WO2012081476A1 - 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus using a vacuum vapor deposition method, a vapor deposition method, and a method for manufacturing an organic electroluminescence display device using the vapor deposition apparatus and the vapor deposition method.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device including an organic EL element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of an organic material is an all-solid-state type, low voltage driving, high-speed response, As a flat panel display excellent in terms of self-luminous property and the like, it is attracting a great deal of attention.
  • the organic EL display device has, for example, a configuration in which an organic EL element connected to a TFT is provided on a substrate made of a glass substrate or the like provided with a TFT (thin film transistor).
  • the organic EL element is a light emitting element that can emit light with high luminance by low-voltage direct current drive, and has a structure in which a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode are stacked in this order. Of these, the first electrode is connected to the TFT. In addition, between the first electrode and the second electrode, as the organic EL layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer The organic layer which laminated
  • organic EL elements including light emitting layers of red (R), green (G), and blue (B) are arranged and formed on a substrate as sub-pixels. A color image is displayed by selectively emitting light from these organic EL elements with a desired luminance using TFTs.
  • an organic EL display device In order to manufacture an organic EL display device, it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern for each organic EL element. In addition, for a layer that does not require pattern formation for each organic EL element, a thin film is collectively formed on the entire pixel region constituted by the organic EL element.
  • a vacuum deposition method for example, a vacuum deposition method, an ink jet method, and a laser transfer method are known.
  • a vacuum deposition method is often used (for example, Patent Documents 1 and 2).
  • a mask also referred to as a deposition mask or a shadow mask in which openings having a predetermined pattern are formed is used.
  • the deposition surface of the substrate to which the mask is closely fixed is opposed to the deposition source.
  • vapor deposition particles (film forming material) from the vapor deposition source are vapor deposited on the vapor deposition surface through the opening of the mask, thereby forming a thin film having a predetermined pattern.
  • Vapor deposition is performed for each color of the light emitting layer (this is called “separate vapor deposition”).
  • FIG. 13 is a side view showing a schematic configuration of a conventional vapor deposition apparatus 250
  • FIG. 14 is a perspective view showing a schematic configuration of a vapor deposition source unit 290 of the vapor deposition apparatus 250.
  • the vapor deposition apparatus 250 is an apparatus that is disposed in a vacuum chamber and performs film deposition on the deposition target substrate 260, and includes a shadow mask 280 and a vapor deposition source unit 290.
  • the evaporation source unit 290 includes an evaporation source 291 and an evaporation source crucible 293, and the evaporation source 291 and the evaporation source crucible 293 are fixed to a support base (not shown).
  • the vapor deposition source 291 has a plurality of ejection ports (nozzles) 292 that eject vapor deposition particles, and the ejection ports 292 are arranged in a row as shown in FIG.
  • the deposition source crucible 293 stores a solid or liquid deposition material.
  • the vapor deposition material is heated inside the vapor deposition source crucible 293 to become gaseous vapor deposition particles, and is supplied (introduced) to the vapor deposition source 291 through the pipe 294.
  • the pipe 294 is connected to one end (supply side end) of the row of the injection ports 292 of the vapor deposition source 291, and the vapor deposition particles supplied to the vapor deposition source 291 are emitted from the injection port 292. . Note that the pipe 294 is heated to a temperature at which vapor deposition particles do not adhere.
  • the vapor deposition surface of the deposition target substrate 260 and the vapor deposition source 291 are arranged to face each other.
  • a shadow mask 280 having an opening corresponding to the pattern of the vapor deposition region is closely fixed to the vapor deposition surface of the deposition target substrate 260 so that the vapor deposition particles do not adhere to a region other than the target vapor deposition region.
  • the deposition target substrate 260 and the shadow mask 280 are relatively moved (scanned) with respect to the vapor deposition source 291 while vapor deposition particles are ejected from the ejection port 292. Thereby, a predetermined pattern is formed on the deposition target substrate 260.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 8-227276 (published on September 3, 1996)” Japanese Patent Publication “JP 2000-188179 A (published July 4, 2000)”
  • the conventional technique as described above has a problem that the film thickness distribution of the deposited film becomes non-uniform.
  • FIG. 15 is a graph showing the relationship between the position on the film formation substrate 260 along the arrangement direction of the injection ports 292 and the distribution (thickness) of vapor deposition particles.
  • a position facing the supply side end of the vapor deposition source 291 is A
  • a position facing the end opposite to the supply side end of the vapor deposition source 291 is B.
  • the amount of vapor deposition particles injected from each injection port 292 differs. Specifically, since the vapor deposition particles are sequentially ejected from the injection port 292 near the supply side end, the density of the vapor deposition particles decreases as the distance from the supply side end increases, and a pressure difference is generated inside the vapor deposition source 291. Therefore, the larger the distance from the supply side end of the vapor deposition source 291, the smaller the injection amount of vapor deposition particles from the injection port 292. Accordingly, as shown in FIG.
  • the amount of vapor deposition particles depends on the position in the substrate surface for the vapor deposition film on the deposition target substrate 260 constituted by the synthesis of vapor deposition particles emitted from various injection ports 292. Will be different. For this reason, nonuniformity of the film thickness distribution occurs in the substrate surface.
  • the light emission characteristics of organic EL elements are extremely sensitive to the film thickness of the deposited organic film, and the difference in film thickness of the organic film within the screen of the organic EL display device results in uneven display and uneven life characteristics. Connect directly. Therefore, it is desirable to deposit the light emitting layer of the organic EL element as uniformly as possible.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of depositing vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • a vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film on a deposition target substrate, and has a plurality of injection ports that eject vapor deposition particles to the deposition target substrate.
  • the vapor deposition source that supplies the vapor deposition particles to the vapor deposition source via a vapor deposition source in which the injection ports are arranged in one or a plurality of rows and a pipe connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source It is characterized by comprising particle supply means and rotation means for rotating the vapor deposition source.
  • a vapor deposition method is a vapor deposition method for forming a film on a deposition target substrate, which has a plurality of injection ports, and the injection ports are arranged in one or more rows.
  • a vapor deposition particle supplying step for supplying vapor deposition particles to the vapor deposition source via a pipe connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source; After the first injection step of injecting the vapor deposition particles to the film substrate, the rotation step of rotating the vapor deposition source and reversing the arrangement direction of the injection ports after the first injection step, and after the rotation step, And a second injection step of injecting the vapor deposition particles from the injection port onto the deposition target substrate.
  • the vapor deposition particles are supplied from the vapor deposition particle supply means to the vapor deposition source through the piping, and are injected from the injection port onto the film formation substrate. Since the pipe is connected to one end side of the row of injection ports in the vapor deposition source, the amount of vapor deposition particles emitted from the injection port monotonously decreases as the distance from the one end side increases. Therefore, after vapor deposition particles are injected from the injection port onto the film formation substrate, the vapor deposition source is rotated to reverse the arrangement direction of the injection ports, and the vapor deposition particles are again injected from the injection port onto the film formation substrate.
  • the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition before inversion and the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition after the inversion are symmetric with respect to the central portion of the substrate. Therefore, the film thickness distribution obtained by synthesizing the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition before reversal and the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition after the reversal is obtained when vapor deposition is performed without rotating the vapor deposition source. It becomes more uniform than the film thickness distribution. Therefore, it is possible to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of vapor deposition of vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • the organic electroluminescence display device manufacturing method of the present invention includes a TFT substrate / first electrode manufacturing step of forming a first electrode on a TFT substrate, and an organic layer on which an organic layer including at least a light emitting layer is deposited on the TFT substrate.
  • An organic electroluminescence display device comprising: a vapor deposition step; a second electrode vapor deposition step of depositing a second electrode; and a sealing step of sealing an organic electroluminescence element including the organic layer and the second electrode with a sealing member.
  • At least any one of the said organic layer vapor deposition process, the said 2nd electrode vapor deposition process, and the said sealing process is the said vapor deposition particle supply process of said vapor deposition method, said 1st injection process, It has the above-mentioned rotation process and the above-mentioned 2nd injection process.
  • the organic layer or the like can be formed with a uniform film thickness by the vapor deposition method of the present invention, an organic electroluminescence display device with little display unevenness can be provided.
  • the vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film on a film formation substrate, and has a plurality of injection holes for injecting vapor deposition particles onto the film formation substrate.
  • Vapor deposition sources arranged in one or more rows, and vapor deposition particle supply means for supplying the vapor deposition particles to the vapor deposition source via a pipe connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source; And a rotating means for rotating the vapor deposition source.
  • the vapor deposition method according to the present invention is a vapor deposition method for forming a film on a deposition target substrate, wherein the vapor deposition source has a plurality of injection ports, and the injection ports are arranged in one or more rows.
  • a second injection step of injecting the vapor deposition particles onto the substrate Therefore, there is an effect that it is possible to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of depositing vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • FIG. 1 It is a side view which shows the structure of the vapor deposition apparatus concerning one Embodiment of this invention. It is a perspective view which shows schematic structure of the vapor deposition source unit of the said vapor deposition apparatus.
  • FIG. 1 it is a side view which shows the state which rotated the vapor deposition source unit 180 degrees.
  • FIG. 1 it is a side view which shows the state which rotated the vapor deposition source unit 180 degrees.
  • It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus of RGB full color display.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA of the TFT substrate in the organic EL display device shown in FIG.
  • a method for manufacturing a bottom emission type organic EL display device for RGB full color display in which light is extracted from the TFT substrate side is given as an example. explain.
  • FIG. 6 is a sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device for RGB full-color display.
  • 7 is a plan view showing a configuration of a pixel constituting the organic EL display device shown in FIG. 6, and
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA of the TFT substrate in the organic EL display device shown in FIG. FIG.
  • the organic EL display device 1 manufactured in the present embodiment includes an organic EL element 20 connected to the TFT 12 and an adhesive layer on the TFT substrate 10 on which the TFT 12 (see FIG. 8) is provided. 30 and the sealing substrate 40 have the structure provided in this order.
  • the organic EL element 20 includes a pair of substrates (TFT substrates) by bonding the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is laminated to a sealing substrate 40 using an adhesive layer 30. 10 and the sealing substrate 40).
  • TFT substrates substrates
  • the organic EL element 20 is sealed between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40 in this way, so that oxygen or moisture can enter the organic EL element 20 from the outside. It is prevented.
  • the TFT substrate 10 includes a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate as a supporting substrate.
  • a plurality of wirings 14 including a plurality of gate lines laid in the horizontal direction and a plurality of signal lines laid in the vertical direction and intersecting the gate lines are provided. It has been.
