WO2012042820A1 - ナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法 - Google Patents

ナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法 Download PDF

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nanoimprint
nanoimprint mold
mold
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尚俊 佐藤
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富士フイルム株式会社
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    • G—PHYSICS
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    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer

Definitions

  • the present invention relates to a nanoimprint mold having a concavo-convex pattern corresponding to or inverted to a predetermined concavo-convex pattern on its surface, a manufacturing method thereof, and a nanoimprint method using the same.
  • Nanoimprint is a development of embossing technology that is well known for optical disc production. Specifically, nanoimprinting involves pressing a mold master (generally called a mold, stamper, or template) with a concavo-convex pattern against the resist applied on the workpiece, and then dynamically deforming or flowing the resist. This is a technology for precisely transferring fine patterns. Once the mold is made, it is economical because nano-level microstructures can be easily and repeatedly molded, and it is a transfer technology with little harmful waste and emissions, so it has recently been applied to various fields. Expected.
  • a mold master generally called a mold, stamper, or template
  • a resist is uniformly coated on a workpiece by spin coating or the like to form a resist film, and then a pattern transfer is performed by pressing the uneven pattern surface of the mold.
  • the thickness of the resist film to which the pattern is transferred may vary depending on the surface shape of the substrate.
  • “thickness unevenness of the resist film” means that in the region where the concavo-convex pattern exists, the thickness of the convex portions and the thickness of the concave portions vary, or in the region where the concavo-convex pattern does not exist, This refers to non-uniformity related to the thickness of the resist film, including the occurrence of variations in the thickness between any two points.
  • Such uneven thickness of the resist film after imprinting affects a post-process (such as an etching process of a workpiece) and lowers the final pattern transfer accuracy.
  • Patent Document 1 in a nanoimprint mold having a concavo-convex pattern on the surface, the thickness of the resist film as described above is defined by defining the 10-point average surface roughness at the top of the convex portion and the bottom of the concave portion of the concavo-convex pattern, respectively. A method for eliminating the unevenness is disclosed.
  • Patent Document 1 may cause a problem that it is difficult to eliminate the uneven thickness of the resist film to the extent required in the production of media that uses a fine pattern transfer technique of several tens of nanometers in recent years. . Therefore, even in the nanoimprint method using a fine concavo-convex pattern, a method that can more reliably eliminate the uneven thickness of the resist film after the imprint is desired.
  • the present invention has been made in response to the above-mentioned demand, and in a nanoimprint method using a fine uneven pattern, a nanoimprint mold that can more reliably eliminate uneven thickness of a resist film after imprinting,
  • An object of the present invention is to provide a production method and a nanoimprint method using the same.
  • the nanoimprint mold according to the present invention is: In the nanoimprint mold manufactured by forming a fine uneven pattern on the surface of the substrate, As the substrate, a substrate having a surface shape after the mold release treatment and before the uneven pattern is formed, the surface shape having a 3 ⁇ value of 1 to 3 nm regarding the height difference distribution is used. It is characterized by being manufactured.
  • the “level difference distribution” means a level difference distribution based on an average value regarding the height of the surface shape.
  • 3 ⁇ value means an absolute value of ⁇ 3 ⁇ from an average value obtained by approximating a height difference distribution with a Gaussian distribution.
  • ⁇ is a standard deviation in a Gaussian distribution.
  • the 3 ⁇ value is preferably 1 to 2 nm.
  • the 3 ⁇ value is preferably a value calculated as a result of measuring the surface shape in a range of at least 30 mm square.
  • alkaline mechanical colloidal silica and a foamed polyurethane pad are used as a substrate having a surface shape, and chemical mechanical polishing (CMP) is performed under conditions where the polishing pressure is 60 to 80 g / cm 2 and the polishing time is 450 to 800 s. Then, it is preferable to manufacture using a Si substrate formed by subsequent mold release treatment.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the method for producing a nanoimprint mold according to the present invention is a method for producing a nanoimprint mold for forming a fine uneven pattern on the surface of a substrate.
  • a substrate having a surface shape after the release treatment and before the formation of the uneven pattern and having a surface shape with a 3 ⁇ value of 1 to 3 nm for the height difference distribution is used as the substrate. It is characterized by.
  • a substrate having a 3 ⁇ value of 1 to 2 nm it is preferable to use a substrate having a 3 ⁇ value of 1 to 2 nm as the substrate.
  • the 3 ⁇ value is preferably a value calculated as a result of measuring the surface shape in a range of at least 30 mm square.
  • the substrate having a surface shape was subjected to chemical mechanical polishing using alkaline colloidal silica and a foamed polyurethane pad under the conditions of a polishing pressure of 60 to 80 g / cm 2 and a polishing time of 450 to 800 s, and then a release treatment. It is preferable to use the Si substrate formed by this.
  • the nanoimprint method according to the present invention uses the nanoimprint mold described above, Form a resist film on the work surface of the work piece, Press the uneven pattern of the nanoimprint mold against the resist film, transfer the uneven pattern to the resist film, The nanoimprint mold is peeled off from the resist film.
  • the nanoimprint mold and the manufacturing method thereof according to the present invention in particular, as a substrate on which the nanoimprint mold is based, have a surface shape of a pattern formation surface after being subjected to a release treatment and before a concavo-convex pattern is formed, Since a substrate having a surface shape with a 3 ⁇ value of 1 to 3 nm regarding the height difference distribution is used, unevenness of the surface shape of the nanoimprint mold can be reduced. As a result, even in the nanoimprint method using a fine concavo-convex pattern, it is possible to more reliably eliminate the thickness unevenness of the resist film after imprinting.
