WO2011162161A1 - シリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

シリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法 Download PDF

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silicon
etching
sodium hydroxide
semiconductor device
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明英 高木
昌次 中村
光俊 西野
大竹　保年
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シャープ株式会社
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    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a silicon wafer, a semiconductor device, a method of manufacturing a silicon wafer, and a method of manufacturing a semiconductor device.
  • a solar cell conventionally forms a pn junction by diffusing an impurity which is the opposite of the conductivity type of a silicon wafer to the light receiving surface of a single crystal or polycrystal silicon wafer, for example, to form a light receiving surface of the silicon wafer
  • a double-sided electrode type solar battery cell manufactured by forming an electrode on the back surface opposite to the light receiving surface has become mainstream.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-49079
  • the masking paste 102 is screen-printed on the entire light receiving surface side of the semiconductor substrate 101 having n-type or p-type conductivity and dried, and then the back surface of the semiconductor substrate 101 is obtained.
  • An opening 114 is partially provided on the side to screen print the masking paste 102.
  • the n-type dopant diffusion region 103 is formed by diffusing the n-type dopant 104 from the opening 114 on the back surface of the semiconductor substrate 101.
  • the p-type dopant diffusion region 105 is formed by diffusing the p-type dopant 106 from the opening 115 on the back surface of the semiconductor substrate 101.
  • the texture structure 108 is formed by texture etching the surface on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 101, and then the antireflective film 109 is formed on the texture structure 108.
  • a passivation film 107 is formed on the back side of the semiconductor substrate 101.
  • the passivation film 107 on the back surface of the semiconductor substrate 101 is provided with openings for exposing the surfaces of the n-type dopant diffusion region 103 and the p-type dopant diffusion region 105, respectively.
  • An n-type electrode 112 is formed in contact with the n-type dopant diffusion region 103 through the opening, and a p-type electrode 113 is formed in contact with the p-type dopant diffusion region 105.
  • the conventional back contact solar cell is manufactured.
  • Non-Patent Document 1 (Yasuo Nishimura, "Discussion on High Concentration Sodium Hydroxide Solution", Toagosei Group Research Annual Report, TREND 2006, No. 9, pages 8 to 12) has an alkali concentration of 51.9. %, 48.0%, 35.0%, 10.0% NaOH aqueous solution is placed in a cylindrical container and set to 65 ° C., and then a 2-inch silicon wafer is immersed for etching for 20 minutes and 30 minutes Is described.
  • Non-Patent Document 1 a silicon wafer is etched at 65 ° C. for 20 minutes with 48.0% NaOH and for 30 minutes with 51.9% NaOH, and as a result of measuring the surface roughness, the surface roughness is
  • the etching product is 0.35 ⁇ m in the 48.0% etching product, 0.216 ⁇ m in the 51.9% etching product, and the 51.9% etching product is in a better etching state, and the higher concentration alkali is etched. It also states that the condition is good.
  • Non-Patent Document 1 In the field of electronic devices using crystalline silicon (especially LSI), the method of improving the smoothness of the surface of silicon wafer by mechanical polishing is generally used, but in the technical field of solar cells, high throughput and low cost It is the mainstream to use chemical etching as described in Non-Patent Document 1 for conversion.
  • the contact resistance with the electrode can be reduced as much as possible, and carriers at the interface between the surface of the silicon wafer and the electrode can be obtained. It is effective to smooth the surface of the silicon wafer so as to prevent recombination of the silicon wafers. Furthermore, it is also effective to improve the printing accuracy of the masking paste.
  • Such a problem is not only a problem with the back contact solar cell but also a problem with the entire semiconductor device including the solar cells such as double-sided contact solar cells.
  • an object of the present invention is to provide a silicon wafer capable of stably manufacturing a semiconductor device having good characteristics by improving the smoothness of the surface of a silicon wafer while suppressing the amount of etching.
  • a semiconductor device, a method of manufacturing a silicon wafer, and a method of manufacturing a semiconductor device are provided.
  • the present invention is a silicon wafer obtained by etching the surface of crystalline silicon obtained by cutting a silicon crystal ingot by 5 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less per one surface of crystalline silicon, and the surface is 10 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less
  • the silicon wafer has facets of width.
  • the depth of the facet is preferably 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the present invention is also a semiconductor device provided with the above-mentioned silicon wafer and an electrode provided on the surface having a facet of the silicon wafer.
  • the present invention comprises the steps of: cutting a silicon crystal ingot to form crystalline silicon; and etching the surface of the crystalline silicon with an aqueous solution of sodium hydroxide having a concentration of sodium hydroxide of 20% to 35% by mass; And the etching amount of crystalline silicon in the etching step is a method for producing a silicon wafer having a surface thickness of 5 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less per surface of crystalline silicon.
  • the step of forming crystalline silicon preferably includes the step of cutting a silicon crystal ingot with a wire saw.
  • a step of forming a crystalline silicon by cutting a silicon crystal ingot, and etching the surface of the crystalline silicon with an aqueous solution of sodium hydroxide having a concentration of sodium hydroxide of 20% to 35% by mass An etching amount of crystalline silicon in the step of forming a silicon wafer, including the steps of forming a silicon wafer having facets with a width of 10 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less on the surface, and forming electrodes on the surface of the silicon wafer having facets.
  • a manufacturing method of the semiconductor device which is 5 micrometers or more and 25 micrometers or less per surface of one side of crystalline silicon.
  • the step of forming crystalline silicon preferably includes the step of cutting a silicon crystal ingot with a wire saw.
  • the present invention by improving the smoothness of the surface of the silicon wafer while suppressing the amount of etching, it is possible to stably manufacture a semiconductor device having good characteristics.
  • a method and a method of manufacturing a semiconductor device can be provided.
  • FIG. 7 is a schematic enlarged cross-sectional view of an example of a portion of the surface of the silicon wafer shown in FIG.
  • (A) is typical sectional drawing which illustrates an example of the process of forming an n-type dopant diffused region in the back surface of a silicon wafer
  • (b) is a schematic diagram when (a) is seen from the back surface side of a silicon wafer Plan view.
  • (A) is typical sectional drawing which illustrates an example of the process of installing masking paste on the surface of a silicon wafer
  • (b) is a typical plane when seeing (a) from the back side of a silicon wafer FIG.
  • (A) is typical sectional drawing which illustrates an example of the process of forming a p-type dopant diffused region in the back surface of a silicon wafer
  • (b) is a model when (a) is seen from the back surface side of a silicon wafer Plan view.
  • (A) is typical sectional drawing illustrating an example of the process of exposing the n-type dopant diffused region and p-type dopant diffused region of the back surface of a silicon wafer
  • (b) is a back surface side of a silicon wafer It is a typical top view when it sees from.
  • FIG. (A) is typical sectional drawing illustrating an example of the process of forming a passivation film in the back surface of a silicon wafer
  • (b) is a typical plane when seeing (a) from the back surface side of a silicon wafer
  • FIG. (A) is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a process of forming a texture structure on the light receiving surface of a silicon wafer
  • (b) is a schematic view when (a) is viewed from the back surface side of the silicon wafer It is a top view.
  • (A) is a schematic cross-sectional view illustrating an example of the process of forming an anti-reflective film on the texture structure of a silicon wafer
  • (b) is a schematic diagram when (a) is seen from the back surface side of a silicon wafer Plan view.
  • (A) is typical sectional drawing which illustrates an example of the process of forming a contact hole in the passivation film of the back surface of a silicon wafer
  • (b) is a model when (a) is seen from the back surface side of a silicon wafer Plan view.
  • (A) is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a process of forming an n-type electrode and a p-type electrode
  • (b) is a schematic view when (a) is viewed from the back surface side of a silicon wafer. Plan view. It is an enlarged photograph of the wire saw used in the example. It is a microscope picture of an example of the surface of n-type single crystal silicon after cutting by the wire saw shown in FIG. (A) is a microscope picture of a part of the surface of the silicon wafer of the example, and (b) is a measurement result of unevenness of the surface of the silicon wafer of the example of (a) by a laser microscope.
  • (A) is a microscope picture of a part of surface of a silicon wafer of comparative example 1
  • (b) is a measurement result of unevenness of a surface of a silicon wafer of comparative example 1 of (a) by a laser microscope.
  • (A) is a microscope picture of a part of surface of a silicon wafer of comparative example 2
  • (b) is a measurement result of unevenness of a surface of a silicon wafer of comparative example 2 of (a) by a laser microscope.
  • (A) to (f) are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method of manufacturing a conventional back contact solar cell.
  • ⁇ Method of manufacturing silicon wafer> As an example of a process of cutting a silicon crystal ingot to form crystalline silicon, as shown in a schematic perspective view of FIG. 1, a process of cutting a silicon crystal ingot 50 with a wire saw 53 is performed.
  • the wire saw 53 is wound around guide rollers 51 and 52 disposed at a predetermined interval. As a result, in each of the guide rollers 51 and 52, the wire saw 53 is stretched in a plurality of places at predetermined intervals along the longitudinal direction of the guide rollers 51 and 52. In this state, the wire saw 53 reciprocates in the direction of the arrow 55 as the guide rollers 51 and 52 repeat forward rotation and reverse rotation.
  • the silicon crystal ingot 50 is moved in the direction of the arrow 54 while the wire saw 53 reciprocates in the direction of the arrow 55. Then, by pressing the silicon crystal ingot 50 against the wire saw 53 traveling reciprocally, the silicon crystal ingot 50 is cut at a plurality of locations, for example, as shown in a schematic perspective view of FIG. Crystal silicon 11 is formed.
  • FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of an example of the wire saw 53 shown in FIG.
  • the wire saw 53 includes a core 53 a and abrasive grains 53 b fixed to the outer peripheral surface of the core 53 a by a bonding material (not shown).
  • core wire 53a a piano wire etc. can be used, for example.
