WO2011141274A1 - Verfahren zur strukturierung eines strahlungsauskoppelelements - Google Patents
Verfahren zur strukturierung eines strahlungsauskoppelelements Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011141274A1 WO2011141274A1 PCT/EP2011/056034 EP2011056034W WO2011141274A1 WO 2011141274 A1 WO2011141274 A1 WO 2011141274A1 EP 2011056034 W EP2011056034 W EP 2011056034W WO 2011141274 A1 WO2011141274 A1 WO 2011141274A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- radiation
- decoupling element
- radiation decoupling
- component
- semiconductor crystal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Abstract
Es wird ein Verfahren zur Strukturierung eines Strahlungsauskoppelelements (1) angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines strahlungsdurchlässigen Strahlungsauskoppelelements (1), das mit einem Kunststoffmaterial, einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist; Strukturieren einer Außenfläche (11) des Strahlungsauskoppelelements (1), wobei zumindest mittelbar eine durch Ätzen erzeugte Oberflächenstruktur (33) eines Halbleiterkristalls (3) auf die Außenfläche (11) des Strahlungsauskoppelelements (1) übertragen wird.
Description
Beschreibung
Verfahren zur Strukturierung eines
Strahlungsauskoppelelements
Es wird ein Verfahren zur Strukturierung eines
Strahlungsauskoppelelements, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils sowie ein
optoelektronisches Bauteil angegeben.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 020 162.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur
Strukturierung eines Strahlungsauskoppelelements anzugeben, das zeitsparend und darüber hinaus kostengünstig ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein strahlungsdurchlässiges
Strahlungsauskoppelelement bereitgestellt, das mit einem Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist. Eine Außenfläche des
Strahlungsauskoppelelements wird strukturiert, wobei
zumindest mittelbar eine durch Ätzen erzeugte
Oberflächenstruktur eines Halbleiterkristalls auf die
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements übertragen wird. "Strahlungsdurchlässig" bedeutet in diesem Zusammenhang insbesondere, dass das Strahlungsauskoppelelement wenigstens zu 80 %, bevorzugt zu mehr als 90 % für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist. Das Strahlungsauskoppelelement kann eine Folie sein, welche beispielsweise vollständig mit einem Kunststoffmaterial , wie zum Beispiel einem Harz,
gebildet ist. Das Strahlungsauskoppelelement kann auch als eine selbsttragende Scheibe oder Platte ausgebildet sein. Ebenso kann das Strahlungsauskoppelelement ein optisches Element, wie zum Beispiel eine Linse sein.
Beispielsweise handelt es sich bei dem Halbleiterkristall um ein einkristallines, defektreiches Material. "Durch Ätzen erzeugt" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die
Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls beispielsweise mittels eines trocken- und/oder nasschemischen Ätzprozesses erzeugt ist. Das heißt insbesondere, dass im
Halbleiterkristall eingebrachte, die Oberflächenstruktur ausbildende Erhebungen und Senkungen, nicht in
deterministischer Weise erzeugt sind. Die Erhebungen und Senkungen sind daher weder regelmäßig noch periodisch angeordnet. Vielmehr ist die Oberflächenstruktur des
Halbleiterkristalls "frei" und zufällig erzeugt und hängt beispielsweise von den kristallinen Eigenschaften des
Halbleiterkristalls und dem verwendeten Ätzmittel ab.
"Zumindest mittelbar" bedeutet, dass die Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls zum einen durch ein oder mehrere Zwischenschritte, das heißt mittelbar, übertragen werden kann. Zum anderen ist es möglich, dass die
Oberflächenstruktur direkt, das heißt unmittelbar, in die
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements übertragen wird. Wird die Oberflächenstruktur mittelbar übertragen, stehen während des Übertragens der Halbleiterkristall und das
Strahlungsauskoppelelement nicht in direktem Kontakt
miteinander. Falls die Oberflächenstruktur hingegen
unmittelbar übertragen wird, stehen der Halbleiterkristall und das Strahlungsauskoppelelement beim Übertragen in direktem Kontakt miteinander.