  • a gate line driving circuit (not shown) for driving the gate line is connected to the gate line, and a signal line driving circuit (not shown) for driving the signal line is connected to the signal line.
  • the organic EL display device 1 is a full-color active matrix organic EL display device, and red (R), green (G), and blue are respectively formed on the insulating substrate 11 in regions surrounded by the wirings 14.
  • the sub-pixels 2R, 2G, and 2B of the respective colors including the organic EL elements 20 of the respective colors of (B) are arranged in a matrix.
  • an area surrounded by these wirings 14 is one sub pixel (dot), and R, G, and B light emitting areas are defined for each sub pixel.
  • the pixel 2 (that is, one pixel) has three sub-pixels: a red sub-pixel 2R that transmits red light, a green sub-pixel 2G that transmits green light, and a blue sub-pixel 2B that transmits blue light. It is composed of pixels 2R, 2G, and 2B.
  • Each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B includes openings 15R and 15G that are covered by the light-emitting layers 23R, 23G, and 23B of the respective stripes as light-emitting regions of the respective colors that are responsible for light emission in the sub-pixels 2R, 2G, and 2B ⁇ 15B is provided.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are patterned by vapor deposition for each color.
  • the openings 15R, 15G, and 15B will be described later.
  • These sub-pixels 2R, 2G, and 2B are provided with TFTs 12 connected to the first electrode 21 in the organic EL element 20, respectively.
  • the light emission intensity of each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B is determined by scanning and selection by the wiring 14 and the TFT 12.
  • the organic EL display device 1 realizes image display by selectively causing the organic EL element 20 to emit light with desired luminance using the TFT 12.
  • the TFT substrate 10 will be described.
  • the TFT substrate 10 has a TFT 12 (switching element), an interlayer film 13 (interlayer insulating film, planarizing film), a wiring 14 and an edge cover 15 on a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate. It has the structure formed in this order.
  • TFTs 12 are provided corresponding to the sub-pixels 2R, 2G, and 2B, respectively.
  • the structure of the TFT is conventionally well known. Therefore, illustration and description of each layer in the TFT 12 are omitted.
  • the interlayer film 13 is laminated on the insulating substrate 11 over the entire region of the insulating substrate 11 so as to cover the TFTs 12.
  • the first electrode 21 in the organic EL element 20 is formed on the interlayer film 13.
  • the interlayer film 13 is provided with a contact hole 13a for electrically connecting the first electrode 21 in the organic EL element 20 to the TFT 12.
  • the TFT 12 is electrically connected to the organic EL element 20 through the contact hole 13a.
  • the edge cover 15 prevents the first electrode 21 and the second electrode 26 in the organic EL element 20 from being short-circuited when the organic EL layer becomes thin or the electric field concentration occurs at the pattern end of the first electrode 21. It is an insulating layer for preventing.
  • the edge cover 15 is formed on the interlayer film 13 so as to cover the pattern end of the first electrode 21.
  • the edge cover 15 is provided with openings 15R, 15G, and 15B for each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15 are light emitting areas of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the sub-pixels 2R, 2G, and 2B are partitioned by the edge cover 15 having an insulating property.
  • the edge cover 15 also functions as an element isolation film.
  • the organic EL element 20 is a light emitting element that can emit light with high luminance by low-voltage direct current drive, and a first electrode 21, an organic EL layer, and a second electrode 26 are laminated in this order.
  • the first electrode 21 is a layer having a function of injecting (supplying) holes into the organic EL layer. As described above, the first electrode 21 is connected to the TFT 12 via the contact hole 13a.
  • a hole injection layer / hole transport layer 22 As shown in FIG. 8, between the first electrode 21 and the second electrode 26, as an organic EL layer, from the first electrode 21 side, a hole injection layer / hole transport layer 22, and light emitting layers 23R, 23G, 23B, the electron carrying layer 24, and the electron injection layer 25 have the structure formed in this order.
  • the stacking order is that in which the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode, the first electrode 21 is a cathode, and the second electrode 26 is an anode.
  • the order of stacking is reversed.
  • the hole injection layer is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole transport layer is a layer having a function of improving the efficiency of transporting holes to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is uniformly formed on the entire display region of the TFT substrate 10 so as to cover the first electrode 21 and the edge cover 15.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 in which the hole injection layer and the hole transport layer are integrated is provided as the hole injection layer and the hole transport layer.
  • An example will be described.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may be formed as independent layers.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B correspond to the sub-pixels 2R, 2G, and 2B so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15, respectively. Is formed.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are layers having a function of emitting light by recombining holes injected from the first electrode 21 side and electrons injected from the second electrode 26 side. .
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are each formed of a material having high light emission efficiency, such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the electron transport layer 24 is a layer having a function of increasing the electron transport efficiency from the second electrode 26 to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron injection layer 25 is a layer having a function of increasing the electron injection efficiency from the second electrode 26 to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron transport layer 24 is formed on the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22 so as to cover the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22.
  • the TFT substrate 10 is formed uniformly over the entire display area. Further, the electron injection layer 25 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron transport layer 24 so as to cover the electron transport layer 24.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be formed as independent layers as described above, or may be provided integrally with each other. That is, the organic EL display device 1 may include an electron transport layer / electron injection layer instead of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25.
  • the second electrode 26 is a layer having a function of injecting electrons into the organic EL layer composed of the organic layers as described above.
  • the second electrode 26 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron injection layer 25 so as to cover the electron injection layer 25.
  • organic layers other than the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are not essential layers as the organic EL layer, and may be appropriately formed according to the required characteristics of the organic EL element 20.
  • a carrier blocking layer can also be added to the organic EL layer as necessary. For example, by adding a hole blocking layer as a carrier blocking layer between the light emitting layers 23R, 23G, and 23B and the electron transport layer 24, the holes are prevented from falling out to the electron transport layer 24, and the light emission efficiency is improved. can do.
  • First electrode / light emitting layer / second electrode (2) First electrode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / second electrode (3) First electrode / hole transport layer / light emitting layer / Hole blocking layer (carrier blocking layer) / electron transport layer / second electrode (4) first electrode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (5 ) 1st electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (6) 1st electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / positive Hole blocking layer / electron transport layer / second electrode (7) first electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode (8) 1st electrode
  • the configuration of the organic EL element 20 is not limited to the above-described exemplary layer configuration, and a desired layer configuration can be adopted according to the required characteristics of the organic EL element 20 as described above.
  • FIG. 9 is a flowchart showing the manufacturing steps of the organic EL display device 1 in the order of steps.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 1 includes, for example, a TFT substrate / first electrode manufacturing step (S1), a hole injection layer / hole transport layer deposition configuration (S2). ), A light emitting layer vapor deposition step (S3), an electron transport layer vapor deposition step (S4), an electron injection layer vapor deposition step (S5), a second electrode vapor deposition step (S6), and a sealing step (S7).
  • the stacking order described in the present embodiment uses the first electrode 21 as an anode and the second electrode 26 as a cathode, and conversely, uses the first electrode 21 as a cathode and the second electrode 26. Is used as the anode, the stacking order of the organic EL layers is reversed. Similarly, the materials constituting the first electrode 21 and the second electrode 26 are also reversed.
  • a photosensitive resin is applied on an insulating substrate 11 such as glass on which TFTs 12 and wirings 14 are formed by a known technique, and patterning is performed by a photolithography technique, thereby insulating substrate 11.
  • An interlayer film 13 is formed thereon.
  • the insulating substrate 11 has a thickness of 0.7 to 1.1 mm, a length in the y-axis direction (vertical length) of 400 to 500 mm, and a length in the x-axis direction (horizontal length) of 300.
  • a glass substrate or a plastic substrate of ⁇ 400 mm is used. In this embodiment, a glass substrate is used.
  • an acrylic resin or a polyimide resin can be used as the interlayer film 13.
  • the acrylic resin include Optomer series manufactured by JSR Corporation.
  • a polyimide resin the photo nice series by Toray Industries, Inc. is mentioned, for example.
  • the polyimide resin is generally not transparent but colored. Therefore, as shown in FIG. 8, when a bottom emission type organic EL display device is manufactured as the organic EL display device 1, a transparent resin such as an acrylic resin is more preferably used as the interlayer film 13. Used.
  • the film thickness of the interlayer film 13 is not particularly limited as long as the step due to the TFT 12 can be compensated. In this embodiment, for example, the thickness is about 2 ⁇ m.
  • a contact hole 13 a for electrically connecting the first electrode 21 to the TFT 12 is formed in the interlayer film 13.
  • an ITO (Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide) film is formed with a thickness of 100 nm by a sputtering method or the like.
  • the ITO film is etched using ferric chloride as an etchant. Thereafter, the photoresist is stripped using a resist stripping solution, and substrate cleaning is further performed. Thereby, the first electrode 21 is formed in a matrix on the interlayer film 13.
  • Examples of the conductive film material used for the first electrode 21 include transparent conductive materials such as ITO, IZO (Indium (Zinc Oxide), gallium-doped zinc oxide (GZO), gold (Au), Metal materials such as nickel (Ni) and platinum (Pt) can be used.
  • transparent conductive materials such as ITO, IZO (Indium (Zinc Oxide), gallium-doped zinc oxide (GZO), gold (Au), Metal materials such as nickel (Ni) and platinum (Pt) can be used.
  • a method for laminating the conductive film in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • the thickness of the first electrode 21 is not particularly limited, but as described above, for example, the thickness can be set to 100 nm.
  • the edge cover 15 is patterned and formed with a film thickness of, for example, about 1 ⁇ m.
  • the same insulating material as that of the interlayer film 13 can be used.
  • the TFT substrate 10 and the first electrode 21 are produced (S1).
  • the TFT substrate 10 that has undergone the above-described steps is subjected to oxygen plasma treatment as a vacuum baking for dehydration and surface cleaning of the first electrode 21.
  • a hole injection layer and a hole transport layer are displayed on the TFT substrate 10 on the TFT substrate 10 using a conventional vapor deposition apparatus. Vapor deposition is performed on the entire area (S2).
  • an open mask having an entire display area opened is aligned and adhered to the TFT substrate 10 and then scattered from the deposition source while rotating the TFT substrate 10 and the open mask together. Vapor deposition particles are uniformly deposited on the entire display region through the opening of the open mask.
  • vapor deposition on the entire surface of the display area means that vapor deposition is performed continuously between adjacent sub-pixels of different colors.
  • Examples of the material for the hole injection layer and the hole transport layer include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, and fluorenone. , Hydrazone, stilbene, triphenylene, azatriphenylene, and derivatives thereof, polysilane compounds, vinyl carbazole compounds, thiophene compounds, aniline compounds, etc., linear or heterocyclic conjugated monomers, oligomers, or polymers Etc.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may be integrated as described above, or may be formed as independent layers.
  • Each film thickness is, for example, 10 to 100 nm.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is provided as the hole injection layer and the hole transport layer, and the material of the hole injection layer / hole transport layer 22 is 4,4′-bis [ N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl ( ⁇ -NPD) was used.
  • the film thickness of the hole injection layer / hole transport layer 22 was 30 nm.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B corresponding to the sub-pixels 2R, 2G, and 2B so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15. are separately formed (pattern formation) (S3).
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are made of a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • Examples of materials for the light emitting layers 23R, 23G, and 23B include anthracene, naphthalene, indene, phenanthrene, pyrene, naphthacene, triphenylene, anthracene, perylene, picene, fluoranthene, acephenanthrylene, pentaphen, pentacene, coronene, butadiene, and coumarin.
  • the film thickness of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B is, for example, 10 to 100 nm.
  • the vapor deposition method and the vapor deposition apparatus according to the present embodiment can be particularly preferably used for such separate formation (pattern formation) of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron transport layer 24, the hole injection layer / hole transport layer 22 and the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed.
  • the entire surface of the display area of the TFT substrate 10 is deposited so as to cover (S4).
  • the electron injection layer 25 is formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 so as to cover the electron transport layer 24 by the same method as the hole injection layer / hole transport layer deposition step (S2). Evaporation is performed (S5).
  • Examples of the material for the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 include tris (8-quinolinolato) aluminum complex, oxadiazole derivative, triazole derivative, phenylquinoxaline derivative, silole derivative and the like.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be integrated or formed as independent layers.
  • Each film thickness is, for example, 1 to 100 nm.
  • the total film thickness of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 is, for example, 20 to 200 nm.
  • Alq is used as the material of the electron transport layer 24, and LiF is used as the material of the electron injection layer 25.
  • the thickness of the electron transport layer 24 was 30 nm, and the thickness of the electron injection layer 25 was 1 nm.
  • the second electrode 26 is applied to the entire display region of the TFT substrate 10 so as to cover the electron injection layer 25 by the same method as the hole injection layer / hole transport layer deposition step (S2). Evaporation is performed (S6).
  • Electrode material of the second electrode 26 a metal having a small work function is preferably used.
  • examples of such electrode materials include magnesium alloys (MgAg, etc.), aluminum alloys (AlLi, AlCa, AlMg, etc.), metallic calcium, and the like.
  • the thickness of the second electrode 26 is, for example, 50 to 100 nm.
  • the organic EL element 20 including the organic EL layer, the first electrode 21, and the second electrode 26 was formed on the TFT substrate 10.
  • the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 was formed and the sealing substrate 40 were bonded together with an adhesive layer 30 to encapsulate the organic EL element 20.
  • sealing substrate 40 for example, an insulating substrate such as a glass substrate or a plastic substrate having a thickness of 0.4 to 1.1 mm is used. In this embodiment, a glass substrate is used.
  • the vertical length and the horizontal length of the sealing substrate 40 may be appropriately adjusted according to the size of the target organic EL display device 1, and an insulating substrate having substantially the same size as the insulating substrate 11 in the TFT substrate 10 is used. After sealing the organic EL element 20, the organic EL element 20 may be divided according to the size of the target organic EL display device 1.
  • sealing method of the organic EL element 20 it is not limited to an above-described method.
  • Other sealing methods include, for example, a method in which engraved glass is used as the sealing substrate 40 and sealing is performed in a frame shape with a sealing resin, frit glass, or the like, or between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40.
  • a method of filling a resin in between The manufacturing method of the organic EL display device 1 does not depend on the sealing method, and any sealing method can be applied.
  • a protective film (not shown) that prevents oxygen and moisture from entering the organic EL element 20 from the outside is provided on the second electrode 26 so as to cover the second electrode 26. Good.
  • the protective film is made of an insulating or conductive material. Examples of such a material include silicon nitride and silicon oxide. Further, the thickness of the protective film is, for example, 100 to 1000 nm.
  • the organic EL display device 1 is completed through the above steps.
  • a predetermined image is displayed by controlling the light emission luminance of each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • FIG. 1 is a side view showing a configuration of a vapor deposition apparatus 50 according to the present embodiment
  • FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a vapor deposition source unit 90 of the vapor deposition apparatus 50.
  • the vapor deposition apparatus 50 is an apparatus for forming a film on the film formation substrate 60, and is disposed in a vacuum chamber.
  • the vapor deposition apparatus 50 includes a shadow mask 80, a vapor deposition source unit 90, and a rotation mechanism 100.
  • the structures of the film formation substrate 60 and the shadow mask 80 are the same as those of the film formation substrate 260 and the shadow mask 280 shown in FIG.
  • the vapor deposition source unit 90 includes a vapor deposition source 91 and a vapor deposition source crucible 93 (vapor deposition particle supply means).
  • the configurations of the vapor deposition source 91 and the vapor deposition source crucible 93 are the same as those of the vapor deposition source 291 and the vapor deposition source crucible 293 in the conventional vapor deposition apparatus 250 shown in FIG.
  • the vapor deposition source 91 has a plurality of injection ports 92 for injecting vapor deposition particles, and the injection ports 92 are arranged in a row as shown in FIG.
  • the vapor deposition source crucible 93 stores a solid or liquid vapor deposition material.
  • the vapor deposition material is heated inside the vapor deposition source crucible 93 to be gaseous vapor particles, and is supplied (introduced) to the vapor deposition source 91 through the pipe 94.
  • the pipe 94 is connected to one end (supply side end) of the row of the injection ports 92 of the vapor deposition source 91, and the vapor deposition particles supplied to the vapor deposition source 91 are emitted from the injection port 92. .
  • the vapor deposition surface of the deposition target substrate 60 and the vapor deposition source 91 are arranged to face each other.
  • a shadow mask 80 having an opening corresponding to the pattern of the vapor deposition region is closely fixed to the vapor deposition surface of the deposition target substrate 60 so that the vapor deposition particles do not adhere to a region other than the target vapor deposition region. Then, the deposition target substrate 60 and the shadow mask 80 are relatively moved (scanned) with respect to the deposition source 91 by a moving unit (not shown) while ejecting the deposition particles from the ejection port 92.
  • the moving means moves the film formation substrate 60 and the shadow mask 80 in a direction perpendicular to the arrangement direction of the injection ports 92 ( It is reciprocated in the direction from the back side to the front side in the drawing and the opposite direction. As a result, a predetermined pattern is formed on the deposition target substrate 60.
  • a rotation mechanism 100 that rotates the vapor deposition source 91 and the vapor deposition source crucible 93 is provided.
  • the rotation mechanism 100 includes a rotation motor 101 and a rotation shaft 102. As shown in FIGS. 1 and 2, the vapor deposition source 91 and the vapor deposition source crucible 93 are connected to one end and the other end of a concave support rod 95, respectively. Further, the central portion of the support bar 95 is connected to a rotating shaft 102 that is rotated by a rotating motor 101. Accordingly, when the rotation motor 101 rotates the rotation shaft 102, the vapor deposition source 91 and the vapor deposition source crucible 93 rotate so that the rotation shaft is perpendicular to the deposition target substrate 60. Note that the direction of the rotation axis may be shifted from the vertical direction of the deposition target substrate 60 so that the uniformity of the film thickness distribution is not affected.
  • the rotation motor 101 may be provided outside the vacuum chamber, and the vapor deposition source unit 90 in the vacuum chamber may be rotated through the rotation shaft 102.
  • the arrangement direction of the injection ports 92 is reversed in accordance with the scanning direction of the film formation substrate 60. Specifically, as shown in FIG. 1, in the state where the vapor deposition source 91 is arranged so that the connection position of the pipe 94 is located on the left side in the drawing, the vapor deposition particles 91 are deposited via the pipe 94. (Vapor deposition particle supplying step), and the deposition target substrate 60 is scanned in the back direction (the forward direction) in FIG. Injection process).
  • the rotation mechanism 100 rotates the vapor deposition source 91 by 180 ° to reverse the arrangement direction of the injection ports 92. (Rotation process). Thereby, as shown in FIG. 3, the connection position of the piping 94 comes to the right side in the figure. In this state, vapor deposition particles are ejected from the ejection port 92 onto the deposition substrate 60 while scanning the deposition substrate 60 in the front direction (return direction) in FIG. 3 (second ejection step). When the scanning in the backward direction is finished, the ejection of the vapor deposition particles is finished.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the position of the film formation substrate 60 along the arrangement direction of the injection ports 92 and the distribution (thickness) of vapor deposition particles.
  • a position facing the supply side end of the vapor deposition source 91 in the state of FIG. 1 is A
  • a position facing the end opposite to the supply side end of the vapor deposition source 91 is B.
  • the solid line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the forward direction
  • the broken line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the backward direction.
  • the alternate long and short dash line indicates the distribution of the vapor deposition particles when the reciprocating scanning is completed.
  • the amount of vapor deposition particles emitted from the injection port 92 decreases as the distance from the supply side end of the vapor deposition source 91 increases. Therefore, the distribution of the vapor deposition particles when the deposition target substrate 60 is scanned in the forward direction (FIG. 1) gradually decreases from the position A to the position B as indicated by the solid line.
  • the vapor deposition source 91 is rotated 180 ° as shown in FIG.
  • the distribution of the injection amount of the vapor deposition particles injected onto the film formation substrate 60 is also reversed.
  • the film thickness distribution when the deposition target substrate 60 scans in the backward direction is symmetric with respect to the film thickness distribution indicated by the solid line with respect to the intermediate position between the position A and the position B.
  • the film thickness distribution at the time when the reciprocating scan of the deposition target substrate 60 is completed is the sum of the film thickness distribution indicated by the solid line and the film thickness distribution indicated by the broken line. Therefore, as shown by the alternate long and short dash line, the film thickness distribution is uniform when compared with the film thickness distribution when scanned in the forward direction and the film thickness distribution when scanned in the backward direction. Therefore, by arranging the vapor deposition source 91 in a direction different by 180 ° between the case of scanning in the forward direction and the case of scanning in the backward direction, the influence of the pressure difference in the supply path and the injection port is alleviated, and the vapor deposition region A uniform film thickness distribution can be obtained over the entire surface. In particular, if the vapor deposition device 50 is applied to vapor deposition of the light emitting layer of the organic EL element, an organic EL display device with little display unevenness can be manufactured.
  • the deposition source 91 may be rotated so that the deposition target substrate 60 is reciprocated three times in the state shown in FIG. .
  • the rotation of the vapor deposition source 91 is performed when the deposition target substrate 60 passes through the vapor deposition source 91 and is in a position where the vapor deposition particles do not reach the deposition target substrate 60.
  • vapor deposition particles may be ejected into a space other than desired, so it is preferable to stop the ejection of the vapor deposition particles with a valve or a shutter.
  • the deposition substrate and the shadow mask are in close contact with each other.
  • vapor deposition may be performed by providing a gap between the deposition substrate and the shadow mask.
  • a shadow mask that covers the entire surface of the deposition target substrate is used, but the present invention is not limited to this.
  • a shadow mask 180 having a smaller area than the vapor deposition region of the deposition target substrate 60 may be used as the shadow mask.
  • the relative position between the shadow mask 180 and the vapor deposition source 91 is fixed, and alignment is performed so that the shadow mask 180 faces the deposition target substrate with a certain gap. Then, the film formation substrate 60 is moved relative to the shadow mask 180 and the vapor deposition source 91, and vapor deposition particles are sequentially deposited on the vapor deposition region of the film deposition substrate 60 through the opening 181 of the shadow mask 180.
  • FIG. 10 is a side view showing the configuration of the vapor deposition apparatus 150 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 150 is an apparatus that forms a film on the deposition target substrate 60 and is disposed in a vacuum chamber.
  • the vapor deposition apparatus 150 includes a shadow mask 80, two vapor deposition source units 190a and 190b, and two rotation mechanisms 200a and 200b (rotation means).
  • the vapor deposition source unit 190a and the vapor deposition source unit 190b have the same configuration and include a vapor deposition source 191 and a vapor deposition source crucible 193 (vapor deposition particle supply means).
  • the vapor deposition source 191 has a plurality of ejection ports 192 for ejecting the vapor deposition particles, and the ejection ports 192 are arranged in one row. Compared with the vapor deposition source 91 shown in FIG. 1, the vapor deposition source 191 has half the number of injection ports and the length of the arrangement of the injection ports in the vapor deposition source 91.
  • the vapor deposition source crucible 193 is substantially the same as the vapor deposition source crucible 93 except that the storage amount and supply speed of the vapor deposition material are half that of the vapor deposition source crucible 93 compared to the vapor deposition source crucible 93 shown in FIG. It is the composition.
  • the pipe 194 is connected to one end (supply side end) of the row of the injection ports 192 of the vapor deposition source 191, and the vapor deposition particles supplied to the vapor deposition source 191 are ejected from the injection port 192. .
  • the rotation mechanism 200a and the rotation mechanism 200b rotate the vapor deposition source unit 190a and the vapor deposition source unit 190b, respectively.
  • the rotation mechanism 200a and the rotation mechanism 200b have the same configuration and include a rotation motor 201 and a rotation shaft 202.
  • the vapor deposition source 191 and the vapor deposition source crucible 193 are connected to one end and the other end of a concave support bar 195, respectively.
  • the central portion of the support bar 195 is connected to a rotating shaft 202 that is rotated by a rotating motor 201.
  • the rotation motor 201 may be provided outside the vacuum chamber, and the vapor deposition source units 190a and 190b in the vacuum chamber may be rotated through the rotation shaft 202.
  • the vapor deposition apparatus 150 has a configuration including two vapor deposition source units and two rotation mechanisms. Similar to the vapor deposition apparatus 50 according to the first embodiment, the vapor deposition apparatus 150 also reverses the arrangement direction of the injection ports 192 according to the scanning direction of the deposition target substrate 60.
  • the vapor deposition source 191 is first arranged so that the connection position of the pipe 194 is located on the left side in the drawing in each vapor deposition source unit.
  • the outlets 192 of the vapor deposition source 191 of the vapor deposition source unit 190a and the vapor deposition source 191 of the vapor deposition source unit 190b are arranged in the same direction.
  • the vapor deposition particles are supplied to the vapor deposition source 191 through the pipe 194 (vapor deposition particle supply process), and the film formation substrate 60 is scanned in the back direction of FIG.
  • the vapor deposition particles are ejected from the film deposition substrate 60 onto the deposition target substrate 60 (first injection step).
  • FIG. 12 is a graph showing the relationship between the position of the film formation substrate 60 along the arrangement direction of the injection ports 192 and the distribution (thickness) of vapor deposition particles.
  • the position facing the supply side end of the evaporation source 191 of the left evaporation source unit 190a in the state of FIG. 10 is A, and the opposite side of the supply side end of the evaporation source 191 of the right evaporation source unit 190b.
  • the position that faces the end of this is B.
  • the solid line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the forward direction
  • the broken line indicates the distribution of vapor deposition particles when the film formation substrate 60 is scanned in the backward direction.
  • the alternate long and short dash line indicates the distribution of the vapor deposition particles when the reciprocating scanning is completed.
  • the film thickness of the vapor deposition particles monotonously decreases from the position A to the intermediate position between the position A and the position B, and increases at the intermediate position. To do. This is because the intermediate position corresponds to the supply side end of the vapor deposition source 191 of the vapor deposition source unit 190b shown in FIG. Further, in the vicinity of an intermediate position between the position A and the position B, the vapor deposition particles flow from the two adjacent vapor deposition sources 191, so the distribution of the vapor deposition particles is wavy.
  • the film thickness of the vapor deposition particles monotonously increases from the position A to the intermediate position between the position A and the position B, and decreases at the intermediate position. To do. That is, the distribution indicated by the broken line is obtained by inverting the distribution indicated by the solid line with respect to the intermediate position.
  • the film thickness distribution at the time when the reciprocating scan of the deposition target substrate 60 is completed is the sum of the film thickness distribution indicated by the solid line and the film thickness distribution indicated by the broken line. Therefore, as shown by the alternate long and short dash line, the film thickness distribution is uniform when compared with the film thickness distribution when scanned in the forward direction and the film thickness distribution when scanned in the backward direction.
  • the film thickness distribution indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 12 is more uniform than the film thickness distribution indicated by the alternate long and short dash line in FIG. That is, since this embodiment has a configuration in which the evaporation source is divided into a plurality of portions in Embodiment 1, the length of each evaporation source becomes shorter. Therefore, the nonuniformity of the film thickness distribution is reduced in one vapor deposition source. Therefore, even if the film thickness distribution when the film formation substrate 60 is scanned in the forward direction and the film thickness distribution when the film formation substrate 60 is scanned in the backward direction are combined, the film thickness distribution is not uniform. The film thickness uniformity in the substrate surface is further improved.
  • two vapor deposition sources are provided, but three or more vapor deposition sources may be provided.
  • a vapor deposition source crucible is required for each vapor deposition source, and variation in vapor deposition particle distribution from each vapor deposition source affects the film thickness distribution.
  • the number of vapor deposition sources is desirably determined in consideration of their advantages and disadvantages, and preferably 2 to 4, for example.
  • the plurality of vapor deposition sources it is not necessary for the plurality of vapor deposition sources to have the same size.
  • the size of each vapor deposition source is different, the distribution of vapor deposition particles varies depending on the individual vapor deposition source. Therefore, the film thickness distribution when the deposition target substrate is scanned in the forward direction and the deposition target substrate are in the return direction. There is a possibility that the combined film thickness distribution with the film thickness distribution in the case of scanning is not sufficiently uniform. Therefore, the size of the vapor deposition source unit, in particular, the size of the vapor deposition source is preferably the same.
  • the timing for rotating each deposition source may be different.
  • the deposition source unit has a structure in which spatial interference occurs when the deposition sources are rotated at different timings, it is preferable to rotate the deposition sources at the same timing.
  • the vapor deposition apparatus according to the present embodiment can obtain the same effects as those of the vapor deposition apparatus according to the first embodiment.
  • a line type vapor deposition source in which injection ports are arranged in one row is used as the vapor deposition source.
  • a surface type vapor deposition source in which a plurality of rows of injection ports are arranged may be used.
  • deposition may be performed without moving the deposition target substrate relative to the deposition source.
  • the arrangement direction of the injection ports is perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate, but may be slightly deviated from the direction perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate.
  • the shape of the injection port is a point shape, but is not limited thereto, and may be, for example, a slit shape that is long in the arrangement direction of the injection ports.
  • the present invention can also be applied to a contact-type scan vapor deposition method in which a film formation substrate is slid and vapor-deposited while the film formation substrate and a shadow mask are in close contact with each other. Further, the present invention can also be applied to the case where vapor deposition is performed on the entire surface of the deposition target substrate without using a shadow mask, as in S2 and S4 to S6 of FIG.
  • the present invention can be applied not only to the deposition of an organic film but also to the deposition of a second electrode and the deposition of a sealing film.
  • the variation in the thickness of the organic film greatly affects the characteristics of the organic EL display device, the application effect of the present invention is high.
  • the film thickness variation of the second electrode affects the variation of electric resistance
  • the variation of the sealing film affects the variation of moisture permeability and oxygen transmission rate. If the influence of these variations on the characteristics of the organic EL element is slight, the present invention may be applied only to the deposition of an organic film in view of the increase in equipment cost accompanying the complexity of the structure of the deposition apparatus. .
  • the rotation motor rotates the entire vapor deposition source unit including the vapor deposition source and the vapor deposition source crucible.
  • the vapor deposition source may be rotated.
  • a pipe that can be rotated while being connected may be used as a pipe that fixes the vapor deposition source crucible and connects the vapor deposition source and the vapor deposition source crucible.
  • the plurality of vapor deposition sources may be rotated by a single rotation motor.
  • a vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film on a deposition target substrate, and includes a plurality of injection ports that eject vapor deposition particles onto the deposition target substrate.
  • the vapor deposition source that supplies the vapor deposition particles to the vapor deposition source via a vapor deposition source in which the injection ports are arranged in one or a plurality of rows and a pipe connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source Particle supplying means and rotating means for rotating the vapor deposition source are provided.
  • the vapor deposition method according to the embodiment of the present invention is a vapor deposition method for forming a film on a deposition target substrate, and has a plurality of injection ports, and the injection ports are arranged in one or a plurality of rows.
  • a vapor deposition particle supplying step for supplying vapor deposition particles to the vapor deposition source via a pipe connected to one end side of the row of the injection ports in the vapor deposition source; After the first injection step of injecting the vapor deposition particles to the film substrate, the rotation step of rotating the vapor deposition source and reversing the arrangement direction of the injection ports after the first injection step, and after the rotation step, A second injection step of injecting the vapor deposition particles from the injection port onto the deposition target substrate.
  • the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition before inversion and the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition after the inversion are symmetric with respect to the central portion of the substrate. Therefore, the film thickness distribution obtained by synthesizing the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition before reversal and the film thickness distribution of the vapor deposition particles at the time of vapor deposition after the reversal is obtained when vapor deposition is performed without rotating the vapor deposition source. It becomes more uniform than the film thickness distribution. Therefore, it is possible to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of vapor deposition of vapor deposition particles with a uniform film thickness on a deposition target substrate.
  • the rotation axis of the vapor deposition source is preferably perpendicular to the film formation substrate.
  • the relative position between the vapor deposition source and the vapor deposition particle supply unit is fixed, and the rotation unit rotates the vapor deposition particle supply unit together with the vapor deposition source. preferable.
  • the vapor deposition apparatus preferably includes a plurality of the above vapor deposition sources.
  • the length of each vapor deposition source becomes shorter. Therefore, the nonuniformity of the film thickness distribution is reduced in one vapor deposition source, and the nonuniformity of the film thickness distribution is further reduced.
  • the number of the vapor deposition sources is preferably 2 to 4.
  • the vapor deposition particles can be vapor-deposited with a more uniform film thickness without complicating the apparatus structure of the vapor deposition apparatus.
  • the vapor deposition sources have the same size.
  • the film thickness distribution can be made sufficiently uniform.
  • the rotation means rotate each vapor deposition source at the same timing.
  • each deposition source can be rotated without any problem even when spatial interference occurs when each deposition source is rotated at different timings.
  • a plurality of sets of the vapor deposition source and the vapor deposition particle supply means are provided, the relative positions of the vapor deposition source and the vapor deposition particle supply means are fixed, and the rotation means is The vapor deposition particle supply means is preferably rotated together with the vapor deposition source.
  • the injection ports of the vapor deposition sources are arranged in the same direction.
  • the film thickness distribution in the direction perpendicular to the arrangement direction can be made more uniform.
  • the vapor deposition apparatus preferably includes a moving means for moving the film formation substrate relative to the vapor deposition source.
  • the film formation substrate is relatively moved in the arrangement direction of the plurality of injection ports. It is preferable to be perpendicular to the direction of movement.
  • An organic electroluminescence display device manufacturing method includes a TFT substrate / first electrode manufacturing step of manufacturing a first electrode on a TFT substrate, and an organic layer including at least a light emitting layer on the TFT substrate.
  • An organic layer deposition step for depositing the organic layer a second electrode deposition step for depositing the second electrode, and a sealing step for sealing the organic electroluminescence element including the organic layer and the second electrode with a sealing member.
  • a method of manufacturing an electroluminescence display device, wherein at least one of the organic layer deposition step, the second electrode deposition step, and the sealing step is performed by the deposition particle supply step of the deposition method, the first step 1 injection process, the rotation process and the second injection process.
  • an organic layer or the like can be formed with a uniform film thickness by the vapor deposition method according to the embodiment of the present invention, so that an organic electroluminescence display device with little display unevenness can be provided. it can.
  • the present invention can be applied not only to vapor deposition of vapor deposition particles in the manufacture of an organic EL display device but also to vapor deposition of vapor deposition particles to any film formation target.
  • Organic EL display device Organic electroluminescence display device 2 pixel 2B sub pixel 2G sub pixel 2R sub pixel 10 TFT substrate 11 insulating substrate 12 TFT 13 interlayer film 13a contact hole 14 wiring 15 edge cover 15R opening 15G opening 15B opening 20 organic EL element 21 first electrode 22 hole injection layer / hole transport layer 23R light emitting layer 23G light emitting layer 23B light emitting layer 24 electron transport layer 25 Electron injection layer 26 Second electrode 30 Adhesive layer 40 Sealing substrate 50 Deposition device 60 Deposition substrate 80 Shadow mask 90 Deposition source unit 91 Deposition source 92 Ejection port 93 Deposition source crucible (deposition particle supply means) 94 Piping 95 Support rod 100 Rotating mechanism (rotating means) DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Rotating motor 102 Rotating shaft 150 Evaporating apparatus 180 Shadow mask 181 Opening 190a Evaporating source unit 190b Evaporating source unit 191 Evaporating source 192 Ejection port 193 Evaporating source crucible (deposited particle supply means)

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Abstract

　本発明に係る蒸着装置（５０）は、被成膜基板（６０）に成膜を行う蒸着装置であって、被成膜基板（６０）に蒸着粒子を射出する複数の射出口（９２）を有し、射出口（９２）が１列または複数列配置された蒸着源（９１）と、蒸着源（９１）における射出口（９２）の列の一方端側に接続された配管（９４）を介して、蒸着粒子を蒸着源（９１）に供給する蒸着源坩堝（９３）と、被成膜基板（６０）を蒸着源（９１）に対して相対移動させる移動手段と、蒸着源（９１）を回転させる回転機構（１００）とを備える。

Description

蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
　本発明は、真空蒸着法を用いた蒸着装置、蒸着方法、並びに、この蒸着装置および蒸着方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
　そのような状況下、有機材料の電界発光（Electroluminescence：以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
　有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。
　有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。
　フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光層を備えた有機ＥＬ素子がサブ画素として基板上に配列形成される。ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
　有機ＥＬ表示装置を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機ＥＬ素子ごとに所定パターンで形成する必要がある。また、有機ＥＬ素子ごとにパターン形成が必要ない層については、有機ＥＬ素子で構成される画素領域全面に対して、一括して薄膜形成を行う。
　発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、真空蒸着法が用いられることが多い（例えば、特許文献１および２）。
　真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク（蒸着マスクまたはシャドウマスクとも称される）が使用される。マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。そして、蒸着源からの蒸着粒子（成膜材料）を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。蒸着は発光層の色ごとに行われる（これを「塗り分け蒸着」という）。
　ここで、真空蒸着法を用いた従来の蒸着装置の構成を、図１３および図１４に基づいて説明する。
　図１３は、従来の蒸着装置２５０の概略構成を示す側面図であり、図１４は、蒸着装置２５０の蒸着源ユニット２９０の概略構成を示す斜視図である。
　図１３に示すように、蒸着装置２５０は、真空チャンバ内に配置され、被成膜基板２６０に成膜を行う装置であり、シャドウマスク２８０および蒸着源ユニット２９０を備えている。蒸着源ユニット２９０は、蒸着源２９１および蒸着源坩堝２９３を備えており、蒸着源２９１および蒸着源坩堝２９３は、図示しない支持台に固定されている。
　蒸着源２９１は、蒸着粒子を射出する複数の射出口（ノズル）２９２を有しており、図１４に示すように、射出口２９２は、１列に配置されている。
　蒸着源坩堝２９３には、固体または液体の蒸着材料が貯留されている。蒸着材料は、蒸着源坩堝２９３内部で加熱されて気体の蒸着粒子となり、配管２９４を通って蒸着源２９１に供給（導入）される。配管２９４は、蒸着源２９１の射出口２９２の列の一方端側の端部（供給側端部）に接続されており、蒸着源２９１に供給された蒸着粒子は、射出口２９２から射出される。なお、配管２９４は、蒸着粒子が付着しないような温度に加熱されている。
　被成膜基板２６０の蒸着面と蒸着源２９１とは対向配置されている。目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、蒸着領域のパターンに対応した開口部を有するシャドウマスク２８０が、被成膜基板２６０の蒸着面に密着固定されている。
　上記の構成において、射出口２９２から蒸着粒子を射出させながら、被成膜基板２６０およびシャドウマスク２８０を蒸着源２９１に対して相対移動（走査）させる。これにより、被成膜基板２６０に所定のパターンが形成される。
日本国公開特許公報「特開平８－２２７２７６号公報（１９９６年９月３日公開）」 日本国公開特許公報「特開２０００－１８８１７９号公報（２０００年７月４日公開）」
　しかしながら、上述のような従来技術は、蒸着膜の膜厚分布が不均一になるという問題がある。
　図１５は、射出口２９２の配列方向に沿った被成膜基板２６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。このグラフでは、蒸着源２９１の供給側端部に対向する位置をＡとし、蒸着源２９１の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をＢとしている。
　蒸着源２９１の内部では、供給経路内および射出口内の圧力差、内部形状、コンダクタンス等の影響を受けるため、各射出口２９２から射出される蒸着粒子の量が異なってくる。具体的には、供給側端部に近い射出口２９２から順に蒸着粒子が射出されるため、供給側端部から離れるほど蒸着粒子の密度が低くなり、蒸着源２９１の内部で圧力差が生じる。そのため、蒸着源２９１の供給側端部からの距離が大きいほど、射出口２９２からの蒸着粒子の射出量が減少する。それに伴い、様々な射出口２９２から射出された蒸着粒子の合成によって構成される被成膜基板２６０上の蒸着膜についても、図１５に示すように、基板面内の位置によって、蒸着粒子の量が異なってくる。このため、基板面内で膜厚分布の不均一が生じてしまう。
　特に、有機ＥＬ素子の発光特性は、蒸着される有機膜の膜厚に極めて敏感であり、有機ＥＬ表示装置の画面内での有機膜の膜厚差は、表示ムラや寿命特性の不均一に直結する。そのため、有機ＥＬ素子の発光層は、極力均一に蒸着することが望ましい。
　なお、射出口の開口量（直径）を変化させることによって、各射出口からの射出量を制御することも可能である。しかしながら、射出口の加工に高い精度が要求されるため、蒸着源の製造コストの上昇を招く。また、蒸着粒子の分布は動的に変化するため、射出口の開口量だけで各射出口からの射出量を均一にすることは難しい。
　また、蒸着粒子を供給するための配管２９４を、蒸着源２９１の長手方向の中間部分に接続することも考えられる。しかしながらこの場合、蒸着粒子の密度は、位置Ａから位置Ａと位置Ｂとの中間位置にかけて増加し、当該中間位置から位置Ｂにかけて減少するような分布となるため、不均一は解消できない。
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着源を回転させる回転手段とを備えることを特徴としている。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、第１の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有していることを特徴としている。
　上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から配管を通って蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。配管は、蒸着源における射出口の列の一方端側に接続されているので、一方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。そこで、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させた後、蒸着源を回転させて射出口の配列方向を反転させ、再度、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させる。これにより、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とは、基板中央部分に関して対称となる。そのため、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とを合成した膜厚分布は、蒸着源を回転させることなく蒸着を行った場合の膜厚分布よりも均一になる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
　本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記蒸着粒子供給工程、上記第１の射出工程、上記回転工程および上記第２の射出工程を有することを特徴としている。
　上記の構成によれば、本発明の蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
　以上のように、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着源を回転させる回転手段とを備える構成である。また、発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、第１の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有している。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供できるという効果を奏する。
本発明の実施の一形態にかかる蒸着装置の構成を示す側面図である。 上記蒸着装置の蒸着源ユニットの概略構成を示す斜視図である。 図１に示す蒸着装置において、蒸着源ユニットを１８０°回転させた状態を示す側面図である。 蒸着源の射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。 蒸着装置の変形例を示す図である。 ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。 図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ－Ａ線矢視断面図である。 本発明の実施の一形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 本発明の実施の他の形態にかかる蒸着装置の構成を示す側面図である。 図１０に示す蒸着装置において、蒸着源ユニットを１８０°回転させた状態を示す側面図である。 蒸着源の射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。 従来の蒸着装置の概略構成を示す側面図である。 図１３に示す蒸着装置の蒸着源ユニットの概略構成を示す斜視図である。 蒸着源の射出口の配列方向に沿った被成膜基板での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
　〔実施の形態１〕
　本発明の実施の一形態について図１～図９に基づいて説明すれば以下の通りである。
　本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。
　まず、上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。
　図６は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図７は、図６に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図８は、図７に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＡ－Ａ線矢視断面図である。
　図６に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図８参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。
　図６に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。
　上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
　ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図７に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
　有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
　すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域が画成されている。
　画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。
　各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂによって覆われた開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。
　これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂについては後述する。
　これらサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。
　次に、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。
　まず、ＴＦＴ基板１０について説明する。
　ＴＦＴ基板１０は、図８に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、配線１４、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。
　上記絶縁基板１１上には、配線１４が設けられているとともに、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。
　層間膜１３は、各ＴＦＴ１２を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
　層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。
　また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。
　エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。
　エッジカバー１５は、層間膜１３上に、第１電極２１のパターン端部を被覆するように形成されている。
　エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域となる。
　言い換えれば、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。
　次に、有機ＥＬ素子２０について説明する。
　有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。
　第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
　第１電極２１と第２電極２６との間には、図８に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。
　なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
　正孔注入層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。
　なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
　正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、それぞれ、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
　電子輸送層２４は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
　電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
　なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、上記有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
　第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
　なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
　上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）～（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
　なお、上記したように、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化されていてもよい。
　また、有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
　次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について以下に説明する。
　図９は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
　図９に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ２）、発光層蒸着工程（Ｓ３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。
　以下に、図９に示すフローチャートに従って、図６および図８を参照して上記した各工程について説明する。
　但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
　また、前記したように、本実施形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。
　まず、図８に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成されたガラス等の絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。
　上記絶縁基板１１としては、例えば厚さが０．７～１．１ｍｍであり、ｙ軸方向の長さ（縦長さ）が４００～５００ｍｍであり、ｘ軸方向の長さ（横長さ）が３００～４００ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
　層間膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図８に示すように上記有機ＥＬ表示装置１としてボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、上記層間膜１３としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。
　上記層間膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約２μｍとした。
　次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。
　次に、導電膜（電極膜）として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）膜を、スパッタ法等により、１００ｎｍの厚さで成膜する。
　次いで、上記ＩＴＯ膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ＩＴＯ膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜１３上に、第１電極２１をマトリクス状に形成する。
　なお、上記第１電極２１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。
　また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。
　上記第１電極２１の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、１００ｎｍの厚さとすることができる。
　次に、層間膜１３と同様にして、エッジカバー１５を、例えば約１μｍの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー１５の材料としては、層間膜１３と同様の絶縁材料を使用することができる。
　以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。
　次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
　次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。
　具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、ＴＦＴ基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。
　ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。
　正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
　正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１０～１００ｎｍである。
　本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料として、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）を使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層２２の膜厚は３０ｎｍとした。
　次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ３）。
　前記したように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚としては、例えば、１０～１００ｎｍである。
　本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。
　本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成については、後で詳述する。
　次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。
　続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。
　電子輸送層２４および電子注入層２５の材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
　前記したように電子輸送層２４と電子注入層２５とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１～１００ｎｍである。また、電子輸送層２４および電子注入層２５の合計の膜厚は、例えば２０～２００ｎｍである。
　本実施の形態では、電子輸送層２４の材料にＡｌｑを使用し、電子注入層２５の材料には、ＬｉＦを使用した。また、電子輸送層２４の膜厚は３０ｎｍとし、電子注入層２５の膜厚は１ｎｍとした。
　次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。
　第２電極２６の材料（電極材料）としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム等が挙げられる。第２電極２６の厚さは、例えば５０～１００ｎｍである。
　本実施の形態では、第２電極２６としてアルミニウムを５０ｎｍの膜厚で形成した。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。
　次いで、図６に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行った。
　上記封止基板４０としては、例えば厚さが０．４～１．１ｍｍのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。
　なお、封止基板４０の縦長さおよび横長さは、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズにより適宜調整してもよく、ＴＦＴ基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１のサイズに従って分断してもよい。
　なお、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板４０として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。
　また、上記第２電極２６上には、該第２電極２６を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。
　上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば１００～１０００ｎｍである。
　上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。
　このような有機ＥＬ表示装置１において、配線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層へ正孔が注入される。一方で、第２電極２６から有機ＥＬ層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ内で再結合する。再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。
　上記有機ＥＬ表示装置１においては、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。
　次に、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。
　図１は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０の構成を示す側面図であり、図２は、蒸着装置５０の蒸着源ユニット９０の概略構成を示す斜視図である。
　図１に示すように、蒸着装置５０は、被成膜基板６０に成膜を行う装置であり、真空チャンバ内に配置される。蒸着装置５０は、シャドウマスク８０、蒸着源ユニット９０および回転機構１００を備えている。なお、被成膜基板６０およびシャドウマスク８０の構成は、図１３に示す被成膜基板２６０およびシャドウマスク２８０とそれぞれ同一である。
　蒸着源ユニット９０は、蒸着源９１および蒸着源坩堝９３（蒸着粒子供給手段）を備えている。蒸着源９１および蒸着源坩堝９３の構成は、図１３に示す従来の蒸着装置２５０における蒸着源２９１および蒸着源坩堝２９３とそれぞれ同一である。
　すなわち、蒸着源９１は、蒸着粒子を射出する複数の射出口９２を有しており、図２に示すように、射出口９２は、１列に配置されている。また、蒸着源坩堝９３には、固体または液体の蒸着材料が貯留されている。蒸着材料は、蒸着源坩堝９３内部で加熱されて気体の蒸着粒子となり、配管９４を通って蒸着源９１に供給（導入）される。配管９４は、蒸着源９１の射出口９２の列の一方端側の端部（供給側端部）に接続されており、蒸着源９１に供給された蒸着粒子は、射出口９２から射出される。
　被成膜基板６０の蒸着面と蒸着源９１とは対向配置されている。目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、蒸着領域のパターンに対応した開口部を有するシャドウマスク８０が、被成膜基板６０の蒸着面に密着固定されている。そして、射出口９２から蒸着粒子を射出させながら、図示しない移動手段により、被成膜基板６０およびシャドウマスク８０を蒸着源９１に対して相対移動（走査）させる。具体的には、蒸着源９１が被成膜基板６０に蒸着粒子を射出している時に、移動手段は、被成膜基板６０およびシャドウマスク８０を、射出口９２の配列方向に垂直な方向（図面の奥側から手前側に向かう方向、およびその逆方向）に往復移動させる。これにより、被成膜基板６０に所定のパターンが形成される。
　図１３に示す従来の蒸着装置２５０では、蒸着源２９１および蒸着源坩堝２９３の位置が固定されていた。これに対し、本実施の形態にかかる蒸着装置５０では、蒸着源９１および蒸着源坩堝９３を回転させる回転機構１００（回転手段）が設けられている。
　回転機構１００は、回転用モータ１０１および回転軸１０２を備えている。図１および図２に示すように、蒸着源９１および蒸着源坩堝９３はそれぞれ、凹形状の支持棒９５の一端および他端に接続されている。さらに、支持棒９５の中心部分が、回転用モータ１０１によって回転される回転軸１０２に接続されている。これにより、回転用モータ１０１が回転軸１０２を回転させると、蒸着源９１および蒸着源坩堝９３は、その回転軸が被成膜基板６０に垂直となるように回転する。なお、膜厚分布の均一性に影響が無い程度に、回転軸の方向を被成膜基板６０の鉛直方向からずらしてもよい。
　なお、回転用モータ１０１を真空チャンバの外部に設け、回転軸１０２を通して真空チャンバ内の蒸着源ユニット９０を回転させてもよい。
　上記の構成では、被成膜基板６０の走査方向に応じて、射出口９２の配列方向を反転させる。具体的には、先に、図１に示すように、配管９４の接続位置が図中左側に位置するように蒸着源９１を配置させた状態で、配管９４を介して蒸着粒子を蒸着源９１に供給し（蒸着粒子供給工程）、被成膜基板６０を図１の奥方向（往路方向とする）に走査させながら、射出口９２から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（第１の射出工程）。
　往路方向の走査が終了すると（すなわち、被成膜基板６０が蒸着源９１と対向しない位置に達すると）、回転機構１００が蒸着源９１を１８０°回転させて射出口９２の配列方向を反転させる（回転工程）。これにより、図３に示すように、配管９４の接続位置は図中右側に位置するようになる。その状態で、被成膜基板６０を図３の手前方向（復路方向とする）に走査させながら、射出口９２から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（第２の射出工程）。復路方向の走査が終了すると、蒸着粒子の射出を終了させる。
　図４は、射出口９２の配列方向に沿った被成膜基板６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。このグラフでは、図１の状態における蒸着源９１の供給側端部に対向する位置をＡとし、蒸着源９１の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をＢとしている。実線は、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示しており、破線は、被成膜基板６０が復路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示している。また、一点鎖線は、往復走査が完了した時点での蒸着粒子の分布を示している。
　射出口９２からの蒸着粒子の射出量は、蒸着源９１の供給側端部からの距離が大きいほど減少する。そのため、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合（図１）の蒸着粒子の分布は、実線に示すように、位置Ａから位置Ｂにかけて徐々に減少する。
　一方、被成膜基板６０が復路方向に走査する場合は、図３に示すように、蒸着源９１が１８０°回転している。これにより、被成膜基板６０に射出される蒸着粒子の射出量の分布も反転する。その結果、破線に示すように、被成膜基板６０が復路方向に走査する場合の膜厚分布は、位置Ａと位置Ｂとの中間位置に関して、実線で示す膜厚分布と対称になる。
　被成膜基板６０の往復走査が完了した時点での膜厚分布は、実線で示される膜厚分布と破線で示される膜厚分布との合計となる。そのため、一点鎖線に示すように、往路方向に走査した場合の膜厚分布、および復路方向に走査した場合の膜厚分布に比べ、均一化されたものとなる。したがって、蒸着源９１を、往路方向に走査する場合と復路方向に走査する場合とで１８０°異なる方向に配置させることで、供給経路内および射出口内の圧力差等の影響を緩和し、蒸着領域の全面にわたって均一な膜厚分布を得ることができる。特に、蒸着装置５０を有機ＥＬ素子の発光層の蒸着に適用すれば、表示ムラの少ない有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
　また、図４において、実線または破線で示される蒸着粒子の分布が、被成膜基板での位置に関して直線的に単調増加あるいは単調減少している場合、それらの蒸着粒子の分布を合成すると、完全に均一な膜厚分布となり、最も効果が高くなる。
　なお、蒸着源９１の回転は、被成膜基板６０の走査方向の切り替え毎に合わせて行う必要はない。例えば、図１に示す状態で被成膜基板６０を３回往復走査させた後、蒸着源９１を回転させ、図３に示す状態で、被成膜基板６０を３回往復走査させてもよい。
　また、蒸着源９１の回転は、被成膜基板６０が蒸着源９１上を通過して蒸着粒子が被成膜基板６０に到達しない位置にあるときに行われる。蒸着源９１の回転中は、所望以外の空間に蒸着粒子が射出される虞があるため、バルブやシャッタで蒸着粒子の射出を停止しておくことが好ましい。また、防着板を設置することにより、回転中の蒸着粒子の飛散を防いでもよい。
　また、本実施の形態では、被成膜基板とシャドウマスクとが密着していたが、被成膜基板とシャドウマスクとの間に空隙を設けて蒸着を行ってもよい。さらに、本実施の形態では、被成膜基板の全面を覆うシャドウマスクを用いていたが、これに限定されない。例えば、図５に示すように、シャドウマスクとして、被成膜基板６０の蒸着領域よりも面積が小さいシャドウマスク１８０を用いてもよい。
　この場合、シャドウマスク１８０と蒸着源９１との相対的な位置を固定し、シャドウマスク１８０が被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように位置合わせを行う。そして、被成膜基板６０をシャドウマスク１８０および蒸着源９１に対して相対移動させて、蒸着粒子をシャドウマスク１８０の開口部１８１を介して被成膜基板６０の蒸着領域に順次蒸着させる。
　〔実施の形態２〕
　本発明の実施の他の形態について、図１０～図１２に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、蒸着源ユニットを複数備える蒸着装置について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図１０は、本実施の形態にかかる蒸着装置１５０の構成を示す側面図である。蒸着装置１５０は、被成膜基板６０に成膜を行う装置であり、真空チャンバ内に配置される。蒸着装置１５０は、シャドウマスク８０、２つの蒸着源ユニット１９０ａ・１９０ｂおよび２つの回転機構２００ａ・２００ｂ（回転手段）を備えている。
　蒸着源ユニット１９０ａおよび蒸着源ユニット１９０ｂは、互いに同一の構成であり、蒸着源１９１および蒸着源坩堝１９３（蒸着粒子供給手段）を備えている。
　蒸着源１９１は、蒸着粒子を射出する複数の射出口１９２を有しており、射出口１９２は、１列に配置されている。図１に示す蒸着源９１と比較して、蒸着源１９１は、射出口の個数および射出口の配列の長さが蒸着源９１におけるものの半分である。
　また、蒸着源坩堝１９３は、図１に示す蒸着源坩堝９３と比較して、蒸着材料の貯留量および供給速度が蒸着源坩堝９３におけるものの半分である点以外は、蒸着源坩堝９３と略同様の構成である。
　配管１９４は、蒸着源１９１の射出口１９２の列の一方端側の端部（供給側端部）に接続されており、蒸着源１９１に供給された蒸着粒子は、射出口１９２から射出される。
　また、回転機構２００ａおよび回転機構２００ｂはそれぞれ、蒸着源ユニット１９０ａおよび蒸着源ユニット１９０ｂを回転させるものである。回転機構２００ａおよび回転機構２００ｂは、互いに同一の構成であり、回転用モータ２０１および回転軸２０２を備えている。各蒸着源ユニット１９０ａ・１９０ｂにおいて、蒸着源１９１および蒸着源坩堝１９３はそれぞれ、凹形状の支持棒１９５の一端および他端に接続されている。さらに、支持棒１９５の中心部分が、回転用モータ２０１によって回転される回転軸２０２に接続されている。これにより、各回転機構２００ａ・２００ｂの回転用モータ２０１が回転軸２０２を回転させると、蒸着源１９１および蒸着源坩堝１９３は、その回転軸が被成膜基板６０に垂直となるように回転する。
　なお、回転用モータ２０１を真空チャンバの外部に設け、回転軸２０２を通して真空チャンバ内の蒸着源ユニット１９０ａ・１９０ｂを回転させてもよい。
　このように、本実施の形態にかかる蒸着装置１５０は、蒸着源ユニットおよび回転機構をそれぞれ２つ備えた構成である。実施の形態１に係る蒸着装置５０と同様に、蒸着装置１５０においても、被成膜基板６０の走査方向に応じて、射出口１９２の配列方向を反転させる。
　具体的には、先に、図１０に示すように、配管１９４の接続位置が各蒸着源ユニットにおいて図中左側に位置するように蒸着源１９１を配置させる。ここでは、蒸着源ユニット１９０ａの蒸着源１９１および蒸着源ユニット１９０ｂの蒸着源１９１の各射出口１９２は同一方向に配列している。この状態で、配管１９４を介して蒸着粒子を蒸着源１９１に供給し（蒸着粒子供給工程）、被成膜基板６０を図１０の奥方向（往路方向とする）に走査させながら、射出口１９２から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（第１の射出工程）。
　往路方向の走査が終了すると（すなわち、被成膜基板６０が蒸着源１９１と対向しない位置に達すると）、回転機構２００ａ・２００ｂが蒸着源１９１を１８０°回転させて射出口１９２の配列方向を反転させる（回転工程）。これにより、図１１に示すように、配管１９４の接続位置は各蒸着源ユニットにおいて図中右側に位置するようになる。その状態で、被成膜基板６０を図１１の手前方向（復路方向とする）に走査させながら、射出口１９２から被成膜基板６０に蒸着粒子を射出する（第２の射出工程）。復路方向の走査が終了すると、蒸着粒子の射出を終了させる。
　図１２は、射出口１９２の配列方向に沿った被成膜基板６０での位置と、蒸着粒子の分布（厚さ）との関係を示すグラフである。このグラフでは、図１０の状態における左側の蒸着源ユニット１９０ａの蒸着源１９１の供給側端部に対向する位置をＡとし、右側の蒸着源ユニット１９０ｂの蒸着源１９１の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をＢとしている。実線は、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示しており、破線は、被成膜基板６０が復路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示している。また、一点鎖線は、往復走査が完了した時点での蒸着粒子の分布を示している。
　実線に示すように、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合は、蒸着粒子の膜厚は、位置Ａから位置Ａと位置Ｂとの中間位置まで単調に減少し、当該中間位置で増加する。これは、上記中間位置が、図１０に示す蒸着源ユニット１９０ｂの蒸着源１９１の供給側端部に対応するためである。また、位置Ａと位置Ｂとの中間位置付近では、隣接する２つの蒸着源１９１から蒸着粒子が流入するため、蒸着粒子の分布は波状となっている。
　破線に示すように、被成膜基板６０が復路方向に走査した場合は、蒸着粒子の膜厚は、位置Ａから位置Ａと位置Ｂとの中間位置まで単調に増加し、当該中間位置で減少する。すなわち、破線で示される分布は、実線で示される分布を上記中間位置に関して反転したものとなる。
　被成膜基板６０の往復走査が完了した時点での膜厚分布は、実線で示される膜厚分布と破線で示される膜厚分布との合計となる。そのため、一点鎖線に示すように、往路方向に走査した場合の膜厚分布、および復路方向に走査した場合の膜厚分布に比べ、均一化されたものとなる。
　また、図１２における一点鎖線で示される膜厚分布は、図４における一点鎖線で示される膜厚分布と比較して、より均一になっていることが分かる。すなわち、本実施の形態は、実施の形態１において、蒸着源を複数に分割した構成であるため、各蒸着源の長さがより短くなる。そのため、一つの蒸着源において膜厚分布の不均一が小さくなる。したがって、被成膜基板６０が往路方向に走査した場合の膜厚分布と被成膜基板６０が復路方向に走査した場合の膜厚分布とを合成した結果においても、膜厚分布の不均一が低減し、基板面内の膜厚均一性がより向上する。
　本実施の形態は、蒸着源を２つ設ける構成であったが、蒸着源を３つ以上設けてもよい。蒸着源の個数が多いほど、膜厚分布の均一性は向上する。但し、各蒸着源について蒸着源坩堝が必要であり、また各蒸着源からの蒸着粒子分布のバラツキが膜厚分布に影響する。さらに、蒸着源を回転させる機構の個数も増大するので、装置設計上の制約が大きくなる。したがって、蒸着源の個数は、それらの長所および短所を加味して決定されることが望ましく、例えば２～４が好ましい。
　また、複数の蒸着源は、各々が互いに同一の大きさである必要はない。但し、各蒸着源の大きさが異なると、蒸着粒子の分布が個々の蒸着源によって変わってくるので、被成膜基板が往路方向に走査した場合の膜厚分布と被成膜基板が復路方向に走査した場合の膜厚分布との合成した膜厚分布が充分に均一にならない虞がある。したがって、蒸着源ユニットの大きさ、特に蒸着源の大きさは同一であることが好ましい。
　また、各蒸着源を回転させるタイミングが異なっていてもよい。但し、蒸着源ユニットが、各蒸着源を異なるタイミングで回転させると空間的な干渉が発生する構造である場合などは、各蒸着源を同一のタイミングで回転させることが好ましい。
　その他、本実施の形態にかかる蒸着装置によって、実施の形態１にかかる蒸着装置と同様の効果を得ることができる。
　〔付記事項〕
　上記実施の形態では、蒸着源として、射出口が１列に配置されたライン型の蒸着源を用いていたが、射出口を複数列配置した面型の蒸着源を用いてもよい。また、蒸着源の射出面が十分に大きく、被成膜基板が比較的小さい場合は、被成膜基板を蒸着源に対して相対移動させずに蒸着を行ってもよい。
　また、上記実施の形態では、射出口の配列方向が被成膜基板の走査方向に垂直であったが、被成膜基板の走査方向に垂直な方向から多少ずれていてもよい。
　また、上記実施の形態では、射出口の形状が点状であったが、これに限定されず、例えば、射出口の配列方向に長く開口したスリット状であってもよい。
　また、被成膜基板とシャドウマスクとを密着させながら、被成膜基板を滑らせ蒸着するような密着型スキャン蒸着法についても、本発明は適用可能である。また、図９のＳ２、Ｓ４～Ｓ６のように、シャドウマスクを用いずに被成膜基板の全面に蒸着を行う場合も、本発明は適用できる。
　また、本発明は有機膜の蒸着だけでなく、第２電極の蒸着や封止膜の蒸着にも適用可能である。但し、有機膜の膜厚のバラツキのほうが有機ＥＬ表示装置の特性により大きく影響するため、本発明の適用効果は高い。
　一方、第２電極の膜厚バラツキは電気抵抗のバラツキに影響し、封止膜のバラツキは透湿度および酸素透過量のバラツキに影響する。それらのバラツキによる有機ＥＬ素子の特性への影響が軽微であるならば、蒸着装置の構造の複雑化に伴う設備コストの増加を鑑みて、本発明を有機膜の蒸着のみに適用してもよい。
　また、上記実施の形態では回転用モータは、蒸着源および蒸着源坩堝を含む蒸着源ユニット全体を回転させていたが、蒸着源のみを回転させてもよい。この場合、蒸着源坩堝を固定し、蒸着源と蒸着源坩堝とを接続する配管として、接続しながら回転が可能な配管を使用すればよい。また、蒸着源が複数設けられる場合、１つの回転用モータによって複数の蒸着源を回転させてもよい。
　＜要点概要＞
　以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着源を回転させる回転手段とを備えている。
　以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、第１の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有している。
　上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から配管を通って蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。配管は、蒸着源における射出口の列の一方端側に接続されているので、一方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。そこで、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させた後、蒸着源を回転させて射出口の配列方向を反転させ、再度、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させる。これにより、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とは、基板中央部分に関して対称となる。そのため、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とを合成した膜厚分布は、蒸着源を回転させることなく蒸着を行った場合の膜厚分布よりも均一になる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源の回転軸が上記被成膜基板に垂直であることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源の射出面と被成膜基板とが平行になるので、より均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着できる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源と蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されているので、蒸着源と蒸着粒子供給手段とを接続する配管を容易に構成できる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源を複数備えることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源が複数設けられるので、各蒸着源の長さがより短くなる。そのため、一つの蒸着源において膜厚分布の不均一が小さくなり、膜厚分布の不均一がさらに低減する。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源の個数は２～４であることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着装置の装置構造をあまり複雑にすることなく、より均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着することができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源の各々は、互いに同一の大きさであることが好ましい。
　上記の構成によれば、各蒸着源の蒸着粒子の分布が同一であるので、膜厚分布を充分に均一にすることができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記回転手段は、各蒸着源を同一のタイミングで回転させることが好ましい。
　上記の構成によれば、各蒸着源を異なるタイミングで回転させると空間的な干渉が発生するような場合でも、問題なく各蒸着源を回転させることができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源および上記蒸着粒子供給手段を複数組備え、上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源と蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されているので、蒸着源と蒸着粒子供給手段とを接続する配管を容易に構成できる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、各蒸着源の射出口は同一方向に配列していることが好ましい。
　上記の構成によれば、配列方向と垂直方向における膜厚分布をより均一にすることができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置は、上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる移動手段を備えることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源の射出面よりも蒸着領域が大きい被成膜基板に対して成膜を容易に行うことができる。
　本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、上記複数の射出口の配列方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることが好ましい。
　上記の構成によれば、蒸着源と被成膜基板とのアライメントが容易になる。
　本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記蒸着粒子供給工程、上記第１の射出工程、上記回転工程および上記第２の射出工程を有している。
　上記の構成によれば、本発明の実施の形態に係る蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造における蒸着粒子の蒸着だけでなく、あらゆる被成膜対象への蒸着粒子の蒸着に適用できる。
　１　　　有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）
　２　　　画素
２Ｂ　　　サブ画素
２Ｇ　　　サブ画素
２Ｒ　　　サブ画素
１０　　　ＴＦＴ基板
１１　　　絶縁基板
１２　　　ＴＦＴ
１３　　　層間膜
１３ａ　　コンタクトホール
１４　　　配線
１５　　　エッジカバー
１５Ｒ　　開口部
１５Ｇ　　開口部
１５Ｂ　　開口部
２０　　　有機ＥＬ素子
２１　　　第１電極
２２　　　正孔注入層兼正孔輸送層
２３Ｒ　　発光層
２３Ｇ　　発光層
２３Ｂ　　発光層
２４　　　電子輸送層
２５　　　電子注入層
２６　　　第２電極
３０　　　接着層
４０　　　封止基板
５０　　　蒸着装置
６０　　　被成膜基板
８０　　　シャドウマスク
９０　　　蒸着源ユニット
９１　　　蒸着源
９２　　　射出口
９３　　　蒸着源坩堝（蒸着粒子供給手段）
９４　　　配管
９５　　　支持棒
１００　　回転機構（回転手段）
１０１　　回転用モータ
１０２　　回転軸
１５０　　蒸着装置
１８０　　シャドウマスク
１８１　　開口部
１９０ａ　蒸着源ユニット
１９０ｂ　蒸着源ユニット
１９１　　蒸着源
１９２　　射出口
１９３　　蒸着源坩堝（蒸着粒子供給手段）
１９４　　配管
１９５　　支持棒
２００ａ　回転機構（回転手段）
２００ｂ　回転機構（回転手段）
２０１　　回転用モータ
２０２　　回転軸
２５０　　蒸着装置
２６０　　被成膜基板
２８０　　シャドウマスク
２９０　　蒸着源ユニット
２９１　　蒸着源
２９２　　射出口
２９３　　蒸着源坩堝
２９４　　配管

Claims (13)

  1. 　被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、
    　上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源と、
    　上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、
    　上記蒸着源を回転させる回転手段とを備えることを特徴とする蒸着装置。
  2. 　上記蒸着源の回転軸が上記被成膜基板に垂直であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
  3. 　上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、
    　上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着装置。
  4. 　上記蒸着源を複数備えることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  5. 　上記蒸着源の個数は２～４であることを特徴とする請求項４に記載の蒸着装置。
  6. 　上記蒸着源の各々は、互いに同一の大きさであることを特徴とする請求項４または５に記載の蒸着装置。
  7. 　上記回転手段は、各蒸着源を同一のタイミングで回転させることを特徴とする請求項４～６のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  8. 　上記蒸着源および上記蒸着粒子供給手段を複数組備え、
    　上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、
    　上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることを特徴とする請求項４～７のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  9. 　上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、各蒸着源の射出口は同一方向に配列していることを特徴とする請求項４～８のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  10. 　上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる移動手段を備えることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の蒸着装置。
  11. 　上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、上記複数の射出口の配列方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることを特徴とする請求項１０に記載の蒸着装置。
  12. 　被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、
    　複数の射出口を有し、当該射出口が１列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、
    　上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第１の射出工程と、
    　第１の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、
    　上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第２の射出工程とを有していることを特徴とする蒸着方法。
  13. 　ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、
    　上記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、
    　第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程と、
    　上記有機層および第２電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    　上記有機層蒸着工程、上記第２電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、請求項１２に記載の蒸着方法の上記蒸着粒子供給工程、上記第１の射出工程、上記回転工程および上記第２の射出工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017500446A (ja) * 2013-12-10 2017-01-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する装置、有機材料用の蒸発源を含む蒸発堆積装置を有するシステム、及び有機材料用の蒸発源を操作するための方法
JP2017115246A (ja) * 2017-01-10 2017-06-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
JP2018154926A (ja) * 2018-05-17 2018-10-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106103790B (zh) * 2014-03-11 2018-12-07 株式会社日本有机雷特显示器 蒸镀装置及其控制方法、使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法
CN110158036A (zh) * 2019-03-15 2019-08-23 上海视涯信息科技有限公司 一种蒸镀沉积设备及其使用方法
DE102021117574A1 (de) 2021-07-07 2023-01-12 Thyssenkrupp Steel Europe Ag Beschichtungsanlage zur Beschichtung eines flächigen Gegenstands sowie ein Verfahren zum Beschichten eines flächigen Gegenstands

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002249868A (ja) * 2001-02-21 2002-09-06 Denso Corp 蒸着装置
JP2009093097A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
WO2010035130A2 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP3019095B1 (ja) 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
US6812157B1 (en) * 1999-06-24 2004-11-02 Prasad Narhar Gadgil Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
KR100458982B1 (ko) * 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
JP2002184571A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2003077662A (ja) * 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
JP3802846B2 (ja) 2002-06-20 2006-07-26 株式会社エイコー・エンジニアリング 薄膜堆積用分子線源セル
US6656284B1 (en) * 2002-06-28 2003-12-02 Jusung Engineering Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing apparatus having rotatable gas injector and thin film deposition method using the same
JP2005293968A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR101121417B1 (ko) * 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 표시소자의 제조장치
TWI342721B (en) * 2006-05-18 2011-05-21 Au Optronics Corp Shadow mask and evaporation device incorporating the same and method for manufacturing organic light emitting diode panel incoporating the same
KR100858821B1 (ko) * 2007-05-11 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터와 그 제조 방법 및 상기 박막트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치와 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002249868A (ja) * 2001-02-21 2002-09-06 Denso Corp 蒸着装置
JP2009093097A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
WO2010035130A2 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017500446A (ja) * 2013-12-10 2017-01-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する装置、有機材料用の蒸発源を含む蒸発堆積装置を有するシステム、及び有機材料用の蒸発源を操作するための方法
JP2017115246A (ja) * 2017-01-10 2017-06-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
JP2018154926A (ja) * 2018-05-17 2018-10-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法

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