WO2010137222A1 - 並列補間型a/d変換器及びディジタル等化装置 - Google Patents

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WO2010137222A1
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converter
differential amplifier
vrm
parallel interpolation
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開原理恵
重森雅和
小倉洋一
中順一
松下剛
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パナソニック株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/20Increasing resolution using an n bit system to obtain n + m bits
    • H03M1/202Increasing resolution using an n bit system to obtain n + m bits by interpolation
    • H03M1/203Increasing resolution using an n bit system to obtain n + m bits by interpolation using an analogue interpolation circuit
    • H03M1/204Increasing resolution using an n bit system to obtain n + m bits by interpolation using an analogue interpolation circuit in which one or more virtual intermediate reference signals are generated between adjacent original reference signals, e.g. by connecting pre-amplifier outputs to multiple comparators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
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    • H03M1/12Analogue/digital converters
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    • H03M1/36Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type
    • H03M1/361Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type having a separate comparator and reference value for each quantisation level, i.e. full flash converter type
    • H03M1/362Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type having a separate comparator and reference value for each quantisation level, i.e. full flash converter type the reference values being generated by a resistive voltage divider
    • H03M1/365Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type having a separate comparator and reference value for each quantisation level, i.e. full flash converter type the reference values being generated by a resistive voltage divider the voltage divider being a single resistor string

Definitions

  • the present invention relates to a parallel interpolation A / D (analog-to-digital) converter and a digital equalizer.
  • a / D converters such as a successive approximation type, a pipeline type, and a ⁇ type.
  • a / D converter that converts an RF (radio frequency) signal in the information communication field into a digital signal at high speed A parallel interpolation A / D converter that is advantageous for high-speed operation is known (see Patent Document 1).
  • the parallel interpolating A / D converter described in Patent Document 1 has the advantage of being able to perform high-speed A / D conversion as compared with successive approximation type, pipeline type A / D converters, etc. As the number is increased, the number of differential amplifier circuits and comparison circuits is increased, resulting in an increase in circuit area and power consumption.
  • the present invention solves the above-described conventional problems.
  • a parallel interpolation A / D converter an A / D converter that suppresses an increase in circuit area and power consumption due to an increase in resolution
  • the A / D converter according to the first aspect of the invention generates m + 1 (m is a positive integer) reference voltages VR1 to VRm + 1 (where VR1 ⁇ VR2... ⁇ VRm ⁇ VRm + 1), each of which is different from each other.
  • a differential amplifier array having a voltage generating circuit and m + 1 differential amplifiers A1 to Am + 1 that amplify a voltage difference between each of the plurality of reference voltages VR1 to VRm + 1 and an input signal voltage, and each generate an output voltage set
  • Each of the output voltage sets of the differential amplifiers A1 to Am + 1 includes a differential amplifier string including complementary non-inverted output voltage and inverted output voltage, and outputs generated from the differential amplifiers, respectively.
  • a plurality of comparison circuits for receiving a voltage set wherein each comparison circuit receives the reference voltage VRk (k is an integer of 2 ⁇ k ⁇ m + 1) among the plurality of output voltage sets.
  • a first output voltage set including a first non-inverted output voltage and a first inverted output voltage, and a differential to which the reference voltage VRk ⁇ 1 is input
  • a / D converter that outputs a digital signal based on a comparison result obtained by comparing a difference between two output voltage sets, and that the number of the comparison circuits differs depending on the k value of the reference voltage VRk.
  • the A / D converter according to the second aspect of the invention generates m + 1 (m is a positive integer) reference voltages VR1 to VRm + 1 (where VR1 ⁇ VR2... ⁇ VRm ⁇ VRm + 1), each of which is different from each other.
  • a differential amplifier array having a voltage generating circuit and m + 1 differential amplifiers A1 to Am + 1 that amplify a voltage difference between each of the plurality of reference voltages VR1 to VRm + 1 and an input signal voltage, and each generate an output voltage set
  • Each of the output voltage sets of the differential amplifiers A1 to Am + 1 includes a differential amplifier string including complementary non-inverted output voltage and inverted output voltage, and outputs generated from the differential amplifiers, respectively.
  • a plurality of comparison circuits for receiving a voltage set wherein each comparison circuit receives the reference voltage VRk (k is an integer of 2 ⁇ k ⁇ m + 1) among the plurality of output voltage sets.
  • a first output voltage set including a first non-inverted output voltage and a first inverted output voltage, and a differential to which the reference voltage VRk ⁇ 1 is input
  • a parallel interpolation A / D converter that outputs a digital signal based on a comparison result obtained by comparing a difference between two output voltage sets, wherein a gain of the differential amplifier differs depending on each differential amplifier.
  • the A / D converter according to a third aspect of the invention is characterized in that, in contrast to the second aspect, the comparison circuit corrects the gain of the differential amplifier.
  • the comparison circuit corrects the gain of the differential amplifier.
  • the A / D converter according to the fourth aspect of the invention is characterized in that the A / D converter of the fourth aspect further comprises a control unit for controlling the gain of the differential amplifier.
  • the A / D converter according to a fifth aspect of the present invention further includes a monitoring unit that monitors system performance, and controls the gain of the differential amplifier based on information from the monitoring unit.
  • the gain can be varied according to the use situation of the system, so that an A / D converter that reduces power consumption by operating under optimum conditions can be obtained.
  • the A / D converter according to a sixth aspect of the invention is characterized in that the gain of the differential amplifier is determined by the size of a transistor mounted on the differential amplifier, as compared with the second aspect of the invention. As a result, an adjustment circuit for adjusting the gain becomes unnecessary, and circuit reduction can be expected.
  • a digital equalization apparatus for converting an analog signal into a digital signal, and a digital signal output from the parallel interpolation A / D converter.
  • a digital equalizer for waveform equalization for waveform equalization.
  • a digital equalizer for converting an analog signal into a digital signal, a parallel interpolation A / D converter according to the second invention, and a digital signal output from the parallel interpolation A / D converter.
  • a digital equalizer for waveform equalization for waveform equalization.
  • the A / D converter according to the present invention enhances circuit variation tolerance so that analog signal components including more important information can be accurately converted, and less important information components reduce circuit variation tolerance.
  • the circuit area and power consumption can be reduced while the uniformity of resolution is maintained.
  • Embodiment 1 of this invention It is a block diagram of the parallel interpolation type A / D converter in Embodiment 1 of this invention. It is the figure which showed an example of the reduction effect of the area and power consumption in Embodiment 1 of this invention. It is a block diagram of the parallel interpolation type A / D converter in Embodiment 2 of this invention. It is the figure which showed an example of the differential amplifier used for a parallel interpolation type A / D converter. It is the figure which showed an example of the comparison circuit used for a parallel interpolation type A / D converter. It is the figure which showed the locus
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an A / D converter 100 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the A / D converter 100 includes a reference voltage generation circuit 111, a differential amplifier row 112, and an operation circuit 113.
  • the A / D converter 100 may further include an encoding circuit 105.
  • the reference voltage generation circuit 111 generates a plurality of reference voltages VR1 to VRm + 1 (m is a positive integer). In FIG. 1, only the upper part of the input dynamic range of the A / D converter 100 is shown.
  • the differential amplifier array 112 includes m + 1 differential amplifiers A1 to Am + 1, and amplifies a voltage difference between each of the plurality of reference voltages VR1 to VRm + 1 and the input analog signal voltage Ain input from the analog signal voltage input terminal 104.
  • a plurality of output voltage sets are a complementary non-inverted output voltage and an inverted output voltage.
  • the operation circuit 113 receives a plurality of output voltage sets and operates according to, for example, a clock signal CLK.
  • CLK may be a signal for controlling operation at a predetermined timing in addition to the clock signal.
  • the operation circuit 113 includes n + 1 (n is a positive integer) comparison circuits Cr1 to Crn + 1, and each comparison circuit Cr1 to Crn + 1 has four inputs.
  • the non-inverted output voltage and the inverted output voltage included in the output voltage set from the differential amplifiers A1 to Am + 1 are directly input to the comparison circuits Cr1 to Crn + 1.
  • Each comparison circuit Cr1 to Crn + 1 has an input transistor section and a positive feedback section. Note that although a description is given here assuming a comparison circuit including transistors, the comparison circuit may be configured using a resistor or a capacitor.
  • the positive feedback unit operates in accordance with the clock signal CLK.
  • Encoding circuit 105 encodes the comparison result (digital signal) and generates a digital data signal.
  • the reference voltage generation circuit 111 includes m resistors R1 to Rm connected in series, and a high potential side reference voltage 111a and a low potential side reference voltage 111b are applied to both ends thereof. As a result, the voltage between the high potential side reference voltage 111a and the low potential side reference voltage 111b is divided, and reference voltages VR1 to VRm + 1 are generated.
  • Each of the differential amplifiers A1 to Am + 1 of the differential amplifier array 112 has two input terminals. One input terminal receives the input analog signal voltage Ain, and the other input terminal receives reference voltages VR1 to VR1. VRm + 1 is input, and as a result, a plurality of output voltage sets (for example, a first output voltage set, a second output voltage set, etc.) are output.
  • each of the plurality of output voltage sets includes complementary non-inverted output voltages V1 to Vm + 1 and inverted output voltages VB1 to VBm + 1.
  • the input transistor unit determines a threshold voltage Vtn by performing a predetermined weighting operation, and calculates the first non-inverted output voltage and the first inverted output voltage.
  • a comparison result obtained by comparing the difference and the difference between the second non-inverted output voltage and the second inverted output voltage is output to the positive feedback unit.
  • the first non-inverted output voltage and the first inverted output voltage are included in the first output voltage set, and the second non-inverted output voltage and the second inverted output voltage are included in the second output voltage set. included.
  • the positive feedback unit amplifies the comparison result output from the input transistor unit when the clock signal CLK is at a predetermined level, holds the amplified comparison result, and uses the amplified comparison result as a digital signal.
  • the data is output to the encoding circuit 105.
  • This digital signal is, for example, an H level or L level digital signal according to the comparison result.
  • the present invention is not limited to this, and is characterized in that the number of comparison circuits varies depending on a possible k value.
  • the number of comparison circuits may be 2t (t is an integer) for each k value.
  • Fig. 2 shows an example of a 7-bit A / D converter, where the number of comparison circuits is uniformly 4 (2-bit interpolation) for all possible k values (pattern A).
  • the number of comparison circuits is 4 (2-bit interpolation) and the remaining range is 16 (4-bit interpolation) (pattern B)
  • the number of differential amplifier circuits, the number of comparison circuits, the circuit area, and the consumption Compare power.
  • the values of the circuit area and the power consumption are values when the pattern A is 1.
  • the calculation was performed assuming that the differential amplifier circuit is 20 times the area of the comparison circuit and the power consumption is 10 times.
  • the area and power consumption vary depending on the circuit configuration and the manufacturing process.
  • pattern B has a circuit area reduced by 40% and power consumption by 30% compared to pattern A. It should be noted that the reduction effect is even higher if the configuration uses a large number of comparison circuits.
  • the pattern A is configured by 2-bit interpolation.
  • the number of comparison circuits that is, interpolation
  • interpolation is reduced in order to reduce the influence of variations and convert the signals to digital signals with high accuracy. It may be required to reduce the number of bits).
  • Pattern C is a case where the number of comparison circuits is uniformly one.
  • Pattern D has two comparison circuits (1-bit interpolation) at ⁇ 25% from the center, and 16 comparison circuits (4-bit) in the remaining range. Interpolation).
  • pattern D Compared to pattern A, simply changing the number of interpolation bits from 2 to 1 doubles the area and power consumption 1.7 times, but pattern D has almost the same circuit area and power consumption as pattern A. It is.
  • variation tolerance can be increased by adding a correction unit of the comparison circuit.
  • the area occupied by the correction unit and the variation tolerance of the A / D converter is very small. It can be realized without increasing.
  • the circuit variation tolerance is improved so that an analog signal component including more important information can be accurately converted, For less important information components, the circuit variation tolerance is reduced, so that the circuit area and power consumption can be reduced while maintaining the uniformity of resolution.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an A / D converter 300 according to the second embodiment of the present invention.
  • the A / D converter 300 includes a reference voltage generation circuit 301, a differential amplifier row 302, and an operation circuit 303.
  • the A / D converter 300 may further include an encoding circuit 305.
  • the reference voltage generation circuit 301 generates a plurality of reference voltages VR1 to VRm + 1 (m is a positive integer).
  • the differential amplifier row 302 includes m + 1 differential amplifiers A1 to Am + 1, and amplifies a voltage difference between each of the plurality of reference voltages VR1 to VRm + 1 and the input analog signal voltage Ain input from the analog signal voltage input terminal 304.
  • a plurality of output voltage sets are examples of output voltage sets.
  • each of the plurality of output voltage sets includes a complementary non-inverted output voltage and an inverted output voltage.
  • the operation circuit 303 receives a plurality of output voltage sets and operates in accordance with, for example, a clock signal CLK.
  • CLK may be a signal for controlling operation at a predetermined timing in addition to the clock signal.
  • the operation circuit 303 includes n + 1 (n is a positive integer) comparison circuits Cr1 to Crn + 1, and each comparison circuit Cr1 to Crn + 1 has four inputs. The non-inverted output voltage and the inverted output voltage included in the output voltage set from the differential amplifiers A1 to Am + 1 are directly input to the comparison circuits Cr1 to Crn + 1.
  • Each comparison circuit Cr1 to Crn + 1 has an input transistor section and a positive feedback section. Note that although a description is given here assuming a comparison circuit including transistors, the comparison circuit may be configured using a resistor or a capacitor.
  • the positive feedback unit operates in accordance with the clock signal CLK.
  • Encoding circuit 305 encodes the comparison result (digital signal) and generates a digital data signal.
  • the reference voltage generation circuit 301 includes m resistors R1 to Rm connected in series, and a high potential side reference voltage 301a and a low potential side reference voltage 301b are applied to both ends thereof. As a result, the voltage between the high potential side reference voltage 301a and the low potential side reference voltage 301b is divided, and reference voltages VR1 to VRm + 1 are generated.
  • Each of the differential amplifiers A1 to Am + 1 of the differential amplifier row 302 has two input terminals. One input terminal receives the input analog signal voltage Ain, and the other input terminal receives the reference voltages VR1 to VR1. VRm + 1 is input, and as a result, a plurality of output voltage sets (for example, a first output voltage set, a second output voltage set, etc.) are output.
  • each of the plurality of output voltage sets includes complementary non-inverted output voltages V1 to Vm + 1 and inverted output voltages VB1 to VBm + 1.
  • the input transistor unit determines a threshold voltage Vtn by performing a predetermined weighting operation, and calculates the first non-inverted output voltage and the first inverted output voltage.
  • a comparison result obtained by comparing the difference and the difference between the second non-inverted output voltage and the second inverted output voltage is output to the positive feedback unit.
  • the first non-inverted output voltage and the first inverted output voltage are included in the first output voltage set, and the second non-inverted output voltage and the second inverted output voltage are included in the second output voltage set. included.
  • the positive feedback unit amplifies the comparison result output from the input transistor unit when the clock signal CLK is at a predetermined level, holds the amplified comparison result, and uses the amplified comparison result as a digital signal. Output to the encoding circuit 305.
  • This digital signal is, for example, an H level or L level digital signal according to the comparison result.
  • the first embodiment is characterized in that the number of comparison circuits differs depending on the k value that can be obtained.
