WO2011043609A2 - 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Definitions

  • Photovoltaic device includes a support substrate; A back electrode layer disposed on the support substrate and having a first through hole formed therein; A light absorbing layer disposed on the back electrode layer and having a second through hole formed next to the first through hole; And a window layer disposed on the light absorbing layer, the window layer having a third through hole overlapping the second through hole, the width of the first through hole, the width of the second through hole, and the third through hole.
  • the widths of the grooves correspond to each other.
  • 1 is a plan view illustrating a mask for manufacturing the solar cell apparatus according to the embodiment.
  • 2 to 5 are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the solar cell apparatus according to the embodiment.
  • the mask frame 11 covers an outer region of the support substrate 100. That is, the mask frame 11 is disposed corresponding to the area where the side surface of the support substrate 100 is disposed.
  • the back electrode layer 200 is formed on the support substrate 100 using the mask 10. That is, a metal such as molybdenum is deposited on the support substrate 100 through the mask 10, and the back electrode layer 200 is formed.
  • the width W2 of the first through holes TH1 may correspond to the width W1 of the mask patterns 12. That is, the width W2 of the first through holes TH1 may be substantially the same as the width of the mask pattern 12.
  • the width W3 of the second through holes TH2 is substantially the same as the width W1 of the mask patterns 12.
  • the second through holes TH2 pass through the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500.
  • the top surface of the back electrode layer 200 is exposed by the second through holes TH2.
  • the mask pattern 12 partially overlaps the second through hole TH2. Accordingly, the transparent conductive material is filled in a portion of the second through hole TH2 by the mask pattern 12.
  • the third through hole TH3 exposes the top surface 501 of the high resistance buffer layer 500.
  • the third through hole TH3 is not formed by mechanical scribing or laser. Therefore, the upper surface 501 of the high resistance buffer layer 500 exposed by the third through hole TH3 is on the same plane 502 as the upper surface of the high resistance buffer layer 500 covered by the window layer 600. Is placed.
  • the first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3 are formed by the same mask pattern 12, they have a width corresponding to each other. . That is, the first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3 have substantially the same width.
  • the first exposure area 201 is defined at one outer portion of the back electrode layer 200.
  • the second exposed area 3010 is defined at an outer portion of the light absorbing layer 300.
  • the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, and the window layer 600 are formed using one mask 10.
  • the solar cell apparatus according to the embodiment does not need to replace the mask 10 in order to form the respective layers 200... 600.

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Abstract

태양광 발전장치 및 이의 제조방법 제공된다. 태양광 발전장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층의 제 1 노출 영역을 노출하도록 상기 이면전극층을 덮는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층의 제 2 노출 영역을 노출하도록 상기 광 흡수층을 덮는 윈도우층을 포함한다. 각각의 층은 하나의 마스크가 소정의 피치로 이동되면서 형성될 수 있다. 이에 따라서, 각각의 층은 단차를 형성하며, 소정의 피치 만큼 어긋나도록 적층된다. 태양광 발전장치는 하나의 마스크로 형성되기 때문에, 매우 용이하게 형성될 수 있다.

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법
실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
광전 변환 효과를 이용하여 빛에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전 모듈은 지구 환경의 보전에 기여하는 무공해 에너지를 얻는 수단으로 널리 사용되고 있다.
태양 전지의 광전 변환 효율이 개선됨에 따라, 태양광 발전 모듈을 구비한 많은 태양광 발전 시스템이 주거 용도 뿐만 아니라 건물의 외장재로까지 설치되기에 이르렀다.
실시예는 용이하게, 대량으로 태양광 발전장치를 제조할 수 있는 제조방법 및 태양광 발전장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층의 제 1 노출 영역을 노출하도록 상기 이면전극층을 덮는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층의 제 2 노출 영역을 노출하도록 상기 광 흡수층을 덮는 윈도우층을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 마스크를 사용하여, 지지기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계; 상기 마스크를 상기 지지기판에 대하여, 1차 상대 이동시킨 후, 상기 마스크를 사용하여, 상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 마스크를 상기 지지기판에 대하여, 2차 상대 이동시킨 후, 상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되며, 제 1 관통홈이 형성되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되며, 상기 제 1 관통홈 옆에 제 2 관통홈이 형성되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 제 2 관통홈과 중첩되는 제 3 관통홈이 형성되는 윈도우층을 포함하며, 상기 제 1 관통홈의 폭, 상기 제 2 관통홈의 폭 및 상기 제 3 관통홈의 폭은 서로 대응된다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 하나의 마스크를 사용하여, 이면전극층, 광 흡수층 및 윈도우층을 형성할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 각각의 층들을 형성하기 위해서, 마스크를 교체할 필요 없다.
