CN110311055A - 一种复合发光基片及其制备方法和应用 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 230000006798 recombination Effects 0.000 title claims abstract description 103
- 238000005215 recombination Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 61
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 58
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 41
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 33
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 13
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 12
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 44
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 36
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 10
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 10
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 7
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 5
- 229910017623 MgSi2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 4
- QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J tin(iv) iodide Chemical compound I[Sn](I)(I)I QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 244000007853 Sarothamnus scoparius Species 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K bismuth tribromide Chemical compound Br[Bi](Br)Br TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 229910001477 LaPO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920007962 Styrene Methyl Methacrylate Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001650 dmitryivanovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910001707 krotite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种复合发光基片及其制备方法和应用。本发明提供的复合发光基片,包括依次层叠的主体层、发光层和表面保护层;所述发光层的尺寸小于主体层和表面保护层的尺寸,发光层的边缘不与外界接触。本发明将发光层的尺寸设置为小于主体层和表面保护层的尺寸,利用不同性能的层状材料将发光层与热量、水和氧隔绝,防止发光层中的发光材料因受潮、氧化等原因造成的发光性能下降。实施例结果表明,本发明提供的复合发光基片的稳定性好,连续工作2000小时,发光性能仍保持在较高水平。
Description
技术领域
本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种复合发光基片及其制备方法和应用。
背景技术
固体发光是近年来发展极为迅猛的一项技术,该技术以半导体发光二极管(LED)为基础,加上光致发光材料制成各种发光器件,可用于照明或显示。目前的发光器件通常是将发光材料与固化胶(热固化胶或者光固化胶)混合,然后将所得混合料直接涂覆在LED芯片上,再进行固化,即得到激发光源LED芯片(蓝色、紫外)与发光材料相结合的发光器件。这种类型的发光器件工作时表面温度较高,分散在固化胶中的发光材料,尤其是量子点发光材料受热后,极易与空气中的水或氧气接触,致使其发光性能衰减。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合发光基片及其制备方法和应用,本发明提供的复合发光基片具有稳定的发光性能,可广泛用于照明或显示。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明提供了一种复合发光基片,包括依次层叠的主体层、发光层和表面保护层;所述发光层的尺寸小于主体层和表面保护层的尺寸,发光层的边缘不与外界接触。
优选的,所述发光层的边缘与主体层的边缘相距0.2~10mm。
优选的,所述主体层和发光层之间设置有第I隔离层和/或扩散层。
优选的,所述主体层和发光层之间设置有第I隔离层和扩散层时,所述第I隔离层与发光层接触,所述扩散层与主体层接触。
优选的,所述发光层和表面保护层之间设置有第II隔离层。
优选的,所述主体层的厚度为0.8~1.5mm;
所述发光层与主体层的厚度比为(0.02~0.03):1;
所述表面保护层与主体层的厚度比为(0.05~2.0):1;
所述第I隔离层与主体层的厚度比为(0.04~0.08):1,所述第II隔离层与主体层的厚度比为(0.04~0.08):1;
所述扩散层与主体层的厚度比为(0.02~0.4):1。
优选的,所述发光层中含有发光材料,所述发光材料包括无机发光材料和/或有机发光材料。
优选的,所述主体层的材质包括聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或几种;
所述隔离层的材质包括固化胶;
所述表面保护层的材质包括环氧树脂和/或硅胶;
所述扩散层包括光学扩散板或高分子复合板。
本发明提供了上述技术方案所述的复合发光基片的制备方法,包括以下步骤:
以主体层或表面保护层为基底;
在所述主体层或表面保护层上依次设置各结构层,得到复合发光基片。
本发明提供了上述技术方案所述的复合发光基片或上述技术方案所述的制备方法制备得到的复合发光基片在制备照明器件或显示器件中的应用。
本发明提供的复合发光基片,包括依次层叠的主体层、发光层和表面保护层;所述发光层的尺寸小于主体层和表面保护层的尺寸,发光层的边缘不与外界接触。本发明在发光层两面分别设置主体层和表面保护层,并控制发光层的横截面尺寸小于主体层横截面尺寸,以使主体层和表面保护层形成对发光层的隔离保护,降低热量、水和氧气对发光层的影响,进而改善复合发光基片的性能。实施例结果表明,本发明提供的复合发光基片的稳定性好,连续工作2000小时,发光性能仍保持在较高水平。
附图说明
图1为本发明中复合发光基片结构1和实施例1提供的复合发光基片提供的复合发光基片的结构示意图;
图2为本发明中复合发光基片结构2和实施例2提供的复合发光基片的结构示意图;
图3为本发明中复合发光基片结构3和实施例3提供的复合发光基片的结构示意图;
图4为本发明中复合发光基片结构4和实施例4提供的复合发光基片的结构示意图;
图5为本发明中复合发光基片结构5提供的复合发光基片的结构示意图;
图6为本发明中复合发光基片结构6提供的复合发光基片的结构示意图;
图7为本发明中复合发光基片结构7提供的复合发光基片的结构示意图;
图8为本发明中复合发光基片结构8和实施例5提供的复合发光基片的结构示意图;
图9为本发明实施例6提供的复合发光基片的结构示意图;
图10为本发明实施例7提供的复合发光基片的结构示意图;
图11为本发明实施例8提供的复合发光基片的结构示意图;
图12为本发明实施例9提供的复合发光基片的结构示意图;
