WO2011099467A1 - ルテニウム膜形成用材料及びルテニウム膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なかでも、半導体デバイス内の多層配線用途での導電性金属膜の改良が要求されており、新たに導電性の高い銅配線への変換が進んでいる。この銅配線の導電性を高める目的で多層配線の層間絶縁膜材料には低誘電率材料(Low-k材料)が用いられている。しかし、この低誘電率材料中に含まれている酸素原子が銅配線に容易に取り込まれ、その導電性を低下させるといった問題が生じている。その為、低誘電率材料からの酸素の移動を防ぐ目的で、低誘電率材料と銅配線の間にバリア膜を形成する技術が検討されている。このバリア膜の用途に用いられる、誘電体層からの酸素を取り込みにくい材料およびドライエッチングにより容易に加工できる材料として、金属ルテニウム膜が注目されている。さらには上記銅配線をメッキ法にて埋め込むダマシン成膜法において、上記バリア膜とメッキ成長膜の双方の役割を同時に満たす目的から、金属ルテニウムが注目されている。
また、半導体デバイスのキャパシタにおいても、アルミナ、五酸化タンタル、酸化ハフニウム、チタン酸バリウム・ストロンチウム(BST)のような高誘電率材料の電極材料として、金属ルテニウム膜はその高い耐酸化性と高い導電性から注目されている。
しかし、一般に化学気相成長法で形成した金属膜は、微結晶の集合状態が疎であるなど、表面モルフォロジーが悪く、このようなモルフォロジーの問題を解決するための手段として、トリス(ジピバロイルメタナート)ルテニウムやルテノセン、ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム、(シクロヘキサジエニル)ルテニウムトリカルボニル等を化学気相成長材料に用いることが検討されている(特許文献1~5参照。)。
一方、ルテニウム膜は、高純度であって、バリア膜及びメッキ成長膜としての性能に優れること、及び、基板に対する密着性に優れることが求められている。
すなわち、本発明は以下の[1]~[6]を提供するものである。
[1] 下記式(1)で表わされる化合物を含む、ルテニウム膜形成用材料。
Ru(PR1 3)l(L1)m(L2)n (1)
(上記式(1)中、R1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であり、L1は、水素原子、またはハロゲン原子であり、L2は、少なくとも二つの二重結合を有する炭素数4~10の不飽和炭化水素化合物であり、lは1~5の整数であり、mは0~4の整数であり、nは0~2の整数である。ただし、l+m+2n=5または6である。)
[2] 化学気相成長法用である、前記[1]に記載のルテニウム膜形成用材料。
[3] 前記[1]または[2]に記載のルテニウム膜形成用材料を用いる、ルテニウム膜形成方法。
[4] 前記[2]に記載のルテニウム膜形成用材料を、基体上に供給するルテニウム膜形成用材料供給工程と、該ルテニウム膜形成用材料を加熱分解して、上記基体上にルテニウム膜を形成させる膜形成工程とを含む、ルテニウム膜形成方法。
[5] 上記膜形成工程における加熱分解の温度が100℃~800℃である、前記[4]に記載のルテニウム膜形成方法。
[6] 上記膜形成工程における加熱分解を不活性気体または還元性気体中で行う、前記[4]又は[5]に記載のルテニウム膜形成方法。
また、本発明のルテニウム膜形成用材料によれば、残留不純物量が少ない高純度の良質なルテニウム膜を短時間で容易に得ることができる。このルテニウム膜は、バリア膜及びメッキ成長膜としての性能に優れ、また、基板に対する密着性にも優れる。
本発明のルテニウム膜形成用材料は、下記式(1)で表される化合物を含んでなる。
上記式(1)中、R1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であり、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であることが好ましく、ハロゲン原子であることがより好ましい。
また、R1において炭素数1~4の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基を挙げることができ、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、t-ブチル基であることが好ましく、メチル基、エチル基であることがより好ましい。
また、R1において炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基としては、フッ素化炭化水素基、塩素化炭化水素基、臭素化炭化水素基であることが好ましく、フッ素化炭化水素基であることがより好ましい。
具体的にはクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロ-n-プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ-n-ブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ-t-ブチル基を挙げることができ、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロ-n-プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ-t-ブチル基であることが好ましく、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基であることがより好ましい。
L1がハロゲン原子である場合、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子、塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
二重結合の数は、化合物の入手が容易である観点から、好ましくは二つである。この場合、不飽和炭化水素化合物は、共役ジエン化合物でもよいし、非共役ジエン化合物でもよい。
上記不飽和炭化水素化合物の炭素数は、4~10個、好ましくは5~8個である。
具体的には、1,3-ブタジエン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、1,5-ヘキサジエン、1,4-ヘキサジエン、1,3-ヘキサジエン、2,4-ヘキサジエン、3-メチル-1,3-ペンタジエン、2-メチル-1,4-ペンタジエン、1,6-ヘプタジエン、1,5-ヘプタジエン、1,4-ヘプタジエン、1,7-オクタジエン、1,6-オクタジエン、1,5-オクタジエン、1,4-オクタジエン等の鎖状ジエン、シクロペンタジエン、1,5-シクロオクタジエン、1,3-シクロオクタジエン、1,4-シクロヘキサジエン、1,3-シクロヘキサジエン、2,5-ノルボルナジエン等の環状ジエンを挙げることができる。
上記反応は、触媒の存在下で行われることが好ましく、触媒としては例えば銅、亜鉛などを挙げることができる。
反応温度としては、特に限定されるものではないが、50~400℃であることが好ましく、100~350℃であることがより好ましく、120℃~300℃であることがさらに好ましい。
また、反応時の圧力としては特に限定されるものではないが、トリフルオロホスフィン、水素、フッ素、塩素等の標準条件において気体である化合物を反応させる場合には、通常10~1000気圧(以下、「atm」ともいう。)であり、50~800気圧であることが好ましく、100~600気圧であることがより好ましい。
l=5、m=0、n=0である化合物として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)、ペンタキス(トリクロロホスフィン)ルテニウム(0)、ペンタキス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)、ペンタキス(トリエチルホスフィン)ルテニウム(0)等のルテニウムの原子価が0のルテニウム化合物;
l=3、m=0、n=1である化合物として、(η-1,4-シクロヘキサジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)、(η-1,4-シクロヘキサジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)、(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)、(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)、(η-1,6-ヘプタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)、(η-1,6-ヘプタジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)、(η-1,7-オクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)、(η-1,7-オクタジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)等のルテニウムの原子価が0のルテニウム化合物;
l=4、m=2、n=0である化合物として、テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド、(ジフルオロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)、(ジクロロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)、テトラキス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド、(ジフルオロ)テトラキス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(II)、(ジクロロ)テトラキス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(II)等のルテニウムの原子価が2のルテニウム化合物;
l=3、m=3、n=0である化合物として、トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(III)トリヒドリド、(トリフルオロ)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(III)等のルテニウムの原子価が3のルテニウム化合物;
l=2、m=4、n=0である化合物として、ビス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)テトラヒドリド、(テトラフルオロ)ビス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)、(テトラクロロ)ビス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)、(トリフルオロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)ヒドリド、(ジフルオロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)ジヒドリド、(ジブロモ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)ジヒドリド、(フルオロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)トリヒドリド、(ヨード)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(IV)トリヒドリド等のルテニウムの原子価が3のルテニウム化合物;
などを挙げることができる。
本発明のルテニウム膜形成方法は、上記のルテニウム膜形成用材料を使用する他は、それ自体公知の方法を使用できるが、例えば次のような化学的気相成長方法(下記の工程(1)及び工程(2)を含むもの)を採用して実施することができる。
ここで使用できる基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン半導体、石英、金属、金属酸化物、合成樹脂等適宜の材料を使用できるが、ルテニウム化合物を熱分解する工程の温度に耐えられる材料であることが好ましい。
上記工程(1)において、ルテニウム化合物を気化または蒸発させる際の減圧条件は、好ましくは1000Pa以下、更に好ましくは100Pa以下、特に好ましくは50Pa以下である。該減圧条件の下限値は、特に限定されないが、減圧装置の性能の観点から、通常、1Paである。
上記工程(2)において、ルテニウム化合物を加熱分解させる温度は、好ましくは100~800℃、より好ましくは100~600℃、さらに好ましくは180~450℃、さらに好ましくは200~420℃、特に好ましくは250~410℃である。
ここで不活性気体としては、例えば窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。また、還元性気体としては、例えば水素ガス、アンモニアガス等を挙げることができる。また本発明の化学的気相成長方法は、酸化性気体の共存下で実施することも可能である。ここで、酸化性気体としては、例えば酸素、一酸化炭素、亜酸化窒素等を挙げることができる。
特に、成膜したルテニウム膜中の不純物の量を低減させる目的から、これら還元性気体を共存させることが好ましい。還元性気体を共存させる場合、雰囲気中の還元性気体の割合は、1~100モル%であることが好ましく、3~100モル%であることがより好ましい。
雰囲気中の酸化性気体の割合は、10モル%以下であることが好ましく、1モル%以下であることがより好ましく、0.1モル%以下であることが特に好ましい。
上記の如くして得られたルテニウム膜は、純度および電気伝導性が高く、例えば、配線電極のバリア膜、メッキ成長膜、キャパシタ電極等に好適に使用することができる。
三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08gを入れた反応器を真空にして、トリフルオロホスフィンを500atmになるまで導入し、250℃で15時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に減圧乾燥を行い、トリフルオロホスフィンを除去した。得られた固体を30℃、0.013atm(10Torr)で昇華精製することでペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)7.80gを白色固体として得た。収率は60重量%であった。
三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、トリエチルホスフィン10mLを入れたアンプルを封管して、220℃で24時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥してトリエチルホスフィンを除去し、ペンタキス(トリエチルホスフィン)ルテニウム(0)3.67gを白色固体として得た。収率は22重量%であった。
