WO2012005305A1 - 流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート - Google Patents

流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a plate with a flow path used for substrate temperature, gas supply, etc. in a manufacturing process of a semiconductor, a liquid crystal display device, an optical disk, etc., a plate with a flow path, a temperature control plate, a cold plate, and a shower plate About.
  • temperature control plates such as cold plates that adjust the temperature of the substrate and shower plates that supply a gas having a predetermined component to the substrate are used. ing.
  • These temperature control plates and shower plates generally have a structure in which a flow path for circulating a heat medium or gas is provided inside a metal plate such as aluminum or aluminum alloy (for example, Patent Documents 1 to 6). 3).
  • Such a plate with a flow path is conventionally formed by forming a flow path in the metal plate main body by excavation or the like, and another metal plate (for example, a holding plate) for sealing the flow path is connected to the flow path side of the metal plate main body. It was manufactured by joining the two together by welding, brazing, or adhesive.
  • the present invention has been made in view of the above, and provides a method of manufacturing a plate with a flow path that can reduce the time required for the manufacturing process as compared with the conventional method and can suppress leakage and contamination of the flow path.
  • an object of this invention is to provide the plate with a flow path, the temperature control plate, the cold plate, and the shower plate which were manufactured by such a manufacturing method.
  • a method for manufacturing a plate with a flow path is a method for manufacturing a plate with a flow path in which a flow path for circulating a fluid is formed inside the plate.
  • a flow path forming step for forming a groove serving as the flow channel in a main body plate formed of an alloy a lid arranging step for disposing a lid plate covering the groove on the upper portion of the groove, and a metal or alloy powder
  • the deposited layer forming step is performed by a cold spray method.
  • a surface of the lid plate that covers the groove has a shape substantially equal to the opening of the groove and has a larger area than the opening.
  • the manufacturing method of the plate with a flow path further includes a hole forming step of forming a hole communicating with the flow path in the main body plate or the lid plate and the deposition layer.
  • the plate with a flow path is a plate with a flow path in which a flow path for circulating a fluid is formed inside the plate, and is formed of a metal or an alloy, and a main body plate provided with a groove serving as a flow path, A lid plate that covers the groove; and a deposition layer that covers the lid plate, formed by accelerating the powder of metal or alloy together with gas and spraying the powder toward the body plate and the lid plate in a solid state. It is characterized by providing.
  • the deposition layer is formed by a cold spray method.
  • the main body plate, the lid plate, and the deposition layer are respectively aluminum (Al), aluminum-based alloy, titanium (Ti), titanium-based alloy, stainless steel, copper (Cu), and copper-based. It is formed by any one of the alloys.
  • At least one of the main body plate, the lid plate, and the deposition layer is different from one or two of the main body plate, the lid plate, and the deposition layer. It is formed by different metals or alloys.
  • the groove is formed on a first main surface of the main body plate and a second main surface opposite to the first main surface.
  • a second groove serving as a second flow path is formed in the deposited layer, and a second lid plate that covers the second groove, and a metal or alloy powder And a second deposition layer formed by blasting with gas and spraying the deposition layer and the second lid plate in a solid state in a solid state and covering the second lid plate.
  • the temperature control plate according to the present invention includes the plate with the flow path, the heat medium introduction path that communicates with the flow path and introduces the heat medium into the flow path, and the flow path.
  • a heat medium lead-out path that communicates with the heat medium from the flow path is provided.
  • the cold plate according to the present invention includes the plate with a flow path, and communicates with the plate with the flow path, a heat medium introduction path that communicates with the flow path and introduces a cooling medium into the flow path, and the flow path. And a heat medium lead-out path for leading the cooling medium from the flow path.
  • a shower plate according to the present invention includes the plate with a flow path, and a gas introduction path that communicates with the flow path and introduces a gas having a predetermined component into the flow path.
  • a gas outlet hole that communicates with the path and guides the gas from the channel is provided.
  • the grooves formed in the main body plate are covered with the lid plate and the deposited layer formed by the cold spray method, the flow path inside the plate is formed, so that the bulk materials are joined or bonded together.
  • the time required for the manufacturing process can be shortened.
  • the channel can be formed without using high-temperature heat or a material (such as a brazing material) other than the base material, leakage and contamination of the channel can be suppressed.
  • FIG. 1A is a top view showing the structure of the plate with flow passage according to the first embodiment of the present invention.
  • 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a film forming apparatus using a cold spray method.
  • FIG. 3A is a diagram illustrating a process of forming a main body plate in the method for manufacturing the plate with flow path shown in FIG.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining a groove forming step in the method of manufacturing the plate with flow path shown in FIG. 1.
  • FIG. 3C is a diagram illustrating a lid plate arranging step in the method of manufacturing the plate with flow path shown in FIG. 1.
  • FIG. 3D is a diagram for explaining a deposition layer forming step in the method of manufacturing the plate with flow path shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing Modification 1 of the plate with flow passages.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing Modification 2 of the plate with flow passages.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing Modification 3 of the plate with flow passages.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing Modification 4 of the plate with flow passages.
  • FIG. 8A is a top view showing a structure of a temperature control plate as an application example of the plate with flow passage according to Embodiment 2 of the present invention.
  • 8B is a partial cross-sectional side view of the temperature control plate shown in FIG. 8A.
  • FIG. 9A is a top view showing a structure of a shower plate as an application example of the plate with flow passage according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 9A.
  • FIG. 10A is a diagram illustrating a process of forming a main body plate in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 10B is a diagram illustrating a first flow path forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 10C is a diagram illustrating a first flow path forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 10D is a diagram illustrating a first flow path forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG.
  • FIG. 10E is a diagram illustrating a step of forming a second flow path in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 10F is a diagram illustrating a process of forming a second flow path in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 10G is a diagram illustrating a process of forming a second flow path in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 10H is a diagram illustrating a process for forming a gas introduction path and the like in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 10I is a diagram illustrating a joining process of a shaft and the like in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 9B.
  • FIG. 12A is a diagram illustrating a main body plate forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12B is a diagram for explaining a groove forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12C is a diagram illustrating a first flow path forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12D is a diagram illustrating a first flow path forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12A is a diagram illustrating a main body plate forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12B is a diagram for explaining a groove forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12C is a diagram illustrating a first flow path forming step in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12D is a diagram illustrating a first flow path forming step in the method for manufacturing the shower plate shown
  • FIG. 12E is a diagram for describing a step of forming a second flow path in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12F is a diagram for describing a step of forming a second flow path in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 12G is a diagram illustrating a process of forming a gas introduction path and the like in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG.
  • FIG. 12H is a diagram for explaining a joining process of the shaft and the like in the method for manufacturing the shower plate shown in FIG. 11.
  • FIG. 1A is a top view showing the structure of the plate with flow passage according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1A.
  • the plate 100 with a flow path includes a main body plate 101 provided with a flow path 102 through which a fluid (gas or liquid) flows, a lid plate 103 that covers the flow path 102, and a deposition layer 104 that covers the lid plate 103. ing.
  • the main body plate 101 is provided with a support portion 107 that supports the lid plate 103 above the flow path 102.
  • the end of the flow path 102 is a fluid introduction port 105 for introducing a fluid into the flow path 102 and a fluid outlet 106 for deriving the fluid from the flow path 102.
  • Such a plate 100 with a flow path is used as a temperature adjustment plate by allowing a heat medium for cooling or heating to flow through the flow path 102, for example.
  • either the main surface on the main body plate 101 side or the main surface on the deposition layer 104 side may be used as a mounting surface for an object (for example, a substrate) that is a temperature adjustment target.
  • the main body plate 101 and the lid plate 103 are made of a bulk metal or alloy. Specifically, metals or alloys such as aluminum (Al), aluminum-based alloys, titanium (Ti), titanium-based alloys, stainless steel, copper (Cu), and copper-based alloys are used.
  • the material of the main body plate 101 and the lid plate 103 is selected according to, for example, the type of fluid that flows through the flow path 102 and the application. Specifically, when a plate with a flow path is applied to the temperature control plate and water or seawater is circulated as a heat medium, titanium, titanium alloy, stainless steel, or the like is used to avoid corrosion of the main body plate 101. And good.
  • the main body plate 101 and the lid plate 103 may be formed of the same type of metal or alloy, or may be formed of different metals or alloys.
  • a combination in which the main body plate 101 is formed of aluminum or an aluminum alloy having excellent thermal conductivity and the lid plate 103 is formed of titanium or a titanium alloy having higher strength than aluminum or an aluminum alloy may be used.
  • the deposition layer 104 is formed on the lid plate arrangement surface 108 of the lid plate 103 and the main body plate 101 by a cold spray method in which a metal or alloy powder is accelerated together with a gas and sprayed in a solid state toward a film formation target. Is formed.
  • a metal or alloy powder is accelerated together with a gas and sprayed in a solid state toward a film formation target.
  • the material of the deposition layer 104 aluminum (Al), aluminum-based alloy, titanium (Ti), titanium-based alloy, stainless steel, copper (Cu), copper-based alloy, etc., as in the case of the main body plate 101 and the lid plate 103. These metals or alloys are used.
  • the same type of metal or alloy as that of the main body plate 101 or the lid plate 103 may be used, or a different type of metal or alloy may be used.
  • the main body plate 101 and the lid plate 103 are made of stainless steel in order to prevent corrosion due to the heat medium flowing through the flow path 102
  • the deposited layer 104 is made of an aluminum alloy in order to improve the thermal conductivity on the deposited layer 104 side. It is also possible to select materials that are formed by the above.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a film forming apparatus using a cold spray method.
