WO2011089867A1 - 描画装置及び描画方法 - Google Patents

Abstract

被処理基盤上に形成される描画ドットの位置を、描画の途中にナノミクロンオーダーで調整することができる光学素子用の描画装置を提供する。本発明に係る光学素子用の描画装置は、所定の周波数のパルス信号を発する信号発生器と、前記信号発生器の発するパルス信号のオン／オフに合わせてレーザー光を照射する光学系と、レーザー光の照射を受けることにより描画ドットが形成される被照射基盤を載置する台座と、前記台座を所定の方向に所定の速度で滑動させる駆動手段と、被処理基盤上の描画ドットの位置を測定する位置測定手段とを備え、前記信号発生器は、前記位置測定手段により測定された前記被処理基盤上の描画ドットの位置に基づいて、パルス信号を発するタイミングを調整することを特徴とする。

Description

描画装置及び描画方法

　本発明は、シリコンなどからなるウエハ上にレーザー光を用いて露光することで描画を行う描画装置及び描画方法に関し、特に、高精度な位置決め、例えば、ナノミクロンオーダーの位置決めを行う描画装置及び描画方法に関する。

　従来のレーザー光を用いて露光を行なう描画装置は、二次元パターンが形成された基準基板の画像を撮像し、この撮像で得た二次元パターンデータから位置決めステージの位置ずれを求め、この位置ずれに基づいて位置決めステージの位置を二次元で構成し、レーザー光の照射位置の位置補正を行う（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７－２１４３８８号公報

　上述のように、基準基板の画像を撮像して得た二次元パターンから、位置決めステージの位置ずれを求めて位置補正を行う場合、高速カメラのシャッター開放時間を短くして連続撮像することで、描画装置は二次元位置をサブミクロンのオーダーの精度で補正することができる。しかしながら、位置をナノミクロンオーダーの精度で補正することは困難である。

　ウエハ上にレーザー光を用いて露光することで描画を行う描画装置においては、例えば、ナノミクロンオーダーの高精度な位置決めを行えることが、取り組むべき課題とされている。

　本発明は、上記の問題を解決するために為されたものである。本発明に係る光学素子用の描画装置は、
　所定の周波数のパルス信号を発する信号発生器と、
　前記信号発生器の発するパルス信号のオン／オフに合わせてレーザー光を照射する光学系と、
　レーザー光の照射を受けることにより描画ドットが形成される被照射基盤を載置する台座と、
　前記台座を所定の方向に所定の速度で滑動させる駆動手段と、
　被処理基盤上の描画ドットの位置を測定する位置測定手段と
を備え、
　前記信号発生器は、前記位置測定手段により測定された前記被処理基盤上の描画ドットの位置に基づいて、パルス信号を発するタイミングを調整することを特徴とする。

　本発明に係る光学素子上の描画方法は、
　所定の周波数のパルス信号を発する信号発生工程と、
　前記パルス信号のオン／オフに合わせてレーザー光を照射するレーザー照射工程と、
　レーザー光の照射を受けることにより描画ドットが形成される被照射基盤を載置する台座を、所定の方向に所定の速度で滑動させる滑動工程と、
　被処理基盤上の描画ドットの位置を測定する位置測定工程と
を含み、
　前記信号発生工程では、前記位置測定工程にて測定された前記被処理基盤上の描画ドットの位置に基づいて、パルス信号を発するタイミングが調整されることを特徴とする。

　本発明に係る光学素子用の描画装置は、レーザーを照射するためのパルス信号のタイミングを調整することにより、被処理基盤上に形成される描画ドットの位置を、描画の途中に高精度で調整することができる。

本発明の実施の形態１に係る描画装置の概略構成図である。 本発明の実施の形態１に係る描画装置において、ドットパターンを描画する際の光学ヘッドの被処理基盤上の相対的軌跡を示す模式図である。 本発明の実施の形態１に係る描画装置における、ドットパターンの描画時の、パルス信号の調整の様子を示す図である。 本発明の実施の形態１に係る描画装置における、ドットパターンの描画時の、パルス信号の調整処理のフローチャートである。 本発明の実施の形態１に係る描画装置において、行毎にドット位置が揃うように為されるオフセット量の制御を説明するための図である。 本発明の実施の形態１に係る描画装置における、行毎のドット位置のオフセット量の制御のフローチャートである。

