CN112331778B - 量子点发光器件及其制备方法、发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种量子点发光器件及其制备方法、装置。量子点发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层和阴极；所述界面修饰层设置于所述量子点发光层及所述空穴传输层之间，所述界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体。该量子点发光器件在量子点发光层和空穴传输层之间设置界面修饰层，界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，且第一量子点的壳层组分为p型半导体，利于空穴传输，降低空穴从空穴传输层到量子点发光层的势垒，提高空穴的迁移率，促进器件的载流子平衡，从而提高量子点发光器件的发光效率和稳定性。

Description

量子点发光器件及其制备方法、发光装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光器件及其制备方法、发光装置。
背景技术
显示技术从早期的阴极射线管（CRT），到20世纪80年代中期的液晶显示（LCD）、等离子体平板显示（PDP），再到目前主流的OLED和QLED，完成了一次又一次质的飞跃。
有机致发光二极管（OLED）由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、视角宽、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示技术领域中的主流技术。
量子点发光二极管（QLED）具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了OLED的有力竞争者。QLED中的量子点发光层材料也从早期的单核结构，发展到了现在的核壳结构，其中核层材料一般使用稳定的硒化镉（CdSe）量子点，在红/绿QLED中有较高的性能，壳层材料一般使用硫化镉(CdS)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)等，这些材料（包括核层材料和壳层材料）都是n型半导体材料，从材料本身来讲，电子迁移率要大于空穴迁移率，并且从电子传输层到量子点发光层之间的电子传输垫垒，比从空穴传输层到量子点发光层之间的空穴传输垫垒要小得多，两方面原因叠加造成器件中载流子不平衡，发光中心容易偏移，激子容易淬灭，导致器件效率和稳定性不高。
因此，现有技术还有待改进和发展。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率高、稳定性好的量子点发光器件及其制备方法。
一种量子点发光器件，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层和阴极；
所述界面修饰层设置于所述量子点发光层及所述空穴传输层之间，所述界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体。
上述量子点发光器件在量子点发光层和空穴传输层之间设置界面修饰层，界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，且第一量子点的壳层组分为p型半导体，利于空穴传输，降低空穴从空穴传输层到量子点发光层的势垒，提高空穴的迁移率，促进器件的载流子平衡，从而提高量子点发光器件的发光效率和稳定性。
在其中一个实施例中，所述第一量子点的壳层组分的禁带宽度小于所述第一量子点的核层组分的禁带宽度。
界面修饰层中的第一量子点的壳层组分对核层组分的电荷具有离域作用，当空穴从空穴传输层传输到界面修饰层时，空穴会被离域到量子点发光层，进一步促进空穴的传输，提高空穴的迁移率和载流子平衡。
在其中一个实施例中，所述第一量子点的壳层组分选自PbS，PbSe和ZnTe中的至少一种，所述第一量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述量子点发光层包括具有核壳结构的第二量子点；所述第二量子点的核层与所述第一量子点的核层的组分相同，且所述第二量子点的壳层组分为n型半导体。
在其中一个实施例中，所述第二量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一种，所述第二量子点材料的壳层组分选自CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述界面修饰层的厚度为5 nm ~20 nm；所述量子点发光层的厚度为10 nm ~ 30 nm。
在其中一个实施例中，所述量子点发光器件还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述量子点发光层靠近所述阴极的一侧，所述电子阻挡层的材料为n型半导体。
在量子点发光层靠近阴极的一侧设置由n型半导体材料形成的电子阻挡层，可以阻挡电子注入到量子点发光层，促进平衡电子迁移率和空穴迁移率的作用。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料与所述第二量子点的壳层的组分相同。
采用与量子点发光层的量子点壳层组分相同的材料作为电子阻挡层的材料，形成的电子阻挡层的LOMO（最低未占据轨道）能级比量子点发光层的LOMO更浅，可以很好的阻挡电子的注入，促进载流子平衡。
在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的厚度为10 nm ~ 50 nm。
本发明另一目的还提供了一种量子点发光器件的制备就去，包括以下步骤：
提供阳极，于所述阳极上形成空穴传输层；
于所述空穴传输层上形成界面修饰层；
于所述界面修饰层上形成量子点发光层；
于所述量子点发光层上形成阴极；
其中，形成所述界面修饰层的材料包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体。
本发明又一目的提供一种发光装置，所述发光装置包括上述的量子点发光器件或采用上述制备方法制备得到的量子点发光器件。
附图说明
图1为本发明一实施例量子点发光器件的结构示意图；
图2为本发明图1所示量子点发光器件的界面修饰层的量子点核壳能级图；
图3为本发明图1所示量子点发光器件的量子点发光层的量子点核壳能级图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，为本发明一实施例的量子点发光器100的结构示意图。
量子点发光器件100包括层叠设置在衬底110（Subsrtate）上的阳极120、空穴传输层140、界面修饰层150、量子点发光层（QD层）160和阴极190。在图1所示的例子中，阳极120、空穴传输层140、界面修饰层150、量子点发光层（QD层）160和阴极190依次层叠设置。
其中，衬底110可为刚性衬底比如玻璃衬底；或柔性衬底比如PI（聚酰亚胺）薄膜衬底。在本具体实施例中，衬底110为玻璃衬底。
在本实施例中，阳极120的材料选自ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）或Au（金）等高功函数金属及其金属氧化物中的至少一种。
在本实施例中，空穴传输层140的材料选自TPD（N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺）、poly-TPD（聚[双（4-苯基）（4-丁基苯基）胺]）、PVK（聚乙烯基咔唑）、CBP（4，4’-二（9-咔唑）联苯）、NPB（N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺）、TCTA（4，4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺）、mCP（3，5-N，N’-二咔唑苯）、TAPC（4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]）和TFB（聚（9，9-二辛基芴 -CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺））等中的一种或多种。例如，在一些例子中，空穴传输层的材料选自TPD。
在本实施例中，界面修饰层150包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体。
进一步地，第一量子点的壳层组分的禁带宽度小于第一量子点的核层组分的禁带宽度。如此，传输过来的空穴容易被离域到量子点发光层160。
进一步地，第一量子点的壳层组分选自PbS（硫化铅），PbSe（硒化铅）和ZnTe（碲化锌）等中的至少一种，第一量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一种。
具体地，界面修饰层150的材料可选自核壳结构的CdSe/PbS、CdSe/PbSe、CdSe/ZnTe等量子点材料。
如此，界面修饰层150的核壳结构具有如图2所示的能级结构，包覆在核层151组分外的壳层153组分对核层151的电荷具有离域作用，当空穴从空穴传输层140传输到界面修饰层150时，空穴会被离域到量子点发光层160，从而促进空穴的传输；而且，界面修饰层150具有p型半导体壳层153组分利于空穴传输，同时，其HOMO（最高占据轨道）能级介于空穴传导的HOMO能级与量子点发光层160的HOMO能级之间，能够减小空穴传输层140到量子点发光层160的势垒。因此，界面修饰层150可以从多个方面提高空穴的迁移率。
在本实施例中，界面修饰层150的厚度为5 nm ~ 20 nm。在一些例子中，界面修饰层的厚度为5nm、6nm 、7 nm、8nm、9nm 、10nm、11nm、12nm、13nm 、14nm、15nm、16nm 、17nm、18nm、19nm或20nm。
在本实施例中，量子点发光层160的材料为第二量子点发光材料，所述第二量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单中的至少一种。
在本实施例中，量子点发光层160包括具有核壳结构的第二量子点；第二量子点的核层与第一量子点的核层的组分相同，且第二量子点的壳层组分为n型半导体。
量子点发光层160中第二量子点的核组分与界面修饰层150的核组分相同，壳组分为n型半导体，如此，量子点发光层160具有如图3所示的能级结构，包覆在核层161组分外的壳层163可以起到电子阻挡层的作用，减少电子的注入，促进载流子在量子点发光层160中的平衡。
在本实施例中，第二量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一种，第二量子点材料的壳层组分选自CdS（硫化镉）、ZnSe（硒化锌）、ZnS（硫化锌）、CdSeS（硫硒化镉）和ZnSeS（硫硒化锌）等中的至少一种。
具体地，量子点发光层160的材料可选自CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、CdSe/ CdSeS、和CdSe/ZnSeS等中的一种。
在本实施例中，量子点发光层160的厚度为10 nm ~ 50 nm。在一些例子中，量子点发光层160的厚度为10nm~50nm的任一厚度，比如10nm、11nm、12nm、13nm 、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40 nm、45 nm、或50 nm。
在本实施例中，量子点发光器件100还包括电子阻挡层170，电子阻挡层170设置在量子点发光层160靠近阴极190的一侧，该电子阻挡层170的材料为n型半导体。
进一步地，电子阻挡层170的材料与量子点发光层160的量子点的壳层组分相同。
如此，电子阻挡层170采用与量子点发光层160的量子点的壳层组分相同的材料，其LOMO能级比量子点发光层的LOMO更浅，可以阻挡电子的注入，同时，其传输电子的能力相较于QLED器件中常用的ZnO电子传输层的能力小，可以提高载流子平衡。
具体地，电子阻挡层170的材料可选自CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一种。
在本实施例中，电子阻挡层170的厚度为10 nm ~ 50 nm。在一些例子中，量子点发光层160的厚度为10nm~50nm的任一厚度，比如10nm、11nm、12nm、13nm 、14nm、15nm、16nm 、17nm、18nm、19nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40 nm、45 nm、或50 nm。
在本实施例中，量子点发光器件100还包括设置在阳极120和空穴传输层140之间的空穴注入层130。
进一步地，空穴注入层130的材料选自PEDOT:PSS（聚3，4-乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合物）、NiOx（氧化镍）、WO3（三氧化钨）、CuPc（酞菁铜）、HATCN（2，3，6，7，10，11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲）、m-MTDATA（4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺）、F4-TCQN（四氟四氰基醌二甲烷）和MoO3（三氧化钼）等中的一种。
在本实施例中，量子点发光器件100还包括设置在阴极190和电子阻挡层170之间的电子传输层180。
进一步地，电子传输层180的材料可选自ZnO（氧化锌）、BaO（氧化钡）和TiO2（氧化钛）等中的一种。
在本实施例中，阴极190的材料可选自Al（铝）、Ag（银）和Mg-Ag合金（镁-银合金）等中的至少一种。
上述量子点发光器件100采用无机核壳结构的第一量子点作为界面修饰层150的材料，界面修饰层150的核组分跟量子点发光层的核组分相同，壳组分为p-型半导体材料，在降低空穴从空穴传输层到量子点发光层160的势垒的同时增加了空穴的迁移率，并利用壳层组分的禁带宽度小于核层组分的禁带宽度，将传输过来的空穴离域至量子点发光层160，提高空穴传输效率；进一步地利用与量子点发光层160的壳层组分相同的材料作为电子阻挡层170的材料，通过电子阻挡层170的作用降低电子的迁移率，如此，通过两方面作用叠加在一起，增加了空穴的注入的同时减少了电子的注入，使得载流子在量子点发光层160中更为平衡，从而增加了器件的发光效率和提高了器件的稳定性。
本发明还提供一种上述量子点发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供阳极，于阳极上形成空穴传输层；
于空穴传输层上形成界面修饰层；
于界面修饰层上形成量子点发光层；
于量子点发光层上形成阴极；
其中，形成界面修饰层的材料包括具有核壳结构的第一量子点，第一量子点的壳层组分为p型半导体。
在本实施例中，量子点发光器件的制备方法包括如下步骤：
S1、于衬底上形成阳极；
S2在阳极上形成空穴注入层：将所述空穴注入层的材料采用蒸镀、涂布、旋涂或喷墨打印方式制备在阳极的上表面；
S3、在空穴注入层上形成空穴传输层：将所述空穴传输层的材料采用蒸镀、涂布、旋涂或喷墨打印方式制备在空穴注入层的上表面；
S4、在空穴传输层上形成界面修饰层：将所述界面修饰层的材料采用涂布、旋涂、或喷墨打印方式制备在空穴传输层的上表面；
S5、在界面修饰层上形成量子点发光层：将所述量子点发光层的材料采用涂布、旋涂或喷墨打印方式制备在空穴传输层的上表面；
S6、在量子点发光层上形成电子阻挡层：将所述电子阻挡层的材料采用涂布、旋涂或喷墨打印方式制备在量子点发光层的上表面；
S7、在电子阻挡层上形成电子传输层：将所述电子传输层的材料采用蒸镀、涂布、旋涂或喷墨打印制备在电子阻挡层的上表面；
S8、在电子传输层上形成阴极：将所述阴极层材料通过蒸镀形成在电子传输层的上表面；
S9、封装，得到QLED发光器件。
本发明另一实施方式提供一种装置，该装置包括上述的量子点发光器件。
在本实施例中，装置为显示装置或照明装置。
以下为具体实施例
实施例1 一种量子点发光器件及其制备方法
量子点发光器件从衬底往上依次包括层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层、电子阻挡层、电子传输层、阴极。
制备方法如下：
1）提供衬底，衬底为玻璃衬底。
2）在玻璃衬底上制备ITO阳极。
3）以PEDOT为材料在ITO阳极上制备空穴注入层
将水溶性的导电聚合物PEDOT旋涂于ITO阳极上，真空干燥成膜后，150 ℃退火20min，得到厚为70 nm的空穴注入层。
4）在空穴注入层上制备空穴传输层
将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，230 ℃退火30 min，得到厚度为50 nm的空穴传输层。
5）在空穴传输层上制备界面修饰层
将核壳结构的CdSe/PbS量子点墨水旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10 min，得到厚度为10 nm的界面修饰层。
6）在界面修饰层上制备量子点发光层
将具有核壳结构的CdSe/ZnS红色量子点墨水旋涂于界面修饰层上，真空干燥成膜后，100 ℃退火10 min，得到厚度为20 nm的量子点发光层。
7）在量子点发光层上制备电子阻挡层
将ZnS墨水旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120 ℃退火1 0min，得到厚度为30 nm的电子阻挡层。
8）在电子阻挡层制备电子传输层
将ZnO墨水旋涂于电子阻挡层上，真空干燥成膜后，120 ℃退火15 min，得到厚度为30 nm的电子传输层。
9）在电子传输层上制备阴极
将Al蒸镀于电子传输层上，得到厚度为150 nm的阴极。
10）封闭，得到量子点发光器件。
实施例2
实施例2与实施例1基本相同，不同之处在于，实施例2界面修饰层的材料为具有核壳结构的CdSe/PbSe量子点墨水。
实施例3
实施例3与实施例1基本相同，不同之处在于，实施例3界面修饰层的材料为具有核壳结构的CdSe/ZnTe量子点墨水。
实施例4
实施例4与实施例1基本相同，不同之处在于，实施例4量子点发光层的材料为具有核壳结构的CdSe/ZnSeS量子点墨水，电子阻挡层的材料为ZnSeS。
实施例5一种量子点发光器件及其制备方法
量子点发光器件从衬底往上依次包括层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层、电子传输层、阴极。
制备方法如下：
1）提供衬底，衬底为玻璃衬底。
2）在玻璃衬底上制备ITO阳极。
3）以PEDOT为材料在ITO阳极上制备空穴注入层
将水溶性的导电聚合物PEDOT旋涂于ITO阳极上，真空干燥成膜后，150 ℃退火20min，得到厚为70 nm的空穴注入层。
4）在空穴注入层上制备空穴传输层
将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，230 ℃退火30 min，得到厚度为50 nm的空穴传输层。
5）在空穴传输层上制备界面修饰层
将核壳结构的CdSe/PbS量子点墨水旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10 min，得到厚度为10 nm的界面修饰层。
6）在界面修饰层上制备量子点发光层
将具有核壳结构的CdSe/ZnS红色量子点墨水旋涂于界面修饰层上，真空干燥成膜后，100 ℃退火10 min，得到厚度为20 nm的量子点发光层。