图13为本发明实施例1的复合发光基片的测试结果图;
图14为本发明实施例2的复合发光基片的测试结果图;
图15为本发明实施例3的复合发光基片的测试结果图;
图16为本发明实施例4的复合发光基片的测试结果图;
图17为本发明实施例5的复合发光基片的测试结果图;
图18为本发明实施例6的复合发光基片的测试结果图;
图19为本发明实施例7的复合发光基片的测试结果图;
图20为本发明实施例8的复合发光基片的测试结果图;
图21为本发明实施例9的复合发光基片的测试结果图;
在上述附图中,1为主体层、2为扩散层、3为第I隔离层、4为发光层、4a为红色发光层、4b为绿色发光层、5为第II隔离层、6为表面保护层。本发明所列示意图,仅表示构成复合发光基片各层之间的相对位置关系,图上的尺寸和形状并不代表真实样品的尺寸和形状。
具体实施方式
在本发明以下的具体实施方式中,除特殊说明外,所用试剂或材料均为本领域技术人员熟知的市售产品。
本发明提供了一种复合发光基片,如图1所示,包括依次层叠的主体层1、发光层4和表面保护层6(结构1);所述发光层4的尺寸小于主体层1和表面保护层6的尺寸,发光层4的边缘不与外界接触。
本发明所述复合发光基片包括主体层1,所述主体层1的形成材料优选为高分子材料,所述高分子材料优选包括聚碳酸脂(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的一种或几种。在本发明中,所述主体层优选为上述技术方案所述组分的高分子板材。本发明对所述主体层的尺寸和形状没有特殊要求,根据实际需要设定即可。在本发明具体实施例中,所述主体层的厚度优选为0.8~1.5mm,更优选为1.0~1.2mm。
本发明所述复合发光基片包括发光层4,所述发光层4层叠设置在主体层1的表面。在本发明中,所述发光层4的尺寸小于主体层1和表面保护层6的尺寸,且不与外界接触。本发明优选通过固体胶对所述发光层4的边缘进行包覆,以使发光层4不与外界接触。在本发明中,以所述主体层1的尺寸和形状为基准,本发明所述发光层4的形状优选与主体层1的形状一致,尺寸小于主体层1的尺寸,且发光层4的边缘与主体层1的相应侧边缘之间的距离优选为0.2~10mm,更优选为0.5~9mm,再优选为1~8mm。以所述主体层1的厚度为基准,本发明所述发光层4与主体层1的厚度比优选为(0.02~0.03):1,更优选为(0.023~0.027):1。
在本发明中,所述发光层的形成材料优选包括固化胶和发光材料,所述发光材料优选占发光层形成材料总质量的5~25%,更优选为6~22%,再优选为10~20%。本发明利用固化胶分散发光材料,并使发光材料粘附于所述主体层的表面,形成发光层。
在本发明中,所述固化胶优选包括热固化胶或光固化胶,其中热固化胶优选包括AB型热固化胶;所述光固化胶优选包括UV胶。
在本发明中,所述发光材料优选包括无机发光材料和/或有机发光材料,当发光材料包括二者时,本发明对无机发光材料和有机发光材料的用量没有特殊要求。
在本发明中,所述无机发光材料优选包括量子点发光材料、稀土发光材料和钙钛矿发光材料中的一种或几种。
在本发明中,所述量子点发光材料优选包括量子点微晶和/或量子点改性微晶,所述量子点微晶优选包括硒化镉(CdSe)量子点微晶、碲化镉(CdTe)量子点微晶和锰掺杂硒化锌(ZnSe:Mn)量子点微晶中的一种或几种,当所述量子点微晶为几种组分的混合物时,本发明对所述混合物中各组分的含量比没有特殊要求。在本发明中,所述量子点微晶的粒径优选为50~400nm,更优选为70~350nm。在本发明中,所述量子点改性微晶优选包括硒化镉量子点改性微晶、碲化镉量子点改性微晶、锰掺杂硒化锌量子点改性微晶;所述量子点改性微晶的粒径优选为250~700nm,更优选为300~600nm。
在本发明中,所述稀土发光材料优选包括稀土掺杂氧化物发光材料、稀土掺杂磷酸盐发光材料、稀土掺杂铝酸盐发光材料、稀土掺杂硅酸盐发光材料、稀土掺杂硫化物发光材料和稀土掺杂氮化物发光材料中的一种或几种,所述稀土发光材料的粒径优选为200~500nm,更优选为300~400nm。
在本发明中,所述稀土掺杂氧化物发光材料优选包括:Y2O3:Eu3+、Gd2O3:Eu3+和Bi2O3:3B2O3:Tb3+中的一种或几种;
