WO2012144733A2 - 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 - Google Patents

결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 Download PDF

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WO2012144733A2
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crystalline silicon
composition
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홍형표
이재연
박면규
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동우화인켐 주식회사
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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Definitions

  • the present invention relates to a texture etchant composition and texture etching method of the crystalline silicon wafer to control the shape of the fine pyramid on the surface of the crystalline silicon wafer and minimize the variation in the texture quality of each location to further increase the light efficiency.
  • Solar cells which are rapidly spreading in recent years, are electronic devices that directly convert solar energy, which is clean energy, into electricity as a next-generation energy source, and diffuse phosphorus on its surface based on P-type silicon semiconductors containing boron in silicon. It consists of the PN junction semiconductor substrate in which the N type silicon semiconductor layer was formed.
  • the surface of the solar cell silicon wafer constituting the PN junction semiconductor substrate is formed into a fine pyramid structure and the antireflection film is treated.
  • the surface of the silicon wafer textured with the fine pyramid structure increases the intensity of the light absorbed by lowering the reflectance of incident light having a wide wavelength band, thereby improving the performance of the solar cell.
  • U.S. Patent No. 4,137,123 discloses 0.5-10 weight in an anisotropic etching solution containing 0-75% by volume of ethylene glycol, 0.05-50% by weight of potassium hydroxide and the remaining amount of water.
  • a silicon texture etching solution in which% silicon is dissolved is disclosed.
  • this etchant can cause pyramid formation defects to increase the light reflectance and cause a decrease in efficiency.
  • European Patent No. 0477424 discloses a texture etching method of supplying oxygen to a texture etching solution in which silicon is dissolved in ethylene glycol, potassium hydroxide and residual water, that is, performing an air rating process.
  • this etching method has a disadvantage in that it causes poor pyramid formation, which leads to an increase in light reflectivity and a decrease in efficiency, and requires the installation of a separate air rating equipment.
  • Korean Patent No. 0180621 discloses a texture etching solution mixed at a ratio of 0.5-5% potassium hydroxide solution, 3-20% by volume of isopropyl alcohol, and 75-96.5% by volume of deionized water
  • US Patent No. 6,451,218 No. discloses a texture etching solution comprising an alkali compound, isopropyl alcohol, a water soluble alkaline ethylene glycol and water.
  • these etching solutions contain isopropyl alcohol having a low boiling point and need to be added during the texturing process, it is not economical in terms of productivity and cost, and the addition of isopropyl alcohol causes a temperature gradient of the etching solution, resulting in the surface of the silicon wafer.
  • the texture quality variation of each position may increase, resulting in poor uniformity.
  • a texture of a crystalline silicon wafer capable of increasing the light efficiency by controlling the etching rate with respect to the crystal direction of the silicon and minimizing the quality variation of the texture at each location. It is an object to provide an etching liquid composition.
  • an object of the present invention is to provide a texture etching liquid composition of a crystalline silicon wafer that does not require the addition of an additional etching liquid component and the application of an air rating process during the texture process.
  • Another object of the present invention is to provide a texture etching method using the texture etching liquid composition of the crystalline silicon wafer.
  • alkali compound 1. 0.1-20% by weight of alkali compound; 10-6 to 10% by weight of a cyclic compound containing a nitrogen atom to which a functional group including an alkene group having 2 to 6 carbon atoms is bonded; And a residual amount of water.
  • composition according to the above 1, wherein the alkali compound is at least one selected from the group consisting of potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, tetrahydroxymethylammonium and tetrahydroxyethylammonium.
  • the cyclic compound is N-vinyl piperazine, N-vinyl methyl piperazine, N-vinyl ethyl piperazine, N-vinyl-N'- methyl piperazine, N-acryloyl piperazine, N-acryloyl-N'-methylpiperazine, N-vinylmorpholine, N-vinylmethylmorpholine, N-vinylethylmorpholine, N-acryloylmorpholine, N-vinylpiperidone, N-vinyl Methylpiperidone, N-vinylethylpiperidone, N-acryloylpiperidone, N-vinylpyrrolidone, N-vinylmethylpyrrolidone, N-vinylethyl-2-pyrrolidone, N-acryloylpyrroli
  • the texture etching liquid composition of the crystalline silicon wafer which is 1 or more types chosen from the group which consists of a don, N-vinyl
  • the etch silicon composition of the crystalline silicon wafer further comprises one or more polysaccharides selected from the group consisting of glucan-based compounds, fructan-based compounds, mannan-based compounds, galactan-based compounds and metal salts thereof.
