WO2011078594A3 - 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법 - Google Patents

나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센싱부인 실리콘 나노와이어가 중앙부에 형성되어 있고, 상기 나노와이어 하부 실리콘 몸체는 식각되어 있는 제 1 기판; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 제 1 기판 상에 형성된 전극층; 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 전극층을 노출시키는 구조로 코팅되어 있는 멤브레인 막; 상기 센싱부를 기준으로 양분된 기판 상의 멤브레인 막에 형성되는 접착층; 상기 접착층 상에 부착되며, 상기 전극 및 중앙 센싱부가 외부로 노출되도록 식각된 제 2 기판을 포함하는 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰에 관한 것이다.
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