WO2013031199A1 - 太陽電池モジュール - Google Patents

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WO2013031199A1
WO2013031199A1 PCT/JP2012/005422 JP2012005422W WO2013031199A1 WO 2013031199 A1 WO2013031199 A1 WO 2013031199A1 JP 2012005422 W JP2012005422 W JP 2012005422W WO 2013031199 A1 WO2013031199 A1 WO 2013031199A1
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WO
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solar cell
cell module
shielding member
wiring
sealing
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Application number
PCT/JP2012/005422
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English (en)
French (fr)
Inventor
悟 小笠原
亮治 内藤
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30—Electrical components
    • H02S40/34—Electrical components comprising specially adapted electrical connection means to be structurally associated with the PV module, e.g. junction boxes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell module.
  • a transparent glass substrate, a filling adhesive, a photoelectric conversion panel, a filling adhesive, and a back surface protection cover material are sequentially stacked and integrated into a laminated configuration, and then the peripheral edge is sealed with a sealing material. Obtained.
  • the two lead wires connected to the photoelectric conversion panel penetrate the filling adhesive and the back surface protection cover material, and are provided outside the back surface protection cover material.
  • the back protective cover material is provided with a terminal port for penetrating the two lead wires.
  • the terminal port is sealed with a filling adhesive such as silicone resin.
  • the peripheral edge is sealed with a sealing material, or the terminal port is sealed with a filling adhesive.
  • the sealing material and the filling adhesive deteriorate, and moisture easily enters.
  • the terminal port is provided close to the photoelectric conversion panel, the probability of failure of the photoelectric conversion panel increases when moisture enters from the terminal port.
  • the above-mentioned filling adhesive is considered to be waterproof, there is room for further improvement from the viewpoint of moisture resistance.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a technique for extending the life of a solar cell module.
  • a solar cell module includes a translucent member disposed on the light receiving side, a photovoltaic device provided on the translucent member, and a photovoltaic device.
  • the light-emitting device includes a shielding member that is disposed so as to overlap the opening and shields the opening, and a sealing member that seals the opening.
  • the wiring is arranged so as to pass through a gap region sandwiched between the shielding member and the back surface member so as to bypass the shielding member on the outlet side of the opening, and the sealing member opens the gap region in addition to the opening. It is sealed.
  • a technique for extending the life of a solar cell module can be provided.
  • FIG. 2 is an AA cross-sectional view of the solar cell module shown in FIG.
  • FIG. 2 is a BB cross-sectional view of the photovoltaic element shown in FIG. It is the figure which expanded the inside of the terminal box shown in FIG.
  • It is a schematic diagram for demonstrating the process of the manufacturing method of the solar cell module which concerns on this Embodiment. It is a schematic diagram for demonstrating the process of the manufacturing method of the solar cell module which concerns on this Embodiment. It is a schematic diagram for demonstrating the process of welding a terminal to wiring.
  • FIG. 1 is a top view when the solar cell module according to the present embodiment is viewed from the side opposite to the sunlight receiving surface.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the solar cell module shown in FIG. In FIG. 1, the sealing member, the filler, the back surface member, and the like are omitted.
  • the solar cell module 10 includes a photovoltaic device 12, a sealing member 14, a translucent member 16, an insulator 20, a wiring member 22, a filler 24, and a back member 26 as a protective material.
  • the photovoltaic device 12 is a rectangular flat plate or film unit, and a plurality of photovoltaic elements 28 are arranged in an aligned state. Each photovoltaic element 28 is appropriately connected to each other in series or in parallel.
  • the translucent member 16 is made of a material that transmits light, and a plurality of photovoltaic elements 28 are formed as the photovoltaic device 12 on the back surface 16b opposite to the light receiving surface 16a.
  • the translucent member 16 is disposed so as to cover the photovoltaic device 12 when the light receiving surface 16a is viewed from the front.
  • insulating glass, plastic, or the like can be used, and in particular, a material having high transmittance with respect to light having a wavelength included in sunlight is preferable.
  • FIG. 3 is a BB cross-sectional view of the photovoltaic element shown in FIG.
  • the photovoltaic element 28 includes a first electrode layer 30, a semiconductor layer 32, a transparent conductive film 34, and a second electrode layer 36.
  • the first electrode layer 30, the semiconductor layer 32, the transparent conductive film 34, and the second electrode layer 36 are sequentially stacked on the translucent member 16 while performing known laser patterning.
  • a filler 24 and a back member 26 are laminated on the second electrode layer 36.
  • the first electrode layer 30 is formed on the surface of the translucent member 16 and has conductivity and translucency.
  • a transparent conductive oxide (TCO) is used, and in particular, zinc oxide (ZnO) having high light transmittance, low resistance, and low cost is used. Used.
  • the semiconductor layer 32 generates charges (electrons and holes) by incident light from the first electrode layer 30 side.
  • the semiconductor layer 32 for example, an amorphous (amorphous) silicon semiconductor layer having a pin junction or a pn junction as a basic structure, or a single layer or a stacked body of a microcrystalline silicon semiconductor layer can be used.
  • the semiconductor layer 32 according to the present embodiment is configured by laminating an amorphous silicon semiconductor and a microcrystalline silicon semiconductor from the first electrode layer 30 side. Note that in this specification, the term “microcrystal” means not only a complete crystal state but also a state partially including an amorphous state.
  • the transparent conductive film 34 is formed on the semiconductor layer 32.
  • the transparent conductive film 34 prevents the semiconductor layer 32 and the second electrode layer 36 from being alloyed, and the connection resistance between the semiconductor layer 32 and the second electrode layer 36 can be reduced.
  • the second electrode layer 36 is formed on the transparent conductive film 34.
  • a reflective metal such as silver (Ag) is used for the second electrode layer 36.
  • the transparent conductive film 34 and the second electrode layer 36 of one photovoltaic element 28 are in contact with the first electrode layer 30 of another adjacent photovoltaic element 28. Thereby, one photovoltaic element 28 and the other photovoltaic element 28 are electrically connected in series.
  • the wiring member 22 has a conduction portion 22a that is electrically connected to the photovoltaic elements 28 at both ends among the plurality of photovoltaic elements 28 connected in series.
  • a material in which a low resistivity material such as copper (Cu) is partially covered with solder is preferable.
  • An insulator 20 is disposed in a predetermined region between the wiring member 22 and the plurality of photovoltaic elements 28, and the lead-out wiring 22b of the wiring member 22 and the plurality of photovoltaic elements 28 are partially insulated. Is done.
  • the filler 24 seals the photovoltaic device 12 and the wiring member 22 between the translucent member 16 and the back surface member 26 and is arranged so as to buffer the impact applied to the photovoltaic element 28. .
  • ethylene vinyl acetate (EVA) is used as the filler 24.
  • inexpensive blue glass (float glass) is used as the back member 26.
  • the blue plate glass contains alkali metals, such as sodium (Na), as an impurity ion, for example.
  • the back member 26 improves the strength of the entire solar cell module 10 and prevents moisture and impurities from entering from the back side of the solar cell module 10.
  • the sealing member 14 is disposed in close contact with the outside of the filler 24 between the translucent member 16 and the back surface member 26, and the panel end is sealed.
  • a resin having a low water vapor transmission rate such as butyl rubber is suitable.
  • the width W (see FIG. 2) of the sealing member 14 is, for example, 10 mm or more. If the width W of the sealing member 14 is 10 mm, water vapor from the end face of the solar cell module 10 is up to about three times the test time (1000 hours) defined in the high temperature and high humidity test (85 ° C., 85% RH). It is known that it has an intrusion prevention effect.
  • the solar cell module 10 has a higher barrier effect against water vapor as the width W of the sealing member 14 at the time of completion increases, but on the other hand, the power generation effective area of the solar cell module 10 decreases. Therefore, when using a butyl rubber-based material or a sealing member having the same level of performance, it is preferable to set the width W of the sealing member 14 in the range of 10 to 15 mm. Note that when the barrier effect against water vapor is more important, the width W of the sealing member 14 may be 15 mm or more.
  • the width W of the sealing member 14 may be 10 mm or less.
  • the filler 24 and the back member 26 are provided with through holes 38 that are openings.
  • One end of the lead-out wiring 22 b of the wiring material 22 is connected to the terminal box 40 through the filler 24 and the back surface member 26.
  • the through hole 38 is sealed with a sealing member 42 in a state where the lead-out wiring 22b is passed.
  • the interior of the terminal box 40 will be described later.
  • the solar cell module 10 includes the translucent member 16 disposed on the light receiving side, the photovoltaic device 12 provided on the translucent member 16, A wiring member 22 that outputs electric energy generated in the photovoltaic device to the outside and a through hole 38 through which the lead-out wiring 22b that is a part of the wiring member 22 is passed are formed so as to face the translucent member 16. And a sealing member 42 that seals the through hole 38.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the inside of the terminal box shown in FIG.
  • the solar cell module 10 includes a shielding member 44.
  • the shielding member 44 is disposed so as to overlap with the through hole 38 when viewed from the direction perpendicular to the surface of the back surface member 26, and shields the through hole 38.