  • the film forming apparatus 10 includes a gas introduction pipe 11 for introducing an inert gas such as helium (He) or nitrogen (N 2 ) or a gas such as air (working gas) from a gas supply source, and an aluminum-based metal that is a raw material.
  • the nozzle 15 which injects the body 1 and the holder 16 which hold
  • a fine powder 1 of a metal or an alloy (for example, a particle size of about 10 ⁇ m to 100 ⁇ m) is disposed.
  • This powder 1 is introduced into the chamber 14 through the powder supply pipe 12a together with the gas by operating a valve 11a provided in the gas introduction pipe 11 to introduce a gas at a desired flow rate into the powder supply section 12. To be supplied.
  • the heater 13 heats the introduced gas to, for example, about 50 ° C. to 700 ° C.
  • the upper limit of the heating temperature is less than the melting point of the raw material because the powder 1 is sprayed onto the substrate 2 in a solid state. More preferably, the upper limit temperature is kept below about 60% of the melting point in degrees Celsius. This is because the possibility that the powder 1 is oxidized increases as the heating temperature increases. Therefore, for example, when forming a film of aluminum (melting point: about 660 ° C.), the heating temperature may be less than about 660 ° C., more preferably about 396 ° C. or less.
  • the gas heated in the heater 13 is introduced into the chamber 14 through the gas pipe 13a.
  • the flow rate of the gas introduced into the chamber 14 is adjusted by operating a valve 11b provided in the gas introduction pipe 11.
  • a gas flow from the nozzle 15 toward the substrate 2 is formed by the gas introduced from the gas pipe 13a.
  • the powder 1 is supplied to the chamber 14 from the powder supply unit 12, the powder 1 is accelerated along the gas flow, heated, and sprayed from the nozzle 15 toward the substrate 2. Due to the impact at this time, the powder 1 bites into the surface of the substrate 2, and the powder 1 is plastically deformed and adhered to the surface of the substrate 2 by the kinetic energy and thermal energy possessed by the powder 1.
  • a deposited layer 3 is formed.
  • the speed at which the powder 1 is accelerated that is, the flow velocity of the gas when injected from the nozzle 15 is supersonic (about 340 m / s or more), and is preferably about 400 m / s or more, for example.
  • This speed can be controlled by adjusting the flow rate of the gas introduced into the chamber 14 by operating the valve 11b. Further, by using a nozzle 15 whose diameter is tapered from the base end to the tip end as in the film forming apparatus 10, the flow of gas formed in the chamber 14 is transferred through the introduction path of the nozzle 15. Once squeezed, it can be accelerated.
  • the film forming range area of the substrate 2
  • the film is formed while moving the nozzle 15 in the XY direction.
  • the position of the nozzle 15 may be fixed and the holder 16 side may be moved.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing the plate with flow passage 100.
  • a plate with flow passages formed of stainless steel and aluminum is manufactured.
  • FIG. 3A stainless steel is formed into a desired shape, and the main body plate 101 is produced.
  • a groove 109 serving as a flow path 102 is formed on one main surface (cover plate arrangement surface 108) of the main body plate 101 by cutting or the like, and an opening edge of the groove 109 is formed.
  • the support part 107 is formed by cutting out.
  • the width W of the support portion 107 may be such that it can support the lid plate 103, that is, slightly wider than the width W GR of the groove 109. Further, the depth D of the support portion 107 may be approximately the same as that of the lid plate 103.
  • the cross-sectional shape of the channel 102 is not limited to a rectangle, and may be an arbitrary shape (for example, a rectangle with rounded corners, a trapezoid, a triangle, a semicircle, or a semi-elliptical shape).
  • a lid plate 103 that is previously formed into a predetermined shape with stainless steel is placed on the support portion 107.
  • the surface of the lid plate 103 that covers the groove 109 has a shape that is substantially the same as the opening of the groove 109 (for example, a similar shape), and is formed to have a larger area than the opening of the groove 109. That is, the width W PL of the lid plate may be W GR ⁇ W PL ⁇ W.
  • the thickness D PL of the lid plate 103 in consideration of the fact that the sprayed powder in the next step, it is preferable that the thickness corresponding to the hardness and cross-sectional shape of the material.
  • the main body plate 101 and the lid plate 103 are set on the holder 16 of the film forming apparatus 10, and aluminum powder is put into the powder supply unit 12 to form a film so as to cover the lid plate 103. .
  • the deposited layer 104 shown in FIG. 3D is formed.
  • the plate 100 with a flow path is completed.
  • the upper surface and side surface of the deposited layer 104 are polished or cut to smooth the surface, and the thickness of the deposited layer 104 is adjusted, and a film attached to an unnecessary portion is removed. Further removal may be performed.
  • the deposition layer 104 that covers the lid plate 103 and seals the flow path 102 is formed by the cold spray method, so that it is compared with the conventional method of joining the bulk material by welding or brazing.
  • the manufacturing time can be shortened.
  • high-temperature heat is not applied to the base material (main body plate, lid plate, deposition layer), so that leakage of the flow path due to thermal distortion of the base material can be suppressed.
  • a third member such as a brazing material or an adhesive
  • contamination of the flow path due to the inflow of these members can be suppressed.
  • the deposition layer 104 is formed by a cold spray method, it is high between the main body plate 101 or the lid plate 103 and the deposition layer 104, or between the main body plate 101 and the lid plate 103. Sealability can be maintained. This is true not only when the main body plate 101 and the lid plate 103 and the deposited layer 104 are formed of the same kind of metal, but also when they are formed of different kinds of metals. The reason is that in the cold spray method, the metal powder 1 collides with the surface of the lower layer (the upper surface of the main body plate 101 or the lid plate 103 or the deposited layer 104 deposited so far) and bites itself. This is because it is deformed and strongly adheres to the lower layer.
  • the deposition layer 104 In the plate 100 with a flow path, since the deposited layer 104 is in close contact with the lower layer as described above, the heat transfer at the interface between the deposited layer 104 and the main body plate 101 or the lid plate 103 is hardly lowered. Further, since the deposition layer 104 itself is also a very dense layer (for example, the density is 95% or more compared with the bulk material), the deposition layer 104 has an excellent density of 90% or more of the bulk material. Heat conductivity is maintained. Therefore, when the plate with flow passage 100 is used as, for example, a temperature adjustment plate, the temperature of an object (such as a substrate) placed on the plate with flow passage 100 can be adjusted efficiently and uniformly. Furthermore, since fluid leakage from the flow path 102 is prevented, the certainty of fluid temperature control (that is, temperature control of the placement surface) can be maintained.
  • the fluid inlet 105 and the fluid outlet 106 are provided on the side surface of the main body plate 101, but these may be provided on the lower surface of the main body plate 101 or the upper surface of the deposition layer 104.
  • the groove 109 to be the flow path 102 is formed, the groove 109 is formed inside the side surface of the main body plate 101 so as not to be opened on the side surface of the main body plate 101. Then, a hole communicating with the flow path 102 from the lower surface side of the main body plate 101 or the upper surface side of the deposition layer 104 may be formed.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first modification.
  • the depth D 1 of the supporting portion 112 for supporting the lid plate 103 is made larger than the thickness of the cover plate 103.
  • the channel 111 can be provided deeper in the main body plate 101.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second modification.
  • the depth D 2 of the supporting portion 122 for supporting the lid plate 103 is made smaller than the thickness of the cover plate 103. In this case, it is possible to prevent the displacement of the lid plate 103 in the formation process of the deposition layer 104 while shortening the time of the cutting process for forming the flow path 121 and the support portion 122.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a third modification.
  • a lid plate 132 that covers each flow path 131 is placed on the upper surface of the main body plate 101. In this case, it is possible to reduce the cutting process for forming the support portion that supports the lid plate 132. Further, since it is not necessary to store the lid plate 132 inside the support portion, restrictions on the shape of the lid plate 132 can be relaxed.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a fourth modification.
  • a lid plate 141 formed so as to be continuous between adjacent flow paths 131 is disposed on the upper surface of the main body plate 101.
  • the lid plate 141 may be formed into a shape that can cover at least the flow path 131, the process of forming the lid plate 141 can be simplified.
  • FIG. 8A is a top view showing a cold plate that is a plate with flow passages according to the second embodiment.
  • 8B is a partial cross-sectional side view showing the cold plate shown in FIG. 8A.
  • the cold plate 200 includes a main body plate 201 provided with a flow path 202 and a support portion 207, a lid plate 203 that is held by the support portion 207 and covers the flow path 202, and a deposition layer 204 that covers the lid plate 203.
  • the main body plate 201 and the lid plate 203 are formed of, for example, an aluminum bulk material as in the first embodiment.
  • the deposited layer 204 is formed by a cold spray method using aluminum powder, for example.
  • the upper surface of the deposited layer 204 is a mounting surface on which a substrate to be cooled is mounted.
  • the flow path 202 has a spiral shape that spreads from the center toward the outer periphery and then returns to the center, and both ends of the flow path 202 are located near the center.
  • a heat medium introduction path 205 for introducing a cooling medium into the flow path 202 and a heat medium extraction path 206 for deriving the cooling medium from the flow path 202 are provided.
  • Such a cold plate 200 is used while being supported by a shaft 211. Inside the shaft 211, a cooling medium supply pipe 212 connected to the heat medium introduction path 205 and a cooling medium discharge pipe 213 connected to the heat medium outlet path 206 are accommodated.