  • the nanoimprint method according to the present invention is a surface shape of a pattern forming surface after being subjected to a release treatment and before a concavo-convex pattern is formed as a substrate on which a nanoimprint mold is based, and relates to an elevation difference distribution.
  • a mold manufactured using a substrate having a surface shape with a 3 ⁇ value of 1 to 3 nm is used. Therefore, by using the nanoimprint mold in which the unevenness of the surface shape is reduced, it is possible to more reliably eliminate the unevenness of the resist film thickness after the imprint even in the nanoimprint method using the fine uneven pattern.
  • the nanoimprint mold of this invention it is the schematic which shows the surface in which the uneven
  • FIG. (1) which shows the evaluation criteria of the thickness nonuniformity of the resist film after an imprint.
  • FIG. (2) which shows the evaluation criteria of the thickness nonuniformity of the resist film after an imprint.
  • FIG. (The 3) which shows the evaluation criteria of the thickness nonuniformity of the resist film after an imprint.
  • FIG. 1 is a partially enlarged perspective view of a nanoimprint mold 10 according to the present embodiment
  • FIG. 2 is an overall plan view of the nanoimprint mold of FIG.
  • the nanoimprint mold 10 of this embodiment is composed of a substrate 12, and has a fine uneven pattern on the surface according to transfer information.
  • the convex portions of the fine concavo-convex pattern P are rectangular in plan view, and have a length A in the track direction (the circumferential direction of the disc, the arrow direction in FIG. 1) and a track width direction (the radial direction of the disc).
  • the values of the length L and the height (thickness) H of the protrusion are appropriately designed according to the recording density, the recording signal waveform, and the like.
  • the length A is set to 80 nm and the length L is set to 200 nm.
  • the fine uneven pattern P is formed such that the length L in the track width direction is longer than the length A in the track direction.
  • the length L in the track width direction is preferably 0.05 to 20 ⁇ m, and the length A in the track direction is preferably 0.05 to 5 ⁇ m. In this range, it is preferable to select a pattern having a longer track width direction as a pattern carrying servo signal information.
  • the height H of the convex pattern is preferably in the range of 20 to 800 nm, and more preferably in the range of 30 to 600 nm.
  • the overall shape of the nanoimprint mold 10 is formed on a disk-shaped disk having an outer diameter Ro, an inner diameter Ri, and a center hole 16, and is one side excluding the inner peripheral portion 17a and the outer peripheral portion 17b.
  • An uneven pattern P as shown in FIG. 1 is formed in the annular region 18.
  • the nanoimprint mold 10 of the present embodiment is a surface shape of the substrate 12 after being subjected to the release treatment and before the formation of the concavo-convex pattern, and the 3 ⁇ value regarding the height difference distribution is 1 to 3 nm.
  • a photoresist film is provided on the surface having the above surface shape, a portion of the photoresist film corresponding to the concavo-convex pattern is exposed and drawn with an electron beam, and the exposed portion of the photoresist film is developed by development.
  • the photoresist is removed and etched using, for example, reactive ion etching (RIE) using the remaining photoresist as a mask.
  • RIE reactive ion etching
  • any of Si substrate, Si oxide, Si nitride, quartz, a metal, and resin are preferred.
  • various metals, such as Ni, Cu, Al, Mo, Co, Cr, Ta, Pd, Pt, Au, or these alloys can be used, for example.
  • Ni and Ni alloys are particularly preferable.
  • the resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), triacetate cellulose (TAC), and a low melting point fluororesin.
  • the substrate 12 on which the nanoimprint mold is based is formed on the surface shape after the mold release process and before the concave / convex pattern is formed so that unevenness in the surface shape of the nanoimprint mold manufactured using the substrate 12 is reduced.
  • the 3 ⁇ value of the surface shape was measured by NewView 6300 manufactured by ZYGO.
  • the 3 ⁇ value is preferably a value calculated as a result of measuring the surface shape in a range of at least 30 mm square.
  • the measurement range is more preferably 40 mm square, and particularly preferably 50 mm square. This is because the difference in height between two points relatively distant from each other by about 1 mm can be reduced by analyzing the surface shape height difference distribution with a more macroscopic range as an evaluation target.
  • the size of one general semiconductor chip is 26 mm ⁇ 33 mm
  • the evaluation of the resist film thickness unevenness and imprint defect in the range corresponding to the entire chip area is as described above. This is because the reliability can be secured more by making the range of the area to be evaluated.
  • Patent Document 1 defines the roughness of the uneven pattern of the nanoimprint mold by an atomic force microscope (AFM), but the measurement range is an extremely narrow range that can be measured by the AFM, and the breadth thereof. Is about 0.1 mm square at most.
  • the range of the evaluation object in this patent document 1 is very narrow compared with the size per one semiconductor chip shown above. Therefore, with the method of Patent Document 1, it seems difficult to accurately evaluate the unevenness in thickness of the resist film and imprint defects in a range corresponding to the entire one-chip region. Furthermore, such a difficulty is caused by a narrow tolerance range of resist film thickness unevenness in the nanoimprint method that transfers a fine uneven pattern (for example, an uneven pattern of about 10 nm / 10 nm). It appears to be prominent.
