WO2012057399A1 - 양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓 - Google Patents

양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓 Download PDF

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WO2012057399A1
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conductive
sheet
bidirectional
dimensional network
network structure
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문해중
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주식회사 엑스엘티
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding

Definitions

  • the present invention relates to a bidirectional conductive sheet, a method of manufacturing the same, a bidirectional conductive multilayer sheet, and a semiconductor test socket, and more particularly, to significantly reduce a manufacturing cost of a semiconductor test socket used for a positive test during a manufacturing process of a semiconductor device.
  • Bidirectional conductive sheet, its manufacturing method, a bidirectional conductive multilayer sheet, and a semiconductor test socket are particularly, to significantly reduce a manufacturing cost of a semiconductor test socket used for a positive test during a manufacturing process of a semiconductor device.
  • the semiconductor device After the semiconductor device is manufactured, the semiconductor device performs a test to determine whether the electrical performance is poor.
  • a test is performed in a state where a semiconductor test socket (or a contactor or a connector) formed to be in electrical contact with a terminal of the semiconductor device is inserted between the semiconductor device and the test circuit board.
  • the semiconductor test socket is also used in a burn-in test process during the manufacturing process of the semiconductor device, in addition to the final positive inspection of the semiconductor device.
  • the existing Pogo type semiconductor test socket has a limitation in manufacturing a semiconductor test socket for testing the integrated semiconductor device.
  • the perforated pattern is formed in the vertical direction on the silicon body made of an elastic silicon material, and then filled with conductive powder inside the perforated pattern to form a conductive pattern
  • the method is widely used.
  • the conductive pattern of the silicon-type semiconductor test socket and the terminal of the semiconductor device are continuously contacted during the test process, so that the conductive powder forming the conductive pattern is separated from the conductive pattern or worn out. Therefore, there is a problem that a case in which electrical contact with a terminal of a semiconductor device does not occur.
  • BGA ball grid array
  • the present invention has been made to solve the above problems, a bidirectional conductive sheet and a method of manufacturing the bidirectional conductive sheet, which can significantly reduce the manufacturing cost of the semiconductor test socket used for the positive test during the manufacturing process of the semiconductor device, bidirectional conductivity
  • the object is to provide a multilayer sheet, semiconductor test socket.
  • another object of the present invention is to provide a semiconductor test socket capable of miniaturizing the gap between the conductive patterns and suppressing the separation of the conductive powder to prevent the loss of the conductivity of the conductive pattern.
  • the object is a bidirectional conductive sheet, comprising: a base structure having a three-dimensional network structure; A conductive metal portion for coating the surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion; It is achieved by a bi-directional conductive sheet characterized in that it comprises an insulating elastic portion provided with an electrically insulating material to fill the empty space of the three-dimensional network structure.
  • the above object is, according to another embodiment of the present invention, in the bidirectional conductive sheet, a base structure having a three-dimensional network structure; A conductive metal portion for coating the surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion; An insulating elastic part formed of an electrically insulating material and filling an empty space of the three-dimensional network structure; It is also achieved by the bi-directional conductive sheet is formed on any one or both of the upper surface and the lower surface of the base structure portion, further comprising a conductive mesh layer having a two-dimensional network structure.
  • a bidirectional conductive sheet comprising: a base structure having a three-dimensional network structure; A conductive metal portion for coating the surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion; An insulating elastic part formed of an electrically insulating material and filling an empty space of the three-dimensional network structure; It is also achieved by the bi-directional conductive sheet is formed on any one or both of the upper surface and the lower surface of the base structure portion, comprising a conductive elastic layer formed by containing the conductive powder.
  • a bidirectional conductive sheet comprising: a base structure having a three-dimensional network structure; A conductive metal portion for coating the surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion; A conductive powder is provided and is provided, and is also achieved by a bidirectional conductive sheet comprising a conductive filler filled in an empty space of the three-dimensional network structure.
  • a bidirectional conductive sheet comprising: a base structure having a three-dimensional network structure; A conductive powder is provided and is provided, and is also achieved by a bidirectional conductive sheet comprising a conductive filler filled in an empty space of the three-dimensional network structure.
  • the base structure portion may be provided in a sponge form in which a plurality of open cells are formed to form the three-dimensional network structure.
  • the base structure may be provided by forming a plurality of fine wires by tangling a plurality of fine wires to form an internal space.
  • the base structure may further include a reinforcing part of a metal material coated on the surface of the three-dimensional network structure formed between the surface of the three-dimensional network structure and the conductive metal part.
  • the reinforcement part may be made of nickel or copper.
  • the base structure may be made of synthetic resin, silicon, polyester, plastic, stainless or copper.
  • the conductive metal layer may be provided with a gold material.
  • the space size of the two-dimensional network structure formed on the conductive mesh layer may be 0.01 mm to 0.4 mm.
  • a semiconductor test socket comprising: a plurality of unit pattern sheets formed by cutting the conductive sheet into unit sizes; An insulating support part supporting the plurality of unit pattern sheets so that the plurality of unit pattern sheets are disposed in an electrically insulated state, and supporting the respective unit pattern sheets so that the unit pattern sheets are electrically connected in an up and down direction It can also be achieved by a semiconductor test socket characterized in that it comprises a.
  • an insulating socket body formed with a plurality of pattern holes penetrating in the vertical direction, and the socket body is electrically connected in the vertical direction through the pattern hole
  • a conductive pattern sheet formed in the pattern hole so as to be conductive, and a conductive cover sheet attached to at least one surface of at least one of upper and lower portions of the insulating socket body to individually cover the conductive pattern sections;
  • the conductive cover sheet may also be achieved by a semiconductor test socket, wherein the bidirectional conductive sheet is cut into a unit size in a compressed state.
  • the above object is, according to another embodiment of the present invention, in the bidirectional conductive multilayer sheet, at least one first bidirectional conductive sheet and at least one second bidirectional conductive sheet is formed by alternately stacked;
  • the first bidirectional conductive sheet includes a sheet main body made of silicone rubber and conductive powder distributed inside the sheet main body to form conductivity in the first bidirectional conductive sheet;
  • the second bidirectional conductive sheet is also achieved by the bidirectional conductive multilayer sheet, wherein the bidirectional conductive sheet is provided.
  • the bidirectional conductive multilayer sheet is formed on any one or both of the upper surface and the lower surface, and may further include a conductive mesh portion having a two-dimensional network structure.
  • a plurality of unit pattern sheet formed by cutting the bi-directional conductive multilayer sheet in a unit size unit;
  • An insulating support part supporting the plurality of unit pattern sheets so that the plurality of unit pattern sheets are disposed in an electrically insulated state, and supporting the respective unit pattern sheets so that the unit pattern sheets are electrically connected in an up and down direction
  • a semiconductor test socket characterized in that it comprises a.
  • a bidirectional conductive sheet and a method of manufacturing the same, a bidirectional conductive multilayer sheet, a semiconductor test socket that can significantly reduce the manufacturing cost of the semiconductor test socket used for the positive test during the manufacturing process of the semiconductor device This is provided.
  • the bidirectional conductive sheet can be cut to fit the size of the conductive pattern formed in the semiconductor test socket, and the arrangement of the cut unit pattern sheet can be diversified, thereby making it possible to manufacture test sockets having various conductive patterns.
  • the semiconductor test socket can be manufactured in accordance with various terminal shapes formed in the semiconductor device.
  • a semiconductor test socket which can make the gap between the conductive patterns fine, suppress the separation of the conductive powder, and prevent the loss of the conductivity of the conductive pattern.
  • FIG. 1 and 2 are views for explaining a semiconductor test socket according to a first embodiment of the present invention
  • 3 to 6 are views for explaining the bidirectional conductive sheet according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a view showing a three-dimensional network structure according to another embodiment of a bidirectional conductive sheet according to the present invention.
  • FIGS. 8 to 10 are views for explaining a method for manufacturing a semiconductor test socket according to the present invention.
  • 11 to 15 are views for explaining the bidirectional conductive sheet according to the second embodiment of the present invention.
  • 16 to 18 are views for explaining a bidirectional conductive sheet according to other embodiments of the present invention.
  • 19 and 20 are diagrams for describing a semiconductor test socket according to a second exemplary embodiment of the present invention.
  • 21 to 25 are diagrams for describing a bidirectional conductive multilayer sheet according to embodiments of the present invention.
  • Bidirectional conductive sheet according to the present invention and the base structure having a three-dimensional network structure A conductive metal portion for coating the surface of the three-dimensional network structure of the base structure portion; It is characterized in that it comprises an insulating elastic portion provided with an electrically insulating material to fill the empty space of the three-dimensional network structure.
  • FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor test device 1 according to the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor test device 1 according to the present invention.
  • the semiconductor test apparatus 1 according to the present invention includes a support plate 30 and a semiconductor test socket 10.
  • the support plate 30 supports the semiconductor test socket 10 to move the semiconductor test socket 10 in the vertical direction.
  • a main through hole (not shown) is formed in the center of the support plate 30, and coupling through holes are formed to be spaced apart from each other at a position spaced apart from an edge along an edge forming the main through hole.
  • the semiconductor test socket 10 is fixed to the support plate 30 by the peripheral support part 50 joined to the upper and lower surfaces of the support plate 30.
  • the semiconductor test socket 10 includes a plurality of unit pattern sheets 100 ′ forming an electrically conductive pattern and an insulating support 11.
  • Each unit pattern sheet 100 ′ is provided on the upper and lower portions of the insulating support 11 to electrically connect the terminal 3a of the semiconductor device 3 and the test terminal 5a of the test circuit board 5. It is formed to be exposed. That is, the insulating support 11 supports the plurality of unit pattern sheets 100 'such that a plurality of unit pattern sheets 100' forming a conductive pattern are electrically insulated from each other, wherein each unit Each unit pattern sheet 100 ′ is supported such that the pattern sheet 100 ′ is electrically connected in a thickness direction, that is, in a vertical direction.
  • the insulating support 11 may be provided with a silicone rubber material or a plastic material having elasticity, and thus the terminal 3a of the semiconductor device 3 and the test terminal of the test circuit board 5 It is possible to prevent the terminal 3a of the semiconductor element 3 from being damaged by elasticity when the semiconductor element 3 presses the semiconductor test socket 10 for energization between 5a.
  • the insulating support 11 has elasticity, and may be formed of an inelastic material, which is a bidirectional conductive sheet 100 to be described later used for forming the unit pattern sheet 100 ′ itself. Since the unit pattern sheet 100 ′ also has elastic properties, the insulating support 11 may be formed of an inelastic material.
