WO2010050297A1 - 撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置 - Google Patents

撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2010050297A1
WO2010050297A1 PCT/JP2009/065489 JP2009065489W WO2010050297A1 WO 2010050297 A1 WO2010050297 A1 WO 2010050297A1 JP 2009065489 W JP2009065489 W JP 2009065489W WO 2010050297 A1 WO2010050297 A1 WO 2010050297A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin
lens
imaging lens
glass substrate
imaging
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/065489
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
明子 原
Original Assignee
コニカミノルタオプト株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コニカミノルタオプト株式会社 filed Critical コニカミノルタオプト株式会社
Publication of WO2010050297A1 publication Critical patent/WO2010050297A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G02B1/041Lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0018Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means for preventing ghost images

Definitions

  • the present invention relates to an imaging lens, an imaging lens unit, and an imaging apparatus.
  • an imaging device called a camera module has been mounted on a portable terminal which is a compact and thin electronic device such as a mobile phone or a PDA (Personal Digital Assistant).
  • image information can be transmitted mutually.
  • an image pickup element used in these image pickup apparatuses a solid-state image pickup element such as a CMOS image sensor is used, and an image pickup apparatus is mainly configured by combining the image pickup element and an image pickup lens.
  • CMOS image sensor when used as an image pickup element, the sensor also shows sensitivity in the infrared region (wavelength 650 to 1100 nm), so it is necessary to block or reduce unnecessary infrared rays.
  • an infrared cut filter (reflective / absorptive) is incorporated in the imaging apparatus.
  • an infrared absorber pigment
  • an infrared absorber pigment
  • infrared absorber Even if one kind of infrared absorber is simply added to the resin, the absorber itself has only absorptivity in a specific wavelength region in the wavelength range of 650 to 1100 nm. It is difficult to block or reduce infrared rays. Therefore, it is conceivable to add plural types (three or more types) of infrared absorbers to the resin. In this case, the amount of the infrared absorber added is excessive, and the additive (infrared absorber) is contained in the resin. It has been found that it precipitates or agglomerates and solidifies over time and powders (bleeds out) on the resin surface.
  • the main object of the present invention is to block or reduce infrared rays over a wide wavelength range of 650 to 1100 nm, and to suppress the precipitation of infrared absorbers and the occurrence of bleed-out, resulting in high optical performance.
  • An object is to provide an imaging lens, an imaging lens unit, and an imaging apparatus that can be maintained.
  • a glass substrate A first lens part formed on a part of a first resin part made of a photocurable resin formed on one surface of the glass substrate; A second lens unit that is located on the optical axis of the first lens unit and is configured as a part of a second resin unit made of a photocurable resin formed on the other surface of the glass substrate;
  • An imaging lens having One or two kinds of infrared absorbers are added to the first and second resin parts, respectively, and each of the infrared absorbers has an absorption wavelength region different from each other.
  • “Absorption wavelength regions are different from each other” means that the absorption maximum wavelength of the infrared absorber is different.
  • An imaging lens unit comprising: One or two kinds of infrared absorbers are added to each of the resin portions formed on the first and second glass substrates, respectively, and each of the infrared absorbers has an absorption wavelength region different from each other.
  • a characteristic imaging lens unit is provided.
  • the imaging lens An image sensor that receives light transmitted through each lens portion of the imaging lens;
  • An imaging apparatus characterized by comprising: is provided.
  • the absorption region (absorption maximum wavelength) of each infrared absorber is different, the absorption region is expanded by the number of types of infrared absorbers, and infrared rays are shielded or reduced over a wide region having a wavelength of 650 to 1100 nm. Can do.
  • the imaging lens one or two kinds of infrared absorbers are added to the first and second resin parts, and in the imaging lens unit, one or two kinds of infrared absorbers are added to each resin part.
  • 3 or more infrared absorbers are not added to one resin part (layer), and are contained separately in the first and second tree part resin parts, and the absorption region as a whole is Therefore, precipitation of infrared absorbers and bleeding out can be suppressed, and deterioration of optical performance such as a drop in contrast due to shadows, ghosts, and image blurring on the image sensor can be prevented.
  • FIG. 2 is a diagram for schematically explaining a method for manufacturing the wafer lens laminate of FIG. 1, and specifically for explaining the method for manufacturing the wafer lens of FIG. 2 in detail. It is drawing for demonstrating schematically the manufacturing method of the wafer lens laminated body of FIG. 1, Comprising: In detail, it is drawing for demonstrating schematically the process at the time of laminating
  • a wafer lens laminate 1 As shown in FIG. 1, a wafer lens laminate 1 according to a preferred embodiment of the present invention has two wafer lenses 10 and 30 and two spacers 20 and 40, and these are laminated together. have. A spacer 20 is disposed between the wafer lenses 10 and 30, and a spacer 40 is disposed below the wafer lens 30.
  • the wafer lens 10 has a glass substrate 12 having a disk shape.
  • a resin portion 14 is formed on the upper portion of the glass substrate 12, and a resin portion 16 is formed on the lower portion of the glass substrate 12.
  • the resin parts 14 and 16 are made of a photocurable resin.
  • the photocurable resin any known photocurable resin can be used.
  • an acrylic resin, an allyl ester resin, an epoxy resin, or the like can be used.
  • the resin part 14 is formed with a plurality of lens parts 14a.
  • the lens part 14a protrudes in a substantially hemispherical shape, and constitutes a convex optical surface.
  • the resin portion 16 is formed with a plurality of lens portions 16a.
  • the lens portion 16a is recessed in a substantially hemispherical shape, and constitutes a concave optical surface.
  • the lens portion 14a and the lens portion 16a are formed at positions facing each other, and the optical axes of the lens portion 14a and the lens portion 16a coincide with the optical surface.
  • the lens portions 14a and 16a are formed in the region A within the range of the optically effective surface.
  • a region adjacent to the region A is a region B outside the range of the optical effective surface, and the non-lens portions 14b and 16b are formed in the region B.
  • the non-lens portion 14b has a planar shape, and the non-lens portion 16b has an uneven shape.
  • the wafer lens 30 has substantially the same configuration as the wafer lens 10. However, in the wafer lenses 10 and 30, if the resin portion 14 is the first layer, the resin portion 16 is the second layer, the resin portion 34 is the third layer, and the resin portion 36 is the fourth layer, one or two types are included in each layer. Infrared absorbers are added, and the absorption regions of the respective infrared absorbers in the wavelength region of 650 to 1100 nm are different from each other. The “type” of the infrared absorber indicates the difference in the absorption region. If the absorption region is the same even if the composition is different, the type of the infrared absorber is the same.
  • phthalocyanine-based, cyanine-based, polymethine-based, azulenium-based, pyrylium-based, merocyanine-based, croconium-based, squalium-based, naphthoquinone-based dyes, and the like can be used.
  • phthalocyanine dyes have absorptivity in the wavelength region of 600 to 700 nm.
  • Cyanine dyes have been proposed as dyes used for CD-R and the like that can be recorded only once on an optical recording medium containing an organic dye. In general, substances are easily changed by light and heat. .
  • an aminium salt, a diimonium salt or the like may be added to the cyanine dye as described in JP-B-6-26028, JP-A-1-99885 and the like.
  • an aminium salt or a diimonium salt When an aminium salt or a diimonium salt is added, it has absorptivity in a wavelength region of 900 nm or more.
  • Cyanine, polymethine, azulene, and pyrylium dyes are not heat resistant. Therefore, in order to prevent thermal oxidative degradation and improve heat resistance, these dyes may be added with antioxidants such as hindered phenol compounds, arylamine compounds, thioether compounds, phosphite compounds, etc. Good.
  • the infrared absorber pigment-based near infrared absorber
  • the near infrared absorber is added to 100 parts by mass of the acrylic resin.
  • an average light transmittance at a wavelength of 800 nm to 1000 nm is preferably 30% or less.
  • this dye-based near infrared absorber (1) Aminium-based near-infrared absorbers as disclosed in JP-A-4-174402, 160037, etc. (2) JP-A-61-115958, JP-A-61-291651, Anthraquinone near-infrared absorbers as shown in JP-A-62-132963, JP-A-1-172458, etc. (3) JP-A-2-138382, JP-A-3-62878, Phthalocyanines and naphthalocyanine-based near infrared absorbers as disclosed in JP-A-5-163440, JP-A-6-214113, etc. (4) JP-A-61-277903, JP-A-61-1 No.
  • Dithiol complex-based near-infrared absorbers as described above (5) Besides these, polymethine-based absorbers, pyrylium-based absorbers, thiopyrylium-based absorbers, squarylium-based absorbers, croconium-based absorbers, azurenium-based absorbers Agents, tetradehydrocholine absorbents, triphenylmethane absorbents, diimmonium absorbents, and the like. Two or more of the above dye-based near infrared absorbers may be used in combination.