  • AFM atomic force microscope
  • Such a surface shape is measured after chemical mechanical polishing (CMP) is performed and a release treatment is performed.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the conditions for CMP and mold release treatment are appropriately adjusted according to the material of the substrate.
  • the substrate material is Si
  • CMP is performed using alkaline colloidal silica and a foamed polyurethane pad under the conditions that the polishing pressure is 60 to 80 g / cm 2 and the polishing time is 450 to 800 s.
  • the alkaline colloidal silica preferably has a particle size of 10 to 100 nm, particularly about 40 nm.
  • the alkaline colloidal silica preferably has a pH of 9-11.
  • the release treatment is not particularly limited, but a release material is spin-coated on a substrate on which the nanoimprint mold is based, or the substrate on which the nanoimprint mold is based is immersed in a solution containing the release material. It is done by doing.
  • the release material is not particularly limited, but fluorine resin, hydrocarbon lubricant, fluorine lubricant, fluorine silane coupling agent and the like can be used. More specifically, as the mold release material, Durasurf HD-1101Z manufactured by Daikin Industries, Ltd. diluted with OPTOOL HD-ZV to a concentration of 25% can be used.
  • the substrate on which the nanoimprint mold is based is dip-coated on the release material under the conditions of a dip speed of 15 mm / sec and a pull-up speed of 5 mm / sec.
  • Rinse treatment was performed under conditions of a speed of 15 mm / sec and a pulling speed of 5 mm / sec, and a mold release treatment was performed.
  • the photoresist film is not particularly limited, and can be formed by a general material and method.
  • a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, and a resist composition containing at least one of these can be used.
  • a forming method a coating method or an ink jet method can be used.
  • the operation of the nanoimprint mold 10 according to the present invention and the manufacturing method thereof will be described.
  • the present inventor has found that the uneven thickness of the resist film after imprinting is greatly affected by the unevenness in the surface shape of the nanoimprint mold 10.
  • the nonuniformity in the surface shape of the nanoimprint mold 10 was a surface shape of the pattern formation surface of the board
  • the ⁇ unevenness in the surface shape '' of the nanoimprint mold means that in the region where the uneven pattern exists, the height of the convex portions and the depth of the concave portions vary, or in the region where the uneven pattern does not exist, It refers to non-uniformity regarding the surface shape of the nanoimprint mold, including the occurrence of variations in the height of any two points in the surface shape.
  • “unevenness in the surface shape” of the substrate that is the basis of the nanoimprint mold means that the height between any two points in the surface shape after the mold release treatment and before the uneven pattern is formed varies. This refers to non-uniformity related to the surface shape of the substrate that is the basis of the nanoimprint mold, including the occurrence of such a problem.
  • FIGS. 3A and 3B are conceptual diagrams for explaining that unevenness in the surface shape of the substrate 50 that is the basis of a nanoimprint mold 51 affects uneven unevenness in the surface of the nanoimprint mold 51.
  • FIGS. 3A and 3B when the surface shape of the substrate 50 is uneven, and the surface having the surface shape is processed to form a concavo-convex pattern, the unevenness of the surface shape is reflected as it is. It can be seen that the surface shape becomes uneven.
  • FIG. 3B when comparing the depth of the concave portion 52a and the depth of the other concave portion 52b in the concave / convex pattern, the maximum depth of d is caused by unevenness in the surface shape of the mold 51. A difference in height will occur. Then, by performing nanoimprinting using the nanoimprint mold 51 having such unevenness in the surface shape, unevenness in the thickness of the resist film after imprinting occurs.
  • the present invention relates to an elevation difference distribution on the surface shape after the mold release process and before the uneven pattern is formed as a requirement for defining appropriate flatness.
  • the 3 ⁇ value is 1 to 3 nm. That is, the upper limit value “3 nm” of the 3 ⁇ value is such that when the 3 ⁇ value exceeds the upper limit value, the resist mask height unevenness corresponding to the resist film thickness unevenness occurs, and a uniform pattern cannot be obtained. based on.
  • the lower limit value “1 nm” of the 3 ⁇ value is based on the fact that if the 3 ⁇ value is less than the lower limit value, the fluidity of the resist material during imprinting is inhibited.
  • the nanoimprint mold and the method for producing the same according to the present invention have a surface shape on the surface after the mold release treatment and before the concave / convex pattern is formed, particularly as a substrate on which the nanoimprint mold is based. Since a substrate having a surface shape with a 3 ⁇ value of 1 to 3 nm regarding the height difference distribution is used, unevenness of the surface shape of the nanoimprint mold can be reduced. As a result, even in the nanoimprint method using a fine concavo-convex pattern, it is possible to more reliably eliminate the thickness unevenness of the resist film after imprinting.
  • the nanoimprint method according to the present embodiment is a substrate having a surface shape after the release treatment and before the formation of the uneven pattern, and having a surface shape with a 3 ⁇ value of 1 to 3 nm related to the height difference distribution.
  • the nanoimprint mold of the present invention formed using the above is used.
  • the nanoimprint method of the present embodiment uses the nanoimprint mold of the present invention having a fine uneven pattern corresponding to transfer information on the surface, and performs a mold release treatment on the surface on which the uneven pattern of the nanoimprint mold is formed.
  • a resist film is formed on the workpiece, the uneven pattern of the nanoimprint mold is pressed against the resist film, the uneven pattern is transferred to the resist film, and then the nanoimprint mold is peeled off from the resist film. Moreover, it is preferable to carry out a remaining film removal step or the like as necessary.
  • the nanoimprint mold of the present invention is as described above.
  • the mold release treatment is not particularly limited, but is performed in the same manner by applying the above-described mold release treatment described for the substrate on which the nanoimprint mold is based to the nanoimprint mold.
  • the resist film is the same as that described in the embodiments of the nanoimprint mold and the manufacturing method thereof.
  • the nanoimprint method according to the present invention is a surface shape of the surface after the mold release treatment and before the formation of the concave-convex pattern, particularly as a substrate on which the nanoimprint mold is based.
  • a mold manufactured using a substrate having a surface shape with a 3 ⁇ value relating to the difference distribution of 1 to 3 nm is used. Therefore, by using the nanoimprint mold in which the unevenness of the surface shape is reduced, it is possible to more reliably eliminate the unevenness of the resist film thickness after the imprint even in the nanoimprint method using the fine uneven pattern.
  • nanoimprint molds according to the present invention are shown below.
  • the polishing pressure is 60 g / cm 2 and the polishing time is 800 s using an alkaline colloidal silica (particle size 40 nm) having a pH value of 10 and a foamed polyurethane pad with respect to a Si substrate (manufactured by Fujimi Fine Technology Co., Ltd.). CMP was performed under conditions. Thereafter, cleaning was performed to clean the substrate surface. Next, the substrate was released from the mold. The 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface at this time was 1 nm.
  • the evaluation apparatus for the surface shape is NewView 6300 manufactured by ZYGO. In addition, the evaluation target range at this time was set to 50 mm square so as to sufficiently cover the area per semiconductor chip.
  • the substrate was thermally oxidized to form a 100 nm SiO 2 film on the surface.
  • An electron beam resist was formed on the surface, patterned by an electron beam drawing apparatus, and then the patterned portion of the electron beam resist was removed.
  • RIE process By performing the RIE process using the remaining electron beam resist as a mask, a concavo-convex pattern for nanoimprinting was formed on the surface of the Si substrate, and a Si mold was produced.
  • the 10-point average roughness (Rz1) of the top of the convex portion of the concavo-convex pattern and the 10-point average roughness (Rz2) of the bottom of the concave portion were measured according to the method described in Patent Document 1.
  • mold release treatment was performed on the surface of the Si mold using a fluorine-based material. Then, an imprint resist solution was applied on the quartz substrate to form a resist film, the Si mold was pressed against the resist film, and the resist film was cured by irradiation with UV light. Thereafter, the Si mold was peeled off from the resist film, and a resist film having a concavo-convex pattern transferred onto a quartz substrate was formed.
  • Example 2 A resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the polishing time was 600 s under the CMP conditions.
  • the 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this example was 2 nm.
  • Example 3 A resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the polishing pressure was 80 g / cm 2 and the polishing time was 450 s under the CMP conditions.
  • the 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this example was 3 nm.
  • ⁇ Comparative Example 1> A resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the Si substrate was used as it was without performing CMP.
  • the 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this comparative example was 20 nm.
  • Example 2 A resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the polishing pressure was 600 g / cm 2 and the polishing time was 60 s under the CMP conditions.
  • the 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this comparative example was 10 nm.
  • Example 3 A resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the polishing pressure was 300 g / cm 2 and the polishing time was 120 s under the CMP conditions.
  • the 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this comparative example was 8 nm.
  • ⁇ Comparative example 4> A resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the polishing pressure was 120 g / cm 2 and the polishing time was 300 s under the CMP conditions. The 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this comparative example was 5 nm.
  • Example 5 A resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the polishing pressure was 100 g / cm 2 and the polishing time was 360 s under the CMP conditions.
  • the 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this comparative example was 4 nm.
  • a resist film to which the concavo-convex pattern was transferred was formed by the same process as in Example 1 except that the polishing pressure was 60 g / cm 2 and the polishing time was 1200 s under the CMP conditions.
  • the 3 ⁇ value related to the height difference distribution on the substrate surface in this comparative example was 0.5 nm.
  • Table 1 is a table showing 3 ⁇ values in the surface shapes of the respective Si molds manufactured according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6, and evaluation results thereof. Table 1 also shows reference values Rz1 and Rz2 related to the surface shape of the nanoimprint mold based on the method of Patent Document 1 as a comparison target.
  • the nanoimprint mold of Patent Document 1 is characterized in that the reference values Rz1 and Rz2 are 0.5 to 20 nm, respectively.
  • the reference values Rz1 and Rz2 of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6 were all 0.5 nm.
  • it has been found that just having the above characteristics does not necessarily eliminate the thickness unevenness of the resist film at a level required in nanoimprinting using a fine uneven pattern.