  • the lead-out wiring 22 b is arranged so as to bypass the shielding member 44 on the exit side of the through hole 38 and to pass through a gap region 46 sandwiched between the shielding member 44 and the back surface member 26.
  • the sealing member 42 seals the gap region 46 in addition to the through hole 38.
  • the sealing member 42 includes a hole sealing portion 42a that mainly seals the through hole 38, a first gap sealing portion 42b that seals between the back member 26 and the lead-out wiring 22b, and a lead-out wiring 22b. And a second gap sealing portion 42 c that seals between the shielding member 44 and the shielding member 44.
  • the lead-out wiring 22b is bent about 90 degrees on the outlet side of the through hole 38, and is arranged outward along the surface 26a of the back member 26. Furthermore, the lead-out wiring 22b is bent again by about 90 degrees at a position beyond the edge 44a of the shielding member 44, and is arranged along the edge 44a of the shielding member 44 in a direction opposite to the back surface member 26. The surface 44b of the shielding member 44 is bent again by about 90 degrees. The end portion of the lead wiring 22b is connected to the output terminal 48 in this state.
  • the solar cell module 10 compared to the case where the shielding member 44 is not provided, the distance that the water vapor passes through the sealing member 42 becomes longer, and the photovoltaic power is transmitted through the sealing member 42.
  • the amount of water vapor reaching the device 12 can be suppressed.
  • deterioration of the photovoltaic device 12 and the wiring material 22 itself and a decrease in connection reliability at each connection portion in the element and wiring are suppressed over a long period of time, and the life of the solar cell module can be extended.
  • the shielding member 44 is made of glass. Thereby, the quantity of the water vapor
  • the sealing member 42 is made of butyl rubber. Thereby, the quantity of the water vapor
  • the thickness of the back member 26 is t [mm] and the through hole 38 is formed as shown in FIGS. 2 and 4.
  • the length of the gap region 46 from the edge on the exit side to the edge 44a which is the outer edge of the shielding member 44 is L [mm]
  • the width of the sealing member 14 at the end of the solar cell module 10 is W [mm].
  • T + L ⁇ W the shape, size, and arrangement of each member are set.
  • the length at the shortest interval portion is L.
  • the sealing member to be used can be minimized, manufacturing cost can be reduced.
  • t + L is 10 mm, it is known that there is an effect of preventing water vapor intrusion up to about three times the test time (1000 hours) specified in the high temperature and high humidity test (85 ° C., 85% RH).
  • the solar cell module 10 has a higher barrier effect against water vapor as the value of t + L at the time of completion is larger, but on the other hand, the size of the shielding member 44 is increased, and the amount of use of the sealing member 42 and the tab wiring is increased. Will increase. Therefore, it is preferable to set the value of t + L within a range of 10 to 15 mm when using a butyl rubber material or a sealing member having a performance equivalent to or higher than the width W of the sealing member 14. It is. Note that when the barrier effect against water vapor is more important, the width W of the sealing member 14 may be 15 mm or more.
  • the sealing member when emphasizing the power generation efficiency of the solar cell module 10, when the influence on the characteristics due to the infiltrated moisture is small, or when using a member having a barrier performance higher than that of the butyl rubber-based sealing member, the sealing member The width W of 14 may be less than 10 mm, and the value of t + L may be less than 10 mm accordingly.
  • the positional relationship between the sealing member 42 and the shielding member 44 is not limited to the case shown in FIG. 15 and 16 are diagrams for explaining the positional relationship between the sealing member 42 and the shielding member 44 inside the terminal box.
  • the positional relationship between the sealing member 42 and the shielding member 44 shown in FIG. 15 indicates a case where the sealing member 42 is not filled up to the edge 44a of the shielding member 44. Even in the state of the sealing member 42 shown in FIG. 15, the same effect as the state of the sealing member 42 shown in FIG.
  • the positional relationship between the sealing member 42 and the shielding member 44 shown in FIG. 16 indicates a case where the sealing member 42 protrudes from the edge 44 a of the shielding member 44. Even in the state of the sealing member 42 shown in FIG. 16, if the value of t + L is in the above-described range, the same effect as that of the state of the sealing member 42 shown in FIG. 4 is obtained.
  • the terminal box 40 includes a storage portion 40a that stores the shielding member 44, and a filler 50 that fills the inside of the storage portion 40a.
  • the filler 50 is made of a material having higher heat dissipation than the sealing member 42, for example, silicone. Accordingly, heat in the elements and circuits inside the terminal box 40 including the output terminal 48 can be easily radiated to the outside through the filler 50.
  • FIG. 5 and FIG. 6 are schematic diagrams for explaining the steps of the method for manufacturing the solar cell module according to the present embodiment.
  • a first electrode layer 30 made of zinc oxide (ZnO) having a thickness of 600 nm is formed on a light transmissive member 16 made of glass having a thickness of 4 mm by sputtering. And the YAG laser is irradiated from the 1st electrode layer 30 side of the translucent member 16, and the 1st electrode layer 30 is patterned in strip shape.
  • ZnO zinc oxide
  • a semiconductor layer 32 is formed by a plasma processing apparatus (plasma CVD).
  • the semiconductor layer 32 includes a p-type amorphous silicon semiconductor film having a thickness of 15 nm, an i-type amorphous silicon semiconductor film having a thickness of 200 nm, an n-type amorphous silicon semiconductor film having a thickness of 30 nm, a p-type microcrystalline silicon semiconductor film having a thickness of 30 nm, An i-type microcrystalline silicon semiconductor film having a thickness of 2000 nm and an n-type microcrystalline silicon semiconductor film having a thickness of 30 nm are sequentially stacked on the first electrode layer 30.
  • the p-type amorphous silicon semiconductor film is formed using a mixed gas of monosilane (SiH 4 ), methane (CH 4 ), hydrogen (H 2 ), and diborane (B 2 H 6 ) as a source gas.
  • the i-type amorphous silicon semiconductor film is formed using a mixed gas of monosilane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) as a source gas.
  • the n-type amorphous silicon semiconductor film is formed using a mixed gas of monosilane (SiH 4 ), hydrogen (H 2 ) and phosphine (PH 3 ) as a source gas.
  • the p-type microcrystalline silicon semiconductor film is formed using a mixed gas of monosilane (SiH 4 ), hydrogen (H 2 ), and diborane (B 2 H 6 ) as a source gas.
  • the i-type microcrystalline silicon semiconductor film is formed using a mixed gas of monosilane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) as a source gas.
  • the n-type microcrystalline silicon semiconductor film is formed using a mixed gas of monosilane (SiH 4 ), hydrogen (H 2 ), and phosphine (PH 3 ) as a source gas.
  • Table 1 The details of the film forming conditions of each film by the plasma processing apparatus are shown in Table 1 below.
  • the YAG laser is irradiated from the front surface side (translucent member 16 side) to a position deviated from the patterning position of the stacked semiconductor layer 32 and first electrode layer 30 and formed on the back surface side of the translucent member 16.
  • the semiconductor layer 32 is removed so as to be separated and patterned into a strip shape.
  • a transparent conductive film 34 made of zinc oxide (ZnO) is formed on the semiconductor layer 32 by sputtering.
  • the transparent conductive film 34 is also formed in regions and side edges where the semiconductor layer 32 has been removed by patterning.
  • a 200 nm-thick silver (Ag) film is formed on the transparent conductive film 34 by sputtering to form a second electrode layer 36.
  • the second electrode layer 36 is also formed on the transparent conductive film 34 in the region where the semiconductor layer 32 is removed by patterning.
  • the semiconductor layer 32, the transparent conductive film is irradiated by irradiating the portion shifted from the patterning position of the semiconductor layer 32 with the YAG laser from the surface side (translucent member 16 side).
  • 34 and the second electrode layer 36 are separated and patterned into strips.
  • the transparent conductive film 34 and the second electrode layer 36 that wrap around the side portions (outermost circumference) of the first electrode layer 30 and the semiconductor layer 32 are irradiated from the surface side. Removed by a laser.
  • the translucent member 16 provided with the photovoltaic device 12 on one surface is prepared by the method described above. Then, the wiring member 22 is arranged on the photovoltaic device 12 and the lead-out wiring 22b is brought up.
  • the sheet-like filler 24 made of ethylene vinyl acetate (EVA), the back surface member 26, the sealing member 14, and the hole sealing portion 42a that covers the photovoltaic device 12 are connected to the photovoltaic device. Place on device 12. Then, the gap inside the module is filled by melting the filler or the sealing member with a vacuum laminating apparatus or the like in a state where one end of the lead-out wiring 22b is drawn to the outside, and the translucent member 16 and the back surface member 26 are filled. And the through hole 38 is sealed.
  • the sealing member 14 is configured to have a finished width of 10 to 15 mm.
  • the shielding member 44 is disposed so as to shield the through hole 38, and the lead-out wiring 22b is bent so as to bypass the shielding member 44 as shown in FIG.
  • sealing members first gap sealing part 42b and second gap sealing part 42c are arranged between the front surface 26a of the back member 26 and the shielding member 44 so as to sandwich the lead-out wiring 22b.