Beispielsweise geschieht das Übertragen der
Oberflächenstruktur und damit das Strukturieren der
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements durch Abdrucken der Oberflächenstruktur in die Außenfläche des
Strahlungsauskoppelelements. Das heißt, mittels mechanischen Andrückens wird die Oberflächenstruktur des
Halbleiterkristalls in die Außenfläche des
Strahlungsauskoppelelements übertragen. Ist die
Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls der Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements zugewandt, so können der Halbleiterkristall und das Strahlungsauskoppelelement derart zusammengeführt und beispielsweise zusammengepresst werden, dass sich die Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls in die Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements zumindest stellenweise abdruckt. "Abdrucken" heißt diesbezüglich, dass an Stellen, an denen sich auf der Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls Erhebungen befinden, sich entsprechende Senkungen auf der Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements abbilden. Gleiches geschieht mit auf der Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls befindlichen Senkungen, die als
Erhebungen in die Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements abgebildet werden. Es ist ebenso möglich, dass die
Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls vollständig in die Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements abgedruckt wird .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein strahlungsdurchlässiges
Strahlungsauskoppelelement bereitgestellt, das mit einem Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist. In einem nächsten Schritt wird eine Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements strukturiert,
wobei zumindest mittelbar eine durch Ätzen erzeugte
Oberflächenstruktur eines Halbleiterkristalls auf die
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements übertragen wird. Das hier beschriebene Verfahren macht von der Idee Gebrauch, zunächst ein strahlungsdurchlässiges
Strahlungsauskoppelelement bereitzustellen, das mit einem Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist. In einem nächsten Schritt wird
zumindest mittelbar eine durch Ätzen erzeugte
Oberflächenstruktur eines Halbleiterkristalls auf die
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements übertragen. Mit anderen Worten wird die Außenfläche des
Strahlungsauskoppelelements mittels des Übertragens dauerhaft strukturiert. Beispielsweise handelt es sich bei dem Ätzen um einen trocken- und/oder nasschemischen Ätzprozess, der in zufälliger Weise die Oberflächenstruktur in dem
Halbleiterkristall erzeugt. Insbesondere wird bei der
Erzeugung der Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls auf etwaige spezielle Maskierungsschritte zur Erzeugung der
Strukturen verzichtet. Beispielsweise werden mittels des Ätzprozesses in dem Halbleiterkristall Strukturen zufälliger Größe und Verteilung gebildet. Nach dem Übertragen der Oberflächenstruktur des
Halbleiterkristalls lässt sich der Halbleiterkristall
beispielsweise als Schablone mehrfach wiederverwenden, sodass der Vorgang des Strukturierens des
Strahlungsauskoppelelements vielfach wiederholt werden kann. Vorteilhaft kann so eine Vielzahl von weiteren
Strahlungsauskoppelelementen mit einer strukturierten
Außenfläche erzeugt werden. Mittels der Schablone in
Verbindung mit dem Strukturierungsverfahren ist also das
gezielte Einbringen von Strukturierungen möglich, wodurch eine Variation der Strukturierung von
Strahlungsauskoppelelement zu Strahlungsauskoppelelement vermieden wird. Die Wiederverwendung des Halbleiterkristalls als Schablone für die Aufbringung der Struktur auf der
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements führt daher nicht nur zu einer Kostenersparnis im Herstellungsverfahren, sondern ermöglicht ebenso eine schnelle und zeitsparende Herstellung. Ferner sind durch die Wiederverwendung des
Halbleiterkristalls als Schablone die Auskoppeleigenschaften des mittels dem Halbleiterkristall hergestellten
Strahlungsauskoppelelements bereits im Voraus bekannt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst die Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls auf eine Außenfläche eines Zwischenträgers übertragen, wobei danach die Außenfläche des Zwischenträgers auf die
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements übertragen wird. Der Zwischenträger kann nach Art einer Platte oder einer Scheibe ausgebildet sein. Zum Übertragen der
Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls auf die
Außenfläche des Zwischenträgers wird die Oberflächenstruktur in die Außenfläche des Zwischenträgers beispielsweise
abgedruckt. Ist die Oberflächenstruktur des
Halbleiterkristalls der Außenfläche des Zwischenträgers zugewandt, so können der Halbleiterkristall und der
Zwischenträger derart zusammengeführt und beispielsweise zusammengepresst werden, dass sich die Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls in die Außenfläche des
Zwischenträgers zumindest stellenweise abdruckt. Es ist möglich, dass die Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls vollständig in die Oberfläche des Zwischenträgers abgedruckt wird. Nach dem Entfernen des Halbleiterkristalls von dem
Zwischenträger behält dann die strukturierte Außenfläche des Zwischenträgers ihre Oberflächenstruktur bei. Mit anderen Worten ist der Abdruckvorgang ein Prozess, bei dem die
Außenfläche des Zwischenträgers dauerhaft strukturiert wird.
Im Strukturierungsverfahren kann der Zwischenträger als schablonenartige Vorlage dienen und dabei beispielsweise einen kostenintensiven Halbleiterkristall ersetzen. Der
Zwischenträger kann vielfach wiederverwendet werden.
Vorzugsweise ist der Zwischenträger mit einem "leicht
strukturierbaren" Material gebildet. "Leicht strukturierbar" heißt in diesem Zusammenhang, dass der Zwischenträger
vorzugsweise mit einem Kunststoff und/oder leicht
eindruckbarem Material gebildet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterkristall ein III-V-Halbleitermaterial auf. Es wurde erkannt, dass ein mit einem derartigen Material gebildeter Halbleiterkristall besonders dazu geeignet ist, die
gewünschten zufällig angeordneten, die Oberflächenstruktur ausbildenden, Erhebungen und Senkungen unterschiedlicher Größe und Verteilung zu schaffen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das III-V- Halbleitermaterial ein III-Nitrid-Halbleitermaterial . "III- Nitrid-Halbleitermaterial " bedeutet in vorliegendem
Zusammenhang, dass das Strahlungsauskoppelelement ein
Nitridhalbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamlnl-n-mN
aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 ^ m < 1, 0 ^ n < 1 und m + n < 1.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor und/oder während des Übertragens der Oberflächenstruktur die
Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements thermisch erwärmt und/oder UV-Strahlung auf die Außenfläche eingewirkt.
Beispielsweise wird mittels der thermischen Erwärmung vor und/oder während des Übertragens das
Strahlungsauskoppelelement im Bereich der Außenfläche
erweicht, sodass das Abdrucken der Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls vereinfacht und mit nur geringem
mechanischem Aufwand ermöglicht wird. Beispielsweise wird die Außenfläche auf Temperaturen im Bereich von einer
Raumtemperatur bis zu 300 °C, zum Beispiel im Bereich vom
20°C bis 300°C, bevorzugt auf Temperaturen im Bereich von 60 °C bis 200 °C, erwärmt. Bei der UV-Strahlung kann es sich um Strahlung im Wellenbereich von 200 nm bis 400 nm, bevorzugt von 300 nm bis 370 nm, handeln.
Ebenso ist denkbar, dass das Strahlungsauskoppelelement beispielsweise in noch flüssiger oder zähflüssiger Form auf die Oberflächenstruktur des Halbleiterkristalls oder des Zwischenträgers aufgetragen wird. Vorzugsweise passt sich dann das Material der Oberflächenstruktur des
Halbleiterkristalls zumindest stellenweise an. Durch
thermische Erwärmung des Materials des
Strahlungsauskoppelelements und/oder gleichzeitiger UV- Bestrahlung vernetzt sich vorteilhaft das Material des
Strahlungsauskoppelelements und verfestigt sich auf dem
Halbleiterkristall oder dem Zwischenträger. Mit anderen
Worten wird die Außenfläche des Strahlungsauskoppelelements während der thermischen Erwärmung oder UV-Bestrahlung
strukturiert. Nach dem Verfestigen kann dann das
Strahlungsauskoppelelement von dem Halbleiterkristall oder dem Zwischenträger entfernt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Zwischenträger die Form einer Walze auf oder ist auf einer Walze aufgebracht. Ist der Zwischenträger in Form einer Walze ausgebildet, ist er in zumindest einer Richtung
vorzugsweise kontinuierlich abrollbar, wobei die abgerollte Außenfläche des Zwischenträgers dann strukturiert ist. Dabei kann sich der Zwischenträger über die Außenfläche des stationär gehaltenen Strahlungsauskoppelelements bewegen oder die Position des Zwischenträgers ist fest und das
Strahlungsauskoppelelement wird relativ zum Zwischenträger an diesem vorbeibewegt. Weiterhin ist auch möglich, dass sich der Zwischenträger und das Strahlungsauskoppelelement beide, bevorzugt gleichzeitig bewegen und dadurch das Verfahren schneller durchgeführt werden kann. Dabei ist es möglich, dass zur Ausübung eines mechanischen Drucks der
Zwischenträger gegen das Strahlungsauskoppelelement oder umgekehrt das Strahlungsauskoppelelement gegen den
Zwischenträger gepresst wird. Weiterhin kann der Druck auch sowohl über den Zwischenträger als auch das
Strahlungsauskoppelelement ausgeübt werden, sodass der
Zwischenträger und das Strahlungsauskoppelelement
aneinandergedrückt werden.
Ist der Zwischenträger beispielsweise flexibel und/oder biegsam, kann dieser auch auf eine Walze aufgebracht sein. Beispielsweise ist dann der Zwischenträger um die Walze aufgewickelt. Die abrollende Außenfläche der Walze ist dann durch die strukturierte Außenfläche des Zwischenträgers gebildet, welche im weiteren Verfahren als eine
Stempeloberfläche benutzt werden kann.
Es wird darüber hinaus noch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein strahlungsdurchlässiges
Strahlungsauskoppelelement bereitgestellt, das mit einem Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist.
In einem weiteren Schritt wird das
Strahlungsauskoppelelement, wie in zumindest einer der vorhergehenden Ausführungsformen beschrieben, strukturiert. Das heißt, die für das hier beschriebene Verfahren zur
Strukturierung des Strahlungsauskoppelelements beschriebenen Merkmale beziehen sich auch auf das hier beschriebene
Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauteils und umgekehrt .
In einem weiteren Schritt wird das Strahlungsauskoppelelement auf zumindest eine Strahlungsaustrittsfläche eines
Bauelements, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu führen und/oder zu erzeugen, aufgebracht. Vorzugsweise steht das Strahlungsauskoppelelement mit dem Bauelement in direktem Kontakt. Beispielsweise ist dazu das
Strahlungsauskoppelelement auf die Strahlungsaustrittsfläche aufgeklebt. Im Allgemeinen kann der Brechungsindex des
Strahlungsauskoppelelements kleiner, größer oder gleich dem Brechungsindex des Bauelements sein. Bevorzugt liegt der Brechungsindex des Strahlungsauskoppelelements zwischen dem Brechungsindex eines dem Strahlungsauskoppelelement
umgebenden Mediums und dem Brechungsindex des Bauelements . Mit anderen Worten handelt es sich dabei um eine
Brechungsindexanpassung, die eine Auskoppeleffizienz aus dem Bauteil erhöht. Auch können der Brechungsindex des
Strahlungsauskoppelelements und des Bauelements gleich sein.
Vorteilhaft werden so störende Rück- und Vielfachreflexionen der von dem Bauelement in das Strahlungsauskoppelelement eingekoppelten elektromagnetischen Strahlung verhindert.
"Auskoppeleffizienz" ist das Verhältnis von aus dem Bauteil ausgekoppelte Strahlungsenergie zu der primär innerhalb des Bauteils erzeugten Strahlungsenergie.
Bei diesem Verfahren ist es möglich, dass das
Strahlungsauskoppelelement vor oder nach dem Aufbringen auf das Bauelement strukturiert wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Bauelement ein Verbund von strahlungsemittierenden
Halbleiterchips. Der Verbund von strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist vorzugsweise durch einen
zusammenhängenden Halbleiterwafer gebildet. Der
Halbleiterwafer kann in Form einer Platte oder Scheibe vorliegen. Ferner weist der Verbund eine
Halbleiterschichtenfolge mit zumindest einer aktiven Zone zur Emission von elektromagnetischer Strahlung auf. Das auf den Verbund aufgebrachte Strahlungsauskoppelelement dient zur Auskopplung von durch die aktive Zone erzeugte
elektromagnetische Strahlung aus jedem der Halbleiterchips. Ebenso kann der Verbund zwei sich gegenüberliegende
Strahlungsauskoppelflächen aufweisen, auf das dann jeweils ein Strahlungsauskoppelelement aufgebracht ist.
Beispielsweise emittiert dann die aktive Zone "beidseitig" elektromagnetische Strahlung. Ferner kann in einem nächsten Schritt der Verbund in einzelne optoelektronische Bauteile vereinzelt werden.
Ebenso ist denkbar, dass es sich bei dem Verbund von
strahlungsemittierenden Halbleiterchips um einen Verbund von
Dünnfilmleuchtdiodenchips handelt. Insbesondere weist der Verbund dann an seiner Rückseite ein Trägersubstrat, das von einem Aufwachssubstrat verschieden ist, auf. Die Rückseite des Verbunds ist in diesem Fall die dem
Strahlungsauskoppelelement abgewandte Oberfläche des
Verbunds. Das ursprüngliche Aufwachssubstrat ist von dem Bauteil abgelöst.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Bauelement ein Verbund von organischen, Licht emittierenden Elementen (OLEDs) . Das heißt, dass das Bauelement dann mindestens ein organisches Material enthält.
Ferner weist das optoelektronische Bauelement dann zumindest eine aktive Zone auf, welche zur Erzeugung
elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Vorzugsweise enthält die aktive Zone ein organisches Material. Auch hierbei ist denkbar, dass der Verbund zwei sich
gegenüberliegende Strahlungsauskoppelflächen aufweist, auf die dann jeweils ein Strahlungsauskoppelelement aufgebracht ist .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Bauelement mit zumindest einem Lichtleiter gebildet. Der Lichtleiter kann zwei sich gegenüberliegende
Strahlungsaustrittsflächen aufweisen. In diesem Fall kann auf die beiden Strahlungsaustrittsflächen jeweils ein
Strahlungsauskoppelelement aufgebracht, etwa aufgeklebt, sein Das Strahlungsauskoppelelement kann zur effizienten
Datenübertragung dienen, da durch das
Strahlungsauskoppelelement und der damit einhergehenden erhöhten Auskoppeleffizienz eine größere Menge an optischen Daten aus dem optoelektronischen Bauteil ausgekoppelt
beziehungsweise eingekoppelt werden kann. Ebenso kann der Lichtleiter in Form einer Licht leitenden Platte ausgebildet sein und als Hintergrundbeleuchtung zum Beispiel bei Displays oder Bildschirmen dienen (auch Backlight-Display) .
Es wird darüber hinaus noch ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Beispielsweise kann ein solches optoelektronisches Bauteil mittels des hier beschriebenen Verfahrens hergestellt werden, wie es in Verbindung mit einem oder mehreren der oben genannten Ausführungsformen beschrieben ist. Das heißt, die für das hier beschriebene Verfahren beschriebenen Merkmale beziehen sich auch auf das hier beschriebene
optoelektronische Bauteil und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist das Bauteil ein Bauelement auf, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu führen und/oder zu erzeugen. Beispielsweise handelt es sich bei dem Bauelement um einen optoelektronischen Halbleiterchip, eine organische, Licht emittierende Diode (OLED) oder um einen Lichtleiter. Ebenso ist denkbar, dass es sich bei dem Bauelement um ein optisches Element, welches zum Beispiel mit einer Linse gebildet ist, handelt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses ein auf einer Strahlungsaustrittsfläche des
Bauelements aufgebrachtes strahlungsdurchlässiges
Strahlungsauskoppelelement auf, das mit einem
Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist.
Das Strahlungsauskoppelelement weist eine dem Bauelement abgewandte strukturierte Außenfläche auf, durch die
elektromagnetische Strahlung aus dem optoelektronischen
Bauteil ausgekoppelt wird.
Die strukturierte Außenfläche ist mittels einer durch Ätzen erzeugten Oberflächenstruktur eines Halbleiterkristalls gebildet .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Außenfläche zumindest stellenweise durch Strukturen gebildet, deren
Seitenflanken eine Hauptverkippung von 58°±4°, insbesondere 58° ±2°, zu einer Haupterstreckungsrichtung der Außenfläche aufweisen. Durch die Seitenflanken sind die Strukturen der Außenfläche in lateraler Richtung, das heißt parallel zur Haupterstreckungsrichtung begrenzt. "Hauptwinkel" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Seitenflanken vorzugsweise einen Verkippungswinkel von 58°±4°, insbesondere 58°±2°, bilden. Neben dem Hauptwinkel können jedoch noch weitere, beispielsweise von Kristallfacetten des Halbleiterkristalls abhängige, Nebenwinkel vorkommen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Strukturen pyramidenstumpfartig
ausgebildet. Das heißt, dass die Außenfläche des
Strahlungsauskoppelelements eine Struktur aufweist, die durch eine Vielzahl pyramidenstumpfartiger Erhebungen gebildet sein kann. Jede pyramidenstumpfartige Erhebung ist ein Polyeder und wird durch eine Mantel- und eine Deckfläche begrenzt und weist somit statt einer punktförmigen Spitze die Deckfläche auf. Bevorzugt ist ein Flächeninhalt der Deckfläche möglichst gering. Das heißt, es handelt sich bevorzugt zumindest näherungsweise um eine Pyramide mit einer Spitze. Die
Mantelfläche weist zumindest drei Seitenflanken auf, die zusammenlaufen und die Deckfläche seitlich begrenzen. Die
Seitenflanken der pyramidenstumpfartigen Erhebung enden in das Strahlungsauskoppelelement und bilden dort eine der pyramidenstumpfartigen Erhebung zuordenbare, gedachte
Bodenfläche aus. Die Bodenfläche ist durch die Seitenflanken der pyramidenstumpfartigen Erhebung seitlich begrenzt. Boden- und Deckfläche der pyramidenstumpfartigen Erhebung stehen sich also gegenüber und sind über die Seitenflanken
miteinander verbunden. In einem seitlichen Schnitt durch eine solche pyramidenstumpfartige Erhebung weist die
pyramidenstumpfartige Erhebung zumindest zwei Seitenflanken, eine Deck- und eine Bodenfläche auf. Vorzugsweise handelt sich bei den pyramidenstumpfartigen Strukturen um Strukturen mit einer hexagonalen Bodenfläche. Insbesondere sind entlang der Haupterstreckungsrichtung die pyramidenstumpfartigen Strukturen in zufälliger Weise, das heißt nicht deterministisch, angeordnet. Es kann gezeigt werden, dass eine derartig in zufälliger Weise ausgebildete pyramidenartige Außenfläche eines Strahlungsauskoppelelements ein Bauteil mit einer erhöhten Auskoppeleffizienz im
Vergleich zu einer beispielsweise pyramidenartig,
deterministischen Struktur der Außenfläche aufweist. Die zufällig pyramidenartig ausgebildete Struktur stellt also eine vorteilhafte Auskoppelstruktur dar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Strukturhöhe der Strukturen in der strukturierten Außenfläche 20 nm bis 2000 nm, bevorzugt 50 nm bis 1500 nm. Die Strukturhöhe ist beispielsweise die Strecke entlang einer Oberflächennormalen des Strahlungsauskoppelelements, von der Deckfläche der pyramidenstumpfartigen Struktur bis zu ihrer Bodenfläche. Betrachtet man eine pyramidenstumpfartige Struktur in einer Seitenansicht, so ist beispielsweise die Breite als die
Kantenlänge der Bodenfläche einer pyramidenstumpfartigen Struktur festgelegt. Vorzugsweise ist die Breite einer derartigen pyramidenstumpfartigen Struktur zwischen 50 nm und 4000 nm und bevorzugt zwischen 200 und 2000 nm.
Im Folgenden werden die hier beschriebenen Verfahren sowie ein optoelektronisches Bauteil anhand von
Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .
Die Figuren 1A bis IC zeigen einzelne Fertigungsschritte zur Herstellung eines Ausführungsbeispieles eines hier
beschriebenen Strahlungsauskoppelelements . Die Figur 1D zeigt in einer perspektivischen Seitenansicht ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen
Strahlungsauskoppelelements .
Die Figur 2A zeigt einen Fertigungsschritt zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen
optoelektronischen Bauteils.
Die Figuren 2B und 2C zeigen in einer schematischen und einer perspektivischen Seitenansicht Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Bauelements.
Die Figur 3 zeigt in einer schematischen Seitenansicht ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen
optoelektronischen Bauteils.
Die Figur 4 zeigt in einer mikroskopischen Seitenansicht einen hier beschriebenen Halbleiterkristall.
In den Ausführungsbeispielen und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne
Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß
dargestellt sein.
In der Figur 1A ist ein Hilfsträger 9 dargestellt, der nach Art einer Scheibe oder Platte ausgebildet sein kann. Auf dem Hilfsträger 9 ist ein Strahlungsauskoppelelement 1
aufgebracht, welches eine Außenfläche 11 aufweist, die dem Hilfsträger 9 abgewandt ist. Das Strahlungsauskoppelelement 1 ist vorliegend eine flexible Folie, die mit einem
Kunststoffmaterial gebildet ist.
In der Figur 1B ist dargestellt, wie zunächst ein
Halbleiterkristall 3 bereitgestellt wird. Bei dem
Halbleiterkristall 3 handelt es sich um einen
Halbleiterwafer, der mit einem III-Nitridhalbleitermaterial gebildet ist. Der Halbleiterkristall 3 weist eine
Oberflächenstruktur 33 auf, welche vollständig durch
pyramidenstumpfartige Strukturen 8 gebildet ist. Jede der pyramidenstumpfartigen Strukturen 8 ist in der seitlichen Schnittdarstellung der Figur 1B durch jeweils zwei
Seitenflanken 7 einer Bodenfläche 72 und einer Deckfläche 73 gebildet, wobei vorliegend aus Vereinfachungsgründen die Deckfläche 73 als eine punktförmige Spitze gezeichnet ist. Ferner liegt eine Strukturhöhe H der pyramidenstumpfartigen Strukturen 8 in einem Bereich zwischen 50 und 1500 nm. Die Strukturen 8 sind entlang einer Haupterstreckungsrichtung 300 des Halbleiterkristalls 3 beispielsweise gemessen an ihrer Strukturhöhe H zufällig, verteilt. Ferner weist jede der Seitenflanken 7 einer pyramidenstumpfartigen Struktur 8 eine
Verkippung von 58° zu der Haupterstreckungsrichtung 300 auf. Mit anderen Worten sind die pyramidenstumpfartigen Strukturen 8 nur in Bezug auf ihren Verkippungswinkel gleich. Sie unterscheiden sich jedoch jeweils in zufälliger Weise von ihrer Ausdehnung, beispielsweise ihrer Höhe voneinander.
Ferner ist in der Figur 1B schematisch gezeigt, das der Halbleiterkristall 3 mit seiner Oberflächenstruktur 33 in die Außenfläche 11 des Strahlungsauskoppelelements 1 aufgepresst wird, sodass die Oberflächenstruktur 33 des
Halbleiterkristalls 3 in die Außenfläche 11 des
Strahlungsauskoppelelements 1 abgedruckt wird. Auf der
Außenfläche 11 wird also die Negativform der
Oberflächenstruktur 33 des Halbleiterkristalls aufgebracht.
Wie in der Figur IC dargestellt ist, verbleibt nach einem Entfernen des Halbleiterkristalls 3 die strukturierte
Außenfläche 11 des Strahlungsauskoppelelements 1. Da die strukturierte Außenfläche 11 die gleichen geometrischen
Merkmale aufweist wie die Oberflächenstruktur 33, verfügen ebenso die pyramidenstumpfartigen Strukturen 8 der
Außenfläche 11 über die gleichen Merkmale zum Beispiel in Bezug auf ihre Breite beziehungsweise Strukturhöhe. In einem nächsten Schritt kann dann der Hilfsträger 9 von dem Strahlungsauskoppelelement 1 entfernt werden.
In der Figur 1D ist in einer perspektivischen Seitenansicht ein Zwischenträger 4 gezeigt, der auf einer Walze 41
aufgerollt ist. Aus Vereinfachungsgründen ist eine
Strukturierung einer strukturierten Außenfläche 44 des
Zwischenträgers 4 lediglich schraffiert angedeutet. Der Zwischenträger 4 kann den Halbleiterkristall 3 als Schablone
im Strukturierungsverfahren ersetzen. Das heißt, die in
Verbindung mit den Figuren 1A bis IC beschriebenen
Verfahrensschritte können statt mit einem als Wafer
gestalteten Halbleiterkristall 3 auch mit dem Zwischenträger 4 ausgeführt werden. Der Zwischenträger 4 ist auf einer
Abrollfläche der Walze 41 beispielsweise umlaufend
aufgeklebt. Die Walze 41 kann in Richtung der
Haupterstreckungsrichtung 300 derart abgerollt und
gleichzeitig in das Strahlungsauskoppelelement 1 eingedrückt werden, dass ebenso die Außenfläche 11 strukturiert wird und die Außenfläche 11 auch in diesem Fall die Negativform einer strukturierten Außenfläche 44 des Zwischenträgers 4 aufweist.
In der Figur 2A ist dargestellt, wie das
Strahlungsauskoppelelement 1 auf eine
Strahlungsaustrittsfläche 55 eines Bauelements 5 aufgebracht wird. Vorliegend handelt es sich bei dem Bauelement 5 um einen Verbund 501 von Strahlungsemittierenden Halbleiterchips 51. Beispielsweise kann das Aufbringen durch Aufkleben erfolgen.
In einem nächsten Schritt kann dann ein Verbund bestehend aus dem Bauelement 5 und dem Strahlungsauskoppelelement 1 entlang von Trennlinien 101 in einzelne optoelektronische Bauteile 100 vereinzelt werden.
Die Figuren 2B und 2C zeigen in einer schematischen und einer perspektivischen Seitenansicht weitere Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Bauelements 5.
In Figur 2B ist dargestellt, dass das Bauelement 5 ebenso ein Verbund 502 von organischen, Licht emittierenden Elementen 52 (OLEDs) sein kann. Beispielsweise wird auch hierbei auf die
Strahlungsaustrittsfläche 55 des Verbunds 502 das Strahlungsauskoppelelement 1 aufgeklebt und in einem nächsten Schritt entlang wiederum der Trennungslinie 101 in einzelne optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt.
Die Figur 2C zeigt das optoelektronische Bauelement 5 als einen Lichtleiter 53. Der Lichtleiter 53 weist vorliegend zwei sich gegenüberliegende Strahlungsaustrittsflächen 55 mit jeweils einem Radius R auf. Auf eine oder beide
Strahlungsaustrittsflächen 55 kann jeweils das
Strahlungsauskoppelelement 1 direkt aufgebracht,
beispielsweise aufgeklebt, werden.
Die Figur 3 zeigt in einer schematischen Seitenansicht das fertige optoelektronische Bauteil 100, aufweisend ein
Bauelement 5 sowie das auf die Strahlungsaustrittsfläche 55 direkt aufgebrachte, strahlungsdurchlässige
Strahlungsauskoppelelement 1. Erkennbar ist, dass die
Außenfläche 11 des Strahlungsauskoppelelements 1 die gleichen geometrischen Merkmale aufweist wie die Oberflächenstruktur 33 des in der Figur 1B dargestellten Halbleiterkristalls 3. Die Auskoppeleffizienz des optoelektronischen Bauteils 100 wird durch eine derart strukturierte Außenfläche 11 besonders effektiv gesteigert.
Die Figur 4 zeigt in einer mikroskopischen Seitenansicht einen hier beschriebenen Halbleiterkristall 3 mit einer
Oberflächenstruktur 33. Der Halbleiterkristall 3 ist
vorliegend ein Halbleiterwafer und mit Gallium-Nitrid
gebildet. Erkennbar sind die pyramidenstumpfartigen
Strukturen 8 mit ihren Seitenflanken 7. Die Seitenflanken 7 bilden mit der Haupterstreckungsrichtung 300 eine Verkippung mit dem Hauptwinkel von 58°. Neben einem derartigen
Hauptwinkel sind weitere Seitenflanken 7 erkennbar, die eine vom Hauptwinkel abweichende Verkippung aufweisen und daher Nebenwinkel ausbilden. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr erfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie die Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder dem Ausführungsbeispiel angegeben ist.
Claims
1. Verfahren zur Strukturierung eines
Strahlungsauskoppelelements (1) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines strahlungsdurchlässigen
Strahlungsauskoppelelements (1), das mit einem
Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist;
- Strukturieren einer Außenfläche (11) des
Strahlungsauskoppelelements (1), wobei zumindest mittelbar eine durch Ätzen erzeugte Oberflächenstruktur (33) eines Halbleiterkristalls (3) auf die Außenfläche (11) des
Strahlungsauskoppelelements (1) übertragen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem die Oberflächenstruktur (33) des Halbleiterkristalls
(3) zunächst auf eine Außenfläche (44) eines Zwischenträgers
(4) übertragen wird, wobei danach die Außenfläche (44) des Zwischenträgers (4) auf die Außenfläche (11) des
Strahlungsauskoppelelements (1) übertragen wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterkristall (3) ein III-V- Halbleitermaterial aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
bei dem das III-V Halbleitermaterial ein III-Nitrid- Halbleitermaterial ist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor und/oder während des Übertragens der
Oberflächenstruktur (33) die Außenfläche (11) des Strahlungsauskoppelelements (1) thermisch erwärmt und/oder UV-Strahlung auf die Außenfläche (11) eingewirkt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 5,
bei dem der Zwischenträger (4) die Form einer Walze aufweist oder auf einer Walze (41) aufgebracht ist.
7. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauteils (100) mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines strahlungsdurchlässigen
Strahlungsauskoppelelements (1), das mit einem
Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist;
- Strukturieren des Strahlungsauskoppelelements (1) gemäß zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche;
- Aufbringen des Strahlungsauskoppelelements (1) auf
zumindest eine Strahlungsaustrittsfläche (55) eines
Bauelements (5) , das geeignet ist, elektromagnetische
Strahlung zu führen und/oder zu erzeugen.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
bei dem das Bauelement (5) ein Verbund (501) von
Strahlungsemittierenden Halbleiterchips (51) ist.
9. Verfahren nach Anspruch 7,
bei dem das Bauelement (5) ein Verbund (502) von organischen, Licht emittierenden Elementen (52) (OLEDs) ist.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9,
bei dem das Bauelement (5) mit zumindest einem Lichtleiter (53) gebildet ist.
11. Optoelektronisches Bauteil (100), mit - einem Bauelement (5) , das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu führen und/oder zu erzeugen;
- einem auf eine Strahlungsaustrittfläche (55) des
Bauelements (5) aufgebrachten strahlungsdurchlässigen
Strahlungsauskoppelelement (1), das mit einem
Kunststoffmaterial , einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist und eine dem Bauelement (5) abgewandte strukturierte Außenfläche (11) aufweist, durch die
elektromagnetische Strahlung aus dem optoelektronischen Bauteil (100) ausgekoppelt wird, wobei
- die strukturierte Außenfläche (11) mittels einer durch Ätzen erzeugten Oberflächenstruktur (33) eines
Halbleiterkristalls gebildet ist.
12. Optoelektronisches Bauteil (100) nach Anspruch 11, bei dem die strukturierte Außenfläche (11) zumindest stellenweise durch Strukturen (8) gebildet ist, deren
Seitenflanken (7) eine Verkippung von 58°±4° zu einer
Haupterstreckungsrichtung (300) der Außenfläche (11) aufweisen.
13. Optoelektronisches Bauteil (100) nach Anspruch 11 oder 12,
bei dem die Strukturen (8) pyramidenstumpfartig ausgebildet sind.
14. Optoelektronisches Bauteil (100) nach Anspruch 13, bei dem eine Strukturhöhe (H) der Strukturen (8) in der strukturierten Außenfläche (11) 20 nm bis 2000 nm beträgt.
15. Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der
Ansprüche 11 bis 14, das mit einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 10 erzeugt ist.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010020162.6 | 2010-05-11 | ||
| DE201010020162 DE102010020162A1 (de) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | Verfahren zur Strukturierung eines Strahlungsauskoppelelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011141274A1 true WO2011141274A1 (de) | 2011-11-17 |
Family
ID=44310321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2011/056034 WO2011141274A1 (de) | 2010-05-11 | 2011-04-15 | Verfahren zur strukturierung eines strahlungsauskoppelelements |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102010020162A1 (de) |
| WO (1) | WO2011141274A1 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019003663A1 (de) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | Wolfram Held | Optische Einrichtung zur Änderung der Richtung und/oder Verteilung von Licht wenigstens eines Leuchtmittels |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4758399A (en) * | 1982-11-17 | 1988-07-19 | Yoshihiro Hamakawa | Substrate for manufacturing single crystal thin films |
| WO2005048361A2 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Works, Ltd. | A method for producing a light-emitting device |
| JP2006041415A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子の製造方法 |
| US20070018186A1 (en) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Lg Chem, Ltd. | Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof |
| US20080044937A1 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Method of forming surface irregularities and method of manufacturing gallium nitride-based light emitting diode |
| US20080142822A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| DE102006061175A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10135190A1 (de) * | 2001-07-19 | 2003-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiode und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE10234977A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
| DE102006043400A1 (de) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| DE102009008223A1 (de) * | 2009-02-10 | 2010-08-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip |
| DE102009023355A1 (de) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
-
2010
- 2010-05-11 DE DE201010020162 patent/DE102010020162A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-04-15 WO PCT/EP2011/056034 patent/WO2011141274A1/de active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4758399A (en) * | 1982-11-17 | 1988-07-19 | Yoshihiro Hamakawa | Substrate for manufacturing single crystal thin films |
| WO2005048361A2 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Works, Ltd. | A method for producing a light-emitting device |
| US20070065960A1 (en) * | 2003-11-12 | 2007-03-22 | Hiroshi Fukshima | Method for producing a light emitting device |
| JP2006041415A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子の製造方法 |
| US20070018186A1 (en) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Lg Chem, Ltd. | Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof |
| US20080044937A1 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Method of forming surface irregularities and method of manufacturing gallium nitride-based light emitting diode |
| US20080142822A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| DE102006061175A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| KUI BAO ET AL: "Improvement of light extraction from micro-pattern encapsulated GaN-based LED by imprinting", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 6910, 1 January 2008 (2008-01-01), pages 69100N - 69100N-8, XP055004105, ISSN: 0277-786X, DOI: 10.1117/12.763285 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102010020162A1 (de) | 2011-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE602005005268T2 (de) | Herstellungsverfahren für einen filmartigen optischen Wellenleiter | |
| EP1753048B1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines top-emittierenden Bauteils sowie Verwendung | |
| DE102012112149A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements | |
| WO2007099138A1 (de) | Solarzellenmarkierverfahren und solarzelle | |
| DE102011086730A1 (de) | Verfahren zum Markieren eines SiC-Halbleiterwafers und SiC-Halbleiterwafer | |
| DE112007001207T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterelements | |
| DE102010044985B4 (de) | Verfahren zum Aufbringen eines Konversionsmittels auf einen optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronisches Bauteil | |
| DE102020103287A1 (de) | Anordnung von Mikro-Leuchtdioden und deren Herstellverfahren | |
| EP2936628B1 (de) | Massenfertigungstaugliche einzelphotonenquelle und herstellungsverfahren | |
| DE112018000428T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Elements | |
| EP2893577A1 (de) | Elektrooptisches bauelement mit quantendot-struktur | |
| DE112015002127B4 (de) | Herstellungsverfahren für eine Aufnahmestruktur für Gitterelemente | |
| DE10350643B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer antireflektierenden Oberfläche auf optischen integrierten Schaltkreisen | |
| DE10229231A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchips mit einer Strahlungsein- und/oder -auskoppel-Mikrostruktur | |
| DE112009004715B4 (de) | Verfahren zur Substratherstellung, bei dem Oxidkügelchen-Muster ausgebildet werden | |
| WO2011141274A1 (de) | Verfahren zur strukturierung eines strahlungsauskoppelelements | |
| WO2017129446A1 (de) | Konversionselement und strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit einem solchen konversionselement | |
| WO2010091936A1 (de) | Verfahren zur strukturierung einer halbleiteroberfläche und halbleiterchip | |
| DE102009023355A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils | |
| DE102012220909A1 (de) | Verfahren zum Vereinzeln von Bereichen einer Halbleiterschicht | |
| DE102018111021A1 (de) | Lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauteils | |
| DE112009004687B4 (de) | Verfahren zur Substratherstellung, bei dem Oxidkügelchen-Muster ausgebildet werden | |
| WO2020173908A1 (de) | Kontrollierte benetzung bei der herstellung von elektronischen bauteilen | |
| DE102019111671A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer leuchtdiodenanzeige | |
| WO2004084259A2 (de) | Organische leuchtdiode mit verbesserter lichtauskopplung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11721248 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11721248 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |