WO2012113177A1 - 用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法 - Google Patents

用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012113177A1
WO2012113177A1 PCT/CN2011/073515 CN2011073515W WO2012113177A1 WO 2012113177 A1 WO2012113177 A1 WO 2012113177A1 CN 2011073515 W CN2011073515 W CN 2011073515W WO 2012113177 A1 WO2012113177 A1 WO 2012113177A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic light
light emitting
layer
emitting diode
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/CN2011/073515
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
狄国庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou University
Original Assignee
Suzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou University filed Critical Suzhou University
Priority to JP2013553764A priority Critical patent/JP2014509050A/ja
Publication of WO2012113177A1 publication Critical patent/WO2012113177A1/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations

Definitions

  • the invention relates to a Chinese patent which is submitted to the Chinese Patent Office on February 25, 2011, and whose application number is 201110046398.9, and whose invention name is "film-sealed organic light-emitting diode and its manufacturing method" Priority of the application, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
  • the present invention relates to the field of display and illumination technologies, and in particular, to an organic light emitting diode (OLED) using a film seal and a method of fabricating the same.
  • OLED organic light emitting diode
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the basic structure of the OLED device comprises two opposite electrode layers and an organic light-emitting material layer disposed between the two electrode layers, wherein one electrode layer is an anode, that is, a transparent electrode layer (usually an indium tin oxide film, ITO), The electrode layer is disposed on the substrate, and the other electrode layer is a cathode metal layer (such as an aluminum film layer); the organic light-emitting material layer is divided into two types. If the small-molecule OLED is used, the organic light-emitting material layer has a layered structure, that is, The hole transport layer, the light-emitting layer and the electron transport layer are composed. If the polymer OLED is used, the organic light-emitting material layer has a single-layer structure.
  • the OLED device obtains an appropriate power supply, holes and electrons are injected from the anode and the cathode into the organic light-emitting material layer, respectively, and radiation recombination occurs, and the outer layer of the organic light-emitting material layer absorbs the energy released by the carrier recombination. Excited state, radiation transition to achieve luminescence.
  • OLED technology is one of the most ideal display and illumination technologies
  • the current stage of OLED There are still many technical problems to be solved in technology, especially the working life of OLED products, which restricts the production and popularization of OLED products to a large extent.
  • an effective solution is to improve the packaging materials and technology of OLED products, because the organic materials of the organic luminescent material layer are very sensitive to water vapor and oxygen, even a very small amount of water vapor or oxygen corrosion will cause It exhibits extremely poor photochemical and electrochemical stability, while the active cathode metal layer also reacts with oxygen, greatly reducing the working life of OLED products.
  • packaging techniques include: using a UV-curable epoxy curing agent as a binder, bonding a glass or plastic cover as a cover material to a cathode metal layer for packaging, and adding a desiccant to the cover; or The polymer film is used for packaging.
  • the above packaging technology has the defects of low vacuum and complicated process, and the glass or plastic cover has poor characteristics of blocking water vapor or oxygen, and the isolation effect of the organic material from water vapor and oxygen after packaging is still not satisfactory to improve the OLED product. Working life requirements. Therefore, packaging materials and technologies for OLED products require further research and improvement. Summary of the invention
  • an object of the present invention is to provide an organic light emitting diode having a better packaging effect and a manufacturing method thereof for improving the isolation effect of an organic material of an organic light emitting diode from moisture and oxygen, and improving the operation of the organic light emitting diode. life.
  • OLED organic light emitting diode
  • the sealing layer is a tantalum pentoxide (Ta 2 0 5 ) film.
  • the ruthenium pentoxide film has a thickness of 50 nm to 500 nm.
  • the organic light emitting diode further includes:
  • the flexible plastic film, sheet PC plastic or glass is cured by an ultraviolet curing epoxy curing agent
  • the tantalum pentoxide film is surface bonded to form a flexible or rigid (OLED) device.
