WO2012084321A1 - Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von laserbarren, laserbarren und laserdiode - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von laserbarren, laserbarren und laserdiode Download PDF

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WO2012084321A1 PCT/EP2011/069354 EP2011069354W WO2012084321A1 WO 2012084321 A1 WO2012084321 A1 WO 2012084321A1 EP 2011069354 W EP2011069354 W EP 2011069354W WO 2012084321 A1 WO2012084321 A1 WO 2012084321A1
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composite
breaking point
longitudinal
trench
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Thomas Veit
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202—Cleaving
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a plurality of laser bars, a laser bar and a
  • the trench is formed as a continuous trench in the composite.
  • a diamond is passed over a surface of the composite so that the surface is scribed.
  • this procedure may result in damage to the laser bars.
  • This task is inter alia by a
  • the method for producing a plurality of laser bars comprises the following method steps: producing the plurality of laser bars in the composite, wherein the composite has at least one longitudinal breaking point to be separated and at least one transverse breaking point to be separated, which run transversely to each other and in a surface of
  • At least two sub-trenches are formed, which are spaced from each other.
  • the production of the plurality of laser bars in the composite preferably comprises providing a
  • Semiconductor layers comprises, wherein the
  • Semiconductor layer stack comprises at least one suitable for the generation of electromagnetic radiation active zone.
  • the layers of the semiconductor layer stack preferably contain at least one III / V semiconductor material, for example a material from the material systems In x GayAl ] __ x _yP,
  • the active zone of the semiconductor layer stack has
  • a pn junction preferably a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW) or a
  • quantum well structure includes in the context of the application in particular any structure in which
  • quantum well structure does not include information about the dimensionality of the quantization. It thus includes quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • the longitudinal breaking point and the transverse breaking point of the composite preferably run orthogonally, that is perpendicular,
  • orthogonal to one another means that the longitudinal breaking point is formed substantially at a 90 ° angle to the transverse breaking point.
  • small production-related deviations of the 90 ° angle may occur.
  • the longitudinal breaking point is preferably aligned along the individual laser bars, in particular parallel to
  • the transverse breaking point is preferably aligned perpendicular to the lateral extension direction of the laser bars.
  • the longitudinal breaking point and the transverse breaking point lie in a surface of the composite. This means that the longitudinal breaking point and the transverse breaking point intersect at least at one point. In particular, the intersect
  • an intersection does not only comprise a punctiform formation, but can also be formed as an area.
  • the point of intersection can therefore also comprise a three-dimensional shape, which however is spatially limited.
  • the edge notch is preferably a trench formed in the
  • Semiconductor material of the composite is formed on a surface of the composite.
  • the surface of the composite is preferably to be understood as the surface which is formed by an attachment side of the laser bar opposite side of the laser bar.
  • a breakage point to be separated is to be understood in particular as meaning a position of the bond at which the composite is broken into individual laser bars or laser diodes in the subsequent production method.
  • Break points are thus predetermined, but not yet
  • the surface along the transverse breaking point thus has areas in which the trench is formed, and areas in which no trench is formed.
  • Partial ditches trained. The partial trenches are through
  • the recesses of the trench are arranged in the region of the longitudinal breaking point.
  • the partial trenches are each formed only in a central, central region of each laser bar, wherein outer regions of the laser bars are recessed by the trench.
  • Regions of longitudinal fracture are arranged, can be avoided. Due to the reduced outbreaks, fewer failures of the finished laser bars and / or laser diodes advantageously occur during operation.
  • the composite of the plurality of laser bars thus has an individual sub-trench for each laser bar. The generation of a partial trench begins and ends in each case within the range of a laser bar.
  • the method has the additional method step: separating the composite into individual laser bars by breaking at the longitudinal breaking point and / or the transverse breaking point.
  • the laser bars produced in this way can vary depending on
  • the breaking at the transverse breaking point serves, in particular, to remove the region of the composite which comprises the edge notch.
  • the region of the composite comprising the edge notch is functionless, so that this region is advantageously removed in the finished laser bar and thus is no longer contained.
  • the breaking at the longitudinal breaking point is used in particular for separating the composite into separate
  • the composite is separated at the longitudinal breaking point to form individual laser bars, wherein subsequently in each laser bar on the surface of a partial trench is generated, which is spaced from the longitudinal breaking point, that is from side surfaces of the laser bar.
  • the longitudinal breaking point that is from side surfaces of the laser bar.
  • the composite is broken for separation at the longitudinal breaking point after the process step of trenching.
  • the edge notch is generated and then the trench including the two sub-trenches introduced, followed by the
  • Longitudinal breaking point at least one laser facet of a
  • Surface roughness of the facet is significantly smaller than the wavelength of the light to be generated by the laser bar in its operation, preferably less than half of
  • Wavelength more preferably less than a quarter of the wavelength.
  • the facet forms an interface or side surface of the laser bar. If, for example, the laser bar is surrounded by air or another material with a lower optical refractive index than the refractive index of the material of the laser bar, the radiation generated by the laser bar can be at the interface
  • One laser bar each has two laser facets facing each other.
  • the two facets of a laser bar form a resonator.
  • the radiation generated by the laser bar can be coupled out of the laser bar via one of the facets.
  • the partial trench of each laser bar is formed to each laser facet of the laser bar at a distance of greater than or equal to 50 ⁇ m. A distance in such an area may be sufficient to
  • the optimum trench length and the distance to the laser facet are dependent on the laser bar type used.
  • the trench length is also dependent on the
  • Resonator length of the laser bar
  • a 100 ⁇ m distance to the laser facet can reliably prevent the eruptions and damage to the laser edges. For smaller resonator lengths, however, it may be advisable to fall below this value of 100 ⁇ to produce an improved separation of the laser bars. In a further development, the distance between the
  • the trench is produced by scribing, wherein preferably the scribing step is performed with a diamond tool.