  • the sealing member 42 is used.
  • the lamination process can be performed after all the parts constituting the are arranged, and the manufacturing process can be shortened.
  • FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a process of welding terminals to wiring.
  • a jig 60 shown in FIG. 7 holds the storage portion 40 a of the terminal box 40 and includes a soldering iron 62.
  • a terminal block 64 that holds and heats the output terminal 48 is provided at the tip of the soldering iron 62.
  • the output terminal 48 is placed on the lead wiring 22 b arranged on the shielding member 44, the jig 60 is lowered, and heating is performed while holding the output terminal 48 with the terminal block 64. Accordingly, the lead-out wiring 22b is connected to the output terminal 48 via the solder on the shielding member 44. Further, since the shielding member 44 is made of glass, which is an insulating material, the lead-out wiring 22b and the output terminal 48 can be connected using the shielding member 44 as a base. Therefore, the lead wire 22b and the output terminal 48 can be connected by automation using the jig 60, which facilitates mass production.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the inside of the terminal box of the solar cell module according to the modification of the first embodiment.
  • the lead-out wiring 22 b is connected to the output terminal 48 via solder at a position separated from the shielding member 44. This makes it difficult for heat when connecting the lead-out wiring 22b and the output terminal 48 via solder to be transmitted to the sealing member 42 and the photovoltaic device 12 via the shielding member 44. Therefore, it is possible to suppress deterioration of the sealing member 42 due to heat and deterioration of the photovoltaic device 12.
  • FIG. 9 is an enlarged view of the inside of the terminal box of the solar cell module according to another modification of the first embodiment.
  • the sealing member 42 is not filled in the through hole 38, and is sealed by the first gap sealing part 42b and the second gap sealing part 42c.
  • the shape, size, and arrangement of each member are set so that L ′ ⁇ 10 mm. More preferably, the shape, size, and arrangement of each member may be set so that L ′ ⁇ 15 mm.
  • the above-described hole sealing portion 42a is not disposed.
  • all the sealing members are arranged so as to sandwich the lead-out wiring 22b between the front surface 26a of the back surface member 26 and the shielding member 44. After laminating 42b and the second gap sealing portion 42c), the laminating process is performed.
  • FIG. 10 is an enlarged view of a main part of the solar cell module according to the second embodiment.
  • the solar cell module 210 has two through holes formed in the back member, and a through hole is also formed in the center of the shielding member. The point is very different.
  • symbol is attached
  • the back member 126 has two through holes 38a and 38b. Each through hole is sealed with a sealing member 42 in a state where one of the two lead-out wirings 22b is passed therethrough.
  • the solar cell module 210 includes a shielding member 66.
  • the shielding member 66 is disposed so as to overlap with the through holes 38a and 38b when viewed from the direction perpendicular to the surface of the back member 126, and shields the through holes 38a and 38b.
  • the shielding member 66 is a glass plate, and a through hole 66a is formed at the center.
  • the two lead wires 22b are arranged so as to pass through a gap region 68 sandwiched between the shielding member 66 and the back surface member 126 so as to bypass the shielding member 66 on the exit side of each of the through holes 38a and 38b. ing. Further, the sealing member 42 seals the gap region 68 in addition to the through holes 38 and 38b.
  • each lead-out wiring 22b is bent about 90 degrees on the exit side of the through hole 38a (38b) and is arranged inward along the surface 126a of the back member 126. Furthermore, the lead-out wiring 22b is bent about 90 degrees again at a position beyond the outer edge of the through hole 66a of the shielding member 66, and is arranged so as to protrude from the surface 66b of the shielding member 66 along the through hole 66a. The end of the lead wiring 22 b is connected to the output terminal 48.
  • the solar cell module 210 can suppress the amount of water vapor that passes through the sealing member 42 and reaches the photovoltaic device 12 as compared with the case where the shielding member 66 is not provided. As a result, deterioration of the photovoltaic device 12 and the wiring material 22 itself and a decrease in connection reliability at each connection portion in the element and wiring are suppressed over a long period of time, and the life of the solar cell module can be extended.
  • the thickness of the back member 126 is t1
  • the thickness of the shielding member 66 is t2
  • the outer edge of the shielding member 66 is from the edge on the outlet side of the through hole 38a (38b).
  • the length of the gap area 68 to the edge 66c is L1
  • the length of the gap area 68 from the edge on the outlet side of the through hole 38a (38b) to the outer edge of the through hole 66a of the shielding member 66 is L2.
  • the shape, size, and arrangement of each member are set so that t1 + L1 ⁇ 10 mm. More preferably, the shape, size, and arrangement of each member may be set so that t1 + L1 ⁇ 15 mm.
  • each member are set so that t1 + t2 + L2 ⁇ 10 mm. More preferably, the shape, size, and arrangement of each member may be set so that t1 + t2 + L2 ⁇ 15 mm.
  • the solar cell module according to the above-described embodiment has a translucent member and a back member, and the shielding member larger than the size of the through hole is a through hole that is a terminal hole of the back member. Covered with butyl rubber.
  • the lead-out wiring is disposed in a gap region filled with butyl rubber. Therefore, by appropriately selecting the size of the shielding member with respect to the size of the through hole, it is possible to ensure the distance of the gap region where water vapor enters, and the sealing effect of the through hole against water vapor is improved.
  • FIG. 11 is an enlarged view of a main part when the vicinity of the through hole of the solar cell module according to the third embodiment is viewed from the back member side.
  • 12 is a cross-sectional view taken along the line CC shown in FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line DD shown in FIG.
  • the solar cell module according to the third embodiment is characterized in that the shielding member and the back surface member are melt-bonded, and the other parts are the same as those of the solar cell module according to the first embodiment. It is the same.
  • members mainly relating to the characteristic portions are illustrated.
  • symbol is attached
  • the back member 26 is made of glass.
  • the shielding member 44 is melt bonded to the back surface member 26 at least at a part around the through hole 38. More specifically, the quadrangular shielding member 44 is melt-bonded to the back surface member 26 in the bonding region R1 (hatched portion in FIG. 11) in the outer peripheral edge region. It should be noted that sealing is performed by a sealing member 42 such as butyl rubber in a gap region 46 that is an outer peripheral region of the shielding member 44 and between which the lead-out wiring 22b is sandwiched between the back member 26.
  • a raised portion 44c is formed on the outer edge portion of the shielding member 44 on the side facing the back surface member 26 in order to form a space between the shielding member 44 and the back surface member 26.
  • the raised portion 44c may be integrally formed by processing the shielding member 44, or may be formed by applying a glass frit to the outer edge portion of a flat glass plate and baking it.
  • the glass frit refers to, for example, glass fragments (flakes) or powder produced by melting a glass raw material at a high temperature and quenching.
  • the raised portion 44 c is formed with a notch 44 d for drawing the lead-out wiring 22 b without interfering with the outside of the shielding member 44.
  • the sealing member 42 may be filled not only in the gap region 46 but also in the through hole 38 as shown in FIGS. 12 and 13.
  • the shielding member 44 is melt-bonded to the back surface member 26 at least around the through hole 38 in a state of covering the through hole 38 of the back surface member 26, and is at least melt bonded. Highly airtight against the ingress of moisture from the outside is realized in the part. Therefore, external moisture passes between the shielding member 44 and the back surface member 26 and is prevented from entering the inside of the solar cell module 310 through the through hole 38, and the long-term reliability of the solar cell module 310 can be improved. Improvement is possible.
  • melt-bonding can be understood as, for example, a state in which the shielding member 44 and the back surface member 26 are joined together in a melted state. More preferably, the material of the shielding member 44 and the glass of the back surface member 26 are melted and mixed with each other at the interface between the shielding member 44 and the back surface member 26.
  • the laser beam is preferably a femtosecond laser beam.
  • the laser beam preferably has a pulse width of 1 nanosecond or less.
  • the laser beam has a wavelength at which absorption occurs in at least one of the shielding member 44 and the back surface member 26.
  • the laser beam has a wavelength of 800 nm.
  • the laser beam is preferably irradiated with a pulse energy of a wavelength of 800 nm, a pulse width of 150 fs, an oscillation repetition rate of 1 kHz, and 5 microjoules ( ⁇ J) per pulse.
  • the laser beam is preferably scanned at a scanning speed of 60 mm / min.
  • the translucent member 16 and the back surface member 26 may be melt-bonded at the outer peripheral portion without using the sealing member 14. Further, the translucent member 16 and the back surface member 26 may be melt-bonded at the outer peripheral portion via another glass member or the like.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a modification of the solar cell module according to the third embodiment.
  • glass frit is applied to a portion of the lead-out wiring 22b that is sandwiched between the shielding member 44 and the back surface member 26, and the shielding member 44 and the back surface member 26 are sandwiched between the lead-out wiring 22b.
  • the bonding region R1 is melt bonded by scanning the entire circumference with a laser beam. Accordingly, it is further suppressed that external moisture passes between the shielding member 44 and the back surface member 26 and enters the solar cell module 320 through the through hole 38.
  • the present invention has been described with reference to the above-described embodiments.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the configurations of the embodiments are appropriately combined or replaced. Those are also included in the present invention. Further, it is possible to appropriately change the combination and processing order in each embodiment based on the knowledge of those skilled in the art and to add various modifications such as various design changes to each embodiment. Embodiments to which is added can also be included in the scope of the present invention.
  • Examples of the filler 24 according to the above-described embodiment include ethylene vinyl acetate (EVA), silicone, polyvinyl butyral (PVB), various polyolefin resins, ethylene resins such as ethylene ethyl acrylate copolymer (EEA), urethane, Acrylic or epoxy resin may be used.
  • EVA ethylene vinyl acetate
  • PVB polyvinyl butyral
  • various polyolefin resins ethylene resins such as ethylene ethyl acrylate copolymer (EEA), urethane, Acrylic or epoxy resin
  • EVA ethylene ethyl acrylate copolymer
  • urethane Acrylic or epoxy resin
  • Acrylic or epoxy resin may be used.
  • a material having a low water vapor transmission rate such as an epoxy resin or a polyolefin resin may be used in addition to butyl rubber.
  • the first electrode layer 30 in addition to zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), indium oxide (In 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), zinc stannate (Zn 2 SnO 4) may be configured by a metal one kind selected from oxides or plural kinds of laminates such. Note that these metal oxides may be doped with fluorine (F), tin (Sn), aluminum (Al), gallium (Ga), niobium (Nb), or the like.
  • F fluorine
  • Sn tin
  • Al aluminum
  • Ga gallium
  • Nb niobium
  • the solar cell module by the following combinations can also be included in the scope of the present invention.
  • Solar cell module A translucent member disposed on the light receiving side; A photovoltaic device provided on the translucent member; Wiring for outputting the electrical energy generated in the photovoltaic device to the outside; An opening through which a part of the wiring is passed is formed, and a back surface member provided to face the translucent member; A shielding member disposed so as to overlap the opening and shielding the opening; A sealing member for sealing the opening, The wiring is disposed so as to pass through a gap region sandwiched between the shielding member and the back surface member so as to bypass the shielding member on the exit side of the opening, The sealing member seals the gap region in addition to the opening.
  • the distance that water vapor passes through the sealing member is longer than that in the case where there is no shielding member, and passes through the sealing member to reach the photovoltaic device.
  • the amount of water vapor can be suppressed.
  • deterioration of the photovoltaic device and the wiring itself and a decrease in connection reliability at each connection portion in the element and wiring are suppressed over a long period of time, and the life of the solar cell module can be extended.
  • An output terminal connected to the wiring is further provided, the shielding member is made of an insulating material, and the wiring is connected to the output terminal via solder on the shielding member.
  • or (5) may be sufficient.
  • the wiring and the output terminal can be connected using the shielding member as a base.
  • the apparatus further includes an output terminal connected to the wiring, and the wiring is connected to the output terminal via solder at a position separated from the shielding member.
  • the solar cell module described in the item may be used. Thereby, it becomes difficult to transmit the heat at the time of connecting the wiring and the output terminal via the solder to the sealing member or the photovoltaic device via the shielding member. Therefore, the deterioration of the sealing member due to heat and the deterioration of the photovoltaic device can be suppressed.
  • a storage unit that stores the shielding member and a filler that fills the interior of the storage unit are further provided, and the filler is made of a material that has higher heat dissipation than the sealing member.
  • the solar cell module according to any one of (1) to (7) may be used. Thereby, it becomes easy to radiate the heat in the elements and circuits inside the terminal box including the output terminal to the outside through the filler.
  • the present invention can be used for solar cells.

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Abstract

