CN111490139A - 复合电极结构及发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种复合电极结构及发光器件，该复合电极结构包括电极主体层及用于保护所述电极主体层的电极保护层，所述电极保护层与所述电极主体层层叠设置，所述电极主体层含有ⅢA族金属元素，所述电极保护层是由包括IAIⅡA族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。该复合电极结构应用于发光器件的电极，由于电极保护层本身具有间隔阻挡作用，故而可对电极主体层起到保护作用，同时选择特定的金属元素形成电极保护层，避免了由于电极主体层带来的发光器件的衰退的问题，从而可在一定程度上提高发光器件的发光效率和使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域，特别是涉及一种复合电极结构及发光器件。
背景技术
由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等性质，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD(液晶显示器)所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，其中一个很重要的原因是采用了ZnO纳米颗粒作为电子传输材料。这是因为：(1)ZnO具有优异的电子导电性；(2)ZnO的导带底能级与量子点的导带底能级匹配，非常有利于电子注入；(3)ZnO的价带顶能级比量子点的价带顶能级深，具有优异的空穴阻挡和限制能力。但是，基于ZnO电子传输层的QLED存在比较严重的电荷不平衡问题，即电子数量远多于空穴数量。这是因为现在尚没有一种空穴传输材料，其空穴导电性和ZnO的电子导电性相当，且其HOMO能级与量子点价带顶能级非常匹配。因此，为了继续提高QLED的效率和寿命，减少电子数目非常必要。
近些年来，不断的有研究致力于如何减少电子数目，例如采用掺杂的ZnO替代纯ZnO作为电子传输层；在ZnO层和量子点发光层之间嵌入绝缘层以阻挡电子注入等。这些研究都取得了不错的效果，推动了发光器件的工作机制的深入研究，也促进了发光器件的发展。然而这些发光器件在长期使用过程中仍会出现器件的加剧衰退进而严重影响发光器件的发光效率和使用寿命的问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够提高发光器件的发光效率和使用寿命的复合电极结构。
相应地，还提供了一种发光器件。
本发明的一个方面，提供了一种复合电极结构，包括电极主体层及用于保护所述电极主体层的电极保护层，所述电极保护层与所述电极主体层层叠设置，所述电极主体层含有ⅢA族金属元素，所述电极保护层是由包括IAIⅡA族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。
上述复合电极结构可应用于发光器件的电极，由于电极保护层本身具有间隔阻挡作用，故而可对电极主体层起到保护作用，同时选择特定的金属元素形成电极保护层，避免了由于电极主体层带来的发光器件的衰退的问题，从而可在一定程度上提高发光器件的发光效率和使用寿命。
在其中一个实施例中，所述电极保护层中的金属元素的功函数≥4.26eV。
在其中一个实施例中，所述电极保护层中的金属元素选自铜、银、金、铍和锌中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述电极保护层中的金属元素为铍或锌。
在其中一个实施例中，所述电极保护层的厚度为2nmI20nm。
在其中一个实施例中，所述电极主体层为铝金属层、铝合金层、镓金属层、镓合金层、铟金属层或铟合金层。
本发明的另一个方面，提供了一种发光器件，包括阳极、阴极及发光结构，所述发光结构设于所述阴极和所述阳极之间，所述发光结构内具有发光层，所述阴极为如上述的复合电极结构，所述电极保护层位于所述发光层与所述电极主体层之间。
在其中一个实施例中，所述发光结构还包括电子传输层，所述电子传输层设于所述发光层与所述电极保护层之间；
所述电子传输层的部分或全部被所述电极保护层中的金属元素掺杂。
在其中一个实施例中，所述电子传输层与所述电极保护层接触的界面被所述电极保护层中的金属元素掺杂。
在其中一个实施例中，所述电子传输层中，被所述电极保护层中的金属元素掺杂的界面的厚度不超过20nm。
在其中一个实施例中，所述电子传输层中掺杂物质的最大总掺杂浓度不超过20wt％，所述掺杂物质包括所述电极保护层中的金属元素。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的材质选自氧化锌或掺杂氧化锌，所述电极保护层是由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。
在其中一个实施例中，所述掺杂氧化锌中的掺杂元素为Mg、Li、Na、N、S、Al、Ga及Y中的至少一种。
上述发光器件采用复合电极结构作电极，由于电极保护层本身具有间隔阻挡作用，故而可对电极主体层起到保护作用，同时选择特定的金属元素形成电极保护层，避免了由于电极主体层带来的发光器件的衰退的问题，从而可在一定程度上提高发光器件的发光效率和使用寿命。
