WO2010150994A9 - 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 - Google Patents

파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2010150994A9
WO2010150994A9 PCT/KR2010/003741 KR2010003741W WO2010150994A9 WO 2010150994 A9 WO2010150994 A9 WO 2010150994A9 KR 2010003741 W KR2010003741 W KR 2010003741W WO 2010150994 A9 WO2010150994 A9 WO 2010150994A9
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
light
diode chip
wavelength conversion
Prior art date
Application number
PCT/KR2010/003741
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010150994A2 (ko
WO2010150994A3 (ko
Inventor
이광철
김재필
송상빈
김상묵
Original Assignee
한국광기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국광기술원 filed Critical 한국광기술원
Priority to US13/376,714 priority Critical patent/US20120086040A1/en
Publication of WO2010150994A2 publication Critical patent/WO2010150994A2/ko
Publication of WO2010150994A3 publication Critical patent/WO2010150994A3/ko
Publication of WO2010150994A9 publication Critical patent/WO2010150994A9/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode having a wavelength conversion material layer and a method of manufacturing the same.
  • a light emitting diode is a semiconductor device that converts current into light and is mainly used as a light source of a display device. These light emitting diodes are very small compared to the conventional light sources, have very low power consumption, long lifespan, and fast reaction speed. In addition, it does not emit harmful electromagnetic waves such as ultraviolet rays, and is environmentally friendly since it does not use mercury and other discharge gases.
  • the white light emitting diode is mainly formed by combining with a light emitting diode light source using a wavelength conversion material such as a phosphor.
  • the white light emitting diode using the wavelength conversion material is mainly manufactured by the following two methods. First, a yellow wavelength converting material is formed on a blue light emitting diode chip to convert energy, and second, yellow, red, green, and blue wavelength converting material is formed on a UV light emitting diode chip. The converting method is used.
  • the light emitting diodes When an electric field is applied to the light emitting diodes, light is generated from the light emitting diodes. Such light sources may excite the wavelength conversion material and may be mixed with the light source from the light emitting diode to emit white light. At this time, the amount of light emitted from the light emitting diode is generally superior to the upper surface of the light emitting diode compared to the side portion of the light emitting diode.
  • the amount of the wavelength changing material may be smaller on the upper surface of the light emitting diode than the ability of the light source to excite the wavelength changing material.
  • a light source for exciting the wavelength conversion material may be insufficient.
  • the color of the light source is predominant in the central part of the finally emitted light, and the color of the wavelength conversion material is predominantly emitted in the outer part. Therefore, the light emitted from the light emitting diode may have a nonuniform color temperature distribution for each direction.
  • the present invention has been made in an effort to provide a light emitting diode having a wavelength conversion material layer having a uniform color temperature distribution for each light directing direction, and a method of manufacturing the same.
  • Another object of the present invention is to provide a light emitting diode including a wavelength conversion material layer having a thickness profile proportional to the amount of light in all directions emitted from the chip on the light emitting diode chip, and a method of manufacturing the same.
  • an aspect of the present invention provides a light emitting diode including a wavelength conversion material layer.
  • the light emitting diode according to the embodiment of the present invention is a base structure; A light emitting diode chip disposed on the base structure; And a wavelength conversion material layer disposed on the light emitting diode chip, wherein a region adjacent to an upper surface of the light emitting diode chip is thicker than a region adjacent to a side surface of the light emitting diode chip.
  • the wavelength conversion material layer may have a thickness profile proportional to the amount of light emitted from the light emitting diode chip, and the wavelength conversion material layer may include a light transmissive photocurable material and a wavelength conversion material.
  • the light-transmissive photocurable material may include any one selected from the group consisting of silicone resins, epoxy resins, acrylic resins, urethane resins, photoresists, and glass.
  • the wavelength conversion material may have at least one wavelength range selected from the group consisting of yellow, red, green, and blue light emitting bands, and the wavelength conversion material may include a phosphor, a dye, or a pigment.
  • the base structure may be a package lead frame, a package premold frame, a sub mount substrate, or a light emitting diode wafer.
  • the light emitting diode chip is a vertical light emitting diode chip, and may be disposed on an inner surface or an upper surface of the light emitting diode wafer of the base structure.
  • the base structure may have a reflective cup.
  • the light emitting diode chip may further include a passivation layer disposed between the light emitting diode chip and the wavelength conversion material layer and encapsulating the light emitting diode chip.
  • the protective layer may have a domed shape covering the light emitting diode chip or a conformal shape covering the light emitting diode chip and having a uniform thickness, and the protective layer may contain glass or a translucent resin.
  • the light emitting diode chip may be a device for generating blue light or ultraviolet light.
  • the protective layer may further include a protective layer disposed on the wavelength conversion material layer, and the protective layer may contain glass or a translucent resin.
  • the light emitting diode manufacturing method comprises the steps of: arranging the light emitting diode chip on the base structure; And disposing a wavelength conversion material layer on the light emitting diode chip containing a light-transmitting photocurable material having a thicker area adjacent to an upper surface than an area adjacent to a side portion of the light emitting diode chip.
  • the forming of the wavelength conversion material layer may include applying a mixture containing a wavelength conversion material and a light transmissive photocurable material on the light emitting diode chip; Exposing the mixture to light emitted by applying an electric field to the light emitting diode chip to cure the mixture in proportion to the amount of light; And removing the remaining uncured mixture.
  • the mixture may be applied using a blade coating method, screen printing method, dip coating method, dotting method, spin coating method, spray method or inkjet printing method.
  • the method may further include forming a protective layer between the base structure and the wavelength conversion material layer.
  • the LED manufacturing method comprises the steps of forming a plurality of light emitting diode chips on the light emitting diode wafer divided into a plurality of cell regions; Applying a mixture containing a wavelength conversion material and a light transmissive photocurable material on the light emitting diode chip; Curing the mixture through light emitted by applying an electric field to the light emitting diode chip; Removing uncured residual mixtures to form a wavelength conversion material layer; And cutting the light emitting diode wafer into separate light emitting diode cells.
  • the cell region of the light emitting diode wafer may be defined by a plurality of cutting lines and separation patterns.
  • Removal of uncured residual mixtures is carried out through development, and the separation pattern can also be removed through development.
  • the method may further include forming a protective layer encapsulating the light emitting diode chip before applying the mixture containing the wavelength conversion material and the light transmissive photocurable material.
  • the light emitting diode according to the present invention forms a wavelength conversion material layer containing the wavelength conversion material from the light emitting region of the light emitting diode chip to a region through which light emitted can penetrate, thereby forming a light emitting region of the light emitting diode chip.
  • the light emitted from may excite the wavelength converting materials to a certain level.
  • the appropriate ratio of the amount of light emission energy of the wavelength conversion material and the amount of light emission energy of the light source is made
  • the color temperature distribution for each light directing angle can be made uniform.
  • a protective layer having a uniform thickness from the upper portion of the light emitting region of the light emitting diode chip or from the light emitting diode chip and disposing the wavelength converting material layer, light extraction is performed by excluding backscattering and absorption effects of the wavelength converting material layer. It is also possible to improve the efficiency.
  • the encapsulation material mixed with the wavelength conversion material was performed on the light emitting diode chip by dispensing the encapsulation material, but the light emitting diode according to the present invention dispensing the wavelength conversion material such as a phosphor. Since it does not need to be mixed in the encapsulation process of, it is possible to improve the phosphor-related defects, such as poor color coordinate region hitting, which frequently occur in the encapsulation process.
  • 1 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.
  • 6 to 8 are cross-sectional views illustrating various structures of a conventional light emitting diode.
  • 9 and 10 are images and graphs showing a color temperature distribution of a conventional light emitting diode.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting diode according to the present invention.
  • 12 and 13 are images and graphs showing a color temperature distribution of light emitting diodes according to the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.
  • 15 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.
  • 16 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention.
  • 17 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode according to a fifth embodiment of the present invention.
  • first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
  • the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
  • FIGS. 1 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, and are shown as being limited to a unit cell of a light emitting device.
  • the base structure 10 may be a package frame or a base substrate.
  • the package frame may include the base substrate.
  • the base substrate may be a submount substrate or a light emitting diode wafer.
  • the light emitting diode wafer is a state in which a light emitting diode element is formed on a wafer before being separated into light emitting diode chips.
  • the base substrate may be a silicon substrate, a metal substrate, a ceramic substrate, or a resin substrate.
  • the base structure 10 may be a package lead frame or a package pre-mold frame.
  • the base structure 10 may include a bonding pad (not shown).
  • the bonding pads may contain Au, Ag, Cr, Ni, Cu, Zn, Ti, Pd, and the like.
  • External connection terminals (not shown) connected to the bonding pads may be disposed at an outer portion of the base structure 10.
  • the bonding pads and the external connection terminals may be those provided in a package lead frame.
  • the light emitting diode chip 30 is disposed on the base structure 10.
  • the step of disposing the light emitting diode chip may be omitted.
  • the light emitting diode chip 30 includes a first cladding layer, a second cladding layer, and an active layer interposed therebetween.
  • the first clad layer may be a semiconductor layer in which a first type impurity is implanted, for example, an n type impurity.
  • the first clad layer may be a nitride-based, gallium arsenide-based, or zinc oxide-based semiconductor layer in which impurities such as Si or N, B, and P are injected.
  • the second clad layer may be a semiconductor layer implanted with a second type impurity, that is, a p-type impurity.
  • the second clad layer may be a nitride semiconductor layer, a gallium arsenide semiconductor layer, or a zinc oxide semiconductor layer into which p-type impurities such as Mg or N, P, As, Zn, Li, Na, K, and Cu are implanted. .
  • the active layer may have a quantum dot structure or a multi quantum well structure.
  • the nitride based layer may be an InGaN layer or / and a GaN layer
  • the zinc oxide based layer may be a ZnMgO layer or a ZnCdO layer.
  • the light emitting diode chip 30 emits light when electrons and holes recombine when an electric field is applied between the first cladding layer and the second cladding layer.
  • the light emitting diode chip 30 may be any one of AlGaAs, InGaAs, AlGaInP, AlGaInPAs, GaN, and ZnO.
  • the light emitting diode chip 30 may be a device for generating blue light or ultraviolet light.
  • the light emitting diode chip 30 may be a horizontal device in which both n and p electrodes are formed on an upper surface thereof.
  • the n electrode and the p electrode may be electrically connected to the bonding pads through wires, respectively.
  • the present invention is not limited thereto, and the LED chip 30 may be flipped to be surface-mounted using conductive balls (not shown) on the bonding pads.
  • a first protective layer 52 having a dome shape may be formed on the light emitting diode chip 30.
  • the first passivation layer 52 may not only serve as a passivation layer but also may encapsulate the light emitting diode chip 30.
  • the first protective layer 52 may be a transparent material layer.
  • the first protective layer 52 may contain any one selected from the group consisting of glass and resin.
  • the resin may be any one selected from the group consisting of silicone resins, epoxy resins, acrylic resins, urethane resins, photoresists and equivalents thereof.
  • the first protective layer 52 may be a compression molding method, a transfer molding method, a dotting method, a blade coating method, a screen printing method, or a dip coating method. It can be formed using various methods such as a dip coating method, a spin coating method, a spray method or an inkjet printing method. However, the first protective layer 52 may be omitted.
  • a thicker wavelength converting material layer 54 is formed on the first passivation layer 52 than the region adjacent to the side surface of the light emitting diode chip 30.
  • the wavelength conversion material layer 54 has a thickness profile proportional to the amount of light emitted from the light emitting diode chip 30. Meanwhile, when the first protective layer 52 is omitted, the wavelength conversion material layer 54 is formed on the light emitting diode chip 30.
  • the wavelength conversion material layer 54 may be formed of a wavelength conversion material and a light transmissive photocurable material. As a result, the white light emitting diode may be realized by converting light generated from the light emitting diode chip 30 into light having a longer wavelength.
  • the wavelength conversion material may be at least one selected from the group consisting of a phosphor, a dye, a pigment, and an equivalent thereof.
  • the wavelength conversion material may be in the wavelength range of any one selected from the group consisting of yellow, red, green, and blue.
  • a white light emitting diode may be provided in the wavelength converting material layer 54 to implement a white light emitting diode, and the light emitting diode chip 30 ) Is a device that generates ultraviolet light, a white light emitting diode may be implemented by including a yellow wavelength converting material, a red wavelength converting material, a green wavelength converting material, and a blue wavelength converting material in the wavelength converting material layer 54. .
  • the yellow wavelength conversion material is a pigment such as YAG-based (yttrium aluminum garnet), silicate-based phosphor or lead chromate (PbCrO 4 ), zinc chromate (ZnCrO 4 ), cadmium sulfide-zinc sulfide (CdS-ZnS) Can be.
  • YAG-based phosphor may be YAG: Ce, TbYAG: Ce, GdYAG: Ce or GdTbYAG: Ce
  • the silicate-based phosphor may be methyl silicate, ethyl silicate, magnesium aluminum silicate, or aluminum silicate.
  • the red wavelength converting material may be a sulfide-based, nitride-based phosphor, or a pigment such as iron oxide (Fe 2 O 3 ), lead tetraoxide (Pb 3 O 4 ), or mercury sulfide (HgS).
  • the sulfide phosphor may be SrS: Eu or CaS: Eu
  • the nitride phosphor is SrSiN: Eu, CaSiN: Eu, CaAlSiN, (Ca, Sr, Ba) SiN: Eu, LaSiN: Eu or Sr - ⁇ -SiAlON.
  • the green wavelength converting material is BaSiO: Eu, SrSiO: Eu, SrAlO: Eu, SrAlO: Eu, SrGaS: Eu, SrSiAlON: Eu, (Ca, Sr, Ba) SiNO: Eu, YSiON: Tb, YSiON: Tb, GdSiON : Phosphor of Tn or chromium oxide (Cr 2 O 3 ), chromium hydroxide (Cr 2 O (OH) 4 ), basic copper acetate (Cu (C 2 H 3 O 2 ) -2Cu (OH) 2 ), cobalt green It may be a pigment such as (Cr 2 O 3 -Al 2 O 3 -CoO).
  • the blue wavelength converting material may be phosphor or sensitizer such as Sr (PO) Cl: Eu, SrMgSiO: Eu, BaMgSiO: Eu, BaMgAlO: Eu, SrPO: Eu, SrSiAlON: Eu (Fe 4 [Fe (CN) 6 ] 3 ) And cobalt blue (CoO-Al 2 O 3 ).
