KR20110046308A - 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물 - Google Patents

결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물 Download PDF

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홍형표
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량%; (B) 비점이 100℃ 내지 400℃인 적어도 하나의 고리형 화합물 0.1 내지 50중량%; 및 (C) 물 잔량을 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물에 관한 것이다.

Description

결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물{AN ETCHING COMPOSITION FOR TEXTURE OF CRYSTALLINE SILICON BASED WAFER}
본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 2009년 10월 26일에 한국특허청에 제출된 한국특허출원 제10-2009-0101698호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
태양전지는 태양에너지를 전기에너지로 변환하는 광전지이다. 광전지로는 금속과 반도체의 접촉을 이용한 셀렌 광전지, 아황산구리 광전지, PN 반도체 원리를 이용한 실리콘 광전지 등이 있다. 상기 실리콘 광전지는 실리콘에 보론(boron: 붕소)을 첨가한 P형 실리콘 반도체를 기본으로 하여, 그 표면에 인(phosphorous)을 확산시켜 N형 실리콘 반도체층을 형성시킨 PN 접합 반도체 기판으로 만들어진다. PN 접합에 의해 전계가 형성된 기판에 태양광과 같은 빛을 조사할 경우, 반도체 내의 전자(-)와 정공(+)이 여기되어 반도체 내부를 자유로이 이동하는 상태가 된다. 이러한 PN접합에 의해 생긴 전계에 들어오게 되면 전자(-)는 N형 반도체에, 정공(+)은 P형 반도체에 이르게 된다. 상기 P형 반도체와 N형 반도체 표면에 전극을 형성하여 전자를 외부회로로 흐르게 하면 전류가 발생된다. 이러한 원리로 태양에너지가 전기 에너지로 변환된다. 따라서 실리콘 광전지의 단위 면적당 전기적 출력을 극대화시키기 위해서는 빛의 흡수량을 최대화시켜야 한다. 이를 위해서 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 표면을 미세 피라미드 구조로 형성시키고 반사 방지막 처리를 한다. 미세 피라미드 구조로 텍스쳐된 실리콘 표면은 넓은 파장대를 갖는 입사 빛의 반사율을 낮추어 기 흡수된 빛의 강도를 증가시킴으로써 태양전지를 성능, 즉 효율을 높일 수 있게 된다. 현재 미세 피라미드 표면 구조를 만드는 방법으로 다양한 방법이 연구 개발되어 왔으며, 그 구체적인 예는 다음과 같다.
미국등록특허 제4,137,123호는 0 내지 75중량%의 에틸렌 글리콜, 0.05 내지 50 중량%의 수산화칼륨, 그리고 잔량의 탈이온 증류수로 구성된 이방성 에칭액에 0.5 내지 10 중량%의 실리콘을 용해시킨 실리콘 텍스쳐 에칭액을 개시하고 있다. 또한 유럽공개특허 EP0477-424호는 텍스쳐 공정 시 에틸렌 글리콜, 수산화칼륨, 그리고 잔량의 탈이온 증류수에 실리콘을 용해시킨 텍스쳐 에칭액에 산소를 공급시키는, 즉 에어레이팅 공정을 수반하는 텍스쳐 에칭 방법도 개시하고 있다. 하지만, 상기 텍스쳐 에칭 용액은 실리콘이 이미 용해되어 텍스쳐 용액의 처리 매수가 적을 가능성이 높을 뿐만 아니라 별도의 에어레이팅 장치가 설치되어야 하는 단점도 있다.
대한민국 등록특허공보 특0180621호는 수산화칼륨용액 0.5 내지 5부피%, 이소프로필알코올 3.0 내지 20부피%, 탈이온수 75 내지 96.5 부피%의 비율로 혼합된 텍스쳐 에칭 용액을 개시하고 있다. 또한 미국등록특허 제6,451,218호는 알칼리 화합물, 이소프로판올, 수용성 알칼리성 에틸렌 글리콜, 그리고 잔량의 탈이온 증류수로 구성된 텍스쳐 에칭액을 개시하고 있다. 그러나, 상기 텍스쳐 에칭 용액은 이소프로필 알코올의 낮은 비점으로 인해 텍스쳐 공정 중 추가 투입해야 하기 때문에 이소프로필 알코올의 사용량이 많아 생산성, 경제성 면에서 불리하다. 뿐만 아니라 텍스쳐 공정 온도 구배 발생으로 인해 미세 피라미드 형성이 되지 않는 부분이 부분적으로 나타나게 되어 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 균일성이 떨어지게 된다.
상기 텍스쳐 에칭 용액 이외에 고온의 진한 히드라진 용액을 사용하는 경우 또는 불소를 포함한 화합물 또는 산소를 이용하여 건식 에칭하는 방법 등이 소개되고 있지만 환경적인 이유, 경제적인 이유로 사용이 제한된다.
본 발명의 목적은 빛 흡수가 잘 되도록 결정성 실리콘 웨이퍼 표면을 미세 피라미드 구조로 균일하게 만들 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 목적은 고비점 고리형 화합물을 이용하여 기존에 사용된 텍스쳐 에칭액 조성물 대비 사용량을 현저히 낮추어 처리 매수를 증가시킬 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 목적은 미세 피라미드 형성을 위한 별도의 실리콘 입자, 에어레이팅 공정(산소 공급 공정) 또는 공정 중 약액 투입이 불필요한 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량%; (B) 비점이 100℃ 내지 400℃인 적어도 하나의 고리형 화합물 0.1 내지 50중량%; 및 (C) 물 잔량을 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 제공한다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼용 텍스쳐 에칭액 조성물은 실리콘 웨이퍼 표면에 균일한 미세 피라미드 구조를 형성시켜 빛의 흡수량을 극대화할 수 있다. 또한 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼용 텍스쳐 에칭액 조성물은 기존의 텍스쳐 에칭액 조성물에 비해 처리 매수가 대폭 개선되어 경제적으로 유리하다. 또한, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼용 텍스쳐 에칭액 조성물은 텍스쳐 공정 중 약액 투입, 별도의 에어레이팅 장비 도입이 불필요해 초기 생산 공정 비용, 공정 비용, 균일한 미세 피라미드 구조 형성에 매우 유리하다.
도 1은 실시예 4의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐를 나타낸 광학 현미경 사진이다.
도 2는 실시예 4의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물로 텍스쳐된 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 나타낸 SEM 사진이다.
도 3은 실시예 4의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물로 텍스쳐된 단결정 실리콘 웨이퍼의 단면을 나타낸 SEM 사진이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물은 (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물, (B) 적어도 하나의 고리화합물, 및 (C) 물을 포함한다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물에 포함되는 (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 20중량%로 포함되고, 1 내지 5중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 실리콘 표면의 에칭이 용이하게 이루어진다.
상기 (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 이 중에서 수산화칼륨, 수산화나트륨이 보다 바람직하다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물에 포함되는 (B) 적어도 하나의 고리형 화합물은 비점이 100℃ 내지 400℃이다. 그 이유는 기존 텍스쳐 공정에 사용되는 IPA의 경우, 낮은 비점(82℃)으로 인해 텍스쳐 공정(공정 온도 75~85℃) 중에 KOH/IPA의 비율이 바뀌게 되고, 이로 인해 텍스쳐 품질에 악영향을 미칠 확률이 높았기 때문이다. 이러한 악영향을 애초에 방지하기 위하여, 상기 고리형 화합물의 비점은 상술한 범위이어야 한다.
여기서, 상기 고리형 화합물은 N, O 또는 S의 이종원소를 1개 이상 포함하는 C4 내지 C10의 복소환을 포함하는 화합물을 의미한다.
상기 (B) 적어도 하나의 고리형 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 50중량%로 포함되고, 2 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 상기 고리형 화합물이 결정성 실리콘 표면의 젖음성을 개선시켜 알칼리 화합물에 의한 과에칭을 방지함으로써 균일한 미세 피라미드 형성시키는 역할을 한다. 또한, 에칭되어 용해된 수소 버블을 빨리 떨어뜨림으로써 버블 스틱 현상이 발생하는 것을 방지하는 역할도 한다.
상기 (B) 적어도 하나의 고리형 화합물은 피페라진류, 모폴린류, 피리딘류, 피페리딘류, 피페리돈류, 피롤리딘류, 피롤리돈류, 이미다졸리디돈류, 퓨란류, 아닐린류, 톨루이딘류 및 락톤류로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 상기 비점이 100℃ 내지 400℃인 고리형 화합물들의 구체적인 예로는 피페라진, N-메틸피페라진, N-에틸피페라진, 히드록시에틸피페라진, N-(2-아미노에틸)피페라진, N,N'-디메틸피페라진, 모폴린, N-메틸모폴린, N-에틸모폴린, N-페닐모폴린, N-코코모폴린, N-(2-아미노에틸)모폴린, N-(2-시안에틸)모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(2-히드록시프로필)모폴린, N-에틸모폴린, N-아세틸모폴린, N-포밀모폴린, N-메틸모폴린-N-옥사이드, 피리딘, 3-히드록시피리딘, 2-피리딘에탄올, 피콜린, N-메틸피페리딘, 3,5-디메틸피페리딘, N-에틸피페리딘, N-(2-히드록시에틸)피페리딘, N-메틸-4-피페리돈, N-비닐-2-피페리돈, N-메틸피롤리딘, N-에틸-2-피롤리돈, N-이소프로필-2-피롤리돈, N-부틸-2-피롤리돈, N-tert-부틸-2-피롤리돈, N-헥실-2-피롤리돈, N-옥틸-2-피롤리돈, N-벤질-2-피롤리돈, N-씨클로헥실-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N-(2-히드록시에틸)-2-피롤리돈, N-(2-메톡시에틸)-2-피롤리돈, N-(2-메톡시프로필)-2-피롤리돈, N-(2-에톡시에틸)-2-피롤리돈, N-메틸이미다졸리디논, 디메틸이미다졸리디논, N-(2-히드록시에틸)-에틸렌우레아, 테트라히드로퓨란, 테트라히드로퍼푸릴알코올, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N,N-디메틸아닐린, N-(2-히드록시에틸)아닐린, N,N-Bis-(2-히드록시에틸)아닐린, N-에틸-N-(2-히드록시에틸)아닐린, N,N-N-에틸-o-톨루이딘, N-에틸-N-(2-히드록시에틸)-m-톨루이딘, 디메틸벤질아민, g-부틸로락톤, 톨리트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 또는 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀 등을 들 수 있다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물에 포함되는 (C) 물은 조성물 총 중량이 100%가 되도록 잔량 포함된다. 상기 물은 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 상기 탈이온 증류수는 반도체 공정용을 사용하며, 바람직하게는 비저항이 18㏁ㆍ㎝이상이다.
본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물은 딥방식, 분무식 및 매엽식 에칭 공정에 모두 적용할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 4: 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 성분 및 조성비에 따라 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 제조하였다.
알칼리 화합물 고리형 화합물 물
(중령%)
종류 함량(중량%) 종류 함량(중량%) 종류 함량(중량%)
실시예 1 KOH 1 NMP 3 - - 잔량
실시예 2 NaOH 1 NMP 3 - - 잔량
실시예 3 KOH 1.5 NMP 5 - - 잔량
실시예 4 KOH 3 NMP 5 - - 잔량
실시예 5 KOH 5 NMP 8 - - 잔량
실시예 6 KOH 3 NMP-1 5 - - 잔량
실시예 7 KOH 3 NMM 5 - - 잔량
실시예 8 KOH 3 NMP-2 5 - - 잔량
실시예 9 KOH 3 NMP-3 5 - - 잔량
실시예 10 KOH 3 NMI 5 - - 잔량
실시예 11 KOH 3 NMP 4.5 AEP 0.5 잔량
실시예 12 KOH 3 NMP 4.5 AEM 0.5 잔량
비교예 1 KOH 1.5 IPA 5 - - 잔량
비교예 2 KOH 1.5 EG 5 - - 잔량
비교예 3 KOH 1.5 BDG 5 - - 잔량
비교예 4 KOH 1.5 MEA 5 - - 잔량
[주]
KOH: 수산화칼륨 NaOH: 수산화나트륨
NMP: N-메틸피롤리돈 NMP-1: N-메틸피페라진,
NMM: N-메틸모폴린 NMP-2: N-메틸피페리딘,
NMP-3: N-메틸피페리돈 NMI: N-메틸이미다졸리디논,
IPA: 이소프로필 알코올 EG: 에틸렌글리콜
BDG: 부틸디글리콜 MEA: 모노에탄올아민
AEP: N-(2-아미노에틸)피페라진 AEM: N-(2-아미노에틸)모폴린
시험예: 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물의 특성 평가
<텍스쳐 균일성 평가>
단결정 실리콘 웨이퍼를 실시예 1 내지 실시예 12 및 비교예 1 내지 비교예 4의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물에 침지시켰다. 이 때 텍스쳐 조건은 온도 80℃, 시간 30분이었다. 각 조성물에 대한 텍스쳐 균일성은 육안 평가(디지털 카메라), 광학 현미경, SEM 등을 이용하고 피라미드 크기는 SEM을 이용하여 평가하였다. 그리고 UV 이용하여 400 내지 800㎚의 파장대를 갖는 빛을 조사하였을 때의 평균 반사율을 측정하였다. 그 결과를 표 2와 도 1 내지 도 3에 나타내었다.
구분 텍스쳐 균일성 피라미드 평균 크기
(높이, ㎛)		 평균 반사율(%)
실시예 1 ◎ 3 12.35
실시예 2 ◎ 3 12.26
실시예 3 ◎ 5 12.18
실시예 4 ◎ 6 12.38
실시예 5 ◎ 8 12.32
실시예 6 ◎ 6 12.19
실시예 7 ◎ 7 12.24
실시예 8 ◎ 7 12.32
실시예 9 ◎ 7 12.17
실시예 10 ◎ 7 12.32
실시예 11 ◎ 6 12.39
실시예 12 ◎ 7 12.24
비교예 1 ○ 5 12.87
비교예 2 X 10 21.13
비교예 3 약액 변색
비교예 4 약액 변색
※ 텍스쳐 균일성
◎: 웨이퍼 전면 피라미드 형성
○: 웨이퍼 일부 피라미드 형성 (피라미드 구조 미형성 정도 5% 미만)
△: 웨이퍼 일부 피라미드 형성 (피라미드 구조 미형성 정도 5 내지 50%)
Х: 웨이퍼 피라미드 미형성 (피라미드 미형성 정도 50% 초과)
약액 변색: 텍스쳐 공정 온도로의 승온 시 자체 경시 변화가 발생하여 텍스쳐 테스트가 필요 없다는 의미
표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 12의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용한 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐의 균일성이 우수하다.
한편, 비교예 1의 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용한 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 피라미드 평균크기와 반사율은 실시예 1 내지 12의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용한 것과 큰 차이가 없다. 하지만, 비교예 1의 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물은 IPA의 낮은 비점으로 인해 텍스쳐 공정 중 IPA를 지속적으로 투입하여야 하는 단점이 있고, IPA의 추가투입에 기인한 약액의 온도 변화에 의해 텍스쳐가 균일하지 못하게 된다. 그리고 텍스쳐 공정을 진행할 때 비용이 증가되는 등 여러 문제가 발생하게 된다.
또한, 비교예 2의 경우 텍스쳐 균일성, 반사율면에서 본 발명의 조성물인 실시예 1 내지 12의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물과 큰 차이를 보인다. 그리고, 비교예 3 및 4의 경우, 약액이 변색되어 텍스쳐 공정에 적용하지도 못하였다.
한편, 도 1은 실시예 4의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물을 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐를 나타낸 광학 현미경 사진이다. 도 2는 실시예 4의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물로 텍스쳐된 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 나타낸 SEM 사진이다. 도 3은 실시예 4의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물로 텍스쳐된 단결정 실리콘 웨이퍼의 단면을 나타낸 SEM 사진이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 웨이퍼 전면에 걸쳐 피라미드가 형성된 것을 알 수 있다.
1: 피라미드의 높이 2: 피라미드의 밑변

Claims (5)

  1. 조성물 총 중량에 대하여,
    (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량%;
    (B) 비점이 100℃ 내지 400℃인 적어도 하나의 고리형 화합물 0.1 내지 50중량%; 및
    (C) 물 잔량을 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    조성물 총 중량에 대하여,
    상기 (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물 1 내지 5중량%;
    상기 (B) 비점이 100℃ 내지 400℃인 적어도 하나의 고리형 화합물 2 내지 10중량%; 및
    상기 (C) 물 잔량을 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 (A) 적어도 하나의 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 결정성 실리콘 웨이퍼 텍스쳐 에칭액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 (B) 비점 100℃ 내지 400℃인 적어도 하나의 고리형 화합물은 피페라진, N-메틸피페라진, N-에틸피페라진, 히드록시에틸피페라진, N-(2-아미노에틸)피페라진, N,N'-디메틸피페라진, 모폴린, N-메틸모폴린, N-에틸모폴린, N-페닐모폴린, N-코코모폴린, N-(2-아미노에틸)모폴린, N-(2-시안에틸)모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(2-히드록시프로필)모폴린, N-에틸모폴린, N-아세틸모폴린, N-포밀모폴린, N-메틸모폴린-N-옥사이드, 피리딘, 3-히드록시피리딘, 2-피리딘에탄올, 피콜린, N-메틸피페리딘, 3,5-디메틸피페리딘, N-에틸피페리딘, N-(2-히드록시에틸)피페리딘, N-메틸-4-피페리돈, N-비닐-2-피페리돈, N-메틸피롤리딘, N-에틸-2-피롤리돈, N-이소프로필-2-피롤리돈, N-부틸-2-피롤리돈, N-tert-부틸-2-피롤리돈, N-헥실-2-피롤리돈, N-옥틸-2-피롤리돈, N-벤질-2-피롤리돈, N-씨클로헥실-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N-(2-히드록시에틸)-2-피롤리돈, N-(2-메톡시에틸)-2-피롤리돈, N-(2-메톡시프로틸)-2-피롤리돈 N-(2-에톡시에틸)-2-피롤리돈 N-메틸 이미다졸리디논, 디메틸이미다졸리디논, N-(2-히드록시에틸)-에틸렌우레아, 테트라히드로퓨란, 테트라히드로퍼푸릴알코올, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N,N-디메틸아닐린, N-(2-히드록시에틸)아닐린, N,N-Bis-(2-히드록시에틸) 아닐린, N-에틸-N-(2-히드록시에틸)아닐린, N,N-N-에틸-o-톨루이딘, N-에틸-N-(2-히드록시에틸)-m-톨루이딘, 디메틸벤질아민, g-부틸로락톤, 톨리트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 결정성 실리콘 웨이퍼 텍스쳐 에칭액 조성물.
  5. 청구항 1 기재의 결정성 실리콘 웨이퍼 텍스쳐 에칭액 조성물을 이용하여 50~100?의 온도에서 30초~60분 동안 침적, 분무, 또는 침적 및 분무하여 결정성 실리콘을 텍스쳐 에칭 방법.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120135874A (ko) * 2011-06-07 2012-12-17 동우 화인켐 주식회사 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법
WO2013002502A2 (ko) * 2011-06-28 2013-01-03 동우화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법

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