WO2011105280A1

WO2011105280A1 - 磁気回路及びマグネトロンスパッタ装置

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Publication number: WO2011105280A1
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Publication date: 2011-09-01
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Abstract

　ターゲット（11）の被スパッタ面（11s）とは反対側に配設されて被スパッタ面の近傍に漏れ磁場を形成する磁気回路（12）は、第１の磁極部と第２の磁極部（12o）と第３の磁極部（12a）を含む。第２の磁極部（12o）は、被スパッタ面（11s）と平行な方向において第１の磁極部を囲むとともに、該第１の磁極部とは反対の磁極を有している。第２の磁極部（12o）は、該第２の磁極部により被スパッタ面（11s）を介して被スパッタ面の外側に形成される磁束密度の分布を維持する。第３の磁極部（12a）は、被スパッタ面（11s）と平行な方向において第１の磁極部と第２の磁極部との間に配置されている。第３の磁極部（12a）は、被スパッタ面（11s）に対して移動可能であって、第１の磁極部と第２の磁極部との相互作用により被スパッタ面（11s）に形成される磁束密度の分布を上記被スパッタ面に対する移動によって変更する。

Description

磁気回路及びマグネトロンスパッタ装置

　本発明は、ターゲットの裏面側に設けられて該ターゲットの表面側に磁場を形成する磁気回路、及び該磁気回路を備えるマグネトロンスパッタ装置に関する。

　従来から、半導体基板やガラス基板等に薄膜を形成する装置の一つとしてマグネトロンスパッタ装置が知られている。マグネトロンスパッタ装置に設けられるターゲットの裏面側にはターゲットの被スパッタ面の近傍に漏れ磁場を形成するための磁気回路が配置されて、ターゲットの被スパッタ面側に形成されるプラズマの高密度化が、この漏れ磁場により図られている。

　マグネトロンスパッタ装置に設けられる磁気回路としては、例えば図１０（ａ）（ｂ）に示される構造が知られている。図１０（ａ）は、ターゲットの裏面側（被スパッタ面とは反対側の面側）から見たターゲット及び磁気回路の平面構造を示し、図１０（ｂ）は該ターゲット及び磁気回路の断面構造を示している。同図１０に示されるように、円板状のターゲットＴの裏面側には、ターゲットＴと同一の中心軸を有した円板状をなす内側磁石Ｍ１が配置されている。またターゲットＴの裏面側には、内側磁石Ｍ１の外周に離隔して配置され該内側磁石Ｍ１を取り囲むように、ターゲットＴと同一の中心軸を有した円環状をなす外側磁石Ｍ２が配置されている。磁気回路Ｍを構成するこれら内側磁石Ｍ１と外側磁石Ｍ２とは、それらの平面側（ターゲット面と平行な面）が互いに反対の磁極となるように配置されている。

　上述したマグネトロンスパッタ装置にてスパッタ処理が実施される際には、まず直流あるいは高周波電圧がターゲットＴに印加されてターゲットＴの被スパッタ面Ｔｓに対して電場が形成されて、これにより、被スパッタ面Ｔｓの近傍にプラズマが生成される。この状態で、ターゲットＴの被スパッタ面Ｔｓに対して磁気回路Ｍによる漏れ磁場が形成されると、ターゲットＴの被スパッタ面Ｔｓに対する法線方向の磁場成分が「０」となる点（垂直磁場ゼロ点）でプラズマの密度が特に高くなる。その結果、被スパッタ面Ｔｓのうち、垂直磁場ゼロ点に対向する領域でスパッタ頻度が高くなる。

　ここで、磁気回路Ｍによる漏れ磁場が形成されると、垂直磁場ゼロ点を繋ぐ直線は、図１０（ａ）の二点鎖線で示されるような円形環状の垂直磁場ゼロラインＢ０となる。従って、磁気回路Ｍを用いてターゲットＴのスパッタ処理が実施されると、この垂直磁場ゼロラインＢ０と対向するターゲットＴ上の領域でスパッタ頻度が高くなる。その結果、凹部（エロージョン部Ｔｇ）が被スパッタ面Ｔｓに形成される。ターゲットＴの被スパッタ面Ｔｓに一旦エロージョン部Ｔｇが形成されると、さらに高い密度の漏れ磁場がこのエロージョン部Ｔｇの内部に形成される。このために、エロージョン部Ｔｇの深さ方向へのエロージョンの進行が一層に加速されてしまう。特に、ターゲットＴが磁性体から構成される場合には一般に強い磁場が必要とされるため、エロージョン部Ｔｇの内部に形成される磁場も自ずと強く、エロージョン部Ｔｇの深さ方向へのエロージョンの進行がさらに顕著なものとなる。このように、垂直磁場ゼロラインＢ０と対向する極めて小さい領域のみでターゲットＴが多く消費される。その結果、垂直磁場ゼロラインＢ０と対向する領域以外に十分な厚みがあるにも関わらず、ターゲットＴをやむなく交換しなければならないという場合があった。そこで、例えば特許文献１に記載のように、被スパッタ面の中心から磁気回路を偏心させるとともに、被スパッタ面の中心を回転中心として磁気回路を回転させることで、上記エロージョン部Ｔｇの領域を被スパッタ面内に分散させるという提案がなされている。

　より詳細には、図１１（ａ）（ｂ）に示されるように、先の図１０に示される磁気回路Ｍよりも内側磁石Ｍ１及び外側磁石Ｍ２を縮径するとともに、被スパッタ面Ｔｓの中心（ターゲット中心点Ｃｔ）からこれら内側磁石Ｍ１及び外側磁石Ｍ２の中心（磁気回路中心点Ｃｍ）を被スパッタ面Ｔｓの径方向に偏倚量ｄだけ偏心させる。そして、ターゲット中心点Ｃｔを回転中心として磁気回路Ｍを回転させつつ、スパッタ処理を実施する。これにより、磁気回路中心点Ｃｍが軌跡Ｌｃを描くとともに、垂直磁場ゼロラインが同軌跡Ｌｃの周方向に沿って走査される。つまり軌跡Ｌｃの外側を囲う多数の垂直磁場ゼロ点によって、同図１１（ａ）のドットの付された領域である垂直磁場ゼロ領域ＺＢ０が形成される。その結果、垂直磁場ゼロ領域ＺＢ０がターゲットの径方向に広がるとともに、被スパッタ面Ｔｓにおいては、他の領域よりもスパッタ頻度が高くなる領域が上記垂直磁場ゼロ領域ＺＢ０の拡大に伴って広がる。そして、被スパッタ面Ｔｓにおけるエロージョン部Ｔｇの深さ方向への進行が遅くなるため、ターゲットＴの利用効率を高めることが可能となっている。

特開平５－１７９４４１号公報

　ところで、上述したようなターゲットの周囲には、図１２に示されるように、接地電位に接続されたアースシールドＥＳがアノードとして配設されている。ターゲットＴの被スパッタ面Ｔｓの近傍で形成されるプラズマの状態、ひいては被スパッタ面Ｔｓのスパッタにより形成される薄膜の膜厚は、ターゲットＴの電位がこのアースシールドＥＳに対して安定することにより維持される。

　一方、磁気回路中心点Ｃｍをターゲット中心点Ｃｔから偏心させた状態で回転させると、磁気回路Ｍの回転に伴い、アースシールドＥＳを貫く単位面積あたりの磁力線ＬＭの本数（磁束密度）も変動する。例えば、図１２（ａ）の実線で示される位置に外側磁石Ｍ２が移動すると、図１２（ｂ）に示されるアースシールドＥＳの左側部分で磁束密度が高くなるのに対して、アースシールドＥＳの右側部分で磁束密度が低くなる。これに対して、図１２（ａ）の二点鎖線で示される位置に外側磁石Ｍ２が移動すると、図１２（ｂ）に示されるアースシールドＥＳの左側部分で磁束密度が低くなるのに対して、アースシールドＥＳの右側部分で磁束密度が高くなる。そして、こうした磁束密度の変化を妨げるような電圧がアースシールドＥＳの各部分で誘起される。その結果、アースシールドＥＳに対するターゲットＴの電位が被スパッタ面Ｔｓの面内で変動してしまい、薄膜の面内で膜厚がばらつくことになる。特に、膜厚の分布に高い精度が求められる極薄膜を形成する場合やターゲットの電位変動による膜質の変動が問題となる場合にあっては、このようなターゲットの電位変動が、より深刻な問題となる。

　なお、被スパッタ面Ｔｓ内におけるターゲットＴの電位変動は、上記アースシールドＥＳを備えた構成に限らず、被スパッタ面Ｔｓの外側を囲う他の部材がアノードとして機能するマグネトロンスパッタ装置において一般に生じるものである。また、上述のような膜厚の面内ばらつきは、円板状のターゲットに対して回転しつつ磁場を印加する磁気回路に限り生じるものではなく、例えば、矩形状のターゲットに対してそれの左側及び右側あるいは上側及び下側に移動しつつ磁場を印加する磁気回路等であっても概ね共通して生じるものである。

　本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、膜厚の面内ばらつきを抑えつつ、ターゲットの被スパッタ面におけるエロージョン部を被スパッタ面内に分散することが可能な磁気回路及び該磁気回路を備えるマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。

　以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。
　本発明の第一の態様は、ターゲットの被スパッタ面と反対側に配設されて該被スパッタ面の近傍に漏れ磁場を形成する磁気回路は、第１の磁極部と第２の磁極部と第３の磁極部とを備えている。前記第２の磁極部は、前記被スパッタ面と平行な方向において前記第１の磁極部を囲むように構成されるとともに、前記第１の磁極部とは反対の磁極を有して前記被スパッタ面を介して該第２の磁極部が前記被スパッタ面の外側に形成する磁束密度の分布を維持する。前記第３の磁極部は、前記被スパッタ面と平行な方向において前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との間に配置されるとともに、前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との相互作用により前記被スパッタ面に形成される磁束密度の分布を前記被スパッタ面に対する移動によって変更可能であることを要旨とする。

　本発明の第二の態様は、上記第一の態様の磁気回路において、前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との少なくとも一方が、前記被スパッタ面に対して移動可能であり、前記第３の磁極部が、前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との少なくとも一方に設けられていることを要旨とする。

　本発明の第三の態様は、上記第二の態様の磁気回路が、前記第１の磁極部として設けられる第１の磁石と、前記第２の磁極部として設けられる第２の磁石とを備え、前記第１の磁石と前記第２の磁石との少なくとも一方は、前記被スパッタ面に対して移動する移動体として設けられており、前記第３の磁極部は、前記移動体に設けられているとともに、当該移動体が移動する方向と交差する方向に延びる側面を有することを要旨とする。

　本発明の第四の態様は、上記第三の態様の磁気回路において、前記第３の磁極部は、前記移動体が移動する方向と交差する方向に延びる凸部であることを要旨とする。
　本発明の第五の態様は、上記第四の態様の磁気回路において、前記ターゲットは円板状に構成され、前記第１の磁石は、前記ターゲットと同一の中心軸を有した円柱状に構成されて前記ターゲットの中心を回転中心として回転可能であり、前記第２の磁石は前記ターゲットと同一の中心軸を有した環状に構成されていることを要旨とする。

　本発明の第六の態様は、上記第五の態様の磁気回路において、前記凸部は、前記移動体に設けられた複数の凸部のうちの一つであり、該複数の凸部の各々は、それが設けられた前記移動体と同じ磁極を有しており、前記複数の凸部は、前記ターゲットの周方向において偏って配置されていることを要旨とする。

　本発明の第七の態様は、マグネトロンスパッタ装置である。マグネトロンスパッタ装置は、成膜対象物に対して被スパッタ面を露出するターゲットと、前記ターゲットの周囲に配置される、接地された部材と、前記ターゲットの被スパッタ面とは反対側に配設されて、該被スパッタ面の近傍に漏れ磁場を形成する磁気回路と、を備え、前記磁気回路が、上記第一～第六の態様のいずれか一つに記載の磁気回路で構成されていることを要旨とする。

　上記第一の態様の磁気回路又は上記第七の態様のマグネトロンスパッタ装置によれば、磁気回路の第１の磁極部を囲むように第２の磁極部が配置される。この第２の磁極部は、自身が形成する磁束密度の分布を、ターゲットの被スパッタ面において維持する。そのため、例えばアノードが第２の磁極部の外側に配設される場合、該アノードを貫通する磁束密度の分布が第２の磁極部によって維持される。その結果、アノードにおける磁束密度の変動が抑えられて、アノードに対するターゲットの電位が安定するようになる。ひいては被スパッタ面におけるスパッタ速度が該被スパッタ面内において均一に維持されやすくなる。

　加えて、第１の磁極部と第２の磁極部との間には、第３の磁極部が配置されている。このため、第１の磁極部と第２の磁極部との間に形成される垂直磁場ゼロ点の位置を、第３の磁極部の位置に応じて、第１の磁極部又は第２の磁極部に偏らせることができる。さらに、この第３の磁極部は移動可能である。従って、第１の磁極部と第２の磁極部とによって漏れ磁場が形成される際、その漏れ磁場内に生じる垂直磁場ゼロ点を、第３の磁極部の移動によって被スパッタ面に均等に分散させることができる。

　その結果、ターゲットの被スパッタ面におけるスパッタ反応の偏りが被スパッタ面に均等に分散されるため、被スパッタ面に形成されるエロージョン部が被スパッタ面に均等に分散されることになる。

　上記第二の態様の磁気回路では、第１の磁極部と第２の磁極部の少なくとも一方を移動させることによって、垂直磁場ゼロ点を被スパッタ面内に分散させることができる。
　上記第三の態様の磁気回路では、第１の磁極部としての第１の磁石と、第２の磁極部としての第２の磁石とのうちの少なくとも一方が、被スパッタ面に対して移動する移動体であり、第３の磁極部が移動体に設けられている。よって、第３の磁極部を移動させるための構成と、第１の磁極部及び第２の磁極部の少なくとも一方を移動させるための構成との共通化を図ることが可能である。また、第３の磁極部は、移動体が移動する方向と交差する側面を有している。この構成によれば、垂直磁場ゼロ点を繋ぐ垂直磁場ゼロラインが、移動体の移動する方向に対して交差する方向に延びるようになる。

　上記第四の態様の磁気回路によれば、第１の磁石及び第２の磁石の少なくとも一方に凸部を設けるという簡便な構成によって、膜厚の面内ばらつきを抑えつつ、ターゲットの被スパッタ面におけるエロージョン部を被スパッタ面と平行な方向に均等に分散させることが可能である。

　上記第五の態様の磁気回路では、第１の磁石及び第２の磁石がターゲットと同一の中心軸を有して、これら第１の磁石及び第２の磁石の少なくとも一方に第３の磁極部が設けられる。このような構成によれば、第１の磁石の移動方向に対して直交する方向へ垂直磁場ゼロ点が分散しやすくなる。そのため、垂直磁場成分が「０」となる領域を被スパッタ面と平行な方向へ効果的に分散することが可能である。

　上記第六の態様の磁気回路では、複数の凸部がターゲットの周方向において偏って配置される。ここで、複数の凸部が偏りを持って配置される磁気回路の構造としては、（ｉ）第１の磁石か又は第２の磁石にのみ凸部が設けられる構造、あるいは（ｉｉ）第１の磁石及び第２の磁石の両方にそれぞれ凸部が設けられる構造であってよい。本願発明者の鋭意研究により、上記（ｉ）の磁気回路において第１の磁石にのみ凸部が偏って設けられている場合、垂直磁場を有する磁場の領域が、凸部の近傍で第１の磁石に近づくことが見出された。この際、垂直磁場ゼロ点も、凸部の近傍で第１の磁石１２ｉに近づくものとなる。さらに、第１の磁石の周方向に沿って凸部から離間する距離が大きくなる程、垂直磁場を有する磁場の領域、ひいては垂直磁場ゼロ点が、第２の磁石に近づくことが見出された。

　なお、上記（ｉ）の磁気回路において第２の磁石にのみ凸部が偏って設けられる場合も同様である。即ち、垂直磁場ゼロ点は、凸部の近傍で第２の磁石に近づく反面、該第２の磁石の周方向に沿って凸部から離間する距離が大きくなる程、第１の磁石に近づくものとなる。

　また、上記（ｉｉ）の磁気回路においても、基本的に上記（ｉ）の磁気回路の場合と同様に垂直磁場ゼロ点が変化するものとなる。即ち、第１及び第２の磁石の各々において、垂直磁場ゼロ点は、凸部の近傍でその凸部が設けられた磁石に近づく反面、磁石の周方向に沿って凸部から離間する距離が大きくなる程、凸部が配置されていない磁石に近づくものとなる。

　その結果、上述の（ｉ）及び（ｉｉ）のいずれの場合であっても、上記凸部がターゲットの周方向において等配される構成と比較して、ターゲットの中心と垂直磁場ゼロライン（垂直磁場ゼロ点）との距離の最大値と最小値との差が大きくなる。それゆえに、ターゲットの被スパッタ面におけるエロージョン部が該スパッタ面内に、より分散されるようになる。

（ａ）は本発明の一実施の形態に係るマグネトロンスパッタ装置の構造の一部を概略的に示す平面図、（ｂ）は図１（ａ）のマグネトロンスパッタ装置の断面図。図１のマグネトロンスパッタ装置に設けられた磁気回路の外形寸法を説明する図。図１のマグネトロンスパッタ装置に設けられた磁気回路が形成する垂直磁場が「０」となる点の動径と偏角との関係を示すグラフ。変形例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図。変形例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図。変形例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図。変形例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図。変形例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図。変形例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図。（ａ）は従来例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図、（ｂ）は図１０（ａ）の構造を示す断面図。（ａ）は従来例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図、（ｂ）は図１１（ａ）の構造を示す断面図。（ａ）は従来例の磁気回路の構造をターゲットと共に示す平面図、（ｂ）は図１２（ａ）の構造を示す断面図。

　以下、本発明のマグネトロンスパッタ装置を具現化した一実施の形態について、図１～図３を参照して説明する。
　図１（ａ）は、本実施の形態にかかるマグネトロンスパッタ装置に搭載された磁気回路１２とその周辺構造をターゲット１１の裏面側から見た平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の断面図である。本明細書で、ターゲット１１の裏面とは非スパッタ面をいう。マグネトロンスパッタ装置は真空槽を含み、この真空槽のカソードには、磁性材料からなる円板状のターゲット１１が取り付けられている。ターゲット１１は、成膜対象物である基板Ｓと対向する被スパッタ面１１ｓとしての表面を有する。またターゲット１１の裏面の近傍には、第１の磁石としての内側磁石１２ｉと第２の磁石としての外側磁石１２ｏとを含む磁気回路１２が配置されている。内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとは、ターゲット１１の被スパッタ面１１ｓに対して互いに反対の磁極を有しており、ターゲット１１の被スパッタ面１１ｓに対して漏れ磁場を形成する。

　磁気回路１２の内側磁石１２ｉは、ターゲット１１と同一の中心軸を有しており歯車状に構成されている。即ち、内側磁石１２ｉの中心は、被スパッタ面１１ｓの中心点であるターゲット中心点１１Ｃと同軸上に位置している。内側磁石１２ｉは、ターゲット中心点１１Ｃを通って被スパッタ面１１ｓの法線方向に延びる回転軸１１Ｒに連結されている。即ち、内側磁石１２ｉは、被スパッタ面１１ｓに対して移動する移動体として設けられている。よって、内側磁石１２ｉが回転軸１１Ｒを中心に回転するとき、内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとの相互作用により形成される単位面積あたりの漏れ磁場の分布、すなわち磁束密度の分布も、この回転軸１１Ｒを中心に被スパッタ面１１ｓに対して回転する。

　磁気回路１２の外側磁石１２ｏは、ターゲット１１と同一の中心軸を有しており円環状に構成されている。外側磁石１２ｏは、内側磁石１２ｉの周囲を囲うようにターゲット１１の外周縁に配置されている。外側磁石１２ｏも、上記内側磁石１２ｉと同様、ターゲット中心点１１Ｃを通って被スパッタ面１１ｓの法線方向に延びる回転軸１１Ｒに連結されている。即ち、外側磁石１２ｏも、内側磁石１２ｉと同様、被スパッタ面１１ｓに対して移動する移動体として設けられている。本実施の形態では、内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとは、共通のヨークＹに固定された状態で回転軸１１Ｒに連結されており、それにより内側磁石１２ｉ、外側磁石１２ｏ、及びヨークＹは回転軸１１Ｒを中心に一体に回転する。外側磁石１２ｏは、被スパッタ面１１ｓを介して該被スパッタ面１１ｓの外側に漏れ磁場を形成する。なお、内側磁石１２ｉ（つまり外側磁石１２ｏ）が回転軸１１Ｒを中心に回転しても、外側磁石１２ｏによって被スパッタ面１１ｓの外側に形成される単位面積あたりの漏れ磁場の分布、すなわち磁束密度の分布は、概ね維持される。

　内側磁石１２ｉの外周面には、ターゲット１１の周方向に沿うように４つの凸部１２ａが配列されている。各凸部１２ａは、内側磁石１２ｉの中心から外側磁石１２ｏの内周面に向かう方向、つまり、内側磁石１２ｉの径方向外側に延びている。言い換えれば、内側磁石１２ｉは、本体としての円柱部分と、その円柱部分の外周面に設けられた４つの凸部１２ａとを含む。これら凸部１２ａは、被スパッタ面１１ｓと平行な方向において、内側磁石１２ｉの円柱部分と外側磁石１２ｏとの間に配置されている。ここで、本実施の形態では、内側磁石１２ｉの円柱部分が第１の磁極部、外側磁石１２ｏが第２の磁極部、内側磁石１２ｉの各凸部１２ａが第３の磁極部として設けられている。なお、内側磁石１２ｉの円柱部分と４つの凸部１２ａとは一体に成形されたものであって、同一の磁極を有している。このような内側磁石１２ｉの構造では、ターゲット１１の周方向において隣り合う２つの凸部１２ａの間に、径方向の内側に窪む溝部１２ｂが構成される。即ち、内側磁石１２ｉの外周面には、４つの溝部１２ｂが形成されることとなる。４つの凸部１２ａはそれぞれ合同な形状で構成されるとともに、４つの溝部１２ｂもまたそれぞれ合同な形状で構成されている。凸部１２ａを構成する各側面のうち、ターゲット１１の径方向においてターゲット中心点１１Ｃから最も離れた側面（突出面）は、外側磁石１２ｏの内周面と平行な凸曲面である。また溝部１２ｂを構成する各側面のうち、ターゲット１１の径方向においてターゲット中心点１１Ｃに最も近い側面（溝底面）は、これもまた外側磁石１２ｏの内周面と平行な凸曲面である。

　ターゲット１１の径方向における凸部１２ａの長さ（溝部１２ｂの深さ）は、回転軸１１Ｒを中心に内側磁石１２ｉが回転する際に凸部１２ａの突出面と外側磁石１２ｏの内周面とが接触しないように規定されている。またターゲット１１の周方向における凸部１２ａの長さ（溝部１２ｂのピッチ）は、４つの凸部１２ａが等間隔に配置されるように、該周方向における溝部１２ｂの幅と同一の長さに規定されている。また凸部１２ａの突出面は、回転軸１１Ｒと平行な方向から見て、中心角（凸部中心角θａ）が約４５°になるように構成されている。また溝部１２ｂの溝底面は、これもまた回転軸１１Ｒと平行な方向から見て、中心角（ピッチ中心角θｂ）が４５°となるように構成されている。

　一方、ターゲット１１の周囲には、接地電位に接続された接地部材としてのアースシールド１３がアノードとして配置されている。ターゲット１１の被スパッタ面１１ｓの近傍に形成されるプラズマの状態、ひいては被スパッタ面１１ｓのスパッタにより形成される薄膜の膜厚は、ターゲット１１の電位がこのアースシールド１３に対して安定することによって維持される。

　マグネトロンスパッタ装置にてスパッタ処理が実施される際には、まずターゲット１１の構成材料に応じた直流あるいは高周波電圧がターゲット１１に印加される。これによりターゲット１１の被スパッタ面１１ｓに対して電場が形成され、該被スパッタ面１１ｓの近傍にプラズマが生成される。この状態でターゲット中心点１１Ｃを回転中心として磁気回路１２が回転され、内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとの相互作用により被スパッタ面１１ｓの近傍に漏れ磁場が形成される。この漏れ磁場により、被スパッタ面１１ｓに対する法線方向の磁場成分（垂直磁場）が「０」となる点（垂直磁場ゼロ点）で、プラズマの密度が高められる。その結果、被スパッタ面１１ｓのうち、垂直磁場ゼロ点に対向する部分でスパッタ頻度が高くなる。

　この際、回転軸１１Ｒと平行な方向から見て、垂直磁場ゼロ点は、凸部１２ａの径方向の外側では、内側磁石１２ｉに近くなる一方、溝部１２ｂの径方向の外側では、外側磁石１２ｏに近くなる。この垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０の形状、即ち、垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０の内側磁石１２ｉへの広がり及び外側磁石１２ｏへの広がりは、内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとの磁力のバランスにより決定される。

　従って、垂直磁場ゼロ点を繋ぐラインである垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０は、図１（ａ）の二点鎖線で示されるように、円形環状ではなく、ターゲット中心点１１Ｃからの距離がターゲット１１の径方向において異なる非円形環状を描く。

　ここで内側磁石１２ｉが回転すると、上述したような非円形環状の垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０が、ターゲット中心点１１Ｃを中心に、ターゲット１１の周方向の全体にわたり走査される。その結果、内側磁石１２ｉが１回転すると、垂直磁場の成分が「０」となる領域である垂直磁場ゼロ領域１２Ｚが、ターゲット１１の径方向にて凸部１２ａの突出量（溝部１２ｂの深さ）に応じた幅を有した円形環状に形成される。なお、図１（ａ）では、この垂直磁場ゼロ領域１２Ｚがドットの付された領域として示されている。

　ここで、従来の磁気回路に見られるように、磁気回路１２が上記のような４つの凸部１２ａを有しない場合、内側磁石１２ｉの磁極端面と外側磁石１２ｏの磁極端面とがともに同心円状となる。よって、これらの磁石１２ｉ，１２ｏによって形成される垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０も、ターゲット中心点１１Ｃを中心とした円状となる。このような円状の垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０が形成された場合には、垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０は内側磁石１２ｉの移動方向と交差する方向に広がらない。従って、仮に内側磁石１２ｉが回転したとしても、垂直磁場ゼロ領域１２Ｚは垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０と何ら変わりないものとなる。そのため、ターゲット１１の被スパッタ面１１ｓには、垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０に相当する細い凹部（エロージョン部１１ｇ）が形成されてしまう。よって垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０と対向する領域のみでターゲットＴが消費されることとなる。その結果、ターゲットＴの寿命が大幅に短くなってしまう。

　これに対して、本実施の形態では、磁気回路１２が上記４つの凸部１２ａを有していることから、内側磁石１２ｉの移動方向と交差する方向に広がる非円形環状の垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０が形成される。これにより、垂直磁場ゼロ領域１２Ｚが被スパッタ面１１ｓの径方向に拡大される。即ち、垂直磁場ゼロ領域１２Ｚと対向する被スパッタ面１１ｓの部分（エロージョン部１１ｇ）が、凸部１２ａの突出量の分、拡大されることになる。このため、被スパッタ面１１ｓにおけるエロージョン部１１ｇの深さ方向への進行が遅くなり、その結果、ターゲット１１の利用効率を高めることが可能である。また内側磁石１２ｉの移動方向と交差する方向、より詳細には外側磁石１２ｏの内周面の接線方向に凸部１２ａが延びているため、その凸部１２ａの延出方向に、垂直磁場ゼロ点が分散される。そのため、垂直磁場成分が「０」となる垂直磁場ゼロ領域１２Ｚを、より効果的に広げることが可能である。

　ここで、磁気回路１２内において、相対的にターゲット１１の外縁側に配置される外側磁石１２ｏは、ターゲット中心点１１Ｃを通る回転軸１１Ｒを中心に回転する。よって、外側磁石１２ｏが被スパッタ面１１ｓを介して被スパッタ面１１ｓの外側に磁力線ＬＭを形成する際に、アースシールド１３を貫通する単位面積あたりの磁束、すなわち磁束密度は、内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとが一体に回転する間も概ね維持される。それゆえに、アースシールド１３における磁束密度の変動が抑えられるため、アースシールド１３に対するターゲット１１の電位が安定する。この結果、被スパッタ面１１ｓがスパッタされる速度が、該被スパッタ面１１ｓの面内において均一に維持されやすくなる。このように、磁気回路１２の外側磁石１２ｏが、ターゲット１１と同心の環状をなす場合に、外側磁石１２ｏの回転中心をターゲット中心点１１Ｃに一致させることによって、ターゲット１１への電圧印加時に、外側磁石１２ｏを回転させたとしても、アースシールド１３における磁束密度の変動を抑えることができる。

　次に、内側磁石１２ｉの外形寸法及び外側磁石１２ｏの外形寸法と、垂直磁場ゼロ領域１２Ｚの大きさとの関係について図２及び図３を参照して説明する。まず内側磁石１２ｉの外形寸法及び外側磁石１２ｏの外形寸法について図２を参照して説明する。図２は、磁気回路１２の各部における外形寸法を説明する図である。図２に示されるように、本実施の形態では、磁気回路１２における各部の外形寸法、及び垂直磁場が「０」となるエロージョン点Ｐｚの極座標が以下のように定義される。
・外側磁石１２ｏの内径を、外側磁石内径Ｒｏａとする。
・外側磁石１２ｏの外径を、外側磁石外形Ｒｏｂとする。
・回転軸１１Ｒの軸線と内側磁石１２ｉの外周面との最小距離を、内側磁石径Ｒｉとする。
・回転軸１１Ｒの軸線と内側磁石１２ｉの外周面との最大距離と、内側磁石径Ｒｉとの差分を、突出量Ｗｃとする。
・回転軸１１Ｒの軸線と内側磁石１２ｉの外周面との最大距離と、外側磁石内径Ｒｏａとの差分を、離間量Ｗｓとする。
・回転軸１１Ｒの軸線とエロージョン点Ｐｚとの距離を、動径Ｒｚとする。
・回転軸１１Ｒの軸線上の点を原点とする半直線（図２において「０°」が付された一点鎖線）と、同原点及びエロージョン点Ｐｚを含む半直線とのなす角度を、偏角θｚとする。

　図３は、エロージョン点Ｐｚの動径Ｒｚと偏角θｚとの関係を突出量Ｗｃごとに例示するグラフであって、下記外形寸法を有した磁気回路１２におけるエロージョン点Ｐｚの動径Ｒｚと偏角θｚとの関係を示す。なお、図３に示される「黒丸印」の突出量Ｗｃは１．０センチである一方、「黒四角印」の突出量Ｗｃは０．５センチであり、「黒三角印」の突出量Ｗｃは０．３センチである。
・外側磁石内径Ｒｏａ：４．０センチ
・外側磁石外形Ｒｏｂ：５．０センチ
・内側磁石径Ｒｉ：２．５センチ
・突出量Ｗｃ：０．３センチ，０．５センチ，１．０センチ
　図３に示されるように、突出量Ｗｃが０．３センチ～０．５センチの範囲では、偏角θｚが０°～４５°の範囲においてエロージョン点Ｐｚの動径が一定の値を示すことが分かる。また偏角θｚが約６０°であるときに動径Ｒｚが最大値を示すようなピークが４５°～９０°の偏角θｚの範囲で認められる。そして、突出量Ｗｃが１．０センチである場合の動径Ｒｚの最大値と動径Ｒｚの最小値との差分である動径幅ｄＲ１が０．３センチである一方、突出量Ｗｃが０．５センチである場合の動径幅ｄＲ２は０．４センチである。また突出量Ｗｃが０．３センチである場合の動径幅ｄＲ３は０．３センチである。この動径幅ｄＲ１，ｄＲ２，ｄＲ３は、垂直磁場ゼロ領域１２Ｚにおける径方向の幅に相当する。このため、上述したような外形寸法からなる磁気回路１２が用いられる場合であれば、凸部１２ａの突出量Ｗｃを０．５センチとする構成が好ましいと言える。なお、上記いずれの外径寸法であっても、磁気回路１２を用いた場合のターゲット１１表面のエロージョン部１１ｇは、被スパッタ面１１ｓが掘れても図１に示されるように形成されるため、ターゲット１１の利用効率が向上する。

　以上説明したように、本実施の形態に係る磁気回路１２及び該磁気回路１２を用いるマグネトロンスパッタ装置によれば、以下に列挙する効果が得られるようになる。
　（１）磁気回路１２において、相対的にターゲット１１の外縁側に配置される外側磁石１２ｏは、ターゲット１１の被スパッタ面１１ｓにおける磁束密度の分布を維持する。そのため、ターゲット１１の周囲に配設されたアースシールド１３を貫通する磁場の分布も該アースシールド１３に対して維持されるようになる。つまりアースシールド１３における磁束密度の変動が抑えられる。その結果、アースシールド１３に対するターゲット１１の電位が安定し、被スパッタ面１１ｓのスパッタ速度が該被スパッタ面１１ｓの面内において均一に維持されやすくなる。

　（２）内側磁石１２ｉの外周面には、内側磁石１２ｉの移動する方向（ターゲット１１の周方向）と交差する方向に延びる凸部１２ａが設けられるため、凸部１２ａの近傍では、内側磁石１２ｉの磁極端面が外側磁石１２ｏの磁極端面に近づくことになる。その結果、エロージョン点Ｐｚを繋ぐ垂直磁場ゼロライン１２Ｂ０は、凸部１２ａの近傍では内側磁石１２ｉに近く、凸部１２ａから遠くなるほど外側磁石１２ｏに近くなる。そのため、凸部１２ａを有しない従来構成と比較して、垂直磁場ゼロ領域１２Ｚが被スパッタ面１１ｓと平行な方向に広がることになる。つまりターゲット１１の被スパッタ面１１ｓにおけるスパッタ反応の偏りが被スパッタ面１１ｓ内に分散される。その結果、被スパッタ面１１ｓに形成されるエロージョン部１１ｇが被スパッタ面１１ｓ内に分散されることになる。

　（３）ターゲット１１の径方向に延びる凸部１２ａが内側磁石１２ｉに設けられるため、エロージョン点Ｐｚが内側磁石１２ｉの移動する方向に対して直交する方向に変位しやすくなる。それゆえに、垂直磁場ゼロ領域１２Ｚを、より効果的に広げることが可能である。

　なお、上記実施の形態は、以下のように適宜変更して実施することも可能である。
　・凸部１２ａを設ける位置は、内側磁石１２ｉの外周面に限定されない。例えばターゲット中心点１１Ｃを中心にして外側磁石１２ｏが回転する構成であれば、例えば図４に示されるように、外側磁石１２ｏの内周面に凸部１２ａが設けられてもよい。また、ターゲット中心点１１Ｃを中心に回転する磁石が内側磁石１２ｉであるか外側磁石１２ｏであるかにかかわらず、図５に示されるように、内側磁石１２ｉの外周面及び外側磁石１２ｏの内周面にそれぞれ凸部１２ａが設けられてもよい。すなわち、磁石の移動によって凸部１２ａが相対的に移動し、それにより磁石が形成する磁束密度の分布が被スパッタ面１１ｓ内において変化する構成であれば、上述した（１）～（３）に準じた効果が得られる。

　・凸部１２ａは、内側磁石１２ｉの外周面に等間隔に配列されることに限られない。例えば図６に示されるように、外側磁石１２ｏの内周面において凸部１２ａが等間隔に配列されてもよい。

　・あるいは、２つ以上の凸部１２ａが、内側磁石１２ｉの外周面において周方向に偏って配置されてもよいし、又は、外側磁石１２ｏの内周面において周方向に偏って配置されてもよい。ここで、２つ以上の凸部１２ａが偏りをもって配置される磁気回路の構造としては、（ｉ）内側磁石１２ｉか又は外側磁石１２ｏにのみ凸部１２ａが設けられる構造、あるいは（ｉｉ）内側磁石１２ｉ及び外側磁石１２ｏの両方にそれぞれ凸部１２ａが設けられる構造であってよい。

　（ｉ）の磁気回路において例えば内側磁石１２ｉにのみ凸部１２ａが偏って設けられる場合、垂直磁場を有する磁場の領域が、凸部１２ａの近傍で内側磁石１２ｉに近づくものとなる。よって、垂直磁場ゼロ点も、凸部１２ａの近傍で内側磁石１２ｉに近づくものとなる。一方、内側磁石１２ｉの外周面に沿って凸部１２ａから離間する距離が大きくなる程、垂直磁場を有する磁場の領域、ひいては垂直磁場ゼロ点が、外側磁石１２ｏに近づくものとなる。

　なお、（ｉ）の磁気回路において、外側磁石１２ｏにのみ凸部１２ａが偏って設けられている場合も同様である。即ち、垂直磁場ゼロ点は、凸部１２ａの近傍で外側磁石１２ｏに近づく反面、外側磁石１２ｏの周方向に沿って凸部１２ａから離間する距離が大きくなる程、内側磁石１２ｉに近づくものとなる。

　また、（ｉｉ）の磁気回路においても、基本的に上記（ｉ）の磁気回路の場合と同様に垂直磁場ゼロ点が変化するものとなる。即ち、内側磁石１２ｉ及び外側磁石１２ｏの各々において、垂直磁場ゼロ点は、凸部１２ａの近傍でその凸部１２ａが設けられた磁石に近づく反面、磁石の周方向に沿って凸部１２ａから離間する距離が大きくなる程、凸部１２ａが配置されていない磁石に近づくものとなる。

　その結果、上述の（ｉ）及び（ｉｉ）のいずれの場合であっても、上記凸部１２ａがターゲット１１の周方向において等配される構成と比較して、ターゲット１１の中心と垂直磁場ゼロライン（垂直磁場ゼロ点）との距離の最大値と最小値との差が大きくなる。それゆえに、ターゲット１１の被スパッタ面１１ｓにおけるエロージョン部が該スパッタ面内に、より分散されるようになる。

　・内側磁石１２ｉに設けられた凸部１２ａの近傍では、垂直磁場ゼロラインＢ０が内側磁石１２ｉに近づくとともに、凸部１２ａからの距離が遠くなる程、垂直磁場ゼロラインＢ０が外側磁石１２ｏに近づくことが認められた。しかしながら、こうした垂直磁場ゼロラインＢ０の軌跡は一例に過ぎない。すなわち、垂直磁場ゼロラインＢ０の軌跡とは、内側磁石１２ｉの磁力、外側磁石１２ｏの磁力、及び内側磁石１２ｉに設けられた凸部１２ａの突出量とのバランスにより規定されるものである。そのため、両磁石１２ｉ，１２ｏの磁力、及び凸部１２ａの突出量によっては、内側磁石１２ｉに設けられた凸部１２ａの近傍では、垂直磁場ゼロラインＢ０が外側磁石１２ｏに近づくとともに、凸部１２ａからの距離が遠くなる程、内側磁石１２ｉに近づく、といった構成として具現化することもできる。

　・ターゲット１１の径方向における凸部１２ａの長さ（溝部１２ｂの深さ）は、回転軸１１Ｒを中心にして内側磁石１２ｉが回転する際に凸部１２ａが有する凸曲面と外側磁石１２ｏの内周面とが接触しない範囲で、任意に設定される。またターゲット１１の径方向における凸部１２ａの長さが、凸部１２ａごとに異なってもよい。このような構成であっても、上述した（１）～（３）に準じた効果が得られる。

　・ターゲット１１の周方向における凸部１２ａの長さ（溝部１２ｂのピッチ）は、その周方向における溝部１２ｂの幅に限られない。例えば図６に示されるように、凸部中心角θａがピッチ中心角θｂより小さくてもよく、あるいは凸部中心角θａがピッチ中心角θｂより大きくてもよい。

　・内側磁石１２ｉの中心点１２ｃは、例えば図７に示されるように、内側磁石１２ｉの回転中心（ターゲット中心点１１Ｃ）から偏心してもよい。このような構成であれば、凸部１２ａの突出量に加えて、内側磁石１２ｉの中心点１２Ｃが内側磁石１２ｉの回転中心から偏心している分、垂直磁場ゼロ領域をさらに広げることが可能である。

　・第３の磁極部としての凸部１２ａが、内側磁石１２ｉと一体に形成されることに限定されない。内側磁石１２ｉの本体（例えば円柱部分）と凸部１２ａとを別々に成形した後に、これら本体と凸部１２ａとを接合してもよい。また、こうした構成は、外側磁石１２ｏに凸部１２ａが設けられる場合でも採用可能である。

　・内側磁石１２ｉの本体部分（例えば円柱部分）と凸部１２ａとが、互いに異なる磁極を有してもよい。また、こうした構成は、外側磁石１２ｏに凸部１２ａが設けられる場合でも採用可能である。

　・凸部１２ａの配設数は、内側磁石１２ｉの外周面あるいは外側磁石１２ｏの内周面において凸部１２ａが互いに離間している限り、任意に変更可能である。
　・第３の磁極部としての凸部１２ａは、内側磁石１２ｉあるいは外側磁石１２ｏに設けられることに限定されない。例えば図８に示されるように、第３の磁極部を、内側磁石１２ｉ及び外側磁石１２ｏのいずれにも設けず、これら内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとの間に、ターゲット１１の被スパッタ面に対して移動可能となるように配置してもよい。つまり、第３の磁極部を、中間磁石１２ｍとして具現化してもよい。この場合、ターゲット１１と同心の円上に、複数の矩形状の中間磁石１２ｍを、互いに離間させて配置してもよい。例えば、図８においては、８つの中間磁石１２ｍを等間隔に配置している。ただしこれら中間磁石１２ｍ間の距離は同一としなくともよい。また、中間磁石１２ｍ同士が、ターゲット１１の周方向において互いに離間して設けられる限りは、該中間磁石１２ｍの配設数を任意に変更可能である。

　・加えて、上記中間磁石１２ｍは、内側磁石１２ｉと同一の磁極を有してもよいし、また、外側磁石１２ｏと同一の磁極を有してもよい。
　・さらに、上記中間磁石１２ｍとしては、異なる磁極を有する複数の中間磁石１２ｍが混在するようにしてもよい。

