KR20140082222A - 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 64
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 105
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 27
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 17
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 57
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 55
- -1 potassium dichlorsulfosuccinate Chemical compound 0.000 claims description 50
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 29
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 claims description 19
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 15
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims description 13
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims description 13
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 claims description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 7
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 7
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 claims description 7
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 229920001503 Glucan Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 5
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VOCDJQSAMZARGX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrrolidine-2,5-dione Chemical compound C=CN1C(=O)CCC1=O VOCDJQSAMZARGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 claims description 4
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical group C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 4
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 claims description 4
- 235000019329 dioctyl sodium sulphosuccinate Nutrition 0.000 claims description 4
- YHAIUSTWZPMYGG-UHFFFAOYSA-L disodium;2,2-dioctyl-3-sulfobutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCCC(C([O-])=O)(C(C([O-])=O)S(O)(=O)=O)CCCCCCCC YHAIUSTWZPMYGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229940057950 sodium laureth sulfate Drugs 0.000 claims description 4
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SXHLENDCVBIJFO-UHFFFAOYSA-M sodium;2-[2-(2-dodecoxyethoxy)ethoxy]ethyl sulfate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOCCOCCOCCOS([O-])(=O)=O SXHLENDCVBIJFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- YZOUYRAONFXZSI-SBHWVFSVSA-N (1S,3R,5R,6R,8R,10R,11R,13R,15R,16R,18R,20R,21R,23R,25R,26R,28R,30R,31S,33R,35R,36R,37S,38R,39S,40R,41S,42R,43S,44R,45S,46R,47S,48R,49S)-5,10,15,20,25,30,35-heptakis(hydroxymethyl)-37,39,40,41,42,43,44,45,46,47,48,49-dodecamethoxy-2,4,7,9,12,14,17,19,22,24,27,29,32,34-tetradecaoxaoctacyclo[31.2.2.23,6.28,11.213,16.218,21.223,26.228,31]nonatetracontane-36,38-diol Chemical compound O([C@@H]([C@H]([C@@H]1OC)OC)O[C@H]2[C@@H](O)[C@@H]([C@@H](O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3O)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O3)O[C@@H]2CO)OC)[C@H](CO)[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@H]3[C@@H](CO)O1 YZOUYRAONFXZSI-SBHWVFSVSA-N 0.000 claims description 3
- YXMISKNUHHOXFT-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YXMISKNUHHOXFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SRQKEEPVRWNRQZ-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-ethylhexoxy)-1,4-dioxobutane-2-sulfonic acid;potassium Chemical compound [K].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S(O)(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC SRQKEEPVRWNRQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLCKWOXFGLMRPO-UHFFFAOYSA-N 1,4-didodecoxy-1,4-dioxobutane-2-sulfonic acid;potassium Chemical compound [K].CCCCCCCCCCCCOC(=O)CC(S(O)(=O)=O)C(=O)OCCCCCCCCCCCC ZLCKWOXFGLMRPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UTWVENOYOROSRG-UHFFFAOYSA-N 1,4-didodecoxy-1,4-dioxobutane-2-sulfonic acid;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOC(=O)CC(S(O)(=O)=O)C(=O)OCCCCCCCCCCCC UTWVENOYOROSRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WLPAQAXAZQUXBG-UHFFFAOYSA-N 1-pyrrolidin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCCC1 WLPAQAXAZQUXBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JVIPLYCGEZUBIO-UHFFFAOYSA-N 2-(4-fluorophenyl)-1,3-dioxoisoindole-5-carboxylic acid Chemical compound O=C1C2=CC(C(=O)O)=CC=C2C(=O)N1C1=CC=C(F)C=C1 JVIPLYCGEZUBIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FEWLGASICNTXOZ-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethane-1,1,1,2-tetrol Chemical compound NC(O)C(O)(O)O FEWLGASICNTXOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000945 Amylopectin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000856 Amylose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001425 Diethylaminoethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 claims description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920002670 Fructan Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002527 Glycogen Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001491 Lentinan Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000057 Mannan Polymers 0.000 claims description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 claims description 3
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 3
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 claims description 3
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 claims description 3
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDWRXJCWAANTID-UHFFFAOYSA-N azanium;hexyl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCOS([O-])(=O)=O GDWRXJCWAANTID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NGOVNSCURCOLBI-UHFFFAOYSA-N azanium;octadecyl sulfate Chemical compound N.CCCCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O NGOVNSCURCOLBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920003064 carboxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229960002086 dextran Drugs 0.000 claims description 3
- KCIDZIIHRGYJAE-YGFYJFDDSA-L dipotassium;[(2r,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl] phosphate Chemical compound [K+].[K+].OC[C@H]1O[C@H](OP([O-])([O-])=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O KCIDZIIHRGYJAE-YGFYJFDDSA-L 0.000 claims description 3
- 229940079886 disodium lauryl sulfosuccinate Drugs 0.000 claims description 3
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- SFNALCNOMXIBKG-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monododecyl ether Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCO SFNALCNOMXIBKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940096919 glycogen Drugs 0.000 claims description 3
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- FZWBNHMXJMCXLU-BLAUPYHCSA-N isomaltotriose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@H]1OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O)O1 FZWBNHMXJMCXLU-BLAUPYHCSA-N 0.000 claims description 3
- 229940115286 lentinan Drugs 0.000 claims description 3
- BOUCRWJEKAGKKG-UHFFFAOYSA-N n-[3-(diethylaminomethyl)-4-hydroxyphenyl]acetamide Chemical compound CCN(CC)CC1=CC(NC(C)=O)=CC=C1O BOUCRWJEKAGKKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 239000001814 pectin Substances 0.000 claims description 3
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 claims description 3
- ONQDVAFWWYYXHM-UHFFFAOYSA-M potassium lauryl sulfate Chemical compound [K+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O ONQDVAFWWYYXHM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 claims description 3
- AJKHLYLYOXLEEN-UHFFFAOYSA-M potassium;hexyl sulfate Chemical compound [K+].CCCCCCOS([O-])(=O)=O AJKHLYLYOXLEEN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- PFMVLFSAAABWQD-UHFFFAOYSA-M potassium;octadecyl sulfate Chemical compound [K+].CCCCCCCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O PFMVLFSAAABWQD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- FTCOOXFANFQPEC-UHFFFAOYSA-M potassium;octyl sulfate Chemical compound [K+].CCCCCCCCOS([O-])(=O)=O FTCOOXFANFQPEC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000001397 quillaja saponaria molina bark Substances 0.000 claims description 3
- 229930182490 saponin Natural products 0.000 claims description 3
- 150000007949 saponins Chemical class 0.000 claims description 3
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 claims description 3
