WO2010109705A1 - プローブおよびプローブの製造方法 - Google Patents

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憲 山村
眞司 村田
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Alps Electric Co Ltd
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    • G11C2029/5602—Interface to device under test

Definitions

  • the present invention relates to a probe and a method for manufacturing the probe, and more particularly to a probe and a method for manufacturing the probe that can be suitably used when conducting a continuity test in contact with a fine electrode such as a chip test or a memory test.
  • a probe is used when conducting a continuity test in contact with a fine electrode such as a chip test or a memory test.
  • a fine electrode such as a chip test or a memory test.
  • this probe adopting one of the shapes, as shown in FIG. 9, a micro cantilever (width 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, thickness 10 ⁇ m) from the tip of a large probe body (width 100 ⁇ m, thickness 45 ⁇ m) 102 is used.
  • (About 15 ⁇ m or so) 103 is a probe 101 having an overhang shape.
  • Examples of the conventional method for manufacturing the probe 101 include a separate member bonding method, a two-step plating method, and a cutting formation method.
  • the separate member bonding method is a method in which the probe main body 102 and the minute cantilever 103 are separately formed and then bonded together with an adhesive (see paragraph 0019 and FIG. 9 of Patent Document 1).
  • the two-step plating method is a method in which the first plating mold is patterned on the A-type resist layer as the first step plating, the minute cantilever 103 is formed on the plating, and then the second step plating is performed on the B-type resist layer.
  • the probe main body 102 is formed by plating after the plating mold is patterned.
  • the cutting formation method is a method of cutting out the minute cantilever 103 by plating the probe main body 102 and cutting the tip thereof by ion milling or the like.
  • the current cutting accuracy is lower than the desired accuracy, so that a micro cantilever 103 having a desired size is obtained. There was a problem that could not.
  • the two-step plating method causes the problem of interfacial peeling because the plating is performed in two steps. If the one-step plating method in which the probe main body 102 and the minute cantilever 103 are plated at a time is adopted, the interfacial peeling is caused. The problem could be solved, but this also had the following problems.
  • the probe 101 is manufactured by the one-step plating method, as shown in FIG. 10, in order to form the probe 101 by plating, a plating mold 113b formed by each resist pattern for the A-type resist layer 113 and the B-type resist layer 114, 114b is required.
  • the overhang portion 114h is inevitably formed in the plating molds 113b and 114b.
  • the B-type resist layer 114 is formed using a dry film resist that has been hardened in advance.
  • the overhang portion 114h is heated when the dry film resist is thermocompression bonded to the A-type resist layer 113. Therefore, it will be bent and deformed downward to close the cavity below the overhang portion 114h. In this case, the development rinse and the plating solution used for the resist pattern do not flow into the cavity below the overhang portion 114h, resulting in residual development residue and insufficient plating solution. Therefore, the micro cantilever 103 is formed in a desired shape and size. As a result, there is a problem that the micro cantilever 103 cannot exhibit desired performance.
  • the present invention has been made in view of these points, and can improve the coupling force between the probe main body and the micro cantilever, and can form the micro cantilever overhanging from the probe main body in a desired shape and size. It is an object of the present invention to provide a probe that can be formed in a simple manner and a method for producing the probe.
  • the present invention can improve the coupling force between the probe main body and the protruding portion (including the micro cantilever), and overhangs from the intermediate portion excluding one of the top, bottom, left and right near the tip of the probe main body. It is an object of the present invention to provide a probe that can form a hung protrusion in a desired shape and size, and a method for manufacturing the probe.
  • the probe manufacturing method of the present invention is a base plate for manufacturing a probe adopting a shape in which a minute cantilever is overhanged from the tip of a probe body as a first aspect.
  • Forming an underlayer using a liquid resist or dry film resist on the surface of the substrate, and a thickness comparable to the thickness of the microcantilever using the liquid resist or dry film resist on the surface of the underlayer Forming a part of the probe body and a part of the plating mold to be used for plating formation of the entire micro-cantilever with respect to the A-type resist layer, A seed film forming step of forming a seed film on the underlayer before or after the plating mold partial forming step A, and plating
  • a hydrophilic treatment step A for performing hydrophilic treatment on the surface of the A-type resist layer and at least the surface of the A-type resist layer of the seed film, and the A-type resist layer subjected to the hydrophilic treatment
  • a hydrophilic treatment step A for performing hydrophilic treatment on the
  • the plating mold After forming on the surface and a part of the plating mold, if the remaining part of the plating mold for use in forming the remaining part of the probe body is not formed in the B-type resist layer in advance, the plating mold is applied to the B-type resist layer.
  • a plating process for forming a probe in which a micro-cantilever is overhanged and a removing process for removing a B-type resist layer, a seed film unnecessary for the probe, an A-type resist layer, and an underlayer. It is said.
  • the surface of the A-type resist layer is subjected to a hydrophilic treatment so that the A-type resist layer and the dry film resist are firmly fixed. It is possible to eliminate the thermocompression bonding of the dry film resist that causes the curved deformation of the portion.
  • the development rinse and the plating solution can be made to flow easily in a gap (a gap below the overhang portion of the plating mold) where the minute cantilever is formed by plating in the plating mold. . Thereby, a micro cantilever can be formed in a desired shape and size.
  • a probe manufacturing method comprising: a liquid resist on a surface of a substrate that serves as a base plate for manufacturing a probe having a shape in which a protruding portion is overhanged from an intermediate portion near the tip of a probe body.
  • an underlayer forming step of forming an underlayer using a dry film resist, and a thickness similar to the thickness from the lower surface of the probe body to the lower surface of the protruding portion using a liquid resist or a dry film resist on the surface of the underlayer After forming a C-type resist layer having a thickness, a plating mold part forming step C for forming a part of a plating mold used for plating a part of the probe body on the C-type resist layer; After forming an A-type resist layer having a thickness similar to the thickness of the protrusion using a liquid resist or a dry film resist on the surface of the resist layer, A plating mold part forming step A for forming a part of the plating mold used for plating a part of the probe main body and the whole protruding part with respect to the mold resist layer, and a plating mold before the plating mold part forming process C A seed film forming step of forming a seed film on the underlayer either after the partial forming step A, and
  • a plating mold part forming step B for forming the remaining part of the plating mold in the B type resist layer, and a plating mold part forming process when the remainder of the plating mold for use in forming the plating is not formed in the B type resist layer in advance.
  • a plating process for forming a probe with overhanging protrusions by performing plating using the plating mold and seed film completed by the end of B, a B-type resist layer, a seed film unnecessary for the probe, A And a removing step of removing the C-type resist layer, the C-type resist layer, and the base layer.
  • the surface of the A-type resist layer is subjected to a hydrophilic treatment, and the A-type resist layer and the dry film resist are firmly fixed. It is possible to eliminate the thermocompression bonding of the dry film resist that causes the curved deformation of the portion. Further, when the seed film is also subjected to a hydrophilic treatment, the development rinse and the plating solution can be made to easily flow into the gap where the protruding portion is plated in the plating mold (the gap below the overhang portion of the plating mold). . Thereby, a protrusion part can be formed in a desired shape and dimension. Furthermore, since this manufacturing method includes the plating mold part forming step C, it is possible to form a protruding portion at an intermediate portion near the tip of the probe body.
  • the probe manufacturing method according to the third aspect of the present invention is the probe manufacturing method according to the first or second aspect, wherein the B-type resist layer is formed after the plating mold part forming step B and before the plating treatment step.
  • a D-type resist layer is formed on the surface of the B-type resist layer and above the plating mold to close the upper opening of the plating mold formed by the steps up to the plating mold partial forming step B.
  • a plating mold partial formation step D, and the thickness of the B-type resist layer in the plating mold partial formation step B is a thickness obtained by subtracting the thickness of the micro cantilever from the thickness of the probe body. Is formed equal to the thickness from the upper surface of the protrusion to the upper surface of the probe body, and the plating process in the plating process is performed after the plating mold part forming process D is completed, and in the removing process, the D-type resist layer is formed. It is also characterized by removal.
  • the plating thickness is controlled not by the plating time but by the inner dimension of the plating mold. can do. Thereby, the dimensional accuracy of the probe formed by plating can be improved.
  • the probe manufacturing method according to the fourth aspect of the present invention is characterized in that, in the probe manufacturing method according to one of the first to third aspects, the hydrophilic treatment is a plasma etching process.
  • the adhesion between the A-type resist layer and the dry film resist is improved. be able to.
  • the probe manufacturing method according to the fifth aspect of the present invention is the probe manufacturing method according to one of the first to third aspects, wherein the hydrophilic treatment is performed by applying a metal film having excellent hydrophilicity to an A-type resist layer. It is the metal film production
  • the adhesion force between the A-type resist layer and the dry film resist is increased. Can be improved.
  • the probe manufacturing method according to the sixth aspect of the present invention is the probe manufacturing method according to any one of the first to fifth aspects, wherein the seed film forming step is performed before the plating mold portion forming step A. It is characterized by.
  • the surface of the underlayer becomes smooth and the adhesion area of the surface increases, so that the adhesion between the underlayer and the A-type resist layer is improved. Can do.
  • the probe manufacturing method according to the seventh aspect of the present invention is the probe manufacturing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein the seed film is a metal film having excellent conductivity and hydrophilicity. It is a feature.
  • the development rinse and the plating solution easily flow into the gap of the plating mold that becomes the mold of the micro cantilever.
  • the cantilever can be formed in a desired shape and size.
  • the probe of the present invention includes, as a first aspect thereof, a probe main body and a micro cantilever overhanged from the tip of the probe main body.
  • the probe main body and the micro cantilever are It is characterized by being integrally formed by a single plating process.
  • the probe main body and the micro cantilever are integrally formed by one plating process, it is possible to prevent an interface from being generated between the probe main body and the micro cantilever. it can.
  • the probe according to the second aspect of the present invention is characterized in that, in the probe according to the first aspect, the micro cantilever is overhanging from one end of the tip of the probe body.
  • the probe according to the third aspect of the present invention includes a probe main body and a protruding portion overhanging from an intermediate portion near the tip of the probe main body.
  • the probe main body and the protruding portion are formed by a single plating process. It is characterized by being integrally formed.
  • the probe of the third aspect of the present invention is the probe of the first aspect, and the microcantilever is located near the tip of the probe body. It can be said that it is characterized by overhanging from the middle part.
  • the protruding portion is a portion that protrudes from the probe body with one end fixed to the probe body and the other end as a free end, and includes both a minute cantilever and a simple protrusion that does not have a cantilever function. It is a waste.
  • the probe main body and the protruding portion are integrally formed by one plating process, it is possible to prevent the occurrence of an interface between the probe main body and the protruding portion. it can.
  • the binding force between the probe main body and the micro cantilever can be improved.
  • the protruding portion is overhanging from the intermediate portion in the vicinity of the tip of the probe body, when the probe body is bent with the probe body as a cantilever and the protruding portion as a contact point, It is possible to prevent the probe body from being bent while being twisted.
  • the plating mold is formed into a desired shape by preventing the bending deformation of the overhang portion of the plating mold, and the flow of the development rinse and the plating solution is improved.
  • various problems such as interfacial peeling and dimensional accuracy can be solved, and the effect of being able to form a minute cantilever or protrusion overhanging from the probe body in a desired shape and size.
  • the longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing method of the probe of 1st Embodiment in this invention in order from A to G Longitudinal sectional view showing an example (plasma etching treatment) of hydrophilic treatment of the first embodiment
  • the perspective view which shows an example of the probe of 2nd Embodiment in A or B in a figure
  • the longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing method of the probe of 2nd Embodiment in order from A to G Perspective surface showing the bent state of the cantilever with the protruding part formed at the end of the tip of the cantilever body
  • Perspective surface showing the bent state of the cantilever with the protruding part formed at the end of the tip of the cantilever body
  • the perspective view which shows
  • the probe 1A of the first embodiment includes a probe main body 2 and a minute cantilever 3 as shown in FIG.
  • the dimensions and shapes of the probe main body 2 and the minute cantilever 3 are the same as conventional ones.
  • the probe main body 2 and the minute cantilever 3 are integrally formed by a single plating process.
  • the plating material for example, a metal having excellent spring properties such as Ni—P is selected.
  • a metal having excellent conductivity may be formed on the surface of the probe 1A.
  • the manufacturing method of the probe 1A of the first embodiment includes an underlayer forming process, a seed film forming process, a plating mold part forming process A, a hydrophilic treatment process A, and a plating mold part forming process B. And a plating treatment step and a removal step.
  • a base layer 11 having a uniform thickness is formed on the surface of the substrate 10 serving as a base plate. Since the underlayer 11 is removed in the removing step, it is formed using a liquid resist or a dry film resist.
  • a seed film 12 having a uniform thickness is formed on the surface of the base layer 11 using a film forming apparatus such as sputtering.
  • This seed film forming step may be performed either before or after the plating mold partial forming step A.
  • the seed film forming process of the first embodiment is performed before the plating mold part forming process A as shown in FIG. 1B.
  • a metal film having excellent conductivity and hydrophilicity such as Cu is preferably selected.
  • an A-type resist layer 13 is formed on the upper surface of the base layer 11 with a uniform thickness (see FIG. 1C).
  • the A-type resist layer 13 is formed using a liquid resist or a dry film resist.
  • the thickness of the A-type resist layer 13 is set to the same thickness as that of the minute cantilever 3, that is, an extremely thin thickness of about 10 ⁇ m to 15 ⁇ m. It is preferable to form the resist layer 13.
  • a resist pattern to be a part 13b of the plating mold is formed on the A type resist layer 13.
  • a part 13b of the plating mold is used to form a part of the probe main body 2 and the entire micro cantilever 3.
  • the part of the probe body 2 is a part from the lower surface of the probe body 2 to a height similar to the thickness of the micro cantilever 3 from the viewpoint of the plating process.
  • the seed film forming step is performed after the plating mold partial forming step A, the seed film 12 is not formed between the base layer 11 and the A type resist layer 13, and the A type resist layer 13 is formed.
  • the seed film 12 is formed only on the surface of the base layer 11 exposed from the part 13b of the plating mold.
  • the surface 13a of the A-type resist layer 13 is subjected to a hydrophilic treatment.
  • the hydrophilic treatment process A may be performed after the plating mold part forming process A. Therefore, in other embodiments, the respective steps may be performed in the order of the plating mold part forming step A, the hydrophilic treatment step A, and the seed film forming step. Further, as in the first embodiment, when the hydrophilic treatment process A is performed after the plating mold part forming process A and the seed film forming process, not only the surface 13a of the A type resist layer 13 but also the seed film 12 is used. Also, hydrophilic treatment may be performed.
  • hydrophilic treatment a plasma etching process for roughening the surface 13a of the A-type resist layer 13 may be used, or as shown in FIG. 3, a metal film 15 having excellent hydrophilicity may be used as the A-type resist layer.
  • 13 may be a metal film generating process for forming a film on the surface 13a.
  • the plasma etching process is selected as the hydrophilic process of the first embodiment.
  • O 2 gas is selected because of good etching selectivity with the metal film 15.
  • a dry film resist is applied to the A-type resist layer 13 that has been subjected to a hydrophilic treatment, and the B-type resist layer is placed above the surface 13a of the A-type resist layer 13 and a part 13b of the plating mold. 14 (see FIG. 1E).
  • the dry film resist is stuck only by the adhesive force of the adhesive layer, and the thermocompression bonding is not performed.
  • the thickness of the dry film resist serving as the B-type resist layer 14 is set to be equal to or greater than the thickness of the probe body 2 excluding the thickness of the minute cantilever 3.
  • a resist pattern to be the remaining part 14b of the plating mold is formed on the B-type resist layer 14.
  • the remaining part 14b of the plating mold is used for plating formation of the remaining part of the probe body 2.
  • the remaining part of the probe body 2 is a part obtained by excluding a part of the probe body 2 described above from the entire probe body 2 from the viewpoint of the plating process.
  • the plating mold remainder 14b is previously formed to the thickness of the dry film resist to be the B-type resist layer 14, it is not necessary to form the plating mold remainder 14b after the dry film resist is applied.
  • the plating solution is filled into the finished plating molds 13b and 14b composed of the plating mold part 13b and the remaining part 14b, and then the seed film 12 is energized to perform plating. Perform processing.
  • the probe 1A is formed by plating and growing from the seed film 12 and overhanging the minute cantilever 3.
  • the plating material for example, a metal having excellent spring properties such as Ni—P is selected.
  • unnecessary parts for the probe 1A such as the B-type resist layer 14, the seed film 12 unnecessary for the probe 1A, the A-type resist layer 13 and the base layer 11 are removed.
  • the B-type resist layer 14, the unnecessary seed film 12, the A-type resist layer 13, and the base layer 11 may be removed one by one in order, or the seed film 12 may be removed after the resist is collectively removed.
  • a metal having excellent conductivity may be formed on the surface of the probe 1A after the removing step.
  • the thickness of the B-type resist layer 14 is set to be equal to the thickness obtained by excluding the thickness of the minute cantilever 3 from the thickness of the probe body 2. Further, the hydrophilic treatment process B and the plating mold part forming process D are performed after the plating mold part forming process B and before the plating process.
  • the surface 14 a of the B-type resist layer 14 is subjected to a hydrophilic treatment.
  • the content of the hydrophilic treatment is the same as the hydrophilic treatment performed in the hydrophilic treatment step A.
  • a dry film resist is applied to the B-type resist layer 14 that has been subjected to the hydrophilic treatment without thermocompression bonding.
  • This affixing method is the same as the affixing method of the B-type resist layer 14 in the plating mold part forming step B.
  • the D-type resist layer 17 is formed above the surface 14a of the B-type resist layer 14 and the plating dies 13b and 14b. Since the plating molds 13b and 14b formed through the processes up to the plating mold partial forming process B have an upper opening, the D-type resist layer 17 serves as a lid for closing the plating molds 13b and 14b.
  • the plating molds 13b and 14b are sealed by the formation of the D-type resist layer 17, it is preferable to provide an inlet for injecting a plating solution into a part of the plating molds 13b and 14b.
  • plating mold part forming step D plating is performed in the plating process, and the D-type resist layer 17 is also removed in the removal process.
  • the probe main body 2 and the minute cantilever 3 are integrally formed by a single plating process. Therefore, unlike the prior art, an interface does not occur between the probe main body 2 and the micro cantilever 3, so that it is possible to prevent the probe 1A from being destroyed by interfacial peeling from between them.
  • the coupling force between the probe main body 2 and the micro cantilever 3 is improved. Can do.
  • the surface 13a of the A-type resist layer 13 has been subjected to hydrophilic treatment, so that the dry film resist is not subjected to thermocompression bonding.
  • the A-type resist layer 13 and the dry film resist can be firmly fixed only by the adhesive force.
  • the plating type overhang portion 14h can be prevented from being bent and deformed by heat. Therefore, a gap in which the minute cantilever 3 is formed in the plating die 13b, that is, below the plating type overhang portion 14h. It is possible to prevent the cavity from being blocked.
  • the development rinse and the plating solution are applied to the gap where the minute cantilever 3 is plated in the plating molds 13b and 14b, that is, the gap below the overhang portion 14h of the plating mold. It can be made easy to flow. Thereby, the micro cantilever 3 can be formed in a desired shape and size.
  • the hydrophilic treatment is preferably a plasma etching treatment as shown in FIG.
  • the surface 13a of the A-type resist layer 13 becomes rough, and an anchor effect is generated on the surface, so that the adhesion between the A-type resist layer 13 and the dry film resist can be improved.
  • the hydrophilic treatment described above may be a metal film generating treatment in which a metal film 15 having excellent hydrophilicity is formed on the surface 13a of the A-type resist layer 13 as shown in FIG.
  • a metal film 15 having excellent hydrophilicity is formed on the surface 13a of the A-type resist layer 13 as shown in FIG.
  • the seed film forming step is preferably performed before the plating mold portion forming step A as shown in FIG. 1B.
  • the seed film 12 is formed between the base layer 11 and the A-type resist layer 13.
