WO2009150889A1 - 液晶温度センサー、液晶温度センサーの温度検出方法、液晶装置及び液晶装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

　第１基板と、第２基板と、液晶層とを備える液晶パネル（３０）と、液晶パネル（３０）の駆動を制御する制御部（１４）とを有し、第１基板には互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、液晶パネル（３０）には、複数個の絵素がマトリクス状に配置されている液晶温度センサー（１０）であって、制御部（１４）には、絵素に流れる電流量を検出するとともに、検出した電流量を絵素における液晶層の温度情報に変換する電流－温度情報変換部（５０）が備えられている。

Description

液晶温度センサー、液晶温度センサーの温度検出方法、液晶装置及び液晶装置の駆動方法

　本発明は、液晶温度センサー、液晶温度センサーの温度検出方法、液晶装置及び液晶装置の駆動方法に関するものである。

　具体的には、液晶層・液晶パネルの温度が検出可能な液晶温度センサー、液晶温度センサーによる液晶層・液晶パネルの温度検出方法、並びに、液晶層・液晶パネルの温度に応じたオーバーシュート駆動が可能な液晶装置及びその駆動方法に関するものである。

　従来から、パーソナルコンピュータやテレビ受信機などの軽量化、薄形化に伴って、ディスプレイ装置にも軽量化、薄形化が要求されている。そして、このような要求にこたえるため陰極線管よる表示装置（ＣＲＴ：Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）に代わって液晶表示装置のようなフラットパネル型ディスプレイが普及している。

　また、最近では、液晶表示装置がコンピュータのディスプレイ装置だけでなくテレビ受信機のディスプレイ装置として広く用いられている。このため、液晶表示装置において動画像を表示する必要が増加してきている。

　しかしながら、一般に、液晶表示装置は応答速度がＣＲＴ等の他の表示装置に比べて遅いために動画像を適切に表示するのが容易ではない。

　（ＯＳ駆動）
　そこで、前記応答速度を向上させるための方策として、オーバーシュート駆動（ＯＳ駆動、オーバードライブ）と呼ばれる液晶表示装置の駆動法が開発されている。

　ここでオーバーシュート駆動とは、液晶材料に強調電圧を印加することにより液晶材料の応答を加速させ、応答速度の改善を図る駆動方法である。

　具体的には、ある画素の表示階調をある階調Ｔ１から他の階調Ｔ２へ変化させる際に、単に階調Ｔ２に応じた電圧を液晶材料に印加するのではなく、階調Ｔ１から階調Ｔ２への変化の向きと度合いとに応じてあらかじめ定めておいた強調電圧を液晶材料に印加することによって、液晶表示装置を駆動する方法である。

　なお、このようなオーバーシュート駆動は、一般に、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）を用いた入力階調の変換によって実現される。すなわち、階調変化の前後の階調Ｔ１と階調Ｔ２との組合せに対して、変換後の階調Ｔ３を対応付けるルックアップテーブルを作成してメモリ等に記憶させておく。そして、このルックアップテーブルを参照することにより、入力階調を変換する。

　（温度依存性）
　また、液晶材料は、その物性の温度依存性が非常に大きいことから、液晶表示装置では、液晶材料の温度変化によってその応答速度が大きく変化する。このため、ある温度で十分な応答速度の改善効果を見込むことができるオーバーシュート駆動のルックアップテーブルを設定しても、液晶材料の温度が変化することによって、上記ルックアップテーブルでは応答速度の改善効果が不十分、もしくは過剰となってしまう場合があり、液晶表示装置の表示品位を低下させてしまう場合がある。

　そこで、この温度変化による表示品位の低下を抑制するための方策として、液晶材料の温度に応じて上記ルックアップテーブルを複数設定しておき、温度センサーによる検出温度に応じて使用するルックアップテーブルを変更する技術が開発されている。また、それに関連して液晶表示装置の温度を検出する技術も、種々提案されている。

　（特許文献１）
　例えば、下記特許文献１には、液晶表示パネルの温度をより正確に推定するために、バックライトユニットの背後に配置される第１の温度センサーと、外気温を検出するために筐体の外部に配置される第２の温度センサーとが備えられた液晶表示装置が記載されている。

　そして、前記第１の温度センサー及び第２の温度センサーで検出された温度から、パネル温度推定手段が液晶表示パネルの温度を推定する。

　（特許文献２）
　また、下記特許文献２には、表示装置の温度を正確に感知するために、液晶表示板アセンブリにおける表示領域外である周辺領域に温度センサーが備えられた液晶表示装置が記載されている。

日本国公開特許公報「特開２００７－９３９３９号公報（公開日：２００７年４月１２日）」 日本国公開特許公報「特開２００７－２５６８５号公報（公開日：２００７年２月１日）」

　しかしながら、上記従来の液晶表示装置は、液晶材料の正確な温度を検出することが困難であるという問題を有している。

　また、液晶表示装置を製造するにあたり、工程数が増加するとともに製造コストが上昇するという問題を有している。

　（正確な温度検出）
　すなわち、前記特許文献１に記載の液晶表示装置では、バックライトユニットの背後に設けられた温度センサー等を用いて、液晶材料の温度を間接的に推定するため、液晶材料について正確な温度検出が困難である。

　（製造コスト等）
　また、前記特許文献１に記載の液晶表示装置では、バックライトユニット等に、温度センサーが別途取り付けられているために製造コストが上昇する。

　また、前記特許文献２に記載の液晶表示装置では、液晶表示パネルに温度センサーが作り込まれている。しかしながら、液晶表示パネルの本来の構造物であるバスラインや電極とは別に、温度センサーが付加的に設けられているため、温度センサーを設けるための工程が必要となり、その結果工程数が増加する。

　そこで、本発明は、前記の問題点にかんがみてなされたものであり、その目的は、製造コストや工程数の増加を抑制しながら、液晶層の温度の正確な検出が可能な液晶温度センサー、及び、液晶温度センサーの温度検出方法を提供することにある。

　また、液晶層・液晶パネルの温度が変化した場合であっても、この液晶パネルの光学応答特性を適切に補償することができる液晶装置及び液晶装置の駆動方法を提供することにある。

