KR20080106739A - 마이크로폰 - Google Patents

마이크로폰 Download PDF

Info

Publication number
KR20080106739A
KR20080106739A KR1020070054551A KR20070054551A KR20080106739A KR 20080106739 A KR20080106739 A KR 20080106739A KR 1020070054551 A KR1020070054551 A KR 1020070054551A KR 20070054551 A KR20070054551 A KR 20070054551A KR 20080106739 A KR20080106739 A KR 20080106739A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor substrate
microphone
lower electrode
insulating layer
thin film
Prior art date
Application number
KR1020070054551A
Other languages
English (en)
Inventor
김영식
이영주
조일주
정치환
남효진
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020070054551A priority Critical patent/KR20080106739A/ko
Publication of KR20080106739A publication Critical patent/KR20080106739A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
    • H04R19/016—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H04R31/006—Interconnection of transducer parts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로폰에 관한 것으로, 제 1과 2 절연막 사이에 전하가 주입된 플로우팅(Floating) 박막이 형성되어 있어 외부 전원이 필요가 없게 됨으로, 마이크로폰을 구비한 시스템의 구성을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
더불어, 본 발명은 나노 결정 구조의 플로우팅 박막을 형성하여, 주입된 전하를 많이 포획할 수 있어 마이크로폰의 감도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
게다가, 본 발명은 마이크로폰 제작시 반도체 공정과 같이 일괄 공정으로 가능하기 때문에 조립공정이 필요가 없는 효과가 있다.
마이크로폰, 플로우팅, 박막, 전하, 멤브레인, 전원