  • the organic luminescent material layer is a single luminescent layer structure, or a layered structure in which a multi-color luminescent layer is superposed.
  • Embodiments of the present invention also provide a method for fabricating an organic light emitting diode using a film seal, including:
  • a transparent electrode layer, an organic light emitting material layer and a cathode metal layer are sequentially formed on the substrate; and a tantalum pentoxide film is formed on the cathode metal layer.
  • the tantalum pentoxide film is formed by a magnetron sputtering coating process.
  • the magnetron sputtering coating process is specifically:
  • the ruthenium pentoxide oxide target was directly sputtered using RF magnetron sputtering.
  • the magnetron sputtering coating process is specifically:
  • the ruthenium metal target is sputtered in an oxygen-containing atmosphere using direct current or intermediate frequency magnetron sputtering.
  • the antimony pentoxide film is formed by a magnetron sputtering coating process at room temperature.
  • the transparent electrode layer and the cathode metal layer are formed by a vacuum coating process; after the transparent electrode layer is formed, the organic light-emitting material layer is formed by a vacuum coating process or by introducing a normal pressure dry nitrogen gas by a solution coating process.
  • a tantalum pentoxide film having high geometric density and optical density and a flat surface is formed on the cathode metal layer of the organic light emitting diode to seal the organic material inside the device.
  • the contact of the organic material with water vapor and oxygen is isolated, and the single-layer process of the invention can obtain an organic light-emitting diode with good sealing and good working life and long working life.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of an organic light emitting diode according to Embodiment 1;
  • FIG. 2 is a schematic flow chart of a method for fabricating an organic light emitting diode according to Embodiment 2.
  • the embodiment of the invention provides an organic light emitting diode using a film sealing and a manufacturing method thereof.
  • the organic light emitting diode includes: a substrate; a transparent electrode layer, an organic light emitting material layer and a cathode metal layer sequentially formed on the substrate; a sealing layer formed on the cathode metal layer; and the sealing layer is tantalum pentoxide (Ta 2 0 5 )film.
  • the method for fabricating an organic light emitting diode includes: providing a substrate; sequentially forming a transparent electrode layer, an organic light emitting material layer and a cathode metal layer on the substrate; and forming a tantalum pentoxide film on the cathode metal layer.
  • a tantalum pentoxide film having high geometric density and optical density and a flat surface is formed on the cathode metal layer of the organic light emitting diode to seal the organic material inside the device.
  • the organic material and the water vapor and the oxygen are isolated, and the single-layer process of the invention can obtain an organic light-emitting diode having a good sealing and a long working life.
  • the embodiment provides an organic light emitting diode with a better packaging effect.
  • FIG. 1 it is a schematic structural diagram of the organic light emitting diode, which specifically includes:
  • a transparent electrode layer 102, an organic luminescent material layer 103 and a cathode metal layer 104 are sequentially formed on the substrate;
  • the sealing layer 105 is a tantalum pentoxide (Ta 2 0 5 ) film.
  • the substrate 101 may include a transparent substrate and an isolation layer.
  • the transparent electrode 102 is formed on the isolation layer.
  • the transparent substrate is usually a glass or a flexible plastic film.
  • the transparent electrode layer 102 that is, the anode of the organic light emitting diode, is also referred to as a lower electrode. Since the light is to be emitted through the transparent electrode layer 102, the layer is usually selected from an indium tin oxide film (ITO).
  • ITO indium tin oxide film
  • the organic light-emitting material layer 103 is divided into two types. If it is a small-molecule OLED, the organic light-emitting material layer has a layered structure, that is, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer. If it is a polymer OLED, it is organic.
  • the luminescent material layer is a single layer structure or a superposition of a multi-color single layer.
  • the cathode metal layer 104 is also referred to as an upper electrode, which is usually an aluminum thin film layer or an alloy thin film layer or the like.