  • the spacer 20 is made of a light transmissive material (glass or resin). As shown in FIG. 1B, the spacer 20 is formed with a circular transmission hole 22 at a position corresponding to the lens portion 16 a and the lens portion 34 a, and the light transmitted through the wafer lens 10 is shielded by the spacer 20. Without being incident on the wafer lens 30.
  • the spacer 40 is the same member as the spacer 20.
  • the resin 14A in a monomer state (before curing) is placed on the surface of the glass substrate 10 (dropping, coating, etc.), and the molding die 50 is pressed from above, and the resin is put into the cavity 52.
  • One or two infrared absorbers are added to the resin 14A before filling. Thereafter, light is irradiated from above with the resin 14 ⁇ / b> A filled in the cavity 52.
  • a mold having optical transparency is used as the mold 50.
  • the irradiated light is transmitted through the mold 50 and incident on the resin 14A, the resin 14A is cured, and the resin portion 14 (particularly, a plurality of lens portions 14a) is formed on the glass substrate 12.
  • the resin portion 14 is released from the mold 50 together with the glass substrate 12 and turned over to form the resin portion 16 on the back surface of the glass substrate 10.
  • the mold 60 in FIG. 3B may be used instead of the mold 50 in FIG. 3A, and the resin 62A is irradiated with light in a state where the resin 62A is filled in the cavity 62 of the mold 60. 16A is cured to form a resin portion 16 (particularly, a plurality of lens portions 16a). Even in this case, one or two infrared absorbers are added to the resin 16A before filling.
  • the resin lens 16 is released from the mold 60 together with the glass substrate 12, whereby the wafer lens 10 can be manufactured.
  • wafer lens 30 may be manufactured in the same manner as the wafer lens 10 is manufactured.
  • an adhesive 70 is applied to the upper surface of the resin portion 36 of the wafer lens 30 or the lower surface of the spacer 40, and the spacer 40 is placed on the wafer lens 30.
  • the adhesive 70 is made of a photocurable resin and is cured by light irradiation (the same applies to the adhesives 72 and 74 described later). Thereafter, light is irradiated from above the spacer 40 to cure the adhesive 70, and the spacer 40 is fixed to the wafer lens 30.
  • the spacer 20 is fixed to the resin portion 34 of the wafer lens 30 as shown in FIG.
  • an adhesive 74 is applied to the lower surface of the resin portion 16 of the wafer lens 10 or the upper surface of the spacer 20, and the wafer lens 10 is placed on the spacer 20. Thereafter, light is irradiated from above the wafer lens 10 to cure the adhesive 74, and the wafer lens 10 is fixed to the spacer 20.
  • the wafer lens laminate 1 can be manufactured by the above processing.
  • the wafer lens stack 1 includes an image sensor (CCD (Charge Coupled Device) type image sensor or a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) type image sensor that receives light transmitted through the lens portions 14a, 16a, 34a, and 36a. It is suitably used as an image pickup apparatus using a solid-state image pickup device).
  • the wafer lens laminate 1 is cut for each of the lens portions 14a, 16a, 34a, and 36a, and the cut piece 80 becomes a wafer lens laminate and is imaged through the spacer 40. It is incorporated on the element and used as an imaging device.
  • the wafer lens 10 itself can also be used as an imaging lens.
  • the wafer lens 10 is cut for each of the lens portions 14a and 16a, and the cut pieces are cut. 90 becomes a wafer lens and is incorporated on the image sensor in the same manner as described above and used as an image pickup apparatus.
  • the wafer lens laminate 1 before cutting and the wafer lens laminate 1 after cutting are examples of an imaging lens unit.
  • the wafer lens 10 before cutting and the wafer lens 10 after cutting (cut piece) 90) is also an example of an imaging lens.
  • the imaging device including the cut piece 80 (or the cut piece 90) is preliminarily made of a conductive material such as solder. It is placed together with other electronic components at a predetermined mounting position on the coated (potted) circuit board. Thereafter, the circuit board on which the imaging device and other electronic components are placed is transferred to a reflow furnace (not shown) by a belt conveyor or the like, and the circuit board is heated at a temperature of about 260 ° C. for about 5 to 10 minutes ( Reflow processing).
  • all of the infrared absorbers added to the resin parts 14, 16, 34, and 36 have a melting point of 260 ° C. or higher, and can be used for reflow treatment after molding (no alteration or the like). ).
  • the conductive material is melted and the imaging device is mounted on the circuit board together with other electronic components.
  • the absorption region is expanded by the number of types of the added infrared absorber, and infrared rays can be blocked or reduced over a wide region having a wavelength of 650 to 1100 nm.
  • the addition of one or two kinds of infrared absorbers is allowed for each resin part 14, 16, 34, 36, and three or more kinds of infrared absorbers are not added to one resin part (layer).
  • infrared absorbers it is possible to suppress the precipitation of infrared absorbers and the occurrence of bleed-out, and it is possible to prevent deterioration in optical performance such as a drop in contrast due to shadows, ghosts, and image blurring on the image sensor.
  • infrared absorbers one or two types of infrared absorbers are shared and contained in each resin portion, and the effect is exhibited.
  • the resin part 14, 16, 34, 36 should just form at least 2 layer among these, For example, only the resin portions 14 and 34 may be formed.
  • the number of types of infrared absorbers to be added is two types at least in the resin portions 14, 16, 34, 36 from the minimum two types in the case where one type of infrared absorber is added to the resin portions 14, 34. A maximum of eight types when an infrared absorber is added is allowed.
  • the wafer lens 10 and 30 are laminated in two stages, but the wafer lens 10 is laminated on the wafer lens 10 in the same manner as the wafer lens 10 is laminated on the wafer lens 30 via the spacer 20. Further, a wafer lens may be further laminated through the two, and three or more wafer lenses may be laminated as a whole. Also in this case, the resin part should just be formed in two or more layers, and the number of types of infrared absorbers to be added is from a minimum of two types in the case where one type of infrared absorber is added to each of the two-layer resin parts. A maximum of 4n types when two types of infrared absorbers are added to the resin portion of the 2n (n: the number of laminated wafer lenses is 3 or more) layers is allowed.
  • Samples 11 types of wafer lens laminates (two wafer lens laminates) similar to those shown in FIG. 1 were produced, and processing described later (addition of infrared absorber, infrared light shielding film) for each wafer lens laminate.
  • Samples 1 to 11 were formed.
  • Epoxy resins (4% by mass of UVI-6992 as a UV curing initiator added to hydrogenated bisphenol A type epoxy resin) were used for the production of the lens portions of Samples 1 to 11.
  • an infrared absorber (dye 1 to 6) was added to the epoxy resin as shown in Table 1, and the resin was molded on a glass substrate to form a lens portion. The amount of each dye added to the resin is also shown.
  • Dye 1 Absorptive dye ABS670T (absorption maximum 670 nm), full width at half maximum 655 to 680 nm, manufactured by Exciton Inc. Addition amount 0.2% by mass (based on resin) Pigment 2: Yamada Chemical Co., Ltd. Phthalocyanine dye (absorption maximum near 710 nm) Half width 680 to 740 nm Addition amount 2% by mass (based on resin)
  • Dye 3 Near-infrared absorbing dye IR-406 manufactured by Yamada Chemical Co., Ltd.
  • Dye 4 Absorptive dye IRA868 (absorption maximum 868 nm), full width at half maximum 800 to 910 nm, manufactured by Exciton, Inc. 2 mass% (based on resin)
  • Dye 5 Absorption dye IRA908 (absorption maximum 908 nm) manufactured by Exciton, Inc.
  • Half-width 880 to 980 nm Addition amount 1% by mass (based on resin)
  • Dye 6 Absorption dye IRA1034 (absorption maximum 1034 nm) manufactured by Exciton, Inc.
  • an antireflection film (AR coating) was formed on the surface of the lens portion by vacuum deposition.
  • the wafer lens was mounted in a vacuum deposition apparatus, the pressure in the apparatus was reduced to 2 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa, and the wafer lens was heated to a temperature of 240 ° C. by a heater at the top of the apparatus.
  • OA600 manufactured by Optron Co. was used as a film raw material and evaporated by electron gun heating to form a Ta 2 O 5 + 5% TiO 2 film (film thickness 20 nm) on the wafer lens (lens portion).
  • Average light transmittance transmittance ⁇ (incident side surface reflectance + outgoing side surface reflectance) (A) Table 1 shows the calculation results of the average light transmittance.
  • the criteria for ⁇ and ⁇ are as follows.
  • Sample 4 in which one type of dye 1, 3, 5, and 6 was added to each layer of the resin portion had a slightly low IR cut effect, but Samples 1 and 4 in which one or two kinds of dyes were added to each layer. In ⁇ 8, there was no problem of precipitation and bleed-out, and a desired effect was obtained as an IR cut effect. From the above, the addition of one or two infrared absorbers having different absorption regions to each layer of the resin portion can block or reduce infrared rays over a wide region of wavelength 650 to 1100 nm, and It turns out that it is useful in suppressing the occurrence of precipitation and bleed-out.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