Description

마이크로폰 { Microphone }
도 1은 종래 기술에 따른 콘덴서 마이크로폰을 설명하기 위한 개념도
도 2는 종래 기술에 따른 다른 마이크로폰을 설명하기 위한 개념도
도 3a 내지 3i는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로폰에서 제 1 절연막이 노출된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평면도
도 6a 내지 6e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도
도 8a 내지 8f는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100,200,300 : 반도체 기판 111,211,311 : 하부 전극
112,150,220 : 홈 120,140,240,260,330,350 : 절연막
130,250,340 : 플로우팅(Floating) 박막 패턴
151,221,371 : 홀(Hole)
160,230,320 : 희생층(Sacrificial layer)
170,270,360 : 상부 전극
본 발명은 마이크로폰에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부 전원이 필요없는 마이크로폰에 관한 것이다.
현재 마이크로폰(Microphone)에서 많이 사용하고 있는 종류는 EMC(Electret Condenser Microphone)와 콘덴서 마이크로폰(Condenser Microphone) 장치이다.
도 1은 종래 기술에 따른 콘덴서 마이크로폰을 설명하기 위한 개념도로서, 콘덴서 마이크로폰은 캐패시터 구조를 갖고 있으며, 음압(Acoustic Force)에 따라 다이아프램(Diaphragm)의 변화로 인해 나타나는 캐패시턴스(Capacitance)값의 변화를 감지하는 원리이다.
이 구조의 경우, 캐패시턴스(Capacitance)의 변화를 측정하기 위해 외부 전압(Vbias)를 인가해야 하는 단점이 있지만, 제조상 CMOS와 집적이 용이하고 넓은 주파수 응답특성의 장점을 가지고 있다.
도 2는 종래 기술에 따른 다른 마이크로폰을 설명하기 위한 개념도로서, 이 마이크로폰은 멤즈(Micro-Electro-Mechanical System, MEMS) 공정으로 제작된 마이크로폰이다.
이 마이크로폰은 리지드(Rigid)한 백플레이트(Backplate)(10)와 얇은 다이아프램(Diaphragm)(20)으로 구성되어 있고, 이들 둘은 캐패시터의 양 전극단을 포함하고 있다.
본 발명은 제 1과 2 절연막 사이에 전하가 주입된 플로우팅(Floating) 박막이 형성되어 있어 외부 전원이 필요가 없게 됨으로, 마이크로폰을 구비한 시스템의 구성을 단순화시킬 수 있는 마이크로폰을 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 나노 결정 구조의 플로우팅 박막을 형성하여, 주입된 전하를 많이 포획할 수 있어 마이크로폰의 감도를 향상시킬 수 있는 마이크로폰을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 마이크로폰 제작시 반도체 공정과 같이 일괄 공정으로 가능하기 때문에 조립공정이 필요가 없는 마이크로폰을 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는,
반도체 기판과;
상기 반도체 기판 상부에 형성된 하부 전극과;
상기 하부 전극 상에 형성된 제 1 절연막과;
상기 제 1 절연막 상부에 형성되고, 전하가 주입된 플로우팅(Floating) 박막 패턴과;
상기 플로우팅 박막 패턴을 감싸며, 상기 제 1 절연막 상부에 형성된 제 2 절연막과;
상기 제 2 절연막 상부로부터 떠있는 상부 전극으로 구성되며,
상기 반도체 기판은 일부가 제거되어 상기 제 1 절연막이 노출되어 있고, 상기 제 1과 2 절연막이 관통된 홀(Hole)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰이 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 다른 양태(樣態)는,
반도체 기판과;
상기 반도체 기판 상부에 형성되고, 관통홀들이 형성되어 있는 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 상기 관통홀들이 형성된 하부 전극 영역으로부터 떠있는 제 1 절연막과;
상기 제 1 절연막 상부에 형성되고, 이온이 주입된 플로우팅 박막과;
상기 플로우팅 박막을 감싸며, 상기 제 1 절연막 상부에 형성된 제 2 절연막 과;
상기 제 2 절연막 상부에 패터닝되어 있는 상부 전극으로 구성되며,
상기 반도체 기판은 일부가 제거되어 상기 관통홀들이 형성된 하부 전극 영역이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰이 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 또 다른 양태(樣態)는,
반도체 기판과;
상기 반도체 기판 상부에 형성된 하부 전극과;
상기 하부 전극 상에 형성되고, 관통홀들이 형성되어 있고, 상기 관통홀들이 형성되어 있는 영역이 상기 하부 전극으로부터 떠있는 제 1 절연막과;
상기 제 1 절연막 상부에 형성되고, 이온이 주입된 플로우팅 박막 패턴과;
상기 플로팅 박막 패턴을 감싸며, 상기 제 1 절연막 상부에 형성된 제 2 절연막과;
상기 제 2 절연막 상부에 패터닝되어 있는 상부 전극으로 구성되며,
상기 반도체 기판은 일부가 제거되어 상기 하부 전극 영역이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰이 제공된다
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3i는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 반도체 기판(100) 상부에 불순물을 도핑하여 저항을 낮춘다.(도 3a)
이렇게, 불순물이 도핑된 반도체 기판 상부 영역(110)은 전하들이 이동할 수 있는 전극 라인이 되는 것이므로, 후술되는 캐패시터 구조의 마이크로폰에서 하부 전극이 된다.
상기 캐패시터 구조는 음압(Acoustic Force)에 따라 하부 전극과 상부 전극 사이의 캐패시턴스(Capacitance)값이 변화되는 것을 감지하는 구조이다.
그 후, 상기 불순물이 도핑된 반도체 기판 상부 영역(110)의 일부를 도 3b와 같이 제거하여 제 1 홈(112)을 형성한다.
이어서, 상기 반도체 기판(100) 상부에 제 1 절연막(120)을 형성한다.(도 3c)
연이어, 상기 제 1 홈(112)이 있는 영역의 제 1 절연막(120) 상부에 플로우팅 박막 패턴(130)을 형성한다.(도 3d)
여기서, 상기 플로우팅 박막 패턴(130)은 나노 결정(Nanocrystal) 구조를 갖는 물질인 것이 바람직하다.
이때, 비정질 실리콘으로 형성된 나노 결정 구조가 더 바람직하다.
이러한, 나노 결정 구조는 표면적이 넓기 때문에, 각 표면적에 존재하는 전하 트랩(Trap)이 많이 존재하여, 후술되는 전자 주입 공정시 많은 전하를 안정적으로 포획할 확률이 높은 장점이 있다.
한편, 나노 결정을 형성하는 방법에는 에어로졸(Aerosol) 기술, 이온 임플랜테이션(Ion-Implantation) 기술과, DCVD(Direct chemical vapor deposition) 기술 등이 있다.
계속하여, 상기 플로우팅 박막 패턴(130)을 감싸며, 상기 제 1 절연막(120) 상부에 제 2 절연막(140)을 형성한다.(도 3e)
상기 제 1과 2 절연막(120,140)은 Si3N4막, SiO2막, AlO3막, ONO(Oxide-Nitride-Oxide)막 중 하나인 것이 바람직하다.
그 다음, 상기 제 1과 2 절연막(120,140)을 제거하여 복수개의 제 2 홈들(150)을 형성한다.(도 3f)
이어, 상기 제 2 홈들(150)을 채우며, 상기 제 2 절연막(140) 상부에 패터닝된 희생층(160)을 형성한다.(도 3g)
그 후, 상기 패터닝된 희생층(160)을 감싸며, 상부전극(170)을 형성한다.(도 3h)
계속, 상기 제 1 절연막(120)이 노출되도록 상기 반도체 기판(100)의 하부를 제거하고, 상기 플로우팅 박막 패턴(130)에 전하를 주입한 후, 상기 희생층(160)을 제거한다.(도 3i)
여기서, 상기 희생층(160)의 제거로, 상기 상부전극(170)은 다이아프램(Diaphragm)막이 된다.
그리고, 상기 전하를 주입하는 공정은 p-n 역방향 항복(Break down)으로 전하를 주입하는 방법, 레이저 또는 X-ray 등 광학적으로 핫 캐리어(Hot carrier)를 발생시켜 전하를 주입하는 방법, 코로나 방전으로 전자를 주입하는 방법, 이온화된 이온을 주입하는 방법 등이 있다.
본 발명에서는 반도체 기판(100)에 B,As,P 등의 불순물을 이온 상태로 주입하는 방법, 전자총을 이용하여 전자를 주입하는 방법, 코로나 방전 또는 플라즈마를 이용하여 주입하는 방법 등을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 기판(100)의 하부를 제거하는 것은 상기 반도체 기판(100)이 실리콘 기판인 경우, RIE(Reactive Ion Etching) 식각하는 방법, TMAH/EDP/KOH 등의 식각 용액으로 식각하는 방법, XeF2로 식각하는 방법 등이 있다.
한편, 상기 제 1 절연막(120)이 노출되도록 반도체 기판(100)의 하부를 제거하면, 상기 제 1 절연막(120)은 전하가 주입되는 윈도우(Window) 기능을 수행한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도로서, 제 1 실시예의 마이크로폰은 반도체 기판(100)과; 상기 반도체 기판(100) 상부에 형성된 하부 전극(111)과; 상기 하부 전극(111) 상에 형성된 제 1 절연막(120)과; 상기 제 1 절연막(120) 상부에 형성되고, 전하가 주입된 플로우팅(Floating) 박막 패턴(130)과; 상기 플로우팅 박막 패턴(130)을 감싸며, 상기 제 1 절연막(120) 상 부에 형성된 제 2 절연막(140)과; 상기 제 2 절연막(140) 상부로부터 떠있는 상부 전극으로 구성되며, 상기 반도체 기판(100)은 일부가 제거되어 상기 제 1 절연막(120)이 노출되어 있고, 상기 제 1과 2 절연막(120,140)이 관통된 홀(Hole)(151)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 플로우팅 박막 패턴(130)은 제 1과 2 절연막(120,140) 사이에, 전하를 저장하고 있기 때문에, '플로우팅(Floating) 박막'이라 정의한다.
그리고, 상기 상부 전극은 상기 제 2 절연막(140) 상부로부터 떠있는 다이아프램(Diaphragm)의 역할을 수행함으로써, 금속, 폴리 실리콘과 실리사이드 중 하나로 형성한다.
또한, 도 4의 홀(151)은 공기의 흐름을 원활하게 하기 위해서 존재하는 것이다. 즉, 상기 홀(151)로 음향이 입력된다.
그리고, 상기 하부 전극은 상기 반도체 기판(100)에 불순물이 도핑된 영역, 금속과 실리 사이드 중 하나로 형성한다.
게다가, 상기 반도체 기판(100)은 실리콘 기판이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로폰에서 제 1 절연막이 노출된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평면도로서, 반도체 기판의 하부가 제거되어 노출된 제 1 절연막에는 적어도 하나 이상의 홀(151)이 형성되어 있다.
이 홀(151)로 음향이 입력되고, 제 1 실시예의 마이크로폰은 이 음향을 감지 하게 된다.
즉, 도 4를 참조하면, 상기 홀(151)로 입력된 음향이 멤브레인의 역할을 수행하는 상부 전극(160)에 압력을 인가하게 되어 상기 상부 전극(160)은 진동하게 된다.
이때, 상기 상부 전극(160)과 하부 전극 사이의 캐패시턴스값이 변하게 되는 것이다.
도 6a 내지 6e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 반도체 기판(200) 상부에 불순물을 도핑하여 저항을 낮춘 다음, 상기 불순물이 도핑된 반도체 기판 일부(210)를 제거하여 복수개의 제 1 홈들(220)을 형성한다.(도 6a)
이어서, 상기 복수개의 제 1 홈들(220)을 채우는 희생층(Sacrificial layer)(230)을 형성한다.(도 6b)
계속, 상기 희생층(230)을 감싸며 상기 반도체 기판(200) 상부에 제 1 절연막(240)을 형성하고, 상기 희생층(230) 상측에 있는 제 1 절연막(240) 상부에 플로우팅 박막(250)을 형성하고, 상기 플로우팅 박막(250)을 감싸며 상기 제 1 절연막 (240) 상부에 제 2 절연막(260)을 형성한다.(도 6c)
그 다음, 상기 제 2 절연막(260) 상부에 패턴된 상부 전극(270)을 형성하고, 상기 상부 전극(270)의 패턴 사이를 통하여 상기 플로우팅 박막(250)에 전하를 주입한다.(도 6d)
연이어, 상기 희생층(230)이 노출되도록 상기 반도체 기판(200) 하부를 식각하고, 상기 희생층(230)을 제거한다.(도 6e)
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도로서, 제 2 실시예의 마이크로폰은 반도체 기판(200)과; 상기 반도체 기판(200) 상부에 형성되고, 관통홀들(221)이 형성되어 있는 하부 전극(211)과; 상기 하부 전극(211) 상에 형성되고, 상기 관통홀들(221)이 형성된 하부 전극(211) 영역으로부터 떠있는 제 1 절연막(240)과; 상기 제 1 절연막(240) 상부에 형성되고, 이온이 주입된 플로우팅 박막(250)과; 상기 플로우팅 박막(250)을 감싸며, 상기 제 1 절연막(240) 상부에 형성된 제 2 절연막(260)과; 상기 제 2 절연막(260) 상부에 패터닝되어 있는 상부 전극(270)으로 구성되며, 상기 반도체 기판(200)은 일부가 제거되어 상기 관통홀들(220)이 형성된 하부 전극(211) 영역이 노출되어 있다.
본 발명의 제 2 실시예의 마이크로폰은 제 1 실시예의 마이크로폰 및 후술되는 제 3 실시예의 마이크로폰과 비교하여, 플로우팅 박막은 동일하게 구비하고 있지만, 다른 구조로 형성되어 있다.
도 8a 내지 8f는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 반도체 기판(300) 상부에 불순물을 도핑하여 저항을 낮춘 다음, 상기 반도체 기판(300) 상부에 희생층(320)을 형성한다.(도 8a)
전술된 실시예와 같이, 상기 불순물이 도핑된 반도체 기판 상부 영역(310)은 마이크로폰의 하부 전극이 된다.
그 다음, 상기 희생층(320)을 감싸며, 상기 반도체 기판(300) 상부에 제 1 절연막(330)을 형성한다.(도 8b)
연이어, 상기 제 1 절연막(330) 상부에 플로우팅 박막 패턴(340)을 형성하고, 상기 플로우팅 박막 패턴(340)을 감싸며 제 2 절연막(350)을 형성하고, 상기 플로우팅 박막 패턴(340) 상측의 제 2 절연막(350) 상부에 패턴된 상부 전극(360)을 형성한다.(도 8c)
계속하여, 상기 상부 전극(360)의 패턴 사이의 제 1과 2 절연막(330,350) 및 희생층(320)을 제거한다.(도 8d)
그 후, 상기 상부 전극(360)의 패턴 사이를 통하여 상기 플로우팅 박막 패턴(340)에 전하를 주입한다.(도 8e)
이어서, 상기 희생층(320)을 제거하고, 상기 불순물이 도핑된 기판 영역(310)이 노출되도록 상기 반도체 기판(300) 하부를 식각하고, 상기 희생층(320)을 제거한다.(도 8f)
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도로서, 제 3 실시예의 마이크로폰은 반도체 기판(300)과; 상기 반도체 기판(300) 상부에 형성된 하부 전극(311)과; 상기 하부 전극(311) 상에 형성되고, 관통홀들(371)이 형성되어 있고, 상기 관통홀들(371)이 형성되어 있는 영역이 상기 하부 전극(310)으로부터 떠있는 제 1 절연막(330)과; 상기 제 1 절연막(330) 상부에 형성되고, 이 온이 주입된 플로우팅 박막 패턴(340)과; 상기 플로팅 박막 패턴(340)을 감싸며, 상기 제 1 절연막(330) 상부에 형성된 제 2 절연막(350)과; 상기 제 2 절연막(350) 상부에 패터닝되어 있는 상부 전극(360)으로 구성되며, 상기 반도체 기판(300)은 일부가 제거되어 상기 하부 전극(311) 영역이 노출되어 있다.
전술된 바와 같이, 본 발명의 마이크로폰은 홀(Hole)로 음향이 입력되고, 이 홀로 입력된 음향의 압력에 의해 멤브레인(Membrane)이 진동하게 된다.
그러므로, 음향의 압력에 의해 상부 및 하부 전극 사이의 캐패시턴스값이 변하게 되어 음향을 감지할 수 있게 된다.
그리고, 본 발명은 마이크로폰 구조의 제 1과 2 절연막 사이에 전하가 주입된 플로우팅 박막이 형성되어 있어 외부 전원이 필요가 없게 됨으로, 마이크로폰을 구비한 시스템을 단순화시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 마이크로폰 제작시 반도체 공정과 같이 일괄 공정으로 가능하기 때문에 조립공정이 필요가 없으며, 높은 온도에서도 신뢰성을 확보할 수 있으므로 SMT(Surface Mount)가 가능하여, CMOS와 집적이 용이한 장점이 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 제 1과 2 절연막 사이에 전하가 주입된 플로우팅(Floating) 박막이 형성되어 있어 외부 전원이 필요가 없게 됨으로써, 마이크로폰을 구비한 시스템의 구성을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
더불어, 본 발명은 나노 결정 구조의 플로우팅 박막을 형성하여, 주입된 전하를 많이 포획할 수 있어 마이크로폰의 감도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
게다가, 본 발명은 마이크로폰 제작시 반도체 공정과 같이 일괄 공정으로 가능하기 때문에 조립공정이 필요가 없는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (8)

  1. 반도체 기판과;
    상기 반도체 기판 상부에 형성된 하부 전극과;
    상기 하부 전극 상에 형성된 제 1 절연막과;
    상기 제 1 절연막 상부에 형성되고, 전하가 주입된 플로우팅(Floating) 박막 패턴과;
    상기 플로우팅 박막 패턴을 감싸며, 상기 제 1 절연막 상부에 형성된 제 2 절연막과;
    상기 제 2 절연막 상부로부터 떠있는 상부 전극으로 구성되며,
    상기 반도체 기판은 일부가 제거되어 상기 제 1 절연막이 노출되어 있고, 상기 제 1과 2 절연막이 관통된 홀(Hole)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이 크로폰.
  2. 반도체 기판과;
    상기 반도체 기판 상부에 형성되고, 관통홀들이 형성되어 있는 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 상기 관통홀들이 형성된 하부 전극 영역으로부터 떠있는 제 1 절연막과;
    상기 제 1 절연막 상부에 형성되고, 이온이 주입된 플로우팅 박막과;
    상기 플로우팅 박막을 감싸며, 상기 제 1 절연막 상부에 형성된 제 2 절연막과;
    상기 제 2 절연막 상부에 패터닝되어 있는 상부 전극으로 구성되며,
    상기 반도체 기판은 일부가 제거되어 상기 관통홀들이 형성된 하부 전극 영역이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰.
  3. 반도체 기판과;
    상기 반도체 기판 상부에 형성된 하부 전극과;
    상기 하부 전극 상에 형성되고, 관통홀들이 형성되어 있고, 상기 관통홀들이 형성되어 있는 영역이 상기 하부 전극으로부터 떠있는 제 1 절연막과;
    상기 제 1 절연막 상부에 형성되고, 이온이 주입된 플로우팅 박막 패턴과;
    상기 플로팅 박막 패턴을 감싸며, 상기 제 1 절연막 상부에 형성된 제 2 절연막과;
    상기 제 2 절연막 상부에 패터닝되어 있는 상부 전극으로 구성되며,
    상기 반도체 기판은 일부가 제거되어 상기 하부 전극 영역이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 한 항에 있어서,
    상기 플로우팅 박막 패턴은,
    나노 결정(Nanocrystal) 구조를 갖는 물질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 한 항에 있어서,
    상기 제 1과 2 절연막은,
    Si3N4막, SiO2막, AlO3막, ONO(Oxide-Nitride-Oxide)막 중 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로폰.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 한 항에 있어서,
    상기 상부 전극은,
    금속, 폴리 실리콘과 실리사이드 중 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 한 항에 있어서,
    상기 하부 전극은,
    상기 반도체 기판에 불순물이 도핑된 영역, 금속과 실리 사이드 중 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로폰.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 한 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은,
    실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 마이크로폰.
KR1020070054551A 2007-06-04 2007-06-04 마이크로폰 KR20080106739A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070054551A KR20080106739A (ko) 2007-06-04 2007-06-04 마이크로폰

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070054551A KR20080106739A (ko) 2007-06-04 2007-06-04 마이크로폰

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080106739A true KR20080106739A (ko) 2008-12-09

Family

ID=40367336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070054551A KR20080106739A (ko) 2007-06-04 2007-06-04 마이크로폰

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080106739A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101040090B1 (ko) * 2009-12-23 2011-06-09 전자부품연구원 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101040090B1 (ko) * 2009-12-23 2011-06-09 전자부품연구원 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법
WO2011078594A2 (ko) * 2009-12-23 2011-06-30 전자부품연구원 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법
WO2011078594A3 (ko) * 2009-12-23 2011-11-03 전자부품연구원 나노와이어를 이용하는 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102511103B1 (ko) 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법
US10669151B2 (en) Double-membrane MEMS component and production method for a double-membrane MEMS component
KR102486586B1 (ko) 멤스 마이크로폰의 제조 방법
US6677176B2 (en) Method of manufacturing an integrated electronic microphone having a floating gate electrode
US8098870B2 (en) Silicon microphone
US9181080B2 (en) MEMS microphone with low pressure region between diaphragm and counter electrode
US7902615B2 (en) Micromechanical structure for receiving and/or generating acoustic signals, method for producing a micromechanical structure, and use of a micromechanical structure
JP2008524617A (ja) マイクロマシニングによる容量式のセンサエレメント
KR102322257B1 (ko) 마이크로폰 및 그 제조 방법
US8165324B2 (en) Micromechanical component and method for its production
KR20080023313A (ko) Ｍｅｍｓ 구성요소 제조 방법
CN104902400A (zh) 用于感测压力波以及环境压力的变化的mems传感器结构
KR101980785B1 (ko) 멤스 음향 센서의 백 플레이트 구조물 및 그 제조 방법
US8569850B2 (en) Ultra low pressure sensor
CN210168227U (zh) Mems麦克风
US20180152791A1 (en) Mems microphone having reduced leakage current and method of manufacturing the same
JP2007243757A (ja) コンデンサマイクロホン
KR102091854B1 (ko) 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법
KR20080106739A (ko) 마이크로폰
US20200145762A1 (en) Acoustic device and method of forming the same
KR102486582B1 (ko) 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법
KR101300749B1 (ko) 음향 센서 및 이의 제조 방법
JP4587126B2 (ja) コンデンサマイクロホン及びコンデンサマイクロホンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application