특히, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 마스크의 이동을 무선으로 조종하여, 이면전극층, 광 흡수층 및 윈도우층을 한 번의 진공 공정으로 연속으로 증착하여 형성할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 한 번의 진공 상태에서, 하나의 마스크를 사용하여, 다수 개의 셀들로 구분되는 태양광 발전장치를 용이하게 제조할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 용이하게, 자동화 공정을 적용하여, 대량으로 태양전지 패널 등의 태양광 발전장치를 제조할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하기 위한 마스크를 도시한 평면도이다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극, 홈 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막, 홈 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하기 위한 마스크를 도시한 평면도이다. 도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 지지기판(100) 상에 마스크(10)가 배치된다.
상기 지지기판(100)은 상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가진다. 상기 지지기판(100)은 절연체이다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다.
더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거(rigid)나 플렉서블(flexible)할 수 있다.
도 1 에 도시된 바와 같이, 상기 마스크(10)는 마스크 프레임(11) 및 다수 개의 마스크 패턴들(12)을 포함한다.
상기 마스크 프레임(11)은 사각 틀 형상을 가지며, 평면에서 보았을 때, 폐루프 형상을 가질 수 있다. 평면에서 보았을 때, 상기 마스크 프레임(11)은 상기 지지기판(100)보다 더 크다.
상기 마스크 프레임(11)은 내열성이 높은 금속을 포함할 수 있다.
상기 마스크 패턴들(12)은 상기 마스크 프레임(11) 내측에 배치된다. 또한, 상기 마스크 패턴들(12)은 상기 마스크 프레임(11)에 연결된다. 상기 마스크 패턴들(12)은 서로 이격되어, 나란히 배치된다.
상기 마스크 패턴들(12)은 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가지며, 상기 마스크 패턴들(12)의 폭(W1)은 예를 들어, 약 10㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다. 상기 마스크 패턴들(12)은 서로 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 또한, 상기 마스크 패턴들(12)은 서로 평행하게 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 프레임(11)이 상기 지지기판(100)의 외곽 영역을 덮는다. 즉, 상기 마스크 프레임(11)은 상기 지지기판(100)의 측면이 배치되는 영역에 대응하여 배치된다.
도 3을 참조하면, 상기 마스크(10)를 사용하여, 상기 지지기판(100) 상에 이면전극층(200)이 형성된다. 즉, 상기 마스크(10)를 통하여, 상기 지지기판(100) 상에 몰리브덴 등의 금속이 증착되고, 상기 이면전극층(200)이 형성된다.
상기 이면전극층(200)은 증발법, 스퍼터링 공정 또는 화학 기상 증착 공정 등과 같은 다양한 방법에 의해서 형성될 수 있다. 이때, 몰리브덴과 같은 금속은 상기 마스크 프레임(11) 및 상기 마스크 패턴(12)이 위치하지 않는 영역에 증착된다.
이에 따라서, 상기 이면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 마스크 패턴들(12)에 대응하는 위치에 각각 형성된다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭(W2)은 상기 마스크 패턴들(12)의 폭(W1)에 대응할 수 있다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭(W2)은 상기 마스크 패턴(12)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 관통홈(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하며, 약 10㎛ 내지 100㎛의 폭을 가질 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 마스크(10)는 상기 지지기판(100)에 대하여, 제 2 방향으로 상대 이동한다. 즉, 상기 마스크(10)가 상기 제 2 방향으로 이동하거나, 상기 지지기판(100)이 상기 제 2 방향으로 이동될 수 있다.
이때, 상기 마스크(10)는 상기 제 1 관통홈(TH1)의 폭(W2)보다 더 많은 피치(P1)로 이동한다. 즉, 상기 마스크(10)가 이동한 후, 상기 마스크 패턴(12)은 상기 제 1 관통홈들(TH1) 옆으로 이동한다.
