WO2012173086A1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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film transistor
semiconductor device
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憲史 多田
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シャープ株式会社
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    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13613—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof.
  • an active matrix substrate (also referred to as a TFT substrate) in which a large number of thin film transistors (TFTs) are arranged in a matrix on a substrate such as a glass substrate is used.
  • the TFT is formed on the substrate by a manufacturing method similar to a semiconductor integrated circuit manufacturing technology such as a deposition method such as a CVD method or photolithography. Since formation of TFT is accompanied by high-temperature treatment, a substrate having excellent heat resistance such as a high heat-resistant glass substrate is usually used as the substrate.
  • a flexible display that is thin, lightweight, hardly damaged, and can be deformed into a curved shape has been attracting attention.
  • a TFT substrate in which a TFT is formed on a flexible substrate such as a resin substrate ( Hereinafter, referred to as “flexible TFT substrate”).
  • the process temperature is limited as compared with the case of forming on a conventional heat-resistant glass substrate.
  • the process temperature may be about 600 ° C. or less on the heat resistant glass substrate, but the process temperature needs to be suppressed to about 200 ° C. or less on the resin substrate. This is because if the process temperature exceeds 200 ° C., the resin substrate may be deformed or softened.
  • the process temperature can be increased.
  • the polyimide resin substrate is generally inferior in optical transmission characteristics, it is not suitable for a flexible display. There is also a problem that it is difficult to perform fine patterning on the resin substrate. For this reason, it is difficult to realize a high-definition display.
  • a method of manufacturing a flexible TFT substrate by forming a TFT on a support substrate having excellent heat resistance and then transferring the formed TFT onto a resin substrate has been proposed.
  • a desired substrate transfer object
  • the TFT is transferred onto the resin substrate by separating the support substrate from the TFT or the like. This makes it possible to provide a TFT formed with high accuracy at a high process temperature on a desired substrate such as a resin substrate.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device manufactured using the method disclosed in Patent Document 1.
  • the TFT substrate 2000 of the liquid crystal display device has a display area 2000A including a plurality of pixels and an area (peripheral area) 2000B other than the display area.
  • a thin film transistor M1 is provided in each pixel and functions as a switching element.
  • a driver circuit including a thin film transistor M2 is formed in the peripheral region 2000B.
  • these thin film transistors M1 and M2 are formed on a TFT substrate 2000 using transfer.
  • an insulating film 1000, thin film transistors M1 and M2, a protective layer 1600, and a conductive film 1700 are formed in this order on a support substrate (not shown) on which a separation layer is formed.
  • the thin film transistors M1 and M2 are top-gate TFTs, and each include a semiconductor layer 1100, a gate insulating layer 1200, a gate electrode (gate wiring) 1300, and a source / drain electrode 1400.
  • the conductive film 1700 is provided over the protective layer 1600 and is connected to the drain electrode 1400 in a contact hole formed in the protective layer 1600.
  • the opening is provided in the protective layer 1600 and the insulating film 1000 and is in contact with a separation layer on a support substrate (not shown).
  • an adhesive layer 1800 is formed so as to cover the thin film transistors M1 and M2, and then the adhesive layer 1800 is adhered to a substrate (for example, a resin substrate) 1900 serving as a transfer target to obtain a joined body.
  • a substrate for example, a resin substrate
  • the support substrate is separated and removed from the bonded body using ablation or the like in the separation layer by laser light irradiation.
  • the TFT substrate 2000 is obtained.
  • a part 1702 of the conductive film 1700 is exposed on the surface after the support substrate is separated.
  • the exposed portion 1702 functions as a pixel electrode in the completed display device.
  • the TFT substrate 2000 after separating the support substrate is bonded to the counter substrate 480 having the electrode 482 on the surface through the liquid crystal layer 460. Thereby, a liquid crystal display device is obtained.
  • a voltage is applied to the liquid crystal layer 460 by the portion 1702 of the conductive film 1700 and the electrode 482, and display is performed.
  • Patent Document 2 proposes a method of manufacturing a TFT substrate using transfer for the purpose of improving the flatness of the pixel electrode.
  • an amorphous silicon layer serving as a separation layer, a pixel electrode having light reflectivity (for example, a tungsten electrode), a TFT, and a substrate as a transfer target are formed in this order on a transparent support substrate. Thereafter, the support substrate is separated and removed by irradiating laser light from the support substrate side to obtain a TFT substrate.
  • Patent Document 1 when the method disclosed in Patent Document 1 is used, there is a problem that it is difficult to increase the aperture ratio of the display device.
  • the TFT substrate 2000 obtained by using the method of Patent Document 1 has a planar structure as shown in FIG.
  • the display region 2000A of the TFT substrate 2000 is provided with a source wiring S extending along the pixel column direction, a gate wiring G extending along the pixel row direction, and a thin film transistor M1.
  • the gate wiring G is electrically connected to the gate electrode 1300 of each thin film transistor M1
  • the source wiring S is electrically connected to the source electrode 1400.
  • the thin film transistor M1 is disposed in the vicinity of the point where the source line S and the gate line G intersect.
  • a part (bottom part) 1702 of a conductive film functioning as a pixel electrode is disposed in each pixel.
  • a drive circuit 94 is provided by a COG (Chip On Glass) mounting method.
  • a flexible printed wiring board (FPC board) 90 is also mounted on the peripheral area 2000B.
  • the drive circuit 94 is connected via a mounting pad P1 of a terminal portion to receive a signal from the outside, and an input terminal of the drive circuit is an external wiring 92 formed on the FPC board 90 via the mounting pad P2. Connected with.
  • the transparent conductive film portion 1702 functioning as a pixel electrode is formed only in a portion where the thin film transistor M1 and the wirings G and S are not formed. For this reason, the area of the pixel electrode cannot be increased and it is difficult to increase the aperture ratio.
  • a pixel electrode is formed on a release layer to be irradiated with laser, and a TFT needs to be formed on the pixel electrode.
  • the material of the pixel electrode is also limited from the viewpoint. For example, it is difficult to use a conductive film that transmits light, such as ITO, as the pixel electrode. For this reason, this method cannot be applied to a transmissive display device.
  • Embodiments of the present invention have been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an arbitrary conductivity in a semiconductor device formed by transferring a thin film transistor formed on a supporting substrate onto a predetermined substrate.
  • a pixel electrode having a large area is formed using a material, and the aperture ratio is to be increased as compared with the conventional art.
  • a method for manufacturing a semiconductor device is a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film transistor.
  • a first separation layer and a first insulating layer are formed in this order on the surface of a support substrate.
  • B preparing a transfer target including a substrate, and
  • C forming a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate insulating layer, and a gate electrode on the first insulating layer.
  • D forming a second insulating layer that covers the thin film transistor; and (E) the second insulating layer so that the thin film transistor faces the transferred object via the second insulating layer.
  • the method further includes a step (H1) of forming a source and a drain electrode so as to be electrically connected to the semiconductor layer between the step (C) and the step (D), In the step (D), the second insulating layer is formed on the source and drain electrodes.
  • the thin film transistor may have a bottom gate structure.
  • the thin film transistor has a top gate structure, and the transferred object in the bonded body after the support substrate is separated between the step (F) and the step (G).
  • a contact hole reaching a part of the drain electrode is provided in the first insulating layer, and a conductive layer is formed on the first insulating layer and in the contact hole.
  • the source and drain electrodes are formed.
  • the transfer object has a transparent substrate stacked on the substrate via a second separation layer, and after the step (G), the transparent substrate, and the second separation layer.
  • the method further includes a step (I) of separating at least a part of the structure from the joined body.
  • the method further includes a step (J) of disposing a display medium layer on the pixel electrode of the TFT substrate, and the step (I) includes the step (J ) After.
  • the substrate may be a resin substrate.
  • the resin substrate may be transparent.
  • the method further includes a step (J) of disposing a display medium layer on the pixel electrode of the TFT substrate after the step (G), wherein at least a part of the pixel electrode includes the semiconductor Between the layer and the display medium layer.
  • the display medium layer is a liquid crystal layer
  • the TFT substrate and a counter substrate having a counter electrode formed on the surface are disposed via the liquid crystal layer,
  • the counter substrate is formed using a resin substrate.
  • a semiconductor device includes a TFT substrate having a thin film transistor having a bottom gate structure, a display medium layer disposed on the TFT substrate, and a transparent electrode electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor.
  • a semiconductor device comprising a pixel electrode, wherein when the gate electrode side of the thin film transistor is on the lower side and the semiconductor layer side is on the upper side, the TFT substrate and the display medium layer are arranged below the thin film transistor.
  • the pixel electrode is at least partly located between the gate electrode of the thin film transistor and the display medium layer.
  • the semiconductor device further includes a wiring formed from the same conductive film as the pixel electrode and connecting the drain electrode and the gate electrode of the thin film transistor.
  • a semiconductor device includes a TFT substrate having a thin film transistor having a top gate structure, a display medium layer disposed on the TFT substrate, and a transparent pixel electrically connected to the thin film transistor.
  • the TFT substrate and the display medium layer are positioned below the thin film transistor when the gate electrode side of the thin film transistor is the upper side and the semiconductor layer side is the lower side.
  • at least a part of the pixel electrode is located between the semiconductor layer of the thin film transistor and the display medium layer.
  • the source and drain electrodes of the thin film transistor are provided between the semiconductor layer and the display medium layer.
  • the display medium layer is a liquid crystal layer, and further includes a counter substrate disposed so as to face the TFT substrate through the liquid crystal layer, and the counter substrate and the TFT substrate are transparent resins. It has a substrate.
  • a pixel electrode is formed after the thin film transistor is transferred. Therefore, the pixel electrode can be patterned regardless of the wiring pattern or the position of the thin film transistor. Accordingly, since the area of the pixel electrode can be increased, the aperture ratio can be increased when this substrate is applied to a display device.
  • any material can be used as the material of the pixel electrode.
  • a transparent conductive material is used as the material of the pixel electrode, a transmissive display device with a high aperture ratio can be realized.
  • the pixel electrode can be formed on a substantially flat surface, the thickness of the display medium layer can be made substantially uniform.
  • a TFT substrate applicable to a flexible display can be realized.
  • a laminate of a resin substrate and a support substrate is used as a transfer target, formation of pixel electrodes, mounting of a flexible printed circuit board (FPC), and driving circuit using a COG method are supported on the support substrate. It is possible to perform processes such as mounting, formation of terminal portions, and bonding of the TFT substrate and the counter substrate. For this reason, in these steps, deformation of the resin substrate can be suppressed and alignment accuracy can be increased, and a high-definition semiconductor device can be realized.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a display device disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. 10 is a plan view of a TFT substrate in the display device of Patent Document 1.
  • FIG. (A)-(e) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the TFT substrate of 1st Embodiment by this invention, respectively.
  • (A)-(c) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the TFT substrate of 1st Embodiment by this invention, respectively.
  • (A)-(c) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the opposing board
  • (A) And (b) is process sectional drawing for demonstrating the method of manufacturing a display apparatus, respectively using the TFT substrate of 1st Embodiment by this invention. It is a fragmentary sectional view of the display apparatus using the TFT substrate of 1st Embodiment by this invention. It is a top view which shows a part of TFT substrate of 1st Embodiment by this invention. It is sectional drawing which illustrates the terminal part formed in the TFT substrate of 1st Embodiment by this invention. It is sectional drawing which illustrates the other terminal part formed in the TFT substrate of 1st Embodiment by this invention. It is sectional drawing which illustrates further another terminal part formed in the TFT substrate of 1st Embodiment by this invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a method of connecting a source wiring layer, a gate wiring layer, and a pixel electrode layer in the TFT substrate of the first embodiment according to the present invention.
  • (A)-(d) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the TFT substrate of 2nd Embodiment by this invention, respectively.
  • (A)-(d) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the TFT substrate of 2nd Embodiment by this invention, respectively. It is a fragmentary sectional view of the display apparatus using the TFT substrate of 2nd Embodiment by this invention. It is sectional drawing which illustrates the terminal part formed in the TFT substrate of 2nd Embodiment by this invention.
  • the semiconductor device of this embodiment is an active matrix substrate (TFT substrate) including a TFT having a bottom gate structure.
  • TFT substrate active matrix substrate
  • the semiconductor device of the present embodiment only needs to include a TFT, and is not limited to an active matrix substrate.
  • display devices such as a liquid crystal display device and an organic EL display device, and an electronic apparatus including such a display device Including widely.
  • the TFT substrate of this embodiment is formed by transferring a TFT having a bottom gate structure formed on a support substrate onto a predetermined substrate such as a resin substrate.
  • the manufacturing method of the TFT substrate of this embodiment will be described more specifically with reference to FIGS.
  • a method of transferring a plurality of TFTs including a pixel TFT provided in each pixel and a driver TFT used in a drive circuit or the like onto a predetermined substrate will be described.
  • a support 10 is obtained by forming a separation layer 3 and a protective layer 5 in this order on a support substrate 1 such as a glass substrate.
  • a transparent substrate such as a glass substrate
  • the transparent substrate preferably has a strain point higher than the TFT process temperature.
  • the strain point is, for example, 300 ° C. or higher, more preferably 600 ° C. or higher.
  • the separation layer 3 preferably contains a substance having a glass transition point or melting point higher than the TFT process temperature (for example, 300 to 600 ° C.) and absorbing laser light or the like.
  • a polyimide resin layer or an amorphous silicon layer can be used as the separation layer 3.
  • the process temperature can be set in the range of 300 ° C. or higher and lower than 600 ° C., for example.
  • the process temperature can be set to, for example, 600 ° C. or more, which is advantageous.
  • the separation layer 3 can be peeled off in the separation layer 3 and / or at the interface by a laser ablation process.
  • the protective layer 5 may be an insulating layer, but is preferably an inorganic layer such as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer, or a high melting point resin layer.
  • a gate electrode 7 and a gate insulating layer 9 are formed in this order on the protective layer 5.
  • the gate electrode 7 is obtained by patterning metal or the like, for example.
  • the gate electrode 7 and the gate wiring are formed from the same conductive film.
  • the gate insulating layer 9 is, for example, a silicon nitride layer or a silicon oxide layer.
  • a semiconductor layer 11 that becomes an active layer (active layer) of the TFT and a contact layer 13 are formed on the gate insulating layer 9.
  • the semiconductor layer 11 is a semiconductor layer such as an amorphous silicon film or a crystalline silicon film.
  • the contact layer 13 may be an amorphous silicon layer containing an impurity such as phosphorus (P) at a high concentration.
  • P phosphorus
  • a semiconductor film to be the semiconductor layer 11 and a semiconductor film to be the contact layer 13 are formed in this order, and then these semiconductor films are simultaneously patterned into an island shape, whereby the semiconductor layer 11 and the contact layer 13 are formed. Get.
  • the contact layer 13 can be omitted when the contact resistance between the semiconductor layer 11 and a source / drain electrode to be formed later is sufficiently small.