进一步地，上述发光器件采用复合电极结构作阴极，其电极保护层可保护电极主体层并阻挡电极主体层中ⅢA族金属元素掺杂到电子传输层的晶格中，此外由于选择特定的金属元素形成电极保护层，即便电极保护层中的金属元素掺杂到电子传输层的晶格中，也只会减小电子传输层的电子浓度和电子导电性，而不会提高电子传输层的电子数量和电子迁移率，进而不会导致发光层的电子空穴不平衡的问题，反而会促进电子空穴平衡，如此解决了发光器件在长期使用过程中由于电子传输层和阴极之间的相互作用导致的加速器件衰退的问题，进而提高了发光器件的发光效率和使用寿命。
附图说明
图1为一实施方式的发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在本发明提出之前，大多研究的关注点都聚焦在提高电子传输层本身的性质。本发明的发明人通过研究发现，之所以发光器件长期使用过程中会出现器件的加剧衰退，进而严重影响发光器件的发光效率和使用寿命的问题，是因为当前铝(Al)是发光器件应用广泛的电极材料，尤其在底发射发光器件中，而且Al总是直接沉积在电子传输层上。且发明人进一步研究发现，在长期使用过程中，Al电极中的铝原子会慢慢掺杂到ZnO等电子传输层的晶格中，无论是占据氧空位还是占据填隙位置，Al的掺杂都会形成一个未配对的电子，实际上对ZnO等电子传输层的造成n+掺杂，如此又进一步地提高了ZnO等电子传输层的电子数量和电子迁移率，反而加剧了发光器件中的电子空穴不平衡问题。此外，发明人发现，不仅仅是铝原子会掺杂到ZnO等电子传输层的晶格中，含有ⅢA族金属元素的电极均不同程度会存在上述技术问题。
因此，为了解决采用ZnO等作电子传输层和含有ⅢA族金属元素的电极的发光器件在长期使用过程中存在的器件加速衰退的问题，本发明提供了一种发光器件，相应地还提供了一种复合电极结构。下文将结合发光器件的结构对复合电极结构进行详细的介绍。
请参阅图1，本发明一实施方式提供了一实施例的复合电极结构，复合电极结构包括电极主体层141及用于保护电极主体层141的电极保护层142，电极主体层141和电极保护层142层叠设置。
电极主体层141含有ⅢA族金属元素。
电极保护层142是由包括IAIⅡA族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。
在一些实施例中，电极保护层142是由IAIⅡA族金属元素形成的金属层或由IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。
上述复合电极结构可应用于发光器件的电极，由于电极保护层142本身具有间隔阻挡作用，故而可对电极主体层141起到保护作用，同时选择特定的金属元素形成电极保护层142，避免了由于电极主体层141带来的发光器件的衰退的问题，从而可在一定程度上提高发光器件的发光效率和使用寿命。
继续参阅图1，本发明一实施方式提供了一实施例的发光器件100，包括基板110、阳极120、阴极140及发光结构130。
阳极120设于基板110上。
发光结构130设于阳极120上。发光结构130内具有发光层131。阴极140设于发光结构130上，以使发光结构130位于阴极140和阳极120之间。可理解，其他实施例中，阴极140可相比阳极120更靠近基板110设置，也就是说阴极140设于基板110上，发光结构130设于阴极140上，阳极120设于发光结构130上。
具体地，阴极140采用上述复合电极结构。进一步地，电极保护层142位于发光层131和电极主体层141之间。上述发光器件100的阴极140采用上述复合电极结构，由于电极保护层142本身具有间隔阻挡作用，故而可对电极主体层141起到保护作用，同时选择特定的金属元素形成电极保护层142，避免了由于电极主体层141带来的发光器件的衰退的问题，从而可在一定程度上提高发光器件100的发光效率和使用寿命。
的需要说明的是，电极主体层141可为ⅢA族金属元素形成的金属层；或者电极主体层141可为ⅢA族金属元素中多种形成的合金层。可理解，此处的合金层只要包括两种以上的元素即可，例如可为两种ⅢA族金属元素，或者三种ⅢA族金属元素形成的合金层。
其中，ⅢA族金属元素包括铝、镓和铟。
在一些实施例中，电极主体层141可为铝金属层、铝合金层、镓金属层、镓合金层、铟金属层或铟合金层。在一具体施例中，电极主体层141为铝金属层。
在一些实施例中，电极主体层141的厚度为80nmI200nm，此时电极主体层141具有较好的反射性能，称为反射电极。可理解，在其他实施例中，电极主体层141的厚度不限于此。
可理解，电极保护层142可采用蒸镀或溅射等方法形成。可理解，电极保护层142中的IAIⅡA族金属元素或IIIⅡI族金属元素，包括但不限于锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、铍(Ie)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ia)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)、镉(Cd)和汞(Hg)。其中IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素的轨道最外层电子含有一到两个价电子。
可理解，发光结构130中除了具有发光层131，在一实施例中，发光结构130还可包括电子传输层132。电子传输层132位于发光层131和电极保护层142之间。可理解，在一些实施例中，电极保护层142与电子传输层132直接接触。
上述发光器件100在发光层131和电极主体层141之间设置有电极保护层142，电极保护层142本身具有间隔阻挡作用，可保护电极主体层141并阻挡电极主体层141中的ⅢA族金属元素掺杂到电子传输层的晶格中，此外由于选择特定的金属元素形成电极保护层142，即便电极保护层142中的金属元素掺杂到电子传输层132的晶格中，也只会减小电子传输层的电子浓度和电子导电性，而不会提高电子传输层132的电子数量和电子迁移率，进而不会导致发光层131的电子空穴不平衡的问题，反而会促进电子空穴平衡，如此解决了发光器件100在长期使用过程中由于电子传输层132和阴极140之间的相互作用导致的器件加速衰退的问题，进而提高了发光器件100的发光效率和使用寿命。
在一实施例中，电子传输层132的材质选自氧化锌或掺杂氧化锌。进一步地，在一实施例中，电极保护层142是由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。在一些实施例中，电极保护层142是由IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。如此电极保护层142能够阻挡电极主体层141中的ⅢA族金属元素掺杂到电子传输层132中的氧化锌中，避免了氧化锌作电子传输层132和含有ⅢA族金属元素的电极之间相互作用导致发光器件100中的电子空穴不平衡加剧的问题，如此改善了发光器件100在长期使用过程中的加速衰退的问题，进而提高了发光器件100的发光效率和使用寿命。
后文将以电子传输层为ZnO为例进行进一步详细的介绍。由于金属元素掺杂ZnO，要么占据ZnO晶格间隙位置，要么占据氧空位，因此这些含有一到两个价电子的金属元素掺杂皆可以降低ZnO的电子电导率。
具体地，若含有一个价电子的金属元素占据ZnO间隙位置，那么该金属元素提供一个价电子与周围的氧原子外层电子配对，使得形成的化合物带一个负电荷，该负电荷中心与ZnO的氧空位正电中心(带两个正电荷)相互作用，总体上减小了氧空位的正电性，从而能够减小氧空位正电中心对晶格电子的吸引能力，起到降低ZnO的电子浓度、减小其电子导电性的作用。
若含有一个价电子的金属元素占据ZnO的氧空位，那么该金属元素提供一个价电子与周围的锌原子外层电子配对形成合金，使得原来显两个正电的氧空位正电中心变成只带一个正电，从而能够减小其吸引晶格电子的能力，能够降低ZnO的电子浓度以及减小其电子导电性。
同理，若含有两个价电子的金属元素占据ZnO的氧空位，那么该金属元素可以提供两个价电子与周围的锌原子外层电子配对形成合金，使得原来显两个正电的氧空位正电中心变得不带电，从而不再吸引晶格中电子成为自由电子，因此更加有助于减小ZnO的电子浓度和电子导电性。
在一个实施例中，该电极保护层142中的金属元素选自含有两个价电子的ⅡA族金属元素或ⅡI族金属元素，如此可以更好地减小ZnO的电子浓度和电子导电性。进一步地，电极保护层142的金属元素可为ⅡI族金属元素。
在一具体示例中，电极保护层142为铍金属层；在另一具体示例中，电极保护层142为锌金属层。相应地，此时复合电极结构可以是锌金属层/铝金属层电极、铍金属层/铝金属层电极。
在另一些实施例中，电极保护层142中的金属元素选自含有一个价电子的IA族金属元素或II族金属元素。进一步地，电极保护层142中的金属元素选自II族金属元素。在一具体示例中，电极保护层142中的金属元素选自铜、银或金。
可理解，在一些实施例中，电极保护层142中的金属元素可同时选自IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素，即同时含有IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素。也就是说，电极保护层142为IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。可理解，此处的合金层只要包括两种以上的元素即可，例如可为两种IAIⅡA族金属元素，两种IIIⅡI族金属元素，或者一种IAIⅡA族金属元素和一种IIIⅡI族金属元素。进一步地，在一示例中，电极保护层142为IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层；且该合金层至少含有一种IIIⅡI族金属元素。
为了进一步减少运动至量子点发光层131等发光层131的电子数目，从QLED器件等发光器件100的能级结构出发，需要考虑金属元素的功函数，由于电子传输层132中的氧化锌一般为ZnO纳米颗粒，故而选择功函数与ZnO纳米颗粒的功函数(I4.3eV)接近或更大的金属。故而电极保护层142中的金属元素需满足其的功函数≥4.26eV。进一步地，在一些实施例中，电极保护层142中的金属元素的功函数≥4.3eV。
在一实施例中，电极保护层142中的金属元素选择功函数大于等于4.3eV的ⅡA族金属元素或ⅡI族金属元素。例如：锌(功函数为4.3eV)、铍(功函数为5.0eV)。
在一实施例中，电极保护层142的厚度为2nmI20nm。通过控制电极保护层142的厚度以使电极保护层142具有较好的间隔阻挡作用，以更好地阻挡电极主体层141中的铝原子等ⅢA族金属元素掺杂到ZnO晶格中。
可理解，电极保护层142与电子传输层132直接接触时，经过一定的时间慢慢掺杂或经过特定的条件处理，可使电极保护层142中的金属元素掺杂到电子传输层132中。电极保护层142的金属元素掺杂ZnO薄膜的过程往往发生的比较缓慢，一般需要几天至几十天。为了加快电极保护层142的金属元素与ZnO作用的速度，可在阴极140沉积之后，在100℃I160℃下烘烤10分钟I30分钟，高温有助于加快电极保护层142的金属元素与ZnO作用的速度。
电极保护层142中的金属元素先是掺杂在与之接触的ZnO薄膜的表层部分，随着时间加长，电极保护层142中的金属元素从ZnO薄膜表面逐渐向内部掺杂，从ZnO薄膜靠近电极保护层142的一侧至另一侧，掺杂浓度逐渐降低。也就是说，在垂直于基板110的方向上，电子传输层132的部分或全部被电极保护层142中的金属元素掺杂，且靠近电极保护层142一侧的掺杂浓度最大。
在一些实施例中，电子传输层132与电极保护层142接触的界面被所述电极保护层中的金属元素掺杂。进一步地，电子传输层132中，被电极保护层142中的金属元素掺杂的界面的厚度不超过20nm。进一步地，电子传输层132被电极保护层142中的金属元素掺杂的界面的厚度不超过10nm。更进一步地，电子传输层132被电极保护层142中的金属元素掺杂的界面的厚度不超过5nm。
在一具体示例中，电子传输层132的材质为未掺杂的氧化锌时，电极保护层142中的金属元素掺杂到电子传输层132后，电子传输层中的掺杂物质至少包括电极保护层142中的金属元素。在又一具体示例中，电子传输层132的材质本身为掺杂氧化锌时，电极保护层142中的金属元素掺杂到电子传输层132后，电子传输层132中的掺杂物质包括电子传输层132的材质本身的元素掺杂及电极保护层142中的金属元素掺杂。
在一些实施例中，电子传输层132中掺杂物质的最大总掺杂浓度不超过20wt％。掺杂物质至少包括电极保护层142中的金属元素。在一些实施例中，掺杂氧化锌中的掺杂元素包括但不限于Mg、Li、Na、N、S、Al、Ga及Y中的至少一种。
在其中一个实施例中，阳极120的材质包括但不限于透明导电金属氧化物，例如透明导电薄膜ITO等。
在其中一个实施例中，发光层131为量子点发光层。量子点可以是II-VI族化合物半导体，例如：CdSe、ZnCdS、CdSeS、ZnCdSeS、CdSe/ZnS、CdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等；可以是III-V族化合物半导体，例如：InP、InP/ZnS等；可以是I-III-VI族化合物半导体，例如：CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等；可以是IV族单质半导体，如Si或C或Graphene等；可以是钙钛矿量子点等。可理解，发光层131的材质不限于此，只要其电子传输层132采用掺杂或未掺杂的氧化锌均可适用，包括有机电致发光器件等。
在一些实施例中，发光结构130还可包括空穴传输层133和/或空穴注入层134。具体在本实施例中，发光结构130包括空穴传输层133和空穴注入层134，空穴注入层134和空穴传输层133依次设于阳极120上。其中，空穴传输层133可以是有机空穴传输层，例如：Poly-TPD、TFI、PVK、TCTA、CIP、NPI、NPD等；也可以是无机空穴传输层，例如NiO。空穴注入层134可以是导电聚合物，例如：PEDOT:PSS；也可以是高功函数的n型半导体，例如：HAT-CN、MoO3、WO3、V2O5等。
以下为具体实施例。
实施例1I6的发光器件均如图1所示，具体地，其制备方法如下。
实施例1：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFI作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
(6)在电子传输层上蒸镀Cu为电极保护层，厚度为5nm；
(7)在电极保护层上蒸镀Al作为Al金属电极层，厚度为100nm；
(8)将上述QLED放置在烤盘上，120℃烘烤30分钟。
实施例2：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFI作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
(6)在电子传输层上蒸镀Zn作为电极保护层，厚度为5nm；
(7)在电极保护层上蒸镀Al作为Al金属电极层，厚度为100nm；
(8)将上述QLED放置在烤盘上，120℃烘烤30分钟。
实施例3：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFI作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
(6)在电子传输层上蒸镀Ag作为电极保护层，厚度为5nm；
(7)在电极保护层上蒸镀Al作为Al金属电极层，厚度为100nm；
(8)将上述QLED放置在烤盘上，120℃烘烤30分钟。
实施例4：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFI作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
(6)在电子传输层上蒸镀Au作为电极保护层，厚度为5nm；
(7)在电极保护层上蒸镀Al作为Al金属电极层，厚度为100nm；
(8)将上述QLED放置在烤盘上，120℃烘烤30分钟。
实施例5：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFI作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
(6)在电子传输层上蒸镀Ie作为电极保护层，厚度为5nm；
(7)在电极保护层上蒸镀Al作为Al金属电极层，厚度为100nm；
(8)将上述QLED放置在烤盘上，120℃烘烤30分钟。
实施例6：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFI作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；
(6)在电子传输层上蒸镀Zn和Au合金作为电极保护层，厚度为5nm；
(7)在电极保护层上蒸镀Al作为Al金属电极层，厚度为100nm；
(8)将上述QLED放置在烤盘上，120℃烘烤30分钟。
对比例1
与实施例1基本相同，不同在于省略了步骤(6)，即不含有电极保护层。
器件性能测试
对实施例1I6和对比例1的器件性能进行寿命测试，在初始亮度为1000cd/m2的条件下，测试器件亮度衰减到初始亮度50％所用的时间，结果见下表。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种复合电极结构，其特征在于，包括电极主体层及用于保护所述电极主体层的电极保护层，所述电极保护层与所述电极主体层层叠设置，所述电极主体层含有ⅢA族金属元素，所述电极保护层是由包括IAIⅡA族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。
2.如权利要求1所述的复合电极结构，其特征在于，所述电极保护层中的金属元素的功函数≥4.26eV。
3.如权利要求1所述的复合电极结构，其特征在于，所述电极保护层中的金属元素选自铜、银、金、铍和锌中的至少一种。
4.如权利要求1I3任一项所述的复合电极结构，其特征在于，所述电极保护层的厚度为2nmI20nm，所述电极主体层为铝金属层、铝合金层、镓金属层、镓合金层、铟金属层或铟合金层。
5.一种发光器件，其特征在于，包括阳极、阴极及发光结构，所述发光结构设于所述阴极和所述阳极之间，所述发光结构内具有发光层，所述阴极为如权利要求1I4任一项所述的复合电极结构，所述电极保护层位于所述发光层与所述电极主体层之间。
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构还包括电子传输层，所述电子传输层设于所述发光层与所述电极保护层之间；
所述电子传输层的部分或全部被所述电极保护层中的金属元素掺杂。
7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层与所述电极保护层接触的界面被所述电极保护层中的金属元素掺杂。
8.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层中，被所述电极保护层中的金属元素掺杂的界面的厚度不超过20nm。
9.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层中掺杂物质的最大总掺杂浓度不超过20wt％，所述掺杂物质包括所述电极保护层中的金属元素。
10.如权利要求6I9任一所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质选自氧化锌或掺杂氧化锌，所述电极保护层是由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。
11.如权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述掺杂氧化锌中的掺杂元素为Mg、Li、Na、N、S、Al、Ga及Y中的至少一种。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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