WO2011037285A1 - 전극 제조방법 - Google Patents

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WO2011037285A1
WO2011037285A1 PCT/KR2009/005457 KR2009005457W WO2011037285A1 WO 2011037285 A1 WO2011037285 A1 WO 2011037285A1 KR 2009005457 W KR2009005457 W KR 2009005457W WO 2011037285 A1 WO2011037285 A1 WO 2011037285A1
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plastic film
pattern
electrode
pressing
conductive material
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PCT/KR2009/005457
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English (en)
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Inventor
황춘섭
김정식
Original Assignee
Hwang Choon Seob
Kim Jung Sik
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Definitions

  • the present invention relates to an electrode manufacturing method, and more particularly to an electrode manufacturing method for providing a fine electrode pattern on a plastic film.
  • Conventional methods for producing such an electrode include an etching method including forming a metal thin film by sputtering or vapor deposition, applying a resist, exposing and developing the resist, and then forming a pattern of the metal thin film with an etching solution.
  • the etching method has a problem in that a vacuum apparatus is required and the throughput in the process is small.
  • the screen printing method is limited in forming a pattern having a width of 100 ⁇ m or less, and has a problem in that satisfactory resolution cannot be obtained.
  • the photolithography method has a problem in that when a pattern having a thickness of 5 to 20 ⁇ m is formed, satisfactory sensitivity cannot be obtained in the depth direction of the conductive paste layer, and a material having a wide development margin cannot be obtained.
  • a step of forming a conductive paste layer on the substrate by transferring the conductive paste layer supported on the support film to the substrate, forming a resist film on the conductive paste layer transferred to the substrate, Exposing the formed resist film through a mask to form a latent resist pattern; developing the exposed resist film to develop a resist pattern; etching the exposed portion of the conductive paste layer to form a conductive paste layer pattern corresponding to the resist pattern
  • a method of manufacturing an electrode is disclosed, the method comprising forming a conductive layer pattern by curing the formed pattern by heat treatment.
  • the prior art as described above has a problem in that the formation of the fine electrode is not easy due to the normal exposure, development, and etching processes when the insulating layer is removed, and the defect rate is high.
  • the present invention has been made in order to solve the above problems of the prior art, and to produce a substrate for forming the electrode in advance to correspond to the set pattern, and pressing the substrate to the electrode substrate to form a pattern groove and then a conductive material in the pattern groove The filling is performed to form an electrode, thereby providing an electrode manufacturing method which can easily form a fine electrode and can increase productivity due to a low defect rate.
  • the electrode manufacturing method comprises the steps of producing a press mold by plating nickel on a metal body on which a protruding press pattern corresponding to the electrode pattern is formed, and on the press roller and the press roller to which the press mold is coupled. Passing the plastic film between the corresponding rotating rollers to form a concave electrode pattern on the plastic film by the pressing pattern of the pressing mold, and filling a conductive material forming an electrode on the electrode pattern of the plastic film; Polishing the conductive material filled in the plastic film in accordance with the planar portion of the plastic film.
  • the plastic film may be formed of any one of PET, PI or PC.
  • the step of forming the electrode pattern should be performed between +10 degrees Celsius to -50 degrees Celsius by the cooling means.
  • the conductive material may be charged by a sputtering method.
  • a method of manufacturing a press mold by plating nickel on a metal body having a protruding press pattern corresponding to an electrode pattern, and applying a release agent to one surface portion on which the press pattern of the press mold is formed. And forming a conductive layer by plating a conductive material on the pressing mold release agent, and passing the plastic film between the pressing roller to which the pressing mold is coupled and the rotating roller disposed to correspond to the pressing roller. Concave electrode patterns are formed on the plastic film, the conductive layer is separated from the release agent, and a conductive layer is formed on the plastic film, and the conductive layer of the plastic film is formed on a flat surface of the plastic film. Polishing to suit.
  • the conductive material may be any one of copper, nickel, silver, and conductive nano compounds having high conductivity.
  • Another configuration of the present invention is to produce a pressing mold by plating nickel on a metal body having a protruding pressing pattern corresponding to the electrode pattern, and to be arranged to correspond to the pressure roller and the pressure roller to which the pressure mold is coupled. Passing the plastic film between the rotating rollers to form a concave electrode pattern on the plastic film by the pressing pattern of the pressing mold, and filling a conductive material forming an electrode on the electrode pattern of the plastic film; Forming a silver nanoparticle layer on the planar portion and the conductive material of the plastic film, and polishing the conductive material of the plastic film to match the silver nanoparticle layer on the planar portion of the plastic film.
  • the electrode manufacturing method to produce a pressing mold in the form of a substrate in which the pressing pattern is formed in advance so as to correspond to the set electrode pattern, by pressing the plastic film which is a substrate on which the electrode pattern is to be formed by the pressing mold
  • the electrode pattern is filled with a conductive material to form an electrode, and the fine electrode can be easily formed by applying polishing for the flatness of the electrode. Can be.
  • FIG. 3 is a process chart of the electrode manufacturing method according to a third embodiment of the present invention.
  • the present invention provides a method of manufacturing an electrode mold by plating nickel on a substrate-shaped metal body on which an embossed press pattern corresponding to a negative electrode pattern is formed. Passing the plastic film between the pressing roller to which the mold is coupled and the rotating roller corresponding to the pressing roller to form a concave electrode pattern on the plastic film by the pressing pattern of the pressing mold, and forming an electrode on the electrode pattern of the plastic film. And filling the plastic film with the planar portion of the plastic film.
  • a pressing pattern corresponding to the electrode pattern is formed through the same exposure and etching process as the semiconductor fabrication process, and a pressing mold having rigidity to the pressing pattern is used through nickel plating.
  • the press mold is manufactured through the same process as the substrate, but rigidity for pressurization is secured through nickel plating.
  • FIG. 1 is a process chart of the electrode manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
  • the electrode manufacturing method includes nickel on a substrate-shaped metal body on which an embossed pressing pattern 102 is formed to correspond to a negative electrode pattern 122.
  • the pressing mold 100 is fixed to the outer circumferential surface of the pressing roller 108 is constantly fixed, the plastic film 120 to be the substrate of the electrode pattern 122 is between the pressing mold 100 and the rotating roller 109 By passing through, the pressing pattern 102 of the pressing mold 100 is provided with an intaglio electrode pattern 122 such as a pattern.
  • the conductive material 125 is filled in the electrode pattern 122 of the plastic film 120 by a sputtering method, which is physical deposition, and the plastic film 120 is transferred to a process in which the polishing machine 130 is provided. At this time, the conductive material 125 forming an irregular surface on the electrode pattern 122 of the plastic film 120 is polished by the polishing machine 130 and flattened near the surface of the plastic.
  • a complex and minute electrode may be formed on one surface of the plastic film 120 used as the substrate by the electrode pattern 122 filled with the conductive material 125, and the plastic film 120 may vary according to the function of the substrate.
  • a pattern electrode is formed and can be used as a component of an electronic product.
  • the plastic film 120 may be formed of polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), polycarbonate (PC), etc., which may be easily formed in thermoplastic, have good electrical insulation, and have a flexible material. It is formed from micrometers to 1 millimeter thick.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PI polyimide
  • PC polycarbonate
  • the plastic film is passed through the pressure roller 108 and the rotating roller 109 to form the electrode pattern 122 is provided with a cooling means 110 is the process is between +10 degrees Celsius to -50 degrees Celsius Should be performed. That is, heat is generated in the pressure roller 108 and the rotary roller 109 by the friction action on the plastic film 120, and since the thermoplastic plastic film 120 can be easily deformed even at room temperature, the pressure roller 108 ) And the space in which the rotating roller 109 is disposed should be maintained between +10 degrees and -50 by adjusting the amount of heat exchanged by the cooling means 110 according to the amount of heat generated.
  • the cooling means 110 may be configured to include a heat pipe or a paltier cooling element using a known refrigerant.
  • FIG. 2 is a process chart of the electrode manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
  • the pressing mold 200 having the pressing pattern 202 is mounted on the pressing roller 208, and an electrode pattern (not shown) is formed on the plastic film 220, and the electrode pattern is formed.
  • the process of the conductive material is planarized by the polishing machine 230 is similar to the first embodiment.
  • the filling of the conductive material 225 on the electrode pattern 222 of the plastic film 220 is not a sputtering method, but the plastic film 220 is the pressing roller 208 and the rotating roller ( 209 is provided in the course of passing. That is, the conductive layer 204, which can be easily separated from the pressing mold 200 by the release agent 203, forms the electrode pattern 222 on the plastic film 220 by pressing the pressing pattern 202. It is provided on one side of the film 220.
  • the material of the plastic film 220 is polyethylene terephthalate (PET) or polycarbonate (PC), which is a thermoplastic resin, and the space in which the pressure roller 208 and the rotary roller 209 are disposed is frictional. Since heat is generated by the action, it should be maintained between +10 degrees and -50 by the cooling means 210 to prevent deformation of the plastic film 220.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PC polycarbonate
  • the conductive material 225 may be copper, nickel, silver, a conductive nano compound, or the like having high conductivity and excellent mechanical processability.
  • FIG. 3 is a process chart of the electrode manufacturing method according to a third embodiment of the present invention.
  • the electrode manufacturing method according to a third embodiment of the present invention step (A '') of manufacturing a pressing mold 300 having a pressing pattern 302, pressing the plastic film 320 Passing between the roller 308 and the rotating roller 309 to form the electrode pattern 322 (B ''), the step of filling the conductive material 325 in the electrode pattern 322 of the plastic film 320 (C ′′), forming the silver nanoparticle layer 326 on the planar portion (not shown) of the plastic film 320 and the conductive material 325 (D ′′), the conductive material 325 Polishing (E '').
  • the pressure mold manufacturing step (A ''), the electrode pattern forming step (B ''), the conductive material filling step (C '') is the case of the electrode manufacturing method according to the first embodiment of the present invention described above and Features are the same, and description thereof will be omitted.
  • the third embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the silver nanoparticle layer 326 is formed on the planar portion of the plastic film 320. That is, after the conductive material 325 is filled in the electrode pattern 322 of the plastic film 320 (C ′′), the planar portion of the plastic film 320 in which the conductive material 325 is not filled and the conductive material ( Silver nanoparticles are coated on the 325 to form the silver nanoparticle layer 326.
  • the conductive material 325 is polished using the polishing machine 330, unlike the first embodiment of the present invention.
  • the conductive material 325 is polished to fit the silver nanoparticle layer 326 on the planar portion of the plastic film 320.
  • the conductive material 325 is formed on the electrode pattern 322 of the plastic film 320, the silver nanoparticle layer 326 is formed on the planar portion of the plastic film 320, and the silver nanoparticle layer 326 is formed. Due to this, antibacterial and deodorizing effects can be obtained.
  • the material of the plastic film 320 or the material of the conductive material 325 may be the same as those of the first embodiment or the second embodiment.
  • reference numeral 310 denotes a cooling means
  • the cooling means 310 has the same technical features as the cooling means 110 of the first embodiment of the present invention described above.
  • the present invention relates to a method for producing an electrode, which can be used industrially.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

플라스틱 필름에 미세 전극을 제공하는 전극 제조방법이 개시된다. 개시된 발명은 전극패턴에 대응하는 돌출형상의 가압패턴이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계와, 가압금형이 결합되는 가압롤러와 가압롤러에 대응하는 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 가압금형의 가압패턴에 의해 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴을 형성하는 단계와, 플라스틱 필름의 전극패턴에 전극을 형성하는 도전물을 충전하는 단계와, 플라스틱 필름에 충전된 도전물을 플라스틱 필름의 평면부에 맞게 연마하는 단계를 포함한다. 이와 같이 개시된 발명은 오목한 전극패턴에 도전성 물질이 충전되어 전극이 형성됨으로써, 미세 전극의 형성이 용이하고 불량률이 낮아 생산성을 높일 수 있는 효과를 제공한다.

Description

전극 제조방법
본 발명은 전극 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라스틱 필름에 미세한 전극패턴을 제공하는 전극 제조방법에 관한 것이다.
최근에는 인쇄 회로 기판, 다층 회로 기판, 멀티-칩 모듈, LCD, LSI 등의 전극 배선 및 돌기 전극에 대한 소형화, 고정밀화, 고밀도화의 요구가 점차 증가하고 있다.
종래의 이러한 전극의 제조 방법으로는 금속 박막을 스퍼터링 또는 증착에 의해 형성하고, 레지스트를 도포하고, 그 레지스트를 노광 및 현상한 후, 에칭액으로 금속박막의 패턴을 형성하는 것을 포함하는 에칭법, 비감광성의 도전성 페이스트 조성물을 기판 상에 스크린 인쇄하여 패턴을 형성하고, 이 패턴을 가열하는 것을 포함하는 스크린 인쇄법 및 감광성, 도전성 페이스트 조성물의 막을 기판 상에 형성하고, 이 막을 포토마스크를 통해 자외선에 노광시키고, 현상하여 기판 상에 패턴을 잔존시킨 후, 이를 열처리하는 것을 포함하는 포토리소그래피법 (photholithograpy) 등이 알려져 있다.
그러나, 상기 에칭법은 진공 설비가 필요하고 공정과정 상 처리량이 적은 문제점을 갖는다.
그리고, 상기 스크린 인쇄법은 폭이 100㎛ 이하인 패턴을 형성하는데 제한이 따르고, 만족스러운 해상도를 얻을 수 없는 문제점을 갖는다.
또한, 상기 포토리소그래피법은 5 내지 20 ㎛의 두께를 갖는 패턴을 형성하는 경우에 도전성 페이스트층의 깊이 방향으로 만족스러운 감도를 얻을 수 없고, 현상 마진이 넓은 재료를 얻을 수 없는 문제점을 갖는다.
이와 같은 문제를 해결한 종래 기술로서는, 지지 필름 상에 지지된 도전성 페이스트층을 기판에 전사하여 기판 상에 도전성 페이스트층을 형성하는 단계, 기판에 전사된 도전성 페이스트층 상에 레지스트막을 형성하는 단계, 상기 형성된 레지스트막을 마스크를 통해 노광시켜 레지스트 패턴 잠상을 형성하는 단계, 노광된 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 현상하는 단계, 도전성 페이스트층의 노광된 부분을 에칭하여 레지스트 패턴에 대응하는 도전성 페이스트층 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 형성된 패턴을 열처리에 의해 경화시켜 도전성 층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전극의 제조방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기와 같은 종래기술은 절연층의 제거 시 통상 노광, 현상 및 식각공정이 수반됨으로써 미세 전극의 형성이 용이하지 않고, 불량률이 높아지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 설정 패턴에 대응되도록 미리 전극 형성용 기판을 제작하고, 이 기판을 전극 기판에 가압하여 패턴 홈을 형성한 후 패턴 홈에 도전성 물질이 충전되어 전극이 형성됨으로써 미세 전극의 형성이 용이하고, 불량률이 낮아 생산성을 높일 수 있는 전극 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 전극 제조방법의 구성은 전극패턴에 대응하는 돌출형상의 가압패턴이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계와, 상기 가압금형이 결합되는 가압롤러와 상기 가압롤러에 대응하는 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 상기 가압금형의 가압패턴에 의해 상기 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴을 형성하는 단계와, 상기 플라스틱 필름의 전극패턴에 전극을 형성하는 도전물을 충전하는 단계와, 상기 플라스틱 필름에 충전된 도전물을 상기 플라스틱 필름의 평면부에 맞게 연마하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 플라스틱 필름은 PET, PI 또는 PC 중에 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 전극패턴을 형성하는 단계는 냉각수단에 의해 섭씨 +10도 ~ -50도 사이에서 수행되어야 한다. 이때, 상기 도전물은 스퍼터링 방식에 의해 충전가능하다.
본 발명의 다른 구성은 전극패턴에 대응하는 돌출형상의 가압패턴이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계와, 상기 가압금형의 가압패턴이 형성되는 일면부에 이형제를 도포하는 단계와, 상기 가압금형의 이형제 상에 도전물을 도금하여 도전층을 형성하는 단계와, 상기 가압금형이 결합되는 가압롤러와 상기 가압롤러에 대응하게 배치된 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 상기 가압패턴에 의해 상기 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴이 형성되고, 상기 도전층이 상기 이형제로부터 분리되어 상기 플라스틱 필름 상에 도전층이 형성되는 단계와, 상기 플라스틱 필름의 도전층을 상기 플라스틱 필름의 평면부에 맞게 연마하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 도전물은 도전성이 높은 구리, 니켈, 은, 도전성 나노 화합물 중 어느 하나가 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 구성은 전극패턴에 대응하는 돌출형상의 가압패턴이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계와, 상기 가압금형이 결합되는 가압롤러와 상기 가압롤러에 대응하게 배치되는 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 상기 가압금형의 가압패턴에 의해 상기 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴을 형성하는 단계와, 상기 플라스틱 필름의 전극패턴에 전극을 형성하는 도전물을 충전하는 단계와, 상기 플라스틱 필름의 평면부 및 도전물 상에 은나노 입자층을 형성하는 단계와, 상기 플라스틱 필름의 도전물을 상기 플라스틱 필름의 평면부 상의 은나노 입자층에 맞게 연마하는 단계를 포함한다.
이상과 같은 본 발명에 따른 전극 제조방법에 의하면, 설정된 전극패턴에 대응되도록 미리 가압패턴이 형성된 기판형상의 가압금형을 제작하고, 상기 가압금형에 의해 전극패턴이 형성될 기판인 플라스틱 필름을 가압하여 오목한 전극패턴을 형성한 후 전극패턴에 도전성 물질을 충전하여 전극을 형성하고, 전극의 평탄을 위한 연마를 가함으로써 복잡한 미세 전극을 용이하게 형성할 수 있고, 불량률이 낮아져 생산성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 기판인 플라스틱 필름 상에 은나노 입자층을 형성함으로써, 항균 및 살균효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 제조방법의 공정도이고,
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 제조방법의 공정도이고,
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전극 제조방법의 공정도이다.
본 발명에 따른 전극 제조방법의 실시의 최선의 형태는, 음각의 전극패턴에 대응하는 돌출형상인 양각의 가압패턴이 형성된 기판형상의 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계와, 가압금형이 결합되는 가압롤러와 가압롤러에 대응하는 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 가압금형의 가압패턴에 의해 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴을 형성하는 단계와, 플라스틱 필름의 전극패턴에 전극을 형성하는 도전물을 충전하는 단계와, 플라스틱 필름에 충전된 도전물을 플라스틱 필름의 평면부에 맞게 연마하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명에 따른 전극 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
또한, 하기 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라 본 발명의 청구범위에 제시된 구성요소의 예시적인 사항에 불과하며, 본 발명의 명세서 전반에 걸친 기술사상에 포함되고 청구범위의 구성요소에서 균등물로서 치환 가능한 구성요소를 포함하는 실시예는 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있다.
하기, 실시예 1 내지 3의 공정에는 반도체 제작공정과 같은 노광, 식각과정을 거쳐 전극패턴에 대응하는 가압패턴이 형성되고, 니켈도금을 거쳐 가압패턴에 강성이 확보된 가압금형이 사용된다. 가압금형은 기판과 같은 공정을 거쳐 제작되나, 니켈도금을 통해 가압을 위한 강성이 확보되어 있다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 제조방법의 공정도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 제조방법은 음각의 전극패턴(122)에 대응하는 돌출형상인 양각의 가압패턴(102)이 형성된 기판형상의 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형(100)을 제작하는 단계(A), 가압금형(100)이 결합되는 가압롤러(108)와 가압롤러(108)에 대응하는 회전롤러(109) 사이로 플라스틱 필름(120)을 통과시켜 가압금형(100)의 가압패턴(102)에 의해 플라스틱 필름(120)에 오목한 전극패턴(122)을 형성하는 단계(B), 플라스틱 필름(120)의 전극패턴(122)에 전극을 형성하는 도전물(125)을 충전하는 단계(C), 플라스틱 필름(120)에 충전된 도전물(125)을 플라스틱 필름(120)의 평면부에 맞게 연마하는 단계(D)를 포함한다.
이때, 가압금형(100)은 가압롤러(108)의 외주면에 다수개가 일정하게 고정되고, 전극패턴(122)의 기판이 되는 플라스틱 필름(120)은 가압금형(100)과 회전롤러(109) 사이로 통과함으로써 가압금형(100)의 가압패턴(102)에 의해 무늬와 같은 전극패턴(122)을 음각으로 제공받는다.
플라스틱 필름(120)의 전극패턴(122)에는 물리적인 증착인 스퍼터링(SPUTTERING) 방식에 의해 도전물(125)이 충전되고, 플라스틱 필름(120)은 연마기(130)가 있는 공정으로 이송된다. 이때, 플라스틱 필름(120)의 전극패턴(122)에서 불규칙한 면을 형성하고 있는 도전물(125)은 연마기(130)에 의해 연마되어 플라스틱의 면부에 가깝게 평탄화된다.
따라서, 기판으로 사용되는 플라스틱 필름(120)의 일면에는 도전물(125)이 채워진 전극패턴(122)에 의해 복잡하고 미세한 전극이 형성될 수 있고, 플라스틱 필름(120)은 기판의 기능에 따라 다양한 패턴의 전극이 형성되어 전자제품의 부품으로 사용할 수 있다.
한편, 플라스틱 필름(120)은 열가소성의 성형이 용이하고, 전기적인 절연이 양호하며, 유연성이 있는 투명성 재질인 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC) 등으로 1마이크로미터 ~ 1밀리미터 두께로 형성된다.
또한, 플라스틱이 필름이 가압롤러(108)와 회전롤러(109)를 통과하여 전극패턴(122)이 형성되는 단계는 냉각수단(110)이 제공되어 공정이 섭씨 +10도 ~ -50도 사이에서 수행되어야 한다. 즉, 가압롤러(108)와 회전롤러(109)에는 플라스틱 필름(120)에 대한 마찰작용에 의해 열이 발생되고, 열가소성의 플라스틱 필름(120)은 상온에서도 쉽게 변형될 수 있으므로, 가압롤러(108)와 회전롤러(109)가 배치된 공간은 열의 발생량에 따라 냉각수단(110)에 의한 열 교환량이 조절되어 +10도 ~ -50 사이로 유지되어야 한다. 이때, 냉각수단(110)은 공지된 냉매를 사용하는 히트 파이프나 펄티어 냉각소자를 포함하여 구성할 수 있다.
실시예 2
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 제조방법의 공정도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 제조방법은 음각의 전극패턴(222)에 대응하는 양각의 돌출형상인 가압패턴(202)이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형(200)을 제작하는 단계(A'), 가압금형(200)의 가압패턴(202)이 형성되는 일면부에 다른 물질의 용이한 이탈을 제공하는 이형제(203)를 가압금형(200) 상에 도포하는 단계(B'), 가압금형(200)의 이형제(203) 상에 도전물(225)을 도금하여 도전층(204)을 형성하는 단계(C'), 가압금형(200)이 결합되는 가압롤러(208)와 가압롤러(208)에 대응하게 배치된 회전롤러(209) 사이로 플라스틱 필름(220)을 통과시켜 가압패턴(202)에 의해 플라스틱 필름(220)에 전극패턴(222)이 형성되고, 도전층(204)이 이형제(203)로부터 분리되어 플라스틱 필름(220) 상에 도전층(204)이 형성되는 단계(D'), 플라스틱 필름(220)의 도전층(204)을 플라스틱 필름(220)의 평면부에 맞게 연마하는 단계(E')를 포함한다.
이와 같은 제2 실시예는 가압패턴(202)이 형성된 가압금형(200)이 가압롤러(208)에 장착되고, 플라스틱 필름(220)에 전극패턴(도면부호 표시되지 않음)이 형성되며, 전극패턴(222)에 도전물(225)이 충전된 후, 도전물이 연마기(230)에 의해 평탄화되는 과정이 제1 실시예와 유사하다.
다만, 여기서는 제1 실시예와 다르게 플라스틱 필름(220)의 전극패턴(222)에 대한 도전물(225)의 충전이 스퍼터링 방식이 아닌, 플라스틱 필름(220)이 가압롤러(208)와 회전롤러(209)를 통과하는 과정에서 제공된다. 즉, 가압금형(200)에서 이형제(203)에 의해 용이하게 분리될 수 있는 도전층(204)이 가압패턴(202)의 압착에 의해 플라스틱 필름(220)에 전극패턴(222)을 형성하면서 플라스틱 필름(220)의 일면부에 제공되는 것이다.
제1 실시예와 마찬가지로, 플라스틱 필름(220)의 재질은 열가소성 수지인 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(PET)나 폴리카보네이트(PC)이고, 가압롤러(208)와 회전롤러(209)가 배치된 공간은 마찰작용에 의해 열이 발생되므로, 플라스틱 필름(220)의 변형을 방지하기 위한 냉각수단(210)에 의해 +10도 ~ -50 사이로 유지되어야 한다.
한편, 상기 도전물(225)은 도전성이 높고, 기계적인 가공성이 우수한 구리, 니켈, 은, 도전 나노 화합물 등이 될 수 있다.
실시예 3
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전극 제조방법의 공정도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 전극 제조방법은 가압패턴(302)을 갖는 가압금형(300)을 제작하는 단계(A''), 플라스틱 필름(320)을 가압롤러(308)와 회전롤러(309)의 사이로 통과시켜 전극패턴(322)을 형성하는 단계(B''), 플라스틱 필름(320)의 전극패턴(322)에 도전물(325)을 충전하는 단계(C''), 플라스틱 필름(320)의 평면부(도면부호 표시되지 않음) 및 도전물(325) 상에 은나노 입자층(326)을 형성하는 단계(D''), 도전물(325)을 연마하는 단계(E'')를 포함한다.
여기서, 가압금형 제작단계(A''), 전극패턴 형성단계(B''), 도전물 충전단계(C'')는 전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 제조방법의 경우와 기술적 특징이 동일하며, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
다만, 본 발명의 제3 실시예가 제1 실시예와 다른 점은 플라스틱 필름(320)의 평면부에 은나노 입자층(326)이 형성되도록 하는 것이다. 즉, 플라스틱 필름(320)의 전극패턴(322)에 도전물(325)이 충전된 후(C''), 도전물(325)이 충전되지 않은 플라스틱 필름(320)의 평면부와 도전물(325) 상에 은나노 입자를 도포하여 은나노 입자층(326)을 형성한다.
그리고, 플라스틱 필름(320)과 도전물(325) 상에 은나노 입자층(326)이 형성된 후 연마기(330)를 이용하여 도전물(325)을 연마하는데, 본 발명의 제1 실시예와는 다르게 연마기(330)로 도전물(325)을 연마할 때, 플라스틱 필름(320)의 평면부 상의 은나노 입자층(326)에 맞게 도전물(325)을 연마한다.
따라서, 플라스틱 필름(320)의 전극패턴(322)에는 도전물(325)이 형성되고, 플라스틱 필름(320)의 평면부에는 은나노 입자층(326)이 형성되며, 이러한 은나노 입자층(326)이 형성됨으로 인해 항균 및 탈취 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에서 플라스틱 필름(320)의 재질이나 도전물(325)의 재질은 전술한 제1실시예 또는 제2실시예의 경우와 동일한 것들이 이용될 수 있다.
한편, 미설명된 도면부호 310은 냉각수단을 가리키는 것으로서, 이러한 냉각수단(310)은 전술한 본 발명의 제1 실시예의 냉각수단(110)과 기술적 특징이 동일하다.
본 발명은 전극 제조방법에 관한 것으로서, 산업상 이용 가능하다.

Claims (7)

  1. 전극패턴에 대응하는 돌출형상의 가압패턴이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계;
    상기 가압금형이 결합되는 가압롤러와 상기 가압롤러에 대응하게 배치되는 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 상기 가압금형의 가압패턴에 의해 상기 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴을 형성하는 단계;
    상기 플라스틱 필름의 전극패턴에 전극을 형성하는 도전물을 충전하는 단계; 및
    상기 플라스틱 필름에 충전된 도전물을 상기 플라스틱 필름의 평면부에 맞게 연마하는 단계;를 포함하는 전극 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라스틱 필름은 PET, PI 또는 PC 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극패턴을 형성하는 단계는 섭씨 +10℃ ∼ -50℃ 사이에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전물은 스퍼터링 방식에 의해 충전되는 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
  5. 전극패턴에 대응하는 돌출형상의 가압패턴이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계;
    상기 가압금형의 가압패턴이 형성되는 일면부에 이형제를 도포하는 단계;
    상기 가압금형의 이형제 상에 도전물을 도금하여 도전층을 형성하는 단계;
    상기 가압금형이 결합되는 가압롤러와 상기 가압롤러에 대응하게 배치되는 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 상기 가압패턴에 의해 상기 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴을 형성되고, 상기 도전층이 상기 이형제로부터 분리되어 상기 플라스틱 필름 상에 도전층이 형성되는 단계; 및
    상기 플라스틱 필름의 도전층을 상기 플라스틱 필름의 평면부에 맞게 연마하는 단계;를 포함하는 전극 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전물은 구리, 니켈, 은, 도전성 나노 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극 제조방법.
  7. 전극패턴에 대응하는 돌출형상의 가압패턴이 형성된 금속체에 니켈을 도금하여 가압금형을 제작하는 단계;
    상기 가압금형이 결합되는 가압롤러와 상기 가압롤러에 대응하게 배치되는 회전롤러 사이로 플라스틱 필름을 통과시켜 상기 가압금형의 가압패턴에 의해 상기 플라스틱 필름에 오목한 전극패턴을 형성하는 단계;
    상기 플라스틱 필름의 전극패턴에 전극을 형성하는 도전물을 충전하는 단계;
    상기 플라스틱 필름의 평면부 및 도전물 상에 은나노 입자층을 형성하는 단계; 및
    상기 플라스틱 필름의 도전물을 상기 플라스틱 필름의 평면부 상의 은나노 입자층에 맞게 연마하는 단계;를 포함하는 전극 제조방법.
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