  • the manufacturing method of the cold plate 200 is as follows. That is, in the same manner as described in the first embodiment with reference to FIG. 3, first, a groove 209 serving as the flow path 202 is formed on one main surface (lid plate arrangement surface 208) of the main body plate 201, and A support portion 207 is formed by cutting out the opening edge of the groove 209. Then, a lid plate 203 having a shape (for example, a similar shape) substantially equal to the opening of the groove 209 and having an area larger than the opening is disposed on the support portion 207. Subsequently, a deposition layer 204 covering the lid plate 203 is formed by the film forming apparatus 10 shown in FIG. Further, a heat medium introduction path 205 and a heat medium lead-out path 206 are formed from the lower surface side of the main body plate 201.
  • the heat medium introduction path 205 and the heat medium lead-out path 206 are provided on the main body plate 201 side in order to use the surface on the deposition layer 204 side as the mounting surface of the substrate.
  • the surface on the main body plate 201 side may be used as a substrate mounting surface, and the heat medium introduction path 205 and the heat medium lead-out path 206 may be provided on the deposition layer 204 side.
  • FIG. 9A is a top view showing a shower plate that is a plate with flow passages according to the third embodiment.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 9A.
  • the shower plate 300 includes a main body plate 301 having a first flow path 302 through which a first film forming gas is circulated, a lid plate 303 covering the first flow path 302, A deposition layer 311 that covers the lid plate 303 and has a second flow path 312 through which the second film-forming gas flows, a lid plate 313 that covers the second flow path 312, and a deposition that covers the lid plate 313 A layer 321.
  • a shower plate 300 is used while being supported by a shaft 331.
  • a first gas supply pipe 332 that supplies a first film-forming gas
  • a second gas supply pipe 333 that supplies a second film-forming gas.
  • the shower plate 300 is connected to a first gas supply rod 332 and is connected to a second gas supply rod 333 and a first gas introduction passage 304 that introduces a first film forming gas into the first flow path 302. And a second gas introduction path 314 for introducing the second film forming gas into the second flow path 312.
  • the shower plate 300 includes a plurality of first gas outlet holes 305 that lead out the first film forming gas that flows through the first flow path 302 and a second film forming gas that flows through the second flow path 312.
  • a plurality of second gas outlet holes 315 to be led out are provided.
  • first flow path 302 and the second flow path 312 are such that the first gas outlet hole 305 does not contact the second flow path 312 and the second gas introduction path 314 does not contact the first flow path 302. In this way, the positions are shifted from each other.
  • the first film-forming gas supplied from the first gas supply pipe 332 is released from the first gas outlet hole 305 through the first flow path 302, and the second gas supply The second film forming gas supplied from the tube 333 is discharged from the second gas outlet hole 315 through the second flow path 312.
  • These first and second film forming gases are mixed after being discharged from the shower plate 300 and contribute to film formation.
  • FIGS. 10A to 10I are diagrams for explaining a method of manufacturing the shower plate 300.
  • a bulk aluminum alloy is formed into a desired shape to produce a main body plate 301.
  • a groove 306 to be the first flow path 302 is formed on one main surface of the main body plate 301 by cutting or the like, and the opening edge portion of the groove 306 is notched to support the groove.
  • a portion 307 is formed.
  • an aluminum alloy lid plate 303 having a shape substantially equal to the opening of the groove 306 (for example, a similar shape) and having an area larger than the opening is disposed on the support portion 307.
  • the main body plate 301 and the lid plate 303 are set on the holder 16 of the film forming apparatus 10 shown in FIG. 2, and an aluminum alloy powder is charged into the powder supply unit 12 and the main body plate 301 is subjected to a cold spray method. Then, film formation is performed so as to cover the lid plate 303. Thereby, the deposition layer 311 shown in FIG. 10D is formed.
  • the thickness of the deposited layer 311 is set to a thickness sufficient to form the second flow path 312 in the subsequent process, and preferably about the same as the main body plate 301. Further, after the film formation, the surface of the deposition layer 311 is smoothed by polishing or the like, and the film attached to unnecessary portions is removed.
  • a groove 316 that becomes the second flow path 312 is formed in the deposition layer 311 by cutting or the like, and a support portion 317 is formed by cutting out the opening edge of the groove 316.
  • an aluminum alloy lid plate 313 having a shape substantially equal to the opening of the groove 316 (for example, a similar shape) and having an area larger than the opening is disposed on the support portion 317.
  • This is set in the film forming apparatus 10, and film formation is performed using aluminum alloy powder so as to cover the deposition layer 311 and the lid plate 313 by a cold spray method.
  • the deposited layer 321 shown in FIG. 10G is formed. Further, the surface of the deposited layer 321 is smoothed by polishing or the like, and the film attached to unnecessary portions is removed.
  • a first gas introduction path 304 that penetrates the main body plate 301 and communicates with the first flow path 302 is provided from the surface side of the main body plate 301.
  • a second gas introduction path 314 that penetrates through the main body plate 301 and the deposition layer 311 and communicates with the second flow path 312 is formed.
  • a plurality of first gas outlet holes 305 are formed from the surface side of the deposition layer 321 through the deposition layer 321, the deposition layer 311, and the lid plate 303 and communicating with the first flow path 302.
  • a plurality of second gas outlet holes 315 that pass through the deposition layer 321 and the lid plate 313 and communicate with the second flow path 312 are formed.
  • the first gas supply pipe 332 is connected to the first gas introduction path 304, and the second gas supply pipe 333 is connected to the second gas introduction path 314. Furthermore, the shower plate 300 shown in FIGS. 9A and 9B is completed by joining the shaft 331 to the main body plate 301 by electron beam welding or the like.
  • the surroundings of the lid plates 303 and 313 arranged on the first flow path 302 and the second flow path 312 are respectively deposited by the deposition layers 311 and 321 formed by the cold spray method. Since each is covered, the airtightness of each of the first flow path 302 and the second flow path 312 can be ensured. Accordingly, it is possible to prevent a situation in which two types of film forming gases respectively supplied from the two systems of the first gas supply pipe 332 and the second gas supply pipe 333 are mixed in the shower plate or leak out of the shower plate. it can.
  • the first gas introduction path 304 and the second gas introduction path 314 are provided on the main body plate 301 side, and the first gas extraction hole 305 and the second gas extraction hole 315 are provided on the deposition layer 321 side.
  • the first gas introduction path 304 and the second gas introduction path 314 may be provided on the deposition layer 321 side, and the first gas extraction hole 305 and the second gas extraction hole 315 may be provided on the main body plate 301 side. good.
  • the depths of the support portions 307 and 317 are approximately the same as the thicknesses of the lid plates 303 and 313, respectively.
  • the depths of the support portions 307 and 317 may be larger than the thicknesses of the lid plates 303 and 313 as in the first and second modifications (see FIGS. 4 and 5) of the first embodiment. However, it may be small.
  • the cover plates 303 and 313 formed slightly larger than the flow paths 302 and 312 are provided on the main body plate 301 or the deposition layer 311 without providing the support portions 307 and 317. And the first flow path 302 and the second flow path 312 may be covered.
  • Embodiment 3 a shower plate having two flow paths (first and second flow paths) was produced, but the number of flow paths is increased to 3 by repeating the steps shown in FIGS. 10E to 10G. It is good also as one or more, and it is good also considering the number of flow paths as only one by omitting these processes.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a shower plate that is a plate with flow passages according to the fourth embodiment.
  • the top view of the shower plate is the same as that shown in FIG. 9A.
  • the shower plate 400 includes a main body plate 401 in which a first flow path 402 through which a first film forming gas flows and a second flow path 412 through which a second film forming gas flows are formed.
  • Such a shower plate 400 is used while being supported by a shaft 421. Housed inside the shaft 421 are a first gas supply pipe 422 that supplies a first film-forming gas and a second gas supply pipe 423 that supplies a second film-forming gas.
  • the shower plate 400 is connected to a first gas supply rod 422 and is connected to a first gas introduction path 405 for introducing a first film forming gas into the first flow path 402 and a second gas introduction pipe 423. And a second gas introduction path 415 for introducing the second deposition gas into the second flow path 412.
  • the shower plate 400 is provided with a plurality of first gas outlet holes 406 for leading the first film forming gas flowing through the first flow path 402 and the second film forming gas flowing through the second flow path 412.
  • a plurality of second gas outlet holes 416 to be led out are provided.
  • FIG. 12A to 12H are views for explaining a method of manufacturing the shower plate 400.
  • an aluminum alloy is used as the material for the shower plate 400.
  • a bulk aluminum alloy is formed into a desired shape to produce a main body plate 401.
  • a groove 407 to be the first flow path 402 is formed on one main surface of the main body plate 401, and a support portion 408 is formed by notching the opening edge of the groove 407.
  • a groove 417 serving as the second flow path 412 is formed on the other main surface of the main body plate 401, and a support portion 418 is formed by cutting out an opening edge of the groove 417.
  • an aluminum alloy lid plate 403 having a shape substantially equal to the opening of the groove 407 (for example, a similar shape) and having an area larger than the opening is disposed on the support portion 408.
  • This is set in the holder 16 of the film forming apparatus 10, and an aluminum alloy powder is put into the powder supply unit 12, and film formation is performed so as to cover the main body plate 401 and the cover plate 403 by a cold spray method. Thereby, the deposited layer 404 shown in FIG. 12D is formed.
  • a lid plate 413 made of an aluminum alloy having a shape substantially equal to the groove 417 (for example, a similar shape) and having an area larger than the opening is supported by a support portion 418.
