WO2012102218A1 - 有機発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2012102218A1
WO2012102218A1 PCT/JP2012/051287 JP2012051287W WO2012102218A1 WO 2012102218 A1 WO2012102218 A1 WO 2012102218A1 JP 2012051287 W JP2012051287 W JP 2012051287W WO 2012102218 A1 WO2012102218 A1 WO 2012102218A1
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WO
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organic light
light emitting
lower electrode
bank
emitting device
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PCT/JP2012/051287
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English (en)
French (fr)
Inventor
俊一郎 信木
荒谷　介和
石原　慎吾
笠井　成彦
Original Assignee
株式会社日立製作所
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils

Definitions

  • the present invention relates to an organic light emitting device and a method for manufacturing the same.
  • Patent Document 1 discloses the following technique. That is, it is intended to efficiently manufacture an organic EL light-emitting device having a configuration in which a plurality of light-emitting segments are connected in series by omitting an operation of coating an organic EL light-emitting layer using a vapor deposition mask. Conductor portions are respectively formed on the first electrodes at the boundary portions of the light emitting segments, the organic EL light emitting layer and the second electrode are respectively stacked on the first electrodes, and the conductor portions are the first electrodes in the adjacent light emitting segments. This is an organic EL light emitting element that functions to electrically connect the second electrode and the second electrode. As a result, each light emitting segment is connected in series.
  • Patent Document 2 discloses the following technique. That is, to provide an organic light emitting device (OLED) device with less harmful effects due to series resistance and short circuit defects, a plurality of OLEDs including a substrate and including bottom electrodes arranged at intervals on the substrate. Each of the OLEDs includes at least one organic layer extending beyond one edge of the corresponding spaced apart bottom electrode, and each of the OLEDs is spaced from the other top electrode.
  • OLED organic light emitting device
  • the OLEDs are connected in series by including a top electrode arranged in parallel and extending in electrical contact with the spaced apart bottom electrodes of adjacent OLEDs, and for each OLED A current flows between the top electrode and the bottom electrode arranged at the interval, and the OLED is arranged at an interval from the bottom electrode arranged at the interval of the OLED. It was current flows to the upper electrode, thus an organic light emitting device units power loss due to series resistance is to decrease. Moreover, a built-in shadow mask for forming an upper electrode and an organic layer without using a mask is disclosed (FIG. 7 of Patent Document 2).
  • An object of the present invention is to improve manufacturing efficiency by omitting a vapor deposition mask when forming an organic light emitting layer and an upper electrode of an organic light emitting device having a structure in which a plurality of light emitting segments are connected in series.
  • the present invention provides a first organic light emitting device in which a substrate, a first lower electrode, a first organic light emitting layer, and a first upper electrode are laminated in this order, a second lower electrode, and a second organic light emitting layer. And a second organic light emitting device in which the second upper electrode is laminated in this order, an asymmetric bank is provided on the surface of the second lower electrode and faces the first organic light emitting device Between the side surface portion of the second lower electrode and the side surface portion where the normal line on the surface of the second lower electrode intersects the side surface portion between the side surface portion of the asymmetric bank and the first organic light emitting layer. The region is provided with a first upper electrode, and the first upper electrode and the second lower electrode are in electrical contact with each other in this region.
  • an evaporation mask can be omitted when forming an organic light emitting layer and an upper electrode of an organic light emitting device, and an organic light emitting device having a configuration in which a plurality of divided light emitting segments are connected in series is efficiently manufactured. can do.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. It is sectional drawing which shows the state which patterned the lower electrode of the organic light-emitting device of an Example. It is sectional drawing which shows the state which formed the lower layer part of the asymmetric bank of the organic light-emitting device of an Example. It is sectional drawing which shows the state which formed the upper layer part of the asymmetric bank of the organic light-emitting device of an Example. It is sectional drawing which shows the state in which the organic light emitting layer of the organic light emitting device of the Example was formed.
  • the organic light emitting device includes a substrate, a first lower electrode, a first organic light emitting layer, and a first organic light emitting element in which a first upper electrode is laminated in this order, a second lower electrode, and a second organic light emitting device. And a second organic light emitting device in which a light emitting layer and a second upper electrode are laminated in this order, and an asymmetric bank is provided on the surface of the second lower electrode, and the first organic light emitting device and the second organic light emitting device are provided.
  • the light emitting element is disposed on the surface of the substrate, the first organic light emitting element and the second organic light emitting element are electrically connected in series, and the side surface portion of the asymmetric bank facing the first organic light emitting element In the region between the side surface portion of the second lower electrode where the normal line on the surface of the second lower electrode intersects with the side surface portion, and the side surface portion.
  • One upper electrode is provided, and the first upper electrode and the second lower electrode are electrically connected in the region. It is touching.
  • the above-mentioned area is a three-dimensional space area and includes its boundary surface.
  • the side surface portion has a reverse tapered portion.
  • the opposite side surface portion of the asymmetric bank located on the opposite side of the side surface portion has a forward taper portion.
  • the second lower electrode and the second upper electrode are electrically separated.
  • the region has a gap.
  • the void portion refers to a gas phase portion where no solid member exists.
  • an end hidden bank that covers the ends of the first lower electrode and the second lower electrode is provided between the first lower electrode and the second lower electrode.
  • the edge hidden bank and the asymmetric bank are preferably made of the same material.
  • an opening of the second lower electrode is provided in the region.
  • the width of the contact surface where the first upper electrode and the second lower electrode are in electrical contact is preferably 300 nm to 1 mm.
  • the shortest distance between the first organic light emitting layer and the upper end portion of the side surface portion is 300 nm to 1 mm.
  • the asymmetric bank has a step on its upper surface, and the second upper electrode is electrically separated into two by this step.
  • an angle formed between the side surface portion and the second lower electrode is 30 to 88 degrees.
  • an angle formed between the opposite side surface portion of the asymmetric bank located on the opposite side of the side surface portion and the second lower electrode is 90 to 150 degrees.
  • the orthogonal projection of the upper end portion of the side surface portion with respect to the surface of the second lower electrode is on the surface of the second lower electrode.
  • the organic light emitting device includes a plurality of organic light emitting element groups including a first organic light emitting element and a second organic light emitting element, and these organic light emitting element groups are electrically connected in parallel, and a plurality of organic light emitting element groups are provided. It is desirable that different light can be emitted from each of the light emitting element groups.
  • the manufacturing method of the organic light emitting device includes a substrate, a first lower electrode, a first organic light emitting layer, a first organic light emitting layer and a first upper electrode laminated in this order, a second lower electrode, And a second organic light-emitting element in which two organic light-emitting layers and a second upper electrode are laminated in this order, and a method of manufacturing an organic light-emitting device in which an asymmetric bank is provided on the surface of the second lower electrode.
  • first lower electrode and a second lower electrode Forming a first lower electrode and a second lower electrode on the surface of the substrate, forming a lower layer portion of the asymmetric bank on the surface of the second lower electrode, and the first lower electrode and the second lower electrode And a step of heat-treating the substrate provided with the lower layer portion, a step of forming the upper layer portion of the asymmetric bank on the surface of the lower layer portion, a first organic light emitting layer on the surface of the first lower electrode, and a second Forming a second organic light emitting layer on the surface of the lower electrode of Forming a first upper electrode on the surface of the first organic light-emitting layer and forming a second upper electrode on the surface of the second organic light-emitting layer, and facing the first organic light-emitting element Between the side surface of the second lower electrode and the side surface portion between the side surface portion of the asymmetric bank and the first organic light emitting layer, and the normal line on the surface of the second lower electrode intersects the side surface portion.
  • the upper layer portion of the asymmetric bank is preferably formed by exposure using ultraviolet rays.
  • the first organic light emitting layer and the second organic light emitting layer are preferably formed by a vacuum deposition method.
  • the first upper electrode and the second upper electrode are preferably formed by sputtering, chemical vapor deposition, or ion plating.
  • the characteristics of the organic light emitting device can be rephrased as follows.
  • the organic light emitting device includes a substrate, a first lower electrode formed on the surface of the substrate, a first organic light emitting layer formed on the surface of the first lower electrode, and a first organic light emission.
  • a first organic light emitting device having a first upper electrode formed on the surface of the layer; a second lower electrode formed on the surface of the substrate; and a first organic light emitting element formed on the surface of the second lower electrode.
  • a second organic light emitting device comprising: a second organic light emitting layer; a second upper electrode formed on the surface of the second organic light emitting layer; and an asymmetric bank formed on the surface of the second lower electrode.
  • the first organic light emitting element and the second organic light emitting element are connected in series, and the side surface of the asymmetric bank where the first organic light emitting element exists is reversely tapered, and is asymmetric
  • the side of the bank where the first organic light-emitting element does not exist is a forward taper
  • the first upper electrode and the second upper electrode are electrically disconnected
  • the first upper electrode and the second lower electrode are electrically conductive.
  • the second lower electrode and the second upper electrode are electrically separated from each other, and the first side is located on the side where the asymmetric bank exists from the end of the reverse taper portion of the asymmetric bank.
  • the upper electrode of wraps around.
  • an end hidden bank is further provided.
  • the end hidden bank covers the ends of the first lower electrode and the second lower electrode, and the material of the end hidden bank Desirably, the material of the asymmetric bank is the same.
  • an opening is formed below the ridge of the asymmetric bank and on the surface of the second lower electrode, and the width of the contact portion between the first upper electrode and the second lower electrode is 300 nm. It is desirable that it is 1 mm or less.
  • “300 nm or more and 1 mm or less” represents the upper limit value and the lower limit value, and may be rephrased as “300 nm to 1 mm”. The same applies to the following description.
  • the distance between the first organic light emitting layer and the end of the reverse tapered portion of the asymmetric bank in the normal direction of the substrate is 300 nm or more and 1 mm or less.
  • the second upper electrode is electrically separated into two parts by the step on the asymmetric bank.
  • the angle formed between the reverse tapered portion of the asymmetric bank and the second lower electrode is 30 to 88 degrees.
  • the angle formed by the forward tapered portion of the asymmetric bank and the second lower electrode is 90 to 150 degrees.
  • a third organic light-emitting element having the same structure as the first organic light-emitting element and a second organic light-emitting element other than the second organic light-emitting layer A fourth organic light emitting element having the same structure as the element, and the first organic light emitting element group is constituted by the first organic light emitting element and the second organic light emitting element, and the third organic light emitting element
  • the fourth organic light emitting element constitutes a second organic light emitting element group, the first organic light emitting element group and the second organic light emitting element group are connected in parallel, and the first organic light emitting layer and the second organic light emitting element group Light of the same color is emitted from the second organic light emitting layer, and light of the same color is emitted from the third organic light emitting layer and the fourth organic light emitting layer. It is desirable that the emission color of the organic light emitting layer is different.
  • FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3 (a) to FIG. 3 (e) are diagrams of an organic light emitting device according to Example 1.
  • FIG. 1 is diagrams of an organic light emitting device according to Example 1.
  • FIG. 1 is a top view of an essential part schematically showing an example of a laminated structure of an organic light emitting device including organic light emitting elements a, b and c divided into three parts.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ shown in FIG.
  • FIGS. 3A to 3E are cross-sectional views sequentially illustrating an example of a film forming process of the organic light emitting device shown in FIGS.
  • lower electrodes 2a, 2b, 2c are formed on the surface of the substrate 1. And on the surface of the lower electrode 2a, the organic light emitting layer 3a and the upper electrode 4a are laminated
  • the positive terminal (+) of the direct current power source E is connected to the lower electrode 2a, and the negative terminal ( ⁇ ) of the direct current power source E is connected to the upper electrode 4c.
  • a series endmost short-circuit suppression bank 6a 'having a trapezoidal cross section is formed on the surface of the lower electrode 2a of the organic light emitting device a.
  • the organic light emitting layer 3a and the upper electrode 4a are laminated on a part of the lower electrode 2a, the series endmost short-circuit suppressing bank 6a ′, and the lower electrode 2b.
  • the organic light emitting device a has a light emitting region LAa at a portion where the lower electrode 2a, the organic light emitting layer 3a, and the upper electrode 4a are laminated.
  • the upper electrode 4a is in contact with the lower electrode 2b at a contact portion 5ab (contact surface) which is a portion that is not the light emitting region LAa.
  • the cross-sectional shape of the asymmetric bank 6b is a shape in which a quadrilateral having a forward tapered portion FTb and a reverse tapered portion RTb and a trapezoid having a reverse tapered portion RTb are stacked.
  • the side surface portion located on the organic light emitting element a side is referred to as a “side surface portion”, and the opposite side surface portion of the organic light emitting element a is referred to as an “opposite side surface portion”.
  • the asymmetric bank 6c formed on the surface of the lower electrode 2c also has the same cross-sectional shape as the asymmetric bank 6b.
  • the organic light emitting layer 3b and the upper electrode 4b are also laminated on the surface (upper surface portion) of the asymmetric bank 6b.
  • the organic light emitting layer 3c and the upper electrode 4c are laminated
  • the organic light emitting element b has a light emitting region LAb at a portion where the lower electrode 2b, the organic light emitting layer 3b, and the upper electrode 4b are laminated.
  • the upper electrode 4b is in contact with the lower electrode 2c at a contact portion 5bc which is a portion that is not the light emitting region LAb.
  • the organic light emitting device c has a light emitting region LAc at a portion where the lower electrode 2c, the organic light emitting layer 3c, and the upper electrode 4c are laminated.
  • the positive terminal (+) of the DC power source E is connected to the lower electrode 2a at a portion that is not the light emitting area LAa. Further, the negative terminal ( ⁇ ) of the DC power source E is connected to the upper electrode 4c at a portion that is not the light emitting region LAc.
  • the organic light emitting layer 3b is not formed. In this region, an end of the upper electrode 4a is formed, and the upper electrode 4a and the lower electrode 2b are in contact with each other at the contact portion 5ab.
  • the opening 7b is a part where the lower electrode 2b is exposed.
  • the region between the reverse taper portion RTc and the lower electrode 2c from the reverse taper end portion 14c to the lower electrode 2c has the same configuration.
  • the opening 7c is a part where the lower electrode 2c is exposed.
  • the orthogonal projection of the upper end portion (reverse taper portion end portion 14b) of the side surface portion with respect to the surfaces of the lower electrodes 2b and 2c is on the surfaces of the lower electrodes 2b and 2c, respectively.
  • lower electrodes 2a, 2b and 2c are formed on the surface of the substrate 1.
  • FIG. The lower electrodes 2a, 2b, 2c are formed by vapor deposition or the like. Thereafter, the lower electrodes 2a, 2b, and 2c are divided (patterned) into three parts, for example, by photolithography as shown as lower electrodes 2a, 2b, and 2c in FIG.
  • the lower electrodes 2a, 2b, and 2c may be simultaneously formed and divided (patterned) by vapor deposition using a mask.
  • a series endmost short-circuit suppressing bank 6a ′ is formed on the surface of the lower electrode 2a of the organic light emitting device a.
  • the purpose of the series endmost short-circuit suppression bank 6a ' is to prevent a short circuit between the lower electrode 2a and the upper electrode 4a (described later).
  • Asymmetric banks 6b and 6c are formed on the surfaces of the lower electrodes 2b and 2c at the boundaries between the organic light emitting devices a, b and c, respectively.
  • the asymmetric banks 6b and 6c are formed so as to be continuous in the depth direction of the paper along the boundary portions of the organic light emitting elements a, b, and c. The role of the asymmetric banks 6b and 6c will be described later.
  • the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c are divided into three parts so as to be superimposed on the lower electrodes 2a, 2b, 2c, respectively.
  • the film is formed by vapor deposition or the like.
  • the organic light emitting layer 3b formed on the surface of the asymmetric bank 6b (the upper surface portion on the reverse taper end 14b side) and the organic light emitting layer 3b formed on the surface of the lower electrode 2b are the same as those of the asymmetric bank 6b. It is electrically separated into two parts by a step formed on the upper surface part.
  • the organic light emitting layer 3a or the upper electrode 4a and the organic light emitting layer 3b formed on the surface of the asymmetric bank 6b are short-circuited, the organic light emitting layer 3a or the upper electrode 4a and the lower electrode 2b are formed on the surface. A short circuit with the organic light emitting layer 3b can be prevented. Even if these two organic light emitting layers 3b are connected, there is no problem unless the organic light emitting layer 3a or the upper electrode 4a and the organic light emitting layer 3b formed on the surface of the asymmetric bank 6b are short-circuited.
  • the upper electrodes 4a, 4b, 4c are formed on the surfaces of the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c in a state of being divided into three parts.
  • the upper electrode 4b on the organic light emitting layer 3b formed on the surface of the asymmetric bank 6b and the upper electrode 4b on the organic light emitting layer 3b formed on the surface of the lower electrode 2b are separated by the step of the asymmetric bank 6b. It may be connected. By separating the two upper electrodes 4b, the two upper electrodes 4b can be electrically insulated.
  • the organic light emitting layer 3b and the upper electrode 4b are partially disconnected due to the effects of asymmetric banks 6b and 6c described later.
  • this disconnection is not essential for the present invention, it is indicated by the same symbol.
  • the first organic light emitting device a having the light emitting region LAa is composed of a lower electrode 2a, an organic light emitting layer 3a, an upper electrode 4a, and a series endmost short-circuit suppressing bank 6a ′.
  • the second organic light emitting element b having the light emitting region LAb is composed of a lower electrode 2b, an organic light emitting layer 3b, an upper electrode 4b, and an asymmetric bank 6b.
  • the third organic light emitting device c having the light emitting region LAc includes a lower electrode 2c, an organic light emitting layer 3c, an upper electrode 4c, and an asymmetric bank 6c.
  • the film is formed so that the end portion of the upper electrode 4a is electrically connected to the end portion of the lower electrode 2b through the contact portion 5ab.
  • the end portion of the upper electrode 4b is formed so as to be electrically connected to the end portion of the lower electrode 2c through the contact portion 5bc.
  • a DC power source E that functions as a light emission drive source is connected between the lower electrode 2a and the upper electrode 4c. That is, in the configuration shown in FIGS. 1 and 2, the positive terminal (+) of the DC power source E is connected to the lower electrode 2a, and the negative terminal ( ⁇ ) of the DC power source E is connected to the upper electrode 4c. As a result, a light emission driving current is supplied from the DC power source E to the first to third organic light emitting elements connected in series.
  • a large area organic light emitting element is divided into a plurality (three in the example shown in the figure) and connected in series, and therefore, it is affected by the high electrical resistivity of a transparent electrode represented by, for example, ITO.
  • a transparent electrode represented by, for example, ITO.
  • the asymmetric bank 6b is between one side surface portion and a part of the lower electrode 2b and between the surface of the lower electrode 2b where the normal line on the surface of the lower electrode 2b intersects the side surface portion and the side surface portion. It has the shape which provided the area
  • the asymmetric bank 6b has a reverse taper portion RTb and a forward taper portion FTb.
  • the asymmetric bank 6c has a reverse taper portion RTc and a forward taper portion FTc. That is, the side surface of the asymmetric bank 6b on the side where the first organic light emitting element a is present is the reverse tapered portion RTb, and the side surface of the asymmetric bank 6b on the side where the first organic light emitting element a is not present is the forward tapered portion FTb. .
  • the side surface of the asymmetric bank 6c on the side where the second organic light emitting element b is present is the reverse tapered portion RTc
  • the side surface of the asymmetric bank 6c on the side where the second organic light emitting element b is not present is the forward tapered portion FTc.
  • the direction of the side where the first organic light-emitting element a is present and the side where the first organic light-emitting element a does not exist with respect to the second organic light-emitting element b is based on the horizontal direction in FIG.
  • an organic light emitting layer is formed on the entire surface.
  • the reverse tapered portions RTb and RTc serve as a mask, so that the organic light emitting layer is separated into three organic light emitting layers 3a, 3b, and 3c corresponding to the respective organic light emitting elements a, b, and c. Is done.
  • the organic light emitting layers 3b and 3c are not formed on the surfaces of the lower electrodes 2b and 2c under the reverse tapered portions RTb and RTc, and openings 7b and 7c are formed in which the lower electrodes 2b and 2c are exposed.
  • the upper electrode 4a and the lower electrode It is possible to form openings 7b and 7c for making contact of 2b and contact of upper electrode 4b and lower electrode 2c.
  • an upper electrode is formed on the entire surface of the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c.
  • the upper electrode is separated into three corresponding to the organic light emitting elements a, b, and c, as indicated by the upper electrodes 4a, 4b, and 4c, respectively.
  • the upper electrodes 4a, 4b and 4c are formed in a state where they are electrically insulated from each other.
  • the “wraparound” described here refers to a state in which the upper electrodes 4a and 4b are formed extending from the substrate normals RTEb and RTEc corresponding to the reverse taper end portion 14b to the asymmetric banks 6b and 6c. means. This is because the upper electrode is closer to the asymmetric banks 6b, 6c of the openings 7b, 7c than the organic light emitting layers 3a, 3b formed up to the vicinity of the substrate normals RTEb, RTEc corresponding to the end portions 14b, 14c of the reverse taper. This is because 4a and the lower electrode 2b, the upper electrode 4b and the lower electrode 2c are in contact with each other.
  • the organic light emitting layers 3b and 3c exist between the lower electrode 2b and the upper electrode 4b and between the lower electrode 2c and the upper electrode 4c.
  • the organic light emitting devices b and c short-circuiting is suppressed between the lower electrode 2b and the upper electrode 4b and between the lower electrode 2c and the upper electrode 4c.
  • an organic light-emitting device in which the organic light-emitting elements a, b, and c are connected in series can be obtained by wrapping around the asymmetric banks 6b and 6c and the upper electrodes 4a and 4b.
  • the wraparound is caused by scattering of particles of the material used for film formation with the residual gas or ions, and changes in the traveling direction of the particles, so that not only the upper surface portion of the target member but also the side surface portion thereof is hidden. It is a phenomenon that adheres to some extent to the part.
  • the wraparound is often weak (less).
  • the wraparound is strong (large).
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of the main part of the organic light emitting device b in FIG. 2 and its surroundings.
  • a half line 9b extending from the bottom end 8b on the opening 7b side in the asymmetric bank 6b to the side where the asymmetric bank 6b does not exist along the lower electrode 2b is taken as a reference (0 degree).
  • the half line 9b is rotated to the upper side in the drawing from the lower electrode 2b, and the rotation angle of the half line 9b up to the point 10b that contacts the asymmetric bank 6b for the first time is defined as ⁇ o, and “reverse taper part (side part) and lower electrode 2b This is referred to as “the angle formed by”.
  • the case of 0 degree ⁇ o ⁇ 90 degrees is defined as a reverse taper.
  • the asymmetric bank 6b is defined as having a reverse taper portion RTb on the opening 7b side (corresponding to FIG. 4A).
  • a case where 90 degrees ⁇ ⁇ o ⁇ 180 degrees is defined as a forward taper.
  • the asymmetric bank 6b is defined as having a forward tapered portion on the opening 7b side.
  • ⁇ o 90 degrees
  • the side surface of the asymmetric bank 6b is vertically cut.
  • the role in the present invention is the same as in the case of 90 degrees ⁇ o, it is defined as a forward taper.
  • the contact 10b in FIG. 4A has the same configuration (in this case) as the reverse tapered end 14b of FIG. The exact definition of the reverse taper end 14b will be described later. 30 degrees ⁇ ⁇ o ⁇ 88 degrees is desirable.
  • the upper electrode 4b is formed along the reverse tapered portion RTb, and there is a high possibility that unintended electrical conduction occurs between the electrodes. For example, there is a high possibility that the upper electrode 4b in FIG. 3 (e) is electrically connected to the upper electrode 4a and the lower electrode 2b.
  • ⁇ o is smaller than 30 degrees, the size of the asymmetric bank 6b in the horizontal direction on the paper surface becomes large, and the light emitting area LAb becomes narrow, so that the luminance as a light source is lowered.
  • a half line 12b extending from the bottom end portion 11b on the light emitting region Lab side of the asymmetric bank 6b to the side where the asymmetric bank 6b does not exist is defined as a reference (0 degree).
  • the half line 12b is rotated from the lower electrode 2b to the upper side in the figure, and the rotation angle of the half line 12b up to the point 13b contacting the asymmetric bank 6b for the first time is defined as ⁇ L.
  • the case of 0 degree ⁇ L ⁇ 90 degrees is defined as a reverse taper.
  • the asymmetric bank 6b is defined as having a reverse tapered portion on the light emitting area LAb side.
  • the case of 90 ° ⁇ ⁇ L ⁇ 180 ° is defined as a forward taper, and is referred to as “an angle formed by the forward taper portion (opposite side surface portion) and the lower electrode 2b”.
  • the asymmetric bank 6b is defined as having a forward tapered portion FTb on the light emitting area LAb side (corresponding to FIG. 4A).
  • ⁇ L 90 degrees
  • the side surface of the asymmetric bank 6b is vertically cut.
  • 90 degrees ⁇ ⁇ L ⁇ 150 degrees is desirable.
  • ⁇ L is larger than 150 degrees, the size of the asymmetric bank 6b in the horizontal direction on the paper surface becomes large, and the light emitting area LAb becomes narrow, so that the luminance as a light source is lowered.
  • the asymmetric bank 6b has a reverse tapered portion RTb on the side where the opening 7b exists and a forward tapered portion FTb on the side where the light emitting region LAb exists.
  • the shapes shown in FIGS. 4B to 4F may be used in addition to FIG. 4A.
  • a manufacturing method of each configuration will be described later, since each manufacturing method is different, by selecting an appropriate configuration, it is possible to cope with constraint conditions in various processes (such as compatibility between a developer and a resist).
  • the space (cut) is deeper on the side where the asymmetric bank 6b exists than the reverse tapered portion RTb on the side where the opening 7b of the asymmetric bank 6b exists. ) Is formed, the upper electrodes can be more reliably insulated from each other.
  • the forward tapered portion and the reverse tapered portion of the asymmetric bank 6b are defined using ⁇ o ′ on the opening 7b side.
  • the forward taper portion and the reverse taper portion of the asymmetric bank 6b are defined using ⁇ L ′ on the light emitting region LAb side.
  • the forward taper portion and the reverse taper portion of the asymmetric bank 6b are defined using ⁇ o on the opening 7b side.
  • the forward taper portion and the reverse taper portion of the asymmetric bank 6b are defined using ⁇ L on the light emitting region LAb side.
  • the reverse taper end portion 14b is defined.
  • the reverse taper end 14b is the point of the asymmetric bank 6b that contacts the asymmetric bank 6b first when the substrate normal is brought closer to the infinity point in the direction parallel to the half line 9b.
  • the reverse tapered portion end portion 14b roughly defines a region to be masked in the formation of the organic light emitting layer. 4 (a) to 4 (f), the reverse tapered portion end portion 14b has no asymmetric bank 6b along the lower electrode 2b from the contact 10b (the bottom end portion 8b on the opening 7b side of the asymmetric bank 6b).
  • the half line 9b extended to the side is the reference (0 degree), and the half line 9b is rotated to the upper side in the figure from the lower electrode 2b and is equal to the point of contact with the asymmetric bank 6b for the first time.
  • the point 14b in the figure corresponds to the reverse tapered end.
  • FIG. 3A shows a state in which the lower electrodes 2a, 2b, 2c are formed on the surface of the substrate 1 made of a transparent material such as glass. Specifically, lower electrodes 2a, 2b, 2c made of an Al film having a thickness of 150 nm were formed.
  • Al films are used as the lower electrodes 2a, 2b, 2c, but the present invention is not limited to this.
  • inorganic materials such as metals such as gold, silver, copper, indium, molybdenum, nickel, alloys thereof, polysilicon, and amorphous silicon can be given.
  • a laminated film in which a transparent conductive film such as tin oxide, indium oxide, indium / tin oxide (ITO), indium / zinc oxide (IZO), or the like is formed on the surface of the above metal or alloy can be given.
  • the film thickness is set to 80 to 400 nm, more preferably 100 to 200 nm, in order to ensure transparency and conductivity.
  • the substrate 1 examples include a glass substrate, a metal substrate, a plastic substrate on which an inorganic material such as SiO 2 , SiN x , and Al 2 O 3 is formed.
  • the metal substrate material examples include stainless steel and alloys such as 42 alloy.
  • the plastic substrate material examples include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polymethyl methacrylate, polysulfone, polycarbonate, and polyimide.
  • the substrate 1 is single, but it may be formed separately for each of the lower electrodes 2a, 2b, 2c.
  • the lower electrodes 2a, 2b, and 2c can be formed on the surface of the substrate 1 by a commonly used method such as a sputtering method, an ion plating method, or a vapor deposition method. After film formation over the entire surface of the substrate 1, by using, for example, a photolithography method, it is possible to pattern into three as shown as the lower electrodes 2a, 2b, and 2c in FIG.
  • the series endmost short-circuit suppression bank 6a ′ and the lower layer portions 6b ′ and 6c ′ of the asymmetric bank are formed.
  • the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank are formed on the surface of the lower electrodes 2b and 2c at the boundary between the adjacent organic light emitting devices a, b and c so as to be continuous along the boundary in the depth direction of the drawing. Is done. Since the lower layer portion is a part of an asymmetric bank formed in combination with the next step, a structure having a forward taper or a structure having a reverse taper may be used.
  • the width of the lower layer portion 6b 'of the asymmetric bank at the portion where the lower layer portion 6b' of the asymmetric bank and the lower electrode 2b are in contact is preferably 1 ⁇ m to 1 mm.
  • a positive type novolac photoresist (TFR-970: manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was spin coated. The film thickness at this time was about 2 ⁇ m. Thereafter, exposure and development were performed to form a series endmost short-circuit suppressing bank 6a ′ having a forward taper and lower layer portions 6b ′ and 6c ′ of asymmetric banks according to a pattern. Furthermore, it heated for 30 minutes in 200 degreeC clean oven after that. As a result, the chemical resistance of the series endmost short-circuit suppression bank 6a ′ and the lower layer portions 6b ′ and 6c ′ of the asymmetric bank is enhanced.
  • the upper layer portions 6b ′′ and 6c ′′ of the asymmetric bank are added to the lower layer portions 6b ′ and 6c ′ of the asymmetric bank.
  • the asymmetric bank 6b has an asymmetric shape having a reverse tapered portion RTb on the opening 7b side and a forward tapered portion FTb on the light emitting region LAb side.
  • the width of the upper layer portion 6b ′′ of the asymmetric bank where the upper layer portion 6b ′′ of the asymmetric bank does not contact the lower layer portion 6b ′ of the asymmetric bank is preferably 1 ⁇ m to 1 mm.
  • the average roughness of the surface of the upper layer portion 6b ′′ of the asymmetric bank where the upper layer portion 6b ′′ of the asymmetric bank and the lower layer portion 6b ′ of the asymmetric bank do not contact each other is 10 ⁇ m or less.
  • the height of the upper layer portion 6b ′′ of the asymmetric bank is preferably 1 ⁇ m to 1 mm.
  • a negative photoresist (ZPN1150: manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was spin-coated and prebaked. It is desirable that the upper layer portions 6b '' and 6c '' of the asymmetric bank have a higher dissolution rate with respect to the alkaline developer than the serial endmost short-circuit suppressing bank 6a 'and the lower layer portions 6b' and 6c 'of the asymmetric bank.
  • the film thickness in this case was about 5 ⁇ m.
  • UV light ultraviolet rays
  • RTb and RTc reverse tapered portions
  • a negative photosensitive photoresist whose UV light transmission is intentionally reduced is used, and the difference in solubility in the developer in the depth direction is utilized. did. That is, first, a negative photosensitive photoresist was applied, and UV exposure was performed after shielding with a photomask so that only a place where an asymmetric bank was desired to be irradiated. At this time, the portion exposed to the UV light becomes resistant to the developer.
  • the surface of the photoresist near the exposure side is more difficult to develop (development speed is slow) because the exposure amount (absorption amount of UV light) is larger than the bottom surface of the photoresist (substrate 1 side). Therefore, a difference occurs in the developing speed between the upper and lower portions of the exposed portion of the photoresist in the developing process. Thereby, a reverse taper shape can be formed after development.
  • the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank have a forward tapered shape
  • the upper layer portions 6b '' and 6c '' of the asymmetric bank have a reverse tapered shape.
  • the opening side finally has a reverse taper
  • the light emitting region side has a forward taper shape.
  • the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank are reversed. It is good also as a shape which has a taper, and it is good also considering the upper layer part 6b '' and 6c '' of asymmetric bank as a shape which has a forward taper shape. What was formed in this way corresponds to FIG.
  • the configuration of FIG. 4C can be formed by dissolving the lower layer portion of the asymmetric bank with a resist stripping solution or the like. Further, the lower layer portions 6b ′ and 6c ′ of the asymmetric bank and the upper layer portions 6b ′′ and 6c ′′ of the asymmetric bank are both formed in a forward tapered shape, and then the lower layers of the lower layer portions 6b ′ and 6c ′ of the asymmetric bank.
  • the portion shown in FIG. 4D can be formed by dissolving the portion with a resist stripping solution or the like.
  • Materials that can be used for forming the forward tapered shape and the reverse tapered shape necessary for forming the asymmetric banks 6b and 6c are metal oxides such as SiO 2 , SiO, and Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , and AlN. Examples thereof include organic substances such as metal nitrides, non-photosensitive polyimides, photosensitive polyimides, and photosensitive resins such as photoresists (novolak type, photosensitive cyclized rubber type, scientific amplification type). If the asymmetric banks 6b and 6c are metal oxides, a method such as reactive ion etching using a mask is used.
  • a non-photosensitive polyimide is used, a method such as dry etching or wet etching using a mask is used. If it is a photosensitive material, it can be patterned by a technique such as photolithography using a mask.
  • the reverse taper end portion 14b of the asymmetric bank is connected to the reverse taper side end portion 2b 'of the lower electrode (FIG. 3). It is desirable to be on the light emitting area LAb side (right side of the page), that is, on the side where the asymmetric bank exists, than (c)).
  • FIG. 3D shows a state where the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c are formed on the surfaces of the lower electrodes 2a, 2b, 2c.
  • the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c correspond to the respective organic light emitting elements a, b, c by the presence of the asymmetric banks 6b, 6c, respectively.
  • 3c it is divided into three parts.
  • the organic light emitting layers 3b and 3c are formed on the surfaces of the upper layer portions 6b '' and 6c '' of the asymmetric bank.
  • the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c By producing the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c by a vacuum vapor deposition method or the like without using the oblique vapor deposition process, the organic light emitting layers 3b, 3c on the upper layer portions 6b ′′, 6c ′′ of the asymmetric bank are rectangular. Clearly, the organic light emitting layers 3a, 3b, 3c are also formed on the surface of the substrate 1 between the lower electrode 2a and the lower electrode 2b and between the lower electrode 2b and the lower electrode 2c. ing.
  • the organic light emitting layer includes a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, a buffer layer, and the like. However, the buffer layer may not be provided.
  • the organic light emitting layer may include a hole injection layer or an electron injection layer described later.
  • ⁇ -NPD 4,4-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl
  • the hole transport layer transports holes and injects them into the light emitting layer. Therefore, the hole transport layer is preferably made of a hole transport material having high hole mobility. Further, it is desirable that the hole transport layer is chemically stable, has a low ionization potential, a low electron affinity, and a high glass transition temperature.
  • Examples of the hole transport layer include N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD), 4, 4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl ( ⁇ -NPD), 4,4 ′, 4 ′′ -tri (N-carbazolyl) triphenylamine (TCTA), 1,3 , 5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) phenylamino] benzene (p-DPA-TDAB), 4,4 ′, 4 ′′ -tris (N-carbazole) triphenylamine (TCTA), 1, 3,5-tris [N, N-bis (2-methylphenyl) -amino] -benzene (o-MTDAB), 1,3,5-tris [N, N-bis (3-methylphenyl) -amino
  • a hole injection layer may be disposed between the lower electrodes 2a, 2b, 2c and the hole transport layer.
  • the hole injection layer is preferably formed of a material having an appropriate ionization potential.
  • the hole injection layer desirably plays a role of filling the irregularities on the surface of the underlayer. Examples of the hole injection layer include copper phthalocyanine, starburst amine compound, polyaniline, polythiophene, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide.
  • the hole transporting material may contain an oxidizing agent.
  • an oxidizing agent include Lewis acid compounds such as ferric chloride, ammonium chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride, electron-accepting compounds such as trinitrofluorene, and vanadium oxide exemplified as a hole injection material. Molybdenum oxide, ruthenium oxide, aluminum oxide and the like can be used, and these may be used alone or in combination of two or more.
  • a film in which CBP having a film thickness of 30 nm and an iridium complex (hereinafter referred to as Ir (ppy) 3 ) were co-evaporated was formed on the surface of the hole transport layer by a vacuum deposition method.
  • the deposition rates of CBP and Ir (ppy) 3 were 0.20 nm / sec and 0.02 nm / sec, respectively.
  • Ir (ppy) 3 functions as a dopant that determines the emission color.
  • the co-evaporated film with CBP and Ir (ppy) 3 functions as a green light emitting layer that emits green light having a central wavelength of 520 nm.
  • the injected holes and electrons recombine to form an excited state, and when the excited state relaxes to the ground state, light is emitted at a wavelength specific to the material.
  • the host material itself that forms the green light emitting layer may emit light, or the dopant material added in a small amount to the host may emit light.
  • Examples of the host material include a distyrylarylene derivative (DPVBi), a silole derivative (2PSP) having a benzene ring in the skeleton, an oxodiazole derivative (EM2) having a triphenylamine structure at both ends, and a perinone derivative having a phenanthrene group ( P1), oligothiophene derivative (BMA-3T) having triphenylamine structure at both ends, perylene derivative (tBu-PTC), tris (8-quinolinol) aluminum, polyparaphenylene vinylene derivative, polythiophene derivative, polyparaphenylene derivative, A polysilane derivative, a polyacetylene derivative, etc. are mentioned, These may be used alone or in combination of two or more.
  • DPVBi distyrylarylene derivative
  • 2PSP silole derivative
  • EM2 oxodiazole derivative
  • EM2 oxodiazole derivative
  • P1 oligothiophene
  • dopant materials for example, quinacridone, coumarin 6, nile red, rubrene, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (para-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), dicarbazole Derivatives, porphyrin platinum complexes (PtOEP), iridium complexes (Ir (ppy) 3 ) and the like may be mentioned, and these may be used alone or in combination of two or more.
  • Alq 3 tris (8-quinolinol) aluminum having a film thickness of 10 nm was vapor-deposited was formed on the surface of the green light emitting layer. This deposited film functions as an electron transport layer.
  • the electron transport layer transports electrons and injects them into the green light emitting layer. Therefore, the electron transport layer is preferably made of an electron transport material having high electron mobility.
  • the electron transport layer for example, tris (8-quinolinol) aluminum, oxadiazole derivative, silole derivative, zinc benzothiazole complex, bathocuproine (BCP) is desirable, and one kind alone or two or more kinds may be used in combination. You can also.
  • the electron transport layer preferably contains a reducing agent in the above electron transport material to lower the barrier between the buffer layer and the electron transport layer, or to improve the electric conductivity of the electron transport layer.
  • the reducing agent include alkali metal, alkaline earth metal, alkali metal oxide, alkaline earth oxide, rare earth oxide, alkali metal halide, alkaline earth halide, rare earth halide, alkali metal, and aromatic.
  • alkali metals are Cs, Li, Na and K. It is not restricted to these materials, You may use these materials individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • a mixed film of Mg and Ag was formed as a buffer layer on the surface of the electron transport layer.
  • a binary simultaneous vacuum deposition method was used to set the deposition rates of Mg and Ag to 0.14 nm / sec and 0.01 nm / sec, respectively, and a film having a thickness of 10 nm was deposited.
  • an electron injection layer may be inserted between the upper electrode or buffer layer and the electron transport layer to improve the electron injection efficiency.
  • the electron injection layer for example, lithium fluoride, magnesium fluoride, calcium fluoride, strontium fluoride, barium fluoride, magnesium oxide, aluminum oxide and the like are desirable. It is not restricted to these materials, You may use these materials individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the contact portions 5ab and 5bc are formed through the openings 7b and 7c between 2c and the organic light-emitting elements a, b and c can be electrically connected. As a result, the organic light emitting devices a, b, and c are connected in series.
  • An upper electrode 4b and an upper electrode 4c are formed on the surfaces of the organic light emitting layers 3b and 3c formed on the surfaces of the upper layer portions 6b '' and 6c '' of the asymmetric bank.
  • the upper electrodes 4a, 4b, 4c by a sputtering method or the like without using the oblique deposition process, the upper electrodes 4b, 4c on the upper layer portions 6b ′′, 6c ′′ of the asymmetric bank become rectangular. End portions of the organic light emitting layers 3b and 3c formed on the surfaces of the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank are covered with the upper electrodes 4b and 4c.
  • the organic light emitting layers 3b and 3c exist between the lower electrode 2b and the upper electrode 4b and between the lower electrode 2c and the upper electrode 4c.
  • the organic light emitting devices b and c short-circuiting is suppressed between the lower electrode 2b and the upper electrode 4b and between the lower electrode 2c and the upper electrode 4c.
  • an IZO film having a thickness of 50 nm was formed by a sputtering method.
  • This IZO film functions as an upper transparent electrode.
  • the IZO film is an amorphous oxide film.
  • the film formation conditions were an Ar: O 2 mixed gas atmosphere, a degree of vacuum of 0.2 Pa, and a sputtering output of 2 W / cm 2 .
  • the transmittance of the Mg: Ag / In—Zn—O multilayer film was 65%.
  • the upper electrodes 4a, 4b, and 4c are made of a metal, alloy, or conductive compound having a small work function.
  • the film thickness of the upper electrode is set to about 10 to 500 nm, preferably 50 to 200 nm.
  • the upper electrode can be formed by a method with strong wraparound such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), or ion plating.
  • the film thickness of the organic light emitting layer and the upper electrode described above is appropriately determined according to the situation in consideration of the applicability of each layer and the required total film thickness, but the organic light emitting layer 3a separated into three. , 3b, 3c and the upper electrodes 4a, 4b, 4c are set so that the height in the normal direction of the substrate 1 is lower than the height of the asymmetric banks 6b, 6c already described.
  • a glass substrate was introduced into the sealing chamber.
  • This glass substrate is a sealing substrate.
  • Photocuring resin was drawn on the edge portion of the sealing substrate using a known seal dispenser device (not shown).
  • the sealing substrate and the substrate 1 were bonded and pressure-bonded.
  • a well-known light-shielding plate was placed outside the sealing substrate so that UV light did not hit the entire organic light-emitting element, and UV light was irradiated from the sealing substrate side to cure the photocurable resin.
  • the end of the reverse tapered portion is formed by forming an asymmetric bank on the surface of the lower electrode at the boundary between adjacent organic light emitting elements and forming a strong wrap around film.
  • the mask is also used when forming the upper electrode.
  • the organic light emitting device having the above configuration it becomes possible to efficiently manufacture an organic light emitting device having a configuration in which a plurality of divided organic light emitting elements are connected in series.
  • the lower electrode is made of a material having a high visible light reflectance
  • the upper electrode is made of a material having a high visible light transmittance. This is because the light emission from the organic light emitting layer is taken out to the upper electrode side.
  • Such a configuration is called a top emission structure. Since the present invention relates to the formation of a series structure, it is not necessary to be limited to the top emission structure.
  • the lower electrode side is made of a material having a high visible light transmittance and a lower electrode made of a material having a high visible light reflectance. The luminescence may be taken out from. Such a structure is known as a bottom emission structure.
  • a green light emitting layer that emits green light is used as the light emitting layer.
  • an organic light emitting device that emits white light by stacking a blue light emitting layer and a red light emitting layer on the light emitting layer may be used.
  • a light emitting layer that emits white light can be obtained by arranging a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and a red light emitting layer in this order from the lower electrode side as the light emitting layer.
  • a multi-photon emission (MPE) structure in which each color light emitting layer is sandwiched and stacked between charge generation layers may be used.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an essential part schematically showing a second example of the embodiment relating to the present invention. Except for the contents described below, the second embodiment is the same as the first embodiment.
  • the edge hidden banks 15ab, 15bc, 15c are arranged so as to cover the edges of the lower electrodes 2a, 2b, 2c. Further, the outlines of the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank (portions formed after the formation of the lower layer portions 6b 'and 6c') are clearly shown. In addition, the heights of the edge hidden banks 15ab, 15bc, and 15c, the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank, and the lower layer portion of the series endmost short-circuit suppression bank 6a 'are aligned.
  • 15ab, 15bc, 15c, the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank, and the series endmost short-circuit suppression bank 6a ' the difference in height from the substrate is 10% of the average height from the substrate 1 The following is desirable.
  • the purpose of the lower layer portions 6b 'and 6c' of the asymmetric bank, the series endmost short-circuit suppression bank 6a ', and the hidden end banks 15ab, 15bc, and 15c are those where the film thickness of the lower electrode and the organic film tends to be uneven. In each organic light emitting device, the upper electrode and the lower electrode are prevented from being short-circuited. In this configuration, the end hidden banks 15ab, 15bc, 15c, the lower layer portions 6b ', 6c' of the asymmetric bank, and the series endmost short-circuit suppressing bank 6a 'have the same height and the same material.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of an essential part schematically showing experimental parameters related to the present invention. Except for the contents described below, the second embodiment is the same as the first embodiment.
  • X is the width of the contact surface between the upper electrode 4a and the lower electrode 2b adjacent to the opening 7b (the contact surface of the electrically conductive portion between the upper electrode 4a and the lower electrode 2b).
  • the electrical conduction part has a volume.
  • h is the shortest distance between the organic light emitting layer 3a and the reverse tapered portion end portion 14b (the upper end portion of the side surface portion of the asymmetric bank 6b), and in this figure, the substrate method corresponding to the reverse tapered portion end portion 14b. This is the distance between the organic light emitting layer 3a and the reverse taper end 14b on the line RTEb.
  • H is preferably 300 nm to 1 mm
  • x is preferably 300 nm to 1 mm.
  • h and x were 300 nm or more, a practical contact resistance value was obtained and an ohmic contact was obtained.
  • h ⁇ 300 nm sufficient wraparound of the upper electrode does not occur.
  • x ⁇ 300 nm it is affected by the film thickness non-uniformity at the edge of the organic layer, and stable electrical conduction cannot be obtained.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of a main part of a structural example of an organic light emitting device showing a fourth example of the embodiment according to the present invention as viewed from above.
  • FIGS. 8 to 10 are schematic views of a film formation mask for use in manufacturing the structure of FIG. 7 as viewed from above, and FIG. 11 shows a film formation mask corresponding to FIG. 8 when the asymmetric bank of the present invention is not used. It is the schematic diagram seen from the upper surface. Except for the contents described below, the second embodiment is the same as the first embodiment.
  • This example has a different configuration from Example 1 for emitting white light from the organic light emitting device.
  • the organic light-emitting elements a, b, c,..., B, c (... Are repetitions of b, c) electrically connected in series have any one color of red, green and blue (for example, red).
  • a light emitting layer that emits light).
  • Organic light emitting elements a ′, b ′, c ′..., B ′, c ′ (... Are formed in parallel with the organic light emitting elements a, b, c,.
  • the repetition of b ′ and c ′ includes a light emitting layer that emits light (for example, green light) different from the light emitting layer used in the organic light emitting elements a, b, and c.
  • Organic light emitting devices a ′′, b ′′, c ′′,..., B ′′, c ′′ formed in parallel with the organic light emitting devices a, b, c and organic light emitting devices a ′, b ′, c ′. (... is a repetition of b ′′, c ′′) and the light emitting layer used for the organic light emitting elements a, b, c and the light emitting layer used for the organic light emitting elements a ′, b ′, c ′.
  • a light emitting layer that emits light (eg, blue light) is included.
  • the organic light emitting elements a ′, b ′, c ′ and the organic light emitting elements a ′′, b ′′, c ′′ have the same structure as the organic light emitting elements a, b, c except for the organic light emitting layer.
  • the organic light emitting element a ′ is the third organic light emitting element
  • the organic light emitting element b ′ is the fourth organic light emitting element.
  • the organic light emitting elements a, b, and c constitute a first organic light emitting element group
  • the organic light emitting elements a ′, b ′, and c ′ constitute a second organic light emitting element group.
  • the organic light emitting elements a, b, c, the organic light emitting elements a ′, b ′, c ′ and the organic light emitting elements a ′′, b ′′, c ′′ are electrically connected
  • This configuration can emit white light as the total light emission.
  • the process of forming the light emitting layer of each color is shown below.
  • organic light emitting elements a, b, c,..., B, c (... Are repetitions of b and c) are formed using the film formation mask 17 shown in FIG.
  • the film formation mask 17 is provided with openings 16abc corresponding to the organic light emitting elements a, b, c,.
  • film formation is performed from above to selectively form the organic light emitting elements a, b, c,.
  • a film can be formed.
  • organic light emitting elements a ′, b ′, c ′..., B ′, c ′ are formed using the film formation mask 17 ′ shown in FIG.
  • the film formation mask 17 ' is provided with openings 16a'b'c' corresponding to the organic light emitting elements a ', b', c ', ..., b', c '.
  • the organic light emitting devices a ′′, b ′′, c ′′,..., B ′′, c ′′ (... Are repetitions of b ′′ and c ′′) are formed into a film formation mask 17 ′′ shown in FIG. Is used to form a film.
  • the film forming mask 17 ′′ is provided with openings 16a ′′ b ′′ c ′′ corresponding to the organic light emitting elements a ′′, b ′′, c ′′,..., B ′′, c ′′. ing.
  • the film formation masks 17, 17 ′, 17 ′′ are necessary.
  • maskless film formation of each color in the serial direction is possible. Therefore, the requirement of mask alignment accuracy can be reduced, and the durability of the mask can be improved.
  • white may be formed with two colors of blue and yellow, and white may be formed with four colors of blue, green, yellow and red.
  • the color formed by a plurality of colors does not have to be white.
  • an organic light emitting device that emits yellow light can be formed by using two types of organic light emitting layers having green and red light emitting layers. Good.

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Abstract

　複数に分割した発光セグメントを直列接続させた構成を有する有機発光装置の有機発光層及び上部電極を形成する際に蒸着マスクを省略して製造効率を向上する。　本発明は、基板１と、第一の下部電極２ａ、第一の有機発光層３ａ及び第一の上部電極４ａをこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極２ｂ、第二の有機発光層３ｂ及び第二の上部電極４ｂをこの順に積層した第二の有機発光素子とを備えた有機発光装置において、第二の下部電極２ｂの表面には非対称バンク６ｂが設けてあり、第一の有機発光素子及び第二の有機発光素子は、基板１の表面に配置し、第一の有機発光素子と第二の有機発光素子とは電気的に直列に接続してあり、第一の有機発光素子に対向する非対称バンク６ｂの側面部と第一の有機発光層３ａとの間であって第二の下部電極２ｂの表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極２ｂの表面と当該側面部との間の領域には、第一の上部電極４ａが設けてあり、当該領域にて第一の上部電極４ａと第二の下部電極２ｂとが電気的に接触していることを特徴とする。

Description

有機発光装置及びその製造方法
　本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。
　従来例として、特許文献１には次のような技術が開示されている。即ち、蒸着マスクを用いて有機ＥＬ発光層を塗り分ける操作を省略することで、複数に分割した発光セグメントを直列接続させた構成の有機ＥＬ発光装置を効率よく製造することを目的とし、隣接する発光セグメントの境界部における第１電極上に、導体部がそれぞれ形成され、各第１電極上に有機ＥＬ発光層と第２電極とがそれぞれ積層され、導体部は隣接する発光セグメントにおける第１電極と第２電極とを電気的に接続する機能を果たし、この結果、各発光セグメントが直列に接続されている有機ＥＬ発光素子である。
　又、特許文献２には次のような技術が開示されている。即ち、直列抵抗及び短絡欠陥による有害作用の少ない有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）装置を提供することを目的とし、基板を含み、基板の上に間隔を置いて並べられた底部電極を含む複数のＯＬＥＤを含み、ＯＬＥＤの各々が、その対応する間隔を置いて並べられた底部電極の一縁を越えて延在する少なくとも１つの有機層を含み、更にＯＬＥＤの各々が、他の上部電極から間隔を置いて並べられた上部電極であって、隣接するＯＬＥＤの該間隔を置いて並べられた底部電極と電気接触するように延在する上部電極を含むことにより、ＯＬＥＤが直列接続され、そして各ＯＬＥＤの該間隔を置いて並べられた上部電極と底部電極との間に電流が流れ、かつ、当該ＯＬＥＤの間隔を置いて並べられた底部電極から隣のＯＬＥＤの間隔を置いて並べられた上部電極へ電流が流れ、よって直列抵抗による電力損が減少するとされている有機発光デバイス装置である。又、マスクを用いずに上部電極及び有機層を形成するためのビルトイン式シャドーマスクが開示されている（特許文献２の図７）。
特許第４３５６８９９号公報 特開２００４－７１５７０号公報
　特許文献１に記載の構成では、導体部を形成する必要があるため、新たな材料及びプロセスが必要となる。また、特許文献２に記載の構成を形成するには、有機層に斜め蒸着のプロセスが必要である。斜め蒸着は蒸着源の改良が必要である。また、一方向にのみパターニングされるため、別方向へのパターニングが困難である。さらに、膜厚均一性を高める基板回転を行うことも困難である。その上、大型基板の全面に均一方向へ斜め蒸着することも困難であるなどの課題がある。
　本発明は、複数に分割した発光セグメントを直列接続させた構成を有する有機発光装置の有機発光層及び上部電極を形成する際に蒸着マスクを省略して製造効率を向上することを目的とする。
　本発明は、基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備えた有機発光装置において、第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、第一の有機発光素子に対向する非対称バンクの側面部と第一の有機発光層との間であって第二の下部電極の表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極の表面と当該側面部との間の領域には、第一の上部電極が設けてあり、当該領域にて第一の上部電極と第二の下部電極とが電気的に接触していることを特徴とする。
　本発明によれば、有機発光装置の有機発光層及び上部電極を形成する際に蒸着マスクを省略することができ、複数に分割した発光セグメントを直列接続した構成を有する有機発光装置を効率よく製造することができる。
実施例の有機発光装置を示す模式上面図である。 図１のＡ－Ａ′断面図である。 実施例の有機発光装置の下部電極をパターニングした状態を示す断面図である。 実施例の有機発光装置の非対称バンクの下層部分を形成した状態を示す断面図である。 実施例の有機発光装置の非対称バンクの上層部分を形成した状態を示す断面図である。 実施例の有機発光装置の有機発光層を形成した状態を示す断面図である。 実施例の有機発光装置の上部電極を形成した状態を示す断面図である。 非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。 非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。 非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。 非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。 非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。 非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。 非対称バンクの変形例を示す部分断面図である。 実施例の有機発光装置の変形例を示す断面図である。 実施例の有機発光装置の寸法等のパラメータを模式的に示す要部断面図である。 実施例の有機発光装置の構成を示す模式上面図である。 図７の有機発光装置を作製するために用いる成膜マスクを示す模式上面図である。 図７の有機発光装置を作製するために用いる成膜マスクを示す模式上面図である。 図７の有機発光装置を作製するために用いる成膜マスクを示す模式上面図である。 非対称バンクを用いない従来例で用いる成膜マスクを示す模式上面図である。
　以下、本発明の実施形態に係る有機発光装置及びその製造方法について説明する。
　前記有機発光装置は、基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、第一の有機発光素子及び第二の有機発光素子は、基板の表面に配置し、第一の有機発光素子と第二の有機発光素子とは電気的に直列に接続してあり、第一の有機発光素子に対向する非対称バンクの側面部と第一の有機発光層との間であって第二の下部電極の表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極の表面と当該側面部との間の領域には、第一の上部電極が設けてあり、当該領域にて第一の上部電極と第二の下部電極とが電気的に接触している。ここで、上記の領域は、三次元の空間領域であり、その境界面も含むものとする。
　前記有機発光装置において、上記の側面部は、逆テーパ部を有することが望ましい。
　前記有機発光装置において、上記の側面部の反対側に位置する非対称バンクの反対側面部は、順テーパ部を有することが望ましい。
　前記有機発光装置において、第二の下部電極及び第二の上部電極は、電気的に切り離されていることが望ましい。
　前記有機発光装置において、上記の領域は、空隙部を有することが望ましい。ここで、空隙部とは、固体の部材が存在しない気相部分をいう。
　前記有機発光装置において、第一の下部電極と第二の下部電極との間には、第一の下部電極及び第二の下部電極の端部を覆う端部隠しバンクを設けたことが望ましい。
　前記有機発光装置において、端部隠しバンク及び非対称バンクは同じ材料で形成されていることが望ましい。
　前記有機発光装置において、上記の領域には、第二の下部電極の開口部を設けたことが望ましい。
　前記有機発光装置において、第一の上部電極と第二の下部電極とが電気的に接触している接触面の幅は、３００ｎｍ～１ｍｍであることが望ましい。
　前記有機発光装置において、第一の有機発光層と上記の側面部の上端部との最短距離は、３００ｎｍ～１ｍｍであることが望ましい。
　前記有機発光装置において、非対称バンクは、その上面部に段差を有し、この段差により第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることが望ましい。
　前記有機発光装置において、上記の側面部と第二の下部電極とのなす角度は、３０～８８度であることが望ましい。
　前記有機発光装置において、上記の側面部の反対側に位置する非対称バンクの反対側面部と第二の下部電極とのなす角度は、９０～１５０度であることが望ましい。
　前記有機発光装置において、第二の下部電極の表面に対する上記の側面部の上端部の直交射影は、第二の下部電極の表面にあることが望ましい。
　前記有機発光装置は、第一の有機発光素子及び第二の有機発光素子を含む有機発光素子群を複数備え、これらの有機発光素子群は、電気的に並列に接続してあり、複数の有機発光素子群のそれぞれから異なる光を出射可能としたものであることが望ましい。
　前記有機発光装置の製造方法は、基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、第二の下部電極の表面に非対称バンクを設けた有機発光装置の製造方法であって、基板の表面に第一の下部電極及び第二の下部電極を形成する工程と、第二の下部電極の表面に非対称バンクの下層部分を形成する工程と、第一の下部電極、第二の下部電極及び下層部分を設けた基板を熱処理する工程と、下層部分の表面に非対称バンクの上層部分を形成する工程と、第一の下部電極の表面に第一の有機発光層を形成するとともに、第二の下部電極の表面に第二の有機発光層を形成する工程と、第一の有機発光層の表面に第一の上部電極を形成するとともに、第二の有機発光層の表面に第二の上部電極を形成する工程とを含み、第一の有機発光素子に対向する非対称バンクの側面部と第一の有機発光層との間であって第二の下部電極の表面における法線と当該側面部とが交わる第二の下部電極の表面と当該側面部との間の領域に第一の上部電極を設けることにより、当該領域にて第一の上部電極と第二の下部電極とを電気的に接続することを特徴とする。
　前記有機発光装置の製造方法において、非対称バンクの上層部分は、紫外線を用いた露光により形成することが望ましい。
　前記有機発光装置の製造方法において、第一の有機発光層及び第二の有機発光層は、真空蒸着法によって形成することが望ましい。
　前記有機発光装置の製造方法において、第一の上部電極及び第二の上部電極は、スパッタリング法、化学蒸着法又はイオンプレーティング法によって形成することが望ましい。
　前記有機発光装置の特徴は、以下のように言い換えることもできる。
　（１）前記有機発光装置は、基板と、基板の表面に形成された第一の下部電極と、第一の下部電極の表面に形成された第一の有機発光層と、第一の有機発光層の表面に形成された第一の上部電極と、を有する第一の有機発光素子と、基板の表面に形成された第二の下部電極と、第二の下部電極の表面に形成された第二の有機発光層と、第二の有機発光層の表面に形成された第二の上部電極と、第二の下部電極の表面に形成された非対称バンクと、を有する第二の有機発光素子と、を有し、第一の有機発光素子および第二の有機発光素子は直列に接続されており、非対称バンクの第一の有機発光素子が存在する側の側面は逆テーパとなっており、非対称バンクの第一の有機発光素子が存在しない側の側面は順テーパとなっており、非対称バンクの逆テーパ側において、第一の上部電極および第二の上部電極は電気的に切り離されており、非対称バンクの逆テーパ側において、第一の上部電極および第二の下部電極は電気的に導通しており、非対称バンクの順テーパ側において、第二の下部電極および第二の上部電極は電気的に切り離されており、非対称バンクの逆テーパ部端部より非対称バンクが存在する側に第一の上部電極が回り込んでいる。
　（２）上記（１）において、さらに、端部隠しバンクを有し、この端部隠しバンクは、第一の下部電極および第二の下部電極の端部を覆い、端部隠しバンクの材料と非対称バンクの材料とが同じであることが望ましい。
　（３）上記（１）において、非対称バンクの庇の下方および第二の下部電極の表面には開口部が形成され、第一の上部電極と第二の下部電極との接触部の幅が３００ｎｍ以上１ｍｍ以下であることが望ましい。ここで、「３００ｎｍ以上１ｍｍ以下」は、範囲を上限値及び下限値を表すものであり、「３００ｎｍ～１ｍｍ」と言い換えてもよい。以下の記載においても同様である。
　（４）上記（１）において、基板の法線方向における第一の有機発光層と非対称バンクの逆テーパ部端部との距離が３００ｎｍ以上１ｍｍ以下であることが望ましい。
　（５）上記（１）において、非対称バンクの逆テーパより非対称バンクが存在する側に空間が形成されることが望ましい。
　（６）上記（１）において、非対称バンク上の段差により、第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることが望ましい。
　（７）上記（１）において、非対称バンクの逆テーパ部と第二の下部電極とのなす角度は、３０～８８度であることが望ましい。
　（８）上記（１）において、非対称バンクの順テーパ部と第二の下部電極とのなす角度が、９０～１５０度であることが望ましい。
　（９）上記（１）において、非対称バンクの逆テーパ部端部が第二の下部電極の逆テーパ側端部よりも非対称バンクが存在する側にあることが望ましい。
　（１０）上記（１）において、第一の有機発光層以外は第一の有機発光素子と同様の構造を有する第三の有機発光素子と、第二の有機発光層以外は第二の有機発光素子と同様の構造を有する第四の有機発光素子と、を有し、第一の有機発光素子および第二の有機発光素子で第一の有機発光素子群が構成され、第三の有機発光素子および第四の有機発光素子で第二の有機発光素子群が構成され、第一の有機発光素子群および第二の有機発光素子群は並列に接続されており、第一の有機発光層および第二の有機発光層からは同一色の光が出射され、第三の有機発光層および第四の有機発光層からは同一色の光が出射され、第一の有機発光層の発光色と第三の有機発光層の発光色とは異なることが望ましい。
　以下、図面等を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の実施例は本願発明の内容の具体例を示すものであり、本願発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。また、実施例を説明するための全図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
　図１、図２及び図３（ａ）～図３（ｅ）は、実施例１に係る有機発光装置の図である。
　図１は、３つに分割した有機発光素子ａ，ｂ，ｃを備えた有機発光装置の積層構造の例を模式的に示す要部上面図である。図２は、図１に示すＡ－Ａ′断面にて矢印方向から見た断面図である。図３（ａ）～図３（ｅ）は、図１及び図２に示す有機発光装置の成膜工程の例を順に示す断面図である。
　図１において、基板１の表面には、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃが形成されている。そして、下部電極２ａの表面には、下部電極２ａから近い順に有機発光層３ａ及び上部電極４ａが積層されている。同様に、下部電極２ｂの表面には、下部電極２ｂから近い順に有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂが積層され、下部電極２ｃの表面には、下部電極２ｃから近い順に有機発光層３ｃ及び上部電極４ｃが積層されている。また、下部電極２ｂ，２ｃの表面には、非対称バンク６ｂ，６ｃが形成されている。直流電源Ｅの正極端子（＋）は下部電極２ａに接続され、直流電源Ｅの負極端子（－）は上部電極４ｃに接続されている。
　図２に示すように、有機発光素子ａの下部電極２ａの表面には、断面が台形状の直列最端部短絡抑制バンク６ａ′が形成してある。有機発光層３ａ及び上部電極４ａは、下部電極２ａ、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′及び下部電極２ｂの一部に積層されている。有機発光素子ａは、下部電極２ａ、有機発光層３ａ及び上部電極４ａが積層された部位に発光領域ＬＡａを有する。上部電極４ａは、発光領域ＬＡａではない部位であるコンタクト部５ａｂ（接触面）において下部電極２ｂに接触している。
　下部電極２ｂの表面には、断面の有機発光素子ａ側に逆テーパ部ＲＴｂを有し、有機発光素子ａの反対側に下部電極２ｂから近い順に順テーパ部ＦＴｂ及び逆テーパ部を有する非対称バンク６ｂが形成してある。すなわち、非対称バンク６ｂの断面形状は、順テーパ部ＦＴｂ及び逆テーパ部ＲＴｂを有する四辺形と逆テーパ部ＲＴｂを有する台形とを積層した形状である。ここで、非対称バンク６ｂにおいて有機発光素子ａ側に位置する側面部を「側面部」と呼び、有機発光素子ａの反対側の側面部を「反対側面部」と呼ぶ。下部電極２ｃの表面に形成された非対称バンク６ｃも、非対称バンク６ｂと同様の断面形状を有する。
　本図においては、非対称バンク６ｂの表面（上面部）にも有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂが積層されている。同様に、非対称バンク６ｃの表面（上面部）にも有機発光層３ｃ及び上部電極４ｃが積層されている。有機発光素子ｂは、下部電極２ｂ、有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂが積層された部位に発光領域ＬＡｂを有する。上部電極４ｂは、発光領域ＬＡｂではない部位であるコンタクト部５ｂｃにおいて下部電極２ｃに接触している。また、有機発光素子ｃは、下部電極２ｃ、有機発光層３ｃ及び上部電極４ｃが積層された部位に発光領域ＬＡｃを有する。
　直流電源Ｅの正極端子（＋）は、発光領域ＬＡａではない部位において下部電極２ａに接続されている。また、直流電源Ｅの負極端子（－）は、発光領域ＬＡｃではない部位において上部電極４ｃに接続されている。
　逆テーパ部端部１４ｂから下部電極２ｂまでの逆テーパ部ＲＴｂと下部電極２ｂとの間の領域には、有機発光層３ｂは形成されていない。この領域には、上部電極４ａの端部が形成され、コンタクト部５ａｂにおいて上部電極４ａと下部電極２ｂとが接触している。開口部７ｂは、下部電極２ｂが露出した部位である。
　逆テーパ部端部１４ｃから下部電極２ｃまでの逆テーパ部ＲＴｃと下部電極２ｃとの間の領域も同様の構成を有する。開口部７ｃは、下部電極２ｃが露出した部位である。
　下部電極２ｂ、２ｃの表面に対する側面部の上端部（逆テーパ部端部１４ｂ）の直交射影はそれぞれ、下部電極２ｂ、２ｃの表面にある。
　図１及び図２に示すように、基板１の表面には下部電極２ａ，２ｂ，２ｃが形成されている。下部電極２ａ，２ｂ，２ｃは、蒸着等により成膜される。その後、例えばフォトリソグラフィ法により図２に下部電極２ａ，２ｂ，２ｃとして示すように、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃは、３つに分割（パターニング）されている。なお、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの成膜及び分割（パターニング）は、マスクを用いた蒸着により同時に行ってもよい。
　有機発光素子ａの下部電極２ａの表面に、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′が形成される。直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の目的は、下部電極２ａと上部電極４ａ（後述）との短絡防止である。
　各有機発光素子ａ，ｂ，ｃの境界部における下部電極２ｂ，２ｃの表面に、それぞれ非対称バンク６ｂ，６ｃが形成される。非対称バンク６ｂ，６ｃは、一例として各有機発光素子ａ，ｂ，ｃの境界部に沿って紙面奥行き方向に連続するよう形成されている。非対称バンク６ｂ，６ｃの役割については後述する。
　３つに分割された下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの表面には、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃが下部電極２ａ，２ｂ，２ｃに重畳されるようにして、夫々３つに分割された状態で蒸着等により成膜される。図２では、非対称バンク６ｂの表面（逆テーパ部端部１４ｂ側の上面部）に形成された有機発光層３ｂと下部電極２ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとは、非対称バンク６ｂの上面部に形成された段差により二つに電気的に分離されている。これにより、有機発光層３ａ又は上部電極４ａと非対称バンク６ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとが短絡しても、有機発光層３ａ又は上部電極４ａと下部電極２ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとの短絡を防止することができる。なお、これらの二つの有機発光層３ｂが繋がっていても、有機発光層３ａ又は上部電極４ａと非対称バンク６ｂの表面に形成された有機発光層３ｂとが短絡しなければ問題は生じない。
　さらに、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの表面には、上部電極４ａ，４ｂ，４ｃが、夫々３つに分割された状態で成膜される。図２では、非対称バンク６ｂの表面に形成された有機発光層３ｂ上の上部電極４ｂおよび下部電極２ｂの表面に形成された有機発光層３ｂ上の上部電極４ｂは、非対称バンク６ｂの段差により分離されているが、繋がっていてもよい。二つの上部電極４ｂが分離されていることにより、二つの上部電極４ｂを電気的に絶縁できる。
　尚、後述する非対称バンク６ｂ，６ｃの効果により例えば有機発光素子ｂ内において、有機発光層３ｂ及び上部電極４ｂは一部接続が切れている。しかし、この接続切れは本発明について本質的なものではないため、同一符号で示す。
　発光領域ＬＡａを有する第１の有機発光素子ａは、下部電極２ａ，有機発光層３ａ，上部電極４ａ及び直列最端部短絡抑制バンク６ａ′で構成される。発光領域ＬＡｂを有する第２の有機発光素子ｂは、下部電極２ｂ，有機発光層３ｂ，上部電極４ｂ及び非対称バンク６ｂで構成される。発光領域ＬＡｃを有する第３の有機発光素子ｃは、下部電極２ｃ，有機発光層３ｃ，上部電極４ｃ及び非対称バンク６ｃで構成される。このとき、上部電極４ａの端部は、下部電極２ｂの端部に対してコンタクト部５ａｂを介して電気的に導通されるように成膜される。上部電極４ｂの端部は、下部電極２ｃの端部にコンタクト部５ｂｃを介して電気的に導通されるように成膜される。これにより、第１の有機発光素子～第３の有機発光素子は電気的に直列に接続される。
　そして、下部電極２ａと上部電極４ｃとの間には、発光駆動源として機能する直流電源Ｅが接続される。即ち、図１及び図２に示す構成において、直流電源Ｅの正極端子（＋）が下部電極２ａに、又直流電源Ｅの負極端子（－）が上部電極４ｃに接続されている。これにより、直列接続された第１の有機発光素子～第３の有機発光素子には、直流電源Ｅより発光駆動電流が供給される。
　このような構成では、広い面積の有機発光素子を複数（図の例では３つ）に分割して直列接続しているため、例えばＩＴＯに代表される透明電極の高い電気抵抗率の影響を受けて、輝度むらが発生する度合いを効果的に低減させることができる。
　次に、非対称バンク６ｂ，６ｃについて述べる。
　非対称バンク６ｂは、その一つの側面部と下部電極２ｂの一部との間であって下部電極２ｂの表面における法線と当該側面部とが交わる下部電極２ｂの表面と当該側面部との間の領域を設けた形状を有している。すなわち、非対称バンク６ｂは、庇（ひさし）を有している。非対称バンク６ｃも同様である。
　典型的な例として、非対称バンク６ｂは、逆テーパ部ＲＴｂおよび順テーパ部ＦＴｂを有する。非対称バンク６ｃは、逆テーパ部ＲＴｃおよび順テーパ部ＦＴｃを有する。つまり、非対称バンク６ｂの第一の有機発光素子ａが存在する側の側面が逆テーパ部ＲＴｂとなり、非対称バンク６ｂの第一の有機発光素子ａが存在しない側の側面が順テーパ部ＦＴｂとなる。また、非対称バンク６ｃの第二の有機発光素子ｂが存在する側の側面が逆テーパ部ＲＴｃとなり、非対称バンク６ｃの第二の有機発光素子ｂが存在しない側の側面が順テーパ部ＦＴｃとなる。
　第二の有機発光素子ｂに対して、第一の有機発光素子ａが存在する側および第一の有機発光素子ａが存在しない側の方向は、図２の紙面左右方向を基準にする。非対称バンク６ｂ，６ｃが形成された後に、有機発光層が全面に成膜される。この際、逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃがマスクの役割を果たすことにより、有機発光層は、各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して夫々有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの３つに分離される。又、逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃの下、下部電極２ｂ，２ｃの表面には有機発光層３ｂ，３ｃが成膜されず、下部電極２ｂ，２ｃが露出した開口部７ｂ，７ｃが形成される。換言すれば、逆テーパ部端部１４ｂに対応する基板法線ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃよりも非対称バンク６ｂ，６ｃの側に形成される有機発光層の量は僅かであるために、上部電極４ａおよび下部電極２ｂのコンタクト，上部電極４ｂおよび下部電極２ｃのコンタクトを行うための開口部７ｂ，７ｃを形成することができる。
　更に、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの表面に、上部電極が全面に成膜される。この際、逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃがマスクの役割を果たすため、上部電極は各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して夫々上部電極４ａ，４ｂ，４ｃで示すように３つに分離され、上部電極４ａ，４ｂ，４ｃは互いに電気的に絶縁された状態で成膜される。
　そして、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃよりも回り込みの強い成膜方法を用いることにより、図２に示されるように、上部電極４ａと下部電極２ｂとの間、上部電極４ｂと下部電極２ｃとの間に開口部７ｂ，７ｃを通じてコンタクト部５ａｂ及び５ｂｃが形成され、有機発光素子ａ，ｂ，ｃは電気的導通を取ることができる。
　ここで記した「回り込み」とは、逆テーパ部端部１４ｂに対応する基板法線ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃよりも非対称バンク６ｂ，６ｃの側に上部電極４ａ，４ｂが延在して形成される状態を意味する。これは、逆テーパ部端部１４ｂ，１４ｃに対応する基板法線ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃ近傍まで形成される有機発光層３ａ，３ｂよりも、開口部７ｂ，７ｃの非対称バンク６ｂ，６ｃ側にて上部電極４ａおよび下部電極２ｂ，上部電極４ｂおよび下部電極２ｃ上が接触するためである。ここで、非対称バンク６ｂ，６ｃが順テーパ部ＦＴｂ，ＦＴｃを有するため、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間には有機発光層３ｂ，３ｃが存在し、有機発光素子ｂ，ｃにおいて、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間において短絡が抑制される。
　以上により、非対称バンク６ｂ，６ｃ及び上部電極４ａ，４ｂの回り込みにより、有機発光素子ａ，ｂ，ｃが直列接続された有機発光装置を得ることができる。
　なお、回り込みは、成膜に用いる材料の粒子が残留ガスやイオンなどと衝突することによって散乱され、粒子の進行方向が変わることにより、対象部材の上面部だけでなく、その側面部などの陰になっている部位にもある程度付着する現象である。蒸着を超高真空で行う場合は、回り込みが弱く（少なく）なることが多い。これに対して、成膜の際の真空度が低い（圧力が高い）場合は、回り込みが強く（多く）なる。このため、残留ガス又は残留イオン濃度が比較的高い（成膜に用いる材料の粒子の平均自由工程が大きい）条件となりやすい化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法等は、回り込みの強い成膜方法といえる。ただし、回り込みの強弱（多寡）は、成膜方法だけでは決まらず、上記の真空度や成膜の際の磁場の印加方法、放電の発生方法等の成膜方法固有のプロセス条件にも依存する。さらに、材料の種類にも依存する。
　［順テーパ部及び逆テーパ部の定義，形状］
　ここで、順テーパ部及び逆テーパ部の定義，形状について図４（ａ）を用いて、有機発光素子ｂ及びその周辺に基づき記す。図４（ａ）は、図２の有機発光素子ｂ及びその周辺の要部断面図である。非対称バンク６ｂにおける開口部７ｂ側の底部端部８ｂから下部電極２ｂに沿って非対称バンク６ｂが存在しない側に伸ばした半直線９ｂを基準（０度）とする。下部電極２ｂより図中上側に半直線９ｂを回転させ、初めて非対称バンク６ｂに接する点１０ｂまでの半直線９ｂの回転角をθｏと定義し、「逆テーパ部（側面部）と下部電極２ｂとのなす角度」と称する。このとき、０度＜θｏ＜９０度の場合を逆テーパとする。この場合、非対称バンク６ｂは開口部７ｂ側に逆テーパ部ＲＴｂを有する、と定義する（図４（ａ）に相当）。また、９０度≦θｏ＜１８０度の場合を順テーパと定義する。この場合、非対称バンク６ｂは開口部７ｂ側に順テーパ部を有する、と定義する。θｏ＝９０度のときには、非対称バンク６ｂの側面は垂直に切り立つ状態であるが、本発明における役割は９０度＜θｏの場合と同様なため、順テーパと定義する。なお、図４（ａ）における接点１０ｂは、上記の図２の逆テーパ部端部１４ｂと（今の場合は）同一構成である。逆テーパ部端部１４ｂの正確な定義は後述する。３０度≦θｏ≦８８度が望ましい。θｏが８８度より大きいと、逆テーパ部ＲＴｂに沿って上部電極４ｂが形成され、意図しない電極間における電気的導通が発生してしまう可能性が高くなる。例えば、図３（ｅ）における上部電極４ｂが、上部電極４ａや下部電極２ｂと電気的に導通してしまう可能性が高くなる。θｏが３０度より小さいと、非対称バンク６ｂの紙面水平方向のサイズが大きくなり、発光領域ＬＡｂが狭くなってしまうために、光源としての輝度が低下してしまう。
　同様に、非対称バンク６ｂにおける発光領域Ｌａｂ側の底部端部１１ｂから下部電極２ｂに沿って非対称バンク６ｂが存在しない側に伸ばした半直線１２ｂを基準（０度）とする。下部電極２ｂより図中上側に半直線１２ｂを回転させ、初めて非対称バンク６ｂに接する点１３ｂまでの半直線１２ｂの回転角をθＬと定義する。このとき、０度＜θＬ＜９０度の場合を逆テーパとする。この場合、非対称バンク６ｂは発光領域ＬＡｂ側に逆テーパ部を有する、と定義する。また、９０度≦θＬ＜１８０度の場合を順テーパと定義し、「順テーパ部（反対側面部）と下部電極２ｂとのなす角度」と称する。この場合、非対称バンク６ｂは発光領域ＬＡｂ側に順テーパ部ＦＴｂを有する、と定義する（図４（ａ）に相当）。θＬ＝９０度のときには、非対称バンク６ｂの側面は垂直に切り立つ状態であるが、本発明における役割は９０度＜θＬの場合と同様なため、順テーパと定義する。９０度≦θＬ≦１５０度が望ましい。θＬが１５０度より大きいと、非対称バンク６ｂの紙面水平方向のサイズが大きくなり、発光領域ＬＡｂが狭くなってしまうために、光源としての輝度が低下してしまう。
　本実施例では、非対称バンク６ｂは開口部７ｂが存在する側に逆テーパ部ＲＴｂを有し、発光領域ＬＡｂが存在する側に順テーパ部ＦＴｂを有することが重要である。この条件を満たす非対称バンク６ｂの形状として、図４（ａ）以外にも例えば、図４（ｂ）～図４（ｆ）のような形状でもよい。各構成の作製方法は後述するが、各々作製方法が異なるため、適当な構成を選択することにより、様々なプロセスにおける制約条件（現像液とレジストの相性等）に対応できる。特に、図４（ｃ），図４（ｄ）及び図４（ｅ）では、非対称バンク６ｂの開口部７ｂが存在する側における逆テーパ部ＲＴｂより非対称バンク６ｂが存在する側に深く空間（切り込み）が形成されているため、上部電極同士の絶縁をより確実に行うことができる。
　また、上記定義では適切な定義が難しい例として、図４（ｇ）のように、非対称バンク６ｂの開口部７ｂ側の底部端部８ｂから下に凸な、なだらかな曲線である場合や、非対称バンク６ｂの発光領域ＬＡｂ側の底部端部１１ｂから上に凸な、なだらかな曲線である場合が考えられる。この場合には、本実施例に必要な機能を考慮して、底部端部８ｂ及び底部端部１１ｂから非対称バンク６ｂに引いた接線を考える。半直線９ｂ及び半直線１２ｂのなす角を持ってθｏ′及びθＬ′を定義する。θｏ′＜θｏの場合には、開口部７ｂ側についてθｏ′を用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。同様に、θＬ′＜θＬの場合には、発光領域ＬＡｂ側についてθＬ′を用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。また、θｏ′≧θｏの場合には、開口部７ｂ側についてθｏを用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。同様に、θＬ′≧θＬの場合には、発光領域ＬＡｂ側についてθＬを用いて、非対称バンク６ｂの順テーパ部及び逆テーパ部を定義する。
　又、上記の逆テーパ部端部１４ｂを定義する。逆テーパ部端部１４ｂは非対称バンク６ｂに対して、基板法線を半直線９ｂに平行な方向の無限遠点から近づけたときに一番初めに接する非対称バンク６ｂの点である。逆テーパ部端部１４ｂは、有機発光層成膜においてマスクされる領域をおおよそ規定する。図４（ａ）～図４（ｆ）において、逆テーパ部端部１４ｂは上記の接点１０ｂ（非対称バンク６ｂにおける開口部７ｂ側底部端部８ｂから下部電極２ｂに沿って非対称バンク６ｂが存在しない側に伸ばした半直線９ｂを基準（０度）として、下部電極２ｂより図中上側に半直線９ｂを回転させ、初めて非対称バンク６ｂに接する点）に等しい。また、図４（ｇ）においては、図中の点１４ｂが逆テーパ端部に対応する。
　［成膜プロセス］
　図１及び図２に示した構成の有機発光装置を得るための成膜工程及び具体的な材料について、図３（ａ）～図３（ｅ）に基づき説明する。
　［下部電極形成工程］
　まず、図３（ａ）は、ガラス等の透明な素材により形成された基板１の表面に下部電極２ａ，２ｂ，２ｃを形成した状態を示している。具体的には、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜からなる下部電極２ａ，２ｂ，２ｃを形成した。
　本実施例では、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃとしてＡｌ膜を用いたが、これに限定されない。例えば、金，銀，銅，インジウム，モリブデン，ニッケル等の金属、これらの合金，ポリシリコン，アモルファスシリコンの無機材料が挙げられる。また、上記の金属または合金の表面に、錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜を形成した積層膜が挙げられる。膜厚は透明性および導電性の確保のために、８０～４００ｎｍに設定され、より好ましくは１００～２００ｎｍに設定される。
　基板１としては、ガラス基板，金属基板，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，Ａｌ２Ｏ３等の無機材料を形成したプラスチック基板等が挙げられる。金属基板材料としては、ステンレス，４２アロイなどの合金が挙げられる。プラスチック基板材料としては、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等が挙げられる。図３（ａ）では基板１は単一となっているが、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃごとに分割して形成されていても良い。
　下部電極２ａ，２ｂ，２ｃはスパッタリング法やイオンプレーティング法，蒸着法などの通常用いられる方法で基板１の表面に成膜できる。基板１上の全面にわたって成膜した後において、例えばフォトリソグラフィ法を用いることで、図３（ａ）に下部電極２ａ，２ｂ，２ｃとして示すように３つにパターニングできる。
　［非対称バンク形成工程］
　続いて、図３（ｂ）に示すように、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′が形成される。非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′は、隣接する有機発光素子ａ，ｂ，ｃの境界部における下部電極２ｂ，２ｃの表面に、境界部に沿って紙面奥行き方向に連続するようにして形成される。下層部分は次の工程と合わせて形成する非対称バンクの一部であるため、順テーパを有する構造でも逆テーパを有する構成でもよい。非対称バンクの下層部分６ｂ′と下部電極２ｂとが接する部分の非対称バンクの下層部分６ｂ′の幅は、１μｍ～１ｍｍであることが望ましい。
　本実施例では、ポジ型ノボラック系フォトレジスト（ＴＦＲ‐９７０：東京応化工業株式会社製）をスピンコーティングした。このときの膜厚は約２μｍであった。この後、露光及び現像を行い、パターンに従って順テーパを有する直列最端部短絡抑制バンク６ａ′及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′を形成した。更に、その後に２００℃のクリーンオーブンで３０分加熱した。これにより、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の耐薬品性が高まり、この後の非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′の現像工程で、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′が溶解することを防ぐことができる。
　続いて、図３（ｃ）に示すように非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′に対して、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を加える。これにより例えば非対称バンク６ｂについて、開口部７ｂ側に逆テーパ部ＲＴｂ，発光領域ＬＡｂ側に順テーパ部ＦＴｂを有する非対称な形状となる。非対称バンクの上層部分６ｂ′′と非対称バンクの下層部分６ｂ′とが接しない部分の非対称バンクの上層部分６ｂ′′の幅は、１μｍ～１ｍｍであることが望ましい。非対称バンクの上層部分６ｂ′′と非対称バンクの下層部分６ｂ′とが接しない部分の非対称バンクの上層部分６ｂ′′の表面の平均粗さで１０μｍ以下であることが望ましい。非対称バンクの上層部分６ｂ′′の高さは、１μｍ～１ｍｍであることが望ましい。
　本実施例では、ネガ形フォトレジスト（ＺＰＮ１１５０：日本ゼオン株式会社製）を、スピンコーティングしプリベークした。非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′は、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′よりアルカリ現像液に対する溶解速度の大きいものであることが望ましい。
　この場合の膜厚は５μｍ程度とした。次に、光透過スリットを備えたマスクを介して、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を形成させる位置に対してＵＶ光（紫外線）を投射し露光した。そして、フォトレジストがプリベークされた基板１にアルカリ現像液をスプレーシャワーすることにより現像の進行性の差によって、図３（ｃ）に示すように逆テーパ部ＲＴｂ，ＲＴｃを有する非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を形成した。ここでは、逆テーパ形状のバンクを作製するために、故意にＵＶ光の透過性を低くしたネガ感光型のフォトレジストを用いて、深さ方向において現像液に対する溶解性の差が生ずることを利用した。すなわち、まず、ネガ感光型フォトレジストを塗布し、非対称バンクを形成したい場所のみに光が当たるようにフォトマスクで遮光した上でＵＶ露光を行った。この際、ＵＶ光が当たった部位は現像液耐性となる。露光側に近いフォトレジストの表面は、フォトレジストの底面（基板１側）に比べて露光量（ＵＶ光の吸収量）が大きいため、より現像しにくい（現像速度が遅い）。したがって、現像工程においてフォトレジストの露光部の上下で現像速度に差が生じる。これにより、現像後に逆テーパ形状を形成することができる。
　本実施例では、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′を、順テーパを有する形状とし、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を、逆テーパ形状を有する形状とした。しかし、本発明の目的を達成するためには、最終的に開口部側が逆テーパ、発光領域側が順テーパ形状を有すればよいため、例えば、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′を、逆テーパを有する形状とし、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を、順テーパ形状を有する形状としてもよい。このようにして形成したものが図４（ｂ）に対応する。また、図４（ｂ）の構成において、非対称バンクの下層部分をレジスト剥離液などで溶解することにより、図４（ｃ）の構成を形成できる。さらに、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′および非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′を共に順テーパ形状を有する形状とした上で、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の下層部分をレジスト剥離液などで溶解することにより、図４（ｄ）の構成を形成できる。
　非対称バンク６ｂ，６ｃの形成に必要な順テーパ形状及び逆テーパ形状の形成に用いることのできる材料は、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ等の金属窒化物，非感光性ポリイミド，感光性ポリイミド，フォトレジスト（ノボラック系，感光性環化ゴム系，科学増幅型）等の感光性樹脂などの有機物が挙げられる。非対称バンク６ｂ，６ｃが金属酸化物であれば、マスクを用いたリアクティブイオンエッチング等の手法を用いて、非感光性ポリイミドであればマスクを用いたドライエッチング，ウェットエッチング等の手法を用いて、感光性材料であればマスクを用いたフォトリソグラフィ等の手法によりパターニングできる。逆テーパ部を用いた隣接有機発光素子間における上部電極と下部電極の接続を有効に行うためには、非対称バンクの逆テーパ部端部１４ｂは下部電極の逆テーパ側端部２ｂ′（図３（ｃ））よりも発光領域ＬＡｂ側（紙面右側）、つまり、非対称バンクが存在する側にあることが望ましい。
　［有機発光層の形成工程］
　図３（ｄ）は、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの表面に有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃを成膜した状態を示す。この場合、有機発光層を全面にわたって成膜することで、非対称バンク６ｂ，６ｃの存在により、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃは各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して夫々３ａ，３ｂ，３ｃで示したように３つに分離される。このとき、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′の表面には、有機発光層３ｂ，３ｃが形成されている。斜め蒸着のプロセスを用いずに真空蒸着法等により有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃを作製することにより、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′上の有機発光層３ｂ，３ｃは矩形となる。なお、本実施例では、下部電極２ａと下部電極２ｂとの間，及び下部電極２ｂと下部電極２ｃとの間であって、基板１の表面にも有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃが形成されている。
　有機発光層は、正孔輸送層，発光層，電子輸送層，バッファ層などからなる。ただし、バッファ層はなくてもよい。また、有機発光層には後述する正孔注入層または電子注入層が含まれる場合がある。
　本実施例では、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの表面に、真空蒸着法により膜厚５９ｎｍの４，４－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、α－ＮＰＤとする。）の蒸着膜を形成した。この蒸着膜は正孔輸送層として機能する。
　本実施例では、正孔輸送層としてα－ＮＰＤの蒸着膜を用いたが、これに限定されない。正孔輸送層は、正孔を輸送し、発光層へ注入するものである。そのため、正孔輸送層は正孔移動度が高い正孔輸送性材料からなることが望ましい。また、正孔輸送層として、化学的に安定で、イオン化ポテンシャルが小さく、電子親和力が小さく、ガラス転移温度が高いことが望ましい。
　正孔輸送層としては、例えば、Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－［１，１′－ビフェニル］－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、４，４′，４′′－トリ（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ－ＤＰＡ－ＴＤＡＢ）、４，４′，４′′－トリス（Ｎ－カルバゾール）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス［Ｎ，Ｎ－ビス（２－メチルフェニル）－アミノ］－ベンゼン（ｏ－ＭＴＤＡＢ）、１，３，５－トリス［Ｎ，Ｎ－ビス（３－メチルフェニル）－アミノ］－ベンゼン（ｍｍＴＤＡＢ）、１，３，５－トリス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）－アミノ］－ベンゼン（ｐ－ＭＴＤＡＢ）、４，４′，４′′－トリス［１－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１－ＴＮＡＴＡ）、４，４′，４′′－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（２－ＴＮＡＴＡ）、４，４′，４′′－トリス［ビフェニル－４－イル－（３－メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｐ－ＰＭＴＤＡＴＡ）、４，４′，４′′－トリス［９，９－ジメチルフルオレン－２－イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ＴＦＡＴＡ）、４，４′，４′′－トリス（Ｎ－カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ－ＤＰＡ－ＴＤＡＢ）、１，３，５－トリス｛４－［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ）、Ｎ，Ｎ′－ジ（ビフェニル－４－イル）－Ｎ，Ｎ′－ジフェニル［１，１′－ビフェニル］－４，４′－ジアミン（ｐ－ＢＰＤ）、Ｎ，Ｎ′－ビス（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ，Ｎ′－ジフェニルフルオレン－２，７－ジアミン（ＰＦＦＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラキス（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－［１，１－ビフェニル］－４，４′－ジアミン（ＦＦＤ），４－４′－ビス［Ｎ，Ｎ′－（３－トリル）アミノ］－３－３′－ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）等が望ましく、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。
　必要に応じて、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃと正孔輸送層との間には正孔注入層を配置してもよい。下部電極２ａ，２ｂ，２ｃと正孔輸送層との注入障壁を下げるため、正孔注入層は適当なイオン化ポテンシャルを有する材料により形成されることが望ましい。また、正孔注入層は下地層の表面の凹凸を埋める役割を果たすことが望ましい。正孔注入層としては、例えば、銅フタロシアニン，スターバーストアミン化合物，ポリアニリン，ポリチオフェン，酸化バナジウム，酸化モリブテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウム等が挙げられる。
　また、正孔輸送性材料に酸化剤を含有してもよい。これにより、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃと正孔輸送層との障壁を低下させる、または、電気伝導度を向上させることができる。酸化剤としては、例えば、塩化第二鉄，塩化アンモニウム，塩化ガリウム，塩化インジウム，五塩化アンチモン等のルイス酸化合物，トリニトロフルオレン等の電子受容性化合物，正孔注入材料として挙げられる酸化バナジウム，酸化モリブテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウムなどを用いることができ、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。
　次に、正孔輸送層の表面に、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのＣＢＰ及びイリジム錯体（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とする。）を共蒸着した膜を形成した。このＣＢＰ及びＩｒ（ｐｐｙ）３の蒸着速度は、それぞれ０．２０ｎｍ／ｓｅｃ及び０．０２ｎｍ／ｓｅｃとした。Ｉｒ（ｐｐｙ）３が発光色を決定するドーパントとして機能する。ＣＢＰおよびＩｒ（ｐｐｙ）３との共蒸着膜は、中心波長５２０ｎｍの緑色の光を発する緑色発光層として機能する。
　緑色発光層において、注入された正孔及び電子が再結合し励起状態が形成され、励起状態が基底状態に緩和する際、材料固有の波長で発光する。緑色発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合と、ホストに微量添加したドーパント材料が発光する場合がある。ホスト材料としては、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ），骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２），フェナンスレン基を有するペリノン誘導体（Ｐ１），トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ－３Ｔ），ペリレン誘導体（ｔＢｕ－ＰＴＣ），トリス（８－キノリノール）アルミニウム，ポリパラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導体，ポリパラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体，ポリアセチレン誘導体等が挙げられ、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。
　次に、ドーパント材料としては、例えば、キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルブレン，４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（パラ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＭ），ジカルバゾール誘導体，ポルフィリン白金錯体（ＰｔＯＥＰ），イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等が挙げられ、これらを１種単独、または、２種以上を併用してもよい。
　次に、緑色発光層の表面に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのトリス（８－キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３とする。）を蒸着した膜を形成した。この蒸着膜は電子輸送層として機能する。
　電子輸送層は、電子を輸送し、緑色発光層へ注入する。そのため、電子輸送層は電子移動度が高い電子輸送性材料からなることが望ましい。電子輸送層としては、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体，バソキュプロイン（ＢＣＰ）等が望ましく、１種単独、または、２種以上を併用することもできる。
　また、電子輸送層は、上記の電子輸送性材料に還元剤を含有して、バッファ層と電子輸送層との障壁を低くすること、または、電子輸送層の電気伝導度を向上させることが望ましい。還元剤としては、例えば、アルカリ金属，アルカリ土類金属，アルカリ金属酸化物，アルカリ土類酸化物，希土類酸化物，アルカリ金属ハロゲン化物，アルカリ土類ハロゲン化物，希土類ハロゲン化物，アルカリ金属，芳香族化合物等で形成される錯体が挙げられる。特に、好ましいアルカリ金属はＣｓ，Ｌｉ，Ｎａ及びＫである。これらの材料に限られず、これらの材料を１種単独、または、２種以上併用してもよい。
　次に、電子輸送層の表面に、バッファ層としてＭｇとＡｇとの混合膜を形成した。この場合、２元同時真空蒸着法を用いてＭｇ及びＡｇの蒸着速度をそれぞれ０．１４ｎｍ／ｓｅｃ及び０．０１ｎｍ／ｓｅｃに設定し、膜厚１０ｎｍの膜を蒸着した。
　また、電子注入層を、上部電極またはバッファ層と電子輸送層との間に挿入して、電子注入効率を向上させてもよい。電子注入層としては、例えば、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カルシウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグネシウム，酸化アルミニウム等が望ましい。これらの材料に限られず、これらの材料を１種単独、または、２種以上併用してもよい。
　［上部電極の形成工程］
　続いて、図３（ｅ）に示すように、有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃの表面に上部電極が全面にわたって成膜される。この際、非対称バンク６ｂ，６ｃの存在により、上部電極は各有機発光素子ａ，ｂ，ｃに対応して、夫々上部電極４ａ，４ｂ，４ｃで示すように３つに分離され、互いに絶縁された状態で成膜される。さらに有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃよりも回り込みの強い成膜方法を用いることにより、図３（ｅ）に示されるように、上部電極４ａと下部電極２ｂとの間、上部電極４ｂと下部電極２ｃとの間に、開口部７ｂ，７ｃを通じてコンタクト部５ａｂ及び５ｂｃが形成され、有機発光素子ａ，ｂ，ｃは電気的導通を取ることができる。この結果、有機発光素子ａ，ｂ，ｃは直列接続された構成となる。
　非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′の表面に形成された有機発光層３ｂ，３ｃの表面には上部電極４ｂ，上部電極４ｃが形成されている。斜め蒸着のプロセスを用いずにスパッタリング法等により上部電極４ａ，４ｂ，４ｃを作製することにより、非対称バンクの上層部分６ｂ′′，６ｃ′′上の上部電極４ｂ，４ｃは矩形となる。非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の表面に形成された有機発光層３ｂ，３ｃの端部は上部電極４ｂ，４ｃで覆われている。
　ここで、非対称バンク６ｂ，６ｃが順テーパ部ＦＴｂ，ＦＴｃを有するため、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間には有機発光層３ｂ，３ｃが存在し、有機発光素子ｂ，ｃにおいて、下部電極２ｂと上部電極４ｂとの間、下部電極２ｃと上部電極４ｃとの間において短絡が抑制される。
　本実施例では、スパッタリング法により膜厚５０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した。このＩＺＯ膜は上部透明電極として機能する。ＩＺＯ膜は非晶質酸化物膜である。このときのターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３を満たすものを用いる。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ２混合ガスを雰囲気として、真空度０．２Ｐａ、スパッタリング出力を２Ｗ／ｃｍ２とした。Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ積層膜の透過率は６５％であった。上部電極４ａ，４ｂ，４ｃは、仕事関数の小さい金属，合金，導電性化合物により構成される。例えば、アルミニウム，アルミニウム－リチウム合金，マグネシウム－銀合金などが挙げられる。そして上部電極の膜厚は１０～５００ｎｍ程度に設定され、好ましくは５０～２００ｎｍになされる。また、上部電極において、スパッタリング法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、イオンプレーティング法等の回り込みの強い方法により成膜することができる。
　以上に述べた有機発光層及び上部電極の膜厚は、各層同士の適用性や求められる全体の膜厚を考慮して適宜状況に応じて定められるが、３つに分離される有機発光層３ａ，３ｂ，３ｃ及び上部電極４ａ，４ｂ，４ｃのそれぞれの基板１の法線方向の高さは、すでに説明した非対称バンク６ｂ，６ｃの高さよりも低くなるように設定される。
　［封止工程］
　次に、有機発光素子を形成した基板１を大気に曝すことなく、高純度窒素ガスを循環させて高露点を保った封止室に移動させた。
　次に、封止室にガラス基板を導入した。このガラス基板は封止基板である。封止基板のエッジ部分に、周知のシールディスペンサ装置を用いて光硬化樹脂を描画した（図示省略）。封止室内で、封止基板と基板１とを貼り合せて圧着させた。封止基板の外側に、有機発光素子全体にＵＶ光が当たらないよう周知の遮光板を置き、封止基板側からＵＶ光を照射させて光硬化樹脂を硬化させた。
　このようにして本実施例の有機発光装置が得られた。
　以上のように、本実施例にかかる有機発光装置によると、隣接する有機発光素子の境界部における下部電極の表面に非対称バンクを形成し、かつ回り込みの強い成膜方法により、逆テーパ部端部に対応する基板法線よりも内側に上部電極を回り込ませることにより、従来のように有機発光層を蒸着マスクを用いて塗り分ける操作を行うことなく、また上部電極形成の際にもマスクを用いて塗り分ける操作を行うことなく、有機発光素子を直列接続させた構成の有機発光装置を提供することができる。
　従って、上記の構成の有機発光装置を採用することにより、複数に分割した有機発光素子を直列接続させた構成の有機発光装置を効率よく製造することが可能となる。
　尚、本実施例では、下部電極を可視光反射率の高い材料、上部電極を可視光透過率の高い材料とした。これは有機発光層からの発光を上部電極側に取出す構成をとったためである。このような構成はトップエミッション構造と呼ばれる。本発明は直列構造形成に関わるものであるため、トップエミッション構造に限定される必要はなく、下部電極を可視光透過率の高い材料、上部電極を可視光反射率の高い材料として、下部電極側から発光を取出してもよい。このような構造はボトムエミッション構造として知られている。
　本実施例では、発光層として緑色の光を発する緑色発光層を用いているが、発光層に青色発光層及び赤色発光層を積層することにより白色発光する有機発光装置としてもよい。例えば、発光層として下部電極側から青色発光層，緑色発光層及び赤色発光層の順に配置することで白色発光する発光層を得ることができる。白色発光を得る別の発光層の構成として、各色発光層が電荷発生層で挟まれて積層されるマルチフォトンエミッション（ＭＰＥ）構造を用いてもよい。
　図５は、本発明に関わる実施形態の第２の実施例を模式的に示す要部断面図である。以下で説明する内容以外は前述した実施例１と同様である。
　図５に示すように、本実施例では端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃが、下部電極２ａ，２ｂ，２ｃの端部を覆うように配置されている。また、非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′の輪郭（下層部分６ｂ′，６ｃ′形成後にできている部分）を明示した。また、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の下層部分の高さが揃っている。端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃの高さ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の高さが完全に同一である必要はなく、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ，非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′各々の基板からの高さの差が基板１からの高さの平均値に対して１０％以下であることが望ましい。さらに、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′は同じ材料で形成されていることが特徴である。
　非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′及び端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃの目的は、下部電極や有機膜の膜厚が不均一になり易い箇所で、各有機発光素子において、上部電極と下部電極が短絡することを防ぐことである。本構成では、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′，直列最端部短絡抑制バンク６ａ′の高さ及び材料が同じであることにより、端部隠しバンク１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ及び非対称バンクの下層部分６ｂ′，６ｃ′、直列最端部短絡抑制バンク６ａ′を同一プロセスで形成することができる。これにより、直列ＯＬＥＤの形成に必要なプロセスを削減し、より容易にマスクレスで直列構造を形成することができる。
　図６は、本発明に関わる実験パラメータを模式的に示す要部断面図である。以下で説明する内容以外は前述した実施例１と同様である。
　ｘは、開口部７ｂに隣接する上部電極４ａと下部電極２ｂとの接触面（上部電極４ａと下部電極２ｂとの間の電気的導通部の接触面）の幅である。ここで、電気的導通部は、体積を有するものとする。また、ｈは、有機発光層３ａと逆テーパ部端部１４ｂ（非対称バンク６ｂの側面部の上端部）との最短距離であり、本図においては、逆テーパ部端部１４ｂに対応する基板法線ＲＴＥｂ上における有機発光層３ａと逆テーパ部端部１４ｂとの距離である。
　ｈは３００ｎｍ～１ｍｍが望ましく、ｘは３００ｎｍ～１ｍｍが望ましい。ｈ，ｘ共に３００ｎｍ以上であれば、実用的なコンタクト抵抗の値が得られ、オーミック接触となった。ｈ＜３００ｎｍであると、上部電極の十分な回り込みが発生しない。また、ｘ＜３００ｎｍであると、有機層端部の膜厚不均一性の影響を受け、安定な電気的導通を得られない。なお、これらの実験結果は、開口部７ｂにおける上部電極４ａ及び下部電極２ｂの接触領域の奥行き幅を１μｍから１０ｃｍまで変化させても変わらなかった。従って、この結果は接触領域の面積に依るものではなく、上記した要因によるものと考えられる。
　図７は、本発明に関わる実施形態の第４の実施例を示す有機発光装置の構造例を上面から見た要部模式図である。図８～図１０はそれぞれ図７の構成の作製に用いるための成膜マスクを上面から見た模式図、図１１は本発明の非対称バンクを用いない場合の図８に対応する成膜マスクを上面から見た模式図である。以下で説明する内容以外は、前述した実施例１と同様である。
　本実施例は、有機発光装置から白色光を出すための、実施例１と異なる構成である。図７のように、電気的に直列に接続された有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃ（…はｂ，ｃの繰り返し）には赤緑青のいずれか一色の光（例えば赤色光）を出射する発光層が含まれる。有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃ（…はｂ，ｃの繰り返し）と並列に形成された有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′…，ｂ′，ｃ′（…はｂ′，ｃ′の繰り返し）には、有機発光素子ａ，ｂ，ｃに用いられた発光層と別の光（例えば緑色光）を出射する発光層が含まれる。有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′に並列に形成された有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′，…，ｂ′′，ｃ′′（…はｂ′′，ｃ′′の繰り返し）には有機発光素子ａ，ｂ，ｃに用いられた発光層および有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′に用いられた発光層と別の光（例えば青色光）を出射する発光層が含まれる。有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′，有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′は、有機発光層以外は有機発光素子ａ，ｂ，ｃと同様の構造を有する。本実施例では、有機発光素子ａ′が第三の有機発光素子，有機発光素子ｂ′が第四の有機発光素子となる。有機発光素子ａ，ｂ，ｃで第一の有機発光素子群が構成され、有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′で第二の有機発光素子群が構成される。有機発光素子ａ，ｂ，ｃと有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′と有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′とは電気的に並列に接続されている。
　この構成により、発光の総和として白色光を出射できる。この各色の発光層を形成する工程を以下に示す。まず、有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃ（…はｂ，ｃの繰り返し）を図８で示す成膜マスク１７を用いて成膜する。成膜マスク１７には、有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃに対応した開口部１６ａｂｃが設けられている。この成膜マスク１７を図７に示す有機発光装置の表面に、配置した状態で、その上方から成膜を行うことにより、有機発光素子ａ，ｂ，ｃ，…，ｂ，ｃに選択的に成膜を行うことができる。各有機発光素子ａ，ｂ，ｃ間には非対称バンクが存在するため、直列方向に対して、図１１で示すような有機発光素子毎に分割されたマスクを用いる必要がない。同様にして、有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′…，ｂ′，ｃ′（…はｂ′，ｃ′の繰り返し）を図９で示す成膜マスク１７′を用いて成膜する。成膜マスク１７′には、有機発光素子ａ′，ｂ′，ｃ′，…，ｂ′，ｃ′に対応した開口部１６ａ′ｂ′ｃ′が設けられている。また、有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′，…，ｂ′′，ｃ′′（…はｂ′′，ｃ′′の繰り返し）を図１０で示す成膜マスク１７′′を用いて成膜する。成膜マスク１７′′には、有機発光素子ａ′′，ｂ′′，ｃ′′，…，ｂ′′，ｃ′′に対応した開口部１６ａ′′ｂ′′ｃ′′が設けられている。
　以上のプロセスを用いれば、成膜マスク１７，１７′，１７′′は必要であるが、各色を並列方向に塗り分けた上で、直列方向に各色のマスクレス成膜が可能となる。従って、マスクの位置合わせ精度の要求を下げられ、マスクの耐久性を向上できる。
　なお、本実施例では一般的に用いられる３色で白色を形成する構成としたが、同様の考え方で白色を形成すれば３色に限らない。例えば、青及び黄色の２色で白色を形成してもよく、また、青，緑，黄色及び赤の４色で白色を形成してもよい。さらに、複数色により形成される色は白色である必要もなく、例えば、緑及び赤の発光層をもつ２種の有機発光層を用いることにより黄色の発光をする有機発光装置を形成してもよい。
　１：基板、２ａ，２ｂ，２ｃ：下部電極、２ｂ′：下部電極の逆テーパ側端部、３ａ，３ｂ，３ｃ：有機発光層、４ａ，４ｂ，４ｃ：上部電極、５ａｂ，５ｂｃ：コンタクト部、６ａ′：直列最端部短絡抑制バンク、６ｂ，６ｃ：非対称バンク、６ｂ′，６ｃ′：非対称バンクの下層部分、６ｂ′′，６ｃ′′：非対称バンクの上層部分、７ｂ，７ｃ，１６ａｂｃ，１６ａ′ｂ′ｃ′，１６ａ′′ｂ′′ｃ′′：開口部、８ｂ，１１ｂ：底部端部、９ｂ，１２ｂ：半直線、１０ｂ，１３ｂ：非対称バンクに接する点、１４ｂ：逆テーパ部端部、１５ａｂ，１５ｂｃ，１５ｃ：端部隠しバンク、１７，１７′，１７′′：成膜マスク、１８：有機発光装置、Ｅ：直流電源、ＬＡａ，ＬＡｂ，ＬＡｃ：発光領域、ＦＴｂ，ＦＴｃ：順テーパ部、ＲＴｂ，ＲＴｃ：逆テーパ部、ＲＴＥｂ，ＲＴＥｃ：基板法線。

Claims (19)

  1. 　基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面には非対称バンクが設けてあり、前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子は、前記基板の表面に配置し、前記第一の有機発光素子と前記第二の有機発光素子とを電気的に直列に接続した有機発光装置であって、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域には、前記第一の上部電極が設けてあり、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触していることを特徴とする有機発光装置。
  2. 　前記側面部は、逆テーパ部を有することを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。
  3. 　前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部は、順テーパ部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機発光装置。
  4. 　前記第二の下部電極及び前記第二の上部電極は電気的に切り離されていることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  5. 　前記領域は、空隙部を有することを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  6. 　前記第一の下部電極と前記第二の下部電極との間には、前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極の端部を覆う端部隠しバンクを設けたことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  7. 　前記端部隠しバンク及び前記非対称バンクは同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項６記載の有機発光装置。
  8. 　前記領域には、前記第二の下部電極の開口部を設けたことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  9. 　前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とが電気的に接触している接触面の幅は、３００ｎｍ～１ｍｍであることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  10. 　前記第一の有機発光層と前記側面部の上端部との最短距離は、３００ｎｍ～１ｍｍであることを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  11. 　前記非対称バンクは、その上面部に段差を有し、この段差により前記第二の上部電極が電気的に二つに分離されていることを特徴とする請求項１～１０のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  12. 　前記側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、３０～８８度であることを特徴とする請求項１～１１のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  13. 　前記側面部の反対側に位置する前記非対称バンクの反対側面部と前記第二の下部電極とのなす角度は、９０～１５０度であることを特徴とする請求項１～１２のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  14. 　前記第二の下部電極の表面に対する前記側面部の上端部の直交射影は、前記第二の下部電極の表面にあることを特徴とする請求項１～１３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  15. 　前記第一の有機発光素子及び前記第二の有機発光素子を含む有機発光素子群を複数備え、これらの有機発光素子群は、電気的に並列に接続してあり、複数の前記有機発光素子群のそれぞれから異なる光を出射可能としたことを特徴とする請求項１～１４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
  16. 　基板と、第一の下部電極、第一の有機発光層及び第一の上部電極をこの順に積層した第一の有機発光素子と、第二の下部電極、第二の有機発光層及び第二の上部電極をこの順に積層した第二の有機発光素子とを備え、前記第二の下部電極の表面に非対称バンクを設けた有機発光装置の製造方法であって、前記基板の表面に前記第一の下部電極及び前記第二の下部電極を形成する工程と、前記第二の下部電極の表面に前記非対称バンクの下層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極、前記第二の下部電極及び前記下層部分を設けた前記基板を熱処理する工程と、前記下層部分の表面に前記非対称バンクの上層部分を形成する工程と、前記第一の下部電極の表面に前記第一の有機発光層を形成するとともに、前記第二の下部電極の表面に前記第二の有機発光層を形成する工程と、前記第一の有機発光層の表面に前記第一の上部電極を形成するとともに、前記第二の有機発光層の表面に前記第二の上部電極を形成する工程とを含み、前記第一の有機発光素子に対向する前記非対称バンクの側面部と前記第一の有機発光層との間であって前記第二の下部電極の表面における法線と前記側面部とが交わる前記第二の下部電極の表面と前記側面部との間の領域に前記第一の上部電極を設けることにより、前記領域にて前記第一の上部電極と前記第二の下部電極とを電気的に接続することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
  17. 　前記上層部分は、紫外線を用いた露光により形成することを特徴とする請求項１６記載の有機発光装置の製造方法。
  18. 　前記第一の有機発光層及び第二の有機発光層は、真空蒸着法によって形成することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の有機発光装置の製造方法。
  19. 　前記第一の上部電極及び第二の上部電極は、スパッタリング法、化学蒸着法又はイオンプレーティング法によって形成することを特徴とする請求項１６～１８のいずれか一項に記載の有機発光装置の製造方法。
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