  • the composite has a plurality of longitudinal breaking points to be separated, which run parallel to each other and lie in the surface of the composite, wherein at least one edge notch is produced in the edge region of the composite at each longitudinal breaking point and the trench along the transverse breaking point in the region of each longitudinal breaking point
  • the trench along the transverse breaking point is thus formed in the form of a dashed line.
  • the composite is preferably singulated into individual laser bars by breaking at the longitudinal breaking points. The breaking at the transverse breaking point is used to cancel the edge notches, which are removed as a damaged failure area.
  • a laser bar which by means of an inventive
  • Process comprises at least one for
  • the laser bars are by means of breaking at the
  • the laser bar can be further separated into individual laser diodes, wherein each laser diode at least one for the generation of
  • Electromagnetic radiation suitable active zone comprises.
  • the laser bars and laser diodes are designed as edge emitters.
  • the laser diodes and bars thus have an active radiation-generating emitter layer which emits radiation in a vertical main emission direction.
  • Figure 1 is a schematic view of a
  • Figure 2 is a schematic view of an inventive
  • Figure 3 is a schematic view of a
  • FIGS. 4A to 4C each show a schematic view of FIG
  • Size ratios among each other are basically not to be considered as true to scale. Rather, individual can
  • Components such as layers, structures,
  • FIG. 4A shows a view of a plurality of laser bars in the composite according to the prior art.
  • Composite 10 has a plurality of laser bars 1, which extend in a lateral direction in FIG. 4A.
  • Laser bars 1 are in the composite directly to each other
  • the composite is
  • the composite 10 has a plurality of longitudinal breaking points 2a to be separated.
  • the composite is separated into the individual laser bars along the longitudinal breaking points.
  • the longitudinal breaking points extend along the
  • transverse breaking point 3 Transverse to the longitudinal breaking points a transverse breaking point 3 is provided.
  • the transverse breaking point is arranged in particular orthogonal to the lateral orientation, in particular for the lateral extent of the laser bars.
  • the longitudinal breaking points 2a and the transverse breaking point 3 are formed in a surface 4 of the composite.
  • a laser bar which has been broken off, for example, from a composite according to FIG. 4A, is shown in greater detail in the exemplary embodiment of FIG. 4B.
  • the laser bar has along the transverse breaking point 3 due to the scratching with the diamond damage, in particular an outbreak 7, on an edge of the laser bar. Such outbreaks are caused by an increased stress situation at the edges of the
  • a laser diode broken out of the laser bar is shown in greater detail in FIG. 4C, for example. At the edges of the laser diode are breakouts 7 due to scribing
  • FIG. 1 shows a view of a composite comprising a plurality of laser bars 1.
  • the composite is in particular integrally formed.
  • the composite has a semiconductor layer sequence, from which the
  • Laser bars 1 are formed. The layers of
  • Semiconductor layer sequence are formed in particular contiguous.
  • the semiconductor layer sequence has an active layer for generating electromagnetic radiation.
  • the material of the semiconductor layer sequence is preferably based on InGaAlP, InGaAlN or InGaAlAs.
  • the composite of laser bars is bounded by four side surfaces, with two opposite sides of the
  • edge notch 2b is formed in an edge region of the composite along the longitudinal breaking points, in particular along each longitudinal breaking point.
  • the edge notch 2b is, for example, a trench which is introduced from the surface 4 into the semiconductor layer sequence of the composite.
  • the margins are in particular to provided that by means of this the composite is separated into the individual laser bars.
  • each laser bar has at least two facets, each of which forms a resonator.
  • the facets form interfaces of the respective laser bar. In particular, lie the
  • Laser facets on opposite sides of the laser bar The electromagnetic radiation generated by the active zone can be coupled out of the respective laser bar via one of the facets.
  • the transverse breaking point 3 runs
  • the transverse breaking point 3 is particularly suitable for separating into individual laser bars the areas
  • edge notches 2b are arranged.
  • the semiconductor layers with edge notches in particular form functionless laser diodes, which after separation into
  • a trench 5 is generated along the transverse breaking point 3, wherein the trench 5 is interrupted during the production in the region of the longitudinal breaking points 2a.
  • Querbruchstelle 3 thus form part of trenches 5a, 5b, which are each spaced apart.
  • a plurality of partial trenches 5a, 5b form along the
  • the ditch along the transverse fracture site 3 is produced, for example, by scribing, for example by means of a diamond tool.
  • the trench 5 along the transverse breaking point 3 is thus formed in the form of a dashed line.
  • exactly one partial trench 5a, 5b is formed on each laser bar 1 of the composite.
  • the partial trench of each laser bar is introduced in particular in the central, central region of the laser bar. Outside areas of each laser bar are recessed from the trench.
  • the distance between the laser facets of each laser bar and the length of the sub-trench of this laser bar are in the ratio 5: 4.
  • each partial trench has a distance length of at most 10% of each facet of the laser bar
  • Edges which may arise, for example, due to the formation of the trench by scribing, be avoided or reduced.
  • the reduced outbreaks lead
  • This remote Scoring is applicable to various laser bar types, with the optimum scribe length and the distance to the edges of the laser bars depending on the type of ingot to be machined. In this case, a distance of about 100 ⁇ to the edge of the bar
  • the composite as shown in the embodiment of Figure 1, is then to individual laser bars by breaking at the longitudinal fracture points 2a and
  • the composite is first broken into laser bars, and then the sub-trenches are formed on each laser bar in a central surface area of each laser bar.
  • Process step of trenching are broken.
  • the composite is scored along the transverse breaking point in a common process step.
  • the contact regions 6 are formed parallel to the transverse breaking point 3, that is transversely to the
  • the electrical contact regions 6 have, for example, a metal or a metal alloy.
  • a laser bar broken off from the composite according to the exemplary embodiment of FIG. 1 along the longitudinal breaking points is shown in the exemplary embodiment of FIG. The laser bar is thus not yet broken along the transverse breaking point 3.
  • Edge notches 2b is still coupled to the laser bar.
  • the laser bar is in particular of a plurality of
  • Laser diode la formed, each having on the surface 4 an electrical contact region 6.
  • the laser bar can continue to be used as a laser bar
  • the laser diodes are individually electrically contacted, or singulated into individual laser diodes.
  • An isolated from the laser bar of Figure 2 laser diode is shown in the embodiment of Figure 3.
  • the laser diode 1a is already broken out of the laser bar along the transverse breaking point 3.
  • the partial trench 5a of the transverse breaking point is arranged in the middle region of the laser diode. Arranged in the middle area means
  • the partial trench 5a is spaced from the laser facets of the laser diode.
  • the laser diode is in particular an edge emitter
  • Auskoppelseite the laser diode la, for example, formed parallel to the sheet plane.
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of this, but includes each new feature and any combination of features, wa would be any combination of features in the

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Abstract

Es ist ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Laserbarren (1) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Laserbarren (1) im Verbund (10) hergestellt werden, wobei der Verbund (10) zumindest eine zu trennende Längsbruchstelle (2a) und zumindest eine zu trennende Querbruchstelle (3) aufweist, die quer zueinander verlaufen und in einer Oberfläche (4) des Verbunds (10) liegen. Entlang der Längsbruchstelle (2a) in einem Randbereich des Verbunds (10) wird eine Randkerbe (2b) erzeugt. Entlang der Querbruchstelle (3) wird ein Graben (5) erzeugt, wobei der Graben (5) beim Erzeugen im Bereich der Längsbruchstelle (2a) unterbrochen wird, sodass entlang der Querbruchstelle (3) zumindest zwei Teilgräben (5a, 5b) ausgebildet werden, die voneinander beabstandet sind. Weiter ist ein Laserbarren (1) und eine Laserdiode (1a) angegeben, die mittels eines derartigen Verfahrens hergestellt sind.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Laserbarren, Laserbarren und Laserdiode
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Laserbarren, einen Laserbarren und eine
Laserdiode, die mit einem derartigen Herstellungsverfahren hergestellt sind.
Zur Herstellung von Laserbarren ist es bekannt, diese in einem Verbund herzustellen, wobei in einem Randbereich des Verbunds Schädigungen eingebracht werden, damit der Verbund anschließend durch Brechen in Laserbarren vereinzelt werden kann. Hierbei entsteht ein geschädigter Ausfallbereich im Verbund, der funktionslose Laserdioden umfasst, die vor
Fertigstellung der Laserbarren entfernt werden. Hierzu ist bekannt, senkrecht zu den einzelnen Laserbarren in den
Verbund einen Graben einzubringen, der über die Oberfläche der Mehrzahl von Laserbarren ausgebildet ist. Der Graben wird dabei als durchgängiger Graben in dem Verbund ausgebildet.
Zum Ausbilden eines derartigen Grabens wird beispielsweise ein Diamant über eine Oberfläche des Verbunds geführt, sodass die Oberfläche geritzt wird. Dieses Verfahren kann jedoch dazu führen, dass eine Schädigung der Laserbarren auftreten kann. Insbesondere beim Führen des Diamanten über die Kanten der Laserbarren können Ausbrüche und Schädigungen an diesen Kanten entstehen. Diese Kanten bilden häufig Laserfacetten der Laserbarren aus, sodass die Ausbrüche und Schädigungen zu schlechten Beschichtungsergebnissen in nachfolgenden
Prozessschritten und auch zu Ausfällen beim Betrieb der einzelnen Laserbarren und Laserdioden führen können. Die Ausbrüche und Schädigungen in den Laserbarren können insbesondere durch eine erhöhte Stresssituation an den Kanten der Laserbarren entstehen. Diese erhöhte Stresssituation entsteht insbesondere beim Auftreffen des Diamanten auf die Kante der Laserbarren oder beim Übergleiten des Diamants einer Kante der Laserbarren.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, ein verbessertes Herstellungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von
Laserbarren anzugeben, welches sich durch eine verringerte Ausbildung von Ausbrüchen und Schädigungen der Laserbarren auszeichnet. Weiter ist es Aufgabe der vorliegenden
Anmeldung, einen Laserbarren und eine Laserdiode anzugeben, die mittels eines derartigen Herstellungsverfahrens
hergestellt sind.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein
Herstellungsverfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1, ein Laserbarren mit den Merkmalen des Anspruchs 14 und eine Laserdiode mit den Merkmalen des Anspruchs 15 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen des Herstellungsverfahrens, des Laserbarrens und der Laserdiode sind Gegenstand der
abhängigen Ansprüche.
In einer Aus führungs form umfasst das Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Laserbarren folgende Verfahrensschritte: - Herstellen der Mehrzahl von Laserbarren im Verbund, wobei der Verbund zumindest eine zu trennende Längsbruchstelle und zumindest eine zu trennende Querbruchstelle aufweist, die quer zueinander verlaufen und in einer Oberfläche des
Verbunds liegen, - Erzeugen von zumindest einer Randkerbe entlang der
Längsbruchstelle in einem Randbereich des Verbunds,
- Erzeugen eines Grabens entlang der Querbruchstelle, wobei der Graben beim Erzeugen im Bereich der Längsbruchstelle unterbrochen wird, sodass entlang der Querbruchstelle
zumindest zwei Teilgräben ausgebildet werden, die voneinander beabstandet sind.
Das Herstellen der Mehrzahl von Laserbarren im Verbund umfasst vorzugsweise das Bereitstellen eines
Halbleiterschichtenstapels, der eine Mehrzahl von
Halbleiterschichten umfasst, wobei der
Halbleiterschichtenstapel zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone umfasst. Die Schichten des Halbleiterschichtenstapels enthalten vorzugsweise mindestens ein III/V-Halbleitermaterial, etwa ein Material aus den Materialsystemen InxGayAl]__x_yP,
InxGayAl]__x_yN oder InxGayAl]__x_yAs, jeweils mit 0 < x, y < 1 und x + y ^ 1. III/V-Halbleitermaterialien sind zur
Strahlungserzeugung im ultravioletten ( InxGayAl]__x_yN) , über den sichtbaren ( InxGayAl]__x_yN, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder InxGayAl]__x_yP, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten ( InxGayAl]__x_yAs ) Spektralbereich besonders geeignet.
Die aktive Zone des Halbleiterschichtenstapels weist
vorzugsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur (SQW) oder eine
Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) zur Strahlungserzeugung auf. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der
Ladungsträger durch Einschluss ( confinements ) eine
Quantisierung mehrerer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
Die Längsbruchstelle und die Querbruchstelle des Verbunds verlaufen vorzugsweise orthogonal, also senkrecht,
zueinander. Dabei bedeutet orthogonal zueinander verlaufend, dass die Längsbruchstelle im Wesentlichen in einem 90°-Winke zur Querbruchstelle ausgebildet ist. Dabei können jedoch geringe herstellungsbedingte Abweichungen des 90°-Winkels auftreten .
Die Längsbruchstelle ist vorzugsweise entlang der einzelnen Laserbarren ausgerichtet, insbesondere parallel zur
Ausrichtung der einzelnen Laserbarren. Die Querbruchstelle ist vorzugsweise senkrecht zur lateralen Ausdehnungsrichtung der Laserbarren ausgerichtet. Die Längsbruchstelle und die Querbruchstelle liegen dabei in einer Oberfläche des Verbunds. Das bedeutet, dass sich die Längsbruchstelle und die Querbruchstelle zumindest in einem Punkt schneiden. Insbesondere schneiden sich die
Längsbruchstelle und die Querbruchstelle in genau einem
Punkt. Ein Schnittpunkt umfasst dabei im Rahmen der Anmeldung nicht nur eine punktförmige Ausbildung, sondern kann auch als Bereich ausgebildet sein. Der Schnittpunkt kann also auch eine dreidimensionale Form umfassen, die jedoch räumlich begrenzt ist.
Die Randkerbe ist vorzugsweise ein Graben, der in dem
Halbleitermaterial des Verbunds auf einer Oberfläche des Verbunds ausgebildet ist. Als Oberfläche des Verbunds ist vorzugsweise die Fläche zu verstehen, die von einer Befestigungsseite der Laserbarren gegenüberliegenden Seite der Laserbarren gebildet ist.
Unter einer zu trennenden Bruchstelle ist insbesondere eine Stelle des Verbunds zu verstehen, an der im nachfolgenden Herstellungsverfahren der Verbund in einzelne Laserbarren beziehungsweise Laserdioden gebrochen wird. Diese
Bruchstellen sind somit vorgegeben, aber noch nicht
vollständig ausgebildet.
Der Graben entlang der Querbruchstelle wird lediglich
bereichsweise ausgebildet, sodass Bereiche der Oberfläche des Verbunds von dem Graben ausgespart sind. Die Oberfläche entlang der Querbruchstelle weist somit Bereiche auf, in denen der Graben ausgebildet ist, und Bereiche, in denen kein Graben ausgebildet ist. Insgesamt sind zumindest zwei
Teilgräben ausgebildet. Die Teilgräben sind dabei durch
Halbleitermaterial des Verbunds beabstandet. Die Aussparungen des Grabens sind dabei im Bereich der Längsbruchstelle angeordnet. Damit sind die Teilgräben jeweils nur in einem zentralen, mittleren Bereich jedes Laserbarrens ausgebildet, wobei Außenbereiche der Laserbarren von dem Graben ausgespart sind. Dadurch wird der aufgrund der Querbruchstelle
auftretende Stress lediglich in dem mittleren Bereich jedes Laserbarrens ausgebildet, sodass Schädigungen in
Außenbereichen der Laserbarren, die insbesondere in den
Bereichen der Längsbruchstellen angeordnet sind, vermieden werden können. Aufgrund der verringerten Ausbrüche treten im Betrieb mit Vorteil weniger Ausfälle der fertig hergestellten Laserbarren und/oder Laserdioden auf. Der Verbund aus der Mehrzahl von Laserbarren weist somit einen individuellen Teilgraben für jeden Laserbarren auf. Die Erzeugung eines Teilgrabens beginnt und endet dabei jeweils innerhalb des Bereichs eines Laserbarrens.
In einer Weiterbildung weist das Verfahren den zusätzlichen Verfahrensschritt auf: Vereinzeln des Verbunds zu einzelnen Laserbarren durch Brechen an der Längsbruchstelle und/oder der Querbruchstelle.
Die so hergestellten Laserbarren können dabei je nach
gewünschter Anwendung weiter in einzelne Laserdioden
vereinzelt werden oder als Laserbarren Anwendung finden. Das Brechen an der Querbruchstelle dient insbesondere dazu, den Bereich des Verbundes zu entfernen, der die Randkerbe umfasst. Der Bereich des Verbunds, der die Randkerbe umfasst, ist insbesondere funktionslos, sodass dieser Bereich im fertigen Laserbarren mit Vorteil entfernt und somit nicht mehr enthalten ist.
Das Brechen an der Längsbruchstelle dient insbesondere zur Vereinzelung des Verbunds in voneinander getrennte
Laserbarren .
In einer Weiterbildung wird der Verbund zum Vereinzeln an der Längsbruchstelle vor dem Verfahrensschritt des
Grabenerzeugens gebrochen. In diesem Fall wird der Verbund an der Längsbruchstelle zu einzelnen Laserbarren vereinzelt, wobei anschließend in jedem Laserbarren auf der Oberfläche ein Teilgraben erzeugt wird, der von der Längsbruchstelle, also von Seitenflächen des Laserbarrens, beabstandet ist. Der Teilgraben führt somit nicht durchgängig über die komplette Querausdehnung des Laserbarrens.
In einer alternativen Weiterbildung wird der Verbund zum Vereinzeln an der Längsbruchstelle nach dem Verfahrensschritt des Grabenerzeugens gebrochen. In diesem Fall wird erst die Randkerbe erzeugt und anschließend der Graben umfassend die zwei Teilgräben eingebracht, wobei anschließend an der
Längsbruchstelle derart gebrochen wird, dass eine Mehrzahl von Laserbarren entstehen.
In einer Weiterbildung wird der Verbund entlang der
Längsbruchstelle mittels der Randkerbe gebrochen. In einer Weiterbildung wird durch das Brechen an der
Längsbruchstelle zumindest eine Laserfacette eines
Laserbarrens erzeugt beziehungsweise ausgebildet.
Insbesondere wird durch das Brechen jeweils eine Laserfacette zweier benachbarter Laserbarren ausgebildet.
Unter Facette ist hierbei eine glatte Grenzfläche zu
verstehen. Glatt bedeutet hierbei, dass die
Oberflächenrauheit der Facette deutlich kleiner ist als die Wellenlänge des von dem Laserbarren in dessen Betrieb zu erzeugenden Lichts, bevorzugt kleiner als die Hälfte der
Wellenlänge, besonders bevorzugt kleiner als ein Viertel der Wellenlänge. Die Facette bildet insbesondere eine Grenzfläche oder Seitenfläche des Laserbarrens aus. Ist der Laserbarren beispielsweise von Luft oder einem anderem Material mit niedrigerem optischen Brechungsindex als der Brechungsindex des Materials des Laserbarrens umgeben, so kann die von dem Laserbarren erzeugte Strahlung an der Grenzfläche
Facette/Luft teilweise reflektiert werden. Jeweils ein Laserbarren weist zwei sich gegenüberliegende Laserfacetten auf. Die zwei Facetten eines Laserbarrens bilden einen Resonator aus. Über eine der Facette kann die vom Laserbarren erzeugte Strahlung aus dem Laserbarren ausgekoppelt werden.
In einer Weiterbildung wird auf jedem Laserbarren genau ein Teilgraben ausgebildet, der von zwei sich gegenüberliegenden Laserfacetten des Laserbarrens beabstandet ist. Damit ist der Teilgraben nur im mittleren, zentralen, stabilen Teil des Laserbarrens ausgebildet, sodass Schädigungen insbesondere im Kantenbereich der Laserbarren reduziert oder vollständig vermieden werden können.
In einer Weiterbildung wird der Teilgraben jedes Laserbarrens zu jeder Laserfacette des Laserbarrens in einem Abstand von jeweils größer oder gleich 50 μπι ausgebildet. Ein Abstand in einem derartigen Bereich kann ausreichend sein, um
Schädigungen an den Kanten, insbesondere den Facetten, des Laserbarrens zu verhindern.
Die optimale Grabenlänge und der Abstand zur Laserfacette sind dabei abhängig von dem verwendeten Laserbarrentyp. Die Grabenlänge ist unter anderem auch abhängig von der
Resonatorlänge des Laserbarrens.
Beispielsweise kann ein 100 μπι-Abstand zur Laserfacette die Ausbrüche und Schädigungen der Laserkanten sicher verhindern. Bei kleineren Resonatorlängen kann es jedoch empfehlenswert sein, diesen Wert von 100 μπι zu unterschreiten, um eine verbesserte Vereinzelung der Laserbarren zu erzeugen. In einer Weiterbildung stehen der Abstand zwischen den
Laserfacetten des Laserbarrens und die Länge des Teilgrabens im Verhältnis 5:4. Dieses Verhältnis entspricht einem Anteil von 80 % des Teilgrabens zu Bereichen der Oberfläche des Laserbarrens ohne Graben entlang der Querbruchstelle. Der
Abstand zwischen Laserfacette und Teilgraben beträgt damit an jeder Seite des Teilgrabens etwa 10 % des Abstands zwischen den Laserfacetten. In einer Weiterbildung wird der Graben mittels Ritzens erzeugt, wobei vorzugsweise der Verfahrensschritt des Ritzens mit einem Diamantwerkzeug durchgeführt wird.
In einer Weiterbildung weist der Verbund eine Mehrzahl von zu trennende Längsbruchstellen auf, die parallel zueinander verlaufen und in der Oberfläche des Verbunds liegen, wobei in dem Randbereich des Verbunds an jeder Längsbruchstelle zumindest eine Randkerbe erzeugt wird und der Graben entlang der Querbruchstelle im Bereich jeder Längsbruchstelle
unterbrochen wird, sodass entlang der Querbruchstelle eine Mehrzahl von Teilgräben ausgebildet werden, die jeweils voneinander beabstandet sind.
In diesem Fall ist der Graben entlang der Querbruchstelle demnach in Form einer gestrichelten Linie ausgebildet. Der Verbund wird vorzugsweise zu einzelnen Laserbarren durch Brechen an den Längsbruchstellen vereinzelt. Das Brechen an der Querbruchstelle dient zum Abbrechen der Randkerben, die als geschädigter Ausfallbereich entfernt werden.
Ein Laserbarren, der mittels eines erfindungsgemäßen
Verfahrens hergestellt ist, umfasst zumindest eine zur
Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone. Die Laserbarren sind dabei mittels Brechen an der
Längsbruchstelle ausgebildet.
Je nach gewünschter Anwendung kann der Laserbarren weiter in einzelne Laserdioden vereinzelt werden, wobei dabei jede Laserdiode zumindest eine zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone umfasst.