　以下、本発明に係る好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

実施の形態１
１．描画装置の全体構成
　図１は、本発明の実施の形態１に係る描画装置１の概略構成図である。本発明の実施の形態１に係る描画装置１は、パルス信号により発光を制御されるレーザー光を被処理基盤の主面の横方向（即ち、行方向）及び縦方向（即ち、列方向）に露光することにより、被処理基盤上に二次元状のドットパターンを描画する装置である。

　描画装置１は、概略、ＸＹステージ２と、レーザーを照射する光学ヘッド３と、それを制御する光学系制御ユニット４と、信号発生器５と、入力部６とによって構成される。

　ＸＹステージ２は、被処理基盤７を保持するワーク台座８と、それを支持して滑動させるＸ軸スライダー９、Ｙ１軸スライダー１０、及びＹ２軸スライダー１１と、それらスライダー９、１０、１１が設置される定盤２２を含む。Ｘ軸スライダー９は、図における左右方向に、即ちＸ方向にワーク台座８を滑動させるスライダーである。Ｙ１軸スライダー１０及びＹ２軸スライダー１１は、ＸＹステージ２の両端にて縦方向に配置され、図における前後方向に、即ちＹ方向にワーク台座８を滑動させるスライダーである。

　これらスライダーは、夫々、Ｘ軸ドライバ１２、Ｙ１軸ドライバ１３、及びＹ２軸ドライバ１４により駆動される。Ｘ軸ドライバ１２、Ｙ１軸ドライバ１３、及びＹ２軸ドライバ１４には、入力部６からの動作制御信号に基づいて、軸制御ユニット１８が駆動命令を与える。

　また、ＸＹステージ２は、Ｘ軸ナノスケール１５、Ｙ１軸ナノスケール１６、及びＹ２軸ナノスケール１７を含む。Ｘ軸ナノスケール１５は、被処理基盤７のＸ軸上の位置（Ｘ位置）を測定する。Ｙ１軸ナノスケール１６及びＹ２軸ナノスケール１７は、被処理基盤７のＹ軸上の位置（Ｙ位置）を測定する。Ｘ軸ナノスケール１５、Ｙ１軸ナノスケール１６、及びＹ２軸ナノスケール１７は、夫々、Ｘ軸ナノスケールドライバ１９、Ｙ１軸ナノスケールドライバ２０、及びＹ２軸ナノスケールドライバ２１により駆動される。Ｘ軸ナノスケール１５、Ｙ１軸ナノスケール１６、及びＹ２軸ナノスケール１７は、いずれも、ナノミクロンオーダーの精度の測定を行なうことができる。Ｘ軸ナノスケール１５、Ｙ１軸ナノスケール１６、及びＹ２軸ナノスケール１７の測定により得られた位置情報は、Ｘ軸ナノスケールドライバ１９、Ｙ１軸ナノスケールドライバ２０、及びＹ２軸ナノスケールドライバ２１を介して、軸制御ユニット１８に与えられる。更に、これら位置情報は、軸制御ユニット１８を介して信号発生部５に出力されるようになっている。

　更に、ＸＹステージ２は、定盤２２の下部に設置されて定盤２２の揺れを抑える除振台２３を含む。

　被処理基盤７は、硝子板やシリコンなどからなるウエハに感光レジストや熱反応材料を塗布したものである。被処理基盤７はワーク台座８上に載置される。

　光学ヘッド３は、ガスレーザーや半導体レーザーなどのレーザー光を発する光源と、波長板、偏光ビームスプリッタ、又は対物レンズなどの光学素子とで構成される。

　なお、信号発生器５の発するパルス信号のオン／オフによって、光学系制御ユニット４が、光学ヘッド３からのレーザー光照射のオン／オフを制御する。レーザー光照射のオン／オフ、及び、被処理基盤７の滑動によりドットパターンが描画される。

　入力部６には、以下の設定値が入力される。
（ａ）レーザー光を露光する被処理基盤７上の描画領域を示すＸ描画開始位置／Ｘ描画終了位置／Ｙ描画開始位置／Ｙ描画終了位置。
（ｂ）Ｙ方向の描画ピッチの間隔を示すＹ方向描画ピッチ間隔設定値。
（ｃ）行毎のドット位置のオフセット量。
（ｄ）レーザー光のパワーや、発光パルス信号の周波数などの、光学系の設定値。
（ｅ）描画動作中のＸ方向速度・Ｙ方向速度などのワーク台座駆動設定値。

　上述の設定値に基づいて、光学系制御ユニット４、信号発生器５、及び軸制御ユニット１８に対して描画動作の制御が行われる。その制御に従って、光学ヘッド３は被処理基盤７を露光して、ドットパターンを描画する。具体的には、Ｘ描画開始位置／Ｘ描画終了位置によって、Ｘ軸スライダー９の駆動範囲を設定する。Ｙ描画開始位置／Ｙ描画終了位置によって、Ｙ１軸スライダー１０及びＹ２軸スライダー１１の駆動範囲を設定する。Ｙ方向描画ピッチ間隔設定値によって、Ｙ１軸スライダー１０とＹ２軸スライダー１１のＹ方向描画ピッチ幅を設定する。

　また、レーザー光のパワーや、発光パルス信号の周波数などの光学系の設定値によって、光学ヘッド３によるレーザーの照射に関する設定が行なわれる。

２．ドットパターンの描画動作
　ドットパターンは、被処理基盤７が載置されたワーク台座８をＸ軸スライダー９がＸ方向に移動させる間に、静止している光学ヘッド３が、入力部６で設定された周波数を有する発光パルス信号によって、レーザーをオン／オフ発光させて被処理基盤７に照射することにより描画される。ワーク台座８は、Ｘ方向に往復動作をさせられ、且つ、往路と復路との切替時においてＹ方向に所定のピッチ間隔だけシフトされる。ドットパターンの描画は、ワーク台座８の往路方向の移動時と復路方向の移動時の両方において為される。

　まず、ワーク台座８の往路方向動作では、Ｘ軸スライダー９が、静止している光学ヘッド３に対して、ワーク台座８をＸ方向に沿って動かす。このとき、光学ヘッド３がＸ描画開始位置に達するまで、ワーク台座８は加速される。光学ヘッド３がＸ描画開始位置に達したときからＸ描画終了位置に達するときまでは、ワーク台座８は一定の速度で移動させられる。光学ヘッド３がＸ描画終了位置に達したとき以降は、ワーク台座８は減速され停止される。

　次に、ワーク台座８の復路方向動作の前に、Ｙ１軸スライダー１０及びＹ２軸スライダー１１がワーク台座８をＹ方向に描画ピッチ間隔設定値だけ移動させる。

　更に、ワーク台座８の復路方向動作では、Ｘ軸スライダー９が、静止している光学ヘッド３に対して、ワーク台座８を、往路方向動作時と逆の方向に動かす。このとき、光学ヘッド３が往路でのＸ描画終了位置若しくはその近傍位置に達するまで、ワーク台座８は加速される。光学ヘッド３がその往路でのＸ描画終了位置若しくはその近傍位置に達したときから、往路でのＸ描画開始位置若しくはその近傍位置に達するときまでは、ワーク台座８は一定の速度で移動させられる。光学ヘッド３がその往路でのＸ描画開始位置若しくはその近傍位置に達したとき以降は、ワーク台座８は減速され停止される。

　更に、ワーク台座８の次の往路方向動作の前に、Ｙ１軸スライダー１０及びＹ２軸スライダー１１がワーク台座８をＹ方向に描画ピッチ間隔設定値だけ移動させる。以降、ワーク台座８の往路方向動作、Ｙ方向の描画ピッチ間隔設定値だけの移動、復路方向動作、及び、Ｙ方向の描画ピッチ間隔設定値だけの移動が、繰り返される。

　なお、光学ヘッド３がレーザーをオン／オフ発光する際に基準とされる発光パルス信号の周波数は、入力部６を介して信号発生部５に設定されている。

　図２は、実施の形態１に係る描画装置１において、ドットパターンを描画する際の光学ヘッド３の被処理基盤２２０上の相対的軌跡を示す模式図である。前述のように、Ｘ軸スライダー９、Ｙ１軸スライダー１０、及びＹ２軸スライダー１１により、被処理基盤２２０が、光学ヘッド３に対して相対的に移動させられる。

　ＸＹステージ２上のワーク台座８に載置されている被処理基盤２２０は、Ｘ方向往路動作２２１、Ｙ方向移動動作２２２、Ｘ方向復路動作２２３、及びＹ方向移動動作２２４を行い、更にはこれら動作を繰り返す。光学ヘッド３は、描画開始位置２２５よりレーザーを発光し、露光エリア２２６の上部に在る間、露光する。前に説明したように、ドットパターンは、Ｘ軸スライダー９がワーク台座８を一定の速度で滑動させている際に描画される。Ｘ軸スライダー９による加速時及び減速時、並びに、Ｙ１軸スライダー１０及びＹ２軸スライダー１１によるＹ方向移動時にはレーザー光は照射されず、よって、ドットパターンは描画されない。レーザー発光による露光は描画終了位置２２７にて終了する。以上のような、往復動作を含む動作により、露光エリア２２６にドットパターンが描画される。

３．パルス信号調整によるドットパターンの位置補正
　図３は、ドットパターンの描画時の、パルス信号の調整の様子を示す図である。図３（ａ）（ｂ）に示すように、信号発生器５からの発光パルス信号（即ち、描画パルス信号）がオンであるときに、被処理基盤７が露光されてドットが描画される。信号発生器５からの発光パルス信号がオン／オフを繰り返している際、即ち、Ｘ軸スライダー９が被処理基盤７をＸ方向に一定速度で移動している際、同時にＸ軸ナノスケール１５は、被処理基盤７上の描画ドットのＸ軸上の位置（Ｘ位置）を連続的に測定している。Ｘ位置のデータは、軸制御ユニット１８を介して信号発生部５に連続的に出力されている。

　Ｘ軸スライダー９が被処理基盤７をＸ方向に一定速度で移動している途中において、外乱などにより被処理基盤７がＸ方向にてずれを生じた場合、即ち、Ｘ軸ナノスケール１５の測定する被処理基盤７上の描画ドットのＸ位置と、ワーク台座８のＸ方向の加速度、速度及び停止時からの経過時間により算出される描画想定位置とに、差異を生じる場合、その後の描画ドットのＸ位置が描画想定位置に近づくように、パルス発光のタイミングが調整される。

　例えば、被処理基盤７が本来の想定位置よりも左方向にずれを生じたような場合、描画パルスが一定の周波数でオン／オフを繰り返すと、描画されるドットの位置は、想定描画位置よりも右にずれることになる。このような場合には、Ｘ軸ナノスケール１５が測定した被処理基盤７上の描画ドットのＸ位置データを取得した信号発生部５は、その後に描画されるドットが右にずれないように描画パルスのオフ期間を一時的に短くし、被処理基盤７の左方向のずれを打ち消すタイミングで描画パルスがオンするように、描画パルスを調整する。図３（ａ）は、被処理基盤７が左方向にαだけずれを生じた場合に、それに合わせてドットがαの距離だけ早く描画されるように、描画パルスのオフ期間を一時的にｐαだけ短くしたことを示す図である。