三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、1,5-シクロオクタジエン50mLを入れた反応器を-78℃に冷却した後に真空にして、トリフルオロホスフィンを400atmになるまで導入し、180℃で72時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下でアルミナカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジエチルエーテル)を行い、得られた溶液を濃縮し、(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1.71gを淡黄色液体として得た。収率は15重量%であった。
三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、1,5-シクロオクタジエン20mL、トリメチルホスフィン10mLを入れたアンプルを封管して、160℃で90時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下でアルミナカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジエチルエーテル)を行い、得られた溶液を濃縮し、(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)0.63gを淡黄色液体として得た。収率は6重量%であった。
三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08gを入れた反応器を真空にして、トリフルオロホスフィンを300atm、水素を100atm導入し、270℃で15時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に減圧乾燥を行い、トリフルオロホスフィンと水素を除去した。得られた液体を窒素雰囲気下で濾過し、室温下0.013atm(10Torr)で減圧蒸留することで、テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド7.68gを無色透明液体として得た。収率は70重量%であった。
三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08g、1,5-オクタジエン50mLを入れた反応器を-78℃に冷却した後に真空にして、トリフルオロホスフィンを400atmになるまで導入し、120℃で100時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に窒素雰囲気下で濾過した。濾液を減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下でアルミナカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジエチルエーテル)を行い、得られた溶液を濃縮し、(1,5-オクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1.14gを淡黄色液体として得た。収率は10重量%であった。
三塩化ルテニウム5.03g、銅10.08gを入れた反応器を真空にして、トリフルオロホスフィンを300atm、塩素を100atm導入し、250℃で15時間加熱した。反応終了後、溶液を室温まで冷却した後に減圧乾燥を行い、トリフルオロホスフィンと塩素を除去した。得られた液体を窒素雰囲気下で濾過し、室温下10torrで減圧蒸留することで、(ジクロロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)4.83gを淡黄色液体として得た。収率は41重量%であった。
(1)ルテニウム膜の形成
合成例1にて得られたペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gを窒素ガス中で石英製ボート型容器に計り取り、石英製反応容器にセットした。反応容器内の気流の下流方向側の近傍に熱酸化膜付きシリコンウエハを置き、室温下で反応容器内に水素ガスを300mL/分の流量にて20分間流した。その後反応容器中に水素ガスを100mL/分の流量で流し、さらに系内を13Paに減圧した後に、反応容器を80℃で5分間加熱した。ボート型容器からミストが発生し、近傍に設置した石英基板に堆積物が見られた。ミストの発生が終了した後、減圧を止め、窒素ガスを系に入れて圧力を戻し、次いで101.3kPaで窒素ガス(水素ガスの含量:3体積%)を200mL/分の流量で流し、反応容器の温度を350℃に上昇させ、そのまま1時間保持したところ、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。この膜の膜厚は0.05μmであった。
この膜のESCAスペクトルを測定したところ、Ru3d軌道に帰属されるピークが280eVと284eVに観察され、他の元素に由来するピークは全く観察されず金属ルテニウムであることが分かった。また、このルテニウム膜につき、4端子法で比抵抗を評価した結果を表1に示す。
ここで形成されたルテニウム膜につき、基板との密着性を碁盤目テープ法によって評価したところ、基板とルテニウム膜との剥離は全く見られなかった。
保存安定性の確認として、熱に対する劣化性の検討を行った。ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gを100mL容量のステンレス製耐圧密閉容器に入れ窒素雰囲気下で密閉し、系内を13Paに減圧した後に容器全体を80℃に加熱して保管した。1ヶ月後においてもペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)の外観上の変化は無かった。
その後、容器を室温に戻し、乾燥窒素で容器内を置換してから、上記(1)と同様の要領で成膜を実施したところ、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、上記(1)と同様に評価した。結果を表1に示す。
気化特性の確認として、下記の試験方法により気化量の測定を行った。乾燥窒素雰囲気の室温下のグローブボックス内にて、100mL容量のバルブ付きの耐圧ステンレス製容器内にペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)を1g収容して密栓した。その後、容器をホットプレートの上に置き、バルブを開放し、80℃で加熱しながら容器内を13Paにて5分間減圧処理した。その後バルブを閉じた後、3時間放冷にて容器を室温に戻し、上記グローブボックス内にてゆっくりとバルブを開けて容器内の圧力を常圧に戻した。その後容器を開けて残存試料量を計測することで減圧処理時の気化量を算出したところ、気化量は0.85gであった。
また、実施例1の(2)と同様の要領で1ヶ月間保存したペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの気化特性についても、同様にして気化量を算出したところ、気化量は0.84gであった。結果を表1に示す。
(1)ルテニウム膜の形成
ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gの代わりに合成例2にて得られたペンタキス(トリエチルホスフィン)ルテニウム(0)0.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
保存安定性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例2にて得られたペンタキス(トリエチルホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
気化特性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例2にて得られたペンタキス(トリエチルホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。
(1)ルテニウム膜の形成
ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gの代わりに合成例3にて得られた(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
保存安定性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例3にて得られた(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
気化特性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例3にて得られた(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。
(1)ルテニウム膜の形成
ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gの代わりに合成例4にて得られた(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)0.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
保存安定性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例4にて得られた(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
気化特性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例4にて得られた(1,5-シクロオクタジエン)トリス(トリメチルホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。
(1)ルテニウム膜の形成
ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gを用い、反応容器を80℃とする代わりに合成例5にて得られたテトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド0.05gを用い、反応容器を-50℃とする以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
保存安定性の確認として、劣化性の検討を実施した。テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド1gを100mL容量のステンレス製耐圧密閉容器に入れ窒素雰囲気下で密閉し、系内を13Paに減圧した後に容器全体を-50℃に冷却して保管した。1ヶ月後においてもテトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリドの外観上の変化は無かった。
その後、容器を室温に戻し、乾燥窒素で容器内を置換してから、上記(1)と同様の要領で成膜を実施したところ、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価したところ、変化は見られなかった。結果を表1に示す。
気化特性の確認として、下記の試験方法により気化量の測定を行った。乾燥窒素雰囲気の室温下のグローブボックス内にて、100mL容量のバルブ付きの耐圧ステンレス製容器内にテトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリドを1g収容して密栓した。その後、容器をホットプレートの上に置き、バルブを開放し、-50℃で冷却しながら容器内を13Paにて5分間減圧処理した。その後バルブを閉じた後、3時間掛けて容器を室温に戻し、上記グローブボックス内にてゆっくりとバルブを開けて容器内の圧力を常圧に戻した。その後容器を開けて残存試料量を計測することで減圧処理時の気化量を算出したところ、気化量は0.98gであった。
また、上記実施例5(2)と同様の要領で1ヶ月間保存したテトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド1gの気化特性についても、同様にして気化量を算出したところ、気化量は1.00gであった。結果を表1に示す。
(1)ルテニウム膜の形成
ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gの代わりに合成例6にて得られた(1,5-オクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)0.05gを用いる以外は実施例1と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
保存安定性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例6にて得られた(1,5-オクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
気化特性の確認として、ペンタキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gの代わりに合成例6にて得られた(1,5-オクタジエン)トリス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(0)1gを用いる以外は実施例1と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。
(1)ルテニウム膜の形成
テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド0.05gの代わりに合成例7にて得られた(ジクロロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)0.05gを用いる以外は実施例5と同様にして、基板上に金属光沢を有する膜が得られた。得られた金属ルテニウム膜の各種物性について、実施例5と同様にして評価した。結果を表1に示す。
保存安定性の確認として、テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド1gの代わりに合成例7にて得られた(ジクロロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)1gを用いる以外は実施例5と同様にして評価した。結果を表1に示す。
気化特性の確認として、テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)ジヒドリド1gの代わりに合成例7にて得られた(ジクロロ)テトラキス(トリフルオロホスフィン)ルテニウム(II)1gを用いる以外は実施例5と同様にして気化量の測定を行った。結果を表1に示す。
Claims (6)
- 下記式(1)で表わされる化合物を含む、ルテニウム膜形成用材料。
Ru(PR1 3)l(L1)m(L2)n (1)