이후, 상기 마스크(10)를 사용하여, 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 차례로 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
이후, 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
이때, 상기 마스크(10)에 의해서, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)에 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다. 더 자세하게, 상기 마스크 패턴들(12)에 각각 대응하여, 상기 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭(W3)은 상기 마스크 패턴들(12)의 폭(W1)과 실질적으로 동일하다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)을 관통한다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 이면전극층(200)의 상면이 노출된다.
도 5를 참조하면, 상기 마스크(10)는 상기 지지기판(100)에 대하여, 상기 제 2 방향으로 상대 이동한다. 즉, 상기 마스크(10)가 상기 제 2 방향으로 이동하거나, 상기 지지기판(100)이 상기 마스크(10)와 반대 방향으로 이동할 수 있다.
이때, 상기 마스크 패턴(12)은 상기 제 2 관통홈(TH2)의 폭(W3)보다 더 작은 피치(P2)로 이동한다. 즉, 상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 마스크 패턴(12)이 서로 중첩되도록 이동한다. 예를 들어, 상기 마스크 패턴(12)은 상기 제 2 관통홈(TH2)의 폭(W3)의 반 정도의 거리로 이동한다.
이후, 상기 마스크(10)를 사용하여, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 윈도우층(600)이 형성된다. 상기 윈도우층(600)을 형성하기 위해서, 상기 마스크(10)를 통하여, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질이 적층된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(aluminum doped Zinc oxide;AZO) 등을 들 수 있다.
상기 마스크 패턴(12)은 상기 제 2 관통홈(TH2)과 일부 중첩된다. 이에 따라서, 상기 마스크 패턴(12)에 의해서, 상기 제 2 관통홈(TH2)의 일부에 상기 투명 도전 물질이 채워진다.
특히, 상기 윈도우층(600)은 상기 제 2 관통홈(TH2)의 일부에 채워진 투명 도전 물질에 의해서, 상기 이면전극층(200)과 접속된다.
또한, 상기 마스크(10)에 의해서, 상기 윈도우층(600)에 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 즉, 상기 마스크 패턴(12)에 의해서, 상기 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다.
상기 제 3 관통홈(TH3)의 폭(W4)은 상기 마스크 패턴(12)의 폭(W1)과 실질적으로 동일하다. 또한, 상기 제 3 관통홈(TH3)은 상기 제 2 관통홈(TH2)과 일부 중첩된다.
또한, 상기 제 3 관통홈(TH3)은 상기 고저항 버퍼층(500)의 상면(501)을 노출시킨다. 이때, 상기 제 3 관통홈(TH3)은 기계적인 스크라이빙 또는 레이저에 의해서 형성되지 않는다. 따라서, 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서 노출된 고저항 버퍼층(500)의 상면(501)은 상기 윈도우층(600)에 의해서 덮인 고저항 버퍼층(500)의 상면과 동일한 평면(502)에 배치된다.
또한, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)은 상기 제 1 관통홈들(TH1), 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 구분되어, 다수 개의 태양전지 셀들을 형성한다.
앞서 살펴본 바와 같이, 상기 제 1 관통홈(TH1), 상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 제 3 관통홈(TH3)은 동일한 마스크 패턴(12)에 의해서 형성되기 때문에, 서로 대응되는 폭을 가진다. 즉, 상기 제 1 관통홈(TH1), 상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 제 3 관통홈(TH3)은 실질적으로 동일한 폭을 가진다.
또한, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)은 상기 마스크 프레임(11)에 의해서, 계단 형상으로 적층된다.
즉, 상기 이면전극층(200)의 외곽 부분 및 상기 광 흡수층(300)의 외곽 부분은 일치하지 않고, 일정한 간격으로 어긋나도록 배치된다. 즉, 상기 이면전극층(200) 및 상기 광 흡수층(300)은 서로 완전히 중첩되지 않고, 일부 중첩된다.
이에 따라서, 상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200)의 상면 전체를 덮지 않고, 상기 이면전극층(200)의 상면 일부(이하, 제 1 노출 영역)(201)를 노출시킨다. 이때, 상기 제 1 노출 영역(201)의 폭(W6)은 상기 제 1 관통홈(TH1) 및 상기 제 2 관통홈(TH2) 사이의 피치(P1)에 대응된다.
즉, 상기 제 1 노출 영역(201)의 폭(W6)은 상기 이면전극층(200) 및 상기 광 흡수층(300)이 어긋난 정도이다. 이에 따라서, 상기 이면전극층(200)의 일 외측면 및 상기 광 흡수층(300)의 일 외측면 사이의 거리는 상기 제 1 노출 영역(201)의 폭(W6)에 대응된다.
마찬가지로, 상기 광 흡수층(300)의 외곽 영역 및 상기 윈도우층(600)의 외곽 영역은 서로 일치하지 않고, 일정한 간격으로 어긋나도록 배치된다. 즉, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)은 서로 완전히 중첩되지 않고, 일부 중첩된다.
이에 따라서, 상기 윈도우층(600)은 상기 광 흡수층(300)의 상면 전체를 덮지 않고, 상기 광 흡수층(300)의 상면 일부(이하, 제 2 노출 영역)(301)를 노출시킨다. 이때, 상기 제 2 노출 영역(301)의 폭(W7)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 제 3 관통홈(TH3) 사이의 피치(P2)에 대응된다.
즉, 상기 제 2 노출 영역(301)의 폭(W7)은 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)이 어긋난 정도이다. 이에 따라서, 상기 광 흡수층(300)의 일 외측면 및 상기 윈도우층(600)의 일 외측면 사이의 거리는 상기 제 2 노출 영역(301)의 폭(W7)에 대응된다.
상기 제 1 노출 영역(201)은 상기 이면전극층(200)의 일 외곽 부분에 정의된다. 또한, 상기 제 2 노출 영역(3010은 상기 광 흡수층(300)의 일 외곽 부분에 정의된다.
또한, 전체적으로 보았을 때, 상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200)과 제 1 단차를 이루며, 상기 이면전극층(200) 상에 배치된다. 또한, 상기 원도우층은 상기 광 흡수층(300)과 제 2 단차를 이루며, 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다.
이때, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)은 동일한 마스크(10)에 의해서 적층된다. 이에 따라서, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)은 서로 대응되는 평면적을 가진다. 즉, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)은 실질적으로 동일한 평면적을 가진다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200)의 일 외측면(202)을 덮는다. 또한, 상기 윈도우층(600)은 상기 광 흡수층(300)의 일 외측면(302)을 덮는다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 하나의 마스크(10)를 사용하여, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)을 형성한다. 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 각각의 층들(200...600)을 형성하기 위해서, 마스크(10)를 교체할 필요 없다.
특히, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 상기 마스크(10)의 이동을 무선으로 조종하여, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)을 한 번의 진공 공정으로 연속으로 증착하여 형성할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 한 번의 진공 상태에서, 하나의 마스크(10)를 사용하여, 다수 개의 셀들로 구분되는 태양광 발전장치를 용이하게 제조할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 용이하게, 자동화 공정을 적용하여, 대량으로 태양전지 패널 등의 태양광 발전장치를 제조할 수 있다.
본 실시예의 도면에서는 각각의 층의 측면 및 각각의 관통홈의 내측면은 지지기판(100)에 대해서, 수직하도록 도시되어 있지만, 실제 공정에서는 이와 같이 정확하게 수직한 형상으로 제조되지 않을 수 있다. 예를 들어, 각각의 층의 측면 및 각각의 관통홈의 내측면은 상기 지지기판(100)에 대해서 경사지도록 배치될 수 있고, 곡면으로 형성될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 태양광 발전 분야에 이용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 배치되는 이면전극층;
    상기 이면전극층의 제 1 노출 영역을 노출하도록 상기 이면전극층을 덮는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층의 제 2 노출 영역을 노출하도록 상기 광 흡수층을 덮는 윈도우층을 포함하는 태양광 발전장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 이면전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 윈도우층은 서로 대응되는 평면적을 가지는 태양광 발전장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 이면전극층의 외측면을 덮고, 상기 윈도우층은 상기 광 흡수층의 외측면을 덮는 태양광 발전장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 이면전극층에는 제 1 방향으로 연장되는 다수 개의 제 1 관통홈들이 형성되고,
    상기 광 흡수층에는 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 1 관통홈들에 각각 인접하는 다수 개의 제 2 관통홈들이 형성되고,
    상기 윈도우층에는 상기 제 1 방향으로 연장되고, 상기 제 2 관통홈들과 각각 중첩되는 다수 개의 제 3 관통홈들이 형성되는 태양광 발전장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 각각의 제 1 관통홈 및 각각의 제 2 관통홈 사이의 피치는 상기 제 1 노출 영역의 폭에 대응되는 태양광 발전장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 각각의 제 2 관통홈 및 각각의 제 3 관통홈 사이의 피치는 상기 제 2 노출 영역의 폭에 대응되는 태양광 발전장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 노출 영역은 상기 이면전극층의 외곽 부분에 정의되고,
    상기 제 2 노출 영역은 상기 광 흡수층의 외곽 부분에 정의되는 태양광 발전장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 이면전극층에 대응되는 평면 형상을 가지고,
    상기 광 흡수층은 상기 이면전극층과 소정의 간격으로 어긋나도록 상기 이면전극층 상에 적층되고,
    상기 윈도우층은 상기 광 흡수층에 대응되는 평면 형상을 가지고,
    상기 윈도우층은 상기 광 흡수층과 소정의 간격으로 어긋나도록 상기 광 흡수층 상에 적층되는 태양광 발전장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 이면전극층의 외측면 및 상기 광 흡수층의 외측면 사이의 거리는 상기 제 1 노출 영역의 폭에 대응되고,
    상기 광 흡수층의 외측면 및 상기 윈도우층의 외측면 사이의 거리는 상기 제 2 노출 영역의 폭에 대응되는 태양광 발전장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층을 포함하고,
    상기 버퍼층은 상기 광 흡수층과 대응되는 평면 형상을 가지는 태양광 발전장치.
  11. 마스크를 사용하여, 지지기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;
    상기 마스크를 상기 지지기판에 대하여, 1차 상대 이동시킨 후, 상기 마스크를 사용하여, 상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크를 상기 지지기판에 대하여, 2차 상대 이동시킨 후, 상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 마스크는 제 1 방향으로 연장되는 다수 개의 마스크 패턴들을 포함하고,
    상기 마스크는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 상기 지지기판에 대해서, 1차 및 2차 상대 이동하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 이면전극층을 형성하는 단계에서,
    상기 마스크에 의해서, 상기 이면전극층에 제 1 관통홈이 형성되고,
    상기 광 흡수층을 형성하는 단계에서,
    상기 마스크에 의해서, 상기 광 흡수층에 제 2 관통홈이 형성되고,
    상기 윈도우층을 형성하는 단계에서,
    상기 마스크에 의해서, 상기 윈도우층에 제 3 관통홈이 형성되는 태양광 발전장치의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 관통홈은 상기 제 1 관통홈옆에 형성되고,
    상기 제 3 관통홈은 상기 제 2 관통홈에 중첩되는 태양광 발전장치의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 관통홈, 상기 제 2 관통홈 및 상기 제 3 관통홈은 서로 나란한 태양광 발전장치의 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 관통홈, 상기 제 2 관통홈 및 상기 제 3 관통홈은 동일한 마스크 패턴에 의해서 형성되는 태양광 발전장치의 제조방법.
  17. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 배치되며, 제 1 관통홈이 형성되는 이면전극층;
    상기 이면전극층 상에 배치되며, 상기 제 1 관통홈 옆에 제 2 관통홈이 형성되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 제 2 관통홈과 중첩되는 제 3 관통홈이 형성되는 윈도우층을 포함하며,
    상기 제 1 관통홈의 폭, 상기 제 2 관통홈의 폭 및 상기 제 3 관통홈의 폭은 서로 대응되는 태양광 발전장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 광 흡수층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층; 및
    상기 버퍼층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 고저항 버퍼층을 포함하며,
    상기 고저항 버퍼층의 상면의 일부는 상기 제 3 관통홈에 의해서 노출되는 태양광 발전장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 이면전극층 상에 계단 형상으로 적층되고,
    상기 노출된 이면전극층의 상면의 폭은 상기 제 1 관통홈 및 상기 제 2 관통홈 사이의 피치에 대응하는 태양광 발전장치.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 윈도우층은 상기 광 흡수층의 상면에 계단 형상으로 적층되며,
    상기 노출된 광 흡수층의 상면의 폭은 상기 제 2 관통홈 및 상기 제 3 관통홈 사이의 피치에 대응하는 태양광 발전장치.
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