der Siebdruckschablone. Der Schritt 12 des Abscheidens kann beispielsweise auch vorgenommen werden, wenn eine Siebdruckschablone aufgrund von Layoutänderungen des Druckmusters gerade angepasst worden ist und daher neu beschichtet werden muss. Die Oberflächenbeschichtung der Siebdruckschablone kann bei der Verwendung von
Ethyl-Benzol als Präkursormolekülen beispielsweise einen Kontaktwinkel von etwa 105° und eine Hysterese von 8° aufweisen. Der Schritt 12 des Abscheidens kann beispielsweise mit Formiergas oder einer anderen Wasserstoff-Argon-Mischung als Ionisationsgas durchgeführt werden. Beispielsweise kann dazu Varigon® (Linde) eingesetzt werden. Weiterhin kann die Siebdruckschablone während dem Abscheiden auf eine Temperatur unter 50 °C, insbesondere unter 10 °C gekühlt werden. Als Prozessparameter können dabei bevorzugt Prozesswerte gewählt werden, die einen geringen Energieeintrag in die Plasmaflamme gewährleisten, um die Präkursormoleküle nicht zu verbrennen.
Die Erfindung betrifft eine Siebdruckschablone, mit einem Schablonenkörper, wobei der Schablonenkörper eine Oberflä- chenbeschichtung aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Plasmabeschichtungsverfahren zum Beschichten einer Siebdruckschablone, wobei eine Schicht aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen auf der Oberfläche des Schablonenkörpers der Siebdruckschablone abgeschieden wird .

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren (10) zum Beschichten einer Siebdruckschablone (2), mit dem Schritt:
Abscheiden (12) einer Schicht (6) aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen auf der Oberfläche eines Schablonenkörpers (2a) der Siebdruckschablone (2) mithilfe einer Plasmabeschichtungsanlage , insbesondere einer At- mosphärendruckplasmabeschichtungsanlage ,
wobei der Schablonenkörper (2a) im Schritt des Abscheidens (12) auf einer Temperatur von unter 10 °C gehalten wird.
2. Verfahren (10) nach Anspruch 1, weiterhin mit dem vor dem Schritt des Abscheidens (12) durchzuführenden Schritt: Reinigen (11) des Schablonenkörpers (2a) der Siebdruckschablone (2) von Druckmaterialresten und/oder organischen Verunreinigungen mithilfe eines Plasmas der Plasmabeschichtungsanlage .
3. Verfahren (10) nach Anspruch 2, wobei der Schritt des
Reinigens (11) unter Verwendung von Druckluft oder Formiergas als Prozessgas durchgeführt wird.
4. Verfahren (10) nach einem der Ansprüche 2 und 3, wobei im Schritt des Reinigens (11) eine bereits auf dem Schablonenkörper (2a) vorhandene Oberflächenbeschichtung (6) aus kohlenwasserstoffbasierten, organischen Präkursormolekülen entfernt wird.
5. Verfahren (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Präkursormoleküle Ethan, Acetylen, Methan, Cycloaromaten , teilfluorierte Kohlenwasserstoffe und/oder Mischungen dieser Moleküle umfassen.
6. Verfahren (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei Schritt des Abscheidens (12) unter Verwendung von Formiergas oder einer anderen Wasserstoff-Argon-Mischung als Ionisationsgas durchgeführt wird.
7. Verfahren (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei Schritt des Abscheidens (12) unter Atmosphärendruck durchgeführt wird.
8. Druckschablonenreinigungsanlage, welche dazu ausgelegt ist, ein Verfahren (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 durchzuführen .
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