  • the polysaccharide is cellulose, dimethylamino cellulose, diethylaminoethyl cellulose, ethyl hydroxyethyl cellulose, methyl hydroxyethyl cellulose, 4-aminobenzyl cellulose, triethylaminoethyl cellulose, cyanoethyl cellulose, Ethyl cellulose, methyl cellulose, carboxymethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, alginic acid, amylose, amylopectin, pectin, starch, dextrin, ⁇ -cyclodextrin, ⁇ -cyclodextrin, ⁇ -cyclodextrin, hydroxy At least one glucan compound selected from the group consisting of propyl- ⁇ -cyclodextrin, methyl- ⁇ -cyclodextrin, dextran, dextransulfate sodium, saponin, glycogen, zymoic acid
  • the texture etchant of claim 4 wherein the polysaccharide is included in the content of 10 -9 to 10% by weight based on 100% by weight of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer.
  • Texture etching method of the crystalline silicon wafer comprising the step of depositing, spraying or depositing and spraying the crystalline silicon wafer with the texture etching liquid composition of any one of the above 1 to 6.
  • the deposition, spraying or deposition and spraying is a texture etching method of a crystalline silicon wafer is carried out for 30 seconds to 60 minutes at a temperature of 50 to 100 °C.
  • a shape different from the conventional one having a side surface of a shape from a vertex to a bottom surface by controlling the difference in etching rate with respect to the crystal direction of silicon The fine pyramid of D can be formed in a smaller size, and the uniformity of the texture can be improved by minimizing the quality variation of the texture of each position of the surface of the crystalline silicon wafer. Through this, it is possible to maximize the amount of absorption of sunlight and significantly lower the light reflectance to further increase the light efficiency.
  • the present invention does not need to add a separate etching solution component during the texturing process and does not need to introduce an air rating equipment, it is possible to improve the quality and productivity and economical in terms of process costs.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the fine pyramid (a) formed by the texture etching of a conventional silicon wafer and the fine pyramid (b) formed by the present invention
  • FIG. 2 is a SEM photograph showing a surface (a) and a cross section (b) of a single crystal silicon wafer texture-etched with the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer of Example 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is a SEM photograph showing a surface (a) and a cross section (b) of a single crystal silicon wafer texture-etched with the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer of Comparative Example 5.
  • FIG. 3 is a SEM photograph showing a surface (a) and a cross section (b) of a single crystal silicon wafer texture-etched with the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer of Comparative Example 5.
  • the present invention relates to a texture etching liquid composition and a texture etching method of a crystalline silicon wafer.
  • the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer of the present invention is an alkali compound; Cyclic compounds containing a nitrogen atom to which a functional group containing an alkene group having 2 to 6 carbon atoms is bonded; And a residual amount of water.
  • the alkali compound 0.1 to 20% by weight; 10-6 to 10% by weight of a cyclic compound containing a nitrogen atom bonded to a functional group containing at least one alkene having 2 to 6 carbon atoms; And residual amount of water.
  • An alkali compound is a component which etches the surface of a crystalline silicon wafer,
  • the kind is not specifically limited.
  • potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, tetrahydroxymethylammonium, tetrahydroxyethylammonium, etc. are mentioned, Among these, potassium hydroxide and sodium hydroxide are preferable. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the alkali compound is preferably included in an amount of 0.1 to 20% by weight, and more preferably 1 to 5% by weight, based on 100% by weight of the total amount of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer.
  • the silicon wafer surface can be etched.
  • the present invention is characterized by the selective use of cyclic compounds containing nitrogen atoms, including cyclic compounds, in particular to which functional groups comprising alkene groups having 2 to 6 carbon atoms are bonded.
  • the functional group may include one or more alkenes, and may include only alkenes or further include substituents other than alkenes.
  • one or more functional groups may be bonded, and may be bonded to a nitrogen atom or to another atom other than the nitrogen atom.
  • the cyclic compound controls the etching rate difference in the Si 100 direction and the Si 111 direction, which are the crystal directions of silicon, to form a fine pyramid having a shape different from that of the prior art.
  • the conventionally formed fine pyramid is a straight line form (Fig. 1a) from each side to the bottom surface constituting it, whereas the fine pyramid formed using the cyclic compound of the present invention each side from one vertex It will be in the form of a curve, for example, a gentle curve, to the bottom surface (FIG. 1B).
  • the smaller fine pyramid is more densely formed. Through this, it is possible to further improve the light efficiency by lowering the light reflectance.
  • the cyclic compound serves to prevent the bubble stick phenomenon from occurring by rapidly reducing the amount of hydrogen bubbles generated by etching.
  • Examples of the cyclic compound include N-vinylpiperazine, N-vinylmethylpiperazine, N-vinylethylpiperazine, N-vinyl-N'-methylpiperazine, N-acryloylpiperazine, N-acryloyl- N'-methylpiperazine, N-vinylmorpholine, N-vinylmethylmorpholine, N-vinylethylmorpholine, N-acryloylmorpholine, N-vinylpiperidone, N-vinylmethylpiperidone, N- Vinylethylpiperidone, N-acryloylpiperidone, N-vinylpyrrolidone, N-vinylmethylpyrrolidone, N-vinylethyl-2-pyrrolidone, N-acryloylpyrrolidone, N-vinylcarba A sol, N-acryloyl carbazole, etc. are mentioned, These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the cyclic compound is preferably contained in an amount of 10 -6 to 10% by weight, more preferably 10 -3 to 1% by weight based on 100% by weight of the total amount of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer.
  • the content falls within the above range, the wettability of the surface of the silicon wafer may be effectively improved to minimize texture quality variation and to easily form a fine pyramid having a different shape from the conventional one. If the content is more than 10% by weight, it may be difficult to control the etching rate difference with respect to the crystal direction of the silicon, and thus it may be difficult to obtain the desired fine pyramid formation.
  • the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer of the present invention may further include a polysaccharide.
  • Polysaccharides are saccharides in which two or more monosaccharides are glycosidic bonds to form large molecules.
  • the polysaccharides form a uniform fine pyramid by preventing over-etching and accelerated etching by alkali compounds, and at the same time, they form hydrogen bubbles generated by etching. It is a component that improves the appearance by quickly dropping from the surface of the silicon wafer.
  • polysaccharides examples include glucan compounds, fructan compounds, mannan compounds, galactan compounds, or metal salts thereof, among which glucan compounds and metal salts thereof are preferable. Do. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • glucan compound examples include cellulose, dimethylamino cellulose, diethylaminoethyl cellulose, ethyl hydroxyethyl cellulose, methyl hydroxyethyl cellulose, 4-aminobenzyl cellulose, triethylaminoethyl cellulose, cyanoethyl cellulose, ethyl cellulose and methyl Cellulose, carboxymethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, alginic acid, amylose, amylopectin, pectin, starch, dextrin, ⁇ -cyclodextrin, ⁇ -cyclodextrin, ⁇ -cyclodextrin, hydroxypropyl- ⁇ - Cyclodextrin, methyl- ⁇ -cyclodextrin, dextran, dextransulfate sodium, saponin, glycogen, zymoic acid, lentinan, sizopinean or metal salts
  • the polysaccharide may have an average molecular weight of 5,000 to 1,000,000, preferably 50,000 to 200,000.
  • the polysaccharide may be included in an amount of 10 -9 to 10% by weight, preferably 10 -6 to 1% by weight, based on 100% by weight of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer. If the content falls within the above range, it is possible to effectively prevent over-etching and etching acceleration. If the content is more than 10% by weight, it is difficult to form the desired fine pyramid by drastically lowering the etching rate by the alkali compound.
  • the texture etching liquid composition of the crystalline silicon wafer of the present invention may further include at least one of a surfactant, a fatty acid and an alkali metal salt thereof, a silica-containing compound and the like.
  • Water may be included in the remaining amount in the total 100% by weight of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer.
  • the kind of water is not specifically limited, It is preferable that it is deionized distilled water, More preferably, it is preferable that the specific resistance value is 18 kW / cm or more as deionized distilled water for a semiconductor process.
  • the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer of the present invention comprising the above components is a specific cyclic compound containing a nitrogen atom to which a functional group containing an alkene group having 2 to 6 carbon atoms is bound, especially among cyclic compounds.
  • the texture etching liquid composition of the crystalline silicon wafer of the present invention can be applied to all conventional etching processes, such as dip, spray and single wafer etching processes.
  • the present invention provides a texture etching method of a crystalline silicon wafer using the texture etching liquid composition of the crystalline silicon wafer.
  • the texture etching method of the crystalline silicon wafer includes depositing, spraying or depositing and spraying the crystalline silicon wafer using the texture etching liquid composition of the crystalline silicon wafer of the present invention.
  • the number of depositions and sprays is not particularly limited, and the order of both deposition and spraying is not limited.
  • Deposition, spraying or depositing and spraying may be performed for 30 seconds to 60 minutes at a temperature of 50 to 100 ° C.
  • the texture etching method of the crystalline silicon wafer of the present invention does not need to introduce a separate air-rating apparatus for supplying oxygen, so it is economical in terms of initial production and processing costs, and is uniform even in a simple process. It allows the formation of a structure.
  • a texture etching solution composition of a crystalline silicon wafer was prepared by mixing 2% by weight of potassium hydroxide (KOH), 0.1% by weight of N-vinylpyrrolidone, 0.02% by weight of sodium alginate (AANa), and residual deionized distilled water.
  • KOH potassium hydroxide
  • AANa sodium alginate
  • Example 2 The same procedure as in Example 1, except that the same ingredients and contents as in Table 1 were used. Here, the content represents weight percent.
  • the single crystal silicon wafer substrate was immersed in the texture etching liquid composition of the prepared silicon wafer for 20 minutes at a temperature of 80 ° C.
  • Texture variation that is, uniformity, formed on the surface of the etched single crystal silicon wafer substrate was visually observed using a digital camera, a 3D optical microscope, and a scanning electron microscope (SEM), and evaluated based on the following criteria. .
  • the reflectance when the surface of the texture-etched single crystal silicon wafer substrate was irradiated with light having a wavelength range of 600 nm using a UV spectrophotometer was measured.
  • the alkali compound according to the present invention Cyclic compounds containing a nitrogen atom bonded to a functional group containing at least one alkene group having 2 to 6 carbon atoms; And when the etching using the texture etching solution composition of Examples 1 to 4 containing the optimum amount of water, the variation in the quality of each position of the fine pyramid formed on the surface of the single crystal silicon wafer is small, excellent uniformity and low light reflectance, light efficiency It was confirmed that can also be increased.
  • Comparative Example 1 does not include a cyclic compound texture uniformity did not reach the Example
  • Comparative Example 5 including a cyclic compound that does not fall within the scope of the present invention was excellent in texture uniformity, but a fine pyramid of a different shape from the present invention was formed, resulting in higher reflectance than the example.
  • FIG. 1B the fine pyramid formed on the silicon wafer substrate using the composition of Example 1 exhibits the shape as shown in FIG. 1B, with each side curved from one vertex to the bottom, and is smaller in size and uniform than in Comparative Example 5. It can be seen that. That is, due to the difference in the shape of the fine pyramid it is possible to maximize the absorption of sunlight and lower the light reflectance.

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Abstract

본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 화합물; 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물; 및 잔량의 물을 포함함으로써 실리콘의 결정 방향에 대한 에칭 속도 차이를 조절하여 종래와 다른 형상의 미세 피라미드를 형성할 수 있고 텍스쳐의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광 효율을 더욱 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.

Description

결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 미세 피라미드의 형상을 제어하고 위치별 텍스쳐 품질의 편차를 최소화하여 광효율을 더욱 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
최근 들어 급속하게 보급되고 있는 태양전지는 차세대 에너지원으로서 클린 에너지인 태양 에너지를 직접 전기로 변환하는 전자 소자로서, 실리콘에 붕소를 첨가한 P형 실리콘 반도체를 기본으로 하여 그 표면에 인을 확산시켜 N형 실리콘 반도체층을 형성시킨 PN 접합 반도체 기판으로 구성되어 있다.
PN 접합에 의해 전계가 형성된 기판에 태양광과 같은 빛을 조사할 경우 반도체 내의 전자(-)와 정공(+)이 여기되어 반도체 내부를 자유로이 이동하는 상태가 되며, 이러한 PN 접합에 의해 생긴 전계에 들어오게 되면 전자(-)는 N형 반도체에, 정공(+)은 P형 반도체에 이르게 된다. P형 반도체와 N형 반도체 표면에 전극을 형성하여 전자를 외부회로로 흐르게 하면 전류가 발생하게 되는데, 이와 같은 원리로 태양 에너지가 전기 에너지로 변환된다. 따라서 태양 에너지의 변환 효율을 높이기 위해서 PN 접합 반도체 기판의 단위 면적당 전기적 출력을 극대화시켜야 하며, 이를 위해서 반사율은 낮게 하고 광 흡수량은 최대화시켜야 한다. 이러한 점을 고려하여 PN 접합 반도체 기판을 구성하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 표면을 미세 피라미드 구조로 형성시키고 반사 방지막을 처리하고 있다. 미세 피라미드 구조로 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼의 표면은 넓은 파장대를 갖는 입사광의 반사율을 낮춰 기 흡수된 광의 강도를 증가시킴으로써 태양전지의 성능, 즉 효율을 높일 수 있게 된다.
실리콘 웨이퍼 표면을 미세 피라미드 구조로 텍스쳐하는 방법으로, 미국특허 제4,137,123호에는 0-75부피%의 에틸렌글리콜, 0.05-50중량%의 수산화칼륨 및 잔량의 물을 포함하는 이방성 에칭액에 0.5-10중량%의 실리콘이 용해된 실리콘 텍스쳐 에칭액이 개시되어 있다. 그러나, 이 에칭액은 피라미드 형성 불량을 일으켜 광 반사율을 증가시키고 효율의 저하를 초래할 수 있다.
또한, 유럽특허 제0477424호에는 에틸렌글리콜, 수산화칼륨 및 잔량의 물에 실리콘을 용해시킨 텍스쳐 에칭액에 산소를 공급시키는, 즉 에어레이팅 공정을 수행하는 텍스쳐 에칭 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 에칭 방법은 피라미드 형성 불량을 일으켜 광 반사율 증가와 효율의 저하를 초래할 뿐만 아니라 별도의 에어레이팅 장비의 설치를 필요로 한다는 단점이 있다.
또한, 한국등록특허 특0180621호에는 수산화칼륨 용액 0.5-5%, 이소프로필알코올 3-20부피%, 탈이온수 75-96.5부피%의 비율로 혼합된 텍스쳐 에칭 용액이 개시되어 있고, 미국특허 제6,451,218호에는 알칼리 화합물, 이소프로필알코올, 수용성 알카리성 에틸렌글리콜 및 물을 포함하는 텍스쳐 에칭 용액이 개시되어 있다. 그러나, 이들 에칭 용액은 비점이 낮은 이소프로필알코올을 포함하고 있어 텍스쳐 공정 중 이를 추가 투입해야 하므로 생산성 및 비용 면에서 경제적이지 못하며, 추가 투입된 이소프로필알코올로 인해 에칭액의 온도 구배가 발생하여 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐 품질 편차가 커져 균일성이 떨어질 수 있다.
본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면에 미세 피라미드 구조를 형성함에 있어서 실리콘의 결정 방향에 대한 에칭 속도를 조절하고 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화하여 광 효율을 증가시킬 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 텍스쳐 공정 중 별도의 에칭액 성분의 투입과 에어레이팅 공정의 적용이 필요 없는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 이용한 텍스쳐 에칭방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
1. 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량%; 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물 10-6 내지 10중량%; 및 잔량의 물을 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
2. 위 1에 있어서, 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
3. 위 1에 있어서, 고리형 화합물은 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일카바졸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
4. 위 1에 있어서, 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 다당류를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
5. 위 4에 있어서, 다당류는 셀룰로오스, 디메틸아미노셀룰로오스, 디에틸아미노에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 메틸히드록시에틸셀룰로오스, 4-아미노벤질셀룰로오스, 트리에틸아미노에틸셀룰로오스, 시아노에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 알긴산, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 펙틴, 스타치, 덱스트린, α-시클로덱스트린, β-시클로덱스트린, γ-시클로덱스트린, 히드록시프로필-β-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 덱스트란, 덱스트란설페이트나트륨, 사포닌, 글리코겐, 자이모산, 렌티난, 시조피난 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 글루칸계 화합물인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
6. 위 4에 있어서, 다당류는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 100중량%에 대하여 10-9 내지 10중량%로 포함되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
7. 위 1 내지 6 중 어느 한 항의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물로 결정성 실리콘 웨이퍼를 침적, 분무 또는 침적 및 분무하는 단계를 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법.
8. 위 7에 있어서, 침적, 분무 또는 침적 및 분무는 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 수행되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 따르면 실리콘의 결정 방향에 대한 에칭 속도 차이를 조절하여 한 정점으로부터 바닥면에 이르기까지 곡선을 이루는 형태의 측면을 갖는, 종래와 다른 형상의 미세 피라미드를 더 작은 크기로 촘촘하게 형성할 수 있고, 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화하여 텍스쳐의 균일성을 향상시킬 수 있다. 이를 통하여, 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광효율을 더욱 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 텍스쳐 공정 중 별도의 에칭액 성분을 투입할 필요가 없고 에어레이팅 장비도 도입할 필요가 없어 품질과 생산성을 향상시킬 수 있고 공정 비용 면에서도 경제적이다.
