WO2011062362A2 - 양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치 - Google Patents

양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치 Download PDF

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WO2011062362A2
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light
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김윤회
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주식회사 탑 엔지니어링
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    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Definitions

  • the present invention relates to a method and apparatus for repairing a light emitting diode, and in particular, by measuring a light emitting characteristic value of a manufactured light emitting diode (LED) and coating the light emitting diode classified by the class of the light emitting characteristic with a quantum dot mixed solution.
  • the present invention relates to a method and apparatus for repairing a light emitting diode capable of repairing a light emitting diode as a good product having improved light emission color or brightness and improving production yield by forming a quantum dot layer.
  • LEDs are manufactured based on III-V nitride semiconductors such as GaN.
  • LED is basically manufactured by joining P-type nitride semiconductor layer and N-type nitride semiconductor layer to which P-type or N-type impurity is added to the above-mentioned nitride semiconductor, P-type nitride semiconductor layer and N-type nitride semiconductor An active layer is placed between the layers to increase the recombination rate of the electron-holes, thereby improving the brightness characteristics of the LED.
  • a general LED is manufactured such that each of the P-type nitride semiconductor layer and the N-type nitride semiconductor layer is connected to an external electrode, and the LEDs supplied with power to the two electrodes may emit light having a visible wavelength.
  • an LED coated with a fluorescent layer on the multilayer structure as described above may be manufactured, and the LED having such a structure may improve luminance characteristics.
  • an LED coated with a quantum dot layer may be manufactured on the multilayer structure as described above, and the LED having such a structure may change light emission colors or improve luminance characteristics.
  • an LED having a structure emitting blue light may be an LED emitting white light by applying a quantum dot layer for emitting light in a yellow wavelength band before applying the quantum dot layer.
  • the LED may be manufactured in a structure in which a quantum dot layer is appropriately inserted at an appropriate position of the basic LED structure in addition to the basic structure consisting of a P-type nitride semiconductor layer, an active layer, and an N-type nitride semiconductor layer.
  • a fluorescent layer, a quantum dot layer, etc. to the outside of the uppermost layer of the layer, a high brightness LED of various emission colors may be manufactured.
  • the LEDs are judged to be defective by applying power to the LEDs and measuring the emission intensity of the light emitted from the LEDs using a photodetector in the production test step after all the manufacturing processes. do. Since the production yield of the LED affects the selling price, in order to produce a high luminous efficiency at low cost, it is necessary to reduce the defective products by improving the color or luminance characteristics of the LED determined as defective.
  • an object of the present invention is to measure the light emitting property value of the manufactured light emitting diodes and to coat the light emitting diodes classified by the class of light emitting characteristics with a quantum dot mixed solution to form a quantum dot layer
  • the present invention provides a method and apparatus for repairing a light emitting diode capable of repairing a light emitting diode as a good product having improved light emission color or brightness and improving production yield.
  • a method of repairing a light emitting diode the first step of determining the light emitting characteristic value by measuring the light emitting characteristic value of the light emitting diode; Determining a repair quantum dot corresponding to the emission class; And forming a quantum dot layer corresponding to the repair quantum dot on an uppermost layer of the light emitting diode.
  • the light emitting diode when the light emitting grade is higher than the standard light emitting grade, the light emitting diode is classified as good, and when the light emitting grade is smaller than the reference light emitting grade, the light emitting diode is classified as a defective product to correspond to the light emitting grade. Determine the repair quantum dot.
  • the third step may include applying a quantum dot mixture solution corresponding to the repair quantum dot on the top layer of the light emitting diode; And drying the coated quantum dot mixture solution.
  • a repair apparatus of a light emitting diode for measuring the light emission characteristic value of the light emitting diode;
  • a quantum dot selector for determining a light emission class of the measured light emission characteristic value and a repair quantum dot corresponding to the light emission class;
  • a quantum dot dispenser applying a quantum dot mixed solution corresponding to the repair quantum dot on an uppermost layer of the light emitting diode;
  • a first dryer for drying the coated quantum dot mixture solution, wherein the quantum dot mixture solution is coated with the quantum dot dispenser and the quantum dot mixed solution is dried using the first drier to form a quantum dot on the top layer of the light emitting diode. Form a layer.
  • the repair apparatus of the light emitting diode may include a second photodetector configured to measure a light emission characteristic of the light emitting diode on which the quantum dot layer is formed; And a goodness determiner for determining whether a light emission grade of the light emission characteristic value measured by the second photodetector is equal to or higher than a reference light emission grade.
  • the quantum dot dispenser includes a plurality of nozzles corresponding to a plurality of repair quantum dots, and applies the quantum dot mixed solution through a nozzle corresponding to the repair quantum dot.
  • the repair apparatus of the light emitting diode may include a protective film applicator for applying a protective film of a transparent material on the quantum dot layer; And a second dryer for drying the coated protective film.
  • the quantum dot selector may include a light emission class determining unit configured to determine the light emission class with respect to light emission characteristic values from the first photodetector or the second photodetector; And a quantum dot determination unit configured to determine a repair quantum dot corresponding to the emission class by referring to information of a database in which information on the type of the quantum dot is stored for each emission class.
  • the quantum dot selector further includes a good quality transfer unit configured to transfer a corresponding light emitting diode having a light emission grade determined by the light emission grade determiner to a reference light emission class to a good quality collector.
  • the repair apparatus of the light emitting diode has a plurality of light emitting diodes inserted in each jig, and after the measurement of the light emission characteristic value of the first photodetector, the plurality of light emitting diodes are sequentially supplied to the lower portion of the first photodetector one by one.
  • the feeder further includes.
  • the method of repairing a light emitting diode by measuring the light emitting characteristic value of a plurality of light emitting diodes to determine the light emitting class for the measured light emitting characteristic value, the plurality of light emitting diodes for each light emitting class A first step of classifying them; A second step of collecting and classifying the classified light emitting diodes in different paths for each of the light emitting classes, and determining repair quantum dots corresponding to each light emitting class; And a third step of forming different quantum dot layers corresponding to the repair quantum dots determined for each emission class on the uppermost layer of each of the plurality of collected light emitting diodes.
  • the light emitting diode when the light emitting grade is higher than the standard light emitting grade, the light emitting diode is classified as good, and when the light emitting grade is smaller than the reference light emitting grade, the light emitting diode is classified as a defective product to correspond to the light emitting grade. Determine the repair quantum dot.
  • the third step further comprising the step of re-measuring the light emission characteristic value of the plurality of light emitting diodes with the quantum dot layer is determined whether the light emission grade of the re-measured light emission characteristic value is higher than the reference light emission rating.
  • the repair apparatus of a light emitting diode may determine the light emission characteristic of the measured light emission characteristic by measuring light emission characteristic values of a plurality of light emitting diodes, Classifier to classify; Transfer means for transferring the classified plurality of light emitting diodes in different paths for each of the light emission classes; A plurality of collectors collecting the light emitting diodes transferred to the different paths in each jig according to the light emission class; And a plurality of repair groups for forming and repairing a quantum dot layer corresponding to each of the plurality of collectors on a top layer of the plurality of light emitting diodes collected in each of the plurality of collectors.
  • Each of the plurality of repairers may include a feeder sequentially supplying the plurality of light emitting diodes collected in the jig one by one; A quantum dot dispenser for applying a quantum dot mixed solution on the uppermost layer of the light emitting diode supplied from the feeder; And a first dryer for drying the coated quantum dot mixed solution, wherein the quantum dot mixed solution using the quantum dot dispenser and the drying of the quantum dot mixed solution using the first drier are disposed on the top layer of the quantum dot. Form a layer.
  • Each of the repair groups may include a photodetector configured to measure a light emission characteristic of the light emitting diode on which the quantum dot layer is formed; And a goodness determiner for determining whether a light emission grade of the light emission characteristic value measured by the photodetector is equal to or greater than a reference light emission grade.
  • Each of the repair groups may include a protective film applicator for applying a protective film of a transparent material on the quantum dot layer; And a second dryer for drying the coated protective film.
  • the classifier transfers the light emitting diode having the light emission rating of the measured light emission characteristic value equal to or higher than the mood emission rating to the good collector.
  • the method and apparatus for repairing a light emitting diode by producing a quantum dot layer by applying a light emitting diode that needs improvement of light emission characteristics with a quantum dot mixture solution, the light emitting diode is repaired with a light emitting diode having improved light emission color or luminance, thereby producing a yield. Can improve.
  • 1 is an example of the structure of a general light emitting diode.
  • 2 is another example of a structure of a general light emitting diode.
  • 3 is another example of a structure of a general light emitting diode.
  • FIG. 4 is a view for explaining a repair device of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating an operation of a repair apparatus of a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a view for explaining a database of necessary quantum dot information according to the light emitting class of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a block diagram of a quantum dot selector according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a view for explaining a repair device of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a flowchart illustrating an operation of a repair apparatus of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a general CIE color coordinate system.
  • FIG 4 is a view for explaining a repair device 100 of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • the repair apparatus 100 for a light emitting diode may include a conveyor system 110, a feeder 120, a first photodetector 130, and a quantum dot. Selector 131, quantum dot dispenser 140, first dryer 150, protective applicator 160, second dryer 170, second photodetector 180, good quality judge ( 181), and a good quality collector 190.
  • the power supply is applied in the production test step of the manufactured LED, and the light emission characteristic value of the light emitted from the LED is measured by using the first photodetector 130, and thus the digital value of the measured light emission characteristic value, that is, the color or luminance is measured.
  • a quantum dot layer is formed on the top layer of the semiconductor laminated structure constituting each LED, so that the LED can be repaired as a good product having improved light emission color or brightness.
  • a repair apparatus 100 of a light emitting diode is disclosed.
  • the feeder 120 includes a plurality of LEDs inserted into each jig, and sequentially supplies diodes to the lower portion of the first photodetector 130 one by one (S11). After the LED inserted in the jig supplied from the feeder 120 is measured by the first photodetector 130, the conveyor system 110 may transfer the measured LED to the bottom of the quantum dot dispenser 140, The next LED is supplied to the lower portion of the first photodetector 130.
  • the first photodetector 130 measures a light emission characteristic value of the LED inserted into the jig supplied from the feeder 120 (S12).
  • the LED inserted into the jig and fixed may emit light by receiving power through a predetermined terminal capable of supplying power.
  • the light emission characteristic value measured by the first photodetector 130 includes a digital value for color or luminance.
  • the first photodetector 130 may generate information (digital value) regarding the color of light through the spectrum (or wavelength) analysis of the input light, or the light emission intensity of the input light. The information about the luminance of the light may be generated through the analysis of.
  • the quantum dot selector 131 determines the emission class with respect to the light emission characteristic value measured by the first photodetector 130 to classify the LEDs measured by the first photodetector 130 as good or defective, and the database as shown in FIG. 6.
  • the repair quantum dot corresponding to the corresponding emission class is determined with reference to the information (S13). For example, according to a combination of color or luminance measured by the first photodetector 130, the quantum dot selector 131 may classify the corresponding emission grade into a plurality of grades, for example, 256 types. Likewise, a repair quantum dot for each grade may be determined by referring to a database in which information about quantum dots required for each grade is stored. The repair quantum dot is a corresponding quantum dot for repairing the emission level of the LED to be equal to or higher than the reference emission level by forming the quantum dot layer in a subsequent process.
  • FIG. 7 is a block diagram of a quantum dot selector 131 according to an embodiment of the present invention.
  • the quantum dot selector 131 includes a light emission grade determiner 410, a quantum dot determiner 420, a quantum dot type database 421, and a consumables transfer unit 430. do.
  • the emission class determiner 410 determines a corresponding emission class with respect to a light emission characteristic value from the first photodetector 130, for example, a digital value for color or luminance. As described below, when the quantum dot layer is formed again according to the judgment of the good quality determiner 181, the emission class determining unit 410 may determine the light emission characteristic value from the second photodetector 180 for the corresponding LED. For example, the corresponding light emission class may be determined for digital values for color or luminance.
  • the quantum dot type database 421 stores and maintains information on the type of quantum dots required for each emission class as shown in FIG. 6.
  • the quantum dot determiner 420 may determine the repair quantum dot corresponding to the emission class determined by the emission class determiner 410 with reference to the information of the quantum dot type database 421. For example, when the information of the quantum dot type database 421 is configured as the necessary quantum dot # 1 of FIG. 6, the quantum dot determiner 420 may be configured for any one of the necessary quantum dots corresponding to each emission class one by one. The information may be determined as a repair quantum dot. Alternatively, when the information of the quantum dot type database 421 is configured as required quantum dot # 2 of FIG. 6, the quantum dot determiner 420 may have the same corresponding quantum dots for a plurality of light emitting classes grouped together.
  • Information about any one of the plurality of necessary quantum dots may be determined as a repair quantum dot.
  • the quantum dot determination unit 420 has a light emission grade equal to or higher than the reference emission grade (for example, grades 1 to 50).
  • the repair quantum dots are not determined and the necessary quantum dots are equally mapped to the remaining classes, that is, a plurality of emission classes grouped for LEDs classified as defective products having a class lower than the reference emission class.
  • Information about any one of the plurality of necessary quantum dots may be determined as a repair quantum dot.
  • the quantum dot determination is also performed for the product.
  • the unit 420 may determine, as a repair quantum dot, information about any one quantum dot among necessary quantum dots corresponding to each emission class one by one.
  • LEDs having a predetermined low light emission level for example, ranks 200 to 256 may be disposed of.
  • the goods delivery unit 430 supplies a corresponding LED whose emission level is greater than or equal to the emission level from the first photodetector 130 (eg, grades 1 to 50 in FIG. 6). ) Can be transferred.
  • the quantum dot determining unit 420 determines a repair quantum dot as described above.
  • the quality transfer unit 430 May transfer the corresponding LED to the article collector 190.
  • the quantum dot dispenser 140 is a quantum dot selector ( Receiving information on the repair quantum dot from 131 and the corresponding quantum dot mixed solution is applied on the top layer of the lower LED (S14).
  • the quantum dot dispenser 140 may include a plurality of nozzles corresponding to the plurality of repair quantum dots, and discharge the quantum dot mixed solution through the nozzle corresponding to the repair quantum dot and apply the same to the LED.
  • the quantum dots may be composed of compound semiconductor nanocrystals, such as CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, mixed with a quantum dot mixed in a dispersion solvent (for example, toluene, hexane, etc.)
  • a dispersion solvent for example, toluene, hexane, etc.
  • the solution may be contained in a container connected to each nozzle provided in the quantum dot dispenser 140 to be dispensed through the nozzle.
  • a quantum dot mixed solution prepared in various ways may be used.
  • the first dryer 150 may dry the quantum dot mixed solution applied on the LED (S15). .
  • the protective film applicator 160 may apply a protective film of a transparent material on the quantum dot layer formed as above on the LED (S16). ).
  • the protective film prevents damage to the quantum dot layer and may be made of a transparent resin-based insulating material.
  • the second dryer 170 may dry the protective film coated on the LED (S17).
  • the second photodetector 180 measures the emission characteristic value of the LED on which the quantum dot layer and the passivation layer are formed (S19).
  • the good quality determiner 181 determines whether the light emission grade of the light emission characteristic value measured by the second photodetector 180 is equal to or greater than the reference light emission grade (for example, grades 1 to 50, etc.). It is determined whether or not (S19).
  • the emission characteristic value corresponding to the target range A representing a luminance higher than or equal to a certain luminance in a predetermined color (for example, white) in a CIE color coordinate system representing a general display color coordinate.
  • the goodness judgment unit 181 supplies a good quality LED for which the corresponding light emission characteristic value is repaired within the target range (A). Can be transferred to (190) (S20).
  • the repair apparatus 100 can be repaired as a good-quality LED with improved emission color and luminance by forming a quantum dot layer and a protective film on the LED as described above. Even when the quantum dot layer and the protective film are formed as described above, when the corresponding light emission characteristic value determined by the good quality determiner 181 is smaller than the standard emission class, the repair quantum dot determined by the quantum dot selector 131 to repeat the above process. As a result, the quantum dot layer and the protective film may be formed again or discarded without being released as LEDs for sale (S21).
  • FIG 8 is a view for explaining a repair device 200 of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
  • a repair apparatus 200 for a light emitting diode may include an LED classifier 210, a plurality of collectors 220, and a plurality of repair units 230, and a good product.
  • a collector 290 wherein the plurality of repairers 230 each includes a feeder 231, a quantum dot dispenser 232, a first dryer 233, and a protective film applicator 234.
  • a second dryer 235 a photodetector 236, and a good quality determiner 237.
  • the LED repair apparatus 200 transfers LEDs between the LED classifier 210 and the plurality of collectors 220 and between the plurality of collectors 220 and the plurality of repair units 230.
  • Each of the repairers 230 may include a transfer means, such as a conveyor system, to sequentially transfer the LED to a subsequent process.
  • the LED classifier 210 determines the light emission class of the measured light emission characteristic by measuring the light emission characteristic value of the light emitted from the LED in the production test step of the manufactured LED, and classifies each LED by the light emission class (S61).
  • the LED classifier 210 may classify the light emission class into a plurality of classes, for example, 256 types according to light emission characteristic values measured for light emitted from the LED using a predetermined photodetector, that is, a digital value for color or luminance. have.
  • the LED classifier 210 may classify a corresponding LED whose emission level is greater than or equal to the standard emission level (for example, grades 1 to 50, etc.) as good, and the emission level is smaller than the reference emission level. LEDs can be classified as defective.
  • the LED classifier 210 may determine the repair quantum dot corresponding to each emission class with reference to the information of the database as shown in FIG. 6 for the LED classified as defective.
  • Each of the LEDs classified as above may be transferred to different paths for each emission level by a transfer means such as a conveyor system and collected in the plurality of collectors 220 (S62).
  • the LED classifier 210 may transfer the corresponding LED whose measured light emission characteristic value is greater than or equal to the reference emission level (for example, 1 to 50 grade) to the good quality collector 290.
  • the plurality of collectors 220 may collect LEDs, which are transferred to different paths by the transfer means, in each jig for each emission level.
  • the plurality of collectors 220 may fix the LEDs so as not to shake, and collect the LEDs in a line in a jig having a predetermined terminal for supplying power.
  • the LEDs may be collected in the form of a two-dimensional array. have.
  • the LEDs collected in the plurality of collectors 220 are transferred to each of the plurality of repair units 230 corresponding to the grades by the transfer means (S62).
  • the plurality of repair units 230 correspond to each of the plurality of collectors 220 on the top layer of the LEDs collected and transferred to each jig, that is, the repair quantum dot determined by the LED classifier 210 for each emission class.
  • a quantum dot layer corresponding thereto is formed and repaired (S64 to S71).
  • the feeder 231 may sequentially supply the plurality of LEDs collected in the jig to the lower portion of the quantum dot dispenser 232 one by one.
  • the quantum dot dispenser 232 applies the quantum dot mixed solution on the uppermost layer of the LED supplied from the feeder 231 (S64).
  • the quantum dot dispenser 232 included in each of the plurality of repair units 230 mixes the corresponding quantum dots on the top layer of the LED using a nozzle from a predetermined container containing the corresponding quantum dot mixed solution for applying the quantum dot mixed solution corresponding to the corresponding emission class.
  • the solution may be dispensed and applied.
  • the quantum dots may be composed of compound semiconductor nanocrystals, such as CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, mixed with a quantum dot mixed in a dispersion solvent (for example, toluene, hexane, etc.)
  • the solution may be contained in a container connected to each nozzle provided in the quantum dot dispenser 232 to be dispensed through the nozzle.
  • each of the quantum dot dispensers 232 included in the plurality of repair units 230 may be coated with a different quantum dot mixed solution containing quantum dots to improve the color and luminance required for the repair.
  • the first dryer 233 may dry the quantum dot mixed solution applied on the LED (S65). ).
  • the protective film applicator 234 may apply a protective film of a transparent material on the quantum dot layer formed as described above on the LED (S66).
  • the protective film prevents damage to the quantum dot layer and may be made of a transparent resin-based insulating material.
  • the second dryer 235 may dry the protective film coated on the LED (S67).
  • the photodetector 236 measures the light emission characteristic of the LED coated with the quantum dot layer and the protective film (S68).
  • the good quality determiner 237 determines whether the light emission grade of the light emission characteristic value measured by the photodetector 236 is greater than or equal to the reference light emission grade (for example, grades 1 to 50, etc.) to determine whether it is good or defective. Determine (S69).
  • the goodness judgment unit 237 transfers the repaired good quality LED whose corresponding light emission characteristic value is higher than or equal to the reference light emission class to the quality collector 290. It may be (S70).
  • the repair apparatus 200 the quantum dot layer and the protective film are formed on the corresponding LED as described above, so that the LED can be repaired as a good product having improved emission color or luminance.
  • the quantum dot layer and the passivation layer are formed as described above, when the corresponding light emission characteristic value determined by the good quality determiner 237 is out of the target range A and indicates a light emission class that is smaller than the reference light emission class, the above process is performed. Repeating to form a quantum dot layer and a protective film again or may not be released as LED as a sale product can be disposed of (S71).

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Abstract

본 발명은 제조된 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하여 발광 특성의 등급별로 분류된 발광 다이오드를 양자점 혼합 용액으로 코팅하여 양자점층을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어하고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드의 리페어 방법은, 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하여 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급을 결정하는 단계, 상기 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 단계 및 상기 리페어 양자점에 대응되는 양자점층을 상기 발광 다이오드의 최상층 위에 형성하는 제3단계를 포함한다.

Description

양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치
본 발명은 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히, 제조된 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)의 발광 특성값을 측정하여 발광 특성의 등급별로 분류된 발광 다이오드를 양자점 혼합 용액으로 코팅하여 양자점층을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어하고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 관한 것이다.
LED는 GaN 등의 III-V족 질화물 반도체를 기반으로 제조된다. LED는 기본적으로 위와 같은 질화물 반도체에 P형 또는 N형의 불순물을 첨가시킨 P형의 질화물 반도체층과 N형의 질화물 반도체층을 접합시켜서 제조되며, P형의 질화물 반도체층과 N형의 질화물 반도체층 사이에는 활성층을 두어 전자-정공의 재결합률을 증가시킴으로써 LED의 휘도 특성을 개선한다.
도 1과 같이, 일반적인 LED는 P형의 질화물 반도체층과 N형의 질화물 반도체층 각각이 외부 전극과 연결되도록 제조되고, 두 전극에 전원이 인가된 LED는 가시광 파장의 빛을 발광할 수 있다.
이외에도, 최근에는 휘도 특성을 개선하거나 발광 색상을 다르게 하기 위하여, 위와 같은 P형의 질화물 반도체층, 활성층, N형의 질화물 반도체층으로 이루어지는 기본 LED 구조의 적절한 위치에 양자점층을 적절히 삽입하는 시도가 이루어지고 있다.
또한, 도 2와 같이, 위와 같은 다층 구조 위에 형광층을 도포한 LED가 제조될 수 있으며, 이와 같은 구조의 LED는 휘도 특성을 개선할 수 있다. 그리고, 위와 같은 다층 구조 위에 양자점층을 도포한 LED가 제조될 수 있으며, 이와 같은 구조의 LED는 발광 색상을 다르게 하거나 휘도 특성을 개선할 수 있다. 예를 들어, 도 3의 구조에서 양자점층을 도포하기 전에 청색을 발광하는 구조의 LED가 황색 파장대의 발광을 위한 양자점층이 도포됨으로써 백색 발광하는 LED가 될 수 있다.
이와 같이 LED는 P형의 질화물 반도체층, 활성층, N형의 질화물 반도체층으로 이루어지는 기본 구조 이외에도, 이와 같은 기본 LED 구조의 적절한 위치에 양자점층을 적절히 삽입하는 구조로 제조될 수 있으며, 위와 같은 반도체층 중 최상층의 외부에 형광층이나 양자점층 등을 도포함으로써 다양한 발광 색상의 고휘도 LED가 제조될 수도 있다.
그러나, 이와 같은 다양한 구조의 LED 를 제조할 때, 모든 제조 공정을 거친 후의 양품 테스트 단계에서 LED에 전원을 인가하고 광검출기를 이용해 LED에서 나오는 빛의 발광 강도를 측정하면 불량으로 판정되는 LED가 나오게 된다. LED의 생산 수율은 판매 단가에 영향을 미치므로 저비용으로 발광 효율이 높은 LED를 생산하기 위하여는 불량으로 판정된 LED의 색상이나 휘도 특성을 개선시켜서 사용할 수 있게 함으로써 불량품을 저감할 필요가 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 제조된 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하여 발광 특성의 등급별로 분류된 발광 다이오드를 양자점 혼합 용액으로 코팅하여 양자점층을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어하고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 본 발명의 일면에 따른 발광 다이오드의 리페어 방법은, 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하여 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급을 결정하는 제1단계; 상기 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 제2단계; 및 상기 리페어 양자점에 대응되는 양자점층을 상기 발광 다이오드의 최상층 위에 형성하는 제3단계를 포함한다.
상기 제2단계에서, 상기 발광등급이 기준발광등급 이상인 경우, 상기 발광 다이오드를 양품으로 분류하고, 상기 발광등급이 상기 기준발광등급 보다 작은 경우, 상기 발광 다이오드를 불량품으로 분류하여 상기 발광등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정한다.
상기 제3단계 이후에, 상기 양자점층이 형성된 상기 발광 다이오드의 발광 특성값을 재측정하여 재측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 단계를 포함한다.
상기 제3단계는, 상기 리페어 양자점에 대응되는 양자점혼합용액을 상기 발광 다이오드의 최상층 위에 도포하는 단계; 및 상기 도포된 양자점혼합용액을 건조하는 단계를 포함한다.
상기 제3단계 이후에, 상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 일면에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치는, 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 제1 광검출기; 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급을 결정하고, 상기 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 양자점 선택기; 상기 리페어 양자점에 대응되는 양자점 혼합 용액을 상기 발광 다이오드의 최상층 위에 도포하는 양자점 디스펜서; 및 상기 도포된 양자점혼합용액을 건조하는 제1 드라이어를 포함하고, 상기 양자점디스펜서를 이용한 상기 양자점혼합용액의 도포와 상기 제1 드라이어를 이용한 상기 양자점혼합용액의 건조에 의하여, 상기 발광 다이오드 최상층 위에 양자점층을 형성한다.
상기 발광 다이오드의 리페어 장치는, 상기 양자점층이 형성된 상기 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 제2 광검출기; 및 상기 제2광검출기에서 측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 양품 판단기를 더 포함한다.
상기 양자점 디스펜서는, 복수의 리페어 양자점들에 대응된 복수의 노즐들을 구비하고, 상기 리페어 양자점에 대응된 노즐을 통하여 상기 양자점 혼합 용액을 도포한다.
상기 발광 다이오드의 리페어 장치는, 상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 도포하는 보호막 도포기; 및 상기 도포된 보호막을 건조하는 제2 드라이어를 더 포함한다.
상기 양자점 선택기는, 상기 제1 광검출기 또는 상기 제2광검출기로부터의 발광 특성값에 대하여 상기 발광 등급을 결정하는 발광 등급 결정부; 및 발광 등급별로 양자점의 종류에 대한 정보가 저장된 데이터베이스의 정보를 참조하여 상기 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 양자점 결정부를 포함한다.
상기 양자점 선택기는, 상기 발광 등급 결정부에서 결정한 발광 등급이 기준발광등급 이상인 해당 발광 다이오드를 양품 수집기로 이송하는 양품 이송부를 더 포함한다.
상기 발광 다이오드의 리페어 장치는, 각 지그에 삽입된 복수의 발광 다이오드들을 가지며, 상기 제1 광검출기의 발광 특성값의 측정 후에 상기 복수의 발광 다이오드들을 하나씩 순차로 상기 제1 광검출기의 하부로 공급하는 피더를 더 포함한다.
또한, 본 발명의 또 다른 일면에 따른 발광 다이오드의 리페어 방법은, 복수의 발광 다이오드들의 발광 특성값을 측정하여 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광등급을 결정하고, 발광 등급별로 상기 복수의 발광 다이오드들을 분류하는 제1단계; 분류된 상기 복수의 발광 다이오드들을 상기 발광 등급별로 서로 다른 경로로 각각 이송하여 수집하고, 각 발광등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 제2단계; 및 상기 발광 등급별로 결정된 상기 리페어 양자점에 대응되는 서로 다른 양자점층을 수집된 상기 복수의 발광 다이오드들 각각의 최상층 위에 형성하는 제3단계를 포함한다.
상기 제2단계에서, 상기 발광등급이 기준발광등급 이상인 경우, 상기 발광 다이오드를 양품으로 분류하고, 상기 발광등급이 상기 기준발광등급 보다 작은 경우, 상기 발광 다이오드를 불량품으로 분류하여 상기 발광등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정한다.