  • This is set in the holder 16 of the film forming apparatus 10 and film formation is performed so as to cover the main body plate 401 and the cover plate 413 by a cold spray method. Thereby, the deposited layer 414 shown in FIG. 12F is formed.
  • a first gas introduction path 405 that penetrates the deposition layer 404 and the lid plate 403 and communicates with the first flow path 402 is formed from the surface side of the deposition layer 404.
  • a second gas introduction path 415 that penetrates the deposition layer 404 and the main body plate 401 and communicates with the second flow path 412 is formed.
  • a plurality of first gas outlet holes 406 that penetrate the deposition layer 414 and the main body plate 401 and communicate with the first flow path 402 are formed from the surface side of the deposition layer 414.
  • a plurality of second gas outlet holes 416 penetrating the deposition layer 414 and the lid plate 413 and communicating with the second flow path 412 are formed.
  • the first gas supply pipe 422 is connected to the first gas introduction path 405, and the second gas supply pipe 423 is connected to the second gas introduction path 415.
  • the shaft 421 is joined to the deposition layer 404 by electron beam welding or the like. Thereby, the shower plate 400 shown in FIG. 11 is completed.
  • a shower plate in which the first channel 402 and the second channel 412 are sealed can be easily manufactured. Therefore, by using such a shower plate 400 in the film forming chamber, mixing of two kinds of film forming gases in the shower plate 400 and leakage of these film forming gases to the outside of the shower plate can be prevented. it can.
  • the first gas introduction path 405 and the second gas introduction path 415 are provided on the deposition layer 404 side, and the first gas extraction hole 406 and the second gas extraction hole 416 are provided on the deposition layer 414 side.
  • the reverse is also possible.
  • the depths of the support portions 408 and 418 may be larger or smaller than the thicknesses of the lid plates 403 and 413, or the support portions 408 and 418 may not be provided.

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Abstract

 従来よりも加工時間を短縮でき、且つ流路のリークや汚染を抑制することができる流路付きプレート等を提供する。流路付きプレートは、流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートであって、金属又は合金によって形成され、流路となる溝が設けられた本体プレートと、上記溝を覆う蓋プレートと、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、本体プレート及び蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、蓋プレートを覆う堆積層とを備える。

Description

流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート
 本発明は、半導体や液晶表示装置や光ディスク等の製造プロセスにおいて、基板の温度やガス供給等に用いられる流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレートに関する。
 半導体や液晶表示装置や光ディスク等の製造における種々の基板プロセスにおいては、基板の温度を調節する温度調節プレート(コールドプレート等)や、基板に所定の成分を有するガスを供給するシャワープレートが用いられている。これらの温度調節プレートやシャワープレートは、一般的に、アルミニウム又はアルミニウム合金等の金属プレートの内部に熱媒体やガスを流通させる流路を設けた構造を有している(例えば、特許文献1~3参照)。
 このような流路付きプレートは、従来、金属プレート本体に掘削加工等によって流路を形成し、この流路を封止する別の金属プレート(例えば、押え板)を上記金属プレート本体の流路側に重ね、溶接加工やロウ付或いは接着剤により両者を接合又は接着することにより製造されていた。
実開昭62-172977号公報 特開2006-329439号公報 特開2006-299294号公報
 しかしながら、このような従来の製造方法によれば、ロウ材のセットやロウ付時間、或いは溶接のためのフィラーのセットに時間がかかるため、多くの製造工数を要してしまう。また、溶接においては、高温の熱が母材に加わるため、熱歪みに起因する目違いやアンダーカットや母材の反り等により、流路にリークが生じるおそれがある。一方、ロウ付や接着剤を用いる場合には、ロウ材等の母材以外の成分が流路に流れ込み、流路の汚染を招くおそれがある。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、従来よりも製造工程に要する時間を短縮でき、且つ流路のリークや汚染を抑制することができる流路付きプレートの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような製造方法によって製造された流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレートを提供することを目的とする。
 上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る流路付きプレートの製造方法は、流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートの製造方法において、金属又は合金によって形成された本体プレートに、前記流路となる溝を形成する流路形成工程と、前記溝を覆う蓋プレートを、前記溝の上部に配置する蓋配置工程と、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、前記本体プレート及び前記蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより、前記蓋プレートを覆う堆積層を形成する堆積層形成工程とを含むことを特徴とする。
 上記流路付きプレートの製造方法において、前記堆積層形成工程は、コールドスプレー法により行われることを特徴とする。
 上記流路付きプレートの製造方法において、前記蓋プレートの前記溝を覆う面は、前記溝の開口と略等しい形状を有すると共に、前記開口より面積が大きいことを特徴とする。
 上記流路付きプレートの製造方法は、前記本体プレート、又は、前記蓋プレート及び前記堆積層に、前記流路に連通する孔を形成する孔形成工程をさらに含むことを特徴とする。
 本発明に係る流路付きプレートは、流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートにおいて、金属又は合金によって形成され、流路となる溝が設けられた本体プレートと、前記溝を覆う蓋プレートと、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、前記本体プレート及び前記蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、前記蓋プレートを覆う堆積層とを備えることを特徴とする。
 上記流路付きプレートにおいて、前記堆積層は、コールドスプレー法により形成されていることを特徴とする。
 上記流路付きプレートにおいて、前記本体プレート及び前記蓋プレート及び前記堆積層は、各々、アルミニウム(Al)、アルミニウム系合金、チタン(Ti)、チタン系合金、ステンレス鋼、銅(Cu)、銅系合金の内のいずれかによって形成されていることを特徴とする。
 上記流路付プレートにおいて、前記本体プレートと前記蓋プレートと前記堆積層との内の少なくとも1つは、前記本体プレートと前記蓋プレートと前記堆積層との内の他の1つ又は2つとは異なる金属又は合金によって形成されていることを特徴とする。
 上記流路付きプレートにおいて、前記溝は、前記本体プレートの第1の主面及び該第1の主面とは反対側の第2の主面に形成されていることを特徴とする。
 上記流路付きプレートは、前記堆積層に、第2の流路となる第2の溝が形成されており、前記第2の溝を覆う第2の蓋プレートと、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、前記堆積層及び前記第2の蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、前記第2の蓋プレートを覆う第2の堆積層とをさらに備えることを特徴とする。
 本発明に係る温度調節プレートは、前記流路付きプレートを備え、前記流路付きプレートに、前記流路に連通して該流路に熱媒体を導入する熱媒体導入路と、前記流路に連通して該流路から熱媒体を導出する熱媒体導出路とが設けられていることを特徴とする。
 本発明に係るコールドプレートは、前記流路付きプレートを備え、前記流路付きプレートに、前記流路に連通して該流路に冷却媒体を導入する熱媒体導入路と、前記流路に連通して該流路から冷却媒体を導出する熱媒体導出路とが設けられていることを特徴とする。
 本発明に係るシャワープレートは、前記流路付きプレートを備え、前記流路付きプレートに、前記流路に連通して該流路に所定の成分を有するガスを導入するガス導入路と、前記流路に連通して該流路から前記ガスを導出するガス導出孔とが設けられていることを特徴とする。
 本発明によれば、本体プレートに形成された溝を蓋プレート及びコールドスプレー法により形成された堆積層によって覆うことにより、プレート内部の流路を形成するので、バルク材同士を接合又は接着する従来の製造方法に比較して、製造工程に要する時間を短縮することができる。また、高温の熱や母材以外の材料(ロウ材等)を使用することなく上記流路を形成することができるので、流路のリークや汚染を抑制することが可能となる。