　また、例えば、被処理基盤７が本来の想定位置よりも右方向にずれを生じたような場合、描画パルスが一定の周波数でオン／オフを繰り返すと、描画されるドットは、想定描画位置よりも左にずれることになる。このような場合には、Ｘ軸ナノスケール１５が測定した被処理基盤７上の描画ドットのＸ位置データを取得した信号発生部５は、その後に描画されるドットが左にずれないように描画パルスのオフ期間を一時的に長くし、被処理基盤７の右方向のずれを打ち消すタイミングで描画パルスがオンするように、描画パルスを調整する。図３（ｂ）は、被処理基盤７が右方向にβだけずれを生じた場合に、それに合わせてドットがβの距離だけ遅く描画されるように、描画パルスのオフ期間を一時的にｐβだけ長くしたことを示す図である。

　このように、実施の形態１に係る描画装置１は、被処理基盤７がＸ（の左右）方向にずれを生じた場合でも、被処理基盤７の位置やワーク台座８の位置、若しくは、光学ヘッド３の位置を調整するのではなく、信号発生器５によって発光パルス（描画パルス）のオン／オフのタイミングを調整することで、描画されるドットのＸ方向の位置を調整する。更に、Ｘ軸ナノスケール１５は、被処理基盤７及び描画ドットのＸ位置を連続的に測定しており、この連続的に測定されるＸ位置データに基づいて、信号発生器５は、発光パルス（描画パルス）のオン／オフのタイミングを常時調整している。

　なお、信号発生部５により描画パルス信号が出力された後、光学ヘッド３が発光するまでの電気的な遅れについては、予め補正されている。即ち、被処理基盤７上に描画ドットが加工されるまでの遅れは、ワーク台座８の速度に応じて補正されている。

　図４は、ドットパターンの描画時の、パルス信号の調整処理のフローチャートである。最初に、描画パルス周波数、及び、ワーク台座８のＸ方向速度が、入力部６を介して設定される（ステップＳ１１）。ドット形成のためのレーザー光の露光を行う（ステップＳ１２）際に、常時連続的にＸ軸ナノスケール１５により、被処理基盤７上の描画ドットのＸ位置が測定（取得）される（ステップＳ１４）。被処理基盤７上の描画ドットのＸ位置がずれを生じた場合（ステップＳ１５・ＹＥＳ）には、即座にパルス発光のタイミングの調整値が計算され、これに基づき、描画パルス調整処理（ステップＳ１６）が行なわれる。なお、被処理基盤７がずれを生じない場合（ステップＳ１５・ＮＯ）には、描画パルス調整処理は行なわれない。描くべきドットが終了すれば（ステップＳ１３・ＹＥＳ）処理は終了となる。

　このように描画装置において、レーザー光により露光が行なわれている（ステップＳ１２）ときには、常時、ステップＳ１２からステップＳ１６の処理が繰り返されている。

４．行毎のドット位置のオフセット量の制御
　図５は、行毎にドット位置が揃うように為されるオフセット量の制御を説明するための図である。図５（ａ）は、往路方向にドットが描画される様子を示した図であり、図５（ｂ）は、復路方向にドットが描画される様子を示した図である。

　まず、図５（ａ）に示すように、発光パルス周波数によって設定される描画パルス信号に対応して、１行目の往路方向のドットが描画される。Ｘ軸ナノスケール１５、Ｙ１軸ナノスケール１６、Ｙ２軸ナノスケール１７は、描画終了位置を測定する。

　この後２行目の復路方向のドット描画において、１行目の描画終了位置に対する２行目の描画開始位置（特にＸ方向位置）を、ナノミクロンオーダーで合わせ込む必要がある。そこで、実施の形態１に係る描画装置１では、描画パルス信号にオフセット処理を行うことにより、行毎のドット位置の調整を行う。

　上述のオフセット処理では、まずＸ軸ナノスケール１５、Ｙ１軸ナノスケール１６、Ｙ２軸ナノスケール１７により取得された１行目の描画終了位置データから、軸制御ユニット１８は、２行目の描画開始目標位置を決定する。ここで２行目の描画開始目標位置のＸ位置は、１行目の描画終了位置と同じであり、２行目の描画開始目標位置のＹ位置は、１行目の描画終了位置のＹ位置に「（ｂ）Ｙ方向の描画ピッチの間隔を示すＹ方向描画ピッチ間隔設定値」を加えたものである。

　軸制御ユニット１８は、ワーク台座８の速度及び描画パルス信号の周波数に基づいて、その描画開始目標位置と実際の描画開始位置との差分値を、描画パルスの波長で表す形式で求める。差分値は、「半波長早い値」から「半波長遅い値」までの範囲となる。軸制御ユニット１８は、信号発生部５に対して、その差分値を描画パルス信号にオフセット量として加える処理を行うように命令する。信号発生部５はオフセット量を加えられた描画パルス信号を光学系制御ユニット４に与える。このことに基づいて、光学系制御ユニット４及び光学ヘッド３は、行毎のオフセット量を付加したドットパターン描画のためのレーザー光を発する。

　上述のオフセット処理においてオフセット量がゼロである場合、往路描画終了位置と復路描画開始位置のＸ位置とは一致することになるから、正方格子のドットパターンが描画される。

　入力部６において、「（ｃ）行毎のドット位置のオフセット量」を入力することにより、ドットパターンのオフセット量が設定される。例えば、オフセット量を「１／２」と設定すると、六方細密のドットパターンが描画される。同様にオフセット量を１／３、１／４・・・・と設定すると、偶数行において１／３、１／４・・・・ドット間隔がＸ方向にずれることになる。

　往路と復路とでは、ワーク台座８の移動方向が逆である。３行目の往路方向の描画においては、１行目の描画開始位置が基準とされる。

　なお、信号発生部５により描画パルス信号が出力された後、光学ヘッド３が発光するまでの電気的な遅れについては、予め補正されている。即ち、被処理基盤７上に描画ドットが加工されるまでの遅れは、ワーク台座８の速度に応じて補正されている。

　図６は、ドットパターンを描画するときの、行毎のドット位置のオフセット量の制御のフローチャートである。

　最初に、描画パルス周波数、ワーク台座のＸ方向速度、及び、行毎のドット位置のオフセット量が、入力部６を介して設定される（ステップＳ２１）。まず、１行目のＸ方向（往路方向）のドット描画が行なわれ、ワーク台座がＹ方向へ移動（シフト）する（ステップＳ２２）。その際、ＸＹステージに設置されたナノスケールにより、１行目の描画終了位置情報が測定され、信号発生器５に伝達される（ステップＳ２３）。

　続いて、信号発生器５にて、ワーク台座のＸ方向速度、及び描画パルス信号の周波数により、オフセット量を計算する（ステップＳ２４）。次に、描画パルス信号に対してオフセット処理し（ステップＳ２５）、２行目のＸ方向（復路方向）のドット描画が行なわれ、ワーク台座がＹ方向へ移動（シフト）する（ステップＳ２６）。露光エリア２２６の描画終了位置２２７まで、上述の往路・復路の描画が繰り返される（ステップＳ２７）。

　なお、上述の図６に示すフローチャートのステップＳ２２、Ｓ２６においては、図４に示すドットパターンの描画時のパルス信号の調整の処理を並行して常時実行することができる。

５．まとめ
　以上のように、実施の形態１に係る描画装置は、ナノスケールで連続的に測定する被処理基盤の描画ドットの位置情報に基づいて発光パルス信号のオン／オフのタイミングを調整することで、その後に描画されるドットの位置を調整する。このことにより、描画ドットについて、高精度の位置決めが高速で実現される。更に、実施の形態１に係る描画装置は、ナノスケールで測定する行毎の描画ドットの位置情報に基づいて、発光パルス信号のオン／オフのタイミングを調整することで、行毎のドット位置の調整を行う。このことにより、行毎のオフセット値を含めてドットが正確に描画される。

　本発明は、シリコンなどからなるウエハにレーザー光を用いて露光することで描画を行う描画装置に用いられる。特に、本発明は、ナノミクロンオーダーの高精度な位置決めが必要である、光学特性を制御する光学素子に対する描画装置として有用である。

１・・・描画装置、２・・・ＸＹステージ、３・・・光学ヘッド、４・・・光学系制御ユニット、５・・・信号発生器、６・・・入力部、７・・・被処理基盤、８・・・ワーク台座、９・・・Ｘ軸スライダー、１０・・・Ｙ１軸スライダー、１１・・・Ｙ２軸スライダー、１２・・・Ｘ軸ドライバ、１３・・・Ｙ１軸ドライバ、１４・・・Ｙ２軸ドライバ、１５・・・Ｘ軸ナノスケール、１６・・・Ｙ１軸ナノスケール、１７・・・Ｙ２軸ナノスケール、１８・・・軸制御ユニット、１９・・・Ｘ軸ナノスケールドライバ、２０・・・Ｙ１軸ナノスケールドライバ、２１・・・Ｙ２軸ナノスケールドライバ、２２・・・定盤、２３・・・除振台。

Claims (6)

1. 　所定の周波数のパルス信号を発する信号発生器と、
   　前記信号発生器の発するパルス信号のオン／オフに合わせてレーザー光を照射する光学系と、
   　レーザー光の照射を受けることにより描画ドットが形成される被照射基盤を載置する台座と、
   　前記台座を所定の方向に所定の速度で滑動させる駆動手段と、
   　被処理基盤上の描画ドットの位置を測定する位置測定手段と
   を備え、
   　前記信号発生器は、前記位置測定手段により測定された前記被処理基盤上の描画ドットの位置に基づいて、パルス信号を発するタイミングを調整することを特徴とする光学素子用の描画装置。
2. 　前記信号発生器は、前記位置測定手段により測定された被処理基盤上の描画ドットの位置と、前記信号発生部により算出される描画想定位置とが、差異を生じる場合、その後の描画ドットの位置が描画想定位置に近づくように、パルス信号を発するタイミングを調整することを特徴とする請求項１に記載の光学素子用の描画装置。
3. 　前記台座が滑動する所定の方向は、第１の往路方向と、第１の往路方向の逆方向である第１の復路方向を含んでおり、
   　前記信号発生器は、
   前記第１の往路方向の滑動時に形成された描画ドットについての、前記ナノスケールにより測定された位置と、前記信号発生部により算出される前記第２の復路方向の滑動時に形成される描画ドットの描画想定位置とに基づいて、パルス信号を発するタイミングを調整することを特徴とする請求項１に記載の光学素子用の描画装置。
4. 　所定の周波数のパルス信号を発する信号発生工程と、
   　前記パルス信号のオン／オフに合わせてレーザー光を照射するレーザー照射工程と、
   　レーザー光の照射を受けることにより描画ドットが形成される被照射基盤を載置する台座を、所定の方向に所定の速度で滑動させる滑動工程と、
   　被処理基盤上の描画ドットの位置を測定する位置測定工程と
   を含み、
   　前記信号発生工程では、前記位置測定工程にて測定された前記被処理基盤上の描画ドットの位置に基づいて、パルス信号を発するタイミングが調整されることを特徴とする光学素子上の描画方法。
5. 　前記信号発生工程では、前記位置測定工程にて測定された被処理基盤上の描画ドットの位置と、描画想定位置とが、差異を生じる場合、その後の描画ドットの位置が描画想定位置に近づくように、パルス信号を発するタイミングが調整されることを特徴とする請求項４に記載の光学素子上の描画方法。
6. 　前記台座が滑動する所定の方向は、第１の往路方向と、第１の往路方向の逆方向である第１の復路方向を含んでおり、
   　前記信号発生工程では、
   前記第１の往路方向の滑動時に形成された描画ドットについての、前記位置測定工程にて測定された位置と、前記第２の復路方向の滑動時に形成される描画ドットの描画想定位置とに基づいて、パルス信号を発するタイミングが調整されることを特徴とする請求項４に記載の光学素子上の描画方法。

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