  • the unit pattern sheet 100 ′ forming the conductive pattern of the semiconductor test socket 10 is manufactured by cutting the bidirectional conductive sheet 100 according to the present invention into a unit size.
  • embodiments of the bidirectional conductive sheet 100 applied to form a conductive pattern in the semiconductor test socket 10 according to the present invention will be described in detail.
  • the same reference numerals are used for the same embodiment, and description thereof may be omitted as necessary.
  • the bidirectional conductive sheet 100 includes a base structure 110, a conductive metal portion 130, and an insulating elastic portion 140.
  • the base structure 110 has a three-dimensional network structure.
  • the three-dimensional network structure refers to a form in which holes or spaces are formed inside or on a regular or irregular basis, and the holes or spaces extend to the outside of the base structure 110.
  • the inner holes or spaces of the three-dimensional network structure are regularly or irregularly connected to each other. That is, the upper and lower portions of the base structure 110 have a state in spatial communication.
  • the base structure 110 is provided in a sponge form in which a plurality of open cells 140 ′, which are empty spaces, are formed to form a three-dimensional network structure. Yes.
  • the cross section of the base structure 110 is illustrated, and the open cells 140 ′ are illustrated as not connected to each other. However, when the three-dimensional approach is actually performed, the open cells 140 ′ communicate with each other. It is.
  • the conductive metal portion 130 which will be described later, is coated with the conductive metal portion 130, when the entire surface including the entire surface of the base structure portion 110, that is, the inner surface forming the open cell 140 'is coated with the conductive metal portion 130, That is, it can be electrically conducted in the thickness direction.
  • the entire surface expressed in this specification does not mean only the outer surface of the base structure 110, but is used to include all inner surfaces that form an inner three-dimensional network structure.
  • the conductive metal part 130 coats the entire surface of the three-dimensional network structure of the base structure part 110.
  • conductivity is imparted to the base structure portion 110 by applying the entire surface of the base structure portion 110 to the conductive metal portion 130. That is, as described above, the inner space on the three-dimensional network structure formed in the base structure 110 is formed such that the upper and lower portions of the base structure 110 are in spatial communication, and the conductive metal portion 130 is formed on the entire surface thereof. ), The entire base structure 110 forms an electrical conductor.
  • the bidirectional conductive sheet 100 according to the present invention is coated on the entire surface of the base structure 110, the reinforcing portion 120 of the metal material formed between the entire surface of the base structure 110 and the conductive metal portion 130 ) May be further included.
  • the reinforcement part 120 is formed by plating of nickel or copper, for example, and the conductive metal part 130 is formed by gold plating after plating of the reinforcement part 120.
  • the insulating elastic portion 140 is provided with an electrically insulating material, as shown in Figure 3, fill the empty space of the three-dimensional network structure of the base structure portion 110.
  • the insulating elastic portion 140 is an example of being provided with a silicon rubber material which is an electrical insulating material. Accordingly, the sponge-based base structure 110 can maintain the elastic sheet form while maintaining a certain degree of force.
  • a base structure 110 having a three-dimensional network structure is formed.
  • the conductive metal portion 130 is formed on the entire surface of the base structure 110, that is, the entire surface including the three-dimensional network structure inner surface.
  • the entire surface of the base structure 110 is coated with a metal material to form the reinforcement part 120 before the conductive metal part 130 is formed.
  • the reinforcement part 120 is formed through plating using nickel or copper.
  • the conductive metal part 130 is formed on the surface of the reinforcement part 120 through gold plating.
  • the entire surface of the three-dimensional network structure formed in the base structure 110 is plated with gold, which is a conductor, so that the entire base structure 110 becomes a conductor in which electricity is conducted.
  • the insulating elastic part 140 is filled by filling an empty space of a three-dimensional network structure with an electrically insulating material.
  • the insulating elastic portion 140 fills the empty space of the three-dimensional network structure and does not affect the electrical conductivity of the bidirectional conductive sheet 100, and according to the degree of elasticity of the insulating elastic portion 140, the bidirectional conductive sheet 140.
  • the degree of elasticity of 100 can be determined.
  • the base structure 110 of the bidirectional conductive sheet 100 according to the present invention has been described as an example in which a sponge is formed in a three-dimensional network structure, as shown in FIG. 3.
  • the base structure 110 may be provided to form a three-dimensional network structure in which a plurality of fine wires are entangled to form an internal space.
  • FIG. 7A is an enlarged image of a three-dimensional network structure in which fine wires are entangled
  • FIG. 7B is an enlarged image of (a) at a higher magnification.
  • the material of the fine wire may be provided with a variety of materials capable of forming a fine wire, such as a plastic material such as urethane, polyurethane, a plastic material such as silicon, polyester, a stainless steel material, or a copper material.
  • a plastic material such as urethane, polyurethane
  • a plastic material such as silicon, polyester, a stainless steel material, or a copper material.
  • the base structure 110 When the base structure 110 is formed of the fine wire, when the reinforcement part 120 and the conductive metal part 130 are sequentially plated and formed as described above, the base structure 110 has bidirectional electrical conductivity, and a space between the fine wires. By forming the insulating elastic layer on the substrate, the bidirectional conductive sheet 100 can be manufactured.
  • the bidirectional conductive sheet 100 corresponds to the shape of the conductive pattern of the semiconductor test socket 10.
  • a cutting method of the bidirectional conductive sheet 100 a method using a laser may be applied.
  • a physical and chemical method capable of cutting the bidirectional conductive sheet 100 may be applied.
  • the unit pattern sheet 100 ′ is filled with an electrically insulating material between the plurality of unit pattern sheets 100 ′ in a form of a conductive pattern of the semiconductor test socket 10, that is, spaced apart from each other.
  • the insulating support 11 As shown in FIG. 10, the fabrication of the semiconductor test socket 10 is completed.
  • the bidirectional conductive sheet 100a according to the second exemplary embodiment of the present invention may include a base structure 110, a conductive metal portion 130, an insulating elastic portion 140, and a conductive mesh layer 150. ).
  • the bidirectional conductive sheet 100a according to the second embodiment of the present invention may further include a reinforcement part 120.
  • the configuration of the base structure 110, the conductive metal portion 130, the insulating elastic portion 140 and the reinforcing portion 120 of the bi-directional conductive sheet 100a according to the second embodiment of the present invention Corresponding to the configuration of the embodiment, the detailed description thereof will be omitted.
  • the conductive mesh layer 150 according to the second embodiment of the present invention is formed on one or both of the upper surface and the lower surface of the base structure 110. In FIG. 11, the conductive mesh layer 150 is formed on both upper and lower surfaces of the base structure 110.
  • the conductive mesh layer 150 may be provided in a two-dimensional network structure, for example, in the form of a mesh, and the surface thereof is coated with a conductive material, thereby providing conductivity.
  • a method of forming the conductive mesh layer 150 will be described later.
  • the space size of the two-dimensional network structure formed on the conductive mesh layer 150 is an example of 0.01mm ⁇ 0.4mm.
  • a base structure 110 having a three-dimensional network structure is formed. Then, the process of forming the reinforcement portion 120 and the conductive metal portion 130 to impart conductivity to the base structure portion 110 is in progress.
  • the conductivity provided to the conductive mesh layer 150 is added together in the process of forming the reinforcing portion 120 and the conductive metal portion 130.
  • the mesh 150a is attached to the upper and lower surfaces of the base structure 110.
  • the mesh 150a may have a two-dimensional network structure, that is, a network structure, as shown in FIG. 4, and may be formed of various materials having a network structure.
  • the mesh 150a may be formed of a fiber material, a metal material, or a plastic material.
  • the conductive metal portion 130 is formed on the entire surface of the base structure 110.
  • the entire surface of the base structure 110 is coated with a metal material to form the reinforcement part 120 before the conductive metal part is formed.
  • the reinforcement portion 120 may be formed through plating using nickel or copper.
  • the surface of the mesh 150a attached to the upper and lower portions of the base structure 110 is formed in the plating process for forming the reinforcement part 120. (See 150b of FIG. 13).
  • the conductive metal part 130 is formed on the surface of the reinforcement part 120 through gold plating.
  • gold plating is also performed on the surface of the mesh 150b. That is, gold is plated on the surface of the mesh 150b on which the reinforcement part 120 is formed, thereby providing conductivity to the mesh 150 to form conductive mesh layers 150 on the upper and lower portions of the base structure 110. .
  • the entire surface of the three-dimensional network structure formed on the base structure 110 is plated with gold, which is a conductor, so that the entire base structure 110 is formed of an electrically conductive material, and the reinforcement part 120 and In the process of forming the conductive metal part 130, conductivity is imparted to the mesh 150a attached to the base structure part 110, thereby forming the conductive mesh layer 150.
  • the insulating elastic part 140 is filled by filling an empty space of a three-dimensional network structure with an electrically insulating material. To form.
  • the insulating material for forming the insulating elastic portion 140 is exposed between the two-dimensional network structures of the conductive mesh layer 150 in the process of forming the insulating elastic portion 140 to expose the surface of the conductive mesh layer 150.
  • the upper and lower portions of the base structure 110 are blocked so that the interior of the three-dimensional network structure of the base structure 110 is blocked in the upper and lower directions of the base structure 110. Blocks the blocking sheet 160.
  • the conductive mesh layer 150 is formed during the formation of the reinforcement part 120 and the conductive metal part 130, as shown in FIG. 15, the blocking sheet 160 is the conductive mesh layer 150. Is attached to the surface of the.
  • the insulating material is formed in the empty space of the three-dimensional network structure by filling the insulating material through the side of the base structure 110 in the state where the attachment of the blocking sheet 160 is completed.
  • the insulating elastic portion 140 fills the empty space of the three-dimensional network structure and does not affect the electrical conductivity of the bidirectional conductive sheet 100, and according to the degree of elasticity of the insulating elastic portion 140, the bidirectional conductive sheet The degree of elasticity of 100 can be determined.
  • the conductive mesh layer 150 in the process of forming the reinforcement portion 120 and the conductive metal portion 130 by attaching the mesh 150a to the base structure portion 110 ( The reinforcing part 120 and the conductive metal part 130 are also formed in the 150a, and the conductive mesh layer 150 is formed by adding conductivity.
  • the mesh 150a itself may be conductive, or the plating may be completed on the mesh 150a, that is, the conductive mesh 150a may be attached to the base structure 110 to be manufactured. At this time, the attaching process of the conductive mesh 150a may be attached after the reinforcing portion 120 and the conductive metal portion 130 are formed in the base structure portion 110.
  • the bidirectional conductive sheet 100b according to the third exemplary embodiment of the present invention may include a base structure 110, a conductive metal portion 130, an insulating elastic portion 140, and a conductive elastic layer 151. ) May be included.
  • the bidirectional conductive sheet 100b according to the third embodiment of the present invention may further include a reinforcement part 120.
  • the configuration of the base structure 110, the conductive metal portion 130, the insulating elastic portion 140 and the reinforcing portion 120 of the bidirectional conductive sheet 100b according to the second embodiment of the present invention Corresponding to the configuration of the embodiment, the detailed description thereof will be omitted.
  • the conductive elastic layer 151 is formed on one or both sides of the upper surface and the lower surface of the base structure 110. In FIG. 16, the conductive elastic layer 151 is formed on both top and bottom surfaces of the base structure 110.
  • the conductive elastic layer 151 is formed to contain the conductive powder to have conductivity.
  • the conductive powder may be used as the conductive powder.
  • various types of powders having excellent conductivity such as nickel powder, silver powder, gold powder itself, nickel powder, copper powder, etc., coated with gold (Au) may be used as the conductive powder.
  • the conductive elastic layer 151 may be formed using a method of coating mixed silicon, which is a mixture of conductive powder and silicone rubber, on both sides of the base structure 110 to a predetermined thickness.
  • the method of forming the conductive elastic layer 151 may be applied by those skilled in the art through various methods.
  • the conductive elastic layer 151 of the base structure 110 is formed, thereby reinforcing both surfaces of the bidirectional conductive sheet 100 and providing elasticity of a predetermined size.
  • the process of forming the conductive elastic layer 151 may be formed after the conductive metal portion 130 and the reinforcement portion 120 are formed in the base structure portion 110.
  • the process of forming the conductive metal part 130 and the reinforcing part 120 corresponds to the first embodiment, and description thereof will be omitted.
  • the conductive elastic layer 151 is formed, and the insulating elastic part 140 is formed. Exposed to the upper and lower portions of the base structure portion 110 to the insulating material for forming the insulating elastic portion 140 by the conductive elastic layer 151 formed on both sides of the (), and as in the second embodiment The attachment process of the same blocking sheet 160 may be omitted.
  • the insulating elastic part 140 is attached after the blocking sheet 160 is attached after the conductive metal part 130 and the reinforcing part 120 are formed. It would be desirable to form.
  • the bidirectional conductive sheet 100c according to the fourth exemplary embodiment of the present invention may include a base structure 110, a conductive metal portion 130, and a conductive filling portion 141.
  • the bidirectional conductive sheet 100c according to the fourth exemplary embodiment of the present invention may further include a reinforcement part 120.
  • the configuration of the base structure portion 110, the conductive metal portion 130 and the reinforcement portion 120 of the bi-directional conductive sheet 100c according to the fourth embodiment of the present invention corresponds to the configuration of the first embodiment described above The detailed description thereof will be omitted.
  • the non-conductive insulating elastic portion 140 is formed in the empty space of the three-dimensional network space of the base structure 110.
  • the conductive filler 141 is formed. That is, in the bidirectional conductive sheet 100c according to the fourth embodiment of the present invention, the conductive filler 141 including the conductive powder is filled in an empty space of a three-dimensional network structure, thereby forming the conductive filler 141 itself. Will function as a conductor.
  • Conductive is also formed by the conductive filler 141 filling the inside of the dimensional network structure, thereby increasing the conductivity of the bidirectional conductive sheet 100c.
  • the conductive filler 141 mixed with the conductive powder and the silicone rubber, it is possible to add elasticity by the silicone rubber, and also the elastic properties provided by the insulating elastic part 140 according to the first embodiment. I can have it.
  • the conductive mesh layer 150 as illustrated in FIG. 11 is additionally formed, or the conductive elastic layer 151 illustrated in FIG. 16 is additionally formed. Of course it can be formed.
  • the conductive filling part 141 is conductive in itself, even if the conductive material forming the conductive filling part 141 is exposed to the upper or lower portion of the base structure part 110, the conductive filling part 141 does not affect the conductive filling part. In the process of forming 141, the above-described blocking sheet 160 may not be attached.
  • the bidirectional conductive sheet 100d according to the fifth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 18.
  • the bidirectional conductive sheet 100d according to the fifth embodiment of the present invention is a modified embodiment of the fourth embodiment.
  • the bidirectional conductive sheet 100d according to the fifth exemplary embodiment of the present invention may include a base structure 110 and a conductive filler 141. That is, the bidirectional conductive sheet 100d according to the fifth embodiment of the present invention is conductive in the state in which the conductive metal portion 130 and the reinforcement portion 120 are removed, that is, in the base structure portion 110 state.
  • the filling unit 141 is formed.
  • the conductive filling portion 141 filled in the empty space of the three-dimensional network structure of the base structure portion 110 is formed on the entire bidirectional conductive sheet 100d. It is provided to add conductivity.
  • the configuration of the conductive filler 141 of the bidirectional conductive sheet 100d according to the fifth embodiment of the present invention corresponds to the fourth embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.
  • the conductive mesh layer 150 as illustrated in FIG. 11 is additionally formed, or the conductive elastic layer 151 illustrated in FIG. 16 is additionally formed. Of course it can be formed.
  • the conductive filling part 141 is conductive in itself, even if the conductive material forming the conductive filling part 141 is exposed to the upper or lower portion of the base structure part 110, the conductive filling part 141 does not affect the conductive filling part. In the process of forming 141, the above-described blocking sheet 160 may not be attached.
  • the thickness of the bi-directional conductive sheet (100, 100a, 100b, 100c, 100d) according to the above embodiments is an example that is formed of 0.1mm ⁇ 6mm. Therefore, when the unit pattern sheet 100 'is formed of the bidirectional conductive sheets 100, 100a, 100b, 100c, and 100d according to the above-described embodiments, the thickness of the semiconductor test socket 10 may be 0.1 mm to 6 mm. Done.
  • the semiconductor test socket 10 according to the present invention can be applied to all fields.
  • FIGS. 19 and 20 a semiconductor test socket 10 according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 19 and 20.
  • the same reference numerals are used for the components corresponding to the above-described first embodiment. The description may be omitted.
  • the semiconductor test socket 10 includes an insulating socket body 11, a conductive pattern portion 12, and a conductive cover sheet 102, as shown in FIG. 19.
  • the insulating socket main body 11 is formed with a plurality of pattern holes penetrating in the vertical direction, and the conductive pattern portion 12 is formed in each pattern hole, so that the insulating socket main body 11 is electrically conducted in the vertical direction.
  • the insulating socket body 11 is an example of being provided with a silicon rubber material of an insulating material, in addition to the insulating material having a certain elasticity, for example, may be provided with a plastic material.
  • the conductive pattern portion 12 is formed in each pattern hole so that the socket body is electrically connected in the vertical direction through the pattern hole.
  • the conductive pattern portion 12 is formed by including a conductive powder, for example, a conductive powder coated with gold (Au) on the nickel particles, thereby having an electrical conductor property.
  • the conductive powder may be used by mixing one or more powders of various types having excellent conductivity such as silver powder, gold powder itself, nickel powder, copper powder, and the like.
  • the conductive pattern portion 12 is a method for filling the conductive powder in the pattern hole, the magnet is disposed above and below the mixed silicon mixed with the liquid silicon and the conductive powder disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 2004-0084202, the magnet It can be formed through the method of causing the conductive powder to aggregate in the direction of the magnetic force line of.
  • the conductive cover sheet 102 is attached to at least one surface of the upper and lower portions of the insulating socket body 11 to cover each conductive pattern portion 12 individually.
  • the conductive cover sheet 102 is attached to only the upper portion of the insulating socket body 11 in contact with the semiconductor element 3, but can also be attached to the lower portion, of course. .
  • the conductive cover sheet 102 is attached to the insulating socket body 11 in a state in which they are spaced apart from each other so as to be electrically insulated from each other, respectively, than the size of the conductive pattern portion 12 to cover the conductive pattern portion 12 It is greatly prepared.
  • the terminal 3a of the semiconductor device 3 has a conductive cover of the semiconductor test socket 10.
  • the conductive powder forming the conductive pattern portion 12 can be prevented from coming into direct contact with the terminal 3a of the semiconductor element 3. Separation of the conductive powder can be prevented. Therefore, by increasing the replacement cycle of the semiconductor test socket 10, it is possible to lower the overall manufacturing cost.
  • the conductive cover sheet 102 according to the present invention is cut into a unit size in a state in which the bidirectional conductive sheet 100 according to the first embodiment of the present invention is compressed.
  • 20A illustrates a bidirectional conductive sheet 100 for forming a conductive cover sheet 102 according to the present invention
  • FIG. 20B illustrates a state in which a bidirectional conductive sheet 101 is compressed.
  • Figure is a diagram.
  • the semiconductor test socket is formed by cutting the compressed bidirectional conductive sheet 101 into unit sizes as shown in FIG. 20C to form the conductive cover sheet 102 and attaching the conductive cover sheet 102 to the main body of the insulating socket. 10) can be formed.
  • the conductive cover sheet 102 may be formed by cutting using the laser cutter 300. Can be.
  • the conductive cover sheet 102 in addition to the bidirectional conductive sheet 100 according to the first embodiment of the present invention, the bidirectional conductive sheet (100a, 100b, 100c, 100d) according to other embodiments, Of course, it can be manufactured by pressing as shown in FIG.
  • the configuration of the bidirectional conductive sheets 100, 100a, 100b, 100c, and 100d for forming the conductive cover sheet 102 is as described above, and a detailed description thereof will be omitted.
  • the conductive powder and the liquid silicone rubber are mixed to prepare a conductive mixed liquid.
  • the conductive powder one or more powders of various types having excellent conductivity such as nickel (Au) coated nickel powder, silver powder, gold powder itself, nickel powder, copper powder, etc. may be used.
  • the bond between the conductive powder and the silicone rubber can be further strengthened.
  • the conductive mixed solution is thermoset to produce a bidirectional conductive sheet 200 having a shape as shown in FIG. 8.
  • the formation of the bidirectional conductive sheet 200 having a shape as shown in FIG. 8 may be manufactured by injecting a conductive mixture into a mold and then thermosetting.
  • the semiconductor test socket may be fabricated as illustrated in FIG. 9.
  • bidirectional conductive multilayer sheet 300 As shown in FIG. 21, at least one first bidirectional conductive sheet 200 and at least one second bidirectional conductive sheet 100 are formed. Alternately stacked.
  • the two first bidirectional conductive sheets 200 and the second bidirectional conductive sheets 100 are alternately stacked, and the second bidirectional conductive sheets 100 and the first bidirectional conductive sheets are disposed from the bottom.
  • An example in which the 200, the second bidirectional conductive sheet 100, and the second bidirectional conductive sheet 200 are sequentially stacked is shown.
  • the first bidirectional conductive sheet 200 constituting the bidirectional conductive multilayer sheet 300 according to the present invention is an example in which the bidirectional conductive sheet 200 formed of the conductive powder is applied as described above. More specifically, the bidirectional conductive sheet 200 manufactured by the manufacturing method as described above, that is, the first bidirectional conductive sheet 200 is distributed in the sheet main body of the silicone rubber and the sheet main body, and thus the first bidirectional conductive The sheet 200 may include a conductive powder for forming conductivity.
  • the first bidirectional conductive sheet 200 may be manufactured through a conductive mixture mixed with a liquid adhesive primer, and the manufacturing method of the first bidirectional conductive sheet 200 may be performed as described above. Detailed description is omitted.
  • the second bidirectional conductive sheet 100 is an example in which the bidirectional conductive sheet 100 according to the first embodiment of the present invention is applied.
  • the configuration of the second bidirectional conductive sheet 100 is as described above, the detailed description thereof will be omitted.
  • FIG. 22 is a diagram showing the configuration of a bidirectional conductive multilayer sheet 300a according to a second embodiment of the present invention.
  • the stacking order of the first bidirectional conductive sheet 200 and the second bidirectional conductive sheet 100 is the bidirectional conductive multilayer sheet 300 according to the first embodiment.
  • the bidirectional conductive multilayer sheet 300a may include a first bidirectional conductive sheet 200, a second bidirectional conductive sheet 100, and a first bidirectional conductive sheet from the bottom. It is assumed that the 200 and the second bidirectional conductive sheet 100 are sequentially stacked. Here, the configurations of the first bidirectional conductive sheet 200 and the second bidirectional conductive sheet 100 correspond to the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted.
  • FIG. 23 is a diagram showing the configuration of the bidirectional conductive multilayer sheet 300b according to the third embodiment of the present invention.
  • components corresponding to the first embodiment will be described using the same reference numerals, and description thereof may be omitted. .
  • the bidirectional conductive multilayer sheet 300b may include a conductive mesh portion 160 formed on any one or both sides of an upper surface and a lower surface of the bidirectional conductive multilayer sheet 300b.
  • the conductive mesh part 160 is formed only on the upper surface of the bidirectional conductive multilayer sheet 300b, that is, the surface of the first bidirectional conductive sheet 200 forming the uppermost layer of the bidirectional conductive multilayer sheet 300b. For example.
  • the conductive mesh portion 160 has a two-dimensional network structure.
  • the conductive mesh unit 160 includes two or more meshes 160a having a two-dimensional network structure, and two-dimensionally formed between the stacked meshes 160a and the respective meshes 160a.
  • the conductive liquid mixture 160b is filled and cured between the network structures of.
  • the conductive liquid mixture 160a may be provided by mixing conductive powder and silicone rubber, and of course, the primer for adhesion may be mixed together as described above.
  • the first bi-directional conductive sheet 200 that is, when the bidirectional conductive sheet 200 is formed through the conductive powder to provide conductivity, separation of the conductive powder is prevented by the conductive mesh unit 160, so that the bidirectional conductive multilayer sheet 300b is the semiconductor test socket 10. Even if the conductive pattern is formed, it is possible to eliminate the decrease in lifespan and poor connection due to separation of the conductive powder.
  • the conductive mesh unit 150 has been described as an example of being formed in the bidirectional conductive multilayer sheet 300b according to the third embodiment, but the bidirectional conductive multilayer sheets 300, 300a, 300c, Of course, the conductive mesh portion 160 may also be formed at 300d).
  • FIG. 24 is a diagram showing the configuration of the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the components corresponding to the first embodiment will be described using the same reference numerals, and description thereof may be omitted. .
  • the bidirectional conductive sheet 100c constituting the bidirectional conductive multilayer sheet 300c according to the fourth embodiment of the present invention the bidirectional conductive sheet 100c according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. Applicable, detailed description thereof will be omitted.
  • bidirectional conductive multilayer sheet 300d according to the fifth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 25.
  • components corresponding to the first embodiment will be described using the same reference numerals, and description thereof may be omitted. .
  • the bidirectional conductive sheet 100c according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. Applicable detailed description thereof will be omitted.
  • the semiconductor test socket 10 may be manufactured. .
  • the present invention is a semiconductor test socket used for a test for determining whether the electrical performance is poor after a semiconductor device manufacturing process, and may be used in a burn-in test process of a semiconductor device manufacturing process.

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Abstract

본 발명은 양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트는 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와; 전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있다.

Description

양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓
본 발명은 양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓에 관한 것이다.
반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도체 테스트 소켓(또는 콘텍터 또는 커넥터)을 반도체 소자와 검사 회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.
반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고(Pogo) 타입의 반도체 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 반도체 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.
이와 같은 반도체 소자의 집적화에 부합하도록 제안된 기술이, 탄성 재질의 실리콘 소재로 제작되는 실리콘 본체 상에 수직 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 패턴을 형성하는 방법이 널리 사용되고 있다.
그런데, 반도체 테스트 소켓을 제작하기 위한 상기와 같은 두 가지 방식은 기본적으로 반도체 테스트 소켓의 제조 단가가 상대적으로 높은 단점을 갖고 있다.
또한, 실리콘 타입의 반도체 테스트 소켓의 도전 패턴과 반도체 소자의 단자, 예를 들어 BGA(Ball Grid Array)가 테스트 과정에서 지속적으로 접촉하게 되어, 도전 패턴을 형성하는 도전성 분말이 도전 패턴으로부터 이탈되거나 마모되어 반도체 소자의 단자와 전기적 접촉을 이루지 못하는 경우가 발생하는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점은 반도체 테스트 소켓의 수명을 단축시키는 원인이 되어, 결과적으로 반도체 테스트 소켓의 잦은 교체로 인한 제조 단가를 증가시키는 문제를 야기하게 된다.
이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 도전 패턴 사이의 간격을 미세화하고, 도전성 분말의 이탈을 억제하여 도전 패턴의 도전성이 상실되는 것을 방지할 수 있는 반도체 테스트 소켓을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 양방향 도전성 시트에 있어서, 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와; 전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트에 의해서 달성된다.
또한, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 시트에 있어서, 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와; 전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부와; 상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트에 의해서도 달성된다.
또한, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 시트에 있어서, 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와; 전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부와; 상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 도전성 분말이 포함되어 형성되는 도전성 탄성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트에 의해서도 달성된다.
또한, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 시트에 있어서, 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와; 도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트에 의해서도 달성된다.
또한, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 시트에 있어서, 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트에 의해서도 달성된다.
여기서, 상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련될 수 있다.
또한, 상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련될 수도 있다.
그리고, 상기 베이스 구조부의 상기 3차원의 망상 구조의 표면에 코팅되어 상기 3차원의 망상 구조의 표면과 상기 도전성 금속부 사이에 형성되는 금속 재질의 보강부를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 보강부는 니켈 또는 구리 재질로 마련될 수 있다.
그리고, 상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련될 수 있다.
여기서, 상기 도전성 금속층은 금 재질로 마련될 수 있다.
그리고, 상기 도전성 메쉬층에 형성된 상기 2차원의 망상 구조의 공간 사이즈는 0.01mm ~ 0.4mm일 수 있다.
한편 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 반도체 테스트 소켓에 있어서, 상기의 도전성 시트가 단위 크기로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와; 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓에 의해서도 달성될 수 있다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 반도체 테스트 소켓에 있어서, 상하 방향으로 관통된 다수의 패턴 홀이 형성된 절연성 소켓 본체와, 상기 패턴 홀을 통해 상기 소켓 본체가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 패턴 홀에 형성되는 도전 패턴부와, 상기 절연성 소켓 본체의 상부 및 하부 중 적어도 어느 일측 표면에 부착되어 상기 각 도전 패턴부를 개별적으로 커버하는 도전성 커버 시트를 포함하며; 상기 도전성 커버 시트는 상기의 양방향 도전 시트가 압착된 상태로 단위 크기로 절단되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓에 의해서도 달성될 수 있다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 양방향 도전성 다층 시트에 있어서, 적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며; 상기 제1 양방향 도전성 시트는 실리콘 고무 재질의 시트 본체와, 상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고; 상기 제2 양방향 도전성 시트는 상기의 양방향 도전성 시트로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트에 의해서도 달성된다.
여기서, 상기 양방향 도전성 다층 시트의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬부를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따라, 반도체 테스트 소켓에 있어서, 상기의 양방향 도전성 다층 시트가 단위 크기 단위로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와; 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓에 의해서도 달성된다.
상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 반도체 소자의 제조 과정 중 양불 테스트에 사용되는 반도체 테스트 소켓의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법, 양방향 도전성 다층 시트, 반도체 테스트 소켓이 제공된다.
또한, 양방향 도전성 시트를 반도체 테스트 소켓에 형성되는 도전 패턴의 사이즈에 맞게 절단하고, 절단된 단위 패턴 시트의 배치를 다양화하여 제작 가능하게 됨으로서, 다양한 도전 패턴을 갖는 테스트 소켓의 제작이 가능하게 되어, 반도체 소자에 형성된 다양한 단자 형상에 맞게 반도체 테스트 소켓의 제작이 가능하게 된다.
또한, 도전 패턴 사이의 간격을 미세화하고, 도전성 분말의 이탈을 억제하여 도전 패턴의 도전성이 상실되는 것을 방지할 수 있는 반도체 테스트 소켓이 제공된다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이고,
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트를 설명하기 위한 도면이고,
도 7은 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트의 다른 실시 형태에 따른 3차원 망상 구조를 도시한 도면이고,
도 8 내지 도 10은 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 11 내지 도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트를 설명하기 위한 도면이고,
도 16 내지 도 18은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 양방향 도전성 시트를 설명하기 위한 도면이고,
도 19 및 도 20은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이고,
도 21 내지 도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 양방향 도전성 다층 시트를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 따른 양방향 도전성 시트는 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와; 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와; 전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예들을 상세히 설명한다.
제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓
도 1은 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)의 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)는 지지 플레이트(30)와 반도체 테스트 소켓(10)을 포함한다.
지지 플레이트(30)는 반도체 테스트 소켓(10)이 상하 방향으로 이동 가능하도록 반도체 테스트 소켓(10)을 지지한다. 여기서, 지지 플레이트(30)의 중앙에는 진퇴 가이드용 메인 관통홀(미도시)이 형성되어 있고, 메인 관통홀을 형성하는 가장자리를 따라 가장자리로부터 이격되는 위치에 결합용 관통홀이 상호 이격되게 형성된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓(10)은 지지 플레이트(30)의 상면 및 하면에 접합되는 주변 지지부(50)에 의해 지지 플레이트(30)에 고정된다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(10)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도전 패턴을 형성하는 다수의 단위 패턴 시트(100')와, 절연성 지지체(11)를 포함한다.
각각의 단위 패턴 시트(100')는 반도체 소자(3)의 단자(3a)와, 검사회로기판(5)의 검사 단자(5a)를 전기적으로 연결할 수 있도록 절연성 지지체(11)의 상부 및 하부에 노출되도록 형성된다. 즉, 절연성 지지체(11)는 도전 패턴을 형성하는 다수의 단위 패턴 시트(100')가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 복수의 단위 패턴 시트(100')를 지지하는데, 이 때 각 단위 패턴 시트(100')가 두께 방향 즉 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 각 단위 패턴 시트(100')를 지지하게 된다.
여기서, 본 발명에 따른 절연성 지지체(11)는 탄성을 갖는 실리콘 고무 재질이나 플라스틱 재질로 마련될 수 있으며, 이에 따라 반도체 소자(3)의 단자(3a)와 검사 회로기판(5)의 검사 단자(5a) 간의 통전을 위해 반도체 소자(3)가 반도체 테스트 소켓(10)을 가압할 때 탄성에 의해 반도체 소자(3)의 단자(3a)가 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다. 여기서, 절연성 지지체(11)가 탄성을 갖는 것은 필수적인 구성이 아니며, 비탄성 재질로 마련될 수 있는데, 이는 단위 패턴 시트(100')의 형성에 사용되는 후술할 양방향 도전성 시트(100) 자체가 탄성체 성질을 가져 단위 패턴 시트(100') 또한 탄성체 성질을 가지므로 절연성 지지체(11)가 비탄성 재질로 형성되는 것이 가능하다.
한편, 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴을 형성하는 단위 패턴 시트(100')는 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)를 단위 크기로 절단하여 제작된다. 이하에서는 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)에서 도전 패턴을 형성하는데 적용되는 양방향 도전성 시트(100)의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)의 실시예들을 설명하는데 있어, 동일한 실시예에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하며, 필요에 따라 그 설명은 생략할 수 있다.
제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130) 및 절연성 탄성부(140)를 포함한다.
베이스 구조부(110)는 3차원의 망상 구조를 갖는다. 여기서, 3차원의 망상 구조는 규칙적 또는 불규칙적으로 내부에 구멍 또는 공간이 형성되어 있는 형태를 말하며, 구멍 또는 공간은 베이스 구조부(110)의 외부까지 연장되어 형성된다.
그리고, 3차원의 망상 구조의 내부 구멍 또는 공간은 서로 규칙적 또는 불규칙적으로 연결된다. 즉, 베이스 구조부(110)의 상부와 하부는 공간적으로 연통된 상태를 갖게 된다.
본 발명에 따른 베이스 구조부(110)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 빈 공간인 다수의 오픈 셀(Open cell)(140')이 형성되어 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련되는 것을 예로 한다. 여기서, 도 3에서는 베이스 구조부(110)의 단면을 도시하고 있어, 오픈 셀(140')이 상호 연결되지 않은 형태로 도시되어 있으나, 실제 입체적으로 접근하는 경우, 오픈 셀(140')들이 상호 연통되어 있다.
따라서, 후술할 도전성 금속부(130)가 베이스 구조부(110) 전체 표면, 즉 오픈 셀(140')을 형성하는 내부 표면을 포함하는 전체 표면이 도전성 금속부(130)로 코팅되는 경우, 상하 방향, 즉 두께 방향으로 전기적으로 도통될 수 있다. 본 명세서에서 표현되는 '전체 표면'은 베이스 구조부(110) 외부 표면만을 의미하지 않고, 내부의 3차원 망상 구조를 형상하는 내부 표면을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
도전성 금속부(130)는 베이스 구조부(110)의 3차원 망상 구조의 전체 표면을 도포한다. 여기서, 도전성 금속부(130)가 베이스 구조부(110)의 전체 표면을 도포함으로써, 베이스 구조부(110)에 도전성이 부여된다. 즉, 상술한 바와 같이 베이스 구조부(110)에 형성되는 3차원의 망상 구조 상의 내부 공간은 베이스 구조부(110)의 상부와 하부가 공간적으로 연통되도록 형성되는 바, 그 전체 표면에 도전성 금속부(130)를 형성하게 되면, 베이스 구조부(110) 전체가 전기적인 도전체를 형성하게 된다.
여기서, 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)는 베이스 구조부(110)의 전체 표면에 코팅되어 베이스 구조부(110)의 전체 표면과 도전성 금속부(130) 사이에 형성되는 금속 재질의 보강부(120)를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서는 보강부(120)는 니켈 또는 구리 재질의 도금을 통해 형성되는 것을 예로 하며, 보강부(120)의 도금 후에 금 도금을 통해 도전성 금속부(130)를 형성하는 것을 예로 한다.
한편, 절연성 탄성부(140)는 전기적인 절연 재질로 마련되며, 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채운다. 여기서, 절연성 탄성부(140)는 전기적인 절연 재질인 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 이에 따라, 스펀지 형태의 베이스 구조부(110)가 일정 정도의 힘을 유지하면서 탄성을 갖는 시트 형태를 유지할 수 있게 된다.
이하에서는, 상기와 같은 구성을 갖는 양방향 도전성 시트(100)의 제조 과정을 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
먼저, 도 4에 도시된 바와 같이 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부(110)를 형성한다. 그런 다음, 베이스 구조부(110)의 전체 표면, 즉 3차원의 망상 구조 내부 표면을 포함하는 전체 표면에 도전성 금속부(130)를 형성한다.
여기서, 본 발명에서는 도 5에 도시된 바와 같이, 도전성 금속부(130)의 형성 전에 베이스 구조부(110)의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강부(120)를 형성한다. 그리고, 보강부(120)는 니켈 또는 구리를 이용한 도금을 통해 형성된다.
그런 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 보강부(120)의 표면에 금 도금을 통해 도전성 금속부(130)를 형성하게 된다. 이와 같이, 베이스 구조부(110)에 형성된 3차원의 망상 구조의 전체 표면이 도전체인 금으로 도금되어 베이스 구조부(110) 전체가 전기가 도통되는 도전체가 된다.
상기와 같이 베이스 구조부(110)에 보강부(120)와 도전성 금속부(130)를 순차적으로 형성한 후, 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충전하여 절연성 탄성부(140)를 형성함으로서, 도 3에 도시된 바와 같은 양방향 도전성 시트(100)의 제작이 완료된다.
여기서, 절연성 탄성부(140)는 3차원 망상 구조의 빈 공간을 채움으로서 양방향 도전성 시트(100)의 전기 전도성에는 영향을 미치지 않고, 절연성 탄성부(140)가 갖는 탄성의 정도에 따라 양방향 도전성 시트(100)의 탄성의 정도를 결정할 수 있게 된다.
전술한 실시예에서는 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)의 베이스 구조부(110)가, 도 3에 도시된 바와 같이, 3차원 망상 구조가 형성된 스펀지 형태로 마련되는 것을 예로 하여 설명하였다. 이외에도 베이스 구조부(110)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 3차원 망상 구조를 형성하도록 마련될 수 있다. 도 7의 (a)는 미세 와이어가 엉켜 형성된 3차원 망상 구조를 확대 촬영한 도면이고, 도 7의 (b)는 (a)를 보다 높은 배율로 확대 촬영한 도면이다.
여기서, 미세 와이어의 재질은 우레탄, 폴리 우레탄과 같은 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르와 같은 플라스틱 재질이나, 스테인리스 재질, 또는 구리 재질 등과 같이, 미세 와이어의 형성이 가능한 다양한 재질로 마련될 수 있다.
그리고, 미세 와이어에 의해 베이스 구조부(110)가 형성되면, 상술한 바와 같은 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)이 순차적으로 도금되어 형성되는 경우 양방향 전기 전도성을 갖게 되며, 미세 와이어 간의 공간에 절연성 탄성층이 형성됨으로써, 양방향 도전성 시트(100)의 제작이 가능하게 된다.
이하에서는, 상기와 같은 양방향 도전성 시트(100)를 이용하여 반도체 테스트 소켓(10)을 제조하는 과정을, 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한다.
먼저, 도 8에 도시된 바와 같이, 양방향 도전성 시트(100)의 제작이 완료되면, 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴의 형상에 대응하도록 양방향 도전성 시트(100)를 절단하여 단위 패턴 시트(100')를 제작한다. 여기서, 양방향 도전성 시트(100)의 절단 방법으로는 레이저를 이용하는 방법이 적용 가능하며, 이외에도 양방향 도전성 시트(100)의 절단이 가능한 물리적, 화학적 방법이 적용 가능함은 물론이다.
그런 다음, 단위 패턴 시트(100')를, 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴 형태, 즉 상호 이격되어 배치된 상태에서, 복수의 단위 패턴 시트(100') 사이를 전기적 절연 재질로 충진하여, 도 10에 도시된 바와 같이 절연성 지지체(11)를 형성함으로써, 반도체 테스트 소켓(10)의 제작이 완료된다.
제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100a)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 도전성 메쉬층(150)을 포함한다. 또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100a)는 보강부(120)를 더 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100a)의 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 보강부(120)의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 도전성 메쉬층(150)은 베이스 구조부(110)의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성된다. 도 11에서는 도전성 메쉬층(150)이 베이스 구조부(110)의 상부 표면과 하부 표면 양측에 형성되는 것을 예로 하고 있다.
여기서, 도전성 메쉬층(150)은 2차원의 망상 구조, 예를 들어 그물망 형태로 마련되고, 그 표면이 도전성 물질로 코팅됨으로써, 도전성을 갖도록 마련될 수 있다. 본 발명에서는 도전성 메쉬층(150)의 형성 방법에 대해서는 후술한다. 그리고, 도전성 메쉬층(150)에 형성된 2차원 망상 구조의 공간 사이즈는 0.01mm ~ 0.4mm인 것을 예로 한다.
이하에서는, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100a)의 제조 과정을 도 11 내지 도 15를 참조하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 12에 도시된 바와 같이 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부(110)를 형성한다. 그런 다음, 베이스 구조부(110)에 도전성을 부여하기 위한 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)를 형성하는 과정이 진행된다. 여기서, 본 발명에서는 도전성 메쉬층(150)에 부여되는 도전성이 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)의 형성 과정에서 함께 부가되는 것을 예로 하여 설명한다.
보다 구체적으로 설명하면, 도 12에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110)의 상부 및 하부 표면에 메쉬(150a)를 부착한다. 여기서, 메쉬(150a)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 2차원의 망상 구조, 즉 그물망 구조를 가지며, 그물망 구조를 갖는 다양한 재질로 마련될 수 있다. 예를 들어, 메쉬(150a)는 섬유 재질, 금속 재질, 플라스틱 재질로 마련될 수 있다.
상기와 같이 베이스 구조부(110)의 상부 및 하부 표면에 메쉬(150a)가 부착된 상태에서, 베이스 구조부(110)의 전체 표면에 도전성 금속부(130)을 형성한다. 여기서, 본 발명에서는 도 13에 도시된 바와 같이, 전도성 금속부의 형성 전에 베이스 구조부(110)의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강부(120)를 형성한다.
여기서, 보강부(120)는 니켈 또는 구리를 이용한 도금을 통해 형성될 수 있다. 그리고, 보강부(120)를 형성하기 위한 도금 과정에서 베이스 구조부(110)의 상부 및 하부에 부착된 메쉬(150a)의 표면도, 도 13에 도시된 바와 같이, 보강부(120)가 형성된다(도 13의 150b 참조).
그런 다음, 도 14에 도시된 바와 같이, 보강부(120)의 표면에 금 도금을 통해 도전성 금속부(130)를 형성하게 된다. 여기서, 도전성 금속부(130)의 형성을 위한 금 도금 과정에서는 메쉬(150b)의 표면에도 금 도금이 이루어진다. 즉, 보강부(120)가 형성된 메쉬(150b)의 표면에 다시 금이 도금됨으로써, 메쉬(150)에 도전성이 부여되어 베이스 구조부(110)의 상부 및 하부에 도전성 메쉬층(150)이 형성된다.
상기와 같은 과정을 통해 베이스 구조부(110)에 형성된 3차원의 망상 구조의 전체 표면이 도전체인 금으로 도금되어 베이스 구조부(110) 전체가 전기가 도통되는 도전체로 형성되고, 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)의 형성 과정에서 베이스 구조부(110)에 부착된 메쉬(150a)에 도전성이 부여되어 도전성 메쉬층(150)이 형성된다.
상기와 같이 베이스 구조부(110)에 보강부(120)과 도전성 금속부(130)을 순차적으로 형성한 후, 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충진하여 절연성 탄성부(140)를 형성한다.
여기서, 본 발명에서는 절연성 탄성부(140)의 형성 과정에서 도전성 메쉬층(150)의 2차원 망상 구조 사이로 절연성 탄성부(140)를 형성하기 위한 절연 재질이 노출되어 도전성 메쉬층(150)의 표면을 막는 것을 방지하기 위해, 도 15에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 구조 내부가 베이스 구조부(110)의 상부 및 하부 방향으로 차단되도록 베이스 구조부(110)의 상부 및 하부를 차단 시트(160)로 차단한다.
본 발명에서는 도전성 메쉬층(150)이 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)의 형성 과정에서 형성되는 바, 도 15에 도시된 바와 같이, 차단 시트(160)가 도전성 메쉬층(150)의 표면에 부착된다. 그리고, 차단 시트(160)의 부착이 완료된 상태에서 베이스 구조부(110)의 측면을 통해 절연 재질을 충진함으로써, 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 절연성 탄성부(140)를 형성하게 된다.
상기와 같이 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 공간 내부 공간에 절연성 탄성부(140)의 충진이 완료된 후, 부착되었던 차단 시트(160)를 제거함으로써, 도 11에 도시된 바와 같은 양방향 도전성 시트(100)의 제작이 완료된다.
여기서, 절연성 탄성부(140)은 3차원 망상 구조의 빈 공간을 채움으로서 양방향 도전성 시트(100)의 전기 전도성에는 영향을 미치지 않고, 절연성 탄성부(140)가 갖는 탄성의 정도에 따라 양방향 도전성 시트(100)의 탄성의 정도를 결정할 수 있게 된다.
한편, 상술한 바와 같이, 도전성 메쉬층(150)을 형성하는데 있어, 베이스 구조부(110)에 메쉬(150a)를 부착하여 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)를 형성하는 과정에서 메쉬(150a)에도 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)가 형성되어 도전성이 부가됨으로써 도전성 메쉬층(150)이 형성되는 것을 예로 하였다.
이외에도, 메쉬(150a) 자체가 도전성을 갖거나 메쉬(150a)에 도금이 완료된 상태에서, 즉 도전성 메쉬(150a)를 베이스 구조부(110)에 부착하여 제작 가능함은 물론이다. 이 때, 도전성 메쉬(150a)의 부착 공정은 보강부(120) 및 도전성 금속부(130)가 베이스 구조부(110)에 형성된 후에 부착 가능하다.
제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
이하에서는 도 16을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)는, 도 16에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 도전성 탄성층(151)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)는 보강부(120)를 더 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)의 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 보강부(120)의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
도전성 탄성층(151)은 베이스 구조부(110)의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성된다. 도 16에서는 도전성 탄성층(151)이 베이스 구조부(110)의 상부 표면과 하부 표면 양측에 형성되는 것을 예로 하고 있다.
여기서, 도전성 탄성층(151)은 도전성 분말이 포함되어 형성되어 도전성을 갖게 된다. 본 발명에서는 도전성 분말로 금(Au)이 코팅된 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 자체, 니켈 분말, 구리 분말 등과 같이 도전성이 우수한 다양한 형태의 분말이 하나 또는 그 이상이 섞여서 사용될 수 있다.
그리고, 도전성 탄성층(151)은 도전성 분말과 실리콘 고무가 혼합된 혼합 실리콘을 베이스 구조부(110)의 양측에 일정 두께로 코팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 이외에도 도전성 탄성층(151)의 형성 방법은 당업자가 다양한 방법을 통해 적용할 수 있음은 물론이다.
상기와 같이, 베이스 구조부(110)의 도전성 탄성층(151)을 형성하여, 양방향 도전성 시트(100)의 양측 표면을 보강하면서도 일정 크기의 탄성을 제공할 수 있게 된다.
여기서, 도전성 탄성층(151)의 형성 공정은 베이스 구조부(110)에 도전성 금속부(130) 및 보강부(120)가 형성된 후에 형성될 수 있다. 여기서, 여기서, 도전성 금속부(130) 및 보강부(120)의 형성 과정은 제1 실시예에 대응하는 바 그 설명은 생략한다.
이 때, 베이스 구조부(110)에 도전성 금속부(130) 및 보강부(120)가 형성된 후 도전성 탄성층(151)을 형성하고, 그리고 절연성 탄성부(140)를 형성하는 경우, 베이스 구조부(110)의 양측에 형성된 도전성 탄성층(151)에 의해 절연성 탄성부(140)를 형성하기 위한 절연 재질이 베이스 구조부(110)의 상부 및 하부로 노출되는 것이 차단될 수 있어, 제2 실시예에서와 같은 차단 시트(160)의 부착 공정은 생략될 수 있다.
반면, 도전성 탄성층(151)을 절연성 탄성부(140)의 형성 후에 형성할 때에는 도전성 금속부(130) 및 보강부(120) 형성 후에 차단 시트(160)를 부착한 후 절연성 탄성부(140)를 형성하는 것이 바람직할 것이다.
제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
이하에서는 도 17을 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)는, 도 17에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130) 및 도전성 충진부(141)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)는 보강부(120)를 더 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)의 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130) 및 보강부(120)의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)는, 제1 실시예와 달리, 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 공간의 빈 공간에 비도전성의 절연성 탄성부(140)가 형성되지 않고, 도전성 충진부(141)가 형성된다. 즉, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)에서는 도전성 분말을 포함하는 도전성 충진부(141)가 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 채워져 형성됨으로써, 도전성 충진부(141) 자체가 도전체로서의 기능을 수행하게 된다.
따라서, 베이스 구조부(110)의 전체 표면, 즉 3차원 망상 구조의 전체 표면에 도금된 도전성 금속부(130)에 의해 베이스 구조부(110)에 도전성이 형성되는 것에 더하여, 베이스 구조부(110)의 3차원 망상 구조 내부를 채우는 도전성 충진부(141)에 의해서도 도전성이 형성됨으로써, 양방향 도전성 시트(100c)의 도전성을 높일 수 있게 된다.
또한, 도전성 충진부(141)를 도전성 분말과 실리콘 고무를 혼합하여 사용함으로써, 실리콘 고무에 의한 탄성의 부가가 가능하게 되어 제1 실시예에 따른 절연성 탄성부(140)가 제공하는 탄성적 성질도 가질 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)에는, 도 11에 도시된 바와 같은 도전성 메쉬층(150)이 추가적으로 형성되거나, 도 16에 도시된 도전성 탄성층(151)이 추가적으로 형성될 수 있음은 물론이다.
여기서, 도전성 충진부(141)는 자체가 도전성을 가지므로, 도전성 충진부(141)를 형성하는 도전성 재질이 베이스 구조부(110)의 상부 또는 하부로 노출되어도 도전성에 영향을 미치지 않으므로, 도전성 충진부(141)의 형성 과정에서 상술한 차단 시트(160)를 부착하지 않아도 무방할 것이다.
제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
이하에서는 도 18을 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)는 제4 실시예의 변형된 실시 형태이다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)는, 도 18에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110) 및 도전성 충진부(141)를 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)는 제4 실시예에서의 도전성 금속부(130) 및 보강부(120)가 제거된 상태, 즉 베이스 구조부(110) 상태에서 도전성 충진부(141)가 형성되는 것을 예로 하고 있다.
따라서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)에서는 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 채워지는 도전성 충진부(141)가 양방향 도전성 시트(100d) 전체에 도전성을 부가하도록 마련된다. 여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)의 도전성 충진부(141)의 구성은 제4 실시예에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)에는, 도 11에 도시된 바와 같은 도전성 메쉬층(150)이 추가적으로 형성되거나, 도 16에 도시된 도전성 탄성층(151)이 추가적으로 형성될 수 있음은 물론이다.
여기서, 도전성 충진부(141)는 자체가 도전성을 가지므로, 도전성 충진부(141)를 형성하는 도전성 재질이 베이스 구조부(110)의 상부 또는 하부로 노출되어도 도전성에 영향을 미치지 않으므로, 도전성 충진부(141)의 형성 과정에서 상술한 차단 시트(160)를 부착하지 않아도 무방할 것이다.
한편, 상술한 실시예들에 따른 양방향 도전성 시트(100,100a,100b,100c,100d)의 두께, 즉 상하 방향으로의 길이는 0.1mm~ 6mm로 형성되는 것을 예로 한다. 따라서, 상술한 실시예들에 따른 양방향 도전성 시트(100,100a,100b,100c,100d)로 단위 패턴 시트(100')를 형성하는 경우 반도체 테스트 소켓(10)의 두께가 0.1mm~ 6mm로 형성 가능하게 된다.
따라서, 종래의 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓이 그 특성상 두께의 제약을 받아 포고 타입의 테스트 소켓을 사용하여야 했던 문제점이 해소되어, 기존의 포고 타입의 반도체 테스트 소켓 및 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓이 적용되었던 모든 분야에 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)이 적용 가능하게 된다.
제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓
이하에서는 도 19 및 도 20을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(10)에 대해 설명한다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(10)이 적용된 반도체 테스트 장치와 반도체 테스트 소켓(10)를 설명하는데 있어, 상술한 제1 실시예에 대응하는 구성에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하며, 그 설명은 생략할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓(10)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 절연성 소켓 본체(11)와, 도전 패턴부(12) 및 도전성 커버 시트(102)를 포함한다.
절연성 소켓 본체(11)에는 상하 방향으로 관통 형성된 다수의 패턴 홀이 형성되며, 각 패턴 홀에 도전 패턴부(12)가 형성됨으로써, 절연성 소켓 본체(11)가 상하 방향으로 전기적으로 도통된다. 여기서, 절연성 소켓 본체(11)는 절연성 재질의 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 예로 하며, 이외에도 일정 탄성을 갖는 절연성 재질, 예를 들어 플라스틱 재질 등으로도 마련될 수 있다.
도전 패턴부(12)는 패턴 홀을 통해 소켓 본체가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 각 패턴 홀에 형성된다. 여기서, 도전 패턴부(12)는 도전성 분말, 예를 들어 니켈 입자에 금(Au)이 코팅된 도전성 분말을 포함하여 형성됨으로써, 전기적인 도전체 성질을 갖는다. 이외에도, 도전성 분말은 은 분말, 금 분말 자체, 니켈 분말, 구리 분말 등과 같이 도전성이 우수한 다양한 형태의 분말이 하나 또는 그 이상이 섞여서 사용될 수 있다.
여기서, 도전 패턴부(12)는 패턴 홀에 도전성 분말을 충진하는 방법이나, 한국공개특허공보 제2004-0084202호에 개시된 액체 실리콘과 도전성 분말이 혼합된 혼합 실리콘의 상하에 자석을 배치하고, 자석의 자력선 방향으로 도전성 분말이 결집하게 하는 방법을 통해 형성될 수 있다.
도전성 커버 시트(102)는 절연성 소켓 본체(11)의 상부 및 하부 중 적어도 어느 일측 표면에 부탁되어 각 도전 패턴부(12)를 개별적으로 커버한다. 본 발명에서는, 도 19에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(3)와 접촉되는 절연성 소켓 본체(11)의 상부만 도전성 커버 시트(102)가 부착되는 것을 예로 하고 있으나, 하부에도 부착 가능함은 물론이다.
여기서, 도전성 커버 시트(102)는 상호간에는 전기적으로 절연되도록 상호 이격된 상태로 절연성 소켓 본체(11)에 부착되며, 각각 도전 패턴부(12)를 커버 가능하도록 도전 패턴부(12)의 크기보다 크게 마련된다.
상기와 같은 구성에 따라, 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)을 이용하여 반도체 소자(3)를 테스트하는 경우, 반도체 소자(3)의 단자(3a)는 반도체 테스트 소켓(10)의 도전성 커버 시트(102)와의 접촉을 통해 도전 패턴부(12)와 전기적으로 연결됨으로써, 도전 패턴부(12)를 형성하는 도전성 분말이 반도체 소자(3)의 단자(3a)와 직접 접촉하는 것을 차단할 수 있어 도전성 분말의 이탈을 방지할 수 있게 된다. 따라서, 반도체 테스트 소켓(10)의 교체 주기를 증가시킴으로써, 전체 제조 단가를 낮출 수 있게 된다.
한편, 본 발명에 따른 도전성 커버 시트(102)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100)가 압착된 상태(101)로 단위 크기로 절단되어 형성된다. 도 20의 (a)는 본 발명에 따른 도전성 커버 시트(102)의 형성을 위한 양방향 도전성 시트(100)를 도시한 도면이고, 도 20의 (b)는 양방향 도전성 시트(101)가 압착된 상태를 도시한 도면이다.
여기서, 압착된 양방향 도전성 시트(101)를 도 20의 (c)에 도시된 바와 같이 단위 크기로 절단하여 도전성 커버 시트(102)를 형성한 후 절연성 소켓의 본체에 부착하는 방법으로 반도체 테스트 소켓(10)을 형성할 수 있다. 여기서, 도 20의 (b)에 도시된 압착된 양방향 도전성 시트(101)를 절연성 소켓 본체(11)에 부착한 후, 레이저 절단기(300)를 이용하여 절단함으로써 도전성 커버 시트(102)를 형성할 수 있다.
한편, 도전성 커버 시트(102)는 상기와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100) 뿐만 아니라, 다른 실시예들에 따른 양방향 도전성 시트(100a,100b,100c,100d)를, 도 20에 도시된 바와 같이 압착하여 제작될 수 있음은 물론이다. 여기서, 도전성 커버 시트(102)를 형성하기 위한 양방향 도전성 시트(100,100a,100b,100c,100d)의 구성은 상술한 바와 같은 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
한편, 상술한 실시예에서는 양방향 도전성 시트(100,100a,100b,100c,100d)를 3차원 망상 구조를 갖는 베이스 구조부(110)를 이용하여 형성하는 방법에 대해 설명하였다. 이하에서는 도전성 분말을 이용하여 양방향 도전성 시트(도 21의 200 참조)를 제작하는 방법에 대해 설명한다.
먼저, 도전성 분말과 액상의 실리콘 고무를 혼합하여 도전성 혼합액을 마련한다. 여기서, 도전성 분말로는 금(Au)이 코팅된 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 자체, 니켈 분말, 구리 분말 등과 같이 도전성이 우수한 다양한 형태의 분말이 하나 또는 그 이상이 섞여서 사용될 수 있다.
또한, 도전성 혼합액을 형성하는데 있어, 액상의 접착용 프라이머를 함께 온합하여 도전성 혼합액을 형성함으로서, 도전성 분말과 실리콘 고무 간의 결합을 보다 견고히 할 수 있다.
상기와 같이 도전성 혼합액이 마련되면, 도전성 혼합액을 열경화시켜, 도 8에 도시된 바와 같은 형상의 양방향 도전성 시트(200)를 제작한다. 여기서, 도 8에 도시된 바와 같은 형상의 양방향 도전성 시트(200)의 형성은 도전성 혼합액을 금형에 주입한 후, 열경화시킴으로써 제작될 수 있다.
상기와 같은 방법으로 양방향 도전성 시트(200)를 도 8에 도시된 바와 같이 절단한 후, 도 9에 도시된 바와 같이 반도체 테스트 소켓을 제작할 수 있다.
이하에서는 도 21 내지 도 25를 참조하여 본 발명에 따른 양방향 도전성 다층 시트에 대해 상세히 설명한다.
제1 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트
본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300)는, 도 21에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트(200)와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트(100)가 교대로 적층되어 형성된다.
도 21에서는 2개씩의 제1 양방향 도전성 시트(200) 및 제2 양방향 도전성 시트(100)가 교대로 적층되는 것을 예로 하고 있으며, 또한 하부로부터 제2 양방향 도전성 시트(100), 제1 양방향 도전성 시트(200), 제2 양방향 도전성 시트(100) 및 제2 양방향 도전성 시트(200)가 순차적으로 적층된 것을 예로 하고 있다.
여기서, 본 발명에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300)를 구성하는 제1 양방향 도전성 시트(200)는 상술한 바와 같이 도전성 분말에 의해 형성되는 양방향 도전성 시트(200)가 적용되는 것을 예로 한다. 보다 구체적으로 설명하면, 상술한 바와 같은 제조방법으로 제작된 양방향 도전성 시트(200), 즉 제1 양방향 도전성 시트(200)는 실리콘 고무 재질의 시트 본체와, 시트 본체 내부에 분포되어 제1 양방향 도전성 시트(200)에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 양방향 도전성 시트(200)는 상술한 바와 같이, 액상의 접착성 프라이머와 함께 혼합된 도전성 혼합액을 통해 제조 가능하며 제1 양방향 도전성 시트(200)의 제조 방법은 상술한 바와 같은 바 그 상세한 설명은 생략한다.
한편, 제2 양방향 도전성 시트(100)은 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100)가 적용되는 것을 예로 한다. 여기서, 제2 양방향 도전성 시트(100)의 구성은 상술한 바와 같은 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트
도 22는 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300a)의 구성을 도시한 도면이다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300a)는 제1 양방향 도전성 시트(200)와 제2 양방향 도전성 시트(100)의 적층 순서가 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300)와 상이하다.
도 22을 참조하여 설명하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300a)는 하부로부터 제1 양방향 도전성 시트(200), 제2 양방향 도전성 시트(100), 제1 양방향 도전성 시트(200) 및 제2 양방향 도전성 시트(100)가 순차적으로 적층된 것을 예로 하고 있다. 여기서, 제1 양방향 도전성 시트(200) 및 제2 양방향 도전성 시트(100)의 구성은 제1 실시예에 대응하는 바 그 상세한 설명은 생략한다.
제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트
도 23은 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 구성을 도시한 도면이다. 여기서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)를 설명하는데 있어, 제1 실시예에 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하여 설명하며, 그 설명은 생략할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)는 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 상부 표면 및 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되는 도전성 메쉬부(160)를 포함할 수 있다. 여기서, 도 23에서는 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 상부 표면, 즉 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 최상부 층을 형성하는 제1 양방향 도전성 시트(200)의 표면에만 도전성 메쉬부(160)가 형성되는 것을 예로 하고 있다.
여기서, 본 발명에 따른 도전성 메쉬부(160)는 2차원의 망상 구조를 갖는다. 도 23을 참조하여 설명하면, 도전성 메쉬부(160)는 2차원의 망상 구조를 갖는 2 이상의 메쉬(160a)가 적층되고, 적층된 메쉬(160a) 사이와 각각의 메쉬(160a)에 형성된 2차원의 망상 구조 사이에 도전성 혼합액(160b)이 충진 및 경화되어 형성된다. 여기서, 도전성 혼합액(160a)은 도전성 분말과, 실리콘 고무가 혼합되어 마련될 수 있으며, 상술한 바와 같이 접착용 프라이머가 함께 혼합될 수 있음은 물론이다.
이와 같이, 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 도전성 메쉬부(160)을 형성함으로써, 양방향 도전성 다층 시트(300b)의 최상부 또는 최하부에 제1 양방향 도전성 시트(200), 즉 도전성 분말을 통해 도전성을 형성하는 양방향 도전성 시트(200)가 마련되는 경우, 도전성 메쉬부(160)에 의해 도전성 분말의 이탈이 방지되어, 양방향 도전성 다층 시트(300b)가 반도체 테스트 소켓(10)의 도전 패턴을 형성하더라도 도전성 분말의 이탈에 의한 수명 저하 및 접속 불량을 제거할 수 있게 된다.
여기서, 도전성 메쉬부(150)가 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300b)에 형성되는 것을 예로 하여 설명하였으나, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300,300a,300c,300d)에도 도전성 메쉬부(160)가 형성될 수 있음은 물론이다.
제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트
도 24는 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)의 구성을 도시한 도면이다. 여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)를 설명하는데 있어, 제1 실시예에 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하여 설명하며, 그 설명은 생략할 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300c)를 구성하는 제2 양방향 도전성 시트(100c)는, 도 17에 도시된 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)가 적용되며, 그 상세한 설명은 생략한다.
제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트
이하에서는 도 25를 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300d)에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300d)를 설명하는데 있어, 제1 실시예에 대응하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하여 설명하며, 그 설명은 생략할 수 있다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 다층 시트(300d)를 형성하는 제2 양방향 도전성 시트(100d)는, 도 18에 도시된 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)가 적용되며, 그 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같은 양방향 도전성 다층 시트(300,300a,300b,300c,300d)를 도 8 및 도 9에 도시된 양방향 도전성 시트(100)를 대체하여 적용함으로써, 반도체 테스트 소켓(10)의 제작이 가능하게 된다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사에 사용되는 반도체 테스트 소켓으로, 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용될 수 있다.

Claims (28)

  1. 양방향 도전성 시트에 있어서,
    3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와;
    상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와;
    전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  2. 양방향 도전성 시트에 있어서,
    3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와;
    상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와;
    전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부와;
    상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  3. 양방향 도전성 시트에 있어서,
    3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와;
    상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와;
    전기적인 절연 재질로 마련되어 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채우는 절연성 탄성부와;
    상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 도전성 분말이 포함되어 형성되는 도전성 탄성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  4. 양방향 도전성 시트에 있어서,
    3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와;
    상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와;
    도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  5. 양방향 도전성 시트에 있어서,
    3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와;
    도전성 분말이 포함되어 마련되며, 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 구조부의 상기 3차원의 망상 구조의 표면에 코팅되어 상기 3차원의 망상 구조의 표면과 상기 도전성 금속부 사이에 형성되는 금속 재질의 보강부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 보강부는 니켈 또는 구리 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한에 있어서,
    상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 금속층은 금 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 도전성 메쉬층에 형성된 상기 2차원의 망상 구조의 공간 사이즈는 0.01mm ~ 0.4mm인 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트.
  13. 반도체 테스트 소켓에 있어서,
    제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 양방향 도전성 시트가 단위 크기로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와;
    상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 절연성 지지부는 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  15. 반도체 테스트 소켓에 있어서,
    상하 방향으로 관통된 다수의 패턴 홀이 형성된 절연성 소켓 본체와,
    상기 패턴 홀을 통해 상기 소켓 본체가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 패턴 홀에 형성되는 도전 패턴부와,
    상기 절연성 소켓 본체의 상부 및 하부 중 적어도 어느 일측 표면에 부착되어 상기 각 도전 패턴부를 개별적으로 커버하는 도전성 커버 시트를 포함하며;
    상기 도전성 커버 시트는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 양방향 도전 시트가 압착된 상태로 단위 크기로 절단되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  16. 양방향 도전성 다층 시트에 있어서,
    적어도 하나의 제1 양방향 도전성 시트와 적어도 하나의 제2 양방향 도전성 시트가 교대로 적층되어 형성되며;
    상기 제1 양방향 도전성 시트는 실리콘 고무 재질의 시트 본체와, 상기 시트 본체 내부에 분포되어 상기 제1 양방향 도전성 시트에 도전성을 형성하는 도전성 분말을 포함하고;
    상기 제2 양방향 도전성 시트는 제1항, 제4항 또는 제5항에 따른 양방향 도전성 시트로 마련되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 양방향 도전성 다층 시트의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 다층 시트.
  18. 반도체 테스트 소켓에 있어서,
    제16항에 따른 양방향 도전성 다층 시트가 단위 크기 단위로 절단되어 형성된 복수의 단위 패턴 시트와;
    상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호간에 전기적으로 절연된 상태로 배치되도록 상기 복수의 단위 패턴 시트를 지지하되, 상기 각 단위 패턴 시트가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 각 단위 패턴 시트를 지지하는 절연성 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  19. 양방향 도전성 시트의 제조방법에 있어서,
    (a) 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부를 형성하는 단계와;
    (b) 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면에 도전성 금속부를 형성하는 단계와;
    (c) 상기 베이스 구조부의 상기 3차원의 망상 구조 내부가 상기 베이스 구조부의 상부 및 하부 방향으로 차단되도록 상기 베이스 구조부의 상부 및 하부를 차단 시트로 차단하는 단계와;
    (d) 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충진하되, 상기 베이스 구조부의 측면을 통해 상기 절연 재질을 충진하여 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 절연성 탄성부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    (e) 상기 (b) 단계의 수행 전에 상기 베이스 구조부의 상부 표면 및 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 2차원의 망상 구조를 갖는 메쉬를 부착하는 단계를 더 포함하며;
    상기 (b) 단계에서는 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면과 상기 메쉬의 표면에 상기 도전성 금속부가 형성되고;
    상기 (c) 단계에서는 상기 차단 시트가 상기 베이스 구조부 또는 상기 메쉬에 부착되어 상기 베이스 구조부의 상부 및 하부가 차단되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    (f) 상기 (e) 단계와 상기 (b) 단계의 수행 전에 상기 베이스 구조부 및 상기 메쉬의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 도전성 금속층은 금 도금을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 시트의 제조방법.
  23. 반도체 테스트 소켓의 제조방법에 있어서,
    (a) 도전성 분말과 액상의 실리콘 고무를 혼합하여 도전성 혼합액을 마련하는 단계와;
    (b) 상기 도전성 혼합액을 열경화시켜 양방향 도전성 시트를 제작하는 단계와;
    (c) 상기 양방향 도전성 시트를 단위 크기로 절단하여 복수의 단위 패턴 시트를 제작하는 단계와;
    (d) 상기 복수의 단위 패턴 시트가 상호 이격되어 배치된 상태에서 상기 복수의 단위 패턴 시트 사이를 전기적 절연 재질로 채워 절연성 지지체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 (d) 단계에서 상기 전기적 절연 재질은 실리콘 고무 재질 또는 플라스틱 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 상기 도전성 혼합액은 액상의 접착용 프라이머가 함께 혼합되어 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서 상기 도전성 혼합액은 금형에 주입된 상태로 열경화되어 상기 양방향 도전성 시트로 제작되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
  27. 제23항에 있어서,
    (e) 상기 (c) 단계의 수행 전에 상기 양방향 도전성 시트의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 2차원의 망상 구조를 갖는 적어도 한 층의 도전성 메쉬층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 도전성 메쉬층은 2차원의 망상 구조를 갖는 적어도 2 이상의 메쉬가 적층되고, 상기 메쉬 사이와 상기 각 메쉬의 2차원의 망상 구조 사이에 도전성 분말과 실리콘 고무가 혼합된 도전성 혼합액이 충진 및 경화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017111198A1 (ko) * 2015-12-21 2017-06-29 주식회사 이노글로벌 반도체 테스트용 양방향 컨텍트 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101462968B1 (ko) 2013-12-19 2014-11-20 에이케이이노텍주식회사 반도체 테스트 소켓
KR101976701B1 (ko) * 2015-05-15 2019-05-09 주식회사 아이에스시 이방 도전성 시트
KR101890812B1 (ko) * 2016-09-29 2018-08-22 주식회사 아이에스시 검사용 접촉핀 및 검사용 접촉장치
KR101864859B1 (ko) * 2016-12-07 2018-06-05 주식회사 아이에스시 검사용 소켓장치
WO2018147511A1 (ko) * 2017-02-09 2018-08-16 주식회사 이노글로벌 양방향 도전성 핀 및 양방향 도전성 패턴 모듈, 그리고 이를 이용한 양방향 도전성 소켓
KR101911496B1 (ko) * 2018-04-13 2018-12-28 황동원 반도체 디바이스 테스트 소켓장치
KR102387745B1 (ko) * 2020-06-23 2022-05-19 (주)하이그레이드 손상된 실리콘 러버 소켓 복원 방법
KR102389136B1 (ko) * 2021-12-27 2022-04-21 주식회사 새한마이크로텍 신호 손실 방지용 테스트 소켓

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05151822A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 導電性弾性体とその製造方法並びにそれを用いた電池
JP2001351445A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Jsr Corp 複合シートの製造方法および複合シート
KR20040023776A (ko) * 2002-09-11 2004-03-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전자 디바이스 검사용 콘택트시트 및 그 제조방법
JP2006196475A (ja) * 2006-04-20 2006-07-27 Jsr Corp 異方導電性シートおよびコネクター並びに異方導電性シートの製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028258A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Nisshinbo Ind Inc 積層シートおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05151822A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 導電性弾性体とその製造方法並びにそれを用いた電池
JP2001351445A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Jsr Corp 複合シートの製造方法および複合シート
KR20040023776A (ko) * 2002-09-11 2004-03-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 전자 디바이스 검사용 콘택트시트 및 그 제조방법
JP2006196475A (ja) * 2006-04-20 2006-07-27 Jsr Corp 異方導電性シートおよびコネクター並びに異方導電性シートの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017111198A1 (ko) * 2015-12-21 2017-06-29 주식회사 이노글로벌 반도체 테스트용 양방향 컨텍트 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓
KR101852862B1 (ko) * 2015-12-21 2018-04-30 주식회사 이노글로벌 반도체 테스트용 양방향 컨텍트 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓

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