도 1은 종래 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭에 의해 형성된 미세 피라미드(a)와 본 발명에 의해 형성된 미세 피라미드(b)를 설명하기 위한 단면도이고,
도 2는 본 발명의 실시예 1의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물로 텍스쳐 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면(a)과 단면(b)을 나타낸 SEM 사진이며,
도 3은 비교예 5의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물로 텍스쳐 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면(a)과 단면(b)을 나타낸 SEM 사진이다.
본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 알칼리 화합물; 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물; 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
보다 상세하게, 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량%; 탄소수 2-6인 알켄기를 하나 이상 포함하는 작용기가 결합된 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물 10-6 내지 10중량%; 및 잔량의 물을 포함한다.
알칼리 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면을 에칭하는 성분으로서 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄, 테트라히드록시에틸암모늄 등을 들 수 있으며, 이 중에서 수산화칼륨, 수산화나트륨이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
알칼리 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 0.1 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 5중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 실리콘 웨이퍼 표면을 에칭할 수 있게 된다.
본 발명은 고리형 화합물을 포함하되, 특히 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물을 선택 사용하는데 특징이 있다. 작용기는 알켄기를 1개 이상 포함할 수 있고, 알켄기만을 포함하거나 또는 알켄기 이외의 치환기를 더 포함하는 것일 수 있다. 또한, 작용기는 1개 이상이 결합될 수 있으며, 질소 원자에 결합되거나 또는 질소 원자 이외의 다른 원자에 결합될 수 있다.
고리형 화합물은 실리콘의 결정 방향인 Si100 방향과 Si111 방향에 대한 에칭 속도 차이를 제어하여 종래와 다른 형상의 미세 피라미드가 형성되도록 한다. 구체적으로, 종래 형성된 미세 피라미드는 이를 구성하는 각 측면이 한 정점으로부터 바닥면에 이르기까지 직선 형태(도 1a)인 반면, 본 발명의 고리형 화합물을 이용하여 형성된 미세 피라미드는 각 측면이 한 정점으로부터 바닥면에 이르기까지 곡선, 예컨대 완만한 곡선을 이루는 형태가 된다(도 1b). 또한, 크기가 작은 미세 피라미드가 더욱 촘촘하게 형성되도록 한다. 이를 통하여 광 반사율을 더욱 낮춰 광효율을 보다 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 고리형 화합물은 에칭에 의해 생성된 수소 버블의 양을 빠르게 감소시킴으로써 버블 스틱 현상이 발생하는 것도 방지하는 역할을 한다.
고리형 화합물로는 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸, N-아크릴로일카바졸 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
고리형 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 10-6 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10-3 내지 1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 실리콘 웨이퍼 표면의 젖음성을 효과적으로 개선시켜 텍스쳐 품질 편차를 최소화시킬 수 있고 종래와 다른 형상의 미세 피라미드를 용이하게 형성할 수 있다. 함량이 10중량% 초과인 경우 실리콘의 결정 방향에 대한 에칭 속도 차이를 제어하기 어려워 원하는 미세 피라미드 형성을 얻기 어려울 수 있다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 다당류를 더 포함할 수 있다.
다당류(polysaccharide)는 단당류 2개 이상이 글리코시드 결합하여 큰 분자를 만들고 있는 당류로서, 알칼리 화합물에 의한 과에칭과 에칭 가속화를 방지함으로써 균일한 미세 피라미드를 형성하는 동시에 에칭에 의해 생성된 수소 버블을 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 빨리 떨어뜨려 외관을 향상시키는 성분이다.
다당류로는 글루칸계(glucan) 화합물, 프룩탄계(fructan) 화합물, 만난계(mannan) 화합물, 갈락탄계(galactan) 화합물 또는 이들의 금속염 등을 들 수 있으며, 이 중에서 글루칸계 화합물과 이의 금속염이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
글루칸계 화합물로는 셀룰로오스, 디메틸아미노셀룰로오스, 디에틸아미노에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 메틸히드록시에틸셀룰로오스, 4-아미노벤질셀룰로오스, 트리에틸아미노에틸셀룰로오스, 시아노에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 알긴산, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 펙틴, 스타치, 덱스트린, α-시클로덱스트린, β-시클로덱스트린, γ-시클로덱스트린, 히드록시프로필-β-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 덱스트란, 덱스트란설페이트나트륨, 사포닌, 글리코겐, 자이모산, 렌티난, 시조피난 또는 이들의 금속염 등을 들 수 있다.
다당류는 평균 분자량이 5,000 내지 1,000,000인 것일 수 있으며, 바람직하게 50,000 내지 200,000인 것이 좋다.
다당류는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 10-9 내지 10중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 10-6 내지 1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 과에칭과 에칭 가속화를 효과적으로 방지할 수 있다. 함량이 10중량% 초과인 경우 알칼리 화합물에 의한 에칭 속도를 급격하게 저하시켜 원하는 미세 피라미드를 형성하기 어렵다.
또한, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 계면활성제, 지방산 및 이의 알칼리 금속염, 실리카 함유 화합물 등을 1종 이상 더 포함할 수 있다.
물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 100중량%에 잔량으로 포함될 수 있다.
물의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 반도체 공정용 탈이온 증류수로서 비저항값이 18㏁/㎝ 이상인 것이 좋다.
상기와 같은 성분을 포함하여 구성되는 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은, 특히 고리형 화합물 중에서도 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 특정 고리형 화합물만을 최적의 함량으로 선택 사용함으로써 종래와 다른 형상의 미세 피라미드를 더욱 작은 크기로 더 촘촘하게 형성하는 동시에 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐 품질의 편차를 최소화시켜 텍스쳐의 균일성을 향상시킬 수 있다. 이를 통하여 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 더욱 낮춰 광효율을 보다 높일 수 있다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 통상의 에칭 공정, 예컨대 딥방식, 분무방식 및 매엽방식의 에칭 공정에 모두 적용 가능하다.
본 발명은 상기 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 이용한 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법을 제공한다.
결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법은 본 발명의 결정성 실리콘웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 이용하여 결정성 실리콘 웨이퍼를 침적, 분무 또는 침적 및 분무하는 단계를 포함한다.
침적과 분무의 횟수는 특별히 한정되지 않으며, 침적과 분무를 모두 수행하는 경우 그 순서도 한정되지 않는다.
침적, 분무 또는 침적 및 분무하는 단계는 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 수행될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법은 산소를 공급시키는 별도의 에어레이팅 장비를 도입할 필요가 없어 초기 생산 및 공정 비용 면에서 경제적일 뿐만 아니라 간단한 공정으로도 균일한 미세 피라미드 구조의 형성을 가능하게 한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예
실시예 1
수산화칼륨(KOH) 2중량%, N-비닐피롤리돈 0.1중량%, 알긴산나트륨(AANa) 0.02중량% 및 잔량의 탈이온 증류수를 혼합하여 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 제조하였다.
실시예 2-4, 비교예 1-5
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 하기 표 1에서와 같은 성분 및 함량을 사용하였다. 여기서, 함량은 중량%를 나타낸다.
표 1
구분 알칼리 화합물 고리형 화합물 다당류 탈이온증류수
종류 함량 종류 함량 종류 함량
실시예1 KOH 2 NVP 0.1 AANa 0.02 97.88
실시예2 KOH 2 NVP 0.1 CMCNa 0.02 97.88
실시예3 KOH 2 NVC 0.05 AANa 0.01 97.94
실시예4 KOH 2 NVC 0.05 CMCNa 0.01 97.94
비교예1 KOH 2 - - AANa 0.02 97.98
비교예2 KOH 2 EG 0.1 AANa 0.02 97.88
비교예3 KOH 2 DPG 0.1 AANa 0.02 97.88
비교예4 KOH 2 BDG 0.1 AANa 0.02 97.88
비교예5 KOH 2 NMP 0.1 AANa 0.02 97.88
KOH: 수산화칼륨NVP: N-비닐피롤리돈NVC: N-비닐카바졸EG: 에틸렌글리콜DPG: 디프로필렌글리콜BDG: 부틸디글리콜NMP: N-메틸피롤리돈AANa: 알긴산나트륨CMCNa: 카르복시메틸셀룰로오스나트륨
시험예
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물의 텍스쳐 에칭 효과를 하기 방법으로 평가하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
- 단결정 실리콘 웨이퍼 기판을 제조된 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물에 80℃의 온도로 20분 동안 침적시켰다.
(1) 텍스쳐 균일성
텍스쳐 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 형성된 텍스쳐의 편차, 즉 균일성을 디지털 카메라, 3D 광학현미경 및 주사전자현미경(Scanning electron microscope, SEM)을 이용하여 육안으로 관찰하고, 하기 기준에 의거하여 평가하였다.
<평가기준>
◎: 웨이퍼 기판 전부에 피라미드 형성.
○: 웨이퍼 기판 일부에 피라미드 미형성(미형성 부분 5% 미만).
△: 웨이퍼 기판 일부에 피라미드 미형성(미형성 부분 5-50%).
×: 웨이퍼 기판 대부분에 피라미드 미형성(미형성 부분 90% 이상).
(2) 반사율(%)
텍스쳐 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 UV 분광광도계를 이용하여 600㎚의 파장대를 갖는 광을 조사하였을 때의 반사율을 측정하였다.
표 2
구분 텍스쳐 균일성 반사율(600㎚, %)
실시예1 ◎ 9.31
실시예2 ◎ 9.28
실시예3 ◎ 9.34
실시예4 ◎ 9.34
비교예1 ○ 10.54
비교예2 ○ 10.89
비교예3 △ 21.12
비교예4 △ 20.64
비교예5 ◎ 10.96
위 표 2와 같이, 본 발명에 따라 알칼리 화합물; 탄소수 2-6인 알켄기를 하나 이상 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물; 및 물을 최적의 함량으로 포함하는 실시예 1 내지 4의 텍스쳐 에칭액 조성물을 이용하여 에칭한 경우 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 위치별 품질의 편차가 적어 균일성이 우수하고 광 반사율이 낮아 광효율도 높일 수 있음을 확인하였다.
반면, 고리형 화합물을 포함하지 않는 비교예 1은 텍스쳐 균일성이 실시예에 미치지 못하였고, 고리형이 아닌 화합물을 포함하는 비교예 2 내지 4는 균일도가 낮아지거나 반사율이 크게 저하된 것을 알 수 있었다. 또한, 본 발명의 범위에 해당되지 않는 고리형 화합물을 포함한 비교예 5는 텍스쳐 균일성은 우수하였으나 본 발명에서와는 다른 형상의 미세 피라미드가 형성되어 반사율이 실시예보다 높게 나타났다.
도 2 및 3은 각각 실시예 1 및 비교예 5의 텍스쳐 에칭액 조성물로 에칭된 결정성 실리콘 웨이퍼 기판의 표면을 나타낸 SEM 사진이다. 상세하게 살펴보면, 비교예 5의 조성물을 이용한 실리콘 웨이퍼 기판에 형성된 미세 피라미드는 각 측면이 한 정점으로부터 바닥면에 이르기까지 직선 형태로 도 1a와 같은 형상을 나타내는 것을 알 수 있다. 반면, 실시예 1의 조성물을 이용한 실리콘 웨이퍼 기판에 형성된 미세 피라미드는 각 측면이 한 정점으로부터 바닥면에 이르기까지 곡선을 이루는, 도 1b와 같은 형상을 나타내며 비교예 5에서보다 크기가 작으면서도 균일한 것을 알 수 있다. 즉, 이러한 미세 피라미드의 형상의 차이로 인해 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율은 더욱 낮출 수 있게 된다.

Claims (8)

  1. 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량%; 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물 10-6 내지 10중량%; 및 잔량의 물을 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 고리형 화합물은 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일카바졸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 다당류를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서, 다당류는 셀룰로오스, 디메틸아미노셀룰로오스, 디에틸아미노에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 메틸히드록시에틸셀룰로오스, 4-아미노벤질셀룰로오스, 트리에틸아미노에틸셀룰로오스, 시아노에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 알긴산, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 펙틴, 스타치, 덱스트린, α-시클로덱스트린, β-시클로덱스트린, γ-시클로덱스트린, 히드록시프로필-β-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 덱스트란, 덱스트란설페이트나트륨, 사포닌, 글리코겐, 자이모산, 렌티난, 시조피난 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 글루칸계 화합물인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
  6. 청구항 4에 있어서, 다당류는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 100중량%에 대하여 10-9 내지 10중량%로 포함되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
  7. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물로 결정성 실리콘 웨이퍼를 침적, 분무 또는 침적 및 분무하는 단계를 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 침적, 분무 또는 침적 및 분무는 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 수행되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법.
PCT/KR2012/001685 2011-04-22 2012-03-08 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 WO2012144733A2 (ko)

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