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Abstract

【課題】微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することを可能とする。 【解決手段】基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールド（１０）において、上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板（１２）を用いて製造する。

Description

ナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法
　本発明は、所定の凹凸パターンに対応または反転した凹凸パターンを表面に有するナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法に関するものである。
　ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やビットパターンドメディア（ＢＰＭ）等の磁気記録媒体、及び半導体デバイスの製造等において、被加工物上に塗布されたレジストにナノインプリントを行うパターン転写技術の利用が期待されている。
　ナノインプリントは、光ディスク製作では良く知られているエンボス技術を発展させたものである。具体的には、ナノインプリントは、凹凸パターンを形成した金型原器(一般的にモールド、スタンパ、テンプレートとも呼ばれる)を被加工物上に塗布されたレジストに押し付け、レジストを力学的に変形または流動させて微細パターンを精密に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノレベルの微細構造を簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄物および排出物が少ない転写技術であるため、近年、さまざまな分野へも応用が期待されている。
　従来、上記のようなナノインプリント法は、被加工物上にスピンコート等によって均一にレジストを塗布してレジスト膜を成膜し、その後モールドの凹凸パターン面を押し付けてパターン転写が行われる。
　しかしながら、このような場合、基板の表面形状に応じて、パターン転写されたレジスト膜の厚みムラが生じる場合がある。ここで、「レジスト膜の厚みムラ」とは、凹凸パターンが存在する領域において、凸部同士の厚みおよび凹部同士の厚みにばらつきが生じることや、凹凸パターンが存在しない領域において、そのレジスト膜における任意の２点同士の厚みにばらつきが生じること等を含めた、レジスト膜の厚みに関する不均一性をいう。このようなインプリント後のレジスト膜の厚みムラは、後工程（被加工物のエッチング工程等）に影響を及ぼし、最終的なパターン転写精度を低下させる。
　そこで、特許文献１では、表面に凹凸パターンを有するナノインプリントモールドにおいて、凹凸パターンの凸部の頂部および凹部の底部における１０点平均表面粗さをそれぞれ規定することにより、上記のようなレジスト膜の厚みムラを解消する方法を開示している。
特開２００８－２７６９０７号公報
　しかしながら、特許文献１の方法では、近年の数十ナノレベルの微細パターン転写技術が用いられるメディアの製造において要求される程度に、レジスト膜の厚みムラを解消することが困難となる問題が生じうる。したがって、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することを可能とする方法が望まれている。
　本発明は上記要望に応えてなされたものであり、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することを可能とするナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法を提供することを目的とするものである。
　上記課題を解決するために、本発明に係るナノインプリントモールドは、
　基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールドにおいて、
　上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたことを特徴とするものである。
　本明細書において、「高低差分布」とは、表面形状の高さに関する平均値を基準とした高低差の分布を意味する。
　「３σ値」とは、高低差分布をガウス分布で近似したときの平均値から±３σにおける値の絶対値を意味する。ここで、σはガウス分布における標準偏差である。
　そして、本発明に係るナノインプリントモールドにおいて、３σ値は１～２ｎｍであることが好ましい。
　そして、３σ値は、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることが好ましい。
　そして、表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０～８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０～８００ｓである条件で化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing :ＣＭＰ）され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いて製造されたことが好ましい。
　さらに、本発明に係るナノインプリントモールドの製造方法は、基板の表面に微細な凹凸パターンを形成するナノインプリントモールドの製造方法において、
　上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いることを特徴とするものである。
　そして、本発明に係るナノインプリントモールドの製造方法において、基板として、前記３σ値が１～２ｎｍである基板を用いることが好ましい。
　そして、３σ値は、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることが好ましい。
　そして、表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０～８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０～８００ｓである条件で化学機械研磨され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いることが好ましい。
　さらに、本発明に係るナノインプリント方法は、上記のナノインプリントモールドを用い、
　被加工部材の被加工面上にレジスト膜を形成し、
　レジスト膜にナノインプリントモールドの凹凸パターンを押し当てて、レジスト膜に凹凸パターンを転写し、
　ナノインプリントモールドをレジスト膜から剥離することを特徴とするものである。
　本発明に係るナノインプリントモールドおよびその製造方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前のパターン形成面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いているから、ナノインプリントモールドの表面形状のムラを低減することができる。この結果、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
　本発明に係るナノインプリント方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前のパターン形成面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたモールドを用いている。したがって、表面形状のムラが低減されたナノインプリントモールドを用いることにより、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
本発明のナノインプリントモールドの実施形態において、ナノインプリントモールドの凹凸パターンが形成された表面を示す概略図である。 本発明のナノインプリントモールドの実施形態の全体構造を示す概略図である。 ナノインプリントモールドの基となる基板の表面形状におけるムラが、ナノインプリントモールドの表面における凹凸ムラに影響することを説明する概念図（その１）である。 ナノインプリントモールドの基となる基板の表面形状におけるムラが、ナノインプリントモールドの表面における凹凸ムラに影響することを説明する概念図（その２）である。 インプリント後のレジスト膜の厚みムラの評価基準を示す図（その１）である。 インプリント後のレジスト膜の厚みムラの評価基準を示す図（その２）である。 インプリント後のレジスト膜の厚みムラの評価基準を示す図（その３）である。
　以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
「ナノインプリントモールドおよびその製造方法の実施形態」
　図１は本実施形態に係るナノインプリントモールド１０の部分拡大斜視図であり、図２は図１のナノインプリントモールドの全体平面図である。
　図１に示すように、本実施形態のナノインプリントモールド１０は、基板１２から構成され、その表面に転写情報に応じた微細な凹凸パターンを有している。
　微細な凹凸パターンＰの凸部は、平面視で長方形であり、トラック方向（ディスクの円周方向であり、図１の矢印方向）の長さＡと、トラック幅方向（ディスクの半径方向）の長さＬ、並びに突起の高さ（厚さ）Ｈの値は、記録密度や記録信号波形等により適宜設計される。例えば、長さＡが８０ｎｍに、長さＬが２００ｎｍに設定される。ハードディスク装置に用いられる磁気ディスクのサーボ信号の場合、この微細な凹凸パターンＰは、トラック方向の長さＡに比べてトラック幅方向の長さＬの方が長く形成される。例えば、トラック幅方向の長さＬが０．０５～２０μｍ、トラック方向の長さＡが０．０５～５μｍであることが好ましい。この範囲でトラック幅方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。凸部パターンの高さＨ（凹部パターンの深さ）は、２０～８００ｎｍの範囲が好ましく、３０～６００ｎｍの範囲がより好ましい。
　また、図２に示すように、ナノインプリントモールド１０の全体形状は、外径Ｒｏ、内径Ｒｉおよび中心孔１６を有する円盤状のディスクに形成されており、内周部１７ａおよび外周部１７ｂを除く片面の円環状領域１８に図１のような凹凸パターンＰが形成される。
　本実施形態のナノインプリントモールド１０は、基板１２として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用い、上記表面形状を有する表面上にフォトレジスト膜を設け、凹凸パターンに対応する部分のフォトレジスト膜を電子線により露光描画し、露光した部分のフォトレジスト膜を現像により除去し、残ったフォトレジストをマスクとして例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングして製造される。
　ナノインプリントモールドの基となる基板１２の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ｓｉ基板、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化物、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、トリアセテートセルロース（ＴＡＣ）、低融点フッ素樹脂等が用いられる。
　ナノインプリントモールドの基となる基板１２は、これを用いて製造されたナノインプリントモールドの表面形状におけるムラが低減されるように、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面形状について、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍであるように設計されている。この３σ値は好ましくは１～２ｎｍである。上記表面形状の３σ値は、ＺＹＧＯ社製のＮｅｗＶｉｅｗ６３００によって計測した。
　３σ値は、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果、算出された値であることが好ましい。ここで、上記測定範囲は、より好ましくは４０ｍｍ四方であり、特に好ましくは５０ｍｍ四方である。これは、より巨視的な範囲を評価対象として表面形状の高低差分布の解析を行うことにより、１ｍｍ程度に比較的離れた２点同士の高さの差も低減することができるためである。また、一般的な半導体チップの１つあたり大きさが２６ｍｍ×３３ｍｍであることを考慮すると、１チップ領域全体に相当する範囲におけるレジスト膜の厚みムラやインプリント欠陥の評価は、上記のような広さの範囲を評価対象とすることでより信頼性を確保することができるためである。
　例えば、特許文献１は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって、ナノインプリントモールドの凹凸パターンについての粗さを規定しているが、その測定範囲は、ＡＦＭで測定できる極狭い範囲であり、その広さは大きくてもせいぜい０．１ｍｍ四方程度である。この特許文献１における評価対象の範囲は、上記に示した半導体チップの１つあたり大きさに比べて非常に狭い。したがって、特許文献１の方法では、１チップ領域全体に相当する範囲におけるレジスト膜の厚みムラやインプリント欠陥の評価を正確に行うことは困難であると思われる。さらに、このような困難性は、微細な凹凸パターン（例えば、ライン／スペース＝１０ｎｍ／１０ｎｍ程度の凹凸パターン）を転写するナノインプリント方法では、レジスト膜の厚みムラの許容される範囲が狭くなるため、顕著に表れると思われる。
　このような表面形状は、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施した後、離型処理を施した状態で計測する。ＣＭＰおよび離型処理の条件は、基板の材料に応じて適宜調整される。
　例えば基板の材料がＳｉである場合、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い、研磨圧が６０～８０ｇ／ｃｍ２であり、研磨時間が４５０～８００ｓである条件で、ＣＭＰを実施する。ここで、アルカリ性コロイダルシリカは、粒径が１０～１００ｎｍが好ましく、特に４０ｎｍ程度が好ましい。アルカリ性コロイダルシリカは、ｐＨ９～１１であることが好ましい。
　一方、離型処理は、特に制限はないが、ナノインプリントモールドの基となる基板上に離型材料をスピン塗布したり、ナノインプリントモールドの基となる基板を離型材料が含まれる溶液中に浸漬したりすることにより行われる。また、離型材料としては、特に制限されないが、フッ素系樹脂、炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、フッ素系シランカップリング剤などを使用できる。より具体的には、離型材料には、ダイキン工業社製のデュラサーフＨＤ－１１０１ＺをオプツールＨＤ－ＺＶで２５％濃度に希釈したものを使用することができる。そして、ナノインプリントモールドの基になる基板を、上記離型材料に浸漬速度１５ｍｍ/ｓｅｃ、引き上げ速度５ｍｍ/ｓｅｃの条件で浸漬塗布し、その後、三井・デュポンフロロケミカル社製のバートレルＸＦ－ＵＰに浸漬速度１５ｍｍ/ｓｅｃ、引き上げ速度５ｍｍ/ｓｅｃの条件でリンス処理し、離型処理を行った。
　フォトレジスト膜は、特に制限されず、一般的な材料および方法により形成することができる。材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂、並びにこれらの少なくともいずれかを含有するレジスト組成物を用いることができる。また、形成方法としては、塗布法やインクジェット法を用いることができる。
　以下、本発明に係るナノインプリントモールド１０およびその製造方法の作用について説明する。本発明者は、鋭意検討を行った結果、インプリント後のレジスト膜の厚みムラは、ナノインプリントモールド１０の表面形状におけるムラに大きく影響を受けることを見出した。そして、ナノインプリントモールド１０の表面形状におけるムラは、その基となる基板１２のパターン形成面の表面形状であって離型処理後かつパターン形成前の表面形状におけるムラが原因であることを見出した。ここで、ナノインプリントモールドの「表面形状におけるムラ」とは、凹凸パターンが存在する領域において、凸部同士の高さおよび凹部同士の深さにばらつきが生じることや、凹凸パターンが存在しない領域において、その表面形状における任意の２点同士の高さにばらつきが生じること等を含めた、ナノインプリントモールドの表面形状に関する不均一性をいう。一方、ナノインプリントモールドの基となる基板の「表面形状におけるムラ」とは、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面形状における任意の２点同士の高さにばらつきが生じること等を含めた、ナノインプリントモールドの基となる基板の表面形状に関する不均一性をいう。
　図３Ａおよび図３Ｂは、あるナノインプリントモールド５１の基となる基板５０の表面形状におけるムラが、ナノインプリントモールド５１の表面における凹凸ムラに影響することを説明する概念図である。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、基板５０の表面形状にムラがあり、当該表面形状を有する表面を加工して凹凸パターンを形成した場合、上記表面形状のムラがそのまま反映されてモールド５１の表面形状におけるムラになることが解る。例えば、図３Ｂに示すように、凹凸パターンについてある凹部５２ａの深さと他の凹部５２ｂの深さとを比べた場合には、当該モールド５１の表面形状におけるムラに起因して、最大でｄの深さの差が生じることとなる。そして、このような表面形状におけるムラを有するナノインプリントモールド５１を用いてナノインプリントを実施することによって、インプリント後のレジスト膜の厚みムラが生じることとなる。
　上記のようなナノインプリントモールドの基となる基板の表面形状におけるムラを低減するためには、当該基板の表面形状の均一性を向上させる必要がある。しかしながら、過剰に基板の表面形状の均一性を向上させることは、インプリント時のレジスト材料の流動性が阻害され、レジスト材料が凹凸パターン形成領域の全体に行き渡らず、インプリント欠陥（ナノインプリントモールドを剥離したときの凹凸パターンの欠陥）が生じる原因となってしまう恐れがある。また、過剰に基板の表面形状の均一性を向上させることは、必要以上に製造コストを上げることになるため好ましくない。
　そこで、上記のような課題を考慮し、本発明は、適切な平坦性を規定する要件として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面形状について、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍであることを挙げている。すなわち、３σ値の上限値「３ｎｍ」は、３σ値がこの上限値を超えると、レジスト膜の厚みムラに応じたレジストマスクの高さムラが生じて、均一なパターンを得ることが出来なくなることに基づく。一方、３σ値の下限値「１ｎｍ」は、３σ値がこの下限値未満であると、インプリント時のレジスト材料の流動性が阻害されることに基づく。
　以上のように、本発明に係るナノインプリントモールドおよびその製造方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いているから、ナノインプリントモールドの表面形状のムラを低減することができる。この結果、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
「ナノインプリント方法の実施形態」
　本実施形態のナノインプリント方法は、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて形成された本発明のナノインプリントモールドを用いたものである。具体的には、本実施形態のナノインプリント方法は、表面に転写情報に応じた微細な凹凸パターンを有する本発明のナノインプリントモールドを用い、ナノインプリントモールドの凹凸パターンが形成された表面に離型処理を行い、被加工部材上にレジスト膜を形成し、ナノインプリントモールドの凹凸パターンをレジスト膜に押し当てて、凹凸パターンを当該レジスト膜に転写し、その後ナノインプリントモールドをレジスト膜から剥離するものである。また、必要に応じて、残膜の除去工程等を実施することが好ましい。
　本発明のナノインプリントモールドについては、前述した通りである。
　離型処理は、特に制限はないが、ナノインプリントモールドの基となる基板について説明した前述の離型処理がナノインプリントモールドに適用されて、同様に行われる。
　レジスト膜については、ナノインプリントモールドおよびその製造方法の実施形態において説明した場合と同様である。
　以上のように、本発明に係るナノインプリント方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたモールドを用いている。したがって、表面形状のムラが低減されたナノインプリントモールドを用いることにより、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
　本発明に係るナノインプリントモールドの実施例を以下に示す。
＜実施例１＞
　Ｓｉ基板（株式会社フジミファインテクノロジー製）に対して、ｐＨ値１０のアルカリ性コロイダルシリカ（粒径４０ｎｍ）と発砲ポリウレタンパットを用いて、研磨圧が６０ｇ／ｃｍ２であり、研磨時間が８００ｓである条件でＣＭＰを行った。その後、洗浄を行い基板表面の清浄化を行った。次に、この基板を離型処理した。この時の基板表面の高低差分布に関する３σ値は１ｎｍであった。表面形状についての評価装置は、ＺＹＧＯ社製のＮｅｗＶｉｅｗ６３００である。また、この時の評価対象範囲は、半導体チップの１つあたり面積を十分にカバーできる広さとして５０ｍｍ四方とした。次に、離型処理により成膜した離型材料を除去した後、この基板を熱酸化処理することで、表面にＳｉＯ２膜を１００ｎｍ成膜した。この表面に電子線レジストを成膜して、電子線描画装置でパターニング後、パターニングされた部分の電子線レジストを除去した。残った電子線レジストをマスクとしてＲＩＥ処理を行うことによって、Ｓｉ基板表面にナノインプリント用の凹凸パターンを形成し、Ｓｉモールドを作製した。凹凸パターンは、ライン／スペース＝１０ｎｍ／１０ｎｍのパターンである。
　ここで、ＡＦＭを用いて、凹凸パターンの凸部の頂部の１０点平均粗さ（Ｒｚ１）及び凹部の底部の１０点平均粗さ（Ｒｚ２）を、特許文献１に記載の方法に従って測定した。
　次に、上記Ｓｉモールドの表面にフッ素系の材料を用いて離型処理を行った。そして、石英基板上にインプリントレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このＳｉモールドをレジスト膜に押し当てて、ＵＶ光を照射してレジスト膜を硬化させた。その後、このＳｉモールドをレジスト膜から剥離し、石英基板上に凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。
＜実施例２＞
　ＣＭＰ時の条件において、研磨時間が６００ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本実施例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は２ｎｍであった。
＜実施例３＞
　ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が８０ｇ／ｃｍ２、研磨時間が４５０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本実施例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は３ｎｍであった。
＜比較例１＞
　ＣＭＰを行わずＳｉ基板をそのまま使用したこと以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は２０ｎｍであった。
＜比較例２＞
　ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が６００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が６０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は１０ｎｍであった。
＜比較例３＞
　ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が３００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が１２０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は８ｎｍであった。
＜比較例４＞
　ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が１２０ｇ／ｃｍ２、研磨時間が３００ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は５ｎｍであった。
＜比較例５＞
　ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が３６０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は４ｎｍであった。
＜比較例６＞
　ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が６０ｇ／ｃｍ２、研磨時間が１２００ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は０．５ｎｍであった。
＜評価方法＞
　インプリント後のレジスト膜の厚みムラの評価は、１０名の人間による目視で行った。具体的には、図４Ａに示すような表面形状である場合、レジスト膜の厚みムラは解消された（○）と評価し、図４Ｂに示すような表面形状である場合、レジスト膜の厚みムラはある程度解消された（△）と評価し、図４Ｃに示すような表面形状である場合、レジスト膜の厚みムラは解消することができなかった（×）と評価した。
　インプリント欠陥の評価は、Ｓｉ基板の凹凸パターン全領域にレジスト材料が行渡りインプリント欠陥が発生していない場合、インプリント欠陥なし（○）と評価し、レジスト材料の流動が阻害されてインプリント欠陥が発生している場合、インプリント欠陥あり（×）と評価した。
　総合評価は、厚みムラの評価およびインプリント欠陥の評価において、共に○評価が得られた場合、本願発明の課題「微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消すること」を解決することができた（○）と評価し、それ以外の場合、本願発明の課題を解決することができなかった（×）と評価した。
＜結果＞
　表１は、実施例１～３および比較例１～６により製造されたそれぞれのＳｉモールドの表面形状における３σ値と、それについての評価結果を示す表である。また、表１には、比較の対象として、特許文献１の方法に基づくナノインプリントモールドの表面形状に関する基準値Ｒｚ１およびＲｚ２も共に示されている。
　表１の結果から、実施例１～３の場合、つまり３σ値が１～３ｎｍである場合において、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することができたという評価が得られた。そして、実施例１～３の場合において、総合評価においても、課題を解決することができたとの評価が得られた。つまり、本願発明のナノインプリントモールドを用いることにより、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することが可能であることが立証された。
　一方、特許文献１のナノインプリントモールドは、特に基準値Ｒｚ１およびＲｚ２がそれぞれ０．５～２０ｎｍであることを特徴とする。実施例１～３および比較例１～６の基準値Ｒｚ１およびＲｚ２は、すべて０．５ｎｍであった。しかしながら、上記特徴を有しているからといって、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリントにおいて要求されるレベルのレジスト膜の厚みムラを必ず解消できるというわけではないことが分かった。この結果、上記のような場合において、本願発明のナノインプリントモールドを用いることにより、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能であることが立証された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (9)

  1. 　基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールドにおいて、
    　前記基板として、離型処理が施された後かつ前記凹凸パターンが形成される前の前記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたことを特徴とするナノインプリントモールド。
  2. 　前記３σ値が１～２ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントモールド。
  3. 　前記３σ値が、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることを特徴とする請求項１または２に記載のナノインプリントモールド。
  4. 　前記表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０～８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０～８００ｓである条件で化学機械研磨され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いて製造されたことを特徴とする請求項１から３いずれかに記載のナノインプリントモールド。
  5. 　基板の表面に微細な凹凸パターンを形成するナノインプリントモールドの製造方法において、
    　前記基板として、離型処理が施された後かつ前記凹凸パターンが形成される前の前記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１～３ｎｍである表面形状を有する基板を用いることを特徴とするナノインプリントモールドの製造方法。
  6. 　前記基板として、前記３σ値が１～２ｎｍである基板を用いることを特徴とする請求項５に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
  7. 　前記３σ値が、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることを特徴とする請求項５または６に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
  8. 　前記表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０～８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０～８００ｓである条件で化学機械研磨され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いることを特徴とする請求項５から７いずれかに記載のナノインプリントモールドの製造方法。
  9. 　請求項１から４いずれかに記載のナノインプリントモールドを用い、
    　被加工部材の被加工面上にレジスト膜を形成し、
    　前記レジスト膜に前記ナノインプリントモールドの凹凸パターンを押し当てて、前記レジスト膜に前記凹凸パターンを転写し、
    　前記ナノインプリントモールドを前記レジスト膜から剥離することを特徴とするナノインプリント方法。
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