RU2003118499A - Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа - Google Patents
Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа Download PDFInfo
- Publication number
- RU2003118499A RU2003118499A RU2003118499/28A RU2003118499A RU2003118499A RU 2003118499 A RU2003118499 A RU 2003118499A RU 2003118499/28 A RU2003118499/28 A RU 2003118499/28A RU 2003118499 A RU2003118499 A RU 2003118499A RU 2003118499 A RU2003118499 A RU 2003118499A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- led semiconductor
- silicon
- accordance
- layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Claims (14)
1. Светодиодное полупроводниковое устройство, включающее источник излучения, держатель источника, выполненный из кремния с присоединительными выводами, отражающий конус, на нижней поверхности которого сформирован электрод, на который устанавливается кристалл излучателя, электрод сформированный на верхней плоскости кремниевого держателя, на который разваривается второй электрод источника излучения, нижняя поверхность держателя источника излучения содержит два контакта, позволяющая поверхностный монтаж.
2. Светодиодное полупроводниковое устройство, в соответствии с п. 1, где отражающая лунка имеет форму усеченной конической поверхности или тетраэдра, получаемых при травлении кремния, при этом травление кремния может производится как на всю глубину исходной пластины кремния, так и не на всю глубину.
3. Светодиодное полупроводниковое устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что глубина плоского посадочного места кристаллов излучателей света не менее чем в полтора раза превышает их толщину, а величина диаметра посадочного места для каждого отдельного кристалла излучателя света превышает размер диагонали нижней грани соответствующего кристалла, но не более чем в полтора раза величины указанной диагонали.
4. Светодиодное полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что объем лунки заполнен герметизирующим компаундом с добавлением диспергатора, люминофора или без них.
5. Светодиодное полупроводниковое устройство по п.1, где кремниевое основание, сформировано с нанесенными изолирующими слоями.
6. Светодиодное полупроводниковое устройство по п.1, где кремниевое основание, сформировано с нанесенными изолирующими слоями и металлическим слоем, где один металлический слой сформирован на слое изоляции, а другой слой сформирован на самом кремнии.
7. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.6, где обозначенный металлический слой сделан из материалов, выбранных из группы, состоящей из Ti, Pt, Ni, Au, Sn, Cu.
8. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с пп.5 и 6, где обозначенный слой изолятора сделан из материала, выбранного из группы, состоящей из SiO2, Si3N4, Al2О3.
9. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где материал кристалла излучателя выбран из группы состоящей из Al2О3, GaN, Si, GaAs, BN, InP, SiC, ZnO и алмаза.
10. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где оба электрода сформированы на нижней поверхности отражающего конуса для посадки кристаллов методом флип-чип технологии.
11. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где обозначенный полупроводниковый слой первого типа- полупроводниковый слой N-типа, а обозначенный полупроводниковый слой второго типа - полупроводниковый слой Р-типа.
12. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где обозначенный полупроводниковый слой первого типа -полупроводниковый слой Р-типа, а обозначенный полупроводниковый слой второго типа -полупроводниковый слой N-типа.
13. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, отличающееся тем, что в основании кремниевого держателя сформирован один из электронных
компонентов выпрямляющий диод, стабилитрон, электрически связанный с излучательным диодом.
14. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, отличающееся тем, что в основании кремниевого держателя сформирована функциональная интегральная схема, электрически связанная с излучательным диодом.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003118499/28A RU2267188C2 (ru) | 2003-06-23 | 2003-06-23 | Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003118499/28A RU2267188C2 (ru) | 2003-06-23 | 2003-06-23 | Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003118499A true RU2003118499A (ru) | 2005-02-27 |
RU2267188C2 RU2267188C2 (ru) | 2005-12-27 |
Family
ID=35285695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003118499/28A RU2267188C2 (ru) | 2003-06-23 | 2003-06-23 | Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2267188C2 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010047623A1 (ru) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Федеральное Государственное Учреждение "Texнoлoгичecкий Институт Сверхтвердых И Новых Углеродных Материалов " | Светоизлучающий диод (варианты) |
RU2477906C2 (ru) * | 2007-10-22 | 2013-03-20 | Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. | Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки |
RU2597674C2 (ru) * | 2010-11-19 | 2016-09-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Островковый держатель для светоизлучающего устройства |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7652301B2 (en) * | 2007-08-16 | 2010-01-26 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Optical element coupled to low profile side emitting LED |
US20090173956A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-07-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact for a semiconductor light emitting device |
US20090230409A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Underfill process for flip-chip leds |
EP2406835A4 (en) * | 2009-03-10 | 2013-09-18 | Nepes Led Corp | LED LADDER FRAME PACK, LED PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE LED PACKAGE |
JP5782823B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2015-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
RU2503095C1 (ru) * | 2012-06-29 | 2013-12-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Оптический модуль светодиодного светильника |
-
2003
- 2003-06-23 RU RU2003118499/28A patent/RU2267188C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2477906C2 (ru) * | 2007-10-22 | 2013-03-20 | Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. | Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки |
WO2010047623A1 (ru) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Федеральное Государственное Учреждение "Texнoлoгичecкий Институт Сверхтвердых И Новых Углеродных Материалов " | Светоизлучающий диод (варианты) |
RU2597674C2 (ru) * | 2010-11-19 | 2016-09-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Островковый держатель для светоизлучающего устройства |
US9997686B2 (en) | 2010-11-19 | 2018-06-12 | Lumileds Llc | Islanded carrier for light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2267188C2 (ru) | 2005-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101024330B1 (ko) | 렌즈형 표면을 가진 고효율 3족-질화물계 발광 다이오드 | |
US7129103B2 (en) | Semiconductor light emitting element and method of making the same | |
KR101154758B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지 | |
EP2405492B1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
CN101800277B (zh) | 发光器件和发光器件封装 | |
US6812502B1 (en) | Flip-chip light-emitting device | |
US7525248B1 (en) | Light emitting diode lamp | |
KR100907223B1 (ko) | 수직형 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | |
US9583681B2 (en) | Light emitter device packages, modules and methods | |
US9577155B2 (en) | Light emitting device | |
US20150062915A1 (en) | Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output | |
KR101448996B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법, 반도체 발광 소자패키지 | |
RU2003118499A (ru) | Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа | |
GB2426123A (en) | Substrate-free flip chip light emitting diode | |
US9236304B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
KR101649296B1 (ko) | 발광 소자 패키지 제조 방법과 발광 소자 패키지 스트립 및 발광 소자 패키지 | |
KR100887072B1 (ko) | 반도체 발광소자, 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 | |
TWI721340B (zh) | 發光二極體及其製作方法 | |
CN203787469U (zh) | 发光结构 | |
KR101204428B1 (ko) | Soi 웨이퍼를 이용한 발광 다이오드 패키지 제조 방법 | |
KR100762093B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 패키지 제조방법 | |
KR101976446B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
KR20180090529A (ko) | 반도체 소자 패키지 | |
KR102042540B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
KR20160022647A (ko) | 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20060624 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20070910 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120624 |