　・例えば図９に示されるように、ターゲット１１は、矩形状の板でもよい。この場合、矩形環状の外側磁石１２ｏがターゲット１１に対して位置決めされてもよく、内側磁石１２ｉが外側磁石１２ｏの長手方向に沿って往復移動する棒状に構成されてもよい。図９の例においては、外側磁石１２ｏの内周面に複数の凸部１２ａが設けられているとともに、内側磁石１２ｉの外周面にも複数の凸部１２ａが設けられている。なお、外側磁石１２ｏが内側磁石１２ｉの移動領域を囲み、外側磁石１２ｏからの磁束密度の分布が被スパッタ面１１ｓで維持されるのであれば、外側磁石１２ｏの形状は特に限定されない。又、内側磁石１２ｉが被スパッタ面１１ｓに対して移動することにより内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとの相互作用により生じる磁束密度の分布が被スパッタ面１１ｓで変わるのであれば、内側磁石１２ｉの形状も特に限定されない。このような構成であっても、上述した（１）～（３）に準じた効果が得られる。

　・上記実施形態では、内側磁石１２ｉと外側磁石１２ｏとの双方を被スパッタ面１１ｓに対して移動する移動体として設けた。これを変更して、内側磁石１２ｉ（第１の磁極部を含む第１の磁石）のみを移動体としてもよい。あるいは、外側磁石１２ｏ（第２の磁極部を含む第２の磁石）のみを移動体としてもよい。こうした構成であれば、磁気回路１２そのものの機械的な設計の自由度、内側磁石１２ｉの形状に関する自由度、及び外側磁石１２ｏの形状に関する自由度が拡大されるという利点がある。

　なお、第１の磁極部を含む第１の磁石のみを移動体とする場合、被スパッタ面に対して移動させる第３の磁極部は、以下のように構成されればよい。すなわち、（Ａ１）第３の磁極部が第１の磁極部に取り付けられるかまたは一体に形成されることによって、第３の磁極部を第１の磁極部とともに移動させるという構成、あるいは、（Ａ２）第３の磁極部が移動機構に取り付けられることによって、第１の磁極部とは個別に第３の磁極部を移動させるという構成である。

　同様に、第２の磁極部を含む第２の磁石のみを移動体とする場合、被スパッタ面に対して移動させる第３の磁極部は、以下のように構成されればよい。すなわち、（Ｂ１）第３の磁極部が第２の磁極部に取り付けられるかまたは一体に形成されることによって、第３の磁極部を第２の磁極部とともに移動させるという構成、あるいは、（Ｂ２）第３の磁極部が移動機構に取り付けられることによって、第２の磁極部とは個別に第３の磁極部を移動させるという構成である。

　・第２の磁極部としての外側磁石１２ｏは、例えばターゲット１１が固定された真空槽に取り付けられて、被スパッタ面１１ｓに対して位置決め固定されてもよい。こうした構成によっても、外側磁石１２ｏにより被スパッタ面１１ｓの外側に形成される磁束密度の分布を被スパッタ面１１ｓで維持することができる。

　・また、第１の磁極部のみを移動体とする場合、つまり外側磁石１２ｏが被スパッタ面１１ｓに対して位置決め固定される場合、例えば、円環状の外側磁石１２ｏがターゲット中心点１１Ｃから偏心して配置されてもよい。この場合、外側磁石１２ｏが、楕円環状や矩形環状に構成されてもよい。こうした構成によっても、外側磁石１２ｏにより被スパッタ面１１ｓの外側に形成される磁束密度の分布を被スパッタ面１１ｓで維持することができる。

　・凸部１２ａは、内側磁石１２ｉの移動方向と交差する方向に延びるのであれば、必ずしも外側磁石１２ｏの内周面の接線方向に延びることに限定されない。こうした構成であれば、凸部１２ａの形状に関わる自由度を拡大させることができる。

　・ターゲット１１を構成する材料には、磁性材料の他、金属材料や絶縁材料を用いることが可能である。

Claims

　ターゲットの被スパッタ面とは反対側に配設されて該被スパッタ面の近傍に漏れ磁場を形成する磁気回路であって、
　第１の磁極部と第２の磁極部と第３の磁極部とを備え、
　前記第２の磁極部は、
　前記被スパッタ面と平行な方向において前記第１の磁極部を囲むように構成されるとともに、前記第１の磁極部とは反対の磁極を有して前記被スパッタ面を介して前記第２の磁極部が該被スパッタ面の外側に形成する磁束密度の分布を維持し、
　前記第３の磁極部は、
　前記被スパッタ面と平行な方向において前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との間に配置されるとともに、前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との相互作用により前記被スパッタ面に形成される磁束密度の分布を前記被スパッタ面に対する移動によって変更可能である
ことを特徴とする磁気回路。
　請求項１に記載の磁気回路において、
　前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との少なくとも一方が、前記被スパッタ面に対して移動可能であり、
　前記第３の磁極部が、前記第１の磁極部と前記第２の磁極部との少なくとも一方に設けられていることを特徴とする磁気回路。
　請求項２に記載の磁気回路は、
　前記第１の磁極部として設けられる第１の磁石と、
　前記第２の磁極部として設けられる第２の磁石とを備え、
　前記第１の磁石と前記第２の磁石との少なくとも一方は、前記被スパッタ面に対して移動する移動体として設けられており、
　前記第３の磁極部は、前記移動体に設けられるとともに、当該移動体が移動する方向と交差する方向に延びる側面を有することを特徴とする磁気回路。
　請求項３に記載の磁気回路において、
　前記第３の磁極部は、前記移動体が移動する方向と交差する方向に延びる凸部であることを特徴とする磁気回路。
　請求項４に記載の磁気回路において、
　前記ターゲットは、円板状に構成され、
　前記第１の磁石は、前記ターゲットと同一の中心軸を有した円柱状に構成されて前記ターゲットの中心を回転中心として回転可能であり、
　前記第２の磁石は、前記ターゲットと同一の中心軸を有した環状に構成されていることを特徴とする磁気回路。
　請求項５に記載の磁気回路において、
　前記凸部は、前記移動体に設けられた複数の凸部のうちの一つであり、該複数の凸部の各々は、それが設けられた前記移動体と同じ磁極を有しており、
　前記複数の凸部は、前記ターゲットの周方向において偏って配置されていることを特徴とする磁気回路。
　マグネトロンスパッタ装置であって、
　成膜対象物に対して被スパッタ面を露出するターゲットと、
　前記ターゲットの周囲に配置される、接地された部材と、
　前記ターゲットの被スパッタ面とは反対側に配設されて、該被スパッタ面の近傍に漏れ磁場を形成する磁気回路と、を備え、
　前記磁気回路が、請求項１～６のいずれか一項に記載の磁気回路で構成されていることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。