(上記式(1)中、R1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4の炭化水素基、または炭素数1~4のハロゲン化炭化水素基であり、L1は、水素原子、またはハロゲン原子であり、L2は、少なくとも二つの二重結合を有する炭素数4~10の不飽和炭化水素化合物であり、lは1~5の整数であり、mは0~4の整数であり、nは0~2の整数である。ただし、l+m+2n=5または6である。) - 化学気相成長法用である、請求項1に記載のルテニウム膜形成用材料。
- 請求項1または2に記載のルテニウム膜形成用材料を用いる、ルテニウム膜形成方法。
- 請求項2に記載のルテニウム膜形成用材料を、基体上に供給するルテニウム膜形成用材料供給工程と、該ルテニウム膜形成用材料を加熱分解して、上記基体上にルテニウム膜を形成させる膜形成工程とを含む、ルテニウム膜形成方法。
- 上記膜形成工程における加熱分解の温度が100℃~800℃である、請求項4に記載のルテニウム膜形成方法。
- 上記膜形成工程における加熱分解を不活性気体または還元性気体中で行う、請求項4又は5に記載のルテニウム膜形成方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201180008881.6A CN102753724B (zh) | 2010-02-12 | 2011-02-08 | 钌膜形成用材料及钌膜形成方法 |
JP2011553837A JP5660055B2 (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-08 | ルテニウム膜形成用材料及びルテニウム膜形成方法 |
KR1020127021010A KR101760968B1 (ko) | 2010-02-12 | 2011-02-08 | 루테늄막 형성용 재료 및 루테늄막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010028585 | 2010-02-12 | ||
JP2010-028585 | 2010-02-12 | ||
JP2010221613 | 2010-09-30 | ||
JP2010-221613 | 2010-09-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2011099467A1 true WO2011099467A1 (ja) | 2011-08-18 |
Family
ID=44367740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/052601 WO2011099467A1 (ja) | 2010-02-12 | 2011-02-08 | ルテニウム膜形成用材料及びルテニウム膜形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5660055B2 (ja) |
KR (1) | KR101760968B1 (ja) |
CN (1) | CN102753724B (ja) |
TW (1) | TWI512130B (ja) |
WO (1) | WO2011099467A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120101290A1 (en) * | 2010-10-25 | 2012-04-26 | Tri Chemical Laboratories, Inc. | Method for producing ruthenium compound |
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WO2008047564A1 (fr) * | 2006-09-29 | 2008-04-24 | Nec Corporation | Procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4023883A1 (de) * | 1990-07-27 | 1992-01-30 | Kali Chemie Ag | Verfahren zur abscheidung von uebergangsmetall enthaltenden schichten |
US5314727A (en) * | 1992-07-28 | 1994-05-24 | Minnesota Mining & Mfg. Co./Regents Of The University Of Minnesota | Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium |
WO2011065221A1 (ja) | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Jsr株式会社 | ルテニウム膜形成用材料及びルテニウム膜形成方法 |
-
2011
- 2011-02-08 KR KR1020127021010A patent/KR101760968B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-08 WO PCT/JP2011/052601 patent/WO2011099467A1/ja active Application Filing
- 2011-02-08 JP JP2011553837A patent/JP5660055B2/ja active Active
- 2011-02-08 CN CN201180008881.6A patent/CN102753724B/zh active Active
- 2011-02-09 TW TW100104282A patent/TWI512130B/zh active
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US8278471B2 (en) * | 2010-10-25 | 2012-10-02 | Jsr Corporation | Method for producing ruthenium compound |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102753724B (zh) | 2014-11-26 |
TW201137155A (en) | 2011-11-01 |
KR20120120293A (ko) | 2012-11-01 |
TWI512130B (zh) | 2015-12-11 |
JPWO2011099467A1 (ja) | 2013-06-13 |
CN102753724A (zh) | 2012-10-24 |
KR101760968B1 (ko) | 2017-07-24 |
JP5660055B2 (ja) | 2015-01-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201180008881.6 Country of ref document: CN |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11742211 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2011553837 Country of ref document: JP |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20127021010 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11742211 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |