WO2010047623A1 - Светоизлучающий диод (варианты) - Google Patents

Светоизлучающий диод (варианты) Download PDF

Info

Publication number
WO2010047623A1
WO2010047623A1 PCT/RU2009/000568 RU2009000568W WO2010047623A1 WO 2010047623 A1 WO2010047623 A1 WO 2010047623A1 RU 2009000568 W RU2009000568 W RU 2009000568W WO 2010047623 A1 WO2010047623 A1 WO 2010047623A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
diamond
type
regions
conductivity
heavily doped
Prior art date
Application number
PCT/RU2009/000568
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Владимир Давидович БЛАНК
Сергей Геннадьевич БУГА
Михаил Петрович КАРПУШИН
Виктор Наумович МОРДКОВИЧ
Сергей Александрович ТЕРЕНТЬЕВ
Original Assignee
Федеральное Государственное Учреждение "Texнoлoгичecкий Институт Сверхтвердых И Новых Углеродных Материалов "
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Учреждение "Texнoлoгичecкий Институт Сверхтвердых И Новых Углеродных Материалов " filed Critical Федеральное Государственное Учреждение "Texнoлoгичecкий Институт Сверхтвердых И Новых Углеродных Материалов "
Publication of WO2010047623A1 publication Critical patent/WO2010047623A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of group IV of the periodic system

Definitions

  • the invention relates to the field of microelectronic light sources, and more particularly to light-emitting diodes of ultraviolet and visible spectral regions.
  • LEDs Light-emitting diodes made on the basis of diamond are known [Wapg W.L., Liao K.I., Cai CZ. Ultgaviolet eletgolumipissepse at goot temprerature fp r jupptiop of hetogeritahial diamond film by CVD. Diamond and ReI. Mat., 2003, N ° 12, p. 1385]. LEDs are a p-type silicon substrate of p-type conductivity on which successive p-type and p-type diamond layers are formed, as well as metal contact electrodes to the diamond layers.
  • the p-type diamond layer When voltage is applied to the contact electrodes, the p-type diamond layer emitted light in the wavelength range of 200-600 nm, and in contrast to LEDs based on other semiconductor materials, a pronounced intense 235 nm line corresponding to deep ultraviolet (UV) is observed.
  • This design is characterized by low radiation intensity, since a diamond grown on a silicon substrate inevitably has a polycrystalline structure containing a high density of defects (primarily, crystallite boundaries) and characterized by increased nonradiative recombination.
  • Another disadvantage of this design is that a significant proportion of the radiation is absorbed by metal contact electrodes.
  • the present invention is based on the task of creating a light emitting diode of such a design, which will increase the intensity of the emitted LED light.
  • the object is achieved by creating a light-emitting diode containing a substrate of single-crystal dielectric diamond with a layer of p-type monocrystalline diamond located on its surface, in which, according to the invention, a rectangular element is formed in the p-type diamond layer containing two highly doped regions of the same conductivity type opposite
  • Another embodiment of the invention is the creation of a light-emitting diode containing a substrate of single-crystal dielectric diamond with a layer of p-type monocrystalline diamond located on its surface, in which, according to the invention, a line of alternating regions of heavily doped diamond of the first and the second type of conductivity, separated by regions of p-type diamond, with all areas of the p-type diamond having the same length, and the first and last Strongly doped regions have the same type of conductivity.
  • heavily doped regions of the first conductivity type are connected to one pole of the power source, and heavily doped regions of the second conductivity type are connected to another pole of the power supply, for example using metal busbars.
  • the technical result is achieved due to the interference of the selected radiation wavelength by individual p-regions, and the increase in radiation intensity is proportional to the square of the number of emitting regions in the line.
  • Another embodiment of the invention is the creation of a light-emitting diode containing a substrate of single-crystal dielectric diamond with a layer of p-type single-crystal diamond located on its surface, in which, according to the invention, a ring system is formed in the p-type diamond layer with axial symmetry of alternating regions of heavily doped diamond of the first and second type of conductivity, separated by regions of p-type diamond, with the radius of each subsequent annular pair consisting of the p-type diamond region and the heavily doped region of the first or second type of conductivity differs from the radius of the previous ring pair by an amount multiple of the square root of the wavelength of the emitted light.
  • the technical result of solving this problem is a diamond-based LED with increased radiation intensity in the entire emitted spectrum range.
  • the proposed embodiments of the invention are based on a single inventive concept - the planar arrangement of the light-emitting regions in relation to the surface of the LEDs.
  • the depth of heavily doped regions can both coincide with the thickness of the p-type diamond of conductivity, and may differ from it to a smaller side.
  • Figure l shows a cross section of a rectangular element formed in a p-type diamond layer of conductivity
  • figure 2 presents the implementation of a line of alternating areas, a cross section
  • on figa is the same as in figure 2, a top view
  • on Fig.3 shows the implementation of a ring system of alternating regions with axial symmetry, cross section
  • on figa the same as on figz, top view.
  • the light-emitting diode in accordance with the invention comprises a substrate of single-crystal dielectric diamond 1 with a layer of p-type single-crystal diamond located on its surface 2, in the layer of which LEDs are formed in accordance with embodiments: a rectangular element (Fig.
  • the rectangular member comprises two highly-doped region of the same conductivity type 3 or 4, for example W (FIG), at opposing sides of the element and disposed between them and separated from them equal to the length of the diamond areas p- type 2 heavily doped region of the opposite type of conductivity 4 or 3, for example, 4 (Fig.l)
  • a line of alternating regions of heavily doped diamond of the first 3 and second 4 types of conductivity separated by regions of p-type diamond 2 is formed in the p-type diamond layer 2, and all p-type diamond regions conductivity type 2 have the same length, and the first and last heavily doped regions 3 or 4 have the same conductivity type, for example 3 (figure 2).
  • a ring system is formed in the p-type diamond layer 2 with axial symmetry of alternating regions of heavily doped diamond of the first 3 and second 4 conductivity types separated by p-type diamond regions 2, wherein
  • a heavily doped region of the first 3 or second 4 type of conductivity differs from the radius of the previous ring pair by an amount multiple of the square root of the wavelength of the emitted light.
  • the LED consists of a sequence of annular zones, including the light-emitting region of the p-type diamond 2 and a highly doped region of the first or second type of conductivity, opaque to light, covered completely or partially by a metal contact electrode.
  • LEDs work as follows.
  • the metal contact electrodes located on the surface of the heavily doped p + conductivity type regions are connected to the plus of the power supply, and the metal contact electrodes located on the surface of the heavily doped n + conductivity type regions are connected to the minycy power source.
  • the LED starts emitting with intensity, proportional to the voltage supplied to the metal contact electrodes.
  • Example 1 LEDs of various designs were made on a dielectric diamond substrate (resistivity 10 12 Ohm * cm, size 3 x 3 mm, thickness 0.3 mm) with a p-type semiconductor diamond layer placed on its surface (resistivity 100 Ohm * cm, thickness 2 microns). Highly doped regions of two types of conductivity were formed by implantation of boron and phosphorus ions and subsequent annealing (1000 ° C, 1 hour, vacuum). The depth of heavily doped regions coincided with the thickness of the p-type diamond of conductivity. Metal contact electrodes and conductive busbars were formed on the basis of gold films. In all LEDs, the width of heavily doped p and p regions was 100 ⁇ m. The first group of LEDs contained one p + -pn + element with a length of
  • the second group of LEDs was a four-element linear construction of the form p + -pn + -pp + -pn + -p-p + with p-regions of the same length (30 ⁇ m) and the geometry of heavily doped regions identical to the first group of LEDs.
  • the third group of LEDs had a linear construction similar to the second group with the same size of heavily doped regions.
  • the length of the p region was 0.3 ⁇ m, which corresponds to half the wavelength of light in the red-orange region.
  • the number of emitting p-regions in the liquefaction was 30 elements.
  • the LED contained two annular regions of p-type diamond, with the radius of the outer ring being 30 ⁇ m and the inner ring 12 ⁇ m, i.e. the ratio of the length of the extreme and middle p-regions is proportional to the root of a given wavelength (0.6 ⁇ m) of red-orange light.
  • LEDs were also manufactured, the design of which fully corresponded to the prototype.
  • the radiation intensity of the manufactured LEDs was measured in the spectral band 590-610 nm using a spectrophotometer.
  • the table shows the data characterizing the radiation intensity, measured in relative units depending on the version of the LED.
  • the invention can be used in optoelectronics, automation, microsystem engineering and other fields.

Abstract

Светоизлучающий диод, согласно изoбpeтeнию,coдepжит подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости В слое алмаза р-типа проводимости сформирован прямоугольный элемент, содержащий две сильнолегированные области одинакового типа проводимости у противолежащих сторон элемента и расположенную между ними и отделенную от них равными по длине областями алмаза р-типа сильнолегированную область противоположного типа проводимости. На поверхности сильнолегированных областей обоих типов проводимости сформированы металлические контактные электроды. Во втором варианте светоизлучающего диода на поверхности сильнолегированных областей сформирована линейка чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого и второго типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа. Все области алмаза р-типа проводимости имеют одинаковую длину, а первая и последняя сильнолегированные области имеют одинаковый тип проводимости. В третьем варианте светоизлучающего диода на поверхности сильнолегированных областей сформирована кольцевая система с осевой симметрией чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого и второго типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа. Радиус каждой последующей кольцевой пары, состоящей из области алмаза р-типа и сильнолегированной области первого или второго типа проводимости, отличается от радиуса предыдущей кольцевой пары на величину, кратную квадратному корню из заданной длины волны.

Description

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД.
( варианты)
Область техники - Изобретение относится к области микроэлектронных источников света, более конкретно к светоизлучающим диодам ультрафиолетовой и видимой области спектра.
Предшествующий уровень техники Известны светоизлучающие диоды (СИД), выполненные на основе алмаза [Wапg W.L., Liао K.I., Саi CZ. Ultгаviоlеt еlесtгоlumiпisсепсе аt гооm tеmреrаturе fгоm рп juпсtiоп оf hеtегоерitахiаl diamond film by CVD. Diamond and ReI. Маt., 2003, N°12, р.1385]. СИД представляют собой подложку из кремния р-типа проводимости, на которой сформированы последовательные слои алмаза р-типа и п- типа проводимости, а также металлические контактные электроды к слоям алмаза. При приложении напряжения к контактным электродам слой алмаза р-типа проводимости излучал свет в области длин волн 200-600 нм, причем в отличии от СИД на основе других полупроводниковых материалов наблюдается явно выраженная интенсивная линия 235 нм соответствующая глубокому ультрафиолету (УФ). Такая конструкция характеризуется низкой интенсивностью излучения, поскольку выращенный на кремниевой положке алмаз с неизбежностью имеет поликристаллическую структуру, содержащую высокую плотность дефектов (прежде всего, границ кристаллитов) и характеризующуюся повышенной безизлучательной рекомбинацией. Другой недостаток данной конструкции состоит в том, что значительная доля излучения поглощается металлическими контактными электродами. Кроме того, принципиальная возможность увеличения интенсивности излучения данного СИД путем увеличения тока через диод с практической точки зрения во многих случаях ограничена диапазоном значений напряжения питания, используемом в микроэлектронных устройствах (как правило, 3-12 В). Эти недостатки частично преодолены в техническом решении [Коizumi
S., Watanabe K., Наsаgаvа M., Kanda H., Ultгаviоlеt Еmissiоп fгоm Diamond рп Juпсtiоп. Sсiепсе, 2001, v.292, р.1899), в котором в качестве подложки использован монокристаллический алмаз, на поверхности которого последовательно сформированы эпитаксиальные слои алмаза р-типа и п- типа проводимости. Такие эпитаксиальные слои алмаза, имеют монокристаллическую структуру, что обеспечивает заметное увеличение интенсивности излучаемого света, в т.ч. в УФ области.
Однако в данной работе не преодолены потери излучения, связанные с влиянием контактных электродов, а также упомянутые выше токовые ограничения.
Раскрытие изобретения.
В основу настоящего изобретения положена задача создать светоизлучающий диод такой конструкции, которая обеспечит повышение интенсивности излучаемого СИД света. Поставленная задача достигается созданием светоизлучающего диода, содержащего подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, в котором , согласно изобретению, в слое алмаза р-типа проводимости сформирован прямоугольный элемент, содержащий две сильнолегированные области одинакового типа проводимости у противолежащих
- сторон элемента и расположенную между ними и отделенную от них равными по длине областями алмаза р-типа сильнолегированную область противоположного типа проводимости, причем на поверхности сильнолегированных областей обоих типов проводимости сформированы металлические контактные электроды. - Следующим из вариантов изобретения является создание светоизлучающего диода, содержащего подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, в котором, согласно изобретению, в слое алмаза р-типа проводимости сформирована линейка чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого и второго типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа, причем все области алмаза р- типа проводимости имеют одинаковую длину, а первая и последняя сильнолегированные области имеют одинаковый тип проводимости.
При этом для удобства работы сильнолегированные области первого типа проводимости подключены к одному полюсу источника питания, а сильнолегированные области второго типа проводимости подключены к другому полюсу источника питания, например с помощью металлических токоподводящих шин.
Технический результат достигается за счет интерференции выбранной длины волны излучения отдельными р-областями, причем рост интенсивности излучения пропорционален квадрату количества излучающих областей в линейке.
Увеличение интенсивности излучения света СИД по сравнению с предыдущим вариантом в такой конструкции достигается за счет того, что при равных значениях напряжении питания, длины излучающей свет области алмаза р- типа, сумме длин областей алмаза р-типа и равном поперечном сечении областей алмаза р-типа в обеих конструкциях СИД ток, протекающий в областях алмаза р- типа, сформированных в СИД, содержащем линейку чередующихся областей, будет больше во столько раз во сколько длина отдельной области алмаза р-типа в таком СИД меньше, чем в СИД с прямоугольным элементом. ,
Дополнительное увеличение интенсивности излучения линейной конструкции СИД достигается тогда, когда длина области алмаза р-типа кратна * половине заданной длины волны.
Еще одним вариантом изобретения является создание светоизлучающего диода, содержащего подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, в котором, согласно изобретению, в слое алмаза р-типа проводимости сформирована кольцевая система с осевой симметрией чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого и второго типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа, причем радиус каждой последующей кольцевой пары, состоящей из области алмаза р-типа и сильнолегированной области первого или второго типа проводимости, отличается от радиуса предыдущей кольцевой пары на величину, кратную квадратному корню из длины волны излучаемого света.
Техническим результатом решения этой задачи является СИД на основе алмаза, обладающий повышенной интенсивностью излучения во всем излучаемом диапазоне спектра. Предложенные варианты выполнения изобретения основаны на едином изобретательском замысле - планарном расположении светоизлучающих областей по отношении к поверхности СИД.
Глубина сильнолегированных областей может как совпадать с толщиной алмаза р-типа проводимости, так и отличаться от нее в меньшую сторону.
Краткое описание чертежей.
В дальнейшем предлагаемое изобретение поясняется конкретными примерами его выполнения и прилагаемыми чертежами, на которых, согласно изоб- ретению, изображено:
На фиг.l представлено поперечное сечение прямоугольного элемента, сформированного в слое алмаза р-типа проводимости; на фиг.2 представлено выполнение линейки чередующихся областей, поперечное сечение; нa фиг.2A -то же, что на фиг.2 , вид сверху; на фиг.З представлено выполнение кольцевой системы чередующихся областей с осевой симметрией, поперечное сечение; на фиг.ЗА то же, что на фиг.З, вид сверху. Лучший вариант осуществления изобретения Светоизлучающий диод в соответствии с изобретением содержит подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза 1 с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости 2, в слое которого сформированы в соответствии с вариантами выполнения СИД: прямоугольный элемент (фиг.l), линейка чередующихся областей (фиг.2,фиг.2A), или кольцевая система чередующихся областей с осевой симметрией (фиг.З,фиг.ЗA), содержащие сильнолегированные области первого типа проводимости 3, сильнолегированные области второго типа проводимости 4 . На поверхности сильнолегированных областей 3 и 4 сформированы металлические контактные электроды 5, соединенные с расположенными на поверхности слоя моно кристаллического алмаза р-типа проводимости 2 токоподводящими шинами 6 и 7. При выполнении СИД в ^соответствии с первым вариантом изобретения прямоугольный элемент содержит две сильнолегированные области одинакового типа проводимости 3 или 4, например З(Фиг.l), у противолежащих сторон элемента и расположенную между ними и отделенную от них равными по длине областями алмаза р-типа 2 сильнолегированную область противоположного типа проводимости 4 или 3, например, 4 (фиг.l)
При выполнении СИД в соответствии со вторым вариантом изобретения (фиг.2) в слое алмаза р-типа проводимости 2 сформирована линейка чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого 3 и второго 4 типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа 2, причем все области алмаза р-типа проводимости 2 имеют одинаковую длину, а первая и последняя сильнолегированные области 3 или 4 имеют одинаковый тип проводимости, например 3(фиг.2).
При выполнении СИД в соответствии с третьим вариантом изобретения в слое алмаза р-типа проводимости 2 сформирована кольцевая система с осевой симметрией чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого 3 и второго 4 типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа 2, причем
. радиус каждой последующей кольцевой пары, состоящей из области алмаза р-типа
2 и сильнолегированной области первого 3 или второго 4 типа проводимости, отличается от радиуса предыдущей кольцевой пары на величину, кратную квадратному корню из длины волны излучаемого света.
Таким образом, СИД состоит из последовательности кольцевых зон, включающих светоизлучающую область алмаза р-типа 2 и непрозрачную для света сильнолегированную область первого или второго типа проводимости, покрытую полностью или частично металлическим контактным электродом.
СИД работают следующим образом. Металлические контактные электроды, расположенные на поверхности сильнолегированных областей p+ типа проводимости, присоединены к «плюcy» источника питания, а металлические контактные электроды, расположенные на поверхности сильнолегированных областей n+ типа проводимости, присоединены к «минycy» источника питания. При включении источника питания СИД начинает излучать с интенсивностью, пропорциональной напряжению, подаваемого на металлические контактные элеткроды.
Приводимые ниже примеры подтверждает, но не ограничивает использование изобретения. Пример 1. Были изготовлены СИД различных конструкций на подложке из диэлектрического алмаза (удельное сопротивление 1012 Ом* см, размер 3 x 3 мм, толщина 0,3 мм) с размещенной на ее поверхности слоем полупроводникового алмаза р-типа (удельное сопротивление 100 Oм*cм, толщина 2 мкм). Сильнолегированные области двух типов проводимости формировались путем имплантации ионов бора и фосфора и последующего отжига (1000 0C, 1 час, вакуум). Глубина сильнолегированных областей совпадала с толщиной алмаза р-типа проводимости. Металлические контактные электроды и токопроводящие шины формировались на основе пленок золота. Во всех СИД ширина сильнолегированных р- и п - областей составляла 100 мкм. Первая группа СИД содержала один элемент типа p+-p-n+ с длиной
* излучающей р-области 50 мкм.
Вторая группа СИД представляла собой четырехэлементую линейную конструкцию вида p+-p-n+-p-p+-p-n+-p- p+ с р-областями одинаковой длины (30 мкм) и геометрией сильнолегированных областей, идентичной первой группе СИД.
Третья группа СИД имела подобную второй группе линейную конструкцию с тем же размером сильнолегированных областей. Для усиления света с длиной волны 0, бмкм ( красно-оранжевая область спектра) длина р-области составила 0,3 мкм, что соответствует половине длины волны света в красно- оранжевой области. Количество излучающих р-областей в лирейке составляло 30 элементов.
В четвертой группе СИД содержал две кольцевых области алмаза р- типа, причем радиус внешнего кольца составлял 30 мкм, а внутреннего 12 мкм, т.е. отношение длины крайней и средней р-областей пропорционально корню из заданной длины волны ( 0,6мкм) красно-оранжевого света.
Были также изготовлены СИД конструкция которых полностью соответствовала прототипу. Измерения интенсивности излучения изготовленных СИД проводились в спектральной полосе 590-610 нм с помощью спектрофотометра.
В таблице приведены данные, характеризующие интенсивность излучения, измеренную в отн.ед. в зависимости от варианта исполнения СИД. Таблица
Figure imgf000009_0001
Приведенные в таблице усредненные данные по 5 группам образцов каждого типа подтверждают эффективность предложенных решений.
Промышленная применимость.
Изобретение может быть использовано в оптоэлектронике, автоматике, микросистемной технике и других областях.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ.
1. Светоизлучающий диод, содержащий подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, отличающийся тем, что в слое алмаза р-типа проводимости сформирован прямоугольный элемент, содержащий две сильнолегированные области одинакового типа проводимости у противолежащих сторон элемента и расположенную между ними и отделенную от них равными по длине областями алмаза р-типа сильнолегированную область противоположного типа проводимости, причем на поверхности сильнолегированных областей обоих типов проводимости сформированы металлические контактные электроды.
2. Светоизлучающий диод, содержащий подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, отличающийся тем, что в слое алмаза р-типа проводимости сформирована линейка t чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого и второго типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа, причем все области алмаза р- типа проводимости имеют одинаковую длину, а первая и последняя сильнолегированные области имеют одинаковый тип проводимости.
3. Светоизлучающий диод по п.2, отличающееся тем, что длина области алмаза р-типа кратна половине заданной длины волны
4. Светоизлучающий диод, содержащий подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, отличающийся тем, что в слое алмаза р-типа проводимости сформирована кольцевая система с осевой симметрией чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого и второго типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа, причем радиус каждой последующей кольцевой пары, состоящей из области алмаза р-типа и сильнолегированной области первого или второго типа проводимости, отличается от радиуса предыдущей кольцевой пары на величину, кратную квадратному корню из заданной длины волны.
PCT/RU2009/000568 2008-10-24 2009-10-23 Светоизлучающий диод (варианты) WO2010047623A1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008142108 2008-10-24
RU2008142108/28A RU2386193C1 (ru) 2008-10-24 2008-10-24 Светоизлучающий диод (варианты)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010047623A1 true WO2010047623A1 (ru) 2010-04-29