  • the number of comparison circuits is a fixed number regardless of the k value that can be obtained. It does not matter as long as it is 2 t (t is an integer).
  • FIG. 4 shows a circuit example of a differential amplifier used in the A / D converter 300 of FIG.
  • the circuit of FIG. 4 is biased by a constant current source Iss.
  • An analog differential input signal positive electrode Vinp and an analog differential input signal negative electrode Vinm are connected to gate terminals of the NMOS transistor M1 and the NMOS transistor M2, which are input transistors, respectively.
  • the gate terminals of the PMOS transistors M3 and M4 are connected to the bias voltage Vb.
  • the drain terminals of the NMOS transistor M1 and the PMOS transistor M3 are connected to the analog differential output signal negative electrode Voutm.
  • the drain terminals of the NMOS transistor M2 and the PMOS transistor M4 are connected to the analog differential output signal positive electrode Voutp.
  • the analog differential input signal ⁇ Vin (Vinp ⁇ Vinm) is generated by the drain-source current Ids1 flowing in the NMOS transistor M1 and the drain-source current Ids2 flowing in the NMOS transistor M2 by the voltage / current conversion action of the NMOS transistor M1 and NMOS transistor M2.
  • the difference current ⁇ Ids (Ids1 ⁇ Ids2).
  • ⁇ Ids1 gm1 ( ⁇ Vin / 2)
  • gm1 the transconductance of the NMOS transistor M1
  • gm2 the transconductance of the NMOS transistor M2.
  • ⁇ Ids2 gm2 ( ⁇ Vin / 2).
  • the voltage gain G of the operational amplifier is proportional to the transconductance gm of the NMOS transistor M1 and the NMOS transistor M2 that are input transistors.
  • the transconductance gm is substantially proportional to the drain / source current Ids flowing through the transistor. Therefore, in order to increase the voltage gain G, it is necessary to increase the drain-source current Ids.
  • a method of increasing the drain-source current Ids there are a method of changing the size of the transistor generating the constant current source Iss of the differential amplifier, and a method of changing the bias voltage of the transistor.
  • the gain of the differential amplifier circuit is increased by increasing the gain in the input voltage range for converting the analog signal component containing more important information, and the gain is decreased in the less important part, thereby A / D conversion. Total power consumption can be reduced.
  • the gain of the differential amplifier is set according to the k value that can be taken, thereby improving the tolerance of circuit variation so that an analog signal component including more important information can be accurately converted.
  • the circuit area and power consumption can be reduced while maintaining uniform resolution.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of a comparison circuit used in the A / D converter 300 of FIG.
  • the comparison circuit shown in FIG. 5 includes an input transistor unit including NMOS transistors m11, m12, m13, and m14, and a positive feedback unit (cross-coupled inverter latch unit) including NMOS transistors m3 and m4 and PMOS transistors m7 and m8.
  • the output terminals Q and QB are connected to the gate of the positive feedback section.
  • An NMOS switch transistor m5 is connected between the drain of the NMOS transistor m3 and the drain of the PMOS transistor m7, and an NMOS switch transistor m6 is connected between the drain of the MMOS transistor m4 and the drain of the PMOS transistor m8.
  • the place where the NMOS switch transistors m5 and m6 are installed is not limited to the above.
  • a PMOS switch transistor m9 is provided between the drain of the PMOS transistor m7 and the power supply VDD
  • a PMOS switch transistor m10 is provided between the drain of the PMOS transistor m8 and the power supply VDD.
  • the clock signal CLK is connected to the gates of the NMOS switch transistors m5 and m6 and the PMOS switch transistors m9 and m10.
  • An NMOS transistor m11 and an NMOS transistor m12 are provided between the source of the NMOS transistor m3 and VSS.
  • An input terminal Vo1 is connected to the gate of the NMOS transistor m11, and an input terminal Vo2 is connected to the gate of the NMOS transistor m12.
  • An NMOS transistor m13 and an NMOS transistor m14 are provided between the source of the NMOS transistor m4 and VSS.
  • An input terminal Vob1 is connected to the gate of the NMOS transistor m13, and an input terminal Vob2 is connected to the gate of the NMOS transistor m14.
  • the input transistor unit determines a threshold voltage Vtn by performing a predetermined weighting operation, and calculates a difference between the first non-inverted output voltage and the first non-inverted output voltage, a second non-inverted output voltage, A comparison result obtained by comparing the difference with the second inverted output voltage is output to the positive feedback unit.
  • the predetermined weighting calculation is realized, for example, by setting a ratio of transistor sizes in the input transistor section to a constant value.
  • the threshold voltage Vtn can be obtained by setting the size of the transistor m11 and the size of the transistor m12 to 1: 3 and the size of the transistor m13 and the size of the transistor m14 to 1: 3.
  • any method can be used as a method for realizing the predetermined weighting calculation described above. For example, by setting the ratio of the gate lengths of the transistors in the input transistor section to a constant value, the predetermined weighting calculation described above may be realized, or the ratio of the gate widths of the transistors in the input transistor section may be constant. The predetermined weighting calculation described above may be realized by setting to this value.
  • the positive feedback unit amplifies the comparison result output from the input transistor unit when the clock signal CLK is at a predetermined level, holds the amplified comparison result, and uses the amplified comparison result as a digital signal. Output.
  • the gate width of the NMOS transistors m11 and m13 is W1
  • the gate width of the NMOS transistors m12 and m14 is W2
  • the gate length of the NMOS transistors m11, m12, m13, and m14 is L
  • the threshold voltage is VT
  • the carrier is moved.
  • VGS1 Vo1
  • NMOS transistors m11, m12, m13 , M14 drain conductances G11, G12, G13, G14, respectively
  • G11 ⁇ n ⁇ Cox (W1 / L) (Vo1-VT-VDS1) (1.1)
  • G12 ⁇ n ⁇ Cox (W2 / L) (Vo2-VT-VDS1)
  • G13 ⁇ n ⁇ Cox (W1 / L) (Vob1-VT-VDS2)
  • G14 ⁇ n ⁇ Cox (W2 / L) (Vob2-VT-VDS2) (1.4)
  • VDS1 and VDS2 are drain-source voltages, respectively.
  • VDS1 VDS2
  • VDS2 VDS2
  • FIG. 6 is a diagram showing the trajectories and threshold values of the input signals Vo1, Vob1, Vo2, and Vob2 of the comparison circuit.
  • a broken line A in FIG. 6 represents a locus on the left side of the equation (1.6), and the input signals Vo1 and Vo2 are divided into N: MN.
  • a broken line B represents the locus on the right side of the equation (1.6), and the input signals Vob1 and Vob2 are divided into N: MN.
  • An intersection Vtn between the broken line A and the broken line B indicates the threshold value of the comparison circuit. At this time, the intersection point Vtn divides the intersection point Vt1 of the input signals Vo1 and Vob1 and the intersection point Vt2 of the input signals Vo2 and Vob2 into N: MN.
  • the size ratio (W1: W2) of the gate width between the NMOS transistors (m11, m13) and the NMOS transistors (m12, m14) is 1: 3.
  • the threshold value is divided 1: 3 between the intersection point Vt1 and the intersection point Vt2.
  • the gate width size ratio (W1: W2) of the NMOS transistors (m11, m13) and the NMOS transistors (m12, m14) is 2: 2
  • the threshold value of the comparison circuit is the intersection.
  • the space between Vt1 and intersection Vt2 is divided by 2: 2.
  • the gate width size ratio (W1: W2) of the NMOS transistors (m11, m13) and the NMOS transistors (m12, m14) is 3: 1, and the threshold value of the comparison circuit is the intersection point.
  • the space between Vt1 and the intersection Vt2 is divided into 3: 1.
  • FIG. 7 shows the locus and threshold value of the input signal when the gains of two adjacent differential amplifiers are different.
  • the left and right are asymmetric, but even in such a case, different gains can be obtained by determining the transistor size ratio so that the thresholds are equally distributed.
  • a comparison circuit to be corrected can also be mounted.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an A / D converter according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the A / D converter main body 800 in FIG. 8 is the A / D converter described in the second embodiment of the present invention.
  • a control unit 801 that controls the gain of the differential amplifier mounted on the A / D converter main body 800, the quality of the circuit after manufacture is inspected, and the current that flows through the differential amplifier circuit You can adjust the amount and set the optimal gain for each product.
  • a monitoring unit 901 that monitors system performance may be further provided. For example, when the jitter output from the monitoring unit 901 becomes higher than a threshold value, a signal for increasing the gain of the differential amplifier is output from the control unit 801 in order to improve system performance.
  • the gain is optimized.
  • the power consumption can be reduced by optimizing the performance of the D converter.
  • the gain of the differential amplifier can be changed depending on the size of the transistor. In this method, the gain is fixed.
  • FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a digital equalization apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the digital equalizer includes an analog LPF (low pass filter) 1001, an A / D converter 1002, a digital equalizer 1003, and a binarization unit 1004 in FIG. .
  • the A / D converter 1002 mounts the configuration of FIG. 1 characterized by a configuration in which the central portion of an analog signal including necessary information is converted with higher accuracy, and the information portion that is not necessary is reduced in accuracy to some extent.
  • a digital equalizer with reduced analog circuit area and power consumption can be provided.
  • the present invention provides an A / D converter capable of converting a signal component including more important information more accurately without increasing the circuit area and power consumption in an A / D converter that converts an analog signal into a digital signal. And is suitable for an A / D converter that converts an RF signal of an information communication device such as a hard disk device, an optical disk device, or a communication device.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

 m+1個(mは正の整数)の参照電圧[VR1~VRm+1(ただし、VR1<VR2・・・<VRm<VRm+1)]を生成する参照電圧生成回路(111)と、参照電圧[VR1~VRm+1]の各々と入力信号電圧との電圧差を増幅するm+1個の差動増幅器[A1~Am+1]を有する差動増幅器列(112)と、各差動増幅器からそれぞれ生成される出力電圧セットを受け取る複数個の比較回路を含む動作回路(113)とを設ける。ここで、より重要な情報を含むアナログ信号成分を精度良く変換できるよう特定の範囲では回路ばらつき耐性を高め、重要でない情報成分を変換する範囲は回路ばらつき耐性を低くするように、参照電圧をVRk(kは2≦k≦m+1の整数)とするとき、参照電圧VRkのk値に応じて比較回路の個数を異ならせる。

Description

並列補間型A/D変換器及びディジタル等化装置
 本発明は、並列補間型A/D(analog-to-digital)変換器及びディジタル等化装置に関するものである。
 近年、ハードディスク装置、光ディスク装置、通信装置等の情報通信機器の高速化、高密度化が進んでいる。また、信号処理装置をSOC(silicon on chip)化する場合、ディジタル回路と比較してアナログ回路は非常に大きな面積を占有し、消費電力が大きいことが重要課題であり、アナログ信号処理のディジタル信号処理化を推進し、アナログ回路を削減することが求められている。
 ディジタル信号処理化を行う場合、アナログ信号を精度良くディジタル信号に変換するA/D変換器を小面積、低消費電力で設計することが要求される。
 A/D変換器には、逐次比較型やパイプライン型、ΔΣ型等の種類があるが、情報通信分野のRF(radio frequency)信号を高速にディジタル信号に変換するA/D変換器として、高速動作に有利な構成である並列補間型A/D変換器が知られている(特許文献1参照)。
 一方、信号処理のディジタル化が進む中、A/D変換器に対して分解能を高くするという要望が強く、分解能を高める方法として変換ビット数を上げる方法があるが、ビット数に比例して回路面積や消費電力が増大する課題がある。そこで、アナログ・ディジタル混載システム全体で上記課題を補ったディジタル等化装置も知られている(特許文献2参照)。
 また、アナログ入力信号における重要な範囲を高分解能でディジタル変換し、少ない情報を運ぶ範囲を低分解能でディジタル変換するA/D変換器も知られている(特許文献3参照)。
特許第3904495号明細書 特許第4230937号明細書 特開2008-263613号公報
