WO2012165434A1 - 素子収納用パッケージ、半導体装置用部品および半導体装置 - Google Patents

素子収納用パッケージ、半導体装置用部品および半導体装置 Download PDF

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真広 辻野
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京セラ株式会社
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    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor element storage package for storing a semiconductor element, and a semiconductor device component and a semiconductor device including the same.
  • a semiconductor element storage package for storing a semiconductor element and a semiconductor device component and a semiconductor device including the same.
  • Such a package for housing a semiconductor element can be used for various electronic devices.
  • a package described in Patent Document 1 is known as an element storage package (hereinafter also simply referred to as a package) for storing semiconductor elements.
  • the package described in Patent Document 1 includes a package substrate (base), a via hole (connection conductor) provided from the upper surface to the lower surface of the package substrate, and a signal line metal thin film (circuit conductor) provided on the lower surface of the package substrate. ).
  • the package described in Patent Document 1 is used by being attached to a mounting board.
  • circuit conductor when the circuit conductor is provided on the lower surface of the base as in the package described in Patent Document 1, the circuit conductor may be misaligned when the package is mounted on the mounting substrate. It was.
  • the substrate may be deformed by pressing the package against the mounting substrate in a state where the base is warped. For this reason, the circuit conductor attached to the lower surface of the base may be shifted to a position different from a desired position. As a result, impedance matching may be difficult between the package and the mounting substrate.
  • An element storage package has a mounting area for mounting a semiconductor element, a base having a rectangular shape when viewed from above, and an upper surface of the base so as to surround the mounting area
  • a circuit conductor having an end portion drawn laterally from the first side surface of the base body and a second side surface joined to the lower surface of the base body and adjacent to the first side surface are pulled sideways.
  • a metal plate having a grounding conductor region drawn laterally from the first side surface of the base so as to be parallel to the circuit conductor.
  • the metal plate further includes an outer peripheral region that is pulled out to the side of the base body from the ground conductor region to the attachment region along the outer periphery of the base body when viewed in plan.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing an element storage package according to a first embodiment, a semiconductor device component including the same, and a semiconductor device.
  • FIG. 2 is a plan view of the element storage package shown in FIG. 1. It is a bottom view of the element storage package shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the element storage package shown in FIG. 3 taken along line X-X ′. It is a bottom view which shows the package for element storage concerning 2nd Embodiment.
  • an element storage package (hereinafter also simply referred to as a package) according to each embodiment, a semiconductor device component including the same, and a semiconductor device will be described in detail with reference to the drawings.
  • a package an element storage package
  • the semiconductor device component and the semiconductor device according to the present invention can include arbitrary constituent members that are not shown in the drawings referred to in this specification.
  • the element storage package 1 has a base 5 having a mounting area 5a for mounting the semiconductor element 3 and an upper surface of the base 5 so as to surround the mounting area 5a.
  • a conductor 21 and two metal plates 35 are provided.
  • the connection conductor 9 is electrically connected to the semiconductor element 3 via a bonding wire 31 at a portion located on the upper surface of the base body 5.
  • the circuit conductor 21 has one end electrically connected to the connection conductor 9 and the other end pulled out from the first side surface 51 of the base body 5 to the side.
  • the two metal plates 35 are respectively connected to a bonding region 35 a bonded to the lower surface of the base 5, a mounting region 35 b that is pulled out from the second side surface 52 of the base 5 and attached to the mounting substrate 17, and the circuit conductor 21.
  • the grounding conductor region 35c drawn laterally from the first side surface 51 of the base 5 so as to be parallel, and the outer periphery drawn sideways of the base 5 from the grounding conductor region 35c to the mounting region 35b when viewed in plan. It has area
  • the “second side surface 52” does not mean only one side surface among the side surfaces of the substrate 5, but means two side surfaces adjacent to the first side surface 51.
  • the strength of the metal plate 35 can be improved by integrally forming the ground conductor region 35c, the attachment region 35b, and the outer peripheral region 35d. Since the metal plate 35 with improved strength is provided on the lower surface of the base body 5, the base body 5 can be made difficult to deform. Thereby, even if the package 1 is pressed against the mounting substrate 17, the possibility that the base body 5 is deformed can be suppressed. Therefore, the possibility that the circuit conductor 21 attached to the lower surface of the base body 5 is shifted to a position different from the desired position can be suppressed. As a result, impedance matching between the package 1 and the mounting substrate 17 can be facilitated.
  • the attachment region 35b and the outer peripheral region 35d of the metal plate 35 are continuous. Thereby, when the package 1 is mounted on the mounting substrate 17, it is possible to suppress the possibility that stress is concentrated on a part of the base body 5. Specifically, if there is a gap between the outer peripheral region 35d and the attachment region 35b, the attachment region 35b of the peripheral portion of the substrate 5 when the attachment region 35b and the mounting substrate 17 are screwed together. Stress concentrates in the region where the is pulled out. However, in the package 1 according to the present embodiment, when the attachment region 35b and the mounting substrate 17 are screwed together, the attachment region 35b of the boundary portion between the attachment region 35b and the outer peripheral region 35d and the peripheral portion of the substrate 5 is secured. The stress is distributed in two regions, the region from which is drawn. Thereby, the possibility that the substrate 5 is deformed can be suppressed.
  • the base body 5 in the present embodiment has a square plate shape and has a mounting region 5a on which the semiconductor element 3 is placed on the main surface.
  • the mounting region 5a means a region overlapping with the semiconductor element 3 when the base 5 is viewed in plan.
  • the size can be set to, for example, 5 mm or more and 50 mm or less on a side.
  • substrate 5 it can set to 0.2 mm or more and 2 mm or less, for example.
  • the mounting area 5a is formed at the center of the main surface.
  • the mounting area 5a for example, at the end of the main surface of the base 5 There is no problem even if the mounting region 5a is formed.
  • the base body 5 of this embodiment has one mounting area 5a, the base body 5 may have a plurality of mounting areas 5a, and the semiconductor element 3 may be placed in each of the mounting areas 5a. .
  • the semiconductor element 3 is disposed in the mounting area 5 a on the main surface of the base body 5. Signals can be input / output between the semiconductor element 3 and an external electric circuit (not shown) via an input / output terminal or the like. As described above, since the semiconductor element 3 is disposed on the main surface of the base body 5, the base body 5 is required to have high insulation properties at least in a portion where the semiconductor element 3 is disposed. It is done.
  • the base 5 according to the present embodiment is produced by laminating a plurality of insulating members. Then, the semiconductor element 3 is placed on the mounting area 5 a of the base body 5.
  • the insulating member examples include a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, and a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic. Materials can be used.
  • a mixing member is prepared by mixing raw material powder containing these glass powder and ceramic powder, an organic solvent, and a binder.
  • a plurality of ceramic green sheets are produced by forming the mixed member into a sheet.
  • a plurality of laminated bodies are produced by laminating the produced ceramic green sheets.
  • the base body 5 is produced by integrally firing a plurality of laminated bodies at a temperature of about 1600 degrees.
  • the base 5 is not limited to a configuration in which a plurality of insulating members are stacked.
  • the base 5 may be composed of one insulating member.
  • the semiconductor element 3 may be directly mounted on the upper surface of the base 5, but the semiconductor element 3 disposed on the mounting region 5 a of the base 5 is placed as in the package 1 of the present embodiment.
  • the semiconductor element 3 may be mounted on the mounting substrate 19.
  • the mounting substrate 19 it is preferable to use a member having good insulation like the insulating member.
  • an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, and an aluminum nitride material are used. Ceramic materials such as sintered bodies and silicon nitride-based sintered bodies, or glass ceramic materials can be used.
  • the package 1 of the present embodiment includes a frame body 7 disposed on the upper surface of the base 5 so as to surround the mounting area 5a.
  • a frame body 7 for example, in the same manner as the base body 5, for example, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, and a silicon nitride sintered body are used.
  • Such ceramic materials or glass ceramic materials can be used.
  • a metal member such as iron, copper, nickel, chromium, cobalt, and tungsten, or an alloy made of these metals can be used.
  • the metal member constituting the frame body 7 can be manufactured by subjecting such an ingot of the metal member to a metal processing method such as a rolling method or a punching method. Further, the frame body 7 may be composed of one member, but may be a laminated structure of a plurality of members.
  • the element storage package 1 of the present embodiment includes a joining member (not shown) that is positioned between the base body 5 and the frame body 7 and joins the base body 5 and the frame body 7.
  • a joining member (not shown) that is positioned between the base body 5 and the frame body 7 and joins the base body 5 and the frame body 7.
  • a brazing material can be used as the joining member.
  • Exemplary brazing materials include silver brazing.
  • the package 1 of the present embodiment includes a plurality of connection conductors 9 provided from the upper surface to the lower surface of the base body 5.
  • the connection conductor 9 has a function of transmitting an electric signal generated by the semiconductor element 3 from the upper surface to the lower surface of the substrate 5 or a function of transmitting an electric signal input from the outside from the lower surface of the substrate 5 to the upper surface. .
  • One end of each of the plurality of connection conductors 9 is exposed on the upper surface of the base 5.
  • the other end of each of the plurality of connection conductors 9 is exposed on the lower surface of the base 5.
  • connection conductor 9 in the present embodiment is electrically connected to the semiconductor element 3 through the bonding wire 31, but is not limited thereto.
  • the connection conductor 9 may be routed to the mounting region 5 a on the upper surface of the base body 5 in the mounting region and directly connected to the semiconductor element 3 without using the bonding wire 31.
  • connection conductor 9 a member having good conductivity is preferably used.
  • a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, manganese, copper, silver and gold can be used as the connection conductor 9.
  • the above metal materials may be used alone or as an alloy.
  • connection conductor 9 As a method of forming the connection conductor 9, there is a method of forming a through hole penetrating between the upper surface and the lower surface of the base 5 and disposing a metal paste in the through hole. As a method of disposing the metal paste in the through hole, a known suction method or the like may be used.
  • the connection conductor 9 may be formed so that the entire inside of the through hole is filled with a metal material. Moreover, it may be disposed so as to cover the inner wall of the through hole and form a cavity on the inner peripheral side.
  • the circuit conductor 21, the metal plate 35, and the attachment member 13 are provided on the lower surface of the base body 5, respectively.
  • the metal plate 35 in the present embodiment has a joining region 35a, a mounting region 35b, a ground conductor region 35c, and an outer peripheral region 35d.
  • a plate-shaped metal member can be used.
  • a metal material constituting the metal member a metal material such as copper can be used.
  • thickness of the metal plate 35 it can set to 0.1 mm or more and 1 mm or less, for example.
  • the package 1 of this embodiment has a pair of ground conductor regions 35c positioned so as to sandwich the circuit conductor 21 and the circuit conductor 21 therebetween.
  • One end of the circuit conductor 21 is electrically connected to the connection conductor 9, and the other end is drawn out to the side of the base 5.
  • the circuit conductor 21 is provided for electrically connecting the connection conductor 9 and the wiring circuit 25 disposed on the mounting substrate 17.
  • the pair of ground conductor regions 35 c are electrically connected to the ground wiring 27 disposed on the mounting substrate 17.
  • the pair of ground conductor regions 35 c are drawn from the first side surface 51 in the same direction as the circuit conductor 21.
  • a coplanar line is formed together with the circuit conductor 21 and the pair of ground conductor regions 35c.
  • ground and ground mean that they are electrically connected to an external reference potential (not shown) as a so-called ground potential, and the reference potential is not necessarily a potential. Need not be 0V.
  • a strip-shaped metal member is used as the circuit conductor 21.
  • the circuit conductor 21 is made of a metal material such as copper, for example.
  • the circuit conductor 21 is attached to the lower surface of the base body 5 by joining the connection conductor 9 and the circuit conductor 21 with a brazing material or the like.
  • the thickness of the circuit conductor 21 can be set to 0.05 mm or more and 0.5 mm or less, for example.
  • the attachment region 35b in the present embodiment has a rectangular shape when viewed in plan.
  • the attachment region 35 b has a through hole (screw fixing hole 29) for screwing to the mounting substrate 17.
  • the package 1 can be fixed to the mounting substrate 17 by screwing the package 1 to the mounting substrate 17 through the screw holes 29. At this time, in order to firmly fix the package 1 to the mounting substrate 17, a pressing force is applied to the package 1 toward the mounting substrate 17.
  • the bonding region 35a of the metal plate 35 is bonded to the lower surface of the substrate 5 by separately forming a metal film on the lower surface of the substrate 5 by a metallization method, and the bonding region 35a of the metal plate 35 is formed on the metal film by using a brazing material or the like. It is performed by using and joining.
  • the mounting members 13 each have a rectangular shape when viewed in plan.
  • the attachment member 13 has a through hole (screw fixing hole 29) for screwing to the mounting substrate 17.
  • the package 1 can be fixed to the mounting substrate 17 by screwing the package 1 to the mounting substrate 17 through the screw holes 29. At this time, in order to firmly fix the package 1 to the mounting substrate 17, a pressing force is applied to the package 1 toward the mounting substrate 17.
  • the attachment of the attachment member 13 to the lower surface of the substrate 5 is performed by separately forming a metal film on the lower surface of the substrate 5 by a metallization method and bonding the attachment member 13 to the metal film using a brazing material or the like.
  • a plate-like metal member can be used.
  • a metal material such as copper can be used as in the case of the circuit conductor 21 and the metal plate 35.
  • thickness of the attachment member 13 it can set to 0.1 mm or more and 1 mm or less, for example.
  • the package 1 is fixed to the mounting board 17 by the screwing holes 29 provided in the mounting region 35b and the mounting member 13, but the present invention is not limited to this.
  • the lower surface of the attachment region 35b may be bonded to the upper surface of the mounting substrate 17 using a brazing material or the like.
  • the thickness of the metal plate 35 is larger than the thickness of the circuit conductor 21.
  • the thickness of the metal plate 35 is preferably 1.5 to 3 times the thickness of the circuit conductor 21.
  • the difference between the thickness of the metal plate 35 and the thickness of the circuit conductor 21 is preferably 0.05 to 0.5 mm.
  • the width of the outer peripheral area 35d in the laterally drawn direction is smaller than the width of each of the attachment area 35b and the ground conductor area 35c in the laterally drawn direction. Since the width of the outer peripheral area 35d in the direction pulled out to the side is smaller than the width of each of the mounting areas 35b in the direction pulled out to the side, the outer peripheral area 35d is obstructive when the mounting area 35b is attached to the mounting substrate 17. Can be prevented.
  • the ground conductor region 35c is disposed on the mounting substrate 17 because the width of the outer peripheral region 35d in the laterally drawn direction is smaller than the width of the grounded conductor region 35c in the laterally drawn direction.
  • the semiconductor device component 100 includes the package 1 typified by the above embodiment, and the mounting substrate 17 to which the package 1 is attached by the attachment region 35b. As already shown, the package 1 is fixed to the mounting substrate 17 by the screwing holes 29 provided in the attachment region 35 b and the attachment member 13.
  • the semiconductor device 101 according to the present embodiment is bonded to the semiconductor device component 100, the semiconductor element 3 mounted on the mounting region 5 a of the package 1 in the semiconductor device component 100, and the upper surface of the frame body 7.
  • a lid 33 that seals the semiconductor element 3 is provided.
  • the semiconductor element 3 is mounted on the mounting region of the substrate.
  • the semiconductor element 3 and the circuit conductor 21 are connected by bonding wires 31.
  • a desired output can be obtained from the semiconductor element 3 by inputting an external signal to the semiconductor element 3 through the connection conductor 9 or the like.
  • the semiconductor element 3 include a light emitting element that emits light to an optical fiber, typified by an LD element, and a light receiving element that receives light to an optical fiber, typified by a PD element.
  • the lid body 33 is joined to the frame body 7 so as to seal the semiconductor element 3.
  • the lid body 33 is joined to the upper surface of the frame body 7.
  • the semiconductor element 3 is sealed in a space surrounded by the base body 5, the frame body 7, and the lid body 33.
  • a metal member such as iron, copper, nickel, chromium, cobalt, and tungsten, or an alloy made of these metals can be used.
  • the frame body 7 and the lid body 33 can be joined by, for example, a seam welding method. Further, the frame body 7 and the lid body 33 may be joined using, for example, gold-tin solder.
  • the two attachment members 13 and the two metal plates 35 are provided separately, but the present invention is not limited to this.
  • the attachment member 13 and the metal plate 35 may be integrally formed.
  • the attachment member 13 and the metal plate 35 are integrally formed, whereby the strength of the metal plate 35 can be further improved. Thereby, even if the package 1 is pressed against the mounting substrate 17, the possibility that the base body 5 is deformed can be further suppressed. Therefore, the possibility that the circuit conductor 21 attached to the lower surface of the base body 5 is shifted to a position different from a desired position can be further suppressed.
  • the package 1 according to the second embodiment includes a plurality of circuit conductors 21. Furthermore, the package 1 according to the second embodiment further includes an auxiliary ground conductor region 35 e in which the metal plate 35 is located between the plurality of circuit conductors 21. Thereby, the isolation characteristic between the some circuit conductors 21 can be improved. Further, since the metal plate 35 has the auxiliary ground conductor region 35e, the area of the region where the metal plate 35 and the base 5 are in contact with each other can be increased. Thereby, possibility that the base
  • auxiliary grounding conductor region 35e is drawn out from the first side surface 51 to the side. Thereby, the isolation characteristic between the several circuit conductors 21 can further be improved.
  • the auxiliary grounding conductor region 35e is pulled out from the first side surface 51 to the side, but the present invention is not limited to this. Specifically, the auxiliary ground conductor region 35e may be provided only between the regions of the circuit conductor 21 that are joined to the lower surface of the base 5.

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Abstract

 本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージは、半導体素子を搭載するための搭載領域を有する、平面視したときの形状が矩形状の基体と、搭載領域を囲むように設けられた枠体と、基体の上面から下面にかけて設けられた接続導体と、基体の下面に設けられた、一方の端部が接続導体に電気的に接続されるとともに、他方の端部が基体の第1の側面から側方に引き出された回路導体と、基体の下面に接合された、基体の第1の側面と隣接する第2の側面から側方に引き出されて実装基板に取り付けられる取付け領域および回路導体に平行となるように基体の第1の側面から側方に引き出された接地導体領域を有する金属板とを備え、金属板は、平面視した場合に、基体の外周に沿って、接地導体領域から取付け領域にかけて基体の側方に引き出された外周領域をさらに有する。

Description

素子収納用パッケージ、半導体装置用部品および半導体装置
 本発明は、半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージならびにこれを備えた半導体装置用部品および半導体装置に関する。このような半導体素子収納用パッケージは各種電子機器に用いることができる。
 半導体素子を収納する素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)としては、例えば、特許文献1に記載されたパッケージが知られている。特許文献1に記載されたパッケージは、パッケージ基板(基体)と、パッケージ基板の上面から下面にかけて設けられたバイアホール(接続導体)と、パッケージ基板の下面に設けられた信号線金属薄膜(回路導体)とを備えている。特許文献1に記載のパッケージは、実装基板に取り付けられることによって用いられる。
 パッケージの実装基板への実装方法としては、ロウ材のような接合部材を介してパッケージを実装基板に押圧をしながら接合固定する方法が挙げられる。また、特許文献2に記載されているように、パッケージの基体の四隅あるいは下面にネジ止め用の取付け部材を設けて、ネジ止めによって電子部品収納用パッケージを実装基板に固定する方法も挙げられる。
 しかしながら、特許文献1に記載のパッケージのように、回路導体が基体の下面に設けられている場合においては、パッケージを実装基板へ実装する際に、回路導体に位置ずれが生じてしまう場合があった。
 具体的には、パッケージの製造工程において基体にわずかな反りが生じている場合があった。このように、基体に反りが生じた状態でパッケージを実装基板に押しつけることによって基板が変形する場合があった。そのため、基体の下面に取り付けられている回路導体が所望の位置と異なる位置にずれてしまう場合があった。その結果、パッケージと実装基板との間でインピーダンスのマッチングが困難になる場合があった。
特開平4-336702号公報 特開2002-368322号公報
 本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージは、半導体素子を搭載するための搭載領域を有する、平面視したときの形状が矩形状の基体と、前記搭載領域を囲むように前記基体の上面に設けられた枠体と、前記基体の上面から下面にかけて設けられた接続導体と、前記基体の下面に設けられた、一方の端部が前記接続導体に電気的に接続されるとともに、他方の端部が前記基体の第1の側面から側方に引き出された回路導体と、前記基体の下面に接合された、前記基体の前記第1の側面と隣接する第2の側面から側方に引き出されて実装基板に取り付けられる取付け領域および前記回路導体に平行となるように前記基体の前記第1の側面から側方に引き出された接地導体領域を有する金属板とを備えている。該金属板は、平面視した場合に、前記基体の外周に沿って、前記接地導体領域から前記取付け領域にかけて前記基体の側方に引き出された外周領域をさらに有する。
第1の実施形態にかかる素子収納用パッケージならびにこれを備えた半導体装置用部品および半導体装置を示す分解斜視図である。 図1に示す素子収納用パッケージの平面図である。 図1に示す素子収納用パッケージの底面図である。 図3に示す素子収納用パッケージをX-X’線で切った断面図である。 第2の実施形態にかかる素子収納用パッケージを示す底面図である。
 以下、各実施形態にかかる素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)ならびにこれを備えた半導体装置用部品および半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係るパッケージ、半導体装置用部品および半導体装置は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。
 図1~4に示すように、本実施形態にかかる素子収納用パッケージ1は、半導体素子3を搭載するための搭載領域5aを有する基体5と、搭載領域5aを囲むように基体5の上面に設けられた枠体7と、基体5の上面のうち枠体7の内側から下面にかけて設けられた半導体素子3が電気的に接続される接続導体9と、それぞれ基体5の下面に設けられた回路導体21および2つの金属板35とを備えている。接続導体9は、基体5の上面に位置する部分においてボンディングワイヤ31を介して半導体素子3に電気的に接続されている。
 回路導体21は、一方の端部が接続導体9に電気的に接続されるとともに、他方の端部が基体5の第1の側面51から側方に引き出されている。2つの金属板35は、それぞれ、基体5の下面に接合された接合領域35a、基体5の第2の側面52から側方に引き出されて実装基板17に取り付けられる取付け領域35bおよび回路導体21に平行となるように基体5の第1の側面51から側方に引き出された接地導体領域35c、平面視した場合に、接地導体領域35cから取付け領域35bにかけて基体5の側方に引き出された外周領域35dを有している。言い換えると、外周領域35dは、第1の側面および第2の側面から側方に引き出されている。ここでいう、「第2の側面52」とは、基体5の側面のうち1つの側面のみを意味するものではなく第1の側面51と隣り合う2つの側面を意味している。
 このように、接地導体領域35cと取付け領域35bと外周領域35dとが一体的に形成されていることによって、金属板35の強度を向上させることができる。強度が向上した金属板35が基体5の下面に設けられていることによって、基体5を変形しにくくすることができる。これにより、パッケージ1を実装基板17に押しつけたとしても、基体5が変形する可能性を抑制できる。そのため、基体5の下面に取り付けられている回路導体21が所望の位置と異なる位置にずれてしまう可能性を抑制できる。その結果、パッケージ1と実装基板17との間でインピーダンスのマッチングを行ないやすくすることができる。
 さらに、金属板35のうち取付け領域35bと外周領域35dとが連続している。これにより、パッケージ1を実装基板17に実装する際に基体5の一部分に応力が集中する可能性を抑制できる。具体的には、仮に外周領域35dと取付け領域35bとの間に隙間がある場合であれば、取付け領域35bと実装基板17とをねじ止めしたときに、基板5の周縁部分のうち取付け領域35bが引き出されている領域に応力が集中する。しかし、本実施形態にかかるパッケージ1においては、取付け領域35bと実装基板17とをねじ止めしたときに、取付け領域35bと外周領域35dとの境界部分と、基板5の周縁部分のうち取付け領域35bが引き出されている領域との2つの領域に応力が分散される。これにより、基板5が変形する可能性を抑制できる。
 本実施形態における基体5は、四角板形状であって、主面上に半導体素子3が載置される搭載領域5aを有している。なお、本実施形態において搭載領域5aとは、基体5を平面視した場合に半導体素子3と重なり合う領域を意味している。基体5が平板形状である場合、その大きさを、例えば一辺5mm以上50mm以下に設定することができる。また、基体5の厚みとしては、例えば、0.2mm以上2mm以下に設定することができる。
 本実施形態においては搭載領域5aが主面の中央部に形成されているが、半導体素子3が載置される領域を搭載領域5aとしていることから、例えば、基体5の主面の端部に搭載領域5aが形成されていても何ら問題ない。また、本実施形態の基体5は一つの搭載領域5aを有しているが、基体5が複数の搭載領域5aを有し、それぞれの搭載領域5aに半導体素子3が載置されていてもよい。
 基体5の主面における搭載領域5aには半導体素子3が配設されている。入出力端子などを介して半導体素子3と外部電気回路(不図示)との間で信号の入出力を行うことができる。このように、基体5の主面には半導体素子3が配設されることから、基体5としては、少なくとも半導体素子3が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。本実施形態にかかる基体5は、複数の絶縁性部材を積層することにより作製される。そして、この基体5の搭載領域5aに半導体素子3が載置される。絶縁性部材としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。
 これらのガラス粉末およびセラミック粉末を含有する原料粉末、有機溶剤並びにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。この混合部材をシート状に成形することにより複数のセラミックグリーンシートを作製する。作製された複数のセラミックグリーンシートを積層することにより複数の積層体を作製する。複数の積層体をそれぞれ約1600度の温度で一体焼成することにより基体5が作製される。なお、基体5としては、複数の絶縁性部材が積層された構成に限られるものではない。一つの絶縁性部材により基体5が構成されていてもよい。
 また、半導体素子3が直接に基体5の上面に実装されても良いが、本実施形態のパッケージ1のように、基体5の搭載領域5a上に配設された、半導体素子3を載置するための載置基板19を備えて、この載置基板19上に半導体素子3が搭載されていても良い。載置基板19としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。
 本実施形態のパッケージ1は、基体5の上面であって搭載領域5aを囲むように配設された枠体7を備えている。枠体7としては、例えば、基体5と同様に、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。また、絶縁性の良好な部材の他にも、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって枠体7を構成する金属部材を作製することができる。また、枠体7は、一つの部材からなっていてもよいが、複数の部材の積層構造であってもよい。
 本実施形態の素子収納用パッケージ1は、基体5および枠体7の間に位置して、基体5および枠体7を接合する接合部材(図示せず)を備えている。接合部材としては、例えばロウ材を用いることができる。例示的なロウ材としては、銀ロウが挙げられる。
 本実施形態のパッケージ1は、基体5の上面から下面にかけて設けられた複数の接続導体9を備えている。接続導体9は、半導体素子3が発した電気信号を基体5の上面から下面に伝送する機能を、もしくは外部から入力された電気信号を基体5の下面から上面に伝送する機能を有している。複数の接続導体9のそれぞれの一方の端部は基体5の上面に露出している。また、複数の接続導体9のそれぞれの他方の端部は基体5の下面に露出している。
 本実施形態における接続導体9は、ボンディングワイヤ31を介して半導体素子3に電気的に接続されているが、これに限られるものではない。例えば、実装領域に基体5の上面における搭載領域5aに接続導体9を引き回して、ボンディングワイヤ31を用いることなく、半導体素子3と直接に接続されていても良い。
 接続導体9としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、マンガン、銅、銀および金のような金属材料を接続導体9として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。
 接続導体9の形成方法としては、基体5の上面および下面の間を貫通する貫通孔を形成するとともに、この貫通孔に金属ペーストを配設する方法が挙げられる。貫通孔に金属ペーストを配設する方法としては、周知の吸引法等を用いればよい。接続導体9は、金属材料が貫通孔の内部全体に充填されるようにして形成されてもよい。また、貫通孔の内壁を覆うように形成されて内周側に空洞が形成されるように配設されてもよい。
 基体5の下面には、回路導体21、金属板35および取付け部材13がそれぞれ設けられている。
 本実施形態における金属板35は、接合領域35aと取付け領域35bと接地導体領域35cと外周領域35dとを有している。金属板35としては、板状の金属部材を用いることができる。この金属部材を構成する金属材料としては、銅等の金属材料を用いることができる。金属板35の厚みとしては、例えば、0.1mm以上1mm以下に設定することができる。
 本実施形態のパッケージ1は、回路導体21および回路導体21を間に挟むように位置する一対の接地導体領域35cを有している。回路導体21は、一方の端部が接続導体9に電気的に接続されるとともに、他方の端部が基体5の側方に引き出されている。回路導体21は、接続導体9と実装基板17上に配設された配線回路25とを電気的に接続するために設けられている。一対の接地導体領域35cは、実装基板17上に配設されたグランド配線27と電気的に接続されている。一対の接地導体領域35cは第1の側面51から回路導体21と同方向に引き出されている。回路導体21と一対の接地導体領域35cと共にコプレーナ線路を形成している。
 なお、ここでいう「接地」および「グランド」とは、いわゆるアース電位としての外部の基準電位(図示せず)に電気的に接続されていることを意味しており、基準電位としては必ずしも電位が0Vである必要はない。
 本実施形態においては、回路導体21として帯状の金属部材を用いている。回路導体21は、例えば銅等の金属材料によって形成されている。回路導体21の基体5の下面への取付けは、接続導体9および回路導体21をロウ材等によって接合することによって行なわれる。回路導体21の厚みとしては、例えば、0.05mm以上0.5mm以下に設定することができる。
 本実施形態における取付け領域35bは、それぞれ平面視した場合の形状が長方形状である。取付け領域35bは、実装基板17にネジ止めするための貫通孔(ネジ止め孔29)を有している。このネジ止め孔29によってパッケージ1を実装基板17にネジ止めすることにより、パッケージ1を実装基板17に固定することができる。このとき、パッケージ1を実装基板17に強固に固定するため、パッケージ1には、実装基板17に向かって押圧力が加わる。
 金属板35の接合領域35aの基体5の下面への接合は、基体5の下面に金属膜をメタライズ法によって別途形成して、その金属膜に金属板35の接合領域35aを、ロウ材等を用いて接合することによって行なわれる。
 取付け部材13は、それぞれ平面視した場合の形状が長方形状である。取付け部材13は、実装基板17にネジ止めするための貫通孔(ネジ止め孔29)を有している。このネジ止め孔29によってパッケージ1を実装基板17にネジ止めすることにより、パッケージ1を実装基板17に固定することができる。このとき、パッケージ1を実装基板17に強固に固定するため、パッケージ1には、実装基板17に向かって押圧力が加わる。
 取付け部材13の基体5の下面への接合は、基体5の下面に金属膜をメタライズ法によって別途形成して、その金属膜に取付け部材13を、ロウ材等を用いて接合することによって行なわれる。取付け部材13としては、板状の金属部材を用いることができる。この金属部材を構成する金属材料としては、回路導体21および金属板35と同様に、銅等の金属材料を用いることができる。取付け部材13の厚みとしては、例えば、0.1mm以上1mm以下に設定することができる。
 また、本実施形態のパッケージ1においては、取付け領域35bおよび取付け部材13が有するネジ止め孔29によって、パッケージ1を実装基板17に固定しているがこれに限られるものではない。例えば、ロウ材等を用いて取付け領域35bの下面を実装基板17の上面に接合してもよい。
 また、金属板35の厚みが、回路導体21の厚みよりも大きいことが好ましい。具体的には、金属板35の厚みが、回路導体21の厚みの1.5~3倍であることが好ましい。また、金属板35の厚みと回路導体21の厚みとの差が0.05~0.5mmであることが好ましい。金属板35の厚みが回路導体21の厚みよりも大きいことによって、回路導体21の下面の高さ位置が金属板35の下面の高さ位置よりも上に位置することになる。その結果、パッケージ1を実装基板17に実装するときに回路導体21に加わる力を低減することができる。
 また、外周領域35dにおける側方に引き出される方向の幅が、取付け領域35bおよび接地導体領域35cにおけるそれぞれ側方に引き出される方向の幅よりも小さい。外周領域35dにおける側方に引き出される方向の幅が、取付け領域35bにおけるそれぞれ側方に引き出される方向の幅よりも小さいことによって、取付け領域35bを実装基板17に取り付ける際に外周領域35dが邪魔になるのを防ぐことができる。
 また、外周領域35dにおける側方に引き出される方向の幅が、接地導体領域35cにおけるそれぞれ側方に引き出される方向の幅よりも小さいことによって、接地導体領域35cを実装基板17上に配設されたグランド配線27にロウ材を介して電気的に接続する際に、ロウ材が外周領域35dの広範囲に広がることを抑制できるので、安定して接地導体領域35cをグランド配線27に電気的に接続することができる。
 本実施形態にかかる半導体装置用部品100は、上記の実施形態に代表されるパッケージ1と、パッケージ1が取付け領域35bによって取り付けられた実装基板17とを備えている。既に示したように、取付け領域35bおよび取付け部材13が有するネジ止め孔29によって、パッケージ1が実装基板17に固定されている。
 また、本実施形態にかかる半導体装置101としては、半導体装置用部品100と、この半導体装置用部品100におけるパッケージ1の搭載領域5aに搭載された半導体素子3と、枠体7の上面に接合された、半導体素子3を封止する蓋体33とを備えている。
 本実施形態の半導体装置101においては、基板の載置領域に半導体素子3が載置されている。また、半導体素子3および回路導体21それぞれボンディングワイヤ31により接続されている。この半導体素子3に接続導体9などを介して外部信号を入力することにより、半導体素子3から所望の出力を得ることができる。半導体素子3としては、例えば、LD素子に代表される、光ファイバに対して光を出射する発光素子、PD素子に代表される、光ファイバに対して光を受光する受光素子が挙げられる。
 蓋体33は、枠体7と接合され、半導体素子3を封止するように設けられている。蓋体33は、枠体7の上面に接合されている。そして、基体5、枠体7および蓋体33で囲まれた空間において半導体素子3を封止している。このように半導体素子3を封止することによって、長期間のパッケージ1の使用による半導体素子3の劣化を抑制することができる。蓋体33としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。また、枠体7と蓋体33は、例えばシーム溶接法によって接合することができる。また、枠体7と蓋体33は、例えば、金-錫ロウを用いて接合してもよい。
 次に、第2の実施形態の素子収納用パッケージ1ならびにこれを備えた半導体装置用部品100および半導体装置101について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態にかかる各構成において、第1の実施形態と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
 図1~4に示すパッケージ1においては、2つの取付け部材13と2つの金属板35とが別々に設けられているが、これに限られない。たとえば、図5に示すように取付け部材13と金属板35とが一体的に形成されていてもよい。
 第2の実施形態に係るパッケージ1では、取付け部材13と金属板35とが一体的に形成されていることによって、金属板35の強度をさらに向上させることができる。これにより、パッケージ1を実装基板17に押しつけたとしても、基体5が変形する可能性をさらに抑制できる。そのため、基体5の下面に取り付けられている回路導体21が所望の位置と異なる位置にずれてしまう可能性をさらに抑制できる。
 また、第2の実施形態に係るパッケージ1は、回路導体21を複数備えている。さらに、第2の実施形態に係るパッケージ1は、金属板35が複数の回路導体21の間に位置する補助接地導体領域35eをさらに有する。これにより、複数の回路導体21の間のアイソレーション特性を向上させることができる。また、金属板35が補助接地導体領域35eを有することによって、金属板35と基体5とが接している領域の面積を増やすことができる。これにより、基体5が変形する可能性をさらに抑制できる。
 また、補助接地導体領域35eは、第1の側面51から側方に引き出されている。これにより、複数の回路導体21の間のアイソレーション特性をさらに向上させることができる。
 なお、第2の実施形態に係るパッケージ1においては、補助接地導体領域35eが、第1の側面51から側方に引き出されているが、これに限られない。具体的には、回路導体21のうち基体5の下面に接合されている領域の間にのみ補助接地導体領域35eが設けられていてもよい。
 以上、本発明の各実施形態にかかる素子収納用パッケージおよびこれを備えた光半導体装置について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。
1・・・素子収納用パッケージ(パッケージ)
3・・・半導体素子
5・・・基体
5a・・・搭載領域
7・・・枠体
9・・・接続導体
13・・・取付け部材
17・・・実装基板
19・・・載置基板
21・・・回路導体
25・・・配線回路
27・・・グランド配線
29・・・ネジ止め孔
31・・・ボンディングワイヤ
33・・・蓋体
35・・・金属板
100・・・半導体装置用部品
101・・・半導体装置

Claims (6)

  1.  半導体素子を搭載するための搭載領域を上面に有する、平面視したときの形状が矩形状の基体と、
    前記搭載領域を囲むように前記基体の上面に設けられた枠体と、
    前記基体の上面のうち前記枠体の内側から下面にかけて設けられた、前記半導体素子が電気的に接続される接続導体と、
    前記基体の下面に設けられた、一方の端部が前記接続導体に電気的に接続されるとともに、他方の端部が前記基体の第1の側面から側方に引き出された回路導体と、
    前記基体の下面に接合された、前記基体の前記第1の側面と隣接する第2の側面から側方に引き出されて実装基板に取り付けられる取付け領域および前記回路導体に平行となるように前記基体の前記第1の側面から側方に引き出された接地導体領域を有する金属板とを備え、
    該金属板は、平面視した場合に、前記基体の外周に沿って、前記接地導体領域から前記取付け領域にかけて前記基体の前記第1の側面および前記第2の側面から側方に引き出された外周領域をさらに有することを特徴とする素子収納用パッケージ。
  2.  前記金属板が、前記取付け領域に、前記実装基板にネジ止めするための貫通孔を備えていることを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。
  3.  前記金属板の厚みが前記回路導体の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。
  4.  前記回路導体を複数備えるとともに、前記金属板が複数の前記回路導体の間に位置する補助接地導体領域をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。
  5.  請求項1~4のいずれかに記載の素子収納用パッケージと、該素子収納用パッケージが前記取付け領域によって取り付けられた実装基板とを備えた半導体装置用部品。
  6.  請求項5に記載の半導体装置用部品と、
    該半導体装置用部品の前記素子収納用パッケージの前記搭載領域に搭載された半導体素子と、
    前記枠体の上面に接合された、前記半導体素子を封止する蓋体とを備えた半導体装置。
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