CN113224243B - 发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光器件及其制备方法。发光器件包括阳极、电子萃取单元、量子点发光层、电子功能层以及阴极，量子点发光层设置于所述阳极与所述阴极之间，所述电子功能层设置于所述阴极与所述量子点发光层之间，所述电子萃取单元设置在所述电子功能层中并与所述量子点发光层具有间隔。发光器件的制备方法包括如下步骤：制作阳极；在所述阳极上形成所述量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子功能层；在所述电子功能层上形成电子萃取单元；在具有所述电子萃取单元的所述电子功能层上形成阴极。该发光器件能够有效释放电子传输层中累积的电子、降低电子传输层的失效速度、提高QLED的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
在显示领域，由于量子点独特的光学性质如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，使得量子点电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。同时，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展。例如：红光QLED、绿光QLED的外量子效率（EQE）最高突破20%以上，接近理论极限；蓝光QLED的EQE也达到15%-20%之间。此外，红光QLED的寿命也取得了很大的突破，LT95可以达到数千小时。然而，绿光QLED、蓝光QLED的寿命相较红光QLED还有较大的差距，亟待提高。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够有效释放电子传输层中累积的电子、降低电子传输层的失效速度、提高QLED的寿命的发光器件及其制备方法、显示装置。
一种发光器件，包括：
相对设置的阳极以及阴极；
量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述阳极与所述阴极之间；
第一电子功能层，所述第一电子功能层设置于所述量子点发光层与所述阴极之间；
电子萃取单元，所述电子萃取单元设置在所述第一电子功能层与所述阴极之间；
其中，所述电子萃取单元由电子萃取材料和电子传输材料混合形成。
在其中一个实施例中，还包括：
第二电子功能层，所述第二电子功能层设置在所述电子萃取单元与所述阴极之间。
在其中一个实施例中，所述第一电子功能层的厚度为3~10nm。
在其中一个实施例中，所述电子萃取单元的厚度为5~15nm。
在其中一个实施例中，所述电子萃取单元中，所述电子萃取材料与所述电子传输材料的体积比为1：(0~1)。
在其中一个实施例中，所述电子萃取材料的功函数大于等于6eV。
在其中一个实施例中，所述电子萃取材料选自：磷钨酸、磷钼酸、Mo(tfd-COCF3)3、Ni(tfd)2以及F4TCNQ中的一种或几种；和/或
所述电子传输材料选自：ZnO、ZnAlO、ZnMgO、ZnGaO、TiO2以及SnO2中的一种或几种。
在其中一个实施例中，发光器件还包括：
设置在所述量子点发光层与所述阳极之间的空穴传输层和/或空穴注入层；
其中，所述空穴传输层的材料选自：Poly-TPD、TFB、PFB 、PVK、NPB、TAPC、TCTA、mCP、CBP、mCBP、CDBP、NiO、Cu2O、CuSCN、MoO3、WoO3、CuO、V2O5以及CuS中的一种或几种；
所述空穴注入层的材料选自：PEDOT:PSS、WO3、V2O5以及RbO2、CuPc、WoOx、MoOx、CrOx、NiO、CuO、VOx、CuS、MoS2、MoSe2、WS2以及WSe2中的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述第一电子功能层的材料以及所述第二电子功能层的材料分别独立的选自：ZnO、ZnAlO、ZnMgO、ZnGaO、TiO2以及SnO2中的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述量子点发光层的材料选自：CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS以及ZnSe/ZnSeS/ZnS中的一种或几种。
一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
在衬底上依次层叠形成阳极、量子点发光层、第一电子功能层、电子萃取单元和阴极；或者
在衬底上依次层叠形成阴极、电子萃取单元、第一电子功能层、量子点发光层和阳极。
一种显示装置，包括：
所述的发光器件；或者
所述的制备方法得到的发光器件。
本发明的发光器件能够有效释放电子功能层中的电子传输层中累积的电子、降低电子传输层的失效速度、提高QLED的寿命。当发光器件没有电子萃取单元时，由于量子点的功函数比电子传输材料的功函数小（或者量子点的费米能级比电子传输材料的费米能级高），电子会自发地从量子点发光层向电子传输层转移，因而在电子传输层靠近量子点发光层的界面处累积电子，该区域带负电；当QLED通电后，该负电区域会阻碍电子的注入，同时，由于量子点发光层与电子传输层界面本已存在电子势垒，会阻碍电子向量子点发光层的传输，从而加剧了电子在电子传输层的累积，加剧了该负电区域的负电性，这会导致QLED的电压更多地施加在该区域，乃至整个电子传输层，从而加速了电子传输层的失效。当发光器件设置电子萃取单元后，原来的负电区域累积的电子会自发地向电子萃取材料转移，释放了负电区域累积的电子；另一方面，由于电子传输层价带顶能级与电子萃取材料的导带底能级差较小（约1.5eV），根据光伏效应，位于电子萃取材料导带的电子会弛豫到电子传输材料的价带，从而消逝，如此可有效地降低电子传输层的电压降，降低电子传输层的失效速度，有助于提高QLED的寿命。
本发明在电子功能层如电子传输层中设置电子萃取单元，释放累积在电子传输层的电子，从而提高QLED的寿命。对于绿光QLED、蓝光QLED，当其设置电子萃取单元后，电子萃取单元可释放累积在电子传输层的电子，避免电子在电子传输层积累，避免负电区域的负电性的加剧，减小电子传输层的电压降，降低电子传输层的失效，可有效提高绿光QLED、蓝光QLED的寿命。
附图说明
图1为本发明实施例1所示的发光器件剖面示意图；
图2为量子点发光层与第一电子功能层配合示意图；
图3为量子点发光层、第一电子功能层、第二电子功能层与电子萃取单元配合示意图。
101、衬底；102、阳极；103、空穴注入层；104、空穴传输层；105、量子点发光层；106、电子功能层；1061、第一电子功能层；1062、电子萃取单元；1063、第二电子功能层；107、阴极。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
在本发明的描述中，应当理解的是，本发明中采用术语在本发明的描述中，应当理解的是，本发明中采用术语“中心”、“上”、“下”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
应当理解的是，本发明中采用术语“第一”、“第二”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语，这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本发明范围的情况下，“第一”信息也可以被称为“第二”信息，类似的，“第二”信息也可以被称为“第一”信息。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通，也即，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施例提供了一种发光器件。
参见图1所示，一种发光器件，包括：
相对设置的阳极102以及阴极107；
量子点发光层105，量子点发光层105设置于阳极102与阴极107之间；
第一电子功能层1061，第一电子功能层1061设置于量子点发光层105与阴极107之间；
电子萃取单元1062，电子萃取单元1062设置在第一电子功能层与阴极107之间；
其中，所述电子萃取单元由电子萃取材料和电子传输材料混合形成。
在一个实施例中，发光器件还包括：第二电子功能层1063，第二电子功能层1063设置在电子萃取单元1063与阴极107之间。第二电子功能层1063的厚度为20~200nm。
第一电子功能层1061、电子萃取单元1062以及第二电子功能层1063三层组成电子功能层106。
在一个实施例中，第一电子功能层1061的厚度为3~10nm，使得电子萃取单元1062与量子点发光层105之间具有3~10nm的间隔。
在一个实施例中，电子萃取单元1062的厚度为5~15nm。
在一个实施例中，电子萃取单元1062由电子萃取材料和电子传输材料混合形成，电子萃取材料与电子传输材料的体积比为1:(0~1)。
在一个实施例中，电子萃取材料与电子传输材料的体积比为1：(0.1~0.7)。
优选地，电子萃取材料与电子传输材料的体积比为1：(0.1~0.5)。
更优选地，电子萃取材料与电子传输材料的体积比为1：(0.2~0.4)。
在一个实施例中，电子萃取材料的功函数大于等于6eV。
在一个实施例中，电子萃取材料为磷钨酸、磷钼酸、Mo(tfd-COCF3)3(molybdenumtris(1-(trifluoroacetyl)-2-(trifluoromethyl)ethane-1,2-dithiolene))、Ni(tfd)2(Nickel bis(1,2-bis(trifluoromethyl)ethane-1,2-dithiolene))以及F4TCNQ中的一种或几种。
在一个实施例中，电子传输材料选自：ZnO、ZnAlO、ZnMgO、ZnGaO、TiO2以及SnO2中的一种或几种。
在一个实施例中，发光器件还包括：设置在阳极102与量子点发光层105之间的空穴功能层。
在一个实施例中，空穴功能层包括：设置于阳极102与量子点发光层105之间的空穴传输层104和/或空穴注入层103。
在一个实施例中，空穴传输层104的材料选自：TPD（N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4,4′-二胺）、TFB（聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基) -alt- (4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]）、PFB [N,N'-(4-正丁基苯基)-N,N'-二苯基对苯二胺]-[9,9-二正辛基芴基-2,7-二基]共聚物、PVK、NPB（N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺）、TAPC（4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]）、TCTA（4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺）、Poly-TPD、mCP、CBP（4,4'-二(9-咔唑)联苯）、mCBP、CDBP、NiO、Cu2O、CuSCN、MoO3、WoO3、CuO、V2O5以及CuS中的一种或几种。
在一个实施例中，空穴注入层103的材料选自：PEDOT:PSS（聚(3,4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸））、WO3、V2O5、RbO2、CuPc、WoOx、MoOx（例如X=3）、CrOx、NiO、CuO、VOx、CuS、MoS2、MoSe2、WS2以及WSe2中的一种或几种。
在一个实施例中，第一电子功能层1061的材料以及第二电子功能层1063的材料分别独立的选自：ZnO、ZnAlO、ZnMgO、ZnGaO、TiO2以及SnO2中的一种或几种。
在一个实施例中，第一电子功能层1061、以及第二电子功能层1063分别包括设置于阴极107与量子点发光层105之间的电子传输层和/或电子注入层。
在一个实施例中，量子点发光层105的材料选自：CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS以及ZnSe/ZnSeS/ZnS中的一种或几种。
本发明的发光器件能够有效释放电子功能层106中的电子传输层中累积的电子、降低电子传输层的失效速度、提高QLED的寿命。参见图2所示，当发光器件没有电子萃取单元1062时，由于量子点的功函数比电子传输材料的功函数小（或者量子点的费米能级比电子传输材料的费米能级高），电子会自发地从量子点发光层105向电子传输层转移，因而在电子传输层靠近量子点发光层105的界面处累积电子，该区域带负电；当QLED通电后，该负电区域会阻碍电子的注入，同时，由于量子点发光层105与电子传输层界面本已存在电子势垒，会阻碍电子向量子点发光层105的传输，从而加剧了电子在电子传输层的累积，加剧了该负电区域的负电性，这会导致QLED的电压更多地施加在该区域，乃至整个电子传输层，从而加速了电子传输层的失效。参见图3所示，当发光器件设置电子萃取单元1062后，原来的负电区域累积的电子会自发地向电子萃取材料转移，释放了负电区域累积的电子；另一方面，由于电子传输层价带顶能级与电子萃取材料的导带底能级差较小（约1.5eV），根据光伏效应，位于电子萃取材料导带的电子会弛豫到电子传输材料的价带，从而消逝，如此可有效地降低电子传输层的电压降，降低电子传输层的失效速度，有助于提高QLED的寿命。
本发明还提供了一种发光器件的制备方法，参见图1所示，该方法包括：
在衬底101上依次层叠形成阳极102、量子点发光层105、第一电子功能层1061、电子萃取单元1062和阴极107；或者,
在衬底上依次层叠形成阴极107、电子萃取单元1062、第一电子功能层1061、量子点发光层105和阳极102。
在一个实施例中，发光器件的制备方法包括如下步骤：
在衬底上101依次形成阳极102、量子点发光层105、第一电子功能层1061、电子萃取单元1062、第二电子功能层1063和阴极107；或者,
在衬底上依次形成阴极107、第二电子功能层1063、电子萃取单元1062、第一电子功能层1061、量子点发光层105和阳极102。
在一个实施例中，第一电子功能层1061的厚度为3~10nm，第二电子功能层1063的厚度为20~200nm。
在一个实施例中，电子萃取单元1062通过溶液法将混合后的电子萃取材料与电子传输材料沉积形成。
本实施例的发光器件的制备方法中，通过在电子传输层中设置电子萃取单元1062，从而达到释放累积在电子传输层的电子的目的，从而提高QLED的寿命。当其设置电子萃取单元1062后，电子萃取单元1062可释放累积在电子传输层的电子，避免电子在电子传输层积累，避免负电区域的负电性的加剧，减小电子传输层的电压降，降低电子传输层的失效，可有效提高QLED的寿命。
本发明还提供了一种显示装置。该一种显示装置包括：上述的发光器件；或者，上述的制备方法得到的发光器件。由此，该显示装置可以具有前面描述的发光器件或制备方法所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。
实施例1
本实施例提供了一种发光器件的制备方法。
一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）参见图1所示，在衬底101上以透明导电薄膜ITO作为阳极102，阳极102的厚度为50nm；
（2）在阳极102上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层103，空穴注入层103的厚度为40nm；
（3）在空穴注入层103上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层104，空穴传输层104的厚度为30nm；
（4）在空穴传输层104上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点形成量子点发光层105，量子点发光层105的厚度为20nm；
（5）在量子点发光层105上利用溶液法沉积ZnO形成第一层电子传输层，作为第一电子功能层1061，第一层电子传输层1061厚度为5nm。
（6）在第一层电子传输层上利用溶液法沉积电子萃取单元1062，电子萃取单元1062的厚度为5nm，其中，电子萃取单元1062为磷钼酸:ZnO，二者的体积比为0.9:0.1。
（7）在电子萃取单元1062上利用溶液法沉积ZnO形成第二层电子传输层，作为第二电子功能1063，第二层电子传输层的厚度为40nm。
（8）在第二层电子传输层1063上利用蒸镀法沉积Al作为阴极107，阴极107的厚度为120nm。
实施例2
本实施例提供了一种发光器件的制备方法。
一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）参见图1所示，以透明导电薄膜ITO作为阳极102，阳极102的厚度为50nm。
（2）在阳极102上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层103，空穴注入层103的厚度为30nm。
（3）在空穴注入层103上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层104，空穴传输层104的厚度为30nm。
（4）在空穴传输层104上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点形成量子点发光层105，量子点发光层105的厚度为20nm。
（5）在量子点发光层105上利用溶液法沉积ZnO形成第一层电子传输层，作为第一电子功能层1061，第一层电子传输层的厚度为5nm。
（6）在第一层电子传输层1061上利用溶液法沉积电子萃取单元1062，厚度为5nm，其中，电子萃取单元1062为磷钼酸:ZnO，二者的体积比为0.8:0.2。
（7）在电子萃取单元1062上利用溶液法沉积ZnO形成第二层电子传输层，作为第二电子功能1063，第二层电子传输层的厚度为40nm。
（8）在第二层电子传输层1063上利用蒸镀法沉积Al作为阴极107，阴极107的厚度为120nm。
实施例3
本实施例提供了一种发光器件的制备方法。
一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）参见图1所示，以透明导电薄膜ITO作为阳极102，阳极102的厚度为50nm。
（2）在阳极102上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层103，空穴注入层103的厚度为30nm。
（3）在空穴注入层103上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层104，空穴传输层104的厚度为30nm。
（4）在空穴传输层104上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点形成量子点发光层105，量子点发光层105的厚度为20nm。
（5）在量子点发光层105上利用溶液法沉积ZnO形成第一层电子传输层，作为第一电子功能层1061，第一层电子传输层的厚度为5nm。
（6）在第一层电子传输层1061上利用溶液法沉积电子萃取单元1062，电子萃取单元1062的厚度为5nm，其中，电子萃取单元1062为磷钼酸:ZnO，二者的体积比为0.7:0.3。
（7）在电子萃取单元1062上利用溶液法沉积ZnO形成第二层电子传输层，作为第二电子功能层1063，第二层电子传输层的厚度为40nm。
（8）在第二层电子传输层1063上利用蒸镀法沉积Al作为阴极107，阴极107的厚度为120nm。
实施例4
本实施例提供了一种发光器件的制备方法。
一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）参见图1所示，以透明导电薄膜ITO作为阳极102，阳极102的厚度为50nm。
（2）在阳极102上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层103，空穴注入层103的厚度为30nm。
（3）在空穴注入层103上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层104，空穴传输层104的厚度为30nm。
（4）在空穴传输层104上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点形成量子点发光层105，量子点发光层105的厚度为20nm。
（5）在量子点发光层105上利用溶液法沉积ZnO形成第一层电子传输层，作为第一电子功能层1061，第一层电子传输层的厚度为5nm。
（6）在第一层电子传输层1061上利用溶液法沉积电子萃取单元1062，电子萃取单元1062的厚度为5nm，其中，电子萃取单元1062为Mo(tfd-COCF3)3:ZnO，二者的体积比为0.8:0.2。
（7）在电子萃取单元1062上利用溶液法沉积ZnO形成第二层电子传输层，作为第二电子功能层1063，第二层电子传输层的厚度为40nm；
（8）在第二层电子传输层1063上利用蒸镀法沉积Al作为阴极107，阴极107的厚度为120nm。
对比例1
本对比例提供了一种发光器件的制备方法。
一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm。
（2）在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为40nm。
（3）在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB作为空穴传输层，厚度为30nm。
（4）在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点作为发光层，厚度为20nm。
（5）在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为50nm。
（6）在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al作为阴极，厚度为120nm。
检测对比实施例1~4以及对比例1的EQE与T50@1000cd/m2见表1所示，EQE：外量子效率，数值上等于发射到器件表面以外的光子数与从电极注入的电子数之间的比值，单位是%，表征器件的电光转化效率。T50@1000cd/m2：表示QLED以1000cd/m2为初始亮度持续点亮，直至其亮度衰减至初始亮度的50%时所经历的时间。
表1
从表1的数据中可知，实施例1~4中制备得到的发光器件的外量子效率均优于对比例1制备得到的发光器件的外量子效率。
从表1的数据中可知，实施例1~4中制备得到的发光器件的持续点亮时间明显优于对比例1制备得到的发光器件的持续点亮时间。表明本发明设置电子萃取单元可释放累积在电子传输层的电子，避免电子在电子传输层积累，避免负电区域的负电性的加剧，减小电子传输层的电压降，降低电子传输层的失效，可有效提高QLED的寿命。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
相对设置的阳极以及阴极；
量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述阳极与所述阴极之间；
第一电子功能层，所述第一电子功能层设置于所述量子点发光层与所述阴极之间，所述第一电子功能层的厚度为3~10nm；
电子萃取单元，所述电子萃取单元设置在所述第一电子功能层与所述阴极之间，所述电子萃取单元的厚度为5~15nm；
第二电子功能层，所述第二电子功能层设置在所述电子萃取单元与所述阴极之间；
其中，所述电子萃取单元由电子萃取材料和电子传输材料混合形成，电子萃取材料与电子传输材料的体积比为1：(0.1~0.7)；
所述电子萃取材料的功函数大于等于6eV，所述电子萃取材料选自：磷钨酸、磷钼酸、Mo(tfd-COCF3)3以及Ni(tfd)2中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子萃取单元中，所述电子萃取材料与所述电子传输材料的体积比为1：(0.1~0.5)。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输材料选自：ZnO、ZnAlO、ZnMgO、ZnGaO、TiO2以及SnO2中的一种或几种。
4.根据权利要求1~3任意一项所述的发光器件，其特征在于，还包括：
设置在所述量子点发光层与所述阳极之间的空穴传输层和/或空穴注入层；
其中，所述空穴传输层的材料选自：Poly-TPD、TFB、PFB 、PVK、NPB、TAPC、TCTA、mCP、CBP、mCBP、CDBP、NiO、Cu2O、CuSCN、MoO3、WoO3、CuO、V2O5以及CuS中的一种或几种；
所述空穴注入层的材料选自：PEDOT:PSS、WO3、V2O5、RbO2、CuPc、WoOx、MoOx、CrOx、NiO、CuO、VOx、CuS、MoS2、MoSe2、WS2以及WSe2中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电子功能层的材料以及所述第二电子功能层的材料分别独立的选自：ZnO、ZnAlO、ZnMgO、ZnGaO、TiO2以及SnO2中的一种或几种。
6.根据权利要求1~3任意一项所述的发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料选自：CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS以及ZnSe/ZnSeS/ZnS中的一种或几种。
7.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上依次层叠形成阳极、量子点发光层、第一电子功能层、电子萃取单元、第二电子功能层和阴极；或者
在衬底上依次层叠形成阴极、第二电子功能层、电子萃取单元、第一电子功能层、量子点发光层和阳极；所述电子萃取单元由电子萃取材料和电子传输材料混合形成，电子萃取材料与电子传输材料的体积比为1：(0.1~0.7)，所述电子萃取材料的功函数大于等于6eV，所述电子萃取材料选自：磷钨酸、磷钼酸、Mo(tfd-COCF3)3以及Ni(tfd)2中的一种或几种，其中，所述第一电子功能层的厚度为3~10nm，所述电子萃取单元的厚度为5~15nm。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1~6任一项所述的发光器件；或者
如权利要求7所述的制备方法得到的发光器件。
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