  • the surface of the foundation layer 11 becomes smooth and the adhesion area of the surface increases, so that the adhesion force between the foundation layer 11 and the A-type resist layer 13 is increased. Can be improved.
  • the seed film 12 is preferably a metal film having excellent conductivity and hydrophilicity.
  • the development rinse and the plating solution easily flow in the gap where the minute cantilever 3 is formed in the plating mold 13b, so that the minute cantilever 3 has a desired shape and size. Can be formed.
  • the optional hydrophilic treatment step B and plating mold portion forming step D are performed after the plating mold portion forming step B and before the plating treatment step.
  • the D-type resist layer 17 functions as a lid for the plating dies 13b and 14b.
  • the element that controls the plating thickness is the plating time, and therefore it is difficult to precisely control the plating thickness.
  • FIG. 1 shows that the element that controls the plating thickness is the plating time, and therefore it is difficult to precisely control the plating thickness.
  • the D-type resist layer 17 serves as a lid for the plating molds 13b and 14b, if the plating time for reaching the D-type resist layer 17 has passed, Even if the plating time is increased as described above, the D-type resist layer 17 controls the thickness of the plating. That is, according to the probe manufacturing method of the first embodiment, the plating thickness can be controlled not by the plating time but by the inner dimensions of the plating molds 13b and 14b, so that the dimensional accuracy of the probe formed by plating is improved. Can be made.
  • the plating molds 13b and 14b are formed in a desired shape by preventing the bending deformation of the overhang portion 14h of the plating molds 13b and 14b. Since the development rinse and the fluidity of the plating solution are improved, various problems such as interfacial peeling and dimensional accuracy can be solved, and the micro-cantilever 3 overhanging from the probe body 2 can be formed in a desired shape and size. There is an operational effect.
  • the probe 1B of the second embodiment includes a probe main body 2 and a protruding portion 4.
  • the protruding portion 4 is a portion that is fixed to the probe body 2 at one end and protrudes from the probe body 2 with the other end as a free end. Therefore, the protrusion part 4 of 2nd Embodiment contains not only the micro cantilever shown in FIG. 5A but the mere protrusion part which does not have the cantilever function shown in FIG. 5B.
  • the probe main body 2 and the protrusion 4 in the second embodiment are integrally formed by a single plating process.
  • the plating material for example, a metal having excellent spring properties such as Ni—P is selected.
  • a metal having excellent conductivity may be formed on the surface of the probe 1B.
  • the difference from the first embodiment is the overhang position of the protrusion 4 in the vicinity of the tip 2c of the probe body 2.
  • the micro cantilever 3 of the first embodiment has a lower end at the distal end 2c of the probe main body 2 (by changing the direction of the probe main body 2, this lower end is That is, it is overhanging from the right end, i.e., any one end 2b at the tip 2c of the probe body 2).
  • the protruding portion 4 of the second embodiment overhangs from the intermediate portion 2a in the vicinity of the tip 2c of the probe body 2 as shown in FIGS. 5A and 5B.
  • the intermediate portion 2a in the vicinity of the distal end 2c of the probe body 2 is, for example, as shown in FIG. 5A, a portion excluding each end portion 2b on the distal end surface of the probe body 2, or as shown in FIG. A portion excluding both ends 2b in the width direction with respect to the bending direction in the tip 2c of the probe body 2 or a region adjacent to the tip 2c.
  • the manufacturing method of the probe 1B of the second embodiment includes a base layer 11 forming step, a plating mold part forming process C, a seed film 12 forming process, a plating mold part forming process A, and hydrophilicity. It includes a processing step A, a plating mold part forming step B, a hydrophilic processing step B, a plating mold part forming step D, a plating processing step and a removal step.
  • a step greatly different from the first embodiment is a plating mold part forming step C.
  • the hydrophilic treatment process B and the plating mold part forming process D are optional processes.
  • the protrusion 4 is formed to overhang, for example, to the left. Therefore, for example, in the case of the probe 1B shown in FIG. 5B, the probe 1B is formed in a state in which the direction of the probe 1B is changed so as to overhang the left side of FIG. 6G.
  • the base layer 11 is formed on the surface of the substrate 10 using a liquid resist or a dry film resist, as shown in FIG. 6A.
  • the C-type resist layer 18 is formed with a uniform thickness on the surface of the base layer 11 using a liquid resist or a dry film resist.
  • the thickness of the C-type resist layer 18 is set to be approximately the same as the thickness from the lower surface of the probe 1B main body to the lower surface of the protruding portion 4 from the viewpoint of the plating process.
  • a resist pattern that forms a part of a plating mold used for plating a part of the probe main body 2 on the C-type resist layer 18 is formed.
  • a part 18b of the plating mold is used for forming a plating in the lower part of the probe body 2.
  • the seed film 12 forming step is performed after the plating mold partial forming step C, the seed film 12 is not formed between the base layer 11 and the C-type resist layer 18, and the plating type of the C-type resist layer 18 is formed.
  • the seed film 12 is formed only on the surface of the base layer 11 exposed from the part 18b of the substrate.
  • the seed film 12 is formed on the underlayer 11 either before the plating mold part forming process C or after the plating mold part forming process A.
  • the seed film 12 forming step is preferably performed before the plating mold portion forming step C as shown in FIG. 6A.
  • the seed film 12 is preferably a metal film having excellent conductivity and hydrophilicity, as in the first embodiment.
  • the A-type resist layer 13 is formed on the surface of the C-type resist layer 18. Similar to the first embodiment, the A-type resist layer 13 is formed using a liquid resist or a dry film resist, and the thickness thereof is the same as the thickness of the protrusion 4. After the formation of the A-type resist layer 13, a resist pattern is formed on the A-type resist layer 13. The A-type resist layer 13 on which the resist pattern is formed becomes a part 13b of a plating mold used for plating a part of the probe main body 2 and the whole protrusion 4.
  • the part of the probe main body 2 in the plating mold part forming step A is a part located on the side of the protruding part 4 in the probe main body 2 from the viewpoint of the plating process, and a part having the same thickness as the thickness of the protruding part 4 It is.
  • the surface 13a of the A-type resist layer 13 and at least the surface 13a of the A-type resist layer 13 of the seed film 12 Apply hydrophilic treatment.
  • the content of the hydrophilic treatment is the same as the hydrophilic treatment in the first embodiment.
  • a B-type resist layer 14 is formed on the surface and above the plating molds 18b and 13b.
  • the thickness of the B-type resist layer 14 is equal to the thickness from the upper surface of the protrusion 4 to the upper surface of the probe body 2.
  • the plating mold part forming step D which is an optional step, is not performed, the thickness of the B-type resist layer 14 is not less than the thickness from the upper surface of the protrusion 4 to the upper surface of the probe body 2. Good.
  • a resist pattern is formed on the B-type resist layer 14 to form the remaining part 14b of the plating mold.
  • the plating mold remainder 14b is formed in advance on the B-type resist layer 14
  • a resist pattern is formed on the surface of the A-type resist layer 13 and the B-type resist layer 14 affixed above the plating mold. There is no need.
  • the surface 14a of the B-type resist layer 14 is subjected to a hydrophilic treatment.
  • This hydrophilic treatment is the same as in the first embodiment.
  • the hydrophilic treatment process B is an optional process, and is performed after the plating mold part forming process B and before the plating process.
  • the D-type resist layer 17 is formed by applying a dry film resist to the B-type resist layer 14 subjected to the hydrophilic treatment without thermocompression bonding. It is formed above the surface of the B-type resist layer 14 and the plating mold.
  • the D-type resist layer 17 serves as a lid that closes the upper openings of the plating dies 18b, 13b, and 14b formed by the steps up to the plating die partial formation step B.
  • this plating mold part forming step D is an optional step, as in the first embodiment, and is performed after the hydrophilic treatment step B and before the plating treatment step.
  • the plating mold completed after the completion of the plating mold part forming process D (after the completion of the plating mold part forming process B if the D-type resist layer 17 is not formed)
  • the probe 1B in which the protrusion 4 is overhanged is formed.
  • the B-type resist layer 14, the seed film 12, the A-type resist layer 13, the C-type resist layer 18 and the base layer 11 unnecessary for the probe 1B are removed.
  • the D-type resist layer 17 is also removed in this removal step.
  • the protruding portion 4 overhangs from the intermediate portion 2a near the tip 2c of the probe main body 2, and the probe main body 2 and the protruding portion. 4 is integrally formed by a single plating process. By this one plating process, it is possible to prevent the probe 1B from being broken due to interface peeling between the probe main body 2 and the protruding portion 4 as in the first embodiment.
  • the probe body 2 is bent with the probe body 2 as a cantilever and the protrusion 4 as a contact point.
  • the probe body 2 is bent with the probe body 2 as a cantilever and the protrusion 4 as a contact point.
  • the probe main body 2 is bent, as shown in FIG. 8, the rotation moment R in an undesired direction is not generated, and only the bending moment M is generated in a desired direction, so that the probe main body 2 is bent while being twisted. Can be prevented.
  • the plating mold part forming step C is performed after the base layer 11 forming step. Thereafter, as shown in FIGS. 6C to 6G, at least as in the first embodiment, at least a seed film 12 formation step, a plating mold part formation process A, a hydrophilic treatment process A, a plating mold part formation process B, and a plating treatment process. And a removal step is performed. Therefore, since the overhang position of the protrusion 4 at the tip 2c of the probe body 2 is formed at a position higher by the thickness of the C-type resist layer 18 in the plating part forming step C, the vicinity of the tip 2c of the probe body 2 is formed.
  • the protrusion part 4 can be formed in the intermediate part 2a.
  • the surface of the A-type resist layer 13 is subjected to a hydrophilic treatment so that the A-type resist layer 13 and the dry film resist are firmly fixed. It is possible to eliminate the thermocompression bonding of the dry film resist that causes the above. Further, when the seed film 12 is also subjected to a hydrophilic treatment, the development rinse and the plating solution can easily flow into the gap where the protrusion 4 is plated in the plating mold (the gap below the overhang portion of the plating mold). Can do. That is, by these actions, the protrusion 4 can be formed in a desired shape and size in the probe manufacturing method of the second embodiment.