  • the light transmissive photocurable material may be a light transmissive polymer or an inorganic material that is cured by light.
  • the light transmissive photocurable material may include any one selected from the group consisting of silicone resins, epoxy resins, acrylic resins, urethane resins, photoresists, glass, and equivalents thereof.
  • the wavelength conversion material layer 54 may be formed by performing the following steps. First, a mixture of a wavelength conversion material and a light transmissive photocurable material may be applied onto the first protective layer 52. In this case, when the first protective layer 52 is omitted, a mixture of a wavelength change material and a light transmissive photocurable material is coated on the light emitting diode chip 30.
  • the mixture may be applied using various wet film formation methods such as blade coating, screen printing, dip coating, dotting, spin coating, spraying or inkjet printing.
  • An electric field is applied to the light emitting diode chip 30, and a mixture of the wavelength conversion material and the light transmitting photocurable material is exposed to light generated from the light emitting diode chip 30 to cure the light transmitting photocurable material.
  • the light transmissive photocurable material may be cured to a thickness proportional to the amount of light generated from the light emitting diode chip 30.
  • the light emitting diode chip 30 generates a large amount of light toward the top surface, and the amount of light emitted toward the side surface from the top surface of the light emitting diode chip 30 decreases. Accordingly, the mixture located on the upper surface of the LED chip 30 may have a higher amount of hardening than the mixture located on the side surface of the LED chip 30. As a result, the wavelength conversion material layer 54 adjacent to the top surface of the light emitting diode chip 30 may be thicker than the wavelength conversion material layer 54 adjacent to the side surface of the light emitting diode chip 30.
  • the light emitting diode chip 30 and the mixture are isolated, and the remaining uncured mixture can be removed by development or washing.
  • a second protective layer 56 may be formed on the wavelength conversion material layer 54.
  • the second protective layer 56 may include glass or a translucent resin.
  • the light transmissive resin may be a general resin such as a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin, or a photoresist. However, the second protective layer 56 may be omitted.
  • the light emitting diode is limited to the unit cell.
  • the base structure 10 is a submount substrate or a light emitting diode wafer
  • a plurality of light emitting diode chips 54 having a wavelength conversion material layer 54 formed thereon are provided. After disposing the 30, the submount substrate or the light emitting diode wafer can be cut and processed into individual unit cells.
  • FIGS. 6 to 8 are cross-sectional views illustrating various structures of a conventional light emitting diode
  • FIGS. 9 and 10 are images and graphs showing a color temperature distribution of a conventional light emitting diode.
  • a light emitting diode chip 3 is disposed on a substrate 1, and a wavelength converting material layer 5 may be disposed on the light emitting diode chip 3. .
  • the wavelength conversion material layer 5 is a layer that does not contain a light-transmitting photocurable material, unlike the light emitting diode according to the present invention.
  • light may be generated from the light emitting diode chip 3.
  • Such light sources excite the wavelength conversion material included in the wavelength conversion material layer 5 and may be mixed with the light source from the light emitting diode chip 3 to emit white light.
  • the amount of light emitted from the light emitting diode chip 3 is generally superior to the upper surface of the light emitting diode chip 3 as compared to the side portion of the light emitting diode chip 3.
  • the light source may excite the wavelength changing material on the upper surface of the LED chip 3.
  • the amount of the wavelength change material may be less than the capacity of the light emitting diode, and a light source for exciting the wavelength conversion material may be insufficient in the side portion of the light emitting diode chip 3. Accordingly, the color of the light source is predominant in the central part of the finally emitted light, and the color of the wavelength conversion material is predominantly emitted in the outer part. Therefore, the light emitted from the light emitting diode may have a nonuniform color temperature distribution for each direction.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode according to the present invention
  • FIGS. 12 and 13 are images and graphs showing a color temperature distribution of a light emitting diode according to the present invention.
  • a light emitting diode according to the present invention is formed by forming a wavelength converting material layer 54 containing the wavelength converting material to a region through which light emitted from the light emitting diode chip 30 can penetrate. Light emitted from the light emitting diode chip 30 may excite the wavelength conversion materials to a predetermined level.
  • an appropriate ratio between the amount of light emission energy of the wavelength conversion material and the amount of light emission energy of the light source is passed through the wavelength conversion material layer 54 in proportion to the amount of light emission or the intensity of light emitted on the light emission path of the light emitted from the light emitting area of the light emitting diode.
  • Combination of the can be made uniform color temperature distribution for each light directing angle.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.
  • the base structure 10 may include a reflective cup 12. That is, the base structure 10 may be a package frame with a reflective cup or a base substrate with a reflective cup. Specifically, the base structure 10 may be a premold lead frame with a reflective cup or a submount substrate with a reflective cup. Can be.
  • the light emitting diode includes a base structure 10 having a reflecting cup 12, a light emitting diode chip 30 disposed in the reflecting cup 12, and a first light emitting diode chip 30 disposed on the light emitting diode chip 30.
  • a passivation layer 52 is disposed on the first passivation layer 52 and has a thicker wavelength conversion region adjacent to an upper surface of the LED chip 30 than a region adjacent to the side surface portion of the LED chip 30.
  • the second protective layer 56 may be disposed on the material layer 54 and the wavelength conversion material layer 54.
  • the wavelength conversion material layer 54 preferably has a thickness profile proportional to the amount of light emitted from the light emitting diode chip 30.
  • the lead frame cup 12 may reduce light absorbed and extinguished by the base structure 10, the luminous efficiency may be improved.
  • the first passivation layer 52 may be omitted.
  • 15 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.
  • the light emitting diode includes a light emitting diode chip 30 positioned on the base structure 10, a protective layer 52 conformally formed around the light emitting diode chip 30 with a uniform thickness, and
  • the wavelength conversion material layer 54 formed on the passivation layer 52 and adjacent to the upper surface of the light emitting diode chip 30 may be thicker than the area adjacent to the side surface portion of the light emitting diode chip 30.
  • the base structure 10 may be a sub-mount substrate.
  • the volume of the finally manufactured light emitting diode may be reduced as compared with manufacturing the protective layer 52 in a domed shape. Therefore, it can be easily applied to a small light emitting diode.
  • 16 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the light emitting diode includes a vertical light emitting diode chip 30 positioned on the base structure 10, and a central portion of the light emitting region surface of the vertical light emitting diode chip 30 is an outer portion of the light emitting region surface. Compared with the thicker wavelength conversion material layer 54 may be included.
  • the light emitting diode is a case where the protective layer 52 is omitted while applying the vertical light emitting diode chip 30 in the case of FIG. 15.
  • the wavelength conversion material layer 54 may not be disposed on the side surface of the LED. Therefore, there is a feature that can be reduced according to the manufacturing cost.
  • 17 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode according to a fifth embodiment of the present invention.
  • a light emitting diode includes a light emitting diode wafer 11 having a plurality of light emitting regions 13 disposed therein.
  • the light emitting diode wafer 11 represents a wafer in which light emitting diode chips are not separated into unit cells, and the light emitting regions may have a vertical light emitting device.
  • wavelength converting materials 54 having a dome-shaped shape having a thicker central portion of the individual light emitting regions 13 than the outer portions of the individual light emitting regions 13 are disposed.
  • the light emitting diode wafer 11 may be cut and separated into a plurality of unit cells.
