WO2011102263A1 - 真空処理装置 - Google Patents

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electrode
cooling
vacuum processing
processing apparatus
anode electrode
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善之 奈須野
敦志 東名
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シャープ株式会社
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    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/28—Cooling arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Definitions

  • the present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly to a vacuum processing apparatus such as a plasma processing apparatus including a heating unit and a cooling unit for controlling the temperature of an object to be processed in a vacuum processing chamber. is there.
  • the present invention has been made in consideration of the circumstances as described above, and its problem is to balance heating and cooling to maintain the electrodes used for vacuum processing in a certain temperature range, and also to load load chambers. Another object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of ensuring efficient maintainability in a vacuum processing chamber adjacent to a transfer chamber.
  • a vacuum processing chamber for performing vacuum processing on an object to be processed and at least one pair of counter electrodes provided in the vacuum processing chamber are provided, and at least one of the counter electrodes is provided.
  • the heating unit is composed of a plurality of bar heaters
  • the cooling unit is composed of a plurality of folded cooling members through which a cooling medium is circulated.
  • the heating part and the cooling part are provided in parallel with each other, and the introduction part and the discharge part of the cooling medium are provided unevenly on one side of the at least one electrode and the other side,
  • the cooling member enters the inside of the electrode from the introduction portion on one side of the at least one electrode, extends to the other side of the electrode, is folded on the other side, and then extends again to the discharge portion along the electrode.
  • the electrode extends through the groove formed larger than the cross-sectional shape of the cooling member to the discharge portion again, and the portion extending again to the discharge portion is provided so as not to be in direct contact with the electrode.
  • a vacuum processing apparatus is provided in which each cooling member is further configured to allow cooling media to circulate between adjacent cooling members.
  • the heating part and the cooling part are provided in parallel with each other, and the introduction part and the discharge part for the cooling medium are provided on one side of the processing electrode on one side and the other side.
  • Each of the cooling members is provided unevenly, and each cooling member enters the inside of the electrode from the introduction portion on one side of the electrode, extends to the other side of the electrode, is folded on the other side, and then extends to the discharge portion again.
  • the cooling medium is provided so as not to be in direct contact with the electrode, and the cooling medium is circulated opposite to each other between adjacent cooling members.
  • the heating unit and the cooling unit configured as described above can maintain the temperature of the electrode uniformly and within a set temperature range even in a long-time vacuum processing. .
  • in-plane variation and deterioration of the workpiece can be suppressed, and deformation of the workpiece due to overheating of the heater can be prevented.
  • even in a vacuum processing apparatus having a vacuum processing chamber adjacent to a load lock chamber, a transfer chamber, etc. it is possible to ensure efficient maintainability.
  • each cooling member includes a first cooling pipe and a second cooling pipe, and the first cooling pipe and the second cooling pipe are arranged adjacent to each other. It is installed.
  • the first cooling pipe enters the inside of the electrode from the introduction portion, extends to the other side of the electrode, is folded on the other side and extends to the discharge portion, and at least a part of a portion along the electrode is at least partially It is comprised so that it may not contact with the electrode.
  • the second cooling pipe extends from one side to the other side of the electrode so that at least a part of the portion along the electrode does not come into contact with the electrode, and is folded back on the other side of the electrode and from the other side. It is configured to enter the electrode and extend to one side.
  • one side of the electrode means one end side or one side edge side of the electrode
  • the other side of the electrode means the other end side of the electrode or The other side edge side shall be pointed out.
  • the rod-shaped heater that constitutes the heating unit is, for example, a U-shaped sheathed heater that enters the electrode from one side of the electrode, is folded on the other side of the electrode, and extends to one side.
  • each rod heater can be controlled in heating temperature independently from other rod heaters, and each cooling member can be controlled in cooling temperature independently from other cooling members.
  • the cooling member is disposed in a groove larger than the cross-sectional shape of the cooling member provided in the electrode with a length up to half of the total length of the electrode. It can be arranged to pass through.
  • the rod-shaped heater is configured such that the heating performance is smaller at the central portion of the electrode and larger at the side edge portion.
  • the heating of the electrode is more effectively controlled according to the general characteristics of the electrode, such that the electrode is more heatable at the center and smaller at the side edges. be able to.
  • the cooling pipe is configured so that the cooling performance is larger at the center portion of the electrode and smaller at the side edge portion.
  • the cooling control of the electrode is more effectively performed according to the general characteristics of the electrode, such that the cooling performance of the electrode is smaller at the center and larger at the side edge. be able to.
  • the bar heater in order to eliminate the difference in the heatability between the central portion and the side edge portion of the electrode, has a number density of the electrodes per plane unit area of the electrode. It can be configured to be smaller at the center and larger at the side edge.
  • the cooling pipe in order to eliminate the difference in cooling performance between the central portion and the side edge portion of the electrode, has a number density of installation per unit area of the electrode of the electrode. It can be configured to be larger at the center and smaller at the side edge.
  • the cooling pipe is preferably made of a material whose thermal conductivity is lower than that of the material constituting the electrode.
  • the cooling medium is preferably always circulated without stagnation inside the cooling pipe in order to increase the cooling efficiency of the electrode.
  • the heating temperature of the rod heater is controlled based on the temperature measured by a thermocouple disposed inside the electrode so that the tip is located at a depth of 5.0 mm or more from the side surface or surface of the electrode. This is because it has been found by a heating test that when the thermocouple disposed at such a depth is used, the heating temperature of the rod heater can be controlled satisfactorily.
  • FIG. 1 is a schematic front view of a plasma processing apparatus as a vacuum processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of an anode electrode which is one component of the plasma processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a side view of the anode electrode of FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA of the anode electrode of FIG.
  • FIG. 5 is a plan view of an anode electrode that is one component of a plasma processing apparatus as a vacuum processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 6 is a side view of the anode electrode of FIG.
  • FIG. 7 is a sectional view taken along line BB of the anode electrode of FIG. FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of an anode electrode that is one component of a plasma processing apparatus as a vacuum processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 9 is a side view of the anode electrode of FIG.
  • FIG. 10 is a plan view of an anode electrode that is one component of a plasma processing apparatus as a vacuum processing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 11 is a side view of the anode electrode of FIG.
  • FIGS. 1 to 11 which are attached drawings. Note that the present invention is not limited by these.
  • the plasma processing apparatus D as the vacuum processing apparatus according to the first embodiment includes a first vacuum processing chamber 1 and a second vacuum processing chamber 2 that are provided adjacently from the transport upstream side to the transport downstream side.
  • a vacuum processing chamber 2 and a third vacuum processing chamber 3 are provided.
  • These three vacuum processing chambers 1 to 3 are configured by dividing one casing extending linearly in the longitudinal direction into three by two isolation gate valves 4 and 4 that can be opened and closed.
  • the three vacuum processing chambers 1 to 3 are made of stainless steel, and the inner surface is mirror-finished.
  • the gate valves 4 and 4 are configured to be openable and closable, and can connect or isolate two adjacent vacuum processing chambers 1, 2, 2, and 3.
  • the first vacuum processing chamber 1 is a loading chamber for loading a substrate 5 that is a plate-like workpiece.
  • the first vacuum processing chamber 1 is provided with a heater 101 for heating the substrate 5.
  • the second vacuum processing chamber 2 is a plasma processing chamber connected to the carry-in chamber 1 for performing plasma processing on the substrate 5.
  • the third vacuum processing chamber 3 is a carry-out chamber for carrying out the substrate 5 connected to the plasma processing chamber 2.
  • the carry-in chamber 1, the plasma processing chamber 2, and the carry-out chamber 3 are each connected to an external vacuum pump 14 via an opening / closing valve 16a in order to exhaust the room.
  • the loading chamber 1 is provided with a loading door 15 on the entrance side.
  • the plasma processing chamber 2 is connected to a vacuum pump 14 via a pressure adjusting valve 16b, and is connected to a reaction gas introduction pipe 19 for introducing a plasma processing reaction gas.
  • the carry-out chamber 3 is provided with a carry-out door 17 on the exit side. Furthermore, the carry-in chamber 1 and the carry-out chamber 3 are each connected to a leak gas introduction pipe 20.
  • a rectangular plate-like anode electrode 7 is horizontally disposed.
  • a plasma processing cathode electrode 18 is provided at a position facing the anode electrode 7 in the plasma processing chamber 2.
  • the cathode electrode 18 is electrically connected to a high-frequency power source 23 via a capacitor 21 and a matching circuit 22 outside the plasma processing chamber 2.
  • the anode electrode 7 is further provided with heating units 31,..., 31 for heating the substrate 5 to be plasma-treated.
  • the heating sections 31,..., 31 are composed of seven rod heaters (here, sheathed heaters) 31,..., 31 that are U-shaped in plan and are provided adjacent to each other in parallel. Each bar heater 31 is connected to a heater wire 33 as shown in FIG.
  • tubular cooling portions 32,..., 32 for cooling the anode electrode 7 are also provided.
  • the cooling parts 32,..., 32 are formed in an elongated ring shape, are provided adjacent to each other in parallel along the outside of the respective bar heaters 31,..., 31 and are introduced into the inside. It consists of 14 cooling pipes 32,..., 32 that can be discharged to the outside after circulating the working medium (nitrogen gas).
  • These cooling pipes 32,..., 32 can be made of the same material as that of the anode electrode 7 (here, an aluminum alloy), but here, the material having a thermal conductivity of the anode electrode 7 is used. It is comprised from the material (here stainless steel) whose thermal conductivity is lower.
  • Each cooling pipe 32 is provided as shown in FIGS. That is, the cooling pipe 32 is provided with a cooling medium introduction portion 32 a and a discharge portion 32 b that are unevenly distributed on one end side of the anode electrode 7. And the main-body part 32c of the cooling pipe 32 enters the inside of the anode electrode 7 from the introduction part 32a on the one end side of the anode electrode 7, extends to the other end side of the anode electrode 7, and goes to the outside on the other end side. After exiting and folded downward, it extends again to the discharge portion 32b along the lower surface of the anode electrode 7. The main body portion 32 c along the lower surface of the anode electrode 7 is disposed so as not to directly contact the lower surface of the anode electrode 7.
  • These rod-shaped heaters 31,..., 31 can be controlled independently of the heating temperature, and these cooling pipes 32,..., 32 can be controlled independently of the cooling temperature. is there.
  • the anode electrode 7 has a structure in which two plates 7a and 7b are bonded together. On each of the opposing surfaces of the plates 7a and 7b, a groove for inserting the rod-shaped heater 31 (cross-sectional shape is a semicircle) and a groove for inserting the cooling pipe 32 (cross-sectional shape is a semicircle) are formed. These plates 7a and 7b can be integrated by caulking by cold rolling or by screwing. In the present embodiment, the plates 7a and 7b are integrated by screwing to produce the anode electrode 7.
  • the anode electrode 7 according to the present invention requires a plurality of heaters 31,..., 31 and cooling pipes 32,. However, as described above, the anode electrode 7 is divided into two in the thickness direction, and a plurality of heaters 31,..., 31 and cooling pipes 32,. Can do.
  • almost half of the cooling pipe 32 is provided outside the back surface side of the anode electrode 7.
  • the flow direction of the cooling medium is reversed between the adjacent cooling pipes 32.
  • the heaters 31,..., 31 and the cooling pipes 32,..., 32 are configured as described above, specific portions of the substrate 5 and the anode electrode 7 that are objects to be processed are selected.
  • the heating / cooling control can be performed, and the heating efficiency of the substrate 5 and the cooling efficiency of the anode electrode 7 can be further improved.
  • the cooling medium flowing outside the anode electrode 7 is not in contact with the anode electrode 7, and therefore hardly exchanges heat with the anode electrode 7. That is, since the unwarmed cooling medium can be alternately introduced from both sides of the anode electrode 7, the surface of the anode electrode 7 can be uniformly cooled in the plane. Further, since each cooling pipe 32 is branched only on one side of the anode electrode 7, for example, when performing electrode replacement maintenance, the cooling pipe 32 may be removed only on one side of the anode electrode 7.
  • the heating part of the heater 31 can be structured not to be provided in the U-shaped part. Thereby, the space
  • the heaters 31,..., 31 are turned on with a certain amount of cooling gas flowing through the cooling pipes 32,.
  • the temperature of the anode electrode 7 is adjusted to the set value.
  • the reason for controlling the heater output rather than the cooling gas flow rate is that the SSR circuit is superior in responsiveness and repeated durability to the flow rate adjustment valve.
  • the cooling gas may be hydrogen from the viewpoint of thermal conductivity, but in view of safety and cost, an inert gas such as nitrogen or a rare gas is desirable.
  • Embodiment 2 As shown in FIGS. 5 to 7, in the plasma processing apparatus as the vacuum processing apparatus according to the second embodiment, the embodiment is provided inside the anode electrode 27 having a configuration in which two plates 27a and 27b are bonded to each other. Seven rod heaters (seeds heaters) 31,..., 31 as the same heating unit as 1 are provided.
  • the lower plate 27b of the anode electrode 27 is provided with eight longitudinal grooves 27c,..., 27c opened downward along the entire length in the longitudinal direction of the plate 27b.
  • tubular cooling portions 42,..., 42 for cooling the anode electrode 27 are also provided.
  • the cooling portions 42,..., 42 are side-by-side elongated rings, and are provided adjacent to each other in parallel along the outside of the respective bar heaters 31,. It consists of eight cooling pipes 42,..., 42 that can be discharged to the outside after circulating the working medium (nitrogen gas).
  • each cooling pipe 42 is provided with a cooling medium introduction portion 42 a and a discharge portion 42 b that are unevenly distributed on one end side of the anode electrode 27.
  • the main body portion 42c of the cooling pipe 42 enters the inside of the plate 27a on the upper side of the anode electrode 27 from the introduction portion 42a on the one end side of the anode electrode 27, and extends to the other end side of the anode electrode 27. After exiting to the outside on the part side and being folded downward, it enters the inside of the groove 27c of the lower plate 27b of the anode electrode 27 and extends again to the discharge part 42b.
  • the main body portion 42c along the groove 27c of the lower plate 27b of the anode electrode 27 is disposed so as not to be in direct contact with the groove 27c.
  • each cooling pipe 42 enters the inside of the electrode 27 from the introduction portion on one side of the anode electrode 27, extends to the other side of the electrode 27, is folded back on the other side, and then the same.
  • the electrode 27 passes through a groove 27c provided larger than the cross section of the cooling pipe 42 and extends again to the discharge portion.
  • the main body portion 42c extending again to the discharge portion is provided so as not to be in direct contact with the electrode 27, and each cooling pipe 42 further has a cooling medium facing each other between the adjacent cooling pipes 42. It is configured to circulate.
  • the cooling medium flowing outside the anode electrode 27 is not in contact with the anode electrode 27, it hardly exchanges heat with the anode electrode 27. That is, since the unwarmed cooling medium can be alternately introduced from both sides of the anode electrode 27, the surface of the anode electrode 27 can be uniformly cooled in the plane. Furthermore, since the cooling pipe 42 is branched only on one side of the anode electrode 27, for example, when performing electrode replacement maintenance, the cooling pipe 42 may be removed only on one side of the anode electrode 27.
  • Embodiment 3 As shown in FIGS. 8 and 9, in the plasma processing apparatus as the vacuum processing apparatus in the third embodiment, seven pieces as the heating unit in the same manner as in the first embodiment are provided in the plate-shaped anode electrode 37. Bar heaters (seeds heaters) 31,..., 31 are provided.
  • tubular cooling parts 52,..., 52 for cooling the anode electrode 37 are also provided.
  • the cooling parts 52,..., 52 are side-by-side elongated rings, and are provided adjacent to each other in parallel along the outside of the respective bar heaters 31,. It consists of eight cooling pipes 52,..., 52 that can be discharged to the outside after circulating the working medium (nitrogen gas).
  • each cooling pipe 52 is provided with a cooling medium introduction portion 52 a and a discharge portion 52 b that are unevenly distributed on one end side of the anode electrode 37.
  • the main body 52c of the cooling pipe 52 enters the anode electrode 37 from the introduction part 52a on the one end side of the anode electrode 37, extends to the other end side of the anode electrode 37, and goes to the outside on the other end side. After exiting and folding downward, it extends again to the discharge portion 52b along the lower surface of the anode electrode 37.
  • the main body 52 c along the lower surface of the anode electrode 37 is disposed so as not to directly contact the lower surface of the anode electrode 37.
  • the rod heaters 31,..., 31 and the cooling pipes 52,..., 52 are provided by a casting method.
  • the cooling medium that flows outside the anode electrode 37 is not in contact with the anode electrode 37 and therefore hardly exchanges heat with the anode electrode 37. That is, since the unwarmed cooling medium can be alternately introduced from both sides of the anode electrode 37, the surface of the anode electrode 37 can be uniformly cooled in the plane. Furthermore, since each cooling pipe 52 is branched only on one side of the anode electrode 37, for example, when performing electrode replacement maintenance, the cooling pipe 52 may be removed only on one side of the anode electrode 7.
  • Embodiment 4 As shown in FIGS. 10 and 11, in the plasma processing apparatus as the vacuum processing apparatus in the fourth embodiment, seven pieces as the heating unit in the same manner as in the first embodiment are provided in the plate-shaped anode electrode 47. Bar heaters (seeds heaters) 31,..., 31 are provided.
  • tubular cooling parts 62, ..., 62 for cooling the anode electrode 47 are also provided.
  • the cooling parts 62,..., 62 are formed in an elongated ring shape, are provided adjacent to each other in parallel along the outside of the respective bar heaters 31,..., 31 and are introduced into the inside. It consists of eight cooling pipes 62,..., 62 that can be discharged to the outside after circulating the working medium (nitrogen gas).
  • each cooling pipe 62 is provided with a cooling medium introduction portion 62 a and a discharge portion 62 b that are unevenly distributed on one end side of the anode electrode 47.
  • the main body 62c of the cooling pipe 62 enters the inside of the anode electrode 47 from the introduction portion 62a on the one end side of the anode electrode 47, extends to the other end side of the anode electrode 47, and is folded back on the other end side. After that, it extends again to the discharge part 62b.
  • the rod heaters 31, ..., and the cooling pipes 62, ..., 62 are provided by a casting method.

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Abstract

　加熱と冷却とをバランスさせて、真空処理用電極を一定の温度範囲に保持するとともに、効率的なメンテナンス性を確保することのできる真空処理装置を提供すること。　アノード電極７の内部には、被処理用基板５を加熱する加熱部が設けられている。加熱部は、互いに並列状に設けられた棒状ヒータ３１からなる。アノード電極７の内部には、アノード電極７を冷却する管状冷却部３２も設けられている。冷却部３２は、それぞれのヒータ３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体を流通させた後に外部へ排出することのできる冷却管３２からなる。冷却管３２は、冷却用媒体の導入部３２ａおよび排出部３２ｂがアノード電極７の一方端部側に偏在して設けられている。また、冷却用媒体の流れる方向が隣り合う冷却管３２どうしの間で逆になるようにされている。

Description

真空処理装置
　この発明は、真空処理装置に関するものであり、さらに詳しくは、真空処理室における被処理物の温度制御をするための加熱部と冷却部とを含む、プラズマ処理装置などの真空処理装置に関するものである。
　従来、プラズマ処理装置としては、例えば特許文献１および特許文献２に記載されたものが知られている。
米国特許第４，２６４，３９３号公報 国際公開ＷＯ２００６／９５５７５号公報
　特許文献１のプラズマ処理装置にあっては、長時間の成膜下において、プラズマ加熱によって、被処理物である基板の温度が設定温度よりも上昇してしまうおそれがある。
　すなわち、プラズマ処理装置に高周波電力や直流電力を供給してプラズマを発生させると、大部分の電力はプラズマ処理用反応ガスの分解に使用されるが、一部の電力によって、約１００～１０００ｃａｌ／分のジュール熱が発生する。このジュール熱は、基板の温度を約０．１～１℃／分で上昇させる。そして、プラズマ放電を伴うプロセス時間が例えば２０分の場合には、最大で２０℃程度の基板の温度上昇をもたらすことになる。このため、長時間の成膜を行うときには、加熱機構だけでなく、放熱機構も必要になる。
　また、特許文献２のプラズマ処理装置における冷却方法によれば、冷却のための構造物がヒータの両側に設けられる。このため、プラズマ処理装置のロードロック室や搬送室などが隣接されたプラズマ処理用チャンバにあっては、そのメンテナンスが片側からに限定されることから、このような冷却方法は適していない。
　すなわち、このようなチャンバのメンテナンスは、実質的にロードロック室や搬送室などの反対側からに限定される。このため、特許文献２のように、ヒータの両側に空冷用ガス流通管が張り出していると、ロードロック室や搬送室などに近い側の配管についてはメンテナンスが困難になる。
　この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、その課題は、加熱と冷却とをバランスさせて、真空処理に用いられる電極を一定の温度範囲に保持するとともに、ロードロック室や搬送室などが隣接された真空処理室における効率的なメンテナンス性を確保することのできる真空処理装置を提供することである。
　この発明によれば、被処理物に真空処理を行うための真空処理室と、この真空処理室に設けられた少なくとも一対の対向電極とを備えてなり、前記対向電極のうちの少なくとも一方の電極が、被処理物の温度制御をするための加熱部と冷却部とを含み、加熱部は複数の棒状ヒータからなり、冷却部は内部に冷却用媒体が流通される複数の折り返し状冷却部材からなり、加熱部および冷却部は互いに並列状に設けられ、冷却用媒体の導入部および排出部が前記少なくとも一方の電極の一方側および他方側のうちの一方側に偏在して設けられ、それぞれの冷却部材は、前記少なくとも一方の電極の一方側の導入部から同電極の内部へ入り、同電極の他方側まで延び、他方側で折り返された後、同電極に沿って再び排出部まで延びているか、または、同電極の内部に冷却部材の断面形状よりも大きく設けられた溝の中を通って再び排出部まで延びており、再び排出部まで延びている部分が同電極と直接接触しないように設けられ、それぞれの冷却部材はさらに、隣接する冷却部材との間で冷却用媒体が互いに対向して流通するように構成されていることを特徴とする真空処理装置が提供される。
　この発明の真空処理装置は上記のように、加熱部および冷却部が互いに並列状に設けられ、冷却用媒体の導入部および排出部が処理用電極の一方側および他方側のうちの一方側に偏在して設けられ、それぞれの冷却部材は、前記電極の一方側の導入部から同電極の内部へ入り、同電極の他方側まで延び、他方側で折り返された後、再び排出部まで延びる部分が、同電極と直接接触しないように設けられ、さらに、隣接する冷却部材との間で冷却用媒体が互いに対向して流通するように構成されている。
　従って、この発明の真空処理装置によれば、上記のように構成された加熱部および冷却部によって、長時間の真空処理でも電極の温度を面内で均一にかつ設定温度範囲に保つことができる。その結果、被処理物の面内バラツキや劣化を抑制することができるとともに、ヒータの過熱による被処理物の変形を防ぐことができる。さらに、ロードロック室や搬送室などが隣接された真空処理室が備わっている真空処理装置にあっても、効率的なメンテナンス性を確保することができる。
　この発明の真空処理装置は、ある実施の形態では、それぞれの冷却部材が第１冷却管と第２冷却管とからなり、第１冷却管と第２冷却管とが、互いに隣り合うように配設されている。ここで、第１冷却管は、前記導入部から前記電極の内部へ入り、同電極の他方側まで延び、他方側で折り返されて前記排出部まで延び、同電極に沿う部分の少なくとも一部が同電極と接触しないように構成されている。また第２冷却管は、同電極の外部で一方側から他方側まで、同電極に沿う部分の少なくとも一部が同電極と接触しないように延び、同電極の他方側で折り返されて他方側から同電極の内部に入り、一方側まで延びるように構成されている。
　なお、この明細書および特許請求の範囲において、「電極の一方側」とは電極の一方端部側または一方側縁部側を指し、「電極の他方側」とは電極の他方端部側または他方側縁部側を指すものとする。
　加熱部を構成する棒状ヒータは例えば、前記電極の一方側から前記電極内に入り、前記電極の他方側で折り返され、一方側まで延びるＵ字状シーズヒータから構成される。
　それぞれの棒状ヒータは、他の棒状ヒータから独立して加熱温度制御することができ、それぞれの冷却部材は、他の冷却部材から独立して冷却温度制御することができるのが好ましい。
　この発明の真空処理装置は、ある実施の形態では、冷却部材が、前記電極の全長の半分までの長さで同電極の内部に設けられた、冷却部材の断面形状よりも大きい溝の中を通るように配設することができる。
　棒状ヒータは、加熱性能が、前記電極の中央部においてより小さく、かつ、側縁部においてより大きくなるように構成されているのが好ましい。このように構成されているときには、電極の被加熱性がその中央部においてはより大きく、側縁部においてはより小さいという電極の一般的特性に応じて、電極の加熱制御をより効果的に行うことができる。
　冷却管は、冷却性能が、前記電極の中央部においてより大きく、かつ、側縁部においてより小さくなるように構成されているのが好ましい。このように構成されているときには、電極の被冷却性がその中央部においてはより小さく、側縁部においてはより大きいという電極の一般的特性に応じて、電極の冷却制御をより効果的に行うことができる。
　この発明のある実施の形態では、電極の中央部と側縁部とにおける被加熱性の相違を解消するために、棒状ヒータは、前記電極の平面単位面積当たりにおける設置本数密度が、同電極の中央部においてより小さく、かつ、側縁部においてより大きくなるように構成することができる。
　この発明のある実施の形態では、電極の中央部と側縁部とにおける被冷却性の相違を解消するために、冷却管は、前記電極の平面単位面積当たりにおける設置本数密度が、同電極の中央部においてより大きく、かつ、側縁部においてより小さくなるように構成することができる。
　冷却管は、熱伝導率が同電極を構成する材料の熱伝導率よりも低い材料から構成されているのが好ましい。このように構成されているときには、冷却管の中における冷却用媒体の温度の急激な上昇を抑えることができるため、大型ヒータにおいても電極面の冷却を均一に行うことができ、電極のいっそう均一な加熱／冷却制御を行うことができる。
　冷却用媒体は、電極の冷却効率を高めるためには、冷却管の内部で停滞することなく常時流通されるのが好ましい。
　棒状ヒータは例えば、前記電極の側面または表面から５．０ｍｍ以上の深さにその先端が位置するよう同電極内部に配設された熱電対で測定された温度に基づいて加熱温度制御される。このような深さに配設された熱電対を使用すると、棒状ヒータの加熱温度制御を良好に行うことができることが、加熱試験により判明したからである。
図１は、この発明の実施の形態１における真空処理装置としてのプラズマ処理装置の概略正面図である。 図２は、図１に示されたプラズマ処理装置の１つの構成要素であるアノード電極の平面図である。 図３は、図２のアノード電極の側面図である。 図４は、図２のアノード電極のＡ－Ａ線に沿う断面図である。 図５は、この発明の実施の形態２における真空処理装置としてのプラズマ処理装置の１つの構成要素であるアノード電極の平面図である。 図６は、図５のアノード電極の側面図である。 図７は、図５のアノード電極のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。 図８は、この発明の実施の形態３における真空処理装置としてのプラズマ処理装置の１つの構成要素であるアノード電極の平面図である。 図９は、図８のアノード電極の側面図である。 図１０は、この発明の実施の形態４における真空処理装置としてのプラズマ処理装置の１つの構成要素であるアノード電極の平面図である。 図１１は、図１０のアノード電極の側面図である。
　以下、添付図面である図１～図１１に基づいて、この発明の好ましい４つの実施の形態を説明する。なお、これらによってこの発明が限定されるものではない。
実施の形態１
　図１に示されたように、実施の形態１における真空処理装置としてのプラズマ処理装置Ｄは、搬送上流側から搬送下流側へかけて隣接状に設けられた第１真空処理室１、第２真空処理室２および第３真空処理室３を備えてなる。これら３つの真空処理室１～３は、長手方向に直線状に延びる１つのケーシングを開閉可能な２つの隔離用ゲートバルブ４，４により３つに区画することで構成されている。３つの真空処理室１～３はステンレス鋼製で、内面には鏡面加工が施されている。ゲートバルブ４，４は、開閉可能に構成され、隣接する２つの真空処理室１，２または２，３を連通状態にするかあるいは隔離することができる。
　第１真空処理室１は、板状の被処理物である基板５を搬入するための搬入室にされている。第１真空処理室１には、基板５を加熱するヒータ１０１が設けられている。第２真空処理室２は、搬入室１に接続された、基板５にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室にされている。第３真空処理室３は、プラズマ処理室２に接続された、基板５を搬出するための搬出室にされている。
　また、搬入室１、プラズマ処理室２および搬出室３はそれぞれ、室内を排気するために開閉バルブ１６ａを介して外部の真空ポンプ１４に接続されている。搬入室１には、その入口側に搬入用扉１５が設けられている。プラズマ処理室２は、圧力調整バルブ１６ｂを介して真空ポンプ１４に接続されているとともに、プラズマ処理用反応ガスを導入するための反応ガス導入管１９に接続されている。搬出室３には、その出口側に搬出用扉１７が設けられている。さらに、搬入室１および搬出室３は、それぞれリークガス導入管２０に接続されている。
　プラズマ処理室２には、方形板状のアノード電極７が水平に配置されている。また、プラズマ処理室２のアノード電極７と対向する位置には、プラズマ処理用カソード電極１８が設けられている。カソード電極１８は、プラズマ処理室２の外部におけるコンデンサ２１および整合回路２２を介して、高周波電源２３へ電気的に接続されている。
　図２～図４に示されたように、アノード電極７にはさらに、その内部に、プラズマ処理すべき基板５を加熱するための加熱部３１，……，３１が設けられている。加熱部３１，……，３１は、平面形状がＵ字状であって互いに並列状に隣り合って設けられた７本の棒状ヒータ（ここではシーズヒータ）３１，……，３１からなる。それぞれの棒状ヒータ３１は、図１に示されたように、ヒータ用配線３３に接続されている。
　アノード電極７の内部には、アノード電極７を冷却するための管状冷却部３２，……，３２も設けられている。冷却部３２，……，３２は、側面形状が細長リング状であってそれぞれの棒状ヒータ３１，……，３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体（窒素ガス）を流通させた後に外部へ排出することのできる１４本の冷却管３２，……，３２からなる。
　これらの冷却管３２，……，３２は、アノード電極７を構成する材料（ここではアルミニウム合金）と同じ材料で構成することもできるが、ここでは、熱伝導率がアノード電極７を構成する材料の熱伝導率よりも低い材料（ここではステンレス鋼）から構成されている。
　それぞれの冷却管３２は、図２～図４に示されたように設けられている。すなわち、冷却管３２は、冷却用媒体の導入部３２ａおよび排出部３２ｂがアノード電極７の一方端部側に偏在して設けられている。そして、冷却管３２の本体部３２ｃが、アノード電極７の一方端部側の導入部３２ａからアノード電極７の内部へ入り、アノード電極７の他方端部側まで延び、他方端部側で外部へ出て下方へ折り返された後、アノード電極７の下面に沿って、再び排出部３２ｂまで延びている。アノード電極７の下面に沿った本体部３２ｃは、アノード電極７の下面と直接接触しないように配設されている。
　これらの棒状ヒータ３１，……，３１は互いに独立して加熱温度制御することができるものであり、これらの冷却管３２，……，３２は互いに独立して冷却温度制御することができるものである。
　次に、図４を参照して、アノード電極７の構成および作製方法を説明する。アノード電極７は２枚の板７ａ，７ｂを張り合わせた構成である。板７ａ，７ｂの各対向面には、棒状ヒータ３１を挿入する溝（断面形状が半円）と冷却管３２を挿入する溝（断面形状が半円）とが形成されている。これらの板７ａ，７ｂは、冷間圧延によるカシメや、ねじ止めにより一体化できる。本実施形態では、ねじ止めにより板７ａ，７ｂを一体化して、アノード電極７を作製した。
　この発明に係るアノード電極７は、複数のヒータ３１，……，３１および冷却管３２，……，３２が内部に必要であるため、内部加工が複雑である。しかし、上述のようにアノード電極７を厚み方向に２つに分割して、複数のヒータ３１，……，３１および冷却管３２，……，３２を挟み込むことにより、比較的容易に作製することができる。
　この実施の形態１では、冷却管３２のほぼ半分がアノード電極７の裏面側の外部に設けられている。そして、冷却用媒体の流れる方向が隣り合う冷却管３２どうしの間で逆になるようにされている。
　この実施の形態１では、ヒータ３１，……，３１および冷却管３２，……，３２が以上のように構成されているので、被処理物である基板５およびアノード電極７の特定箇所を選択的に加熱／冷却制御することが可能であり、基板５の加熱効率およびアノード電極７の冷却効率をよりいっそう向上させることができる。
　また、この実施の形態１では、アノード電極７の外部を流れる冷却用媒体は、アノード電極７とは接していないため、アノード電極７とほとんど熱交換しない。つまり、温められていない冷却用媒体をアノード電極７の両側から交互に導入することができるので、アノード電極７の表面は面内で均一に冷却することができる。さらに、各冷却管３２はアノード電極７の片側のみで分岐しているので、例えば電極交換メンテナンスの際は、アノード電極７の片側のみで冷却管３２を取り外せばよい。
　なお、ヒータ３１の加熱部はＵ字状部分には設けない構造にすることもできる。これにより、ヒータ３１の加熱部分と冷却管３２の冷却部分との間隔が面内のどこでも同じになり、さらに面内温度分布が向上する。
　実際の運用方法としては、冷却管３２，……，３２に冷却用媒体としての一定量の冷却用ガスを流した状態でヒータ３１，……，３１の電源を入れて、ヒータをＰＩＤ制御／ＳＳＲ出力することで、アノード電極７の温度を設定値に合わせる。ここで、冷却用ガス流量ではなくヒータ出力を制御する理由は、流量調整バルブよりもＳＳＲ回路の方が応答性・繰り返し耐久性に優れているためである。
　冷却用ガスの流量は、成膜中にもヒータのＳＳＲ出力が有効に動作する（＝ヒータ出力がｏｎとｏｆｆとを交互に繰り返す）ように設定する。具体的には、ＲＦ電力密度０．６Ｗ／ｃｍ2に対しては７５０リットル／ｍｉｎが、また、０．８Ｗ／ｃｍ2に対しては１２５０リットル／ｍｉｎが挙げられる。ただし、加熱された冷却用ガスによる配管内での圧力上昇を防ぐため、最低でも１リットル／ｍｉｎ程度は流して循環させる必要がある。
　なお、冷却用ガスとしては、熱伝導性の観点からは水素もあり得るが、安全性や費用を考慮すれば窒素や希ガスなどの不活性ガスが望ましい。
実施の形態２
　図５～図７に示されたように、実施の形態２における真空処理装置としてのプラズマ処理装置では、上下２枚の板２７ａ，２７ｂを張り合わせた構成のアノード電極２７の内部に、実施の形態１と同じ加熱部としての７本の棒状ヒータ（シーズヒータ）３１，……，３１が設けられている。アノード電極２７の下側の板２７ｂには、下方へ開口した８本の長手溝２７ｃ，……，２７ｃがこの板２７ｂの長手方向の全長に沿って設けられている。
　アノード電極２７の内部には、アノード電極２７を冷却するための管状冷却部４２，……，４２も設けられている。冷却部４２，……，４２は、側面形状が細長リング状であってそれぞれの棒状ヒータ３１，……，３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体（窒素ガス）を流通させた後に外部へ排出することのできる８本の冷却管４２，……，４２からなる。
　それぞれの冷却管４２は、図５～図７に示されたように、冷却用媒体の導入部４２ａおよび排出部４２ｂがアノード電極２７の一方端部側に偏在して設けられている。そして、冷却管４２の本体部４２ｃが、アノード電極２７の一方端部側の導入部４２ａからアノード電極２７の上側の板２７ａの内部へ入り、アノード電極２７の他方端部側まで延び、他方端部側で外部へ出て下方へ折り返された後、アノード電極２７の下側の板２７ｂの溝２７ｃの内部へ入り、再び排出部４２ｂまで延びている。アノード電極２７の下側の板２７ｂの溝２７ｃに沿った本体部４２ｃは、その溝２７ｃと直接接触しないように配設されている。
　この実施の形態２では、それぞれの冷却管４２は、アノード電極２７の一方側の導入部から同電極２７の内部へ入り、同電極２７の他方側まで延び、他方側で折り返された後、同電極２７に冷却管４２の断面よりも大きく設けられた溝２７ｃの中を通って再び排出部まで延びている。そして、再び排出部まで延びている本体部４２ｃが同電極２７と直接接触しないように設けられ、それぞれの冷却管４２はさらに、隣接する冷却管４２との間で冷却用媒体が互いに対向して流通するように構成されている。
　従って、アノード電極２７の外部を流れる冷却用媒体は、アノード電極２７とは接していないため、アノード電極２７とほとんど熱交換しない。つまり、温められていない冷却用媒体をアノード電極２７の両側から交互に導入することができるので、アノード電極２７の表面は面内で均一に冷却することができる。さらに、冷却管４２はアノード電極２７の片側のみで分岐しているので、例えば電極交換メンテナンスの際は、アノード電極２７の片側のみで冷却管４２を取り外せばよい。
実施の形態３
　図８および図９に示されたように、実施の形態３における真空処理装置としてのプラズマ処理装置では、板状構成のアノード電極３７の内部に、実施の形態１と同じ加熱部としての７本の棒状ヒータ（シーズヒータ）３１，……，３１が設けられている。
　アノード電極３７の内部には、アノード電極３７を冷却するための管状冷却部５２，……，５２も設けられている。冷却部５２，……，５２は、側面形状が細長リング状であってそれぞれの棒状ヒータ３１，……，３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体（窒素ガス）を流通させた後に外部へ排出することのできる８本の冷却管５２，……，５２からなる。
　それぞれの冷却管５２は、図８および図９に示されたように、冷却用媒体の導入部５２ａおよび排出部５２ｂがアノード電極３７の一方端部側に偏在して設けられている。そして、冷却管５２の本体部５２ｃが、アノード電極３７の一方端部側の導入部５２ａからアノード電極３７の内部へ入り、アノード電極３７の他方端部側まで延び、他方端部側で外部へ出て下方へ折り返された後、アノード電極３７の下面に沿って、再び排出部５２ｂまで延びている。アノード電極３７の下面に沿った本体部５２ｃは、アノード電極３７の下面と直接接触しないように配設されている。
　棒状ヒータ３１，……，３１および冷却管５２，……，５２は、鋳込み法によって設けられたものである。
　この実施の形態３では、アノード電極３７の外部を流れる冷却用媒体は、アノード電極３７とは接していないため、アノード電極３７とほとんど熱交換しない。つまり、温められていない冷却用媒体をアノード電極３７の両側から交互に導入することができるので、アノード電極３７の表面は面内で均一に冷却することができる。さらに、各冷却管５２はアノード電極３７の片側のみで分岐しているので、例えば電極交換メンテナンスの際は、アノード電極７の片側のみで冷却管５２を取り外せばよい。
実施の形態４
　図１０および図１１に示されたように、実施の形態４における真空処理装置としてのプラズマ処理装置では、板状構成のアノード電極４７の内部に、実施の形態１と同じ加熱部としての７本の棒状ヒータ（シーズヒータ）３１，……，３１が設けられている。
　アノード電極４７の内部には、アノード電極４７を冷却するための管状冷却部６２，……，６２も設けられている。冷却部６２，……，６２は、側面形状が細長リング状であってそれぞれの棒状ヒータ３１，……，３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体（窒素ガス）を流通させた後に外部へ排出することのできる８本の冷却管６２，……，６２からなる。
　それぞれの冷却管６２は、図１０および図１１に示されたように、冷却用媒体の導入部６２ａおよび排出部６２ｂがアノード電極４７の一方端部側に偏在して設けられている。そして、冷却管６２の本体部６２ｃが、アノード電極４７の一方端部側の導入部６２ａからアノード電極４７の内部へ入り、アノード電極４７の他方端部側まで延び、他方端部側で折り返された後、再び排出部６２ｂまで延びている。
　棒状ヒータ３１，……，３１および冷却管６２，……，６２は、鋳込み法によって設けられたものである。
　　１・・・第１真空処理室（被処理物搬入室）
　　２・・・第２真空処理室（プラズマ処理室）
　　３・・・第３真空処理室（被処理物搬出室）
　　４・・・ゲートバルブ
　　５・・・被処理物（基板）
　　７・・・アノード電極
　１８・・・カソード電極
　２７・・・アノード電極
　２７ｃ・・溝
　３１・・・加熱部（棒状ヒータ）
　３２・・・冷却部（冷却管）
　３２ａ・・導入部
　３２ｂ・・排出部
　３２ｃ・・本体部
　４２・・・冷却部（冷却管）
　４２ａ・・導入部
　４２ｂ・・排出部
　４２ｃ・・本体部
　５２・・・冷却部（冷却管）
　５２ａ・・導入部
　５２ｂ・・排出部
　５２ｃ・・本体部
　６２・・・冷却部（冷却管）
　６２ａ・・導入部
　６２ｂ・・排出部
　６２ｃ・・本体部

Claims (13)

  1. 　被処理物に真空処理を行うための真空処理室と、この真空処理室に設けられた少なくとも一対の対向電極とを備えてなり、
    　前記対向電極のうちの少なくとも一方の電極が、被処理物の温度制御をするための加熱部と冷却部とを含み、
    　加熱部は複数の棒状ヒータからなり、冷却部は内部に冷却用媒体が流通される複数の折り返し状冷却部材からなり、加熱部および冷却部は互いに並列状に設けられ、冷却用媒体の導入部および排出部が前記少なくとも一方の電極の一方側および他方側のうちの一方側に偏在して設けられ、
    　それぞれの冷却部材は、前記少なくとも一方の電極の一方側の導入部から同電極の内部へ入り、同電極の他方側まで延び、他方側で折り返された後、同電極に沿って再び排出部まで延びているか、または、同電極の内部に冷却部材の断面形状よりも大きく設けられた溝の中を通って再び排出部まで延びており、再び排出部まで延びている部分が同電極と直接接触しないように設けられ、
    　それぞれの冷却部材はさらに、隣接する冷却部材との間で冷却用媒体が互いに対向して流通するように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
  2. 　それぞれの冷却部材は、前記導入部から前記電極の内部へ入り、同電極の他方側まで延び、他方側で折り返されて前記排出部まで延び、同電極に沿う部分の少なくとも一部が同電極と接触しないように構成されている第１冷却管と、同電極の外部で一方側から他方側まで、同電極に沿う部分の少なくとも一部が同電極と接触しないように延び、同電極の他方側で折り返されて他方側から同電極の内部に入り、一方側まで延びるように構成されている第２冷却管とからなり、
    　第１冷却管と第２冷却管とは、互いに隣り合うように配設されている請求項１に記載の真空処理装置。
  3. 　棒状ヒータは、前記電極の一方側から前記電極内に入り、前記電極の他方側で折り返され、一方側まで延びるＵ字状シーズヒータである請求項１に記載の真空処理装置。
  4. 　それぞれの棒状ヒータは、他の棒状ヒータから独立して加熱温度制御することができ、それぞれの冷却部材は、他の冷却部材から独立して冷却温度制御することができる請求項１に記載の真空処理装置。
  5. 　冷却部材は、前記導入部から前記電極の全長の半分までの長さで同電極の内部に設けられた、冷却部材の断面よりも大きい溝の中を通るように配設されている請求項１に記載の真空処理装置。
  6. 　棒状ヒータは、加熱性能が、前記電極の中央部においてより小さく、かつ、側縁部においてより大きくなるように構成されている請求項１に記載の真空処理装置。
  7. 　冷却管は、冷却性能が、前記電極の中央部においてより大きく、かつ、側縁部においてより小さくなるように構成されている請求項２に記載の真空処理装置。
  8. 　棒状ヒータは、前記電極の平面単位面積当たりにおける設置本数密度が、同電極の中央部においてより小さく、かつ、側縁部においてより大きくなるように構成されている請求項１に記載の真空処理装置。
  9. 　冷却管は、前記電極の平面単位面積当たりにおける設置本数密度が、同電極の中央部においてより大きく、かつ、側縁部においてより小さくなるように構成されている請求項２に記載の真空処理装置。
  10. 　冷却管は、熱伝導率が同電極を構成する材料の熱伝導率よりも低い材料から構成されている請求項２に記載の真空処理装置。
  11. 　冷却用媒体は、冷却管の内部で停滞することなく常時流通される請求項２に記載の真空処理装置。
  12. 　棒状ヒータは、前記電極の側面または表面から５．０ｍｍ以上の深さにその先端が位置するよう同電極内部に配設された熱電対で測定された温度に基づいて加熱温度制御される請求項１に記載の真空処理装置。
  13. 　前記対向電極のそれぞれに請求項２に記載の冷却部材が配設されてなる真空処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102548177B (zh) * 2012-01-13 2014-07-02 北京交通大学 等离子体空气净化装置的放电电极结构
CN103025040B (zh) * 2012-12-06 2015-05-27 河北大学 利用水电极产生大面积沿面放电的装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006176842A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ガラス基板の成膜装置
WO2006095575A1 (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体薄膜の製造方法
WO2009084486A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha プラズマ処理装置、プラズマ処理装置用加熱装置およびプラズマ処理方法
JP2010500760A (ja) * 2006-08-08 2010-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板支持体の加熱及び冷却
JP2010016225A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置
WO2010032745A1 (ja) * 2008-09-22 2010-03-25 東京エレクトロン株式会社 温度調節機構およびプラズマ処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006176842A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ガラス基板の成膜装置
WO2006095575A1 (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体薄膜の製造方法
JP2010500760A (ja) * 2006-08-08 2010-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板支持体の加熱及び冷却
WO2009084486A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha プラズマ処理装置、プラズマ処理装置用加熱装置およびプラズマ処理方法
JP2010016225A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置
WO2010032745A1 (ja) * 2008-09-22 2010-03-25 東京エレクトロン株式会社 温度調節機構およびプラズマ処理装置

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