　本発明の液晶センサーは、前記課題を解決するために、
　第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、
　前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、
　前記液晶パネルには、複数個の絵素がマトリクス状に配置されている液晶温度センサーであって、
　前記制御部には、前記絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換する電流－温度情報変換部が備えられていることを特徴とする。

　また、本発明の液晶センサーの温度検出方法は、前記課題を解決するために、
　第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、
　前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、
　前記液晶パネルには、複数個の絵素が、マトリクス状に配置されている液晶温度センサーにおける液晶層の温度検出方法であって、
　前記絵素に流れる電流量を検出する工程と、
　前記検出された電流量を温度情報に変換する工程とを有することを特徴とする。

　前記構成及び方法によれば、液晶パネルに形成されている絵素に流れる電流量を検出することにより、液晶層の温度を検出することができる。

　詳しくは、液晶層に含まれる液晶材料には、その誘電率に温度依存性がある。そして、液晶材料の誘電率が変化すれば、かかる液晶材料が含まれる液晶層に流れる電流量が変化する。したがって、絵素に流れる電流量を検出することにより、当該絵素における液晶層の温度を検出することができる。

　また、前記構成及び方法によれば、前記電流量を、液晶パネルに一般的に設けられている絵素を用いて検出する。すなわち、温度センサー等の液晶パネルとは別個の部品を、液晶パネルに別途設置するものではない。

　したがって、前記構成及び方法は、液晶層の温度を検出するにあたり、製造コストや、工程数の増加を招きにくい。

　また、前記構成及び方法によれば、温度を検出したい液晶層に流れる電流に基づいて、その温度を検出している。

　したがって、例えば、温度を検出する温度センサー等を、液晶パネルと離れた位置に別途配置する構成とは異なり、液晶層の温度を正確に検出することができる。

　以上より、前記構成及び方法によれば、製造コストや工程数の増加を抑制しながら、液晶層の温度の正確な検出が可能な液晶温度センサー、及び、液晶温度センサーの温度検出方法を提供することができる。

　また、本発明の液晶センサーは、
　前記電流－温度情報変換部には、前記電流量と温度情報との相関情報が記憶されており、
　前記電流－温度情報変換部は、前記相関情報に基づいて、前記検出した電流量を前記温度情報に変換することができる。

　前記構成によれば、電流量を温度情報に変換する電流－温度情報変換部に、あらかじめ電流量と温度との関係、言い換えると、電流量を温度に読み替えるためのテーブルが与えられている。

　したがって、より正確、かつ、スムースに温度情報を得ることができる。

　また、本発明の液晶センサーは、
　前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、
　前記スイッチング素子がトランジスタ素子であり、
　前記交差する信号線が、前記トランジスタ素子に接続されたソースバスラインとゲートバスラインとであり、
　前記制御部には、前記ソースバスラインを制御するためのソースドライバと、前記ゲートバスラインを制御するためのゲートドライバとが設けられており、
　前記電流－温度情報変換部は、前記ソースドライバの消費電流を検出することにより、前記絵素に流れる電流量を検出することができる。

　前記構成によれば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス型液晶パネルにあらかじめ作りこまれたバスラインやドライバ等を用いて温度情報を得るので、液晶パネルの設計変更や、製造工程の変更等を招きにくく、より容易に液晶センサーを得ることができる。

　また、本発明の液晶センサーは、
　前記液晶パネルには、画像を表示する表示領域と、
　該表示領域の外縁に位置し、前記画像を表示しない非表示領域とが設けられており、
　前記電流量を検出する絵素を、前記非表示領域に属する絵素とすることができる。

　前記構成によれば、電流量を検出する絵素が非表示領域に属している。そのため、液晶パネルに表示される画像にかかわらず、任意の信号を前記絵素に印加することができる。

　したがって、電流量の検出に適した信号を絵素に印加することができる。具体的には、例えば、高電圧の信号を印加することで液晶材料の誘電率を高くして、正確な電流量の検出を行ったり、一定電圧の信号を印加して、電流量の変化を正確に読み取ったりすることができる。

　よって、前記構成によれば、より正確な温度情報を得ることができる。

　また、本発明の液晶センサーは、
　前記液晶パネルには、画像を表示する表示領域と、
　該表示領域の外縁に位置し、前記画像を表示しない非表示領域とが設けられており、
　前記非表示領域に属する絵素の前記スイッチング素子は、
　液晶パネルの検査用に設けられた前記ゲートバスラインであるダミーゲートバスラインに接続されていることとできる。

　前記構成によれば、検査用のダミーゲートバスラインに接続された絵素であるダミー絵素を用いて電流量の検出が行われる。

　したがって、液晶パネルの設計変更や、製造工程の変更等をより招きにくく、より簡便に液晶センサーを得ることができる。

　また、本発明の液晶センサーは、
　前記第２基板には、ブラックマトリクスが形成されており、
　平面視において、前記非表示領域が前記ブラックマトリクスに覆われていることとできる。

　前記構成によれば、電流量を検出する絵素のある非表示領域がブラックマトリクスに覆われている。

　そのため、前記絵素にいかなる電圧を印加しても、液晶パネルの主たる観察者からは、かかる絵素は認識されない。

　よって、表示品位を低下させること無く、正確な温度情報を得ることができる。

　また、本発明の液晶センサーは、
　前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられており、
　前記絵素は、前記交差する信号線によって画されることができる。

　また、本発明の液晶装置は、
　前記液晶温度センサーに備えられた液晶パネルが、階調変換テーブルを参照することにより階調変換された入力階調データに基づいてオーバーシュート駆動される液晶装置であって、
　前記制御部には、前記階調変換による階調変化度合いが互いに異なる複数の階調変換テーブルが記憶されている記憶部と、
　前記複数の階調変換テーブルの中から参照すべき階調変換テーブルを選択する選択部と、
　前記選択された階調変換テーブルを参照して入力階調データの階調変換を行う階調変換部とが備えられ、
　前記選択部は、前記電流－温度情報変換部から入力される前記温度情報に基づいて、前記記憶部に記憶されている階調変換テーブルの中から、当該液晶層の温度に適した前記階調変換テーブルを選択することとできる。

