KR20120135870A - 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 55
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 36
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 20
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims description 10
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims description 10
- 229920001503 Glucan Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 6
- YVNNRQCAABDUMX-UHFFFAOYSA-N 1-(4-methylpiperazin-1-yl)prop-2-en-1-one Chemical compound CN1CCN(C(=O)C=C)CC1 YVNNRQCAABDUMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AFCUQBVRWTYGJX-UHFFFAOYSA-N 1-but-3-enylpiperazine Chemical compound C=CCCN1CCNCC1 AFCUQBVRWTYGJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IEUDAQVWAJAWHV-UHFFFAOYSA-N 1-but-3-enylpiperidin-2-one Chemical compound C(=C)CCN1C(CCCC1)=O IEUDAQVWAJAWHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KNQXLXOGOKJNCS-UHFFFAOYSA-N 1-but-3-enylpyrrolidin-2-one Chemical compound C=CCCN1CCCC1=O KNQXLXOGOKJNCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VAXHNWJSQXUXMK-UHFFFAOYSA-N 1-carbazol-9-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC=C2N(C(=O)C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 VAXHNWJSQXUXMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYXLGDUOPAIMNZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C=C)CC1 GYXLGDUOPAIMNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DCRYNQTXGUTACA-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperazine Chemical compound C=CN1CCNCC1 DCRYNQTXGUTACA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperidin-2-one Chemical compound C=CN1CCCCC1=O PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZVUAMUKZHFTJGR-UHFFFAOYSA-N 1-piperazin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCNCC1 ZVUAMUKZHFTJGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYZCLQLQLZXPGE-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoylpiperidin-2-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCCCC1=O RYZCLQLQLZXPGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZWAQJGHGPPDZSF-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enylpiperazine Chemical compound C=CCN1CCNCC1 ZWAQJGHGPPDZSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DURRSEGFTCZKMK-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enylpyrrolidin-2-one Chemical compound C=CCN1CCCC1=O DURRSEGFTCZKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FEWLGASICNTXOZ-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethane-1,1,1,2-tetrol Chemical compound NC(O)C(O)(O)O FEWLGASICNTXOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RCADSGKLHCKKQN-UHFFFAOYSA-N 4-but-3-enylmorpholine Chemical compound C=CCCN1CCOCC1 RCADSGKLHCKKQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CFZDMXAOSDDDRT-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylmorpholine Chemical compound C=CN1CCOCC1 CFZDMXAOSDDDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SUSANAYXICMXBL-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enylmorpholine Chemical compound C=CCN1CCOCC1 SUSANAYXICMXBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920002670 Fructan Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920000057 Mannan Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DGPVNNMFVYYVDF-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoylpyrrolidin-2-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCCC1=O DGPVNNMFVYYVDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 claims 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 4
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- SBEBZMZHYUEOPQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCCN(C=C)C1=O SBEBZMZHYUEOPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,4-dioxo-1,3-diazinane-5-carboximidamide Chemical compound CN1CC(C(N)=N)C(=O)NC1=O IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- -1 dimethylaminoethyl Chemical group 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 description 2
- 239000000661 sodium alginate Substances 0.000 description 2
