WO2012086480A1 - 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012086480A1
WO2012086480A1 PCT/JP2011/078861 JP2011078861W WO2012086480A1 WO 2012086480 A1 WO2012086480 A1 WO 2012086480A1 JP 2011078861 W JP2011078861 W JP 2011078861W WO 2012086480 A1 WO2012086480 A1 WO 2012086480A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vapor deposition
deposition source
injection
particles
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/078861
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
通 園田
伸一 川戸
井上　智
智志 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US13/993,677 priority Critical patent/US20130260501A1/en
Priority to JP2012549744A priority patent/JP5410618B2/ja
Publication of WO2012086480A1 publication Critical patent/WO2012086480A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US14/879,090 priority patent/US20160036008A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus using a vacuum vapor deposition method, a vapor deposition method, and a method for manufacturing an organic electroluminescence display device using the vapor deposition apparatus and the vapor deposition method.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device including an organic EL element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of an organic material is an all-solid-state type, low voltage driving, high-speed response, As a flat panel display excellent in terms of self-luminous property and the like, it is attracting a great deal of attention.
  • the organic EL display device has, for example, a configuration in which an organic EL element connected to a TFT is provided on a substrate made of a glass substrate or the like provided with a TFT (thin film transistor).
  • the organic EL element is a light emitting element that can emit light with high luminance by low-voltage direct current drive, and has a structure in which a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode are stacked in this order. Of these, the first electrode is connected to the TFT. In addition, between the first electrode and the second electrode, as the organic EL layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer The organic layer which laminated
  • organic EL elements including light emitting layers of red (R), green (G), and blue (B) are arranged and formed on a substrate as sub-pixels. A color image is displayed by selectively emitting light from these organic EL elements with a desired luminance using TFTs.
  • an organic EL display device In order to manufacture an organic EL display device, it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern for each organic EL element. In addition, for a layer that does not require pattern formation for each organic EL element, a thin film is collectively formed on the entire pixel region constituted by the organic EL element.
  • a vacuum deposition method for example, a vacuum deposition method, an ink jet method, and a laser transfer method are known.
  • a vacuum deposition method is often used (for example, Patent Documents 1 and 2).
  • a mask also referred to as a deposition mask or a shadow mask in which openings having a predetermined pattern are formed is used.
  • the deposition surface of the substrate to which the mask is closely fixed is opposed to the deposition source.
  • vapor deposition particles (film forming material) from the vapor deposition source are vapor deposited on the vapor deposition surface through the opening of the mask, thereby forming a thin film having a predetermined pattern.
  • Vapor deposition is performed for each color of the light emitting layer (this is called “separate vapor deposition”).
  • FIG. 12 is a side view illustrating a schematic configuration of a conventional vapor deposition apparatus 250
  • FIG. 13 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a vapor deposition source 280, a vapor deposition source crucible 282, and a pipe 283 of the vapor deposition apparatus 250.
  • the vapor deposition apparatus 250 is an apparatus for forming a film on the deposition target substrate 260, and includes a shadow mask 270, a vapor deposition source 280, a vapor deposition source crucible 282, and a pipe 283.
  • the shadow mask 270 and the vapor deposition source 280 are disposed in the vacuum chamber 290, and the vapor deposition source crucible 282 is fixed to a support base (not shown).
  • the vapor deposition source 280 has a plurality of injection ports (nozzles) 281 for injecting vapor deposition particles, and the injection ports 281 are arranged in one row as shown in FIG.
  • the vapor deposition source crucible 282 stores a solid or liquid vapor deposition material.
  • the vapor deposition material is heated inside the vapor deposition source crucible 282 to be gaseous vapor particles, and is supplied (introduced) to the vapor deposition source 280 through the pipe 283.
  • the pipe 283 is connected to one end (supply side end) of the row of the injection ports 281 of the vapor deposition source 280, and the vapor deposition particles supplied to the vapor deposition source 280 are injected from the injection port 281. . Note that the pipe 283 is heated to a temperature at which vapor deposition particles do not adhere.
  • the vapor deposition surface of the deposition target substrate 260 and the vapor deposition source 280 are arranged to face each other.
  • a shadow mask 270 having an opening corresponding to the pattern of the vapor deposition region is closely fixed to the vapor deposition surface of the deposition target substrate 260 so that the vapor deposition particles do not adhere to a region other than the target vapor deposition region.
  • the deposition target substrate 260 and the shadow mask 270 are relatively moved (scanned) with respect to the vapor deposition source 280 while vapor deposition particles are ejected from the ejection port 281. Thereby, a predetermined pattern is formed on the deposition target substrate 260.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 8-227276 (published on September 3, 1996)” Japanese Patent Publication “JP 2000-188179 A (published July 4, 2000)”
  • the conventional technique as described above has a problem that the film thickness distribution of the deposited film becomes non-uniform.
  • FIG. 14 is a graph showing the relationship between the position of the deposition target substrate 260 along the arrangement direction of the injection ports 281 and the distribution (thickness) of vapor deposition particles.
  • a position facing the supply side end of the vapor deposition source 280 is A
  • a position facing the end opposite to the supply side end of the vapor deposition source 280 is B.
  • the inside of the vapor deposition source 280 is affected by the pressure difference in the supply path and the injection port, the internal shape, conductance, and the like, the amount of vapor deposition particles injected from each injection port 281 varies. Specifically, since the vapor deposition particles are sequentially injected from the injection port 281 near the supply side end portion, the density of the vapor deposition particles decreases as the distance from the supply side end portion increases, and a pressure difference is generated inside the vapor deposition source 280. Therefore, the larger the distance from the supply side end of the vapor deposition source 280, the smaller the injection amount of the vapor deposition particles from the injection port 281. Accordingly, as shown in FIG.
  • the amount of vapor deposition particles varies depending on the position in the substrate surface for the vapor deposition film on the deposition target substrate 260 constituted by the synthesis of vapor deposition particles injected from various injection ports 281. Will be different. For this reason, nonuniformity of the film thickness distribution occurs in the substrate surface.
  • the light emission characteristics of organic EL elements are extremely sensitive to the film thickness of the deposited organic film, and the difference in film thickness of the organic film within the screen of the organic EL display device results in uneven display and uneven life characteristics. Connect directly. Therefore, it is desirable to deposit the light emitting layer of the organic EL element as uniformly as possible.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of depositing vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • a vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film on a deposition target substrate, and has a plurality of injection ports that eject vapor deposition particles to the deposition target substrate.
  • a vapor deposition source in which the injection ports are arranged in one or a plurality of rows, a plurality of pipes connected to the vapor deposition source, and a vapor deposition particle supply for supplying the vapor deposition particles to the vapor deposition source through the plurality of pipes And at least one of the plurality of pipes is connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source, and at least one of the plurality of pipes is connected to the injection port of the vapor deposition source. It is characterized by being connected to the other end side of the row.
  • a vapor deposition method is a vapor deposition method for forming a film on a deposition target substrate, which has a plurality of injection ports, and the injection ports are arranged in one or more rows.
  • the vapor deposition source is supplied to the deposition target substrate from the injection port.
  • the vapor deposition particles are connected to the vapor deposition source via a pipe connected to the other end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source.
  • the vapor deposition particles are supplied from the vapor deposition particle supply means to the vapor deposition source through a plurality of pipes, and are injected from the injection port onto the film formation substrate.
  • first pipe a pipe connected to one end side of the row of injection ports in the vapor deposition source
  • second pipe a pipe connected to the other end side of the row of injection ports in the vapor deposition source
  • the injection amount of particles decreases monotonously.
  • the film thickness distribution of the vapor deposition particles when the vapor deposition particles are supplied from the first pipe and the film thickness distribution of the vapor deposition particles when the vapor deposition particles are supplied from the second pipe are as follows. It becomes symmetric. Therefore, the film thickness distribution obtained by synthesizing these film thickness distributions is more uniform than the film thickness distribution when the vapor deposition is performed without rotating the vapor deposition source. Therefore, it is possible to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of vapor deposition of vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • the organic electroluminescence display device manufacturing method of the present invention includes a TFT substrate / first electrode manufacturing step of forming a first electrode on a TFT substrate, and an organic layer on which an organic layer including at least a light emitting layer is deposited on the TFT substrate.
  • An organic electroluminescence display device comprising: a vapor deposition step; a second electrode vapor deposition step of depositing a second electrode; and a sealing step of sealing an organic electroluminescence element including the organic layer and the second electrode with a sealing member.
  • the organic layer or the like can be formed with a uniform film thickness by the vapor deposition method of the present invention, an organic electroluminescence display device with little display unevenness can be provided.
  • the vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film on a film formation substrate, and has a plurality of injection holes for injecting vapor deposition particles onto the film formation substrate.
  • Vapor deposition source arranged in one or more rows, a plurality of pipes connected to the vapor deposition source, vapor deposition particle supply means for supplying the vapor deposition particles to the vapor deposition source via the plurality of pipes, Moving means for moving the deposition target substrate relative to the deposition source, and at least one of the plurality of pipes is connected to one end side of the row of the injection ports in the deposition source, At least one of the pipes is configured to be connected to the other end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source.
  • the vapor deposition method according to the present invention is a vapor deposition method for forming a film on a deposition target substrate, wherein the vapor deposition source has a plurality of injection ports, and the injection ports are arranged in one or more rows.
  • the injection port is configured to supply vapor deposition particles to the vapor deposition source through a pipe connected to one end side of the row of the injection ports in the source, and move the deposition target substrate relative to the vapor deposition source.
  • the vapor deposition source was connected to the other end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source Secondly, the vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source via a pipe, and the vapor deposition particles are ejected from the injection port to the film deposition substrate while moving the film deposition substrate relative to the vapor deposition source. Injection process. Therefore, there is an effect that it is possible to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of depositing vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA of the TFT substrate in the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows schematic structure of the vapor deposition source unit of the vapor deposition apparatus shown in FIG. It is a graph which shows the relationship between the position in the film-forming substrate along the sequence direction of the injection port of a vapor deposition source, and distribution (thickness) of vapor deposition particles.
  • a method for manufacturing a bottom emission type organic EL display device for RGB full color display in which light is extracted from the TFT substrate side is given as an example. explain.
  • FIG. 6 is a sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device for RGB full-color display.
  • 7 is a plan view showing a configuration of a pixel constituting the organic EL display device shown in FIG. 6, and
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA of the TFT substrate in the organic EL display device shown in FIG. FIG.
  • the organic EL display device 1 manufactured in the present embodiment includes an organic EL element 20 connected to the TFT 12 and an adhesive layer on the TFT substrate 10 on which the TFT 12 (see FIG. 8) is provided. 30 and the sealing substrate 40 have the structure provided in this order.
  • the organic EL element 20 includes a pair of substrates (TFT substrates) by bonding the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is laminated to a sealing substrate 40 using an adhesive layer 30. 10 and the sealing substrate 40).
  • TFT substrates substrates
  • the organic EL element 20 is sealed between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40 in this way, so that oxygen or moisture can enter the organic EL element 20 from the outside. It is prevented.
  • the TFT substrate 10 includes a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate as a supporting substrate.
  • a plurality of wirings 14 including a plurality of gate lines laid in the horizontal direction and a plurality of signal lines laid in the vertical direction and intersecting the gate lines are provided. It has been.
  • a gate line driving circuit (not shown) for driving the gate line is connected to the gate line, and a signal line driving circuit (not shown) for driving the signal line is connected to the signal line.
  • the organic EL display device 1 is a full-color active matrix organic EL display device, and red (R), green (G), and blue are respectively formed on the insulating substrate 11 in regions surrounded by the wirings 14.
  • the sub-pixels 2R, 2G, and 2B of the respective colors including the organic EL elements 20 of the respective colors of (B) are arranged in a matrix.
  • an area surrounded by these wirings 14 is one sub pixel (dot), and R, G, and B light emitting areas are defined for each sub pixel.
  • the pixel 2 (that is, one pixel) has three sub-pixels: a red sub-pixel 2R that transmits red light, a green sub-pixel 2G that transmits green light, and a blue sub-pixel 2B that transmits blue light. It is composed of pixels 2R, 2G, and 2B.
  • Each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B includes openings 15R and 15G that are covered by the light-emitting layers 23R, 23G, and 23B of the respective stripes as light-emitting regions of the respective colors that are responsible for light emission in the sub-pixels 2R, 2G, and 2B ⁇ 15B is provided.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are patterned by vapor deposition for each color.
  • the openings 15R, 15G, and 15B will be described later.
  • These sub-pixels 2R, 2G, and 2B are provided with TFTs 12 connected to the first electrode 21 in the organic EL element 20, respectively.
  • the light emission intensity of each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B is determined by scanning and selection by the wiring 14 and the TFT 12.
  • the organic EL display device 1 realizes image display by selectively causing the organic EL element 20 to emit light with desired luminance using the TFT 12.
  • the TFT substrate 10 will be described.
  • the TFT substrate 10 has a TFT 12 (switching element), an interlayer film 13 (interlayer insulating film, planarizing film), a wiring 14 and an edge cover 15 on a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate. It has the structure formed in this order.
  • TFTs 12 are provided corresponding to the sub-pixels 2R, 2G, and 2B, respectively.
  • the structure of the TFT is conventionally well known. Therefore, illustration and description of each layer in the TFT 12 are omitted.
  • the interlayer film 13 is laminated on the insulating substrate 11 over the entire region of the insulating substrate 11 so as to cover the TFTs 12.
  • the first electrode 21 in the organic EL element 20 is formed on the interlayer film 13.
  • the interlayer film 13 is provided with a contact hole 13a for electrically connecting the first electrode 21 in the organic EL element 20 to the TFT 12.
  • the TFT 12 is electrically connected to the organic EL element 20 through the contact hole 13a.
  • the edge cover 15 prevents the first electrode 21 and the second electrode 26 in the organic EL element 20 from being short-circuited when the organic EL layer becomes thin or the electric field concentration occurs at the pattern end of the first electrode 21. It is an insulating layer for preventing.
  • the edge cover 15 is formed on the interlayer film 13 so as to cover the pattern end of the first electrode 21.
  • the edge cover 15 is provided with openings 15R, 15G, and 15B for each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15 are light emitting areas of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the sub-pixels 2R, 2G, and 2B are partitioned by the edge cover 15 having an insulating property.
  • the edge cover 15 also functions as an element isolation film.
  • the organic EL element 20 is a light emitting element that can emit light with high luminance by low-voltage direct current drive, and a first electrode 21, an organic EL layer, and a second electrode 26 are laminated in this order.
  • the first electrode 21 is a layer having a function of injecting (supplying) holes into the organic EL layer. As described above, the first electrode 21 is connected to the TFT 12 via the contact hole 13a.
  • a hole injection layer / hole transport layer 22 As shown in FIG. 8, between the first electrode 21 and the second electrode 26, as an organic EL layer, from the first electrode 21 side, a hole injection layer / hole transport layer 22, and light emitting layers 23R, 23G, 23B, the electron carrying layer 24, and the electron injection layer 25 have the structure formed in this order.
  • the stacking order is that in which the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode, the first electrode 21 is a cathode, and the second electrode 26 is an anode.
  • the order of stacking is reversed.
  • the hole injection layer is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole transport layer is a layer having a function of improving the efficiency of transporting holes to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is uniformly formed on the entire display region of the TFT substrate 10 so as to cover the first electrode 21 and the edge cover 15.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 in which the hole injection layer and the hole transport layer are integrated is provided as the hole injection layer and the hole transport layer.
  • An example will be described.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may be formed as independent layers.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B correspond to the sub-pixels 2R, 2G, and 2B so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15, respectively. Is formed.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are layers having a function of emitting light by recombining holes injected from the first electrode 21 side and electrons injected from the second electrode 26 side. .
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are each formed of a material having high light emission efficiency, such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the electron transport layer 24 is a layer having a function of increasing the electron transport efficiency from the second electrode 26 to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron injection layer 25 is a layer having a function of increasing the electron injection efficiency from the second electrode 26 to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron transport layer 24 is formed on the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22 so as to cover the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22.
  • the TFT substrate 10 is formed uniformly over the entire display area. Further, the electron injection layer 25 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron transport layer 24 so as to cover the electron transport layer 24.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be formed as independent layers as described above, or may be provided integrally with each other. That is, the organic EL display device 1 may include an electron transport layer / electron injection layer instead of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25.
  • the second electrode 26 is a layer having a function of injecting electrons into the organic EL layer composed of the organic layers as described above.
  • the second electrode 26 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron injection layer 25 so as to cover the electron injection layer 25.
  • organic layers other than the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are not essential layers as the organic EL layer, and may be appropriately formed according to the required characteristics of the organic EL element 20.
  • a carrier blocking layer can also be added to the organic EL layer as necessary. For example, by adding a hole blocking layer as a carrier blocking layer between the light emitting layers 23R, 23G, and 23B and the electron transport layer 24, the holes are prevented from falling out to the electron transport layer 24, and the light emission efficiency is improved. can do.
  • First electrode / light emitting layer / second electrode (2) First electrode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / second electrode (3) First electrode / hole transport layer / light emitting layer / Hole blocking layer (carrier blocking layer) / electron transport layer / second electrode (4) first electrode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (5 ) 1st electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (6) 1st electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / positive Hole blocking layer / electron transport layer / second electrode (7) first electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (8) 1st electrode
  • the configuration of the organic EL element 20 is not limited to the above-described exemplary layer configuration, and a desired layer configuration can be adopted according to the required characteristics of the organic EL element 20 as described above.
  • FIG. 9 is a flowchart showing the manufacturing steps of the organic EL display device 1 in the order of steps.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 1 includes, for example, a TFT substrate / first electrode manufacturing step (S1), a hole injection layer / hole transport layer deposition configuration (S2). ), A light emitting layer vapor deposition step (S3), an electron transport layer vapor deposition step (S4), an electron injection layer vapor deposition step (S5), a second electrode vapor deposition step (S6), and a sealing step (S7).
  • the stacking order described in the present embodiment uses the first electrode 21 as an anode and the second electrode 26 as a cathode, and conversely, uses the first electrode 21 as a cathode and the second electrode 26. Is used as the anode, the stacking order of the organic EL layers is reversed. Similarly, the materials constituting the first electrode 21 and the second electrode 26 are also reversed.
  • a photosensitive resin is applied on an insulating substrate 11 such as glass on which TFTs 12 and wirings 14 are formed by a known technique, and patterning is performed by a photolithography technique, thereby insulating substrate 11.
  • An interlayer film 13 is formed thereon.
  • the insulating substrate 11 has a thickness of 0.7 to 1.1 mm, a length in the y-axis direction (vertical length) of 400 to 500 mm, and a length in the x-axis direction (horizontal length) of 300.
  • a glass substrate or a plastic substrate of ⁇ 400 mm is used. In this embodiment, a glass substrate is used.
  • an acrylic resin or a polyimide resin can be used as the interlayer film 13.
  • the acrylic resin include Optomer series manufactured by JSR Corporation.
  • a polyimide resin the photo nice series by Toray Industries, Inc. is mentioned, for example.
  • the polyimide resin is generally not transparent but colored. Therefore, as shown in FIG. 8, when a bottom emission type organic EL display device is manufactured as the organic EL display device 1, a transparent resin such as an acrylic resin is more preferably used as the interlayer film 13. Used.
  • the film thickness of the interlayer film 13 is not particularly limited as long as the step due to the TFT 12 can be compensated. In this embodiment, for example, the thickness is about 2 ⁇ m.
  • a contact hole 13 a for electrically connecting the first electrode 21 to the TFT 12 is formed in the interlayer film 13.
  • an ITO (Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide) film is formed with a thickness of 100 nm by a sputtering method or the like.
  • the ITO film is etched using ferric chloride as an etchant. Thereafter, the photoresist is stripped using a resist stripping solution, and substrate cleaning is further performed. Thereby, the first electrode 21 is formed in a matrix on the interlayer film 13.
  • Examples of the conductive film material used for the first electrode 21 include transparent conductive materials such as ITO, IZO (Indium (Zinc Oxide), gallium-doped zinc oxide (GZO), gold (Au), Metal materials such as nickel (Ni) and platinum (Pt) can be used.
  • transparent conductive materials such as ITO, IZO (Indium (Zinc Oxide), gallium-doped zinc oxide (GZO), gold (Au), Metal materials such as nickel (Ni) and platinum (Pt) can be used.
  • a method for laminating the conductive film in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • the thickness of the first electrode 21 is not particularly limited, but as described above, for example, the thickness can be set to 100 nm.
  • the edge cover 15 is patterned and formed with a film thickness of, for example, about 1 ⁇ m.
  • the same insulating material as that of the interlayer film 13 can be used.
  • the TFT substrate 10 and the first electrode 21 are produced (S1).
  • the TFT substrate 10 that has undergone the above-described steps is subjected to oxygen plasma treatment as a vacuum baking for dehydration and surface cleaning of the first electrode 21.
  • a hole injection layer and a hole transport layer are displayed on the TFT substrate 10 on the TFT substrate 10 using a conventional vapor deposition apparatus. Vapor deposition is performed on the entire area (S2).
  • an open mask having an entire display area opened is aligned and adhered to the TFT substrate 10 and then scattered from the deposition source while rotating the TFT substrate 10 and the open mask together. Vapor deposition particles are uniformly deposited on the entire display region through the opening of the open mask.
  • vapor deposition on the entire surface of the display area means that vapor deposition is performed continuously between adjacent sub-pixels of different colors.
  • Examples of the material for the hole injection layer and the hole transport layer include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, and fluorenone. , Hydrazone, stilbene, triphenylene, azatriphenylene, and derivatives thereof, polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds, aniline compounds, etc., heterocyclic or chain conjugated monomers, oligomers, or polymers Etc.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may be integrated as described above, or may be formed as independent layers.
  • Each film thickness is, for example, 10 to 100 nm.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is provided as the hole injection layer and the hole transport layer, and the material of the hole injection layer / hole transport layer 22 is 4,4′-bis [ N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl ( ⁇ -NPD) was used.
  • the film thickness of the hole injection layer / hole transport layer 22 was 30 nm.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B corresponding to the sub-pixels 2R, 2G, and 2B so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15. are separately formed (pattern formation) (S3).
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are made of a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • Examples of materials for the light emitting layers 23R, 23G, and 23B include anthracene, naphthalene, indene, phenanthrene, pyrene, naphthacene, triphenylene, anthracene, perylene, picene, fluoranthene, acephenanthrylene, pentaphen, pentacene, coronene, butadiene, and coumarin.
  • the film thickness of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B is, for example, 10 to 100 nm.
  • the vapor deposition method and the vapor deposition apparatus according to the present embodiment can be particularly preferably used for such separate formation (pattern formation) of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron transport layer 24, the hole injection layer / hole transport layer 22 and the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed.
  • the entire surface of the display area of the TFT substrate 10 is deposited so as to cover (S4).
  • the electron injection layer 25 is formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 so as to cover the electron transport layer 24 by the same method as the hole injection layer / hole transport layer deposition step (S2). Evaporation is performed (S5).
  • Examples of the material for the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 include tris (8-quinolinolato) aluminum complex, oxadiazole derivative, triazole derivative, phenylquinoxaline derivative, silole derivative and the like.
  • Alq tris (8-hydroxyquinoline) aluminum
  • anthracene naphthalene
  • phenanthrene pyrene
  • anthracene perylene
  • butadiene coumarin
  • acridine stilbene
  • 1,10-phenanthroline and derivatives and metal complexes thereof
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be integrated or formed as independent layers.
  • Each film thickness is, for example, 1 to 100 nm.
  • the total film thickness of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 is, for example, 20 to 200 nm.
  • Alq is used as the material of the electron transport layer 24, and LiF is used as the material of the electron injection layer 25.
  • the thickness of the electron transport layer 24 was 30 nm, and the thickness of the electron injection layer 25 was 1 nm.
  • the second electrode 26 is applied to the entire display region of the TFT substrate 10 so as to cover the electron injection layer 25 by the same method as the hole injection layer / hole transport layer deposition step (S2). Evaporation is performed (S6).
  • Electrode material of the second electrode 26 a metal having a small work function is preferably used.
  • examples of such electrode materials include magnesium alloys (MgAg, etc.), aluminum alloys (AlLi, AlCa, AlMg, etc.), metallic calcium, and the like.
  • the thickness of the second electrode 26 is, for example, 50 to 100 nm.
  • the organic EL element 20 including the organic EL layer, the first electrode 21, and the second electrode 26 was formed on the TFT substrate 10.
  • the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 was formed and the sealing substrate 40 were bonded together with an adhesive layer 30 to encapsulate the organic EL element 20.
  • sealing substrate 40 for example, an insulating substrate such as a glass substrate or a plastic substrate having a thickness of 0.4 to 1.1 mm is used. In this embodiment, a glass substrate is used.
  • the vertical length and the horizontal length of the sealing substrate 40 may be appropriately adjusted according to the size of the target organic EL display device 1, and an insulating substrate having substantially the same size as the insulating substrate 11 in the TFT substrate 10 is used. After sealing the organic EL element 20, the organic EL element 20 may be divided according to the size of the target organic EL display device 1.
  • sealing method of the organic EL element 20 it is not limited to an above-described method.
  • Other sealing methods include, for example, a method in which engraved glass is used as the sealing substrate 40 and sealing is performed in a frame shape with a sealing resin, frit glass, or the like, or between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40.
  • a method of filling a resin in between The manufacturing method of the organic EL display device 1 does not depend on the sealing method, and any sealing method can be applied.
  • a protective film (not shown) that prevents oxygen and moisture from entering the organic EL element 20 from the outside is provided on the second electrode 26 so as to cover the second electrode 26. Good.
  • the protective film is made of an insulating or conductive material. Examples of such a material include silicon nitride and silicon oxide. Further, the thickness of the protective film is, for example, 100 to 1000 nm.
  • the organic EL display device 1 is completed through the above steps.
  • a predetermined image is displayed by controlling the light emission luminance of each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • FIG. 1 is a side view showing a configuration of a vapor deposition apparatus 50 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition device 50 is a device that forms a film on the deposition target substrate 60, and includes a shadow mask 70, a vapor deposition source 80, a vapor deposition source crucible 82, and two pipes 83a and 83b.
  • the shadow mask 70 and the vapor deposition source 80 are disposed in the vacuum chamber 90, and the vapor deposition source crucible 82 is fixed to a support base (not shown).
  • the structures of the film formation substrate 60, the shadow mask 70, and the vapor deposition source crucible 82 are the same as those of the film formation substrate 260, the shadow mask 270, and the vapor deposition source crucible 282 shown in FIG.
  • the vapor deposition source 80 has a plurality of ejection ports 81 through which vapor deposition particles are ejected, and the ejection ports 81 are arranged in a row as shown in FIG.
  • the vapor deposition source crucible 82 stores a solid or liquid vapor deposition material. Further, the vapor deposition source crucible 82 is arranged outside the vacuum chamber 90. Thereby, it is not necessary to open the vacuum chamber 90 to the atmosphere each time the vapor deposition material is supplied to the vapor deposition source crucible 82, and the throughput can be improved. Further, a space can be provided in the vacuum chamber 90, and the design in the vacuum chamber 90 is facilitated.
  • the vapor deposition material is heated inside the vapor deposition source crucible 82 to become gaseous vapor deposition particles, and is supplied (introduced) to the vapor deposition source 80 through the pipes 83a and 83b.
  • One pipe 83 a is connected to one end face (referred to as “supply-side end face a”) of the row of the injection ports 81 of the vapor deposition source 80, and the other pipe 83 b is the injection port 81 of the vapor deposition source 80.
  • supply-side end face b are connected to the other end surface (referred to as “supply-side end surface b”).
  • the vapor deposition particles supplied to the vapor deposition source 80 are ejected from the ejection port 81.
  • the vapor deposition surface of the deposition target substrate 60 and the vapor deposition source 80 are arranged to face each other.
  • a shadow mask 70 having an opening corresponding to the pattern of the vapor deposition region is closely fixed to the vapor deposition surface of the deposition target substrate 60 so that the vapor deposition particles do not adhere to a region other than the target vapor deposition region. Then, the deposition target substrate 60 and the shadow mask 70 are moved relative to the deposition source 80 (scanned) by a moving unit (not shown) while ejecting the deposition particles from the injection port 81.
  • the moving means moves the film formation substrate 60 and the shadow mask 70 in a direction perpendicular to the arrangement direction of the injection ports 81 ( It is reciprocated in the direction from the back side to the front side in the drawing and the opposite direction. As a result, a predetermined pattern is formed on the deposition target substrate 60.
  • a pipe 283 for supplying vapor deposition particles is connected only to one end face of the row of the injection ports 281 of the vapor deposition source 280.
  • the pipe 83a is connected to the end face on one end side of the row of the injection ports 81 of the vapor deposition source 80, and the other side of the row of the injection ports 81 of the vapor deposition source 80. It differs from the conventional vapor deposition apparatus 250 in that the pipe 83b is also connected to the end face on the end side.
  • the pipes 83a and 83b are provided with valves 84a and 84b (supply control means), respectively.
  • the valves 84a and 84b control the supply amount of the vapor deposition particles to the vapor deposition source 80 by opening and closing the internal paths of the pipes 83a and 83b, respectively.
  • the valve 84a is open, the vapor deposition particles pass through the introduction path P1 indicated by the solid line arrow, and when the valve 84b is open, the vapor deposition particles pass through the introduction path P2 indicated by the broken line arrow.
  • the introduction path is switched according to the scanning direction of the film formation substrate 60. Specifically, first, the valve 84a is opened, the vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 80 through the pipe 83a, and the film formation substrate 60 is scanned in the back direction (the forward direction) in FIG. The vapor deposition particles are injected from 81 to the deposition target substrate 60 (first injection step). At this time, the valve 84b is closed.
  • the valve 84a When scanning in the forward direction ends (that is, when the deposition target substrate 60 reaches a position not facing the vapor deposition source 80), the valve 84a is closed, and the supply of vapor deposition particles from the pipe 83a is terminated. Subsequently, the valve 84b is opened, the vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 80 via the pipe 83b, and the film deposition substrate 60 is scanned from the injection port 81 while scanning in the forward direction (return direction) in FIG. The vapor deposition particles are injected onto the film formation substrate 60 (second injection step). When the scanning in the backward direction is finished, the ejection of the vapor deposition particles is finished.
  • FIG. 3 is a graph showing the relationship between the position of the deposition target substrate 60 along the arrangement direction of the injection ports 81 and the distribution (thickness) of vapor deposition particles.
  • the position facing the supply side end face a of the vapor deposition source 80 in the state of FIG. 1 is A
  • the position facing the supply side end face b of the vapor deposition source 80 is B.
  • the solid line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the forward direction
  • the broken line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the double path direction.
  • the alternate long and short dash line indicates the distribution of the vapor deposition particles when the reciprocating scanning is completed.
  • the amount of vapor deposition particles emitted from the injection port 81 decreases as the distance from the supply side end surface of the vapor deposition source 80 increases. Therefore, the distribution of the vapor deposition particles when the deposition target substrate 60 is scanned in the forward direction (that is, when vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 80 via the pipe 83a) is from the position A as indicated by the solid line. It gradually decreases toward B.
  • the vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 80 via the pipe 83b.
  • the distribution of the injection amount of the vapor deposition particles injected onto the film formation substrate 60 is also reversed.
  • the film thickness distribution when the deposition target substrate 60 scans in the backward direction is symmetric with respect to the film thickness distribution indicated by the solid line with respect to the intermediate position between the position A and the position B.
  • the film thickness distribution at the time when the reciprocating scan of the deposition target substrate 60 is completed is the sum of the film thickness distribution indicated by the solid line and the film thickness distribution indicated by the broken line. Therefore, as shown by the alternate long and short dash line, the film thickness distribution is uniform when compared with the film thickness distribution when scanned in the forward direction and the film thickness distribution when scanned in the backward direction.
  • the opening / closing switching of the valves 84a and 84b does not need to be performed every time the scanning direction of the deposition target substrate 60 is switched. For example, the film formation substrate 60 is reciprocated three times with the valve 84b closed and the valve 84a opened, and then the film formation substrate 60 is reciprocated three times with the valve 84a closed and the valve 84b opened. May be. Further, the switching of the valves 84 a and 84 b is performed when the deposition target substrate 60 passes over the deposition source 80 and is in a position where the deposition particles do not reach the deposition target substrate 60.
  • valves 84a and 84b are opened, the amount of vapor deposition particles supplied from the respective pipes 83a and 83b to the vapor deposition source 80 changes due to a subtle difference in shape and conductance between the pipe 83a and the pipe 83b.
  • the pressure distribution in the source 80 is also complicated, and it is difficult to make the film thickness distribution uniform. Therefore, it is preferable that the valves 84a and 84b are controlled so that both do not open simultaneously. However, if the influence of the pipes 83a and 83b is very small, both the valves 84a and 84b can be opened.
  • the pipes 83a and 83b are connected to the end faces on the one end side and the other end side of the row of the injection ports 81 of the vapor deposition source 80.
  • the positions where the pipes 83a and 83b are connected are not limited thereto. .