- 229940067741 sodium octyl sulfate Drugs 0.000 claims description 3
- WSVLUYNDHYCZGD-UHFFFAOYSA-M sodium;hexyl sulfate Chemical compound [Na+].CCCCCCOS([O-])(=O)=O WSVLUYNDHYCZGD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- NWZBFJYXRGSRGD-UHFFFAOYSA-M sodium;octadecyl sulfate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O NWZBFJYXRGSRGD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- WFRKJMRGXGWHBM-UHFFFAOYSA-M sodium;octyl sulfate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCOS([O-])(=O)=O WFRKJMRGXGWHBM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 3
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical group [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000633 dextran sulfate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940083542 sodium Drugs 0.000 claims description 2
- ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N trappsol cyclo Chemical compound CC(O)COC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)COCC(O)C)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1COCC(C)O ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N 0.000 claims description 2
- SRBFZHDQGSBBOR-IOVATXLUSA-N D-xylopyranose Chemical compound O[C@@H]1COC(O)[C@H](O)[C@H]1O SRBFZHDQGSBBOR-IOVATXLUSA-N 0.000 claims 2
- TYTGWHZODQKWEF-UHFFFAOYSA-N 1-o-dodecyl 4-o-sulfo butanedioate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CCC(=O)OS(O)(=O)=O TYTGWHZODQKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PYMYPHUHKUWMLA-UHFFFAOYSA-N arabinose Natural products OCC(O)C(O)C(O)C=O PYMYPHUHKUWMLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SRBFZHDQGSBBOR-UHFFFAOYSA-N beta-D-Pyranose-Lyxose Natural products OC1COC(O)C(O)C1O SRBFZHDQGSBBOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940008099 dimethicone Drugs 0.000 claims 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims 1
- LTVJJSFLSYSCEF-UHFFFAOYSA-L disodium;4-dodecoxy-4-oxo-3-sulfonatobutanoate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(S([O-])(=O)=O)CC([O-])=O LTVJJSFLSYSCEF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229940071180 lauryl sulfosuccinate Drugs 0.000 claims 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 claims 1
- 229960003487 xylose Drugs 0.000 claims 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 24
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ALVPFGSHPUPROW-UHFFFAOYSA-N di-n-propyl disulfide Natural products CCCSSCCC ALVPFGSHPUPROW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 6
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 6
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 6
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000004443 Ricinus communis Nutrition 0.000 description 4
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N N-methyl-pyrrolidine Natural products CN1CC=CC1 AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C)CC1 RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 1-butylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCCC1=O BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperidin-2-one Chemical compound C=CN1CCCCC1=O PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 2-(morpholin-4-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCOCC1 KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HVFKZMMVDYIXOB-UHFFFAOYSA-L S(=O)(=O)(O)C(C(=O)OCCCCCCCCCCCC)CC(=O)[O-].[K+].[K+].C(CCCCCCCCCCC)OC(C(CC(=O)[O-])S(=O)(=O)O)=O Chemical compound S(=O)(=O)(O)C(C(=O)OCCCCCCCCCCCC)CC(=O)[O-].[K+].[K+].C(CCCCCCCCCCC)OC(C(CC(=O)[O-])S(=O)(=O)O)=O HVFKZMMVDYIXOB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- MBMBGCFOFBJSGT-KUBAVDMBSA-N all-cis-docosa-4,7,10,13,16,19-hexaenoic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCC(O)=O MBMBGCFOFBJSGT-KUBAVDMBSA-N 0.000 description 2
- PYWCSLGSEKAVNK-UHFFFAOYSA-N azanium;octyl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCOS([O-])(=O)=O PYWCSLGSEKAVNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940105329 carboxymethylcellulose Drugs 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- PCDVINMRZHPVSF-XXAVUKJNSA-L disodium;4-[2-[2-[[(z)-octadec-9-enoyl]amino]ethoxy]ethoxy]-4-oxo-3-sulfonatobutanoate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)NCCOCCOC(=O)C(S([O-])(=O)=O)CC([O-])=O PCDVINMRZHPVSF-XXAVUKJNSA-L 0.000 description 2
- KHIQYZGEUSTKSB-UHFFFAOYSA-L disodium;4-dodecoxy-4-oxo-3-sulfobutanoate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(S(O)(=O)=O)CC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(S(O)(=O)=O)CC([O-])=O KHIQYZGEUSTKSB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 2
- LCEDQNDDFOCWGG-UHFFFAOYSA-N morpholine-4-carbaldehyde Chemical compound O=CN1CCOCC1 LCEDQNDDFOCWGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OCC DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- PGNVUJSDMSFWEC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tris(2-phenylethenyl)-4-[2,3,4-tris(2-phenylethenyl)phenoxy]benzene Chemical compound C=1C=C(C=CC=2C=CC=CC=2)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C(C=CC=2C=CC=CC=2)C=1OC(C(=C1C=CC=2C=CC=CC=2)C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 PGNVUJSDMSFWEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUZSCDCNYLZCQH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound CCOCCN1CCCC1=O HUZSCDCNYLZCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBAIZGPCSAAFSU-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)imidazolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCNC1=O HBAIZGPCSAAFSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKGBRANQIWBMED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound COCCN1CCCC1=O QKGBRANQIWBMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRKJCXAFYOSNTD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxypropyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound COC(C)CN1CCCC1=O GRKJCXAFYOSNTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVNNRQCAABDUMX-UHFFFAOYSA-N 1-(4-methylpiperazin-1-yl)prop-2-en-1-one Chemical compound CN1CCN(C(=O)C=C)CC1 YVNNRQCAABDUMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVUQCTGSDJLWCE-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1CC1=CC=CC=C1 LVUQCTGSDJLWCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCUQBVRWTYGJX-UHFFFAOYSA-N 1-but-3-enylpiperazine Chemical compound C=CCCN1CCNCC1 AFCUQBVRWTYGJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEUDAQVWAJAWHV-UHFFFAOYSA-N 1-but-3-enylpiperidin-2-one Chemical compound C(=C)CCN1C(CCCC1)=O IEUDAQVWAJAWHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNQXLXOGOKJNCS-UHFFFAOYSA-N 1-but-3-enylpyrrolidin-2-one Chemical compound C=CCCN1CCCC1=O KNQXLXOGOKJNCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAXHNWJSQXUXMK-UHFFFAOYSA-N 1-carbazol-9-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC=C2N(C(=O)C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 VAXHNWJSQXUXMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCRYNQTXGUTACA-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperazine Chemical compound C=CN1CCNCC1 DCRYNQTXGUTACA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUVHNUHZHYWEGO-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrrolidin-2-one 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C(=C)N1C(CCC1)=O.C(C=C)(=O)N1CCOCC1 JUVHNUHZHYWEGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCYRFWNGRMRJA-UHFFFAOYSA-N 1-ethylpiperazine Chemical compound CCN1CCNCC1 WGCYRFWNGRMRJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,4-dioxo-1,3-diazinane-5-carboximidamide Chemical compound CN1CC(C(N)=N)C(=O)NC1=O IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPZTKBRUCILQD-UHFFFAOYSA-N 1-methylimidazolidin-2-one Chemical compound CN1CCNC1=O JTPZTKBRUCILQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUUPVABNAQUEJW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidin-4-one Chemical compound CN1CCC(=O)CC1 HUUPVABNAQUEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrolidine Chemical compound CN1CCCC1 AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYWXRBNOYGGPIZ-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylethanone Chemical compound CC(=O)N1CCOCC1 KYWXRBNOYGGPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYZCLQLQLZXPGE-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoylpiperidin-2-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCCCC1=O RYZCLQLQLZXPGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGPVNNMFVYYVDF-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoylpyrrolidin-2-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCCC1=O DGPVNNMFVYYVDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWAQJGHGPPDZSF-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enylpiperazine Chemical compound C=CCN1CCNCC1 ZWAQJGHGPPDZSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOSRRDYQKDGLAU-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enylpiperidin-2-one Chemical compound C=CCN1CCCCC1=O ZOSRRDYQKDGLAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURRSEGFTCZKMK-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enylpyrrolidin-2-one Chemical compound C=CCN1CCCC1=O DURRSEGFTCZKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHELJWBGTIKZQW-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylpyrrolidin-2-one Chemical compound CC(C)N1CCCC1=O GHELJWBGTIKZQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRNUKKZDGDAWBF-UHFFFAOYSA-N 2-(n-ethyl-n-m-toluidino)ethanol Chemical compound OCCN(CC)C1=CC=CC(C)=C1 KRNUKKZDGDAWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 2-(piperidin-1-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCCCC1 KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJPDDQSCZGTACX-UHFFFAOYSA-N 2-[n-(2-hydroxyethyl)anilino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)C1=CC=CC=C1 OJPDDQSCZGTACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDWRJRPUIXRFRX-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylpiperidine Chemical compound CC1CNCC(C)C1 IDWRJRPUIXRFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCADSGKLHCKKQN-UHFFFAOYSA-N 4-but-3-enylmorpholine Chemical compound C=CCCN1CCOCC1 RCADSGKLHCKKQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFZDMXAOSDDDRT-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylmorpholine Chemical compound C=CN1CCOCC1 CFZDMXAOSDDDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 4-ethylmorpholine Chemical compound CCN1CCOCC1 HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHQRDEDZJIFJAL-UHFFFAOYSA-N 4-phenylmorpholine Chemical compound C1COCCN1C1=CC=CC=C1 FHQRDEDZJIFJAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUSANAYXICMXBL-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enylmorpholine Chemical compound C=CCN1CCOCC1 SUSANAYXICMXBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N Brassidinsaeure Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N Erucic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N Guaifenesin Chemical compound COC1=CC=CC=C1OCC(O)CO HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 235000021353 Lignoceric acid Nutrition 0.000 description 1
- CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N Lignoceric acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCC1=CC=C(O)C=C1 CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- HTLZVHNRZJPSMI-UHFFFAOYSA-N N-ethylpiperidine Chemical compound CCN1CCCCC1 HTLZVHNRZJPSMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFTLOKWAGJYHHR-UHFFFAOYSA-N N-methylmorpholine N-oxide Chemical compound CN1(=O)CCOCC1 LFTLOKWAGJYHHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100074998 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) nmp-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005643 Pelargonic acid Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- JAZBEHYOTPTENJ-JLNKQSITSA-N all-cis-5,8,11,14,17-icosapentaenoic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O JAZBEHYOTPTENJ-JLNKQSITSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- BLFLLBZGZJTVJG-UHFFFAOYSA-N benzocaine Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 BLFLLBZGZJTVJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000003508 chemical denaturation Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920005565 cyclic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- OCDXZFSOHJRGIL-UHFFFAOYSA-N cyclohexyloxycyclohexane Chemical compound C1CCCCC1OC1CCCCC1 OCDXZFSOHJRGIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHNHUPMZEZTDAV-UHFFFAOYSA-L dipotassium;2,2-dihexyl-3-sulfobutanedioate Chemical compound [K+].[K+].CCCCCCC(C([O-])=O)(C(C([O-])=O)S(O)(=O)=O)CCCCCC QHNHUPMZEZTDAV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RZMWTGFSAMRLQH-UHFFFAOYSA-L disodium;2,2-dihexyl-3-sulfobutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCC(C([O-])=O)(C(C([O-])=O)S(O)(=O)=O)CCCCCC RZMWTGFSAMRLQH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000020669 docosahexaenoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940090949 docosahexaenoic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000020673 eicosapentaenoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005135 eicosapentaenoic acid Drugs 0.000 description 1
- JAZBEHYOTPTENJ-UHFFFAOYSA-N eicosapentaenoic acid Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCC(O)=O JAZBEHYOTPTENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N elaidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N erucic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;phenol Chemical compound CCOCC.OC1=CC=CC=C1 LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FARYTWBWLZAXNK-WAYWQWQTSA-N ethyl (z)-3-(methylamino)but-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)\C=C(\C)NC FARYTWBWLZAXNK-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000000651 laser trapping Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 1
- YQYUUNRAPYPAPC-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-2-methylaniline Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC=C1C YQYUUNRAPYPAPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- XUWHAWMETYGRKB-UHFFFAOYSA-N piperidin-2-one Chemical compound O=C1CCCCN1 XUWHAWMETYGRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000661 sodium alginate Substances 0.000 description 1
- 229940005550 sodium alginate Drugs 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011077 uniformity evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제를 포함함으로써, 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면에 미세 피라미드 구조를 형성함에 있어서 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화하여 광 효율을 증가시키고, 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하여 텍스쳐 공정 후 웨이퍼 표면의 외관을 개선할 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐 품질 편차를 최소화하여 광효율을 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
최근 들어 급속하게 보급되고 있는 태양전지는 차세대 에너지원으로서 클린 에너지인 태양 에너지를 직접 전기로 변환하는 전자 소자로서, 실리콘에 붕소를 첨가한 P형 실리콘 반도체를 기본으로 하여 그 표면에 인을 확산시켜 N형 실리콘 반도체층을 형성시킨 PN 접합 반도체 기판으로 구성되어 있다.
PN 접합에 의해 전계가 형성된 기판에 태양광과 같은 빛을 조사할 경우 반도체 내의 전자(-)와 정공(+)이 여기되어 반도체 내부를 자유로이 이동하는 상태가 되며, 이러한 PN 접합에 의해 생긴 전계에 들어오게 되면 전자(-)는 N형 반도체에, 정공(+)은 P형 반도체에 이르게 된다. P형 반도체와 N형 반도체 표면에 전극을 형성하여 전자를 외부회로로 흐르게 하면 전류가 발생하게 되는데, 이와 같은 원리로 태양 에너지가 전기 에너지로 변환된다. 따라서 태양 에너지의 변환 효율을 높이기 위해서 PN 접합 반도체 기판의 단위 면적당 전기적 출력을 극대화시켜야 하며, 이를 위해서 반사율은 낮게 하고 광 흡수량은 최대화시켜야 한다. 이러한 점을 고려하여 PN 접합 반도체 기판을 구성하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 표면을 미세 피라미드 구조로 형성시키고 반사 방지막을 처리하고 있다. 미세 피라미드 구조로 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼의 표면은 넓은 파장대를 갖는 입사광의 반사율을 낮춰 기 흡수된 광의 강도를 증가시킴으로써 태양전지의 성능, 즉 효율을 높일 수 있게 된다.
실리콘 웨이퍼 표면을 미세 피라미드 구조로 텍스쳐하는 방법으로, 미국특허 제4,137,123호에는 0-75부피%의 에틸렌글리콜, 0.05-50중량%의 수산화칼륨 및 잔량의 물을 포함하는 이방성 에칭액에 0.5-10중량%의 실리콘이 용해된 실리콘 텍스쳐 에칭액이 개시되어 있다. 그러나, 이 에칭액은 피라미드 형성 불량을 일으켜 광 반사율을 증가시키고 효율의 저하를 초래할 수 있다.
또한, 유럽특허 제0477424호에는 에틸렌글리콜, 수산화칼륨 및 잔량의 물에 실리콘을 용해시킨 텍스쳐 에칭액에 산소를 공급시키는, 즉 에어레이팅 공정을 수행하는 텍스쳐 에칭 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 에칭 방법은 피라미드 형성 불량을 일으켜 광 반사율 증가와 효율의 저하를 초래할 뿐만 아니라 별도의 에어레이팅 장비의 설치를 필요로 한다는 단점이 있다.
또한, 한국등록특허 제0180621호에는 수산화칼륨 용액 0.5-5%, 이소프로필알코올 3-20부피%, 탈이온수 75-96.5부피%의 비율로 혼합된 텍스쳐 에칭 용액이 개시되어 있고, 미국특허 제6,451,218호에는 알칼리 화합물, 이소프로필알코올, 수용성 알카리성 에틸렌글리콜 및 물을 포함하는 텍스쳐 에칭 용액이 개시되어 있다. 그러나, 이들 에칭 용액은 비점이 낮은 이소프로필알코올을 포함하고 있어 텍스쳐 공정 중 이를 추가 투입해야 하므로 생산성 및 비용 면에서 경제적이지 못하며, 추가 투입된 이소프로필알코올로 인해 에칭액의 온도 구배가 발생하여 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐 품질 편차가 커져 균일성이 떨어질 수 있다.
본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면에 미세 피라미드 구조를 형성함에 있어서 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화하여 광 효율을 증가시키고, 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하여 텍스쳐 공정 후 웨이퍼 표면의 외관을 개선할 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 에칭 공정 중 별도의 에칭액 성분의 투입과 에어레이팅 공정의 적용이 필요 없는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 이용한 텍스쳐 에칭방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은 상기 조성물로 웨이퍼 기판에 균일하고 미세한 요철을 형성하는 태양전지의 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
1. 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제를 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 설페이트계 음이온성 계면활성제는 암모늄 도데실 설페이트, 암모늄 라우레스 설페이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트, 소듐 라우레스 설페이트, 포타슘 도데실 설페이트, 포타슘 라우레스 설페이트, 암모늄 옥틸 설페이트, 소듐 옥틸 설페이트, 포타슘 옥틸 설페이트, 암모늄 헥실 설페이트, 소듐 헥실 설페이트, 포타슘 헥실 설페이트, 암모늄 스테아릴 설페이트, 소듐 스테아릴 설페이트 및 포타슘 스테아릴 설페이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
3. 위 1에 있어서, 상기 설포네이트계 음이온성 계면활성제는 디소듐 PEG-12 디메티콘 설포석시네이트, 소듐 디옥틸설포석시네이트, 소듐 도더셀 벤젠 설포네이트, 디소듐 라우릴 설포석시네이트, 디칼륨 PEG-12 디메티콘 설포석시네이트, 소듐 디헥실설포석시네이트, 소듐 디라우릴설포석시네이트, 포타슘 디옥틸설포석시네이트, 포타슘 디헥실설포석시네이트, 포타슘 디라우릴설포석시네이트 및 디포타슘 라우릴 설포석시네이트로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
4. 위 1에 있어서, 상기 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제는 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 0.000001 내지 1중량%로 포함되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
5. 위 1에 있어서, 알칼리 화합물을 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
6. 위 5에 있어서, 상기 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
7. 위 1에 있어서, 실리카를 포함하는 화합물을 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
8. 위 7에 있어서, 상기 실리카를 포함하는 화합물은 미분말 실리카; Na2O로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; K2O로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 산성액으로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; NH3로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 에틸알코올, 프로필알코올, 에틸렌글리콜, 메틸에틸케톤 및 메틸이소부틸케톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 유기용매로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 액상 규산나트륨; 액상 규산칼륨; 및 액상 규산리튬으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
9. 위 1에 있어서, 다당류를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
10. 위 9에 있어서, 상기 다당류는 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
11. 위 9에 있어서, 상기 다당류는 셀룰로오스, 디메틸아미노에틸셀룰로오스, 디에틸아미노에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 메틸히드록시에틸셀룰로오스, 4-아미노벤질셀룰로오스, 트리에틸아미노에틸셀룰로오스, 시아노에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 카르복시에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 알긴산, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 펙틴, 스타치, 덱스트린, α-시클로덱스트린, β-시클로덱스트린, γ-시클로덱스트린, 히드록시프로필-β-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 덱스트란, 덱스트란설페이트나트륨, 사포닌, 글리코겐, 자이모산, 렌티난, 시조피난 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 글루칸계 화합물인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
12. 위 1에 있어서, 질소 원자를 적어도 하나 포함하는 탄소수 4 내지 10인 고리 화합물로 치환된 단량체가 중합된 고분자를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
13. 위 12에 있어서, 상기 단량체는 고리 구조에 산소 및 황 원자 중 적어도 하나를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
14. 위 12에 있어서, 상기 단량체는 N-비닐피롤리돈, N-아크릴로일 모르폴린, N-비닐석신이미드, N-아크릴옥시석신이미드, N-비닐카프로락탐, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일피롤리딘으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
15. 위 12에 있어서, 상기 고분자는 중량평균 분자량이 1,000 내지 1,000,000인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
16. 위 12에 있어서, 상기 고분자는 비점이 100℃ 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
17. 위 12에 있어서, 상기 고분자는 에칭액 조성물 총 중량 대비 10-12 내지 1 중량%로 포함되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
18. 위 1에 있어서, 유기용매를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
19. 위 18에 있어서, 상기 유기용매는 비점이 100℃ 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
20. 위 18에 있어서, 상기 유기용매는 한센의 용해도 파라미터가 6 내지 16인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
21. 위 1 내지 20 중 어느 한 항의 에칭액 조성물에 의한 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭 방법.
22. 위 21에 있어서, 상기 에칭액 조성물을 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 분무시키는 것을 포함하는 에칭 방법.
23. 위 21에 있어서, 상기 에칭액 조성물에 상기 웨이퍼를 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 침적시키는 에칭 방법.
24. 위 21의 방법으로 기판의 일면에 요철을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 따르면 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화, 즉 텍스쳐의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시킬 뿐만 아니라 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하여 텍스쳐 공정 후 웨이퍼 표면의 외관을 개선할 수 있다.
텍스쳐 공정 중 별도의 에칭액 성분을 투입할 필요가 없고 에어레이팅 장비도 도입할 필요가 없어 품질과 생산성을 향상시킬 수 있고 공정 비용 면에서도 경제적이다.
도 1은 실시예 1의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용하여 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐를 나타낸 SEM 사진이다.
도 2는 비교예 1의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용하여 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐를 나타낸 SEM 사진이다.
도 3는 본 발명의 태양전지의 제조 방법의 일 구현예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 비교예 1의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용하여 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐를 나타낸 SEM 사진이다.
도 3는 본 발명의 태양전지의 제조 방법의 일 구현예를 개략적으로 도시한 것이다.
본 발명은, 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제를 포함함으로써, 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면에 미세 피라미드 구조를 형성함에 있어서 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화하여 광 효율을 증가시키고, 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하여 텍스쳐 공정 후 웨이퍼 표면의 외관을 개선할 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하도록 한다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제를 포함한다.
설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제는 알칼리 화합물에 의한 과에칭과 에칭 가속화를 방지함으로써 균일한 미세 피라미드를 형성하는 동시에 에칭에 의해 생성된 수소 버블을 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 빨리 떨어뜨려 버블 스틱 현상을 방지하는 성분이다. 그리고 세정력을 가지고 있어 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하여, 텍스쳐 공정 후 웨이퍼 표면의 외관을 개선한다.
설페이트계 음이온성 계면활성제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 암모늄 도데실 설페이트, 암모늄 라우레스 설페이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트, 소듐 라우레스 설페이트, 포타슘 도데실 설페이트, 포타슘 라우레스 설페이트, 암모늄 옥틸 설페이트, 소듐 옥틸 설페이트, 포타슘 옥틸 설페이트, 암모늄 헥실 설페이트, 소듐 헥실 설페이트, 포타슘 헥실 설페이트, 암모늄 스테아릴 설페이트, 소듐 스테아릴 설페이트, 포타슘 스테아릴 설페이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
설포네이트계 음이온성 계면활성제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 디소듐 PEG-12 디메티콘 설포석시네이트, 소듐 디옥틸설포석시네이트, 소듐 도더셀 벤젠 설포네이트, 디소듐 라우릴 설포석시네이트, 디칼륨 PEG-12 디메티콘 설포석시네이트, 소듐 디헥실설포석시네이트, 소듐 디라우릴설포석시네이트, 포타슘 디옥틸설포석시네이트, 포타슘 디헥실설포석시네이트, 포타슘 디라우릴설포석시네이트, 디포타슘 라우릴 설포석시네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
설페이트계 음이온 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 0.000001 내지 1중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 0.00001 내지 0.1중량%, 보다 바람직하게는 0.0001 내지 0.1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 균일한 피라미드 형성 및 세정력 성능을 효과적으로 발휘할 수 있다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 상기 성분 외에 에칭액 조성물에 통상적으로 사용되는 알칼리 화합물 및 물 등을 포함하여 제조될 수 있다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 알칼리 화합물을 포함한다.
알칼리 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면을 에칭하는 성분으로서 당분야에서 통상적으로 사용하는 알칼리 화합물이라면 제한없이 사용될 수 있다. 사용가능한 알칼리 화합물로는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄, 테트라히드록시에틸암모늄 등을 들 수 있으며, 이 중에서 수산화칼륨, 수산화나트륨이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
알칼리 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 중량 대비 0.1 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 5중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 실리콘 웨이퍼 표면을 에칭할 수 있게 된다.
선택적으로, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 실리카를 포함하는 화합물을 더 포함할 수 있다.
실리카를 포함하는 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼 표면에 물리적으로 흡착하여 일종의 마스크 역할을 함으로써 실리콘 웨이퍼 표면을 미세 피라미드 형상으로 만들어 준다.
실리카를 포함하는 화합물로는 분말형, 콜로이드 용액형 또는 액상 규산 금속 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로, 미분말 실리카; Na2O로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; K2O로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 산성액으로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; NH3로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 에틸알코올, 프로필알코올, 에틸렌글리콜, 메틸에틸케톤 및 메틸이소부틸케톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 유기용매로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 액상 규산나트륨; 액상 규산칼륨; 액상 규산리튬 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
실리카를 포함하는 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 0.00001 내지 10중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 0.0001 내지 1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 결정성 실리콘 웨이퍼 표면에 미세 피라미드 형성을 용이하게 할 수 있다.
선택적으로, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 다당류를 더 포함할 수 있다.
다당류(polysaccharide)는 단당류 2개 이상이 글리코시드 결합하여 큰 분자를 만들고 있는 당류로서, 알칼리 화합물에 의한 과에칭과 에칭 가속화를 방지함으로써 균일한 미세 피라미드를 형성하는 동시에 에칭에 의해 생성된 수소 버블을 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 빨리 떨어뜨려 버블 스틱 현상을 방지하는 성분이다.
다당류로는 글루칸계(glucan) 화합물, 프룩탄계(fructan) 화합물, 만난계(mannan) 화합물, 갈락탄계(galactan) 화합물 또는 이들의 금속염 등을 들 수 있으며, 이 중에서 글루칸계 화합물과 이의 금속염(예컨대, 알칼리 금속염)이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
글루칸계 화합물로는 셀룰로오스, 디메틸아미노에틸셀룰로오스, 디에틸아미노에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 메틸히드록시에틸셀룰로오스, 4-아미노벤질셀룰로오스, 트리에틸아미노에틸셀룰로오스, 시아노에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 카르복시에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 알긴산, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 펙틴, 스타치, 덱스트린, α-시클로덱스트린, β-시클로덱스트린, γ-시클로덱스트린, 히드록시프로필-β-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 덱스트란, 덱스트란설페이트나트륨, 사포닌, 글리코겐, 자이모산, 렌티난, 시조피난 또는 이들의 금속염 등을 들 수 있다.
다당류는 평균 분자량이 5,000 내지 1,000,000인 것일 수 있으며, 바람직하게 50,000 내지 200,000인 것이 좋다.
다당류는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 중량 대비 10-9 내지 0.5중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 10-6 내지 0.1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 과에칭과 에칭 가속화를 효과적으로 방지할 수 있다. 함량이 0.5중량% 초과인 경우 알칼리 화합물에 의한 에칭 속도를 급격하게 저하시켜 원하는 미세 피라미드를 형성하기 어렵다.
선택적으로, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 질소 원자를 적어도 하나 포함하는 탄소수 4 내지 10인 고리 화합물로 치환된 단량체가 중합된 고분자를 더 포함할 수 있다.
상기 고분자는 실리콘 결정 방향에 대한 에칭 속도의 차이를 제어함으로써 알칼리 화합물에 의한 과에칭을 방지함으로써 텍스쳐의 품질 편차를 최소화할 수 있으며, 에칭에 의해 생성된 수소 버블의 양을 빠르게 감소시킴으로써 버블 스틱 현상이 발생하는 것도 억제한다.
본 발명에 따른 고분자는 질소 헤테로 원자를 적어도 하나 포함하는 탄소수 4 내지 10인 고리 화합물이 치환된 단량체가 중합되어 형성되며, 상기 단량체는 질소 외에 산소, 황 원자를 단독으로 또는 모두를 각각 적어도 하나 이상 그 고리 구조에 더 포함할 수 있다. 이러한 단량체로서 구체적인 예를 들면, N-비닐피롤리돈, N-아크릴로일 모르폴린, N-비닐석신이미드, N-아크릴옥시석신이미드, N-비닐카프로락탐, N-비닐카바졸, N-아크릴로일피롤리딘 등으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 고분자는 중량평균 분자량이 1,000 내지 1,000,000인 것이 피라미드의 밑변각을 높힘으로써 반사율을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 단결정 실리콘 웨이퍼 전면에 균일한 피라미드를 형성시킬 수 있다는 점에서 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 고분자는 비점이 100℃ 이상으로 높은 것이 사용량을 줄일 수 있는 측면에서 바람직하고, 보다 바람직하게는 150 내지 400℃인 것이 좋다.
본 발명에 따른 고분자는 그 함량이 에칭액 조성물 총 중량 대비 10-12 내지 1 중량%로 포함될 수 있다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 실리콘의 결정방향에 대한 에칭 속도 차이를 제어하는 효과가 극대화된다.
선택적으로, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 유기용매를 더 포함할 수 있다.
유기용매는 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 젖음성을 개선시켜 알칼리 화합물에 의한 과에칭을 방지함으로써 균일한 미세 피라미드를 형성하며, 실리콘 웨이퍼 표면의 유기물을 제거하여 텍스처 공정 후 웨이퍼 표면 외관을 개선한다.
유기용매는 비점이 100℃ 이상으로 높은 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 150 내지 400℃인 것이 좋다. 동시에, 한센의 용해도 파라미터(Hansen solubility parameter(HSP), δp)가 6 내지 16인 것이 에칭액 조성물에 포함되는 다른 성분들과의 상용성 면에서 바람직하다.
유기용매는 비점과 한센의 용해도 파라미터를 만족시키는 것이라면 그 종류가 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 수용성 극성용매 및 고리형 단량체 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
수용성 극성 용매는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물에 포함되는 다른 성분들 및 물과 상용성이 있는 것이라면 그 종류가 특별히 한정되지 않으며, 양자성 또는 비양자성 극성 용매를 모두 사용할 수 있다.
양자성 극성 용매로는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르계 화합물; 프로판올, 부탄올, 이소프로판올, 테트라하이드로퍼푸릴알코올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알코올계 화합물 등을 들 수 있으며, 비양자성 극성 용매로는 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 화합물; 디메틸술폭사이드, 술폴란 등의 술폭사이드계 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
고리형 단량체 화합물은 탄소수 4-10의 고리형 탄화수소; 및 N, O 또는 S의 헤테로원자를 1개 이상 포함하는, 탄소수 4-10의 헤테로고리형 탄화수소를 포함하는 화합물을 의미한다.
고리형 단량체 화합물은 비점과 한센의 용해도 파라미터를 만족시키는 것이라면 그 종류가 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 피페라진계, 모르폴린계, 피리딘계, 피페리딘계, 피페리돈계, 피롤리딘계, 피롤리돈계, 이미다졸리디논계, 퓨란계, 아닐린계, 톨루이딘계, 아민계, 락톤계, 카보네이트계, 카바졸계 화합물 등을 들 수 있다. 구체적인 예로는, 피페라진, N-메틸피페라진, N-에틸피페라진, N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, 히드록시에틸피페라진, N-(2-아미노에틸)피페라진, N,N'-디메틸피페라진; 모르폴린, N-메틸모르폴린, N-에틸모르폴린, N-페닐모르폴린, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-코코모르폴린, N-(2-아미노에틸)모르폴린, N-(2-시아노에틸)모르폴린, N-(2-히드록시에틸)모르폴린, N-(2-히드록시프로필)모르폴린, N-아세틸모르폴린, N-포밀모르폴린, N-메틸모르폴린-N-옥사이드; 메틸피리딘; N-메틸피페리딘, 3,5-디메틸피페리딘, N-에틸피페리딘, N-(2-히드록시에틸)피페리딘; N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-메틸-4-피페리돈, N-비닐-2-피페리돈; N-메틸피롤리딘; N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-메틸피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-이소프로필-2-피롤리돈, N-부틸-2-피롤리돈, N-t-부틸-2-피롤리돈, N-헥실-2-피롤리돈, N-옥틸-2-피롤리돈, N-벤질-2-피롤리돈, N-시클로헥실-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N-(2-히드록시에틸)-2-피롤리돈, N-(2-메톡시에틸)-2-피롤리돈, N-(2-메톡시프로필)-2-피롤리돈, N-(2-에톡시에틸)-2-피롤리돈; N-메틸 이미다졸리디논, 디메틸이미다졸리디논, N-(2-히드록시에틸)-2-이미다졸리디논; 테트라히드로퓨란, 테트라히드로-2-퓨란메탄올; N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N,N-디메틸아닐린, N-(2-히드록시에틸)아닐린, N,N-비스-(2-히드록시에틸)아닐린, N-에틸-N-(2-히드록시에틸)아닐린; N,N-디에틸-o-톨루이딘, N-에틸-N-(2-히드록시에틸)-m-톨루이딘; 디메틸벤질아민; γ-부티로락톤; 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트; N-비닐카바졸, N-아크릴로일카바졸 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
유기용매는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 0.1 내지 50중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 10중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 실리콘 웨이퍼 표면의 젖음성을 효과적으로 개선시켜 텍스쳐 품질 편차를 최소화킴으로써 균일성을 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 지방산 또는 이의 금속염; 및 폴리옥시에틸렌계(POE) 화합물, 폴리옥시프로필렌계(POP) 화합물 및 이들의 공중합체인 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
지방산 및 이의 금속염은 다당류와 함께 사용되어 알칼리 화합물에 의한 과에칭을 방지함으로써 균일한 미세 피라미드를 형성하고 동시에 에칭에 의해 생성된 수소 버블을 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 빨리 떨어뜨려 버블 스틱 현상이 발생하는 것도 방지하는 성분이다.
지방산은 카르복시기를 함유하는 탄화수소 사슬의 카르복시산으로서, 구체적으로 아세트산, 프로피온산, 부틸산, 발레르산, 에난틱산, 카프릴산, 펠라곤산, 카프릭산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 아라키드산, 베헨산, 리그노세린산, 세로트산, 에이코사펜타엔산, 도코사헥사엔산, 리놀레산, α-리놀렌산, γ-리놀렌산, 디호모-γ-리놀렌산, 아라키돈산, 올레산, 엘라이드산, 에루스산, 네르본산 등을 들 수 있다. 또한, 지방산의 금속염은 위 지방산과 NaOH 또는 KOH와 같은 금속염의 에스테르 반응물을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
지방산 및 이의 금속염은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 중량 대비 10-9 내지 10중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 10-6 내지 1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 과에칭을 효과적으로 방지할 수 있다.
폴리옥시에틸렌계(POE) 화합물, 폴리옥시프로필렌계(POP) 화합물 및 이들의 공중합체는 히드록시기를 갖는 계면활성제로서 텍스쳐 에칭액 조성물 중 히드록시 이온[OH-]의 활동도를 조절하여 Si100 방향과 Si111 방향에 대한 에칭 속도의 차이를 감소시킬 뿐만 아니라 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 젖음성을 개선시켜 에칭에 의해 생성된 수소 버블을 빠르게 떨어뜨려 버블 스틱 현상이 발생하는 것도 방지하는 성분이다.
폴리옥시에틸렌계(POE) 계면활성제로는 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌글리콜메틸에테르, 폴리옥시에틸렌모노알릴에테르, 폴리옥시에틸렌네오펜틸에테르, 폴리에틸렌글리콜모노(트리스티릴페닐)에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌트리데실에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸에테르, 폴리옥시에틸렌비스페놀-A에테르, 폴리옥시에틸렌글리세린에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌벤질에테르, 폴리옥시에틸렌페닐에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌페놀에테르, 알킬기의 탄소수가 6-30인 폴리옥시에틸렌알킬시클로헥실에테르, 폴리옥시에틸렌β-나프톨에테르, 폴리옥시에틸렌 캐스터 에테르(polyoxyethylene castor ether), 폴리옥시에틸렌 수소화 캐스터 에테르(polyoxyethylene hydrogenated castor ether); 폴리옥시에틸렌라우릴에스테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에스테르, 폴리옥시에틸렌올레일에스테르; 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 폴리옥시에틸렌스테아릴아민, 폴리옥시에틸렌탈로우아민 등을 들 수 있다. 또한, 폴리옥시프로필렌계(POP) 계면활성제로는 폴리프로필렌글리콜을 들 수 있다. 또한, 폴리옥시에틸렌계(POE) 화합물과 폴리옥시프로필렌계(POP)계 화합물의 공중합체로는 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 데카닐에테르 공중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 운데카닐에테르 공중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 도데카닐에테르 공중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 테트라데카닐에테르 공중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 2-에틸헥실에테르 공중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 라우릴에테르 공중합체, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 스테아릴에테르 공중합체, 글리세린 부가형 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체, 에틸렌디아민 부가형 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
폴리옥시에틸렌계(POE) 화합물, 폴리옥시프로필렌계(POP) 화합물 및 이들의 공중합체인 계면활성제는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 총 중량 대비 10-9 내지 10중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 10-6 내지 1중량%, 보다 바람직하게는 0.00001 내지 0.1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 텍스쳐 시 위치별 텍스쳐 품질의 편차를 감소시킬 수 있다.
본 발명에 따른 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 상기 성분들을 구체적인 필요에 따라 적절하게 채택한 후, 물을 첨가하여 전체 조성을 조절하게 되어 전체 조성물의 잔량은 물이 차지한다. 바람직하게는 상기 성분들이 전술한 함량 범위를 갖도록 조절한다.
물의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 반도체 공정용 탈이온 증류수로서 비저항값이 18㏁/㎝ 이상인 것이 좋다.
상기와 같은 성분을 포함하여 구성되는 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은, 특히 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제를 포함함으로써 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화, 즉 텍스쳐의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시킬뿐만 아니라 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하여 텍스쳐 공정 후 웨이퍼 표면의 외관을 개선할 수 있다. 또한, 텍스쳐 에칭 공정 중 별도의 에칭액 성분을 투입할 필요가 없고 에어레이팅 장비도 도입할 필요가 없어 생산성과 비용 면에서 이점이 있다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 통상의 에칭 공정, 예컨대 딥방식, 분무방식 및 매엽방식의 에칭 공정에 모두 적용 가능하다.
본 발명은 상기 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 이용한 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법을 제공한다.
결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법은 본 발명의 결정성 실리콘웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물에 결정성 실리콘 웨이퍼를 침적시키는 단계, 또는 본 발명의 결정성 실리콘웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물을 결정성 실리콘 웨이퍼에 분무하는 단계, 또는 상기 두 단계를 모두 포함한다.
침적과 분무의 횟수는 특별히 한정되지 않으며, 침적과 분무를 모두 수행하는 경우 그 순서도 한정되지 않는다.
침적, 분무 또는 침적 및 분무하는 단계는 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 수행될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭방법은 산소를 공급시키는 별도의 에어레이팅 장비를 도입할 필요가 없어 초기 생산 및 공정 비용 면에서 경제적일 뿐만 아니라 간단한 공정으로도 균일한 미세 피라미드 구조의 형성을 가능하게 하게 하며, 실리콘 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하여 텍스쳐 공정 후 웨이퍼 표면의 외관을 개선할 수 있다.
본 발명은 상기 결정성 실리콘 웨이퍼 기판의 텍스쳐 에칭 방법으로 기판의 일면에 요철을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법을 제공한다.
도 3에 본 발명의 태양전지의 제조 방법의 일 구현예가 개략적으로 도시되어 있는데, 이하 도 3를 참조하여 본 발명의 태양전지의 제조 방법의 일 구현예를 설명한다.
본 발명의 태양전지의 제조 방법에 의하면, 먼저 상기 결정성 실리콘 웨이퍼 기판의 텍스쳐 에칭 방법으로 기판(110)의 일면에 요철을 형성한다.
기판(110)은 단결정 또는 다결정 실리콘 웨이퍼 기판으로, P형 불순물로서 3족 원소인 B, Ga, In 등이 도핑된 것일 수 있다.
기판(110)을 에칭액 조성물에 침지하거나 에칭액 조성물을 기판에 분무하면 에칭이 진행되어 기판(110)의 표면에서 요철이 형성된다.
요철 형성에 의해 기판의 표면이 거칠어지면 입사되는 광의 반사율이 감소하여 광 포획량이 증가하므로 광학적 손실이 감소된다.
요철(115)의 크기(가로폭) 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 10㎛의 크기로 형성될 수 있다.
요철(115)의 높이는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 15㎛일 수 있다. 요철(115)의 높이가 상기 범위에 해당하는 경우, 180㎛ 이하의 두께를 가지는 기판(110)에 적용할 수 있으며, 이후에 요철(115) 상에 형성될 수 있는 에미터층이 균일한 도핑 프로필을 가지고 형성되어 기판과 에미터 층의 계면의 P-N접합의 균일도가 향상될 수 있으며, 이후에 전면 전극 형성용 페이스트가 요철(115)의 형상에 따라 형성된 오목한 부분까지 충진되어 도포될 수 있어 반사방지막(130)과의 사이에서 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 전면 전극(140)의 저항이 감소할 수 있다.
요철(115)의 형태는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 피라미드형, 정사각형, 삼각형 등을 들 수 있다.
요철(115) 형성 이후에 통상적인 태양전지의 제조 공정을 거쳐서 태양전지를 제조할 수 있으며, 예를 들면 요철 상에 에미터층(120)을 형성하는 단계; 에미터층 상에 반사방지막(130)을 형성하는 단계; 반사방지막을 관통하여 에미터층과 접속하는 전면 전극(140)을 형성하는 단계; 및 기판 후면에 후면 전극(150)을 형성하는 단계를 포함하여 제조할 수 있다.
이후, 요철이 형성된 기판 상에 에미터층(120)을 형성한다.
에미터층(120)은 기판(110) 상에 기판(110)과 반대 도전형을 가지고 형성될 수 있다. 일 예로 에미터층(120)은 N형 불순물로서 5족 원소인 P, As, Sb 등으로 도핑될 수 있다. 이와 같이, 기판(110)과 에미터층(120)에 반대 도전형의 불순물이 도핑 되면, 기판(110)과 에미터층(120)의 계면에는 P-N 접합(junction)이 형성되고, P-N 접합에 광이 조사되면 광전효과에 의해 광기전력이 발생할 수 있다.
에미터층(120)은 확산법, 스프레이법, 주입법, 프린팅 공정법 등에 의한 방법에 의해 형성될 수 있다. 일 예로, 에미터층(120)은 P형 반도체 기판(110)에 N형 불순물을 주입함으로써 형성될 수 있다.
이후, 에미터층(120) 상에 반사방지막(130)을 형성한다.
반사방지막(130)은 에미터층(120)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화하고 기판(110)의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시킨다. 에미터층(120)에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지(100)의 개방전압(Voc)이 증가하고, 태양광의 반사율이 감소되면 P-N 접합까지 도달되는 광량이 증대되어 태양전지(100)의 단락전류(Isc)가 증가하므로 태양전지(100)의 변환효율이 개선된다.
반사방지막(130)은 예를 들면, 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다.
반사방지막(130)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이후에, 반사방지막(130) 상에 전면 전극(140)을 형성한다.
전면 전극(140)은 반사방지막(130)을 관통하여 에미터층(120)과 접하며, 광전효과에 의해 발생하는 캐리어의 이동통로로 사용된다.
전면 전극(140)은 전면 전극 형성용 페이스트 조성물을 반사방지막 상에 바 형태(145)로 도포하여 형성할 수 있다.
전면 전극 형성용 페이스트 조성물은 태양 전지 전면 전극 형성용 페이스트에 통상적으로 사용되는 성분을 포함할 수 있다.
도포 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 노즐 프린팅법 등을 들 수 있다.
도포 이후에 통상적인 열처리 과정을 거칠 수 있다. 열처리에 의해 은 분말이 고온에서 액상이 되었다가, 다시 고상으로 재결정되면서, 유리 프릿을 매개로 하여 반사방지막(130)을 관통하는 파이어 스루(fire through) 현상에 의해 전면 전극(140)이 에미터층(120)과 접속하게 된다.
다음으로, 기판 후면에 후면 전극(150)을 형성한다.
후면 전극(150)은 광전효과에 의해 발생하는 또다른 캐리어의 이동통로로 작용한다. 한편, 후면 전극(150)과 기판(110)의 경계면에는 후면 전계(Back Surface field)층(160)이 형성될 수 있다. 후면 전계층(160)은 캐리어가 기판(110)의 배면으로 이동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있으며, 캐리어의 재결합이 방지되면 개방전압이 상승하여 태양전지(100)의 효율이 향상될 수 있다.
후면 전극(150)은 후면 전극 형성용 페이스트 조성물을 기판 후면에 도포하여 형성할 수 있다.
후면 전극 형성용 페이스트 조성물은 태양 전지 후면 전극 형성용 페이스트에 통상적으로 사용되는 성분을 포함할 수 있다.
도포 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 침지 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 노즐 프린팅법 등을 들 수 있다.
도포 이후에 통상적인 열처리 과정을 거칠 수 있다. 열처리에 의해, 후면 전극 형성용 페이스트 조성물 도포부(155)에 포함된 알루미늄이 기판(110)의 후면을 통해 확산함으로써, 후면 전극(150)과 기판(110)의 경계면에서 후면전계층(160)을 형성한다. 후면전계층(160)은 태양광에 의해 생성된 전자의 후면 재결합을 최소화하여 태양전지의 효율 향상에 기여한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예
1-10 및
비교예
1-6
하기 표 1에 기재된 성분 및 조성비(중량%)에 잔량의 물을 첨가하여 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 제조하였다.
| 구분 | 설페이트계 음이온성 계면활성제 |
설포네이트계 음이온성 계면활성제 |
실리카를 포함하는 화합물 | 알칼리 화합물 | 다당류 | 고리형 고분자 화합물 | 유기용매 | |||||||
| 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | |
| 실시예 1 | SLS | 0.00025 | SDS | 0.002 | - | - | KOH | 2 | CMCNa | 0.03 | - | - | - | - |
| 실시예 2 | SLS-1 | 0.001 | DPDS | 0.001 | - | - | KOH | 2 | AANa | 0.06 | - | - | - | - |
| 실시예 3 | SLS | 0.00025 | SDS | 0.002 | SS | 0.01 | KOH | 2 | CMCNa | 0.03 | - | - | - | - |
| 실시예 4 | SLS-1 | 0.001 | DPDS | 0.001 | CS | 0.01 | KOH | 2 | AANa | 0.06 | - | - | - | - |
| 실시예 5 | SLS | 0.00025 | SDS | 0.002 | - | - | KOH | 2 | CMCNa | 0.03 | PNVP | 0.00001 | - | - |
| 실시예 6 | SLS-1 | 0.001 | DPDS | 0.001 | - | - | KOH | 2 | AANa | 0.06 | PNAM | 0.00001 | - | - |
| 실시예 7 | SLS | 0.00025 | DPDS | 0.002 | - | - | KOH | 2 | CMCNa | 0.003 | - | - | NMP TP |
2 0.05 |
| 실시예 8 | SLS-1 | 0.001 | SDS | 0.001 | - | - | KOH | 2 | AANa | 0.006 | - | - | NMP | 2 |
| 실시예 9 | SLS | 0.00025 | SDS | 0.002 | - | - | KOH | 2 | CMCNa | 0.03 | PNVS | 0.00001 | - | - |
| 실시예 10 | SLS-1 | 0.001 | DPDS | 0.001 | - | - | KOH | 2 | AANa | 0.06 | PNVC | 0.00001 | - | - |
| 비교예 1 | - | - | - | - | - | - | KOH | 2 | CMCNa | 0.015 | - | - | - | - |
| 비교예 2 | SLS-1 | 0.00025 | - | - | - | - | KOH | 2 | AANa | 0.015 | - | - | - | - |
| 비교예 3 | - | - | - | - | - | - | KOH | 2 | - | - | - | - | IPA | 5 |
| 비교예 4 | - | - | - | - | - | - | KOH | 2 | - | - | - | - | EG | 5 |
| 비교예 5 | - | - | - | - | - | - | KOH | 2 | - | - | - | - | MDG | 5 |
| 비교예 6 | - | - | - | - | - | - | KOH | 2 | - | - | - | - | MEA | 5 |
| SLS: 소듐 라우릴 설페이트, SLS-1: 소듐 라우레스 설페이트, SDS : 소듐 디옥틸설포석시네이트, DPDS : 디소듐 PEG-12 디메티콘설포석시네이트, SS : 소듐 실리케이트, CS : 콜로이드실리카, CMCNa: 카르복실메틸셀룰로오스나트륨염, AANa: 알긴산나트륨, PNAM : 폴리(N-아크릴로일 모폴린), PNVP: 폴리(N-비닐피롤리돈), PNVS: 폴리(N-비닐석신이미드), PNVC: 폴리(N-비닐카프로락탐), NMP: N-메틸피롤리돈, TP : 트리에틸포스페이트, IPA: 이소프로판올, EG: 에틸렌글리콜, MDG: 메틸디글리콜, MEA: 모노에탄올아민 |
||||||||||||||
실험예
단결정 실리콘 웨이퍼를 실시예 1 내지 실시예 10 및 비교예 1 내지 비교예 6의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물에 각각 침지시켜 에칭하였다. 이 때 텍스쳐 조건은 온도 80℃, 시간 20분이었다.
1.
텍스쳐
후 웨이퍼의 외관 평가
텍스쳐 후 웨이퍼의 외관은 육안(디지털카메라)로 평가하였으며, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
◎: 웨이퍼 전면 외관 상태 양호
○: 웨이퍼 버블 스틱 현상 발생
△: 웨이퍼 일부 과에칭성(또는 unetch성) 불량 발생
Х: 웨이퍼 전면 과에칭성(또는 unetch성) 불량 발생
2.
텍스쳐의
균일성 평가
텍스쳐의 균일성은 광학 현미경, SEM을 이용하고 피라미드 크기는 SEM을 이용하여 평가하였으며, 그 결과를 표 2, 도 1(실시예 1) 및 도 2(비교예 1)에 나타내었다.
◎: 웨이퍼 전면 피라미드 형성
○: 웨이퍼 일부 피라미드 미형성 (피라미드 구조 미형성 정도 5% 미만)
△: 웨이퍼 일부 피라미드 미형성 (피라미드 구조 미형성 정도 5 내지 50%)
Х: 웨이퍼 피라미드 미형성 (피라미드 미형성 정도 90% 이상)
| 웨이퍼 외관평가 | 피라미드 형성 정도 | |
| 실시예 1 | ◎ | ◎ |
| 실시예 2 | ◎ | ◎ |
| 실시예 3 | ◎ | ◎ |
| 실시예 4 | ◎ | ◎ |
| 실시예 5 | ◎ | ◎ |
| 실시예 6 | ◎ | ◎ |
| 실시예 7 | ◎ | ◎ |
| 실시예 8 | ◎ | ◎ |
| 실시예 9 | ◎ | ◎ |
| 실시예 10 | ◎ | ◎ |
| 비교예 1 | △ | △ |
| 비교예 2 | Х | Х |
| 비교예 3 | △ | △ |
| 비교예 4 | Х | Х |
| 비교예 5 | 약액 변색 | |
| 비교예 6 | 약액 변색 | |
상기 표 2 및 도 1을 참고하면, 실시예 1 내지 10의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물은 텍스쳐 후 웨이퍼의 외관 상태가 버블 스틱 현상의 발생이나 에칭의 불량이 없이 모두 양호한 것으로 보아, 세정력이 우수함을 확인할 수 있었다.
그리고 3D 광학 현미경 또는 SEM 분석을 통해 고배율로 확대하여 피라미드 형성 정도를 확인한 결과 고밀도의 피라미드가 형성됨을 확인할 수 있었다.
하지만, 도 2를 참고하면 비교예 1 내지 비교예 4의 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물은 실시예 조성물과 달리 텍스쳐 후 웨이퍼 외관 상태 및 피라미드 형성 정도가 불량함을 확인할 수 있었다. 비교예 5, 비교예 6의 경우 약액 변성이 발생하여 텍스쳐 실시의 의미가 없었다.
100: 태양전지 110: 기판
115: 요철 120: 에미터층
130: 반사방지막 140: 전면 전극
150: 후면 전극 160: 후면전계층
115: 요철 120: 에미터층
130: 반사방지막 140: 전면 전극
150: 후면 전극 160: 후면전계층
Claims (24)
- 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제를 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 설페이트계 음이온성 계면활성제는 암모늄 도데실 설페이트, 암모늄 라우레스 설페이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트, 소듐 라우레스 설페이트, 포타슘 도데실 설페이트, 포타슘 라우레스 설페이트, 암모늄 옥틸 설페이트, 소듐 옥틸 설페이트, 포타슘 옥틸 설페이트, 암모늄 헥실 설페이트, 소듐 헥실 설페이트, 포타슘 헥실 설페이트, 암모늄 스테아릴 설페이트, 소듐 스테아릴 설페이트 및 포타슘 스테아릴 설페이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 설포네이트계 음이온성 계면활성제는 디소듐 PEG-12 디메티콘 설포석시네이트, 소듐 디옥틸설포석시네이트, 소듐 도더셀 벤젠 설포네이트, 디소듐 라우릴 설포석시네이트, 디칼륨 PEG-12 디메티콘 설포석시네이트, 소듐 디헥실설포석시네이트, 소듐 디라우릴설포석시네이트, 포타슘 디옥틸설포석시네이트, 포타슘 디헥실설포석시네이트, 포타슘 디라우릴설포석시네이트 및 디포타슘 라우릴 설포석시네이트로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 설페이트계 음이온성 계면활성제 및 설포네이트계 음이온성 계면활성제는 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 0.000001 내지 1중량%로 포함되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 알칼리 화합물을 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 5에 있어서, 상기 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 실리카를 포함하는 화합물을 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 7에 있어서, 상기 실리카를 포함하는 화합물은 미분말 실리카; Na2O로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; K2O로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 산성액으로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; NH3로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 에틸알코올, 프로필알코올, 에틸렌글리콜, 메틸에틸케톤 및 메틸이소부틸케톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 유기용매로 안정화시킨 콜로이드 실리카 용액; 액상 규산나트륨; 액상 규산칼륨; 및 액상 규산리튬으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 다당류를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 9에 있어서, 상기 다당류는 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 9에 있어서, 상기 다당류는 셀룰로오스, 디메틸아미노에틸셀룰로오스, 디에틸아미노에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 메틸히드록시에틸셀룰로오스, 4-아미노벤질셀룰로오스, 트리에틸아미노에틸셀룰로오스, 시아노에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 카르복시에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 알긴산, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 펙틴, 스타치, 덱스트린, α-시클로덱스트린, β-시클로덱스트린, γ-시클로덱스트린, 히드록시프로필-β-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 덱스트란, 덱스트란설페이트나트륨, 사포닌, 글리코겐, 자이모산, 렌티난, 시조피난 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 글루칸계 화합물인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 질소 원자를 적어도 하나 포함하는 탄소수 4 내지 10인 고리 화합물로 치환된 단량체가 중합된 고분자를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 12에 있어서, 상기 단량체는 고리 구조에 산소 및 황 원자 중 적어도 하나를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 12에 있어서, 상기 단량체는 N-비닐피롤리돈, N-아크릴로일 모르폴린, N-비닐석신이미드, N-아크릴옥시석신이미드, N-비닐카프로락탐, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일피롤리딘으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 12에 있어서, 상기 고분자는 중량평균 분자량이 1,000 내지 1,000,000인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 12에 있어서, 상기 고분자는 비점이 100℃ 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 12에 있어서, 상기 고분자는 에칭액 조성물 총 중량 대비 10-12 내지 1 중량%로 포함되는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 유기용매를 더 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 18에 있어서, 상기 유기용매는 비점이 100℃ 이상인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 18에 있어서, 상기 유기용매는 한센의 용해도 파라미터가 6 내지 16인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물.
- 청구항 1 내지 20 중 어느 한 항의 에칭액 조성물에 의한 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭 방법.
- 청구항 21에 있어서, 상기 에칭액 조성물을 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 분무시키는 것을 포함하는 에칭 방법.
- 청구항 21에 있어서, 상기 에칭액 조성물에 상기 웨이퍼를 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 침적시키는 에칭 방법.
- 청구항 21의 방법으로 기판의 일면에 요철을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120151842A KR20140082222A (ko) | 2012-12-24 | 2012-12-24 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120151842A KR20140082222A (ko) | 2012-12-24 | 2012-12-24 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20140082222A true KR20140082222A (ko) | 2014-07-02 |
Family
ID=51733203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120151842A KR20140082222A (ko) | 2012-12-24 | 2012-12-24 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140082222A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109545977A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-29 | 西安交通大学 | 绒面均匀钙钛矿膜的液膜增稠抑爬原位析晶制备方法 |
| CN111410964A (zh) * | 2019-01-08 | 2020-07-14 | 三星电子株式会社 | 蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法 |
-
2012
- 2012-12-24 KR KR1020120151842A patent/KR20140082222A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109545977A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-29 | 西安交通大学 | 绒面均匀钙钛矿膜的液膜增稠抑爬原位析晶制备方法 |
| CN111410964A (zh) * | 2019-01-08 | 2020-07-14 | 三星电子株式会社 | 蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法 |
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