WO2009120024A3 - p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체 및 이를 이용한 박막 및 후막의 제조방법 - Google Patents

p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체 및 이를 이용한 박막 및 후막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체 및 이를 이용한 박막 및 후막의 제조방법에 관한 것으로, 특히 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체에 있어서, 상기 산화아연화합물은 산화아연(ZnO)과 제2종화합물분자를 혼합하여 형성되되, 상기 제2종화합물분자는 산화리튬(Li2O), 불화리튬(LiF), 염화리튬(LiCl), 산화나트륨(Na2O), 불화나트륨(NaF), 염화나트륨(NaCl), 산화칼륨(K2O), 불화칼륨(KF), 염화칼륨(KCl)과, 2가 금속산화물이 공존할 수 있는 3가 금속산화물과, 1가 금속산화물이 공존할 수 있는 2가 금속산화물로 구성된 그룹 중에서 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체 및 이를 이용한 박막 및 후막의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 산화아연과 제2종화합물분자를 혼합한 소결체를 이용하여 박막 및 후막으로 제작하여 투명 도전 재료 및 p형 반도체 재료, 발광 다이오드 소자의 재료 등으로 사용되어 발광소자나 전자소자에 널리 활용될 수 있으며, 스퍼터링법 등에 의한 막 형성 조작을 안정적이고도 재현성 및 생산성이 우수하게 실행할 수 있는 효과가 있다.
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