7）在量子点发光层上制备电子传输层
将ZnO墨水旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120 ℃退火15 min，得到厚度为30 nm的电子传输层。
8）在电子传输层上制备阴极
将Al蒸镀于电子传输层上，得到厚度为150 nm的阴极。
9）封闭，得到量子点发光器件。
对比例1
一种量子点发光器件及其制备方法
量子点发光器件从衬底往上依次包括层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极。
制备方法如下：
1）提供衬底，衬底为玻璃衬底。
2）在玻璃衬底上制备ITO阳极。
3）以PEDOT为材料在ITO阳极上制备空穴注入层
将水溶性的导电聚合物PEDOT旋涂于ITO阳极上，真空干燥成膜后，150 ℃退火20min，得到厚为70 nm的空穴注入层。
4）在空穴注入层上制备空穴传输层
将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，230 ℃退火30 min，得到厚度为50 nm的空穴传输层。
5）在空穴传输层上制备量子点发光层
将具有核壳结构的CdSe/ZnS红色量子点墨水旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100 ℃退火10 min，得到厚度为20 nm的量子点发光层。
6）在量子点发光层上制备电子传输层
将ZnO墨水旋涂于量子点发光层上，真空干燥成膜后，120 ℃退火15 min，得到厚度为30 nm的电子传输层。
7）在电子传输层上制备阴极
将Al蒸镀于电子传输层上，得到厚度为150 nm的阴极。
8）封闭，得到量子点发光器件。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层和阴极；所述界面修饰层设置于所述量子点发光层及所述空穴传输层之间，所述界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体；
所述第一量子点的壳层组分的禁带宽度小于所述第一量子点的核层组分的禁带宽度;
所述量子点发光层包括具有核壳结构的第二量子点；所述第二量子点的壳层组分为n型半导体。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一量子点的壳层组分选自PbS，PbSe和ZnTe中的至少一种，所述第一量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第二量子点的核层与所述第一量子点的核层的组分相同。
4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第二量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe中的至少一种，所述第二量子点的壳层组分选自CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为5 nm~20 nm；所述量子点发光层的厚度为10 nm ~ 30 nm。
6.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述量子点发光层靠近所述阴极的一侧，所述电子阻挡层的材料为n型半导体。
7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料与所述第二量子点的壳层的组分相同。
8.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为10nm ~ 50 nm。
9.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括设置在阳极和空穴传输层之间的空穴注入层；和/或
设置在阴极和电子阻挡层之间的电子传输层。
10.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供阳极，于所述阳极上形成空穴传输层；
于所述空穴传输层上形成界面修饰层；
于所述界面修饰层上形成量子点发光层；
于所述量子点发光层上形成阴极；
其中，形成所述界面修饰层的材料包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体；
所述第一量子点的壳层组分的禁带宽度小于所述第一量子点的核层组分的禁带宽度；
所述量子点发光层包括具有核壳结构的第二量子点；所述第二量子点的壳层组分为n型半导体。
11.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1~9任一项所述的量子点发光器件或者采用权利要求10所述制备方法制备得到的量子点发光器件。
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