Die Laserbarren und Laserdioden sind dabei als Kantenemitter ausgebildet. Die Laserdioden und Barren weisen somit eine aktive Strahlungserzeugende Emitterschicht auf, die in einer Vertikalhauptabstrahlrichtung Strahlung emittiert. Die
Vertikalhauptstrahlungsrichtung ist dabei parallel zur
Oberfläche des Verbunds ausgebildet.
Weitere Merkmale, Vorteile, Weiterbildungen und
Zweckmäßigkeiten des Herstellungsverfahrens, des Laserbarrens und der Laserdiode ergeben sich aus den im Folgenden in
Verbindung mit den Figuren 1 bis 4 erläuterten
Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Ansicht eines
Ausführungsbeispiels einer Mehrzahl von
erfindungsgemäßen Laserbarren im Verbund im erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren,
Figur 2 eine schematische Ansicht eines erfindungsgemäßen
Laserbarrens im erfindungsgemäßen
Herstellungsverfahren,
Figur 3 eine schematische Ansicht eines
Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen
Laserdiode, Figuren 4A bis 4C jeweils eine schematische Ansicht von
Ausführungsbeispielen einer Mehrzahl von Laserbarren, eines Laserbarrens und einer Laserdiode nach dem Stand der Technik.
In den Figuren können gleiche oder gleich wirkende
Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargstellten Bestandteile und deren
Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne
Bestandteile, wie zum Beispiel Schichten, Strukturen,
Komponenten und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.
In Figur 4A ist eine Ansicht einer Mehrzahl von Laserbarren im Verbund gemäß dem Stand der Technik dargestellt. Der
Verbund 10 weist eine Mehrzahl von Laserbarren 1 auf, die sich in Figur 4A in lateraler Richtung erstrecken. Die
Laserbarren 1 sind in dem Verbund direkt aneinander
angrenzend ausgebildet. Insbesondere ist der Verbund
einstückig ausgebildet. Der Verbund 10 weist eine Mehrzahl von zu trennende Längsbruchstellen 2a auf. Insbesondere wird in einem späteren Verfahrensschritt der Verbund entlang der Längsbruchstellen in die einzelnen Laserbarren vereinzelt. Die Längsbruchstellen erstrecken sich entlang der
Laserbarren, also in lateraler Richtung. Quer zu den Längsbruchstellen ist eine Querbruchstelle 3 vorgesehen. Die Querbruchstelle ist dabei insbesondere orthogonal zur lateralen Ausrichtung, insbesondere zur lateralen Ausdehnung der Laserbarren, angeordnet. Die Längsbruchstellen 2a und die Querbruchstelle 3 sind in einer Oberfläche 4 des Verbunds ausgebildet.
Herkömmlicherweise wird entlang der Querbruchstelle 3 über die Gruppe von Laserbarren in die Oberfläche des Verbunds geritzt. Dabei gleitet beispielsweise ein Diamant auf der Oberfläche 4 des Verbunds. Dieser kann dabei jedoch
nachteilig eine Schädigung in Schichten der Laserbarren hervorrufen. Insbesondere können so Ausbrüche und
Schädigungen an den Kanten der einzelnen Laserbarren
entstehen. Die Bruchstellen entlang der Längsbruchstelle 2a bilden häufig Laserfacetten der einzelnen Laserbarren aus, sodass die Ausbrüche und Schädigungen an den Kanten der
Laserbarren in einem späteren Verfahrensschritt zu schlechten Beschichtungsergebnissen führen können. Zudem können
derartige Schädigungen und Ausbrüche zu Ausfällen der
Laserbarren und Laserdioden im Betrieb hervorrufen.
Ein Laserbarren, der beispielsweise aus einem Verbund gemäß Figur 4A herausgebrochen ist, ist in dem Ausführungsbeispiel der Figur 4B näher dargestellt. Der Laserbarren weist entlang der Querbruchstelle 3 aufgrund des Ritzens mit dem Diamanten eine Schädigung, insbesondere einen Ausbruch 7, an einer Kante des Laserbarrens auf. Derartige Ausbrüche entstehen durch eine erhöhte Stresssituation an den Kanten der
Laserbarren. Wird nun entlang der Querbruchstelle 3 der
Laserbarren gebrochen, so ist die daraus vereinzelte
Laserdiode lb mit Ausbrüchen an den Laserkanten und
Laserfacetten ausgebildet und neigt so im Betrieb zu einem Ausfall . Eine aus dem Laserbarren herausgebrochene Laserdiode ist beispielsweise in Figur 4C näher dargestellt. An den Kanten der Laserdiode sind Ausbrüche 7 aufgrund des Ritzens
ausgebildet. Diese Ausbrüche erstrecken sich auch über die ausgebildeten Laserfacetten der Laserdioden, sodass eine derartige Laserdiode im Betrieb nachteilig zu Ausfällen neigt und auch eine Beschichtung der Laserfacetten nicht optimal möglich ist. In Figur 1 ist eine Ansicht eines Verbunds dargestellt, der eine Mehrzahl von Laserbarren 1 umfasst. Der Verbund ist insbesondere einstückig ausgebildet. Insbesondere weist der Verbund eine Halbleiterschichtenfolge auf, aus die die
Laserbarren 1 gebildet sind. Die Schichten der
Halbleiterschichtenfolge sind insbesondere zusammenhängend ausgebildet. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine aktive Schicht zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf. Das Material der Halbleiterschichtenfolge basiert vorzugsweise auf InGaAlP, InGaAlN oder InGaAlAs .
Der Verbund aus Laserbarren ist durch vier Seitenflächen begrenzt, wobei zwei gegenüberliegende Seiten der
Seitenflächen als Laserfacetten der am Rand angeordneten Laserbarren 1 dienen.
Auf einer Oberfläche 4 des Verbunds sind Längsbruchstellen 2a ausgebildet, die in lateraler Richtung entlang der Ausdehnung der Laserbarren verlaufen. In einem Randbereich des Verbunds entlang der Längsbruchstellen, insbesondere entlang jeder Längsbruchstelle, ist jeweils eine Randkerbe 2b ausgebildet. Die Randkerbe 2b ist beispielsweise ein Graben, der von der Oberfläche 4 in die Halbleiterschichtenfolge des Verbunds eingebracht ist. Die Randkerben sind insbesondere dazu vorgesehen, dass mittels dieser der Verbund in die einzelnen Laserbarren vereinzelt wird. Nach dem Brechen entlang der Längsbruchstellen entstehen Laserbarren, die an der
Seitenfläche jeder Längsbruchstelle jeweils zumindest eine Laserfacette aufweisen. Insbesondere weist jeder Laserbarren zumindest zwei Facetten auf, die jeweils einen Resonator ausbilden. Die Facetten bilden dabei Grenzflächen des jeweiligen Laserbarrens. Insbesondere liegen die
Laserfacetten an einander gegenüberliegenden Seiten des Laserbarrens. Über eine der Facetten kann die von der aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem jeweiligen Laserbarren ausgekoppelt werden.
Auf der Oberfläche 4 des Verbunds liegt weiter eine
Querbruchstelle 3. Die Querbruchstelle 3 verläuft
insbesondere quer zu den Längsbruchstellen, vorzugsweise orthogonal zu den Längsbruchstellen.
Die Querbruchstelle 3 ist insbesondere dazu geeignet, nach Vereinzeln zu einzelnen Laserbarren die Bereiche zu
entfernen, in denen die Randkerben 2b angeordnet sind. Die Halbleiterschichten mit Randkerben bilden insbesondere funktionslose Laserdioden, die nach dem Vereinzeln in
einzelne Laserbarren oder Laserdioden nicht mehr notwendig sind.
Hierzu wird entlang der Querbruchstelle 3 ein Graben 5 erzeugt, wobei der Graben 5 beim Erzeugen im Bereich der Längsbruchstellen 2a unterbrochen wird. Entlang der
Querbruchstelle 3 bilden sich somit Teilgräben 5a, 5b aus, die jeweils voneinander beabstandet sind. Insbesondere bilden sich eine Mehrzahl von Teilgräben 5a, 5b entlang der
Querbruchstelle 3 aus. Der Graben entlang der Querbruchstelle 3 wird beispielsweise mittels Ritzens erzeugt, beispielsweise mittels eines Diamantwerkzeuges.
Der Graben 5 entlang der Querbruchstelle 3 ist somit in Form einer gestrichelten Linie ausgebildet. Dabei ist auf jedem Laserbarren 1 des Verbunds genau ein Teilgraben 5a, 5b ausgebildet. Der Teilgraben eines jeden Laserbarrens ist insbesondere im mittleren, zentralen Bereich des Laserbarrens eingebracht. Außenbereiche jedes Laserbarrens sind dabei von dem Graben ausgespart. Insbesondere ist der Teilgraben jedes Laserbarrens zu jeder Laserfacette dieses Laserbarrens in einem Abstand von jeweils größer oder gleich 50 μπι
ausgebildet. Vorzugsweise stehen der Abstand zwischen den Laserfacetten eines jeden Laserbarrens und die Länge des Teilgrabens dieses Laserbarrens im Verhältnis 5:4.
Insbesondere weist jeder Teilgraben zu jeder Facette des Laserbarrens eine Abstandslänge von höchstens 10 % der
Abstandslänge zwischen den Laserfacetten auf. Aufgrund des Abstandes der Teilgräben jedes Laserbarrens zu den Kanten des Laserbarrens können Schädigungen an den
Kanten, die beispielsweise aufgrund des Ausbilden des Grabens mittels Ritzens entstehen können, vermieden beziehungsweise reduziert werden. Die verringerten Ausbrüche führen
vorteilhafterweise zu reduzierten Ausfällen der Laserdioden oder Laserbarren im Betrieb. Zudem verbessert sich die
Spiegelhaftigkeit an den Laserfacetten eines jeden
Laserbarrens . Der Ritz entlang der Querbruchstelle 3 wird derart
ausgeführt, dass jeder Ritz eines Teilgrabens auf einer
Oberfläche eines Laserbarrens beginnt und auch in dieser Oberfläche dieses Laserbarrens endet. Dieses abgesetzte Ritzen ist für verschiedene Laserbarrentypen anwendbar, wobei die optimale Ritzlänge und der Abstand zu den Kanten der Laserbarren vom zu bearbeitenden Barrentyp abhängt. Dabei kann ein Abstand von etwa 100 μπι zur Barrenkante die
Schädigungen und Ausbrüche sicher verhindern. Bei kleinen Resonatorlängen kann es empfehlenswert sein, diesen Wert von 100 μπι zu unterschreiten, um eine verbesserte Vereinzelung zu erzielen .
Der Verbund, wie er in dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 dargestellt ist, wird anschließend zu einzelnen Laserbarren durch Brechen an den Längsbruchstellen 2a und der
Querbruchstelle 3 vereinzelt. Dabei kann der Verbund vor dem Verfahrensschritt des Grabenerzeugens entlang der
Querbruchstelle an den Längsbruchstellen gebrochen werden. In diesem Fall wird zuerst der Verbund in Laserbarren gebrochen, wobei anschließend die Teilgräben auf jedem Laserbarren in einem zentralen Oberflächenbereich eines jeden Laserbarrens ausgebildet werden. Alternativ kann der Verbund zum
Vereinzeln an den Längsbruchstellen nach dem
Verfahrensschritt des Grabenerzeugens gebrochen werden. In diesem Fall wird der Verbund entlang der Querbruchstelle in einem gemeinsamen Verfahrensschritt geritzt.
Auf der Oberfläche 4 des Verbunds sind Kontaktbereiche ausgebildet, die zur elektrischen Kontaktierung der einzelnen Laserdioden dienen. Die Kontaktbereiche 6 sind parallel zu der Querbruchstelle 3 ausgebildet, also quer zu den
Längsbruchstellen und quer zur lateralen Ausdehnung der
Laserbarren. Die elektrischen Kontaktbereiche 6 weisen beispielsweise ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Einen aus dem Verbund gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 herausgebrochenen Laserbarren entlang der Längsbruchstellen ist in dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 dargestellt. Der Laserbarren ist somit noch nicht entlang der Querbruchstelle 3 gebrochen. Der Bereich des Barrens aufweisend die
Randkerben 2b ist dabei noch an den Laserbarren gekoppelt. Der Laserbarren ist insbesondere aus einer Mehrzahl von
Laserdioden la gebildet, die jeweils auf der Oberfläche 4 einen elektrischen Kontaktbereich 6 aufweisen. Je nach
Anwendung kann der Laserbarren weiter als Laserbarren
ausgebildet sein, wobei in diesem Fall die Laserdioden einzeln elektrisch kontaktierbar sind, oder zu einzelnen Laserdioden vereinzelt werden. Eine aus dem Laserbarren der Figur 2 vereinzelte Laserdiode ist in dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 dargestellt. Die Laserdiode la ist dabei entlang der Querbruchstelle 3 bereits aus dem Laserbarren herausgebrochen. Der Teilgraben 5a der Querbruchstelle ist dabei im mittleren Bereich der Laserdiode angeordnet. Im mittleren Bereich angeordnet bedeutet
insbesondere, dass der Teilgraben 5a von den Laserfacetten der Laserdiode beabstandet ist. So können vorteilhafterweise Schädigungen und Ausbrüche an den Kanten der Laserfacetten der Laserdiode vermieden werden.
Die Laserdiode ist insbesondere als Kantenemitter
ausgebildet. Das bedeutet, dass die Laserdiode an einer
Seitenfläche die von der aktiven Zone erzeugte Strahlung auskoppelt. Im Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist die
Auskoppelseite der Laserdiode la beispielsweise parallel zur Blattebene ausgebildet. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, wa insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den
Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 056 054.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von
Laserbarren (1), mit folgenden Verfahrensschritten:
- Herstellen der Mehrzahl von Laserbarren (1) im Verbund
(10), wobei der Verbund (10) zumindest eine zu trennende Längsbruchstelle (2a) und zumindest eine zu trennende Querbruchstelle (3) aufweist, die quer zueinander
verlaufen und in einer Oberfläche (4) des Verbunds (10) liegen,
- Erzeugen von zumindest einer Randkerbe (2b) entlang der Längsbruchstelle (2a) in einem Randbereich des Verbunds (10) ,
- Erzeugen eines Grabens (5) entlang der Querbruchstelle (3), wobei der Graben (5) beim Erzeugen im Bereich der
Längsbruchstelle (2a) unterbrochen wird, sodass entlang der Querbruchstelle (3) zumindest zwei Teilgräben (5a, 5b) ausgebildet werden, die voneinander beabstandet sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1, mit dem zusätzlichen
Verfahrensschritt :
- Vereinzeln des Verbunds (10) zu einzelnen Laserbarren (1) durch Brechen an der Längsbruchstelle (2a) und/oder der Querbruchstelle (3) .
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei
der Verbund (10) zum Vereinzeln an der Längsbruchstelle (2a) vor dem Verfahrensschritt des Grabenerzeugens gebrochen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Verbund (10) zum Vereinzeln an der Längsbruchstelle (2a) nach dem Verfahrensschritt des Grabenerzeugens gebrochen wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 4, wobei
der Verbund (10) entlang der Längsbruchstelle (2a) mittels der Randkerbe (2b) gebrochen wird.
6. Verfahren nach zumindest den Ansprüchen 2 und 4, wobei durch das Brechen an der Längsbruchstelle (2a) zumindest eine Laserfacette eines Laserbarren (1) erzeugt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
auf jedem Laserbarren (1) genau ein Teilgraben (5a, 5b) ausgebildet wird, der von zwei sich gegenüberliegenden Laserfacetten des Laserbarrens (1) beabstandet ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei
der Teilgraben (5a, 5b) jedes Laserbarrens (1) zu jeder Laserfacette des Laserbarrens (1) in einem Abstand von jeweils größer oder gleich 50 μπι ausgebildet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, wobei
der Abstand zwischen den Laserfacetten des Laserbarrens (1) und die Länge des Teilgrabens (5a, 5b) im Verhältnis 5 zu 4 stehen.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der Graben (5) mittels Ritzens erzeugt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei
der Verfahrensschritt des Ritzens mit einem
Diamantwerkzeug durchgeführt wird.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
- der Verbund (10) eine Mehrzahl von zu trennende
Längsbruchstellen (2a) aufweist, die parallel zueinander verlaufen und in der Oberfläche (4) des Verbunds (10) liegen,
- in dem Randbereich des Verbundes (10) an eder
Längsbruchstelle (2a) zumindest eine Randkerbe (2b) erzeugt wird, und
- der Graben (5) entlang der Querbruchstelle (3) im
Bereich jeder Längsbruchstelle (2a) unterbrochen wird, sodass entlang der Querbruchstelle (3) eine Mehrzahl von Teilgräben (5a, 5b) ausgebildet werden, die jeweils voneinander beabstandet sind.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei
der Verbund (10) zu einzelnen Laserbarren (1) durch
Brechen an den Längsbruchstellen (2a) und/oder der
Querbruchstelle (3) vereinzelt wird.
14. Laserbarren (1), der zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone umfasst, und der mittels eines Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellt ist.
15. Laserdiode (lb), die durch Vereinzeln des
Laserbarrens gemäß Anspruch 14 hergestellt ist, und zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone umfasst.
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