상기 제3단계 이후에, 양자점층이 형성된 상기 복수의 발광 다이오드들의 발광 특성값을 재측정하여 재측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 단계를 더 포함한다.
상기 제3단계 이후에, 상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
그리고, 본 발명의 또 다른 일면에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치는, 복수의 발광 다이오드들의 발광 특성값을 측정하여 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광등급을 결정하고 발광 등급별로 상기 복수의 발광 다이오드들을 분류하는 분류기; 분류된 상기 복수의 발광 다이오드들을 상기 발광 등급별로 서로 다른 경로로 이송하는 이송 수단; 상기 서로 다른 경로로 이송되는 발광 다이오드들을 상기 발광 등급별로 각 지그에 수집하는 복수의 수집기들; 및 상기 복수의 수집기들 각각에 수집된 상기 복수의 발광 다이오드들의 최상층 위에 상기 복수의 수집기들 각각에 대응된 양자점층을 형성하여 리페어하기 위한 복수의 리페어기들을 포함한다.
상기 복수의 리페어기들 각각은, 상기 지그에 수집된 상기 복수의 발광 다이오드들을 하나씩 순차로 공급하는 피더; 상기 피더로부터 공급된 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점 혼합 용액을 도포하는 양자점 디스펜서; 및 상기 도포된 양자점 혼합 용액을 건조하는 제1 드라이어를 포함하고, 상기 양자점디스펜서를 이용한 상기 양자점혼합용액의 도포와 상기 제1 드라이어를 이용한 상기 양자점혼합용액의 건조에 의하여, 상기 발광 다이오드 최상층 위에 양자점층을 형성한다.
상기 복수의 리페어기들 각각은, 상기 양자점층이 형성된 상기 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 광검출기; 및 상기 광검출기에서 측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 양품 판단기를 더 포함한다.
상기 복수의 리페어기들 각각은, 상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 도포하는 보호막 도포기; 및 상기 도포된 보호막을 건조하는 제2 드라이어를 더 포함한다.
상기 분류기는, 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기분발광등급 이상인 해당 발광 다이오드를 양품 수집기로 이송한다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 따르면, 발광 특성의 개선이 필요한 발광 다이오드를 양자점 혼합 용액으로 도포하여 양자점층을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어하여 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 발광 다이오드의 구조에 대한 일례이다.
도 2는 일반적인 발광 다이오드의 구조에 대한 다른 예이다.
도 3은 일반적인 발광 다이오드의 구조에 대한 또 다른 예이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치의 동작 설명을 위한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 등급에 따라 필요한 양자점 정보의 데이터베이스를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 선택기의 블록도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치의 동작 설명을 위한 흐름도이다.
도 10은 일반적인 CIE 색좌표계를 설명하기 위한 도면이다.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(100)를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(100)는, 컨베이어(conveyor) 시스템(110), 피더(feeder)(120), 제1 광검출기(130), 양자점 선택기(131), 양자점 디스펜서(dispenser)(140), 제1 드라이어(dryer)(150), 보호막 도포기(160), 제2 드라이어(170), 제2 광검출기(180), 양품 판단기(181), 및 양품 수집기(190)를 포함한다.
본 발명에서는 제조된 LED의 양품 테스트 단계에서 전원을 인가하고 제1 광검출기(130)를 이용해 LED에서 나오는 빛의 발광 특성값을 측정하여, 측정된 발광 특성값, 즉, 색상이나 휘도에 대한 디지털값에 따라 분류된 LED들의 색상이나 휘도 등의 발광 특성을 개선시키기 위하여 각 LED를 구성하는 반도체 적층 구조의 최상층 위에 양자점층을 형성함으로써, 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 LED로 리페어할 수 있는 발광 다이오드의 리페어 장치(100)를 개시한다.
이하, 도 5의 흐름도를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(100)의 동작을 설명한다.
피더(120)는 각 지그(jig)에 삽입된 복수의 LED들을 포함하며, 다이오드들을 하나씩 순차로 제1 광검출기(130)의 하부로 공급한다(S11). 피더(120)로부터 공급되는 지그에 삽입된 LED가 제1 광검출기(130)에 의하여 측정된 후에는, 컨베이어 시스템(110)은 측정된 LED를 양자점 디스펜서(140)의 하부로 이송할 수 있으며, 다음의 LED를 제1 광검출기(130)의 하부로 공급한다.
제1 광검출기(130)는 피더(120)로부터 공급되는 지그에 삽입된 LED 의 발광 특성값을 측정한다(S12). 지그에 삽입되어 고정된 LED는 전원을 공급할 수 있는 소정 단자를 통해 전원을 인가 받아 발광할 수 있다. 제1 광검출기(130)가 측정하는 발광 특성값은 색상 또는 휘도에 대한 디지털 값을 포함한다. 예를 들어, 제1 광검출기(130)는 입력되는 빛의 스펙트럼(또는 파장) 분석을 통하여 빛의 색상에 관한 정보(디지털 값)를 생성할 수 있으며, 또는 입력되는 빛의 발광 강도(intensity)에 대한 분석을 통하여 빛의 휘도에 관한 정보(디지털 값)를 생성할 수 있다.
양자점 선택기(131)는 제1 광검출기(130)에서 측정된 발광 특성값에 대하여 발광 등급을 결정하여 제1 광검출기(130)에서 측정된 LED를 양품 또는 불량품으로 분류하며, 도 6과 같은 데이터베이스의 정보를 참조하여 해당 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정한다(S13). 예를 들어, 제1 광검출기(130)가 측정하는 색상 또는 휘도의 조합에 따라서, 양자점 선택기(131)는 해당 발광 등급을 복수 등급, 예를 들어, 256가지로 분류할 수 있으며, 도 6과 같이 각 등급에 필요한 양자점에 대한 정보가 저장된 데이터베이스를 참조하여 각 등급에 맞는 리페어 양자점을 결정할 수 있다. 리페어 양자점은 후속 과정에서 해당 양자점층을 형성함으로써 LED의 발광 등급을 기준발광등급 이상이 되도록 리페어하기 위한 해당 양자점이다.
도 7에는 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 선택기(131)의 블록도가 도시되어 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 선택기(131)는 발광 등급 결정부(410), 양자점 결정부(420), 양자점 종류 데이터베이스(421), 및 양품 이송부(430)를 포함한다.
발광 등급 결정부(410)는 제1 광검출기(130)로부터의 발광 특성값, 예를 들어, 색상 또는 휘도에 대한 디지털 값에 대하여 해당 발광 등급을 결정한다. 이하에서 기술하는 바와 같이 양품 판단기(181)의 판단에 따라 양자점층을 재차 형성하는 경우에는, 해당 LED에 대하여 발광 등급 결정부(410)는 제2 광검출기(180)으로부터의 발광 특성값, 예를 들어, 색상 또는 휘도에 대한 디지털 값에 대하여 해당 발광 등급을 결정할 수도 있다.
양자점 종류 데이터베이스(421)는 도 6과 같이 발광 등급별로 필요한 양자점의 종류에 대한 정보를 저장하고 유지한다.
양자점 결정부(420)는 양자점 종류 데이터베이스(421)의 정보를 참조하여 발광 등급 결정부(410)에서 결정한 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정할 수 있다. 예를 들어, 양자점 종류 데이터베이스(421)의 정보가 도 6의 필요 양자점 #1과 같이 구성된 경우에, 양자점 결정부(420)는 각 발광 등급별로 하나씩 다르게 대응되어 있는 필요한 양자점 중 어느 한 양자점에 대한 정보를 리페어 양자점으로 결정할 수 있다. 또는, 양자점 종류 데이터베이스(421)의 정보가 도 6의 필요 양자점 #2와 같이 구성된 경우에, 양자점 결정부(420)는 그룹(group)지어진 복수의 발광 등급에 대하여 필요한 양자점이 동일하게 대응되어 있는 복수의 필요한 양자점 중 어느 한 양자점에 대한 정보를 리페어 양자점으로 결정할 수 있다. 이외에도, 양자점 종류 데이터베이스(421)의 정보가 도 6의 필요 양자점 #3과 같이 구성된 경우에, 양자점 결정부(420)는 발광 등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 등급 1~50번 등)인 양품에 대하여는 리페어 양자점을 결정하지 않고, 나머지 등급들, 즉, 등급이 기준발광등급 보다 작은 불량품으로 분류된 LED에 대하여 그룹(group)지어진 복수의 발광 등급에 대하여 필요한 양자점이 동일하게 대응되어 있는 복수의 필요한 양자점 중 어느 한 양자점에 대한 정보를 리페어 양자점으로 결정할 수 있다. 마찬가지로, 위와 같이, 발광 등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 등급 1~50번 등)인 양품에 대하여 더욱 더 발광 등급이 개선되도록 리페어할 필요가 있는 경우에는, 해당 양품에 대하여도 양자점 결정부(420)는 각 발광 등급별로 하나씩 다르게 대응되어 있는 필요한 양자점 중 어느 한 양자점에 대한 정보를 리페어 양자점으로 결정할 수도 있다. 여기서, 발광 등급이 기준발광등급 보다 작은 불량품으로 분류된 LED 중에서, 일정 하위의 발광 등급(예를 들어, 등급 200~256번 등)의 LED는 폐기 처분될 수 있다.
양품 이송부(430)는 제1 광검출기(130)로부터의 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 도 6의 등급 1~50번 등)인 해당 LED를 양품 수집기(190)로 이송할 수 있다. 예를 들어, 발광 등급 결정부(410)가 해당 발광 등급의 LED에 대하여 양자점층이 형성되어야 할 불량품 LED로 판정하는 경우에, 양자점 결정부(420)가 위와 같이 리페어 양자점을 결정하지만, 발광 등급 결정부(410)가 제1 광검출기(130)로부터의 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 등급 1~50번 등)인 것으로 판정하는 경우에, 양품 이송부(430)는 해당 양품 LED를 양품 수집기(190)로 이송할 수 있다.
한편, 위와 같이 양자점 선택기(131)에서 리페어 양자점이 결정된 LED 가 컨베이어 시스템(110)에 의하여 양자점 디스펜서(140)의 하부로 이송되면, 도 5의 S14 단계에서, 양자점 디스펜서(140)는 양자점 선택기(131)로부터 해당 리페어 양자점에 대한 정보를 수신하고 그에 대응되는 양자점 혼합 용액을 하부 LED의 최상층 위에 도포한다(S14). 양자점 디스펜서(140)는, 복수의 리페어 양자점들에 대응된 복수의 노즐들(nozzle)을 구비하고, 해당 리페어 양자점에 대응된 노즐을 통하여 양자점 혼합 용액을 토출하여 LED 위에 도포할 수 있다.
여기서, 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe와 같은 화합물 반도체 나노 결정으로 이루어질 수 있으며, 이를 분산 용매(예를 들어, 톨루엔, 헥산 등)에 혼합한 양자점 혼합 용액이 양자점 디스펜서(140)에 구비된 각 노즐과 연결된 용기 안에 담겨져 노즐을 통해 디스펜싱되도록 사용될 수 있다. 이외에도 다양한 방식으로 제조되는 양자점 혼합 용액이 이용될 수 있다.
이후, 컨베이어 시스템(110)에 의하여 양자점층이 도포된 LED 가 제1 드라이어(150)의 하부로 이송되면, 제1 드라이어(150)는 LED 위에 도포된 양자점 혼합 용액을 건조할 수 있다(S15).
다음에, 컨베이어 시스템(110)에 의하여 LED 가 보호막 도포기(160)의 하부로 이송되면, 보호막 도포기(160)는 LED에 위와 같이 형성된 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 도포할 수 있다(S16). 보호막은 양자점층의 손상을 방지하며, 투명한 수지계 절연 물질로 이루어질 수 있다.
컨베이어 시스템(110)에 의하여 보호막이 도포된 LED 가 제2 드라이어(170)의 하부로 이송되면, 제2 드라이어(170)는 LED 위에 도포된 보호막을 건조할 수 있다(S17).
이와 같이 불량 LED에 대하여 양자점층과 보호막이 형성된 후에는, 제2 광검출기(180)는 양자점층과 보호막이 형성된 LED의 발광 특성값을 다시 측정한다(S19).
양품 판단기(181)는 제2 광검출기(180)에 의하여 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 등급 1~50번 등)인지 여부를 판단하여 양품 또는 불량품 여부를 결정한다(S19).
예를 들어, 도 10과 같이 일반적인 디스플레이 색좌표를 나타내는 CIE(Commission international de I’Edairage) 색 좌표계에서 일정 색상(예를 들어, 백색)에서 일정 이상의 휘도를 나타내는 목표 범위 A에 대응되는 발광 특성값의 발광등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 등급 1~50번 등)인 것으로 정해진 경우에, 양품 판단기(181)는 해당 발광 특성값이 목표 범위(A) 이내로 리페어된 양품 LED를 양품 수집기(190)로 이송할 수 있다(S20). 이에 따라, 제1 광검출기(130)에 의하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위(A)를 벗어나 기준발광등급 보다 작은 값에 해당하는 발광등급을 나타내더라도 리페어 가능 범위(B) 내의 발광 특성값을 갖는 LED에 대하여, 리페어 장치(100)를 이용해 해당 LED 위에 위와 같이 양자점층과 보호막을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 LED로 리페어할 수 있다. 위와 같은 양자점층과 보호막의 형성을 통하여도 양품 판단기(181)가 판단하는 해당 발광 특성값이 기준발광등급 보다 작은 경우에는, 위와 같은 과정을 반복하기 위하여 양자점 선택기(131)에서 결정하는 리페어 양자점에 따라 양자점층과 보호막을 재차 형성하거나 판매품으로서의 LED로 출시되지 못하고 폐기 처분될 수 있다(S21).
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(200)를 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(200)는, LED 분류기(210), 복수의 수집기들(220), 및 복수의 리페어기들(230), 및 양품 수집기(290)를 포함하고, 복수의 리페어기들(230)은 각각 피더(feeder)(231), 양자점 디스펜서(dispenser)(232), 제1 드라이어(dryer)(233), 보호막 도포기(234), 제2 드라이어(235), 광검출기(236), 및 양품 판단기(237)를 포함한다. 이외에도 발광 다이오드의 리페어 장치(200)는 LED 분류기(210)와 복수의 수집기들(220) 사이 및 복수의 수집기들(220)과 복수의 리페어기들(230) 사이에서 LED를 이송하고, 복수의 리페어기들(230) 각각에서 LED를 후속 공정으로 순차 이송시키기 위한 컨베이어 시스템과 같은 이송 수단을 포함할 수 있다.
이하, 도 9의 흐름도를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(200)의 동작을 설명한다.
LED 분류기(210)는 제조된 LED의 양품 테스트 단계에서 LED에서 나오는 빛의 발광 특성값을 측정하여 측정된 발광 특성값에 대한 발광등급을 결정하고, 발광 등급별로 각 LED를 분류한다(S61). LED 분류기(210)는 소정 광검출기를 이용해 LED에서 나오는 빛에 대하여 측정한 발광 특성값, 즉, 색상 또는 휘도에 대한 디지털값에 따라 발광 등급을 복수 등급, 예를 들어, 256가지로 분류할 수 있다. 예를 들어, LED 분류기(210)는 발광 등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 등급 1~50번 등)인 해당 LED를 양품으로 분류할 수 있으며, 발광 등급이 상기 기준발광등급 보다 작은 해당 LED를 불량품으로 분류할 수 있다. 또한, LED 분류기(210)는 불량품으로 분류한 LED에 대하여 도 6과 같은 데이터베이스의 정보를 참조하여 각 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정할 수 있다.
위와 같이 분류된 각 LED는 컨베이어 시스템과 같은 이송 수단에 의하여 발광 등급별로 서로 다른 경로로 이송되어 복수의 수집기들(220)에 각각 수집될 수 있다(S62). 경우에 따라서, LED 분류기(210)는 측정한 발광 특성값이 기준발광등급 이상(예를 들어, 1~50 등급 등)인 해당 LED를 양품 수집기(290)로 이송할 수도 있다.
복수의 수집기들(220)은 이송 수단에 의하여 서로 다른 경로로 이송되는 LED를 발광 등급별로 각 지그에 수집할 수 있다. 복수의 수집기들(220)은 각각 LED가 흔들리지 않도록 고정하며, 전원을 공급할 수 있는 소정 단자를 가지는 지그에 일렬로 LED들을 수집할 수 있으며, 경우에 따라서는 2차원 어레이 형태로 LED들을 수집할 수도 있다.
이와 같이 복수의 수집기들(220)에 각각 수집된 LED 들은 이송 수단에 의하여 등급별로 대응된 복수의 리페어기들(230) 각각으로 이송된다(S62).
이에 따라 복수의 리페어기들(230)은 각 지그에 수집되어 이송되는 LED들의 최상층 위에 복수의 수집기들(220) 각각에 대응된, 즉, LED 분류기(210)가 각 발광 등급에 대하여 결정한 리페어 양자점에 대응된 양자점층을 형성하여 리페어한다(S64~S71).
예를 들어, 피더(231)는 지그에 수집된 복수의 LED들을 하나씩 순차로 양자점 디스펜서(232)의 하부로 공급할 수 있다. 양자점 디스펜서(232)는 양자점 혼합 용액을 피더(231)로부터 공급된 LED의 최상층 위에 도포한다(S64). 복수의 리페어기들(230) 각각에 포함된 양자점 디스펜서(232)는 해당 발광 등급에 대응된 양자점 혼합 용액을 도포하기 위한 해당 양자점 혼합 용액이 담긴 소정 용기로부터 노즐을 이용해 LED의 최상층 위에 해당 양자점 혼합 용액을 디스펜싱하여 도포할 수 있다. 여기서, 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe와 같은 화합물 반도체 나노 결정으로 이루어질 수 있으며, 이를 분산 용매(예를 들어, 톨루엔, 헥산 등)에 혼합한 양자점 혼합 용액이 양자점 디스펜서(232)에 구비된 각 노즐과 연결된 용기 안에 담겨져 노즐을 통해 디스펜싱되도록 사용될 수 있다. 예를 들어, 복수의 리페어기들(230)에 포함된 각각의 양자점 디스펜서(232)에서는 리페어에 필요한 색상과 휘도로 개선되도록 하기 위한 양자점이 포함된 서로 다른 양자점 혼합 용액으로 도포할 수 있다.
이후, 컨베이어 시스템과 같은 이송 수단에 의하여 양자점층이 도포된 LED 가 제1 드라이어(233)의 하부로 이송되면, 제1 드라이어(233)는 LED 위에 도포된 양자점 혼합 용액을 건조할 수 있다(S65).
다음에, 이송 수단에 의하여 LED 가 보호막 도포기(234)의 하부로 이송되면, 보호막 도포기(234)는 LED에 위와 같이 형성된 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 도포할 수 있다(S66). 보호막은 양자점층의 손상을 방지하며, 투명한 수지계 절연 물질로 이루어질 수 있다.
이송 수단에 의하여 보호막이 도포된 LED 가 제2 드라이어(235)의 하부로 이송되면, 제2 드라이어(235)는 LED 위에 도포된 보호막을 건조할 수 있다(S67).
이와 같이 불량 LED에 대하여 양자점층과 보호막이 형성된 후에는, 광검출기(236)는 양자점층과 보호막이 코팅된 LED의 발광 특성값을 측정한다(S68).
양품 판단기(237)는 광검출기(236)에 의하여 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상(예를 들어, 등급 1~50번 등)인지 여부를 판단하여 양품 또는 불량품 여부를 결정한다(S69).
예를 들어, 도 10과 같이 일반적인 디스플레이 색좌표를 나타내는 CIE(Commission international de I’Edairage) 색 좌표계에서 일정 색상(예를 들어, 백색)에서 일정 이상의 휘도를 나타내는 범위 A에 대응되는 발광 특성값의 발광등급이 기준발광등급(예를 들어, 등급 1~50번 등)으로 된 경우에, 양품 판단기(237)는 해당 발광 특성값이 기준발광등급 이상인 리페어된 양품 LED를 양품 수집기(290)로 이송할 수 있다(S70). 이에 따라, 분류기(210)에서 목표 범위(A)를 벗어나 기준발광등급 보다 작은 값에 해당하는 발광등급을 나타내는 것으로 분류된 불량 LED라 하더라도 리페어 가능 범위(B) 내의 발광 특성값을 갖는 LED에 대하여, 리페어 장치(200)를 이용해 해당 LED 위에 위와 같이 양자점층과 보호막을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 LED로 리페어할 수 있다. 위와 같은 양자점층과 보호막의 형성을 통하여도 양품 판단기(237)가 판단하는 해당 발광 특성값이 목표 범위(A)를 벗어나 기준발광등급 보다 작은 값에 해당하는 발광등급을 나타내는 경우에는 위와 같은 과정을 반복하여 양자점층과 보호막을 재차 형성하거나 판매품으로서의 LED로 출시되지 못하고 폐기 처분될 수 있다(S71).
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (21)

  1. 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하여 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급을 결정하는 제1단계;
    상기 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 제2단계; 및
    상기 리페어 양자점에 대응되는 양자점층을 상기 발광 다이오드의 최상층 위에 형성하는 제3단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계에서,
    상기 발광등급이 기준발광등급 이상인 경우, 상기 발광 다이오드를 양품으로 분류하고, 상기 발광등급이 상기 기준발광등급 보다 작은 경우, 상기 발광 다이오드를 불량품으로 분류하여 상기 발광등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제3단계 이후에,
    상기 양자점층이 형성된 상기 발광 다이오드의 발광 특성값을 재측정하여 재측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제3단계는,
    상기 리페어 양자점에 대응되는 양자점혼합용액을 상기 발광 다이오드의 최상층 위에 도포하는 단계; 및
    상기 도포된 양자점혼합용액을 건조하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제3단계 이후에,
    상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 형성하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  6. 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 제1 광검출기;
    상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급을 결정하고, 상기 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 양자점 선택기;
    상기 리페어 양자점에 대응되는 양자점 혼합 용액을 상기 발광 다이오드의 최상층 위에 도포하는 양자점 디스펜서; 및
    상기 도포된 양자점혼합용액을 건조하는 제1 드라이어를 포함하고,
    상기 양자점디스펜서를 이용한 상기 양자점혼합용액의 도포와 상기 제1 드라이어를 이용한 상기 양자점혼합용액의 건조에 의하여, 상기 발광 다이오드 최상층 위에 양자점층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 양자점층이 형성된 상기 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 제2 광검출기; 및
    상기 제2광검출기에서 측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 양품 판단기
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 양자점 디스펜서는,
    복수의 리페어 양자점들에 대응된 복수의 노즐들을 구비하고, 상기 리페어 양자점에 대응된 노즐을 통하여 상기 양자점 혼합 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 도포하는 보호막 도포기; 및
    상기 도포된 보호막을 건조하는 제2 드라이어
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 양자점 선택기는,
    상기 제1 광검출기 또는 상기 제2광검출기로부터의 발광 특성값에 대하여 상기 발광 등급을 결정하는 발광 등급 결정부; 및
    발광 등급별로 양자점의 종류에 대한 정보가 저장된 데이터베이스의 정보를 참조하여 상기 발광 등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 양자점 결정부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 양자점 선택기는,
    상기 발광 등급 결정부에서 결정한 발광 등급이 기준발광등급 이상인 해당 발광 다이오드를 양품 수집기로 이송하는 양품 이송부
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  12. 제5항에 있어서,
    각 지그에 삽입된 복수의 발광 다이오드들을 가지며, 상기 제1 광검출기의 발광 특성값의 측정 후에 상기 복수의 발광 다이오드들을 하나씩 순차로 상기 제1 광검출기의 하부로 공급하는 피더
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  13. 복수의 발광 다이오드들의 발광 특성값을 측정하여 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광등급을 결정하고, 발광 등급별로 상기 복수의 발광 다이오드들을 분류하는 제1단계;
    분류된 상기 복수의 발광 다이오드들을 상기 발광 등급별로 서로 다른 경로로 각각 이송하여 수집하고, 각 발광등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 제2단계; 및
    상기 발광 등급별로 결정된 상기 리페어 양자점에 대응되는 서로 다른 양자점층을 수집된 상기 복수의 발광 다이오드들 각각의 최상층 위에 형성하는 제3단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2단계에서,
    상기 발광등급이 기준발광등급 이상인 경우, 상기 발광 다이오드를 양품으로 분류하고, 상기 발광등급이 상기 기준발광등급 보다 작은 경우, 상기 발광 다이오드를 불량품으로 분류하여 상기 발광등급에 대응되는 리페어 양자점을 결정하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제3단계 이후에,
    양자점층이 형성된 상기 복수의 발광 다이오드들의 발광 특성값을 재측정하여 재측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제3단계 이후에,
    상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 형성하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  17. 복수의 발광 다이오드들의 발광 특성값을 측정하여 상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광등급을 결정하고 발광 등급별로 상기 복수의 발광 다이오드들을 분류하는 분류기;
    분류된 상기 복수의 발광 다이오드들을 상기 발광 등급별로 서로 다른 경로로 이송하는 이송 수단;
    상기 서로 다른 경로로 이송되는 발광 다이오드들을 상기 발광 등급별로 각 지그에 수집하는 복수의 수집기들; 및
    상기 복수의 수집기들 각각에 수집된 상기 복수의 발광 다이오드들의 최상층 위에 상기 복수의 수집기들 각각에 대응된 양자점층을 형성하여 리페어하기 위한 복수의 리페어기들
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 복수의 리페어기들 각각은,
    상기 지그에 수집된 상기 복수의 발광 다이오드들을 하나씩 순차로 공급하는 피더;
    상기 피더로부터 공급된 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점 혼합 용액을 도포하는 양자점 디스펜서; 및
    상기 도포된 양자점 혼합 용액을 건조하는 제1 드라이어를 포함하고,
    상기 양자점디스펜서를 이용한 상기 양자점혼합용액의 도포와 상기 제1 드라이어를 이용한 상기 양자점혼합용액의 건조에 의하여, 상기 발광 다이오드 최상층 위에 양자점층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 복수의 리페어기들 각각은,
    상기 양자점층이 형성된 상기 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 광검출기; 및
    상기 광검출기에서 측정된 상기 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기준발광등급 이상인지 여부를 판단하는 양품 판단기
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 복수의 리페어기들 각각은,
    상기 양자점층 위에 투명 재질의 보호막을 도포하는 보호막 도포기; 및
    상기 도포된 보호막을 건조하는 제2 드라이어
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 분류기는,
    상기 측정된 발광 특성값에 대한 발광 등급이 기분발광등급 이상인 해당 발광 다이오드를 양품 수집기로 이송하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101296205B1 (ko) * 2012-07-20 2013-08-13 주식회사 네패스엘이디 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102260326B1 (ko) * 2019-11-07 2021-06-03 세메스 주식회사 양자점 경화 처리 장치 및 방법 그리고 양자점 도포 처리 장치 및 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100772567B1 (ko) * 2006-06-08 2007-11-02 경북대학교 산학협력단 백색 및 휘도 균일도를 만족하는 ｌｅｄ 백라이트의 ｌｅｄ분류 및 배열방법
JP2007324608A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Philips Lumileds Lightng Co Llc 波長変換部材の変更による色管理
KR20070119104A (ko) * 2006-06-14 2007-12-20 재단법인서울대학교산학협력재단 양자점을 이용한 백색광 ｌｅｄ 구조 및 그 제조 방법
JP2008112811A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Kyocera Corp 発光装置の製造方法
JP2008147563A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Sharp Corp ばらつきのあるｌｅｄによる均一バックライトの製造方法
KR20090064079A (ko) * 2007-12-14 2009-06-18 재단법인서울대학교산학협력재단 양자점을 이용한 백색광 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7858403B2 (en) * 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
JP5025625B2 (ja) * 2008-03-25 2012-09-12 株式会社東芝 発光装置の製造方法
EP2257999B1 (en) * 2008-03-25 2014-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324608A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Philips Lumileds Lightng Co Llc 波長変換部材の変更による色管理
KR100772567B1 (ko) * 2006-06-08 2007-11-02 경북대학교 산학협력단 백색 및 휘도 균일도를 만족하는 ｌｅｄ 백라이트의 ｌｅｄ분류 및 배열방법
KR20070119104A (ko) * 2006-06-14 2007-12-20 재단법인서울대학교산학협력재단 양자점을 이용한 백색광 ｌｅｄ 구조 및 그 제조 방법
JP2008112811A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Kyocera Corp 発光装置の製造方法
JP2008147563A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Sharp Corp ばらつきのあるｌｅｄによる均一バックライトの製造方法
KR20090064079A (ko) * 2007-12-14 2009-06-18 재단법인서울대학교산학협력재단 양자점을 이용한 백색광 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법

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