- 229940005550 sodium alginate Drugs 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- YZOUYRAONFXZSI-SBHWVFSVSA-N (1S,3R,5R,6R,8R,10R,11R,13R,15R,16R,18R,20R,21R,23R,25R,26R,28R,30R,31S,33R,35R,36R,37S,38R,39S,40R,41S,42R,43S,44R,45S,46R,47S,48R,49S)-5,10,15,20,25,30,35-heptakis(hydroxymethyl)-37,39,40,41,42,43,44,45,46,47,48,49-dodecamethoxy-2,4,7,9,12,14,17,19,22,24,27,29,32,34-tetradecaoxaoctacyclo[31.2.2.23,6.28,11.213,16.218,21.223,26.228,31]nonatetracontane-36,38-diol Chemical compound O([C@@H]([C@H]([C@@H]1OC)OC)O[C@H]2[C@@H](O)[C@@H]([C@@H](O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3O)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O3)O[C@@H]2CO)OC)[C@H](CO)[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@H]3[C@@H](CO)O1 YZOUYRAONFXZSI-SBHWVFSVSA-N 0.000 description 1
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOSRRDYQKDGLAU-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enylpiperidin-2-one Chemical compound C=CCN1CCCCC1=O ZOSRRDYQKDGLAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCWRFIYBUQBHJI-UHFFFAOYSA-N 2-(4-aminophenyl)acetonitrile Chemical group NC1=CC=C(CC#N)C=C1 YCWRFIYBUQBHJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVIPLYCGEZUBIO-UHFFFAOYSA-N 2-(4-fluorophenyl)-1,3-dioxoisoindole-5-carboxylic acid Chemical compound O=C1C2=CC(C(=O)O)=CC=C2C(=O)N1C1=CC=C(F)C=C1 JVIPLYCGEZUBIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001450 Alpha-Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- 229920000945 Amylopectin Polymers 0.000 description 1
- 229920000856 Amylose Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 229920001425 Diethylaminoethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000001116 FEMA 4028 Substances 0.000 description 1
- 229920002527 Glycogen Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920001491 Lentinan Polymers 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N alpha-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N 0.000 description 1
- 229940043377 alpha-cyclodextrin Drugs 0.000 description 1
- BLFLLBZGZJTVJG-UHFFFAOYSA-N benzocaine Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 BLFLLBZGZJTVJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N beta-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N 0.000 description 1
- 235000011175 beta-cyclodextrine Nutrition 0.000 description 1
- 229960004853 betadex Drugs 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229960002086 dextran Drugs 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- GDSRMADSINPKSL-HSEONFRVSA-N gamma-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO GDSRMADSINPKSL-HSEONFRVSA-N 0.000 description 1
- 229940080345 gamma-cyclodextrin Drugs 0.000 description 1
- 229940096919 glycogen Drugs 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- FZWBNHMXJMCXLU-BLAUPYHCSA-N isomaltotriose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@H]1OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O)O1 FZWBNHMXJMCXLU-BLAUPYHCSA-N 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229940115286 lentinan Drugs 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 description 1
- 239000001814 pectin Substances 0.000 description 1
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001397 quillaja saponaria molina bark Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229930182490 saponin Natural products 0.000 description 1
- 150000007949 saponins Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N trappsol cyclo Chemical compound CC(O)COC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)COCC(O)C)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1COCC(C)O ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 한 정점으로부터 바닥면에 이르는 측면이 곡면인 다수의 피라미드로 이루어진 표면을 갖도록 구성됨으로써 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광효율을 더욱 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광효율을 더욱 높일 수 있는 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어 급속하게 보급되고 있는 태양전지는 차세대 에너지원으로서 클린 에너지인 태양 에너지를 직접 전기로 변환하는 전자 소자로서, 실리콘에 붕소를 첨가한 P형 실리콘 반도체를 기본으로 하여 그 표면에 인을 확산시켜 N형 실리콘 반도체층을 형성시킨 PN 접합 반도체 기판으로 구성되어 있다.
PN 접합에 의해 전계가 형성된 기판에 태양광과 같은 빛을 조사할 경우 반도체 내의 전자(-)와 정공(+)이 여기되어 반도체 내부를 자유로이 이동하는 상태가 되며, 이러한 PN 접합에 의해 생긴 전계에 들어오게 되면 전자(-)는 N형 반도체에, 정공(+)은 P형 반도체에 이르게 된다. P형 반도체와 N형 반도체 표면에 전극을 형성하여 전자를 외부회로로 흐르게 하면 전류가 발생하게 되는데, 이와 같은 원리로 태양 에너지가 전기 에너지로 변환된다. 따라서 태양 에너지의 변환 효율을 높이기 위해서 PN 접합 반도체 기판의 단위 면적당 전기적 출력을 극대화시켜야 하며, 이를 위해서 반사율은 낮게 하고 광 흡수량은 최대화시켜야 한다.
이러한 점을 고려하여 PN 접합 반도체 기판을 구성하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 표면을 미세 피라미드 구조로 형성시키고 반사 방지막을 처리하고 있다. 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 사각형인 바닥면(B)과 삼각형인 4개의 측면(S)이 한 정점에서 만나 형성하는 사각뿔이다. 통상 미세 피라미드의 측면(S1)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 정점(a1)으로부터 바닥면을 구성하는 밑변(b1)과 만나는 2개의 측변(c11, c12)이 직선인 삼각형 형태이다.
이와 같이 미세 피라미드 구조로 형성된 실리콘 웨이퍼는 표면이 넓은 파장대를 갖는 입사광의 반사율을 낮춰 기 흡수된 광의 강도를 증가시킴으로써 태양전지의 효율을 높일 수 있게 되며, 미세 피라미드 구조에 대한 연구를 통하여 태양전지의 효율을 더욱 높일 수 있다.
본 발명은 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮출 수 있는 구조를 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 식각 마스크를 사용하지 않고 용이하게 미세 피라미드 구조를 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 한 정점으로부터 바닥 면에 이르는 측면이 곡면인 피라미드가 반복 형성된 표면을 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼.
2. 위 1에 있어서, 곡면은 피라미드의 중심부 쪽으로 볼록하도록 굴곡진 면인 단결정 실리콘 웨이퍼.
3. 위 1에 있어서, 식각용 마스크를 사용하지 않고 제조된 단결정 실리콘 웨이퍼.
4. 위 1에 있어서, 에칭액 조성물로 텍스쳐 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼.
5. 위 4에 있어서, 에칭액 조성물은 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량% 및 물 80 내지 99.9중량%를 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
6. 위 5에 있어서, 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
7. 위 5에 있어서, 에칭액 조성물은 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물 10-6 내지 10중량%를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
8. 위 7에 있어서, 고리형 화합물은 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일카바졸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 단결정성 실리콘 웨이퍼.
9. 위 5에 있어서, 에칭액 조성물은 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 다당류를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
10. 식각용 마스크를 사용하지 않은 상태에서, 한 정점으로부터 바닥 면에 이르는 측면이 곡면인 피라미드가 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면에 반복 형성되도록, 에칭액 조성물로 상기 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 텍스쳐 에칭하는 단계를 포함하는 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법..
11. 위 10에 있어서, 곡면은 피라미드의 중심부 쪽으로 볼록하도록 굴곡진 면인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
12. 위 10에 있어서, 에칭액 조성물은 에칭액 조성물은 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량% 및 물 80 내지 99.9중량%를 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
13. 위 12에 있어서, 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
14. 위 12에 있어서, 에칭액 조성물은 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물 10-6 내지 10중량%를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
15. 위 14에 있어서, 고리형 화합물은 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일카바졸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
16. 위 12에 있어서, 에칭액 조성물은 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 다당류를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
본 발명의 단결정 실리콘 웨이퍼는 곡면인 측면을 갖는 다수의 미세 피라미드로 이루어진 표면을 가짐으로써 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광효율을 더욱 높일 수 있다.
본 발명의 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법은 식각 마스크를 사용하지 않고도 곡면인 측면을 갖는 다수의 미세 피라미드 구조를 형성할 수 있으므로, 생산성이 매우 우수하다.
도 1은 종래 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 사시도이고,
도 2는 종래 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 한 측면을 나타낸 단면도이고,
도 3은 본 발명의 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 한 측면을 나타낸 단면도이며,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 표면(a)과 단면(b)을 나타낸 SEM 사진이고,
도 5는 종래 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 표면(a)과 단면(b)을 나타낸 SEM 사진이다.
도 2는 종래 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 한 측면을 나타낸 단면도이고,
도 3은 본 발명의 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 한 측면을 나타낸 단면도이며,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 표면(a)과 단면(b)을 나타낸 SEM 사진이고,
도 5는 종래 실리콘 웨이퍼 표면에 형성된 미세 피라미드의 표면(a)과 단면(b)을 나타낸 SEM 사진이다.
본 발명은 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광효율을 더욱 높일 수 있는 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 명세서에서 피라미드는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 사각형인 바닥면(B)과 삼각형인 4개의 측면(S)이 한 정점에서 만나 형성하는 사각뿔을 의미한다.
본 발명의 단결정 실리콘 웨이퍼는 한 정점으로부터 바닥면에 이르는 측면이 곡면인 피라미드가 반복 형성된 표면을 갖는 것을 특징으로 한다.
보다 상세하게, 도 3에 나타낸 바와 같이, 피라미드의 측면(S2)은 정점(a2)으로부터 바닥면을 구성하는 밑변(b2)과 만나는 2개의 측변(c21, c22)이 직선이 아닌 곡선이다. 즉, 측면(S2)은 굴곡이 있는 곡면이 된다.
피라미드의 한 측면을 구성하는 2개의 측변(c21, c22)은 서로 같거나 다른 모양의 곡선일 수 있다. 즉, 측면을 정점(a2)으로부터 밑변(b2)과 수직을 이루는 중앙선(L)으로 분할하였을 때 분할된 2개의 면은 서로 같거나(도 3a) 서로 상이할 수 있다(도 3b).
피라미드의 측면은 중심부 쪽으로 볼록하도록 굴곡진 곡면일 수 있다.
또한, 피라미드를 구성하는 4개의 측면 중 1개 이상의 측면이 위와 같은 곡면일 수 있다.
피라미드가 반복 형성되어 있다는 것은 예컨대 도 4와 같이, 위와 같은 형상의 피라미드가 웨이퍼의 표면에 복수 개 존재함을 나타내는 것으로서, 한 정점으로부터 바닥 면에 이르는 측면이 곡면인 피라미드가 복수 개 형성되어 있기만 하다면, 동일 형상의 피라미드가 복수 개 형성되어 있는 경우 뿐만 아니라 서로 상이한 형상의 피라미드(예컨대, 도 3(a)와 도 3(b)의 형상의 피라미드, 크기(L)가 서로 상이한 피라미드 등)가 혼재되어 복수 개 형성되어 있는 경우도 본원의 피라미드가 반복 형성된 경우에 포함된다.
반복 형성된 피라미드는 반드시 웨이퍼의 표면적의 일정 비율 이상의 면적을 차지해야 하는 것은 아니다. 다만, 태양광의 흡수량 극대화 및 광 반사율 저하에 기여하기 위해서는 웨이퍼의 표면적의 적어도 50%, 바람직하게는 적어도 70%의 면적에 형성되어 있는 것이 좋다.
반복 형성된 피라미드는 반드시 단위 면적 당 특정 수의 피라미드가 포함된 경우여야 하는 것은 아니다. 다만, 태양광의 흡수량 극대화 및 광 반사율 저하에 기여하기 위해 크기가 수 나노 미터 수준인 미세 피라미드인 것이 바람직하다. 예컨대 단결정 실리콘 웨이퍼 표면을 이루고 있는 피라미드의 70% 이상은 평균 크기가 1 내지 6㎛인 것이 바람직하다. 이때, 피라미드의 평균 크기는 한 정점으로부터 바닥 면에 수직으로 이르는 선의 길이를 의미한다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따라 한 정점으로부터 바닥 면에 이르는 측면이 곡면인 피라미드가 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면에 반복 형성하기 위한 본 발명의 방법은, 식각용 마스크를 사용하지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식각용 마스크를 사용하지 않은 상태에서, 알칼리 에칭액 조성물을 이용한 텍스쳐 에칭방법으로 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 본 발명에 따른 미세 피라미드 구조로 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 에칭액 조성물은 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량% 및 물 80 내지 99.9중량%를 포함하는 것일 수 있다.
또한, 에칭액 조성물은 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.
알칼리 화합물은 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면을 에칭하는 성분으로서 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄, 테트라히드록시에틸암모늄 등을 들 수 있으며, 이 중에서 수산화칼륨, 수산화나트륨이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
알칼리 화합물은 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 0.1 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 5중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 실리콘 웨이퍼 표면을 에칭할 수 있게 된다.
탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물은 실리콘의 결정 방향인 Si100 방향과 Si111 방향에 대한 에칭 속도 차이를 제어하여 피라미드가 본 발명에서와 같은 곡면인 측면을 갖도록 형상을 조절해주는 성분이다.
고리형 화합물로는 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸, N-아크릴로일카바졸 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
고리형 화합물은 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 10-6 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10-3 내지 1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 실리콘 웨이퍼 표면의 젖음성을 효과적으로 개선시켜 텍스쳐 품질 편차를 최소화시킬 수 있고 종래와 다른 형상의 미세 피라미드를 용이하게 형성할 수 있다. 함량이 10중량% 초과인 경우 실리콘의 결정 방향에 대한 에칭 속도 차이를 제어하기 어려워 원하는 미세 피라미드 형성을 얻기 어려울 수 있다.
에칭액 조성물은 다당류를 더 포함하는 것일 수 있다.
다당류(polysaccharide)는 단당류 2개 이상이 글리코시드 결합하여 큰 분자를 만들고 있는 당류로서, 알칼리 화합물에 의한 과에칭과 에칭 가속화를 방지함으로써 균일한 미세 피라미드를 형성하는 동시에 에칭에 의해 생성된 수소 버블을 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 빨리 떨어뜨려 외관을 향상시키는 성분이다.
다당류로는 글루칸계(glucan) 화합물, 프룩탄계(fructan) 화합물, 만난계(mannan) 화합물, 갈락탄계(galactan) 화합물 또는 이들의 금속염 등을 들 수 있으며, 이 중에서 글루칸계 화합물과 이의 금속염이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
글루칸계 화합물로는 셀룰로오스, 디메틸아미노에틸셀룰로오스, 디에틸아미노에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 메틸히드록시에틸셀룰로오스, 4-아미노벤질셀룰로오스, 트리에틸아미노에틸셀룰로오스, 시아노에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 알긴산, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 펙틴, 스타치, 덱스트린, α-시클로덱스트린, β-시클로덱스트린, γ-시클로덱스트린, 히드록시프로필-β-시클로덱스트린, 메틸-β-시클로덱스트린, 덱스트란, 덱스트란설페이트나트륨, 사포닌, 글리코겐, 자이모산, 렌티난, 시조피난 또는 이들의 금속염 등을 들 수 있다.
다당류는 평균 분자량이 5,000 내지 1,000,000인 것일 수 있으며, 바람직하게 50,000 내지 200,000인 것이 좋다.
다당류는 에칭액 조성물 총 100중량%에 대하여 10-9 내지 10중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 10-6 내지 1중량%인 것이 좋다. 함량이 상기 범위에 해당되는 경우 과에칭과 에칭 가속화를 효과적으로 방지할 수 있다. 함량이 10중량% 초과인 경우 알칼리 화합물에 의한 에칭 속도를 급격하게 저하시켜 원하는 미세 피라미드를 형성하기 어렵다.
또한, 본 발명의 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물은 계면활성제, 지방산 및 이의 알칼리 금속염, 실리카 함유 화합물 등을 1종 이상 더 포함할 수 있다.
물의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 반도체 공정용 탈이온 증류수로서 비저항값이 18㏁/㎝ 이상인 것이 좋다.
물은 결정성 에칭액 조성물 총 100중량%에 잔량으로 포함될 수 있다.
물의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 반도체 공정용 탈이온 증류수로서 비저항값이 18㏁/㎝ 이상인 것이 좋다.
이와 같이 구성된 에칭액 조성물을 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼를 침적, 분무 또는 침적 및 분무하는 단계를 포함하는 방법으로 미세 피라미드로 이루어진 구조의 표면을 형성할 수 있다. 침적과 분무의 횟수는 특별히 한정되지 않으며, 침적과 분무를 모두 수행하는 경우 그 순서도 한정되지 않는다. 또한, 침적, 분무 또는 침적 및 분무하는 단계는 50 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 60분 동안 수행될 수 있다. 이때, 딥방식, 분무방식 또는 매엽방식 등의 에칭 공정을 이용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예
실시예
1
수산화칼륨(KOH) 2중량%, N-비닐피롤리돈 0.1중량%, 알긴산나트륨(AANa) 0.02중량% 및 잔량의 탈이온 증류수를 혼합하여 에칭액 조성물을 제조하였다.
단결정 실리콘 웨이퍼 기판을 제조된 에칭액 조성물에 80℃의 온도로 20분 동안 침적시켜 텍스쳐 에칭하였다.
비교예
1
수산화칼륨(KOH) 2중량%, N-메틸피롤리돈 0.1중량%, 알긴산나트륨(AANa) 0.02중량% 및 잔량의 탈이온 증류수를 혼합하여 에칭액 조성물을 제조하였다.
단결정 실리콘 웨이퍼 기판을 제조된 에칭액 조성물에 80℃의 온도로 20분 동안 침적시켜 텍스쳐 에칭하였다.
시험예
상기 실시예 및 비교예에서 텍스쳐 에칭된 실리콘 웨이퍼 기판의 물성을 하기 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(1) 미세 피라미드 형상
단결정 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 형성된 미세 피라미드 구조의 형상을 주사전자현미경(Scanning electron microscope, SEM)을 이용하여 확인하였다.
(2)
텍스쳐
균일성
단결정 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 형성된 미세 피라미드 구조의 편차, 즉 균일성을 디지털 카메라, 3D 광학현미경 및 주사전자현미경(Scanning electron microscope, SEM)을 이용하여 육안으로 관찰하고, 하기 기준에 의거하여 평가하였다.
<평가기준>
◎: 웨이퍼 기판 전부에 피라미드 형성.
○: 웨이퍼 기판 일부에 피라미드 미형성(미형성 부분 5% 미만).
△: 웨이퍼 기판 일부에 피라미드 미형성(미형성 부분 5-50%).
×: 웨이퍼 기판 대부분에 피라미드 미형성(미형성 부분 90% 이상).
(3) 반사율(%)
단결정 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 UV 분광광도계를 이용하여 600㎚의 파장대를 갖는 광을 조사하였을 때의 반사율을 측정하였다.
도 4 및 5는 각각 실시예 1 및 비교예 1에서 텍스쳐 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼 기판의 표면을 나타낸 SEM 사진이다. 상세하게 살펴보면, 실시예 1에서 형성된 미세 피라미드는 한 정점으로부터 바닥면과 만나는 2개의 측변이 곡선 형태인, 즉 측면이 곡면인 형태로 형성되고, 그 크기도 작으면서 균일한 것을 알 수 있다.
반면, 비교예 1에서 형성된 미세 피라미드는 한 정점으로부터 바닥면과 만나는 2개의 측변이 직선 형태인, 즉 측면이 평평한 면인 형태로 형성되고, 그 크기도 실시예 1보다 큰 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 단결정 실리콘 웨이퍼는 이러한 미세 피라미드의 형상의 차이로 인해 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율은 더욱 낮출 수 있게 된다.
| 구분 | 텍스쳐 균일성 | 반사율(600㎚, %) |
| 실시예1 | ◎ | 9.31 |
| 비교예1 | ◎ | 10.96 |
위 표 1과 같이, 본 발명에 따라 곡면인 측면을 갖는 다수의 미세 피라미드가 표면에 형성된 실시예 1의 단결정 실리콘 웨이퍼 기판은 비교예 1의 기판과 비교하여 미세 피라미드 텍스쳐의 균일성이 우수할 뿐만 아니라 미세 피라미드의 형상으로 인해 비교예 1에 비해 광 반사율이 더욱 낮은 것을 확인하였다. 이를 통하여 광 효율을 더욱 높일 수 있게 된다.
Claims (16)
- 한 정점으로부터 바닥 면에 이르는 측면이 곡면인 피라미드가 반복 형성된 표면을 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 1에 있어서, 곡면은 피라미드의 중심부 쪽으로 볼록하도록 굴곡진 면인 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 1에 있어서, 식각용 마스크를 사용하지 않고 제조된 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 1에 있어서, 에칭액 조성물로 텍스쳐 에칭된 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 4에 있어서, 에칭액 조성물은 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량% 및 물 80 내지 99.9중량%를 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 5에 있어서, 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 5에 있어서, 에칭액 조성물은 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물 10-6 내지 10중량%를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 7에 있어서, 고리형 화합물은 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일카바졸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 단결정성 실리콘 웨이퍼.
- 청구항 5에 있어서, 에칭액 조성물은 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 다당류를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼.
- 식각용 마스크를 사용하지 않은 상태에서, 한 정점으로부터 바닥 면에 이르는 측면이 곡면인 피라미드가 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면에 반복 형성되도록, 에칭액 조성물로 상기 단결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 텍스쳐 에칭하는 단계를 포함하는 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서, 곡면은 피라미드의 중심부 쪽으로 볼록하도록 굴곡진 면인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 청구항 10에 있어서, 에칭액 조성물은 에칭액 조성물은 알칼리 화합물 0.1 내지 20중량% 및 물 80 내지 99.9중량%를 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 알칼리 화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화암모늄, 테트라히드록시메틸암모늄 및 테트라히드록시에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 에칭액 조성물은 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물 10-6 내지 10중량%를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 청구항 14에 있어서, 고리형 화합물은 N-비닐피페라진, N-비닐메틸피페라진, N-비닐에틸피페라진, N-비닐-N'-메틸피페라진, N-아크릴로일피페라진, N-아크릴로일-N'-메틸피페라진, N-비닐모르폴린, N-비닐메틸모르폴린, N-비닐에틸모르폴린, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐피페리돈, N-비닐메틸피페리돈, N-비닐에틸피페리돈, N-아크릴로일피페리돈, N-비닐피롤리돈, N-비닐메틸피롤리돈, N-비닐에틸-2-피롤리돈, N-아크릴로일피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-아크릴로일카바졸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
- 청구항 12에 있어서, 에칭액 조성물은 글루칸계 화합물, 프룩탄계 화합물, 만난계 화합물, 갈락탄계 화합물 및 이들의 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 다당류를 더 포함하는 것인 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120059966A KR101896619B1 (ko) | 2011-06-07 | 2012-06-04 | 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| TW101120055A TWI537437B (zh) | 2011-06-07 | 2012-06-05 | 單晶矽晶圓及其製備方法 |
| CN201280024299.3A CN103563093B (zh) | 2011-06-07 | 2012-06-07 | 单晶硅片及其制备方法 |
| PCT/KR2012/004479 WO2012169788A2 (ko) | 2011-06-07 | 2012-06-07 | 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110054569 | 2011-06-07 | ||
| KR20110054569 | 2011-06-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120135870A true KR20120135870A (ko) | 2012-12-17 |
Family
ID=47903484
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120059142A KR20120135870A (ko) | 2011-06-07 | 2012-06-01 | 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| KR1020120059966A KR101896619B1 (ko) | 2011-06-07 | 2012-06-04 | 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120059966A KR101896619B1 (ko) | 2011-06-07 | 2012-06-04 | 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR20120135870A (ko) |
| CN (1) | CN103563093B (ko) |
| TW (1) | TWI537437B (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465821B (zh) * | 2014-12-25 | 2017-11-24 | 胡明建 | 一种圆锥形等距矩阵排列太阳能板的设计方法 |
| TWI618261B (zh) * | 2016-12-07 | 2018-03-11 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 製造金字塔結構的蝕刻劑及蝕刻方法 |
| KR20220121317A (ko) | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 주식회사 솔라인 | 단결정 태양광 웨이퍼 모듈 구성 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3740138B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2006-02-01 | 直江津電子工業株式会社 | テクスチャー形成用エッチング液 |
| US7291280B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-11-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
| US8129212B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-03-06 | Applied Materials, Inc. | Surface cleaning and texturing process for crystalline solar cells |
| JP4937233B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2012-05-23 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池用基板の粗面化方法および太陽電池セルの製造方法 |
| US7955989B2 (en) * | 2009-09-24 | 2011-06-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Texturing semiconductor substrates |
| KR20110046308A (ko) * | 2009-10-26 | 2011-05-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐용 에칭액 조성물 |
| WO2011056948A2 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods of texturing surfaces for controlled reflection |
-
2012
- 2012-06-01 KR KR1020120059142A patent/KR20120135870A/ko unknown
- 2012-06-04 KR KR1020120059966A patent/KR101896619B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-05 TW TW101120055A patent/TWI537437B/zh active
- 2012-06-07 CN CN201280024299.3A patent/CN103563093B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103563093A (zh) | 2014-02-05 |
| KR101896619B1 (ko) | 2018-09-07 |
| KR20120135874A (ko) | 2012-12-17 |
| CN103563093B (zh) | 2016-05-25 |
| TW201307621A (zh) | 2013-02-16 |
| TWI537437B (zh) | 2016-06-11 |
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