  • the light emitting diode according to the fifth embodiment of the present invention can form the wavelength changing material layer 54 containing the translucent photocurable material on the light emitting diode wafer 11, thereby simplifying the process and the device. There is an advantage that the manufacturing time is shortened.
  • FIGS. 18 and 19 are cross-sectional views illustrating a structure of a light emitting diode according to a sixth embodiment of the present invention.
  • a light emitting diode according to a sixth embodiment first of all cells of a light emitting diode wafer 11 divided into a plurality of cell regions by a plurality of cutting lines 12 and a separation pattern 57.
  • a plurality of light emitting diode chips 30 are formed in the region.
  • a general photoresist material may be used as the separation pattern 57.
  • a protective layer 52 for encapsulating each of the light emitting diode chips 30 is formed on the light emitting diode wafer 11 on which the light emitting diode chip 30 is formed, and the wavelength conversion is performed on the protective layer 52.
  • a mixture containing the material and the light transmissive material is applied.
  • the light emitting diode chip 30 cures the mixture containing the wavelength conversion material and the light transmitting photocurable material through the light emitted from the light emitting diode chip 30.
  • the cured region of the mixture has a thickness profile proportional to the amount of light emitted from the light emitting diode chip 30.
  • the wavelength conversion material layer 54 has a thickness profile proportional to the amount of light emitted from the light emitting diode chip 30.
  • the separation pattern 57 may be simultaneously removed.
  • a cutting process along the cutting line 12 may be performed to separate the light emitting diode cells.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드는 베이스 구조물, 상기 베이스 구조물 상에 배치된 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 파장변환물질층을 포함한다. 또한, 상기 발광다이오드 제조방법은 베이스 구조물 상에 발광다이오드 칩을 배치하는 단계 및 상기 발광다이오드 칩 상에 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 투광성 광경화 물질을 함유한 파장변환물질층을 배치하는 단계를 포함한다.

Description

파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 소자로서, 디스플레이 소자의 광원으로 주로 이용되고 있다. 이러한 발광다이오드는 기존의 광원에 비해 극소형이며, 소비전력이 적고, 수명이 길며, 반응속도가 빠른 등 매우 우수한 특성을 나타낸다. 이와 더불어서, 자외선과 같은 유해 전자기파를 방출하지 않으며, 수은 및 기타 방전용 가스를 사용하지 않으므로 환경 친화적이다.
그 중에서도 백색광 발광 다이오드는 종래의 전구들과 비교했을 때, 소형화 및 고효율에서 유리하며, 긴 사용수명을 가지기 때문에, 많은 연구가 이루어지고 있다. 백색광 발광 다이오드는 주로 형광체와 같은 파장변환물질을 이용하여 발광 다이오드 광원과의 조합을 통해 형성된다. 이러한, 파장변환물질을 이용한 백색광 발광다이오드는 주로 다음의 두 가지 방법에 의해서 제조된다. 첫 번째로, 청색 발광다이오드 칩 상에 황색 파장변환물질을 형성하여, 에너지를 변환시키는 방법과 두 번째로, 자외선 발광다이오드 칩 상에 황색, 적색, 녹색 및 청색의 파장변환물질을 형성하여 에너지를 변환시키는 방법이 이용된다.
이러한 발광다이오드에 전계를 인가하면, 상기 발광다이오드로부터 광이 발생된다. 이와 같은 광원들은 파장변환물질을 여기시키고, 발광다이오드로부터의 광원과 혼합되어 백색광을 방출시킬 수 있다. 이때, 상기 발광다이오드로부터 방출되는 광의 광량은 일반적으로 상기 발광다이오드의 측면부에 비해 상기 발광다이오드의 상부면이 우세하다.
이러한, 발광다이오드 상에 균일한 두께의 파장변환물질을 형성하는 경우, 상기 발광다이오드의 상부면에서는 상기 광원이 상기 파장변화물질을 여기시킬 수 있는 능력에 비해 상기 파장변화물질의 양이 적을 수 있고, 상기 발광다이오드의 측면부에서는 상기 파장변환물질을 여기시키기 위한 광원이 부족할 수 있다.
이에 따라, 최종적으로 방출되는 광의 중심부는 광원의 색상이 우세하고, 외곽부는 파장변환물질의 색상이 우세하게 방출될 수 있다. 따라서, 발광다이오드로부터 방출되는 광은 지향 방위별로 색온도 산포가 불균일해질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 광 지향 방위별 색온도 산포가 균일한 파장변환물질층을 구비하는 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 발광다이오드 칩 상에 칩으로부터 출사되는 모든 방향으로 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖는 파장변환물질층을 구비하는 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 파장변환물질층을 포함하는 발광다이오드를 제공한다. 상기 본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드는 베이스 구조물; 상기 베이스 구조물 상에 배치된 발광다이오드 칩; 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 파장변환물질층을 포함한다.
상기 파장변환물질층은 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 가질 수 있으며, 상기 파장변환물질층은 투광성 광경화 물질 및 파장변환물질로 포함할 수 있다.
상기 투광성 광경화 물질은 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 포토레지스트 및 유리로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 파장변환물질은 발광대역이 황색, 적색, 녹색 및 청색으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 파장 범위를 가질 수 있으며, 상기 파장변환물질은 형광체, 염료 또는 안료를 포함할 수 있다.
상기 베이스 구조물은 패키지 리드 프레임, 패키지 프리몰드 프레임, 서브 마운트 기판 또는 발광다이오드 웨이퍼일 수 있다.
상기 발광다이오드 칩은 수직형 발광다이오드 칩으로, 상기 베이스 구조물 중 발광다이오드 웨이퍼의 내부 또는 상부면에 배치될 수 있다.
상기 베이스 구조물은 반사컵을 구비할 수 있다.
상기 발광다이오드 칩 및 파장변환물질층 사이에 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 보호층은 상기 발광다이오드 칩을 덮는 돔형의 형상 또는 상기 발광다이오드 칩을 덮고, 균일한 두께를 가지는 컨포멀한 형상을 가질 수 있으며, 상기 보호층은 유리 또는 투광성 수지를 함유할 수 있다.
상기 발광다이오드 칩은 청색광 또는 자외선광을 발생시키는 소자일 수 있다.
상기 파장변환물질층 상에 배치된 보호층을 더 포함할 수도 있으며, 상기 보호층은 유리 또는 투광성 수지를 함유할 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 제조 방법은 베이스 구조물 상에 발광다이오드 칩을 배치하는 단계; 및 상기 발광다이오드 칩 상에 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 투광성 광경화 물질을 함유한 파장변환물질층을 배치하는 단계를 포함한다.
상기 파장변환물질층을 형성하는 단계는 상기 발광다이오드 칩 상에 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포하는 단계; 상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광에 상기 혼합물을 노광시켜, 상기 광량에 비례하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계; 및 경화되지 않은 잔여 혼합물은 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 혼합물은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법을 사용하여 도포할 수 있다.
상기 베이스 구조물과 상기 파장변환물질층 사이에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은 복수의 셀 영역으로 구분되는 발광다이오드 웨이퍼 상에 복수의 발광다이오드 칩을 형성하는 단계; 상기 발광다이오드 칩 상에 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포하는 단계; 상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광을 통하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계; 경화되지 않은 잔여 혼합물들 제거하여 파장 변환 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 발광 다이오드 웨이퍼를 절단하여 각각의 발광다이오드 셀로 분리하는 단계를 포함한다.
상기 발광다이오드 웨이퍼의 셀영역은 복수의 절단 라인 및 분리 패턴에 의하여 정의될 수 있다.
경화되지 않은 잔여 혼합물들 제거는 현상을 통하여 수행되며, 상기 분리 패턴도 현상을 통하여 제거될 수 있다.
상기 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포하는 단계 이전에, 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광다이오드는 발광다이오드 칩의 발광영역으로부터 방출되는 광이 침투할 수 있는 영역까지 상기 파장변환물질을 함유하는 파장변환물질층을 형성함으로써 상기 발광다이오드 칩의 발광영역에서 방출되는 광은 상기 파장변환물질들을 일정한 수준으로 여기시킬 수 있다.
그 결과, 상기 발광다이오드의 발광영역으로부터 방출되는 광의 방사경로 상에 발광량이나 발광강도에 비례한 파장변환 물질을 통과하므로 파장변환물질의 발광 에너지량과 광원의 발광 에너지량의 적절한 비율의 배합이 이루어져 광 지향각별 색온도 산포가 균일해질 수 있다. 또한, 발광다이오드 칩의 발광영역의 상부나 발광다이오드 칩으로부터 균일한 두께의 보호층을 배치하고 상기의 파장변환 물질층을 배치하는 경우, 파장변환 물질층의 후방 산란 및 흡수 효과를 배제하여 광추출효율의 향상을 꾀할 수도 있다.
또한, 기존 발광다이오드 제작 시 파장변환물질을 혼합한 봉지물질을 발광다이오드 칩 상에 디스펜싱 등을 이용하여 봉지 공정을 수행하였으나, 본 발명에 따른 발광다이오드는 형광체와 같은 파장변환물질을 디스펜싱 등의 봉지 공정에서 혼입할 필요가 없으므로 봉지 공정에서 자주 발생하는 색좌표 영역 적중 불량과 같은 형광체 관련 불량을 개선할 수도 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광다이오드 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6 내지 도 8은 종래 발광다이오드의 다양한 구조를 도시한 단면도들이다.
도 9 및 도 10은 종래 발광다이오드의 색온도 산포를 나타내는 이미지 및 그래프이다.
도 11은 본 발명에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 발광다이오드의 색온도 산포를 나타내는 이미지 및 그래프이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명을 설명함에 있어 전체적인 이해를 용이하게 하기 위하여 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광다이오드 제조방법을 나타낸 단면도들로서, 발광 소자의 단위 셀에 한정되어 도시한다.
도 1을 참조하면, 베이스 구조물(10)을 제공한다. 상기 베이스 구조물(10)은 패키지 프레임 또는 베이스 기판일 수 있다. 상기 베이스 구조물(10)이 패키지 프레임인 경우, 상기 패키지 프레임은 상기 베이스 기판을 포함할 수도 있다. 상기 베이스 기판은 서브마운트 기판 또는 발광다이오드 웨이퍼일 수 있다. 상기 발광다이오드 웨이퍼는 발광다이오드 칩 단위로 분리되기 전 상태로서 웨이퍼 상에 발광다이오드 소자가 형성된 상태를 나타낸다. 상기 베이스 기판은 실리콘 기판, 금속 기판, 세라믹 기판 또는 수지기판일 수 있다.
상기 베이스 구조물(10)은 패키지 리드 프레임 또는 패키지 프리몰드(pre-mold) 프레임일 수 있다. 상기 베이스 구조물(10)은 본딩 패드(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 본딩 패드들은 Au, Ag, Cr, Ni, Cu, Zn, Ti, Pd 등을 함유할 수 있다. 상기 베이스 구조물(10)의 외측부에는 상기 본딩 패드들에 각각 연결된 외부 연결단자들(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드들 및 상기 외부 연결단자들은 패키지 리드 프레임에 구비된 것들일 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 베이스 구조물(10) 상에 발광다이오드 칩(30)을 배치한다. 이때, 상기 베이스 구조물(10)이 발광다이오드 웨이퍼인 경우, 상기 발광다이오드 칩을 배치하는 단계는 생략될 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(30)은 제1 클래드층, 제2 클래드층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 구비한다. 상기 제1 클래드층은 제1형 불순물 예를들어, n형 불순물이 주입된 반도체층일 수 있다. 상기 제1 클래드층은 Si 또는 N, B, P 등의 불순물이 주입된 질화물계, 갈륨아세나이드계 또는 산화아연계 반도체층일 수 있다.
상기 제2 클래드층은 제2형 불순물 즉, p형 불순물이 주입된 반도체층일 수 있다. 상기 제2 클래드층은 Mg 또는 N, P, As, Zn, Li, Na, K, Cu 등의 p형 불순물이 주입된 질화물계 반도체층, 갈륨아세나이드계 반도체층 또는 산화아연계 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 양자점 구조 또는 다중양자우물 구조(Multi Quantum Well Structure)를 가질 수 있다. 상기 활성층이 질화물계층인 경우에 상기 질화물계층은 InGaN층 또는/및 GaN층일 수 있으며, 상기 활성층인 산화아연계층인 경우에 상기 산화아연계층은 ZnMgO층 또는 ZnCdO층일 수 있다.
이러한 발광다이오드 칩(30)은 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층 사이에 전계를 인가할 때, 전자와 정공이 재결합하면서 발광한다. 상기 발광다이오드 칩(30)은 AlGaAs계, InGaAs계, AlGaInP계, AlGaInPAs계, GaN계, ZnO계 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드 칩(30)은 청색광 또는 자외선광을 발생시키는 소자일 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(30)은 n 전극과 p 전극을 상부면에 모두 형성한 수평형 소자일 수 있다. 상기 n 전극과 상기 p 전극은 와이어들을 통해 상기 본딩 패드들에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 발광다이오드 칩(30)은 플립(flip)되어 상기 본딩 패드들에 도전성 볼들(미도시)을 사용하여 표면 실장될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 상기 발광다이오드 칩(30) 상에 돔형의 형상을 갖는 제1보호층(52)을 형성할 수 있다. 상기 제1 보호층(52)은 보호막으로서의 역할을 할 수 있을 뿐만 아니라 상기 발광다이오드 칩(30)을 봉지하는 역할을 할 수도 있다. 상기 제1 보호층(52)은 투명물질층일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 보호층(52)은 유리 및 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 함유할 수 있다. 상기 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 포토레지스트 및 이의 등가물로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
상기 제1 보호층(52)은 콤프레션몰딩(compression molding)법, 트랜스퍼몰딩(transfer molding)법, 도팅(dotting) 법, 블레이드 코팅(blade coating)법, 스크린 프린팅(screen coating)법, 딥 코팅(dip coating)법, 스핀코팅(spin coating)법, 스프레이(spray)법 또는 잉크젯프린팅(inkjet printing)법 등의 다양한 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 그러나, 상기 제1 보호층(52)은 생략될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 보호층(52) 상에 상기 발광다이오드 칩(30)의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 파장변환물질층(54)을 형성한다. 바람직하게는 상기 파장변환물질층(54)은 상기 발광다이오드 칩(30)에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖는다. 한편, 상기 제1 보호층(52)이 생략되는 경우, 상기 발광다이오드 칩(30) 상에 파장변환물질층(54)을 형성한다.