  • pipes 83a and 83b may be connected to the vicinity of the end of the row of the injection ports 81 on the side surface in the longitudinal direction of the vapor deposition source 80A.
  • FIG. 4B in the vapor deposition source 80A having a plurality of rows of injection ports 81, it is preferable to connect a plurality of pipes to each end face.
  • two pipes 83a and 83c are connected to the end surface on one end side of the row of the injection ports 81 of the vapor deposition source 80A, and the end surface on the other end side of the row of the injection ports 81 of the vapor deposition source 80A.
  • two pipes 83b and 83d are connected. Thereby, the nonuniformity of the injection quantity for every row
  • the opening of the valves 84a and 84c of the pipes 83a and 83c and the opening of the valves 84b and 84d of the pipes 83b and 83d are alternately switched according to the switching in the scanning direction of the film formation substrate 60.
  • the valves 83a and 84c of the pipes 83a and 83c are opened, and the valves 83b and 84d of the pipes 83b and 83d are closed, while the deposition target substrate 60 is scanned in the forward direction, the pipes 83a and 83c.
  • the vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 80, and the vapor deposition particles are ejected from the injection port 81 to the film formation substrate 60.
  • valves 84 a and 84 c are closed, the valves 84 b and 84 d are opened, and the deposition particles are supplied to the deposition source 80 through the pipes 83 b and 83 d while scanning the deposition target substrate 60 in the backward direction.
  • the vapor deposition particles are injected from 81 to the deposition target substrate 60.
  • piping is connected to one end side and the other end side of the row of injection ports in the vapor deposition source, but the position where the piping is connected is not limited to this.
  • the injection ports 81 are arranged in a matrix like the vapor deposition source 80B shown in FIG. 4C, pipes may be connected to the four sides of the vapor deposition source 80B.
  • pipes 83a and 83b are respectively connected to one end side and the other end side of the row of the injection ports 81 in the vapor deposition source 80B.
  • Pipes 83e and 83f are connected to one end side and the other end side of the row of injection ports 81 at 80B, respectively.
  • valves 84a, 84b, 84e, and 84f of the pipes 83a, 83b, 83e, and 83f may be sequentially opened in accordance with switching in the scanning direction of the deposition target substrate 60, or all the valves 84a, 84b may be opened. -84e and 84f may be opened simultaneously.
  • the deposition substrate and the shadow mask are in close contact with each other.
  • vapor deposition may be performed by providing a gap between the deposition substrate and the shadow mask.
  • a shadow mask that covers the entire surface of the deposition target substrate is used, but the present invention is not limited to this.
  • a shadow mask 170 having a smaller area than the vapor deposition region of the deposition target substrate 60 may be used as the shadow mask.
  • the relative position between the shadow mask 170 and the vapor deposition source 80 is fixed, and alignment is performed so that the shadow mask 170 faces the deposition target substrate with a certain gap. Then, the film formation substrate 60 is moved relative to the shadow mask 170 and the vapor deposition source 80, and vapor deposition particles are sequentially vapor deposited on the vapor deposition region of the film deposition substrate 60 through the opening 171 of the shadow mask 170.
  • FIG. 10 is a side view showing the configuration of the vapor deposition apparatus 150 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 150 is the structure further provided with the auxiliary piping 83g in the vapor deposition apparatus 50 shown in FIG.
  • the auxiliary piping 83g is connected to an intermediate portion of the array of the injection ports 81 in the vapor deposition source 80.
  • the vapor deposition source crucible 82 supplies vapor deposition particles to the vapor deposition source 80 via the pipes 83a and 83b and the auxiliary pipe 83g. That is, the vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 80 from the introduction path P3 indicated by the one-dot chain line in addition to the introduction paths P1 and P2.
  • auxiliary piping 83g is not provided with a valve. That is, vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 80 from the auxiliary pipe 83g regardless of the scanning direction of the film formation substrate 60.
  • the procedure of the vapor deposition process is the same as that in the first embodiment. Thereby, the vapor deposition apparatus 150 concerning this Embodiment can acquire the effect similar to the vapor deposition apparatus 50 concerning Embodiment 1.
  • the auxiliary pipe 83g is provided, so that the film thickness distribution of the vapor deposition particles can be made more uniform. This will be described with reference to FIG.
  • FIG. 11 is a graph showing the relationship between the position of the deposition target substrate 60 along the arrangement direction of the injection ports 81 and the distribution (thickness) of vapor deposition particles.
  • the solid line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the forward direction
  • the broken line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the double path direction.
  • the alternate long and short dash line indicates the distribution of the vapor deposition particles when the reciprocating scanning is completed.
  • the film thickness in the vicinity of the intermediate position is convex.
  • the film thickness distribution of vapor deposition particle can be made more uniform compared with the film thickness distribution in the said Embodiment 1.
  • auxiliary pipe is connected to a portion other than one end and the other end of the row of injection ports in the vapor deposition source.
  • auxiliary pipe 83g may include a valve.
  • a line type vapor deposition source in which injection ports are arranged in one row is used as the vapor deposition source.
  • a surface type vapor deposition source in which a plurality of rows of injection ports are arranged may be used.
  • pipes are respectively connected to one end surface and the other end surface of the row of injection ports in the vapor deposition source.
  • deposition may be performed without moving the deposition target substrate relative to the deposition source.
  • the arrangement direction of the injection ports is perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate, but may be slightly deviated from the direction perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate.
  • the shape of the injection port is a point shape, but is not limited thereto, and may be, for example, a slit shape that is long in the arrangement direction of the injection ports.
  • the present invention can also be applied to a contact-type scan vapor deposition method in which a film formation substrate is slid and vapor-deposited while the film formation substrate and a shadow mask are in close contact with each other. Further, the present invention can also be applied to the case where the deposition is performed on the entire surface of the deposition target substrate without using the shadow mask in which the opening pattern is formed for each sub-pixel as in S2 and S4 to S6 of FIG.
  • the present invention can be applied not only to the deposition of an organic film but also to the deposition of a second electrode and the deposition of a sealing film.
  • the variation in the thickness of the organic film greatly affects the characteristics of the organic EL display device, the application effect of the present invention is high.
  • the film thickness variation of the second electrode affects the variation of electric resistance
  • the variation of the sealing film affects the variation of moisture permeability and oxygen transmission rate. If the influence of these variations on the characteristics of the organic EL element is slight, the present invention may be applied only to the deposition of an organic film in view of the increase in equipment cost accompanying the complexity of the structure of the deposition apparatus. .
  • a vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film on a deposition target substrate, and includes a plurality of injection ports that eject vapor deposition particles onto the deposition target substrate.
  • a vapor deposition source in which the injection ports are arranged in one or a plurality of rows, a plurality of pipes connected to the vapor deposition source, and a vapor deposition particle supply for supplying the vapor deposition particles to the vapor deposition source via the plurality of pipes And at least one of the plurality of pipes is connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source, and at least one of the plurality of pipes is connected to the injection port of the vapor deposition source Connected to the other end of the row.
  • the vapor deposition method according to the embodiment of the present invention is a vapor deposition method for forming a film on a deposition target substrate, and has a plurality of injection ports, and the injection ports are arranged in one or a plurality of rows.
  • the vapor deposition source is supplied to the deposition target substrate from the injection port.
  • the vapor deposition particles are connected to the vapor deposition source via a pipe connected to the other end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source.
  • the vapor deposition particles are supplied from the vapor deposition particle supply means to the vapor deposition source through a plurality of pipes, and are injected from the injection port onto the film formation substrate.
  • first pipe a pipe connected to one end side of the row of injection ports in the vapor deposition source
  • second pipe a pipe connected to the other end side of the row of injection ports in the vapor deposition source
  • the injection amount of particles decreases monotonously.
  • the film thickness distribution of the vapor deposition particles when the vapor deposition particles are supplied from the first pipe and the film thickness distribution of the vapor deposition particles when the vapor deposition particles are supplied from the second pipe are as follows. It becomes symmetric. Therefore, the film thickness distribution obtained by synthesizing these film thickness distributions is more uniform than the film thickness distribution when the vapor deposition is performed without rotating the vapor deposition source. Therefore, it is possible to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of vapor deposition of vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • each pipe preferably includes supply control means for controlling the supply amount of the vapor deposition particles to the vapor deposition source.
  • the supply control means can switch ON / OFF the supply of vapor deposition particles from each pipe.
  • vapor deposition particles can be vapor-deposited with a more uniform film thickness by switching the piping which supplies vapor deposition particles according to the switching of the relative movement direction of a film-forming substrate.
  • the vapor deposition particles are supplied from any one of the plurality of pipes to the vapor deposition source when the vapor deposition particles are injected.
  • a plurality of pipes are connected to the one end side and the other end side, respectively.
  • the injection ports are arranged in a matrix, and at least one of the plurality of pipes is connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source, It is preferable that at least one of the plurality of pipes is connected to the other end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source.
  • the film thickness distribution in the row direction of the injection port can be made uniform.
  • the vapor deposition apparatus in addition to the plurality of pipes, the vapor deposition apparatus further includes an auxiliary pipe, and the vapor deposition particle supplying unit includes the vapor deposition particles via the plurality of pipes and the auxiliary pipe. Is preferably supplied to the vapor deposition source, and the auxiliary pipe is connected to a portion other than the one end and the other end of the vapor deposition source.
  • the auxiliary pipe is connected to an intermediate portion of the array of the injection ports in the vapor deposition source.
  • the vapor deposition apparatus preferably includes a moving means for moving the film formation substrate relative to the vapor deposition source.
  • the arrangement direction of the plurality of injection ports is perpendicular to the direction in which the deposition target substrate is relatively moved.
  • An organic electroluminescence display device manufacturing method includes a TFT substrate / first electrode manufacturing step of manufacturing a first electrode on a TFT substrate, and an organic layer including at least a light emitting layer on the TFT substrate.
  • An organic layer deposition step for depositing the organic layer a second electrode deposition step for depositing the second electrode, and a sealing step for sealing the organic electroluminescence element including the organic layer and the second electrode with a sealing member.
  • a second injection step is included.
  • an organic layer or the like can be formed with a uniform film thickness by the vapor deposition method according to the embodiment of the present invention, so that an organic electroluminescence display device with little display unevenness can be provided. it can.
  • the present invention can be applied not only to vapor deposition of vapor deposition particles in the manufacture of an organic EL display device but also to vapor deposition of vapor deposition particles to any film formation target.
  • Organic EL display device (Organic electroluminescence display device) 2 pixel 2B sub pixel 2G sub pixel 2R sub pixel 10 TFT substrate 11 insulating substrate 12 TFT 13 Interlayer film 13a Contact hole 14 Wiring 15 Edge cover 15R Opening 15G Opening 15B Opening 20 Organic EL element 21 First electrode 22 Hole injection layer / hole transporting layer 23R Light emitting layer 23G Light emitting layer 23B Light emitting layer 24 Electron transport layer 25 Electron injection layer 26 Second electrode 30 Adhesive layer 40 Sealing substrate 50 Deposition device 60 Deposition substrate 70 Shadow mask 80 Deposition source 80A Deposition source 80B Deposition source 81 Injection port 82 Deposition source crucible (deposition particle supply means) 83a piping 83b piping 83c piping 83b piping 83d piping 83e piping 83f piping 83g auxiliary piping 84a valve (supply control means) 84b Valve (supply control means) 84c Valve (supply control means) 84d valve (suppl

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

　本発明に係る蒸着装置（５０）は、被成膜基板（６０）に蒸着粒子を射出する複数の射出口（８１）を有する蒸着源（８０）と、複数の配管（８３ａ・８３ｂ）と、蒸着粒子を蒸着源（８０）に供給する蒸着源坩堝（８２）と、被成膜基板（６０）を蒸着源（８０）に対して相対移動させる移動手段とを備え、配管（８３ａ・８３ｂ）は、蒸着源（８０）における射出口（８１）の列の一方端側および他方端側にそれぞれ接続されている。

Description

蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
　本発明は、真空蒸着法を用いた蒸着装置、蒸着方法、並びに、この蒸着装置および蒸着方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
　そのような状況下、有機材料の電界発光（Electroluminescence：以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
　有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。
　有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。
　フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光層を備えた有機ＥＬ素子がサブ画素として基板上に配列形成される。ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
　有機ＥＬ表示装置を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機ＥＬ素子ごとに所定パターンで形成する必要がある。また、有機ＥＬ素子ごとにパターン形成が必要ない層については、有機ＥＬ素子で構成される画素領域全面に対して、一括して薄膜形成を行う。
　発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、真空蒸着法が用いられることが多い（例えば、特許文献１および２）。
　真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク（蒸着マスクまたはシャドウマスクとも称される）が使用される。マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。そして、蒸着源からの蒸着粒子（成膜材料）を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。蒸着は発光層の色ごとに行われる（これを「塗り分け蒸着」という）。
　ここで、真空蒸着法を用いた従来の蒸着装置の構成を、図１２および図１３に基づいて説明する。
　図１２は、従来の蒸着装置２５０の概略構成を示す側面図であり、図１３は、蒸着装置２５０の蒸着源２８０、蒸着源坩堝２８２および配管２８３の概略構成を示す斜視図である。
　図１２に示すように、蒸着装置２５０は、被成膜基板２６０に成膜を行う装置であり、シャドウマスク２７０、蒸着源２８０、蒸着源坩堝２８２および配管２８３を備えている。シャドウマスク２７０および蒸着源２８０は、真空チャンバ２９０内に配置され、蒸着源坩堝２８２は、図示しない支持台に固定されている。
　蒸着源２８０は、蒸着粒子を射出する複数の射出口（ノズル）２８１を有しており、図１３に示すように、射出口２８１は、１列に配置されている。
　蒸着源坩堝２８２には、固体または液体の蒸着材料が貯留されている。蒸着材料は、蒸着源坩堝２８２内部で加熱されて気体の蒸着粒子となり、配管２８３を通って蒸着源２８０に供給（導入）される。配管２８３は、蒸着源２８０の射出口２８１の列の一方端側の端部（供給側端部）に接続されており、蒸着源２８０に供給された蒸着粒子は、射出口２８１から射出される。なお、配管２８３は、蒸着粒子が付着しないような温度に加熱されている。
　被成膜基板２６０の蒸着面と蒸着源２８０とは対向配置されている。目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、蒸着領域のパターンに対応した開口部を有するシャドウマスク２７０が、被成膜基板２６０の蒸着面に密着固定されている。
　上記の構成において、射出口２８１から蒸着粒子を射出させながら、被成膜基板２６０およびシャドウマスク２７０を蒸着源２８０に対して相対移動（走査）させる。これにより、被成膜基板２６０に所定のパターンが形成される。
日本国公開特許公報「特開平８－２２７２７６号公報（１９９６年９月３日公開）」 日本国公開特許公報「特開２０００－１８８１７９号公報（２０００年７月４日公開）」
　しかしながら、上述のような従来技術は、蒸着膜の膜厚分布が不均一になるという問題がある。
　図１４は、射出口２８１の配列方向に沿った被成膜基板２６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。このグラフでは、蒸着源２８０の供給側端部に対向する位置をＡとし、蒸着源２８０の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をＢとしている。
　蒸着源２８０の内部では、供給経路内および射出口内の圧力差、内部形状、コンダクタンス等の影響を受けるため、各射出口２８１から射出される蒸着粒子の量が異なってくる。具体的には、供給側端部に近い射出口２８１から順に蒸着粒子が射出されるため、供給側端部から離れるほど蒸着粒子の密度が低くなり、蒸着源２８０の内部で圧力差が生じる。そのため、蒸着源２８０の供給側端部からの距離が大きいほど、射出口２８１からの蒸着粒子の射出量が減少する。それに伴い、様々な射出口２８１から射出された蒸着粒子の合成によって構成される被成膜基板２６０上の蒸着膜についても、図１４に示すように、基板面内の位置によって、蒸着粒子の量が異なってくる。このため、基板面内で膜厚分布の不均一が生じてしまう。
　特に、有機ＥＬ素子の発光特性は、蒸着される有機膜の膜厚に極めて敏感であり、有機ＥＬ表示装置の画面内での有機膜の膜厚差は、表示ムラや寿命特性の不均一に直結する。そのため、有機ＥＬ素子の発光層は、極力均一に蒸着することが望ましい。
　なお、射出口の開口量（直径）を変化させることによって、各射出口からの射出量を制御することも可能である。しかしながら、射出口の加工に高い精度が要求されるため、蒸着源の製造コストの上昇を招く。また、蒸着粒子の分布は動的に変化するため、射出口の開口量だけで各射出口からの射出量を均一にすることは難しい。
　また、蒸着粒子を供給するための配管２８３を、蒸着源２８０の長手方向の中間部分に接続することも考えられる。しかしながらこの場合、蒸着粒子の密度は、位置Ａから位置Ａと位置Ｂとの中間位置にかけて増加し、当該中間位置から位置Ｂにかけて減少するような分布となるため、不均一は解消できない。
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源に接続された複数の配管と、上記複数の配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段とを備え、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続され、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続されていることを特徴としている。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、第１の射出工程の後に、上記蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有していることを特徴としている。
　上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から複数の配管を通って蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。蒸着源における射出口の列の一方端側に接続された配管（「第１の配管」とする）から蒸着粒子が供給される場合、当該一方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。また、蒸着源における射出口の列の他方端側に接続された配管（「第２の配管」とする）から蒸着粒子が供給される場合、当該他方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。これにより、第１の配管から蒸着粒子が供給された時における蒸着粒子の膜厚分布と、第２の配管から蒸着粒子が供給された時における蒸着粒子の膜厚分布とは、基板中央部分に関して対称となる。そのため、これらの膜厚分布を合成した膜厚分布は、蒸着源を回転させることなく蒸着を行った場合の膜厚分布よりも均一になる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
　本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記第１の射出工程および上記第２の射出工程を有することを特徴としている。
　上記の構成によれば、本発明の蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
　以上のように、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源に接続された複数の配管と、上記複数の配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる移動手段とを備え、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続され、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続されている構成である。また、発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給し、上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、第１の射出工程の後に、上記蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給し、上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有している。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供できるという効果を奏する。
本発明の実施の一形態にかかる蒸着装置の構成を示す側面図である。 上記蒸着装置の蒸着源の概略構成を示す斜視図である。 蒸着源の射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。 蒸着源と配管との他の接続例を示す図である。 蒸着装置の変形例を示す図である。 ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。 図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ－Ａ線矢視断面図である。 本発明の実施の一形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 本発明の実施の他の形態にかかる蒸着装置の構成を示す側面図である。 蒸着源の射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。 従来の蒸着装置の概略構成を示す側面図である。 図１２に示す蒸着装置の蒸着源ユニットの概略構成を示す斜視図である。 蒸着源の射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
　〔実施の形態１〕
　本発明の実施の一形態について図１～図９に基づいて説明すれば以下の通りである。
　本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。
　まず、上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。
　図６は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図７は、図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図８は、図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ－Ａ線矢視断面図である。
　図６に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図８参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。
　図６に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。
　上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
　ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図７に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
　有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
　すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域が画成されている。
　画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。
　各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂによって覆われた開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。
　これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂについては後述する。
　これらサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。
　次に、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。
　まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。
　ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、配線１４、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。
　上記絶縁基板１１上には、配線１４が設けられているとともに、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。
　層間膜１３は、各ＴＦＴ１２を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
　層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。
　また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。
　エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。
　エッジカバー１５は、層間膜１３上に、第１電極２１のパターン端部を被覆するように形成されている。
　エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域となる。
　言い換えれば、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。
　次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。
　有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。
　第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
　第１電極２１と第２電極２６との間には、図８に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。
　なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
　正孔注入層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。
　なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
　正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、それぞれ、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
　電子輸送層２４は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
　電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
　なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、上記有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
　第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
　なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
　上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）～（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
　なお、上記したように、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化されていてもよい。
　また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
　次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について以下に説明する。
　図９は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
　図９に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ２）、発光層蒸着工程（Ｓ３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。
　以下に、図９に示すフローチャートに従って、図６および図８を参照して上記した各工程について説明する。
　但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
　また、前記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。
　まず、図８に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。
　上記絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７～１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００～５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００～４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
　層間膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図８に示すように上記有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、上記層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。
　上記層間膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約２μｍとした。
　次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。
　次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。
　次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。
　なお、上記第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。
　また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。
　上記第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。
　次に、層間膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。
　以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。
　次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
　次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。
　具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。
　ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。
　正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式または鎖状式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
　正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０～１００ｎｍである。
　本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。
　次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ３）。
　前記したように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０～１００ｎｍである。
　本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。
　本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。
　次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。
　続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。
　電子輸送層２４および電子注入層２５の材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
　具体的には、Ａｌｑ（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリン、およびこれらの誘導体や金属錯体、ＬｉＦ等が挙げられる。
　前記したように電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１～１００ｎｍである。また、電子輸送層２４および電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０～２００ｎｍである。
　本実施の形態では、電子輸送層２４の材料にＡｌｑを使用し、電子注入層２５の材料には、ＬｉＦを使用した。また、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとした。
　次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。
　第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０～１００ｎｍである。
　本実施の形態では、第２電極２６としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。
　次いで、図６に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。
　上記封止基板４０としては、例えば厚さが０．４～１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
　なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。
　なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。
　また、上記第２電極２６上には、該第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。
　上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００～１０００ｎｍである。
　上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。
　このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へ正孔が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。
　上記有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。
　次に、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。
　図１は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０の構成を示す側面図である。蒸着装置５０は、被成膜基板６０に成膜を行う装置であり、シャドウマスク７０、蒸着源８０、蒸着源坩堝８２、２つの配管８３ａ・８３ｂを備えている。
　シャドウマスク７０および蒸着源８０は、真空チャンバ９０内に配置され、蒸着源坩堝８２は、図示しない支持台に固定されている。なお、被成膜基板６０、シャドウマスク７０および蒸着源坩堝８２の構成は、図１２に示す被成膜基板２６０、シャドウマスク２７０および蒸着源坩堝２８２とそれぞれ同一である。
　すなわち、蒸着源８０は、蒸着粒子を射出する複数の射出口８１を有しており、図２に示すように、射出口８１は１列に配置されている。
　蒸着源坩堝８２には、固体または液体の蒸着材料が貯留されている。また、蒸着源坩堝８２は、真空チャンバ９０の外部に配置されている。これにより、蒸着源坩堝８２への蒸着材料供給の度に真空チャンバ９０を大気開放する必要がなく、スループットを向上することができる。また、真空チャンバ９０内に空間的余裕ができ、真空チャンバ９０内の設計が容易となる。
　蒸着材料は、蒸着源坩堝８２内部で加熱されて気体の蒸着粒子となり、配管８３ａ・８３ｂを通って蒸着源８０に供給（導入）される。一方の配管８３ａは、蒸着源８０の射出口８１の列の一方端側の端面（「供給側端面ａ」とする）に接続されており、他方の配管８３ｂは、蒸着源８０の射出口８１の列の他方端側の端面（「供給側端面ｂ」とする）に接続されている。蒸着源８０に供給された蒸着粒子は、射出口８１から射出される。
　被成膜基板６０の蒸着面と蒸着源８０とは対向配置されている。目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、蒸着領域のパターンに対応した開口部を有するシャドウマスク７０が、被成膜基板６０の蒸着面に密着固定されている。そして、射出口８１から蒸着粒子を射出させながら、図示しない移動手段により、被成膜基板６０およびシャドウマスク７０を蒸着源８０に対して相対移動（走査）させる。具体的には、蒸着源８０が被成膜基板６０に蒸着粒子を射出している時に、移動手段は、被成膜基板６０およびシャドウマスク７０を、射出口８１の配列方向に垂直な方向（図面の奥側から手前側に向かう方向、およびその逆方向）に往復移動させる。これにより、被成膜基板６０に所定のパターンが形成される。
　図１２に示す従来の蒸着装置２５０では、蒸着源２８０の射出口２８１の列の一方端側の端面のみに、蒸着粒子を供給するための配管２８３が接続されていた。これに対し、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、蒸着源８０の射出口８１の列の一方端側の端面に配管８３ａが接続され、さらに、蒸着源８０の射出口８１の列の他方端側の端面にも配管８３ｂが接続されている点で、従来の蒸着装置２５０と異なっている。
　また、配管８３ａ・８３ｂはそれぞれ、バルブ８４ａ・８４ｂ（供給制御手段）を備えている。バルブ８４ａ・８４ｂはそれぞれ、配管８３ａ・８３ｂの内部経路を開閉することにより、蒸着粒子の蒸着源８０への供給量を制御する。これにより、バルブ８４ａが開いているときに、蒸着粒子は実線矢印で示される導入経路Ｐ１を通り、バルブ８４ｂが開いているときに、蒸着粒子は破線矢印で示される導入経路Ｐ２を通る。
　上記の構成では、被成膜基板６０の走査方向に応じて、導入経路の切り替えが行われる。具体的には、まずバルブ８４ａを開き、配管８３ａを介して蒸着粒子を蒸着源８０に供給し、被成膜基板６０を図１の奥方向（往路方向とする）に走査させながら、射出口８１から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（第１の射出工程）。なおこのとき、バルブ８４ｂは閉じている。
　往路方向の走査が終了すると（すなわち、被成膜基板６０が蒸着源８０と対向しない位置に達すると）、バルブ８４ａを閉じて、配管８３ａからの蒸着粒子の供給を終了する。続いて、バルブ８４ｂを開き、配管８３ｂを介して蒸着粒子を蒸着源８０に供給し、被成膜基板６０を図１の手前方向（復路方向とする）に走査させながら、射出口８１から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（第２の射出工程）。復路方向の走査が終了すると、蒸着粒子の射出を終了させる。
　図３は、射出口８１の配列方向に沿った被成膜基板６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。このグラフでは、図１の状態における蒸着源８０の供給側端面ａに対向する位置をＡとし、蒸着源８０の供給側端面ｂに対向する位置をＢとしている。実線は、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示しており、破線は、被成膜基板６０が複路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示している。また、一点鎖線は、往復走査が完了した時点での蒸着粒子の分布を示している。
　射出口８１からの蒸着粒子の射出量は、蒸着源８０の供給側端面からの距離が大きいほど減少する。そのため、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合（すなわち、配管８３ａを介して蒸着粒子を蒸着源８０に供給した場合）の蒸着粒子の分布は、実線に示すように、位置Ａから位置Ｂにかけて徐々に減少する。
　一方、被成膜基板６０が復路方向に走査する場合は、配管８３ｂを介して蒸着粒子が蒸着源８０に供給される。これにより、被成膜基板６０に射出される蒸着粒子の射出量の分布も反転する。その結果、破線に示すように、被成膜基板６０が復路方向に走査する場合の膜厚分布は、位置Ａと位置Ｂとの中間位置に関して、実線で示す膜厚分布と対称になる。
　被成膜基板６０の往復走査が完了した時点での膜厚分布は、実線で示される膜厚分布と破線で示される膜厚分布との合計となる。そのため、一点鎖線に示すように、往路方向に走査した場合の膜厚分布、および復路方向に走査した場合の膜厚分布に比べ、均一化されたものとなる。したがって、蒸着源８０を、往路方向に走査する場合と復路方向に走査する場合とで、バルブ８４ａ・８４ｂを開閉して、蒸着粒子を供給する配管８３ａ・８３ｂを切り替えることで、供給経路内および射出口内の圧力差等の影響を緩和し、蒸着領域の全面にわたって均一な膜厚分布を得ることができる。特に、蒸着装置５０を有機ＥＬ素子の発光層の蒸着に適用すれば、表示ムラの少ない有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
　また、図３において、実線または破線で示される蒸着粒子の分布が、被成膜基板での位置に関して直線的に単調増加あるいは単調減少している場合、それらの蒸着粒子の分布を合成すると、より均一な膜厚分布となりやすく、最も効果が高くなる。
　なお、バルブ８４ａ・８４ｂの開閉切り替えは、被成膜基板６０の走査方向の切り替え毎に合わせて行う必要はない。例えば、バルブ８４ｂを閉じバルブ８４ａを開けた状態で被成膜基板６０を３回往復走査させた後、バルブ８４ａを閉じバルブ８４ｂを開けた状態で、被成膜基板６０を３回往復走査させてもよい。また、バルブ８４ａ・８４ｂの開閉切り替えは、被成膜基板６０が蒸着源８０上を通過して蒸着粒子が被成膜基板６０に到達しない位置にあるときに行われる。
　なお、真空チャンバ９０内は様々な他の機構が配置されるため、各配管８３ａ・８３ｂを全く同一とすることは困難である。そのため、バルブ８４ａ・８４ｂを両方開放すると、配管８３ａと配管８３ｂとの微妙な形状差やコンダクタンス差によって、各配管８３ａ・８３ｂから蒸着源８０に供給される蒸着粒子の量が変化し、同時に蒸着源８０内の圧力分布も複雑化し、膜厚分布を均一化させることが困難になる。よって、バルブ８４ａ・８４ｂは、両方が同時に開かないように制御されることが好ましい。但し、配管８３ａ・８３ｂの影響が微小であるならば、バルブ８４ａ・８４ｂを両方開放することも可能である。
　上記では、蒸着源８０の射出口８１の列の一方端側および他方端側の各端面に、配管８３ａ・８３ｂを接続していたが、配管８３ａ・８３ｂを接続する位置は、これに限定されない。
　例えば、図４の（ａ）に示すように、蒸着源８０Ａの長手方向の側面における射出口８１の列の端部付近に、配管８３ａ・８３ｂを接続してもよい。
　また上記では、蒸着粒子を蒸着源８０に供給する経路が２つであったが、３つ以上であってもよい。例えば、図４の（ｂ）に示すように、複数列の射出口８１を有する蒸着源８０Ａでは、各端面に複数の配管を接続することが好ましい。図４の（ｂ）では、蒸着源８０Ａの射出口８１の列の一方端側の端面に、２つの配管８３ａ・８３ｃが接続され、蒸着源８０Ａの射出口８１の列の他方端側の端面に、２つの配管８３ｂ・８３ｄが接続されている。これにより、射出口８１の列ごとの射出量の不均一を解消することができる。
　この場合、配管８３ａ・８３ｃの各バルブ８４ａ・８４ｃの開放と配管８３ｂ・８３ｄの各バルブ８４ｂ・８４ｄの開放とを、被成膜基板６０の走査方向に切り替えに合わせて、交互に切り替える。例えば、まず、配管８３ａ・８３ｃの各バルブ８４ａ・８４ｃを開け、配管８３ｂ・８３ｄの各バルブ８４ｂ・８４ｄを閉じた状態で、被成膜基板６０を往路方向に走査させながら、配管８３ａ・８３ｃを介して蒸着粒子を蒸着源８０に供給し、射出口８１から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する。続いて、バルブ８４ａ・８４ｃを閉じ、バルブ８４ｂ・８４ｄを開けて、被成膜基板６０を復路方向に走査させながら、配管８３ｂ・８３ｄを介して蒸着粒子を蒸着源８０に供給し、射出口８１から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する。
　また、上記では、蒸着源における射出口の列の一方端側および他方端側に、それぞれ配管を接続していたが、配管が接続される位置はこれに限定されない。図４の（ｃ）に示す蒸着源８０Ｂのように、射出口８１がマトリクス状に配置されている場合は、蒸着源８０Ｂの４辺に配管を接続してもよい。
　具体的には、図４の（ｃ）に示す蒸着源８０Ｂでは、蒸着源８０Ｂにおける射出口８１の列の一方端側および他方端側に、それぞれ配管８３ａ・８３ｂが接続され、さらに、蒸着源８０Ｂにおける射出口８１の行の一方端側および他方端側に、それぞれ配管８３ｅ・８３ｆが接続されている。これにより、射出口８１の行方向の膜厚分布の均一化を図ることができる。
　この場合、配管８３ａ・８３ｂ・８３ｅ・８３ｆの各バルブ８４ａ・８４ｂ・８４ｅ・８４ｆを、被成膜基板６０の走査方向に切り替えに合わせて順次開放してもよいし、全てのバルブ８４ａ・８４ｂ・８４ｅ・８４ｆを同時に開放してもよい。
　また、本実施の形態では、被成膜基板とシャドウマスクとが密着していたが、被成膜基板とシャドウマスクとの間に空隙を設けて蒸着を行ってもよい。さらに、本実施の形態では、被成膜基板の全面を覆うシャドウマスクを用いていたが、これに限定されない。例えば、図５に示すように、シャドウマスクとして、被成膜基板６０の蒸着領域よりも面積が小さいシャドウマスク１７０を用いてもよい。
　この場合、シャドウマスク１７０と蒸着源８０との相対的な位置を固定し、シャドウマスク１７０が被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように位置合わせを行う。そして、被成膜基板６０をシャドウマスク１７０および蒸着源８０に対して相対移動させて、蒸着粒子をシャドウマスク１７０の開口部１７１を介して被成膜基板６０の蒸着領域に順次蒸着させる。
　〔実施の形態２〕
　本発明の実施の他の形態について、図１０および図１１に基づいて説明すれば以下の通りである。前記実施の形態１では、図３の一点鎖線で示される蒸着粒子の分布において、位置Ａと位置Ｂとの中間位置の膜厚が、その他の位置の膜厚よりも小さくなっている。そこで、本実施形態では、補助用配管をさらに設けることにより、位置Ａと位置Ｂとの中間位置付近の膜厚不足を解消する構成について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図１０は、本実施の形態にかかる蒸着装置１５０の構成を示す側面図である。蒸着装置１５０は、図１に示す蒸着装置５０において、補助用配管８３ｇをさらに備えた構成である。補助用配管８３ｇは、蒸着源８０における射出口８１の配列の中間部分に接続されている。これにより、蒸着源坩堝８２は、配管８３ａ・８３ｂおよび補助用配管８３ｇを介して、蒸着粒子を蒸着源８０に供給する。すなわち、蒸着粒子は、導入経路Ｐ１・Ｐ２に加え、一点鎖線で示される導入経路Ｐ３から蒸着源８０に供給される。
　なお、補助用配管８３ｇには、バルブが設けられていない。すなわち、被成膜基板６０の走査方向に関わらず、補助用配管８３ｇから蒸着粒子が蒸着源８０に供給される。また、蒸着工程の手順は、前記実施の形態１におけるものと同様である。これにより、本実施の形態にかかる蒸着装置１５０によって、実施の形態１にかかる蒸着装置５０と同様の効果を得ることができる。
　さらに、本実施の形態では、補助用配管８３ｇが設けられていることにより、蒸着粒子の膜厚分布をより均一にすることができる。図１１を参照して説明する。
　図１１は、射出口８１の配列方向に沿った被成膜基板６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。実線は、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示しており、破線は、被成膜基板６０が複路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示している。また、一点鎖線は、往復走査が完了した時点での蒸着粒子の分布を示している。
　導入経路Ｐ３からの蒸着粒子が、被成膜基板６０の位置Ａと位置Ｂとの中間位置付近に蒸着するため、図３のグラフと比較して、実線、破線および一点鎖線で示されるいずれの分布においても、上記中間位置付近の膜厚が凸状になっている。これにより、本実施の形態では、蒸着粒子の膜厚分布を、前記実施の形態１における膜厚分布に比べて、より均一にすることができる。
　なお、補助用配管を複数設けてもよい。この場合、補助用配管は、蒸着源における射出口の列の一方端および他方端以外の部分に接続される。また、補助用配管８３ｇは、バルブを備えていてもよい。
　〔付記事項〕
　上記実施の形態では、蒸着源として、射出口が１列に配置されたライン型の蒸着源を用いていたが、射出口を複数列配置した面型の蒸着源を用いてもよい。この場合、蒸着源における射出口の列の一方端の面および他方端の面に、それぞれ配管が接続される。また、蒸着源の射出面が十分に大きく、被成膜基板が比較的小さい場合は、被成膜基板を蒸着源に対して相対移動させずに蒸着を行ってもよい。
　また、上記実施の形態では、射出口の配列方向が被成膜基板の走査方向に垂直であったが、被成膜基板の走査方向に垂直な方向から多少ずれていてもよい。
　また、上記実施の形態では、射出口の形状が点状であったが、これに限定されず、例えば、射出口の配列方向に長く開口したスリット状であってもよい。
　また、被成膜基板とシャドウマスクとを密着させながら、被成膜基板を滑らせ蒸着するような密着型スキャン蒸着法についても、本発明は適用可能である。また、図９のＳ２、Ｓ４～Ｓ６のように、サブ画素ごとに開口パターンが形成されたシャドウマスクを用いずに被成膜基板の全面に蒸着を行う場合も、本発明は適用できる。
　また、本発明は有機膜の蒸着だけでなく、第２電極の蒸着や封止膜の蒸着にも適用可能である。但し、有機膜の膜厚のバラツキのほうが有機ＥＬ表示装置の特性により大きく影響するため、本発明の適用効果は高い。
　一方、第２電極の膜厚バラツキは電気抵抗のバラツキに影響し、封止膜のバラツキは透湿度および酸素透過量のバラツキに影響する。それらのバラツキによる有機ＥＬ素子の特性への影響が軽微であるならば、蒸着装置の構造の複雑化に伴う設備コストの増加を鑑みて、本発明を有機膜の蒸着のみに適用してもよい。
　＜要点概要＞
　以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源に接続された複数の配管と、上記複数の配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段とを備え、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続され、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続されている。
　以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、第１の射出工程の後に、上記蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有している。
　上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から複数の配管を通って蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。蒸着源における射出口の列の一方端側に接続された配管（「第１の配管」とする）から蒸着粒子が供給される場合、当該一方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。また、蒸着源における射出口の列の他方端側に接続された配管（「第２の配管」とする）から蒸着粒子が供給される場合、当該他方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。これにより、第１の配管から蒸着粒子が供給された時における蒸着粒子の膜厚分布と、第２の配管から蒸着粒子が供給された時における蒸着粒子の膜厚分布とは、基板中央部分に関して対称となる。そのため、これらの膜厚分布を合成した膜厚分布は、蒸着源を回転させることなく蒸着を行った場合の膜厚分布よりも均一になる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、各配管は、上記蒸着粒子の上記蒸着源への供給量を制御する供給制御手段を備えていることが好ましい。
　上記の構成によれば、供給制御手段によって、各配管からの蒸着粒子の供給のＯＮ／ＯＦＦを切り替えることができる。これにより、被成膜基板の相対移動方向の切り替えに合わせて、蒸着粒子を供給する配管を切り替えることにより、さらに均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着できる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着粒子の射出時には、上記複数の配管のいずれか１つから上記蒸着粒子が上記蒸着源へ供給されることが好ましい。
　複数の配管から同時に蒸着粒子を供給した場合、各配管の形状差やコンダクタンス差の影響を受けて、蒸着源内の圧力分布が複雑化するが、上記の構成によれば、１つずつの配管から蒸着粒子を供給するので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記一方端側および上記他方端側には、それぞれ複数の配管が接続されることが好ましい。
　上記の構成によれば、特に射出口が複数列配置されている場合であっても、射出口の列ごとの射出量の不均一を解消することができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記射出口は、マトリクス状に配置され、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の行の一方端側に接続され、上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の行の他方端側に接続されていることが好ましい。
　上記の構成によれば、射出口の行方向の膜厚分布の均一化を図ることができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記複数の配管の他に、補助用配管をさらに備え、上記蒸着粒子供給手段は、上記複数の配管および上記補助用配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給し、上記補助用配管は、上記蒸着源における上記一方端および他方端以外の部分に接続されることが好ましい。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記補助用配管は、上記蒸着源における上記射出口の配列の中間部分に接続されることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源における上記射出口の列の両端側からの蒸着粒子の供給時の膜厚分布における膜厚の小さな部分を補助用配管からの蒸着粒子で補うことができるので、より均一な膜厚分布を得ることができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置は、上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる移動手段を備えることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源の射出面よりも蒸着領域が大きい被成膜基板に対して成膜を容易に行うことができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記複数の射出口の配列方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源と被成膜基板とのアライメントが容易になる。
　本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記第１の射出工程および上記第２の射出工程を有している。
　上記の構成によれば、本発明の実施の形態に係る蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造における蒸着粒子の蒸着だけでなく、あらゆる被成膜対象への蒸着粒子の蒸着に適用できる。
　１　　有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）
　２　　画素
２Ｂ　　サブ画素
２Ｇ　　サブ画素
２Ｒ　　サブ画素
１０　　ＴＦＴ基板
１１　　絶縁基板
１２　　ＴＦＴ
１３　　層間膜
１３ａ　コンタクトホール
１４　　配線
１５　　エッジカバー
１５Ｒ　開口部
１５Ｇ　開口部
１５Ｂ　開口部
２０　　有機ＥＬ素子
２１　　第１電極
２２　　正孔注入層兼正孔輸送層
２３Ｒ　発光層
２３Ｇ　発光層
２３Ｂ　発光層
２４　　電子輸送層
２５　　電子注入層
２６　　第２電極
３０　　接着層
４０　　封止基板
５０　　蒸着装置
６０　　被成膜基板
７０　　シャドウマスク
８０　　蒸着源
８０Ａ　蒸着源
８０Ｂ　蒸着源
８１　　射出口
８２　　蒸着源坩堝（蒸着粒子供給手段）
８３ａ　配管
８３ｂ　配管
８３ｃ　配管
８３ｂ　配管
８３ｄ　配管
８３ｅ　配管
８３ｆ　配管
８３ｇ　補助用配管
８４ａ　バルブ（供給制御手段）
８４ｂ　バルブ（供給制御手段）
８４ｃ　バルブ（供給制御手段）
８４ｄ　バルブ（供給制御手段）
８４ｅ　バルブ（供給制御手段）
８４ｆ　バルブ（供給制御手段）
９０　　真空チャンバ
１５０　蒸着装置
１７０　シャドウマスク
１７１　開口部
２５０　蒸着装置
２６０　被成膜基板
２７０　シャドウマスク
２８０　蒸着源
２８１　射出口
２８２　蒸着源坩堝
２８３　配管
２９０　真空チャンバ
Ｐ１　　導入経路
Ｐ２　　導入経路
Ｐ３　　導入経路

Claims (11)

  1. 　被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、
    　上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、
    　上記蒸着源に接続された複数の配管と、
    　上記複数の配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、
    　上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続され、
    　上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続されていることを特徴とする蒸着装置。
  2. 　各配管は、上記蒸着粒子の上記蒸着源への供給量を制御する供給制御手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
  3. 　上記蒸着粒子の射出時には、上記複数の配管のいずれか１つから上記蒸着粒子が上記蒸着源へ供給されることを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
  4. 　上記一方端側および上記他方端側には、それぞれ複数の配管が接続されることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  5. 　上記射出口は、マトリクス状に配置され、
    　上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の行の一方端側に接続され、
    　上記複数の配管の少なくとも１つは、上記蒸着源における上記射出口の行の他方端側に接続されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  6. 　上記複数の配管の他に、補助用配管をさらに備え、
    　上記蒸着粒子供給手段は、上記複数の配管および上記補助用配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給し、
    　上記補助用配管は、上記蒸着源における上記一方端および他方端以外の部分に接続されることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  7. 　上記補助用配管は、上記蒸着源における上記射出口の配列の中間部分に接続されることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
  8. 　上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる移動手段を備えることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  9. 　上記複数の射出口の配列方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  10. 　被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、
    　複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、
    　第１の射出工程の後に、上記蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の他方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給しながら、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有していることを特徴とする蒸着方法。
  11. 　ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、
    　上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、
    　第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、
    　上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    　上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、請求項１０に記載の蒸着方法の上記第１の射出工程および上記第２の射出工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
PCT/JP2011/078861 2010-12-21 2011-12-14 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 Ceased WO2012086480A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/993,677 US20130260501A1 (en) 2010-12-21 2011-12-14 Vapor deposition device, vapor deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent display device
JP2012549744A JP5410618B2 (ja) 2010-12-21 2011-12-14 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US14/879,090 US20160036008A1 (en) 2010-12-21 2015-10-08 Method of manufacturing film formation substrate, and method of manufacturing organic electroluminescent display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-284504 2010-12-21
JP2010284504 2010-12-21

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/993,677 A-371-Of-International US20130260501A1 (en) 2010-12-21 2011-12-14 Vapor deposition device, vapor deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent display device
US14/879,090 Continuation US20160036008A1 (en) 2010-12-21 2015-10-08 Method of manufacturing film formation substrate, and method of manufacturing organic electroluminescent display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012086480A1 true WO2012086480A1 (ja) 2012-06-28

Family

ID=46313756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/078861 Ceased WO2012086480A1 (ja) 2010-12-21 2011-12-14 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20130260501A1 (ja)
JP (1) JP5410618B2 (ja)
WO (1) WO2012086480A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014123505A (ja) * 2012-12-21 2014-07-03 Konica Minolta Inc 蒸着装置及び蒸着方法
WO2015159428A1 (ja) * 2014-04-18 2015-10-22 長州産業株式会社 ラインソース

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5512881B2 (ja) * 2011-03-30 2014-06-04 シャープ株式会社 蒸着処理システム及び蒸着処理方法
KR20180015250A (ko) * 2015-07-28 2018-02-12 샤프 가부시키가이샤 증착원, 증착 장치 및 증착막 제조 방법
KR20220090667A (ko) * 2020-12-22 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
CN113054124A (zh) * 2021-02-20 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件、显示装置、制作方法以及存储介质
US20230208091A1 (en) * 2021-12-29 2023-06-29 River Electro-Optics, LLC Distributed gain polygon ring laser amplification

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184571A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007332458A (ja) * 2006-05-18 2007-12-27 Sony Corp 蒸着装置および蒸着源ならびに表示装置の製造方法
JP2008019477A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc 真空蒸着装置
JP2011068916A (ja) * 2009-09-22 2011-04-07 Toshiba Corp 成膜方法および成膜装置
JP2011122187A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Ulvac Japan Ltd 材料蒸発システム及びその成膜装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3850679A (en) * 1972-12-15 1974-11-26 Ppg Industries Inc Chemical vapor deposition of coatings
KR100201386B1 (ko) * 1995-10-28 1999-06-15 구본준 화학기상증착장비의 반응가스 분사장치
JP3019095B1 (ja) * 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
ATE374263T1 (de) * 1999-03-29 2007-10-15 Antec Solar Energy Ag Vorrichtung und verfahren zur beschichtung von substraten durch aufdampfen mittels eines pvd- verfahrens
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
TWI252706B (en) * 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
EP1862788A1 (en) * 2006-06-03 2007-12-05 Applied Materials GmbH & Co. KG Evaporator for organic material, coating installation, and method for use thereof
EP2168643A1 (en) * 2008-09-29 2010-03-31 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials
KR100977374B1 (ko) * 2009-08-03 2010-08-20 텔리오솔라 테크놀로지스 인크 대면적 박막형 ｃｉｇｓ 태양전지 고속증착 및 양산장비, 그 공정방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184571A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007332458A (ja) * 2006-05-18 2007-12-27 Sony Corp 蒸着装置および蒸着源ならびに表示装置の製造方法
JP2008019477A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc 真空蒸着装置
JP2011068916A (ja) * 2009-09-22 2011-04-07 Toshiba Corp 成膜方法および成膜装置
JP2011122187A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Ulvac Japan Ltd 材料蒸発システム及びその成膜装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014123505A (ja) * 2012-12-21 2014-07-03 Konica Minolta Inc 蒸着装置及び蒸着方法
WO2015159428A1 (ja) * 2014-04-18 2015-10-22 長州産業株式会社 ラインソース

Also Published As

Publication number Publication date
JP5410618B2 (ja) 2014-02-05
US20130260501A1 (en) 2013-10-03
JPWO2012086480A1 (ja) 2014-05-22
US20160036008A1 (en) 2016-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5330608B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
CN103430625B (zh) 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置的制造方法
JP6567349B2 (ja) 蒸着方法及び蒸着装置
JP5826828B2 (ja) 表示用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、およびそれらの製造方法
JP5410618B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP6199967B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2012124512A1 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び有機ｅｌ表示装置
WO2012099011A1 (ja) 被成膜基板、製造方法、および有機ｅｌ表示装置
WO2012099019A1 (ja) 被成膜基板、有機ｅｌ表示装置および蒸着方法
WO2012098994A1 (ja) 被成膜基板、有機ｅｌ表示装置
JP5718362B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
TWI506152B (zh) 被成膜基板、有機ｅｌ顯示裝置
US9614155B2 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11850249

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012549744

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13993677

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11850249

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1