WO2011035748A1 - Verfahren und vorrichtung zum rückätzen einer halbleiterschicht - Google Patents

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etching
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etched
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Franck Delahaye
Werner Saule
Eckard Wefringhaus
Steffen Queisser
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Rena Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to a method for at least partially etching back a semiconductor layer according to the preamble of claim 1 and to an apparatus for carrying out this method according to the preamble of claim 15.
  • etching back of a semiconductor layer is the subject of the manufacturing process of many semiconductor devices.
  • a semiconductor layer is to be understood as a semiconductive layer.
  • etching back of a semiconductor layer is used in solar cell fabrication to etch back an emitter which is a doped semiconductor layer.
  • Such emitter re-etching is partially carried out when the dopant concentration at the surface of the semiconductor layer is so great that an increased surface recombination speed or an increased emitter saturation current density adversely affect the efficiency of the finished solar cell.
  • Excessive dopant concentration at the surface of a semiconductor layer may occur, for example, when using particular dopant sources or when the increased dopant surface concentration results because the diffusion is primarily directed to affect other properties of the solar cell substrate than the dopant concentration at the surface of the semiconductor layer; For example, if the diffusion at the same time a getter effect should be effected.
  • CONFIRMATION COPY layer is eliminated by the semiconductor layer is etched back. This can be done, for example, by etching back the semiconductor layer in an etching solution which contains hydrofluoric acid (HF) and ozone (0 3 ) (cf., for example, EP 1 843 389 B1).
  • etching solution which contains hydrofluoric acid (HF) and ozone (0 3 ) (cf., for example, EP 1 843 389 B1).
  • the inventive method provides that the substrate is at least partially disposed outside of an etching solution and that located outside of the etching solution areas of the semiconductor layer are at least partially removed by means of the etching solution entstammender reactive vapors.
  • a surface of the etching solution does not necessarily represent a plane. Due to wetting phenomena, the surface may be curved in sections, in particular at the edges of the substrate, as is schematically illustrated by way of example for a surface 7 of an etching solution 5 in FIG.
  • the substrate 60 is located entirely above a liquid level 8 of the etching solution 5, parts of a schematically illustrated doped semiconductor layer 1 are arranged in the etching solution 5 and are in direct contact therewith.
  • semiconductor layer 1 such as the regions situated on an upper side 62 of substrate 60, are outside etching solution 5.
  • Liquid mirror 8 represents a plane and, in the example of FIG. 7, extends in those regions in which surface 7 of the etching solution 5 is curved, below the surface 7 of the etching solution 5, as indicated by the dashed line in Figure 7.
  • a semiconductor layer means any semiconducting layer. Accordingly, a phosphosilicate glass or borosilicate glass layer, often simply referred to as phosphorus glass or boron glass, is not a semiconductor layer in the sense of the present invention due to its electrically insulating effect.
  • the etching solution used may, for example, be a solution which, on the one hand, comprises an oxidant, e.g. Nitric acid or ozone, and on the other hand contains hydrofluoric acid.
  • an etching solution which contains hydrofluoric acid and nitric acid has proven particularly suitable.
  • this can be added in addition sulfuric acid.
  • a doped silicon layer is etched back.
  • a silicon substrate is preferably used as substrate and the doped silicon layer is formed by introducing dopant into the silicon substrate.
  • the introduction of the dopant can in principle be carried out in any way, in the field of solar cell production this is usually diffused into the silicon substrate.
  • a development of the invention provides that the substrate is arranged such that parts of the semiconductor layer are located in the etching solution, and that these parts of the semiconductor layer are completely removed by means of the etching solution. This complete removal is not to be understood as meaning that no semiconductor material remains below the surface of the etching solution. Only the semiconductor layer considered in the respective embodiment variant is completely removed in the etching solution.
  • a silicon wafer and thus a silicon substrate, is used as the substrate and diffused into it from the outside dopant, so that a doped semiconductor layer is formed on the surface of the silicon substrate, then only those parts of the doped semiconductor layer which are in the etching solution are completely removed by means of the etching solution.
  • the rest of the silicon located below the surface of the etching solution is not necessarily removed.
  • this residual silicon need not necessarily be undoped, but may contain dopant of a different type than that present in the removed doped semiconductor layer.
  • areas of the doped semiconductor layer located outside the etching solution are removed at least in part by means of the reactive vapors during the complete removal of the parts of the semiconductor layer located in the etching solution.
  • dead layer In the field of solar cell production, very heavily doped and thus very recombination-active layers, which are sometimes referred to as "dead layer”, can be removed by means of the method according to the invention additional
  • the way in which "dead layer” or emitter was formed is fundamentally insignificant. For example, this may have been by implantation or chemical or physical deposition processes or by diffusion of dopant, which is the most common approach. This can be either an n-type or a p-type emitter.
  • the inventive method is therefore applicable to both solar cell types.
  • the method according to the invention can be easily integrated into existing systems, since wet-chemical etching processes are already provided for in many production lines in solar cell production.
  • the emitter is etched back by 1 to 25 ⁇ / sq. In the case of emitter profiles commonly used in industrial solar cell production, this typically corresponds to a material removal of 1 to 50 nm. In this way, it is possible to achieve an improvement in the efficiency of finished solar cells of up to 0.4% in the case of industrially produced silicon solar cells.
  • the reaction time of the reactive vapors has been proven to be from 30 seconds to 5 minutes.
  • a development of the invention provides that the solar cell substrate is arranged such that a later
  • Emitter side of the solar cell substrate is located outside the etching solution and located on the emitter side opposite side of the solar cell substrate in the etching solution.
  • This embodiment variant is particularly advantageous in those solar cell sub-rates in which an emitter was formed along the entire substrate surface. This is the case, for example, if the solar cell substrate is exposed to a dopant entry from a gas phase diffusion, without any part of the surface being exposed to the dopant entry is protected.
  • Such or similar full-surface emitter diffusion is often used in industrial solar cell manufacturing. This has the consequence that a short circuit of the contacts of the solar cell, usually referred to as front and back contact, must be prevented via a continuous emitter layer.
  • the continuous emitter is usually interrupted, which is often referred to as edge isolation.
  • an electrically conductive connection formed by the emitter layer and extending from the emitter side of the solar cell substrate to the opposite side is interrupted. This can be done, for example, by sawing trenches along the edges or etching the emitter along the edges of the solar cell substrate.
  • edge isolation is ambiguous insofar as that removal of the emitter does not necessarily have to take place only at the edges of the solar cell substrate.
  • the emitter side of a solar cell substrate is arranged outside an etching solution and the side of the solar cell substrate opposite the emitter side in the etching solution. The parts of the emitter located in the etching solution are then completely removed by means of the etching solution. As a result, the electrically conductive connection is interrupted from the emitter side to the side of the solar cell substrate opposite the emitter side.
  • the edge insulation can be combined with the etching back of the emitter. While the edge isolation is done by completely removing those parts of the emitter that are in the etching solution, areas of the emitter outside the etching solution are etched back by means of the reactive vapors. It can thus be low cost at the same time the edge insulation as well as the etching back of the emitter done. In contrast, in the case of processes according to the prior art, the emitter is etched back only after the edge insulation has occurred, which entails an additional process step and thus an increased manufacturing outlay.
  • the emitter side of the solar cell substrate is protected from the action of reactive vapors, for example by a phosphorus or borosilicate glass formed during diffusion.
  • a silicate glass layer prevents the emitter from being damaged by the reactive vapors, which would adversely affect the efficiency. Due to the hydrophilicity of such a silicate glass layer, however, there is a risk that the emitter side wets in peripheral areas of the etching solution and the emitter is damaged.
  • a known measure to prevent such damage to the emitter is an increase in the viscosity of the etching solution. For this purpose, for example, sulfuric acid can be added to the etching solution.
  • the described wetting of edge regions of the emitter side is counteracted by fine adjustment of parameters of the etching solution, for example the liquid level of the etching solution, its temperature or the supply and discharge rate of the etching solution in an etching solution container.
  • parameters of the etching solution for example the liquid level of the etching solution, its temperature or the supply and discharge rate of the etching solution in an etching solution container.
  • the influencing parameters of the etching solution must always be kept in very narrow parameter windows.
  • a development of the invention therefore provides that a silicate glass layer present on the semiconductor layer to be back-etched is removed before etching back the semiconductor layer. This is preferably done in a wet-chemical manner.
  • a silicate glass layer present on the semiconductor layer to be back-etched is removed before etching back the semiconductor layer. This is preferably done in a wet-chemical manner.
  • the removal of the silicate glass layer is hydrophobic to the surface of the semiconductor layer to be back-etched. This has the effect that, even with a low-viscosity etching solution or strong meniscus formation at the edge of the substrate, wetting of the upper side of the substrate can be easily avoided.
  • the semiconductor layer present there can therefore be etched back in a controlled manner by means of the reactive vapors. An impairment of the etching result due to etching solution, which on the upper side of the substrate, or on there areas of the semiconductor ter Mrs, passes, is not given.
  • the hydrophobicity of the parts of the semiconductor layer located outside the etching solution counteracts wetting of these parts of the semiconductor layer with the etching solution, so that with respect to the etch solution parameters such as temperature, composition and thus ultimately viscosity of the etching solution or supply and discharge rate of the etching solution.
  • the etch solution parameters such as temperature, composition and thus ultimately viscosity of the etching solution or supply and discharge rate of the etching solution.
  • it can be dispensed with an admixture of sulfuric acid to the etching solution for the purpose of increasing the viscosity thereof.
  • the described development of the method according to the invention can advantageously have an effect, since it brings about a better cleaning effect, so that a lower risk of spalling (so-called blistering) exists in a subsequent silicon nitride deposition.
  • the reactive vapors are partially used for setting the back etch rate for the back etching of the semiconductor layer. sucked off. In this way, a homogeneous re-etching can take place.
  • Inert gas supplied to the outside of the etching solution located areas of the Wegnowharmenden semiconductor layer is a gas or gas mixture to be understood, 'which does not react with the etching solution, the reactive vapors, the substrate or the semiconductor layer in a relevant extent;
  • an inert gas is a gas or gas mixture to be understood, 'which does not react with the etching solution, the reactive vapors, the substrate or the semiconductor layer in a relevant extent;
  • noble gases or air can be used.
  • the feeding of an inert gas can be carried out alternatively or in addition to the partial extraction of the reactive vapors.
  • the adjusting effect of the supplied inert gas is based on the fact that it partially displaces the reactive vapors from the semiconductor layer to be back-etched.
  • At least one reactive gas is fed to the areas of the semiconductor layer to be back-etched which are located outside the etching solution.
  • this can be any reactive species suitable for the respective application.
  • oxidants have proven themselves.
  • gaseous hydrogen fluoride or gaseous ozone is supplied as the reactive gas.
  • gaseous hydrogen fluoride and gaseous ozone has an oxidizing effect, particularly in the case of silicon semiconductor layers, so that, in combination with a subsequent removal of the generated oxide, in particular of a silicon oxide, the re-etching rate can be influenced.
  • the at least one reactive gas can be supplied as an alternative or in addition to the partial suction of the reactive vapors and / or the inert gas.
  • the described developments of the partial exhaustion of the reactive vapors, the Inert gas supply and the supply of the at least one reactive gas can thus basically be combined in any desired manner or used individually.
  • areas of the semiconductor layer to be back-etched are etched with electromagnetic radiation during etching-back etching in order to set the etch-back rate for etching back the semiconductor layer outside the etching solution. In this case, preferably ultraviolet light (UV light) or laser radiation use.