  • a hydrophilic treatment step B and a plating mold part forming step D are performed as optional steps.
  • the D-type resist layer 17 functions as a lid for the plating molds 18b, 13b, and 14b, so that the plating thickness can be controlled by the inner dimensions of the plating mold. As a result, the dimensional accuracy of the probe 1B formed by plating can be improved.
  • the seed film 12 is made conductive and conductive when the seed film 12 forming process is performed before the plating mold part forming process A.
  • the same effects as those described in the first embodiment can be achieved.
  • the probe body 2 since the protrusion 4 overhangs from the intermediate portion 2a in the vicinity of the tip 2c of the probe body 2, the probe body 2 is used as a cantilever, and the protrusion When the probe main body 2 is bent with 4 as a contact point, the probe main body 2 can be prevented from being bent while being twisted.
  • the minute cantilever 3 may be replaced with the protruding portion of the second embodiment.

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Abstract

【課題】プローブ本体と微小カンチレバーとの間の結合力を向上させることができるとともに、プローブ本体からオーバーハングした微小カンチレバーを所望の形状や寸法に形成することができるプローブおよびプローブの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のプローブ１Ａにおいては、プローブ本体２および微小カンチレバー３が１回のめっき処理により一体形成される。また、本発明のプローブ１Ａの製造方法は、下地層形成工程、シード膜形成工程、めっき型部分形成工程Ａ、親水処理工程Ａ、めっき型部分形成工程Ｂ、めっき処理工程および除去工程を備える。上記の親水処理により、Ｂ型レジスト層１４となるドライフィルムレジストはＡ型レジスト層１３の表面１３ａに熱圧着させることなく粘着力のみにより固着している。

Description

プローブおよびプローブの製造方法
　本発明は、プローブおよびプローブの製造方法に係り、特に、チップテストやメモリテストなどの微細電極に接触して導通テストを行なう際に好適に利用できるプローブおよびプローブの製造方法に関する。
　一般的に、チップテストやメモリテストなどの微細電極に接触して導通テストを行なう際、プローブが用いられる。このプローブについては、テスト方法や耐久性向上などの観点から種々の形状が存在する。そのうちの１つの形状を採用したプローブの一例としては、図９に示すように、大きなプローブ本体（幅１００μｍ程度、厚さ４５μｍ程度）１０２の先端から微小カンチレバー（幅１０μｍ～１００μｍ程度、厚さ１０μｍ～１５μｍ程度）１０３をオーバーハングさせた形状のプローブ１０１が挙げられる。
　従来のプローブ１０１の製造方法としては、例えば、別部材接着法、２段階めっき法、切削形成法などが挙げられる。別部材接着法とは、プローブ本体１０２と微小カンチレバー１０３とを別々に形成してから接着剤により貼り合わせる方法である（特許文献１の段落００１９および図９を参照）。また、２段階めっき法とは、第１段階めっきとしてＡ型レジスト層に第１めっき型をパターニング形成してから微小カンチレバー１０３をめっき形成した後、第２段階めっきとしてＢ型レジスト層に第２めっき型をパターニング形成してからプローブ本体１０２をめっき形成する方法である。そして、切削形成法とは、プローブ本体１０２をめっき形成し、その先端をイオンミリングなどにより切削することにより微小カンチレバー１０３を削り出す方法である。
特開平９－２２９９４５号公報
　しかしながら、従来のプローブ１０１およびプローブ１０１の製造方法においては、次に示す種々の問題点が生じていたため、微小カンチレバー１０３が所望の性能を発揮することができないという問題があった。
　例えば、従来のプローブ１０１の製造方法の一例である切削形成法により製造された従来のプローブ１０１については、現状の切削精度が所望の精度よりも低いため、所望の寸法の微小カンチレバー１０３を得ることができないという問題があった。
　また、従来のプローブ１０１の製造方法の一例である別部材接着法または２段階めっき法により製造された従来のプローブ１０１については、プローブ本体１０２と微小カンチレバー１０３との間に界面が生じるため、界面剥離が生じてしまうという問題があった。
　ここで、２段階めっき法については、２段階でめっきを行なうから界面剥離の問題が生じるのであり、プローブ本体１０２と微小カンチレバー１０３とを一度にめっきする１段階めっき法を採用すれば界面剥離の問題も解消されるとも考えらえるが、これにも次のような問題点が生じていた。
　１段階めっき法によりプローブ１０１を製造する際、図１０に示すように、プローブ１０１をめっき形成するため、Ａ型レジスト層１１３およびＢ型レジスト層１１４に対する各レジストパターンにより形成されためっき型１１３ｂ、１１４ｂが必要になる。ここで、プローブ１０１は、プローブ本体１０２から微小カンチレバー１０３がオーバーハングしているため、必然的に、めっき型１１３ｂ、１１４ｂにもオーバーハング部１１４ｈが形成されることになる。このオーバーハング部１１４ｈの下方（シード膜１１２および下地層１１１の方向）は空洞のため、Ｂ型レジスト層１１４は予め固まっているドライフィルムレジストを用いて形成されることになる。
　しかし、従来のプローブ１０１の製造方法においては、ドライフィルムレジストは熱圧着を必要とするため、図１１に示すように、Ａ型レジスト層１１３に対するドライフィルムレジストの熱圧着時にオーバーハング部１１４ｈが熱により下方に湾曲変形し、オーバーハング部１１４ｈの下方の空洞を塞いでしまう。こうなると、レジストパターンに用いる現像リンスやめっき液がオーバーハング部１１４ｈの下方の空洞内に流動せず、現像残渣の残存やめっき液不足が生じるため、微小カンチレバー１０３を所望の形状や寸法に形成することができず、ひいては、微小カンチレバー１０３が所望の性能を発揮することができないという問題が生じていた。
　そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、プローブ本体と微小カンチレバーとの間の結合力を向上させることができるとともに、プローブ本体からオーバーハングした微小カンチレバーを所望の形状や寸法に形成することができるプローブおよびプローブの製造方法を提供することを本発明の目的としている。
　また、本発明は、プローブ本体と突出部（微小カンチレバーを含む）との間の結合力を向上させることができるとともに、プローブ本体の先端付近における上下左右のうちの一端を除いた中間部からオーバーハングした突出部を所望の形状や寸法に形成することができるプローブおよびプローブの製造方法を提供することを本発明の目的としている。
　前述した目的を達成するため、本発明のプローブの製造方法は、その第１の態様として、プローブ本体の先端から微小カンチレバーをオーバーハングさせた形状を採用したプローブを製造するための台板となる基板の表面に液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて下地層を形成する下地層形成工程と、下地層の表面に対して液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて微小カンチレバーの厚さと同程度の厚さを有するＡ型レジスト層を形成した後、Ａ型レジスト層に対してプローブ本体の一部および微小カンチレバー全体のめっき形成に用いるためのめっき型の一部を形成するめっき型部分形成工程Ａと、めっき型部分形成工程Ａの前後いずれか一方において下地層にシード膜を形成するシード膜形成工程と、めっき型部分形成工程Ａの後においてＡ型レジスト層の表面およびシード膜のうちの少なくともＡ型レジスト層の表面に対して親水処理を施す親水処理工程Ａと、親水処理が施されたＡ型レジスト層に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することによりプローブ本体の厚さから微小カンチレバーの厚さを除いた厚さと同等もしくはそれ以上の厚さを有するＢ型レジスト層をＡ型レジスト層の表面およびめっき型の一部の上方に形成した後、プローブ本体の残部のめっき形成に用いるためのめっき型の残部がＢ型レジスト層に予め形成されていない場合にはＢ型レジスト層にめっき型の残部を形成するめっき型部分形成工程Ｂと、めっき型部分形成工程Ｂの終了により完成しためっき型およびシード膜を用いてめっき処理を行なうことにより、微小カンチレバーをオーバーハングさせたプローブを形成するめっき処理工程と、Ｂ型レジスト層、プローブにとって不要なシード膜、Ａ型レジスト層および下地層を除去する除去工程とを備えていることを特徴としている。
　本発明の第１の態様のプローブの製造方法によれば、Ａ型レジスト層の表面に親水処理を施し、Ａ型レジスト層とドライフィルムレジストとを強固に固着させたので、めっき型のオーバーハング部の湾曲変形の原因となるドライフィルムレジストの熱圧着を排除することができる。また、シード膜にも親水処理を施した場合、めっき型において微小カンチレバーがめっき形成される隙間（めっき型のオーバーハング部の下方の隙間）に現像リンスおよびめっき液を流動させやすくすることができる。これにより、微小カンチレバーを所望の形状や寸法に形成することができる。
　本発明の第２の態様のプローブの製造方法は、プローブ本体の先端付近の中間部から突出部をオーバーハングさせた形状を採用したプローブを製造するための台板となる基板の表面に液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて下地層を形成する下地層形成工程と、下地層の表面に対して液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いてプローブ本体の下面から突出部の下面までの厚さと同程度の厚さを有するＣ型レジスト層を形成した後、Ｃ型レジスト層に対してプローブ本体の一部をめっき形成するために用いるめっき型の一部を形成するめっき型部分形成工程Ｃと、Ｃ型レジスト層の表面に対して液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて突出部の厚さと同程度の厚さを有するＡ型レジスト層を形成した後、Ａ型レジスト層に対してプローブ本体の一部および突出部の全体をめっき形成するために用いるめっき型の一部を形成するめっき型部分形成工程Ａと、めっき型部分形成工程Ｃの前からめっき型部分形成工程Ａの後までのいずれかにおいて下地層にシード膜を形成するシード膜形成工程と、めっき型部分形成工程Ａの後においてＡ型レジスト層の表面およびシード膜のうちの少なくともＡ型レジスト層の表面に対して親水処理を施す親水処理工程Ａと、親水処理が施されたＡ型レジスト層に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することにより突出部の上面からプローブ本体の上面までの厚さと同等もしくはそれ以上の厚さを有するＢ型レジスト層をＡ型レジスト層の表面およびめっき型の上方に形成した後、プローブ本体の残部のめっき形成に用いるためのめっき型の残部がＢ型レジスト層に予め形成されていない場合にはＢ型レジスト層にめっき型の残部を形成するめっき型部分形成工程Ｂと、めっき型部分形成工程Ｂの終了により完成しためっき型およびシード膜を用いてめっき処理を行なうことにより、突出部をオーバーハングさせたプローブを形成するめっき処理工程と、Ｂ型レジスト層、プローブにとって不要なシード膜、Ａ型レジスト層、Ｃ型レジスト層および下地層を除去する除去工程とを備えていることを特徴としている。
　本発明の第２の態様のプローブの製造方法によれば、Ａ型レジスト層の表面に親水処理を施し、Ａ型レジスト層とドライフィルムレジストとを強固に固着させたので、めっき型のオーバーハング部の湾曲変形の原因となるドライフィルムレジストの熱圧着を排除することができる。また、シード膜にも親水処理を施した場合、めっき型において突出部がめっき形成される隙間（めっき型のオーバーハング部の下方の隙間）に現像リンスおよびめっき液を流動させやすくすることができる。これにより、突出部を所望の形状や寸法に形成することができる。さらに、本製造方法はめっき型部分形成工程Ｃを備えているので、プローブ本体の先端付近における中間部に突出部を形成することができる。
　本発明の第３の態様のプローブの製造方法は、第１または第２の態様のプローブの製造方法において、めっき型部分形成工程Ｂの後であってめっき処理工程の前においてＢ型レジスト層の表面に対して親水処理を施す親水処理工程Ｂと、親水処理工程Ｂの後であってめっき処理工程の前において、親水処理が施されたＢ型レジスト層に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することにより、めっき型部分形成工程Ｂまでの工程により形成されためっき型の上方開口部を閉じる蓋となるＤ型レジスト層をＢ型レジスト層の表面およびめっき型の上方に形成するめっき型部分形成工程Ｄとを備えており、　めっき型部分形成工程ＢにおけるＢ型レジスト層の厚さは、プローブ本体の厚さから微小カンチレバーの厚さを除いた厚さまたは突出部の上面からプローブ本体の上面までの厚さと同等に形成されており、めっき処理工程におけるめっき処理は、めっき型部分形成工程Ｄの終了後に行ない、除去工程においては、Ｄ型レジスト層の除去も併せて行なうことを特徴としている。
　本発明の第３の態様のプローブの製造方法によれば、めっき型に蓋の機能を果たすＤ型レジスト層が形成されているので、めっきの厚みをめっき時間でなくめっき型の内側寸法により制御することができる。これにより、めっき形成されたプローブの寸法精度を向上させることができる。
　本発明の第４の態様のプローブの製造方法は、第１から第３の態様のうちの１の態様のプローブの製造方法において、親水処理は、プラズマエッチング処理であることを特徴としている。
　本発明の第４の態様のプローブの製造方法によれば、Ａ型レジスト層の表面が粗くなってその表面にアンカー効果が生じるので、Ａ型レジスト層とドライフィルムレジストとの固着力を向上させることができる。
　本発明の第５の態様のプローブの製造方法は、第１から第３の態様のうちの１の態様のプローブの製造方法において、親水処理は、親水性に優れた金属膜をＡ型レジスト層の表面に成膜する金属膜生成処理であることを特徴としている。
　本発明の第５の態様のプローブの製造方法によれば、Ａ型レジスト層の表面が滑らかになり、その表面の接着面積が拡大するので、Ａ型レジスト層とドライフィルムレジストとの固着力を向上させることができる。
　本発明の第６の態様のプローブの製造方法は、第１から第５のいずれか１の態様のプローブの製造方法において、シード膜形成工程は、めっき型部分形成工程Ａの前に行なわれることを特徴としている。
　本発明の第６の態様のプローブの製造方法によれば、下地層の表面が滑らかになり、その表面の接着面積が拡大するので、下地層とＡ型レジスト層との固着力を向上させることができる。
　本発明の第７の態様のプローブの製造方法は、第１から第６のいずれか１の態様のプローブの製造方法において、シード膜は、導電性および親水性に優れた金属膜であることを特徴としている。
　本発明の第７の態様のプローブの製造方法によれば、シード膜に親水処理を施した場合と同様、微小カンチレバーの型となるめっき型の隙間に現像リンスおよびめっき液が流動しやすくなるので、微小カンチレバーを所望の形状や寸法に形成することができる。
　また、前述した目的を達成するため、本発明のプローブは、その第１の態様として、プローブ本体と、プローブ本体の先端からオーバーハングさせた微小カンチレバーとを備えており、プローブ本体および微小カンチレバーは、１回のめっき処理により一体形成されていることを特徴としている。
　本発明の第１の態様のプローブによれば、プローブ本体および微小カンチレバーが１回のめっき処理により一体形成されているので、プローブ本体と微小カンチレバーとの間に界面が生じることを防止することができる。
　本発明の第２の態様のプローブは、第１の態様のプローブにおいて、微小カンチレバーは、プローブ本体の先端における一端からオーバーハングしていることを特徴としている。
　本発明の第３の態様のプローブは、プローブ本体と、プローブ本体の先端付近の中間部からオーバーハングしている突出部とを備えており、プローブ本体および突出部は、１回のめっき処理により一体形成されていることを特徴としている。ここで、本発明の第１の態様のプローブに限定した事項で述べた場合、本発明の第３の態様のプローブは、第１の態様のプローブにおいて、微小カンチレバーは、プローブ本体の先端付近の中間部からオーバーハングしていることを特徴としているとも言いかえることができる。
　なお、突出部とは、その一端がプローブ本体に固定され、その他端が自由端となってプローブ本体から突出している部分であって、微小カンチレバーおよびカンチレバー機能を有しない単なる突起部の両方を含むものである。
　本発明の第３の態様のプローブによれば、プローブ本体および突出部が１回のめっき処理により一体形成されているので、プローブ本体と突出部との間に界面が生じることを防止することができる。
　本発明のプローブによれば、プローブ本体と微小カンチレバーとの間に界面が生じることを防止したため、プローブ本体と微小カンチレバーとの間の結合力を向上させることができる。
　また、本発明のプローブによれば、突出部がプローブ本体の先端付近における中間部からオーバーハングしているので、プローブ本体をカンチレバーとし、突出部を接触点としてプローブ本体が曲げられた際に、プローブ本体がねじれながら曲がることを防止することができる。
　また、本発明のプローブおよびその製造方法によれば、めっき型のオーバーハング部の湾曲変形を防止してそのめっき型を所望の形状に形成し、また、現像リンスやめっき液の流動性を向上させたので、界面剥離や寸法精度などの種々の問題を解決し、プローブ本体からオーバーハングした微小カンチレバーもしくは突出部を所望の形状や寸法に形成することができるという効果を奏する。
本発明における第１の実施形態のプローブの製造方法をＡからＧの順に示す縦断面図 第１の実施形態の親水処理の一例（プラズマエッチング処理）を示す縦断面図 第１の実施形態の親水処理の一例（金属膜形成処理）を示す縦断面図 第１の実施形態のプローブの製造方法においてＢ型レジスト層の表面にＤ型レジスト層を形成した状態を示す縦断面 第２の実施形態のプローブの一例を図中ＡまたはＢにおいて示す斜視図 第２の実施形態のプローブの製造方法をＡからＧの順に示す縦断面図 突出部がカンチレバー本体の先端の端部に形成されたカンチレバーの曲げ状態を示す斜視面 突出部がカンチレバー本体の先端の端部に形成されたカンチレバーの曲げ状態を示す斜視面 プローブ本体の先端における下端から微小カンチレバーがオーバーハングしたプローブの形状を示す斜視図 従来のプローブの製造方法において用いられるめっき型の一例を示す縦断面図 従来のプローブの製造方法において用いられるめっき型の問題点を示す縦断面図
　以下、本発明のプローブおよびプローブの製造方法をその一実施形態により説明する。
　はじめに、第１の実施形態のプローブを説明する。
　第１の実施形態のプローブ１Ａは、参考図である図９に示すように、プローブ本体２および微小カンチレバー３を備えている。プローブ本体２および微小カンチレバー３の寸法や形状は従来通りである。また、プローブ本体２および微小カンチレバー３は、従来とは異なり、１回のめっき処理により一体形成されている。めっき材としては、例えば、Ｎｉ－Ｐなどばね性に優れた金属が選択されている。プローブ１Ａの導電性の向上のため、プローブ１Ａの表面に導電性に優れた金属を成膜してもよい。
　次に、第１の実施形態のプローブ１Ａの製造方法を説明する。
　第１の実施形態のプローブ１Ａの製造方法は、図１Ａ～Ｇに示すように、下地層形成工程、シード膜形成工程、めっき型部分形成工程Ａ、親水処理工程Ａ、めっき型部分形成工程Ｂ、めっき処理工程および除去工程を備えている。
　下地層形成工程においては、図１Ａに示すように、台板となる基板１０の表面に均一の厚さの下地層１１を形成する。下地層１１は除去工程において除去するので、液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて形成する。
　シード膜形成工程においては、図１Ｂに示すように、下地層１１の表面に均一の厚さのシード膜１２をスパッタなどの成膜装置を用いて形成する。このシード膜形成工程は、めっき型部分形成工程Ａの前後いずれか一方において行なわれていればよい。第１の実施形態のシード膜形成工程は、図１Ｂに示すように、めっき型部分形成工程Ａの前に行なわれている。シード膜１２としては、Ｃｕなどの導電性および親水性に優れた金属膜が選択されていることが好ましい。
　めっき型部分形成工程Ａにおいては、下地層１１の上面にＡ型レジスト層１３を均一の厚さに形成する（図１Ｃを参照）。Ａ型レジスト層１３は、液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて形成する。このＡ型レジスト層１３の厚さは微小カンチレバー３の厚さと同程度の厚さ、すなわち１０μｍ～１５μｍ程度の極めて薄い厚さに設定するため、作りやすさの観点から液状レジストを用いてＡ型レジスト層１３を形成することが好ましい。
　また、めっき型部分形成工程Ａにおいては、図１Ｃに示すように、Ａ型レジスト層１３にめっき型の一部１３ｂとなるレジストパターンを形成する。めっき型の一部１３ｂは、プローブ本体２の一部および微小カンチレバー３全体のめっき形成に用いられる。プローブ本体２の一部とは、めっきプロセスの観点から、プローブ本体２の下面から微小カンチレバー３の厚さと同程度の高さまでの部分のことである。
　なお、前述のシード膜形成工程がめっき型部分形成工程Ａの後に行なわれた場合は、下地層１１とＡ型レジスト層１３との間にシード膜１２は形成されずに、Ａ型レジスト層１３のめっき型の一部１３ｂから露出した下地層１１の表面にのみシード膜１２が形成される。
　親水処理工程Ａにおいては、図１Ｄに示すように、Ａ型レジスト層１３の表面１３ａに対して親水処理を施す。親水処理工程Ａは、めっき型部分形成工程Ａの後に行なわれていればよい。したがって、他の実施形態においては、めっき型部分形成工程Ａ、親水処理工程Ａ、シード膜形成工程の順に各工程が行なわれても良い。また、第１の実施形態のように、めっき型部分形成工程Ａおよびシード膜形成工程の後に親水処理工程Ａが行なわれる場合においては、Ａ型レジスト層１３の表面１３ａだけでなく、シード膜１２に対しても親水処理が行なわれても良い。
　親水処理としては、種々の処理が挙げられる。例えば、図２に示すように、Ａ型レジスト層１３の表面１３ａを粗くするプラズマエッチング処理であってもよいし、図３に示すように、親水性に優れた金属膜１５をＡ型レジスト層１３の表面１３ａに成膜する金属膜生成処理であってもよい。前述のシード膜形成工程をめっき型部分形成工程Ａの後または前後両方に行なう場合、金属膜生成処理により生成される金属膜１５はめっき型部分形成工程Ａ後に形成されるシード膜１２と同時にスパッタなどの成膜装置を用いて形成されると金属膜生成処理の手間が省ける。なお、第１の実施形態の親水処理としては、プラズマエッチング処理が選択されている。エッチングガスとしては、金属膜１５とのエッチング選択性の良さから、Ｏ２ガスが選択されている。
　めっき型部分形成工程Ｂにおいては、親水処理が施されたＡ型レジスト層１３にドライフィルムレジストを貼付し、Ａ型レジスト層１３の表面１３ａおよびめっき型の一部１３ｂの上方にＢ型レジスト層１４を形成する（図１Ｅを参照）。ドライフィルムレジストはその粘着層の粘着力のみによって貼付されており、その熱圧着は行なわれない。Ｂ型レジスト層１４となるドライフィルムレジストの厚さは、プローブ本体２の厚さから微小カンチレバー３の厚さを除いた厚さと同等もしくはそれ以上の厚さに設定されている。
　また、めっき型部分形成工程Ｂにおいては、図１Ｅに示すように、Ｂ型レジスト層１４にめっき型の残部１４ｂとなるレジストパターンを形成する。めっき型の残部１４ｂは、プローブ本体２の残部のめっき形成に用いられる。プローブ本体２の残部とは、めっきプロセスの観点から、プローブ本体２全体から前述したプローブ本体２の一部を除いた部分のことである。なお、めっき型の残部１４ｂがＢ型レジスト層１４となるドライフィルムレジストの厚さに予め形成されている場合、ドライフィルムレジストの貼付後にめっき型の残部１４ｂを形成する必要はない。
　めっき処理工程においては、図１Ｆに示すように、めっき型の一部１３ｂおよび残部１４ｂからなる完成しためっき型１３ｂ、１４ｂの内部にめっき液を充填した後、シード膜１２に電気を加えてめっき処理を行なう。これにより、シード膜１２からめっき成長し、微小カンチレバー３をオーバーハングさせたプローブ１Ａが形成される。めっき材としては、例えば、Ｎｉ－Ｐなどばね性に優れた金属が選択されている。
　除去工程においては、図１Ｇに示すように、Ｂ型レジスト層１４、プローブ１Ａにとって不要なシード膜１２、Ａ型レジスト層１３および下地層１１など、プローブ１Ａにとって不要なものを除去する。Ｂ型レジスト層１４、不要なシード膜１２、Ａ型レジスト層１３および下地層１１は、１種ずつ順に除去しても良いし、レジストの一括除去後にシード膜１２を除去しても良い。
　なお、プローブ１Ａの導電性の向上のため、除去工程後においてプローブ１Ａの表面に導電性に優れた金属を成膜してもよい。
　また、第１の実施形態のプローブの製造方法においては、任意の工程として、親水処理工程Ｂおよびめっき型部分形成工程Ｄを備えていることが好ましい。この場合、Ｂ型レジスト層１４の厚さはプローブ本体２の厚さから微小カンチレバー３の厚さを除いた厚さと同等に設定しておく。また、親水処理工程Ｂおよびめっき型部分形成工程Ｄは、めっき型部分形成工程Ｂの後であってめっき処理工程の前に行なわれる。
　親水処理工程Ｂにおいては、図４に示すように、Ｂ型レジスト層１４の表面１４ａに対して親水処理を施す。親水処理の内容は、親水処理工程Ａにおいて行なわれた親水処理と同じである。
　また、めっき型部分形成工程Ｄにおいては、図４に示すように、親水処理が施されたＢ型レジスト層１４に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付する。この貼付方法はめっき型部分形成工程ＢにおけるＢ型レジスト層１４の貼付方法と同じである。これにより、Ｄ型レジスト層１７がＢ型レジスト層１４の表面１４ａおよびめっき型１３ｂ、１４ｂの上方に形成される。めっき型部分形成工程Ｂまでの工程により形成されためっき型１３ｂ、１４ｂは上方開口部を有しているので、Ｄ型レジスト層１７はそのめっき型１３ｂ、１４ｂを閉じる蓋となる。なお、Ｄ型レジスト層１７の形成によりめっき型１３ｂ、１４ｂが密封されてしまう場合、めっき型１３ｂ、１４ｂの一部にめっき液を注入する注入口を設けておくことが好ましい。
　そして、めっき型部分形成工程Ｄの終了後、めっき処理工程においてめっき処理を行ない、除去工程においてＤ型レジスト層１７の除去も併せて行なう。
　次に、第１の実施形態のプローブ１Ａの作用を説明する。
　第１の実施形態のプローブ１Ａにおいて、プローブ本体２および微小カンチレバー３が１回のめっき処理により一体形成されている。そのため、従来のように、プローブ本体２と微小カンチレバー３との間に界面が生じないので、それらの間から界面剥離によりプローブ１Ａが破壊されることを防止することができる。
　すなわち、第１の実施形態のプローブ１Ａによれば、プローブ本体２と微小カンチレバー３との間に界面が生じることを防止したため、プローブ本体２と微小カンチレバー３との間の結合力を向上させることができる。
　次に、第１の実施形態のプローブ１Ａの製造方法の作用を説明する。
　第１の実施形態のプローブ１Ａの製造方法においては、図１Ｄに示すように、Ａ型レジスト層１３の表面１３ａに親水処理を施したので、ドライフィルムレジストを熱圧着することなく、ドライフィルムレジストの粘着力のみによってＡ型レジスト層１３とドライフィルムレジストとを強固に固着させることができる。これにより、めっき型のオーバーハング部１４ｈが熱により湾曲変形することを防止することができるので、めっき型１３ｂにおいて微小カンチレバー３がめっき形成される隙間、すなわち、めっき型のオーバーハング部１４ｈの下方の空洞を塞いでしまうことを防止することができる。
　また、第１の実施形態の親水処理工程Ａにおいて、めっき型１３ｂ、１４ｂにおいて微小カンチレバー３がめっき形成される隙間、すなわち、めっき型のオーバーハング部１４ｈの下方の隙間に現像リンスおよびめっき液を流動させやすくすることができる。これにより、微小カンチレバー３を所望の形状や寸法に形成することができる。
　また、上記の親水処理は、図２に示すように、プラズマエッチング処理であることが好ましい。これにより、Ａ型レジスト層１３の表面１３ａが粗くなり、その表面にアンカー効果が生じるので、Ａ型レジスト層１３とドライフィルムレジストとの固着力を向上させることができる。
　他方、上記の親水処理は、図３に示すように、親水性に優れた金属膜１５をＡ型レジスト層１３の表面１３ａに成膜する金属膜生成処理であってもよい。これにより、Ａ型レジスト層１３の表面１３ａが滑らかになり、その表面の接着面積が拡大するので、Ａ型レジスト層１３とドライフィルムレジストとの固着力を向上させることができる。
　さらに、シード膜形成工程は、図１Ｂに示すように、めっき型部分形成工程Ａの前に行なわれることが好ましい。めっき型部分形成工程Ａの前にシード膜１２を形成することにより、下地層１１とＡ型レジスト層１３との間にシード膜１２が形成される。下地層１１の全表面にシード膜１２が形成されると、下地層１１の表面が滑らかになり、その表面の接着面積が拡大するので、下地層１１とＡ型レジスト層１３との固着力を向上させることができる。
　そして、上記のシード膜１２は、導電性および親水性に優れた金属膜であることが好ましい。これにより、シード膜１２に親水処理を施した場合と同様、めっき型１３ｂにおいて微小カンチレバー３が形成される隙間に現像リンスおよびめっき液が流動しやすくなるので、微小カンチレバー３を所望の形状や寸法に形成することができる。
　また、第１の実施形態のプローブの製造方法において、任意の工程である親水処理工程Ｂおよびめっき型部分形成工程Ｄがめっき型部分形成工程Ｂの後であってめっき処理工程の前に行なわれる場合、Ｄ型レジスト層１７がめっき型１３ｂ、１４ｂに対する蓋の機能を果たす。通常のめっき処理を行なう場合、めっきの厚みを制御する要素はめっき時間であるため、めっきの厚みを精密に制御することが困難である。しかし、図４に示すように、Ｄ型レジスト層１７はめっき型１３ｂ、１４ｂに対する蓋の機能を果たす場合、めっきの厚みがＤ型レジスト層１７に到達する程度のめっき時間が経過すれば、それ以上にめっき時間を長くしてもＤ型レジスト層１７がめっきの厚みを制御する。つまり、第１の実施形態のプローブの製造方法によれば、めっきの厚みをめっき時間ではなくめっき型１３ｂ、１４ｂの内側寸法により制御することができるので、めっき形成されたプローブの寸法精度を向上させることができる。
　すなわち、第１の実施形態のプローブ１Ａの製造方法によれば、めっき型１３ｂ、１４ｂのオーバーハング部１４ｈの湾曲変形を防止してそのめっき型１３ｂ、１４ｂを所望の形状に形成し、また、現像リンスやめっき液の流動性を向上させたので、界面剥離や寸法精度などの種々の問題を解決し、プローブ本体２からオーバーハングした微小カンチレバー３を所望の形状や寸法に形成することができるという作用効果を奏する。
　次に、第２の実施形態のプローブを説明する。
　第２の実施形態のプローブ１Ｂは、図５ＡおよびＢに示すように、プローブ本体２および突出部４を備えている。突出部４とは、その一端がプローブ本体２に固定され、その他端が自由端となってプローブ本体２から突出している部分である。したがって、第２の実施形態の突出部４は、図５Ａに示した微小カンチレバーだけでなく、図５Ｂに示したカンチレバー機能を有しない単なる突起部の両方を含むものである。
　第２の実施形態におけるプローブ本体２および突出部４は、第１の実施形態と同様、１回のめっき処理により一体形成されている。めっき材としては、例えば、Ｎｉ－Ｐなどばね性に優れた金属が選択されている。プローブ１Ｂの導電性の向上のため、プローブ１Ｂの表面に導電性に優れた金属を成膜してもよい。
　その一方で、第１の実施形態と異なる点はプローブ本体２の先端２ｃ付近における突出部４のオーバーハング位置である。第１の実施形態の微小カンチレバー３は、参考図である図９に示すように、プローブ本体２の先端２ｃにおける下端（プローブ本体２の向きを変更することにより、この下端は、上端、左端または右端にもなる。すなわち、プローブ本体２の先端２ｃにおける一端２ｂであればどこでも良い。）からオーバーハングしている。しかし、第２の実施形態の突出部４は、図５ＡおよびＢに示すように、プローブ本体２の先端２ｃ付近の中間部２ａからオーバーハングしている。
　なお、プローブ本体２の先端２ｃ付近の中間部２ａとは、例えば、図５Ａに示すように、プローブ本体２の先端面において各端部２ｂを除いた部分、または、図５Ｂに示すように、プローブ本体２の先端２ｃもしくは先端２ｃに隣位する領域において曲げ方向に対する幅方向の両端２ｂを除いた部分をいう。
　次に、第２の実施形態のプローブの製造方法を説明する。
　第２の実施形態のプローブ１Ｂの製造方法は、図６ＡからＧの順に示すように、下地層１１形成工程、めっき型部分形成工程Ｃ、シード膜１２形成工程、めっき型部分形成工程Ａ、親水処理工程Ａ、めっき型部分形成工程Ｂ、親水処理工程Ｂ、めっき型部分形成工程Ｄ、めっき処理工程および除去工程を備えている。上記工程のうち、第１の実施形態と大きく異なる工程はめっき型部分形成工程Ｃである。また、第１の実施形態と同様、親水処理工程Ｂおよびめっき型部分形成工程Ｄは任意の工程である。
　なお、第２の実施形態のプローブの製造方法においては、図６Ｇに示すように、突出部４が例えば左方にオーバーハングするように形成される。そのため、例えば図５Ｂに示したプローブ１Ｂの場合、突出部４が図６Ｇの左方にオーバーハングするようにプローブ１Ｂの向きを変えた状態で形成される。
　下地層１１形成工程においては、図６Ａに示すように、基板１０の表面に液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて下地層１１を形成する。
　めっき型部分形成工程Ｃにおいては、図６Ｂに示すように、下地層１１の表面に対して液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いてＣ型レジスト層１８を均一の厚さに形成する。このＣ型レジスト層１８の厚さは、めっきプロセスの観点から、プローブ１Ｂ本体の下面から突出部４の下面までの厚さと同程度の厚さに設定されている。Ｃ型レジスト層１８の形成後、Ｃ型レジスト層１８に対してプローブ本体２の一部をめっき形成するために用いるめっき型の一部となるレジストパターンを形成する。めっき型の一部１８ｂは、プローブ本体２の下部のめっき形成に用いられる。
　なお、シード膜１２形成工程がめっき型部分形成工程Ｃの後に行なわれた場合、下地層１１とＣ型レジスト層１８との間にシード膜１２は形成されず、Ｃ型レジスト層１８のめっき型の一部１８ｂから露出した下地層１１の表面にのみシード膜１２が形成される。
　シード膜１２形成工程においては、めっき型部分形成工程Ｃの前からめっき型部分形成工程Ａの後までのいずれかにおいて下地層１１にシード膜１２を形成する。シード膜１２形成工程は、図６Ａに示すように、めっき型部分形成工程Ｃの前に行なわれることが好ましい。また、シード膜１２は、第１の実施形態と同様、導電性および親水性に優れた金属膜であることが好ましい。
　めっき型部分形成工程Ａにおいては、図６Ｃに示すように、Ｃ型レジスト層１８の表面にＡ型レジスト層１３を形成する。Ａ型レジスト層１３は、第１の実施形態と同様、液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて形成されており、その厚さは突出部４の厚さと同じ厚さである。そのＡ型レジスト層１３の形成後、Ａ型レジスト層１３に対してレジストパターンを形成する。レジストパターンが形成されたＡ型レジスト層１３は、プローブ本体２の一部および突出部４の全体をめっき形成するために用いるめっき型の一部１３ｂとなる。めっき型部分形成工程Ａにおけるプローブ本体２の一部とは、めっきプロセスの観点から、プローブ本体２において突出部４の側方に位置する部分であって突出部４の厚さと同じ厚さの部分である。
　親水処理工程Ａにおいては、図６Ｃに示すように、めっき型部分形成工程Ａの後においてＡ型レジスト層１３の表面１３ａおよびシード膜１２のうちの少なくともＡ型レジスト層１３の表面１３ａに対して親水処理を施す。親水処理の内容は、第１の実施形態における親水処理と同じである。
　めっき型部分形成工程Ｂにおいては、図６Ｄに示すように、親水処理が施されたＡ型レジスト層１３に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することにより、Ａ型レジスト層１３の表面およびめっき型１８ｂ、１３ｂの上方にＢ型レジスト層１４を形成する。Ｂ型レジスト層１４の厚さは、突出部４の上面からプローブ本体２の上面までの厚さと同等である。ただし、任意の工程であるめっき型部分形成工程Ｄを行なわない場合、Ｂ型レジスト層１４の厚さは、突出部４の上面からプローブ本体２の上面までの厚さ以上の厚さであればよい。そして、Ｂ型レジスト層１４の形成後、Ｂ型レジスト層１４にレジストパターンを形成することによりめっき型の残部１４ｂを形成する。なお、Ｂ型レジスト層１４にめっき型の残部１４ｂが予め形成されている場合、Ａ型レジスト層１３の表面およびめっき型の上方に貼付されたＢ型レジスト層１４に対してレジストパターンを形成する必要はない。
　親水処理工程Ｂにおいては、図６Ｄに示すように、Ｂ型レジスト層１４の表面１４ａに対して親水処理が施される。この親水処理は第１の実施形態と同様である。また、この親水処理工程Ｂは、任意の工程であり、めっき型部分形成工程Ｂの後であってめっき処理工程の前において行なわれる。
　めっき型部分形成工程Ｄにおいては、図６Ｅに示すように、親水処理が施されたＢ型レジスト層１４に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することにより、Ｄ型レジスト層１７をＢ型レジスト層１４の表面およびめっき型の上方に形成する。このＤ型レジスト層１７は、第１の実施形態と同様、めっき型部分形成工程Ｂまでの工程により形成されためっき型１８ｂ、１３ｂ、１４ｂの上方開口部を閉じる蓋となる。また、このめっき型部分形成工程Ｄは、第１の実施形態と同様、任意の工程であり、親水処理工程Ｂの後であってめっき処理工程の前において行なわれる。
　めっき処理工程においては、図６Ｆに示すように、めっき型部分形成工程Ｄの終了後（Ｄ型レジスト層１７を形成しない場合にはめっき型部分形成工程Ｂの終了後）により完成しためっき型およびシード膜１２を用いてめっき処理を行なうことにより、突出部４をオーバーハングさせたプローブ１Ｂを形成する。
　除去工程においては、図６Ｇに示すように、Ｂ型レジスト層１４、プローブ１Ｂにとって不要なシード膜１２、Ａ型レジスト層１３、Ｃ型レジスト層１８および下地層１１を除去する。Ｄ型レジスト層１７を形成した場合、この除去工程においてＤ型レジスト層１７も併せて除去する。
　次に、第２の実施形態のプローブの作用効果を説明する。
　第２の実施形態のプローブ１Ｂにおいては、図５ＡまたはＢに示すように、プローブ本体２の先端２ｃ付近の中間部２ａから突出部４がオーバーハングしており、かつ、プローブ本体２および突出部４が１回のめっき処理により一体形成されている。この１回のめっき処理により、第１の実施形態と同様、プローブ本体２と突出部４との間から界面剥離が生じてプローブ１Ｂが破壊されることを防止することができる。
　また、従来のように、突出部４がプローブ本体２の先端２ｃ付近における端部２ｂからオーバーハングしている場合、プローブ本体２をカンチレバーとし、突出部４を接触点としてプローブ本体２が曲げられた際、図７に示すように、所望する方向への曲げモーメントＭだけでなく、その他の方向への回転モーメントＲが発生するため、プローブ本体２がねじれながら曲がってしまう。しかし、第２の実施形態のプローブ１Ｂにおいては、突出部４がプローブ本体２の先端２ｃ付近における中間部２ａからオーバーハングしているので、プローブ本体２をカンチレバーとし、突出部４を接触点としてプローブ本体２が曲げられた際、図８に示すように、所望しない方向への回転モーメントＲが発生せず、所望する方向への曲げモーメントＭだけ発生するので、プローブ本体２がねじれながら曲がることを防止することができる。
　次に、第２の実施形態のプローブの製造方法の作用効果を説明する。
　第２の実施形態のプローブの製造方法においては、図６ＡおよびＢの順に示すように、下地層１１形成工程の後にめっき型部分形成工程Ｃが行なわれる。その後、図６Ｃ乃至Ｇの順に示すように、第１の実施形態と同様、少なくとも、シード膜１２形成工程、めっき型部分形成工程Ａ、親水処理工程Ａ、めっき型部分形成工程Ｂ、めっき処理工程および除去工程が行なわれる。そのため、プローブ本体２の先端２ｃにおける突出部４のオーバーハング位置がめっき型部分形成工程ＣにおけるＣ型レジスト層１８の厚さ分だけ高い位置に形成されるため、プローブ本体２の先端２ｃ付近における中間部２ａに突出部４を形成することができる。
　また、第１の実施形態と同様、Ａ型レジスト層１３の表面に親水処理を施し、Ａ型レジスト層１３とドライフィルムレジストとを強固に固着させたので、めっき型のオーバーハング部の湾曲変形の原因となるドライフィルムレジストの熱圧着を排除することができる。さらに、シード膜１２にも親水処理を施した場合、めっき型において突出部４がめっき形成される隙間（めっき型のオーバーハング部の下方の隙間）に現像リンスおよびめっき液を流動させやすくすることができる。つまり、これらの作用により、第２の実施形態のプローブの製造方法においては、突出部４を所望の形状や寸法に形成することができる。
　また、第２の実施形態のプローブの製造方法においては、図６ＤおよびＥの順に示すように、任意の工程として、親水処理工程Ｂおよびめっき型部分形成工程Ｄが行なわれる。これにより、第１の実施形態と同様、Ｄ型レジスト層１７がめっき型１８ｂ、１３ｂ、１４ｂの蓋の機能を果たすので、めっきの厚みをめっき型の内側寸法により制御することができる。その結果、めっき形成されたプローブ１Ｂの寸法精度を向上させることができる。
　なお、第２の実施形態において、親水処理がプラズマエッチング処理または金属膜生成処理である場合、シード膜１２形成工程がめっき型部分形成工程Ａの前に行なわれる場合、シード膜１２が導電性および親水性に優れた金属膜である場合については、第１の実施形態において説明した作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
　すなわち、第２の実施形態のプローブ１Ｂおよびその製造方法によれば、突出部４がプローブ本体２の先端２ｃ付近における中間部２ａからオーバーハングしているので、プローブ本体２をカンチレバーとし、突出部４を接触点としてプローブ本体２が曲げられた際に、プローブ本体２がねじれながら曲がることを防止することができる。
　なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
　例えば、第１の実施形態においては、微小カンチレバー３を第２の実施形態の突出部に置換しても良い。
　１　プローブ
　２　プローブ本体
　２ａ　（プローブ本体の先端における）中間部
　２ｂ　（プローブ本体の先端における）各端部または両端
　２ｃ　（プローブ本体の）先端
　３　微小カンチレバー
　４　突出部
　１０　基板
　１１　下地層
　１２　シード膜
　１３　Ａ型レジスト層
　１３ａ　表面
　１３ｂ　めっき型の一部
　１４　Ｂ型レジスト層
　１４ｂ　めっき型の残部
　１５　金属膜
　１７　Ｄ型レジスト層
　１８　Ｃ型レジスト層
　１８ｂ　めっき型の一部

Claims (10)

  1. 　プローブ本体の先端から微小カンチレバーをオーバーハングさせた形状を採用したプローブを製造するための台板となる基板の表面に液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて下地層を形成する下地層形成工程と、
    　前記下地層の表面に対して液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて前記微小カンチレバーの厚さと同程度の厚さを有するＡ型レジスト層を形成した後、前記Ａ型レジスト層に対して前記プローブ本体の一部および微小カンチレバー全体のめっき形成に用いるためのめっき型の一部を形成するめっき型部分形成工程Ａと、
    　前記めっき型部分形成工程Ａの前後いずれか一方において前記下地層にシード膜を形成するシード膜形成工程と、
    　前記めっき型部分形成工程Ａの後において前記Ａ型レジスト層の表面および前記シード膜のうちの少なくとも前記Ａ型レジスト層の表面に対して親水処理を施す親水処理工程Ａと、
    　前記親水処理が施された前記Ａ型レジスト層に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することにより前記プローブ本体の厚さから前記微小カンチレバーの厚さを除いた厚さと同等もしくはそれ以上の厚さを有するＢ型レジスト層を前記Ａ型レジスト層の表面および前記めっき型の一部の上方に形成した後、前記プローブ本体の残部のめっき形成に用いるための前記めっき型の残部が前記Ｂ型レジスト層に予め形成されていない場合には前記Ｂ型レジスト層に前記めっき型の残部を形成するめっき型部分形成工程Ｂと、
    　前記めっき型部分形成工程Ｂの終了により完成した前記めっき型および前記シード膜を用いてめっき処理を行なうことにより、前記微小カンチレバーをオーバーハングさせた前記プローブを形成するめっき処理工程と、
    　前記Ｂ型レジスト層、前記プローブにとって不要な前記シード膜、前記Ａ型レジスト層および前記下地層を除去する除去工程と
    を備えていることを特徴とするプローブの製造方法。
  2. 　プローブ本体の先端付近の中間部から突出部をオーバーハングさせた形状を採用したプローブを製造するための台板となる基板の表面に液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて下地層を形成する下地層形成工程と、
    　前記下地層の表面に対して液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて前記プローブ本体の下面から前記突出部の下面までの厚さと同程度の厚さを有するＣ型レジスト層を形成した後、前記Ｃ型レジスト層に対して前記プローブ本体の一部をめっき形成するために用いるめっき型の一部を形成するめっき型部分形成工程Ｃと、
    　前記Ｃ型レジスト層の表面に対して液状レジストまたはドライフィルムレジストを用いて前記突出部の厚さと同程度の厚さを有するＡ型レジスト層を形成した後、前記Ａ型レジスト層に対して前記プローブ本体の一部および前記突出部の全体をめっき形成するために用いるめっき型の一部を形成するめっき型部分形成工程Ａと、
    　前記めっき型部分形成工程Ｃの前から前記めっき型部分形成工程Ａの後までのいずれかにおいて前記下地層にシード膜を形成するシード膜形成工程と、
    　前記めっき型部分形成工程Ａの後において前記Ａ型レジスト層の表面および前記シード膜のうちの少なくとも前記Ａ型レジスト層の表面に対して親水処理を施す親水処理工程Ａと、
    　前記親水処理が施された前記Ａ型レジスト層に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することにより前記突出部の上面から前記プローブ本体の上面までの厚さと同等もしくはそれ以上の厚さを有するＢ型レジスト層を前記Ａ型レジスト層の表面および前記めっき型の上方に形成した後、前記プローブ本体の残部のめっき形成に用いるための前記めっき型の残部が前記Ｂ型レジスト層に予め形成されていない場合には前記Ｂ型レジスト層に前記めっき型の残部を形成するめっき型部分形成工程Ｂと、
    　前記めっき型部分形成工程Ｂの終了により完成した前記めっき型および前記シード膜を用いてめっき処理を行なうことにより、前記突出部をオーバーハングさせた前記プローブを形成するめっき処理工程と、
    　前記Ｂ型レジスト層、前記プローブにとって不要な前記シード膜、前記Ａ型レジスト層、前記Ｃ型レジスト層および前記下地層を除去する除去工程と
    を備えていることを特徴とするプローブの製造方法。
  3. 　前記めっき型部分形成工程Ｂの後であって前記めっき処理工程の前において、前記Ｂ型レジスト層の表面に対して親水処理を施す親水処理工程Ｂと、
    　前記親水処理工程Ｂの後であって前記めっき処理工程の前において、前記親水処理が施された前記Ｂ型レジスト層に対してドライフィルムレジストを熱圧着せずに貼付することにより、前記めっき型部分形成工程Ｂまでの工程により形成された前記めっき型の上方開口部を閉じる蓋となるＤ型レジスト層を前記Ｂ型レジスト層の表面および前記めっき型の上方に形成するめっき型部分形成工程Ｄと
    を備えており、
    　前記めっき型部分形成工程Ｂにおける前記Ｂ型レジスト層の厚さは、前記プローブ本体の厚さから前記微小カンチレバーの厚さを除いた厚さまたは前記突出部の上面から前記プローブ本体の上面までの厚さと同等に形成されており、
    　前記めっき処理工程におけるめっき処理は、前記めっき型部分形成工程Ｄの終了後に行ない、
    　前記除去工程においては、前記Ｄ型レジスト層の除去も併せて行なう
    ことを特徴とする請求項１に記載のプローブの製造方法。
  4. 　前記親水処理は、プラズマエッチング処理である
    ことを特徴とする請求項１に記載のプローブの製造方法。
  5. 　前記親水処理は、親水性に優れた金属膜を前記Ａ型レジスト層の表面に成膜する金属膜生成処理である
    ことを特徴とする請求項１に記載のプローブの製造方法。
  6. 　前記シード膜形成工程は、前記めっき型部分形成工程Ａの前に行なわれる
    ことを特徴とする請求項１に記載のプローブの製造方法。
  7. 　前記シード膜は、導電性および親水性に優れた金属膜である
    ことを特徴とする請求項１に記載のプローブの製造方法。
  8. 　プローブ本体と、
    　前記プローブ本体の先端からオーバーハングさせた微小カンチレバーと
    を備えており、
    　前記プローブ本体および前記微小カンチレバーは、１回のめっき処理により一体形成されている
    ことを特徴とするプローブ。
  9. 　前記微小カンチレバーは、前記プローブ本体の先端における一端からオーバーハングしている
    ことを特徴とする請求項８に記載のプローブ。
  10. 　前記微小カンチレバーは、前記プローブ本体の先端付近の中間部からオーバーハングしている
    ことを特徴とする請求項８に記載のプローブ。
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