　太陽電池モジュール１０は、受光側に配置された透光性部材１６と、透光性部材上に設けられている光起電力装置１２と、光起電力装置で生じた電気エネルギーを外部へ出力する配線材２２と、引き出し配線２２ｂが通される開口部が形成され、透光性部材１６と対向するように設けられている裏面部材２６と、貫通孔３８と重畳するように配置され、貫通孔３８を遮蔽する遮蔽部材４４と、貫通孔３８を封止する封止部材４２と、を備える。引き出し配線２２ｂは、貫通孔３８の出口側で遮蔽部材４４を迂回するように遮蔽部材４４と裏面部材２６とで挟まれている隙間領域４６を通過するように配置され、封止部材４２は、貫通孔３８に加えて隙間領域４６を封止している。

Description

太陽電池モジュール
　本発明は、太陽電池モジュールに関する。
　従来、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置として、いわゆる太陽電池の開発が各方面で精力的に行われている。太陽電池は、クリーンで無尽蔵なエネルギー源である太陽からの光を直接電気に変換できることから、新しいエネルギー源として期待されている。
　例えば、太陽電池パネルは、透明ガラス基板、充填接着剤、光電変換パネル、充填接着剤、裏面保護カバー材を順に重ね、積層構成に一体化した後、周縁端部を封止材で封止して得られる。ここで、光電変換パネルに発生した電力を取り出すために、光電変換パネルに接続された２本のリード線は、充填接着剤、裏面保護カバー材を貫通し、裏面保護カバー材の外側に設けられたボックスに収容されている。そのため、裏面保護カバー材には、２本のリード線を貫通させるために端子口が設けられているが、防水を目的として、当該端子口は、シリコーン樹脂等の充填接着剤で封止されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平９－２７９７８９号公報
　ところで、太陽電池を普及させるためには、均等化発電原価の低減が必要とされており、その達成のためには、光電変換装置の長寿命化が有効である。長寿命化を妨げる主な要因は、光電変換パネルへの水分の浸入である。一方、水分の浸入を防止するために、前述のごとく、周縁端部が封止材で封止されていたり、端子口が充填接着剤で封止されていたりする。
　しかしながら、長期の使用によって、封止材や充填接着剤は劣化し、水分が浸入しやすくなる。特に、端子口は光電変換パネルに近接して設けられるので、端子口から水分が浸入することによって、光電変換パネルの故障発生確率が高くなる。前述の充填接着剤は、防水性は考慮されているものの、防湿性という観点からは更なる改良の余地がある。
　本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、太陽電池モジュールを長寿命化させる技術を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明のある態様の太陽電池モジュールは、受光側に配置された透光性部材と、透光性部材上に設けられている光起電力装置と、光起電力装置で生じた電気エネルギーを外部へ出力する配線と、配線の一部が通される開口部が形成され、透光性部材と対向するように設けられている裏面部材と、裏面部材の表面に鉛直な方向から見た場合に、開口部と重畳するように配置され、開口部を遮蔽する遮蔽部材と、開口部を封止する封止部材と、を備える。配線は、開口部の出口側で遮蔽部材を迂回するように遮蔽部材と裏面部材とで挟まれている隙間領域を通過するように配置され、封止部材は、開口部に加えて隙間領域を封止している。
　本発明によれば、太陽電池モジュールを長寿命化させる技術を提供できる。
本実施の形態に係る太陽電池モジュールを太陽光受光面とは反対側から見た場合の上面図である。 図１に示す太陽電池モジュールのＡ－Ａ断面図である。 図１に示す光起電力素子のＢ－Ｂ断面図である。 図２に示す端子ボックスの内部を拡大した図である。 本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法の工程を説明するための模式図である。 本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法の工程を説明するための模式図である。 配線に端子を溶着する工程を説明するための模式図である。 第１の実施の形態の変形例に係る太陽電池モジュールの端子ボックスの内部を拡大した図である。 第１の実施の形態の他の変形例に係る太陽電池モジュールの端子ボックスの内部を拡大した図である。 第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの要部を拡大した図である。 第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの貫通孔近傍を裏面部材側から見た要部拡大図である。 図１１に示すＣ－Ｃ断面図である。 図１１に示すＤ－Ｄ断面図である。 第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの変形例を示す図である。 端子ボックスの内部における封止部材と遮蔽部材との位置関係を説明するための図である。 端子ボックスの内部における封止部材と遮蔽部材との位置関係を説明するための図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
　以下の各図に示す各層、各部の縮尺や形状は、説明を容易にするために便宜的に設定されており、特に言及がない限り限定的に解釈されるものではない。
　（第１の実施の形態）
　図１は、本実施の形態に係る太陽電池モジュールを太陽光受光面とは反対側から見た場合の上面図である。図２は、図１に示す太陽電池モジュールのＡ－Ａ断面図である。なお、図１では、封止部材、充填材および裏面部材などは省略してある。
　太陽電池モジュール１０は、光起電力装置１２、封止部材１４、透光性部材１６、絶縁体２０、配線材２２、充填材２４および保護材としての裏面部材２６を備える。
　光起電力装置１２は、長方形の平板またはフィルム状のユニットであり、複数の光起電力素子２８が整列した状態で配置されている。それぞれの光起電力素子２８は、互いに直列または並列に適宜接続されている。
　透光性部材１６は、光を透過させる材料で構成されており、受光面１６ａとは反対側の裏面１６ｂ上に、光起電力装置１２として複数の光起電力素子２８が形成されている。
　このように、透光性部材１６は、受光面１６ａを真正面から見た場合、光起電力装置１２を覆うように配設されている。なお、透光性部材１６としては、絶縁性を有するガラス、プラスチックなどを用いることができ、特に太陽光に含まれる波長の光に対する透過率が高い材料が好適である。
　次に、光起電力素子２８について説明する。図３は、図１に示す光起電力素子のＢ－Ｂ断面図である。光起電力素子２８は、第１電極層３０、半導体層３２、透明導電膜３４および第２電極層３６を有する。第１電極層３０、半導体層３２、透明導電膜３４および第２電極層３６は、周知のレーザパターニングを施されながら透光性部材１６上に順次積層される。また、第２電極層３６の上には、充填材２４、裏面部材２６が積層されている。
　第１電極層３０は、透光性部材１６の面上に形成されており、導電性および透光性を有する。本実施の形態に係る第１電極層３０としては、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）が用いられ、特に、高い光透過性、低抵抗性を有し、低価格である酸化亜鉛（ＺｎＯ）が用いられる。
　半導体層３２は、第１電極層３０側からの入射光により電荷（電子および正孔）を生成する。半導体層３２としては、例えば、ｐｉｎ接合またはｐｎ接合を基本構造として有するアモルファス（非晶質）シリコン半導体層や微結晶シリコン半導体層の単層体あるいは積層体を用いることができる。本実施の形態に係る半導体層３２は、第１電極層３０側からそれぞれアモルファスシリコン半導体、微結晶シリコン半導体が積層されたものとして構成されている。なお、本明細書において、「微結晶」の用語は、完全な結晶状態のみならず、部分的にアモルファス状態を含む状態をも意味するものとする。
　透明導電膜３４は、半導体層３２上に形成されている。透明導電膜３４により、半導体層３２と第２電極層３６が合金化することが防止され、半導体層３２と第２電極層３６との接続抵抗を減少させることができる。
　第２電極層３６は、透明導電膜３４上に形成される。第２電極層３６には、銀（Ａｇ）などの反射性金属が用いられる。一の光起電力素子２８の透明導電膜３４と第２電極層３６は、隣接する他の光起電力素子２８の第１電極層３０に接触する。これにより、一の光起電力素子２８と他の光起電力素子２８とが電気的に直列に接続される。
　図１や図２に示す配線材２２は、このように直列に接続された複数の光起電力素子２８によって生成される電荷を、太陽電池モジュール１０の外部に導く。配線材２２は、直列に接続された複数の光起電力素子２８のうち両端にある光起電力素子２８と導通する導通部２２ａを有する。配線材２２としては、銅（Ｃｕ）などの低抵抗率の材料を一部はんだで被覆したものが好ましい。なお、配線材２２と複数の光起電力素子２８との間の所定の領域には絶縁体２０が配置され、配線材２２の引き出し配線２２ｂと複数の光起電力素子２８とが部分的に絶縁される。
　充填材２４は、光起電力装置１２および配線材２２を、透光性部材１６と裏面部材２６との間に封止し、光起電力素子２８に加えられる衝撃を緩衝するように配置される。本実施の形態では、充填材２４としてエチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）を用いる。また、本実施の形態では、裏面部材２６として廉価な青板ガラス（フロートガラス）を用いている。なお、青板ガラスは、不純物イオンとして、例えば、ナトリウム（Ｎａ）などのアルカリ金属を含んでいる。裏面部材２６は、太陽電池モジュール１０全体の強度を向上するとともに、太陽電池モジュール１０の裏面側からの水分や不純物の浸入を防止する。
　封止部材１４は、透光性部材１６と裏面部材２６との間の充填材２４の外側に密着して配置され、パネル端部が封止される。封止部材１４としては、ブチルゴムなどの水蒸気透過率が低い樹脂が好適である。
　特にブチルゴム系の封止部材１４を用いる場合、封止部材１４の幅Ｗ（図２参照）は、例えば、１０ｍｍ以上とする。封止部材１４の幅Ｗが１０ｍｍあれば、高温高湿試験（８５℃、８５％ＲＨ）に規定された試験時間（１０００時間）の３倍程度までは、太陽電池モジュール１０の端面からの水蒸気浸入防止効果があることがわかっている。
　また、太陽電池モジュール１０は、完成時の封止部材１４の幅Ｗが広いほど、水蒸気に対するバリア効果は高くなるが、その反面、太陽電池モジュール１０の発電有効面積が減少することになる。そのため、ブチルゴム系の材料またはそれと同等レベルの性能を持つ封止部材を用いる場合には、封止部材１４の幅Ｗは、１０～１５ｍｍの範囲で設定するのが好適である。なお、水蒸気に対するバリア効果をより重視する場合は、封止部材１４の幅Ｗを１５ｍｍ以上としてもよい。
　一方、太陽電池モジュール１０の発電効率を重視する場合、及び、浸入した水分による特性への影響が少ない場合は、封止部材１４の幅Ｗを１０ｍｍ以下としてもよい。
　充填材２４および裏面部材２６には、開口部である貫通孔３８が設けられている。配線材２２の引き出し配線２２ｂの一方の端部は、充填材２４および裏面部材２６を貫通して端子ボックス４０に接続されている。貫通孔３８は、引き出し配線２２ｂが通されている状態で封止部材４２で封止されている。なお、端子ボックス４０の内部については後述する。
　上述のように、第１の実施の形態に係る太陽電池モジュール１０は、受光側に配置された透光性部材１６と、透光性部材１６上に設けられている光起電力装置１２と、光起電力装置で生じた電気エネルギーを外部へ出力する配線材２２と、配線材２２の一部である引き出し配線２２ｂが通される貫通孔３８が形成され、透光性部材１６と対向するように設けられている裏面部材２６と、貫通孔３８を封止する封止部材４２と、を備える。
　図４は、図２に示す端子ボックスの内部を拡大した図である。太陽電池モジュール１０は、遮蔽部材４４を備えている。遮蔽部材４４は、裏面部材２６の表面に鉛直な方向から見た場合に、貫通孔３８と重畳するように配置され、貫通孔３８を遮蔽する。引き出し配線２２ｂは、貫通孔３８の出口側で遮蔽部材４４を迂回するように、また、遮蔽部材４４と裏面部材２６とで挟まれている隙間領域４６を通過するように配置されている。封止部材４２は、貫通孔３８に加えて隙間領域４６を封止している。なお、封止部材４２は、主として貫通孔３８を封止する孔部封止部４２ａと、裏面部材２６と引き出し配線２２ｂとの間を封止する第１隙間封止部４２ｂと、引き出し配線２２ｂと遮蔽部材４４との間を封止する第２隙間封止部４２ｃと、を有する。
　より詳述すると、引き出し配線２２ｂは、貫通孔３８の出口側で約９０度折り曲げられ、裏面部材２６の表面２６ａに沿って外側に向かって配置されている。更に、引き出し配線２２ｂは、遮蔽部材４４の縁部４４ａを越えた位置で再度約９０度折り曲げられ、遮蔽部材４４の縁部４４ａに沿って裏面部材２６とは反対の方向に向かって配置され、遮蔽部材４４の表面４４ｂで再度約９０度折り曲げられている。引き出し配線２２ｂの端部は、この状態で出力端子４８に接続されている。
　これにより、遮蔽部材４４をそのまま透過しない外部の水蒸気は、遮蔽部材４４を迂回するように隙間領域４６を通過しなければ貫通孔３８に到達できない。そのため、本実施の形態に係る太陽電池モジュール１０は、遮蔽部材４４がない場合と比較して、水蒸気が封止部材４２を通過する距離が長くなり、封止部材４２を透過して光起電力装置１２へ到達する水蒸気の量を抑制できる。その結果、光起電力装置１２や配線材２２自体の劣化や、素子や配線における各接続部での接続信頼性の低下が長期にわたって抑制され、太陽電池モジュールを長寿命化させることができる。
　なお、遮蔽部材４４は、ガラスで構成されている。これにより、遮蔽部材４４をそのまま透過する水蒸気の量を減らすことができる。また、封止部材４２は、ブチルゴムで構成されてる。これにより、封止部材４２を透過して太陽電池モジュール１０内部へ到達する水蒸気の量を更に減らすことができる。
　なお、本実施の形態では、封止部材４２として封止部材１４と同等の材料を用いる場合、図２や図４に示すように、裏面部材２６の厚みをｔ［ｍｍ］、貫通孔３８の出口側の縁から遮蔽部材４４の外縁である縁部４４ａまでの、隙間領域４６の長さをＬ［ｍｍ］、太陽電池モジュール１０端部の封止部材１４の幅をＷ［ｍｍ］とすると、ｔ＋Ｌ≧Ｗとなるように、各部材の形状や大きさ、配置が設定されている。なお、隙間領域４６の長さが一定でない場合には、最も短い間隔部分における長さをＬとする。
　封止部材４２における水蒸気に対するバリア性能は、厚みｔ＋長さＬの値が封止部材１４の幅Ｗと同等であれば、太陽電池モジュール１０の端面部における水蒸気のバリア性能と同等になる。また、使用する封止部材を最小限にすることができるので、製造コストを削減することが可能となる。
　特に、封止部材４２、封止部材１４にブチルゴム系の材料を使う場合はｔ＋Ｌ≧１０ｍｍを満たすように設定するとよい。ｔ＋Ｌが１０ｍｍあれば、高温高湿試験（８５℃、８５％ＲＨ）に規定された試験時間（１０００時間）の３倍程度までは、水蒸気浸入防止効果があることがわかっている。
　また、太陽電池モジュール１０は、完成時のｔ＋Ｌの値が大きいほど、水蒸気に対するバリア効果は高くなるが、その反面、遮蔽部材４４のサイズが大きくなったり、封止部材４２やタブ配線の使用量が多くなる。そこで、ｔ＋Ｌの値を、封止部材１４の幅Ｗと同等以上、ブチルゴム系の材料またはそれと同等レベルの性能を持つ封止部材を用いる場合には、１０～１５ｍｍの範囲で設定するのが好適である。なお、水蒸気に対するバリア効果をより重視する場合は、封止部材１４の幅Ｗを１５ｍｍ以上としてもよい。
　一方、太陽電池モジュール１０の発電効率を重視する場合、浸入した水分による特性への影響が少ない場合、あるいは、ブチルゴム系の封止部材よりもバリア性能が高い部材を用いる場合には、封止部材１４の幅Ｗを１０ｍｍ未満とし、それに合わせてｔ＋Ｌの値を１０ｍｍ未満としてもよい。
　なお、封止部材４２と遮蔽部材４４との位置関係は、図４に示す場合に限られない。図１５および図１６は、端子ボックスの内部における封止部材４２と遮蔽部材４４との位置関係を説明するための図である。
　図１５に示す封止部材４２と遮蔽部材４４との位置関係は、遮蔽部材４４の縁部４４ａまで封止部材４２が満たされていない場合を示す。図１５に示す封止部材４２の状態であっても、ｔ＋Ｌの値が前述の範囲であれば、図４に示す封止部材４２の状態と同様の効果を奏する。
　また、図１６に示す封止部材４２と遮蔽部材４４との位置関係は、遮蔽部材４４の縁部４４ａから封止部材４２がはみ出している場合を示している。図１６に示す封止部材４２の状態であっても、ｔ＋Ｌの値が前述の範囲であれば、図４に示す封止部材４２の状態と同様の効果を奏する。
　なお、端子ボックス４０は、遮蔽部材４４を収納する収納部４０ａと、収納部４０ａの内部を充填する充填材５０とを有する。充填材５０は、封止部材４２よりも放熱性が高い材料、例えば、シリコーンなどで構成されている。これにより、出力端子４８をはじめとする端子ボックス４０の内部の素子や回路における熱を、充填材５０を介して外部へ放熱し易くなる。
　（太陽電池モジュールの製造方法）
　次に、上述の太陽電池を備える太陽電池モジュールの製造方法について説明する。なお、以下では、光起電力素子２８を複数備える太陽電池モジュールについて説明するが、光起電力素子２８を一つ備える太陽電池モジュールであってもよい。
　図５および図６は、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法の工程を説明するための模式図である。
　はじめに、図５（ａ）に示すように、４ｍｍ厚のガラスからなる透光性部材１６上に、スパッタリングにより６００ｎｍ厚の酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる第１電極層３０を形成する。そして、透光性部材１６の第１電極層３０側からＹＡＧレーザを照射して、第１電極層３０を短冊状にパターニングする。
　次に、図５（ｂ）に示すように、プラズマ処理装置（プラズマＣＶＤ）により半導体層３２を形成する。半導体層３２は、膜厚１５ｎｍのｐ型アモルファスシリコン半導体膜、膜厚２００ｎｍのｉ型アモルファスシリコン半導体膜、膜厚３０ｎｍのｎ型アモルファスシリコン半導体膜、膜厚３０ｎｍのｐ型微結晶シリコン半導体膜、膜厚２０００ｎｍのｉ型微結晶シリコン半導体膜および膜厚３０ｎｍのｎ型微結晶シリコン半導体膜を、第１電極層３０上に順次積層したものである。
　ｐ型アモルファスシリコン半導体膜は、モノシラン（ＳｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、水素（Ｈ２）およびジボラン（Ｂ２Ｈ６）との混合ガスを原料ガスとして形成される。ｉ型アモルファスシリコン半導体膜は、モノシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）との混合ガスを原料ガスとして形成される。ｎ型アモルファスシリコン半導体膜は、モノシラン（ＳｉＨ４）、水素（Ｈ２）およびホスフィン（ＰＨ３）との混合ガスを原料ガスとして形成される。
　また、ｐ型微結晶シリコン半導体膜は、モノシラン（ＳｉＨ４）、水素（Ｈ２）およびジボラン（Ｂ２Ｈ６）との混合ガスを原料ガスとして形成される。ｉ型微結晶シリコン半導体膜は、モノシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）との混合ガスを原料ガスとして形成される。ｎ型微結晶シリコン半導体膜は、モノシラン（ＳｉＨ４）、水素（Ｈ２）およびホスフィン（ＰＨ３）との混合ガスを原料ガスとして形成される。以下にプラズマ処理装置による各膜の成膜条件の詳細を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　積層された半導体層３２、第１電極層３０のパターニング位置から外れた位置に表面側（透光性部材１６側）からＹＡＧレーザを照射することにより透光性部材１６の裏面側に形成された半導体層３２を分離するように除去し、短冊状にパターニングする。
　次に、図５（ｃ）に示すように、酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる透明導電膜３４を半導体層３２上にスパッタリングにより形成する。透明導電膜３４は、半導体層３２がパターニングにより除去された領域や側端部にも成膜される。
　そして、図６（ａ）に示すように、２００ｎｍ厚の銀（Ａｇ）膜を透明導電膜３４上にスパッタリングにより成膜し、第２電極層３６を形成する。このとき、第２電極層３６は、半導体層３２がパターニングにより除去された領域内の透明導電膜３４上にも成膜される。
　次に、図６（ｂ）に示すように、半導体層３２のパターニング位置からずれた部分に、表面側（透光性部材１６側）からＹＡＧレーザを照射することにより半導体層３２、透明導電膜３４および第２電極層３６を分離し、短冊状にパターニングする。
　次に、図６（ｃ）に示すように、第１電極層３０や半導体層３２の側部（最外周）に回り込んだ透明導電膜３４と第２電極層３６は、表面側から照射されるレーザにより除去される。
　以上により、互いに直列接続された複数の光起電力素子２８が透光性部材１６上に形成される。
　次に、前述の方法で一方の面に光起電力装置１２が設けられた透光性部材１６を準備する。そして、光起電力装置１２上に配線材２２を配置し、引き出し配線２２ｂを立ち上げた状態とする。
　次に、光起電力装置１２を覆う、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）からなるシート状の充填材２４と、裏面部材２６と、封止部材１４と、孔部封止部４２ａと、を光起電力装置１２上に配置する。そして、引き出し配線２２ｂの一端が外側へ引き出された状態で、充填材や封止部材を真空ラミネート装置等で溶融することで、モジュール内部の隙間が充填され、透光性部材１６と裏面部材２６との間が密着するとともに、貫通孔３８が封止される。封止部材１４は、仕上がり時の幅が１０～１５ｍｍとなるように構成されている。
　その後、貫通孔３８を遮蔽するように遮蔽部材４４を配置し、図４に示すように、遮蔽部材４４を迂回するように引き出し配線２２ｂを折り曲げる。その際、裏面部材２６の表面２６ａと遮蔽部材４４との間には、引き出し配線２２ｂを挟み込むように封止部材（第１隙間封止部４２ｂおよび第２隙間封止部４２ｃ）を配置して接着する。
　なお、ここまでの工程において、孔部封止部４２ａ、第１隙間封止部４２ｂ、第２隙間封止部４２ｃが全て同じ材料（例えば、ブチルゴム系の材料）であれば、封止部材４２を構成する各部を全て配置した後にラミネート処理を行うことができ、製造工程の短縮が可能となる。
　図７は、配線に端子を溶着する工程を説明するための模式図である。図７に示す治具６０は、端子ボックス４０の収納部４０ａを保持するとともに、はんだごて６２を備えている。はんだごて６２の先端には、出力端子４８を押さえるとともに加熱する端子台６４が設けられている。
　そして、遮蔽部材４４上に配置されている引き出し配線２２ｂの上に出力端子４８を置き、治具６０を下降させ、端子台６４で出力端子４８を押さえながら加熱する。これにより、引き出し配線２２ｂは、遮蔽部材４４上ではんだを介して出力端子４８と接続される。また、遮蔽部材４４は、絶縁材料であるガラスであるため、遮蔽部材４４を台として引き出し配線２２ｂと出力端子４８との接続が可能となる。そのため、治具６０を使って自動化により引き出し配線２２ｂと出力端子４８との接続が可能となり、量産製造が容易となる。
　図８は、第１の実施の形態の変形例に係る太陽電池モジュールの端子ボックスの内部を拡大した図である。
　太陽電池モジュール１１０においては、引き出し配線２２ｂは、遮蔽部材４４から離間した位置ではんだを介して出力端子４８と接続されている。これにより、引き出し配線２２ｂと出力端子４８とをはんだを介して接続を行う際の熱が、遮蔽部材４４を介して封止部材４２や光起電力装置１２に伝達しにくくなる。そのため、熱による封止部材４２の変質や、光起電力装置１２の劣化が抑制できる。
　図９は、第１の実施の形態の他の変形例に係る太陽電池モジュールの端子ボックスの内部を拡大した図である。
　図９に示す太陽電池モジュール１３０は、封止部材４２が貫通孔３８の内部には充填されておらず、第１隙間封止部４２ｂおよび第２隙間封止部４２ｃにより封止されている。このような場合、隙間領域４６の長さをＬ’とすると、Ｌ’≧１０ｍｍとなるように各部材の形状や大きさ、配置が設定されている。より好ましくは、Ｌ’≧１５ｍｍとなるように、各部材の形状や大きさ、配置を設定するとよい。このように、水蒸気の浸入距離を大きくすることで、封止部材４２を透過して太陽電池モジュール１３０内部へ到達する水蒸気の量を更に減らすことができる。
　太陽電池モジュール１３０の製造においては、前述のようにシート状の充填材２４を配置する際には、前述の孔部封止部４２ａは配置しない。そして、前述のように、遮蔽部材４４を配置する際に、裏面部材２６の表面２６ａと遮蔽部材４４との間に、引き出し配線２２ｂを挟み込むように全ての封止部材（第１隙間封止部４２ｂおよび第２隙間封止部４２ｃ）を配置した後にラミネート処理を行う。
　（第２の実施の形態）
　図１０は、第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの要部を拡大した図である。
　太陽電池モジュール２１０は、第１の実施の形態に係る太陽電池モジュール１０と比較して、裏面部材に貫通孔が２つ形成されている点、遮蔽部材の中央にも貫通孔が形成されている点が大きく異なる。なお、第１の実施の形態と同様の構成については、同じ符号を付して説明を適宜省略する。
　本実施の形態に係る裏面部材１２６は、２つの貫通孔３８ａ，３８ｂが形成されている。それぞれの貫通孔には、２つの引き出し配線２２ｂの一方がそれぞれ通された状態で、封止部材４２で封止されている。
　太陽電池モジュール２１０は、遮蔽部材６６を備えている。遮蔽部材６６は、裏面部材１２６の表面に鉛直な方向から見た場合に、貫通孔３８ａ，３８ｂと重畳するように配置され、貫通孔３８ａ，３８ｂを遮蔽する。遮蔽部材６６は、ガラス板であり、中央に貫通孔６６ａが形成されている。２本の引き出し配線２２ｂは、貫通孔３８ａ，３８ｂのそれぞれの出口側で遮蔽部材６６を迂回するように遮蔽部材６６と裏面部材１２６とで挟まれている隙間領域６８を通過するように配置されている。また、封止部材４２は、貫通孔３８，３８ｂに加えて隙間領域６８を封止している。
　より詳述すると、各引き出し配線２２ｂは、貫通孔３８ａ（３８ｂ）の出口側で約９０度折り曲げられ、裏面部材１２６の表面１２６ａに沿って内側に向かって配置されている。更に、引き出し配線２２ｂは、遮蔽部材６６の貫通孔６６ａの外縁を越えた位置で再度約９０度折り曲げられ、貫通孔６６ａに沿って遮蔽部材６６の表面６６ｂから突き出すように配置されている。引き出し配線２２ｂの端部は、出力端子４８に接続される。
　これにより、遮蔽部材６６をそのまま透過しない外部の水蒸気は、遮蔽部材６６を迂回するように隙間領域６８を通過しなければ貫通孔３８ａ，３８ｂに到達できない。そのため、本実施の形態に係る太陽電池モジュール２１０は、遮蔽部材６６がない場合と比較して、封止部材４２を透過して光起電力装置１２へ到達する水蒸気の量を抑制できる。その結果、光起電力装置１２や配線材２２自体の劣化や、素子や配線における各接続部での接続信頼性の低下が長期にわたって抑制され、太陽電池モジュールを長寿命化させることができる。
　なお、本実施の形態では、図１０に示すように、裏面部材１２６の厚みをｔ１、遮蔽部材６６の厚みをｔ２、貫通孔３８ａ（３８ｂ）の出口側の縁から遮蔽部材６６の外縁である縁部６６ｃまでの、隙間領域６８の長さをＬ１、貫通孔３８ａ（３８ｂ）の出口側の縁から遮蔽部材６６の貫通孔６６ａの外縁までの、隙間領域６８の長さをＬ２、とすると、ｔ１＋Ｌ１≧１０ｍｍとなるように、各部材の形状や大きさ、配置が設定されている。より好ましくは、ｔ１＋Ｌ１≧１５ｍｍとなるように、各部材の形状や大きさ、配置を設定するとよい。また、ｔ１＋ｔ２＋Ｌ２≧１０ｍｍとなるように、各部材の形状や大きさ、配置が設定されている。より好ましくは、ｔ１＋ｔ２＋Ｌ２≧１５ｍｍとなるように、各部材の形状や大きさ、配置を設定するとよい。このように、水蒸気の浸入距離を大きくすることで、封止部材４２を透過して太陽電池モジュール１０内部へ到達する水蒸気の量を更に減らすことができる。
　このように、上述の実施の形態に係る太陽電池モジュールは、透光性部材と裏面部材を有しており、裏面部材の端子孔である貫通孔を、貫通孔のサイズより大きい遮蔽部材が、ブチルゴムを介して覆っている。また、引き出し配線が、ブチルゴムで満たされている隙間領域に配置されている。そのため、貫通孔の大きさに対する遮蔽部材の大きさを適宜選択することで、水蒸気が浸入する隙間領域の距離を確保でき、貫通孔の水蒸気に対する封止効果が向上する。
　（第３の実施の形態）
　図１１は、第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの貫通孔近傍を裏面部材側から見た要部拡大図である。図１２は、図１１に示すＣ－Ｃ断面図である。図１３は、図１１に示すＤ－Ｄ断面図である。第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールは、遮蔽部材と裏面部材とを溶融接合している点が特徴の一つであり、その他の部分は第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールと同様である。図１１では、主に特徴部分に関わる部材を図示している。なお、第１の実施の形態と同様の構成については同じ符号を付して説明を適宜省略する。
　第３の実施の形態に係る太陽電池モジュール３１０において、裏面部材２６は、ガラスで構成されている。そして、遮蔽部材４４は、貫通孔３８の周囲の少なくとも一部において裏面部材２６と溶融接合されている。詳述すると、四角形の遮蔽部材４４は、外周縁領域の接合領域Ｒ１（図１１においてハッチングされている部分）において裏面部材２６と溶融接合されている。なお、遮蔽部材４４の外周縁領域であって、裏面部材２６との間に引き出し配線２２ｂが挟まれている隙間領域４６においては、ブチルゴムなどの封止部材４２により封止が行われる。
　なお、遮蔽部材４４の裏面部材２６と対向する側の外縁部には、引き出し配線２２ｂの厚みを考慮して、遮蔽部材４４と裏面部材２６との間に空間を形成するべく、かさ上げ部４４ｃが設けられている。かさ上げ部４４ｃは、遮蔽部材４４を加工することで一体的に形成されたものでもよいし、平板のガラス板の外縁部にガラスフリットを塗布し焼成することで形成されたものでもよい。ここで、ガラスフリットとは、例えば、ガラス原料を高温で溶解し、急冷して生成されるガラスのかけら（フレーク）または粉末をいう。
　かさ上げ部４４ｃには、引き出し配線２２ｂを遮蔽部材４４の外部へ干渉せずに引き出すための切り欠き４４ｄが形成されている。なお、封止部材４２は、隙間領域４６だけではなく、図１２や図１３に示すように、貫通孔３８の内部にまで充填されているとよい。
　このように、太陽電池モジュール３１０において、遮蔽部材４４は、裏面部材２６の貫通孔３８を覆った状態で、貫通孔３８の周囲の少なくとも一部において裏面部材２６と溶融接合され、少なくとも溶融接合された部分では外部からの水分の浸入に対する高い気密性が実現される。そのため、外部の水分が遮蔽部材４４と裏面部材２６との間を通過し、貫通孔３８を介して太陽電池モジュール３１０の内部に浸入することが抑制され、太陽電池モジュール３１０の長期にわたる信頼性の向上が可能となる。
　ここで、「溶融接合」とは、例えば、遮蔽部材４４や裏面部材２６の一部が溶けた状態で互いに接合されている状態と捉えることができる。より好ましくは、遮蔽部材４４と裏面部材２６との界面において、遮蔽部材４４の材料と裏面部材２６のガラスとが互いに溶融して混ざり合った状態であるとよい。
　＜溶融接合方法＞
　次に、遮蔽部材４４と裏面部材２６とを溶融接合する方法について説明する。
　遮蔽部材４４と裏面部材２６との溶融接合では、はじめに引き出し配線２２ｂの周囲に封止部材４２を配置した状態で、遮蔽部材４４の外周縁の接合領域Ｒ１を裏面部材２６に密着させた状態とする。そして、密着させた接合領域Ｒ１の接触面に焦点を合わせてレーザ装置からレーザビームを照射し、遮蔽部材４４の外周４辺に沿って走査する
　レーザビームは、フェムト秒レーザビームとすることが好適である。すなわち、レーザビームは、１ナノ秒以下のパルス幅を有するものとすることが好適である。また、レーザビームは、遮蔽部材４４及び裏面部材２６の少なくとも一方で吸収が生ずる波長とすることが好適である。例えば、レーザビームは、波長８００ｎｍとすることが好適である。さらに、レーザビームは、遮蔽部材４４と裏面部材２６とが溶融するに足りるエネルギー密度及び走査速度で照射することが好適である。例えば、レーザビームは、波長８００ｎｍ、パルス幅１５０ｆｓ、発振繰り返し１ｋＨｚ、１パルス当たり５マイクロジュール（μＪ）のパルスエネルギーで照射することが好適である。また、レーザビームは、６０ｍｍ／分の走査速度で走査することが好適である。
　同様の方法によって、透光性部材１６と裏面部材２６とを、封止部材１４を介さずに、外周部において溶融接合してもよい。また、透光性部材１６と裏面部材２６とを、他のガラス部材等を介して、外周部において溶融接合してもよい。
　また、遮蔽部材４４は、貫通孔３８の周囲の全周にわたって裏面部材２６と溶融接合されていてもよい。図１４は、第３の実施の形態に係る太陽電池モジュールの変形例を示す図である。太陽電池モジュール３２０においては、引き出し配線２２ｂの、遮蔽部材４４と裏面部材２６とで挟まれる部分にガラスフリットを塗布しておき、引き出し配線２２ｂを挟んだ状態で遮蔽部材４４と裏面部材２６との接合領域Ｒ１をレーザビームにより全周にわたり走査することで溶融接合される。これにより、外部の水分が遮蔽部材４４と裏面部材２６との間を通過し、貫通孔３８を介して太陽電池モジュール３２０の内部に浸入することがより抑制される。
　以上、本発明を上述の各実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の各実施の形態に限定されるものではなく、各実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて各実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を各実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。
　上述の実施の形態に係る充填材２４としては、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）の他、シリコーン、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）や各種ポリオレフィン系樹脂、エチレンエチルアクリレートコポリマー（ＥＥＡ）等のエチレン系樹脂、ウレタン、アクリル系、エポキシ樹脂などを用いてもよい。また、上述の実施の形態に係る封止部材１４，４２としては、ブチルゴムの他、エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂など、水蒸気透過率の低い材料を用いてもよい。
　上述の各実施の形態に係る第１電極層３０としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の他、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、スズ酸亜鉛（Ｚｎ２ＳｎＯ４）などの金属酸化物より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成されていてもよい。なお、これらの金属酸化物には、フッ素（Ｆ）、スズ（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、ニオブ（Ｎｂ）などがドープされていてもよい。
　なお、以下の組合せによる太陽電池モジュールについても本発明の範囲に含まれうる。
　（１）太陽電池モジュールは、
　受光側に配置された透光性部材と、
　前記透光性部材上に設けられている光起電力装置と、
　前記光起電力装置で生じた電気エネルギーを外部へ出力する配線と、
　前記配線の一部が通される開口部が形成され、前記透光性部材と対向するように設けられている裏面部材と、
　前記開口部と重畳するように配置され、該開口部を遮蔽する遮蔽部材と、
　前記開口部を封止する封止部材と、を備え、
　前記配線は、前記開口部の出口側で前記遮蔽部材を迂回するように該遮蔽部材と前記裏面部材とで挟まれている隙間領域を通過するように配置され、
　前記封止部材は、前記開口部に加えて前記隙間領域を封止している。
　これにより、遮蔽部材をそのまま透過しない外部の水蒸気は、遮蔽部材を迂回するように隙間領域を通過しなければ開口部に到達できない。そのため、本実施の形態に係る太陽電池モジュールは、遮蔽部材がない場合と比較して、水蒸気が封止部材を通過する距離が長くなり、封止部材を透過して光起電力装置へ到達する水蒸気の量を抑制できる。その結果、光起電力装置や配線自体の劣化や、素子や配線における各接続部での接続信頼性の低下が長期にわたって抑制され、太陽電池モジュールを長寿命化させることができる。
　（２）前記遮蔽部材は、ガラスで構成されている（１）に記載の太陽電池モジュールであってもよい。これにより、遮蔽部材をそのまま透過する水蒸気の量を減らすことができる。
　（３）前記裏面部材は、ガラスで構成されており、前記遮蔽部材は、前記開口部の周囲の少なくとも一部において前記裏面部材と溶融接合されている（２）に記載の太陽電池モジュールであってもよい。これにより、外部の水分が遮蔽部材と裏面部材との間を通過し、開口部を介して太陽電池モジュールの内部に浸入することがより抑制される。
　（４）前記封止部材は、ブチルゴムで構成されている（１）乃至（３）のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールであってもよい。これにより、封止部材を透過して太陽電池モジュール内部へ到達する水蒸気の量を更に減らすことができる。
　（５）前記裏面部材の厚みをｔ、前記開口部の出口側の縁から前記遮蔽部材の外縁までの、前記隙間領域の長さをＬとすると、ｔ＋Ｌ≧１０ｍｍである（４）に記載の太陽電池モジュールであってもよい。これにより、高温高湿試験（８５℃、８５％ＲＨ）に規定された試験時間（１０００時間）の３倍程度までは、水蒸気浸入防止効果がある。
　（６）前記配線と接続される出力端子を更に備え、前記遮蔽部材は、絶縁材料で構成され、前記配線は、前記遮蔽部材上ではんだを介して前記出力端子と接続されている（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールであってもよい。これにより、遮蔽部材を台として配線と出力端子との接続が可能となる。
　（７）前記配線と接続される出力端子を更に備え、前記配線は、前記遮蔽部材から離間した位置ではんだを介して前記出力端子と接続されている（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールであってもよい。これにより、配線と出力端子とをはんだを介して接続を行う際の熱が、遮蔽部材を介して封止部材や光起電力装置に伝達しにくくなる。そのため、熱による封止部材の変質や、光起電力装置の劣化が抑制できる。
　（８）前記遮蔽部材を収納する収納部と、前記収納部の内部を充填する充填材と、を更に備え、前記充填材は、前記封止部材よりも放熱性が高い材料で構成されている（１）乃至（７）のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールであってもよい。これにより、出力端子をはじめとする端子ボックスの内部の素子や回路における熱を、充填材を介して外部へ放熱し易くなる。
　１０　太陽電池モジュール、　１２　光起電力装置、　１４　封止部材、　１６　透光性部材、　１６ｂ　裏面、　２２ｂ　引き出し配線、　２４　充填材、　２６　裏面部材、　２６ａ　表面、　３８　貫通孔、　４０　端子ボックス、　４０ａ　収納部、　４２　封止部材、　４４　遮蔽部材、　４６　隙間領域、　４８　出力端子、　５０　充填材。
　本発明は、太陽電池に利用できる。

Claims (8)

  1. 　受光側に配置された透光性部材と、
    　前記透光性部材上に設けられている光起電力装置と、
    　前記光起電力装置で生じた電気エネルギーを外部へ出力する配線と、
    　前記配線の一部が通される開口部が形成され、前記透光性部材と対向するように設けられている裏面部材と、
    　前記開口部と重畳するように配置され、該開口部を遮蔽する遮蔽部材と、
    　前記開口部を封止する封止部材と、を備え、
    　前記配線は、前記開口部の出口側で前記遮蔽部材を迂回するように該遮蔽部材と前記裏面部材とで挟まれている隙間領域を通過するように配置され、
    　前記封止部材は、前記開口部に加えて前記隙間領域を封止していることを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 　前記遮蔽部材は、ガラスで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
  3. 　前記裏面部材は、ガラスで構成されており、
    　前記遮蔽部材は、前記開口部の周囲の少なくとも一部において前記裏面部材と溶融接合されていることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池モジュール。
  4. 　前記封止部材は、ブチルゴムで構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
  5. 　前記裏面部材の厚みをｔ、前記開口部の出口側の縁から前記遮蔽部材の外縁までの、前記隙間領域の長さをＬとすると、ｔ＋Ｌ≧１０ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載の太陽電池モジュール。
  6. 　前記配線と接続される出力端子を更に備え、
    　前記遮蔽部材は、絶縁材料で構成され、
    　前記配線は、前記遮蔽部材上ではんだを介して前記出力端子と接続されている、
    　ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
  7. 　前記配線と接続される出力端子を更に備え、
    　前記配線は、前記遮蔽部材から離間した位置ではんだを介して前記出力端子と接続されている、
    　ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
  8. 　前記遮蔽部材を収納する収納部と、
    　前記収納部の内部を充填する充填材と、を更に備え、
    　前記充填材は、前記封止部材よりも放熱性が高い材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
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