Family

ID=42119500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2009/000568 WO2010047623A1 (ru) 2008-10-24 2009-10-23 Светоизлучающий диод (варианты)

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2386193C1 (ru)
WO (1) WO2010047623A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110931612B (zh) * 2019-11-20 2021-06-22 华南师范大学 一种多环正方形单元结构的可见光通信发光器件及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277798A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド電子素子
JP2001274455A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
JP2002231996A (ja) * 2000-12-01 2002-08-16 National Institute For Materials Science ダイヤモンド紫外光発光素子
JP2004207272A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド電子素子
RU2003118499A (ru) * 2003-06-23 2005-02-27 Галина Владимировна Федорова (RU) Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа
JP2005116794A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2006222391A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド紫外線発光素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277798A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド電子素子
JP2001274455A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
JP2002231996A (ja) * 2000-12-01 2002-08-16 National Institute For Materials Science ダイヤモンド紫外光発光素子
JP2004207272A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド電子素子
RU2003118499A (ru) * 2003-06-23 2005-02-27 Галина Владимировна Федорова (RU) Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа
JP2005116794A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2006222391A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド紫外線発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
RU2386193C1 (ru) 2010-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101352265B1 (ko) 고체 상태 발광기를 위한 설계 구조
KR102227815B1 (ko) 발광 소자
US10756236B2 (en) Textured optoelectronic devices and associated methods of manufacture
US9620679B2 (en) Light-emitting device
CN1998091B (zh) 硅光电倍增器及硅光电倍增器单元
EP1251568A2 (en) Light-emitting device and display apparatus using the same
CN105355733A (zh) 微型发光二极管
KR20060046155A (ko) 다공성 발광층을 포함하는 발광 소자
CN104969361B (zh) 光电器件及其生产方法
US20070181898A1 (en) Pixel structure for a solid state light emitting device
JP2015149480A (ja) 調節可能な色温度を備えた白色光エレクトロルミネセンスデバイス
CN1044549A (zh) 碳化硅中形成蓝光发射二极管
US8729525B2 (en) Opto-electronic device
US20120012865A1 (en) Led array package with a high thermally conductive plate
KR20110110782A (ko) 반도체 디바이스 상의 패턴화된 도전성 및 광학 투명성 층
JP2012227249A (ja) Ｌｅｄパッケージ
EP1727213A3 (en) Group IV based semiconductor light emitting device with improved carrier confinement and method of fabricating the same
US20060065943A1 (en) Thin film alternating current solid-state lighting
EP3951894A1 (en) Semiconductor light-emitting element
US20080217628A1 (en) Light emitting device
WO2010047623A1 (ru) Светоизлучающий диод (варианты)
WO2007013674A1 (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
CN102479893A (zh) 光电元件
CN105870114B (zh) 柔性发光器件及其制备方法、发光装置
CN104112770A (zh) 一种半导体器件终端的平边结构、制造工艺及光掩膜板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09822259

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09822259

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1