  • abrasive grains 53b for example, diamond abrasive grains can be used, and as the bonding material, for example, nickel plated on the outer surface of the core wire 53a can be used.
  • the silicon crystal ingot 50 for example, a single crystal silicon ingot or a polycrystalline silicon ingot manufactured by a Czochralski method or a casting method is used.
  • the silicon crystal ingot 50 may have n-type or p-type conductivity by being doped with n-type or p-type dopant.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an example of the crystalline silicon 11 obtained by cutting the silicon crystal ingot 50 with the wire saw 53.
  • the slice damage 1a is caused by the cutting of the silicon crystal ingot 50 using the wire saw 53 described above.
  • FIG. 5 shows a schematic enlarged cross-sectional view of an example of a part of the surface of crystalline silicon 11 shown in FIG. As shown in FIG. 5, a large undulation (hereinafter referred to as “saw mark”) 61 is formed on the surface of the crystalline silicon 11.
  • the saw mark 61 is formed due to the cutting of the silicon crystal ingot 50 using the wire saw 53. That is, as shown in FIG. 1, the crystalline silicon 11 is obtained by pressing the silicon crystal ingot 50 against the reciprocating wire saw 53 and cutting it, but the wire saw 53 is temporarily stopped each time the traveling direction 55 of the wire saw 53 is switched. Then the linear velocity falls. Thereby, the cutting depth to the silicon crystal ingot 50 by the wire saw 53 is different along the moving direction (direction of the arrow 54) of the silicon crystal ingot 50 with respect to the wire saw 53, so the crystalline silicon 11 is used as the saw mark 61 which is a large undulation. Appear on the surface of
  • the surface of crystalline silicon 11 is etched.
  • the slice damage 1a on the surface of the crystalline silicon 11 shown in FIG. 4 can be removed, and a crater-like depression (facet) can be formed on the surface of the crystalline silicon 11.
  • the surface of the crystalline silicon 11 is treated with an aqueous sodium hydroxide solution having a sodium hydroxide concentration of 20% by mass to 35% by mass, preferably 24% by mass to 32% by mass.
  • the etching is performed by etching an amount of 5 .mu.m to 25 .mu.m in thickness per one surface of the
  • the surface of crystalline silicon 11 was etched with an aqueous solution of sodium hydroxide having a sodium hydroxide concentration of 20% by mass to 35% by mass, preferably 24% by mass to 32% by mass.
  • etching by a thickness of 5 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less per one surface of crystalline silicon 11 is far more than etching the same thickness with an aqueous solution of sodium hydroxide having a sodium hydroxide concentration higher than 35% by mass. This is due to the finding that the smoothness of the silicon wafer surface can be improved.
  • an aqueous sodium hydroxide solution having a sodium hydroxide concentration of 48% by mass It is possible to achieve the surface smoothness of the silicon wafer equal to or more than that of the conventional etching in which the amount of etching is about 30 ⁇ m per one surface of the crystalline silicon 11. Thereby, the contact resistance between the surface of the silicon wafer and the electrode and the recombination of carriers at the interface between the surface of the silicon wafer and the electrode can be increased by increasing the contact area between the surface of the silicon wafer and the electrode with improved smoothness.
  • the shunt resistance can be improved and the reverse saturation current can be reduced by improving the printing accuracy of the masking paste printed on the surface of the silicon wafer with improved smoothness as well as being reduced. Furthermore, by suppressing the etching amount, it is possible to suppress the reduction in the mechanical strength of the silicon wafer and the conversion efficiency of the solar battery cell manufactured using the silicon wafer. Therefore, according to the etching of the present embodiment, it is possible to manufacture a silicon wafer capable of stably manufacturing a semiconductor device having good characteristics.
  • the etching amount (etching depth) of the surface on one side of the crystalline silicon 11 is preferably 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, and more preferably 5 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the etching amount of the surface on one side of the crystalline silicon 11 is 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, in particular 5 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less, the surface etching of the one surface of the crystalline silicon 11 is further suppressed while the etching amount on the one surface is further reduced. The tendency to be able to improve
  • the etching amount of the surface of the crystalline silicon 11 means the reduction ( ⁇ m) of the thickness of the crystalline silicon 11 in the thickness direction of one surface of the crystalline silicon 11 due to the etching.
  • FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of an example of a silicon wafer formed by etching the surface of crystalline silicon 11 as described above
  • FIG. 7 shows a part of the surface of silicon wafer 1 shown in FIG. The typical enlarged sectional view of an example is shown.
  • FIG. 8 shows a schematic enlarged cross-sectional view of an example of the facet 62 shown in FIG. 5 to 25 ⁇ m, preferably 5 to 20 ⁇ m, per surface of crystalline silicon 11 in a sodium hydroxide aqueous solution having a sodium hydroxide concentration of 20 to 35 mass%, preferably 24 to 32 mass%. More preferably, the width of the facet 62 formed on the surface of the silicon wafer 1 by etching to a thickness of 5 to 15 ⁇ m is 10 to 150 ⁇ m, preferably 20 to 150 ⁇ m, and the depth of the facet 62 is 0 .1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the width of facet 62 on the surface of the silicon wafer obtained by etching the surface of one side of crystalline silicon 11 by 13 ⁇ m with an aqueous solution of sodium hydroxide having a concentration of sodium hydroxide of 30% by mass is, for example, as shown in FIG. It becomes 20 micrometers or more and 60 micrometers or less.
  • the width of the facets 63 formed on the surface of the surface is much narrower than when the same etching amount is etched with a sodium hydroxide aqueous solution having a sodium hydroxide concentration of 20% by mass to 35% by mass, and the depth of the facets 63 is Is from 0.1 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the width of facet 63 of the surface of the silicon wafer obtained by etching the surface of one side of crystalline silicon 11 by 13 ⁇ m with an aqueous solution of sodium hydroxide having a sodium hydroxide concentration of 48% by mass is, for example, as shown in FIG. It becomes 3 to 15 ⁇ m.
  • silicon wafer 1 etched by 5 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less per one surface of crystalline silicon 11 with a sodium hydroxide aqueous solution having a sodium hydroxide concentration of less than 20 mass%.
  • Pyramidal projections 65 are formed inside the facets 64 formed on the surface.
  • a sodium hydroxide aqueous solution having a sodium hydroxide concentration of 20% by mass to 35% by mass, preferably 24% by mass to 32% by mass is 5 ⁇ m to 25 ⁇ m, preferably 5 ⁇ m to 20 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m.
  • projections 65 are formed on the non-smooth surface having a narrow width of facet 63 as shown in FIG. 9 and the inside of facet 64 as shown in FIG. It is apparent that the contact resistance between the silicon wafer and the electrode and the recombination of carriers at the interface between the surface of the silicon wafer and the electrode can be reduced as compared with the case where the electrode is formed on a non-smooth surface.
  • projections 65 may be formed on the surface where the width of the facet 63 is not narrow as shown in FIG. 9 and inside the facet 64 as shown in FIG.
  • a sodium hydroxide aqueous solution having a sodium hydroxide concentration of 20% by mass to 35% by mass, preferably 24% by mass to 32% by mass is 5 ⁇ m to 25 ⁇ m, preferably 5 ⁇ m to 20 ⁇ m, and more preferably 5 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the facets 62 formed on the surface of the silicon wafer 1 have a width of 10 ⁇ m to 150 ⁇ m, preferably 20 ⁇ m to 150 ⁇ m, and a facet 62 with a depth of 0.1 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the surface of the silicon wafer 1 is further smoothed, and the tendency to be able to stably manufacture a semiconductor device having good characteristics is increased.
  • FIG. 11 (a) is a schematic plan view when FIG. 11A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • the above-mentioned etching is preferably 5 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less per surface using a sodium hydroxide aqueous solution having a sodium hydroxide concentration of 20% by mass to 35% by mass, preferably 24% by mass to 32% by mass.
  • the etching is performed by etching to a thickness of 5 ⁇ m to 20 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the etching is performed on each of the light receiving surface and the back surface of the silicon wafer 1.
  • the masking paste 2 for example, a solvent, a thickener, and one containing a silicon oxide precursor and / or a titanium oxide precursor can be used. Moreover, as the masking paste 2, the thing which does not contain a thickener can also be used.
  • ethylcellulose polyvinylpyrrolidone or a mixture of both, but bentonites of various qualities and properties, generally inorganic rheological additives for various polar solvent mixtures, nitrocelluloses and other cellulose compounds , Starch, gelatin, alginic acid, highly dispersible amorphous silicic acid (Aerosil (registered trademark)), polyvinyl butyral (Mowital (registered trademark)), sodium carboxymethylcellulose (vivistar), thermoplastic polyamide resin (Eurelon (registered trademark) ), Organic castor oil derivative (Thixin R (registered trademark)), diamide wax (Thixatrol plus (registered trademark)), swollen polyacrylate (Rheolate (registered trademark)), polyether Urea-polyurethane, polyether-polyol and the like can also be used.
  • R 1 ′ n Si (OR 1 ) 4-n R 1 ′ represents methyl, ethyl or phenyl, such as TEOS (tetraethyl orthosilicate), R 1 is methyl, Substances represented by ethyl, n-propyl or i-propyl and n represents 0, 1 or 2 can be used.
  • titanium oxide precursors include, in addition to Ti (OH) 4 , substances represented by R 2 ′ n Ti (OR 2 ) 4-n such as TPT (tetraisopropoxytitanium) (R 2 ′ is methyl, R 2 represents ethyl or phenyl, R 2 represents methyl, ethyl, n-propyl or i-propyl, and n represents 0, 1 or 2.), and others such as TiCl 4 , TiF 4 and TiOSO 4.
  • TPT tetraisopropoxytitanium
  • a thickener for example, castor oil, bentonite, nitrocellulose, ethylcellulose, polyvinylpyrrolidone, starch, gelatin, alginic acid, amorphous silicic acid, polyvinyl butyral, sodium carboxymethylcellulose, polyamide A resin, an organic castor oil derivative, a diamide wax, a swollen polyacrylate, a polyether urea-polyurethane, a polyether-polyol and the like can be used alone or in combination of two or more.
  • castor oil bentonite, nitrocellulose, ethylcellulose, polyvinylpyrrolidone, starch, gelatin, alginic acid, amorphous silicic acid, polyvinyl butyral, sodium carboxymethylcellulose, polyamide A resin, an organic castor oil derivative, a diamide wax, a swollen polyacrylate, a polyether urea-polyurethane, a polyether-poly
  • the installation method of the masking paste 2 is not specifically limited, For example, the conventionally well-known application method etc. can be used.
  • the masking paste 2 disposed on the light receiving surface and the back surface of the silicon wafer 1 is dried.
  • the silicon wafer 1 after the placement of the masking paste 2 is placed in an oven and heated, for example, at a temperature of about 300.degree. be able to.
  • the masking paste 2 is solidified by baking the masking paste 2 after making it dry as mentioned above.
  • Baking of masking paste 2 can be performed by heating masking paste 2 at a temperature of, for example, 800 ° C. or more and 1000 ° C. or less for a time of, for example, 10 minutes or more and 60 minutes or less.
  • the opening portion 14 on the back surface side of the silicon wafer 1 is caused to flow by flowing the n-type dopant containing gas 4.
  • the n-type dopant is diffused to the back surface of the silicon wafer 1 exposed from the surface of the silicon wafer 1 to form an n-type dopant diffusion region 3 in a band shape.
  • the n-type dopant-containing gas 4 POCl 3 containing phosphorus, which is an n-type dopant, can be used, for example.
  • the n-type dopant diffusion region 3 is a region having a higher n-type dopant concentration than the silicon wafer 1.
  • FIG. 12B is a schematic plan view when FIG. 12A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • all the masking pastes 2 on the light receiving surface and the back surface of the silicon wafer 1 are once removed.
  • the removal of the masking paste 2 can be performed, for example, by immersing the silicon wafer 1 provided with the masking paste 2 in a hydrofluoric acid aqueous solution.
  • FIG. 13B is a schematic plan view when FIG. 13A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • the masking paste 2 is solidified by baking the masking paste 2.
  • the opening 15 on the back side of the silicon wafer 1 is caused to flow by flowing the p-type dopant containing gas 6.
  • the p-type dopant is diffused to the back surface of the silicon wafer 1 exposed from the above to form a p-type dopant diffusion region 5 in a band shape.
  • the p-type dopant-containing gas 6, or the like can be used BBr 3 including boron, for example, p-type dopant.
  • the p-type dopant diffusion region 5 is a region where the p-type dopant concentration is higher than that of the silicon wafer 1.
  • 14B is a schematic plan view when FIG. 14A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • FIG. 15B is a schematic plan view when FIG. 15A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • a passivation film 7 is formed on the back surface of the silicon wafer 1.
  • passivation film 7 for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminate of a silicon oxide film and a silicon nitride film can be used.
  • Passivation film 7 can be formed, for example, by plasma CVD or the like.
  • FIG. 16B is a schematic plan view when FIG. 16A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • the texture structure 8 is formed by texture etching.
  • Texture etching for forming the texture structure 8 can be performed by using the passivation film 7 formed on the back surface of the silicon wafer 1 as an etching mask.
  • the texture etching is performed by etching the light receiving surface of the silicon wafer 1 using an etching solution in which a solution obtained by adding isopropyl alcohol to an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide is heated to, for example, 70.degree. C. to 80.degree. It can be done by
  • the antireflective film 9 is formed on the texture structure 8 of the silicon wafer 1.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a stacked body of a silicon oxide film and a silicon nitride film can be used as the antireflective film 9.
  • the antireflective film 9 can be formed, for example, by plasma CVD or the like.
  • 18B is a schematic plan view when FIG. 18A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • FIG. 19B is a schematic plan view when FIG. 19A is viewed from the back surface side of the silicon wafer 1.
  • Contact holes 10 and 11 are formed, for example, by forming a resist pattern having an opening at a portion corresponding to each formation position of contact holes 10 and 11 on passivation film 7 using a photolithography technique, and then opening the resist pattern.
  • the passivation film 7 can be formed from the portion by etching or the like.
  • the n-type electrode electrically connected to the n-type dopant diffusion region 3 through the contact hole 10 12 is formed, and a p-type electrode 13 electrically connected to the p-type dopant diffusion region 5 through the contact hole 110 is formed.
  • a p-type electrode 13 electrically connected to the p-type dopant diffusion region 5 through the contact hole 110 is formed.
  • an electrode made of a metal such as silver can be used as the n-type electrode 12 and the p-type electrode 13, for example.
  • a back contact solar cell can be manufactured.
  • the n-type electrode 12 and the p-type electrode are formed on the smooth back surface of the silicon wafer 1 having the wide facets 62. Since the contact area between the back surface of silicon wafer 1 and each of n-type electrode 12 and p-type electrode 13 can be increased, silicon wafer 1 and an electrode (n-type electrode) are formed. 12, the contact resistance with the p-type electrode 13) and the recombination of carriers at the interface between the surface of the silicon wafer and the electrode can be reduced.
  • the printed pattern of the masking paste 2 is less likely to be disturbed due to the unevenness on the back surface of the silicon wafer 1, the printing accuracy of the masking paste 2 can be improved. Furthermore, since the silicon wafer 1 is formed with the amount of etching suppressed as compared to the prior art, it is possible to suppress the reduction in the mechanical strength of the silicon wafer 1 and the conversion efficiency of the back contact solar cell. Therefore, in the back contact type solar battery cell produced as mentioned above, the back contact type solar battery cell which has a favorable characteristic can be manufactured stably.
  • the present invention is not limited to application to back contact solar cells, and can be applied to semiconductor devices of any configuration.
  • n-type single crystal silicon ingot formed by the Czochralski method was pressed against a wire saw (having a shape shown in the enlarged photograph of FIG. 21) reciprocating, and cut.
  • a wire saw having a shape shown in the enlarged photograph of FIG. 21
  • a plurality of plate-like n-type single crystal silicons each having a pseudo-square light receiving surface and a back surface each having a side of 126 mm and a thickness of 200 ⁇ m were formed.
  • the wire saw shown in FIG. 21 was made of nickel plated on the outer peripheral surface of a piano wire having a cross-sectional diameter of 120 ⁇ m and produced by adhering diamond abrasive grains having a particle size of 30 ⁇ m or less.
  • FIG. 22 shows a photomicrograph of an example of the surface of n-type single crystal silicon after cutting with the above-mentioned wire saw. As shown in FIG. 22, it was confirmed that groove-shaped abrasive grain marks (vertical bars in FIG. 22) formed along the traveling direction of the wire saw were formed on the surface of the n-type single crystal silicon.
  • the surface of the n-type single crystal silicon formed as described above is etched with an aqueous solution of sodium hydroxide at a concentration of 30% by mass of sodium hydroxide at an etching amount of 13 ⁇ m on one surface (the etching amounts of both surfaces are combined It etched so that it might be set to 26 micrometers and the thickness of n-type single crystal silicon after an etching may be 174 micrometers.
  • the slice damage on the surface was removed, and a silicon wafer having wide facets on the surface (hereinafter, referred to as “silicon wafer of the example”) was formed.
  • FIG. 23 (a) shows a micrograph of a part of the surface of the silicon wafer of the embodiment produced as described above
  • FIG. 23 (b) shows the surface of the silicon wafer of the embodiment of FIG. 23 (a).
  • 90% of the facets formed on the surface of the silicon wafer of Example were facets with a width of 20 ⁇ m to 60 ⁇ m and a depth of 0.1 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the surface of plate-like n-type single crystal silicon with a thickness of 234 ⁇ m is etched by 30 ⁇ m of the surface on one side with sodium hydroxide aqueous solution with sodium hydroxide concentration of 48% by mass (etching of both surfaces
  • the silicon wafer (hereinafter referred to as the “silicon wafer of Comparative Example 1”) is the same as in the example except that the etching is performed to 60 ⁇ m and the thickness of the n-type single crystal silicon after etching becomes 174 ⁇ m).
  • Silicon was prepared in the same manner as in Example except that the surface of n-type single crystal silicon was etched so that the amount of etching of the surface on one side was 13 ⁇ m with an aqueous solution of sodium hydroxide with 18% by mass sodium hydroxide.
  • Wafers (hereinafter, referred to as “silicon wafers of Comparative Example 2”) were produced.
  • FIGS. 24 (a) and 25 (a) show a micrograph of a part of the surface of the silicon wafer of Comparative Example 1 and a micrograph of a part of the surface of the silicon wafer of Comparative Example 2, respectively.
  • FIG. 24 (b) shows the measurement results of unevenness of the surface of the silicon wafer of Comparative Example 1 of FIG. 24 (a) by a laser microscope
  • FIG. 25 (b) shows Comparative Example 2 of FIG. 25 (a). The measurement result of the unevenness
  • FIGS. 24A and 24B it was confirmed that the surface of the silicon wafer of Comparative Example 1 was not smooth compared to the surface of the silicon wafer of the example. Further, as shown in FIGS. 25 (a) and 25 (b), pyramidal projections (black spots shown in FIG. 25 (a)) were confirmed on the surface of the silicon wafer of Comparative Example 2.
  • the silicon wafer of the example was also produced on the surface of a silicon wafer produced in the same manner as the silicon wafer of the example except that the concentration of sodium hydroxide was changed to 20% by mass, 24% by mass, 32% by mass and 35% by mass, respectively. It was confirmed to have the same surface as.
  • a masking paste is printed on the entire surface of one of the silicon wafer of the example, the silicon wafer of comparative example 1, and the silicon wafer of comparative example 2, and an opening is formed on the opposite surface.
  • a band of masking paste was printed so as to have a plurality.
  • the masking paste was dried by placing and heating each silicon wafer after printing the masking paste in an oven.
  • the masking paste was solidified by heating and baking the masking paste after drying as described above.
  • each silicon wafer was immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution to remove all the masking paste of each silicon wafer.
  • a masking paste was printed on the surface of each silicon wafer on the n-type dopant diffusion region forming side so as to have a plurality of openings exposed in a strip parallel to the n-type dopant diffusion region.
  • the masking paste was printed so that an area different from the n-type dopant diffusion area was exposed from the opening.
  • the masking paste was installed also in the surface whole surface on the opposite side to the n-type dopant diffused region formation side of each silicon wafer.
  • the masking paste was dried by placing and heating each silicon wafer in an oven, and then the masking paste was solidified by heating and baking the masking paste.
  • boron was diffused into the openings of the respective silicon wafers by flowing BBr 3 into the respective silicon wafers to form p-type dopant diffusion regions.
  • each silicon wafer was immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution to remove all the masking paste of each silicon wafer.
  • a passivation film made of a silicon nitride film was formed by plasma CVD over the entire surface on the formation side of the n-type dopant diffusion region and the p-type dopant diffusion region of each silicon wafer.
  • texture etching was performed using an etching solution at 70 ° C. to 80 ° C. in which isopropyl alcohol was added to an aqueous solution of sodium hydroxide having a sodium hydroxide concentration of 3% by volume.
  • an antireflection film made of a silicon nitride film was formed on the textured structure of each silicon wafer by plasma CVD.
  • the solar cell is irradiated with simulated sunlight using the solar simulator to each back electrode type solar battery cell of each of the example and the comparative example 1 and the comparative example 2, and the current-voltage (IV) characteristic is measured.
  • Open circuit voltage, F. F. (Fill Factor) and conversion efficiency were measured.
  • Table 1 the short circuit current density, open circuit voltage, back voltage of the back electrode type solar battery cell of the example.
  • F. And conversion efficiency values are expressed as relative values.
  • the gentle surface of the silicon wafer is realized with a small etching amount, and the silver electrode is formed on the gentle surface, thereby the surface of the silicon wafer and the silver electrode
  • the contact area with the surface of the silicon wafer was increased to reduce the contact resistance between the surface of the silicon wafer and the silver electrode and the recombination of carriers at the interface between the surface of the silicon wafer and the silver electrode. It is considered that the disturbance of the printing pattern of the masking paste was reduced due to the unevenness, and the printing accuracy of the masking paste could be improved.
  • the present invention can be used for a silicon wafer, a semiconductor device, a method for manufacturing a silicon wafer, and a method for manufacturing a semiconductor device, and in particular, a silicon wafer for back contact solar cell and its manufacture, back contact solar cell It can utilize suitably for the manufacture.

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Abstract

　シリコン結晶インゴット（５０）を切断して得られた結晶シリコン（１１）の表面を結晶シリコン（１１）の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下だけエッチングすることにより得られたシリコンウエハ（１）であって、表面に１０μｍ以上１５０μｍ以下の幅のファセット（６２）を有するシリコンウエハ（１）、その表面に電極（１２，１３）を備えた半導体装置である。また、結晶シリコン（１１）の表面を水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン（１１）の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下だけエッチングする工程を含むシリコンウエハ（１）の製造方法および半導体装置の製造方法である。

Description

シリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法
　本発明は、シリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
　近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題などからクリーンなエネルギの開発が望まれており、半導体装置の中でも特に太陽電池セルを用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。
　太陽電池セルは、従来から、たとえば単結晶または多結晶のシリコンウエハの受光面にシリコンウエハの導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってｐｎ接合を形成し、シリコンウエハの受光面と受光面の反対側の裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池セルが主流となっている。また、両面電極型太陽電池セルにおいては、シリコンウエハの裏面にシリコンウエハと同じ導電型の不純物を高濃度で拡散することによって、裏面電界効果による高出力化を図ることも一般的となっている。
　また、半導体基板の受光面に電極を形成せず、裏面のみに電極を形成した裏面電極型太陽電池セルについても研究開発が進められている（たとえば、特許文献１（特開２００７－４９０７９号公報）参照）。
　以下、図２６（ａ）～図２６（ｆ）の模式的断面図を参照して、従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について説明する。
　まず、図２６（ａ）に示すように、マスキングペースト１０２をｎ型またはｐ型の導電型を有する半導体基板１０１の受光面側の全面にスクリーン印刷して乾燥させた後に、半導体基板１０１の裏面側には部分的に開口部１１４を設けてマスキングペースト１０２をスクリーン印刷する。
　次に、図２６（ｂ）に示すように、半導体基板１０１の裏面の開口部１１４からｎ型ドーパント１０４を拡散させることにより、ｎ型ドーパント拡散領域１０３が形成される。
　その後、半導体基板１０１の受光面側および裏面側のマスキングペースト１０２をすべて除去し、再度、図２６（ｃ）に示すように、マスキングペースト１０２を半導体基板１０１の受光面側の全面にスクリーン印刷して乾燥させた後に、半導体基板１０１の裏面側に部分的に開口部１１５を設けてマスキングペースト１０２をスクリーン印刷する。
　次に、図２６（ｄ）に示すように、半導体基板１０１の裏面の開口部１１５からｐ型ドーパント１０６を拡散させることにより、ｐ型ドーパント拡散領域１０５が形成される。
　次に、図２６（ｅ）に示すように、半導体基板１０１の受光面側の表面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造１０８を形成した後に、テクスチャ構造１０８上に反射防止膜１０９を形成するとともに、半導体基板１０１の裏面側にパッシベーション膜１０７を形成する。
　その後、図２６（ｆ）に示すように、半導体基板１０１の裏面のパッシベーション膜１０７にｎ型ドーパント拡散領域１０３およびｐ型ドーパント拡散領域１０５のそれぞれの表面を露出させる開口部を設けた後に、当該開口部を通して、ｎ型ドーパント拡散領域１０３に接触するｎ型用電極１１２を形成するとともに、ｐ型ドーパント拡散領域１０５に接触するｐ型用電極１１３を形成する。以上により、従来の裏面電極型太陽電池セルが作製される。
　また、非特許文献１（西村　康雄、「高濃度水酸化ナトリウム水溶液に関する考察」、東亜合成グループ研究年報、ＴＲＥＮＤ　２００６、第９号、第８～第１２頁）には、アルカリ濃度が５１．９％、４８．０％、３５．０％、１０．０％のＮａＯＨ水溶液を円筒容器に入れて６５℃に設定した後に２インチのシリコンウエハを浸漬させて２０分及び３０分のエッチングを行なうことが記載されている。
　また、非特許文献１には、４８．０％ＮａＯＨで２０分間、５１．９％ＮａＯＨで３０分間、共に６５℃でシリコンウエハをエッチングし、表面粗度を測定した結果、表面粗度は、４８．０％エッチング品で０．３５４μｍ、５１．９％エッチング品で０．２１６μｍであって、５１．９％エッチング品の方が良好なエッチング状態であり、より高濃度のアルカリの方がエッチング状態が良いことも記載されている。
　なお、結晶シリコンを用いる電子デバイスの分野（特にＬＳＩ）では機械的研磨にてシリコンウエハの表面の平滑性を向上させる手法が一般的であるが、太陽電池の技術分野では、高スループットおよび低コスト化のため、非特許文献１に記載されているようなケミカルエッチングを用いることが主流となっている。
特開２００７－４９０７９号公報
西村　康雄、「高濃度水酸化ナトリウム水溶液に関する考察」、東亜合成グループ研究年報、ＴＲＥＮＤ　２００６、第９号、第８～第１２頁
　シリコンウエハを用いて良好な特性の裏面電極型太陽電池セルを安定して作製するためには、電極との接触抵抗をなるべく低減することができ、シリコンウエハの表面と電極との界面でのキャリアの再結合を防止できるようなシリコンウエハの表面の平滑化を行なうことが有効である。さらに、マスキングペーストの印刷精度を向上させることも有効である。
　背景技術でも述べたようなケミカルエッチングによるシリコンウエハの表面の平滑化は、エッチング量を増やすことでシリコンウエハの表面の平滑性を向上させることが容易であることはよく知られている。
　その一方で、高スループットおよび低コスト化のため、裏面電極型太陽電池セルのシリコンウエハの薄型化が求められており、スライス直後の結晶シリコンの厚みは年々薄くなりつつある。このような状況下において、エッチング量を増やすことはシリコンウエハの機械的強度および変換効率の低下を招くという問題がある。
　このような問題は、裏面電極型太陽電池セルだけの問題ではなく、両面電極型太陽電池セルなどの太陽電池セルを含む半導体装置全体の問題でもある。
　上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、エッチング量を抑えつつシリコンウエハの表面の平滑性を向上させることにより、良好な特性を有する半導体装置を安定して製造することができるシリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供することにある。
　本発明は、シリコン結晶インゴットを切断して得られた結晶シリコンの表面を結晶シリコンの片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下だけエッチングすることにより得られたシリコンウエハであって、表面に１０μｍ以上１５０μｍ以下の幅のファセットを有するシリコンウエハである。
　ここで、本発明のシリコンウエハにおいては、ファセットの深さが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
　また、本発明は、上記のシリコンウエハと、シリコンウエハのファセットを有する表面に設けられた電極と、を備えた、半導体装置である。
　また、本発明は、シリコン結晶インゴットを切断して結晶シリコンを形成する工程と、結晶シリコンの表面を水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液でエッチングする工程と、を含み、エッチングする工程における結晶シリコンのエッチング量は、結晶シリコンの片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下であるシリコンウエハの製造方法である。
　ここで、本発明のシリコンウエハの製造方法において、結晶シリコンを形成する工程は、シリコン結晶インゴットをワイヤソーにより切断する工程を含むことが好ましい。
　さらに、本発明は、シリコン結晶インゴットを切断して結晶シリコンを形成する工程と、結晶シリコンの表面を水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液でエッチングすることによって、表面に１０μｍ以上１５０μｍ以下の幅のファセットを有するシリコンウエハを形成する工程と、ファセットを有するシリコンウエハの表面に電極を形成する工程と、を含み、シリコンウエハを形成する工程における結晶シリコンのエッチング量は、結晶シリコンの片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下である半導体装置の製造方法である。
　ここで、本発明の半導体装置の製造方法は、結晶シリコンを形成する工程は、シリコン結晶インゴットをワイヤソーにより切断する工程を含むことが好ましい。
　本発明によれば、エッチング量を抑えつつシリコンウエハの表面の平滑性を向上させることにより、良好な特性を有する半導体装置を安定して製造することができるシリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供することができる。
シリコン結晶インゴットを切断して結晶シリコンを形成する工程の一例を図解する模式的な斜視図である。 結晶シリコンが形成される工程の一例を図解する模式的な斜視図である。 図１に示すワイヤソーの一例の模式的な断面図である。 ワイヤソーでシリコン結晶インゴットが切断されることによって得られた結晶シリコンの一例の模式的な断面図である。 図４に示す結晶シリコンの表面の一部の一例の模式的な拡大断面図である。 結晶シリコンの表面がエッチングされることにより形成されたシリコンウエハの一例の模式的な断面図である。 図６に示すシリコンウエハの表面の一部の一例の模式的な拡大断面図である。 シリコンウエハの表面のファセットの一例の模式的な拡大断面図である。 シリコンウエハの表面のファセットの他の一例の模式的な拡大断面図である。 シリコンウエハの表面のファセットのさらに他の一例の模式的な拡大断面図である。 （ａ）はシリコンウエハの表面にマスキングペーストを設置する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハの裏面にｎ型ドーパント拡散領域を形成する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハの表面にマスキングペーストを設置する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハの裏面にｐ型ドーパント拡散領域を形成する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハの裏面のｎ型ドーパント拡散領域およびｐ型ドーパント拡散領域を露出させる工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハの裏面にパッシベーション膜を形成する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハの受光面にテクスチャ構造を形成する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハのテクスチャ構造上に反射防止膜を形成する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はシリコンウエハの裏面のパッシベーション膜にコンタクトホールを形成する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 （ａ）はｎ型用電極およびｐ型用電極を形成する工程の一例を図解する模式的な断面図であり、（ｂ）は（ａ）をシリコンウエハの裏面側から見たときの模式的な平面図である。 実施例で用いられたワイヤソーの拡大写真である。 図２１に示すワイヤソーによる切断後のｎ型単結晶シリコンの表面の一例の顕微鏡写真である。 （ａ）は実施例のシリコンウエハの表面の一部の顕微鏡写真であり、（ｂ）は（ａ）の実施例のシリコンウエハの表面のレーザ顕微鏡による凹凸の測定結果である。 （ａ）は比較例１のシリコンウエハの表面の一部の顕微鏡写真であり、（ｂ）は（ａ）の比較例１のシリコンウエハの表面のレーザ顕微鏡による凹凸の測定結果である。 （ａ）は比較例２のシリコンウエハの表面の一部の顕微鏡写真であり、（ｂ）は（ａ）の比較例２のシリコンウエハの表面のレーザ顕微鏡による凹凸の測定結果である。 （ａ）～（ｆ）は、従来の裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
　＜シリコンウエハの製造方法＞
　シリコン結晶インゴットを切断して結晶シリコンを形成する工程の一例として、図１の模式的斜視図に示すように、シリコン結晶インゴット５０をワイヤソー５３で切断する工程を行なう。
　図１に示すように、ワイヤソー５３は、所定の間隔をあけて配置されたガイドローラ５１，５２の間に巻き掛けられている。その結果、ワイヤソー５３は、それぞれのガイドローラ５１，５２において、ガイドローラ５１，５２の長手方向に沿って、所定の間隔をあけて複数箇所で張られた状態となる。この状態で、ガイドローラ５１，５２が正転・逆転を繰り返すことによって、ワイヤソー５３が矢印５５の方向に往復走行を行なうことになる。
　ワイヤソー５３が矢印５５の方向に往復走行をしている状態で、シリコン結晶インゴット５０を矢印５４の方向に移動させる。そして、シリコン結晶インゴット５０を往復走行をしているワイヤソー５３に押し付けることによって、たとえば図２の模式的斜視図に示すように、シリコン結晶インゴット５０が複数箇所で切断されて、複数枚の板状の結晶シリコン１１が形成される。
　図３に、図１に示すワイヤソー５３の一例の模式的な断面図を示す。ここで、ワイヤソー５３は、芯線５３ａと、芯線５３ａの外周面にボンド材（図示せず）で固着された砥粒５３ｂと、を含んでいる。芯線５３ａとしては、たとえばピアノ線などを用いることができる。砥粒５３ｂとしてはたとえばダイヤモンド砥粒などを用いることができ、ボンド材としてはたとえば芯線５３ａの外表面にめっきされたニッケルなどを用いることができる。
　シリコン結晶インゴット５０としては、たとえば、チョクラルスキー法または鋳造法によって作製された単結晶シリコンインゴットまたは多結晶シリコンインゴットなどが用いられる。なお、シリコン結晶インゴット５０は、ｎ型またはｐ型のドーパントがドープされることによって、ｎ型またはｐ型の導電型を有していてもよい。
　図４に、ワイヤソー５３でシリコン結晶インゴット５０が切断されることによって得られた結晶シリコン１１の一例の模式的な断面図を示す。ここで、結晶シリコン１１の表面には、上記のワイヤソー５３を用いたシリコン結晶インゴット５０の切断によってスライスダメージ１ａが生じている。
　図５に、図４に示す結晶シリコン１１の表面の一部の一例の模式的な拡大断面図を示す。図５に示すように、結晶シリコン１１の表面には大きなうねり（以下「ソーマーク」という）６１が形成されている。
　ソーマーク６１は、ワイヤソー５３を用いたシリコン結晶インゴット５０の切断に起因して形成される。すなわち、図１に示すように、結晶シリコン１１は、往復走行するワイヤソー５３にシリコン結晶インゴット５０を押し付けて切断することにより得られるが、ワイヤソー５３の走行方向５５が切り替わるたびにワイヤソー５３が一時停止して線速が落ちる。これにより、ワイヤソー５３に対するシリコン結晶インゴット５０の移動方向（矢印５４の方向）に沿ってワイヤソー５３によるシリコン結晶インゴット５０への切り込み深さが異なるため、それが大きなうねりであるソーマーク６１として結晶シリコン１１の表面に現れる。
　次に、結晶シリコン１１の表面をエッチングする工程を行なう。これにより、図４に示す結晶シリコン１１の表面のスライスダメージ１ａを除去することができるとともに、結晶シリコン１１の表面にクレーター状の窪み（ファセット）を形成することができる。
　結晶シリコン１１の表面をエッチングする工程は、結晶シリコン１１の表面を水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下、好ましくは２４質量％以上３２質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下の厚さのエッチング量だけエッチングすることにより行なわれる。これは、本発明者が鋭意検討した結果、水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下、好ましくは２４質量％以上３２質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の表面をエッチングした場合には、結晶シリコン１１の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下の厚さだけエッチングすると、水酸化ナトリウム濃度が３５質量％よりも高い水酸化ナトリウム水溶液で同じ厚さだけエッチングした場合よりもはるかにシリコンウエハ表面の平滑性を向上させることができることを見出したことによるものである。たとえば、水酸化ナトリウム濃度が３０質量％の水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面につき１３μｍの厚さのエッチングを行なった場合には、水酸化ナトリウム濃度が４８質量％の水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面につき３０μｍ程度の厚さのエッチング量である従来のエッチングと同等以上のシリコンウエハの表面の平滑性を達成することができる。これにより、平滑性が向上したシリコンウエハの表面と電極との接触面積を増加させることによりシリコンウエハの表面と電極との接触抵抗およびシリコンウエハの表面と電極との界面でのキャリアの再結合を低減することができるとともに、平滑性が向上したシリコンウエハの表面に印刷したマスキングペーストの印刷精度を向上させることによって、シャント抵抗を向上させ、逆方向飽和電流を低減することができる。さらに、エッチング量を抑えることによりシリコンウエハの機械的強度およびそのシリコンウエハを用いて製造された太陽電池セルの変換効率の低下を抑えることができる。そのため、本実施の形態のエッチングによれば、良好な特性を有する半導体装置を安定して製造することができるシリコンウエハを製造することが可能となる。
　ここで、結晶シリコン１１の片側の表面のエッチング量（エッチング深さ）は、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上１５μｍ以下であることがより好ましい。結晶シリコン１１の片側の表面のエッチング量が５μｍ以上２０μｍ以下である場合、特に５μｍ以上１５μｍ以下である場合には、結晶シリコン１１の片側の表面のエッチング量をさらに抑えながらシリコンウエハの表面の平滑性を向上させることができる傾向が大きくなる。
　なお、結晶シリコン１１の表面のエッチング量は、当該エッチングによる結晶シリコン１１の片側の表面の結晶シリコン１１の厚さ方向における厚みの減少量（μｍ）を意味する。
　＜シリコンウエハ＞
　図６に上記のように結晶シリコン１１の表面がエッチングされることにより形成されたシリコンウエハの一例の模式的な断面図を示し、図７に図６に示すシリコンウエハ１の表面の一部の一例の模式的な拡大断面図を示す。
　図６に示すように、シリコンウエハ１の表面にはスライスダメージは最早存在していないが、図７に示すように上記濃度の水酸化ナトリウム水溶液のエッチングに起因して形成されたファセット６２が形成されている。なお、シリコンウエハ１の表面には、ワイヤソー５３の砥粒５３ｂによって形成された砥粒痕なども形成され得るが、図７においては、説明の便宜上、その記載を省略している。
　図８に、図７に示すファセット６２の一例の模式的な拡大断面図を示す。水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下、好ましくは２４質量％以上３２質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下の厚さだけエッチングされてシリコンウエハ１の表面に形成されたファセット６２の幅は１０μｍ以上１５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下であって、ファセット６２の深さは０．１μｍ以上１０μｍ以下となる。たとえば、水酸化ナトリウム濃度が３０質量％である水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面を１３μｍだけエッチングすることによって得られるシリコンウエハの表面のファセット６２の幅はたとえば図８に示すように２０μｍ以上６０μｍ以下となる。
　一方、図９の模式的拡大断面図に示すように、水酸化ナトリウム濃度が３５質量％よりも大きい水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下だけエッチングされたシリコンウエハ１の表面に形成されたファセット６３の幅は、水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液で同じエッチング量だけエッチングした場合よりも非常に狭小となり、ファセット６３の深さは０．１μｍ以上１０μｍ以下となる。たとえば、水酸化ナトリウム濃度が４８質量％である水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面を１３μｍだけエッチングすることによって得られるシリコンウエハの表面のファセット６３の幅はたとえば図９に示すように３μｍ以上１５μｍ以下となる。
　さらに、図１０の模式的拡大断面図に示すように、水酸化ナトリウム濃度が２０質量％未満の水酸化ナトリウム水溶液で結晶シリコン１１の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下だけエッチングされたシリコンウエハ１の表面に形成されたファセット６４の内部にはピラミッド状の突起物６５が形成される。
　このように、水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下、好ましくは２４質量％以上３２質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液で５μｍ以上２５μｍ以下、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下の厚さだけエッチングして形成された１０μｍ以上１５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下の幅と０．１μｍ以上１０μｍ以下の深さとを有するファセット６２を有するシリコンウエハ１の表面はその他の場合と比べてなだらかな表面となる。このようななだらかな表面に電極を形成した場合には、図９に示すようなファセット６３の幅が狭くなだらかではない表面、および図１０に示すようなファセット６４の内部に突起物６５が形成されてなだらかではない表面に電極を形成した場合と比べて、シリコンウエハと電極との接触抵抗およびシリコンウエハの表面と電極との界面でのキャリアの再結合を低減できるのは明らかである。また、このようななだらかな表面にマスキングペーストを印刷した場合には、図９に示すようなファセット６３の幅が狭くなだらかではない表面および図１０に示すようなファセット６４の内部に突起物６５が形成されてなだらかではない表面にマスキングペーストを印刷した場合と比べてマスキングペーストの印刷精度が向上することは明らかである。そのため、水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下、好ましくは２４質量％以上３２質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液で５μｍ以上２５μｍ以下、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下の厚さだけエッチングして形成されたシリコンウエハ１を用いた場合には、良好な特性を有する半導体装置を安定して製造することができる。
　シリコンウエハ１の表面に形成されたファセット６２の９０％以上が、幅１０μｍ以上１５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下であって、深さ０．１μｍ以上１０μｍ以下のファセット６２であることが好ましい。この場合には、シリコンウエハ１の表面がさらになだらかになって良好な特性を有する半導体装置を安定して製造することができる傾向が大きくなる。
　＜半導体装置の製造方法＞
　以下、図１１～図２０を参照して、本発明の半導体装置の製造方法の一例である実施の形態の裏面電極型太陽電池セルの製造方法について説明する。
　まず、図１１（ａ）の模式的断面図および図１１（ｂ）の模式的平面図に示すように、上記のエッチングにより幅広のファセット６２を有するように作製されたｎ型またはｐ型のシリコンウエハ１の受光面側の表面（受光面）の全面にマスキングペースト２を設置するとともにシリコンウエハ１の裏面側の表面（裏面）に開口部１４を設けるようにしてマスキングペースト２を帯状に設置する。なお、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。また、上記のエッチングは、水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下、好ましくは２４質量％以上３２質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液を用いて片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下の厚さだけエッチングすることにより行なわれており、当該エッチングはシリコンウエハ１の受光面および裏面のそれぞれに対して行なわれている。
　マスキングペースト２としては、たとえば、溶剤、増粘剤、ならびに酸化シリコン前駆体および／または酸化チタン前駆体を含むものなどを用いることができる。また、マスキングペースト２としては、増粘剤を含まないものも用いることができる。
　溶剤としては、たとえば、エチレングリコール、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、ジエチルセロソルブ、セロソルブアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテル、メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールアセテート、トリエチルグリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコール、液体ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、１－ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピルグリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、トリメチレングリコール、ブタンジアール、１，５－ペンタンジアール、ヘキシレングリコール、グリセリン、グリセリルアセテート、グリセリンジアセテート、グリセリルトリアセテート、トリメチロールプロピン、１，２，６－ヘキサントリオール、１，２－プロパンジオール、１，５－ペンタンジオール、オクタンジオール、１，２－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、ジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、メチラール、ジエチルアセタール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチルを単独でまたは２種以上併用して用いることができる。
　増粘剤としては、エチルセルロース、ポリビニルピロリドンまたは双方の混合物を用いることが望ましいが、様々な品質および特性のベントナイト、様々な極性溶剤混合物用の一般に無機のレオロジー添加剤、ニトロセルロースおよびその他のセルロース化合物、デンプン、ゼラチン、アルギン酸、高分散性非晶質ケイ酸（Ａｅｒｏｓｉｌ（登録商標））、ポリビニルブチラール（Ｍｏｗｉｔａｌ（登録商標））、ナトリウムカルボキシメチルセルロース（ｖｉｖｉｓｔａｒ）、熱可塑性ポリアミド樹脂（Ｅｕｒｅｌｏｎ（登録商標））、有機ヒマシ油誘導体（Ｔｈｉｘｉｎ Ｒ（登録商標））、ジアミド・ワックス（Ｔｈｉｘａｔｒｏｌ ｐｌｕｓ（登録商標））、膨潤ポリアクリル酸塩（Ｒｈｅｏｌａｔｅ（登録商標））、ポリエーテル尿素－ポリウレタン、ポリエーテル－ポリオールなどを用いることもできる。
　酸化シリコン前駆体としては、たとえば、ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）のような一般式Ｒ1’ nＳｉ（ＯＲ1）4-n（Ｒ1’はメチル、エチルまたはフェニルを示し、Ｒ1はメチル、エチル、ｎ－プロピルまたはｉ－プロピルを示し、ｎは０、１または２を示す。）で示される物質を用いることができる。
　酸化チタン前駆体には、たとえば、Ｔｉ（ＯＨ）4のほか、ＴＰＴ（テトライソプロポキシチタン）のようなＲ2’ nＴｉ（ＯＲ2）4-nで示される物質（Ｒ2’はメチル、エチルまたはフェニルを示し、Ｒ2はメチル、エチル、ｎ－プロピルまたはｉ－プロピルを示し、ｎは０、１または２を示す。）であり、その他、ＴｉＣｌ4、ＴｉＦ4およびＴｉＯＳＯ4なども含まれる。
　増粘剤を用いる場合には、増粘剤としては、たとえば、ヒマシ油、ベントナイト、ニトロセルロース、エチルセルロース、ポリビニルピロリドン、デンプン、ゼラチン、アルギン酸、非晶質ケイ酸、ポリビニルブチラール、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、ポリアミド樹脂、有機ヒマシ油誘導体、ジアミド・ワックス、膨潤ポリアクリル酸塩、ポリエーテル尿素－ポリウレタン、ポリエーテル－ポリオールなどを単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。
　マスキングペースト２の設置方法は、特に限定されず、たとえば従来から公知の塗布方法などを用いることができる。
　その後、シリコンウエハ１の受光面および裏面にそれぞれ設置されたマスキングペースト２を乾燥させる。
　マスキングペースト２の乾燥方法としては、たとえばマスキングペースト２の設置後のシリコンウエハ１をオーブン内に設置し、たとえば３００℃程度の温度でたとえば数十分間の時間マスキングペースト２を加熱することにより行なうことができる。
　そして、上記のようにして乾燥させた後のマスキングペースト２を焼成することによって、マスキングペースト２を固化させる。マスキングペースト２の焼成は、たとえば８００℃以上１０００℃以下の温度でたとえば１０分間以上６０分間以下の時間マスキングペースト２を加熱することにより行なうことができる。
　次に、図１２（ａ）の模式的断面図および図１２（ｂ）の模式的平面図に示すように、ｎ型ドーパント含有ガス４を流すことによって、シリコンウエハ１の裏面側の開口部１４から露出しているシリコンウエハ１の裏面にｎ型ドーパントを拡散させてｎ型ドーパント拡散領域３を帯状に形成する。なお、ｎ型ドーパント含有ガス４としては、たとえばｎ型ドーパントであるリンを含むＰＯＣｌ3などを用いることができる。また、ｎ型ドーパント拡散領域３は、シリコンウエハ１よりもｎ型ドーパント濃度が高い領域である。また、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。
　その後、シリコンウエハ１の受光面および裏面のそれぞれのマスキングペースト２を一旦すべて除去する。マスキングペースト２の除去は、たとえば、マスキングペースト２が設置されたシリコンウエハ１をフッ酸水溶液中に浸漬させることなどにより行なうことができる。
　次に、図１３（ａ）の模式的断面図および図１３（ｂ）の模式的平面図に示すように、シリコンウエハ１の受光面側の表面（受光面）の全面にマスキングペースト２を設置するとともに、シリコンウエハ１の裏面側の表面（裏面）に開口部１５を設けるようにしてマスキングペースト２を設置する。開口部１５は開口部１４とは異なる箇所に形成される。なお、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。
　そして、シリコンウエハ１の受光面および裏面にそれぞれ塗布されたマスキングペースト２を乾燥させた後に、マスキングペースト２を焼成することによって、マスキングペースト２を固化させる。
　次に、図１４（ａ）の模式的断面図および図１４（ｂ）の模式的平面図に示すように、ｐ型ドーパント含有ガス６を流すことによって、シリコンウエハ１の裏面側の開口部１５から露出しているシリコンウエハ１の裏面にｐ型ドーパントを拡散させてｐ型ドーパント拡散領域５を帯状に形成する。なお、ｐ型ドーパント含有ガス６としては、たとえばｐ型ドーパントであるボロンを含むＢＢｒ3などを用いることができる。また、ｐ型ドーパント拡散領域５は、シリコンウエハ１よりもｐ型ドーパント濃度が高い領域である。また、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。
　次に、図１５（ａ）の模式的断面図および図１５（ｂ）の模式的平面図に示すように、シリコンウエハ１の受光面および裏面のそれぞれのマスキングペースト２をすべて除去する。これにより、シリコンウエハ１の受光面全面および裏面全面が露出して、帯状のｎ型ドーパント拡散領域３および帯状のｐ型ドーパント拡散領域５をそれぞれ露出させることができる。なお、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。
　次に、図１６（ａ）の模式的断面図および図１６（ｂ）の模式的平面図に示すように、シリコンウエハ１の裏面上にパッシベーション膜７を形成する。パッシベーション膜７としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができる。パッシベーション膜７は、たとえば、プラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。なお、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。
　次に、図１７（ａ）の模式的断面図および図１７（ｂ）の模式的平面図に示すように、シリコンウエハ１のパッシベーション膜７が形成されている側と反対側となる受光面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造８を形成する。テクスチャ構造８を形成するためのテクスチャエッチングは、シリコンウエハ１の裏面に形成されたパッシベーション膜７をエッチングマスクとして用いることによって行なうことができる。なお、テクスチャエッチングは、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いてシリコンウエハ１の受光面をエッチングすることによって行なうことができる。
　次に、図１８（ａ）の模式的断面図および図１８（ｂ）の模式的平面図に示すように、シリコンウエハ１のテクスチャ構造８上に反射防止膜９を形成する。反射防止膜９としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができる。反射防止膜９は、たとえば、プラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。なお、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。
　次に、図１９（ａ）の模式的断面図および図１９（ｂ）の模式的平面図に示すように、パッシベーション膜７の一部を除去することによってコンタクトホール１０およびコンタクトホール１１０を形成して、コンタクトホール１０からｎ型ドーパント拡散領域３の一部を露出させるとともに、コンタクトホール１１０からｐ型ドーパント拡散領域５の一部を露出させる。なお、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）をシリコンウエハ１の裏面側から見たときの模式的な平面図である。
　コンタクトホール１０，１１は、たとえば、パッシベーション膜７上にフォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール１０，１１のそれぞれの形成箇所に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成した後に、レジストパターンの開口部からパッシベーション膜７をエッチングにより除去する方法などにより形成することができる。
　次に、図２０（ａ）の模式的断面図および図２０（ｂ）の模式的平面図に示すように、コンタクトホール１０を通してｎ型ドーパント拡散領域３に電気的に接続されるｎ型用電極１２を形成するとともに、コンタクトホール１１０を通してｐ型ドーパント拡散領域５に電気的に接続されるｐ型用電極１３を形成する。ここで、ｎ型用電極１２およびｐ型用電極１３としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができる。以上により、裏面電極型太陽電池セルを作製することができる。
　＜半導体装置＞
　以上のように作製された裏面電極型太陽電池セルにおいては、図２０（ａ）に示すように、幅広のファセット６２を有するシリコンウエハ１のなだらかな裏面にｎ型用電極１２およびｐ型用電極１３がそれぞれ形成されており、シリコンウエハ１の裏面と、ｎ型用電極１２およびｐ型用電極１３のそれぞれとの接触面積を増加させることができるため、シリコンウエハ１と電極（ｎ型用電極１２，ｐ型用電極１３）との接触抵抗およびシリコンウエハの表面と電極との界面でのキャリアの再結合を低減することができる。また、シリコンウエハ１の裏面の凹凸に起因してマスキングペースト２の印刷パターンが乱れることが少ないため、マスキングペースト２の印刷精度を向上させることができる。さらには、従来よりもエッチング量が抑えられてシリコンウエハ１が形成されているため、シリコンウエハ１の機械的強度および裏面電極型太陽電池セルの変換効率の低下を抑えることができる。そのため、上記のようにして作製された裏面電極型太陽電池セルにおいては、良好な特性を有する裏面電極型太陽電池セルを安定して製造することができる。
　また、本発明は、裏面電極型太陽電池セルに適用することに限定されるものではなく、あらゆる構成の半導体装置に適用することもできる。
　＜シリコンウエハの作製と評価＞
　まず、チョクラルスキー法によって形成したｎ型単結晶シリコンインゴットを、往復走行を行なっているワイヤソー（図２１の拡大写真に示す形状を有する）に押し付けて切断した。これにより、１辺がそれぞれ１２６ｍｍの擬似正方形状の受光面および裏面を有するとともに厚さが２００μｍの板状のｎ型単結晶シリコンを複数枚形成した。ここで、図２１に示されるワイヤソーは、断面直径１２０μｍのピアノ線の外周面にめっきされたニッケルで粒径３０μｍ以下のダイヤモンド砥粒を固着して作製したものを用いた。
　図２２に上記のワイヤソーによる切断後のｎ型単結晶シリコンの表面の一例の顕微鏡写真を示す。図２２に示すように、ｎ型単結晶シリコンの表面にはワイヤソーの走行方向に沿って形成された溝状の砥粒痕（図２２の縦筋）が形成されていることが確認された。
　次に、上記のようにして形成したｎ型単結晶シリコンの表面を水酸化ナトリウム濃度が３０質量％の水酸化ナトリウム水溶液で片側の表面のエッチング量が１３μｍ（両方の表面のエッチング量を合わせて２６μｍ、エッチング後のｎ型単結晶シリコンの厚みが１７４μｍ）となるようにエッチングした。これにより、表面のスライスダメージが除去されるとともに、表面に幅広のファセットを有するシリコンウエハ（以下、「実施例のシリコンウエハ」という。）が形成された。
　図２３（ａ）に、上記のようにして作製された実施例のシリコンウエハの表面の一部の顕微鏡写真を示し、図２３（ｂ）に図２３（ａ）の実施例のシリコンウエハの表面のレーザ顕微鏡による凹凸の測定結果を示す。図２３（ａ）および図２３（ｂ）に示すように、実施例のシリコンウエハの表面はなだらかであることが確認された。また、実施例のシリコンウエハの表面に形成されたファセットの９０％が、幅２０μｍ以上６０μｍ以下であって、深さ０．１μｍ以上１０μｍ以下のファセットであった。
　また、比較として、厚さが２３４μｍの板状のｎ型単結晶シリコンの表面を水酸化ナトリウム濃度が４８質量％の水酸化ナトリウム水溶液で片側の表面のエッチング量が３０μｍ（両方の表面のエッチング量を合わせて６０μｍ、エッチング後のｎ型単結晶シリコンの厚みが１７４μｍ）となるようにエッチングしたこと以外は実施例と同様にしてシリコンウエハ（以下、「比較例１のシリコンウエハ」という。）を作製するとともに、ｎ型単結晶シリコンの表面を水酸化ナトリウム濃度が１８質量％の水酸化ナトリウム水溶液で片側の表面のエッチング量が１３μｍとなるようにエッチングしたこと以外は実施例と同様にしてシリコンウエハ（以下、「比較例２のシリコンウエハ」という。）をそれぞれ作製した。図２４（ａ）および図２５（ａ）に、それぞれ、比較例１のシリコンウエハの表面の一部の顕微鏡写真および比較例２のシリコンウエハの表面の一部の顕微鏡写真を示す。また、図２４（ｂ）に、図２４（ａ）の比較例１のシリコンウエハの表面のレーザ顕微鏡による凹凸の測定結果を示し、図２５（ｂ）に、図２５（ａ）の比較例２のシリコンウエハの表面のレーザ顕微鏡による凹凸の測定結果を示す。
　図２４（ａ）および図２４（ｂ）に示すように、比較例１のシリコンウエハの表面は、実施例のシリコンウエハの表面と比べてなだらかではないことが確認された。また、図２５（ａ）および図２５（ｂ）に示すように、比較例２のシリコンウエハの表面にはピラミッド状の突起物（図２５（ａ）に示す黒い斑点）が確認された。
　なお、水酸化ナトリウム濃度をそれぞれ２０質量％、２４質量％、３２質量％および３５質量％としたこと以外は実施例のシリコンウエハと同様にして作製したシリコンウエハの表面についても実施例のシリコンウエハと同様の表面を有することが確認された。