所述稀土掺杂磷酸盐发光材料优选包括:LaPO4:Ce3+,Tb3+、SrP2O7:Eu2+和Sr10(PO4)8Cl2:Eu2+中的一种或几种;
所述稀土掺杂铝酸盐发光材料优选包括:SrAl2O4:Eu2+、Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+和CaAl2O4:Eu2+,Nd3+中的一种或几种;
所述稀土掺杂硅酸盐发光材料优选包括:Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、Sr3MgSi2O8:Eu2+,Dy3+和Ca3MgSi2O8:Eu2+,Dy3+中的一种或几种;
所述稀土掺杂硫化物发光材料优选包括:CaS:Ce3+、CaS:Pr3+、CaS:Nd3+、CaS:Sm3+、CaS:Tb3+和CaS:Dy3+中的一种或几种;
所述稀土掺杂氮化物发光材料优选包括:BaYSi4N7:Ce3+、BaYSi4N7:Eu2+、Y2Si3O3N4:Ce3+和Ca-α-SiAlON:Eu2+中的一种或几种。
在本发明中,所述钙钛矿发光材料优选包括卤化铅铯、卤化铅甲铵和无铅钙钛矿中的一种或几种;在本发明中,所有钙钛矿发光材料都以微晶量或者改性微晶的方式使用;所述钙钛矿发光材料的粒径优选为200~750nm,更优选为300~500nm。
在本发明中,所述卤化铅铯钙钛矿发光材料优选包括:氯化铅铯微晶、氯化铅铯改性微晶、溴化铅铯微晶、溴化铅铯改性微晶、碘化铅铯微晶和碘化铅铯改性微晶中的一种或几种;
所述卤化铅甲铵钙钛矿发光材料优选包括:氯化铅甲铵微晶、氯化铅甲铵改性微晶、溴化铅甲铵微晶、溴化铅甲铵改性微晶、碘化铅甲铵微晶、溴化铅甲铵改性微晶中的一种或几种;
所述无铅钙钛矿发光材料优选包括:碘化锡铯微晶、碘化锡铯改性微晶、溴化铋甲铵微晶和溴化铋甲铵改性微晶中的一种或几种。
在本发明中,所述有机发光材料优选包括高分子发光材料和/或有机小分子发光材料。
进一步的,所述高分子发光材料优选包括:聚对苯乙炔及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚二唑及其衍生物和聚芴及其衍生物中的一种或几种;所述高分子发光材料的粒径优选为50~500nm,更优选为100~400nm;
所述有机小分子发光材料优选包括:DCM及其衍生物、香豆素及其衍生物和DPA(二苯基蒽)及其衍生物中的一种或几种;所述有机小分子发光材料的粒径优选为200~500nm,更优选为240~480nm,再优选为300~400nm。
在本发明中,上述各类发光材料中,每类发光材料的组分可以单独使用,也可以混合使用;混合使用时,本发明对各组分的用量没有特殊要求。
在本发明中,所述发光材料的发光波段优选包括紫外(190~390nm)、可见光(390~800nm)和红外(800~3000nm)中的一种或几种;所述发光材料的发光波段为几种时,可以根据发光波段对发光层进行分层,每单元层分散一种或几种发光波段的发光材料,多个单元层叠加成发光层;也可以将不同发光波段的发光材料混合,此时发光层为单独一层。
本发明所述复合发光基片包括表面保护层6,所述表面保护层6的形成材料优选包括环氧树脂和/或硅胶,进一步优选为环氧树脂材质和/或硅胶树脂材质的透明板材。本发明对所述环氧树脂和/或硅胶的具体种类没有特殊要求,采用本领域技术人员熟知的即可。在本发明中,所述表面保护层6与主体层1的厚度比优选为(0.05~2.0):1,更优选为(0.3~1.2):1。在本发明中,所述表面保护层为多个板材叠加形成时,表面保护层的厚度指所有板材的厚度之和。在本发明中,所述表面保护层6的尺寸和形状优选与所述主体层1的尺寸和形状一致。
本发明所述复合发光基片的主体层1和发光层4之间优选还设置有第I隔离层3和/或扩散层2;所述主体层1和发光层4之间设置有第I隔离层3和扩散层2时,所述第I隔离层3优选与发光层4接触,所述扩散层2优选与主体层1接触。具体的:
当仅设置扩散层时,所述复合发光基片的结构组成优选为:主体层1、扩散层2、发光层4和表面保护层6(结构2,对应图2);
当仅设置第I隔离层时,所述复合发光基片的结构组成为:主体层1、第I隔离层3、发光层4和表面保护层6(结构3,对应图3);