  • a polysilicon layer may be formed as the semiconductor layer 11 by crystallizing the amorphous silicon layer by laser crystallization or the like.
  • a region containing impurities at a high concentration may be formed by doping or the like in a portion of the polysilicon layer connected to the source / drain electrodes. This improves the TFT driving capability, which is particularly advantageous when used as a driver TFT.
  • a contact hole reaching the impurity region may be formed after an insulating layer is formed on the semiconductor layer 11. Thereby, the gate wiring, the semiconductor layer, and the source wiring layer can be formed independently.
  • source / drain electrodes 15 s and 15 d are formed on the contact layer 13.
  • the conductive film is patterned to form source / drain electrodes 15s, 15d and a source wiring.
  • a portion of the contact layer 13 located on the channel region of the semiconductor layer 11 is also removed at the same time.
  • the contact layer 13 is separated into the source contact layer 13s and the drain contact layer 13d.
  • the source electrode 15s is electrically connected to the semiconductor layer 11 through the source contact layer 13s.
  • the drain electrode 15d is electrically connected to the semiconductor layer 11 through the drain contact layer 13d.
  • the thin film transistor M1 that becomes the pixel TFT and the thin film transistor M2 that becomes the driver TFT are formed on the support substrate 1.
  • the thin film transistors M1 and M2 include a gate electrode 7 provided on the protective layer 5, a gate insulating layer 9 covering the gate electrode 7 and the protective layer 5, and a semiconductor layer formed on the gate insulating layer 9. (Active layer) 11 and source / drain electrodes 15 s and 15 d formed on the semiconductor layer 11 via contact layers 13 s and 13 d. A portion of the semiconductor layer 11 that overlaps with the gate electrode 7 through the gate insulating layer 9 becomes a channel region 11c, and contact layers 13s and 13d are formed on both sides of the channel region 11c, respectively.
  • the method of forming these thin film transistors M1 and M2 is not limited to the above method. Other processes may be used to form these TFTs.
  • the structures of the thin film transistors M1 and M2 may be different from each other.
  • an insulating layer 20 is formed so as to cover the thin film transistors M1 and M2.
  • the surface protective layer 17 and the planarizing resin layer 19 are formed in this order.
  • the planarizing resin layer 19 and the surface protective layer 17 are preferably transparent. Further, these layers 17 and 19 preferably have a glass transition point or a melting point higher than the formation temperature of a pixel electrode to be formed later.
  • the surface protective layer 17 is preferably one that does not easily transmit moisture or metal ions, and is formed of, for example, silicon nitride. However, if the planarizing resin layer 19 is a layer that does not easily transmit moisture or metal ions, the surface protective layer 17 may not be formed.
  • the planarizing resin layer 19 is preferably a thermosetting resin layer.
  • the support 10 on which the thin film transistors M1 and M2 are formed and the transfer target 30 are bonded to obtain the bonded body 40.
  • bonding is performed so that the surface on the insulating layer 20 side is in contact with the transfer target 30, that is, the thin film transistors M 1 and M 2 are opposed to the transfer target 30 via the insulating layer 20.
  • the transferred object 30 only needs to include the substrate 27 for supporting the thin film transistors M1 and M2 in the completed semiconductor device.
  • the transfer target 30 has a structure in which a support substrate 21 and a substrate 27 are stacked with a separation layer 23 interposed therebetween.
  • an adhesive resin layer 25 may be further formed between the support substrate 21 and the substrate 27.
  • the stacking order of the separation layer 23 and the adhesive resin layer 25 of the transfer target 30 is not particularly limited. Further, the separation layer 23 and the adhesive resin layer 25 may be the same layer.
  • the support substrate 21 is preferably a transparent substrate.
  • substrate 27 should just be a board
  • the substrate 27 of the transfer object 30 and the insulating layer 20 are joined so as to be in contact with each other.
  • the planarizing resin layer 19 is a thermosetting resin layer
  • a planarizing resin layer or an adhesive resin layer may also be formed on the substrate 27 of the transfer target 30. In this case, the planarizing resin layer or the adhesive resin layer and the insulating layer 20 are in contact with each other. What is necessary is just to join.
  • the support substrate 1 is separated and removed from the joined body 40.
  • a part or the whole of the separation layer 3 may be separated from the bonded body 40 together with the support substrate 1.
  • the support substrate 1 is separated at the separation layer 3 or the interface between the separation layer 3 and the protective layer 5 by irradiating the bonded body 40 with light such as laser light from the support substrate 1 side.
  • the surface of the bonded body 40 after separation is composed of only the protective layer 5, but the separation layer 3 may remain partially or entirely on the protective layer 5. After separation of the support substrate 1, the separation layer 3 remaining on the surface of the bonded body 40 may be removed.
  • the pixel electrode 33 is formed on the surface of the bonded body 40 after the support substrate 1 is separated from the surface to be transferred 30 (the surface of the protective layer 5 in the illustrated example). Form. If part or all of the separation layer 3 remains without being removed, it may be formed on the surface of the separation layer 3. Although not shown, the pixel electrode 33 may be formed after the separation layer 3 is removed and then the planarizing resin layer is formed. Thereby, the flatness of the pixel electrode can be further improved.
  • the pixel electrode 33 is formed on the protective layer 5 and in the contact hole.
  • the pixel electrode 33 is formed, for example, by forming a conductive film on the protective layer 5 and in the contact hole and then patterning the conductive film. In this way, the TFT substrate 100 is manufactured. Note that when a transparent conductive film such as ITO is used as the conductive film for forming the pixel electrode 33, the TFT substrate 100 applicable to a transmissive display device can be obtained. Further, the patterning of each pixel electrode 33 is performed irrespective of the pattern of each layer formed below the protective layer 5.
  • the drawing it is possible to perform patterning so that at least a part of the pixel electrode 33 overlaps with the semiconductor layer 11 and the gate electrode 7 of the thin film transistor M1 when viewed from above the protective layer 5.
  • a display medium layer such as a liquid crystal layer
  • at least a part of the pixel electrode 33 can be disposed between the semiconductor layer 11 or the gate electrode 7 and the display medium layer.
  • the area of the pixel electrode 33 can be further enlarged regardless of the structure of the transfer layer.
  • at least a part of the pixel electrode 33 is disposed between the semiconductor layer 11, the gate electrode 7 and the source wiring and the display medium layer.
  • the obtained TFT substrate 100 has a support substrate 21 on the back side of the substrate 27 (the side opposite to the thin film transistors M1 and M2 with respect to the substrate 27).
  • This support substrate (transparent substrate) 21 is a display substrate. It is removed at an appropriate time before a final product such as a device is obtained.
  • the support substrate 21 may be removed at any time. However, in a state in which the support substrate 21 is formed on the TFT substrate 100, a process such as mounting an FPC substrate or the like on the TFT substrate 100 or bonding the TFT substrate 100 and the counter substrate is performed. It is preferable to remove. This makes it possible to perform mounting and bonding processes with high alignment accuracy.
  • the process temperature and the alignment accuracy are limited as compared with the case where the TFT is directly formed on the substrate 27 such as a resin substrate. I do not receive it. Accordingly, the thin film transistors M1 and M2 having high definition and good characteristics can be formed. Further, since the pixel electrode 33 is formed after the thin film transistors M1 and M2 on the support substrate 1 are transferred onto the substrate 27 (transfer object), the pixel electrode 33 is formed on the protective layer 5 and the thin film transistors M1 and M2 It can be arranged so as to overlap the wiring. For this reason, since the area of the pixel electrode 33 can be increased, the aperture ratio can be increased.
  • the pixel electrode 33 is formed on a substantially flat surface (here, the surface of the protective layer 5) after separating the support substrate 1, when a display medium layer such as a liquid crystal layer is provided on the TFT substrate 100, The thickness of the display medium layer can be made substantially uniform.
  • the transfer target 30 a laminate in which the support substrate 21 is formed below the substrate 27 such as a resin substrate is used as the transfer target 30. For this reason, since the obtained TFT substrate 100 is supported by the support substrate 21, it is easy to handle. In addition, since the pixel electrode 33 is formed with the support substrate 21, the deformation of the transfer layer including the thin film transistors M1 and M2 can be suppressed when the pixel electrode 33 is formed. At this time, there is also an advantage that a process apparatus conventionally used for manufacturing a liquid crystal display device can be used.
  • an FPC substrate is mounted on the surface of the TFT substrate 100 opposite to the support substrate 21 (here, the surface of the protective layer 5), or COG It is possible to mount a terminal portion and a drive circuit by a method. For this reason, in these mounting processes, a decrease in alignment accuracy due to deformation of the transfer layer can be suppressed.
  • a display device such as a liquid crystal display device is manufactured by bonding the TFT substrate 100 and the counter substrate
  • a liquid crystal display device is manufactured using a flexible TFT substrate
  • the TFT substrate 100 supported by the support substrate 21 can be bonded to the counter substrate, and then the support substrate 21 can be removed. Accordingly, the light shielding pattern of the counter substrate and the wiring pattern of the TFT substrate 100 can be aligned with high accuracy, so that a display device with high definition and a high aperture ratio can be obtained.
  • the support substrate 21 is bonded to the substrate 27 via the separation layer 23 and the adhesive resin layer 25, and can be separated from the TFT substrate 100 by, for example, ablation by laser light irradiation. It is also possible to reuse the support substrate 21 after being separated.
  • the transfer target 30 only needs to have the substrate 27 and is supported.
  • the substrate 21 may not be provided.
  • a resin substrate that is thick enough to ensure the strength may be used as the substrate 27, and the resin substrate may be etched and thinned after pixel electrode formation and mounting processes are performed.
  • a support substrate 51 for example, a transparent glass substrate
  • a substrate for example, a resin substrate
  • the stacking order of the separation layer 53 and the adhesive resin layer 55 is not particularly limited. Further, the adhesive resin layer 55 and the separation layer 53 may be the same layer.
  • the protective layer 59 is preferably one that does not easily transmit moisture or metal ions, and is formed of, for example, silicon nitride.
  • the counter common electrode 61 is formed on the protective layer 59.
  • a black matrix or a color filter serving as a light shielding layer may be formed on the protective layer 59 before the counter common electrode 61 is formed.
  • the counter common electrode 61 may be patterned.
  • the counter common electrode 61 is formed using a transparent conductive film such as ITO. In this way, the counter substrate 50 is obtained.
  • the counter substrate 50 having a laminated structure of the support substrate 51 and the resin substrate 57 is manufactured. Therefore, the support substrate 51 is supported when forming the light blocking black matrix and the color filter and patterning the counter common electrode 61.
  • the substrate 51 can suppress deformation of the resin substrate 57. Therefore, these processes can be performed with high accuracy. For example, when the formation of a black matrix for light shielding or a color filter or the patterning of the counter common electrode 61 is unnecessary, the protective layer 59 and the counter common electrode 61 are formed on the resin substrate 57 without using the support substrate 51. Thus, the counter substrate 50 may be manufactured.
  • the counter substrate 50 and the TFT substrate 100 are arranged so that the pixel electrode 33 and the counter common electrode 61 face each other, and are bonded so as to sandwich the display medium layer 60 therebetween.
  • a liquid crystal layer is used as the display medium layer 60.
  • the liquid crystal layer may be formed either before or after bonding.
  • the thickness of the liquid crystal layer is controlled by a spacer (not shown) or the like.
  • the liquid crystal layer and the counter substrate 50 may not be disposed on a part of the peripheral region of the TFT substrate 100.
  • a terminal portion or a drive circuit may be mounted on the peripheral region of the TFT substrate 100 by a COG method, or an FPC substrate may be mounted.
  • the bonding process and the FPC board mounting process are performed in a state where the TFT substrate 100 is supported by the support substrate 21, deformation of the TFT substrate 100 due to stress and heat is suppressed in these processes. . Therefore, the bonding with the counter substrate 50 and the mounting of the FPC substrate can be performed with high accuracy.
  • the support substrate 21 is irradiated from the separation layer 23 or the interface between the separation layer 23 and the adhesive resin layer 25 by irradiating laser light or the like from the support substrate 21 side of the TFT substrate 100. Peel off.
  • the support substrate 51 is peeled off by irradiating laser light or the like from the support substrate 51 side of the counter substrate 50 and removed from the counter substrate 50. In this way, a liquid crystal display device is obtained.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the display device of the present embodiment.
  • the liquid crystal display device includes a TFT substrate 100 including thin film transistors M1 and M2 having a bottom gate structure, a counter substrate 50, and a display medium layer 60 disposed between these substrates.
  • the thin film transistors M1 and M2 are a pixel TFT and a driver TFT, respectively.
  • the display medium layer 60 is a liquid crystal layer.
  • the TFT substrate 100 includes a substrate (for example, a resin substrate) 27, a transfer layer T formed on the substrate 27 by transfer, and a pixel electrode 33 formed on the transfer layer T.
  • the transfer layer T includes a protective layer 5, thin film transistors M1 and M2 having a bottom gate structure formed on the protective layer 5, and an insulating layer 20 (here, the surface protective layer 17 and the planarization) covering the thin film transistors M1 and M2. Resin layer 19) and is bonded on the substrate 27 in the opposite direction. That is, focusing on the configuration after the transfer, bottom gate thin film transistors M1 and M2 are provided on the substrate 27 via the insulating layer 20, and the thin film transistors M1 and M2 are covered with the protective layer 5. Yes.
  • the TFT substrate 100 and the display medium layer 60 are positioned below the thin film transistors M1 and M2.
  • the pixel electrode 33 is formed on the surface of the protective layer 5 on the display medium layer 60 side and in a contact hole formed in the protective layer 5.
  • the pixel electrode 33 is electrically connected to the drain electrode 15d of the thin film transistor M1 in the contact hole of the protective layer 5.
  • the pixel electrode 33 is formed using, for example, a transparent conductive film.
  • the surface of the protective layer 5 on the display medium layer 60 side is substantially flat. Therefore, the pixel electrode 33 is formed on a flat surface without depending on the pattern of each layer formed below. Therefore, since the thickness of the display medium layer 60 can be made substantially uniform, high-quality display can be realized.
  • the pixel electrode 33 is positioned so that at least a part thereof overlaps the gate electrode 7 and the semiconductor layer 11 of the thin film transistors M1 and M2, that is, between the gate electrode 7 and the semiconductor layer 11 and the display medium layer 60. Since it can be formed, the area of the pixel electrode 33 can be enlarged. In the illustrated example, at least a part of the pixel electrode 33 is disposed between the semiconductor layer 11, the gate electrode 7 and the source wiring and the display medium layer.
  • the counter substrate 50 includes a resin substrate 57, a protective layer 59 formed on the resin substrate 57, and a counter common electrode 61 formed on the protective layer 59.
  • a black matrix layer serving as a light shielding layer for improving liquid crystal display quality may be formed between the counter common electrode 61 and the protective layer 59.
  • a color filter may be formed between the counter common electrode 61 and the protective layer 59.
  • the counter common electrode 61 may be patterned.
  • a liquid crystal layer is formed as a display medium layer 60 between the TFT substrate 100 and the counter substrate 50.
  • a photo spacer that keeps the thickness of the liquid crystal layer constant may be formed.
  • TFTs having a bottom gate structure are used as the thin film transistors M1 and M2, but TFTs having a top gate structure may be used as in the embodiments described later.
  • the contact hole for connecting the pixel electrode 33 and the drain electrode 15d only needs to penetrate the gate insulating layer 9 and the protective layer 5, so that the depth can be reduced.
  • there is no need to form a contact hole for connecting the semiconductor layer and the drain electrode which is advantageous.
  • the semiconductor layer can be easily polysiliconized by laser crystallization, a higher performance TFT can be realized, and the source / drain regions can be formed using self-alignment. There are advantages such as miniaturization.
  • the structure of the TFT can be appropriately selected according to the use of the semiconductor device.
  • FIG. 8 is a plan view showing the TFT substrate 100 in the liquid crystal display device shown in FIG.
  • a plurality of source lines S extending in the row direction and a plurality of gate lines G extending in the column direction are formed.
  • a pixel electrode 33 is provided in each region (each pixel) defined by these wirings.
  • a thin film transistor M1 pixel TFT is disposed in the vicinity of a portion where the gate line G and the source line S intersect.
  • a COG chip 94 having a drive circuit (source driver) and an FPC board 90 are mounted in a region (peripheral region) 100B where no pixel is formed in the TFT substrate 100.
  • Each source wiring S is connected to a source driver via a mounting pad P1 of a terminal portion formed on the TFT substrate 100.
  • An input terminal of the source driver is connected to an external wiring 92 formed on the FPC board 90 through a mounting pad P2 of another terminal part formed on the TFT substrate 100.
  • a drive circuit (gate driver) is also mounted in the peripheral region 100B.
  • Each gate line G is further connected to a gate driver via another terminal portion.
  • the pixel electrode 33 can be arranged independently of the wiring pattern of the TFT substrate 100 and the arrangement of the thin film transistor M1. According to the method of Patent Document 1 described above, as shown in FIG. 2, the portion 1702 of the transparent conductive film to be a pixel electrode is spaced from these wirings within the region surrounded by the gate wiring G and the source wiring S. It was necessary to be arranged with a gap. On the other hand, according to the present embodiment, as can be seen from FIG. 8, the pixel electrode 33 can be formed so as to overlap a part of the gate wiring. Therefore, compared with the display device disclosed in Patent Document 1, the aperture ratio can be significantly improved.
  • the mounting pads P1 and P2 constituting the uppermost surface (connection surface) of the terminal portion can be formed using the same conductive film as the pixel electrode 33.
  • a wiring extending from the display region to the terminal portion can be formed using a source wiring layer or a gate wiring layer.
  • a layer formed using the same conductive film as the source wiring S and the source / drain electrodes is referred to as a “source wiring layer”.
  • the source wiring layer also includes a source wiring S and source / drain electrodes.
  • a layer formed using the same conductive film as the gate wiring G and the gate electrode is referred to as a “gate wiring layer”
  • a layer formed using the same conductive film as the pixel electrode is referred to as a “pixel electrode layer”.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view illustrating a terminal portion of the TFT substrate 100.
  • the same conductive film (source wiring layer) as the source / drain electrodes and the source wiring S is used to form the wiring 15tw extending from the display region to the terminal portion disposed in the peripheral region.
  • an opening reaching the wiring 15tw is formed in the protective layer 5 and the gate insulating layer 9.
  • a conductive layer 33 t is formed in the opening and on the protective layer 5.
  • the conductive layer 33t is connected to the wiring 15tw in the opening.
  • the conductive layer 33t can be formed simultaneously with the pixel electrode 33 by patterning the same transparent conductive film as the pixel electrode 33.
  • the conductive layer 33t may be used as a mounting pad in the plan view shown in FIG.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view illustrating another terminal portion of the TFT substrate 100.
  • the same conductive film (gate wiring layer) as that of the gate wiring G is used to form the wiring 7tw extending from the display region to the terminal portion arranged in the peripheral region.
  • the source line S may be connected to the line 7tw.
  • an opening reaching the wiring 7tw is formed in the protective layer 5 in the peripheral region.
  • a conductive layer 33 t is formed in the opening and on the protective layer 5.
  • the conductive layer 33t is connected to the wiring 7tw in the opening.
  • the conductive layer 33t can be formed by patterning the same transparent conductive film as the pixel electrode 33.
  • the conductive layer 33t may be used as a mounting pad.
  • the source wiring layer forms a wiring 15tw extending from the display region to the terminal portion arranged in the peripheral region, and the gate is formed between the conductive layer 33t and the wiring 15tw in the terminal portion.
  • a conductive layer 7t formed of the same conductive film as the wiring G may be disposed. Thereby, the intensity
  • This terminal portion can be formed as follows. First, the conductive layer 7t is formed simultaneously with the gate electrode 7 and the gate wiring G in the process described above with reference to FIG. Next, in the process described above with reference to FIG. 3C, an opening is provided in the gate insulating layer 9, and a wiring 15tw is formed in the opening. The wiring 15tw is formed simultaneously using the same conductive film as the source / drain electrodes and the source wiring S. The formation of the opening in the protective layer 5 and the formation of the conductive layer 33t are performed after the transfer process (FIG. 4C).
  • the pixel electrode 33 is formed after the transfer of the TFT, a conductive layer that is resistant to corrosion for forming the pixel electrode is used, and a conductive layer that becomes the uppermost layer (mounting pad) of the terminal portion. 33t can be formed.
  • the low-resistance source wiring layer or gate wiring layer can be extended to the terminal portion, the resistance of the terminal portion can be kept low and power loss can be reduced.
  • the terminal portion since the terminal portion includes at least the conductive layer 33t and the source or gate wiring layers 15tw and 7t, when mounting a COG chip, an FPC board, or the like on the terminal portion, Strength can be improved.
  • the semiconductor device of this embodiment is an active matrix substrate (TFT substrate) including a TFT having a top gate structure.
  • TFT substrate active matrix substrate
  • the TFT substrate of the present embodiment is formed by transferring a TFT having a top gate structure formed on a support substrate onto a predetermined substrate such as a resin substrate.
  • 10 and 11 are process cross-sectional views for explaining an example of the manufacturing method of the TFT substrate of this embodiment.
  • a method of transferring a plurality of TFTs including a pixel TFT provided in each pixel and a driver TFT used in a drive circuit or the like onto a predetermined substrate will be described.
  • 10 and 11 the same reference numerals are given to the same components as those described above with reference to FIGS. 3 and 4.
  • a support 10 is obtained by forming a separation layer 3 and a protective layer 5 in this order on a support substrate 1 such as a glass substrate.
  • the support 10 can be formed in the same manner using the same material as the support 10 described above with reference to FIG.
  • an island-like semiconductor layer (active layer) 11 that becomes an active layer of the TFT is formed on the protective layer 5.
  • the semiconductor layer 11 is formed using an amorphous silicon film, a crystalline silicon film, or the like.
  • the method for forming the semiconductor layer 11 may be the same as the method described above with reference to FIG.
  • a polysilicon layer is formed as the semiconductor layer 11. Specifically, first, an amorphous silicon film is formed on the protective layer 5. Next, the amorphous silicon film is crystallized by laser crystallization to form a polysilicon film. By patterning the polysilicon film, a polysilicon layer is obtained.
  • a gate insulating layer for example, a silicon nitride layer or a silicon oxide layer
  • a gate electrode for example, a metal
  • Layer 7 is formed.
  • impurity ions are implanted into a portion of the semiconductor layer 11 that is not covered with the gate electrode 7 using the gate electrode 7 as a mask.
  • high-concentration impurity regions 11 s ′ and 11 d ′ to be source / drain regions are formed in the semiconductor layer 11.
  • a region of the semiconductor layer 11 covered with the gate electrode 7 and not doped with impurity ions becomes a channel region 11c.
  • a surface protective layer (for example, a silicon nitride layer) 17 is formed so as to cover the gate electrode 7 and the gate insulating layer 9.
  • the material of the surface protective layer 17 may be the same as the material of the surface protective layer 17 described above with reference to FIG.
  • impurity ions implanted into the high-concentration impurity region at a temperature of 500 ° C. or higher are activated (activation annealing) to obtain the source / drain regions 11s and 11d.
  • the thin film transistor M2 that becomes the driver TFT and the thin film transistor M1 that becomes the pixel TFT are formed on the support substrate 1.
  • the structures of the thin film transistors M1 and M2 may be different from each other. Further, the method of forming these thin film transistors M1 and M2 is not limited to the above method. Other processes may be used to form these TFTs. For example, an amorphous silicon film may be formed on the protective layer 5, and after implanting impurity ions into a predetermined region of the amorphous silicon film, the amorphous silicon film may be crystallized. In this case, since the implanted impurity ions can be activated in the crystallization process (for example, laser crystallization) of the amorphous silicon film, the activation annealing process described above can be omitted.
  • the implanted impurity ions can be activated in the crystallization process (for example, laser crystallization) of the amorphous silicon film, the activation annealing process described above can be omitted.
  • a planarizing resin layer 19 is formed on the surface protective layer 17.
  • the material of the flattening resin layer 19 may be the same as the material of the flattening resin layer 19 described above with reference to FIG.
  • the structure of the transfer target 30 may be the same as the structure described above with reference to FIG.
  • the transfer target 30 has a structure in which a support substrate 21 and a substrate 27 are stacked with a separation layer 23 interposed therebetween.
  • substrate 27 should just be a board
  • the support substrate 1 is separated and removed from the bonded body 40.
  • the support substrate 1 is separated at the separation layer 3 or the interface between the separation layer 3 and the protective layer 5 by irradiating the bonded body 40 with light such as laser light from the support substrate 1 side.
  • the surface of the bonded body 40 after separation is composed of only the protective layer 5, but the separation layer 3 may remain partially or entirely on the protective layer 5.
  • the separation layer remaining on the surface of the bonded body 40 may be removed.
  • contact holes reaching the source / drain regions 11s and 11d are formed in the protective layer 5, and then a conductive film is formed on the protective layer 5 and in the contact holes.
  • the conductive film is patterned to form a source electrode 15s electrically connected to the source region 11s and a drain electrode 15d electrically connected to the drain region 11d.
  • a planarizing resin layer 35 is formed so as to cover the wiring layer (source wiring layer) including the source / drain electrodes 15s and 15d.
  • a contact hole reaching the drain electrode 15d is provided in the planarizing resin layer 35, and a pixel electrode 33 is formed on the planarizing resin layer 35 and in the contact hole.
  • the pixel electrode 33 is formed, for example, by forming a transparent conductive film on the planarizing resin layer 35 and in the contact hole and then patterning the transparent conductive film. In this way, the TFT substrate 200 is manufactured.
  • the TFT substrate 200 has a support substrate 21 on the back side of the transfer target 30.
  • This support substrate transparent substrate
  • This support substrate is removed at an appropriate time before a final product such as a display device is obtained. Is done. For example, in a state where the support substrate 21 is formed on the TFT substrate 200, a process such as mounting an FPC substrate or the like on the TFT substrate 200 or bonding the TFT substrate 200 and the counter substrate is performed, and then the support substrate 21 is removed. May be. This makes it possible to perform mounting and bonding processes with high alignment accuracy.
  • the TFT substrate 200 of the present embodiment can also be applied to various display devices.
  • a display device including the TFT substrate 200 can be manufactured by a method similar to the method described above with reference to FIGS.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device manufactured using the TFT substrate 200 of this embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 12 are identical to FIG. 12 and the same components as those described above with reference to FIG. 12;
  • the liquid crystal display device has the liquid crystal shown in FIG. 7 in that the thin film transistors M1 and M2 have a top gate structure and the source / drain electrodes 15s and 15d are provided between the semiconductor layer 11 and the display medium layer. It is different from the display device.
  • the TFT substrate 200 includes a substrate (for example, a resin substrate) 27, a transfer layer T formed on the substrate 27 by transfer, and a pixel electrode 33 formed on the transfer layer T.
  • the transfer layer T includes a protective layer 5, thin film transistors M1 and M2 having a top gate structure formed on the protective layer 5, and an insulating layer 20 (here, the surface protective layer 17 and the planarization) covering these thin film transistors M1 and M2. Resin layer 19) and is bonded on the substrate 27 in the opposite direction. That is to say, focusing on the structure after transfer, top gate thin film transistors M 1 and M 2 are provided on the substrate 27 via the insulating layer 20, and the thin film transistors M 1 and M 2 are covered with the protective layer 5.
  • the thin film transistors M1 and M2 are formed in the opposite direction to the substrate 27.
  • the TFT substrate 200 and the display medium layer 60 are positioned below the thin film transistors M1 and M2.
  • source / drain electrodes 15s and 15d and a pixel electrode 33 are provided between the transfer layer T and the display medium layer 60.
  • the source / drain electrodes 15 s and 15 d are formed on the surface of the protective layer 5 on the display medium layer 60 side and in a contact hole formed in the protective layer 5.
  • the source electrode 15s is electrically connected to the source region 11s of the thin film transistors M1 and M2 in the contact hole, and the drain electrode 15d is electrically connected to the drain region 11d in the contact hole.
  • the source / drain electrodes 15 s, 15 d and the protective layer 5 are covered with a planarizing resin layer 35.
  • the pixel electrode 33 is formed on the planarizing resin layer 35 and in a contact hole formed in the planarizing resin layer 35, and is electrically connected to the drain electrode 15d of the thin film transistor M1 in the contact hole.
  • the pixel electrode 33 is formed using, for example, a transparent conductive film.
  • the pixel electrode 33 is formed on a flat surface without depending on the pattern of each layer formed below. Therefore, since the thickness of the display medium layer 60 can be made substantially uniform, high-quality display can be realized.
  • the pixel electrode 33 can be patterned regardless of the arrangement of the thin film transistors M1 and M2 and the wiring pattern.
  • the pixel electrode 33 can also be formed between the gate electrode 7 of the thin film transistors M1 and M2, the semiconductor layer 11, and the display medium layer 60, and the area of the pixel electrode 33 can be enlarged.
  • a part of the pixel electrode 33 is disposed between the gate electrode 7 of the thin film transistors M 1 and M 2, the semiconductor layer 11, the source wiring layer, and the display medium layer 60.
  • the structures of the counter substrate 50 and the display medium layer 60 may be the same as those described above with reference to FIG.
  • the planar structure of the TFT substrate 200 of this embodiment is the same as the planar structure of the TFT substrate 100 shown in FIG.
  • the same effect as that of the first embodiment described above can be obtained. That is, since the thin film transistors M1 and M2 are formed on the support substrate 1, the process temperature and alignment accuracy are not limited as compared with the case where the TFT is directly formed on the substrate 27 such as a resin substrate. Accordingly, the thin film transistors M1 and M2 having high definition and good characteristics can be formed. In addition, since the pixel electrode 33 is formed after the thin film transistors M1 and M2 on the support substrate 1 are transferred onto the substrate 27 (transfer object), the pixel electrode 33 is formed of the thin film transistors M1 and M2 and the display medium layer 60 of the wiring. It is possible to arrange them so as to overlap these on the side.
  • the pixel electrode 33 can be increased, the aperture ratio can be increased. Furthermore, since the pixel electrode can be formed on a substantially flat surface, when the display medium layer 60 such as a liquid crystal layer is provided on the TFT substrate 200, the thickness of the display medium layer 60 can be made substantially uniform.
  • the source wiring layer including the source / drain electrodes 15s and 15d is formed on a substantially flat surface, these electrodes can be formed with high accuracy, and a high-definition semiconductor device can be formed more effectively. realizable. Further, it is advantageous because the contact hole for forming the pixel electrode can be reduced. Further, when various drive circuits are formed on the substrate 27, the TFT used in the drive circuit can be further reduced in size, so that the area of the peripheral region of the display device can be reduced.
  • the support substrate 21 can suppress deformation of the transfer layer including the thin film transistors M1 and M2. Therefore, the FPC substrate can be easily mounted on the TFT substrate 200 with high accuracy, and the terminal portion and the drive circuit can be formed by the COG method. Further, it is preferable to remove the support substrate 21 after the TFT substrate 200 and the counter substrate 50 are bonded together. Thereby, the light shielding pattern of the counter substrate 50 and the wiring pattern of the TFT substrate 200 can be aligned with high accuracy.
  • the mounting pads P1 and P2 constituting the uppermost surface (connection surface) of the terminal portion can be formed using the same conductive film as the pixel electrode 33.
  • 13A to 13C are cross-sectional views illustrating the structure of each terminal portion formed on the TFT substrate 200, respectively.
  • the wiring 15tw formed from the same conductive film as the source wiring S extends from the display region of the TFT substrate 200 to the terminal portion.
  • an opening reaching the wiring 15 tw is formed in the planarizing resin layer 35.
  • a conductive layer 33 t is formed in the opening and on the planarizing resin layer 35.
  • the conductive layer 33t is connected to the wiring 15tw in the opening.
  • the conductive layer 33t can be formed simultaneously with the pixel electrode 33 by patterning the same transparent conductive film as the pixel electrode 33.
  • the conductive layer 33t may be used as a mounting pad.
  • the wiring 15tw (source wiring layer), in particular, the portion located in the peripheral region of the wiring 15tw may be easily corroded.
  • a layer (protective layer) 36 that does not easily transmit moisture or metal ions may be provided between the source wiring layer and the planarizing resin layer 35 so as to cover the source wiring layer. . Thereby, corrosion of the source wiring layer (particularly the source wiring 15tw) can be suppressed.
  • a wiring extending from the display region to the terminal portion may be formed using the gate wiring layer instead of the source wiring layer.
  • the source wiring S or the source electrode is connected to a wiring 7tw formed from the same conductive film as the gate wiring G.
  • the wiring 7tw extends from the display area to the terminal portion.
  • an opening reaching the wiring 7tw is formed in the planarizing resin layer 35, the protective layer 5, and the gate insulating layer 9.
  • a conductive layer 33 t is formed in the opening and on the planarizing resin layer 35.
  • the conductive layer 33t can be formed by patterning the same transparent conductive film as the pixel electrode 33.
  • the conductive layer 33t is connected to the wiring 7tw through the conductive layer 15t formed of the same conductive film as the source / drain electrodes in the opening. In this way, the source wiring S and the conductive layer 33t in the terminal portion can be connected by the wiring 7tw formed by the gate wiring layer.
  • the wiring 7tw extending from the display area to the peripheral area can be formed in the area covered with the surface protective layer 17 and the protective layer 5, the corrosion of the wiring 7tw for forming the terminal portion is prevented. Can be prevented. Therefore, a highly reliable terminal portion can be formed as compared with the structure shown in FIG. 13A.
  • the conductive layer 33t that is the uppermost layer of the terminal portion is formed using the corrosion-resistant conductive film for forming the pixel electrode 33. it can.
  • the low-resistance source wiring layer or gate wiring layer can be extended to the terminal portion, the resistance of the terminal portion can be kept low and power loss can be reduced.
  • the terminal portion since the terminal portion has at least the conductive layer 33t and the wirings 15tw and 7tw of the source or gate wiring layer, when mounting a COG chip, an FPC board, or the like on the terminal portion, Strength can be improved.
  • the support 10 on which the thin film transistors M1 and M2 are formed and the transfer target 30 are joined to form the source / drain electrodes 15s and 15d.
  • the source and drain electrodes are formed on the support.
  • a bonding step may be performed after the drain electrodes 15s and 15d are formed. Even in this case, the same effect as described above can be obtained.
  • FIG. 14 illustrates a cross-sectional structure of the TFT substrate 300 obtained by performing the bonding process after forming the source / drain electrodes 15s and 15d on the support.
  • the same components as those shown in FIG. 11 are denoted by the same reference numerals.
  • the thickness of the display device can be reduced as compared with the TFT substrate shown in FIG. Further, contact holes for forming the source / drain electrodes 15s and 15d can be formed with high alignment accuracy.
  • FIG. 12 an example using a TFT having a polysilicon layer as the semiconductor layer 11 is shown, but a TFT having an amorphous silicon layer as the semiconductor layer 11 may be used.
  • a contact layer may be provided between the semiconductor layer 11 and the source / drain electrodes 15s and 15d.
  • the contact layer can be formed using the same material as the contact layer 13 described above with reference to FIG.
  • an organic EL display device can be obtained by forming an organic layer including a light emitting layer on a TFT substrate and further forming an electrode layer thereon. By applying a voltage between the pixel electrode and the electrode layer, the light emitting layer can emit light for each pixel and display can be performed.
  • the pixel electrode 33 since the pixel electrode 33 is formed after the thin film transistors M1 and M2 are transferred to the transfer target, the pixel electrode 33 can be formed flat and reduced in process damage and ESD. . In addition, since the area of the pixel electrode 33 can be increased, the aperture ratio can be increased. Furthermore, since the alignment accuracy can be improved, a high-definition semiconductor device can be realized.
  • the embodiment of the present invention can be suitably applied to the manufacture of a flexible display.
  • the alignment accuracy due to the deformation of the resin substrate in the bonding process of the TFT substrates 100, 200, 300 and the counter substrate 50 can be improved. Reduction can be suppressed.
  • the FPC board that connects the liquid crystal display device and the external circuit can be mounted on the substantially flat surface of the TFT substrates 100, 200, and 300, and the terminals can be mounted by the COG method, so that more stable mounting is possible. It becomes.
  • the conductive layer 33t formed on the upper surface of the terminal portion can be formed simultaneously with the pixel electrode 33 by using a transparent conductive film for forming the pixel electrode 33.
  • the embodiment of the present invention can be widely applied to a semiconductor device including a TFT, for example, a TFT substrate and various display devices using the TFT substrate.