  • the tantalum pentoxide film has high geometric density and optical density, and has a flat surface, which is very suitable as a sealing layer for insulating organic materials from water vapor and oxygen.
  • the thickness of the tantalum pentoxide film may preferably be between 50 nm and 500 nm.
  • the transparent electrode layer 102 may be further included to form the sub-pixels by isolating the strip-shaped transparent electrodes.
  • the organic light emitting diode may further include: a flexible plastic film, a sheet of PC plastic or glass;
  • the flexible plastic film, sheet-like PC plastic or glass is bonded to the tantalum pentoxide film surface by an ultraviolet curing epoxy curing agent.
  • a flexible or rigid OLED device can be obtained by gluing a flexible plastic film, sheet-like PC plastic or glass on the surface of the tantalum pentoxide film.
  • 106 is a transparent or opaque flexible plastic film, sheet-like PC plastic or glass.
  • the cathode metal layer is covered with a tantalum pentoxide film having high geometric density and optical density and a flat surface to seal the organic material inside the device, and the organic material is isolated. Water vapor and oxygen, the organic light emitting diode generates a process cartridge, and has a good sealing effect of the organic material, which can effectively improve the working life of the organic light emitting diode.
  • Embodiment 2 is a diagrammatic representation of Embodiment 1:
  • the present embodiment provides a method for manufacturing such an organic light emitting diode. As shown in FIG. 2, it is a schematic flowchart of the method, which includes the following steps:
  • Step S201 providing a substrate; wherein the substrate may include a transparent substrate and a separation layer, and the transparent substrate is usually a glass or a flexible plastic film.
  • Step S202 sequentially forming a transparent electrode layer, an organic luminescent material layer and a cathode metal layer on the substrate;
  • Step S203 forming a tantalum pentoxide film on the cathode metal layer.
  • the transparent electrode layer may be formed on the isolation layer of the substrate, and specifically, may be formed by a vacuum plating process.
  • the transparent electrode layer may specifically be an Indium Tin Oxides (ITO) film.
  • the organic light-emitting material layer is formed by a vacuum coating process or by introducing a normal pressure dry nitrogen gas by a solution coating process.
  • the cathode metal layer may also be formed by a vacuum coating process, and may specifically be an aluminum thin film layer or an alloy thin film layer.
  • the antimony pentoxide film may be formed by a process such as thermal oxidation, chemical vapor deposition, ion beam sputtering, magnetron sputtering, electron beam evaporation or pulsed laser deposition, wherein the radio frequency magnetron sputtering is performed. It has the advantages of large film forming area, single process, suitable for continuous production, and the like, and is the preferred method adopted in the present embodiment.
  • a ruthenium pentoxide oxide target can be directly sputtered in a pure Ar or an oxygen-doped atmosphere by RF magnetron sputtering to form a pentoxide.
  • a tantalum film; or a tantalum metal target is sputtered in an oxygen-containing atmosphere using direct current or medium frequency magnetron sputtering to form a tantalum pentoxide film.
  • sputtering power and oxygen are two important parameters for preparing a tantalum pentoxide film
  • a film having a smooth surface and a high density is obtained.
  • the magnetron sputtering coating process is performed under a room temperature environment.
  • the thickness of the deposited tantalum pentoxide film it is preferable to control the thickness of the deposited tantalum pentoxide film to be between 50 nm and 500 nm by controlling the sputtering power and time.
  • the method may further include: bonding a flexible plastic film, a sheet of PC plastic or glass to the surface of the ruthenium pentoxide film, and bonding the glue
  • the agent may be an epoxy resin, and through the above steps, a flexible or rigid OLED device can be obtained.
  • a tantalum pentoxide film having a high geometric density and an optical density and having a flat surface is formed on the cathode metal layer to seal the organic material inside the device.
  • the organic material and the water vapor and the oxygen, the method has a single process, and can obtain the organic light-emitting with the better sealing effect of the organic material and the high working life. Diode.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法 本申请要求于 2011 年 2 月 25 日提交中国专利局、 申请号为 201110046398.9、发明名称为"用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法" 的中国专利申请的优先权， 其全部内容通过引用结合在本申请中。 技术领域
本发明涉及显示及照明技术领域， 尤其涉及一种采用薄膜密封的有机 发光二极管 （OLED )及其制造方法。
背景技术
OLED ( Organic Light-Emitting Diode, 有机发光二极管）与其它照明 及显示产品相比， 具有超轻薄、 抗震性好、 视角广、 操作温度宽、 对比度 高和柔性显示等优点， 同时兼有节能环保、 高效、 低成本等潜在优势， 被 公认为理想的显示和照明产品。 随着 OLED技术的不断提高， OLED产品 的工作寿命也有较大的提高， 使其在显示和照明领域逐渐进入商业化的应 用，尤其在显示器、电子广告牌、手机和 GPS等设备上得到的广泛的使用。 OLED技术已经成为了显示及照明技术领域的一个重要的研究发展方向。
OLED器件的基本结构包括两个相对设置的电极层以及设置在两个电 极层之间的有机发光材料层， 其中一个电极层为阳极， 即透明电极层（通 常为氧化铟锡薄膜， ITO ),设置在基板上，另一个电极层为阴极金属层（如 铝薄膜层）； 所述有机发光材料层分为两种类型， 若是小分子 OLED, 则有 机发光材料层为层状结构， 即由空穴传输层、 发光层和电子传输层组成， 若是高分子 OLED,则有机发光材料层为单层结构。 当 OLED器件获取到 适当的电力供应时， 空穴和电子分别从阳极和阴极注入到有机发光材料 层， 并发生辐射复合， 有机发光材料层的外层电子吸收载流子复合释放的 能量后处于激发态， 辐射跃迁实现发光。
虽然 OLED技术是最理想的显示和照明技术之一， 但现阶段的 OLED 技术仍然存在许多待解决的技术难题， 特别是 OLED产品的工作寿命， 在 很大程度上制约着 OLED产品的生产和普及应用进程。为提高 OLED产品 工作寿命， 一种有效的解决办法是改善 OLED产品的封装材料和技术， 这 是因为有机发光材料层的有机材料对水汽和氧气非常敏感， 即使极少量的 水汽或氧气侵蚀都会导致其表现出极差的光化学和电化学稳定性， 同时活 泼的阴极金属层也会与氧反应，极大地缩短 OLED产品的工作寿命。 目前， 常用的封装技术包括： 使用紫外固化环氧固化剂作为粘合剂， 将玻璃或塑 料封盖作为覆盖材料粘合到阴极金属层外进行封装， 并在封盖内加装干燥 剂； 或者使用聚合物薄膜进行封装。 但是上述封装技术存在真空度较低， 工艺复杂等缺陷， 且玻璃或塑料封盖阻挡水汽或氧气的特性较差， 封装后 有机材料与水汽和氧气的隔绝效果仍然无法较好的满足提高 OLED产品工 作寿命的要求。 因此 OLED产品的封装材料和技术需要进一步的研究和改 善。 发明内容
为解决上述技术问题， 本发明的目的在于提供一种具有较好封装效果 的有机发光二极管以及其制造方法， 以改进有机发光二极管的有机材料与 水汽和氧气的隔绝效果， 提高有机发光二极管的工作寿命。
为此， 本发明实施例提供了如下技术方案：
一种采用薄膜密封的有机发光二极管 (OLED), 包括：
基板；
基板上依次形成的透明电极层、 有机发光材料层和阴极金属层； 阴极金属层上形成的密封层；
所述密封层为五氧化二钽（Ta205 ) 薄膜。
优选的， 所述五氧化二钽薄膜的厚度为 50nm~500nm。
优选的， 所述有机发光二极管， 还包括：
柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃；
所述柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃通过紫外固化环氧固化剂与 五氧化二钽薄膜面胶合、 形成柔性的或刚性的（OLED)器件。
优选的， 所述有机发光材料层为单发光层结构， 或多色发光层叠加的 层状结构。
本发明实施例还提供了一种采用薄膜密封的有机发光二极管制造方 法， 包括：
提供基板；
在基板上依次形成透明电极层、 有机发光材料层和阴极金属层； 在阴极金属层上形成五氧化二钽薄膜。
优选的， 采用磁控溅射镀膜工艺形成所述五氧化二钽薄膜。
优选的， 所述磁控溅射镀膜工艺具体为：
使用射频磁控溅射直接溅射五氧化二钽氧化物靶材。
优选的， 所述磁控溅射镀膜工艺具体为：
使用直流或中频磁控溅射在含氧气氛中溅射钽金属靶材。
优选的， 在室温下采用磁控溅射镀膜工艺形成所述五氧化二钽薄膜。 优选的， 采用真空镀膜工艺形成所述透明电极层和阴极金属层； 透明电极层形成后， 采用真空镀膜工艺， 或导入常压干燥氮气中、 采 用溶液涂覆工艺形成所述有机发光材料层。
与现有技术相比， 上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的技术方案， 在有机发光二极管的阴极金属层上 形成了具有高几何致密度和光学致密度、 且表面平坦的五氧化二钽薄膜， 以密封该器件内部的有机材料， 隔绝所述有机材料与水汽和氧气的接触， 该方案工艺筒单， 可以得到具有密封隔绝效果好、 工作寿命长的有机发光 二极管。
附图说明 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员 来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附 图。
图 1为实施例一提供的有机发光二极管结构示意图；
图 2为实施例二提供的有机发光二极管制造方法流程示意图。
具体实施方式
为了改进有机发光二极管的有机材料与水汽和氧气的隔绝效果， 提高 有机发光二极管的工作寿命， 本发明实施例提供了一种采用薄膜密封的有 机发光二极管及其制造方法。
所述有机发光二极管包括： 基板； 基板上依次形成的透明电极层、 有 机发光材料层和阴极金属层； 阴极金属层上形成的密封层； 所述密封层为 五氧化二钽（Ta205 )薄膜。
所述有机发光二极管制造方法， 包括： 提供基板； 在基板上依次形成 透明电极层、 有机发光材料层和阴极金属层； 在阴极金属层上形成五氧化 二钽薄膜。
本发明实施例所提供的技术方案， 在有机发光二极管的阴极金属层上 形成了具有高几何致密度和光学致密度、 且表面平坦的五氧化二钽薄膜， 以密封该器件内部的有机材料， 隔绝所述有机材料与水汽和氧气， 该方案 工艺筒单，可以得到具有密封隔绝效果好、工作寿命长的有机发光二极管。
以上是本申请的核心思想， 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本 发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例 仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施 例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例， 都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明， 但是本 发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施， 本领域技术人员 可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广， 因此本发明不受下面公开 的具体实施例的限制。
其次， 本发明结合示意图进行详细描述， 在详述本发明实施例时， 为 便于说明， 表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大， 而且所述 示意图只是示例， 其在此不应限制本发明保护的范围。 此外， 在实际制作 中应包含长度、 宽度及深度的三维空间尺寸。 实施例一：
本实施例提供了一种具有较好封装效果的有机发光二极管， 如图 1所 示， 为该有机发光二极管的一种结构示意图， 其具体包括：
基板 101 ;
基板上依次形成的透明电极层 102、 有机发光材料层 103和阴极金属 层 104;
阴极金属层上形成的密封层 105;
所述密封层 105为五氧化二钽（ Ta205 )薄膜。
其中， 所述基板 101可以包括透明村底和隔离层， 所述透明电极 102 形成于所述隔离层上， 所述透明村底通常为玻璃或柔性塑料薄膜。
所述透明电极层 102即有机发光二极管的阳极， 又称下电极。 由于光 线要透过透明电极层 102射出， 因此该层通常选氧化铟锡薄膜（ ITO )。
所述有机发光材料层 103分为两种类型， 若是小分子 OLED, 则有机 发光材料层为层状结构， 即由空穴传输层、 发光层和电子传输层组成， 若 是高分子 OLED, 则有机发光材料层为单层结构或多色单层的叠加。
所述阴极金属层 104又称上电极，其通常为铝薄膜层或合金薄膜层等。 五氧化二钽薄膜具有高几何致密度和光学致密度、 且表面平坦， 十分 适用于作为隔绝有机材料与水汽和氧气的密封层。 五氧化二钽薄膜的厚度 较佳的可以在 50nm~500nm之间。
同时，当所述有机发光二极管用于显示文字和图像时，透明电极层 102 上可以还包括横竖相间的网格状绝缘层，以隔离条状透明电极形成子像素。 此外， 在实际应用中， 根据需求， 所述有机发光二极管， 还可以包括： 柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃；
所述柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃通过紫外固化环氧固化剂胶 合在五氧化二钽薄膜面上。