 特許文献1記載の並列補間型A/D変換器では、逐次比較型、パイプライン型等のA/D変換器に比べて高速なA/D変換が可能であるという長所を有する一方、分解能を上げるほど差動増幅回路及び比較回路の数が増加し、回路面積及び消費電力が増大するという短所を有している。
 特許文献2記載のディジタル等化装置では、アナログ・ディジタル変換特性が非線形であるため、信号のオフセット量や振幅値の演算部が複雑になり、高倍速化に不向きである。
 特許文献3記載のA/D変換器では、例えば高密度RF波形を適応等化フィルタ等のディジタルフィルタで畳み込む際に、歪みが生じ、波形等化が正常に行えなくなることが考えられる。
 本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、並列補間型A/D変換器において、分解能を上げることによる回路面積及び消費電力の増大を抑えたA/D変換器や、このA/D変換器を搭載したディジタル等化装置を提供することを目的とする。
 第1の発明のA/D変換器は、それぞれが相互に異なるm+1個(mは正の整数)の参照電圧VR1~VRm+1(ただし、VR1<VR2・・・<VRm<VRm+1)を生成する参照電圧生成回路と、前記複数の参照電圧VR1~VRm+1の各々と入力信号電圧との電圧差を増幅し、それぞれが出力電圧セットを生成するm+1個の差動増幅器A1~Am+1を有する差動増幅器列であって、前記各差動増幅器A1~Am+1の出力電圧セットのそれぞれは相補的な非反転出力電圧と反転出力電圧とを含む差動増幅器列と、前記各差動増幅器からそれぞれ生成される出力電圧セットを受け取る複数個の比較回路とを備え、前記各比較回路は、前記複数の出力電圧セットのうち、前記参照電圧VRk(kは2≦k≦m+1の整数)が入力される差動増幅器Akの出力電圧セットであって第1の非反転出力電圧と第1の反転出力電圧とを含む第1の出力電圧セットと、前記参照電圧VRk-1が入力される差動増幅器Ak-1の出力電圧セットであって第2の非反転出力電圧と第2の反転出力電圧とを含む第2の出力電圧セットとがそれぞれ入力され、前記第1の出力電圧セットと前記第2の出力電圧セットとの差分を比較した比較結果に基づいてディジタル信号を出力する並列補間型A/D変換器であって、前記参照電圧VRkのk値により前記比較回路の個数が異なることを特徴とする。これにより、より重要な情報を含むアナログ信号成分を精度良く変換できるよう回路ばらつき耐性を高め、より重要でない情報成分は回路ばらつき耐性を低くすることで回路面積や消費電力を削減することができる。
 第2の発明のA/D変換器は、それぞれが相互に異なるm+1個(mは正の整数)の参照電圧VR1~VRm+1(ただし、VR1<VR2・・・<VRm<VRm+1)を生成する参照電圧生成回路と、前記複数の参照電圧VR1~VRm+1の各々と入力信号電圧との電圧差を増幅し、それぞれが出力電圧セットを生成するm+1個の差動増幅器A1~Am+1を有する差動増幅器列であって、前記各差動増幅器A1~Am+1の出力電圧セットのそれぞれは相補的な非反転出力電圧と反転出力電圧とを含む差動増幅器列と、前記各差動増幅器からそれぞれ生成される出力電圧セットを受け取る複数個の比較回路とを備え、前記各比較回路は、前記複数の出力電圧セットのうち、前記参照電圧VRk(kは2≦k≦m+1の整数)が入力される差動増幅器Akの出力電圧セットであって第1の非反転出力電圧と第1の反転出力電圧とを含む第1の出力電圧セットと、前記参照電圧VRk-1が入力される差動増幅器Ak-1の出力電圧セットであって第2の非反転出力電圧と第2の反転出力電圧とを含む第2の出力電圧セットとがそれぞれ入力され、前記第1の出力電圧セットと前記第2の出力電圧セットとの差分を比較した比較結果に基づいてディジタル信号を出力する並列補間型A/D変換器であって、前記差動増幅器の利得が各々の差動増幅器によって異なることを特徴とする。これにより、より重要な情報を含むアナログ信号成分を精度良く変換できるよう回路ばらつき耐性を高め、より重要でない情報成分は回路ばらつき耐性を低くすることで消費電力削減をすることができる。
 第3の発明のA/D変換器は、第2の発明に対して、前記比較回路は、前記差動増幅器の利得を補正することを特徴とする。これにより、利得の異なる差動増幅器の出力を均等に補間する比較回路を用いることで、第2の発明では一部の分解能に段差が生じる部分があったが、その段差をなくす効果を得ることができる。
 第4の発明のA/D変換器は、第2の発明に対して、前記差動増幅器の利得を制御する制御部を更に備えることを特徴とする。これにより、回路の出来栄え等に応じて利得を可変できることにより、最適な条件で動作することで消費電力を削減するA/D変換器を得ることができる。
 第5の発明のA/D変換器は、第4の発明に対して、システムの性能を監視する監視部を更に備え、前記監視部からの情報により前記差動増幅器の利得を制御することを特徴とする。これにより、システムの使用状況に応じて利得を可変できることにより、最適な条件で動作することで消費電力を削減するA/D変換器を得ることができる。
 第6の発明のA/D変換器は、第2の発明に対して、前記差動増幅器の利得が前記差動増幅器に搭載されているトランジスタのサイズにより決定されることを特徴とする。これにより、利得を調整する調整回路が不要になり、回路削減が見込める。
 第7の発明のディジタル等化装置は、アナログ信号をディジタル信号に変換する第1の発明に係る並列補間型A/D変換器と、前記並列補間型A/D変換器が出力するディジタル信号を波形等化するディジタル等化器とを備えたことを特徴とする。これにより、必要な情報が含まれる信号成分をより精度良く波形等化することができる。更にA/D変換器の分解能に比例した回路規模や消費電力の増大を抑制することができる。
 第8の発明のディジタル等化装置は、アナログ信号をディジタル信号に変換する第2の発明に係る並列補間型A/D変換器と、前記並列補間型A/D変換器が出力するディジタル信号を波形等化するディジタル等化器とを備えたことを特徴とする。これにより、必要な情報が含まれる信号成分をより精度良く波形等化することができる。更にA/D変換器の分解能に比例した回路規模や消費電力の増大を抑制することができる。
 以上のように、本発明に係るA/D変換器は、より重要な情報を含むアナログ信号成分を精度良く変換できるよう回路ばらつき耐性を高め、より重要でない情報成分は回路ばらつき耐性を低くすることで、分解能の均一性は保たれた状態で、回路面積、消費電力を削減することができる。
本発明の実施の形態1における並列補間型A/D変換器の構成図である。 本発明の実施の形態1における面積、消費電力の削減効果の一例を示した図である。 本発明の実施の形態2における並列補間型A/D変換器の構成図である。 並列補間型A/D変換器に使われる差動増幅器の一例を示した図である。 並列補間型A/D変換器に使われる比較回路の一例を示した図である。 比較回路の入力信号の軌跡としきい値とを示した図である。 隣り合う差動増幅器の利得が異なる場合の比較回路の入力信号の軌跡としきい値とを示した図である。 本発明の実施の形態3における並列補間型A/D変換器の構成図である。 本発明の実施の形態3の応用における並列補間型A/D変換器の構成図である。 本発明の実施の形態4におけるディジタル等化装置の構成図である。
 以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態において同じ符号を付した構成要素は同様の動作を行うので、再度の説明を省略する場合がある。
 《実施の形態1》
 図1は、本発明の実施の形態1によるA/D変換器100の構成を示す図である。A/D変換器100は、参照電圧生成回路111と、差動増幅器列112と、動作回路113とを備えている。A/D変換器100は、エンコード回路105を更に備えていてもよい。参照電圧生成回路111は、複数の参照電圧VR1~VRm+1を発生する(mは正の整数)。図1では、A/D変換器100の入力ダイナミックレンジの上側部分のみを示した図となっている。差動増幅器列112は、m+1個の差動増幅器A1~Am+1を含み、複数の参照電圧VR1~VRm+1の各々とアナログ信号電圧入力端子104から入力された入力アナログ信号電圧Ainとの電圧差を増幅し、複数の出力電圧セットを生成する。ここで、複数の出力電圧セットのそれぞれには、相補的な非反転出力電圧と反転出力電圧とが含まれる。動作回路113は複数の出力電圧セットを受け取り、例えばクロック信号であるCLKに従って動作する。ここで、CLKはクロック信号の他に所定のタイミングで動作することを制御する信号であってもよい。また、動作回路113は、n+1個(nは正の整数)の比較回路Cr1~Crn+1を含み、それぞれの比較回路Cr1~Crn+1は4つの入力を有する。差動増幅器A1~Am+1からの出力電圧セットに含まれる非反転出力電圧及び反転出力電圧は、直接比較回路Cr1~Crn+1に入力される。
 各比較回路Cr1~Crn+1は、入力トランジスタ部と正帰還部とを有している。なお、ここではトランジスタで構成される比較回路を想定して説明しているが、抵抗や容量を用いて比較回路を構成してもよい。正帰還部はクロック信号であるCLKに従って動作する。
 エンコード回路105は、比較結果(ディジタル信号)をコード化し、ディジタルデータ信号を生成する。
 以下、上記の各構成要素について詳しく説明する。
 参照電圧生成回路111は、直列に接続されたm個の抵抗R1~Rmを備え、これらの両端に高電位側基準電圧111aと低電位側基準電圧111bとが印加される。これにより、高電位側基準電圧111aと低電位側基準電圧111bとの間の電圧が分圧され、参照電圧VR1~VRm+1が生成する。
 差動増幅器列112の各差動増幅器A1~Am+1はそれぞれ2つの入力端子を有しており、一方の入力端子には入力アナログ信号電圧Ainが入力され、他方の入力端子には参照電圧VR1~VRm+1が入力され、その結果、複数の出力電圧セット(例えば、第1の出力電圧セット、第2の出力電圧セット等)が出力される。ここで、複数の出力電圧セットのそれぞれは、相補的な非反転出力電圧V1~Vm+1及び反転出力電圧VB1~VBm+1を含む。
 動作回路113の各比較回路Cr1~Crn+1において、入力トランジスタ部は、所定の重み付け演算を行うことによりしきい値電圧Vtnを決定し、第1の非反転出力電圧と第1の反転出力電圧との差分と、第2の非反転出力電圧と第2の反転出力電圧との差分とを比較した比較結果を正帰還部に出力する。ここで、第1の非反転出力電圧及び第1の反転出力電圧は第1の出力電圧セットに含まれ、第2の非反転出力電圧及び第2の反転出力電圧は第2の出力電圧セットに含まれる。
 正帰還部は、クロック信号であるCLKが所定のレベルにある場合に入力トランジスタ部から出力される比較結果を増幅し、増幅された比較結果を保持するとともに、増幅された比較結果をディジタル信号としてエンコード回路105に出力する。このディジタル信号は、例えば、比較結果によるHレベル又はLレベルのディジタル信号である。
 参照電圧をVRk(kは2≦k≦m+1の整数)とするとき、比較回路の個数について、実施の形態1の構成を示す図1では、k=m+1では8個、k=mでは4個の場合を示したが、本発明はこれに限定されず、とり得るk値により比較回路の個数が異なることを特徴とする。各k値に対して比較回路の個数は2個(tは整数)であればよい。
 次に、とり得るk値により比較回路の個数が異なることに関する利点を説明する。ここでは、より重要な情報を含む信号成分をA/D変換器100の入力ダイナミックレンジに対し、中心から±25%(ダイナミックレンジを100%とする)と決めた場合について、説明を進める。
 図2に、7ビットA/D変換器を例にとり、比較回路の個数を、とり得るk値全てにおいて一律4個(2ビット補間)とした場合(パターンA)と、中心から±25%では比較回路を4個(2ビット補間)、残りの範囲では比較回路を16個(4ビット補間)とした場合(パターンB)について、差動増幅回路の個数、比較回路の個数、回路面積、消費電力を比較する。回路面積と消費電力の値は、パターンAを1とした場合の値である。なお、差動増幅回路は比較回路の面積の20倍、消費電力は10倍と仮定し、計算を行った。面積、消費電力については、回路の構成や製造工程の違いにより変動する。
 図2に示すように、パターンBはパターンAに比べ、回路面積が40%減、消費電力が30%減となっている。なお、比較回路を多く使用するような構成にすると、更に削減効果は高い。
 次に、より高密度の入力信号を扱うシステムの場合、パターンAは2ビット補間で構成されるが、ばらつきの影響を軽減させ、精度良くディジタル信号に変換するため、比較回路の個数(つまり補間ビット数)を削減することが求められる場合がある。
 パターンCは、比較回路の個数を一律に1つとした場合で、パターンDは、中心から±25%では比較回路を2個(1ビット補間)、残りの範囲では比較回路を16個(4ビット補間)とした場合の値である。
 パターンAと比較すると、単に補間ビット数を2から1に変えただけでは、面積が2倍、消費電力が1.7倍となるが、パターンDはパターンAとほぼ同等の回路面積、消費電力である。
 なお、比較回路の補正部を追加することで、ばらつき耐性を高めることもできる。補正部の占有面積とA/D変換器のばらつき耐性とのトレードオフが生じるが、微細プロセスにおけるディジタル回路の面積は非常に小さいので、ディジタル補正技術を用いた補正部を用いると、面積をあまり増やさず実現できる。
 以上のように、本発明の実施の形態1では、とり得るk値により比較回路の個数を設定することで、より重要な情報を含むアナログ信号成分を精度良く変換できるよう回路ばらつき耐性を高め、より重要でない情報成分は回路ばらつき耐性を低くすることで、分解能の均一性は保たれた状態で、回路面積、消費電力を削減することができる。
 《実施の形態2》
 図3は、本発明の実施の形態2によるA/D変換器300の構成を示す図である。A/D変換器300は、参照電圧生成回路301と、差動増幅器列302と、動作回路303とを備えている。A/D変換器300は、エンコード回路305を更に備えていてもよい。参照電圧生成回路301は、複数の参照電圧VR1~VRm+1を発生する(mは正の整数)。差動増幅器列302は、m+1個の差動増幅器A1~Am+1を含み、複数の参照電圧VR1~VRm+1の各々とアナログ信号電圧入力端子304から入力された入力アナログ信号電圧Ainとの電圧差を増幅し、複数の出力電圧セットを生成する。ここで、複数の出力電圧セットのそれぞれには、相補的な非反転出力電圧と反転出力電圧とが含まれる。動作回路303は複数の出力電圧セットを受け取り、例えばクロック信号であるCLKに従って動作する。ここでCLKはクロック信号の他に所定のタイミングで動作することを制御する信号であってもよい。また、動作回路303は、n+1個(nは正の整数)の比較回路Cr1~Crn+1を含み、それぞれの比較回路Cr1~Crn+1は4つの入力を有する。差動増幅器A1~Am+1からの出力電圧セットに含まれる非反転出力電圧及び反転出力電圧は、直接比較回路Cr1~Crn+1に入力される。
 各比較回路Cr1~Crn+1は、入力トランジスタ部と正帰還部とを有している。なお、ここではトランジスタで構成される比較回路を想定して説明しているが、抵抗や容量を用いて比較回路を構成してもよい。正帰還部はクロック信号であるCLKに従って動作する。
 エンコード回路305は、比較結果(ディジタル信号)をコード化し、ディジタルデータ信号を生成する。
 以下、上記の各構成要素について詳しく説明する。
 参照電圧生成回路301は、直列に接続されたm個の抵抗R1~Rmを備え、これらの両端に高電位側基準電圧301aと低電位側基準電圧301bとが印加される。これにより、高電位側基準電圧301aと低電位側基準電圧301bとの間の電圧が分圧され、参照電圧VR1~VRm+1が生成する。
 差動増幅器列302の各差動増幅器A1~Am+1はそれぞれ2つの入力端子を有しており、一方の入力端子には入力アナログ信号電圧Ainが入力され、他方の入力端子には参照電圧VR1~VRm+1が入力され、その結果、複数の出力電圧セット(例えば、第1の出力電圧セット、第2の出力電圧セット等)が出力される。ここで、複数の出力電圧セットのそれぞれは、相補的な非反転出力電圧V1~Vm+1及び反転出力電圧VB1~VBm+1を含む。
 動作回路303の各比較回路Cr1~Crn+1において、入力トランジスタ部は、所定の重み付け演算を行うことによりしきい値電圧Vtnを決定し、第1の非反転出力電圧と第1の反転出力電圧との差分と、第2の非反転出力電圧と第2の反転出力電圧との差分とを比較した比較結果を正帰還部に出力する。ここで、第1の非反転出力電圧及び第1の反転出力電圧は第1の出力電圧セットに含まれ、第2の非反転出力電圧及び第2の反転出力電圧は第2の出力電圧セットに含まれる。
 正帰還部は、クロック信号であるCLKが所定のレベルにある場合に入力トランジスタ部から出力される比較結果を増幅し、増幅された比較結果を保持するとともに、増幅された比較結果をディジタル信号としてエンコード回路305に出力する。このディジタル信号は、例えば、比較結果によるHレベル又はLレベルのディジタル信号である。
 比較回路の個数について、実施の形態1では、とり得るk値により比較回路の個数が異なることを特徴としていたが、実施の形態2のように、とり得るk値にかかわらず一定の個数であってもかまわず、2個(tは整数)であればよい。
 図3のA/D変換器300で使用される差動増幅器の回路例を図4に示す。図4の回路は、定電流源Issによりバイアスされている。入力トランジスタであるNMOSトランジスタM1及びNMOSトランジスタM2のゲート端子にそれぞれアナログ差動入力信号正極Vinp及びアナログ差動入力信号負極Vinmが接続されている。PMOSトランジスタM3,M4のゲート端子はバイアス電圧Vbに接続されている。NMOSトランジスタM1及びPMOSトランジスタM3のドレイン端子はアナログ差動出力信号負極Voutmに接続されている。NMOSトランジスタM2及びPMOSトランジスタM4のドレイン端子はアナログ差動出力信号正極Voutpに接続されている。
 アナログ差動入力信号ΔVin=(Vinp-Vinm)はNMOSトランジスタM1及びNMOSトランジスタM2の電圧・電流変換作用により、NMOSトランジスタM1に流れるドレイン・ソース電流Ids1及びNMOSトランジスタM2に流れるドレイン・ソース電流Ids2の差電流ΔIds=(Ids1-Ids2)に変換される。ドレイン・ソース電流Ids1及びドレイン・ソース電流Ids2それぞれの変化分、ΔIds1及びΔIds2は、NMOSトランジスタM1のトランスコンダクタンスをgm1、NMOSトランジスタM2のトランスコンダクタンスをgm2とすると、ΔIds1=gm1(ΔVin/2)、ΔIds2=gm2(ΔVin/2)と表される。M1及びM2は同じ特性のトランジスタであるとすると、gm=gm1=gm2である。出力端の動的な抵抗をroとすると、アナログ差動出力信号ΔVout=(ΔVoutp-ΔVoutm)は、ΔVout=gm・ΔVin・roで表される。したがって、本回路の電圧利得Gは、G=ΔVout/ΔVin=gm・roとなる。
 つまり、演算増幅器の電圧利得Gは入力トランジスタであるNMOSトランジスタM1及びNMOSトランジスタM2のトランスコンダクタンスgmに比例する。また、トランスコンダクタンスgmはトランジスタに流れるドレイン・ソース電流Idsにほぼ比例する。したがって、電圧利得Gを大きくするためにはドレイン・ソース電流Idsを大きくする必要がある。ここで、ドレイン・ソース電流Idsを大きくする方法として、差動増幅器の定電流源Issを生成しているトランジスタのサイズを変更する方法や、トランジスタのバイアス電圧を変更する方法がある。
 そこで、差動増幅回路の利得を、より重要な情報を含むアナログ信号成分を変換する入力電圧範囲を扱う部分は利得を高くし、より重要でない部分は利得を低くすることで、A/D変換器トータルの消費電力を削減することができる。
 なお、第1の実施形態で説明した、比較回路の個数が多い箇所の出力電圧セットを出力する差動増幅回路の利得を上げることで、比較回路のばらつきの影響をより小さくしてもよい。
 以上のように、本発明の実施の形態2では、とり得るk値により差動増幅器の利得を設定することで、より重要な情報を含むアナログ信号成分を精度良く変換できるよう回路ばらつき耐性を高め、より重要でない情報成分は回路ばらつき耐性を低くすることで、分解能の均一性は保たれた状態で、回路面積、消費電力を削減することができる。
 次に、本発明で使用される比較回路について説明する。図5は、図3のA/D変換器300で使用される比較回路の回路図である。図5に示す比較回路は、NMOSトランジスタm11,m12,m13,m14を含む入力トランジスタ部と、NMOSトランジスタm3,m4及びPMOSトランジスタm7,m8を含む正帰還部(クロスカップルインバータラッチ部)とを備え、正帰還部のゲートに出力端子Q,QBが接続されている。また、NMOSトランジスタm3のドレインとPMOSトランジスタm7のドレインとの間にNMOSスイッチトランジスタm5が接続され、MMOSトランジスタm4のドレインとPMOSトランジスタm8のドレインとの間にNMOSスイッチトランジスタm6が接続されている。ただし、NMOSスイッチトランジスタm5,m6が設置される場所は上記に限定されない。更に、PMOSトランジスタm7のドレインと電源VDDとの間にPMOSスイッチトランジスタm9を備え、PMOSトランジスタm8のドレインと電源VDDとの間にPMOSスイッチトランジスタm10を備えている。NMOSスイッチトランジスタm5,m6、及びPMOSスイッチトランジスタm9,m10のゲートにはクロック信号CLKが接続されている。NMOSトランジスタm3のソースとVSSとの間にNMOSトランジスタm11及びNMOSトランジスタm12を備えており、NMOSトランジスタm11のゲートには入力端子Vo1、NMOSトランジスタm12のゲートには入力端子Vo2が接続されている。NMOSトランジスタm4のソースとVSSとの間にNMOSトランジスタm13及びNMOSトランジスタm14を備えており、NMOSトランジスタm13のゲートには入力端子Vob1、NMOSトランジスタm14のゲートには入力端子Vob2が接続されている。
 入力トランジスタ部は、所定の重み付け演算を行うことにより、しきい値電圧Vtnを決定し、第1の非反転出力電圧と第1の反転出力電圧との差分と、第2の非反転出力電圧と第2の反転出力電圧との差分とを比較した比較結果を正帰還部に出力する。所定の重み付け演算は、例えば、入力トランジスタ部のトランジスタのサイズの比を一定の値に設定することにより実現される。例えば、トランジスタm11のサイズとトランジスタm12のサイズとを1:3に設定し、トランジスタm13のサイズとトランジスタm14のサイズとを1:3に設定することにより、しきい値電圧Vtnが得られる。なお、上述した所定の重み付け演算の実現方法としては任意の方法を用いることができる。例えば、入力トランジスタ部のトランジスタのゲート長の比を一定の値に設定することにより、上述した所定の重み付け演算を実現するようにしてもよいし、入力トランジスタ部のトランジスタのゲート幅の比を一定の値に設定することにより、上述した所定の重み付け演算を実現するようにしてもよい。
 正帰還部は、クロック信号であるCLKが所定のレベルにある場合に入力トランジスタ部から出力される比較結果を増幅し、増幅された比較結果を保持するとともに、増幅された比較結果をディジタル信号として出力する。
 次に、NMOSトランジスタm11,m13のゲート幅をW1、NMOSトランジスタm12,m14のゲート幅をW2、NMOSトランジスタm11,m12,m13,m14のゲート長をL、しきい値電圧をVT、キャリアの移動度をμn、ゲート容量をCoxとし、ゲート・ソース間電圧をそれぞれVGS1(=Vo1)、VGS2(=Vo2)、VGS3(=Vob1)、VGS4(=Vob2)とすると、NMOSトランジスタm11,m12,m13,m14のドレインコンダクタンスG11,G12,G13,G14は、それぞれ、
G11=μn・Cox(W1/L)(Vo1-VT-VDS1)  ・・・(1.1)
G12=μn・Cox(W2/L)(Vo2-VT-VDS1)  ・・・(1.2)
G13=μn・Cox(W1/L)(Vob1-VT-VDS2) ・・・(1.3)
G14=μn・Cox(W2/L)(Vob2-VT-VDS2) ・・・(1.4)
と表すことができる。ここに、VDS1及びVDS2はそれぞれドレイン・ソース間電圧である。
 図5に示す比較回路のしきい値電圧は、VDS1=VDS2の場合、つまり、NMOSトランジスタm11のドレインコンダクタンスG11及びNMOSトランジスタm12のドレインコンダクタンスG12の和と、NMOSトランジスタm13のドレインコンダクタンスG13及びNMOSトランジスタm14のドレインコンダクタンスG14の和とが等しい場合に得られるため、式(1.1)~(1.4)より、
G11+G12=G13+G14
μn・Cox・[(W1/L)(Vo1-VT-VDS1)+(W2/L)(Vo2-VT-VDS1)]=μn・Cox・[(W1/L)(Vob1-VT-VDS2)+(W2/L)(Vob2-VT-VDS2)]
となる。ゆえに、
W1Vo1+W2Vo2=W1Vob1+W2Vob2  ・・・(1.5)
となる。
 M、Nを正の整数(N<M)とし、ゲート幅W1及びW2のサイズ比をN/M:(M-N)/Mとすると、式(1.5)から、
[NVo1+(M-N)Vo2]/M=[NVob1+(M-N)Vob2]/M
                           ・・・(1.6)
となる。ここで、式(1.6)を図6を用いて詳しく説明する。
 図6は、比較回路の入力信号Vo1,Vob1,Vo2,Vob2の軌跡としきい値とを示した図である。図6の破線Aは、式(1.6)の左辺の軌跡を表しており、入力信号Vo1とVo2とを、N:M-Nに分割したものである。破線Bは、式(1.6)の右辺の軌跡を表しており、入力信号Vob1とVob2とを、N:M-Nに分割したものである。破線Aと破線Bとの交点Vtnは、比較回路のしきい値を示している。このとき、交点Vtnは、入力信号Vo1及びVob1の交点Vt1と入力信号Vo2及びVob2の交点Vt2との間をN:M-Nに分割する。
 例えば、M=4とすると、N=1の場合、NMOSトランジスタ(m11,m13)とNMOSトランジスタ(m12,m14)とのゲート幅のサイズ比(W1:W2)は1:3となり、比較回路のしきい値は、交点Vt1と交点Vt2との間を1:3に分割する。N=2の場合には、NMOSトランジスタ(m11,m13)とNMOSトランジスタ(m12,m14)とのゲート幅のサイズ比(W1:W2)は2:2となり、比較回路のしきい値は、交点Vt1と交点Vt2との間を2:2に分割する。N=3の場合には、NMOSトランジスタ(m11,m13)とNMOSトランジスタ(m12,m14)とのゲート幅のサイズ比(W1:W2)は3:1となり、比較回路のしきい値は、交点Vt1と交点Vt2との間を3:1に分割する。このように、NMOSトランジスタ(m11,m13)及び(m12,m14)のゲート幅のサイズ比(W1:W2)をN/M:(M-N)/Mとすることで、交点Vt1と交点Vt2との間を均等に分割したしきい値を得ることができる。
 隣り合う2つの差動増幅器の利得が同じである場合は、図6に示すような入力信号の軌跡としきい値の図となる。次に、隣り合う2つの差動増幅器の利得が異なる場合の入力信号の軌跡としきい値を図7に示す。
 図7に示すように、利得が異なる場合は左右非対称となるが、このような場合においても、それぞれ均等に配分したしきい値となるようにトランジスタのサイズ比を決定することで、異なる利得を補正する比較回路を搭載することもできる。
 《実施の形態3》
 図8は、本発明の実施の形態3によるA/D変換器の構成を示す図である。図8のA/D変換器本体800は、本発明の実施の形態2で説明したA/D変換器である。本実施形態では、A/D変換器本体800に搭載されている差動増幅器の利得を制御する制御部801を設けることにより、製造後の回路の出来栄えを検査し、差動増幅回路に流す電流量を調整し、製品ごとに最適な利得を設定することができる。
 図9に示すように、システムの性能を監視する監視部901を更に設けてもよい。例えば、監視部901から出力されるジッタがしきい値より高くなると、システム性能を向上させるため差動増幅器の利得を上げる信号を制御部801から出力する。
 以上のように本実施の形態によれば、製造工程でのばらつき、信号品質、温度、外乱等の影響で実使用環境で現れるシステム性能ばらつきを考慮し、利得を最適化することにより、A/D変換器の性能を最適化して消費電力を削減することができる。
 なお、制御部801の面積を削減することを優先させた場合、トランジスタの大きさにより差動増幅器の利得を変更することができるが、この方法では、利得は固定となる。
 《実施の形態4》
 図10は、本発明の実施の形態4によるディジタル等化装置の構成を示すブロック図である。図10に示すように、このディジタル等化装置は、アナログLPF(low pass filter)1001と、図1のA/D変換器1002と、ディジタル等化器1003と、2値化部1004とを備える。A/D変換器1002は、必要な情報が含まれるアナログ信号の中心部を、より精度良く変換し、あまり必要でない情報部分は精度をある程度抑えた構成を特徴とする図1の構成を搭載することで、アナログ回路面積や消費電力を削減したディジタル等化装置を提供することができる。
 また、図9のA/D変換器をディジタル等化装置に搭載することで、システムの性能に応じたA/D変換器の性能を与え、消費電力を削減することもできる。
 本発明は、アナログ信号をディジタル信号に変換するA/D変換器において、回路面積や消費電力を増やすことなく、より重要な情報を含む信号成分をより精度良く変換することができるA/D変換器であり、ハードディスク装置、光ディスク装置、通信装置等の情報通信機器のRF信号を変換するA/D変換器に好適である。
100 A/D変換器
104 アナログ信号電圧入力端子
105 エンコード回路
111 参照電圧生成回路
111a 高電位側基準電圧
111b 低電位側基準電圧
112 差動増幅器列
113 動作回路

Claims (8)

  1.  それぞれが相互に異なるm+1個(mは正の整数)の参照電圧VR1~VRm+1(ただし、VR1<VR2・・・<VRm<VRm+1)を生成する参照電圧生成回路と、
     前記複数の参照電圧VR1~VRm+1の各々と入力信号電圧との電圧差を増幅し、それぞれが出力電圧セットを生成するm+1個の差動増幅器A1~Am+1を有する差動増幅器列であって、前記各差動増幅器A1~Am+1の出力電圧セットのそれぞれは相補的な非反転出力電圧と反転出力電圧とを含む差動増幅器列と、
     前記各差動増幅器からそれぞれ生成される出力電圧セットを受け取る複数個の比較回路とを備え、
     前記各比較回路は、前記複数の出力電圧セットのうち、前記参照電圧VRk(kは2≦k≦m+1の整数)が入力される差動増幅器Akの出力電圧セットであって第1の非反転出力電圧と第1の反転出力電圧とを含む第1の出力電圧セットと、前記参照電圧VRk-1が入力される差動増幅器Ak-1の出力電圧セットであって第2の非反転出力電圧と第2の反転出力電圧とを含む第2の出力電圧セットとがそれぞれ入力され、前記第1の出力電圧セットと前記第2の出力電圧セットとの差分を比較した比較結果に基づいてディジタル信号を出力する並列補間型A/D変換器であって、
     前記参照電圧VRkのk値により前記比較回路の個数が異なることを特徴とする並列補間型A/D変換器。
  2.  それぞれが相互に異なるm+1個(mは正の整数)の参照電圧VR1~VRm+1(ただし、VR1<VR2・・・<VRm<VRm+1)を生成する参照電圧生成回路と、
     前記複数の参照電圧VR1~VRm+1の各々と入力信号電圧との電圧差を増幅し、それぞれが出力電圧セットを生成するm+1個の差動増幅器A1~Am+1を有する差動増幅器列であって、前記各差動増幅器A1~Am+1の出力電圧セットのそれぞれは相補的な非反転出力電圧と反転出力電圧とを含む差動増幅器列と、
     前記各差動増幅器からそれぞれ生成される出力電圧セットを受け取る複数個の比較回路とを備え、
     前記各比較回路は、前記複数の出力電圧セットのうち、前記参照電圧VRk(kは2≦k≦m+1の整数)が入力される差動増幅器Akの出力電圧セットであって第1の非反転出力電圧と第1の反転出力電圧とを含む第1の出力電圧セットと、前記参照電圧VRk-1が入力される差動増幅器Ak-1の出力電圧セットであって第2の非反転出力電圧と第2の反転出力電圧とを含む第2の出力電圧セットとがそれぞれ入力され、前記第1の出力電圧セットと前記第2の出力電圧セットとの差分を比較した比較結果に基づいてディジタル信号を出力する並列補間型A/D変換器であって、
     前記差動増幅器の利得が各々の差動増幅器によって異なることを特徴とする並列補間型A/D変換器。
  3.  請求項2記載の並列補間型A/D変換器において、
     前記比較回路は、前記差動増幅器の利得を補正することを特徴とする並列補間型A/D変換器。
  4.  請求項2記載の並列補間型A/D変換器において、
     前記差動増幅器の利得を制御する制御部を更に備えたことを特徴とする並列補間型A/D変換器。
  5.  請求項4記載の並列補間型A/D変換器において、
     システムの性能を監視する監視部を更に備え、前記監視部からの情報により前記差動増幅器の利得を制御することを特徴とする並列補間型A/D変換器。
  6.  請求項2記載の並列補間型A/D変換器において、
     前記差動増幅器の利得は、当該差動増幅器に搭載されているトランジスタのサイズにより決定されることを特徴とする並列補間型A/D変換器。
  7.  アナログ信号をディジタル信号に変換する請求項1記載の並列補間型A/D変換器と、
     前記並列補間型A/D変換器が出力するディジタル信号を波形等化するディジタル等化器とを備えたことを特徴とするディジタル等化装置。
  8.  アナログ信号をディジタル信号に変換する請求項2記載の並列補間型A/D変換器と、
     前記並列補間型A/D変換器が出力するディジタル信号を波形等化するディジタル等化器とを備えたことを特徴とするディジタル等化装置。
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