  • a TFT for example, a TFT substrate
  • various display devices using the TFT substrate for example, a transmissive and reflective flexible display
  • a high-definition display with a high aperture ratio can be realized.
  • application to a transmissive flexible display is advantageous because the aperture ratio can be significantly improved as compared with the conventional case.

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Abstract

　半導体装置の製造方法は、（Ａ）支持基板（１）の表面に第１分離層（３）および第１絶縁層（５）がこの順で形成された支持体（１０）を用意する工程と、（Ｂ）被転写体（３０）を用意する工程と、（Ｃ）第１絶縁層（５）の上に薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）を形成する工程と、（Ｄ）薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）を覆う第２絶縁層（２０）を形成する工程と、（Ｅ）薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）が第２絶縁層（２０）を介して被転写体（３０）と対向するように、第２絶縁層が形成された支持体を被転写体（３０）に接合して接合体（４０）を得る工程と、（Ｆ）支持基板および、第１分離層（３）の少なくとも一部を、接合体（４０）から分離する工程と、（Ｇ）支持基板が分離された接合体（４０）における、被転写体（３０）と反対側の表面に、薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）と電気的に接続されるように画素電極（３３）を形成する工程とを包含する。

Description

半導体装置およびその製造方法
　本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
　アクティブマトリクス駆動の表示装置では、ガラス基板などの基板上に、多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板ともいう。）が使用される。ＴＦＴは、ＣＶＤ法などの堆積法やフォトリソグラフィなどの半導体集積回路製造技術と同様の製造技術により基板上に形成される。ＴＦＴの形成には高温処理が伴うため、基板として、通常、高耐熱ガラス基板などの耐熱性に優れた基板が使用される。
　しかしながら、高耐熱ガラス基板は重く、変形に弱いことから、製品の用途によっては好ましくない場合がある。例えば、近年、薄くて軽量でかつ破損し難く、しかも曲面形状に変形可能なフレキシブルディスプレイが注目を集めているが、フレキシブルディスプレイでは、樹脂基板などのフレキシブルな基板上にＴＦＴを形成したＴＦＴ基板（以下、「フレキシブルＴＦＴ基板」と称する。）が用いられる。
　樹脂基板上に直接ＴＦＴを形成してフレキシブルＴＦＴ基板を製造しようとすると、従来の耐熱性ガラス基板上に形成する場合と比べて、プロセス温度が制限されるという問題がある。例えば、耐熱性ガラス基板上では、プロセス温度が６００℃程度以下であればよいが、樹脂基板上では、プロセス温度を２００℃程度以下に抑える必要がある。プロセス温度が２００℃を超えると、樹脂基板の変形や軟化が起こる可能性があるからである。なお、耐熱性を持つ樹脂基板として、例えばポリイミド樹脂基板を用いるとプロセス温度を高くできるが、ポリイミド樹脂基板は一般的に光学透過特性に劣っているので、フレキシブルディスプレイには適さない。また、樹脂基板上では微細なパターニングを行うことが難しいという問題もある。このため、高精細なディスプレイを実現することが困難である。
　上記の問題を解決するために、耐熱性に優れた支持基板上にＴＦＴを形成した後、形成されたＴＦＴを樹脂基板上に転写することによって、フレキシブルＴＦＴ基板を製造する方法が提案されている。例えば特許文献１に開示された方法では、ガラス基板などの支持基板上にＴＦＴおよび画素電極を形成した後、その上に所望の基板（被転写体）を設ける。この後、支持基板をＴＦＴなどから分離することにより、樹脂基板上にＴＦＴを転写する。これにより、高いプロセス温度で高精度に形成されたＴＦＴを、樹脂基板などの所望の基板上に設けることが可能になる。
　図１は、特許文献１に開示された方法を用いて製造された液晶表示装置の断面図である。液晶表示装置のＴＦＴ基板２０００は、複数の画素を含む表示領域２０００Ａと、表示領域以外の領域（周辺領域）２０００Ｂとを有している。表示領域２０００Ａでは、各画素に薄膜トランジスタＭ１が設けられ、スイッチング素子として機能する。周辺領域２０００Ｂには、例えば薄膜トランジスタＭ２を含むドライバー回路が形成されている。
　特許文献１では、これらの薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２は、転写を利用してＴＦＴ基板２０００に形成されている。
　具体的には、まず、分離層を形成した支持基板（図示せず）上に、絶縁膜１０００、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２、保護層１６００、導電膜１７００をこの順で形成する。薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２は、トップゲート構造のＴＦＴであり、それぞれ、半導体層１１００、ゲート絶縁層１２００、ゲート電極（ゲート配線）１３００およびソース・ドレイン電極１４００を有している。導電膜１７００は、保護層１６００の上に設けられ、保護層１６００に形成されたコンタクトホール内でドレイン電極１４００と接続されている。また、保護層１６００および絶縁膜１０００に設けられた開口部内で図示しない支持基板上の分離層と接する。
　この後、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を覆うように接着層１８００を形成した後、接着層１８００を被転写体となる基板（例えば樹脂基板）１９００に接着させ、接合体を得る。次いで、レーザー光照射による分離層でのアブレーション等を用い、支持基板を接合体から分離除去する。このようにして、ＴＦＴ基板２０００が得られる。支持基板が分離された後の表面には、導電膜１７００の一部１７０２が露出する。この露出部分１７０２は、完成した表示装置において画素電極として機能する。支持基板を分離した後のＴＦＴ基板２０００は、液晶層４６０を介して、表面に電極４８２を有する対向基板４８０と貼り合わせる。これにより、液晶表示装置を得る。液晶層４６０には、導電膜１７００の部分１７０２および電極４８２によって電圧が印加され、表示が行われる。
　このようにして、ＴＦＴの形成に適した支持基板を用いてＴＦＴの形成プロセスを行い、得られたＴＦＴを、表示装置の用途に応じた基板に転写させることが可能になる。
　なお、特許文献２には、画素電極の平坦性を高める目的で、転写を利用してＴＦＴ基板を製造する方法が提案されている。この方法では、透明な支持基板上に、分離層となるアモルファスシリコン層、光反射性を有する画素電極（例えばタングステン電極）、ＴＦＴおよび被転写体としての基板をこの順で形成する。この後、支持基板側からレーザー光を照射して支持基板を分離除去し、ＴＦＴ基板を得る。
特開平１０－１２５９３１号公報 特開２００８－１９１２０６号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された方法を用いると、表示装置の開口率を高めることが難しいという問題がある。
　本発明者が検討したところ、特許文献１の方法を用いて得られるＴＦＴ基板２０００は、図２に示すような平面構造を有する。
　ＴＦＴ基板２０００の表示領域２０００Ａには、画素の列方向に沿って延びるソース配線Ｓと、画素の行方向に沿って延びるゲート配線Ｇと、薄膜トランジスタＭ１とが設けられている。ゲート配線Ｇは各薄膜トランジスタＭ１のゲート電極１３００と電気的に接続されており、ソース配線Ｓはソース電極１４００と電気的に接続されている。薄膜トランジスタＭ１は、ソース配線Ｓとゲート配線Ｇとの交差する点の近傍に配置されている。また、各画素内に、画素電極として機能する導電膜の一部（底部）１７０２が配置されている。
　周辺領域２０００Ｂには、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）実装方式により駆動回路９４が設けられている。周辺領域２０００Ｂには、また、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ基板）９０が実装されている。駆動回路９４は、外部から信号を受け取るために端子部の実装パッドＰ１を介して接続しており、駆動回路の入力端子は、実装パッドＰ２を介して、ＦＰＣ基板９０に形成された外部配線９２と接続されている。
　図示するＴＦＴ基板２０００では、画素電極として機能する透明導電膜の部分１７０２は、薄膜トランジスタＭ１や各配線Ｇ、Ｓが形成されていない部分にのみ形成される。このため、画素電極の面積を大きくできず、開口率を高めることが困難である。
　その上、比較的厚い保護層１６００に開口部を設ける必要があり、エッチングによって均一に複数の開口部を形成することが難しいという問題もある。さらに、支持基板を分離除去する際に開口部内の透明導電膜にプロセスダメージを与えたり、静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）により素子破壊が生じることも懸念される。
　なお、特許文献２に開示された方法では、レーザー照射を行う剥離層上に画素電極を形成しており、また、画素電極の上にＴＦＴを形成する必要があり、密着性や耐熱性などの観点からも画素電極の材料が限定される。例えばＩＴＯなどの光を透過する導電膜を画素電極として使用することが困難である。このため、この方法を透過型表示装置に適用することはできない。
　本発明の実施形態は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、支持基板上に形成した薄膜トランジスタを、所定の基板上に転写することによって形成された半導体装置において、任意の導電材料を用いて面積の大きい画素電極を形成し、開口率を従来よりも高めることにある。
　本発明の実施形態の半導体装置の製造方法は、薄膜トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、（Ａ）支持基板の表面に、第１分離層および第１絶縁層がこの順で形成された支持体を用意する工程と、（Ｂ）基板を含む被転写体を用意する工程と、（Ｃ）前記第１絶縁層の上に、半導体層、ゲート絶縁層およびゲート電極を含む薄膜トランジスタを形成する工程と、（Ｄ）前記薄膜トランジスタを覆う第２絶縁層を形成する工程と、（Ｅ）前記薄膜トランジスタが前記第２絶縁層を介して前記被転写体と対向するように、前記第２絶縁層が形成された前記支持体を前記被転写体に接合して接合体を得る工程と、（Ｆ）前記支持基板、および、前記第１分離層の少なくとも一部を、前記接合体から分離する工程と、（Ｇ）前記支持基板を分離した後の前記接合体における、前記被転写体と反対側の表面に、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されるように、画素電極を形成することにより、ＴＦＴ基板を得る工程とを包含する。
　ある好ましい実施形態において、前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間に、前記半導体層と電気的に接続されるようにソースおよびドレイン電極を形成する工程（Ｈ１）をさらに含み、前記工程（Ｄ）において、前記ソースおよびドレイン電極の上に前記第２絶縁層を形成する。
　前記薄膜トランジスタはボトムゲート構造を有していてもよい。
　ある好ましい実施形態において、前記薄膜トランジスタはトップゲート構造を有しており、前記工程（Ｆ）と前記工程（Ｇ）との間に、前記支持基板を分離した後の前記接合体における前記被転写体と反対側の表面に、前記半導体層と電気的に接続されるようにソースおよびドレイン電極を形成する工程（Ｈ２）をさらに含む。
　ある好ましい実施形態において、前記工程（Ｈ２）では、前記第１絶縁層に前記ドレイン電極の一部に達するコンタクトホールを設け、前記第１絶縁層上および前記コンタクトホール内に導電層を形成することにより、前記ソースおよびドレイン電極を形成する。
　ある好ましい実施形態において、前記被転写体は、前記基板上に第２分離層を介して積み重ねられた透明基板を有し、前記工程（Ｇ）の後に、前記透明基板、および前記第２分離層の少なくとも一部を、前記接合体から分離する工程（Ｉ）をさらに包含する。
　ある好ましい実施形態において、前記工程（Ｇ）の後に、前記ＴＦＴ基板の前記画素電極の上に表示媒体層を配置する工程（Ｊ）をさらに包含し、前記工程（Ｉ）は、前記工程（Ｊ）の後に行われる。
　前記基板は樹脂基板であってもよい。また、前記樹脂基板は透明であってもよい。
　ある好ましい実施形態において、前記工程（Ｇ）の後に、前記ＴＦＴ基板の前記画素電極の上に表示媒体層を配置する工程（Ｊ）をさらに包含し、前記画素電極の少なくとも一部は、前記半導体層と前記表示媒体層との間にある。
　ある好ましい実施形態において、前記表示媒体層は液晶層であり、前記工程（Ｉ）では、前記ＴＦＴ基板と、表面に対向電極が形成された対向基板とを、前記液晶層を介して配置させ、前記対向基板は樹脂基板を用いて形成されている。
　本発明の実施形態の半導体装置は、ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタを有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の上に配置された表示媒体層と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続された透明な画素電極とを備える半導体装置であって、前記薄膜トランジスタのゲート電極側を下側、半導体層側を上側とすると、前記ＴＦＴ基板および前記表示媒体層は、前記薄膜トランジスタの下側に前記表示媒体層が位置するように配置されており、前記画素電極の少なくとも一部は、前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極と前記表示媒体層との間に位置している。
　ある好ましい実施形態において、前記画素電極と同じ導電膜から形成され、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極と前記ゲート電極とを接続する配線をさらに備える。
　本発明の他の実施形態の半導体装置は、トップゲート構造を有する薄膜トランジスタを有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板の上に配置された表示媒体層と、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された透明な画素電極とを備える半導体装置であって、前記薄膜トランジスタのゲート電極側を上側、半導体層側を下側とすると、前記ＴＦＴ基板および前記表示媒体層は、前記薄膜トランジスタの下側に前記表示媒体層が位置するように配置されており、前記画素電極の少なくとも一部は、前記薄膜トランジスタの前記半導体層と前記表示媒体層との間に位置している。
　ある好ましい実施形態において、前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン電極は、前記半導体層と前記表示媒体層との間に設けられている。
　ある好ましい実施形態において、前記表示媒体層は液晶層であり、前記液晶層を介して前記ＴＦＴ基板と対向するように配置された対向基板をさらに備え、前記対向基板および前記ＴＦＴ基板は透明な樹脂基板を有している。
　本発明の実施形態によると、支持基板上に形成した薄膜トランジスタを、所定の基板を含む被転写体に転写することによって半導体装置を製造するプロセスにおいて、薄膜トランジスタを転写した後に画素電極を形成する。このため、配線パターンや薄膜トランジスタの位置にかかわらず画素電極のパターニングを行うことができる。従って、画素電極の面積を拡大できるので、この基板を表示装置に適用すると、開口率を高めることができる。
　また、画素電極の材料として、任意の材料を用いることが可能である。画素電極の材料として透明導電材料を用いると、高開口率の透過型表示装置を実現できる。さらに、画素電極を略平坦な表面上に形成できるので、表示媒体層の厚さを略均一にできる。
　所定の基板として、樹脂基板などのフレキシブルな基板を用いると、フレキシブルディスプレイに適用可能なＴＦＴ基板を実現できる。この場合、被転写体として、樹脂基板と支持基板との積層体を用いると、支持基板に支持された状態で画素電極の形成、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）の実装、ＣＯＧ方式による駆動回路の実装、端子部の形成、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせなどの工程を行うことが可能になる。このため、これらの工程において、樹脂基板の変形を抑えてアライメント精度を高めることができ、高精細な半導体装置を実現できる。
特許文献１に開示された表示装置の断面図である。 特許文献１の表示装置におけるＴＦＴ基板の平面図である。 （ａ）～（ｅ）は、それぞれ、本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、それぞれ、本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、それぞれ、本発明による第１の実施形態で用いる対向基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ、本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板を用いて、表示装置を製造する方法を説明するための工程断面図である。 本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板を用いた表示装置の部分断面図である。 本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板の一部を示す平面図である。 本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板に形成された端子部を例示する断面図である。 本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板に形成された他の端子部を例示する断面図である。 本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板に形成されたさらに他の端子部を例示する断面図である。 本発明による第１の実施形態のＴＦＴ基板において、ソース配線層、ゲート配線層および画素電極層の接続方法を説明するための断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、それぞれ、本発明による第２の実施形態のＴＦＴ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、それぞれ、本発明による第２の実施形態のＴＦＴ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明による第２の実施形態のＴＦＴ基板を用いた表示装置の部分断面図である。 本発明による第２の実施形態のＴＦＴ基板に形成された端子部を例示する断面図である。 本発明による第２の実施形態のＴＦＴ基板に形成された他の端子部を例示する断面図である。 本発明による第２の実施形態のＴＦＴ基板に形成されたさらに他の端子部を例示する断面図である。 本発明による第２の実施形態の他のＴＦＴ基板を例示する断面図である。
　（第１の実施形態）
　以下、図面を参照しながら、本発明による半導体装置の第１の実施形態を説明する。本実施形態の半導体装置は、ボトムゲート構造を有するＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）である。なお、本実施形態の半導体装置は、ＴＦＴを備えていればよく、アクティブマトリクス基板に限定されず、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などの各種表示装置、そのような表示装置を備えた電子機器などを広く含む。
　本実施形態のＴＦＴ基板は、支持基板上に形成されたボトムゲート構造を有するＴＦＴを、樹脂基板などの所定の基板上に転写することによって形成される。
　図３および図４を用いて、本実施形態のＴＦＴ基板の製造方法をより具体的に説明する。ここでは、各画素に設けられる画素ＴＦＴと、駆動回路などに用いられるドライバーＴＦＴとを含む複数のＴＦＴを所定の基板上に転写する方法を説明する。
　まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板などの支持基板１の上に、分離層３および保護層５をこの順で形成することにより、支持体１０を得る。
　後の工程で、分離層３にレーザー光等の光を照射して支持基板１を分離する場合には、支持基板１としてガラス基板などの透明基板を用いることが好ましい。透明基板は、ＴＦＴのプロセス温度よりも高いひずみ点を有することが好ましい。ひずみ点は例えば３００℃以上、より好ましくは６００℃以上である。また、分離層３は、ＴＦＴのプロセス温度（例えば３００～６００℃）よりも高いガラス転移点または融点を有し、かつ、レーザー光等を吸収する物質を含むことが好ましい。分離層３として、例えばポリイミド樹脂層やアモルファスシリコン層を用いることができる。例えば分離層３のポリイミド樹脂層のガラス転移点が３００℃以上６００℃未満であれば、プロセス温度を例えば３００℃以上６００℃未満の範囲に設定できる。また分離層３がアモルファスシリコンであれば、プロセス温度を例えば６００℃以上に設定することも可能となるので有利である。また、後の工程で、分離層３にレーザー光を照射することによって、レーザーアブレーションプロセスで、分離層３の層内および／または界面において剥離できる。
　保護層５は、絶縁層であればよいが、好ましくは窒化シリコン層、酸化シリコン層などの無機層、あるいは高融点樹脂層である。
　次に、図３（ｂ）に示すように、保護層５の上に、ゲート電極７およびゲート絶縁層９をこの順で形成する。ゲート電極７は例えばメタル等をパターニングすることによって得られる。なお、ゲート電極７およびゲート配線は、同一の導電膜から形成される。ゲート絶縁層９は、例えば窒化シリコン層、酸化シリコン層である。
　続いて、図３（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層９の上に、ＴＦＴの活性層（アクティブ層）となる半導体層１１、およびコンタクト層１３を形成する。
　半導体層１１は、アモルファスシリコン膜、結晶質シリコン膜などの半導体層である。半導体層１１として例えばアモルファスシリコン層を形成する場合、コンタクト層１３はリン（Ｐ）等の不純物を高い濃度で含むアモルファスシリコン層等であってもよい。図示する例では、半導体層１１となる半導体膜とコンタクト層１３となる半導体膜とをこの順で形成した後、これらの半導体膜を同時に島状にパターニングすることによって、半導体層１１およびコンタクト層１３を得る。
　なお、コンタクト層１３は、半導体層１１と後で形成するソース・ドレイン電極とのコンタクト抵抗が十分小さいときには省略できる。アモルファスシリコン層をレーザー結晶化等により結晶化することにより、半導体層１１としてポリシリコン層を形成してもよい。この場合、ポリシリコン層のうちソース・ドレイン電極と接続される部分に、ドーピング等により高濃度で不純物を含む領域を形成してもよい。これにより、ＴＦＴの駆動能力が向上するので、特にドライバーＴＦＴとして用いる場合に有利である。また図示しないが、半導体層１１上に絶縁層を形成した後、前記不純物領域に至るコンタクトホールを形成してもよい。これにより、ゲート配線、半導体層、ソース配線層を独立して形成する事が可能となる。
　次いで、図３（ｄ）に示すように、コンタクト層１３の上にソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄを形成する。ここでは、コンタクト層１３を覆うように導電膜を形成した後、導電膜をパターニングしてソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄおよびソース配線を形成する。このとき、コンタクト層１３のうち半導体層１１のチャネル領域上に位置する部分も同時に除去する。これにより、コンタクト層１３はソースコンタクト層１３ｓとドレインコンタクト層１３ｄとに分離される。ソース電極１５ｓはソースコンタクト層１３ｓを介して半導体層１１と電気的に接続される。ドレイン電極１５ｄはドレインコンタクト層１３ｄを介して半導体層１１と電気的に接続される。このようにして、支持基板１の上に画素ＴＦＴとなる薄膜トランジスタＭ１と、ドライバーＴＦＴとなる薄膜トランジスタＭ２とが形成される。
　図示する例では、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２は、保護層５上に設けられたゲート電極７と、ゲート電極７および保護層５を覆うゲート絶縁層９と、ゲート絶縁層９上に形成された半導体層（アクティブ層）１１と、半導体層１１上にコンタクト層１３ｓ、１３ｄを介して形成されたソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄとを備えている。半導体層１１のうちゲート絶縁層９を介してゲート電極７と重なる部分がチャネル領域１１ｃとなり、コンタクト層１３ｓ、１３ｄはそれぞれチャネル領域１１ｃの両側に形成されている。
　なお、これらの薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２の形成方法は上記の方法に限定されない。他のプロセスを用いてこれらのＴＦＴを形成してもよい。また、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２の構造は互いに異なっていてもよい。
　続いて、図３（ｅ）に示すように、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を覆うように、絶縁層２０を形成する。ここでは、絶縁層２０として、表面保護層１７及び平坦化樹脂層１９をこの順で形成する。
　本実施形態のＴＦＴ基板を透過型表示装置に適用する場合には、平坦化樹脂層１９および表面保護層１７は透明であることが好ましい。また、これらの層１７、１９は、後で形成される画素電極の形成温度よりも高いガラス転移点または融点を有することが好ましい。表面保護層１７は、水分や金属イオンを透過しにくいものが好ましく、例えば窒化シリコン等で形成される。但し、平坦化樹脂層１９が水分や金属イオンを透過しにくい層であれば、表面保護層１７を形成しなくてもよい。平坦化樹脂層１９は、熱硬化性樹脂層であることが好ましい。
　続いて、図４（ａ）に示すように、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２が形成された支持体１０と被転写体３０とを接合し、接合体４０を得る。このとき、絶縁層２０側の表面が被転写体３０と接するように、すなわち、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２が絶縁層２０を介して被転写体３０と対向するように接合する。
　被転写体３０は、完成後の半導体装置において薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を支持するための基板２７を含んでいればよい。図示する例では、被転写体３０は、分離層２３を介して支持基板２１と基板２７とが積層された構造を有する。支持基板２１と基板２７との間に、分離層２３に加えて接着樹脂層２５がさらに形成されていてもよい。被転写体３０の分離層２３と接着樹脂層２５との積層順序は特に限定されない。また、分離層２３と接着樹脂層２５とが同一層であってもよい。
　後の工程で、レーザー光照射を利用して支持基板２１と基板２７とを分離する場合には、支持基板２１は透明基板であることが好ましい。また、基板２７は、製品の用途に応じた特性を有する基板であればよく、例えば樹脂基板であってもよい。
　ここでは、被転写体３０の基板２７と、絶縁層２０（ここでは平坦化樹脂層１９）とが接するように接合させている。平坦化樹脂層１９が熱硬化性樹脂層である場合には、この接合工程で、平坦化樹脂層１９の硬化を完了することが好ましい。なお、被転写体３０の基板２７の上にも、平坦化樹脂層または接着樹脂層が形成されていてもよく、その場合には、平坦化樹脂層または接着樹脂層と絶縁層２０とが接するように接合させればよい。
　この後、図４（ｂ）に示すように、接合体４０から支持基板１を分離除去する。このとき、支持基板１とともに、分離層３の一部または全体も接合体４０から分離されてもよい。ここでは、支持基板１側から接合体４０にレーザー光などの光を照射することにより、分離層３、あるいは分離層３と保護層５との界面で、支持基板１を分離する。図示する例では、分離後の接合体４０の表面は保護層５のみから構成されているが、保護層５の上に、部分的または全体的に分離層３が残存している場合もある。支持基板１の分離後、接合体４０の表面に残存した分離層３を除去してもよい。
　次いで、図４（ｃ）に示すように、支持基板１を分離した後の接合体４０における、被転写体３０と反対側の表面（図示する例では保護層５の表面）に、画素電極３３を形成する。なお、分離層３の一部または全部が除去されずに残っている場合には、分離層３の表面に形成してもよい。また、図示しないが、分離層３を除去した後、平坦化樹脂層を形成した後に画素電極３３を形成してもよい。これにより、画素電極の平坦性をさらに高める事が可能である。
　ここでは、接合体４０の保護層５にドレイン電極１５ｄに達するコンタクトホールを形成した後、保護層５の上およびコンタクトホール内に画素電極３３を形成する。画素電極３３は、例えば保護層５の上およびコンタクトホール内に導電膜を形成した後、導電膜のパターニングを行うことにより形成される。このようにして、ＴＦＴ基板１００が製造される。なお、画素電極３３を形成するための導電膜としてＩＴＯなどの透明導電膜を用いると、透過型表示装置に適用可能なＴＦＴ基板１００を得ることができる。また、各画素電極３３のパターニングは、保護層５の下方に形成された各層のパターンとは無関係に行われる。従って、図示するように、保護層５の上方から見て、画素電極３３の少なくとも一部が、薄膜トランジスタＭ１の半導体層１１やゲート電極７と重なるようにパターニングすることが可能となる。この場合、ＴＦＴ基板１００の上に液晶層などの表示媒体層を形成すると、画素電極３３の少なくとも一部を、半導体層１１やゲート電極７と表示媒体層との間に配置させることが可能となる。よって、転写層の構造にかかわらず画素電極３３の面積をより拡大できる。なお、図示する例では、画素電極３３の少なくとも一部は、半導体層１１、ゲート電極７およびソース配線と表示媒体層との間に配置している。
　得られたＴＦＴ基板１００は、基板２７の裏面側（基板２７に対して、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２と反対側）に支持基板２１を有しているが、この支持基板（透明基板）２１は、表示装置などの最終製品が得られる前の適当な時期に除去される。支持基板２１の除去はいつ行ってもよい。ただし、ＴＦＴ基板１００に支持基板２１が形成された状態で、ＦＰＣ基板などをＴＦＴ基板１００に実装したり、ＴＦＴ基板１００と対向基板とを貼り合わせるなどのプロセスを行い、その後、支持基板２１を除去することが好ましい。これにより、実装や貼り合わせプロセスを、高いアライメント精度で行うことが可能になる。
　上記方法によると、支持基板１を含む支持体１０上で薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を形成するため、樹脂基板などの基板２７上に直接ＴＦＴを形成する場合と比べて、プロセス温度やアライメント精度の制約を受けない。従って、高精細であり、かつ良好な特性を有する薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を形成できる。また、支持基板１上の薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を、基板２７（被転写体）上に転写した後に画素電極３３を形成するので、画素電極３３を、保護層５の上に、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２や配線と重なるように配置することが可能である。このため、画素電極３３の面積を大きくできるので、開口率を高めることができる。さらに、画素電極３３を、支持基板１を分離した後の略平坦な表面（ここでは保護層５の表面）に形成するため、このＴＦＴ基板１００上に液晶層などの表示媒体層を設ける場合、表示媒体層の厚さを略均一にできる。
　さらに、上記方法では、被転写体３０として、樹脂基板などの基板２７の下方に、支持基板２１が形成された積層体を用いている。このため、得られるＴＦＴ基板１００は支持基板２１で支持されているので、ハンドリングが容易である。また、支持基板２１を備えた状態で画素電極３３の形成を行うので、画素電極３３を形成する際に、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を含む転写層の変形を抑制できる。このとき、液晶表示装置の製造に従来使用していたプロセス装置を用いることができるという利点もある。さらに、支持基板２１を備えた状態のＴＦＴ基板１００に対して、ＴＦＴ基板１００における支持基板２１と反対側の表面（ここでは保護層５の表面）の上に、ＦＰＣ基板を実装したり、ＣＯＧ方式により端子部や駆動回路を実装することが可能である。このため、これらの実装工程において、転写層の変形によるアライメント精度の低下を抑制できる。
　さらに、ＴＦＴ基板１００と対向基板とを貼り合わせて液晶表示装置などの表示装置を製造する場合には、次のような利点もある。従来は、フレキシブルＴＦＴ基板を用いて液晶表示装置を製造する際には、フレキシブル基板の配線パターンと対向基板の遮光パターンとの位置合わせが困難という問題があった。これに対し、本実施形態によると、支持基板２１で支持された状態のＴＦＴ基板１００を、対向基板と貼り合わせ、その後に支持基板２１を除去することが可能になる。従って、対向基板の遮光パターンとＴＦＴ基板１００の配線パターンとを高い精度で位置合わせできるので、高精細で開口率の高い表示装置が得られる。
　なお、支持基板２１は、分離層２３および接着樹脂層２５を介して基板２７と接着されており、例えばレーザー光照射によるアブレーション等によってＴＦＴ基板１００から分離され得る。分離された後の支持基板２１を再利用することも可能である。
　上記方法では、被転写体３０として、基板２７と支持基板２１とが分離層２３を介して積層された構造体を用いたが、被転写体３０は基板２７を有していればよく、支持基板２１を有していなくてもよい。ただし、基板２７としてフレキシブルな基板を用いる場合には、支持基板２１を有していることが好ましい。支持基板２１を有する代わりに、基板２７として、強度を確保できる程度に厚い樹脂基板を用い、画素電極の形成や実装工程などを行った後に、樹脂基板をエッチングして薄くしてもよい。
　次に、上記方法で得られたＴＦＴ基板１００を用いて表示装置を製造する方法の一例を説明する。ここでは、液晶表示装置を製造する方法を説明する。
　まず、図５を参照しながら、表示装置の対向基板を作製する方法を説明する。
　図５（ａ）に示すように、支持基板５１（例えば透明なガラス基板）と基板（例えば樹脂基板）５７とを分離層５３および接着樹脂層５５を介して積層する。分離層５３と接着樹脂層５５の積層順序は特に限定されない。また、接着樹脂層５５と分離層５３とは同一の層であってもよい。
　次いで、図５（ｂ）に示すように、基板５７の上に保護層５９を形成する。保護層５９は水分や金属イオンを透過しにくいものが望ましく、例えば窒化シリコン等で形成される。
　この後、図５（ｃ）に示すように、保護層５９の上に対向共通電極６１を形成する。図示していないが、対向共通電極６１を形成する前に、保護層５９の上に遮光層となるブラックマトリクスやカラーフィルターを形成してもよい。また、対向共通電極６１をパターニングしても良い。対向共通電極６１は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜を用いて形成される。このようにして対向基板５０を得る。
　図示する例では、支持基板５１と樹脂基板５７との積層構造を有する対向基板５０を作製しているので、遮光用ブラックマトリクスやカラーフィルターの形成や、対向共通電極６１のパターニングの際に、支持基板５１によって樹脂基板５７の変形を抑制できる。従って、高い精度でこれらのプロセスを行うことができる。なお、例えば遮光用ブラックマトリクスやカラーフィルターの形成、対向共通電極６１のパターニングが不要な場合には、支持基板５１を用いず、樹脂基板５７の上に保護層５９および対向共通電極６１を形成することによって対向基板５０を作製しても良い。
　次いで、図６を参照しながら、上記の対向基板５０と、ＴＦＴ基板１００とを貼り合わせる工程を説明する。
　図６（ａ）に示すように、対向基板５０とＴＦＴ基板１００とを、画素電極３３と対向共通電極６１とが対向するように配置し、表示媒体層６０を挟むように貼り合わせる。ここでは、表示媒体層６０として液晶層を用いる。液晶層は、貼り合せ前および貼り合わせ後のどちらに形成されても良い。液晶層の厚さは、スペーサー（図示せず）等で制御される。ＴＦＴ基板１００の周辺領域の一部の上には液晶層および対向基板５０を配置しなくてもよい。貼り合せた後、図示しないが、ＴＦＴ基板１００の周辺領域にＣＯＧ方式で端子部や駆動回路を実装したり、ＦＰＣ基板を実装してもよい。
　本実施形態では、ＴＦＴ基板１００が支持基板２１で支持された状態で、貼り合わせ工程やＦＰＣ基板の実装工程などを行うので、これらの工程において応力や熱によるＴＦＴ基板１００の変形が抑制される。従って、対向基板５０との貼り合せやＦＰＣ基板の実装を高い精度で行うことができる。
　続いて、図６（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１００の支持基板２１側からレーザー光等を照射して、分離層２３もしくは分離層２３と接着樹脂層２５との界面から支持基板２１を剥離する。同様に、対向基板５０の支持基板５１側からレーザー光等を照射して、支持基板５１を剥離し、対向基板５０から除去する。このようにして、液晶表示装置を得る。
　なお、ＴＦＴ基板１００を作製する際の被転写体３０および対向基板５０が、剥離すべき支持基板を有していない場合には、上記の剥離工程を行う必要はない。
　以下、本実施形態の表示装置の構成をより詳しく説明する。
　図７は、本実施形態の表示装置の模式的な断面図である。液晶表示装置は、ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を有するＴＦＴ基板１００と、対向基板５０と、これらの基板の間に配置された表示媒体層６０とを備えている。薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２は、それぞれ、画素ＴＦＴおよびドライバーＴＦＴである。この例では、表示媒体層６０は液晶層である。
　ＴＦＴ基板１００は、基板（例えば樹脂基板）２７と、基板２７上に転写によって形成された転写層Ｔと、転写層Ｔの上に形成された画素電極３３とを備えている。転写層Ｔは、保護層５と、保護層５の上に形成されたボトムゲート構造の薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２と、これらの薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を覆う絶縁層２０（ここでは表面保護層１７および平坦化樹脂層１９）とを含んでおり、基板２７上に逆向きに接合されている。すなわち、転写後の構成に着目して説明すると、基板２７の上に絶縁層２０を介してボトムゲート構造の薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２が設けられており、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２は保護層５で覆われている。言い換えると、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２のゲート電極７側を下側、半導体層１１側を上側とすると、ＴＦＴ基板１００および表示媒体層６０は、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２の下側に表示媒体層６０が位置するように配置されている。
　画素電極３３は、保護層５の表示媒体層６０側の表面上および保護層５に形成されたコンタクトホール内に形成されている。画素電極３３は、保護層５のコンタクトホール内で薄膜トランジスタＭ１のドレイン電極１５ｄと電気的に接続されている。画素電極３３は例えば透明導電膜を用いて形成されている。保護層５の表示媒体層６０側の表面は略平坦である。このため、画素電極３３は、下方に形成された各層のパターンに依存することなく、平坦な表面上に形成される。従って、表示媒体層６０の厚さを略均一にできるので、高画質な表示を実現できる。また、画素電極３３を、その少なくとも一部が薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２のゲート電極７および半導体層１１と重なるように、すなわちゲート電極７および半導体層１１と表示媒体層６０との間に位置するように形成できるので、画素電極３３の面積を拡大できる。なお、図示する例では、画素電極３３の少なくとも一部は、半導体層１１、ゲート電極７およびソース配線と表示媒体層との間に配置している。
　一方、対向基板５０は、樹脂基板５７と、樹脂基板５７上に形成された保護層５９と、保護層５９の上に形成された対向共通電極６１とを備えている。図示していないが、液晶表示品位を高める為の遮光層となるブラックマトリクス層が対向共通電極６１と保護層５９との間に形成されていてもよい。また、カラーフィルターが対向共通電極６１と保護層５９との間に形成されていてもよい。対向共通電極６１をパターニングしても良い。
　ＴＦＴ基板１００と対向基板５０との間には、表示媒体層６０として液晶層が形成されている。図示していないが、液晶層の厚さを一定に保つフォトスペーサーが形成されていてもよい。
　本実施形態では、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２としてボトムゲート構造のＴＦＴを用いるが、後述する実施形態のようにトップゲート構造のＴＦＴを用いてもよい。ただし、ボトムゲート構造のＴＦＴを用いる場合、画素電極３３とドレイン電極１５ｄとを接続するためのコンタクトホールは、ゲート絶縁層９および保護層５を貫通すればよいので、その深さを小さくできる。また、トップゲート構造のＴＦＴのように、半導体層とドレイン電極とを接続するコンタクトホールを形成する必要がないので有利である。なお、トップゲート構造のＴＦＴを用いる場合には、半導体層をレーザー結晶化によりポリシリコン化しやすく、より高性能なＴＦＴを実現でき、また、セルフアラインを利用してソース・ドレイン領域を形成できるので小型化が可能である等の利点がある。ＴＦＴの構造は、半導体装置の用途などに応じて適宜選択できる。
　図８は、図７に示す液晶表示装置におけるＴＦＴ基板１００を示す平面図である。
　ＴＦＴ基板１００の表示領域１００Ａには、行方向に延びる複数のソース配線Ｓと、列方向に延びる複数のゲート配線Ｇとが形成されている。これらの配線によって規定される各領域（各画素）に画素電極３３が設けられている。また、各画素には、ゲート配線Ｇとソース配線Ｓとが交差する部分の近傍に、薄膜トランジスタＭ１（画素ＴＦＴ）が配置されている。
　ＴＦＴ基板１００のうち画素が形成されていない領域（周辺領域）１００Ｂには駆動回路（ソースドライバー）を有するＣＯＧチップ９４と、ＦＰＣ基板９０とが実装されている。各ソース配線Ｓは、ＴＦＴ基板１００に形成された端子部の実装パッドＰ１を介して、ソースドライバーに接続されている。ソースドライバーの入力端子は、ＴＦＴ基板１００に形成された他の端子部の実装パッドＰ２を介して、ＦＰＣ基板９０に形成された外部配線９２と接続されている。なお、図示しないが、周辺領域１００Ｂには、駆動回路（ゲートドライバー）も実装されている。各ゲート配線Ｇはさらに他の端子部を介してゲートドライバーに接続されている。
　上述してきたように、本実施形態では、画素電極３３は、ＴＦＴ基板１００の配線パターンや薄膜トランジスタＭ１の配置とは独立して配置され得る。前述した特許文献１の方法によると、図２に示すように、画素電極となる透明導電膜の部分１７０２は、ゲート配線Ｇおよびソース配線Ｓで包囲された領域の内部に、これらの配線から間隔を空けて配置される必要があった。これに対し、本実施形態によると、図８からわかるように、画素電極３３を、ゲート配線の一部と重なるように形成できる。従って、特許文献１に示す表示装置と比べて、開口率を大幅に向上できる。
　本実施形態では、端子部の最上面（接続面）を構成する実装パッドＰ１、Ｐ２を、画素電極３３と同じ導電膜を用いて形成できる。また、表示領域から端子部まで延びる配線を、ソース配線層またはゲート配線層を利用して形成できる。なお、本明細書において、ソース配線Ｓおよびソース・ドレイン電極と同じ導電膜を用いて形成された層を「ソース配線層」と称する。ソース配線層にはソース配線Ｓおよびソース・ドレイン電極も含まれる。同様に、ゲート配線Ｇおよびゲート電極と同じ導電膜を用いて形成された層を「ゲート配線層」、画素電極と同じ導電膜を用いて形成された層を「画素電極層」と称する。
　以下、ＴＦＴ基板１００に形成された各端子部の構造を、図面を参照しながら具体的に説明する。
　図９Ａは、ＴＦＴ基板１００の端子部を例示する断面図である。この構造では、ソース・ドレイン電極やソース配線Ｓと同じ導電膜（ソース配線層）を用いて、表示領域から、周辺領域に配置された端子部まで延びる配線１５ｔｗを形成している。端子部では、保護層５およびゲート絶縁層９には、配線１５ｔｗに達する開口部が形成されている。開口部内および保護層５の上には導電層３３ｔが形成されている。導電層３３ｔは、開口部内で配線１５ｔｗと接続されている。本実施形態では、導電層３３ｔは、画素電極３３と同一の透明導電膜をパターニングすることにより、画素電極３３と同時に形成され得る。この導電層３３ｔは、図８に示す平面図において、実装パッドとして用いられてもよい。
　図９Ｂは、ＴＦＴ基板１００の他の端子部を例示する断面図である。この構造では、ゲート配線Ｇと同じ導電膜（ゲート配線層）を用いて、表示領域から、周辺領域に配置された端子部まで延びる配線７ｔｗを形成している。図示していないが、ソース配線Ｓは配線７ｔｗに接続されていてもよい。端子部では、図示するように、周辺領域において、保護層５には、配線７ｔｗに達する開口部が形成されている。開口部内および保護層５の上には導電層３３ｔが形成されている。導電層３３ｔは、開口部内で配線７ｔｗと接続されている。本実施形態でも、導電層３３ｔは、画素電極３３と同一の透明導電膜をパターニングすることにより形成され得る。導電層３３ｔを実装パッドとして用いてもよい。
　あるいは、図９Ｃに示すように、ソース配線層により、表示領域から、周辺領域に配置された端子部まで延びる配線１５ｔｗを形成し、端子部において、導電層３３ｔと配線１５ｔｗとの間に、ゲート配線Ｇと同じ導電膜から形成された導電層７ｔを配置してもよい。これにより、端子部の強度をより効果的に高めることができる。この端子部は次のようにして形成され得る。まず、図３（ｂ）を参照しながら前述した工程で、ゲート電極７およびゲート配線Ｇと同時に導電層７ｔを形成する。次いで、図３（ｃ）を参照しながら前述した工程で、ゲート絶縁層９に開口部を設け、開口部内に配線１５ｔｗを形成する。配線１５ｔｗは、ソース・ドレイン電極およびソース配線Ｓと同じ導電膜を用いて同時に形成される。保護層５への開口部の形成および導電層３３ｔの形成は、転写工程の後に行う（図４（ｃ））。
　このように、本実施形態では、ＴＦＴの転写後に画素電極３３を形成するため、画素電極を形成するための腐食に強い導電膜を用いて、端子部の最上層（実装パッド）となる導電層３３ｔを形成できる。また、低抵抗のソース配線層もしくはゲート配線層を端子部まで引き延ばすことができるので、端子部の抵抗を低く抑え、電力ロスを低減できる。その上、端子部は、少なくとも、導電層３３ｔとソースまたはゲート配線層の配線１５ｔｗ、７ｔとを有するので、端子部上にＣＯＧチップやＦＰＣ基板などの実装を行う際に、圧着に対する端子部の強度を向上できる。
　さらに、次のような利点もある。従来は、画素電極とソース配線とを接続させるためのコンタクト形成工程と、ゲート配線とソース配線とを接続させるためのコンタクト形成工程とを別個に行う必要があった。このため、製造工程が複雑になり、強度が低減するという課題があった。これに対し、本実施形態によると、転写後のコンタクト形成工程において、図９Ｄに示すようにゲート配線層、ソース配線層（ドレイン電極）に接続された半導体層１１、および画素電極層を互いに接続させることが可能になる。従って、製造工程数を低減できるとともに、強度を向上できる。
　（第２の実施形態）
　以下、本発明による半導体装置の第２の実施形態を説明する。本実施形態の半導体装置は、トップゲート構造のＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）である。
　本実施形態のＴＦＴ基板は、支持基板上に形成されたトップゲート構造を有するＴＦＴを、樹脂基板などの所定の基板上に転写することによって形成される。
　図１０および図１１は、本実施形態のＴＦＴ基板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。ここでは、各画素に設けられる画素ＴＦＴと、駆動回路などに用いられるドライバーＴＦＴとを含む複数のＴＦＴを所定の基板上に転写する方法を説明する。なお、図１０および図１１では、図３および図４を参照しながら前述した構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。
　まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板などの支持基板１の上に、分離層３および保護層５をこの順で形成することにより、支持体１０を得る。支持体１０は、図３（ａ）を参照しながら前述した支持体１０と同様の材料を用いて、同様の方法で形成され得る。
　この後、保護層５の上に、ＴＦＴの活性層となる島状の半導体層（アクティブ層）１１を形成する。半導体層１１は、アモルファスシリコン膜、結晶質シリコン膜などを用いて形成される。半導体層１１の形成方法は、図３（ｃ）を参照しながら前述した方法と同じであってもよい。
　本実施形態では、半導体層１１としてポリシリコン層を形成する。具体的には、まず、保護層５の上にアモルファスシリコン膜を形成する。次いで、レーザー結晶化などによってアモルファスシリコン膜を結晶化させてポリシリコン膜を形成する。このポリシリコン膜のパターンニングを行うことにより、ポリシリコン層が得られる。
　次に、図１０（ｂ）に示すように、半導体層１１を覆うようにゲート絶縁層（例えば窒化シリコン層、酸化シリコン層）９を形成し、ゲート絶縁層９の上にゲート電極（例えばメタル層）７を形成する。続いて、ゲート電極７をマスクとして、半導体層１１のうちゲート電極７で覆われていない部分に不純物イオンを注入する。これにより、半導体層１１に、ソース・ドレイン領域となる高濃度不純物領域１１ｓ’、１１ｄ’を形成する。半導体層１１のうちゲート電極７で覆われ、不純物イオンが注入されなかった領域はチャネル領域１１ｃとなる。
　続いて、図１０（ｃ）に示すように、ゲート電極７およびゲート絶縁層９を覆うように表面保護層（例えば窒化シリコン層）１７を形成する。表面保護層１７の材料は、図３（ｅ）を参照しながら前述した表面保護層１７の材料と同じであってもよい。この状態で、例えば５００℃以上の温度で高濃度不純物領域に注入された不純物イオンを活性化させて（活性化アニール）、ソース・ドレイン領域１１ｓ、１１ｄを得る。このようにして、支持基板１の上にドライバーＴＦＴとなる薄膜トランジスタＭ２と、画素ＴＦＴとなる薄膜トランジスタＭ１とが形成される。
　なお、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２の構造は互いに異なっていてもよい。また、これらの薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２の形成方法は上記の方法に限定されない。他のプロセスを用いてこれらのＴＦＴを形成してもよい。例えば、保護層５の上にアモルファスシリコン膜を形成し、アモルファスシリコン膜の所定の領域に不純物イオンを注入した後、アモルファスシリコン膜を結晶化させてもよい。この場合、アモルファスシリコン膜の結晶化工程（例えばレーザー結晶化）において、注入された不純物イオンを活性化させることが可能になるので、上述した活性化アニール工程を省略できる。
　続いて、図１０（ｄ）に示すように、表面保護層１７の上に平坦化樹脂層１９を形成する。平坦化樹脂層１９の材料は、図３（ｅ）を参照しながら前述した平坦化樹脂層１９の材料と同じであってもよい。
　この後、図１１（ａ）に示すように、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２が形成された支持体１０と被転写体３０とを、平坦化樹脂層１９が被転写体３０と接するように接合し、接合体４０を得る。
　被転写体３０の構造は、図４（ａ）を参照しながら前述した構造と同様であってもよい。図示する例では、被転写体３０は、分離層２３を介して支持基板２１と基板２７とが積層された構造を有する。基板２７は、製品の用途に応じた特性を有する基板であればよく、例えば樹脂基板であってもよい。
　次いで、図１１（ｂ）に示すように、接合体４０から支持基板１を分離除去する。ここでは、支持基板１側から接合体４０にレーザー光などの光を照射することにより、分離層３、あるいは分離層３と保護層５との界面で、支持基板１を分離する。図示する例では、分離後の接合体４０の表面は保護層５のみから構成されているが、保護層５の上に、部分的または全体的に分離層３が残存している場合もある。支持基板１の分離後、接合体４０の表面に残存した分離層を除去してもよい。
　続いて、図１１（ｃ）に示すように、保護層５にソース・ドレイン領域１１ｓ、１１ｄにそれぞれ達するコンタクトホールを形成した後、保護層５の上およびコンタクトホール内に導電膜を形成する。この導電膜をパターニングして、ソース領域１１ｓに電気的に接続されたソース電極１５ｓと、ドレイン領域１１ｄに電気的に接続されたドレイン電極１５ｄとを形成する。
　この後、図１１（ｄ）に示すように、ソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄを含む配線層（ソース配線層）を覆うように平坦化樹脂層３５を形成する。次いで、平坦化樹脂層３５にドレイン電極１５ｄに達するコンタクトホールを設け、平坦化樹脂層３５の上およびコンタクトホール内に画素電極３３を形成する。画素電極３３は、例えば平坦化樹脂層３５の上およびコンタクトホール内に例えば透明導電膜を形成した後、透明導電膜のパターニングを行うことにより形成される。このようにして、ＴＦＴ基板２００が製造される。
　なお、ＴＦＴ基板２００は、被転写体３０の裏面側に支持基板２１を有しているが、この支持基板（透明基板）は、表示装置などの最終製品が得られる前の適当な時期に除去される。例えばＴＦＴ基板２００に支持基板２１が形成された状態で、ＦＰＣ基板などをＴＦＴ基板２００に実装したり、ＴＦＴ基板２００と対向基板とを貼り合わせるなどのプロセスを行い、その後、支持基板２１を除去してもよい。これにより、実装や貼り合わせプロセスを高いアライメント精度で行うことが可能になる。
　本実施形態のＴＦＴ基板２００も、各種表示装置に適用され得る。例えば図５および図６を参照しながら前述した方法と同様の方法により、ＴＦＴ基板２００を備えた表示装置を製造できる。
　図１２は、本実施形態のＴＦＴ基板２００を用いて製造した液晶表示装置を例示する断面図である。図１２では、図７を参照しながら前述した構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。
　液晶表示装置は、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２がトップゲート構造を有する点、および、ソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄが半導体層１１と表示媒体層との間に設けられている点で、図７に示す液晶表示装置と異なっている。
　ＴＦＴ基板２００は、基板（例えば樹脂基板）２７と、基板２７上に転写によって形成された転写層Ｔと、転写層Ｔの上に形成された画素電極３３とを備えている。転写層Ｔは、保護層５と、保護層５の上に形成されたトップゲート構造の薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２と、これらの薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を覆う絶縁層２０（ここでは表面保護層１７および平坦化樹脂層１９）とを含んでおり、基板２７上に逆向きに接合されている。すなわち、転写後の構成に着目して説明すると、基板２７の上に絶縁層２０を介してトップゲート構造の薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２が設けられ、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２は保護層５で覆われている。薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２は、基板２７に対して逆向きに形成されている。言い換えると、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２のゲート電極７側を上側、半導体層１１側を下側とすると、ＴＦＴ基板２００および表示媒体層６０は、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２の下側に表示媒体層６０が位置するように配置されている。
　転写層Ｔと表示媒体層６０との間には、ソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄおよび画素電極３３が設けられている。ソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄは、保護層５の表示媒体層６０側の表面上および保護層５に形成されたコンタクトホール内に形成されている。ソース電極１５ｓは、コンタクトホール内で薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２のソース領域１１ｓと電気的に接続されており、ドレイン電極１５ｄは、コンタクトホール内でドレイン領域１１ｄと電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄおよび保護層５は、平坦化樹脂層３５で覆われている。
　画素電極３３は、平坦化樹脂層３５の上および平坦化樹脂層３５に形成されたコンタクトホール内に形成され、コンタクトホール内で薄膜トランジスタＭ１のドレイン電極１５ｄと電気的に接続されている。画素電極３３は例えば透明導電膜を用いて形成されている。画素電極３３は、下方に形成された各層のパターンに依存することなく、平坦な表面上に形成される。従って、表示媒体層６０の厚さを略均一にできるので、高画質な表示を実現できる。また、画素電極３３は、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２の配置や配線パターンとは無関係にパターニングされ得る。従って、画素電極３３を、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２のゲート電極７や半導体層１１と表示媒体層６０との間にも形成でき、画素電極３３の面積を拡大できる。図示する例では、画素電極３３の一部は、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２のゲート電極７、半導体層１１およびソース配線層と表示媒体層６０との間に配置されている。
　対向基板５０および表示媒体層６０の構造は、図７を参照しながら前述した構造と同様であってもよい。また、本実施形態のＴＦＴ基板２００の平面構造は、図８に示すＴＦＴ基板１００の平面構造と同様であるので、図面および説明を省略する。
　本実施形態によると、前述した第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、支持基板１上で薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を形成するため、樹脂基板などの基板２７上に直接ＴＦＴを形成する場合と比べて、プロセス温度やアライメント精度の制約を受けない。従って、高精細であり、かつ良好な特性を有する薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を形成できる。また、支持基板１上の薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を、基板２７（被転写体）上に転写した後に、画素電極３３を形成するので、画素電極３３を、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２や配線の表示媒体層６０側にこれらと重なるように配置することが可能である。このため、画素電極３３の面積を大きくできるので、開口率を高めることができる。さらに、画素電極を、略平坦な表面に形成できるため、このＴＦＴ基板２００上に液晶層などの表示媒体層６０を設ける場合、表示媒体層６０の厚さを略均一にできる。
　さらに、上記方法によると、ソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄを含むソース配線層を略平坦な表面上に形成するので、これらの電極を高い精度で形成でき、より効果的に高精細な半導体装置を実現できる。また、画素電極形成用のコンタクトホールを小さくできるので有利である。さらに、基板２７上に各種の駆動回路を形成する際に、駆動回路で用いるＴＦＴをより小型化できるので、表示装置の周辺領域の面積を縮小することが可能になる。
　本実施形態でも、被転写体３０として、樹脂基板などの基板２７の下方に、基板２７よりも強度の大きい支持基板２１が形成された積層体を用いることが好ましい。これにより、ＴＦＴ基板２００に画素電極３３を形成する際やＦＰＣ基板などを実装する際に、支持基板２１によって、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を含む転写層の変形を抑制できる。従って、ＴＦＴ基板２００に対し、高い精度で容易に、ＦＰＣ基板を実装したり、ＣＯＧ方式により端子部や駆動回路を形成できる。また、ＴＦＴ基板２００と対向基板５０とを貼り合わせた後に支持基板２１を除去することが好ましい。これにより、対向基板５０の遮光パターンとＴＦＴ基板２００の配線パターンとを高い精度で位置合わせできる。
　本実施形態でも、端子部の最上面（接続面）を構成する実装パッドＰ１、Ｐ２を、画素電極３３と同じ導電膜を用いて形成できる。
　図１３Ａ～図１３Ｃは、それぞれ、ＴＦＴ基板２００に形成された各端子部の構造を例示する断面図である。
　図１３Ａに示す構造では、ＴＦＴ基板２００の表示領域から端子部まで、ソース配線Ｓと同じ導電膜から形成された配線１５ｔｗが延びている。端子部では、平坦化樹脂層３５に配線１５ｔｗに達する開口部が形成されている。開口部内および平坦化樹脂層３５の上には導電層３３ｔが形成されている。導電層３３ｔは、開口部内で配線１５ｔｗと接続されている。本実施形態では、導電層３３ｔは、画素電極３３と同一の透明導電膜をパターニングすることにより、画素電極３３と同時に形成され得る。この導電層３３ｔを実装パッドとして用いてもよい。
　なお、図１３Ａに示すような端子部を形成する場合、配線１５ｔｗ（ソース配線層）、特に配線１５ｔｗのうち周辺領域に位置する部分が腐食しやすくなるおそれがある。ソース配線層の腐食を抑制するために、平坦化樹脂層３５として、水分および金属イオンを透過しにくい層を用いることが好ましい。
　また、図１３Ｂに示すように、ソース配線層と平坦化樹脂層３５との間に、ソース配線層を覆うように、水分や金属イオンを透過しにくい層（保護層）３６を設けてもよい。これにより、ソース配線層（特にソース配線１５ｔｗ）の腐食を抑制できる。
　あるいは、図１３Ｃに示すように、ソース配線層ではなく、ゲート配線層を利用して、表示領域から端子部まで延びる配線を形成してもよい。
　図１３Ｃに示す構造では、ソース配線Ｓまたはソース電極は、ゲート配線Ｇと同じ導電膜から形成された配線７ｔｗに接続されている。配線７ｔｗは表示領域から端子部まで延びている。端子部では、平坦化樹脂層３５、保護層５およびゲート絶縁層９に、配線７ｔｗに達する開口部が形成されている。開口部内および平坦化樹脂層３５の上には導電層３３ｔが形成されている。導電層３３ｔは、画素電極３３と同一の透明導電膜をパターニングすることにより形成され得る。導電層３３ｔは、開口部内で、ソース・ドレイン電極と同じ導電膜から形成された導電層１５ｔを介して配線７ｔｗと接続されている。このようにして、ゲート配線層によって形成された配線７ｔｗによって、ソース配線Ｓと、端子部の導電層３３ｔとを接続できる。
　図１３Ｃに示す構造によると、表面保護層１７及び保護層５で覆われた領域内に、表示領域から周辺領域へ延びる配線７ｔｗを形成できるので、端子部を形成するための配線７ｔｗの腐食を防止できる。従って、図１３Ａに示す構造と比べて、信頼性の高い端子部を形成できる。
　このように、本実施形態では、ＴＦＴの転写後に画素電極３３を形成するため、画素電極３３を形成するための腐食に強い導電膜を用いて、端子部の最上層となる導電層３３ｔを形成できる。また、低抵抗のソース配線層もしくはゲート配線層を端子部まで引き延ばすことができるので、端子部の抵抗を低く抑え、電力ロスを低減できる。その上、端子部は、少なくとも、導電層３３ｔとソースまたはゲート配線層の配線１５ｔｗ、７ｔｗとを有するので、端子部上にＣＯＧチップやＦＰＣ基板などの実装を行う際に、圧着に対する端子部の強度を向上できる。
　上記方法では、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２が形成された支持体１０と被転写体３０とを接合した後にソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄを形成したが、前述の実施形態のように、支持体上にソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄを形成した後で、接合工程を行ってもよい。この場合でも、上記と同様の効果が得られる。
　支持体上にソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄを形成した後で接合工程を行って得られたＴＦＴ基板３００の断面構造を図１４に例示する。図１４では、図１１に示す構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。図１４に示すＴＦＴ基板３００では、保護層５の上に必ずしもさらなる平坦化樹脂層を設ける必要がないので、図１２に示すＴＦＴ基板よりも表示装置の厚さを低減できる。また、ソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄを形成するためのコンタクトホールを高いアライメント精度で形成できる。
　なお、図１２では、ポリシリコン層を半導体層１１とするＴＦＴを用いた例が示されているが、アモルファスシリコン層を半導体層１１とするＴＦＴを用いてもよい。その場合、半導体層１１とソース・ドレイン電極１５ｓ、１５ｄとの間にコンタクト層を設けてもよい。コンタクト層は、図７を参照しながら前述したコンタクト層１３と同様の材料を用いて形成され得る。
　上記の第１および第２の実施形態では、ＴＦＴ基板を液晶表示装置に適用した例を示したが、有機ＥＬ表示装置などの他の表示装置にも適用され得る。図示しないが、例えば、ＴＦＴ基板上に、発光層を含む有機層を形成し、その上にさらに電極層を形成することにより、有機ＥＬ表示装置が得られる。画素電極と電極層との間に電圧を印加することによって、画素ごとに発光層を発光させ、表示を行うことができる。
　上述してきたように、本発明の実施形態によると、薄膜トランジスタＭ１、Ｍ２を被転写体に転写した後に画素電極３３を形成するので、平坦かつプロセスダメージやＥＳＤの低減された画素電極３３を形成できる。また、画素電極３３の面積を大きくできるので、開口率を高めることができる。さらに、アライメント精度を向上できるので、高精細な半導体装置を実現できる。
　本発明の実施形態は、フレキシブルディスプレイの製造に好適に適用され得る。特に、被転写体３０として、樹脂基板と支持基板との積層体を用いることにより、ＴＦＴ基板１００、２００、３００と対向基板５０との貼り合わせ工程において、樹脂基板の変形に起因するアライメント精度の低下を抑制できる。さらに、ＴＦＴ基板１００、２００、３００の略平坦な表面上に、液晶表示装置と外部回路とを接続するＦＰＣ基板を実装したり、ＣＯＧ方式によって端子等を実装できるので、より安定した実装が可能となる。さらに、端子部の上面に形成する導電層３３ｔを、画素電極３３を形成するための透明導電膜を用いて、画素電極３３と同時に形成できるので有利である。
　本発明の実施形態は、ＴＦＴを備えた半導体装置、例えばＴＦＴ基板やそれを用いた各種表示装置に広く適用され得る。本発明の実施形態を、例えば透過型および反射型のフレキシブルディスプレイに適用すると、高精細で開口率の高いディスプレイを実現できる。特に、透過型のフレキシブルディスプレイに適用すると、従来よりも開口率を大幅に向上できるので有利である。
　１　　　支持基板
　３　　　分離層
　５　　　保護層
　７　　　ゲート電極
　７ｔｗ　配線
　７ｔ　　導電層
　９　　　ゲート絶縁層
　１０　　支持体
　１１　　半導体層（ＴＦＴの活性層）
　１１ｃ　チャネル領域
　１１ｄ　ドレイン領域
　１１ｓ　ソース領域
　１１ｓ’、１１ｄ’　高濃度不純物領域
　１３　　コンタクト層
　１３ｄ　ドレインコンタクト層
　１３ｓ　ソースコンタクト層
　１５ｄ　ドレイン電極
　１５ｓ　ソース電極
　１５ｔ　導電層
　１５ｔｗ　配線
　１７　　表面保護層
　１９　　平坦化樹脂層
　２０　　絶縁層
　２１　　支持基板
　２３　　分離層
　２５　　接着樹脂層
　２７　　基板
　３０　　被転写体
　３３　　画素電極
　３３ｔ　導電層
　３５　　平坦化樹脂層
　３６　　保護層
　４０　　接合体
　５０　　対向基板
　５１　　支持基板
　５３　　分離層
　５５　　接着樹脂層
　５７　　基板
　５９　　保護層
　６０　　表示媒体層
　６１　　対向共通電極
　９０　　ＦＰＣ基板
　９２　　外部配線
　１００、２００、３００　ＴＦＴ基板
　Ｇ　　　ゲート配線
　Ｍ１　　薄膜トランジスタ
　Ｍ２　　薄膜トランジスタ
　ＰＩ　　実装パッド
　Ｓ　　　ソース配線
　Ｔ　　　転写層

Claims (16)

  1. 　薄膜トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
    　（Ａ）支持基板の表面に、第１分離層および第１絶縁層がこの順で形成された支持体を用意する工程と、
    　（Ｂ）基板を含む被転写体を用意する工程と、
    　（Ｃ）前記第１絶縁層の上に、半導体層、ゲート絶縁層およびゲート電極を含む薄膜トランジスタを形成する工程と、
    　（Ｄ）前記薄膜トランジスタを覆う第２絶縁層を形成する工程と、
    　（Ｅ）前記薄膜トランジスタが前記第２絶縁層を介して前記被転写体と対向するように、前記第２絶縁層が形成された前記支持体を前記被転写体に接合して接合体を得る工程と、
    　（Ｆ）前記支持基板、および、前記第１分離層の少なくとも一部を、前記接合体から分離する工程と、
    　（Ｇ）前記支持基板を分離した後の前記接合体における、前記被転写体と反対側の表面に、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されるように、画素電極を形成することにより、ＴＦＴ基板を得る工程と
    を包含する半導体装置の製造方法。
  2. 　前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間に、前記半導体層と電気的に接続されるようにソースおよびドレイン電極を形成する工程（Ｈ１）をさらに含み、
    　前記工程（Ｄ）において、前記ソースおよびドレイン電極の上に前記第２絶縁層を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記薄膜トランジスタはボトムゲート構造を有している請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　前記薄膜トランジスタはトップゲート構造を有しており、
    　前記工程（Ｆ）と前記工程（Ｇ）との間に、前記支持基板を分離した後の前記接合体における前記被転写体と反対側の表面に、前記半導体層と電気的に接続されるようにソースおよびドレイン電極を形成する工程（Ｈ２）をさらに含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 　前記工程（Ｈ２）では、前記第１絶縁層に前記ドレイン電極の一部に達するコンタクトホールを設け、前記第１絶縁層上および前記コンタクトホール内に導電層を形成することにより、前記ソースおよびドレイン電極を形成する請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 　前記被転写体は、前記基板上に第２分離層を介して積み重ねられた透明基板を有し、
    　前記工程（Ｇ）の後に、前記透明基板、および前記第２分離層の少なくとも一部を、前記接合体から分離する工程（Ｉ）をさらに包含する請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　前記工程（Ｇ）の後に、前記ＴＦＴ基板の前記画素電極の上に表示媒体層を配置する工程（Ｊ）をさらに包含し、
    　前記工程（Ｉ）は、前記工程（Ｊ）の後に行われる請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 　前記基板は樹脂基板である請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  9. 　前記樹脂基板は透明である請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 　前記工程（Ｇ）の後に、前記ＴＦＴ基板の前記画素電極の上に表示媒体層を配置する工程（Ｊ）をさらに包含し、
    　前記画素電極の少なくとも一部は、前記半導体層と前記表示媒体層との間にある請求項１から９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  11. 　前記表示媒体層は液晶層であり、
    　前記工程（Ｉ）では、前記ＴＦＴ基板と、表面に対向電極が形成された対向基板とを、前記液晶層を介して配置させ、
    　前記対向基板は樹脂基板を用いて形成されている請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 　ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタを有するＴＦＴ基板と、
    　前記ＴＦＴ基板の上に配置された表示媒体層と
    　前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続された透明な画素電極と
    を備える半導体装置であって、
    　前記薄膜トランジスタのゲート電極側を下側、半導体層側を上側とすると、前記ＴＦＴ基板および前記表示媒体層は、前記薄膜トランジスタの下側に前記表示媒体層が位置するように配置されており、
    　前記画素電極の少なくとも一部は、前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極と前記表示媒体層との間に位置している半導体装置。
  13. 　前記画素電極と同じ導電膜から形成され、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極と前記ゲート電極とを接続する配線をさらに備える請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　トップゲート構造を有する薄膜トランジスタを有するＴＦＴ基板と、
    　前記ＴＦＴ基板の上に配置された表示媒体層と
    　前記薄膜トランジスタと電気的に接続された透明な画素電極と
    を備える半導体装置であって、
    　前記薄膜トランジスタのゲート電極側を上側、半導体層側を下側とすると、前記ＴＦＴ基板および前記表示媒体層は、前記薄膜トランジスタの下側に前記表示媒体層が位置するように配置されており、
    　前記画素電極の少なくとも一部は、前記薄膜トランジスタの前記半導体層と前記表示媒体層との間に位置している半導体装置。
  15. 　前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン電極は、前記半導体層と前記表示媒体層との間に設けられている請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記表示媒体層は液晶層であり、
    　前記液晶層を介して前記ＴＦＴ基板と対向するように配置された対向基板をさらに備え、
    　前記対向基板および前記ＴＦＴ基板は透明な樹脂基板を有している請求項１２から１５のいずれかに記載の半導体装置。
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