図1Aは、本発明の実施の形態1に係る流路付きプレートの構造を示す上面図である。 図1Bは、図1AのA-A断面図である。 図2は、コールドスプレー法による成膜装置の構成を示す模式図である。 図3Aは、図1に示す流路付きプレートの製造方法における本体プレートの形成工程を説明する図である。 図3Bは、図1に示す流路付きプレートの製造方法における溝の形成工程を説明する図である。 図3Cは、図1に示す流路付きプレートの製造方法における蓋プレートの配置工程を説明する図である。 図3Dは、図1に示す流路付きプレートの製造方法における堆積層の形成工程を説明する図である。 図4は、流路付きプレートの変形例1を示す断面図である。 図5は、流路付きプレートの変形例2を示す断面図である。 図6は、流路付きプレートの変形例3を示す断面図である。 図7は、流路付きプレートの変形例4を示す断面図である。 図8Aは、本発明の実施の形態2に係る流路付きプレートの適用例である温度調節プレートの構造を示す上面図である。 図8Bは、図8Aに示す温度調節プレートの一部断面側面図である。 図9Aは、本発明の実施の形態3に係る流路付きプレートの適用例であるシャワープレートの構造を示す上面図である。 図9Bは、図9AのB-B断面図である。 図10Aは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法における本体プレートの形成工程を説明する図である。 図10Bは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法における第1流路の形成工程を説明する図である。 図10Cは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法における第1流路の形成工程を説明する図である。 図10Dは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法における第1流路の形成工程を説明する図である。 図10Eは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法における第2流路の形成工程を説明する図である。 図10Fは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法における第2流路の形成工程を説明する図である。 図10Gは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法における第2流路の形成工程を説明する図である。 図10Hは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法におけるガス導入路等の形成工程を説明する図である。 図10Iは、図9Bに示すシャワープレートの製造方法におけるシャフト等の接合工程を説明する図である。 図11は、本発明の実施の形態4に係る流路付きプレートの適用例であるシャワープレートの構造を示す断面図である。 図12Aは、図11に示すシャワープレートの製造方法における本体プレートの形成工程を説明する図である。 図12Bは、図11に示すシャワープレートの製造方法における溝の形成工程を説明する図である。 図12Cは、図11に示すシャワープレートの製造方法における第1流路の形成工程を説明する図である。 図12Dは、図11に示すシャワープレートの製造方法における第1流路の形成工程を説明する図である。 図12Eは、図11に示すシャワープレートの製造方法における第2流路の形成工程を説明する図である。 図12Fは、図11に示すシャワープレートの製造方法における第2流路の形成工程を説明する図である。 図12Gは、図11に示すシャワープレートの製造方法におけるガス導入路等の形成工程を説明する図である。 図12Hは、図11に示すシャワープレートの製造方法におけるシャフト等の接合工程を説明する図である。
 以下に、本発明に係る流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレートの実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付している。図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、各部材の比率等は、現実と異なることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。さらに、以下の説明における「上」「下」等の方向を示す用語は、図面の記載に対応するものであることに留意する必要がある。
(実施の形態1)
 図1Aは、本発明の実施の形態1に係る流路付きプレートの構造を示す上面図である。また、図1Bは、図1AのA-A断面図である。
 流路付きプレート100は、流体(ガス又は液体)を流通させる流路102が設けられた本体プレート101と、流路102を覆う蓋プレート103と、該蓋プレート103を覆う堆積層104とを備えている。本体プレート101には、蓋プレート103を流路102の上方に支持する支持部107が設けられている。また、流路102の端部は、流路102に流体を導入する流体導入口105、及び、流路102から流体を導出する流体導出口106となっている。
 このような流路付きプレート100は、例えば、流路102に冷却用又は加熱用の熱媒体を流通させることにより、温度調節プレートとして用いられる。なお、この場合、本体プレート101側の主面と堆積層104側の主面とのいずれを温度調節対象である物体(例えば、基板等)の載置面としても良い。
 本体プレート101及び蓋プレート103は、バルク材の金属又は合金によって形成されている。具体的には、アルミニウム(Al)、アルミニウム系合金、チタン(Ti)、チタン系合金、ステンレス鋼、銅(Cu)、銅系合金等の金属又は合金が用いられる。本体プレート101及び蓋プレート103の材料は、例えば流路102に流通させる流体の種類や用途に応じて選択される。具体的には、流路付きプレートを温度調節プレートに適用し、熱媒体として水や海水を流通させる場合には、本体プレート101の腐食を避けるために、チタン、チタン合金、ステンレス鋼等を用いると良い。また、有機溶剤等の非腐食性の流体を流通させる場合には、熱伝導性に優れたアルミニウムやアルミニウム合金を用いると良い。さらに、本体プレート101及び蓋プレート103は、同じ種類の金属又は合金によって形成されても良いし、互いに異なる金属又は合金によって形成されても良い。例えば、本体プレート101を熱伝導性に優れたアルミニウム又はアルミニウム合金によって形成し、蓋プレート103を、アルミニウム又はアルミニウム合金よりも高い強度を有するチタン又はチタン合金によって形成するといった組み合わせを用いても良い。
 堆積層104は、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、成膜対象に向けて固相状態のままで吹き付けるコールドスプレー法により、蓋プレート103及び本体プレート101の蓋プレート配置面108上に形成されている。堆積層104の材料としては、上記本体プレート101及び蓋プレート103と同様に、アルミニウム(Al)、アルミニウム系合金、チタン(Ti)、チタン系合金、ステンレス鋼、銅(Cu)、銅系合金等の金属又は合金が用いられる。また、堆積層104の材料として、本体プレート101や蓋プレート103と同じ種類の金属又は合金を用いても良いし、異なる種類の金属又は合金を用いても良い。例えば、流路102を流通させる熱媒体による腐食を防止するため、本体プレート101及び蓋プレート103をステンレス鋼によって形成し、堆積層104側の熱伝導性を改善するため、堆積層104をアルミニウム合金によって形成するといった材料の選択も可能である。
 図2は、コールドスプレー法による成膜装置の構成を示す模式図である。成膜装置10は、ガス供給源からヘリウム(He)や窒素(N)等の不活性ガスや空気等のガス(作動ガス)を導入するガス導入管11と、原料であるアルミニウム系金属の粉体1を供給する粉体供給部12と、ガス導入管11から導入されたガスを所望の温度まで加熱するヒータ13と、粉体1とガスとを混合して噴射するチャンバ14と、粉体1を噴射するノズル15と、成膜対象である基板2等を保持するホルダ16とを備えている。
 粉体供給部12には、金属又は合金の微小な(例えば、粒径が10μm~100μm程度)の粉体1が配置されている。この粉体1は、ガス導入管11に設けられたバルブ11aを操作して所望の流量のガスを粉体供給部12に導入することにより、ガスと共に粉体供給管12aを通ってチャンバ14内に供給される。
 ヒータ13は、導入されたガスを、例えば、50℃~700℃程度まで加熱する。この加熱温度の上限は、粉体1を固相状態のままで基板2に吹き付けるため、原料の融点未満とする。より好ましくは、上限温度を、摂氏で融点の約60%以下に留める。これは、加熱温度が高くなるほど、粉体1が酸化する可能性が高くなるからである。従って、例えば、アルミニウム(融点:約660℃)の膜を形成する場合には、加熱温度を約660℃未満とすれば良く、約396℃以下とすればより好ましい。
 ヒータ13において加熱されたガスは、ガス用配管13aを介してチャンバ14に導入される。なお、チャンバ14に導入されるガスの流量は、ガス導入管11に設けられているバルブ11bを操作することにより調節される。
 チャンバ14の内部には、ガス用配管13aから導入されたガスにより、ノズル15から基板2に向けたガスの流れが形成されている。このチャンバ14に粉体供給部12から粉体1を供給すると、粉体1は、ガスの流れに乗って加速されると共に加熱され、ノズル15から基板2に向けて吹き付けられる。このときの衝撃により粉体1が基板2の表面に食い込み、粉体1が有している運動エネルギー及び熱エネルギーによって粉体1が塑性変形して基板2の表面に付着し、金属又は合金の堆積層3が形成される。
 粉体1を加速する速さ、即ち、ノズル15から噴射される際のガスの流速は、超音速(約340m/s以上)であり、例えば、約400m/s以上とすることが好ましい。この速さは、バルブ11bを操作してチャンバ14に導入されるガスの流量を調節することにより制御することができる。また、成膜装置10のように、基端から先端に向けて口径がテーパ状に広がっていくノズル15を使用することにより、チャンバ14内で形成されたガスの流れをノズル15の導入路で一旦絞って加速することができる。
 図2に示すように、ノズル15の口径に対して成膜範囲(基板2の面積)が広い場合には、ノズル15をX-Y方向に移動させながら成膜を行う。或いは、ノズル15の位置を固定し、ホルダ16側を移動させても良い。
 次に、流路付きプレート100の製造方法について説明する。図3は、流路付きプレート100の製造方法を説明する図である。本実施の形態1においては、ステンレス鋼とアルミニウムとによって形成された流路付きプレートを製造する。
 まず、図3Aに示すように、ステンレス鋼を所望の形状に成形して、本体プレート101を作製する。
 次いで、図3Bに示すように、本体プレート101の一方の主面(蓋プレート配置面108)に、切削加工等により流路102となる溝109を形成すると共に、該溝109の開口縁部を切り欠くことにより支持部107を形成する。この支持部107の幅Wは、蓋プレート103を支持できる程度、即ち、溝109の幅WGRより若干広い程度であれば良い。また、支持部107の深さDは、蓋プレート103と同程度であれば良い。なお、流路102の断面形状は長方形に限定されず、任意の形状(例えば、角が丸い長方形や、台形や、三角形や、半円形や、半楕円形等)に形成しても良い。
 次いで、図3Cに示すように、予めステンレス鋼によって所定の形状に成形された蓋プレート103を支持部107に配置する。蓋プレート103の溝109を覆う面は、溝109の開口と略等しい形状(例えば、相似形)を有し、溝109の開口よりも大きな面積となるように成形されている。即ち、蓋プレートの幅WPLは、WGR<WPL≦Wであれば良い。また、蓋プレート103の厚さDPLは、次の工程で粉体を吹き付けられることを考慮して、材料の硬度や断面形状に応じた厚さとすることが好ましい。
 その後、これらの本体プレート101及び蓋プレート103を、成膜装置10のホルダ16にセットすると共に、アルミニウムの粉体を粉体供給部12に投入し、蓋プレート103を覆うように成膜を行う。それにより、図3Dに示す堆積層104を形成する。それにより、流路付きプレート100が完成する。なお、この後で、堆積層104の上面や側面に対して研磨や切削加工等を施すことにより、表面を平滑化すると共に、堆積層104の厚さ調整や不要な部分に付着した膜等の除去をさらに行っても良い。
 以上説明した実施の形態1によれば、蓋プレート103を覆って流路102を密閉する堆積層104をコールドスプレー法により形成するので、溶接やロウ付によりバルク材を接合する従来の方法に比較して、製造時間を短縮することができる。また、溶接と異なり、母材(本体プレート、蓋プレート、堆積層)に高温の熱が加わることはないので、母材の熱歪みに起因する流路のリークを抑制することができる。さらに、母材以外の第3の部材(ロウ材や接着剤等)を使用しないので、それらの部材の流れ込みに起因する流路の汚染を抑制することができる。
 また、実施の形態1においては、コールドスプレー法により堆積層104を形成するので、本体プレート101又は蓋プレート103と堆積層104との間や、本体プレート101と蓋プレート103との間において、高い密閉性を維持することができる。これは、本体プレート101及び蓋プレート103と堆積層104とを同種金属によって形成する場合は勿論、互いに異種の金属によって形成する場合にも言える。その理由は、コールドスプレー法においては、金属の粉体1が下層(本体プレート101や蓋プレート103の上面や、それまでに堆積した堆積層104)の表面に高速に衝突して食い込み、自身を変形させて下層に強く密着するからである。このことは、本体プレート101や蓋プレート103と堆積層104との界面において、堆積層104が相手側に食い込む現象(アンカー効果と呼ばれる)が観察されることからもわかる。また、本体プレート101と蓋プレート103との間にガタが生じていても、コールドスプレー法により隙間に粉体1が充填されるので、やはり密閉性が確保される。
 流路付きプレート100においては、上述したように堆積層104が下層に密着しているので、堆積層104と本体プレート101や蓋プレート103との界面における伝熱性が低下することはほとんどない。また、堆積層104自体も非常に緻密な層となっているため(例えば、密度はバルク材に比較して95%以上)、堆積層104の内部においても、バルク材の90%以上という良好な伝熱性が維持されている。従って、流路付きプレート100を、例えば温度調節プレートとして用いる場合には、流路付きプレート100上に載置される物体(基板等)を効率良く、且つ均一に温度調節することができる。さらに、流路102からの流体のリークが防止されるため、流体の温度制御(即ち、載置面の温度制御)の確実性を維持することができる。
 なお、実施の形態1においては、流体導入口105及び流体導出口106を、本体プレート101の側面に設けたが、これらを本体プレート101の下面又は堆積層104の上面に設けても良い。この場合には、流路102となる溝109を形成する際に、溝109を本体プレート101の側面よりも内側に形成して、本体プレート101の側面に開口させないようにする。そして、本体プレート101の下面側又は堆積層104の上面側から流路102に連通する孔を形成すれば良い。
 次に、実施の形態1に係る流路付きプレート100の変形例1~4について説明する。
 図4は、変形例1を示す断面図である。図4に示す流路付きプレート110においては、蓋プレート103を支持する支持部112の深さDを、蓋プレート103の厚さよりも大きくしている。この場合には、流路111を本体プレート101のより深部に設けることができる。
 図5は、変形例2を示す断面図である。図5に示す流路付きプレート120においては、蓋プレート103を支持する支持部122の深さDを、蓋プレート103の厚さよりも小さくしている。この場合には、流路121及び支持部122を形成する切削工程の時間を短縮しつつ、堆積層104の形成工程において、蓋プレート103の位置ずれを防止することができる。
 図6は、変形例3を示す断面図である。図6に示す流路付きプレート130においては、本体プレート101の上面に、各流路131を覆う蓋プレート132を載置している。この場合には、蓋プレート132を支持する支持部を形成する切削工程を削減することができる。また、蓋プレート132を支持部の内側に収める必要がなくなるため、蓋プレート132の形状に対する制約を緩和することができる。
 図7は、変形例4を示す断面図である。図7に示す流路付きプレート140においては、隣接する流路131の間で連続するように形成された蓋プレート141を、本体プレート101の上面に配置している。この場合は、蓋プレート141を、少なくとも流路131を覆うことができる形状に成形すれば良いため、蓋プレート141の形成工程を簡素化することができる。
(実施の形態2)
 次に、本発明の実施の形態2に係る流路付きプレートについて説明する。本実施の形態2においては、流路付きプレートを、CVD法(化学気相成長法)による成膜装置等において、成膜チャンバ内に備えられて基板を冷却するコールドプレートとして用いる。図8Aは、実施の形態2に係る流路付きプレートであるコールドプレートを示す上面図である。また、図8Bは、図8Aに示すコールドプレートを示す一部断面側面図である。
 コールドプレート200は、流路202及び支持部207が設けられた本体プレート201と、支持部207に保持され、流路202を覆う蓋プレート203と、蓋プレート203を覆う堆積層204とを備えている。本体プレート201及び蓋プレート203は、実施の形態1と同様に、例えばアルミニウムのバルク材によって形成されている。一方、堆積層204は、例えばアルミニウム粉体を用いたコールドスプレー法によって形成されている。この堆積層204の上面が、冷却対象である基板を載置する載置面となっている。
 流路202は、中心から外周に向けて広がってから再度中心に戻る渦巻き状をなしており、流路202の両端は中心付近に位置している。本体プレート201の中心付近には、流路202内に冷却媒体を導入する熱媒体導入路205と、流路202内から冷却媒体を導出する熱媒体導出路206とが設けられている。
 このようなコールドプレート200は、シャフト211に支持されて用いられる。シャフト211の内側には、熱媒体導入路205に接続される冷却媒体供給管212と、熱媒体導出路206に接続される冷却媒体排出管213とが収納されている。
 コールドプレート200の製造方法は、次のとおりである。即ち、図3を参照しながら実施の形態1において説明したものと同様に、まず、本体プレート201の一方の主面(蓋プレート配置面208)に流路202となる溝209を形成すると共に、該溝209の開口縁部を切り欠くことにより支持部207を形成する。そして、溝209の開口と略等しい形状(例えば、相似形)を有し、該開口より大きい面積を有する蓋プレート203を、支持部207に配置する。続いて、図2に示す成膜装置10により、蓋プレート203を覆う堆積層204を形成する。さらに、本体プレート201の下面側から、熱媒体導入路205及び熱媒体導出路206を形成する。
 実施の形態2によれば、図8Aに示すような複雑な流路パターンを有し、且つ良好な伝熱性と流路の密閉性とを有する温度調節装置を容易に作製することが可能である。
 なお、本実施の形態2においては、堆積層204側の表面を基板の載置面とするため、熱媒体導入路205及び熱媒体導出路206を本体プレート201側に設けたが、反対に、本体プレート201側の表面を基板の載置面とし、熱媒体導入路205及び熱媒体導出路206を堆積層204側に設けても良い。
(実施の形態3)
 次に、本発明の実施の形態3に係る流路付きプレートについて説明する。本実施の形態3においては、流路付きプレートを、CVD法による成膜装置等において、成膜チャンバ内に備えられて2種類の成膜ガスを基板に供給するシャワープレートに適用する。図9Aは、実施の形態3に係る流路付きプレートであるシャワープレートを示す上面図である。また、図9Bは、図9AのB-B断面図である。
 図9A及び図9Bに示すように、シャワープレート300は、第1の成膜ガスを流通させる第1流路302が形成された本体プレート301と、第1流路302を覆う蓋プレート303と、該蓋プレート303を覆うと共に、第2の成膜ガスを流通させる第2流路312が形成された堆積層311と、第2流路312を覆う蓋プレート313と、該蓋プレート313を覆う堆積層321とを備えている。このようなシャワープレート300は、シャフト331によって支持されて用いられる。シャフト331の内側には、第1の成膜ガスを供給する第1ガス供給管332と、第2の成膜ガスを供給する第2ガス供給管333とが収納されている。
 シャワープレート300には、第1ガス供給菅332に接続されて第1の成膜ガスを第1流路302に導入する第1ガス導入路304と、第2ガス供給菅333に接続されて第2の成膜ガスを第2流路312に導入する第2ガス導入路314とが設けられている。また、シャワープレート300には、第1流路302を流通する第1の成膜ガスを導出する複数の第1ガス導出孔305と、第2流路312を流通する第2の成膜ガスを導出する複数の第2ガス導出孔315とが設けられている。
 また、第1流路302と第2流路312とは、第1ガス導出孔305が第2流路312に接触したり、第2ガス導入路314が第1流路302に接触したりしないように、互いに位置をずらして配置されている。
 シャワープレート300を使用する際には、第1ガス供給管332から供給された第1の成膜ガスが、第1流路302を介して第1ガス導出孔305から放出され、第2ガス供給管333から供給された第2の成膜ガスが、第2流路312を介して第2ガス導出孔315から放出される。これらの第1及び第2の成膜ガスは、シャワープレート300から放出された後で混合され、成膜に寄与することになる。
 次に、シャワープレート300の製造方法について説明する。図10A~図10Iは、シャワープレート300の製造方法を説明する図である。実施の形態3においては、シャワープレート300の材料としてアルミニウム合金を用いる。
 まず、図10Aに示すように、バルクのアルミニウム合金を所望の形状に成形して、本体プレート301を作製する。
 次いで、図10Bに示すように、切削加工等により、本体プレート301の一方の主面に第1流路302となる溝306を形成すると共に、該溝306の開口縁部を切り欠くことにより支持部307を形成する。そして、図10Cに示すように、溝306の開口と略等しい形状(例えば、相似形)であり、該開口より大きな面積を有するアルミニウム合金の蓋プレート303を、支持部307に配置する。
 これらの本体プレート301及び蓋プレート303を、図2に示す成膜装置10のホルダ16にセットすると共に、アルミニウム合金の粉体を粉体供給部12に投入して、コールドスプレー法により本体プレート301及び蓋プレート303を覆うように成膜を行う。それにより、図10Dに示す堆積層311が形成される。堆積層311の厚さは、この後の工程で第2流路312を形成できる程度に十分な厚さとし、好ましくは、本体プレート301と同程度にすると良い。また、成膜後、研磨等により堆積層311の表面を平滑にすると共に、不要な部分に付着した膜を除去しておく。
 次いで、図10Eに示すように、切削加工等により、堆積層311に第2流路312となる溝316を形成すると共に、該溝316の開口縁部を切り欠くことにより支持部317を形成する。そして、図10Fに示すように、溝316の開口と略等しい形状(例えば、相似形)であり、該開口より大きな面積を有するアルミニウム合金の蓋プレート313を、支持部317に配置する。これを成膜装置10にセットし、アルミニウム合金の粉体を用いて、コールドスプレー法により堆積層311及び蓋プレート313を覆うように成膜を行う。それにより、図10Gに示す堆積層321が形成される。さらに、研磨等により堆積層321の表面を平滑にし、不要な部分に付着した膜を除去しておく。
 続いて、図10Hに示すように、本体プレート301の表面側から、本体プレート301を貫通して第1流路302に連通する第1ガス導入路304を設ける。同様に、本体プレート301及び堆積層311を貫通して第2流路312に連通する第2ガス導入路314を形成する。また、堆積層321の表面側から、堆積層321、堆積層311、及び蓋プレート303を貫通して第1流路302に連通する複数の第1ガス導出孔305を形成する。同様に、堆積層321及び蓋プレート313を貫通して第2流路312に連通する複数の第2ガス導出孔315を形成する。そして、図10Iに示すように、第1ガス供給管332を第1ガス導入路304に接続し、第2ガス供給管333を第2ガス導入路314に接続する。さらに、シャフト331を本体プレート301に電子ビーム溶接等により接合することにより、図9A及び図9Bに示すシャワープレート300が完成する。
 以上説明した実施の形態3によれば、第1流路302及び第2流路312上にそれぞれ配置された蓋プレート303及び313の周囲を、コールドスプレー法によって形成された堆積層311及び321によってそれぞれ覆うので、第1流路302及び第2流路312の各々の密閉性を確保することができる。従って、第1ガス供給管332及び第2ガス供給管333の2系統からそれぞれ供給される2種類の成膜ガスがシャワープレート内で混合したり、シャワープレート外にリークするといった事態を防ぐことができる。
 なお、実施の形態3においては、本体プレート301側に第1ガス導入路304及び第2ガス導入路314を設け、堆積層321側に第1ガス導出孔305及び第2ガス導出孔315を設けたが、反対に、堆積層321側に第1ガス導入路304及び第2ガス導入路314を設け、本体プレート301側に第1ガス導出孔305及び第2ガス導出孔315を設けることとしても良い。
 また、実施の形態3においては、支持部307、317の深さを、蓋プレート303、313の厚さとそれぞれ同程度としている。しかしながら、実施の形態1の変形例1や変形例2(図4及び図5参照)と同様に、支持部307、317の深さを、蓋プレート303、313の厚さよりも大きくしても良いし、小さくしても良い。或いは、変形例3と同様に(図6参照)、支持部307、317を設けずに、流路302、312より若干大きく成形された蓋プレート303、313を本体プレート301上又は堆積層311上にそれぞれ載置して、第1流路302や第2流路312を覆うようにしても良い。
 さらに、実施の形態3においては、2つの流路(第1及び第2流路)を有するシャワープレートを作製したが、図10E~図10Gに示す工程を繰り返すことにより、流路の数を3つ以上としても良いし、これらの工程を省略することにより、流路の数を1つのみとしても良い。
(実施の形態4)
 次に、本発明の実施の形態4に係る流路付きプレートについて説明する。本実施の形態4においては、流路付きプレートを、実施の形態3と同様に、2種類のガスを成膜チャンバ内の基板に供給するシャワープレートに適用する。図11は、実施の形態4に係る流路付きプレートであるシャワープレートを示す断面図である。なお、該シャワープレートの上面図は、図9Aに示すものと同様である。
 図11に示すように、シャワープレート400は、第1の成膜ガスを流通させる第1流路402と、第2の成膜ガスを流通させる第2流路412とが形成された本体プレート401と、第1流路402を覆う蓋プレート403と、該蓋プレート403を覆う堆積層404と、第2流路412を覆う蓋プレート413と、該蓋プレート413を覆う堆積層414とを備えている。このようなシャワープレート400は、シャフト421によって支持されて用いられる。シャフト421の内側には、第1の成膜ガスを供給する第1ガス供給管422と、第2の成膜ガスを供給する第2ガス供給管423とが収納されている。
 シャワープレート400には、第1ガス供給菅422に接続されて第1の成膜ガスを第1流路402に導入する第1ガス導入路405と、第2ガス導入管423に接続されて第2の成膜ガスを第2流路412に導入する第2ガス導入路415とが設けられている。また、シャワープレート400には、第1流路402を流通する第1の成膜ガスを導出する複数の第1ガス導出孔406と、第2流路412を流通する第2の成膜ガスを導出する複数の第2ガス導出孔416とが設けられている。
 次に、シャワープレート400の製造方法について説明する。図12A~図12Hは、シャワープレート400の製造方法を説明する図である。実施の形態4においては、シャワープレート400の材料としてアルミニウム合金を用いる。
 まず、図12Aに示すように、バルクのアルミニウム合金を所望の形状に成形して、本体プレート401を作製する。
 次いで、図12Bに示すように、本体プレート401の一方の主面に、第1流路402となる溝407を形成すると共に、該溝407の開口縁部を切り欠くことにより支持部408を形成する。また、本体プレート401の他方の主面に、第2流路412となる溝417を形成すると共に、該溝417の開口縁部を切り欠くことにより支持部418を形成する。
 図12Cに示すように、溝407の開口と略等しい形状(例えば、相似形)であり、該開口より大きい面積を有するアルミニウム合金の蓋プレート403を支持部408に配置する。これを成膜装置10のホルダ16にセットすると共に、アルミニウム合金の粉体を粉体供給部12に投入して、コールドスプレー法により本体プレート401及び蓋プレート403を覆うように成膜を行う。それにより、図12Dに示す堆積層404が形成される。
 次いで、図12Eに示すように、本体プレート401の天地を逆転し、溝417と略等しい形状(例えば、相似形)であり、該開口より大きい面積を有するアルミニウム合金の蓋プレート413を支持部418に配置する。これを成膜装置10のホルダ16にセットし、コールドスプレー法により本体プレート401及び蓋プレート413を覆うように成膜を行う。それにより、図12Fに示す堆積層414が形成される。
 続いて、図12Gに示すように、堆積層404の表面側から、堆積層404及び蓋プレート403を貫通して第1流路402に連通する第1ガス導入路405を形成する。同様に、堆積層404及び本体プレート401を貫通して第2流路412に連通する第2ガス導入路415を形成する。また、堆積層414の表面側から、堆積層414及び本体プレート401を貫通して第1流路402に連通する複数の第1ガス導出孔406を形成する。同様に、堆積層414及び蓋プレート413を貫通して第2流路412に連通する複数の第2ガス導出孔416を形成する。そして、図12Hに示すように、第1ガス供給管422を第1ガス導入路405に接続し、第2ガス供給管423を第2ガス導入路415に接続する。さらに、シャフト421を堆積層404に電子ビーム溶接等により接合する。それにより、図11に示すシャワープレート400が完成する。
 以上説明した実施の形態4によれば、第1流路402及び第2流路412の密閉性が確保されたシャワープレートを、容易に製造することができる。従って、このようなシャワープレート400を成膜チャンバ内で用いることにより、シャワープレート400内における2種類の成膜ガスの混合や、これらの成膜ガスのシャワープレート外へのリークを防止することができる。
 なお、実施の形態4においては、第1ガス導入路405及び第2ガス導入路415を堆積層404側に設け、第1ガス導出孔406及び第2ガス導出孔416を堆積層414側に設けたが、その逆であっても構わない。また、支持部408及び418の深さについても、蓋プレート403及び413の厚さより大きくしても良いし、小さくしても良いし、或いは支持部408及び418を設けないこととしても良い。
 1 粉体
 2 基板
 3 堆積層
 10 成膜装置
 11 ガス導入管
 11a、11b バルブ
 12a 粉体供給管
 12 粉体供給部
 13a ガス用配管
 13 ヒータ
 14 チャンバ
 15 ノズル
 16 ホルダ
 100 プレート
 101、201、301、401 本体プレート
 102、111、121、131、202 流路
 103、141、203、303、313、403、413 蓋プレート
 104、204、311、321、404、414 堆積層
 105 流体導入口
 106 流体導出口
 108、208 蓋プレート配置面
 109、306、316、407、417 溝
 200 コールドプレート
 205 熱媒体導入路
 206 熱媒体導出路
 107、207、307、317、408、418 支持部
 211、331、421 シャフト
 213 冷却媒体排出管
 212 冷却媒体供給管
 300、400 シャワープレート
 302、402 第1流路
 304、405 第1ガス導入路
 305、406 第1ガス導出孔
 312、412 第2流路
 314、415 第2ガス導入路
 315、416 第2ガス導出孔
 332、422 第1ガス供給管
 333、423 第2ガス供給管

Claims (13)

  1.  流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートの製造方法において、
     金属又は合金によって形成された本体プレートに、前記流路となる溝を形成する流路形成工程と、
     前記溝を覆う蓋プレートを、前記溝の上部に配置する蓋配置工程と、
     金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、前記本体プレート及び前記蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより、前記蓋プレートを覆う堆積層を形成する堆積層形成工程と、
    を含むことを特徴とする流路付きプレートの製造方法。
  2.  前記堆積層形成工程は、コールドスプレー法により行われることを特徴とする請求項1に記載の流路付きプレートの製造方法。
  3.  前記蓋プレートの前記溝を覆う面は、前記溝の開口と略等しい形状を有すると共に、前記開口より面積が大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の流路付きプレートの製造方法。
  4.  前記本体プレート、又は、前記蓋プレート及び前記堆積層に、前記流路に連通する孔を形成する孔形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の流路付きプレートの製造方法。
  5.  流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートにおいて、
     金属又は合金によって形成され、流路となる溝が設けられた本体プレートと、
     前記溝を覆う蓋プレートと、
     金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、前記本体プレート及び前記蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、前記蓋プレートを覆う堆積層と、
    を備えることを特徴とする流路付きプレート。
  6.  前記堆積層は、コールドスプレー法により形成されていることを特徴とする請求項5に記載の流路付きプレート。
  7.  前記本体プレート及び前記蓋プレート及び前記堆積層は、各々、アルミニウム(Al)、アルミニウム系合金、チタン(Ti)、チタン系合金、ステンレス鋼、銅(Cu)、銅系合金の内のいずれかによって形成されていることを特徴とする請求項5又は6に記載の流路付きプレート。
  8.  前記本体プレートと前記蓋プレートと前記堆積層との内の少なくとも1つは、前記本体プレートと前記蓋プレートと前記堆積層との内の他の1つ又は2つとは異なる金属又は合金によって形成されていることを特徴とする請求項7に記載の流路付きプレート。
  9.  前記溝は、前記本体プレートの第1の主面及び該第1の主面とは反対側の第2の主面に形成されていることを特徴とする請求項5~8のいずれか1項に記載の流路付きプレート。
  10.  前記堆積層に、第2の流路となる第2の溝が形成されており、
     前記第2の溝を覆う第2の蓋プレートと、
     金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、前記堆積層及び前記第2の蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、前記第2の蓋プレートを覆う第2の堆積層と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項5~8のいずれか1項に記載の流路付きプレート。
  11.  請求項5~8のいずれか1項に記載の流路付きプレートを備え、
     前記流路付きプレートに、前記流路に連通して該流路に熱媒体を導入する熱媒体導入路と、前記流路に連通して該流路から熱媒体を導出する熱媒体導出路とが設けられていることを特徴とする温度調節プレート。
  12.  請求項5~8のいずれか1項に記載の流路付きプレートを備え、
     前記流路付きプレートに、前記流路に連通して該流路に冷却媒体を導入する熱媒体導入路と、前記流路に連通して該流路から冷却媒体を導出する熱媒体導出路とが設けられていることを特徴とするコールドプレート。
  13.  請求項5~10のいずれか1項に記載の流路付きプレートを備え、
     前記流路付きプレートに、前記流路に連通して該流路に所定の成分を有するガスを導入するガス導入路と、前記流路に連通して該流路から前記ガスを導出するガス導出孔とが設けられていることを特徴とするシャワープレート。
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US13/808,783 US10279441B2 (en) 2010-07-09 2011-07-06 Method of manufacturing plate with passage, plate with passage, temperature adjustment plate, cold plate, and shower plate

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014086726A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置用部材及びその製法
CN114635136A (zh) * 2022-03-17 2022-06-17 中国电子科技集团公司第十研究所 一种液冷冷板内流道表面质量控制方法

Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5343574B2 (ja) * 2009-01-20 2013-11-13 トヨタ自動車株式会社 ヒートシンクのろう付け方法
JP5245066B2 (ja) * 2009-03-09 2013-07-24 トヨタ自動車東日本株式会社 温度調節管を有する電鋳殻の製造方法
TWI372081B (en) * 2010-02-02 2012-09-11 Hermes Epitek Corp Showerhead
US20190118442A9 (en) * 2010-04-20 2019-04-25 Honda Motor Co., Ltd. Conforming cooling method and mold
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
JP5712054B2 (ja) * 2011-05-31 2015-05-07 日本発條株式会社 シャフト付きヒータユニットおよびシャフト付きヒータユニットの製造方法
JP5326012B2 (ja) 2012-02-14 2013-10-30 ファナック株式会社 補強構造が形成されたかご形導体を備える回転子及びその製造方法
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
JP2014192372A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Tokyo Electron Ltd マイクロ波加熱処理装置
US9666466B2 (en) * 2013-05-07 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US10079165B2 (en) * 2014-05-20 2018-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with independent zone cooling and reduced crosstalk
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
DE102014014393A1 (de) 2014-10-02 2016-04-07 E E T Energie-Effizienz Technologie GmbH Wärmetauscher
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
JP5941589B1 (ja) * 2015-09-14 2016-06-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
CN105658027B (zh) * 2015-10-22 2018-04-13 浙江大学 用于电子部件冷却的液冷板
US10648080B2 (en) * 2016-05-06 2020-05-12 Applied Materials, Inc. Full-area counter-flow heat exchange substrate support
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10266947B2 (en) 2016-08-23 2019-04-23 Lam Research Corporation Rotary friction welded blank for PECVD heated showerhead
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
KR101876548B1 (ko) * 2016-12-30 2018-07-09 상구정공(주) 샤워헤드 플레이트 및 이의 제작방법
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
JP6911469B2 (ja) * 2017-03-31 2021-07-28 株式会社Ihi 熱処理装置
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
CN108118296A (zh) * 2017-12-08 2018-06-05 北京创昱科技有限公司 一种冷却板
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
JP7119779B2 (ja) * 2018-08-30 2022-08-17 住友金属鉱山株式会社 成膜装置と成膜方法
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11496035B2 (en) * 2018-09-19 2022-11-08 Motorola Solutions, Inc. Homopolar linear synchronous machine
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US20200126826A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Applied Materials, Inc. Load lock body portions, load lock apparatus, and methods for manufacturing the same
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
JP7246161B2 (ja) * 2018-10-25 2023-03-27 日本発條株式会社 接合体
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
KR20210090279A (ko) * 2018-12-07 2021-07-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 컴포넌트, 컴포넌트를 제조하는 방법, 및 컴포넌트를 세정하는 방법
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP6918042B2 (ja) 2019-03-26 2021-08-11 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
DE102019216264A1 (de) * 2019-10-23 2021-04-29 Robert Bosch Gmbh Herstellverfahren zum Herstellen einer Leitvorrichtung zum Leiten zumindest eines Fluides, sowie Produktionsverfahren zur Produktion einer Brennstoffzelleneinheit
FR3106769B1 (fr) * 2020-02-05 2023-03-10 Stiral Procédé de fabrication d’un échangeur thermique ou d’un caloduc
KR102199738B1 (ko) * 2020-04-24 2021-01-08 (주)코리아스타텍 건식 식각장비용 직냉식 정전척
KR102649715B1 (ko) * 2020-10-30 2024-03-21 세메스 주식회사 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법
CN114905182B (zh) * 2022-06-28 2024-04-19 新乡市特美特热控技术股份有限公司 一种焊料的制备方法及通过焊料焊接冷板的方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172977U (ja) * 1986-04-15 1987-11-02
JPH1140715A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子用冷却装置およびその製造方法
JPH1174614A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 冷媒流路を含む熱消散体とその製造方法
JP2002248584A (ja) * 2000-12-22 2002-09-03 Hitachi Ltd 冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法
JP2002257490A (ja) * 2001-03-02 2002-09-11 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートプレートおよびその製造方法
JP2006299294A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置及び成膜装置
JP2006329439A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Furukawa Sky Kk コールドプレート
JP2008231486A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Ihi Corp 合金塗布方法、ロウ材塗布方法、熱交換器の製造方法
JP2008274352A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Ihi Corp 封止補完方法、金属部材補修方法、金属欠陥補修装置
JP2009291793A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Kuroki Kogyosho:Kk 構造体の製造法
JP2010123712A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nihon Ceratec Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5579534A (en) * 1994-05-23 1996-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Heat-resistant member
US6677167B2 (en) * 2002-03-04 2004-01-13 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method
JP4844167B2 (ja) * 2006-02-24 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 冷却ブロック及びプラズマ処理装置
US7900458B2 (en) * 2007-05-29 2011-03-08 Siemens Energy, Inc. Turbine airfoils with near surface cooling passages and method of making same
JP4586823B2 (ja) 2007-06-21 2010-11-24 トヨタ自動車株式会社 成膜方法、伝熱部材、パワーモジュール、車両用インバータ、及び車両

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172977U (ja) * 1986-04-15 1987-11-02
JPH1140715A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子用冷却装置およびその製造方法
JPH1174614A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 冷媒流路を含む熱消散体とその製造方法
JP2002248584A (ja) * 2000-12-22 2002-09-03 Hitachi Ltd 冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法
JP2002257490A (ja) * 2001-03-02 2002-09-11 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートプレートおよびその製造方法
JP2006299294A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置及び成膜装置
JP2006329439A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Furukawa Sky Kk コールドプレート
JP2008231486A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Ihi Corp 合金塗布方法、ロウ材塗布方法、熱交換器の製造方法
JP2008274352A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Ihi Corp 封止補完方法、金属部材補修方法、金属欠陥補修装置
JP2009291793A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Kuroki Kogyosho:Kk 構造体の製造法
JP2010123712A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nihon Ceratec Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KAZUHIKO SAKAKI, KAISETSU, JOURNAL OF JAPAN INSTITUTE OF LIGHT METALS, vol. 56, no. 7, pages 376 - 385, XP008161745 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014086726A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置用部材及びその製法
CN114635136A (zh) * 2022-03-17 2022-06-17 中国电子科技集团公司第十研究所 一种液冷冷板内流道表面质量控制方法

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Publication number Publication date
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