通过五氧化二钽薄膜面上胶合柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃， 可以得到柔性的或刚性的 OLED器件。 如图 1所示， 其中 106为透明或不 透明的柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃。
本实施例提供的有机发光二极管， 阴极金属层上覆盖有具有高几何致 密度和光学致密度、 且表面平坦的五氧化二钽薄膜， 以密封该器件内部的 有机材料， 隔绝所述有机材料与水汽和氧气， 该有机发光二极管生成工艺 筒单， 且具有较好的有机材料密封隔绝效果， 能够有效的提高有机发光二 极管的工作寿命。
实施例二：
相应于实施例一提供的有机发光二极管， 本实施例提供了一种制造该 类有机发光二极管的方法， 如图 2所示， 为该方法的一种流程示意图， 其 包括以下步骤：
步骤 S201 , 提供基板； 其中， 所述基板可以包括透明村底和隔离层， 所述透明村底通常为玻璃或柔性塑料薄膜。
步骤 S202, 在基板上依次形成透明电极层、 有机发光材料层和阴极金 属层；
步骤 S203, 在阴极金属层上形成五氧化二钽薄膜。
上述步骤 S202中， 所述透明电极层可以形成于所述基板的隔离层上， 具体的， 可以采用真空镀膜工艺形成。 所述透明电极层具体可以为氧化铟 锡薄膜（ Indium Tin Oxides, ITO )。
在透明电极层制备完毕后， 采用真空镀膜工艺， 或导入常压干燥氮气 中、 采用溶液涂覆工艺形成所述有机发光材料层。 上述阴极金属层也可以采用真空镀膜工艺形成， 其具体可以为铝薄膜 层或合金薄膜层等。
上述步骤 S203, 所述五氧化二钽薄膜可以由热氧化、 化学气相沉积、 离子束溅射、 磁控溅射、 电子束蒸发或脉沖激光沉积等工艺制备形成， 其 中， 由于射频磁控溅射具有成膜面积大、 工艺筒单、 适合连续生成等优点， 为本实施例中采用的优选方法。
在上述采用磁控溅射工艺制备五氧化二钽薄膜的工艺中， 可以采用射 频磁控溅射在纯 Ar或掺氧气氛下直接溅射五氧化二钽氧化物靶材，淀积形 成五氧化二钽薄膜； 或者使用直流或中频磁控溅射在含氧气氛中溅射钽金 属靶材， 淀积形成五氧化二钽薄膜。
由于溅射功率和氧气是制备五氧化二钽薄膜的两个重要参数， 本实施 例中较佳的可以采用低溅射功率和含氧工作气体的工作环境， 以减少五氧 化二钽薄膜缺陷、 得到表面平整和高致密度的薄膜。
同时， 为了避免高温处理带来的整个制备工艺过程长而复杂， 不同功 能薄膜层之间的成分扩散、 在界面处形成另外的化合物， 产生新的不利因 素， 影响薄膜器件的结构、 弱化它的功能和性能等缺陷， 本实施例提供的 方法中， 在室温环境下进行所述磁控溅射镀膜制程。
本实施例中， 较佳的可以通过控制溅射功率和时间， 控制淀积形成的 五氧化二钽薄膜的厚度以在 50nm~500nm之间。
此外， 在形成五氧化二钽薄膜之后， 根据实际应用需求， 还可以包括： 将柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃胶合在所述五氧化二钽薄膜面 上， 所述胶合使用的粘合剂可以为环氧树脂胶， 通过上述步骤， 可以得到 柔性的或刚性的 OLED器件。
本实施例提供的有机发光二极管制造方法中， 在阴极金属层上形成了 具有高几何致密度和光学致密度、 且表面平坦的五氧化二钽薄膜， 以密封 该器件内部的有机材料， 隔绝所述有机材料与水汽和氧气， 该方法工艺筒 单， 可以得到具有较好有机材料密封隔绝效果， 较高工作寿命的有机发光 二极管。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述， 每个部分重点说明的都是 与其他部分的不同之处， 各个部分之间相同相似部分互相参见即可。 对所 公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的， 本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下， 在 其它实施例中实现。 因此， 本发明将不会被限制于本文所示的实施例， 而 是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims

权 利 要 求
1、 一种用薄膜密封的有机发光二极管 (OLED), 其特征在于， 包括： 基板；
基板上依次形成的透明电极层、 有机发光材料层和阴极金属层； 阴极金属层上形成的密封层；
所述密封层为五氧化二钽（Ta205 ) 薄膜。
2、 根据权利要求 1所述的有机发光二极管， 其特征在于：
所述五氧化二钽薄膜的厚度为 50nm~500nm。
3、 根据权利要求 1所述的有机发光二极管， 其特征在于， 还包括： 柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃；
所述柔性塑料薄膜、 片状 PC塑料或玻璃通过紫外固化环氧固化剂与 五氧化二钽薄膜面胶合、 形成柔性的或刚性的（OLED)器件。
4、 根据权利要求 1所述的有机发光二极管， 其特征在于：
所述有机发光材料层为单发光层结构，或多色发光层叠加的层状结构。
5、一种采用薄膜密封的有机发光二极管制造方法，其特征在于， 包括： 提供基板；
在基板上依次形成透明电极层、 有机发光材料层和阴极金属层； 在阴极金属层上形成五氧化二钽薄膜。
6、 根据权利要求 5所述的有机发光二极管制造方法， 其特征在于： 采用磁控溅射镀膜工艺形成所述五氧化二钽薄膜。
7、根据权利要求 6所述的有机发光二极管制造方法， 其特征在于， 所 述磁控溅射镀膜工艺具体为：
使用射频磁控溅射直接溅射五氧化二钽氧化物靶材。
8、根据权利要求 6所述的有机发光二极管制造方法， 其特征在于， 所 述磁控溅射镀膜工艺具体为：
使用直流或中频磁控溅射在含氧气氛中溅射钽金属靶材。
9、 根据权利要求 6所述的有机发光二极管制造方法， 其特征在于： 在室温下采用磁控溅射镀膜工艺形成所述五氧化二钽薄膜。
10、 根据权利要求 5所述的有机发光二极管制造方法， 其特征在于： 采用真空镀膜工艺形成所述透明电极层和阴极金属层；
透明电极层形成后， 采用真空镀膜工艺， 或导入常压干燥氮气中、 采 用溶液涂覆工艺形成所述有机发光材料层。
PCT/CN2011/073515 2011-02-25 2011-04-29 用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法 Ceased WO2012113177A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013553764A JP2014509050A (ja) 2011-02-25 2011-04-29 薄膜により封止された有機発光ダイオード及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110046398.9 2011-02-25
CN201110046398.9A CN102651453B (zh) 2011-02-25 2011-02-25 用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012113177A1 true WO2012113177A1 (zh) 2012-08-30

Family

ID=46693395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2011/073515 Ceased WO2012113177A1 (zh) 2011-02-25 2011-04-29 用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2014509050A (zh)
CN (1) CN102651453B (zh)
WO (1) WO2012113177A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985826A (zh) * 2014-05-30 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 Oled基板的封装方法及oled结构
CN113078247B (zh) * 2021-03-26 2022-08-09 厦门乾照光电股份有限公司 一种发光二极管

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101027798A (zh) * 2004-09-23 2007-08-29 3M创新有限公司 受保护的聚合物膜
CN101819985A (zh) * 2009-02-26 2010-09-01 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6443995A (en) * 1987-08-10 1989-02-16 Tosoh Corp Membranous el panel
JPH05234679A (ja) * 1992-02-24 1993-09-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 薄膜発光素子
JP2004103334A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
JP4651918B2 (ja) * 2003-05-21 2011-03-16 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法
JP4703108B2 (ja) * 2003-09-10 2011-06-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光素子基板およびそれを用いた発光素子
WO2006109526A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-19 Pioneer Corporation 有機ｅｌ表示装置、有機トランジスタ、これらの製造方法
DE102006060781B4 (de) * 2006-09-29 2021-09-16 Pictiva Displays International Limited Organisches Leuchtmittel
CN101894923B (zh) * 2009-05-19 2012-03-21 上海宏源照明电器有限公司 有机发光半导体器件封装方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101027798A (zh) * 2004-09-23 2007-08-29 3M创新有限公司 受保护的聚合物膜
CN101819985A (zh) * 2009-02-26 2010-09-01 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YU QING RONG ET AL.: "Insulating Properties of Ta2O5 Film Formed by IBS.", MICROFABRICATION TECHNOLOGY., December 2002 (2002-12-01), pages 58 - 60 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014509050A (ja) 2014-04-10
CN102651453B (zh) 2015-03-25
CN102651453A (zh) 2012-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4185006B2 (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US10333105B2 (en) Organic light emitting display packaging structure and manufacturing method thereof
US20160343969A1 (en) Flexible oled display device and manufacture method thereof
US9831465B2 (en) Optoelectronic component and method for producing same
US9620568B2 (en) Display substrate, fabricating method thereof and display apparatus
CN102437288A (zh) 有机电致发光器件的封装结构
US20190386241A1 (en) Organic light-emitting diode display and method for fabricating the same
CN103633251B (zh) 光取出部件及应用其的有机电致发光器件及制备方法
CN104600092A (zh) Oled触控显示装置及其制造方法
CN101662000A (zh) 有机电致发光元件及其制造方法
WO2017161628A1 (zh) Oled基板的封装方法与oled封装结构
WO2016009958A1 (ja) 有機電界発光素子
JP2004342515A (ja) 封止構造
JPWO2013051358A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、面状発光体、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN201243391Y (zh) 一种有机电致发光显示器
JP4808772B2 (ja) 電子発光装置
WO2019200668A1 (zh) 一种oled的封装结构及封装方法
WO2012113177A1 (zh) 用薄膜密封的有机发光二极管及其制造方法
US20190334124A1 (en) Oled packaging structure and oled display panel
CN108538905B (zh) Oled发光器件及oled显示装置
JP2017195131A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
KR101465620B1 (ko) 유기발광소자의 봉지방법
JP2002008855A (ja) 有機ｅｌパネル
KR101006453B1 (ko) 유기전계 발광소자의 형성방법
CN210379051U (zh) Oled发光面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11859122

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013553764

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11859122

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1