상기 파장변환물질층(54)은 파장변환물질과 투광성 광경화 물질로 구성될 수 있다. 이로써, 상기 발광다이오드 칩(30)에서 발생된 광을 더욱 긴 파장의 광으로 변환시켜 백색광 발광다이오드를 구현할 수 있다.
상기 파장변환물질은 형광체, 염료(dye), 안료(pigment) 및 이의 등가물로 이루어지는 군에서 건택되는 적어도 하나일 수 있다. 상기 파장변환물질은 발광대역이 황색, 적색, 녹색 및 청색으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 파장 범위 내에 있을 수 있다.
일 예로서, 상기 발광다이오드 칩(30)이 청색광을 발생시키는 소자인 경우, 상기 파장변환물질층(54) 내에 황색 파장변환물질을 구비시켜 백색광 발광다이오드를 구현할 수 있고, 상기 발광다이오드 칩(30)이 자외선광을 발생시키는 소자인 경우, 상기 파장변환물질층(54) 내에 황색 파장변환물질, 적색 파장변환물질, 녹색 파장변환물질 및 청색 파장변환물질 등을 구비시켜 백색광 발광다이오드를 구현할 수 있다.
구체적으로, 상기 황색 파장변환물질은 YAG계(yttrium aluminum garnet), 실리케이트계의 형광체 또는 크롬산 납(PbCrO4), 크롬산 아연(ZnCrO4), 황화-카드뮴-황화아연(CdS-ZnS)등의 안료일 수 있다. 구체적으로, 상기 YAG계 형광체는 YAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYAG:Ce 또는 GdTbYAG:Ce일 수 있으며, 상기 실리케이트계 형광체는 메틸실리케이트, 에틸 실리케이트, 마그네슘알루미늄 실리케이트 또는 알루미늄 실리케이트일 수 있다.
상기 적색 파장변환물질은 황화물계, 질화물계의 형광체 또는 산화철(Fe2O3), 사산화 납(Pb3O4), 황화수은(HgS)등의 안료일 수 있다. 구체적으로, 상기 황화물계 형광체는 SrS:Eu 또는 CaS:Eu일 수 있으며, 상기 질화물계 형광체는 SrSiN:Eu, CaSiN:Eu, CaAlSiN, (Ca,Sr,Ba)SiN:Eu, LaSiN:Eu 또는 Sr-α-SiAlON일 수 있다.
상기 녹색 파장변환물질은 BaSiO:Eu, SrSiO:Eu, SrAlO:Eu, SrAlO:Eu, SrGaS:Eu, SrSiAlON:Eu, (Ca,Sr,Ba)SiNO:Eu, YSiON:Tb, YSiON:Tb, GdSiON:Tn의 형광체, 또는 산화크롬(Cr2O3), 수산화 크롬(Cr2O(OH)4), 염기성 초산구리(Cu(C2H3O2)-2Cu(OH)2), 코발트 그린(Cr2O3-Al2O3-CoO)등의 안료일 수 있다.
상기 청색 파장변환물질은 Sr(PO)Cl:Eu, SrMgSiO:Eu, BaMgSiO:Eu, BaMgAlO:Eu, SrPO:Eu, SrSiAlON:Eu등의 형광체 또는 감청(Fe4[Fe(CN)6]3), 코발트 블루(CoO-Al2O3)등의 안료일 수 있다.
상기 투광성 광경화 물질은 광에 의해 경화되는 투광성 고분자 또는 무기물일 수 있다. 일 예로서 상기 투광성 광경화 물질은 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 포토레지스트, 유리 및 이의 등가물로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 파장변환물질층(54)은 다음과 같은 단계를 수행하여 형성될 수 있다. 먼저, 상기 제1 보호층(52) 상에 파장변환물질과 투광성 광경화 물질의 혼합물을 도포할 수 있다. 이때, 상기 제1 보호층(52)이 생략되는 경우, 상기 발광다이오드 칩(30) 상에 파장변화물질과 투광성 광경화 물질의 혼합물을 도포한다.
상기 혼합물은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법 등의 다양한 습식 막형성 방법을 사용하여 도포할 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(30)에 전계를 인가하고, 상기 발광다이오드 칩(30)으로부터 발생되는 광에 상기 파장변환물질과 투광성 광경화 물질의 혼합물을 노광시켜 상기 투광성 광경화 물질을 경화시킬 수 있다. 이때, 상기 투광성 광경화 물질은 상기 발광다이오드 칩(30)으로부터 발생된 광량에 비례하는 두께로 경화될 수 있다.
다시 말해서, 상기 발광다이오드 칩(30)은 상부면으로 다량의 광을 발생시키며, 상기 발광다이오드 칩(30)의 상부면으로부터 측면부로 갈수록 방출되는 광량은 줄어든다. 이에 따라, 상기 발광다이오드 칩(30)의 상부면에 위치한 혼합물은 상기 발광다이오드 칩(30)의 측면부에 위치한 혼합물에 비해 경화량이 많을 수 있다. 그 결과, 상기 발광다이오드 칩(30)의 상부면과 인접한 상기 파장변환물질층(54)은 상기 발광다이오드 칩(30)의 측면부와 인접한 상기 파장변환물질층(54)에 비해 두꺼울 수 있다.
이후에, 상기 발광다이오드 칩(30)과 상기 혼합물을 격리시키고, 경화되지 않은 잔여 혼합물은 현상(Development)하거나 세척하여 제거할 수 있다.
도 5를 참조하면, 파장변환물질층(54) 상에 제2 보호층(56)을 형성할 수 있다. 상기 제2 보호층(56)은 유리 또는 투광성 수지를 포함할 수 있다. 상기 투광성 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지 등의 일반 수지, 또는 포토레지스트일 수 있다. 그러나, 상기 제2 보호층(56)은 생략될 수도 있다.
본 발명의 일 실시 예에서는 상기 발광 다이오드를 단위 셀에 한정되어 도시하였으나, 상기 베이스 구조물(10)이 서브마운트 기판 또는 발광다이오드 웨이퍼인 경우에 파장변환물질층(54)이 형성된 다수개의 발광다이오드 칩(30)을 배치시킨 후에 상기 서브마운트 기판 또는 발광다이오드 웨이퍼를 절단하여 각각의 단위 셀로 가공할 수 있다.
도 6 내지 도 8은 종래 발광다이오드의 다양한 구조를 도시한 단면도들이고, 도 9 및 도 10은 종래 발광다이오드의 색온도 산포를 나타내는 이미지 및 그래프이다.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 종래의 발광다이오드는 기판(1) 상에 발광다이오드 칩(3)이 배치되며, 상기 발광다이오드 칩(3) 상에는 파장변환물질층(5)이 배치될 수 있다. 상기 파장변환물질층(5)은 본 발명에 따른 발광다이오드와는 달리 투광성 광경화 물질을 함유하지 않은 층이다.
상술한 도 6 내지 도 8의 발광다이오드 칩들(3)에 전계를 인가하면, 상기 발광다이오드 칩(3)으로부터 광이 발생될 수 있다. 이와 같은 광원들은 파장변환물질층(5)에 포함된 파장변환물질을 여기시키고, 발광다이오드 칩(3)으로부터의 광원과 혼합되어 백색광을 방출시킬 수 있다. 이때, 상기 발광다이오드 칩(3)으로부터 방출되는 광의 광량은 일반적으로 상기 발광다이오드 칩(3)의 측면부에 비해 상기 발광다이오드 칩(3)의 상부면이 우세하다.
그러나, 종래 발광다이오드와 같이 광지향 방위별로 두께가 조절되지 않은 파장변환물질층(5)을 구비하는 경우, 상기 발광다이오드 칩(3)의 상부면에서는 상기 광원이 상기 파장변화물질을 여기시킬 수 있는 능력에 비해 상기 파장변화물질의 양이 적을 수 있고, 상기 발광다이오드 칩(3)의 측면부에서는 상기 파장변환물질을 여기시키기 위한 광원이 부족할 수 있다. 이에 따라, 최종적으로 방출되는 광의 중심부는 광원의 색상이 우세하고, 외곽부는 파장변환물질의 색상이 우세하게 방출될 수 있다. 따라서, 발광다이오드로부터 방출되는 광은 지향 방위별로 색온도 산포가 불균일해질 수 있다.
도 11은 본 발명에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이고, 도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 발광다이오드의 색온도 산포를 나타내는 이미지 및 그래프이다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 발명에 따른 발광다이오드는 발광다이오드 칩(30)으로부터 방출되는 광이 침투할 수 있는 영역까지 상기 파장변환물질을 함유하는 파장변환물질층(54)을 형성함으로써 상기 발광다이오드 칩(30)에서 방출되는 광은 상기 파장변환물질들을 일정한 수준으로 여기시킬 수 있다.
그 결과, 상기 발광다이오드의 발광영역으로부터 방출되는 광의 방사경로 상에 발광량이나 발광강도에 비례한 파장변환물질층(54)을 통과하므로 파장변환물질의 발광 에너지량과 광원의 발광 에너지량의 적절한 비율의 배합이 이루어져 광 지향각별 색온도 산포가 균일해질 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 다른 실시 예들을 나타내며, 후술하는 것을 제외하고는 상기 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 발광 다이오드의 제조방법과 유사하다.
도 14는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드는 베이스 구조물(10)이 반사컵(12)을 구비할 수 있다. 즉, 상기 베이스 구조물(10)은 반사컵이 구비된 패키지 프레임 또는 반사컵이 구비된 베이스 기판일 수 있으며, 구체적으로, 반사컵이 구비된 프리몰드 리드 프레임 또는 반사컵이 구비된 서브마운트 기판일 수 있다.
그 결과, 상기 발광 다이오드는 반사컵(12)을 구비하는 베이스 구조물(10), 상기 반사컵(12) 내에 배치된 발광 다이오드 칩(30), 상기 발광 다이오드 칩(30) 상에 배치된 제1 보호층(52), 상기 제1 보호층(52) 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩(30)의 측면부에 인접한 영역에 비해 상기 발광다이오드 칩(30)의 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 파장변환물질층(54) 및 파장변환물질층(54) 상에 배치된 제2 보호층(56)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 파장변환물질층(54)은 상기 발광다이오드 칩(30)에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖는 것이 바람직하다.
상기 리드 프레임 컵(12)을 구비함으로써 베이스 구조물(10)에 흡수되어 소멸되는 광을 줄일 수 있으므로, 발광효율이 향상될 수 있다. 상기 제1 보호층(52)은 생략될 수도 있다.
도 15는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 15를 참조하면, 발광 다이오드는 베이스 구조물(10) 상에 위치하는 발광 다이오드 칩(30), 상기 발광 다이오드 칩(30) 주위를 균일한 두께를 가지고 컨포멀하게 형성되는 보호층(52) 및 상기 보호층(52) 상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩(30)의 측면부에 인접한 영역에 비해 상기 발광다이오드 칩(30)의 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 파장변환물질층(54)을 포함할 수 있다. 상기 베이스 구조물(10)은 서브 마운트 기판일 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(30) 상에 상기 보호층(52)을 컨포멀하게 형성하는 경우, 상기 보호층(52)을 돔형의 형상으로 제조하는 것에 비해 최종적으로 제조되는 발광다이오드의 부피가 감소될 수 있으므로, 소형 발광다이오드에 쉽게 적용될 수 있다.
도 16은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 16을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 베이스 구조물(10) 상에 위치하는 수직형 발광 다이오드 칩(30), 상기 수직형 발광 다이오드 칩(30)의 발광영역면의 중앙부가 발광영역면의 외곽부에 비해 두꺼운 파장변환물질층(54)을 포함할 수 있다. 상기 발광다이오드는 도 15의 경우에서 수직형 발광다이오드 칩(30)을 적용하면서 보호층(52)이 생략된 경우이다.
또한, 수직형 발광다이오드 칩의 경우, 발광다이오드 칩의 측면으로 발생되는 광이 적으므로, 상기 발광다이오드 측면에 파장변환물질층(54)이 배치되지 않을 수 있다. 따라서, 이에 따른 제조비용이 절감될 수 있는 특징이 있다.
도 17은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 17을 참조하면, 제5 실시 예에 따른 발광다이오드는 내부에 다수개의 발광영역들(13)이 배치된 발광다이오드 웨이퍼(11)를 구비한다. 상기 발광다이오드 웨이퍼(11)는 발광다이오드 칩들이 단위 셀들로 분리되지 않은 상태의 웨이퍼를 나타내며, 상기 발광영역들은 수직형 발광 소자의 형태를 가질 수 있다.
상기 발광다이오드 웨이퍼(11) 상에 개별 발광영역(13)의 외곽부에 비해 개별 발광영역(13)의 중심부의 두께가 두꺼운 돔형의 형상을 가지는 파장변환물질(54)들이 배치된다.
상기 파장변환물질(54)들이 배치된 후에 상기 발광다이오드 웨이퍼(11)는 절단되어 다수개의 단위 셀들로 분리될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제5 실시 예에 따른 발광다이오드는 발광다이오드 웨이퍼(11) 상에서 상기 투광성 광경화 물질을 함유하는 파장변화물질층(54)을 형성할 수 있으므로, 공정의 단순화와 더불어 소자 제조시간이 단축되는 장점이 있다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광다이오드의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 제6 실시예에 따른 발광다이오드는 우선, 다수의 절단 라인(12) 및 분리 패턴(57)에 의하여 복수의 셀 영역으로 구분된 발광다이오드 웨이퍼(11)의 셀 영역에 복수의 발광다이오드 칩(30)을 형성한다. 이때, 상기 분리 패턴(57)은 일반적인 포토레지스트 물질이 사용될 수 있다.
그런 다음, 상기 발광다이오드 칩(30)이 형성된 발광다이오드 웨이퍼(11) 상에 상기 각 발광다이오드 칩(30)을 봉지하는 보호층(52)을 형성하고, 상기 보호층(52) 상에 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포한다.
그런 다음, 상기 발광다이오드 칩(30)에 전계를 인가하여 상기 발광다이오드 칩(30)에서 방출되는 광을 통하여 상기 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 경화시킨다. 이때, 상기 혼합물의 경화된 영역은 상기 발광다이오드 칩(30)에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖게 된다.
상기 혼합물을 경화한 후, 경화되지 않고 잔류하는 상기 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 현상 또는 세척을 통하여 제거하여, 파장변환물질층(54)를 형성한다. 따라서, 상기 파장변환물질층(54)은 상기 발광다이오드 칩(30)에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖게 된다.
또한, 잔류하는 상기 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 현상을 통하여 제거하는 경우, 상기 분리 패턴(57)이 동시에 제거될 수 있다.
이후에, 상기 절단 라인(12)을 따른 절단 공정을 수행하여, 각 발광다이오드 셀로 분리할 수 있다.

Claims (23)

  1. 베이스 구조물;
    상기 베이스 구조물 상에 배치된 발광다이오드 칩; 및
    상기 발광다이오드 칩 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 파장변환물질층을 포함하는 발광다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환물질층은 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖는 발광다이오드.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 파장변환물질층은 투광성 광경화 물질 및 파장변환물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투광성 광경화 물질은 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 포토레지스트 및 유리로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 발광다이오드.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 파장변환물질은 발광대역이 황색, 적색, 녹색 및 청색으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 파장 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 파장변환물질은 형광체, 염료 및 안료로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 발광다이오드.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 구조물은 패키지 리드 프레임, 패키지 프리몰드 프레임, 서브 마운트 기판 및 발광다이오드 웨이퍼로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 발광다이오드.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 수직형 발광다이오드 칩으로, 상기 베이스 구조물 중 발광다이오드 웨이퍼의 내부 또는 상부면에 배치되는 발광다이오드.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 구조물은 반사컵을 구비하는 발광다이오드.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩 및 파장변환물질층 사이에 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 보호층을 더 포함하는 발광다이오드.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 발광다이오드 칩을 덮는 돔형의 형상 또는 상기 발광다이오드 칩을 덮고, 균일한 두께를 가지는 컨포멀한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 보호층은 유리 및 투광성 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 함유하는 발광다이오드.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 청색광 및 자외선광으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 발생시키는 소자인 발광다이오드.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환물질층 상에 배치된 보호층을 더 포함하는 발광다이오드.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 보호층은 유리 및 투광성 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 함유하는 발광다이오드.
  16. 베이스 구조물 상에 발광다이오드 칩을 배치하는 단계; 및
    상기 발광다이오드 칩 상에 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 투광성 광경화 물질을 함유한 파장변환물질층을 배치하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 파장변환물질층을 형성하는 단계는
    상기 발광다이오드 칩 상에 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포하는 단계;
    상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광에 상기 혼합물을 노광시켜, 상기 광량에 비례하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계; 및
    경화되지 않은 잔여 혼합물은 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 혼합물은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법을 사용하여 도포하는 발광다이오드 제조방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 베이스 구조물과 상기 파장변환물질층 사이에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법.
  20. 복수의 셀 영역으로 구분되는 발광다이오드 웨이퍼 상에 복수의 발광다이오드 칩을 형성하는 단계;
    상기 발광다이오드 칩 상에 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포하는 단계;
    상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광을 통하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계;
    경화되지 않은 잔여 혼합물들 제거하여 파장 변환 물질층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광 다이오드 웨이퍼를 절단하여 각각의 발광다이오드 셀로 분리하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 발광다이오드 웨이퍼의 셀영역은 복수의 절단 라인 및 분리 패턴에 의하여 정의되는 발광다이오드 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    경화되지 않은 잔여 혼합물들 제거는 현상을 통하여 수행되며, 상기 분리 패턴도 현상을 통하여 제거되는 발광다이오드 제조 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포하는 단계 이전에, 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조 방법.
PCT/KR2010/003741 2009-06-23 2010-06-10 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 WO2010150994A2 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/376,714 US20120086040A1 (en) 2009-06-23 2010-06-10 Light-emitting diode having a wavelength conversion material layer, and method for fabricating same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090055755A KR100963743B1 (ko) 2009-06-23 2009-06-23 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
KR10-2009-0055755 2009-06-23

Publications (3)

Publication Number Publication Date
WO2010150994A2 WO2010150994A2 (ko) 2010-12-29
WO2010150994A3 WO2010150994A3 (ko) 2011-03-03
WO2010150994A9 true WO2010150994A9 (ko) 2011-06-03

Family

ID=42370045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2010/003741 WO2010150994A2 (ko) 2009-06-23 2010-06-10 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120086040A1 (ko)
KR (1) KR100963743B1 (ko)
WO (1) WO2010150994A2 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101179288B1 (ko) 2011-04-08 2012-09-03 이상근 경사발광면이 형성된 에폭시반사부가 구비된 엘이디 조명체
DE102012106859B4 (de) * 2012-07-27 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
JP2014224182A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
EP3114899B1 (en) * 2014-03-05 2021-04-28 LG Electronics Inc. Method of fabricating a display device using semiconductor light emitting device
CN106796977B (zh) * 2014-07-23 2019-06-28 晶体公司 紫外发光器件的光子提取
KR101647068B1 (ko) * 2014-10-27 2016-08-10 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR101648971B1 (ko) 2015-04-17 2016-08-19 한국광기술원 칩 레벨 막 형성모듈
US11094530B2 (en) * 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess
CN110311055A (zh) * 2019-07-26 2019-10-08 马鞍山微晶光电材料有限公司 一种复合发光基片及其制备方法和应用
GB2600979B (en) * 2020-11-13 2023-01-11 Plessey Semiconductors Ltd Filter for micro LED display
TWI767594B (zh) * 2021-03-03 2022-06-11 達運精密工業股份有限公司 顯示裝置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04252084A (ja) * 1991-01-28 1992-09-08 Eastman Kodak Japan Kk Ｌｅｄレンズアレイの製造方法
JP2907286B1 (ja) * 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2003188423A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Rohm Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
KR100593161B1 (ko) * 2004-03-08 2006-06-26 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7372198B2 (en) * 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US7671529B2 (en) * 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
EP4016650A1 (en) * 2006-09-27 2022-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and display device comprising the semiconductor light emitting device
US7868341B2 (en) * 2007-06-27 2011-01-11 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
TWI401820B (zh) * 2007-11-07 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光元件及其製作方法
US20090321758A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010150994A2 (ko) 2010-12-29
US20120086040A1 (en) 2012-04-12
WO2010150994A3 (ko) 2011-03-03
KR100963743B1 (ko) 2010-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010150994A9 (ko) 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
CN101542753B (zh) 发光封装件及其制造方法
US7994531B2 (en) White-light light emitting diode chips and fabrication methods thereof
US8253149B2 (en) Light emitting diode device
KR101235460B1 (ko) 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
CN100539213C (zh) 包括包含透明硅氧烷和磷光体的可图案化的膜的半导体发光器件及其制造方法
US8486731B2 (en) Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
WO2016080768A1 (ko) 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
WO2013151387A1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
WO2010104276A2 (en) Led leadframe package, led package using the same, and method of manufacturing the led package
WO2013039293A1 (en) Light emitting device package
US20110278610A1 (en) Package structure and package process of light emitting diode
KR100634189B1 (ko) 박막형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
CN102782888A (zh) 具有半导体芯片和转换元件的发射辐射的器件和其制造方法
WO2019221431A1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
JP2000077723A (ja) 発光半導体を備えた半導体装置
WO2018143681A1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20110061067A (ko) 파장변환물질 및 확산물질을 포함하는 발광다이오드, 및 이의 제조방법
US9812620B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
KR20080070280A (ko) 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
CN100389496C (zh) 白光发光元件及其制造方法
WO2017111495A1 (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
WO2017026858A1 (ko) 발광소자 패키지
JP2018022859A (ja) 発光装置及びその製造方法
WO2018030680A1 (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10792276

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13376714

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10792276

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2