  • the formation of reactive compounds in the irradiated areas, and in this way the re-etching rate, can be influenced.
  • the formation of ozone can be promoted.
  • radiation with electromagnetic radiation in a wavelength range in which the solar cell substrate is sensitive is obviously required.
  • the use of electromagnetic radiation for setting the re-etching rate can be provided in addition or as an alternative to the previously described possibilities of setting the re-etching rate.
  • a development of the invention provides that in areas of the semiconductor layer located outside of the etching solution, the semiconductor layer is locally etched back more strongly in regions than in the surroundings of these subregions.
  • Such locally stronger or weaker etch back can be realized in several ways.
  • a locally stronger etching back can be realized by local Irradiation of the semiconductor layer in the sub-areas, for example by means of a laser or with the aid of exposure masks, which have openings for the local strong gurzuussienden sections.
  • a locally stronger or weaker etching back can be realized by a locally enhanced or attenuated suction of the reactive vapors.
  • inert gases or reactive gases such as, for example, ozone, locally intensified or attenuated in the subregions.
  • etchbacks Another possibility of realization for locally weaker etchbacks is to locally mask the partial regions, for example by means of round cords, which are applied to these partial regions. Furthermore, there is the possibility of at least partially destroying reactive compounds, for example ozone, locally in the subregions by locally applying or supplying catalysts in these subregions, so that a weaker etch back occurs there.
  • reactive compounds for example ozone
  • the abovementioned measures for realizing a locally stronger or weaker etching back can be used individually or in any desired combination.
  • multistage doping can be formed in a cost-effective manner.
  • selective emitters can be realized at low cost in the case of solar cell substrates.
  • the substrate is at least partially, preferably completely, arranged in an additional etching medium in an additional etching step, by means of which the semiconductor layer is partially etched back, before or after at least one main etching step a portion of the semiconductor layer is removed by means of the reactive vapors.
  • a complete arrangement in the additional etching medium is to be understood as meaning that the entire surface of the substrate is exposed to the additional etching medium. If the additional etching medium is an etching solution, this is referred to below as additional etching solution. A complete arrangement in the additional etching solution would therefore mean that the substrate is completely submerged in the additional etching solution. The substrate is therefore completely below the surface of the additional etching solution.
  • an etching solution which comprises hydrofluoric acid and ozone can be used as additional etching solution.
  • a 1925igmagasgemisch can be used instead of a relieveisers.
  • a complete arrangement in this additional etching gas mixture is given when each location of the surface of the substrate is exposed to the additional etching gas mixture. In principle, any gas or gas mixture which etches the substrate surface can be used as additional etching gas mixture. In practice, for example, a brideticiangasgemisch has proven which Fe and ozone gas hydrofluoric acid.
  • the additional etching step described ensures good adjustability of the etching back process. This is to be understood in the present case that the semiconductor layer can be etched back reliably and reproducibly in a desired and adjustable thickness.
  • the main etching step allows a high etch back rate.
  • the additional etching step thus ensures good adjustability of the emitter re-etching, while the main etching step enables emitter back etching at a speed relevant for industrial production.
  • the emitter is etched back so strongly that the emitter layer resistance increases by 3 to 10 ⁇ / sq. Basically, however, this value depends, inter alia, on the starting layer resistance and the emitter profile used.
  • the additional etching medium used is preferably an additional etching solution which contains hydrofluoric acid. Furthermore, ozone is introduced into the additional etching solution. The use of this additional etching medium has proven itself in practice.
  • a silicate glass layer disposed on the semiconductor layer to be back-etched is removed.
  • This may be, for example, a phosphosilicate glass layer or borosilicate glass layer.
  • Such a modified silicate glass etching step, in which, in addition to this silicate glass layer, the semiconductor layer is partially etched back, can be integrated into existing process lines with little effort.
  • the additional etching step described can be carried out in the manner of a continuous line production, ie in a so-called “inline” process
  • the additional etching step can also be carried out in the manner of a batch operation in which a plurality of substrates in a holder are simultaneously arranged in the additional etching medium
  • Such devices are often referred to as "batch" systems.
  • At least one element from the group comprising nitric acid, sulfuric acid, ammonium hydroxide, hydrochloric acid and hydrogen peroxide is added to the additional etching medium for adjusting the re-etching rate.
  • this is added at least one element of beauts, in the case of using a vinnowgasgemisches the at least one element of this Rajisergasgemisch, preferably in vapor form, added.
  • An alternative or supplementary possibility for setting the re-etching rate of the additional etching medium is the irradiation with electromagnetic radiation, in particular with UV light.
  • the device according to the invention for carrying out the method has a container for an etching solution, wherein a substrate can be arranged relative to the etching solution in such a way that it lies at least partially outside the etching solution arranged in the container.
  • the device furthermore has a suction device for the suction of reactive vapors originating from the etching solution, wherein the reactive vapors can be extracted by means of the suction device such that regions of a semiconductor layer of the substrate located outside the etching solution can be etched back homogeneously by means of the reactive vapors.
  • a transport device is provided by means of which substrates can be transported relative to the container.
  • the device according to the invention is preferably designed as a continuously operating system (so-called inline system), which can advantageously be integrated into a line production.
  • a control device particularly preferably a control device, is provided for the suction device.
  • a refinement of the device according to the invention provides at least one gas supply, by means of which gases can be supplied to regions of the semiconductor layer located outside the etching solution.
  • gases for example inert gases for the purpose of partial displacement of the reactive vapors can be supplied, whereby the geariserrate is adjustable.
  • a reactive gas for example ozone, can be supplied.
  • a silicon semiconductor layer its oxidation and thus its etching back can be intensified. This provides another way to set the re-etching rate.
  • At least one irradiation device is provided, by means of which the substrates can be irradiated with electromagnetic radiation.
  • the irradiation device is set up in such a way that the substrates, in particular regions of a semiconductor layer to be back-etched, can be locally irradiated.
  • the substrates in particular regions of a semiconductor layer to be back-etched
  • the irradiation device is set up in such a way that the substrates, in particular regions of a semiconductor layer to be back-etched, can be locally irradiated.
  • a laser may be provided for this purpose, preferably with a laser.
  • suitable control and regulating device With its help, a locally stronger etching can be realized, which allows, for example, a low-cost production of selective emitters since. in higher re-etched areas there is a lower dopant concentration than in less re-etched areas.
  • an irradiation mask is arranged between the at least one irradiation device and the etching solution, by means of which the substrates, preferably the regions of the semiconductor layer of the substrates located outside the etching solution, can be locally irradiated.
  • the irradiation mask can represent an alternative to the abovementioned laser or another irradiation device, which is set up to locally irradiate the substrate. In principle, however, it can also be provided in addition to an irradiation device, for example a laser, which is set up in this way.
  • An advantageous embodiment variant of the device provides an additional etching device by means of which the semiconductor layer and / or a silicate glass layer arranged on the semiconductor layer can be at least partially ablated before or after the etching back of the semiconductor layer by means of the reactive vapors.
  • an additional etching device is provided, by means of which the semiconductor layer and / or a silicate glass layer arranged on the semiconductor layer can be at least partially ablated before the etching back of the semiconductor layer by means of the reactive vapors; the additional etching device is designed in this case as presetting device.
  • the additional etching device has a container for an additional etching solution.
  • a gas supply for the introduction of gas into the container for the additional etching solution is particularly preferably provided.
  • etching solution for example, a solution containing hydrofluoric acid may be used, for example, ozone may be introduced into this solution via the gas supply.
  • the additional etching device is realized by an etching chamber into which reactive gases can be introduced, by means of which the semiconductor layer and / or the silicate glass layer can be removed.
  • reactive gases for example, ozone and gaseous hydrogen fluoride can be used as the reactive gases.
  • Both the variant of the additional etching solution and the etching chamber can be aligned in a batch mode.
  • the variant of the additional etching solution has the advantage that it can be designed comparatively easily as a line operation, ie, is "inline” capable, so that the additional etching solution is generally advantageous in industrial production "Inline” capable, designed so that an assembly line production can be realized.
  • Solar cell production of advantage is the combination of the edge insulation with the emitter etch back, since these process steps are carried out on the one hand at substantially the same time as an expense. can, so that separate etching steps can be omitted, on the other hand, the emitter can be etched back low cost and easy to control, which makes significant improvements in efficiency possible.
  • the method according to the invention makes it possible to determine spatially resolved emitter profiles with little expense. This is based on the fact that the emitter can be etched back in a well-controlled manner, so that with good depth resolution, an emitter can be etched back iteratively and, after each etchback step, the sheet resistance can be determined spatially resolved. Compared to previously known methods, this has the particular advantage that this procedure can also be used on textured solar cell substrates in which a spatially resolved emitter profile determination could hitherto not be performed reliably.
  • Figure 1 Schematic representation of a first embodiment of the inventive method and an embodiment of an apparatus for performing this method.
  • FIG. 2 shows a second embodiment of the method according to the invention and an embodiment of an apparatus for performing this method, each in a schematic representation.
  • FIG. 3 is a schematic representation of a third exemplary embodiment of the method according to the invention and a schematic illustration of an exemplary embodiment of an embodiment of the invention. ner invention. Device for its implementation.
  • FIG. 5 Enlarged, schematic sectional view through a solar cell substrate with locally more back-etched doped semiconductor layer, which is obtainable by means of the methods and devices shown in Figures 3 and 4.
  • Figure 6 shows a further embodiment of the method according to the invention in a schematic representation and schematic representation of a device for its implementation.
  • FIG. 7 Exemplary Illustration of Wetting Phenomena.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a first embodiment of a device according to the invention.
  • This provides a container 30 for an etching solution 5.
  • substrates 3, which in the present case are designed as solar cell substrates 3, can be arranged in such a way that they lie partially outside the etching solution 5 arranged in the container 30.
  • This is realized in the present case with the aid of transport rollers 36, by means of which the substrates can be transported relative to the container 30 in the transport direction indicated by the arrow 13.
  • the level of the container 30 and the arrangement of the transport rollers 36 are in The exemplary embodiment of FIG.
  • the substrate 3 lies above the liquid level 8 of the etching solution 5, which is shown in dashed lines.
  • the surface 7 of the etching solution is partially curved on the edges of the substrates 3, 17, 19 due to schematically indicated wetting phenomena.
  • Transport rollers 36 can obviously find another transport system use, for example, known Hubbalken- or conveyor belt systems.
  • two suction devices 32a, 32b are provided, with the aid of which reactive vapors 11, which originate from the etching solution 5, can be sucked off.
  • the suction devices 32a, 32b are designed in such a way that the reactive vapors 11 can be sucked off in such a way that regions of a doped semiconductor layer 1 which has the substrate 3 outside the etching solution 5 can be etched back homogeneously by means of the reactive vapors 11.
  • the proviso of homogeneously recovering the doped semiconductor layer 1 by means of the reactive vapors 11 influences the design and number of the suction devices.
  • two suction devices 32a, 32b are provided. Depending on the requirement and structural design of the device, further or fewer such suction devices may be required.
  • a control device 34 for the suction devices 32a, 32b is also provided to ensure reliable operation. In individual cases, a control device or a manual adjustment of each suction device may be provided instead.
  • the etching solution 5 an aqueous solution which has hydrofluoric acid and nitric acid has proven useful in silicon semiconductor layers to be back-etched. In the case of Alternatively, etching solutions can be used, inter alia, which contain, on the one hand, an oxidizing constituent, for example ozone, and a component which etches the resulting silicon oxide, frequently HF.
  • FIG. 1 further illustrates a first exemplary embodiment of the method according to the invention.
  • the substrate provided with the doped semiconductor layer 1 is supplied to the container by means of the transport rollers 36 and is arranged at least partially outside the etching solution 5 by a suitable arrangement of the transport rollers 36 and corresponding filling level of the etching solution 5.
  • the arrangement of the solar cell substrate 3 takes place in such a way that a later emitter side 9 of the solar cell substrate comes to lie above the surface 7 of the etching solution, while the emitter side 9 opposite side of the solar cell substrate is below the surface 7 and thus in the etching solution.
  • the etching back using the etching solution is stronger than the removal by means of the reactive vapors.
  • the solar cell substrate 17 with partially eroded do- The semiconductor layer 1 on the emitter side 9 thicker than on the opposite side.
  • the doped semiconductor layer 1 is further removed on the emitter side 9 as well as on the opposite side.
  • the result is a solar cell substrate 19 with isolated edges.
  • the doped semiconductor layer 1 on the emitter side 9 was removed only up to a remaining residual thickness of the semiconductor layer 1, so that a back-etched emitter 15 remains on the emitter side 9 of the solar cell substrate 3.
  • the doped semiconductor layer 1 was completely removed by means of the etching solution 5.
  • the etching rate of the etching solution 5 is essentially adjusted by the composition of the etching solution 5.
  • the etching back rate of the reactive vapors 11 is set in the embodiment of FIG. 1 by sucking off the reactive vapors 11 by means of the suction devices 32a, 32b the lower the higher the reactive vapors 11 are sucked off.
  • Figure 2 shows a second embodiment of a device according to the invention. This differs from the exemplary embodiment of FIG. 1 in that a gas feed 40 is provided, by means of which inert gas, for example a noble gas or air, which is present outside the etching solution 5 can be supplied to the regions to be etched back to the semiconductor layer 1 '.
  • the gas supply takes place via a gas distributor plate 37, which is reproduced schematically in FIG. 2 in a sectional view.
  • This gas distributor plate has a multiplicity of openings 39, via which the inert gas is supplied to the regions of the doped semiconductor layer 1 to be back-etched, which are located outside the etching solution 5.
  • the reactive vapors 11 are partly displaced from the regions of the doped semiconductor layer 1 to be back-etched outside the etching solution 5. In this way, the inert gas supply allows adjustment of the re-etching rate of the reactive vapors 11.
  • inert gases can be supplied via the gas feed 40. It is also conceivable to add reactive gases, for example ozone, to these gases or to supply exclusively reactive gases instead of the inert gas.
  • reactive gases for example ozone
  • the back etching of the doped semiconductor layer can be influenced by means of the reactive vapors.
  • reactive species can be supplied which accelerate or hinder the removal of the doped semiconductor layer.
  • silicon semiconductor layers to be back-etched it is possible, for example, to supply an oxidant which enhances the oxidation of the doped semiconductor layer and, as a consequence, its etching back.
  • FIG. 2 accordingly shows an exemplary embodiment of a method according to the invention which differs from that known from FIG. 1 in that the re-etching rate of the reactive vapors 11 is alternatively or in addition to a setting via the exhaust of the reactive vapors 11 by the supply. drove by inert gas, or a reactive species such as gaseous ozone, is set.
  • a UV lamp 42 is provided as the irradiation device, by means of which the substrates, more precisely the parts of the doped semiconductor layer 1 located outside the etching solution 5, can be irradiated .
  • an irradiation mask 44 is arranged between the UV lamp 42 and the etching solution 5, and thus over the doped semiconductor layer 1,.
  • This irradiation mask 44 has openings, through which the substrates 3 locally by means of the UV lamp 42nd
  • FIG. 3 therefore shows a locally irradiated solar cell substrate 27.
  • FIG. 5 shows, in the viewing direction of the transport direction 13, an enlarged, schematic sectional illustration of the resulting solar cell substrate 29 with insulated edges and locally more etched-back emitter 26.
  • FIG. 3 thus also illustrates a method according to the invention in which the doped semiconductor layer is locally more strongly etched back as a result of local irradiation with electromagnetic radiation.
  • the illustrated method is consistent with the method described in connection with FIG.
  • FIG. 4 shows an alternative embodiment variant of a method with locally stronger etching back as a result of local irradiation with electromagnetic radiation.
  • the local irradiation takes place here by means of a laser.
  • the device of FIG. 4 therefore has a laser 46 and an associated laser control device 46 instead of the UV lamp 42 and the irradiation mask 44.
  • the doped semiconductor layer can be illuminated very variably with a laser beam 48 locally.
  • the solar cell substrate 27 is irradiated accordingly with the laser beam 48 locally, locally irradiated areas are again re-etched by means of the reactive vapors 11.
  • the result is again a solar cell substrate 29 with isolated edges and locally more etched back emitter.
  • the locally more strongly etched-back emitter 26 again illustrates by way of example the illustration in FIG. 5.
  • FIG. 6 shows a further exemplary embodiment of a device according to the invention in a schematic representation.
  • a presetting device 58 by means of which the semiconductor layer and / or a silicate glass layer 4 arranged on the semiconductor layer 1 can be at least partly removed by means of the reactive vapors 11 before the semiconductor layer 1 is re-etched.
  • the presetting device 58 has a container 50 in which an additional etching solution 52 is arranged.
  • a gas supply 56 is provided, by means of which in the present case ozone 54 can be introduced into the additional etching solution.
  • ozone 54 can be introduced into the additional etching solution.
  • the introduction of other reactive gases is also possible.
  • a hydrofluoric acid solution can be used.
  • a silicate glass layer 4 arranged on the doped semiconductor layer 1 is first removed by means of the additional etching solution 52.
  • the re-etching rate of the additional etching solution can be adjusted, inter alia, via ozone 54, which is introduced into the additional etching solution 52 via the gas supply 56.
  • the remaining after removal of the silicate glass layer solar cell substrate 21 is further supplied to the container 30 and the etching solution 5 arranged therein.
  • the presetting device 58 indicates that a part of the doped semiconductor layer 1 is also etched back beforehand by means of the additional etching solution 52.
  • this makes possible a high back-etching rate for the doped semiconductor layer 1 with simultaneously good adjustability.
  • the presetting device 58 can be arranged in another embodiment variant also in the transport direction 13 after the etching solution 5 and thus used as Nachiserinraum.
  • the presetting device 58 can also be readily combined with the devices or methods of FIGS. 1 to 4 in a manner analogous to that shown in FIG. In the same way as described in connection with FIG. 6, use as an attachment device is also possible.
  • the doped semiconductor layer 1 completely covers the surface of the solar cell substrate.
  • the doped semiconductor layer may be arranged from the outset only on the emitter side of a solar cell substrate. In this case, obviously eliminates the removal of the doped
  • the doped semiconductor layer in areas located in the etching solution 5 and thus the edge insulation can nevertheless be etched back, in particular locally etched, using the devices and methods of FIGS. 1 to 4 and 6.

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Abstract

Verfahren zum wenigstens teilweisen Rückätzen einer Halbleiterschicht (1) eines Substrats (3), bei welchem das Substrat (3) zumindest teilweise in einer Ätzlösung (5) angeordnet wird und bei welchem außerhalb der Ätzlösung (5) gelegene Bereiche der Halbleiterschicht (3) mittels der Ätzlösung (5) entstammender reaktiver Dämpfe (11) wenigstens zum Teil abgetragen werden sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

Description

Verfahren und Vorrichtung zum Rückätzen einer Halbleiterschicht
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum wenigstens teilweisen Rückätzen einer Halbleiterschicht gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie eine Vorrichtung zu Durchführung dieses Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 15.
Das Rückätzen einer Halbleiterschicht ist Gegenstand des Fertigungsverfahrens vieler Halbleiterbauelemente. Unter einer Halbleiterschicht ist vorliegend eine halbleitende Schicht zu verstehen. Insbesondere findet das Rückätzen einer Halbleiterschicht Verwendung in der Solarzellenfertigung zum Rückätzen eines Emitters, welcher eine dotierte Halbleiterschicht darstellt. Ein solches Emitterrückätzen wird teilweise vorgenom- men, wenn die Dotierstoffkonzentration an der Oberfläche der Halbleiterschicht so groß ist, dass eine erhöhte Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit bzw. eine erhöhte Emittersätti- gungsstromdichte den Wirkungsgrad der fertigen Solarzelle negativ beeinflussen.
Zu hohe Dotierstoffkonzentration an der Oberfläche einer Halbleiterschicht können beispielsweise auftreten bei Verwendung von besonderen Dotierstoffquellen oder wenn sich die erhöhte DotierstoffOberflächenkonzentration ergibt, weil die Diffusion vorrangig danach ausgerichtet wird, andere Eigenschaften des Solarzellensubstrats als die Dotierstoffkonzentration an der Oberfläche der Halbleiterschicht zu beeinflussen; beispielsweise wenn mit der Diffusion gleichzeitig ein Getter-Effekt bewirkt werden soll.
Aus dem Stand der Technik ist bekannt, unerwünscht hohe Dotierstoffkonzentrationen an der Oberfläche einer Halbleiter-
BESTÄTIGUNGSKOPIE schicht zu beseitigen, indem die Halbleiterschicht zurückgeätzt wird. Dies kann beispielsweise mittels Rückätzen der Halbleiterschicht in einer Ätzlösung erfolgen, welche Flusssäure (HF) und Ozon (03) enthält (vgl. beispielsweise EP 1 843 389 Bl) .
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Alternativverfahren zum wenigstens teilweisen Rückätzen einer Halbleiterschicht eines Substrats sowie eine Vorrichtung zu dessen Durchführung zur Verfügung zu stellen.
Diese Aufgabe wird einerseits gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1, andererseits durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 15.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind jeweils Gegenstand abhängiger Unteransprüche .
Das erfindungsgemäße Verfahren sieht vor, dass das Substrat zumindest teilweise außerhalb einer Ätzlösung angeordnet wird und dass außerhalb der Ätzlösung gelegene Bereiche der Halbleiterschicht mittels der Ätzlösung entstammender reaktiver Dämpfe wenigstens zum Teil abgetragen werden. Eine Oberfläche der Ätzlösung stellt nicht notwendigerweise eine Ebene dar. Aufgrund von Benetzungsphänomenen kann die Oberfläche abschnittsweise gekrümmt sein, insbesondere an den Kanten des Substrats, wie dies für eine Oberfläche 7 einer Ätzlösung 5 in Figur 7 beispielhaft schematisch dargestellt ist. Hierin befindet sich das Substrat 60 zwar vollständig oberhalb eines Flüssigkeitsspiegels 8 der Ätzlösung 5. Dennoch sind Teile einer schematisch dargestellten dotierten Halbleiterschicht 1 in der Ätzlösung 5 angeordnet und stehen mit dieser in unmittelbarem Kontakt. Andere Bereiche der dotierten Halbleiterschicht 1, wie die an einer Oberseite 62 des Substrats 60 gelegenen Bereiche beispielsweise, befinden sich hingegen außerhalb der Ätzlösung 5. Der Flüssigkeitsspiegel 8 stellt eine Ebene dar und verläuft in dem Beispiel der Figur 7 in denjenigen Bereichen, in denen die Oberfläche 7 der Ätzlösung 5 gekrümmt ist, unterhalb der Oberfläche 7 der Ätzlösung 5 , wie dies durch die gestrichelte Linie in Figur 7 angedeutet ist . Unter einer Halbleiterschicht ist vorliegend jede halbleitende Schicht zu verstehen. Eine Phosphorsilikatglas- oder Borsilikatglasschicht, häufig schlicht als Phosphorglas- bzw. Borglas bezeichnet, ist demzufolge aufgrund ihrer elektrisch isolierenden Wirkung keine Halbleiterschicht im Sinne der vorliegen- den Erfindung.
Handelt es sich bei der Halbleiterschicht beispielsweise um eine dotierte oder undotierte Siliziumschicht, so kann als Ätzlösung beispielsweise eine Lösung Verwendung finden, welche einerseits ein Oxidans, z.B. Salpetersäure oder Ozon, und andererseits Flusssäure enthält. Besonders bewährt hat sich im Fall der siliziumbasierten Halbleiterschicht eine Ätzlösung welche Flusssäure und Salpetersäure enthält. Optional kann dieser zusätzlich Schwefelsäure beigemengt werden.
In einer Ausführungsvariante der Erfindung wird eine dotierte Siliziumschicht rückgeätzt. Dabei wird bevorzugt als Substrat ein Siliziumsubstrat verwendet und die dotierte Siliziumschicht durch Einbringung von Dotierstoff in das Siliziumsub- strat ausgebildet. Die Einbringung des Dotierstoffs kann dabei grundsätzlich auf beliebige Art erfolgen, im Bereich der Solarzellenfertigung wird dieser üblicherweise in das Siliziumsubstrat eindiffundiert. Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das Substrat derart angeordnet wird, dass Teile der Halbleiterschicht sich in der Ätzlösung befinden, und dass diese Teile der Halbleiterschicht mittels der Ätzlösung vollständig entfernt werden. Diese vollständige Entfernung ist nicht dahingehend zu verstehen, dass unterhalb der Oberfläche der Ätzlösung kein Halbleitermaterial verbleibt. Lediglich die in der jeweiligen Ausführungsvariante betrachtete Halbleiterschicht wird in der Ätzlösung vollständig entfernt. Wird beispielsweise eine Silizium- scheibe, und damit ein Siliziumsubstrat, als Substrat verwendet und in dieses von außen Dotierstoff eindiffundiert, sodass sich an der Oberfläche des Siliziumsubstrats eine dotierte Halbleiterschicht ausbildet, so werden lediglich diejenigen Teile der dotierten Halbleiterschicht, welche sich in der Ätz- lösung befinden, mittels der Ätzlösung vollständig entfernt.
Das Übrige unterhalb der Oberfläche der Ätzlösung gelegene Silizium wird hingegen nicht notwendigerweise abgetragen. Dieses verbleibende Silizium braucht jedoch nicht zwingenderweise undotiert zu sein, sondern kann Dotierstoff eines anderen Typs enthalten als in der entfernten dotierten Halbleiterschicht vorhanden war .
In einer bevorzugten Ausgestaltungsvariante der Erfindung werden während der vollständigen Entfernung der in der Ätzlösung befindlichen Teile der Halbleiterschicht außerhalb der Ätzlösung gelegene Bereiche der dotierten Halbleiterschicht wenigstens zum Teil mittels der reaktiven Dämpfe abgetragen.
Im Bereich der Solarzellenfertigung können mittels des erfin- dungsgemäßen Verfahrens sehr stark dotierte und damit sehr rekombinationsaktive Schichten, welche teilweise als „dead layer" bezeichnet werden, entfernt werden. In einer anderen Aus- führungsvariante wird mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens ein Emitter eines Solarzellensubstrats alternativ oder zusätz- lieh zur „dead layer" rückgeätzt. Auf welche Weise „dead layer" oder Emitter ausgebildet wurden, ist dabei grundsätzlich unerheblich. Beispielsweise kann dies durch Implantations- oder chemische oder physikalische Abscheideverfahren erfolgt sein oder durch Eindiffusion von Dotierstoff, was die am weitesten verbreitete Vorgehensweise darstellt. Dabei kann es sich sowohl um einen n-Typ oder auch um einen p-Typ Emitter handeln. Das erfindungsgemäße Verfahren ist demnach bei beiden Solarzellentypen anwendbar. Das erfindungsgemäße Verfahren ist zudem einfach in bestehende Anlagen integrierbar, da bei der Solarzellenfertigung in vielen Fertigungslinien ohnehin nass- chemische Ätzvorgänge vorgesehen sind.
In einer bevorzugten Ausgestaltungsvariante der Erfindung wird der Emitter um 1 bis 25 Ω/sq zurückgeätzt. Bei üblicherweise bei der industriellen 'Solarzellenfertigung eingesetzten Emitterprofilen entspricht dies typischerweise einem Materialabtrag von 1 bis 50 nm. Auf diese Weise können Wirkungsgradverbesserungen bei den fertigen Solarzellen von bis zu 0,4 % ab- solut bei industriell gefertigten Siliziumsolarzellen erzielt werden. Als Einwirkdauer der reaktiven Dämpfe hat sich eine Zeitspanne von 30 Sekunden bis 5 Minuten bewährt.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das Solarzel- lensubstrat derart angeordnet wird, dass sich eine spätere
Emitterseite des Solarzellensubstrats außerhalb der Ätzlösung befindet und sich eine der Emitterseite gegenüberliegende Seite des Solarzellensubstrats in der Ätzlösung befindet. Diese AusführungsVariante ist vor allem bei denjenigen Solarzellen- subStraten vorteilhaft, bei welchen entlang der gesamten Substratoberfläche ein Emitter ausgebildet wurde. Dies ist beispielsweise der Fall, wenn das Solarzellensubstrat einem Dotierstoffeintrag aus einer Gasphasendiffusion ausgesetzt wird, ohne dass ein Teil der Oberfläche gegenüber dem Dotierstoff- eintrag geschützt wird. Eine solche oder ähnliche ganzflächige Emitterdiffusion wird bei der industriellen Solarzellenferti-' gung häufig verwendet. Dies hat zur Folge, dass ein Kurz- schluss der Kontakte der Solarzelle, üblicherweise als Front- und Rückkontakt bezeichnet, über eine durchgehende Emitterschicht verhindert werden muss. Zu diesem Zweck wird der durchgehende Emitter üblicherweise unterbrochen, was häufig als Kantenisolation bezeichnet wird. Hierbei wird eine durch die Emitterschicht gebildete, von der Emitterseite des Solar- Zellensubstrats zu der gegenüberliegenden Seite reichende elektrisch leitende Verbindung unterbrochen. Dies kann beispielsweise durch ein Einsägen von Gräben entlang den Kanten oder ein Abätzen des Emitters entlang der Kanten des Solarzellensubstrats erfolgen.
Der Begriff der Kantenisolation ist insoweit missverständlich, als dass eine Entfernung des Emitters nicht zwingend nur an den Kanten des Solarzellensubstrats erfolgen muss. Gemäß WO 2005/093788 AI wird beispielsweise die Emitterseite eines So- larzellensubstrats außerhalb einer Ätzlösung angeordnet und die der Emitterseite gegenüberliegende Seite des Solarzellensubstrats in der Ätzlösung. Die sich in der Ätzlösung befindlichen Teile des Emitters werden sodann mittels der Ätzlösung vollständig entfernt. Hierdurch wird die elektrisch leitende Verbindung von der Emitterseite zu der der Emitterseite gegenüberliegende Seite des Solarzellensubstrats unterbrochen.
Bei der beschriebenen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens lässt sich die Kantenisolation mit dem Rückätzen des Emitters verbinden. Während die Kantenisolation erfolgt, indem diejenigen Teile des Emitters, welche sich in der Ätzlösung befinden, vollständig entfernt werden, werden außerhalb der Ätzlösung gelegene Bereiche des Emitters mittels der reaktiven Dämpfe zurückgeätzt. Es kann somit aufwandsgünstig gleichzeitig die Kantenisolation wie auch das Rückätzen des Emitters erfolgen. Bei Verfahren gemäß dem Stand der Technik hingegen wird der Emitter erst nach erfolgter Kantenisolation zurückgeätzt, was einen zusätzlichen Prozessschritt' und damit einen erhöhten Fertigungsaufwand mit sich bringt.
In den Verfahren gemäß dem Stand der Technik ist während der Kantenisolation die Emitterseite des Solarzellensubstrats' ge- genüber der Einwirkung von reaktiven Dämpfen geschützt, beispielsweise durch ein während einer Diffusion gebildetes Phosphor- oder Borsilikatglas. Eine solche Silikatglasschicht verhindert, dass der Emitter durch die reaktiven Dämpfe beschädigt wird, was sich negativ auf den Wirkungsgrad auswirken würde. Aufgrund der Hydrophilie einer solchen Silikatglasschicht besteht allerdings die Gefahr, dass die Emitterseite in Randbereichen von der Ätzlösung benetzt und der Emitter beschädigt wird. Eine bekannte Maßnahe, um eine derartige Schädigung des Emitters zu verhindern, ist eine Erhöhung der Vis- kosität der Ätzlösung. Zu diesem Zweck kann der Ätzlösung beispielsweise Schwefelsäure beigemengt werden. Weiterhin wird der beschriebenen Benetzung von Randbereichen der Emitterseite durch Feineinstellung von Parametern der Ätzlösung, zum Beispiel dem Flüssigkeitsspiegelniveau der Ätzlösung, deren Tem- peratur oder der Zu- und Ablaufgeschwindigkeit der Ätzlösung in einem Ätzlösungsbehälter, entgegengewirkt. Um eine Beschädigung des Emitters zu verhindern, müssen allerdings die Ein- fluss nehmenden Parameter der Ätzlösung jeweils in sehr engen Parameterfenstern gehalten werden.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht daher vor, dass eine auf der rückzuätzenden Halbleiterschicht vorhandene Silikatglasschicht vor dem Rückätzen der Halbleiterschicht entfernt wird. Dies erfolgt vorzugsweise auf nasschemische Weise. Durch die Entfernung der Silikatglasschicht ist die Oberfläche der rückzuätzenden Halbleiterschicht hydrophob. Dies bewirkt, dass selbst bei einer niederviskosen Ätzlösung, bzw. starker Meniskusbildung am Rand des Substrats, eine Benetzung der Oberseite des Substrats einfach vermieden werden kann. Die dort vorhandene Halbleiterschicht kann daher kontrolliert mittels der reaktiven Dämpfe zurückgeätzt werden. Eine Beeinträchtigung des Ätzergebnisses aufgrund von Ätzlösung, welche auf die Oberseite des Substrats, bzw. auf dort gelegene Bereiche der Halblei- terschicht, gelangt, ist nicht gegeben. Die Hydrophobie der außerhalb der Ätzlösung befindlichen Teile der Halbleiterschicht wirkt einer Benetzung dieser Teile der Halbleiterschicht mit der Ätzlösung entgegen, sodass hinsichtlich der die Ätzlösung betreffenden Parameter wie Temperatur, Zusammen- setzung und damit letztlich Viskosität der Ätzlösung oder auch Zu- und Ablaufgeschwindigkeit der Ätzlösung . sowie Feineinstellung des Niveaus des Flüssigkeitsspiegels der Ätzlösung breitere Parameterfenster bestehen, was die Prozessführung vereinfacht. Insbesondere kann auf eine Beimengung von Schwefelsäure zur Ätzlösung zum Zwecke der Erhöhung der Viskosität derselben verzichtet werden. Diese Vorteile wirken sich besonders stark, aus bei Solarzellen, welche aus monokristallinen, texturierten Substraten gefertigt werden. Weiterhin hat sich gezeigt, dass bei vergleichsweise schwierig entfernbaren Phosphorgläsern sich die beschriebene Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens vorteilhaft auswirken kann, da es eine bessere Reinigungswirkung mit sich bringt, sodass bei einer nachfolgenden Siliziumnitridabscheidung eine geringere Gefahr von Abplatzungen (sog. blistering) besteht.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens werden zur Einstellung der Rückätzrate für das Rückätzen der Halbleiterschicht die reaktiven Dämpfe teil- weise abgesaugt. Auf diese Weise kann ein homogenes Rückätzen erfolgen.
Bei einer anderen Ausgestaltungsvariante der Erfindung wird zur Einstellung der Rückätzrate der reaktiven Dämpfe ein
Inertgas den außerhalb der Ätzlösung gelegenen Bereichen der rückzuätzenden Halbleiterschicht zugeführt. Unter einem Inertgas ist dabei ein Gas oder Gasgemisch zu verstehen, ' welches weder mit der Ätzlösung, den reaktiven Dämpfen, dem Substrat oder der Halbleiterschicht in relevantem Umfang reagiert; beispielsweise können Edelgase oder Luft Verwendung finden. Das Zuführen eines Inertgases kann alternativ oder ergänzend zur teilweisen Absaugung der reaktiven Dämpfe erfolgen. Die Einstellwirkung des zugeführten Inertgases beruht darauf, dass durch dieses die reaktiven Dämpfe teilweise von der rückzuätzenden Halbleiterschicht verdrängt werden.
Bei einer weiteren Ausgestaltungsvariante wird den außerhalb der Ätzlösung gelegenen Bereichen der rückzuätzenden Halblei- terschicht wenigstens ein Reaktivgas zugeführt. Dabei kann es sich grundsätzlich um eine beliebige, für den jeweiligen Anwendungsfall geeignete reaktive Spezies handeln. Bei Siliziumbasierten Halbleiterschichten haben sich beispielsweise Oxi- dantien bewährt. Vorzugsweise wird als Reaktivgas gasförmiger Fluorwasserstoff oder gasförmiges Ozon zugeführt. Besonders bevorzugt werden gasförmiger Fluorwasserstoff und gasförmiges Ozon zugeführt. Ozon hat, insbesondere bei Siliziumhalbleiterschichten, eine Oxidationswirkung, sodass in Kombination mit einer nachfolgenden Entfernung des erzeugten Oxids, insbeson- dere eines Siliziumoxids, die Rückätzrate beeinflusst werden kann. Das wenigstens eine Reaktivgas kann alternativ oder ergänzend zur teilweisen Absaugung der reaktiven Dämpfe und/oder der Inertgaszufuhr zugeführt werden. Die beschriebenen Weiterbildungen der teilweisen Absaugung der reaktiven Dämpfe, der Inertgaszufuhr und der Zufuhr des wenigstens einen Reaktivgases können somit grundsätzlich in beliebiger- Weise kombiniert oder einzeln eingesetzt werden. Bei einer anderen Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens werden zur Einstellung der Rückätzrate für das Rückätzen der Halbleiterschicht außerhalb der Ätzlösung gelegene Bereiche der rückzuätzenden Halbleiterschicht während des Rückätzens mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt. Dabei findet vorzugsweise ultraviolettes Licht (UV-Licht) oder Laserstrahlung Verwendung. Durch die Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung kann die Bildung reaktiver Verbindungen in den bestrahlten Gebieten, und auf diese Weise die Rückätzrate, beeinflusst werden. Insbesondere kann die Bildung von Ozon ge- fördert werden. Ergänzend oder alternativ ist es möglich, mittels der elektromagnetischen Strahlung in Solarzellensubstraten eine Spannung zu induzieren, wodurch ein Redoxpotential generiert werden kann, über welches die Rückätzrate beeinflussbar ist. Für letzteres bedarf es offensichtlich der Be- Strahlung mit elektromagnetischer Strahlung in einem Wellenlängenbereich, in welchem das Solarzellensubstrat sensitiv ist. Der Einsatz elektromagnetischer Strahlung zur Einstellung der Rückätzrate kann ergänzend oder alternativ zu den bislang beschriebenen Möglichkeiten der Einstellung der Rückätzrate vorgesehen werden.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass in außerhalb der Ätzlösung gelegenen Bereichen der Halbleiterschicht die Halbleiterschicht in Teilbereichen lokal stärker oder schwä- eher rückgeätzt wird als in der Umgebung dieser Teilbereiche.
Solch eine lokal stärkere oder schwächere Rückätzung kann auf verschiedene Weisen realisiert werden. Beispielsweise kann eine lokal stärkere Rückätzung realisiert werden durch lokales Bestrahlen der Halbleiterschicht in den Teilbereichen, beispielsweise mittels eines Lasers oder mit Hilfe von Belichtungsmasken, welche Öffnungen für die 'lokal stark rückzuätzenden Teilbereiche aufweisen. Alternativ kann eine lokal stärke- re oder schwächere Rückätzung verwirklicht werden durch ein lokal verstärktes oder abgeschwächtes Absaugen der reaktiven Dämpfe. Weiterhin ist es denkbar, Inertgase oder Reaktivgase, wie beispielsweise Ozon, in den Teilbereichen lokal verstärkt oder abgeschwächt zuzuführen. Eine andere Realisierungsmög- lichkeit für lokal schwächere Rückätzungen besteht darin, die Teilbereiche lokal zu maskieren, beispielsweise mittels Rundschnüren, welche auf diese Teilbereiche aufgebracht werden. Weiterhin besteht die Möglichkeit, reaktive Verbindungen, beispielsweise Ozon, lokal in den Teilbereichen zumindest teil- weise zu zerstören, indem in diesen Teilbereichen lokal Katalysatoren aufgebracht oder zugeführt werden, sodass dort eine schwächere Rückätzung erfolgt. Die vorgenannten Maßnahmen zur Realisierung einer lokal stärkeren oder schwächeren Rückätzung können jeweils für sich oder in beliebiger Kombination verwen- det werden.
Durch die beschriebene lokal stärkere oder schwächere Rückätzung in Teilbereichen können aufwandsgünstig mehrstufige Dotierungen ausgebildet werden. Insbesondere können bei Solar- zellensubstraten selektive Emitter aufwandsgünstig realisiert werden. Hierzu wird■ die dotierte Halbleiterschicht, bzw. der Emitter, in Regionen späterer Kontaktierung schwächer rückgeätzt oder in der Umgebung dieser Regionen stärker rückgeätzt. Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das Substrat in einem zusätzlichen Ätzschritt zumindest teilweise, vorzugsweise vollständig, in einem Zusatzätzmedium angeordnet wird, mittels welchem die Halbleiterschicht teilweise rückgeätzt wird, bevor oder nachdem in einem Hauptätzschritt wenigstens ein Teil der Halbleiterschicht mittels der reaktiven Dämpfe abgetragen wird. Unter einer vollständigen Anordnung in dem Zusatzätzmedium ist dabei zu verstehen, dass die gesamte Oberfläche des Substrats dem Zusatzätzmedium ausgesetzt wird. Han- delt es sich bei dem Zusatzätzmedium um eine Ätzlösung, so wird diese nachfolgend als Zusatzätzlösung bezeichnet. Eine vollständige Anordnung in der Zusatzätzlösung würde demnach bedeuten, dass das Substrat vollständig in die Zusatzätzlösung eingetaucht ist. Das Substrat befindet sich demnach vollstän- dig unter der Oberfläche der Zusatzätzlösung. Als Zusatzätzlösung kann beispielsweise eine Ätzlösung verwendet werden, welche Flusssäure und Ozon aufweist. Alternativ kann anstelle einer Zusatzätzlösung ein Zusatzätzgasgemisch verwendet werden. Eine vollständige Anordnung in diesem Zusatzätzgasgemisch ist gegeben, wenn jede Stelle der Oberfläche des Substrats dem Zusatzätzgasgemisch ausgesetzt ist. Als Zusatzätzgasgemisch kann grundsätzlich jedes die Substratoberfläche ätzende Gas bzw. Gasgemisch Verwendung finden. In der Praxis hat sich beispielweise ein Zusatzätzgasgemisch bewährt, welches Flusssäuredämp- fe und Ozongas aufweist.
Der beschriebene zusätzliche Ätzschritt gewährleistet eine gute Einstellbarkeit des Rückätzprozesses. Hierunter ist vorliegend zu verstehen, dass die Halbleiterschicht in einer ge- wünschten und einstellbaren Dicke zuverlässig und reproduzierbar rückgeätzt werden kann. In Kombination mit diesem zusätzlichen Ätzschritt ermöglicht der Hauptätzschritt eine hohe Rückätzrate. Im Hinblick auf die Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Zwecke des Emitterrückätzens von Solarze- lensubstraten gewährleistet der zusätzliche Ätzschritt somit die gute Einstellbarkeit des Emitterrückätzens, während der Hauptätzschritt eine Emitterrückätzung in einer für die industrielle Fertigung relevanten Geschwindigkeit ermöglicht. Bei in der Solarzellenfertigung üblicherweise eingesetzten Stan- dardemitterprofilen hat es sich bewährt, in dem Hauptätz- schritt den Emitter derart stark zurückzuätzen, dass sich der Emitterschichtwiderstand um 3 bis 10 Ω/sq erhöht. Grundsätzlich ist dieser Wert jedoch unter anderem abhängig vom Aus- gangsschichtwiderstand und dem verwendeten Emitterprofil.
Bevorzugt wird als Zusatzätzmedium eine Zusatzätzlösung verwendet, welche Flusssäure enthält. Ferner wird Ozon in die Zusatzätzlösung eingeleitet. Die Verwendung dieses Zusatzätzme- diums hat sich in der Praxis bewährt.
Vorteilhafterweise wird mit der Zusatzätzlösung während des zusätzlichen Ätzschrittes eine auf der rückzuätzenden Halbleiterschicht angeordnete Silikatglasschicht entfernt. Hierbei kann es sich beispielsweise um eine Phosphorsilikatglasschicht oder Borsilikatglasschicht handeln. Ein derartiger modifizierter Silikatglasätzschritt , bei welchem neben dieser Silikatglasschicht die Halbleiterschicht teilweise rückgeätzt wird, kann mit geringem Aufwand in bestehende Prozesslinien integ- · riert werden. Der beschriebene zusätzliche Ätzschritt kann in der Art einer kontinuierlichen Linienfertigung, also in einem sogenannten „ Inline" -Prozess , erfolgen. Alternativ kann der zusätzliche Ätzschritt auch in der Art eines Stapelbetriebs durchgeführt werden, bei welchem mehrere Substrate in einem Halter gleichzeitig in dem Zusatzätzmedium angeordnet werden. Derartige Vorrichtungen werden häufig als „Batch" -Anlagen bezeichnet .
In einer vorteilhaften Ausgestaltungsvariante wird dem Zusatz- ätzmedium zur Einstellung der Rückätzrate wenigstens ein Element aus der Gruppe umfassend Salpetersäure, Schwefelsäure, Ammoniumhydroxid, Salzsäure und Wasserstoffperoxid beigemengt wird. Im Falle der Verwendung einer Zusatzätzlösung wird dieses wenigstens eine Element der Zusatzätzlösung beigemengt, im Falle der Verwendung eines Zusatzätzgasgemisches wird das wenigstens eine Element diesem Zusatzätzgasgemisch, bevorzugt in Dampfform, beigemengt. Eine alternative oder ergänzende Möglichkeit zur Einstellung der Rückätzrate des Zusatzätzmediums stellt die Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung, insbesondere mit UV-Licht, dar. Auf diese Weise kann, wie oben dargelegt, die Bildung reaktiver Spezies gefördert werden, teilweise ist auch die Er- zeugung eines Redoxpotentials möglich, welches seinerseits Einfluss auf die Rückätzrate nimmt.
Als Rückätzrate des Zusatzätzmediums hat sich in der Praxis ein Wert von 1 bis 5 Ω/sq pro Minute bewährt. Diese ist jedoch unter anderem abhängig vom Ausgangsschichtwiderstand und dem verwendeten Emitterprofil.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens weist einen Behälter für eine Ätzlösung auf, wobei ein Substrat relativ zu der Ätzlösung derart anordenbar ist, dass dieses zumindest teilweise außerhalb der in dem Behälter angeordneten Ätzlösung liegt. Die Vorrichtung weist weiterhin eine Absaugeinrichtung zur Absaugung von der Ätzlösung entstammenden, reaktiven Dämpfen auf, wobei mittels der Absaugeinrich- tung die reaktiven Dämpfe derart absaugbar sind, dass außerhalb der Ätzlösung gelegene Bereiche einer Halbleiterschicht des Substrats mittels der reaktiven Dämpfe homogen rückätzbar sind. In einer vorteilhaften Ausgestaltungsvariante der Vorrichtung ist eine Transportvorrichtung vorgesehen, mittels welcher Substrate relativ zu dem Behälter transportierbar sind. Hierbei kann es sich beispielsweise um Transportrollen, Transportwalzen oder -bänder oder um Hubbalkensysteme handeln. Die erfin- dungsgemäße Vorrichtung ist bevorzugt als kontinuierlich arbeitende Anlage (sog. Inline-Anlage) ausgestaltet, welche vorteilhaft in eine Linienfertigung integrierbar ist. Bevorzugt ist eine Steuereinrichtung, besonders bevorzugt eine Regelein- richtung, für die Absaugeinrichtung vorgesehen.
Eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung sieht wenigstens eine Gaszuführung vor, mittels welcher außerhalb der Ätzlösung gelegenen Bereichen der Halbleiterschicht Gase zu- führbar sind. Auf diese Weise können beispielsweise Inertgase zum Zwecke der teilweisen Verdrängung der reaktiven Dämpfe zugeführt werden, wodurch die Rückätzrate einstellbar ist. Alternativ oder ergänzend kann ein reaktives Gas, beispielsweise Ozon, zugeführt werden. Bei dem genannten Beispielgas kann im Falle einer Siliziumhalbleiterschicht deren Oxidation und damit deren Rückätzung verstärkt werden. Dies bietet eine weitere Möglichkeit zur Einstellung der Rückätzrate.
Bei einer Weiterbildung der Vorrichtung ist wenigstens eine Bestrahlungsvorrichtung vorgesehen, mittels welcher die Substrate mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlbar sind.
Soll mit der Bestrahlung lediglich das Rückätzen der außerhalb der Ätzlösung gelegenen Bereiche der Halbleiterschicht beein- flusst werden, so genügt eine Bestrahlbarkeit dieser Bereiche. Als Bestrahlungsvorrichtung hat sich eine UV-Lichtquelle bewährt .
Gemäß einer Weiterbildung ist die Bestrahlungsvorrichtung derart eingerichtet, dass die Substrate, insbesondere rückzuät- zende Bereiche einer Halbleiterschicht, lokal bestrahlbar sind. Dies ist derart zu verstehen, dass gezielt einzelne Regionen der Substrate, bzw. der rückzuätzenden Halbleiterschicht, lokal bestrahlt werden können. Zu diesem Zweck kann beispielsweise ein Laser vorgesehen sein, vorzugsweise mit ge- eigneter Steuerungs- und Regelungseinrichtung. Mit dessen Hilfe, kann ein lokal stärkeres Ätzen verwirklicht werden, was beispielsweise eine aufwandsgünstige Fertigung von selektiven Emittern ermöglicht, da. in stärker rückgeätzten Bereichen eine geringere Dotierstoffkonzentration vorliegt als in weniger stark rückgeätzten Bereichen.
Eine Ausgestaltungsvariante der Vorrichtung sieht vor, dass zwischen der wenigstens einen Bestrahlungsvorrichtung und der Ätzlösung eine Bestrahlungsmaske angeordnet ist, mittels welcher die Substrate, vorzugsweise die außerhalb der Ätzlösung gelegenen Bereiche der Halbleiterschicht der Substrate, lokal bestrahlbar sind. Auf diese Weise kann ein lokal stärkeres oder schwächeres Ätzen realisiert werden, was im Bereich der Solarzellenfertigung beispielsweise eine aufwandsgünstige Fertigung eines selektiven Emitters ermöglicht. Die Bestrahlungs- maske kann dabei eine Alternative darstellen zu dem oben erwähnten Laser oder einer anderen Bestrahlungsvorrichtung, welche dazu eingerichtet ist das Substrat lokal zu bestrahlen. Grundsätzlich kann sie jedoch auch ergänzend zu einer derart eingerichteten Bestrahlungsvorrichtung, beispielsweise einem Laser, vorgesehen sein.
Eine vorteilhafte Ausgestaltungsvariante der Vorrichtung sieht eine Zusatzätzeinrichtung vor, mittels welcher die Halbleiterschicht und/oder eine auf der Halbleiterschicht angeordnete Silikatglasschicht vor oder nach der Rückätzung der Halbleiterschicht mittels der reaktiven Dämpfe zumindest teilweise abtragbar ist. Vorzugsweise ist eine Zusatzätzeinrichtung vor- gesehen, mittels welcher die Halbleiterschicht und/oder eine auf der Halbleiterschicht angeordnete Silikatglasschicht vor der Rückätzung der Halbleiterschicht mittels der reaktiven Dämpfe zumindest teilweise abtragbar ist; die Zusatzätzeinrichtung ist in diesem Fall als Vorätzeinrichtung ausgeführt. In einer bevorzugten Ausgestaltungsvariante weist die Zusatz- ätzeinrichtung einen Behälter für eine Zusatzätzlösung auf. Besonders bevorzugt ist zudem eine Gaszufuhr zur Einleitung von Gas in den Behälter für die Zusatzätzlösung vorgesehen.
Als Zusatzätzlösung kann beispielsweise eine flusssäurehaltige Lösung Verwendung finden, wobei beispielsweise Ozon über die Gaszufuhr in diese Lösung eingeleitet werden kann. In einer alternativen Ausgestaltungsvariante ist die Zusatzätzeinrichtung durch eine Ätzkammer realisiert, in welche reaktive Gase einleitbar sind, mittels welchen die Halbleiterschicht und/oder die Silikatglasschicht abtragbar sind. Beispielsweise können Ozon und gasförmiger Flurwasserstoff als reaktive Gase verwendet werden.
Sowohl die Variante der Zusatzätzlösung wie auch der Ätzkammer können auf einen Stapelbetrieb ausgerichtet sein. Die Variante der Zusatzätzlösung hat den Vorteil, dass sie vergleichsweise einfach als Linienbetrieb ausgestaltet werden kann, also „ inline" -fähig ist. In der industriellen Fertigung ist daher in der Regel die Zusatzätzlösung vorteilhaft. Vorzugsweise ist die gesamte erfindungsgemäße Vorrichtung für den Linienbetrieb, also „ inline"-fähig, ausgelegt, sodass eine Fließband- fertigung realisiert werden kann.
Sowohl das erfindungsgemäße Verfahren wie auch die erfindungs- gemäße Vorrichtung ermöglichen einen schnellen, aufwandsgünstigen Abtrag von Halbleiterschichten, welcher dennoch gut kon- trollierbar ist. Dies ist insbesondere bei der industriellen
Solarzellenfertigung von Vorteil. Besonders vorteilhaft stellt sich in diesem Bereich die Kombination der Kantenisolation mit der Emitterrückätzung dar, da diese Prozessschritte zum einen aufwandsgünstig im Wesentlichen gleichzeitig durchgeführt wer- den können, sodass gesonderte Ätzschritte entfallen können, zum anderen der Emitter aufwandsgünstig und gut kontrollierbar zurückgeätzt werden kann, was signifikante Verbesserungen im Wirkungsgrad möglich macht.
Des Weiteren ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren wie auch die erfindungsgemäße Vorrichtung eine aufwandsgünstige Bestimmung ortsaufgelöster Emitterprofile. Dies beruht darauf, dass der Emitter gut kontrolliert rückgeätzt werden kann, so- dass mit guter Tiefenauflösung ein Emitter iterativ rückgeätzt und nach jedem Rückätzschritt ortsaufgelöst der Schichtwiderstand bestimmt werden kann. Gegenüber bislang bekannten Verfahren hat dies insbesondere den Vorteil, dass diese Verfahrensweise auch auf texturierten Solarzellensubstraten anwend- bar ist, bei welchen bislang eine ortsaufgelöste Emitterprofilbestimmung nicht zuverlässig durchgeführt werden konnte.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert. Soweit zweckdienlich, sind hierin gleichwirkende Ele- mente mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es zeigen:
Figur 1 Schematische Darstellung eines ersten Ausführungs- beispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie eines Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens .
Figur 2 Ein zweites Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß der Erfindung sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens , jeweils in schematischer Darstellung. Figur 3 Prinzipdarstellung eines dritten Ausführungsbei- spiels des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels ei- ner erfindungsgemäßen. Vorrichtung zur dessen Durchführung .
Figur 4 Viertes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Verfahrens sowie einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zu dessen Durchführung, jeweils in schemati- scher Darstellung.
Figur 5 Vergrößerte, schematische Schnittdarstellung durch ein Solarzellensubstrat mit lokal stärker rückgeätzter dotierter Halbleiterschicht, welches mittels den in den Figuren 3 und 4 dargestellten Verfahren und Vorrichtungen erhältlich ist.
Figur 6 Eine weitere Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens in schematischer Darstellung sowie Prinzipdarstellung einer Vorrichtung zu dessen Durchführung .
Figur 7 Beispielhafte Illustration von Benetzungsphänome- nen .
Figur 1 zeigt in schematischer Darstellung ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Dieses sieht einen Behälter 30 für eine Ätzlösung 5 vor. Relativ zu der Ätzlösung 5 sind Substrate 3, welche vorliegend als Solarzellensubstrate 3 ausgeführt sind, derart anordenbar, dass diese teilweise außerhalb der in dem Behälter 30 angeordneten Ätzlösung 5 liegen. Dies ist vorliegend realisiert mit Hilfe von Transportrollen 36, mittels welchen die Substrate in der durch den Pfeil 13 angedeuteten Transportrichtung relativ zu dem Behälter 30 transportiert werden können. Der Füllstand des Behälters 30 und die Anordnung · der Transportrollen 36 sind in dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 beispielhaft derart aufeinander abgestimmt, dass das Substrat 3 über dem - teilweise gestrichelt dargestellten - Flüssigkeitsspiegel 8 der Ätzlösung 5 liegt. Die Oberfläche 7 der Ätzlösung ist aufgrund von schematisch angedeuteten Benetzungsphänomenen an den Kanten der Substrate 3, 17, 19 teilweise gekrümmt. Anstelle von
Transportrollen 36 kann offensichtlich ein anderes Transportsystem Verwendung finden, beispielsweise an sich bekannte Hubbalken- oder Transportbändersysteme .
Weiterhin sind zwei Absaugeinrichtung 32a, 32b vorgesehen, mit deren Hilfe reaktive Dämpfe 11, welche der Ätzlösung 5 entstammen, abgesaugt werden können. Die Absaugeinrichtungen 32a, 32b sind in einer Weise ausgelegt, dass die reaktiven Dämpfe 11 derart abgesaugt werden können, dass außerhalb der Ätzlösung 5 gelegene Bereiche einer dotierten Halbleiterschicht 1, welche das Substrat 3 aufweist, mittels der reaktiven Dämpfe 11 homogen rückätzbar sind. Die Maßgabe, die dotierte Halbleiterschicht 1 mittels der reaktiven Dämpfe 11 homogen rückzuät- zen, beeinflusst die Ausgestaltung und Anzahl der Absaugeinrichtungen. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind beispielhaft zwei Absaugeinrichtungen 32a, 32b vorgesehen. Je nach Anforderung und baulicher Ausgestaltung der Vorrichtung können weitere oder weniger solcher Absaugeinrichtungen erfor- derlich sein.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel der Figur 1 ist zudem eine Regeleinrichtung 34 für die Absaugeinrichtungen 32a, 32b vorgesehen, um einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten. Im Einzelfall kann stattdessen eine Steuereinrichtung oder auch eine manuelle Einstellung jeder Absaugeinrichtung vorgesehen sein. Als Ätzlösung 5 hat sich bei rückzuätzenden Silizium-Halbleiterschichten eine wässrige Lösung bewährt, welche Flusssäure und Salpetersäure aufweist. Bei dem genannten Mate- rial können alternativ unter anderem Ätzlösungen Verwendung finden, welche einerseits einen oxidierenden Bestandteil, beispielsweise Ozon, und einen das entstandene Siliziumoxid ätzenden Bestandteil, häufig HF, enthalten.
Figur 1 illustriert weiterhin ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens. Das mit der dotierten Halbleiterschicht 1 versehene Substrat wird mittels den Transportrollen 36 dem Behälter zugeführt und durch eine geeignete An- Ordnung der Transportrollen 36 und entsprechenden Füllstand der Ätzlösung 5 zumindest teilweise außerhalb der Ätzlösung 5 angeordnet. Die Anordnung des Solarzellensubstrats 3 erfolgt dabei derart, dass eine spätere Emitterseite 9 des Solarzellensubstrats oberhalb der Oberfläche 7 der Ätzlösung zu liegen kommt, während die der Emitterseite 9 gegenüberliegende Seite des Solarzellensubstrats sich unterhalb der Oberfläche 7 und damit in der Ätzlösung befindet.
Die verschiedenen in Figur 1 dargestellten Solarzellensubstra- te illustrieren von links nach rechts gleichsam eine ' zeitliche Abfolge des Verfahrens. Während zunächst das Solarzellensubstrat 3 noch mit einer vollständigen dotierten Halbleiterschicht 1 versehen ist, wird diese nach Einbringung des Solarzellensubstrats 3 in die Ätzlösung 5 teilweise abgetragen. So ergibt sich nach einer gewissen Verweildauer des Solarzellensubstrats 3 in der Ätzlösung 5 ein Solarzellensubstrat 17 mit teilweise abgetragener dotierter Halbleiterschicht 1. Auf der Emitterseite 9 ist der Abtrag mittels der reaktiven Dämpfe 11 erfolgt, welche der Ätzlösung 5 entstammen. Diejenigen Teile der Halbleiterschicht 1, welche sich in der Ätzlösung 5 befinden, wurden teilweise mittels der 'Ätzlösung 5 zurückgeätzt. Die Rückätzung mittels der Ätzlösung fällt dabei stärker aus als der Abtrag mittels der reaktiven Dämpfe. Infolgedessen ist bei dem Solarzellensubstrat 17 mit teilweise abgetragener do- tierter Halbleiterschicht die verbliebene Halbleiterschicht 1 auf der Emitterseite 9 dicker als auf der gegenüberliegenden Seite . Im weiteren Verfahrensablauf wird die dotierte Halbleiterschicht 1 auf der Emitterseite 9 wie auch auf der gegenüberliegenden Seite weiter abgetragen. Im Ergebnis ergibt sich ein Solarzellensubstrat 19 mit isolierten Kanten. Bei diesem wurde die dotierte Halbleiterschicht 1 auf der Emitterseite 9 nur bis zu einer verbleibenden Restdicke der Halbleiterschicht 1 abgetragen, sodass ein rückgeätzter Emitter 15 auf der Emitterseite 9 des Solarzellensubstrats 3 verbleibt. In der Ätzlösung 5 wurde die dotierte Halbleiterschicht 1 hingegen vollständig mittels der Ätzlösung 5 entfernt. Die ursprünglich durch die dotierte Halbleiterschicht 1 gegebene elektrisch leitende Verbindung von der Emitterseite 9 zu der gegenüberliegenden Seite des Solarzellensubstrats 3 wurde somit unterbrochen. Mittels des dargestellten Verfahrens kann demzufolge aufwandsgünstig ein Emitter rückgeätzt und gleichzeitig eine Kantenisolation vorgenommen werden.
Die Einstellung der Rückätzrate der Ätzlösung 5 erfolgt im Wesentlichen durch die Zusammensetzung der Ätzlösung 5. Die Rückätzrate der reaktiven Dämpfe 11 wird im Ausführungsbei- spiel der Figur 1 eingestellt durch das Absaugen der reaktiven Dämpfe 11 mittels der Absaugungseinrichtungen 32a, 32b, wobei die Rückätzrate um so niedriger ausfällt, je stärker die reaktiven Dämpfe 11 abgesaugt werden. Figur 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Dieses unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 dadurch, dass eine Gaszuführung 40 vorgesehen ist, mittels welcher Inertgas, beispielsweise ein Edelgas oder Luft, den außerhalb der Ätzlösung 5 ge- legenen Bereichen der rückzuätzenden Halbleiterschicht 1 zugeführt werden kann'. Die GasZuführung erfolgt dabei im vorliegenden Ausführungsbeispiel über eine Gasverteilerplatte 37, welche in Figur 2 schematisch in einer Schnittdarstellung wie- dergegeben ist. Diese Gasverteilerplatte weist eine Vielzahl von Öffnungen 39 auf, über welche das Inertgas den außerhalb der Ätzlösung 5 gelegenen Bereichen der rückzuätzenden dotierten Halbleiterschicht 1 zugeführt wird. Mittels des zugeführten Inertgases können in Verbindung mit Absaugöffnungen 33a, 33b einer nicht dargestellten Absaugeinrichtung die reaktiven Dämpfe 11 zum Teil von den außerhalb der Ätzlösung 5 gelegenen Bereichen der rückzuätzenden dotierten Halbleiterschicht 1 verdrängt werden. Auf diese Weise ermöglicht die Inertgaszufuhr eine Einstellung der Rückätzrate der reaktiven Dämpfe 11.
Über die GasZuführung 40 können nicht nur Inertgase zugeführt werden. Es ist denkbar, diesen auch reaktive Gase, beispielsweise Ozon, beizumengen oder anstelle des Inertgases ausschließlich reaktive Gase zuzuführen. Mittels solcher reakti- ver Gase kann das Rückätzen der dotierten Halbleiterschicht mittels der reaktiven Dämpfe beeinflusst werden. Beispielsweise können reaktive Spezies zugeführt werden, welche den Abtrag der dotierten Halbleiterschicht beschleunigen oder behindern. Im Falle von rückzuätzendem Siliziumhalbleiterschichten kann beispielsweise ein Oxidans zugeführt werden, welches die Oxi- dation der dotierten Halbleiterschicht und als Konsequenz hiervon deren Rückätzung verstärkt.
Figur 2 zeigt dementsprechend ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens, welches sich von dem aus Figur 1 bekannten dadurch unterscheidet, dass die Rückätzrate der reaktiven Dämpfe 11 alternativ oder zusätzlich zu einer Einstellung über die Absaugung der reaktiven Dämpfe 11 durch die Zu- fuhr von Inertgas, bzw. einer reaktiven Spezies wie gasförmigem Ozon, eingestellt wird.
Die in Figur 3 dargestellte Ausgestaltungsvariante einer er- findungsgemäßen Vorrichtung entspricht großteils derjenigen aus Figur 1. Ergänzend ist jedoch eine UV-Lampe 42 als Bestrahlungsvorrichtung vorgesehen, mittels welcher die Substrate, genauer die außerhalb der Ätzlösung 5 gelegenen Teile der dotierten Halbleiterschicht 1, bestrahlbar sind. Zwischen der UV-Lampe 42 und der Ätzlösung 5, und damit über der dotierten Halbleiterschicht 1, ist eine Bestrahlungsmaske 44 angeordnet. Diese Bestrahlungsmaske 44 weist Öffnungen auf, durch welche hindurch die Substrate 3 lokal mittels der UV-Lampe 42
bestrahlbar sind. Figur 3 zeigt daher ein lokal bestrahltes Solarzellensubstrat 27. Infolge der lokalen Bestrahlung mit
UV-Licht wird lokal in den bestrahlten Bereichen die dotierte Halbleiterschicht 1 mittels der reaktiven Dämpfe 11 stärker rückgeätzt. In den durch die Bestrahlungsmaske 44 geschützten Bereichen hingegen wird schwächer rückgeätzt, sodass hier eine -stärkere Dotierung verbleibt. Auf diese Weise kann aufwandsgünstig ein selektiver Emitter realisiert werden. Figur 5 zeigt in Blickrichtung der Transportrichtung 13 eine vergrößerte, schematische Schnittdarstellung des resultierenden Solarzellensubstrats 29 mit isolierten Kanten und lokal stärker rückgeätztem Emitter 26.
Figur 3 illustriert somit auch ein erfindungsgemäßes Verfahren, bei welchem die dotierte Halbleiterschicht infolge lokalen Bestrahlens mit elektromagnetischer Strahlung lokal stär- ker zurückgeätzt wird. Abgesehen von dieser lokal verstärkten Rückätzung stimmt das dargestellte Verfahren mit dem im Zusammenhang mit Figur 1 beschriebenen Verfahren überein. Figur 4 zeigt eine alternative Ausgestaltungsvariante eines Verfahrens mit lokal stärkerer Rückätzung infolge eines lokalen Bestrahlens mit elektromagnetischer Strahlung. Im Unterschied zu der Ausgestaltungsvariante der Figur 3 erfolgt die lokale Bestrahlung hier mittels eines Lasers. Die Vorrichtung der Figur 4 weist im Unterschied zur derjenigen der Figur 3 daher anstelle der UV-Lampe 42 und der Bestrahlungsmaske 44 einen Laser 46 sowie eine zugehörige Lasersteuereinrichtung 46 auf. Hiermit kann die dotierte Halbleiterschicht sehr variabel mit einem Laserstrahl 48 lokal beleuchtet werden. Bei dem zugehörigen Verfahren wird das Solarzellensubstrat 27 dementsprechend mit dem Laserstrahl 48 lokal bestrahlt, lokal bestrahlte Bereiche werden erneut mittels der reaktiven Dämpfe 11 stärker rückgeätzt. Im Ergebnis ergibt sich wiederum ein Solarzellensubstrat 29 mit isolierten Kanten und lokal stärker rückgeätztem Emitter. Den lokal stärker rückgeätzten Emitter 26 illustriert erneut beispielhaft die Darstellung in Figur 5.
Figur 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfin- dungsgemäßen Vorrichtung in einer schematischen Darstellung.
Sie weist zusätzlich zu den bereits aus Figur 4 bekannten Vorrichtungsbestandteilen eine Vorätzeinrichtung 58 auf, mittels welcher die Halbleiterschicht und/oder eine auf der Halbleiterschicht 1 angeordnete Silikatglasschicht 4 vor der Rückät- zung der Halbleiterschicht 1 mittels der reaktiven Dämpfe 11 zumindest teilweise abgetragen werden kann. In der vorliegenden Ausgestaltungsvariante weist die Vorätzeinrichtung 58 einen Behälter 50 auf, in welchem eine Zusatzätzlösung 52 angeordnet ist. Weiterhin ist eine Gaszufuhr 56 vorgesehen, mit- tels welcher im vorliegenden Fall Ozon 54 in die Zusatzätzlösung eingeleitet werden kann. Die Einleitung anderer reaktiver Gase ist ebenfalls möglich. Als Zusatzätzlösung kann beispielsweise eine flusssäurehaltige Lösung verwendet werden. Bei dem in Figur 6 illustrierten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zunächst eine auf der dotierten Halbleiterschicht 1 angeordnete Silikatglasschicht 4 mittels der Zusatzätzlösung 52 entfernt. Die Rückätzrate der Zu- satzätzlösung kann dabei unter anderem über Ozon 54 eingestellt werden, welches über die Gaszufuhr 56 in die Zusatzätzlösung 52 eingeleitet wird. Das nach Entfernung der Silikatglasschicht verbleibende Solarzellensubstrat 21 wird im Weiteren dem Behälter 30 und der darin angeordneten Ätzlösung 5 zu- geführt.
Optional kann mittels der Vorätzeinrichtung 58,- wie oben ange-. deutet, auch bereits vorab ein Teil der dotierten Halbleiterschicht 1 mittels der Zusatzätzlösung 52 rückgeätzt werden. Wie bereits weiter oben dargelegt, ermöglicht dies in Verbindung mit dem nachfolgenden Rückätzen der dotierten Halbleiterschicht 1 mittels der reaktiven Dämpfe 11 eine hohe Rückätzrate für die dotierte Halbleiterschicht 1 bei gleichzeitig guter Einstellbarkeit .
Die Vorätzeinrichtung 58 kann in einer anderen Ausgestaltungs- variante auch in Transportrichtung 13 nach der Ätzlösung 5 angeordnet und somit als Nachätzeinrichtung eingesetzt werden. Die Vorätzeinrichtung 58 kann ohne weiteres auch mit den Vorrichtungen bzw. Verfahren aus den Figuren 1 bis 4 in analoger Weise wie in Figur 6 dargestellt kombiniert werden. In gleicher Weise wie im- Zusammenhang mit Figur 6 beschrieben ist zudem der Einsatz als Nächätzeinrichtung möglich. Ferner ist es denkbar, wenigstens eine der aus den Figuren 3 und 4 bekannten Beleuchtungsvorrichtungen in dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 vorzusehen. In sämtlichen Ausführungsbeispielen wurde davon ausgegangen, dass die dotierte Halbleiterschicht 1 die Oberfläche des Solarzellensubstrats vollständig bedeckt. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Beispielsweise können sämtliche Ausfüh- rungsbeispiele erfindungsgemäßer Vorrichtungen und Verfahren auch auf Substrate angewandt werden, welche nur teilweise mit einer Halbleiterschicht versehen sind. Beispielsweise kann die dotierte Halbleiterschicht von vorneherein nur auf der Emitterseite eines Solarzellensubstrats angeordnet sein. In diesem Fall entfällt offensichtlich die Entfernung der dotierten
Halbleiterschicht in Bereichen die sich in der Ätzlösung 5 befinden und damit die Kantenisolation. Die auf der Emitterseite aufgebrachte dotierte Halbleiterschicht kann dennoch mit den Vorrichtungen und Verfahren der Figuren 1 bis 4 und 6 rückge- ätzt, insbesondere lokal rückgeätzt werden.
Bezugszeichenliste
1 dotierte Halbleiterschicht
3 Solarzellensubstrat
4 Silikatglasschicht
5 Ätzlösung
7 Oberfläche der Ätzlösung
8 Flüssigkeitsspiegel der Ätzlösung
9 Emitterseite , des Solarzellensubstrats
11 reaktive Dämpfe
13 Transportrichtung Substrat
15 rückgeätzter Emitter
17 Solarzellensubstrat mit teilweise abgetragener dotierter Halbleiterschicht
19 Solarzellensubstrat mit isolierten Kanten
21 nach Entfernung Silikatglasschicht verbleibendes Solarzellensubstrat
26 lokal stärker rückgeätzter Emitter
27 lokal bestrahltes. Solarzellensubstrat
29 Solarzellensubstrat mit isolierten Kanten und lokal stärker rückgeätztem Emitter
30 Behälter
32a Absaugeinrichtung
32b Absaugeinrichtung
33a Absaugöffnung
33b Absaugöffnung
34 Regeleinrichtung
36 Transportrolle
37 Gasverteilerplatte
38 Inertgas
39 Öffnung
40 GasZuführung
42 UV-Lampe 44 Bestrahlungsmaske
46 Laser und Lasersteuereinrichtung
48 Laserstrahl
50 Behälter
52 Zusatzätzlösung
54 Ozon
56 Gaszufuhr
58 Vorätzeinrichtung
60 Substrat
62 Oberseite des Substrats

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum wenigstens teilweisen Rückätzen einer Halbleiterschicht (1) eines Substrats (3) , bei welchem das Substrat (3) zumindest teilweise außerhalb einer Ätzlösung (5)
. angeordnet wird,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass außerhalb der Ätzlösung (5) gelegene Bereiche der Halbleiterschicht (3) mittels der Ätzlösung (5) entstammender reaktiver Dämpfe (11) wenigstens zum Teil abgetragen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1 ,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass eine dotierte Halbleiterschicht (1) rückgeätzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2 ,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass eine dotierte Siliziumschicht (1) rückgeätzt wird, wobei bevorzugt als Substrat (3) ein Siliziumsubstrat (3) verwendet wird und die dotierte Siliziumschicht (1) durch Einbringung von Dotierstoff in das Siliziumsubstrat (3) ausgebildet wird.
4. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass das Substrat (3) derart angeordnet wird, dass Teile der Halbleiterschicht (1) sich in der Ätzlösung (5) befinden, und dass diese Teile der Halbleiterschicht (1) mittels der Ätzlösung (5) vollständig entfernt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4 ,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass außerhalb der Ätzlösung (5) befindliche Teile der Halbleiterschicht (1) mittels der reaktiven Dämpfe (11) nur bis zu einer verbleibenden Restdicke der Halbleiterschicht (1) abgetragen werden.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass ein Emitter (15) eines Solarzellensubstrats (11) rückgeätzt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6 ,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass das Solarzellensubstrat (3) derart angeordnet wird, dass sich eine spätere Emitterseite (9) des Solarzellensubstrats (3) außerhalb der Ätzlösung (5) befindet und sich eine der Emitterseite (9) gegenüberliegende Seite des Solarzellensubstrats (3) in der Ätzlösung (5) befindet.
8. Verfahren nach einem der vorangegangene Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass eine auf der rückzuätzenden Halbleiterschicht (1) vorhandene Silikatglasschicht (4) vor dem Rückätzen der Halb- .leiterschicht (1) entfernt wird, vorzugsweise nasschemisch.
9. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüchen,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zur Einstellung einer Rückätzrate für das Rückätzen der Halbleiterschicht (1) die reaktiven Dämpfe (11) teilweise abgesaugt werden.
10. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüchen,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zur Einstellung der Rückätzrate der reaktiven Dämpfe (11) ein Inertgas (38) und/oder wenigstens ein Reaktivgas den außerhalb der Ätzlösung (5) gelegenen Bereichen der rückzuätzenden Halbleiterschicht (1) zugeführt wird, wobei als wenigstens ein Reaktivgas vorzugsweise mindestens ein Element aus der Gruppe bestehend aus gasförmigem Ozon und gasförmigem Fluorwasserstoff verwendet wird.
11. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüchen,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zur Einstellung einer Rückätzrate für das Rückätzen der Halbleiterschicht (1) außerhalb der Ätzlösung (5) gelegene Bereiche der rückzuätzenden Halbleiterschicht (1) während des Rückätzens mit elektromagnetischer Strahlung (42; 48) bestrahlt werden, vorzugsweise mit UV-Licht (42).
12. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass, bevor oder nachdem in einem Hauptätzschritt nach einem der vorangehenden Ansprüche wenigstens ein Teil der Halbleiterschicht (1) abgetragen wird, das Substrat (3) in einem zusätzlichen Ätzschritt zumindest teilweise, vorzugsweise vollständig, in einem Zusatzätzmedium (52) angeordnet wird, mittels welchem die Halbleiterschicht (1) teilweise rückgeätzt wird.
13. Verfahren nach den Ansprüchen 12 und 8,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass die Silikatglasschicht (4) in dem zusätzlichen Ätzschritt mittels des Zusatzätzmediums (52) entfernt wird, bevor der Hauptätzschritt durchgeführt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 13 ,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass als Zusatzätzmedium (52) eine Zusatzätzlösung (52) verwendet wird, welche Flusssäure enthält, und Ozon in die •Zusatzätzlösung (52) eingeleitet wird.
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 14
- aufweisend einen Behälter (30) für eine Ätzlösung (5) ,
- wobei ein Substrat (3) relativ zu der Ätzlösung (5) derart anordenbar ist, dass dieses zumindest teilweise außerhalb der in dem Behälter (30) angeordneten Ätzlösung (5) liegt, und
- weiterhin aufweisend eine Absaugeinrichtung (32a, 32b;
33a, 33b) zur Absaugung von der Ätzlösung (5) entstammenden, reaktiven Dämpfen (11) ,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass mittels der Absaugeinrichtung (32a, 32b; 33a, 33b) die reaktiven Dämpfe (11) derart absaugbar sind, dass außerhalb der Ätzlösung (5) gelegene Bereiche einer Halbleiterschicht (1) des Substrats (3) mittels der reaktiven Dämpfe (11) homogen rückätzbar sind.
Vorrichtung nach Anspruch 15,
g e k e n n z e i c h n e t d u r c h
wenigstens eine Gaszuführung (40), mittels welcher außerhalb der Ätzlösung (5) gelegenen Bereichen der Halbleiterschicht Gase (38) zuführbar sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüch 15 bis 16,
g e k e n n z e i c h n e t d u r c h
wenigstens eine Bestrahlungsvorrichtung (42; 46), vorzugsweise eine UV-Lichtquelle (42) , mittels welcher die Substrate (3) , vorzugsweise die außerhalb der Ätzlösung (5) gelegenen Bereiche der Halbleiterschicht (1) , mit elektromagnetischer Strahlung (42; 48) bestrahlbar sind, wobei die wenigstens eine Bestrahlungsvorrichtung (42; 46) bevorzugt derart eingerichtet ist, dass die Substrate (3) lokal bestrahlbar sind.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17,
g e k e n n z e i c h n e t d u r c h
eine zwischen der wenigstens einen Bestrahlungsvorrichtung (42) und der Ätzlösung (5) angeordnete Bestrahlungsmaske (44) , mittels welcher die Substrate (3) , vorzugsweise die außerhalb der Ätzlösung (5) gelegenen Bereiche der Halbleiterschicht (1) , lokal bestrahlbar sind.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 18,
g e k e n n z e i c h n e t d u r c h
eine Zusatzätzeinrichtung (58), mittels welcher die Halbleiterschicht (1) und/oder eine auf der Halbleiterschicht (1) angeordnete Silikatglasschicht (4) vor oder nach der Rückätzung der Halbleiterschicht (1) mittels der reaktiven Dämpfe (11) zumindest teilweise abtragbar ist.
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