当同时设置扩散层和第I隔离层时,所述复合发光基片的结构组成为:主体层1、扩散层2、第I隔离层3、发光层4和表面保护层6(结构4,对应图4)。
本发明优选在主体层和发光层之间设置扩散层,可分散和改变光源的传输方向,以满足实际需求。
本发明优选在主体层1和发光层4之间设置第I隔离层3,可进一步保护发光层中的发光材料,使其免受温度、水和氧气的影响,以得到性能稳定的发光器件。
在本发明中,所述扩散层与主体层的厚度比优选为(0.02~0.4):1,更优选为(0.05~0.25):1;本发明对所述扩散层的尺寸和形状无特殊要求,可以与主体层或发光层的尺寸一致,也可以小于主体层的横截面尺寸。
在本发明中,所述扩散层优选包括光学扩散板或高分子复合板。在本发明中,所述高分子复合板优选包括高分子材料和分散于所述高分子材料内的固体粉料,所述固体粉料为高分子复合板总质量的1~25%,更优选为2~10%。所述固体粉料包括:二氧化硅、二氧化钛、氧化铝、微晶粉中的一种或几种;所述微晶粉优选为空白量子点微晶或者空白量子点改性微晶,其制备方法与量子点微晶和量子点改性微晶相同,但是不含有量子点。
在本发明中,所述固体粉料优选还可根据具体需要加入硒化锌量子点微晶和/或硒化锌量子点改性微晶。
在本发发明中,所述固体粉料的粒径优选为100~700nm,更优选为250~600nm。本发明优选通过固体粉料的添加,以提高高分子复合板对入射光的扩散性能。
在本发明中,所述高分子复合板中的高分子材料优选与上述技术方案所述主体层所用高分子材料的选择范围一致,此处不再重复。在本发明中,所述扩散层优选通过粘附的方式固体在所述主体层的表面,具体在制备方法中进行说明。
在本发明中,所述第I隔离层与主体层的厚度比优选为(0.04~0.08):1,更优选为(0.05~0.07):1。在本发明中,所述第I隔离层的尺寸与主体层或发光层的尺寸一致。在本发明中,所述第I隔离层的形成材料优选包括固化胶,所述固化胶优选包括光固化胶和/或热固化胶,所述光固化胶和热固化胶的组成优选与上述技术方案所述发光层中固化胶组成的选择范围一致,此处不再重复。在本发明中,所述隔离层的形成材料中优选还分散有添加剂,所述添加剂优选为硒化锌量子点微晶和/或硒化锌量子点改性微晶。
在本发明中,所述第I隔离层3中添加剂的添加量优选为隔离层形成材料质量的0.5~8.0%,更优选为1.0~2.5%。本发明优选通过在固化胶中分散上述含量的添加剂,可以提高发光层的发光稳定性。
在本发明中,所述发光层4和表面保护层6之间优选设置有第II隔离层5;当设置第II隔离层5时,所述复合发光基片具有如下结构,
主体层1、发光层4、第II隔离层5和表面保护层6(结构5,对应图5);
主体层1、扩散层2、发光层4、第II隔离层5和表面保护层6(结构6,对应图6);
主体层1、第I隔离层3、发光层4、第II隔离层5和表面保护层6(结构7,对应图7);
主体层1、扩散层2、第I隔离层3、发光层4、第II隔离层5和表面保护层6(结构8,对应图8)。
在本发明中,所述第II隔离层5与第I隔离层3的组成、尺寸和厚度的选择范围一致,此处不再重复。本发明优选在发光层4和表面保护层6之间设置第II隔离层5,可为发光层中的发光材料提供更多的保护,提高发光层的发光稳定性。
在本发明中,具有结构8的复合发光基片中,除主体层和表面保护层的尺寸和形状一致外,其他各结构层的尺寸和形状可调节,各层尺寸大小变化示意图如图9~12所示。
本发明还提供了上述技术方案所述复合发光基片的制备方法,包括以下步骤:
以主体层或表面保护层为基底;
在所述主体层或表面保护层上依次设置各结构层,得到复合发光基片。
本发明以主体层或表面保护层为基底,为形成复合发光基片的结构层提供基础。本发明以主体层为基底,设置各结构层的方式优选包括:
对所述主体层的单面进行表面处理,然后将发光层的形成材料分散于主体层的处理面,形成发光层;对所述发光层的表面进行浸润,然后将表面保护层形成材料粘附于发光层的表面,固化后,得到复合发光基片(结构1,对应图1)。
在本发明中,所述表面处理的方式优选包括刨磨、电晕或润湿,所述刨磨或电晕采用本领域技术人员熟知的方式;所述润湿用润湿剂优选包括偶联剂或有机溶剂,所述偶联剂采用本领域技术人员熟知的偶联剂,具体的如:硅烷偶联剂KH550、硅烷偶联剂KH570或钛酸酯偶联剂TTS;所述有机溶剂优选包括丙酮、甲苯、二甲苯、氯仿、四氯化碳、己烷、乙酸乙酯和甲基叔丁基醚中的一种或几种;所述二甲苯优选包括邻二甲苯、间二甲苯和对二甲苯中的一种或几种。本发明优选对主体层进行表面处理,可提高主体层的粘附性,促进后续结构层的形成。
在本发明中,所述发光层形成材料的分散方式优选包括:
方式一:将发光材料分散于固化胶中,然后将所得复合胶涂覆在主体层的处理面,进行固化。本发明对所述复合胶的涂覆方式、发光材料在固化胶中的分散方式没有特殊要求,采用本领域技术人员熟知的方式即可。在本发明具体实施例中,所述分散的方式包括搅拌、捏合、炼压和过滤。
在本发明中,所述固化的方式由固化胶的类型决定;具体的,所述固化胶为热固化胶时,按照固化剂的成分确定固化温度和固化时间,以能使固化胶凝固为准;所述固化胶为光固化胶时,固化所用光的波长优选为365nm,功率密度优选为150W/cm2,时间优选为10~30s。
方式二:将固化胶涂覆到主体层的处理面上,然后将发光材料喷涂在固化胶上,进行固化。本发明对所述固化胶的涂覆方式、发光材料的喷涂方式没有特殊要求,采用本领域技术人员熟知的方式即可。
形成发光层后,本发明将表面保护层的形成材料粘附在发光层的表面,固化后得到复合发光基片。在本发明中,所述粘附用胶黏剂优选包括固化胶,所述固化胶的组分的选择范围、固化方式优选与发光层所用固化胶的选择范围及固化方式一致,此处不再重复。
当所述复合发光基片的主体层与发光层之间还设置扩散层和/或隔离层时,优选还包括:
在主体层的处理面上覆盖扩散层的形成材料,形成扩散层,得到具有主体层-扩散层-发光层-表面保护层结构的复合发光基片;
或者,
在主体层的处理面上涂覆第I隔离层的形成材料,固化后形成第I隔离层,得到具有主体层-隔离层-发光层-表面保护层的复合发光基片。在本发明中,所述固化方式优选与上述技术方案所述发光层的固化方式一致,此处不再重复;
或者,
在主体层的处理面上覆盖扩散层的形成材料,然后在扩散层的表面涂覆第I隔离层的形成材料,固化后形成扩散层和第I隔离层,得到具有主体层-扩散层-隔离层-发光层-表面保护层的复合发光基片。
当所述复合发光基片的发光层与表面保护层之间还设置有第II隔离层时,优选还包括:在固化后的发光层的表面涂覆第II隔离层的形成材料,固化后形成第II隔离层,并对应得到结构图5~8所示的复合发光基片。
本发明以表面保护层为基础时,各结构层的设置方式与上述技术方案所述设置方式相同,不再一一重复。
本发明另提供了上述技术方案所述的复合发光基片或上述技术方案所述制备方法制备得到的复合发光基片在制备照明器件或显示器中的应用。本发明对所述复合发光基片的具体应用方式没有特殊要求,采用本领域技术人员熟知的方式即可。
为了进一步说明本发明,下面结合附图和实施例对本发明提供的复合发光基片及其制备方法和应用进行详细地描述,但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
在厚度为1mm的PMMA板上,用滚筒刷均匀涂上一层由乙酸乙酯和丙酮按1:1的体积比混合而成的混合溶剂,备用;
取20g量子点改性微晶(波长为620~630nm的红色发光材料,CdSe材质),20g量子点改性微晶(波长为520~530nm的绿色发光材料,CdSe),紫外固化胶240g(UV胶),混合后搅拌,使各组分混合均匀,捏合后炼压,过滤得到发光层形成材料;
将发光层材料均匀涂覆在上述处理后的主体层的处理面上,涂布的范围从主体层的边缘回缩3.0mm,其厚度为25μm,然后固化。固化条件为:365nm波长,光功率密度为150W/cm2的紫外光照射15s;
在固化好的发光层上涂覆固化剂,然后将硅胶板覆盖在发光层的表面,硅胶板的尺寸与主体层的尺寸一致,厚度为1.5mm,固化后得到图1所示结构的复合发光基片。
实施例2
按照实施例1的方式制备复合发光基片,不同之处在于,涂覆发光层形成材料前,先在PMMA板上覆盖光扩散板,扩散板的尺寸与主体层的尺寸一致;然后在主体层上涂覆发光层形成材料,得到结构为:主体层-扩散层-发光层-表面保护层的复合发光基片(图2);各层厚度及组成参数如表1所示。
实施例3
按照实施例1的方式制备复合发光基片,不同之处在于:
取100g的量子点微晶(硒化锌)和720g固化胶混合,经搅拌、捏合、炼压和过滤后,得到隔离层形成材料;
将隔离层形成材料涂覆在PMMA板,涂覆的范围与主体层的尺寸一致,得到结构为:主体层-第I隔离层-发光层-表面保护层的复合发光基片(图3),各层厚度及组成参数如表1所示。
实施例4
按照实施例1~3的方式依次设置主体层、扩散层、第I隔离层、发光层和表面保护层,得到结构为:主体层-扩散层-第I隔离层-发光层-表面保护层的复合发光基(图4),各层厚度及组成参数如表1所示。
实施例5
在PMMA板(同实施例1)上,用滚筒刷均匀涂上一层由乙酸乙酯和丙酮按1:1的体积比混合而成的混合溶剂,然后再粘合上一块相同尺寸的扩散板;扩散板的形状、尺寸与该PMMA板相同;
取硒化锌量子点改性微晶100g,紫外固化胶720g,依次经过搅拌、分散、捏合、炼压和过滤得到硒化锌量子点改性微晶胶(即第I隔离层的形成材料);将硒化锌量子点改性微晶胶涂布在扩散板上,涂布的范围与扩散板尺寸相同,厚度为50μm,然后固化,形成第I隔离层。固化条件为:波长为365nm,光功率密度为150W/cm2的紫外光照射15s;
取波长为620~630nm的红色发光水相量子点改性微晶20g,波长为520~530nm的绿色发光水相量子点改性微晶20g,紫外固化胶240g,依次经过搅拌、分散、捏合、炼压和过滤得到混合量子点改性微晶胶(发光层的形成材料);将得到的混合量子点改性微晶胶均匀涂布在已经固化好的硒化锌量子点改性微晶胶层上,涂布的范围相当于从已经固化好的紫外固化胶的边缘回缩3.0mm,其厚度为25μm,然后固化,形成发光层。固化条件为:波长为365nm,光功率密度为150W/cm2的紫外光照射15s。
在发光层上再均匀涂布一层硒化锌量子点改性微晶胶,涂布范围与PMMA板的尺寸相同,厚度为75μm,然后固化,形成第II隔离层。固化条件为:波长为365nm,光功率密度为150W/cm2的紫外光照射15s。
在第II隔离层上,粘合一层厚度为1.5mm的硅胶板,硅胶板的尺寸与PMMA板、扩散板等相同,得到具有如图8所示结构的复合发光基片。
实施例6
按照实施例5的方式制备复合发光基片,不同之处在于发光层的设置方式不同,具体为:
取波长为620~630nm的红色发光水相量子点改性微晶(碲化镉量子点改性微晶)20g,紫外固化胶120g,依次经过搅拌、分散、捏合、炼压和过滤得到红色发光量子点改性微晶胶;
取波长为520~530nm的绿色发光水相量子点改性微晶20g(碲化镉量子点改性微晶),紫外固化胶120g,依次经过搅拌、分散、捏合、炼压和过滤得到绿色发光量子点改性微晶胶;
将得到的红色发光量子点改性微晶胶均匀涂布在已经固化好的紫外固化胶上,涂布的范围相当于从已经固化好的紫外固化胶的边缘回缩3.0mm,其厚度为10μm,然后固化,形成图9中的红色发光层4a;
将得到的绿色发光量子点改性微晶胶均匀涂布在已经固化好的分散有红色发光量子点改性微晶紫外固化胶层上,涂布的范围与分散有红色发光量子点改性微晶紫外固化胶层相同,其厚度为15μm,然后固化,形成图9中的绿色发光层4b;所得复合发光基片的结构具体如图9所示。
实施例7
以表面保护层为基底,制备复合发光基片,具体步骤为:在胶板(尺寸同实施例1)上,均匀涂布一层紫外固化胶,涂布范围与硅胶板尺寸相同,厚度为75μm,然后固化,形成第II隔离层5。固化条件为:波长为365nm,光功率密度为150W/cm2的紫外光照射15s。
取波长为620~630nm的红色发光水相量子点改性微晶20g,波长为520~530nm的绿色发光水相量子点改性微晶20g,紫外固化胶240g,依次经过搅拌、分散、捏合、炼压和过滤得到混合量子点改性微晶胶;将得到的混合量子点改性微晶胶均匀涂布在已经固化好的紫外固化胶上,涂布的范围相当于从已经固化好的紫外固化胶的边缘回缩3.0mm,其厚度为25μm,然后固化,形成发光层4。固化条件为:波长为365nm,光功率密度为150W/cm2的紫外光照射15s。
在固化好的含有量子点改性微晶的紫外固化胶层上再均匀涂布一层紫外固化胶,涂布范围与硅胶板的胶尺寸相同,比分散有量子点改性微晶紫外固化胶层稍大,厚度为50μm,然后固化,形成第I隔离层3。固化条件为:波长为365nm,光功率密度为150W/cm2的紫外光照射15s。
在固化好的紫外固化胶层上,粘合一层扩散板,形成扩散层2,该扩散板的尺寸与硅胶板等相同,比分散有量子点改性微晶紫外固化胶层稍大。
在扩散板上,用滚筒刷均匀涂上一层由乙酸乙酯、甲醇和丙酮按1:1:2的体积比混合而成的混合溶剂,然后再粘合一层PMMA板,形成主体层1,该PMMA板的厚度为1mm,尺寸与硅胶层等相同,比分散有量子点改性微晶紫外固化胶层稍大,得到具有图10所示结构的复合发光基片。
实施例8
按照实施例5所示的方法制备复合发光基片,不同之处在于第I隔离层的尺寸不同,第I隔离层尺寸与发光层的尺寸一致,所得复合发光基片的结构如图11所示。
实施例9
按照实施例7的方式制备复合发光基片,不同之处在于,设置在主体层1和发光层4之间的扩散层2的尺寸不同,本实施例中扩散层尺寸与发光层尺寸一致,所得复合发光基片的结构如图12所示。
需要说明的是,在以上实施例中,当中间结构层的尺寸改变时,需要用固体胶对尺寸较小结构层的边缘进行包覆,以使整个复合发光基片的周向厚度一致。
表1实施例1~9所得复合发光基片各层组成及厚度
续表1:
性能表征与结果
将实施例1~9所得复合发光基片与作为光源的LED芯片组安装在一起,在显示仪器(比如电视机)的正常工作条件下点亮复合发光基片,在不同时间测得复合发光基片的发光性能,测试结果如图13~21所示。
由图13~21可知,本发明提供的复合发光基片连续工作2000小时,发光性能几乎保持不变,说明本发明提供的复合发光基片的发光性能稳定。
由上述实施例可知,本发明提供的复合发光基片具有稳定的发光性能,制备方法简单,成本低,适合工业化生产。
尽管上述实施例对本发明做出了详尽的描述,但它仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例,人们还可以根据本实施例在不经创造性前提下获得其他实施例,这些实施例都属于本发明保护范围。
Claims (10)
1.一种复合发光基片,包括依次层叠的主体层、发光层和表面保护层;所述发光层的尺寸小于主体层和表面保护层的尺寸,发光层的边缘不与外界接触。
2.如权利要求1所述的复合发光基片,其特征在于,所述发光层的边缘与主体层的边缘相距0.2~10mm。
3.如权利要求1所述的复合发光基片,其特征在于,所述主体层和发光层之间设置有第I隔离层和/或扩散层。
4.如权利要求3所述的复合发光基片,其特征在于,所述主体层和发光层之间设置有第I隔离层和扩散层时,所述第I隔离层与发光层接触,所述扩散层与主体层接触。
5.如权利要求1、3或4所述的复合发光基片,其特征在于,所述发光层和表面保护层之间设置有第II隔离层。
6.如权利要求5所述的复合发光基片,其特征在于,所述主体层的厚度为0.8~1.5mm;
所述发光层与主体层的厚度比为(0.02~0.03):1;
所述表面保护层与主体层的厚度比为(0.05~2.0):1;
所述第I隔离层与主体层的厚度比为(0.04~0.08):1,所述第II隔离层与主体层的厚度比为(0.04~0.08):1;
所述扩散层与主体层的厚度比为(0.02~0.4):1。
7.如权利要求6所述的复合发光基片,其特征在于,所述发光层中含有发光材料,所述发光材料包括无机发光材料和/或有机发光材料。
8.如权利要求6或7所述的复合发光基片,其特征在于,所述主体层的材质包括聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或几种;
所述隔离层的材质包括固化胶;
所述表面保护层的材质包括环氧树脂和/或硅胶;
所述扩散层包括光学扩散板或高分子复合板。
9.权利要求1~8任一项所述的复合发光基片的制备方法,包括以下步骤:
以主体层或表面保护层为基底;
在所述主体层或表面保护层上依次设置各结构层,得到复合发光基片。
10.权利要求1~8任一项所述的复合发光基片或权利要求9所述的制备方法制备得到的复合发光基片在制备照明器件或显示器件中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
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CN (1) | CN110311055A (zh) |
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