　また、本発明の液晶装置の駆動方法は、前記課題を解決するために、
　第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、
　前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、
　前記液晶パネルには、複数個の絵素が、マトリクス状に配置されている液晶装置の駆動方法であって、
　前記制御部には、前記絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換することができる電流－温度情報変換部と、
　階調変換による階調変化の度合いが互いに異なる複数の階調変換テーブルが記憶される記憶部と、
　前記複数の階調変換テーブルの中から参照すべき階調変換テーブルを選択する選択部と、
　前記選択された階調変換テーブルを参照して入力階調データの階調変換を行う階調変換部とが備えられており、
　前記電流－温度情報変換部において、前記絵素に流れる電流量を検出する工程と、
　前記電流－温度情報変換部において、検出された電流量を温度情報に変換する工程と、
　前記温度情報に基づいて、該液晶層の温度に適した階調変換テーブルを、前記記憶部に記憶されている階調変換テーブルの中から、前記選択部が選択する工程と、
　該選択された階調変換テーブルを参照することにより入力階調データを、前記変換部が階調変換する工程と、
　該階調変換された入力階調データに基づいて、前記液晶パネルをオーバーシュート駆動する工程とを有することを特徴とする。

　前記構成及び方法によれば、正確な温度情報に基づいて、オーバーシュート駆動における印加電圧を決定することができる。

　そのため、液晶層の温度が変化しても、光学応答特性の適切な補償が可能となる。

　すなわち、液晶材料はその物性に温度依存性がある。そのため、液晶表示装置はその応答速度に温度依存性をもつ。そのため、液晶材料の温度が変化した場合において、液晶表示装置の応答速度の変化を低減し、表示品位の低下を抑制するためには、液晶材料の温度に適した電圧を液晶層に印加する必要がある。

　そして、その方法として、いわゆる先に説明したオーバーシュート駆動がある。

　ここで、オーバーシュート駆動により、温度変化による液晶表示装置の応答速度の変化を低減させるためには、液晶材料の温度、言い換えると、その液晶材料が含まれる液晶層の温度を正確に把握する必要がある。

　この点、前記構成及び方法によれば、先に説明した通り、液晶層の温度の正確な検出が可能である。

　そのため、オーバーシュート駆動における温度ごとの印加電圧について、より適切な印加電圧を設定することができる。

　よって、前記構成及び方法によれば、液晶層・液晶パネルの温度が変化した場合であっても、この液晶パネルの光学応答特性を適切に補償することができる液晶装置及び液晶装置の駆動方法を提供することができる。

　また、本発明の液晶温度センサーの温度検出方法、及び、液晶装置の駆動方法は、
　前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、
　前記絵素は、前記交差する信号線によって画されることができる。

　また、本発明の液晶センサーは、前記課題を解決するために、第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、前記液晶パネルには、前記交差する信号線によって画される複数個の絵素がマトリクス状に配置されている液晶温度センサーであって、前記制御部には、前記絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換する電流－温度情報変換部を備えることができる。

　また、本発明の液晶センサーは、前記スイッチング素子がトランジスタ素子であり、前記交差する信号線が、前記トランジスタ素子に接続されたソースバスラインとゲートバスラインとであり、前記制御部には、前記ソースバスラインを制御するためのソースドライバと、前記ゲートバスラインを制御するためのゲートドライバとが設けられており、前記電流－温度情報変換部は、前記ソースドライバの消費電流を検出することにより、前記絵素に流れる電流量を検出することができる。

　また、本発明の液晶装置は、前記液晶パネルが、階調変換テーブルを参照することにより階調変換された入力階調データに基づいてオーバーシュート駆動される液晶装置であって、前記制御部には、前記階調変換による階調変化度合いが互いに異なる複数の階調変換テーブルが記憶されている記憶部と、前記複数の階調変換テーブルの中から参照すべき階調変換テーブルを選択する選択部と、前記選択された階調変換テーブルを参照して入力階調データの階調変換を行う階調変換部とが備えられ、前記選択部は、前記電流－温度情報変換部から入力される前記温度情報に基づいて、前記記憶部に記憶されている階調変換テーブルの中から、当該液晶層の温度に適した前記階調変換テーブルを選択することができる。

　また、本発明の液晶センサーの温度検出方法は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、前記液晶パネルには、前記交差する信号線によって画される複数個の絵素が、マトリクス状に配置されている液晶温度センサーにおける液晶層の温度検出方法であって、前記絵素に流れる電流量を検出する工程と、前記検出された電流量を温度情報に変換する工程とを有することができる。

　また、本発明の液晶装置の駆動方法は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、前記液晶パネルには、前記交差する信号線によって画される複数個の絵素が、マトリクス状に配置されている液晶装置の駆動方法であって、前記制御部には、前記絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換することができる電流－温度情報変換部と、階調変換による階調変化の度合いが互いに異なる複数の階調変換テーブルが記憶される記憶部と、前記複数の階調変換テーブルの中から参照すべき階調変換テーブルを選択する選択部と、前記選択された階調変換テーブルを参照して入力階調データの階調変換を行う階調変換部とが備えられており、前記電流－温度情報変換部において、前記絵素に流れる電流量を検出する工程と、前記電流－温度情報変換部において、検出された電流量を温度情報に変換する工程と、前記温度情報に基づいて、該液晶層の温度に適した階調変換テーブルを、前記記憶部に記憶されている階調変換テーブルの中から、前記選択部が選択する工程と、該選択された階調変換テーブルを参照することにより入力階調データを、前記変換部が階調変換する工程と、該階調変換された入力階調データに基づいて、前記液晶パネルをオーバーシュート駆動する工程とを有することができる。

　本発明の液晶センサーは、以上のように、制御部には、絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換する電流－温度情報変換部が備えられているものである。

　また、本発明の液晶温度センサーの温度検出方法は、以上のように、絵素に流れる電流量を検出する工程と、前記検出された電流量を温度情報に変換する工程とを有する方法である。

　よって、製造コストや工程数の増加を抑制しながら、液晶層の温度の正確な検出が可能な液晶温度センサー、及び、液晶温度センサーの温度検出方法を提供することができるという効果を奏する。

　また、本発明の液晶装置の駆動方法は、以上のように、制御部には、絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換することができる電流－温度情報変換部と、階調変換による階調変化の度合いが互いに異なる複数の階調変換テーブルが記憶される記憶部と、前記複数の階調変換テーブルの中から参照すべき階調変換テーブルを選択する選択部と、前記選択された階調変換テーブルを参照して入力階調データの階調変換を行う階調変換部とが備えられており、前記電流－温度情報変換部において、前記絵素に流れる電流量を検出する工程と、前記電流－温度情報変換部において、検出された電流量を温度情報に変換する工程と、前記温度情報に基づいて、該液晶層の温度に適した階調変換テーブルを、前記記憶部に記憶されている階調変換テーブルの中から、前記選択部が選択する工程と、該選択された階調変換テーブルを参照することにより入力階調データを、前記変換部が階調変換する工程と、該階調変換された入力階調データに基づいて、前記液晶パネルをオーバーシュート駆動する工程とを有する方法である。

　よって、液晶層・液晶パネルの温度が変化した場合であっても、この液晶パネルの光学応答特性を適切に補償することができる液晶装置の駆動方法を提供することができるという効果を奏する。

本発明の実施の形態を示すものであり、液晶温度センサーの概略構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態を示すものであり、液晶パネルの概略構成を示す図である。 本発明の実施の形態を示すものであり、ゲートバスラインの配置を示す図である。 液晶材料の誘電率の温度依存性の例を示す図である。 液晶パネルの消費電流の温度依存性の例を示す図である。 本発明の実施の形態を示すものであり、液晶温度センサーの動作フローチャートである。 本発明の実施の形態を示すものであり、液晶温度センサーの動作フローチャートである。 本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の他の実施の形態を示すものであり、液晶装置の動作フローチャートである。 従来技術を示すものであり、液晶装置の概略構成を示すブロック図である。

　〔実施の形態１〕
　本発明の一実施の形態について図１に基づいて説明すると以下の通りである。ここで、図１は、本実施の形態の液晶温度センサーの概略構成を示すブロック図である。

　（液晶温度センサー）
　図１に示すように、本実施の形態の液晶温度センサー１０には、液晶パネル３０と、制御部１４とが備えられている。

　詳しくは、前記制御部１４には、該液晶パネル３０に接続された信号線としてのゲートドライバ４０及びソースドライバ４２と、該ゲートドライバ４０及びソースドライバ４２に接続されたタイミングコントローラー４４とが備えられている。

　ここで、本実施の形態の液晶温度センサー１０は、前記ソースドライバ４２に接続された電流－温度情報変換部５０が備えられている点が特徴である。そして、この電流－温度情報変換部５０の機能により、後に説明するように、液晶パネル、特には液晶層からの温度情報を得ることができる。

　（液晶パネル）
　つぎに、図２に基づいて、前記液晶パネル３０について説明する。ここで、図２は液晶パネル３０の概略構成を示す図である。

　図２に示すように、前記液晶パネル３０は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板としての第１基板２６と、カラーフィルター基板としての第２基板２８と、該第１基板２６と第２基板２８とに挟持された液晶層４６とを備えている。

　（第１基板）
　そして、前記第１基板２６には、その横方向（図２に示す矢印Ｘ方向）に、前記ゲートドライバ４０に接続された複数本のゲートバスライン３２が形成されている。また、前記第１基板２６には、前記横方向と直交する方向である縦方向（図２に示す矢印Ｙ方向）に、前記ソースドライバ４２に接続された複数本のソースバスライン３４が形成されている。

　さらに、前記ゲートバスライン３２とソースバスライン３４とが交差する部分には、スイッチング素子３６としてのＴＦＴ素子（トランジスタ素子）が形成されている。

　（第２基板）
　他方、前記第２基板２８には、対向電極４８が形成されている。

　また、前記第２基板２８と前記対向電極４８との間には、カラーフィルター（図示せず）とブラックマトリクス（図示せず）とが形成されている。

　（絵素）
　そして、前記液晶パネル３０における、前記複数本のゲートバスライン３２とソースバスライン３４とによって画されるおよそ長方形の領域が絵素３８となり、前記液晶パネル３０には、複数個の絵素３８がマトリクス状に配置されている。

　この各絵素３８には、１個の前記スイッチング素子３６と、該スイッチング素子３６に接続された絵素電極３９とが形成されている。そして、前記絵素電極３９と、前記対向電極４８との間には、先に説明した通り前記液晶層４６が挟持されているとともに、液晶容量Ｃ１０が形成される。

　なお、前記絵素３８がゲートバスライン３２とソースバスライン３４とによって画される領域に配されることは必須ではなく、例えば、ゲートバスライン３２に跨った領域に前記絵素３８を配することなども可能である。

　（表示領域と非表示領域）
　また、前記液晶パネル３０が表示パネルとして利用される場合には、前記液晶パネル３０は、該液晶パネル３０の中心を含む領域である表示領域Ｒ１０と、その周辺部分に位置する非表示領域Ｒ２０とに分けることができる。

　そして、本実施の形態の液晶温度センサー１０では、前記絵素３８は、前記表示領域Ｒ１０のみならず、前記非表示領域Ｒ２０にも形成されている。

　そのため、前記マトリクス状に配置されている複数個の絵素３８も、前記表示領域Ｒ１０内の絵素３８である表示用絵素３８ａと、前記非表示領域Ｒ２０内の絵素３８であるダミー絵素３８ｂとに分けることができる。

　また、同様に、前記複数本のゲートバスライン３２も表示用ゲートバスライン３２ａとダミーゲートバスライン３２ｂとに分けることができる。

　すなわち、ゲートバスライン３２の配置を示す図である図３に示すように、前記表示領域Ｒ１０内に形成されているゲートバスライン３２が表示用ゲートバスライン３２ａとなり、他方、前記非表示領域Ｒ２０内に形成されているゲートバスライン３２がダミーゲートバスライン３２ｂとなる。

　そして、前記表示用絵素３８ａは前記表示用ゲートバスライン３２ａに接続されており、他方前記ダミー絵素３８ｂは前記ダミーゲートバスライン３２ｂに接続されている。

　（非表示領域）
　なお、前記ダミー絵素３８ｂ及びダミーゲートバスライン３２ｂは、前記第２基板２８に形成されているブラックマトリクスに覆われている。そして、前記ダミー絵素３８ｂ及びダミーゲートバスライン３２ｂは、前記表示領域Ｒ１０の表示用絵素３８ａに接続されたスイッチング素子３６や、該スイッチング素子３６に接続されたバスラインの検査に用いることができる。

　（温度の検出）
　ここで、本実施の形態の液晶温度センサー１０における温度検出について説明する。

　本実施の形態の液晶温度センサー１０では、液晶材料の誘電率の温度依存性を利用し、前記電流－温度情報変換部５０がモニター（検出）したソースドライバ４２の消費電流に基づいて液晶パネル３０の温度、引いては前記液晶層４６の温度・該液晶層４６に含まれる液晶材料の温度を検出する。以下、順に説明する。

　（液晶材料の特性）
　まず、図４に基づいて、前記液晶材料の特性について説明する。図４は、液晶材料の誘電率の温度依存性の例を示す図である。

　前記図４に示すように、液晶パネルにおけるパネル表面温度と、該液晶パネルの液晶層に含まれる液晶材料の誘電率との間には、一定の関係がある。すなわち、前記パネル表面温度が上昇するにしたがい、前記液晶材料の誘電率が低下するとの関係を有している。

　ここで、前記パネル表面温度とは、前記液晶パネルの表面温度、具体的には前記液晶パネルを構成する第１基板又は第２基板の基板温度を意味する。

　そして、前記液晶パネルのパネル表面温度と、前記液晶層又は液晶層に含まれる液晶材料の温度とはほぼ等しい。これは、前記液晶層は前記液晶パネルの第１基板及び第２基板を接しており、また、前記液晶層は、その厚さが約数ｕｍと薄いためである。

　（液晶パネルの消費電流）
　つぎに、図５に基づいて、液晶パネルの消費電流について説明する。図５は、液晶パネルの消費電流の温度依存性の例を示す図である。

　前記図５に示すように、パネル表面温度と、液晶パネルの消費電流との間には、一定の関係がある。すなわち、前記パネル表面温度が上昇するにしたがい、前記液晶パネルの消費電流も増加するとの関係を有している。

　これは、パネル表面温度が変化するに伴って、言い換えると液晶材料の温度が変化するに伴って、液晶材料の誘電率が変化し、そのため液晶パネルの消費で電流が変化するためと考えられる。より詳しくは、液晶材料の誘電率が変化することにより、絵素における液晶層の容量である前記液晶容量が変化し、そのため、絵素に流れる電流量が変化するためと考えられる。

　以上の関係より、液晶パネルの消費電流をモニターすることにより、逆に、液晶パネル表面温度、液晶層・液晶材料の温度を求めることができる。

　そして、本実施の形態の液晶温度センサー１０においては、前記図１に示すように、液晶パネル３０の消費電流として、ソースドライバ４２の消費電流を前記電流－温度情報変換部５０によってモニターしている。

　ここで、前記電流－温度情報変換部５０には、あらかじめ、消費電流量と、液晶パネルのパネル表面温度・液晶材料の温度との関係についての情報（電流量と温度情報との相関情報（電流－温度相関情報））が入力されている。

　したがって、前記電流－温度情報変換部５０は、前記電流－温度相関情報に基づいて、モニターした消費電流を、パネル表面温度、引いては、液晶材料の温度に関する情報に変化して、かかる温度に関する情報を出力することができる。

　（動作フローチャート）
　つぎに、図６に基づいて、本実施の形態の液晶温度センサーにおける動作フローの例について説明する。ここで、図６は、前記液晶温度センサーの動作フローチャートである。そして、図６は、液晶温度センサーに備えられる液晶パネルを、表示用デバイスとして使用する場合の動作フローチャートを示している。

　図６に示す例では、前述の通り液晶温度センサーの液晶パネルが表示デバイスとして使用されるために、タイミングコントローラー６ｂには、映像信号が入力される（入力映像信号６ａ）。

　そして、タイミングコントローラー６ｂは、ゲートドライバに信号を出力（ゲートドライバ出力６ｃ）するとともに、ソースドライバにも信号を出力する。その際、前記液晶温度センサーは、表示デバイスとしても使用されるので、ゲートドライバが、どのゲートバスラインを選択しているかによって、ソースドライバに出力する信号が異なる。

　具体的には、表示用ゲートバスラインが選択されているのか、それともダミーゲートバスラインが選択されているのかを判断し（ゲートドライバ選択６ｄ）、ダミーゲートバスラインが選択されている場合には、ソースドライバに特定の信号を出力する（ソースドライバに特定信号出力６ｆ）。

　ここで特定の信号とは、温度を検出するための信号を意味し、映像を表示するための信号とは異なる。そして、前記特定の信号は、特には限定されないが、例えば、ソースドライバから供給可能な最大電圧とすることができる。印加する電圧が高くなると、液晶材料の誘電率が高くなり、より正確な電流量のモニター、引いては、正確な温度の検出が可能となる。

　そして、ソースドライバへの特定信号出力６ｆした後、ソースドライバの消費電流をモニターする（ソースドライバ消費電流モニター６ｇ）。

　そして、モニターされた消費電流の値（電流量）を電流－温度情報変換部が温度情報に変換する（電流－温度情報変換６ｈ）。そして、得られた温度情報が出力される（温度情報出力６ｉ）。

　他方、表示用ゲートバスラインが選択されているのか、それともダミーゲートバスラインが選択されているのかの上記判断において（ゲートドライバ選択６ｄ）、表示用ゲートバスラインが選択されていると判断された場合には、ソースドライバに通常の映像信号を出力される（ソースドライバに特定信号出力６ｅ）。

　以上のように、本実施の形態の液晶温度センサーでは、改めて配線等を形成することなく、従来から検査用として形成されていたダミー絵素やダミーゲートバスラインを用いて温度を検出することが可能である。

　また、液晶材料と接していることにより、液晶材料とほぼ同等の温度を有していると考えられる第１基板に直接形成されたバスライン等を利用して温度を検出しているので、より正確な温度の検出が可能となる。

　（温度センサー）
　つぎに、図７に基づいて、本実施の形態の液晶温度センサーにおける動作フローの他の例について説明する。ここで、図７は、前記液晶温度センサーの動作フローチャートである。そして、図７は、液晶温度センサーに備えられる液晶パネルを、温度センサーとしてのみ使用する場合の動作フローチャートを示している。すなわち、本液晶温度センサーは、必ずしも表示用に用いられることに限定されない。

　前記液晶温度センサーは、前記図６で説明した液晶温度センサーとは異なり、表示用デバイスとしては用いられない。そのため、液晶パネルには、表示領域と非表示領域との区別がない。したがって、ゲートバスラインに関しても、表示用ゲートバスライン３２ａとダミーゲートバスライン３２ｂとの区別がない。

　よって、図７に示す動作フローチャートでは、図６に示したフローチャートにおけるゲートドライバ選択６ｄが除かれている点が特徴である。以下、説明する。

　図７に示す例では、前述の通り液晶温度センサーの液晶パネルが表示デバイスとして使用されることはないため、タイミングコントローラー７ｂには、前記特定入力信号７ａが入力される。

　そして、タイミングコントローラー７ｂは、ゲートドライバに信号を出力（ゲートドライバ出力７ｃ）するとともに、ソースドライバにも信号を出力する。その際、前記液晶温度センサーは、表示デバイスとして使用されることがないので、ゲートドライバがどのゲートバスラインを選択しているかにかかわらず、ソースドライバに前記特定入力信号を出力する（ソースドライバに特定信号出力７ｄ）。

　そして、前記図６に基づいて説明したフローと同様に、ソースドライバへの特定信号出力７ｄの後、ソースドライバの消費電流をモニターする（ソースドライバ消費電流モニター７ｅ）。

　そして、モニターされた消費電流の値（電流量）を電流－温度情報変換部が温度情報に変換する（電流－温度情報変換７ｆ）。

　そして、得られた温度情報が出力される（温度情報出力７ｇ）。

　〔実施の形態２〕
　本発明の他の実施の形態について図８から図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　本実施の形態の液晶装置２０は、前記実施の形態１の液晶温度センサー１０の構成に加えて、前記制御部１４にオーバーシュート駆動回路６０が設けられており、液晶パネル３０をオーバーシュート駆動をすることが可能なように構成されている点が特徴である。以下、説明する。

　図８は、本実施の形態の液晶装置の概略構成を示すブロック図である。

　図８に示すように、本実施の形態の液晶装置２０は、およそ先に図１に基づいて説明した液晶温度センサー１０にオーバーシュート駆動回路６０とＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ／Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ：電気的消去書込み可能な読出し専用メモリ）７０が加えられた構成を有している。

　すなわち、本実施の形態の液晶装置２０においては、入力階調データとしての映像信号は、直接タイミングコントローラー４４に入力されるのではなく、前記オーバーシュート駆動回路６０を介してタイミングコントローラー４４に入力されている。

　詳しくは、前記オーバーシュート駆動回路６０には、オーバーシュート駆動演算部６２（階調変換部）と、ＬＵＴ（Ｌｏｏｋ　Ｕｐ　Ｔａｂｌｅ）選択部６４（選択部）と、電流－温度情報変換部５０とが備えられている。

　そして、前記映像信号は、まず前記オーバーシュート駆動演算部６２に入力され、該オーバーシュート駆動演算部６２からの出力として、前記タイミングコントローラー４４に入力される。

　また、ソースドライバ４２の消費電流をモニターし、そのモニター結果に基づいて、電流－温度情報変換部５０が、温度情報を求める点は、先に説明した液晶温度センサー１０と同様である。ただ、本実施の形態の液晶装置２０では、電流－温度情報変換部５０から出力された温度情報が、前記ＬＵＴ選択部６４に入力される。そして、前記ＬＵＴ選択部６４には、前記ＥＥＰＲＯＭ７０（記憶部）が接続されている。

　ここで、該ＥＥＰＲＯＭ７０には、駆動する液晶パネル３０の液晶層に含まれる液晶材料の温度に応じた最適なオーバーシュートパラメーターがＬＵＴ（階調変換テーブル）として格納されている。図８に示すＬＵＴ０～３（７２）は、前記各温度に応じた前記ＬＵＴを示している。

　そして、前記ＬＵＴ選択部６４は、前記電流－温度情報変換部５０から入力された温度情報に基づいて、前記ＥＥＰＲＯＭ７０に格納された前記複数のＬＵＴ７２から、該温度に適したＬＵＴ７２、言い換えると、オーバーシュート駆動演算部６２が参照すべきテーブルを選択する。

　ここで、前記ＬＵＴ選択部６４は、前記オーバーシュート駆動演算部６２に対しても接続されている。そして、ＬＵＴ選択部６４が選択したＬＵＴ７２の情報が前記オーバーシュート駆動演算部６２に伝達され、前記オーバーシュート駆動演算部６２は、かかるＬＵＴ７２に基づいて、最適なオーバーシュートを有する映像信号を前記タイミングコントローラー４４に出力する。すなわち、オーバーシュート駆動演算部６２は、最適なＬＵＴ７２を参照して階調変換の度合いを最適化しながら、入力階調データを階調変換して出力する。

　（動作フローチャート）
　つぎに、図９に基づいて、本実施の形態の液晶装置における動作フローの例について、より詳しく説明する。ここで、図９は、前記液晶装置の動作フローチャートである。そして、図９は、温度に応じたオーバーシュート駆動が行われる液晶装置について、その回路動作を示している。

　図９に示す例では、前述の通り液晶装置の液晶パネルが表示デバイスとして使用されるために、タイミングコントローラー９ｃには、映像信号が入力される（入力映像信号９ａ）。

　そして、本実施の形態の液晶装置はオーバーシュート駆動されているので、前記入力映像信号は、タイミングコントローラー９ｃに直接入力されるのではなく、オーバーシュート駆動回路６０でオーバーシュート駆動処理９ｂが施された後に、前記タイミングコントローラー９ｃに入力される。

　詳しくは、本実施の形態の液晶装置では、前記オーバーシュート駆動が、液晶パネル・液晶材料の温度に対応して行われるので、後に説明する通り、温度情報に基づいたオーバーシュート駆動処理９ｂが行われる。

　そして、オーバーシュート駆動処理９ｂが行われた入力映像信号は、タイミングコントローラー９ｃに入力される。

　そして、該タイミングコントローラー９ｃは、ゲートドライバに信号を出力（ゲートドライバ出力９ｄ）するとともに、ソースドライバにも信号を出力する。その際、前記液晶装置は、表示デバイスとしても使用されるので、ゲートドライバの、どのゲートバスラインを選択しているかによって、ソースドライバに出力する信号が異なる。

　具体的には、表示用ゲートバスラインが選択されているのか、それともダミーゲートバスラインが選択されているのかを判断し（ゲートドライバ選択９ｅ）、ダミーゲートバスラインが選択されている場合には、ソースドライバに特定の信号を出力する（ソースドライバに特定信号出力９ｇ）。

　そして、ソースドライバに特定信号が出力された後、ソースドライバの消費電流をモニターする（ソースドライバ消費電流モニター９ｈ）。

　そして、モニターされた消費電流の値（電流量）を電流－温度情報変換部が温度情報に変換する（電流－温度情報変換９ｉ）。

　そして、電流－温度情報変換部は、得られた温度情報を、ＬＵＴ選択部に出力する。温度情報を得たＬＵＴ選択部は、あらかじめ用意されていた温度毎のＬＵＴの中から、該温度に最も適したＬＵＴを選択し、前記オーバーシュート駆動処理９ｂにフィードバックする。

　そして、先に説明した通り、本実施の形態では、温度に応じたオーバーシュート駆動が行われるものであり、具体的には、前記フィードバックされたＬＵＴに基づいて、入力映像信号がオーバーシュート駆動処理９ｂされる。

　他方、表示用ゲートバスラインが選択されているのか、それともダミーゲートバスラインが選択されているのかの前記判断において（ゲートドライバ選択９ｅ）、表示用ゲートバスラインが選択されていると判断された場合には、ソースドライバに通常の映像信号が出力される（ソースドライバに特定信号出力９ｆ）。

　（従来の液晶装置）
　これに対して、従来のオーバーシュート駆動が可能な液晶装置２０では、図１０に示すように、液晶パネル３０に温度センサー１００が取り付けられていた。ここで、図１０は、従来技術を示すものであり、液晶装置の概略構成を示すブロック図である。

　詳しくは、前記図１０に示すように、従来、温度に応じたオーバーシュート駆動がなされる液晶装置２０では、その温度を検出するための、液晶パネル３０等とは別体の温度センサー１００が、液晶パネル３０に別途取り付けられていた。そして、前記温度センサー１００によって検出された温度情報が温度センサー１００から出力され、ＬＵＴ選択部６４に入力されていた。

　ただし、従来の液晶装置２０では、液晶パネル３０で消費される電流に基づいて温度情報を得るのではないため、電流－温度情報変換部５０は設けられていない。したがって、前記オーバーシュート駆動回路６０には、オーバーシュート駆動演算部６２前記とＬＵＴ選択部６４のみが設けられている。

　そして、温度情報が入力されたＬＵＴ選択部６４は、該ＬＵＴ選択部６４に接続されたＥＥＰＲＯＭ７０から、該温度に最適化されたＬＵＴ７２を選択する。

　ここで、前記ＥＥＰＲＯＭ７０には、先に説明した通り、駆動する液晶材料の温度に応じた最適なオーバーシュートパラメーターがＬＵＴとして格納されている。

　そして、前記ＬＵＴ選択部６４は、前記オーバーシュート駆動演算部６２に対しても接続されており、ＬＵＴ選択部６４が選択したＬＵＴ７２の情報が前記オーバーシュート駆動演算部６２に伝達される。そして、前記オーバーシュート駆動演算部６２は、かかるＬＵＴ７２に基づいて、最適なオーバーシュートを有する映像信号を前記タイミングコントローラー４４に出力する。

　（作用効果）
　ここで、図１０に示す従来の構成では、温度センサー１００が液晶パネル３０とは別個に形成・配置されているので、先に説明した通り、製造コストが上昇したり、液晶材料の温度を正確に検出できないなどの問題があった。

　これに対して本発明の液晶装置では、液晶パネルにあらかじめ作りこまれたバスラインやドライバ等を用いて温度情報を得るので、工程数の増加や、製造コストの上昇を抑制することが容易になる。

　また、先に説明した通り、液晶パネルにおける液晶材料と接する箇所において温度情報を得るので、正確な温度を検出することが容易になる。

　（モニター位置）
　なお、前記の説明では、液晶パネルにおける上下両非表示領域にダミーゲートバスラインが設けられ、かかるダミーゲートバスラインに接続された絵素に流れる電流量をモニターする構成について説明した。

　ここで、モニターされた電流量の具体的な取扱いについて、例えば、液晶パネルのＹ方向上側辺近傍の非表示領域に形成されたダミーゲートバスラインに接続された絵素に流れる電流量（上側電流）と、Ｙ方向下側辺近傍の非表示領域に形成されたダミーゲートバスラインに接続された絵素に流れる電流（下側電流）とについて、上側電流と下側電流との平均値を、温度情報に変換することができる。

　また、他の方法としては、例えば上側電流のみや下側電流のみの電流量を温度情報に変換する方法や、上側電流と下側電流とで重み付けをかえて平均の電流量を求め、その値を温度情報に変換する方法などが考えられる。

　前記のように、温度情報に変換する電流量の求め方を変更することで、液晶パネル面内での温度分布に応じた適切な温度検出、及び、オーバーシュート駆動を行うことが可能となる。

　（印加信号）
　また、液晶パネルが表示用デバイスとして用いられない場合、電流量をモニターする絵素は、前記の通り、ダミーゲートバスラインに接続された絵素に限定されず、液晶パネル内の任意の絵素をすることができる。これは、絵素に映像信号を入力する必要がなく、前記特定入力信号等の任意の信号を入力することが可能だからである。

　他方、液晶パネルが表示用デバイスとして用いられる場合には、先に説明した通り、非表示領域の絵素に流れる電流量をモニターすることによって、絵素に任意の信号、例えば前記特定入力信号等の、電流量のモニターに適した信号を印加することができる。

　ここで、電流量をモニターする際に入力する信号は、前記特定入力信号に限定されず、任意の信号とすることができる。だた、電流量の変化をモニターしやすいとの観点から、一定電位の信号が印加されることが好ましい。

　（駆動方法）
　また、前記構成では、スイッチング素子として３端子素子であるトランジスタ素子（ＴＦＴ素子）を用いた構成を例示した。だだし、本発明はかかる構成には限定されず、アクティブ駆動されていれば良く、例えば、スイッチング素子として、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）等の２端子素子を用いることもできる。

　（その他）
　また、前記構成では、ソースドライバを介して、絵素に流れた電流量をモニターする構成について説明したが、かかる構成には限定されず、他の方法によって該電流量をモニターすることも可能である。

　本発明は前記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　低コストで正確な液晶材料の温度検出が可能なので、オーバーシュート駆動される液晶装置等、正確な温度情報が必要な液晶パネルに利用可能である。

　　１０　　液晶温度センサー
　　１４　　制御部
　　２０　　液晶装置
　　２６　　第１基板
　　２８　　第２基板
　　３０　　液晶パネル
　　３２　　ゲートバスライン　（信号線）
　　３２ｂ　ダミーゲートバスライン
　　３４　　ソースバスライン　（信号線）
　　３６　　スイッチング素子
　　３８　　絵素
　　３８ｂ　ダミー絵素　（非表示領域に属する絵素）
　　４０　　ゲートドライバ
　　４２　　ソースドライバ
　　４６　　液晶層
　　５０　　電流－温度情報変換部
　　６０　　オーバーシュート駆動回路
　　６２　　オーバーシュート駆動演算部　（階調変換部）
　　６４　　ＬＵＴ選択部　（選択部）
　　７０　　ＥＥＰＲＯＭ　（記憶部）
　　７２　　ＬＵＴ　（階調変換テーブル）
　Ｒ１０　　表示領域
　Ｒ２０　　非表示領域

Claims (12)

1. 　第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、
   　前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、
   　前記液晶パネルには、複数個の絵素がマトリクス状に配置されている液晶温度センサーであって、
   　前記制御部には、前記絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換する電流－温度情報変換部が備えられていることを特徴とする液晶温度センサー。
2. 　前記電流－温度情報変換部には、前記電流量と温度情報との相関情報が記憶されており、
   　前記電流－温度情報変換部は、前記相関情報に基づいて、前記検出した電流量を前記温度情報に変換することを特徴とする請求項１に記載の液晶温度センサー。
3. 　前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、
   　前記スイッチング素子がトランジスタ素子であり、
   　前記交差する信号線が、前記トランジスタ素子に接続されたソースバスラインとゲートバスラインとであり、
   　前記制御部には、前記ソースバスラインを制御するためのソースドライバと、前記ゲートバスラインを制御するためのゲートドライバとが設けられており、
   　前記電流－温度情報変換部は、前記ソースドライバの消費電流を検出することにより、前記絵素に流れる電流量を検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶温度センサー。
4. 　前記液晶パネルには、画像を表示する表示領域と、
   　該表示領域の外縁に位置し、前記画像を表示しない非表示領域とが設けられており、
   　前記電流量を検出する絵素は、前記非表示領域に属する絵素であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶温度センサー。
5. 　前記液晶パネルには、画像を表示する表示領域と、
   　該表示領域の外縁に位置し、前記画像を表示しない非表示領域とが設けられており、
   　前記非表示領域に属する絵素の前記スイッチング素子は、
   　液晶パネルの検査用に設けられた前記ゲートバスラインであるダミーゲートバスラインに接続されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶温度センサー。
6. 　前記第２基板には、ブラックマトリクスが形成されており、
   　平面視において、前記非表示領域が前記ブラックマトリクスに覆われていることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶温度センサー。
7. 　前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられており、
   　前記絵素は、前記交差する信号線によって画されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶温度センサー。
8. 　請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶温度センサーに備えられた液晶パネルが、階調変換テーブルを参照することにより階調変換された入力階調データに基づいてオーバーシュート駆動される液晶装置であって、
   　前記制御部には、前記階調変換による階調変化度合いが互いに異なる複数の階調変換テーブルが記憶されている記憶部と、
   　前記複数の階調変換テーブルの中から参照すべき階調変換テーブルを選択する選択部と、
   　前記選択された階調変換テーブルを参照して入力階調データの階調変換を行う階調変換部とが備えられ、
   　前記選択部は、前記電流－温度情報変換部から入力される前記温度情報に基づいて、前記記憶部に記憶されている階調変換テーブルの中から、当該液晶層の温度に適した前記階調変換テーブルを選択することを特徴とする液晶装置。
9. 　第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、
   　前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、
   　前記液晶パネルには、複数個の絵素が、マトリクス状に配置されている液晶温度センサーにおける液晶層の温度検出方法であって、
   　前記絵素に流れる電流量を検出する工程と、
   　前記検出された電流量を温度情報に変換する工程とを有することを特徴とする液晶温度センサーの温度検出方法。
10. 　前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、
    　前記絵素は、前記交差する信号線によって画されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶温度センサーの温度検出方法。
11. 　第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板によって挟持された液晶層とを備える液晶パネルと、
    　前記液晶パネルの駆動を制御する制御部とを有し、
    　前記液晶パネルには、複数個の絵素が、マトリクス状に配置されている液晶装置の駆動方法であって、
    　前記制御部には、前記絵素に流れる電流量を検出するとともに、該検出した電流量を当該絵素における液晶層の温度情報に変換することができる電流－温度情報変換部と、
    　階調変換による階調変化の度合いが互いに異なる複数の階調変換テーブルが記憶される記憶部と、
    　前記複数の階調変換テーブルの中から参照すべき階調変換テーブルを選択する選択部と、
    　前記選択された階調変換テーブルを参照して入力階調データの階調変換を行う階調変換部とが備えられており、
    　前記電流－温度情報変換部において、前記絵素に流れる電流量を検出する工程と、
    　前記電流－温度情報変換部において、検出された電流量を温度情報に変換する工程と、
    　前記温度情報に基づいて、該液晶層の温度に適した階調変換テーブルを、前記記憶部に記憶されている階調変換テーブルの中から、前記選択部が選択する工程と、
    　該選択された階調変換テーブルを参照することにより入力階調データを、前記変換部が階調変換する工程と、
    　該階調変換された入力階調データに基づいて、前記液晶パネルをオーバーシュート駆動する工程とを有することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
12. 　前記第１基板には、互いに交差する複数本の信号線が設けられるともに、前記信号線の交差部にスイッチング素子が設けられており、
    　前記絵素は、前記交差する信号線によって画されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶装置の駆動方法。

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