　また、片側の表面のエッチング量をそれぞれ５μｍ、１５μｍ、２０μｍおよび２５μｍとしたこと以外は実施例のシリコンウエハと同様にして作製したシリコンウエハの表面については、水酸化ナトリウム濃度が４８質量％の水酸化ナトリウム水溶液で片側の表面のエッチング量をそれぞれ５μｍ、１５μｍ、２０μｍおよび２５μｍとしたこと以外は実施例のシリコンウエハと同様にして作製したシリコンウエハの表面と比較して、同じエッチング量にてそれぞれファセットサイズが大きくなっていることを確認した。
　＜裏面電極型太陽電池セルの作製と評価＞
　実施例のシリコンウエハ、比較例１のシリコンウエハおよび比較例２のシリコンウエハを用いて、それぞれ、実施例の裏面電極型太陽電池セル、比較例１の裏面電極型太陽電池セルおよび比較例２の裏面電極型太陽電池セルを作製した。
　具体的には、まず、実施例のシリコンウエハ、比較例１のシリコンウエハおよび比較例２のシリコンウエハのそれぞれの一方の表面全面にマスキングペーストを印刷するとともに、その反対側の表面に開口部を複数有するように帯状のマスキングペーストを印刷した。
　次に、マスキングペーストの印刷後のそれぞれのシリコンウエハをオーブン内に設置して加熱することによりマスキングペーストを乾燥させた。
　次に、上記のようにして乾燥させた後のマスキングペーストを加熱して焼成することによってマスキングペーストを固化させた。
　次に、マスキングペーストを固化させた後のそれぞれのシリコンウエハにＰＯＣｌ3を流すことによって、それぞれのシリコンウエハの上記開口部にリンを拡散させてｎ型ドーパント拡散領域を形成した。
　次に、それぞれのシリコンウエハをフッ酸水溶液中に浸漬させることによりそれぞれのシリコンウエハのマスキングペーストをすべて除去した。
　次に、それぞれのシリコンウエハのｎ型ドーパント拡散領域形成側の表面にｎ型ドーパント拡散領域と平行な帯状に露出してなる開口部を複数有するようにマスキングペーストを印刷した。ここで、マスキングペーストは、ｎ型ドーパント拡散領域とは異なる領域が開口部から露出するように印刷された。
　また、それぞれのシリコンウエハのｎ型ドーパント拡散領域形成側とは反対側の表面全面にもマスキングペーストを設置した。
　そして、それぞれのシリコンウエハをオーブン内に設置して加熱することによりマスキングペーストを乾燥させ、その後、マスキングペーストを加熱して焼成することによってマスキングペーストを固化させた。
　次に、それぞれのシリコンウエハにＢＢｒ3を流すことによって、それぞれのシリコンウエハの上記開口部にボロンを拡散させてｐ型ドーパント拡散領域を形成した。
　次に、それぞれのシリコンウエハをフッ酸水溶液中に浸漬させることによりそれぞれのシリコンウエハのマスキングペーストをすべて除去した。
　次に、それぞれのシリコンウエハのｎ型ドーパント拡散領域およびｐ型ドーパント拡散領域の形成側の表面全面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜を形成した。
　次に、それぞれのシリコンウエハのパッシベーション膜形成側とは反対側の表面をテクスチャエッチングすることによってテクスチャ構造を形成した。ここで、テクスチャエッチングは、水酸化ナトリウム濃度が３体積％の水酸化ナトリウム水溶液にイソプロピルアルコールを添加した７０℃～８０℃のエッチング液を用いて行なった。
　次に、それぞれのシリコンウエハのテクスチャ構造上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜からなる反射防止膜を形成した。
　次に、それぞれのシリコンウエハのパッシベーション膜の一部を帯状に除去することによって、コンタクトホールを形成し、ｎ型ドーパント拡散領域およびｐ型ドーパント拡散領域のそれぞれの一部を露出させた。
　その後、それぞれのシリコンウエハのコンタクトホールを埋めるようにして市販の銀ペーストを塗布し、乾燥させ、加熱することによって銀ペーストを焼成し、ｎ型ドーパント拡散領域およびｐ型ドーパント拡散領域にそれぞれ接する銀電極を形成した。以上により、実施例、比較例１および比較例２のシリコンウエハから、それぞれ、実施例、比較例１および比較例２の裏面電極型太陽電池セルが作製された。
　そして、実施例、比較例１および比較例２のそれぞれの裏面電極型太陽電池セルに、ソーラシミュレータを用いて擬似太陽光を照射し、電流－電圧（ＩＶ）特性を測定して、短絡電流密度、開放電圧、Ｆ．Ｆ．（Fill　Factor）および変換効率を測定した。その結果を表１に示す。なお、表１においては、実施例の裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度、開放電圧、Ｆ．Ｆ．および変換効率の値をそれぞれ１００としたときの比較例１および比較例２の裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度、開放電圧、Ｆ．Ｆ．および変換効率の値がそれぞれ相対値で表わされている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、実施例の裏面電極型太陽電池セルは、比較例１の裏面電極型太陽電池セルと比べて、片側の表面のエッチング量を半分程度にしてシリコンウエハを作製した場合でも、同等程度の良好な特性を安定して得ることができることが確認された。
　また、表１に示すように、実施例の裏面電極型太陽電池セルは、比較例２の裏面電極型太陽電池セルと比べて、良好な特性を安定して得ることができることが確認された。
　これは、実施例の裏面電極型太陽電池セルにおいては、シリコンウエハのなだらかな表面が少ないエッチング量で実現され、そのなだらかな表面に銀電極が形成されたことにより、シリコンウエハの表面と銀電極との接触面積が増加して、シリコンウエハの表面と銀電極との接触抵抗およびシリコンウエハの表面と銀電極との界面でのキャリアの再結合を低減できたこと、また、シリコンウエハの裏面の凹凸に起因してマスキングペーストの印刷パターンの乱れが低減され、マスキングペーストの印刷精度を向上させることができたためと考えられる。
　本発明は、シリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法に利用することができ、特に裏面電極型太陽電池セル用のシリコンウエハとその製造、裏面電極型太陽電池セルとその製造に好適に利用することができる。
　１，１０１　半導体基板、１ａ　スライスダメージ、２，１０２　マスキングペースト、３，１０３　ｎ型ドーパント拡散領域、４，１０４　ｎ型ドーパント含有ガス、５，１０５　ｐ型ドーパント拡散領域、６，１０６　ｐ型ドーパント含有ガス、７，１０７　パッシベーション膜、８，１０８　テクスチャ構造、９，１０９　反射防止膜、１０，１１０　コンタクトホール、１２，１１２　ｎ型用電極、１３，１１３　ｐ型用電極、１４，１５，１１４，１１５　開口部、５０　半導体結晶インゴット、５１，５２　ガイドローラ、５３　ワイヤソー、５３ａ　芯線、５３ｂ　砥粒、５４，５５　矢印、６１　ソーマーク、６２，６３，６４　ファセット、６５　突起物。

Claims (7)

  1. 　シリコン結晶インゴット（５０）を切断して得られた結晶シリコン（１１）の表面を前記結晶シリコン（１１）の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下だけエッチングすることにより得られたシリコンウエハ（１）であって、
    　表面に１０μｍ以上１５０μｍ以下の幅のファセット（６２）を有する、シリコンウエハ（１）。
  2. 　前記ファセット（６２）の深さが０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１に記載のシリコンウエハ（１）。
  3. 　請求項１または２に記載のシリコンウエハ（１）と、
    　前記シリコンウエハ（１）の前記ファセット（６２）を有する前記表面に設けられた電極（１２，１３）と、を備えた、半導体装置。
  4. 　シリコン結晶インゴット（５０）を切断して結晶シリコン（１１）を形成する工程と、
    　前記結晶シリコン（１１）の表面を水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液でエッチングする工程と、を含み、
    　前記エッチングする工程における前記結晶シリコン（１１）のエッチング量は、前記結晶シリコン（１１）の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下である、シリコンウエハ（１）の製造方法。
  5. 　前記結晶シリコン（１１）を形成する工程は、前記シリコン結晶インゴット（５０）をワイヤソー（５３）により切断する工程を含む、請求項４に記載のシリコンウエハ（１）の製造方法。
  6. 　シリコン結晶インゴット（５０）を切断して結晶シリコン（１１）を形成する工程と、
    　前記結晶シリコン（１１）の表面を水酸化ナトリウム濃度が２０質量％以上３５質量％以下の水酸化ナトリウム水溶液でエッチングすることによって、表面に１０μｍ以上１５０μｍ以下の幅のファセット（６２）を有するシリコンウエハ（１）を形成する工程と、
    　前記ファセット（６２）を有する前記シリコンウエハ（１）の前記表面に電極（１２，１３）を形成する工程と、を含み、
    　前記シリコンウエハ（１）を形成する工程における前記結晶シリコン（１１）のエッチング量は、前記結晶シリコン（１１）の片側の表面につき５μｍ以上２５μｍ以下である、半導体装置の製造方法。
  7. 　前記結晶シリコン（１１）を形成する工程は、前記シリコン結晶インゴット（５０）をワイヤソー（５３）により切断する工程を含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103000807B (zh) * 2012-12-12 2015-06-03 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
JP2015185587A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
CN105666714B (zh) * 2016-02-26 2017-06-16 常州高特新材料有限公司 一种水性金刚线硅锭开方液及其应用
CN110073498A (zh) 2016-11-07 2019-07-30 信越化学工业株式会社 高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335711A (ja) * 1995-02-21 1996-12-17 Interuniv Micro Electro Centrum Vzw 太陽電池の製法及びこの製法で得られる製品
JP2003197932A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Kyocera Corp 太陽電池素子およびその製造方法
JP2007049079A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Sharp Corp マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US8288645B2 (en) * 2009-03-17 2012-10-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single heterojunction back contact solar cell

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335711A (ja) * 1995-02-21 1996-12-17 Interuniv Micro Electro Centrum Vzw 太陽電池の製法及びこの製法で得られる製品
JP2003197932A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Kyocera Corp 太陽電池素子およびその製造方法
JP2007049079A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Sharp Corp マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YASUO NISHIMURA: "Discussion on Aqueous Solution of Sodium Hydroxide of High Concentration", THE TOAGOSEI GROUP STUDY ANNUAL REPORT, TREND, 2006, pages 8 - 12
YASUO NISHIMURA: "Discussion on Aqueous Solution of Sodium Hydroxide of High Concentration", TOAGOSEI GROUP STUDY ANNUAL REPORT, TREND, 2006, pages 8 - 12

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