 本発明は、波長650~1100nmの広い領域にわたり赤外線を遮光又は減光し、かつ、赤外線吸収剤の析出やブリードアウトの発生を抑制する撮像用レンズユニットを提供する。本発明の撮像用レンズユニットの一例であるウエハレンズ積層体1は、ガラス基板12,32に光硬化性樹脂製の樹脂部14,16,34,36を形成したウエハレンズ10,30を、2段以上積層したものであり、樹脂部14,16,34,36には1又は2種の赤外線吸収剤が添加され、各赤外線吸収剤の吸収領域が互いに異なっていることを特徴とする。

Description

撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置
 本発明は撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置に関する。
 従来から、いわゆるカメラモジュールと称される撮像装置が、携帯電話機やPDA(Personal Digital Assistant)等のコンパクトで薄型の電子機器である携帯端末に搭載されるようになり、これにより遠隔地へ音声情報だけでなく画像情報も相互に伝送することが可能となっている。これらの撮像装置に使用される撮像素子としては、CMOS型イメージセンサ等の固体撮像素子が使用され、主に当該撮像素子と撮像用レンズとが組み合わされ撮像装置が構成されている。
 このような撮像装置において、撮像素子としてCMOS型イメージセンサを使用した場合には、センサが赤外領域(波長650~1100nm)にも感度を示すため、不要な赤外線を遮光又は減光する必要があり、撮像素子、撮像用レンズに加え、(反射型・吸収型)赤外線カットフィルタなどが撮像装置に組み込まれている。近年では、赤外線カットフィルタに代えて、撮像用レンズを構成する樹脂そのものに赤外線吸収剤(色素)が添加され、レンズにより赤外線を遮光又は減光されることも提案されている(例えば、特許文献1参照)。
国際公開第2006/006731号パンフレット
 しかしながら、単に1種類の赤外線吸収剤を樹脂に添加しても、その吸収剤自体が波長650~1100nm領域中のある特定波長領域に吸収性を有するにすぎないから、波長650~1100nmの広い領域にわたり赤外線を遮光又は減光することは難しい。したがって、複数種類(3種類以上)の赤外線吸収剤を樹脂に添加することも考えられるが、この場合には、赤外線吸収剤の添加量が過剰であり添加剤(赤外線吸収剤)が樹脂中で析出したり、経時により凝集固化して樹脂表面に粉化(ブリードアウト)したりすることがわかった。係る析出やブリードアウトが撮像素子に近い層で起こった場合、センサに影が映り込むような問題が生ずる。また樹脂表面のオイルや析出物による光の反射も考えられ、結果として迷光によるゴーストの原因になりうる。また部分的に屈折率が異なることにより、像面全体にボケが生じ、結果としてコントラストの低下を招く、といった光学性能の劣化が生ずる。
 したがって、本発明の主な目的は、波長650~1100nmの広い領域にわたり赤外線を遮光又は減光することができ、かつ、赤外線吸収剤の析出やブリードアウトの発生を抑制することで高い光学性能を維持できる撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置を提供することにある。
 本発明の一態様によれば、
 ガラス基板と、
 前記ガラス基板の一方の面に形成された光硬化性樹脂製の第1の樹脂部の一部に構成された第1レンズ部と、
 前記第1レンズ部の光軸上に位置し、前記ガラス基板の他方の面に形成された光硬化性樹脂製の第2の樹脂部の一部に構成された第2レンズ部と、
 を有する撮像用レンズであって、
 前記第1及び第2の樹脂部にはそれぞれ1又は2種の赤外線吸収剤が添加され、前記赤外線吸収剤の各々は吸収波長領域が互いに異なっていることを特徴とする撮像用レンズが提供される。
 吸収波長領域が互いに異なっているとは赤外線吸収剤の吸収極大波長が異なっていることをいう。
 本発明の他の態様によれば、
 第1のガラス基板と、
 前記第1のガラス基板の少なくとも一方の面に形成された光硬化性樹脂製の樹脂部の一部に構成された第1レンズ部と、
 前記第1のガラス基板上に所定の間隔をもって積層された第2のガラス基板と、
 前記第2のガラス基板の少なくとも一方の面に形成された光硬化性樹脂製の樹脂部の一部に構成された、前記第1レンズ部の光軸上に位置する第2レンズ部と、
 を有する撮像用レンズユニットであって、
 前記第1及び第2のガラス基板に各々形成された前記樹脂部の各々には1又は2種の赤外線吸収剤が添加され、前記赤外線吸収剤の各々は吸収波長領域が互いに異なっていることを特徴とする撮像用レンズユニットが提供される。
 本発明の他の態様によれば、
 前記撮像用レンズと、
 前記撮像用レンズの各レンズ部を透過する光を受光する撮像素子と、
 を備えたことを特徴とする撮像装置が提供される。
 本発明の他の態様によれば、
 前記撮像用レンズユニットと、
 前記撮像用レンズユニットの各レンズ部を透過する光を受光する撮像素子と、
 を備えたことを特徴とする撮像装置が提供される。
 本発明によれば、各赤外線吸収剤の吸収領域(吸収極大波長)が異なるから、赤外線吸収剤の種類数だけ吸収領域が広がり、波長650~1100nmの広い領域にわたり赤外線を遮光又は減光することができる。他方、撮像用レンズにおいては、第1,第2の樹脂部に1又は2種の赤外線吸収剤の添加が、撮像用レンズユニットにおいては、各樹脂部に1又は2種の赤外線吸収剤の添加が許容され、一の樹脂部(層)には3種以上の赤外線吸収剤が添加されることはなく、第一、第二の樹部樹脂部に分け含有され、且つ全体としての吸収領域は確保されるので、赤外線吸収剤の析出やブリードアウトの発生を抑制することができ、撮像素子への影やゴースト、像ボケによるコントラストの低下といった光学性能の劣化を防止することができる。
本発明の好ましい実施形態に係るウエハレンズ積層体の概略構成を示す(a)斜視図であり、(b)(a)中のX線に沿う断面図である。 本発明の好ましい実施形態に係るウエハレンズの概略構成を示す(a)斜視図(b)(a)中のY線に沿う断面図である。 図1のウエハレンズ積層体の製造方法を概略的に説明するための図面であって、詳しくは図2のウエハレンズの製造方法を概略的に説明するための図面である。 図1のウエハレンズ積層体の製造方法を概略的に説明するための図面であって、詳しくはウエハレンズ同士を積層する際の工程を概略的に説明するための図面である。
 次に、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
 図1に示す通り、本発明の好ましい実施形態に係るウエハレンズ積層体1は2枚のウエハレンズ10,30と2枚のスペーサ20,40とを有しており、これらが互いに積層された構成を有している。ウエハレンズ10,30間にはスペーサ20が配置され、ウエハレンズ30の下部にはスペーサ40が配置されている。
 図2に示す通り、ウエハレンズ10は円盤状を呈するガラス基板12を有している。ガラス基板12の上部には樹脂部14が形成されており、ガラス基板12の下部には樹脂部16が形成されている。樹脂部14,16は光硬化性樹脂で構成されている。光硬化性樹脂としては公知の光硬化性樹脂であれば使用可能であり、例えばアクリル系樹脂、アリルエステル系樹脂、エポキシ系樹脂などが使用可能である。
 樹脂部14には複数のレンズ部14aが形成されている。レンズ部14aは略半球形状に突出しており、凸状の光学面を構成している。樹脂部16には複数のレンズ部16aが形成されている。レンズ部16aは略半球形状に凹んでおり、凹状の光学面を構成している。レンズ部14aとレンズ部16aとは互いに相対する位置に形成されており、レンズ部14aとレンズ部16aとで光学面に対する光軸が一致するようになっている。
 特に樹脂部14,16では、図2(b)に示す通り、光学有効面の範囲内の領域Aにレンズ部14a,16aが形成されている。領域Aに隣り合う領域は光学有効面の範囲外の領域Bであり、領域Bには非レンズ部14b,16bが形成されている。非レンズ部14bは平面状を呈しており、非レンズ部16bは凹凸形状を呈している。
 ウエハレンズ30もウエハレンズ10とほぼ同様の構成を有している。ただ、ウエハレンズ10,30では、樹脂部14を1層目、樹脂部16を2層目、樹脂部34を3層目、樹脂部36を4層目とすると、各層には1又は2種の赤外線吸収剤が添加されており、波長650~1100nm領域における各赤外線吸収剤の吸収領域が互いに異なっている。赤外線吸収剤の「種類」とは、吸収領域の違いを示すものであり、組成物が異なっていても吸収領域が同じであれば、赤外線吸収剤の種類は同じである。したがって本実施形態では、樹脂部14,16,34,36において、1種類ずつ赤外線吸収剤が添加される場合(最小4種)から2種類ずつ赤外線吸収剤が添加される場合(最大8種)まで許容される。
 赤外線吸収剤としては、フタロシアニン系、シアニン系、ポリメチン系、アズレニウム系、ピリリウム系、メロシアニン系、クロコニウム系、スクアリウム系、ナフトキノン系色素などを使用することができる。
 例えば、フタロシアニン系色素は波長600~700nmの領域に対し吸収性を有している。
 シアニン系色素は、有機色素を含有する光記録媒体に一回のみ記録可能なCD-R等に利用する色素として提案されているもので、一般に、光及び熱に対して、物質が変化しやすい。このような問題の解決手段として、シアニン系色素には、特公平6-26028、特開平1-99885等に記載のようにアミニウム塩、ジイモニウム塩等が添加されてもよい。アミニウム塩やジイモニウム塩を添加すると、波長900nm以上の領域に吸収性を有する。
 シアニン系、ポリメチン系、アズレン系、ピリリウム系色素は耐熱性が良好でない。そのため、熱酸化劣化防止・耐熱性向上のために、これら色素には、ヒンダードフェノール系化合物、アリールアミン系化合物、チオエーテル系化合物、亜リン酸エステル系化合物などの酸化防止剤が添加されてもよい。
 赤外線吸収剤(色素系近赤外吸収剤)としては、可視光を多く透過し、近赤外領域の光を多く吸収するものが好ましいが、アクリル樹脂100質量部に該近赤外吸収剤を0.1質量部添加し、厚さ3mmの基板を作製した時に、波長800nm~1000nmの平均光線透過率が30%以下となるものが良い。
 この色素系近赤外吸収剤として、具体的には、
(1)特開平4-174402号公報、160037号公報などに示されているようなアミニウム系近赤外吸収剤
(2)特開昭61-115958号公報、特開昭61-291651号公報、特開昭62-132963号公報、特開平1-172458号公報などに示されているようなアントラキノン系近赤外吸収剤
(3)特開平2-138382号公報、特開平3-62878号公報、特開平5-163440号公報、特開平6-214113号公報などに示されているようなフタロシアニン、ナフタロシアニン系近赤外吸収剤
(4)特開昭61-277903号公報、特開昭61-57674号公報、特開昭62-158779号公報、特開昭63-139303号公報、特開平1-114801号公報、特公平4-45547号公報に示されているようなジチオール錯体系近赤外吸収剤
(5)これら以外に、ポリメチン系吸収剤、ピリリウム系吸収剤、チオピリリウム系吸収剤、スクアアリリウム系吸収剤、クロコニウム系吸収剤、アズレニウム系吸収剤、テトラデヒドロコリン系吸収剤、トリフェニルメタン系吸収剤、ジインモニウム系吸収剤
などが挙げられる。上記の色素系近赤外吸収剤は2種以上併用してもよい。
 さらに具体的には、例えば、
(1)日本化薬株式会社製のIR-750、IRG-002、IRG-003、IRG-022、IRG-023、IRG-820、CY-2、CY-4、CY-9、CY-20
(2)三井東圧化学株式会社製のPA-001、PA-1005、PA-1006、SIR-114、SIR-128、SIR-130、SIR-159
(3)富士フイルム株式会社製のIRF-700、IRF-770、IRF-800、IRF-905、IRF-1170
(4)日本触媒株式会社製のイーエクスカラー802K、イーエクスカラー803K
などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
 スペーサ20は光透過性の材料(ガラス又は樹脂)で構成されている。図1(b)に示す通り、スペーサ20にはレンズ部16a,レンズ部34aに対応する位置に円形状の透過孔22が形成されており、ウエハレンズ10を透過した光はスペーサ20に遮光されずにウエハレンズ30に入射するようになっている。スペーサ40はスペーサ20と同様の部材である。
 続いて、図3,図4を参照しながら、ウエハレンズ積層体1の製造方法(ウエハレンズ10,30の製造方法を含む。)について説明する。
 図3(a)に示す通り、ガラス基板10の表面にモノマー状態(硬化前)の樹脂14Aを載置(滴下・塗布など)しておいて上方から成形型50を押圧し、キャビティ52に樹脂14Aを充填する。樹脂14Aには充填前に1又は2種の赤外線吸収剤を添加しておく。その後、樹脂14Aをキャビティ52に充填した状態で上方から光照射する。この場合、成形型50として光透過性を有する型を用いる。
 その結果、照射した光が成形型50を透過して樹脂14Aに入射して樹脂14Aが硬化し、ガラス基板12上に樹脂部14(特に複数のレンズ部14a)が形成される。
 その後、樹脂部14をガラス基板12とともに成形型50から離型して裏返し、ガラス基板10の裏面に樹脂部16を形成する。この場合は図3(a)の成形型50に代えて図3(b)の成形型60を使用すればよく、成形型60のキャビティ62に対し樹脂16Aを充填した状態で光照射して樹脂16Aを硬化し、樹脂部16(特に複数のレンズ部16a)を形成する。この場合においても、樹脂16Aには充填前に1又は2種の赤外線吸収剤を添加しておく。
 その後、樹脂部16をガラス基板12とともに成形型60から離型することでウエハレンズ10を製造することができる。
 なお、ウエハレンズ30を製造する場合にも、ウエハレンズ10を製造するのと同様にすればよい。
 その後、図4(a)に示す通り、ウエハレンズ30の樹脂部36の上面又はスペーサ40の下面に接着剤70を塗布し、ウエハレンズ30に対しスペーサ40を載置する。接着剤70は光硬化性樹脂で構成されており、光照射により硬化するものである(後述の接着剤72,74も同様である。)。その後、スペーサ40の上方から光を照射して接着剤70を硬化させ、スペーサ40をウエハレンズ30に固定する。
 その後、スペーサ40を固定したのと同様にして、図4(b)に示す通りにウエハレンズ30の樹脂部34に対しスペーサ20を固定する。
 その後、図4(c)に示す通り、ウエハレンズ10の樹脂部16の下面又はスペーサ20の上面に接着剤74を塗布し、スペーサ20に対しウエハレンズ10を載置する。その後、ウエハレンズ10の上方から光を照射して接着剤74を硬化させ、ウエハレンズ10をスペーサ20に固定する。以上の処理によりウエハレンズ積層体1を製造することができる。
 なお、ウエハレンズ積層体1は、各レンズ部14a,16a,34a,36aを透過する光を受光する撮像素子(CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサやCMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)型イメージセンサ等の固体撮像素子)を用いた撮像装置として好適に使用される。この場合、図1(b)に示す通り、ウエハレンズ積層体1はレンズ部14a,16a,34a,36aごとに切断され、その切断片80がウエハレンズ積層体となってスペーサ40を介して撮像素子上に組み込まれ撮像装置として使用される。
 これと同様に、ウエハレンズ10そのものも撮像用レンズとして使用可能であり、この場合には、図2(b)に示す通り、ウエハレンズ10はレンズ部14a,16aごとに切断され、その切断片90がウエハレンズとなって上記と同様にして撮像素子上に組み込まれ撮像装置として使用される。
 なお、切断前のウエハレンズ積層体1、切断後のウエハレンズ積層体1(切断片80)は撮像用レンズユニットの一例であり、切断前のウエハレンズ10、切断後のウエハレンズ10(切断片90)も撮像用レンズの一例である。
 その後、切断片80(又は切断片90)を組み込んだ撮像装置を回路基板に実装する場合には、切断片80(又は切断片90)を含む当該撮像装置を、予め半田等の導電性材料が塗布(ポッティング)された回路基板の所定の実装位置に、その他の電子部品とともに載置する。その後、当該撮像装置とその他の電子部品とを載置した回路基板を、ベルトコンベア等でリフロー炉(図示略)に移送し、当該回路基板を260℃程度の温度で5~10分程度加熱(リフロー処理)する。
 この場合において、樹脂部14,16,34,36に添加されている各赤外線吸収剤はすべて融点が260℃以上であり、成形後におけるリフロー処理に対応可能となっている(変質などがない。)。リフロー処理の結果、導電性材料が溶融して当該撮像装置がその他の電子部品と一緒に回路基板に実装される。
 以上の本実施形態によれば、ウエハレンズ積層体1の各樹脂部14,16,34,36には1又は2種の赤外線吸収剤が添加され、各赤外線吸収剤の吸収領域が異なるから、添加した赤外線吸収剤の種類数だけ吸収領域が広がり、波長650~1100nmの広い領域にわたり赤外線を遮光又は減光することができる。他方、各樹脂部14,16,34,36には1又は2種の赤外線吸収剤の添加が許容され、一の樹脂部(層)には3種以上の赤外線吸収剤が添加されていないから、赤外線吸収剤の析出やブリードアウトの発生を抑制することができ、撮像素子への影やゴースト、像ボケによるコントラストの低下といった光学性能の劣化を防止することができる。必要な赤外線吸収剤のうち、1又は2種の赤外線吸収剤を各樹脂部にシェアして含有させることで効果を発揮する。
 なお、本実施形態では4層の樹脂部14,16,34,36を積層する例を示したが、樹脂部14,16,34,36はこれらのうち少なくとも2層が形成されればよく、例えば樹脂部14,34のみが形成されてもよい。この場合、添加される赤外線吸収剤の種類数は、樹脂部14,34に1種類ずつ赤外線吸収剤が添加される場合の最小2種から、樹脂部14,16,34,36に2種類ずつ赤外線吸収剤が添加される場合の最大8種まで許容される。
 また、本実施形態ではウエハレンズ10,30を2段にわたり積層した例を示したが、ウエハレンズ30に対しスペーサ20を介してウエハレンズ10を積層したのと同様に、ウエハレンズ10に対しスペーサを介して更にウエハレンズを積層し、全体としてウエハレンズを3段以上積層してもよい。この場合においても、樹脂部は2層以上形成されればよく、添加される赤外線吸収剤の種類数は、2層の樹脂部に1種類ずつ赤外線吸収剤が添加される場合の最小2種から、2n(n:ウエハレンズの積層数で3以上)層の樹脂部に2種類ずつ赤外線吸収剤が添加される場合の最大4n種まで許容される。
(1)サンプルの作製
 図1と同様のウエハレンズ積層体(ウエハレンズを2段積層したもの)を11種作製してウエハレンズ積層体ごとに後述の処理(赤外線吸収剤の添加、赤外線遮光膜の形成、反射防止膜の形成、リフロー処理など)を施し、サンプル1~11とした。各サンプル1~11のレンズ部の作製にはすべて、エポキシ樹脂(水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂に対しUV硬化開始剤としてのUVI-6992を4質量%添加したもの)を使用した。
 サンプル1~8では、エポキシ樹脂に対し赤外線吸収剤(色素1~6)を表1の通りに添加し、ガラス基板上で樹脂を成形してレンズ部を構成した。各色素の樹脂に対する添加量も示した。
  色素1:Exciton社製 吸収色素ABS670T(吸収極大670nm)半値幅655~680nm 添加量0.2質量%(樹脂に対し)
  色素2:山田化学工業株式会社製 フタロシアニン色素(吸収極大710nm付近) 半値幅680~740nm 添加量2質量%(樹脂に対し)
  色素3:山田化学工業株式会社製 近赤外吸収色素IR-406(吸収極大820nm付近) 半値幅760~850nm 添加量2質量%(樹脂に対し)
  色素4:Exciton社製 吸収色素IRA868(吸収極大868nm)半値幅800~910nm 添加量2質量%(樹脂に対し)
  色素5:Exciton社製 吸収色素IRA908(吸収極大908nm)半値幅880~980nm 添加量1質量%(樹脂に対し)
  色素6:Exciton社製 吸収色素IRA1034(吸収極大1034nm)半値幅960~1100nm 添加量2質量%(樹脂に対し)
 サンプル9~11では、色素1~6を添加せずに、ガラス基板上で樹脂を成形してレンズ部を構成した。特に、サンプル9ではレンズ部に対し40層の積層構造を有する赤外線遮光膜(IRカットコート)を形成し、サンプル10ではガラス基板の片面に対しIRカットコートを形成し、サンプル11ではガラス基板の両面に対しIRカットコートを形成した。
 その後、サンプル1~11のすべておいて、レンズ部の表面に対し真空蒸着法により反射防止膜(ARコート)を形成した。詳しくは、真空蒸着装置内にウエハレンズを装着し、装置内の圧力を2×10-3Paまで減圧すると共に、装置上部のヒーターによりウエハレンズを240℃の温度になるまで加熱した。その後、膜原料としてオプトロン社製OA600を用い、電子銃加熱により蒸発させることで、ウエハレンズ(レンズ部)上にTa+5%TiOの膜(膜厚20nm)を形成した。蒸着中、真空蒸着装置内の圧力が10×10-2PaになるまでOガスを導入し、蒸着速度を5Å/秒にコントロールした。その後、真空蒸着装置内部の圧力が1.2×10-2PaになるまでOガスを導入し、蒸着速度を5Å/秒にコントロールしながら蒸着を実施し、SiO膜(膜厚110nm)を形成した。
 その後さらに、サンプル1~11のすべてにおいて、ARコートの形成後に、リフロー処理としてウエハレンズを260℃の温度環境下に30分間放置した。
(2)サンプルの評価
(2.1)各処理後の外観
 各サンプル1~11について、樹脂の成形後(樹脂部の形成直後)、ARコートの蒸着後、リフロー処理後の各処理後の外観(特に樹脂部の外観)を、実体顕微鏡で観察した。その観察結果を表1に示す。
(2.2)IRカット効果
 各サンプル1~11について、波長650~1100nmの光に対する平均光線透過率を算出し、その測定値から赤外線遮蔽効果(IRカット効果)を検証した。平均光線透過率の測定には式(A)に基づき算出した。
   平均光線透過率=透過率-(入射側表面反射率+出射側表面反射率) … (A)
 平均光線透過率の算出結果を表1に示す。表1中、◎,○の基準は下記の通りである。
  「◎」…5%未満
  「○」…5%以上 10%未満
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
(3)まとめ
 6種の色素1~6の全てを1層の樹脂部に添加したサンプル2では、色素1~6が溶解しきれず、樹脂部の成形後において析出・ブリードアウトが起こった。
 色素1~6を色素1~3と色素4~6とに分けて2層の樹脂部にそれぞれ添加したサンプル3では、成形直後は特に問題なかったが、ARコート蒸着時においてある程度高温に晒すと、析出・ブリードアウトが起こった。
 なお、析出・ブリードアウトの弊害としては、(A)析出・ブリードアウトがセンサにより近い層で起こった場合、センサに影として写りこむ(B)センサに近くても遠くても、樹脂表面のオイル・析出物により光が反射したら、迷光してゴーストの原因になる(C)樹脂表面のオイル・析出物を透過したらそこだけ異なる屈折率なので、像面全体にボケが生じ、コントラスト低下を招く。
 樹脂部の表面にIRコートを形成したサンプル9では、樹脂部(レンズ部)の表面にシワが形成された。
 ガラス基板の片面にIRコートを形成したサンプル10では、成形直後にガラス基板が反ってしまい、樹脂部(レンズ部)を良好に形成することができなかった。
 ガラス基板の両面にIRコートを形成したサンプル11では、リフロー処理前までは特に外観等に問題はなかったが、リフロー処理後において樹脂部がガラス基板から剥離した。これは、ガラス基板と樹脂部との間にIRコートが介在しており、これら部材間の密着性が低下したためと考えられる。
 これに対し、樹脂部の各層に色素1,3,5,6を1種類ずつ添加したサンプル4ではIRカット効果がやや低かったものの、各層に1又は2種の色素を添加したサンプル1、4~8では析出・ブリードアウト等の問題はなく、IRカット効果として所望の効果を得られた。以上から、樹脂部の各層に対し吸収領域が互いに異なる1又は2種の赤外線吸収剤を添加することは、波長650~1100nmの広い領域にわたり赤外線を遮光又は減光し、かつ、赤外線吸収剤の析出やブリードアウトの発生を抑制するのに有用であることがわかる。
 1 ウエハレンズ積層体
 10 ウエハレンズ
 12 ガラス基板
 14 樹脂部
 14a レンズ部
 14b 非レンズ部
 14A 樹脂
 16 樹脂部
 16a レンズ部
 16b 非レンズ部
 16A 樹脂
 18 樹脂部
 20 スペーサ
 22 透過孔
 30 ウエハレンズ
 32 ガラス基板
 34 樹脂部
 34a レンズ部
 34b 非レンズ部
 34A 樹脂
 36 樹脂部
 36a レンズ部
 36b 非レンズ部
 36A 樹脂
 40 スペーサ
 42 透過孔
 50 成形型
 52 キャビティ
 60 成形型
 62 キャビティ
 70,72,74 接着剤
 80,90 切断片
 A 光学有効面の範囲内の領域
 B 光学有効面の範囲外の領域

Claims (6)

  1.  ガラス基板と、
     前記ガラス基板の一方の面に形成された光硬化性樹脂製の第1の樹脂部の一部に構成された第1レンズ部と、
     前記第1レンズ部の光軸上に位置し、前記ガラス基板の他方の面に形成された光硬化性樹脂製の第2の樹脂部の一部に構成された第2レンズ部と、
     を有する撮像用レンズであって、
     前記第1及び第2の樹脂部にはそれぞれ1又は2種の赤外線吸収剤が添加され、前記赤外線吸収剤の各々は吸収波長領域が互いに異なっていることを特徴とする撮像用レンズ。
  2.  請求項1に記載の撮像用レンズにおいて、
     前記赤外線吸収剤の融点が260℃以上であることを特徴とする撮像用レンズ。
  3.  第1のガラス基板と、
     前記第1のガラス基板の少なくとも一方の面に形成された光硬化性樹脂製の樹脂部の一部に構成された第1レンズ部と、
     前記第1のガラス基板上に所定の間隔をもって積層された第2のガラス基板と、
     前記第2のガラス基板の少なくとも一方の面に形成された光硬化性樹脂製の樹脂部の一部に構成された、前記第1レンズ部の光軸上に位置する第2レンズ部と、
     を有する撮像用レンズユニットであって、
     前記第1及び第2のガラス基板に各々形成された前記樹脂部の各々には1又は2種の赤外線吸収剤が添加され、前記赤外線吸収剤の各々は吸収波長領域が互いに異なっていることを特徴とする撮像用レンズユニット。
  4.  請求項3に記載の撮像用レンズユニットにおいて、
     前記赤外線吸収剤の融点が260℃以上であることを特徴とする撮像用レンズユニット。
  5.  請求項1又は2に記載の撮像用レンズと、
     前記撮像用レンズの各レンズ部を透過する光を受光する撮像素子と、
     を備えたことを特徴とする撮像装置。
  6.  請求項3又は4に記載の撮像用レンズユニットと、
     前記撮像用レンズユニットの各レンズ部を透過する光を受光する撮像素子と、
     を備えたことを特徴とする撮像装置。
PCT/JP2009/065489 2008-10-31 2009-09-04 撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置 WO2010050297A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-282008 2008-10-31
JP2008282008 2008-10-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010050297A1 true WO2010050297A1 (ja) 2010-05-06

Family

ID=42128665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/065489 WO2010050297A1 (ja) 2008-10-31 2009-09-04 撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2010050297A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3318920A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-09 Essilor International Near infrared light-cutting optical articles with low residual color

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61115958A (ja) * 1984-11-09 1986-06-03 Mitsubishi Chem Ind Ltd アントラキノン誘導体
JPS63139303A (ja) * 1986-08-05 1988-06-11 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JP2004200360A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
WO2006003807A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Toppan Printing Co., Ltd. 撮像素子
JP2006106229A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透過型光学素子の製造方法および透過型光学素子
JP2006278356A (ja) * 2005-03-25 2006-10-12 Dainippon Printing Co Ltd 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
JP3926380B1 (ja) * 2006-12-07 2007-06-06 マイルストーン株式会社 撮像レンズ
JP2007221231A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Denso Corp 撮像モジュールおよびその製造方法
JP2007242771A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Toppan Printing Co Ltd 撮像素子の製造方法及び撮像素子

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61115958A (ja) * 1984-11-09 1986-06-03 Mitsubishi Chem Ind Ltd アントラキノン誘導体
JPS63139303A (ja) * 1986-08-05 1988-06-11 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JP2004200360A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
WO2006003807A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Toppan Printing Co., Ltd. 撮像素子
JP2006106229A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透過型光学素子の製造方法および透過型光学素子
JP2006278356A (ja) * 2005-03-25 2006-10-12 Dainippon Printing Co Ltd 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
JP2007221231A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Denso Corp 撮像モジュールおよびその製造方法
JP2007242771A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Toppan Printing Co Ltd 撮像素子の製造方法及び撮像素子
JP3926380B1 (ja) * 2006-12-07 2007-06-06 マイルストーン株式会社 撮像レンズ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3318920A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-09 Essilor International Near infrared light-cutting optical articles with low residual color
WO2018082946A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-11 Essilor International Near infrared light-cutting optical articles with low residual color
US11124599B2 (en) 2016-11-04 2021-09-21 Essilor International Near infrared light-cutting optical articles with low residual color

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101876229B1 (ko) 근-적외선 흡수 필터 및 이미지 센서
JP6087464B1 (ja) 赤外線カットフィルタ及び撮像光学系
JP7326993B2 (ja) 光学フィルター、その製造方法およびその用途
JP5823119B2 (ja) 紫外赤外線カット用光学フィルタ
KR20170074911A (ko) 카메라 모듈용 광학 장치, 광학 장치를 지닌 카메라 모듈 및 광학 장치의 제조 방법
CN107076895A (zh) 光学滤波器和摄像装置
JP6642575B2 (ja) 光学フィルタおよび近赤外線カットフィルタ
JP5759717B2 (ja) 監視カメラ用撮像光学系
TW201415091A (zh) 紅外線截止濾光片及攝影裝置
JP2012137649A (ja) 光学フィルタ
JP2019012121A (ja) 光学フィルタおよび撮像装置
TWI753299B (zh) 光學濾波器及其用途
EP3480633B1 (en) Optical filter, and camera module and electronic device comprising the same
JP2012137651A (ja) 光学フィルタ
JP2021009271A (ja) カメラモジュールおよび電子機器
WO2010050297A1 (ja) 撮像用レンズ、撮像用レンズユニット及び撮像装置
JP2024041789A (ja) 光学フィルタ、近赤外線カットフィルタ、および撮像装置
JP7143881B2 (ja) 光学フィルターおよびその用途
TWI814948B (zh) 光學濾波器及近紅外線截止濾波器
KR101866104B1 (ko) 카메라 모듈에 포함되는 근적외선 컷-오프 필터용 광학물품 및 이를 포함하는 카메라 모듈용 근적외선 컷-오프 필터
JP7251423B2 (ja) 光学部材及びカメラモジュール
JP2018180430A (ja) 光学フィルタ
JP2018132609A (ja) 赤外線カットフィルタ及び撮像光学系
JP6706700B2 (ja) 赤外線カットフィルタ、撮像装置および赤外線カットフィルタの製造方法
TWI851815B (zh) 光學構件及相機模組

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09823410

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09823410

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP